JPH09211458A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向欠陥が発生する従来の配向分割型の液晶
表示素子において、その配向欠陥を抑制し、視角特性が
良好な優れた表示品位の液晶表示素子を提供することを
目的とする。 【解決手段】 配向領域の一部分に、プレチルト角が周
囲に比べて高い領域が形成された液晶表示素子によれ
ば、電圧印加時にスプレイＴＮ配向状態から通常ＴＮ配
向状態への転移が容易になり、配向欠陥のない、視角特
性の良好な優れた表示品位の液晶表示素子を得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子、特
に優れた視角特性を有する配向分割型の液晶表示素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は目ざましい進歩を遂げ、ＣＲＴ(陰極線管)と同等
の高表示品位となり、薄型軽量、低消費電力などの特徴
を有することからＣＲＴに代わる表示装置として、ノー
ト型パソコン、小型ＴＶなどに積極的に応用されてい
る。

【０００３】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示素子において、広く用いられているのが、ＴＮ（Twis
ted Nematic）方式のＮＷ（Normally White)モードであ
る。ＴＮ方式とは、基板間で液晶分子が90゜ねじれた構
成をもつ液晶パネルを２枚の偏光板ではさんだものであ
る。また、２枚の偏光板の偏光軸方向が、互いに直行
し、一方の偏光子の偏光軸が、一方の基板に接している
液晶分子の長軸方向と平行あるいは垂直になるように貼
り合わせているモードがＮＷモードである。このＴＮ方
式のＮＷモードの場合、電圧無印加、またはあるしきい
電圧付近の低電圧において白表示、それより高い電圧に
おいて黒表示となる。このＴＮ方式の液晶表示素子で
は、基板間に電圧を印加することにより、液晶分子はね
じれ構造をほどきながら電界方向に配向しようとする
が、このときの液晶分子の配向状態によりパネルを通過
してくる光の偏光状態が変化し、光の透過率が調節され
る。ところで、液晶分子の配向状態が同じでも、液晶パ
ネルに入射してくる光の入射方向によって光の偏光状態
が変化するため、あらゆる入射方向に対して光の透過率
は異なってくる。すなわち、液晶パネルは視角依存性を
もつ。この視角依存性は次のような特徴を持っている。
ＮＷモードの場合、電圧を印加して液晶分子が基板面に
対して完全に垂直に立ち上がれば、基板に垂直な方向か
ら見て、真の黒となるはずである。これは、液晶分子
は、分子の長軸方向が光の進行方向に平行な時には、光
学的な位相差は生じず、光は偏光成分を変化することな
く液晶層を通過するためである。実際には電圧をある程
度印加しても、基板界面付近の液晶分子は、基板との相
互作用が強く立ち上がりにくい。また、液晶層中心部の
液晶分子も完全には立ち上がらないので、基板に垂直な
方向に進行する光に対して、光学的な位相差はなくなら
ず、真の黒とはならない。一方、このような配向状態で
は、液晶層中心部の長軸方向にほぼ等しい進行方向の光
の方が、基板に垂直な方向に進行する光より光学的な位
相差が小さくなる。従って、基板に対して垂直より数
度、上下いずれかの方向に傾けて光を入射させた方が黒
が沈み込み、コントラスト比の良好な表示が得られる。
ところがこの時、この入射角度と基板法線に対して対称
な角度から入射した光は急激に黒が沈み込まなくなる。
従って実際の液晶パネルは、基板法線を中心として画面
の上下方向に対して、その視角特性は著しく非対称にな
ってしまっている。

【０００４】このため近年、アクティブマトリクス型液
晶表示素子では視野角の拡大を図る技術の開発が盛んに
行われている。例えば、ＴＮ型液晶表示素子の画素を２
つの配向状態が異なる領域(ドメイン)を分割して視野角
の拡大を図る方式（特開平５−１８８３７４号公報）が
提案されている。この方式は、画素を２分割し、電圧印
加時の液晶層中心部の液晶分子の傾斜方向を２種類存在
させ、視角による複屈折の差を互いに補償することによ
り視野角に拡大を図るものである。

