JPH09197007A - Method for tentatively packaging semiconductor die - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a reliable semiconductor device. SOLUTION: A semiconductor die is cured at a first low temperature, a diffusion part in the die is further deepened, an adhesive 52 which becomes volatile at a second high temperature which is lower than a temperature for changing the electrical characteristics of the die, a semiconductor die 40 is mounted to a die support 60 located in the empty part of a package housing 56, a first wedge bond is formed on a conductive pad 62 entering the empty part using a relative soft wire with the inverse bonding method, and at the same time, a second wedge bond is formed on the die 40. After burn-in or testing, the wire is pulled, a wedge bond on a bond pad 41 is broken, the adhesive 52 is exposed to a second temperature, and the adhesive is volatilized to the extent that the die 40 can be picked from the die support 60.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置、更に具体
的に言えば、仮ワイヤ・ボンディング、ダイ取付け及び
パッケージを用いて良品判明ダイ（known good die）を
作る方法に関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to semiconductor devices and, more particularly, to a method of making a known good die using temporary wire bonding, die attachment and packaging.

【０００２】[0002]

【従来の技術及び課題】半導体業界は、多数の集積回路
（ＩＣ）ダイを収めた電子モジュールの開発と共に、パ
ッケージ密度の新しい段階に入った所である。半導体装
置のクロック速度、入出力数、ダイ密度及びパッド密度
の最近の増加により、マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ装
置及びメモリ装置のような種々の相異なる集積回路を多
重チップ・モジュール（ＭＣＭ）及びハイブリッドにパ
ッケージして、高性能の製品を作る事が望ましくなっ
た。BACKGROUND OF THE INVENTION The semiconductor industry has just entered a new stage in package density with the development of electronic modules containing multiple integrated circuit (IC) dies. Due to the recent increase in clock speed, I / O count, die density and pad density of semiconductor devices, various different integrated circuits such as microprocessors, ASIC devices and memory devices are packaged in multi-chip modules (MCM) and hybrids. Then it became desirable to make high performance products.

【０００３】多重チップ・モジュールの開発の成功を左
右するものとして業界で確認されている因子は、「良品
判明ダイ」（ＫＧＤ）が利用出来るかどうかである。良
品判明ダイは、それが所期の寿命に亘って確実に動作す
る信頼度レベルが非常に高いダイである。多重チップ・
モジュールに多くのダイを取付けた時、相異なるダイの
個別の歩留まりの複合効果が問題になる。例えば、２０
個のダイを９５％の個別の歩留まりを持つ多重チップ・
モジュール（ＭＣＭ）に組込んだ時、ＭＣＭの第一回試
験の歩留まりは３５％にしかならない。このような低い
歩留まりにより、望ましくないほどの分量の材料スクラ
ップが出ると共に、非常に費用が掛り、手間の掛る再作
業が必要になる。良品判明ダイを使う事は、チップを最
初又はチップを最後の組立て方式の何れに於いても、多
重チップ・モジュールを作る時に最適の第一回試験の歩
留まりを達成する為に必要である。A factor that has been identified in the industry as a key to the successful development of multi-chip modules is the availability of "good quality dies" (KGD). A non-defective die is a die with a very high level of reliability that ensures that it will operate over its intended life. Multiple chips
When many dies are attached to a module, the combined effect of individual yields of different dies becomes a problem. For example, 20
Multiple die with 95% individual yield for each die
When incorporated into a module (MCM), the yield of the first MCM test is only 35%. Such low yields result in undesirably large amounts of material scrap and require very expensive and time consuming rework. The use of non-defective dies is necessary to achieve optimal first-test yields when making multiple chip modules, whether in the chip-first or chip-last assembly mode.

【０００４】半導体ダイは、時間を掛けて試験した時寿
命早期の故障を示すから、高い温度に於ける「バーンイ
ン」試験を使って、欠陥の惧れのあるダイを確認し、そ
れを残りの良品判明ダイから分離する。欠陥の惧れのあ
るダイを廃棄し、残りの良品判明ダイだけを最終的なパ
ッケージ形式にする。今日の１つの試験方法は、ウェー
ハ・レベル・プローブで機械的なプローブ針を使う。こ
の方法の欠点は、プローブ試験装置のコストが高い事、
並びに機械的なプローブ針は密度の点で制限されている
事である。Since semiconductor dies exhibit early life failure when tested over time, a "burn-in" test at elevated temperature is used to identify dies with potential defects and to remove them from the rest. Separate from the non-defective die. Discard defective dies and leave only remaining good dies in final package format. One test method today uses a mechanical probe needle with a wafer level probe. The disadvantage of this method is the high cost of the probe test equipment,
Also, mechanical probe needles are limited in terms of density.

【０００５】別の試験方法は、ダイ・レベルでＴＡＢ
（テープ自動ボンディング）テープを使う。この方法の
欠点は、高密度の形式のＴＡＢテープがコスト高であっ
て、パッケージ方式に適用する為に回路面積を必要とす
る事である。更に、現在では、ＴＡＢテープの利用出来
る可能性が制限されている。Another test method is TAB at the die level.
(Tape automatic bonding) Use tape. The drawback of this method is that the high density type of TAB tape is expensive and requires a circuit area to be applied to the packaging system. Furthermore, the availability of TAB tapes is currently limited.

