JPH09217250A - 織布検反装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】照明光、風綿といった外乱の影響を排除して精
度の高い検反を行なえる織布検反装置を提供する。 【解決手段】検知範囲１９１は受光素子１９上に結像さ
れる織布Ｗ上の範囲を表し、検知範囲２０１は受光素子
２０上に結像される織布Ｗ上の範囲を表す。経糸Ｔの糸
配列方向の検知範囲１９１，２０１の幅は同じｈであ
り、幅ｈは経糸Ｔの糸配列ピッチＰの半分Ｐ／２よりも
小さくしてある。そして、両検知範囲１９１，２０１は
経糸Ｔの糸配列方向に糸配列ピッチＰの半分だけずらし
てある。差演算回路３０は両受光素子１９，２０から得
られる電気信号の差を演算して出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、織布の織り状態を
反映する光の受光量に応じた電気信号を出力する光電セ
ンサを用いて織布の欠点を検出する織布検反装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の織布検反装置が特開昭６０−２
３１８５０号公報に開示されている。光源から織布上に
投射された光の反射光は感光セルによって受光される。
光の経路上には光学レンズ系が設置されており、投射光
あるいは反射光の集光、平行化等の必要な光学的処理が
光学レンズ系によって行われる。感光セルは受光量に応
じた電気信号を出力し、この電気信号が評価ユニットで
評価される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】受光量に応じて変換さ
れた電気信号の評価は一般的に電気信号の大きさと予め
設定された基準値との比較によって行われる。電気信号
の値が基準値以内であれば正常の評価が行われ、電気信
号の値が基準値を越えれば異常の評価が行われる。しか
しながら、検反装置以外の照明光の存在、あるいは風綿
の存在が前記電気信号を変化させる。このような電気信
号の変化は織布の織り状態を正しく反映せず、誤検反が
起きる。

【０００４】本発明は、照明光、風綿といった外乱の影
響を排除して精度の高い検反を行える織布検反装置を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そのために請求項１の発
明では、織布上に検知範囲を持つ第１の光電センサと、
織布上に検知範囲を持つ第２の光電センサと、前記一対
の光電センサから得られる電気信号の差を演算する差演
算手段と、前記差演算手段の演算結果に基づいて欠点有
無の判定を行なう判定手段とを備えた織布検反装置を構
成し、第１の光電センサ及び第２の光電センサにおける
各検知範囲の織布に対する相対移動方向の幅を前記相対
移動方向の糸配列ピッチ以下の同一幅とし、前記糸配列
ピッチの半分又は糸配列ピッチの半分と糸配列ピッチの
整数倍との和だけ前記相対移動方向へ両検知範囲をずら
した。

【０００６】請求項１の発明によれば、第１の光電セン
サの電気信号と第２の光電センサの電気信号との差が演
算され、判定手段がこの演算された差に基づいて欠点有
無の判定を行なう。前記差の演算は照明光、風綿といっ
た外乱の影響による電気信号の変化を排除する。各光電
センサの検知範囲の幅が糸配列ピッチ以下であるため、
検知範囲が糸の配列位置上にある場合に得られる電気信
号の値と、検知範囲が隣合う糸の配列位置の間にある場
合に得られる電気信号の値との差が最も大きくなる。従
って、糸配列ピッチの半分又は糸配列ピッチの半分と糸
配列ピッチの整数倍との和だけ前記相対移動方向へ両検
知範囲をずらすことによって前記電気信号値の差が最も
大きくなる。この差が大きいほど欠点有無の判定が正確
になる。

【０００７】請求項２の発明では、前記一対の検知範囲
から反射する光を単一の光学系によって第１及び第２の
光電センサへ送るようにした。単一の光学系によって織
布上をスキャンする構成は最も簡素な機構となる。

【０００８】請求項３の発明では、前記単一の光学系を
１つの結像レンズで構成し、この結像レンズによって前
記一対の検知範囲の一方の像を第１の光電センサ上に結
像すると共に、他方の像を第２の光電センサ上に結像す
るようにした。

【０００９】各検知範囲内の織布上の像が単一の結像レ
ンズによって別々の光電センサ上に結像される。隣合う
像を単一の結像レンズで精度良く結像する場合には隣合
う像が近接している必要がある。最小の場合には一対の
検知範囲を糸配列ピッチの半分だけずらすような構成は
精度の良い結像をもたらす。

