JPH09214278A - Ｐｉｎダイオード可変減衰器 - Google Patents
Ｐｉｎダイオード可変減衰器Info
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- JPH09214278A JPH09214278A JP8013827A JP1382796A JPH09214278A JP H09214278 A JPH09214278 A JP H09214278A JP 8013827 A JP8013827 A JP 8013827A JP 1382796 A JP1382796 A JP 1382796A JP H09214278 A JPH09214278 A JP H09214278A
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- pin
- pin diode
- diode
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
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- Attenuators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＩＮダイオードを収容するシールドケース
の形状が大きくなり不要な共振や伝搬が発生する。 【解決手段】 ＰＩＮダイオード１３，１４の高周波抵
抗値が、高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２
とで結ばれている信号ラインの特性抵抗値よりも大きな
場合は、ＰＩＮダイオード１１とＰＩＮダイオード１
３、及びＰＩＮダイオード１２とＰＩＮダイオード１４
にかかる電圧和、すなわちＶ3が一定となるように制御
され、ＰＩＮダイオード１３，１４の高周波抵抗値が、
信号ラインの特性抵抗値以下になる場合は、ＰＩＮダイ
オード１３，１４に流れる電流が、高周波抵抗値と信号
ラインの特性抵抗値とが等しくなるような値に固定され
てＰＩＮダイオード１１，１２に流れる電流だけが制御
されることにより減衰量が変えられる。
の形状が大きくなり不要な共振や伝搬が発生する。 【解決手段】 ＰＩＮダイオード１３，１４の高周波抵
抗値が、高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２
とで結ばれている信号ラインの特性抵抗値よりも大きな
場合は、ＰＩＮダイオード１１とＰＩＮダイオード１
３、及びＰＩＮダイオード１２とＰＩＮダイオード１４
にかかる電圧和、すなわちＶ3が一定となるように制御
され、ＰＩＮダイオード１３，１４の高周波抵抗値が、
信号ラインの特性抵抗値以下になる場合は、ＰＩＮダイ
オード１３，１４に流れる電流が、高周波抵抗値と信号
ラインの特性抵抗値とが等しくなるような値に固定され
てＰＩＮダイオード１１，１２に流れる電流だけが制御
されることにより減衰量が変えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動利得制御回路
等に関し、特に、マイクロ波帯等高い周波数帯において
使用される可変減衰器に関する。
等に関し、特に、マイクロ波帯等高い周波数帯において
使用される可変減衰器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の可変減衰器においては、π形、ブ
リッジドＴ形等の回路形式のものがあるが、いずれの場
合も、一般のπ形、ブリッジド形の抵抗減衰器の抵抗の
終端にＰＩＮダイオードが用られ、このＰＩＮダイオー
ドの抵抗値を変化させることにより、すなわち、ＰＩＮ
ダイオードにかかる電圧を変化させることにより減衰量
が変えられている。
リッジドＴ形等の回路形式のものがあるが、いずれの場
合も、一般のπ形、ブリッジド形の抵抗減衰器の抵抗の
終端にＰＩＮダイオードが用られ、このＰＩＮダイオー
ドの抵抗値を変化させることにより、すなわち、ＰＩＮ
ダイオードにかかる電圧を変化させることにより減衰量
が変えられている。
【０００３】以下に、従来の可変減衰器の具体的な例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００４】（１）特開平３−１５５２１０号公報に開
示されているもの 本従来例においては、ＰＩＮダイオードを制御するため
の制御回路として逆対数増幅器が用いられ、さらに、逆
対数増幅器から出力される電圧に対する減衰特性をオフ