【０００６】現在、良品判明ダイ（ＫＧＤ）を求める為
に最も広く使われている方法は、普通のダイ取付け、ワ
イヤ・ボンディング及びカプセル封じ方式を用いて、ダ
イをパッケージし、パッケージ内のダイを試験し、ダイ
をパッケージから取外す事である。ダイをパッケージか
ら取外すには、ボンド・パッドからボンド・ワイヤを離
す事が必要である。普通のワイヤ・ボンディング方式を
用いて取付けられたワイヤを離すと、装置上のボンド・
パッドを損傷する傾向があり、この為ボンドの歩留まり
が低くなる。更に、普通のダイ取付け材料を用いてダイ
・パッドに取付けられたダイを離すには、力を必要とす
るが、多くの場合、この力はダイの欠け割れを招く程で
ある。[0006] Currently, the most widely used method for determining a good quality die (KGD) is to package the die using conventional die attach, wire bonding and encapsulation methods, and then package the die within the package. Test and remove the die from the package. Removing the die from the package requires separating the bond wires from the bond pads. When the wires attached using the normal wire bonding method are released, the bond on the device
It tends to damage the pads, which reduces the bond yield. Further, releasing a die attached to a die pad using conventional die attach materials requires force, which often leads to die chipping.

【０００７】現在の試験方法にかんがみ、製造業者は、
予め試験されているが、損傷を受けた半導体ダイを用い
て多重チップ・モジュール又はハイブリッドを組立てる
か、又は試験されておらず、又は条件づけされていない
ダイを用いて組立てるかのどちらかにしなければならな
い。従って、試験されているが、損傷を受けていない良
品と分ったものを作る低廉な方法に対する要望がある。Given the current test methods, manufacturers
Either pretested, but assembled with a damaged semiconductor die to form a multi-chip module or hybrid, or untested or unconditioned die. I have to. Therefore, there is a need for an inexpensive method of making a good product that has been tested but has not been damaged.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段及び作用】この発明の一面
では、半導体ダイを仮パッケージする方法が、半導体ダ
イを接着剤を用いてパッケージ・ハウジング内のダイ支
持体に取付け、パッケージ・ハウジングの外側から伸び
る少なくとも１つの導体とダイ上の対応するボンド・パ
ッドの間に電気接続部を形成し、パッケージ・ハウジン
グの外側から伸びる少なくとも１つの導体と対応するボ
ンド・パッドの間の電気接続部を切り、接着剤を熱にさ
らして、ダイをダイ支持体から摘み取る事が出来る位に
接着剤を揮発させる工程を含む。SUMMARY OF THE INVENTION In one aspect of the present invention, a method for temporary packaging of a semiconductor die attaches the semiconductor die to an die support within a package housing with an adhesive and outside the package housing. Forming an electrical connection between at least one conductor extending from the package and a corresponding bond pad on the die and disconnecting the electrical connection between the at least one conductor extending from the outside of the package housing and the corresponding bond pad. , Exposing the adhesive to heat to volatilize it so that the die can be picked from the die support.

【０００９】この発明の別の一面では、導電パッドと半
導体ダイ上のボンド・パッドの間に仮電気接続ボンドを
形成する方法が、約２２．２グラムの引張り強度及び約
４．５−５％の範囲内の伸びを持つワイヤを、約０．０
０２吋の前側半径を持つウェッジ工具を用いて導電パッ
ドにウェッジ・ボンディングし、前記ワイヤを導電パッ
ドから半導体ダイ迄張り、該ワイヤを半導体ダイ上のボ
ンド・パッドにウェッジ・ボンディングする工程を含
む。In another aspect of the invention, a method of forming a temporary electrical connection bond between a conductive pad and a bond pad on a semiconductor die has a tensile strength of about 22.2 grams and about 4.5-5%. Wire with an elongation in the range of about 0.0
Wedge bonding to a conductive pad using a wedge tool having a 02 inch front radius, tensioning the wire from the conductive pad to the semiconductor die and wedge bonding the wire to a bond pad on the semiconductor die.

【００１０】この発明の利点は、仮ワイヤ・ボンディン
グ、ダイ取付け及びパッケージ方法を用いて、損傷を受
けていない良品判明ダイを作る事が出来る事である。こ
の発明の方法は、ダイをパッケージし、試験し、損傷を
与える事なく、パッケージから取外す事が出来るように
する点で有利である。An advantage of the present invention is that temporary wire bonding, die attach and packaging methods can be used to make undamaged good dies. The method of the present invention is advantageous in that the die can be packaged, tested, and removed from the package without damage.

【００１１】[0011]

【実施例】図１はこの発明に従って良品判明ダイを作る
方法のフローチャートである。工程１０で、試験しよう
とするダイの裏側に仮ダイ取付け接着剤を付け、ダイの
裏側を試験パッケージの空所内に配置されたダイ・パッ
ドの上に配置する事により、仮ダイ取付けが行われる。
試験パッケージは、例えばセラミック・パッケージであ
り、仮ダイ取付け接着剤は、第１の低い温度で硬化し、
ダイ内の拡散部が一層深い所に追込まれ、こうして装置
の電気特性を変えるような、典型的には約４００−５０
０℃の温度よりは低い第２の一層高い温度で揮発する接
着剤である。仮ダイ取付けに適した接着剤は、クァンタ
ム・マティーリアルズＶＷＲ−１０２接着剤である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 is a flow chart of a method of making a non-defective die according to the present invention. In step 10, temporary die attach is performed by applying a temporary die attach adhesive to the back side of the die to be tested and placing the back side of the die over the die pad located in the void of the test package. .
The test package is, for example, a ceramic package and the temporary die attach adhesive cures at a first lower temperature,
The diffusion within the die is driven deeper, thus altering the electrical characteristics of the device, typically about 400-50.
It is an adhesive that volatilizes at a second, higher temperature, which is below the temperature of 0 ° C. A suitable adhesive for temporary die attach is Quantum Mathierials VWR-102 adhesive.