【０００５】特開平５−１７３１３５は視角方向が互い
に９０゜異なる４種類のＴＮ配向領域を形成することに
より、上下左右方向の視角特性を完全に補償する方法を
提案している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの実験によれば、上記公開公報に記載された方法で
形成した液晶表示素子において、液晶の配向はパターニ
ングされた基板表面の配向処理方向によって完全には制
御されず、配向欠陥が発生した。このような配向状態で
は視角特性を完全に補償することができず、観察方向に
よって表示欠陥として認識され、ディスプレイとしての
表示品位を低下させる。

【０００７】液晶の配向は配向処理によって決められる
プレチルト角に大きく依存する。上下基板のプレチルト
により、液晶がＴＮ配向する場合に左右どちらかのねじ
れ方向をとると、一方のねじれ方向では通常ＴＮ配向と
なり、もう一方のねじれ方向ではスプレイ配向歪みをも
つスプレイＴＮ配向となる。スプレイＴＮ配向は通常Ｔ
Ｎ配向に比べて、歪みをもっているためにエネルギーが
高く、不安定である。上下基板間に電界を加えることに
より液晶が立ち上がると、通常ＴＮ配向とスプレイＴＮ
配向のエネルギー差は更に大きくなり、当初スプレイＴ
Ｎ配向状態であった領域で通常ＴＮ配向への転移が起こ
る。通常ＴＮ配向とスプレイＴＮ配向のエネルギー差は
プレチルト角が大きいほど、また電界が強くて液晶の立
ち上がり方が大きいほど、大きくなる。

【０００８】したがって、プレチルト角を高くするほ
ど、所望の配向が得られやすいが、実際の液晶表示素子
において、プレチルト角をあまり高くしすぎると、プレ
チルトのバラツキによる表示ムラの発生、コントラスト
比や視角特性等の表示品位の劣化等の問題が生じる。

【０００９】そのために、パターニングされた基板表面
の配向処理方向によって液晶の配向状態を完全に制御す
るためには、新たな手段の発明が必要である。

【００１０】そこで、本発明は、上記のような課題を考
慮し、配向欠陥がほとんどなく、上下左右方向で対称な
視角特性を有し、視角特性の優れた、高表示品位の液晶
表示素子を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るための本発明は、複数の画素に対する第１の電極が形
成された第１の基板と、前記第１の電極に対応する第２
の電極が形成された第２の基板と、前記第１及び第２の
基板間に挟持される液晶と、前記第１の基板の一部及び
／又は前記第２の基板の一部に形成され、前記液晶の各
分子がスプレイＴＮ配向から通常ＴＮ配向に転移する際
のその転移を促進するための核発生部とを備えたことを
特徴とする液晶表示素子である。

【００１２】なお、前記第１及び第２の基板は、それぞ
れラビング処理された配向膜を有しており、前記第１の
基板側における液晶の各分子の配向方位と前記第２の基
板側における液晶の各分子の配向方位は互いに異なり、
前記液晶により形成される層は、自発的なねじれ構造を
もたず、前記複数の画素の各々は、複数の液晶配向領域
を有するとしてもよい。

【００１３】また、前記複数の画素の各々は、４つの液
晶配向領域を有し、前記４つの液晶配向領域の内の２つ
の液晶配向領域である一部は、それぞれ、前記液晶によ
り形成される層の中央部における各分子のチルト方向に
より定まる視角方向が互いに異なる左ねじれの領域であ
り、前記４つの液晶配向領域から前記一部を除いた２つ
の液晶配向領域である残部は、それぞれ、前記視角方向
が互いに異なる右ねじれの領域であり、前記４つの液晶
配向領域は、それぞれ、前記視角方向が互いに異なる領
域であるとしてもよい。