セットすることにより減衰特性の非直線性が補正されて
いる。
示されているもの 本従来例においては、ＰＩＮダイオードを制御するため
の制御回路として逆対数増幅器が用いられ、さらに、逆
対数増幅器から出力される電圧に対する減衰特性をオフ
セットすることにより減衰特性の非直線性が補正されて
いる。
【０００５】（２）特開昭５７−４４３１４号公報に開
示されているもの 本従来例においては、１／４波長線路が用られて１／４
波長線路とＰＩＮダイオードとが並列に接続され、一つ
の制御電流で定抵抗性を保ちながら減衰量が変えられて
いる。
示されているもの 本従来例においては、１／４波長線路が用られて１／４
波長線路とＰＩＮダイオードとが並列に接続され、一つ
の制御電流で定抵抗性を保ちながら減衰量が変えられて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の可変減衰器においては、以下に記載する
ような問題点がある。
たような従来の可変減衰器においては、以下に記載する
ような問題点がある。
【０００７】図５は、特開平３−１５６５２１０号公報
に開示されている可変減衰器の高周波回路部を示す図で
あり、（ａ）は回路図、（ｂ）は回路実装例を示す図で
ある。
に開示されている可変減衰器の高周波回路部を示す図で
あり、（ａ）は回路図、（ｂ）は回路実装例を示す図で
ある。
【０００８】図５に示すように特開平３−１５６５２１
０号公報に開示されているものにおいては、ＰＩＮダイ
オード１３，１４と接地間にそれぞれ直列に抵抗１５，
１６が設けられている。
０号公報に開示されているものにおいては、ＰＩＮダイ
オード１３，１４と接地間にそれぞれ直列に抵抗１５，
１６が設けられている。
【０００９】図６は、特開昭５７−４４３１４号公報に
開示されている可変減衰器の高周波回路部を示す回路図
である。
開示されている可変減衰器の高周波回路部を示す回路図
である。
【００１０】図６に示すように特開昭５７−４４３１４
号公報に開示されているものにおいては、１／４波長線
路１３３，１３４、終端抵抗１１５，１１６及び直流成
分を除去するためのコンデンサ１２６，１２７が設けら
れている。
号公報に開示されているものにおいては、１／４波長線
路１３３，１３４、終端抵抗１１５，１１６及び直流成
分を除去するためのコンデンサ１２６，１２７が設けら
れている。
【００１１】従来の可変減衰器は以上説明したような構
成であるため、高周波回路部を収容するためのシールド
ケースの形状が大きくなり、不要な共振や伝搬モードに
よってアイソーレーションが劣化してしまうという問題
点がある。
成であるため、高周波回路部を収容するためのシールド
ケースの形状が大きくなり、不要な共振や伝搬モードに
よってアイソーレーションが劣化してしまうという問題
点がある。
【００１２】また、１０ＧＨｚを越えるマイクロ波帯に
おいて使用される場合、抵抗やコンデンサ等の部品に理
想的なものがないため、寄生容量や形状により分布定数
的な特性となり、減衰器の特性が劣化してしまう虞れが
ある。
おいて使用される場合、抵抗やコンデンサ等の部品に理
想的なものがないため、寄生容量や形状により分布定数
的な特性となり、減衰器の特性が劣化してしまう虞れが
ある。
【００１３】さらに、薄膜または厚膜技術を用いて基板
に抵抗等を印刷した場合は、コストアップが生じてしま
うという問題点がある。
に抵抗等を印刷した場合は、コストアップが生じてしま
うという問題点がある。
【００１４】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって、低コストで
かつ、不要な共振及び伝搬の発生を抑えることができる
可変減衰器を提供することを目的とする。
する問題点に鑑みてなされたものであって、低コストで
かつ、不要な共振及び伝搬の発生を抑えることができる
可変減衰器を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、高周波信号が入力される高周波信号入力端
子と、減衰された高周波信号が出力される高周波信号出
力端子と、前記高周波信号入力端子と前記高周波信号出
力端子とで結ばれた信号ラインに直列に接続された第１
及び第２のＰＩＮダイオードと、前記高周波信号入力端
子と接地間に接続された第３のＰＩＮダイオードと、前
記高周波信号出力端子と接地間に接続された第４のＰＩ
Ｎダイオードとを具備する高周波回路と、前記高周波回
路に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御回路