【００１０】請求項４の発明では、前記一対の検知範囲
の一方から反射する光を第１の光学系によって第１の光
電センサへ送ると共に、他方から反射する光を第２の光
学系によって第２の光電センサへ送るようにした。

【００１１】請求項４の発明によれば、織布上の各検知
範囲から反射散乱する光が別々の光学系によって集光さ
れて光電センサへ送られる。別々の光学系によって反射
散乱光を拾う構成では、単一の光学系によって反射光を
拾う場合に比べて光電センサにおける光ゲインが増加す
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、織機上の織布検反装置に本
発明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図６に基づ
いて説明する。

【００１３】図１に示すように織布Ｗの上方にはレール
１１が織布Ｗの織り幅方向、即ち緯糸Ｙの糸方向に配設
されている。レール１１にはセンサヘッド１２がガイド
体１３を介して吊下支持されている。ガイド体１３はレ
ール１１に沿って移動できる。図２及び図３に示すよう
にセンサヘッド１２には無端状ベルト１４が結合されて
おり、無端状ベルト１４はモータ１５の駆動プーリ２２
とガイドプーリ１６とに掛け渡されている。無端状ベル
ト１４はモータ１５の往復駆動によって往復周回し、セ
ンサヘッド１２がレール１１に沿って往復動する。セン
サヘッド１２は、反射鏡１７、棒状の結像レンズ１８、
第１の光学センサとなる受光素子１９、第２の光学セン
サとなる受光素子２０及び制御回路基板２１を備えてい
る。

【００１４】図２に示すように、ガイドプーリ１６の近
傍には投光器２３が設置されている。投光器２３は、容
器２４と、容器２４の底部に取り付けられた投光素子２
５と、容器２３の開口側に取り付けられたスリット板２
６と、投光素子２５とスリット板２６との間に介在され
た棒状の凸レンズ２７とからなる。スリット板２６には
スリット２６１が形成されている。投光素子２５は凸レ
ンズ２７の焦点上に位置しており、投光素子２５から凸
レンズ２７に投射された光は凸レンズ２７を通って平行
光となる。図１の鎖線矢印は光の行路を表す。凸レンズ
２７の光軸はスリット２６１の中央を通っている。凸レ
ンズ２７を通って平行になった光の一部はスリット２６
１を通過する。スリット板２６は光の平行度を高めるた
めに凸レンズ２７の周縁部を通過した光の通過を阻止す
る。

【００１５】スリット２６１を通過した平行光の行路は
反射鏡１７と交差する。反射鏡１７に当たった平行光は
織布Ｗ上に向けて反射される。結像レンズ１８は織布Ｗ
の上面の像を一対の受光素子１９，２０の受光面に一致
する平面上に結像する。受光素子１９，２０は、経糸Ｔ
の糸配列方向の幅が狭く、かつ経糸Ｔの糸方向へ長い形
状である。

【００１６】図４の検知範囲１９１は結像レンズ１８に
よって受光素子１９上に結像される織布Ｗ上の範囲を表
し、検知範囲２０１は結像レンズ１８によって受光素子
２０上に結像される織布Ｗ上の範囲を表す。経糸Ｔの糸
配列方向の検知範囲１９１，２０１の幅は同じｈであ
り、幅ｈは経糸Ｔの糸配列ピッチＰの半分Ｐ／２よりも
小さくしてある。又、検知範囲１９１，２０１の経糸Ｔ
の糸方向の長さは同じであり、この長さは緯糸Ｙを例え
ば１０本程度含むぐらいの長さにしてある。そして、両
検知範囲１９１，２０１は経糸Ｔの糸配列方向に糸配列
ピッチＰの半分だけずらしてある。

【００１７】図５の右向きの矢印Ｑ１で囲まれた領域は
センサヘッド１２の右方向への移動による織布Ｗ上にお
ける検知範囲１９１，２０１の走査範囲を表す。左向き
の矢印Ｑ２で囲まれた領域はセンサヘッド１２の左方向
への移動による織布Ｗ上における検知範囲１９１，２０
１の走査範囲を表す。織布Ｗは矢印Ｒの方向に移動す
る。