【００１２】工程１２で、試験パッケージをオーブン内
で選ばれた期間の間高い温度に置く事により、ダイ取付
け接着剤を硬化させる。ダイ取付け接着剤の硬化によ
り、試験しようとするダイが、バーンイン及び試験の
間、ダイ・パッドにしっかりと取付けられたままになっ
ている事が保証される。クァンタム・マティーリアルズ
ＶＷＲ−１０２接着剤を用いた適当な硬化は、試験パッ
ケージを約５０分間、約１５０℃のオーブン内に置く事
によって達成される。At step 12, the die attach adhesive is cured by placing the test package in an oven at an elevated temperature for a selected period of time. Curing of the die attach adhesive ensures that the die to be tested remains firmly attached to the die pad during burn-in and testing. Appropriate curing with the Quantum Mathierials VWR-102 adhesive is accomplished by placing the test package in an oven at about 150 ° C for about 50 minutes.

【００１３】工程１４で、ダイが、このダイが取付けら
れる空所内に入り込むリード線にダイ・パッドでワイヤ
・ボンディングされる。このワイヤ・ボンディングは、
導電パッドの上に第１のウェッジ・ボンドを形成し、こ
のワイヤをダイ迄張り、その後ボンド・パッドの上に第
２のウェッジ・ボンドを形成する事により、各々のワイ
ヤがパッケージ内の導電パッド及びダイ上のボンド・パ
ッドに取付けられる逆ボンディング方法を使って行われ
る。逆ボンディングを使うと、第２のウェッジ・ボンド
を形成した後の、ワイヤに対するボンド・ヘッドの抗力
がなくなる。ワイヤを第１のウェッジ・ボンドからダイ
迄張る時、ボンド・ヘッドが“ｚ”又は垂直方向に移動
する際、ワイヤに抗力が掛るが、この抗力は第１のウェ
ッジ・ボンドにしか応力を加えない。第２のウェッジ・
ボンドを形成した後にワイヤに抗力が加わらないので、
第２のウェッジ・ボンドには応力が加わらず、ダイに対
して確実なボンドを形成するのに必要なエネルギーが一
層小さくなる。後で説明するが、バーンイン及び試験の
間十分保持する位に強力であるが、ワイヤを引張る事に
よって、ボンド・パッドに対する損傷を極少なくして切
る事の出来るボンドを作る為に、比較的軟らかいボンド
・ワイヤを、普通よりも大きな前側半径を持つウェッジ
と共に用いる。軟らかいワイヤは、ウェッジによるワイ
ヤの変形が容易に出来、大きなボンド面積が得られる。
ウェッジの前側半径が大きくなった事により、ボンドに
隣接したワイヤの厚さが増加する。ボンドに隣接したワ
イヤの厚さが増加した結果、ワイヤ強度が増加し、ワイ
ヤを切断せずにワイヤを取外す事が出来る。At step 14, the die is wire bonded with a die pad to a lead wire that enters the cavity in which the die is mounted. This wire bonding is
Each wire forms a conductive pad in the package by forming a first wedge bond on the conductive pad, stretching this wire to the die, and then forming a second wedge bond on the bond pad. And a reverse bonding method attached to bond pads on the die. Reverse bonding eliminates the bond head's drag force on the wire after forming the second wedge bond. When pulling the wire from the first wedge bond to the die, the bond head exerts a drag force on the wire as it moves in the "z" or vertical direction, but this drag stresses only the first wedge bond. Absent. Second wedge
Since no drag is applied to the wire after forming the bond,
The second wedge bond is unstressed and requires less energy to form a secure bond to the die. As will be explained later, it is strong enough to hold well during burn-in and testing, but relatively soft to make a bond that can be cut by pulling the wire with minimal damage to the bond pad. Use bond wires with wedges that have a larger front radius than normal. A soft wire can be easily deformed by a wedge, and a large bond area can be obtained.
The increased front radius of the wedge increases the thickness of the wire adjacent to the bond. As a result of the increased thickness of the wire adjacent the bond, the wire strength is increased and the wire can be removed without cutting it.