とを有してなるＰＩＮダイオード可変減衰器であって、
前記バイアス制御回路は、前記第３及び第４のＰＩＮダ
イオードの高周波抵抗値が前記信号ラインの特性抵抗値
よりも大きな場合は、前記第１のＰＩＮダイオードと前
記第３のＰＩＮダイオード、及び前記第２のＰＩＮダイ
オードと前記第４のＰＩＮダイオードに流れる電流積が
一定となるように制御し、前記第３及び第４のＰＩＮダ
イオードの高周波抵抗値が前記信号ラインの特性抵抗値
以下になる場合は、前記第３及び第４のＰＩＮダイオー
ドに流れる電流を前記高周波抵抗値と前記特性抵抗値と
が等しくなる値に固定して前記第１及び第２のＰＩＮダ
イオードを流れる電流を制御することを特徴とする。
に本発明は、高周波信号が入力される高周波信号入力端
子と、減衰された高周波信号が出力される高周波信号出
力端子と、前記高周波信号入力端子と前記高周波信号出
力端子とで結ばれた信号ラインに直列に接続された第１
及び第２のＰＩＮダイオードと、前記高周波信号入力端
子と接地間に接続された第３のＰＩＮダイオードと、前
記高周波信号出力端子と接地間に接続された第４のＰＩ
Ｎダイオードとを具備する高周波回路と、前記高周波回
路に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御回路
とを有してなるＰＩＮダイオード可変減衰器であって、
前記バイアス制御回路は、前記第３及び第４のＰＩＮダ
イオードの高周波抵抗値が前記信号ラインの特性抵抗値
よりも大きな場合は、前記第１のＰＩＮダイオードと前
記第３のＰＩＮダイオード、及び前記第２のＰＩＮダイ
オードと前記第４のＰＩＮダイオードに流れる電流積が
一定となるように制御し、前記第３及び第４のＰＩＮダ
イオードの高周波抵抗値が前記信号ラインの特性抵抗値
以下になる場合は、前記第３及び第４のＰＩＮダイオー
ドに流れる電流を前記高周波抵抗値と前記特性抵抗値と
が等しくなる値に固定して前記第１及び第２のＰＩＮダ
イオードを流れる電流を制御することを特徴とする。
【００１６】また、前記第１から第４のＰＩＮダイオー
ドによってπ形減衰器が構成されていることを特徴とす
る。
ドによってπ形減衰器が構成されていることを特徴とす
る。
【００１７】また、前記第１から第４のＰＩＮダイオー
ドは、一直線に実装されていることを特徴とする。
ドは、一直線に実装されていることを特徴とする。
【００１８】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、第３及び第４のＰＩＮダイオードの高周波抵
抗値が信号ラインの特性抵抗値よりも大きな場合、第１
のＰＩＮダイオードと第３のＰＩＮダイオード、及び第
２のＰＩＮダイオードと第４のＰＩＮダイオードに流れ
る電流積が一定となるように制御されることにより減衰
量が変えられ、第３及び第４のＰＩＮダイオードの高周
波抵抗値が信号ラインの特性抵抗値以下になる場合、第
３及び第４のＰＩＮダイオードに流れる電流が高周波抵
抗値と特性抵抗値とが等しくなる値に固定されて第１及
び第２のＰＩＮダイオードを流れる電流が制御されるこ
とにより減衰量が変えられる。
おいては、第３及び第４のＰＩＮダイオードの高周波抵
抗値が信号ラインの特性抵抗値よりも大きな場合、第１
のＰＩＮダイオードと第３のＰＩＮダイオード、及び第
２のＰＩＮダイオードと第４のＰＩＮダイオードに流れ
る電流積が一定となるように制御されることにより減衰
量が変えられ、第３及び第４のＰＩＮダイオードの高周
波抵抗値が信号ラインの特性抵抗値以下になる場合、第
３及び第４のＰＩＮダイオードに流れる電流が高周波抵
抗値と特性抵抗値とが等しくなる値に固定されて第１及
び第２のＰＩＮダイオードを流れる電流が制御されるこ
とにより減衰量が変えられる。
【００１９】このように、各ＰＩＮダイオードに流れる
電流が制御されることにより出力される減衰量が変えら
れるので、高周波回路内において必要となる部品点数が
削減され、シールドケースの形状の大型化などにより発
生する不要な共振や伝搬が抑えられる。
電流が制御されることにより出力される減衰量が変えら
れるので、高周波回路内において必要となる部品点数が
削減され、シールドケースの形状の大型化などにより発
生する不要な共振や伝搬が抑えられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００２１】図１は、本発明のＰＩＮダイオード可変減
衰器の実施の一形態を示す回路図である。
衰器の実施の一形態を示す回路図である。