【００１８】受光素子１９，２０は受け取った光を電流
に変換する。この変換電流信号は受光量に応じた電気信
号になる。図５の回路は制御回路基板２１上の回路構成
を表す。受光素子１９は変換電流信号を電流−電圧変換
回路２８に出力し、受光素子２０は変換電流信号を電流
−電圧変換回路２９に出力する。電流−電圧変換回路２
８，２９は変換電流信号を電圧信号Ｓ１，Ｓ２に変換し
て差演算回路３０に出力する。図６の波形Ｓ１は電流−
電圧変換回路２８から出力される電圧信号を表し、波形
Ｓ２は電流−電圧変換回路２９から出力される電圧信号
を表す。なお、電圧信号Ｓ１，Ｓ２の値の変動は、例え
ば出力電圧１ボルトに対して５ミリボルト程度という僅
かなものである。

【００１９】差演算回路３０は両電流−電圧変換回路２
８，２９から入力する電圧信号Ｓ１，Ｓ２の値の差を演
算する。図６の波形ΔＳは差演算回路３０から出力され
る差信号を表す。差演算回路３０は演算して得られた差
信号ΔＳをバンドパスフィルタ３１を経由して比較回路
３２に出力する。バンドパスフィルタ３１は差信号ΔＳ
の周波数近辺の周波数の信号以外の波形信号をカットす
る。

【００２０】比較回路３２は入力した差信号ΔＳと基準
値設定回路３３によって予め設定された基準値Ｖ（＞
０）とを比較する。差信号ΔＳの値が基準値Ｖを越える
と、比較回路３２は図６に波形Ｈで示す信号を制御信号
発生回路３４に出力する。制御信号発生回路３４は波形
Ｈの立ち上がり部に対応して図６にパルス状波形で示す
制御信号Ｋをカウンタ３５に出力する。カウンタ３５は
基準クロック３６から出力されるパルス信号の数に基づ
いて各制御信号Ｋ間の時間間隔ｔｘの計測を行なう。こ
の計測情報は比較回路３７に送られる。

【００２１】比較回路３７は、基準値設定回路３８によ
って予め設定された基準間隔〔ｔｏ−Δｔ，ｔｏ＋Δ
ｔ〕と計測された時間間隔ｔｘとの比較を行なう。ｔｘ
が〔ｔｏ−Δｔ，ｔｏ＋Δｔ〕の範囲外にあれば、比較
回路３７は出力回路３９に対して欠点検出信号を出力す
る。ｔｘが〔ｔｏ−Δｔ，ｔｏ＋Δｔ〕の範囲内にあれ
ば、比較回路３７は出力回路３９に対して欠点検出信号
を出力しない。出力回路３９は、比較回路３２、基準値
設定回路３３、制御信号発生回路３４、カウンタ３５、
基準クロック３６及び基準値設定回路３８と共に判定手
段を構成する比較回路３７から出力される欠点検出信号
の入力に応じて製織停止信号あるいは警報指令信号等の
出力を行なう。

【００２２】センサヘッド１２の移動速度をｖ、結像レ
ンズ１８の倍率をｍとすると、結像レンズ１８によって
受光素子１９，２０の受光平面上に結合される像は速度
ｍｖで移動する。経糸Ｔの糸配列ピッチＰよりも小さい
幅ｈの検知範囲１９１，２０１は糸配列ピッチＰの半分
Ｐ／２だけ経糸Ｔの配列方向にずらしてある。従って、
経糸Ｔの糸配列ピッチが常に所定の糸配列ピッチＰに等
しいならば、制御信号Ｋの時間間隔ｔｘはＰ／ｍｖにほ
ぼ等しい。Ｐ／ｍｖは基準値ｔｏとして採用されてお
り、Δｔは許容公差である。