【００１４】工程１６で、接着剤を用いて蓋をパッケー
ジに固定して、ダイを取付けた空所を密封する。適当な
蓋は、セミアロイズ・カンパニから供給される重合体接
着剤と共に利用し得るプラスタロイ・コンボスの蓋であ
る。この蓋を空所の上に配置し、その底面を空所に隣接
したパッケージの面と接触させる。パッケージを約１０
分間、例えば約１５０℃の低い温度のオーブン内に置
き、エポキシを硬化させ、こうしてバーンイン及び試験
の間、蓋をパッケージにしっかりと取付ける。工程１８
で、パッケージをソケットに配置し、通常初期の致命的
故障が起るような大抵のダイを実際に故障させるように
選ばれた条件の下で、ダイを動作させる事により、ダイ
のバーンインが行われる。選ばれる特定の条件は、バー
ンインを受けるダイの種類及びその用途に関係する。典
型的には、このような条件は、高い温度、高い電圧及び
大電流の負荷条件を含む。At step 16, the lid is secured to the package with an adhesive to seal the die mounted cavity. A suitable lid is a Plastalloy Combos lid that can be utilized with a polymer adhesive supplied by Semi-Alloys Company. The lid is placed over the cavity and its bottom surface contacts the surface of the package adjacent the cavity. About 10 packages
Place in a low temperature oven, for example, about 150 ° C. for a minute to cure the epoxy and thus securely attach the lid to the package during burn-in and testing. Process 18
Place the package in a socket and operate the die under conditions chosen to actually fail most of the dies that usually cause an early catastrophic failure, and the die burns in. Be seen. The particular conditions chosen are related to the type of die undergoing burn-in and its application. Typically, such conditions include high temperature, high voltage and high current load conditions.

【００１５】工程２０で、予定の電気試験入力信号を選
ばれたパッケージのリード線に印加し、パッケージの選
ばれたリード線を介してダイから発生された出力信号を
監視する事により、ダイの電気試験が行われる。工程２
２で、蓋とパッケージの密封リングの間に剪断力を加え
る事により、蓋をパッケージから取外す。この剪断力を
加えるには、剃刀の刃が適している。工程２４で、普通
のワイヤ引張り試験装置を使って、又は毛抜きと顕微鏡
を使って手で引張る事により、ボンド・ワイヤを取外
す。ワイヤ引張り試験装置が、ワイヤのボンドされた部
分をボンド・パッドから剥がすのに十分な力で、ワイヤ
を引張り、ボンド・パッドには殆ど損傷が残らない。In step 20, the expected electrical test input signal is applied to the leads of the selected package and the output signal generated from the die through the selected leads of the package is monitored to detect the die. An electrical test is conducted. Step 2
At 2, the lid is removed from the package by applying a shearing force between the lid and the sealing ring of the package. A razor blade is suitable for applying this shearing force. At step 24, the bond wire is removed using conventional wire pull test equipment or by hand pulling using a tweezer and a microscope. A wire pull tester pulls the wire with sufficient force to peel the bonded portion of the wire from the bond pad, leaving little damage to the bond pad.

【００１６】工程２６で、真空工具を用いて、ダイをダ
イ支持体から摘み取る事が出来る位に、ダイ取付け接着
剤のバーンオフ又は揮発を行わせるのに十分な期間の
間、そういう温度のオーブン内にパッケージを配置する
事により、ダイ取付け部バーンオフが実施される。例え
ば、仮ダイ取付け接着剤がクァンタム・マティーリアル
ズＶＷＲ−１０２接着剤である場合、パッケージを約１
時間、約３２０−３４０℃の範囲内の温度にさらすと、
ダイを真空工具によってダイ・パッドから取外す事が出
来る位に、接着剤のバーンオフが行われる。At step 26, the vacuum tool is used in an oven at such temperature for a period of time sufficient to allow the die attach adhesive to be burned off or volatilized so that the die can be picked from the die support. By arranging the package at, the die attachment part burn-off is performed. For example, if the temporary die attach adhesive is Quantum Mathierials VWR-102 adhesive, the package is about 1
When exposed to a temperature in the range of about 320-340 ° C. for a time,
The adhesive is burned off so that the die can be removed from the die pad with a vacuum tool.

【００１７】ダイ取付け接着剤のバーンオフは、ダイ取
付け材料のボンドを破るのに十分な力で、ダイを引張り
又はこじりとる必要がなくなる。この為、バーンオフ
は、接着剤のボンドを破るのに十分な力で、ダイ支持体
からダイを引張り又はこじり取る事に伴うダイの引っ掻
き、欠け割れ及びひび割れをなくする。工程２８で、ダ
イをパッケージの空所から取出す。真空工具をダイの上
面の上に置き、ダイに真空をかけ、真空工具を動かし
て、ダイをパッケージの空所から持上げる。工程３０
で、ダイの欠け割れ及びひび割れやボンド・パッドに対
する損傷があるかどうかを目で検査する。Burnoff of the die attach adhesive eliminates the need to pull or pry the die with sufficient force to break the bond in the die attach material. Thus, burn-off is sufficient to break the adhesive bond and eliminates die scratches, chipping and cracking associated with pulling or prying the die from the die support. At step 28, the die is removed from the package cavity. A vacuum tool is placed on top of the die, vacuum is applied to the die and the vacuum tool is moved to lift the die from the void in the package. Process 30
Visually inspect the die for chips and cracks and damage to the bond pads.