【００２２】本形態は図１に示すように、高周波信号の
処理を行う高周波回路１８と、高周波回路１８に印加す
るバイアス電圧を制御するバイアス制御回路１７とから
構成されており、高周波回路１８には、高周波信号が入
力される高周波信号入力端子１と、高周波信号が出力さ
れる高周波信号出力端子２と、高周波信号入力端子１と
高周波信号出力端子２との信号ラインに直列に接続され
た第１のＰＩＮダイオードであるＰＩＮダイオード１１
及び第２のＰＩＮダイオードであるＰＩＮダイオード１
２と、高周波信号入力端子１と接地間に接続された第３
のＰＩＮダイオードであるＰＩＮダイオード１３と、高
周波信号出力端子２と接地間に接続された第４のＰＩＮ
ダイオードであるＰＩＮダイオード１４と、３つのチョ
ークコイル６１〜６３とが設けられており、バイアス制
御回路１７には、外部から制御電圧が入力される制御入
力端子５と、高周波回路１８と接続され、制御信号を高
周波回路１８に伝達するためのバイアス制御端子３，４
と、制御入力端子５から入力される制御電圧に基づいて
ＰＩＮダイオード１１〜１４のそれぞれに印加する電圧
を制御する演算増幅器４１〜４３と、７つの抵抗２１〜
２８と、演算増幅器４２の入力端子に接続された可変抵
抗２０と、３つのダイオード３０〜３２と、定電圧ダイ
オード３５とが設けられている。
処理を行う高周波回路１８と、高周波回路１８に印加す
るバイアス電圧を制御するバイアス制御回路１７とから
構成されており、高周波回路１８には、高周波信号が入
力される高周波信号入力端子１と、高周波信号が出力さ
れる高周波信号出力端子２と、高周波信号入力端子１と
高周波信号出力端子２との信号ラインに直列に接続され
た第１のＰＩＮダイオードであるＰＩＮダイオード１１
及び第２のＰＩＮダイオードであるＰＩＮダイオード１
２と、高周波信号入力端子１と接地間に接続された第３
のＰＩＮダイオードであるＰＩＮダイオード１３と、高
周波信号出力端子２と接地間に接続された第４のＰＩＮ
ダイオードであるＰＩＮダイオード１４と、３つのチョ
ークコイル６１〜６３とが設けられており、バイアス制
御回路１７には、外部から制御電圧が入力される制御入
力端子５と、高周波回路１８と接続され、制御信号を高
周波回路１８に伝達するためのバイアス制御端子３，４
と、制御入力端子５から入力される制御電圧に基づいて
ＰＩＮダイオード１１〜１４のそれぞれに印加する電圧
を制御する演算増幅器４１〜４３と、７つの抵抗２１〜
２８と、演算増幅器４２の入力端子に接続された可変抵
抗２０と、３つのダイオード３０〜３２と、定電圧ダイ
オード３５とが設けられている。
【００２３】なお、ＰＩＮダイオード１１〜１４につい
ては、高周波信号入力端子１にＰＩＮダイオード１１の
カソード端子及びＰＩＮダイオード１３のアノード端子
が接続され、高周波信号出力端子２にＰＩＮダイオード
１２のカソード端子及びＰＩＮダイオード１４のアノー
ド端子が接続され、ＰＩＮダイオード１３，１４のカソ
ード端子が接地されており、４つのＰＩＮダイオード１
１〜１４によってπ形減衰器が構成されている。
ては、高周波信号入力端子１にＰＩＮダイオード１１の
カソード端子及びＰＩＮダイオード１３のアノード端子
が接続され、高周波信号出力端子２にＰＩＮダイオード
１２のカソード端子及びＰＩＮダイオード１４のアノー
ド端子が接続され、ＰＩＮダイオード１３，１４のカソ
ード端子が接地されており、４つのＰＩＮダイオード１
１〜１４によってπ形減衰器が構成されている。
【００２４】以下に、上記のように構成された可変減衰
器の動作について説明する。
器の動作について説明する。
【００２５】高周波信号入力端子１から入力された信号
は、ＰＩＮダイオード１１，１２を介して高周波信号出
力端子２に伝達される。
は、ＰＩＮダイオード１１，１２を介して高周波信号出
力端子２に伝達される。
【００２６】図２は、図１に示した可変減衰器の制御電
圧に対する各電圧あるいは電流特性を示す図であり、
（ａ）は可変抵抗２０に印加される電圧特性を示す図、
（ｂ）は演算増幅器４１，４２から出力される電流特性
を示す図、（ｃ）は演算増幅器４１，４２の出力端子の
電圧特性を示す図、（ｄ）はバイアス制御端子３に印加
される電圧特性を示す図、（ｅ）はバイアス制御端子４
に印加される電圧特性及びＰＩＮダイオード１１に印加
される電圧特性を示す図である。
圧に対する各電圧あるいは電流特性を示す図であり、
（ａ）は可変抵抗２０に印加される電圧特性を示す図、
（ｂ）は演算増幅器４１，４２から出力される電流特性
を示す図、（ｃ）は演算増幅器４１，４２の出力端子の