【００１４】また、前記第１の基板側における液晶の各
分子の配向方位と前記第２の基板側における液晶の各分
子の配向方位は互いに実質上９０゜異なり、前記一部
は、それぞれ、前記視角方向が互いに実質上１８０゜異
なる左ねじれの領域であり、前記残部は、それぞれ、前
記視角方向が互いに実質上１８０゜異なる右ねじれの領
域であり、前記４つの液晶配向領域は、それぞれ、前記
視角方向が互いに実質上９０゜異なる領域であるとして
もよい。

【００１５】また、前記核発生部におけるラビング処理
された配向膜のプレチルト角は、前記第１の基板の一部
及び／又は前記第２の基板の一部に対する残部における
ラビング処理された配向膜のプレチルト角よりも大きい
としてもよい。

【００１６】また、前記残部はフラットであり、前記核
発生部は表面が傾斜した領域であるとしてもよい。

【００１７】また、前記核発生部の配向膜の材質は、前
記第１の基板の一部及び／又は前記第２の基板の一部に
対する残部の配向膜の材質と異なり、ラビング処理によ
り、前記残部の配向膜のプレチルト角よりも大きいプレ
チルト角をなす材質であるとしてもよい。

【００１８】また、前記複数の画素の各々が有する４つ
の液晶配向領域の内、少なくとも１つの液晶配向領域に
前記核発生部が形成されているとしてもよい。

【００１９】さらに、前記第１の基板とは上基板であ
り、前記第１の電極とは共通電極であり、前記第２の基
板とは下基板であり、前記第２の電極とは画素電極であ
り、前記核発生部は、前記画素電極が遮光層で覆われて
いる領域に形成されているとしてもよい。

【００２０】また、前記４つの液晶配向領域の各々にお
ける前記液晶のプレチルト角は、少なくとも３゜以上で
あることとしてもよい。

【００２１】また、前記４つの液晶配向領域の各々の配
向処理は、ラビングにより処理されているとしてもよ
い。

【００２２】さらに、前記複数の画素の各々に能動素子
が設けられたとしてもよい。

【００２３】以下、本発明の作用の例について説明す
る。

【００２４】所望の液晶の配向状態を得るためには、通
常ＴＮ配向とスプレイＴＮ配向のエネルギー差を大きく
すると同時に、当初存在するスプレイＴＮ配向から通常
ＴＮ配向へ転移する核を確実に、効率よく発生させる必
要がある。より安定な通常ＴＮ配向の核が発生すると、
核は成長して領域全体を所望の均一配向へ転移させるこ
とができる。本発明では、そのための核発生部を備える
ことにより、４つの配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが分割パタ
ーン通りに形成された、配向欠陥のほとんどない液晶表
示素子を得ることができる。

【００２５】周囲に比べてプレチルト角が高い領域を画
素内に部分的に形成することで、この部分の液晶配向が
スプレイＴＮ配向であった場合に、液晶の歪みエネルギ
ーが周囲よりも大きくなり、通常ＴＮ配向への転移の核
となる。この部分で発生した通常ＴＮの核は成長して領
域全体を所望の配向状態に転移させることができる。

【００２６】傾斜した面をラビングした際のプレチルト
角について図面を参照しながら説明する。図５に示すよ
うな方向に傾斜した面を図の矢印方向にラビングした場
合、（ａ）の傾斜面の液晶分子のプレチルト角は（ｂ）
のフラットな面のプレチルト角に比べて傾斜効果により
見かけ上高くなる。これにより傾斜面では通常ＴＮの核
が発生しやすくなる。