【００１８】図２は、仮ダイ取付け接着剤を単一中心線
パターンでダイに適用する為の分与装置３２を示す。分
与装置３２は、管３６を介してノズル３８に接着剤を押
出すポンプ装置３４、その裏側４１を上にしてダイ４０
をその上に取付ける支持体、垂直支持体４６に回転自在
に装着されたアーム４４、把手４８及び真空弁５０を有
する。ノズル３８がダイ４０の中心の近くに配置され、
ダイ４０の裏面の中心線に沿って接着剤を分与する。単
一中心線パターンの代りに、この他の分与パターンを用
いても良い。例えば、接着剤はダイの周辺に沿って分与
する事も出来る。適当な分与装置は、ＥＦＤによって製
造されたモデル９１５である。仮ダイ取付け接着剤がク
ァンタム・マティーリアルズＶＷＲ−１０２接着剤であ
る場合、満足し得る単一中心線接着剤パターンは、例え
ばダイの長さの７５％及びダイの幅の２０％に及ぶもの
であって良い。長さが５４４ミルで幅が２４１ミルのダ
イでは、１回の分与当り０．４５秒並びに３．５ｐｓｉ
の圧力で、ダイ当り２回の分与を使って、ＥＦＤモデル
９１５を用いて満足し得る単一中心線接着剤パターンを
作る事が出来る。FIG. 2 shows a dispenser 32 for applying temporary die attach adhesive to the die in a single centerline pattern. The dispensing device 32 comprises a pump device 34 for extruding adhesive through a pipe 36 to a nozzle 38, a die 40 with its back side 41 facing up.
It has a support for mounting on it, an arm 44 rotatably mounted on a vertical support 46, a handle 48 and a vacuum valve 50. Nozzle 38 is located near the center of die 40,
Dispense the adhesive along the centerline on the back of the die 40. Other dispensing patterns may be used instead of the single centerline pattern. For example, the adhesive can be dispensed along the perimeter of the die. A suitable dispenser is the Model 915 manufactured by EFD. If the temporary die attach adhesive is Quantum Mathierials VWR-102 adhesive, then a satisfactory single centerline adhesive pattern may be, for example, 75% of the die length and 20% of the die width. May be A die with a length of 544 mils and a width of 241 mils is 0.45 seconds and 3.5 psi per dose.
At two pressures, two dispenses per die can be used to create a satisfactory single centerline adhesive pattern using the EFD model 915.

【００１９】図３は、裏側４１の中心線に沿って形成さ
れた単一接着剤パターン５２を持つダイ４０を示す。図
４は、バーンイン及び試験を行おうとするダイを取付け
る為の仮パッケージ５４の斜視図である。仮パッケージ
５４が、その中にダイ支持体６０を配置した空所５８を
持つセラミック・ハウジング５６を有する。導電パッド
６２がダイ支持体６０に隣接して空所の中に入り込む。
導電パッド６２が、ハウジング５６の側面から伸びるリ
ード線６４に電気的に接続されている。ハウジング５６
は、例えばプラスチックのように、セラミック以外の材
料で形成する事が出来る。更に、パッケージ５４をスル
ーホールの２重インライン・パッケージとして示した
が、例えばクワッド・フラットパック、リード線無しの
チップ支持体、垂直、ジグザグ型のピン格子アレイ、ボ
ール格子アレイのように、この他のスルーホール及び面
取付け型パッケージ形式を使ってもよい事を承知された
い。FIG. 3 shows a die 40 having a single adhesive pattern 52 formed along the centerline of the backside 41. FIG. 4 is a perspective view of a temporary package 54 for mounting a die to be burned in and tested. The temporary package 54 has a ceramic housing 56 with a cavity 58 in which a die support 60 is located. A conductive pad 62 enters the cavity adjacent the die support 60.
The conductive pad 62 is electrically connected to the lead wire 64 extending from the side surface of the housing 56. Housing 56
Can be made of materials other than ceramics, such as plastic. Further, although the package 54 is shown as a through-hole double in-line package, other such as quad flat pack, leadless chip supports, vertical, zigzag pin grid arrays, ball grid arrays, and others. Please note that the through-hole and surface mount package formats may be used.

【００２０】図５は、図１の工程１０が完了した後のパ
ッケージ５４の断面図で、接着剤５２によってダイ支持
体６０に固定されたダイ４０を示している。図６は、パ
ッケージ５４内にある導電パッド６２からのワイヤをダ
イ上のボンド・パッドにボンディングするウェッジ・ボ
ンダー６６を示す。ウェッジ・ボンダー６６が、超音波
エネルギー源７０、圧力源７２及び変換器７４に接続さ
れて、それらを制御する制御装置６８を含む。適当なウ
ェッジ・ボンダーは、テキサス・インスツルメンツ・イ
ンコーポレーテッド社によって製造されたアバカスＩＩ
ＩＵ超音波ウェッジ・ボンダーである。圧力源７２が、
ボンディングの間、変換器７４に対して１２−２４グラ
ムの範囲内の圧力を加える。超音波エネルギー源７０
が、ボンディングの間、変換器７４に対して、例えば２
０乃至７０ｋＨｚの範囲内の超音波エネルギーを加え
る。ウェッジ・ボンド工具又はウェッジ７６が変換器７
４に接続され、ボンド・ワイヤ７８と集積回路８２内に
あるボンド・パッド８０の間の界面に超音波エネルギー
を加える。FIG. 5 is a cross-sectional view of package 54 after step 10 of FIG. 1 is completed, showing die 40 secured to die support 60 by adhesive 52. FIG. 6 shows a wedge bonder 66 that bonds the wires from the conductive pads 62 in the package 54 to the bond pads on the die. Wedge bonder 66 includes a controller 68 connected to and controlling ultrasonic energy source 70, pressure source 72 and transducer 74. A suitable wedge bonder is the Abacus II manufactured by Texas Instruments Incorporated.
It is an IU ultrasonic wedge bonder. The pressure source 72
During bonding, pressure in the range of 12-24 grams is applied to the transducer 74. Ultrasonic energy source 70
However, during bonding, for example, 2
Apply ultrasonic energy in the range of 0 to 70 kHz. Wedge bond tool or wedge 76 is the transducer 7
4 and applies ultrasonic energy to the interface between bond wire 78 and bond pad 80 in integrated circuit 82.