【００２３】第１の実施の形態では以下の効果が得られ
る。 （１）比較回路３２、基準値設定回路３３、制御信号発
生回路３４、カウンタ３５、基準クロック３６、基準値
設定回路３８及び比較回路３７から構成される判定手段
は、差演算回路３０によって演算された差ΔＳに基づい
て欠点有無の判定を行なう。この差ΔＳの演算は照明
光、風綿といった外乱の影響による電気信号の変化を排
除する。 （２）経糸Ｔは隣合う筬羽間に一定本数単位で通されて
いるが、例えばある筬羽間では経糸の通し本数が規定に
足りず、隣の筬羽間で経糸の通し本数が規定よりも多い
といった状況が生じることもある。このような状況が続
くと、いわゆる経筋が織布上に生じ、不良織布ができて
しまう。図６では織布Ｗの織幅方向の領域Ｗ１が経筋発
生による粗な部分を表し、領域Ｗ２が経筋発生による密
な部分を表す。受光素子１９，２０の検知範囲１９１，
２０１の経糸Ｔの糸配列方向の幅ｈは経糸Ｔの糸配列ピ
ッチＰ以下に設定してあり、両検知範囲１９１，２０１
は糸配列方向に糸配列ピッチＰの半分Ｐ／２だけずらし
てある。各受光素子１９，２０の検知範囲１９１，２０
１の幅が糸配列ピッチＰ以下であるため、検知範囲１９
１，２０１の一方が経糸Ｔの配列位置上にある場合に得
られる電気信号の値と、他方が隣合う経糸Ｔの配列位置
の間にある場合に得られる電気信号の値との差が最も大
きくなる。従って、糸配列ピッチＰの半分Ｐ／２だけ検
知範囲１９１，２０１の移動方向へ両検知範囲１９１，
２０１をずらすことによって電気信号Ｓ１，Ｓ２の値の
差ΔＳが最も大きくなる。この差ΔＳが大きいほど欠点
有無の判定が正確になる。 （３）一対の検知範囲１９１，２０１から反射する光を
単一の結像レンズ１８からなる光学系によって第１及び
第２の光電センサとなる受光素子１９，２０へ送るよう
にしたが、このような単一の光学系によって織布Ｗ上を
スキャンする構成は最も簡素な機構となる。 （４）各検知範囲１９１，２０１内の織布Ｗ上の像が単
一の結像レンズ１８によって別々の受光素子１９，２０
上に結像される。隣合う像を単一の結像レンズ１８で精
度良く結像する場合には隣合う像が近接している必要が
ある。最小の場合には一対の検知範囲１９１，２０１を
糸配列ピッチＰの半分だけという僅かな距離だけずらす
ような構成は精度の良い結像をもたらす。

【００２４】次に、図７の第２の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、検知範囲１９１，２０１
が糸配列ピッチＰの半分と糸配列ピッチの整数倍との和
だけ経糸Ｔの糸配列方向にずらされている。この実施の
形態においても第１の実施の形態と同様の効果が得られ
る。

【００２５】次に、図８の第３の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、投光器２３がセンサヘッ
ド４０に取り付けられており、光の経路が第１の実施の
形態に比して短く、かつ経路長一定である。従って、風
綿等による途中の減衰作用を受けることなく一定強度の
光を織布Ｗ上に投射することができる。

【００２６】次に、図９の第４の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、第１及び第２の光電セン
サとしてイメージセンサ４１が用いられる。イメージセ
ンサ４１の全画素のうちの適当な個数の画素を用いて検
知範囲の大きさを選択できる。図示の場合には（ｎ，ｍ
１）で表す検知範囲が第１の実施の形態の検知範囲１９
１に対応し、（ｎ，ｍ２）で表す検知範囲が第１の実施
の形態の検知範囲２０１に対応する。検知範囲（ｎ，ｍ
１）の変換電流は検知範囲制御回路４２によって電流−
電圧変換回路２８へ送られ、検知範囲（ｎ，ｍ２）の変
換電流は検知範囲制御回路４２によって電流−電圧変換
回路２９へ送られる。以後の信号処理は第１の実施の形
態と同じである。

【００２７】なお、イメージセンサの画素の代わりに小
型のフォトダイオードあるいはフォトトランジスタを用
いることもできる。次に、図１０及び図１１の第５の実
施の形態を説明する。第１の実施の形態と同じ構成部に
は同じ符号が付してある。