【００２７】もちろん、このような傾斜面は上下どちら
側の基板に形成しても同様の効果が得られる。

【００２８】更に、液晶のプレチルト角は全ての領域で
３゜以上に設定することにより、通常ＴＮ配向とスプレ
イＴＮ配向のエネルギー差が大きくなり、発生した通常
ＴＮ配向の核が領域全体に成長しやすくなる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００３０】その前にまず、本発明の液晶表示素子を製
造するための一般的な配向パターニング処理工程につい
て、それを模式的に示した図６を参照しながら説明す
る。基板上に配向膜を形成し、その形成された配向膜に
ラビング処理を施すことにより第１のラビング処理を行
なう。

【００３１】次に、そのラビング処理が施された配向膜
上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて、
その塗布されたフォトレジストの左半分をパターン露光
し、そのパターン露光された左半分のフォトレジストを
除去して、その除去により再度露出した配向膜に、第１
のラビング処理とは逆向きのラビング処理を施すことに
より第２のラビング処理を行なう。

【００３２】これにより、レジストが部分的に除去され
た領域では液晶が第２のラビング方向に並ぶ。最終的に
レジストを完全に除去すると、基板上にプレチルト角が
逆向きの２領域がフォトマスクのパターンに対応して形
成されることになる。他方の基板も同様に処理して、上
下基板の配向処理パターンを適当に組み合わせることに
より視角方向が互いに９０゜ずつ異なる４つの液晶配向
状態が規定される。ラビング方向に対応して、プレチル
トによって規定される液晶の配向状態は、例えば図７に
示すようになる。

【００３３】本発明に用いる配向膜材料としては、安定
性に優れたポリイミドのラビング膜が特に好ましいが、
配向パターニング処理はラビング処理法に限定するもの
ではなく、斜方蒸着法や偏光ＵＶ光照射などによっても
行うことができる。 （第１の実施の形態）以下本発明の第１の実施の形態に
ついて、図面を参照にしながら説明する。

【００３４】図１と２は、それぞれ本発明の第１の実施
の形態による液晶表示素子の１画素部の平面図及び斜視
図である。実際のパネルは、対角２６ｃｍの縦６４０
（＊ＲＧＢトリオ）＊横４８０の画素で構成されてい
る。上基板１上には、クロムからなるブラックマトリク
ス遮光層２とカラーフィルタ３、ＩＴＯの共通電極４を
形成している。遮光層２は開口部以外をすべて覆ってい
る。下基板５上には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の画
素電極６及び、画素電極６を駆動する薄膜トランジスタ
９が形成してある。そして、下基板のＩＴＯの画素電極
６上に、鋸歯形状のチッ化シリコン膜ＳｉＮ_x７を部分
的に形成してある。

【００３５】それぞれの基板上に可溶性のポリイミドか
らなる配向膜を塗布した後、前記のように図６に示す配
向パターニング処理を行なった。図２において、チッ化
シリコン膜ＳｉＮ_x７上のラビング処理された配向膜の
プレチルト角（θ＋θa）は、その残部のラビング処理
された配向膜のプレチルト角（θ）よりも大きい。

【００３６】次に片方の基板にエポキシ系接着剤をスク
リーン印刷することでシール部を形成した後、直径５μ
ｍの球形スペーサを均一に散布した。

【００３７】次に、図７に示すように、図１における１
画素内に４つの配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが形成されるよ
うに、２枚の基板を貼り合わせた。各領域のラビング処
理方向は、下基板５のラビング方向を点線矢印で、上基
板１のラビング方向を実線矢印で示した。その後、約１
kg/cm²の圧力で均一に加圧したまま１５０℃で１時間加
熱硬化して空セルを作製した。

【００３８】次に、カイラル剤を添加していないフッ素
系ネマティック液晶を、真空注入法により、上記空セル
に注入した。注入完了後エポキシ系封口剤で注入口を封
口した。

【００３９】このようにして作製した液晶表示素子を液
晶の等方相転移温度以上の温度で１時間アニール処理
後、室温まで冷却した。この状態では、液晶はプレチル
トで規定される所望の配向状態を完全にはとっていなか
った。つまり、部分的にスプレイＴＮ配向の領域が存在
しており、４つの配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが分割パター
ン通りに形成されずに配向欠陥となっている画素が多数
存在した。