【００２１】図７はこの発明によるウェッジ・ボンド工
具又はウェッジ７６の下側部分の拡大正面図である。ウ
ェッジ７６が、例えば０．００４吋の幅Ｗを有する凹の
底面７８を持ち、底の縁７９から、凹の底面７８の頂点
８０迄、例えば０．０００２吋の距離ＣＤだけ伸びる。FIG. 7 is an enlarged front view of the lower portion of the wedge bond tool or wedge 76 according to the present invention. Wedge 76 has a concave bottom surface 78 having a width W of, for example, 0.004 inches, and extends from bottom edge 79 to apex 80 of concave bottom surface 78 by a distance CD of, for example, 0.0002 inches.

【００２２】図８は図７の線８−８で切ったウェッジ７
６の断面図である。ウェッジ７６が中孔８２を持ち、ワ
イヤがその中を通る。中孔８２は、裏側８３の開口８４
及びウェッジ７６の底８５の開口８６を有する。ウェッ
ジ７６は約０．００２吋の前側半径ＦＲを有する。この
発明では、約０．００２吋の前側半径により、ワイヤの
ダイ上のボンド・パッドに対する良好な電気接続を生ず
るが、ボンド・パッドに殆ど乱れを与えずに、ワイヤを
容易に取外す事が出来るようにするような仮ボンドが出
来る事が分った。ウェッジ・ボンディングに使われる従
来のウェッジは、０．００１吋の前側半径を使ってい
る。従来のウェッジを用いてボンディングされたワイヤ
を取外す時、典型的には、ボンド・パッドに著しい損傷
が生ずるか、又はワイヤが断線して、ボンドに取付けら
れたままのワイヤ・ボンドが残る。ウェッジ７６が、例
えば０．００１５インチのボンドの足の長さＢＦ、例え
ば０．００１インチの裏側半径ＢＲ、例えば０．０１５
インチの長さＴ、及び例えば０．００２５インチのワイ
ヤの開口の高さＨを持つ事が好ましい。FIG. 8 is a wedge 7 taken along line 8-8 in FIG.
6 is a sectional view of FIG. The wedge 76 has a bore 82 through which the wire passes. The middle hole 82 is an opening 84 on the back side 83.
And an opening 86 in the bottom 85 of the wedge 76. Wedge 76 has a front radius FR of about 0.002 inches. In the present invention, a front radius of about 0.002 inches results in good electrical connection of the wire to the bond pad on the die, but the wire can be easily removed with little disruption to the bond pad. I found that I could make a temporary bond like this. Conventional wedges used for wedge bonding use a front radius of 0.001 inch. When removing a bonded wire using a conventional wedge, there is typically significant damage to the bond pad, or the wire breaks, leaving the wire bond attached to the bond. Wedge 76 has a bond foot length BF of, for example, 0.0015 inches, a backside radius BR of, for example, 0.001 inches, for example 0.015.
It is preferred to have a length T of inches and a wire opening height H of, for example, 0.0025 inches.

【００２３】図９はウェッジ７６の底面図である。ウェ
ッジ７６の開口８５は、例えば０．０００２インチの幅
ＥＷを有する。図１０ａは、逆ボンディング方法で第１
のウェッジ・ボンドを形成する過程にあるウェッジ７６
を示す。ウェッジ７６が、中孔８２を通り抜けるワイヤ
８８を、パッケージ５４内にある導電パッド６２にボン
ドする。第１のウェッジ・ボンドを形成した後、ウェッ
ジ７６をダイ４０上のボンド・パッド４１迄移動し、逆
ボンディング方法で第２のウェッジ・ボンドを形成す
る。図１０ｂは、逆ボンディング方法で第２のウェッジ
・ボンドを形成する過程にあるウェッジ７６を示す。ウ
ェッジ７６がワイヤ８８をダイ４０上のボンド・パッド
４１にボンドする。ワイヤ８８は、容易に変形して、
１）ボンド・パッド４１と接触する大きな表面積を作
り、こうして良好な電気接続部を作り、２）ボンド・パ
ッド４１を破断したり損傷したりせずに、ボンド・パッ
ド４１を引張って離す事が出来るようにする軟らかいワ
イヤである事が好ましい。ワイヤ８８はアルミニウム／
シリコン（１％）合金で形成する事が出来、１．２５ミ
ルの太さを持っていて良い。ワイヤ８８は約２２．２グ
ラムの引張り強度及び４．５−５％の範囲内の伸びを持
つ事が好ましい。第２のウェッジ・ボンドを形成した
後、ボンダー６６によってワイヤ８８を切断し、図１０
ｃに示すように、ボンド・パッド４１にボンドされたワ
イヤ８８を残す。FIG. 9 is a bottom view of the wedge 76. The opening 85 in the wedge 76 has a width EW of, for example, 0.0002 inch. FIG. 10a shows a first reverse bonding method.
Wedge 76 in the process of forming the wedge bond of
Is shown. Wedge 76 bonds wire 88 through bore 82 to conductive pad 62 in package 54. After forming the first wedge bond, the wedge 76 is moved to the bond pad 41 on the die 40 and a second wedge bond is formed by the reverse bonding method. FIG. 10b shows wedge 76 in the process of forming a second wedge bond in the reverse bonding method. Wedge 76 bonds wire 88 to bond pad 41 on die 40. The wire 88 is easily deformed,
1) creating a large surface area in contact with bond pad 41, thus creating a good electrical connection, 2) pulling bond pad 41 away without breaking or damaging bond pad 41 It is preferably a soft wire that allows it. Wire 88 is aluminum /
It can be formed from a silicon (1%) alloy and can have a thickness of 1.25 mils. Wire 88 preferably has a tensile strength of about 22.2 grams and an elongation in the range of 4.5-5%. After forming the second wedge bond, the wire 88 is cut by the bonder 66.
Leave the wire 88 bonded to the bond pad 41, as shown at c.