電圧特性を示す図、（ｄ）はバイアス制御端子３に印加
される電圧特性を示す図、（ｅ）はバイアス制御端子４
に印加される電圧特性及びＰＩＮダイオード１１に印加
される電圧特性を示す図である。
【００２７】ＰＩＮダイオード１３，１４の高周波抵抗
値が、高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２と
で結ばれている信号ラインの特性抵抗値（この場合５０
Ω）よりも大きな場合は、ＰＩＮダイオード１１とＰＩ
Ｎダイオード１３、及びＰＩＮダイオード１２とＰＩＮ
ダイオード１４にかかる電圧和、すなわちＶ3が一定
（電流積が一定）となるように制御される。
値が、高周波信号入力端子１と高周波信号出力端子２と
で結ばれている信号ラインの特性抵抗値（この場合５０
Ω）よりも大きな場合は、ＰＩＮダイオード１１とＰＩ
Ｎダイオード１３、及びＰＩＮダイオード１２とＰＩＮ
ダイオード１４にかかる電圧和、すなわちＶ3が一定
（電流積が一定）となるように制御される。
【００２８】また、ＰＩＮダイオード１３，１４の高周
波抵抗値が、信号ラインの特性抵抗値以下になる場合
は、ＰＩＮダイオード１３，１４に流れる電流が、高周
波抵抗値と信号ラインの特性抵抗値とが等しくなるよう
な値に固定されて（Ｉ4が一定にされて）ＰＩＮダイオ
ード１１，１２に流れる電流（電圧）だけが制御される
ことにより減衰量が変えられる。
波抵抗値が、信号ラインの特性抵抗値以下になる場合
は、ＰＩＮダイオード１３，１４に流れる電流が、高周
波抵抗値と信号ラインの特性抵抗値とが等しくなるよう
な値に固定されて（Ｉ4が一定にされて）ＰＩＮダイオ
ード１１，１２に流れる電流（電圧）だけが制御される
ことにより減衰量が変えられる。
【００２９】ここで、本形態においては、ＰＩＮダイオ
ード１３，１４が５０Ωで一定となるように、可変抵抗
２０があらかじめ調整されている。
ード１３，１４が５０Ωで一定となるように、可変抵抗
２０があらかじめ調整されている。
【００３０】図３は、図１に示した可変減衰器における
制御電圧に対する減衰量及びリターンロス特性を示す図
である。
制御電圧に対する減衰量及びリターンロス特性を示す図
である。
【００３１】図３に示すように、本形態の可変減衰器に
よれば、リターンロスが２０ｄＢとなる定インピーダン
ス性を示す制御直線が得られる。
よれば、リターンロスが２０ｄＢとなる定インピーダン
ス性を示す制御直線が得られる。
【００３２】図４は、図１に示した可変減衰器のＰＩＮ
ダイオードの部品配置及び配線を示す図であり、（ａ）
は上面図、（ｂ）は側面図である。
ダイオードの部品配置及び配線を示す図であり、（ａ）
は上面図、（ｂ）は側面図である。
【００３３】本形態は図４に示すように、４つのベアチ
ップのＰＩＮダイオード１１〜１４が一直線に配置さ
れ、その外側にＰＩＮダイオード１１〜１４を囲むよう
にシールドケース５１が設けられている。
ップのＰＩＮダイオード１１〜１４が一直線に配置さ
れ、その外側にＰＩＮダイオード１１〜１４を囲むよう
にシールドケース５１が設けられている。
【００３４】上述した構成により、導波管モードにおい
て入力から出力への伝搬により発生するアイソレーショ
ンの劣化を防止し、ケース共振周波数を高い周波数に逃
すことができ、良好な特性を有する可変減衰器を実現す
ることができる。
て入力から出力への伝搬により発生するアイソレーショ
ンの劣化を防止し、ケース共振周波数を高い周波数に逃
すことができ、良好な特性を有する可変減衰器を実現す
ることができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので以下に記載するような効果を奏する。
ているので以下に記載するような効果を奏する。
【００３６】（１）各ＰＩＮダイオードに流れる電流を
制御することによって減衰量を変える構成としたため、
高周波回路内において必要となる部品点数が削減され、
高周波特性の良い可変減衰器を小スペースで実現するこ
とができる。
制御することによって減衰量を変える構成としたため、
高周波回路内において必要となる部品点数が削減され、
高周波特性の良い可変減衰器を小スペースで実現するこ
とができる。
【００３７】（２）ＰＩＮダイオードを直接接地する構
成としたため、薄膜（または厚膜）抵抗が不要になり、
基板コストを下げることができ、また、シールドケース
の幅を狭くすることができる。
成としたため、薄膜（または厚膜）抵抗が不要になり、
基板コストを下げることができ、また、シールドケース
の幅を狭くすることができる。