【００２８】この実施の形態におけるセンサヘッド４３
は３つの反射鏡４４，４５，４６、一対の棒状の凸レン
ズ４７，４８及びスリット板４９を備えている。スリッ
ト板４９は織布Ｗに対して平行に配置されており、スリ
ット板４９には一対のスリット４９１，４９２が形成さ
れている。スリット４９１，４９２は経糸Ｙの糸方向に
延びている。スリット４９１，４９２の経糸Ｔの糸配列
方向の幅は同じである。

【００２９】投光器２３から投射された平行光の行路は
反射鏡４４と交差する。反射鏡４４は織布Ｗの面に対し
て４５°に傾いており、反射鏡４４に当たった平行光は
スリット板４９に向けて反射される。スリット板４９に
向かった平行光は一対のスリット４９１，４９２を通過
する。スリット４９１，４９２を通過した２本の光は織
布Ｗに垂直に当たって反射散乱する。

【００３０】凸レンズ４７，４８は反射鏡４４からの反
射光の行路の左右両側に対称に配置されている。凸レン
ズ４７，４８の焦点は織布Ｗ上に設定されており、凸レ
ンズ４７，４８は織布Ｗからの反射光を平行光にする。
反射鏡４５は凸レンズ４７を出た平行光の行路上に配置
されており、反射鏡４６は凸レンズ４８を出た平行光の
行路上に配置されている。

【００３１】センサヘッド４３の走行方向の延長線上に
は受光器５０が設置されている。受光器５０は、容器５
１と、容器５１の底部に取り付けられた第１の光電セン
サとなる受光素子５２と、第２の光電センサとなる受光
素子５３と、容器５１の開口側に取り付けられた一対の
棒状の集光レンズ５４，５５と、受光素子５２，５３と
集光レンズ５４，５５との間に介在された抽出スリット
板５６とからなる。抽出スリット板５６には一対のスリ
ット５６１，５６２が形成されている。スリット５６１
は受光素子５２に対置しており、スリット５６２は受光
素子５３に対置している。集光レンズ５４の焦点はスリ
ット５６１の中央にあり、集光レンズ５５の焦点はスリ
ット５６２の中央にある。凸レンズ４７の光軸と集光レ
ンズ５４の光軸とは反射鏡４５の反射面上で交差し、凸
レンズ４８の光軸と集光レンズ５５の光軸とは反射鏡４
６の反射面上で交差する。

【００３２】反射鏡４５から反射された平行光は集光レ
ンズ５４に向かい、反射鏡４６から反射された平行光は
集光レンズ５５に向かう。集光レンズ５４は反射鏡４５
からの反射光をスリット５６１上に集光し、集光レンズ
５５は反射鏡４６からの反射光をスリット５６２上に集
光する。スリット５６１，５６２を通過した光は受光素
子５２，５３によって受光される。スリット５６１，５
６２は外乱光を排除する機能を持つ。

【００３３】図１１に示す４７１は凸レンズ４７による
織布Ｗ上の検知範囲を表し、４８１は凸レンズ４８によ
る織布Ｗ上の検知範囲を表す。凸レンズ４７は検知範囲
４７１から反射した散乱光の一部を平行光に集束し、凸
レンズ４８は検知範囲４８１から反射した散乱光の一部
を平行光に集束する。経糸Ｔの糸配列方向の検知範囲４
７１，４８１の幅ｈは経糸Ｔの糸配列ピッチＰ以下に設
定されている。両検知範囲４７１，４８１は、糸配列ピ
ッチＰの半分Ｐ／２と糸配列ピッチＰの整数倍との和だ
け経糸Ｔの糸配列方向へずらしてある。鎖線で示す位置
Ｐ１，Ｐ２は、スリット４９１，４９２を通過した光の
経路と織布Ｗとの交差中心、かつ凸レンズ４７，４８の
焦点中心である。検知範囲４７１からの反射散乱光は、
凸レンズ４７、反射鏡４５及び集光レンズ５４からなる
第１の光学系によって受光素子５２へ送られる。検知範
囲４８１からの反射散乱光は、凸レンズ４８、反射鏡４
６及び集光レンズ５５からなる第２の光学系によって受
光素子５３へ送られる。受光素子５２，５３は受光量に
応じた電気信号を電流−電圧変換回路２８，２９へ送
る。