【００４０】尚、液晶のプレチルトを調べるために、同
様の配向パターニング処理をしたプレチルト評価用セル
を作製した。その結果、ここで用いた配向膜と液晶の組
み合わせで得られるプレチルト角は約３゜であることが
わかった。

【００４１】この液晶表示素子の上下基板間に５Ｖの電
圧を加えると、当初存在していたスプレイＴＮ配向領域
が通常ＴＮ配向へと転移し、４つの配向領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄが分割パターン通りに形成された。スプレイＴＮ
配向と通常ＴＮ配向の状態を表わす模式図を図８に示
す。

【００４２】偏光顕微鏡下で電圧印加時の配向変化の様
子を観察したところ、ＩＴＯの画素電極６上に鋸歯状に
形成したチッ化シリコン膜ＳｉＮ_X７の領域から効果的
に通常ＴＮ配向に転移し、それが画素全体に広がってい
く過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた後に配
向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどなく、分割
パターン通りの均一配向が得られた。

【００４３】このようにして作製した液晶表示素子の視
角特性を評価したところ、図９に示すように上下左右対
称で、非常に視角の広い良好な特性が得られた。更に配
向欠陥がほとんどないことから、どの視角方向から見て
も表示ムラが観察されず、非常に高い表示品位が得られ
た。

【００４４】なお、本実施の形態では、下基板のＩＴＯ
の画素電極６上の一部分に鋸歯形状のチッ化シリコン膜
ＳｉＮ_X７を部分的に形成したが、上基板１の共通電極
４上、または両方の基板に形成しても同様の効果が得ら
れる。 （比較例１）ＩＴＯの画素電極６上に鋸歯形状のチッ化
シリコン膜ＳｉＮ_X７を形成しないことを除いては、第
１の実施の形態と同様にして液晶表示素子を作製した。
アニール後の液晶配向状態は、第１の実施の形態と同様
にスプレイＴＮ配向している領域がところどころ存在し
ており、４つの配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが分割パターン
通りに形成されずに配向欠陥となっている画素が多数存
在した。

【００４５】この液晶表示素子の上下基板間に５Ｖの電
圧を１分間印加した後、配向状態を調べたところ、スプ
レイＴＮ配向領域が多数残存していた。 （第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態
について、図面を参照にしながら説明する。

【００４６】図３と４は、それぞれ本発明の第２の実施
の形態による液晶表示素子の１画素部の平面図及び斜視
図である。実際のパネルは、対角２６ｃｍの縦６４０
（＊ＲＧＢトリオ）＊横４８０の画素で構成されてい
る。上基板１上には、クロムからなるブラックマトリク
ス遮光層２とカラーフィルタ３、ＩＴＯの共通電極４を
形成している。遮光層２は開口部以外をすべて覆ってい
る。下基板５上には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の画
素電極６及び、画素電極６を駆動する薄膜トランジスタ
９が形成してある。

【００４７】それぞれの基板上に可溶性のポリイミドか
らなる第１の配向膜１０、１１を塗布した。

【００４８】次に、ラビング処理を施さない場合には、
液晶が垂直配向する垂直配向性ポリイミドからなる第２
の配向膜１２を、印刷により図４に示すように下基板５
の一部分にのみ塗布した。その後、前記のように図６に
示す配向パターニング処理を行なった。ここで、図４に
おいて、第２の配向膜１２上のラビング処理された配向
膜のプレチルト角（θ2）は、その残部のラビング処理
された配向膜のプレチルト角（θ1）よりも大きい。こ
の差は配向膜の材質の違いにより生じる。