【００３８】これにより、不要な共振や伝搬の発生を抑
えることができる。
えることができる。
【図１】本発明のＰＩＮダイオード可変減衰器の実施の
一形態を示す回路図である。
一形態を示す回路図である。
【図２】図１に示した可変減衰器の制御電圧に対する各
電圧あるいは電流特性を示す図であり、（ａ）は可変抵
抗に印加される電圧特性を示す図、（ｂ）は演算増幅器
から出力される電流特性を示す図、（ｃ）は演算増幅器
の出力端子の電圧特性を示す図、（ｄ）はバイアス制御
端子に印加される電圧特性を示す図、（ｅ）はバイアス
制御端子に印加される電圧特性及びＰＩＮダイオードに
印加される電圧特性を示す図である。
電圧あるいは電流特性を示す図であり、（ａ）は可変抵
抗に印加される電圧特性を示す図、（ｂ）は演算増幅器
から出力される電流特性を示す図、（ｃ）は演算増幅器
の出力端子の電圧特性を示す図、（ｄ）はバイアス制御
端子に印加される電圧特性を示す図、（ｅ）はバイアス
制御端子に印加される電圧特性及びＰＩＮダイオードに
印加される電圧特性を示す図である。
【図３】図１に示した可変減衰器における制御電圧に対
する減衰量及びリターンロス特性を示す図である。
する減衰量及びリターンロス特性を示す図である。
【図４】図１に示した可変減衰器のＰＩＮダイオードの
部品配置及び配線を示す図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は側面図である。
部品配置及び配線を示す図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は側面図である。
【図５】特開平３−１５６５２１０号公報に開示されて
いる可変減衰器の高周波回路部を示す図であり、（ａ）
は回路図、（ｂ）は回路実装例を示す図である。
いる可変減衰器の高周波回路部を示す図であり、（ａ）
は回路図、（ｂ）は回路実装例を示す図である。
【図６】特開昭５７−４４３１４号公報に開示されてい
る可変減衰器の高周波回路部を示す回路図である。
る可変減衰器の高周波回路部を示す回路図である。
１ 高周波信号入力端子 ２ 高周波信号出力端子 ３，４ バイアス制御端子 ５ 制御入力端子 １１〜１４ ＰＩＮダイオード １７ バイアス制御回路 １８ 高周波回路 ２０ 可変抵抗 ２１〜２８ 抵抗 ３０〜３２ ダイオード ３５ 定電圧ダイオード ４１〜４３ 演算増幅器 ５０ 信号ライン ５１ シールドケース ５２ 基板 ６１〜６３ チョークコイル
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波信号が入力される高周波信号入力
端子と、減衰された高周波信号が出力される高周波信号
出力端子と、前記高周波信号入力端子と前記高周波信号
出力端子とで結ばれた信号ラインに直列に接続された第
１及び第２のＰＩＮダイオードと、前記高周波信号入力
端子と接地間に接続された第３のＰＩＮダイオードと、
前記高周波信号出力端子と接地間に接続された第４のＰ
ＩＮダイオードとを具備する高周波回路と、 前記高周波回路に印加するバイアス電圧を制御するバイ
アス制御回路とを有してなるＰＩＮダイオード可変減衰
器であって、 前記バイアス制御回路は、前記第３及び第４のＰＩＮダ
イオードの高周波抵抗値が前記信号ラインの特性抵抗値
よりも大きな場合は、前記第１のＰＩＮダイオードと前
記第３のＰＩＮダイオード、及び前記第２のＰＩＮダイ
オードと前記第４のＰＩＮダイオードに流れる電流積が
一定となるように制御し、前記第３及び第４のＰＩＮダ
イオードの高周波抵抗値が前記信号ラインの特性抵抗値
以下になる場合は、前記第３及び第４のＰＩＮダイオー
ドに流れる電流を前記高周波抵抗値と前記特性抵抗値と
が等しくなる値に固定して前記第１及び第２のＰＩＮダ
イオードを流れる電流を制御することを特徴とするＰＩ
Ｎダイオード可変減衰器。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＰＩＮダイオード可変
減衰器において、 前記第１から第４のＰＩＮダイオードによってπ形減衰
器が構成されていることを特徴とするＰＩＮダイオード
可変減衰器。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のＰＩＮ
ダイオード可変減衰器において、 前記第１から第４のＰＩＮダイオードは、一直線に実装
されていることを特徴とするＰＩＮダイオード可変減衰
器。
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