【００３４】第５の実施の形態では以下の効果が得られ
る。 （１）織布Ｗの表面は細かい凹凸になっており、織布Ｗ
からの反射光は散乱する。各検知範囲４７１，４８１か
ら反射散乱する光を凸レンズ４７，４８によって集める
ことによって得られる光ゲインは、第１の実施の形態の
場合に比して高くなる。しかも、経糸Ｔの糸配列方向の
検知範囲４７１，４８１の幅が糸配列ピッチＰ以下にし
てあるため、隣合う経糸配列位置の間の位置における反
射光から得られる信号値と経糸配列位置における反射光
から得られる信号値との差が第１の実施の形態の場合よ
りも大きくなる。このような差の大きさは図６の差信号
ΔＳの振幅を大きくし、第１の実施の形態における基準
値Ｖの設定が容易となる。即ち、検反有無の判定の精度
が一層高くなる。

【００３５】なお、第１の実施の形態では基準値設定回
路３３によって設定される基準値Ｖを正としたが、差演
算回路３０の演算結果はゼロ点ライン（即ち、波形ΔＳ
のグラフにおける横軸）に対して正負対称であるため、
Ｖ＝０とすることができる。このようにすれば差信号Δ
Ｓの振幅変化による時間間隔ｔｘの変動を無くすことが
でき、検反精度が高くなる。

【００３６】

【発明の効果】以上詳述したように本発明では、第１の
光電センサ及び第２の光電センサにおける各検知範囲の
織布に対する相対移動方向の幅を前記相対移動方向の糸
配列ピッチ以下の同一幅とし、前記糸配列ピッチの半分
又は糸配列ピッチの半分と糸配列ピッチの整数倍との和
だけ前記相対移動方向へ両検知範囲をずらし、両光電セ
ンサから得られる電気信号の差を演算して欠点有無の判
定に供するようにしたので、照明光、風綿といった外乱
の影響を排除して高精度の検反を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す一部省略正面
図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図。

【図４】織布上の検知範囲と制御回路との組み合わせ
図。

【図５】検知範囲の走査領域を示す平面図。

【図６】制御回路における信号処理を説明するグラフ。

【図７】第２の実施の形態を示す織布上の検知範囲と制
御回路との組み合わせ図。

【図８】第３の実施の形態を示す一部省略正面図。

【図９】第４の実施の形態を示す織布上の検知範囲と制
御回路との組み合わせ図。

【図１０】第５の実施の形態を示す一部省略正面図。

【図１１】織布上の検知範囲と制御回路との組み合わせ
図。

【符号の説明】

１８…結像レンズ、１９…第１の光学センサとなる受光
素子、２０…第２の光学センサとなる受光素子、１９
１，２０１…検知範囲、３０…差演算手段となる差演算
回路。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】織布の織り状態を反映する光の受光量に応
   じた電気信号を出力する光電センサを用いて織布の欠点
   を検出する織布検反装置において、 織布上に検知範囲を持つ第１の光電センサと、 織布上に検知範囲を持つ第２の光電センサと、 前記一対の光電センサから得られる電気信号の差を演算
   する差演算手段と、 前記差演算手段の演算結果に基づいて欠点有無の判定を
   行なう判定手段とを備え、 第１の光電センサ及び第２の光電センサにおける各検知
   範囲の織布に対する相対移動方向の幅を前記相対移動方
   向の糸配列ピッチ以下の同一幅とし、前記糸配列ピッチ
   の半分又は糸配列ピッチの半分と糸配列ピッチの整数倍
   との和だけ前記相対移動方向へ両検知範囲をずらした織
   布検反装置。
2. 【請求項２】前記一対の検知範囲から反射する光を単一
   の光学系によって第１及び第２の光電センサへ送るよう
   にした請求項１に記載の織布検反装置。
3. 【請求項３】前記単一の光学系は１つの結像レンズであ
   り、結像レンズは、前記一対の検知範囲の一方の像を第
   １の光電センサ上に結像すると共に、他方の像を第２の
   光電センサ上に結像する請求項２に記載の織布検反装
   置。
4. 【請求項４】前記一対の検知範囲の一方から反射する光
   を第１の光学系によって第１の光電センサへ送ると共
   に、他方から反射する光を第２の光学系によって第２の
   光電センサへ送るようにした請求項１に記載の織布検反
   装置。