【００４９】次に片方の基板にエポキシ系接着剤をスク
リーン印刷することでシール部を形成した後、５μｍの
球形スペーサを均一に散布した。

【００５０】次に、図７に示すように、図３における１
画素内に４つの配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが形成されるよ
うに、２枚の基板を貼り合わせた。各領域のラビング処
理方向は、下基板５のラビング方向を点線矢印で、上基
板１のラビング方向を実線矢印で示した。その後、約１
kg/cm²の圧力で均一に加圧したまま１５０℃で１時間加
熱硬化して空セルを作製した。

【００５１】次に、カイラル剤を添加していないフッ素
系ネマティック液晶を、真空注入法により、上記空セル
に注入した。注入完了後エポキシ系封口剤で注入口を封
口した。

【００５２】このようにして作製した液晶表示素子を液
晶の等方相転移温度以上の温度で１時間アニール処理
後、室温まで冷却した。この状態では、液晶はプレチル
トで規定される所望の配向状態を完全にはとっていなか
った。つまり、部分的にスプレイＴＮ配向の領域が存在
しており、４つの配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが分割パター
ン通りに形成されずに配向欠陥となっている画素が多数
存在した。

【００５３】尚、第２の配向膜を塗布した部分の液晶の
プレチルトを調べるために、同様の配向パターニング処
理をしたプレチルト評価用セルを作製した。その結果、
ここで用いた第２の配向膜と液晶の組み合わせで得られ
るプレチルト角は約２０゜であることがわかった。

【００５４】この液晶表示素子の上下基板間に５Ｖの電
圧を加えると、当初存在していたスプレイＴＮ配向領域
が通常ＴＮ配向へと転移し、４つの配向領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄが分割パターン通りに形成された。

【００５５】偏光顕微鏡下で電圧印加時の配向変化の様
子を観察したところ、第２の配向膜１２を塗布した領域
から効果的に通常ＴＮ配向に転移し、それが画素全体に
広がっていく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加
えた後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんど
なく、分割パターン通りの均一配向が得られた。

【００５６】このようにして作製した液晶表示素子の視
角特性を評価したところ、第１の実施の形態による液晶
表示素子と同様に図９に示すように上下左右対称で、非
常に視角の広い良好な特性が得られた。更に配向欠陥が
ほとんどないことから、どの視角方向から見ても表示ム
ラが観察されず、非常に高い表示品位が得られた。

【００５７】なお、本実施の形態では、下基板５のＩＴ
Ｏの画素電極６上の一部分に第２の配向膜１２を塗布し
たが、上基板１の共通電極４上、または両方の基板に形
成しても同様の効果が得られる。

【００５８】

【発明の効果】以上のことから明らかなように、本発明
の液晶表示素子では、スプレイＴＮ配向から通常ＴＮ配
向への転移の核発生部を設けること、より具体的には各
配向領域の一部分にプレチルト角が周囲より高い領域を
形成することで、視角方向が９０゜異なる４つの配向領
域を画素内に均一に形成することができる。これによっ
て、配向欠陥がほとんどなく、上下左右方向で対称な視
角特性を有し、視角特性の優れた、高表示品位の液晶表
示素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における液晶表示素
子の１画素部の平面図

【図２】本発明の第１の実施の形態における液晶表示素
子の１画素部の斜視図

【図３】本発明の第２の実施の形態における液晶表示素
子の１画素部の平面図

【図４】本発明の第２の実施の形態における液晶表示素
子の１画素部の斜視図

【図５】傾斜面をラビングした際のプレチルト角を説明
するための模式図

【図６】本発明の液晶表示素子を製造するための一例と
しての配向パターニング処理工程を表わす模式図

【図７】本発明の液晶表示素子の１画素の配向状態の一
例を示す模式図

【図８】通常ＴＮ配向とスプレイＴＮ配向の状態を表わ
す模式図

【図９】本発明の液晶表示素子の視角特性図

【符号の説明】

１ 上基板 ２ 遮光層 ３ カラーフィルタ ４ 共通電極 ５ 下基板 ６ 画素電極 ７ チッ化シリコン膜 ８ 液晶分子 ９ 薄膜トランジスタ １０ 第１の配向膜 １１ 第１の配向膜 １２ 第２の配向膜