【００２４】図１１ａは、０．００２インチの前側半径
を持つウェッジ７６を用いて形成されたボンド９０を示
す。図１１ｂは、０．００１インチの前側半径を持つ従
来のウェッジを用いて形成されたボンド９２を示す。図
１１ａ及び図１１ｂから分るように、ボンドの踵９１に
於けるボンド９０の断面積は、ボンドの踵９３に於ける
従来のボンド９２のそれよりも一層大きい。ボンドの踵
９１に於けるボンド９０の断面積が増加した結果、ワイ
ヤ強度が増加し、この後、ワイヤ８８を破断せずに、ワ
イヤを取外す事が出来る。FIG. 11a shows a bond 90 formed with a wedge 76 having a front radius of 0.002 inches. FIG. 11b shows a bond 92 formed using a conventional wedge with a 0.001 inch front radius. As can be seen from FIGS. 11 a and 11 b, the cross-sectional area of the bond 90 at the bond heel 91 is even larger than that of the conventional bond 92 at the bond heel 93. The increased cross-sectional area of the bond 90 at the heel 91 of the bond results in an increase in wire strength, after which the wire can be removed without breaking the wire 88.

【００２５】図１２は図１の工程１６が完了した後のパ
ッケージ５４の断面図で、ワイヤ８８によって導電パッ
ド６２にワイヤ・ボンディングされたダイ４０のボンド
・パッド４１を示す。ワイヤ・ボンディングは、リード
線上に第１のウェッジ・ボンドを形成し、ワイヤをダイ
迄張り、その後ボンド・パッド上に第２のウェッジ・ボ
ンドを形成する事によって、各々のワイヤ８８が導電パ
ッド６２及びダイ上のボンド・パッド４１に取付けられ
る逆ボンディング方法を使って行われる。逆ボンディン
グを使うと、第２のウェッジ・ボンドを形成した後、ボ
ンド・ヘッドのワイヤに対する抗力が無くなる。第２の
ウェッジ・ボンドを形成した後にワイヤに加わる抗力が
無いから、第２のウェッジ・ボンドには応力が加わら
ず、確実なボンドを形成するのに必要なエネルギーが一
層少なくなる。FIG. 12 is a cross-sectional view of package 54 after step 16 of FIG. 1 is completed, showing bond pad 41 of die 40 wire bonded to conductive pad 62 by wire 88. Wire bonding involves forming a first wedge bond on the lead wire, stretching the wire to the die, and then forming a second wedge bond on the bond pad so that each wire 88 causes the conductive pad 62 to pass. And a reverse bonding method attached to bond pads 41 on the die. Reverse bonding eliminates the drag force of the bond head on the wire after forming the second wedge bond. Since there is no drag force on the wire after forming the second wedge bond, the second wedge bond is unstressed and requires less energy to form a positive bond.

【００２６】ワイヤ８８をボンドした後、接着剤９２を
用いて蓋９０をハウジング５６に密封する。蓋９０は、
接着剤として途中迄硬化させたＢ段階重合体を持つセミ
アロイズ・カンパニーから入手し得るプラスタロイ・コ
ンボスの蓋であってよい。蓋９０は、２ポンドの封じク
リップを使って蓋をハウジングに保持し、その後ハウジ
ングを約１０分間、約１５０℃のオーブン内で焼く事に
よって、ハウジング５６に封着される。After bonding the wires 88, the lid 90 is sealed to the housing 56 with an adhesive 92. The lid 90 is
It may be a Plastalloy Combos lid available from Semi-Alloys Company with a partially cured B-staged polymer as an adhesive. The lid 90 is sealed to the housing 56 by holding the lid to the housing with a 2 pound sealing clip and then baking the housing for about 10 minutes in an oven at about 150 ° C.

【００２７】その後、仮パッケージ５４を普通の試験装
置（図面に示してない）のソケットに配置し、所望の試
験手順を実施する事により、図１の工程２０の電気試験
が行われる。電気試験の後、パッケージ５４を試験装置
から取出し、例えば剃刀の刃を、蓋９０とハウジング５
６の間に入れて、剪断力を加えて、蓋９０をハウジング
５６から離す事により、図１の蓋取外し工程２２を行
う。Thereafter, the temporary package 54 is placed in a socket of an ordinary test apparatus (not shown in the drawing) and the desired test procedure is carried out to perform the electrical test of step 20 of FIG. After the electrical test, the package 54 is removed from the test equipment and, for example, a razor blade, lid 90 and housing 5
1 is performed by putting a shearing force between them and separating the lid 90 from the housing 56.