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画素に対する第１の電極が形成さ
   れた第１の基板と、 前記第１の電極に対応する第２の電極が形成された第２
   の基板と、 前記第１及び第２の基板間に挟持される液晶と、 前記第１の基板の一部及び／又は前記第２の基板の一部
   に形成され、前記液晶の各分子がスプレイＴＮ配向から
   通常ＴＮ配向に転移する際のその転移を促進するための
   核発生部とを備えたことを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２の基板は、それぞれラ
   ビング処理された配向膜を有しており、 前記第１の基板側における液晶の各分子の配向方位と前
   記第２の基板側における液晶の各分子の配向方位は互い
   に異なり、 前記液晶により形成される層は、自発的なねじれ構造を
   もたず、 前記複数の画素の各々は、複数の液晶配向領域を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 【請求項３】 前記複数の画素の各々は、４つの液晶配
   向領域を有し、 前記４つの液晶配向領域の内の２つの液晶配向領域であ
   る一部は、それぞれ、前記液晶により形成される層の中
   央部における各分子のチルト方向により定まる視角方向
   が互いに異なる左ねじれの領域であり、 前記４つの液晶配向領域から前記一部を除いた２つの液
   晶配向領域である残部は、それぞれ、前記視角方向が互
   いに異なる右ねじれの領域であり、 前記４つの液晶配向領域は、それぞれ、前記視角方向が
   互いに異なる領域であることを特徴とする請求項２に記
   載の液晶表示素子。
4. 【請求項４】 前記第１の基板側における液晶の各分子
   の配向方位と前記第２の基板側における液晶の各分子の
   配向方位は互いに実質上９０゜異なり、 前記一部は、それぞれ、前記視角方向が互いに実質上１
   ８０゜異なる左ねじれの領域であり、 前記残部は、それぞれ、前記視角方向が互いに実質上１
   ８０゜異なる右ねじれの領域であり、 前記４つの液晶配向領域は、それぞれ、前記視角方向が
   互いに実質上９０゜異なる領域であることを特徴とする
   請求項３に記載の液晶表示素子。
5. 【請求項５】 前記核発生部におけるラビング処理され
   た配向膜のプレチルト角は、前記第１の基板の一部及び
   ／又は前記第２の基板の一部に対する残部におけるラビ
   ング処理された配向膜のプレチルト角よりも大きいこと
   を特徴とする請求項４に記載の液晶表示素子。
6. 【請求項６】 前記残部はフラットであり、前記核発生
   部は表面が傾斜した領域であることを特徴とする請求項
   ５に記載の液晶表示素子。
7. 【請求項７】 前記核発生部の配向膜の材質は、前記第
   １の基板の一部及び／又は前記第２の基板の一部に対す
   る残部の配向膜の材質と異なり、ラビング処理により、
   前記残部の配向膜のプレチルト角よりも大きいプレチル
   ト角をなす材質であることを特徴とする請求項４に記載
   の液晶表示素子。
8. 【請求項８】 前記複数の画素の各々が有する４つの液
   晶配向領域の内、少なくとも１つの液晶配向領域に前記
   核発生部が形成されていることを特徴とする請求項４に
   記載の液晶表示素子。
9. 【請求項９】 前記第１の基板とは上基板であり、 前記第１の電極とは共通電極であり、 前記第２の基板とは下基板であり、 前記第２の電極とは画素電極であり、 前記核発生部は、前記画素電極が遮光層で覆われている
   領域に形成されていることを特徴とする請求項１から５
   のいずれかに記載の液晶表示素子。
10. 【請求項１０】 前記４つの液晶配向領域の各々におけ
    る前記液晶のプレチルト角は、少なくとも３゜以上であ
    ることを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の
    液晶表示素子。