【００２８】図１３は、図１のワイヤ取外し工程２４の
間のパッケージ５４の断面図である。フック９４を持つ
普通のワイヤ引張り装置を使って、ワイヤ８８を取外
す。このフックが、ワイヤのボンドされた部分をボンド
・パッド４１から離すのに十分な力で、ワイヤ８８を引
張り、ボンド・パッドには殆ど損傷を残さない。FIG. 13 is a cross-sectional view of package 54 during wire removal step 24 of FIG. The wire 88 is removed using a conventional wire puller with a hook 94. The hook pulls the wire 88 with sufficient force to move the bonded portion of the wire away from the bond pad 41, leaving little damage to the bond pad.

【００２９】その後、ダイを真空工具を用いてダイ支持
体から摘み取る事が出来る位に、ダイ取付け接着剤のバ
ーンオフ又は揮発を行わせるのに十分な時間の間、そう
いう温度のオーブン内にパッケージ５４を置くことによ
り、図１の工程２６のダイ取付け部バーンオフを行う。
例えば、仮ダイ取付け接着剤がクァンタム・マティーリ
アルズＶＷＲ−１０２接着剤である場合、パッケージを
約１時間の間、約３３０℃の温度にさらすと、接着剤が
十分にバーンオフされ、真空工具を用いてダイをダイ・
パッドから取外す事が出来る。ダイ取付け接着剤のバー
ンオフにより、接着剤によるボンドを破るのに十分な力
で、ダイをダイ支持体から引張って離す又はこじ取る事
に伴うダイの引っ掻き、欠け割れ及びひび割れがなくな
る。その後、ダイ４０に対して工程３０の目による検査
を行って、欠け割れやひび割れ並びにボンド・パッドに
対する損傷を検査する。The package 54 is then placed in an oven at such temperature for a time sufficient to effect burnoff or volatilization of the die attach adhesive so that the die can be picked from the die support using a vacuum tool. By performing the burn-off of the die attachment portion in step 26 of FIG.
For example, if the temporary die attach adhesive is a Quantum Mathierials VWR-102 adhesive, exposing the package to a temperature of about 330 ° C. for about 1 hour will cause the adhesive to burn off sufficiently and the vacuum tool to Use die to die
It can be removed from the pad. Burn-off of the die attach adhesive eliminates the scratches, cracks and cracks in the die associated with pulling or prying the die away from the die support with sufficient force to break the adhesive bond. The die 40 is then visually inspected in step 30 to inspect for cracks, cracks and damage to the bond pads.

【００３０】仮ワイヤ・ボンディング、ダイ取付け及び
パッケージ方法を使って、損傷を受けない良品判明ダイ
を作る事が出来るのが、この発明の利点である。この発
明の方法は、ダイをダイに損傷を与えずに、ダイをパッ
ケージし、試験し、パッケージから取外す事が出来るよ
うにするのが有利である。It is an advantage of the present invention that temporary wire bonding, die attach and packaging methods can be used to make a non-defective die. The method of the present invention advantageously allows the die to be packaged, tested, and removed from the package without damaging the die.

【００３１】若干の好ましい実施例を以上詳しく説明し
た。この発明の範囲には、ここで説明したのとは異なる
実施例も含まれており、それも特許請求の範囲内である
事を承知されたい。例えば、低い温度で揮発する事が出
来るこの他のダイ取付け材料を使っても良い。Some preferred embodiments have been described in detail above. It is to be understood that the scope of the invention includes embodiments which differ from those described herein and are also within the scope of the claims. For example, other die attach materials that can volatilize at lower temperatures may be used.

【００３２】この発明を図示の実施例について説明した
が、この説明はこの発明を制約するものと解してはなら
ない。当業者には、以上の説明から、図示の実施例の種
々の変更並びに組合せ及びこの発明のその他の実施例が
容易に考えられよう。従って、特許請求の範囲はこのよ
うな変更又は他の実施例を含む事を承知されたい。Although the invention has been described with reference to the illustrated embodiments, this description should not be construed as limiting the invention. From the above description, those skilled in the art can easily think of various modifications and combinations of the illustrated embodiments and other embodiments of the present invention. Therefore, it is to be understood that the appended claims encompass such modifications or other implementations.

【００３３】以上の説明に関連して更に以下の項目を開
示する。 （１） 半導体ダイを仮パッケージする方法に於いて、
半導体ダイを接着剤を用いてパッケージ・ハウジング内
のダイ支持体に取付け、パッケージ・ハウジングの外側
から伸びる少なくとも１つの導体と前記ダイの対応する
ボンド・パッドの間に電気接続部を形成し、前記パッケ
ージ・ハウジングの外側から伸びる少なくとも１つの導
体と対応するボンド・パッドの間の前記電気接続部を切
り、前記接着剤を熱にさらして、前記ダイをダイ支持体
から摘み取る事が出来る位に前記接着剤を揮発させる工
程を含む方法。 （２） 第１項記載の方法に於いて、電気接続部を形成
する工程の後に、前記ダイを試験する工程を含む方法。 （３） 第１項記載の方法に於いて、電気接続部を形成
する工程の後に、前記ダイのバーンインを行う工程を含
む方法。 （４） 第１項記載の方法に於いて、接着剤を用いて半
導体ダイをダイ支持体に取付ける工程が、前記半導体ダ
イの裏側に接着剤を適用し、前記半導体ダイの裏側を前
記ダイ支持体の上に置き、前記接着剤を硬化させる工程
を含む方法。 （５） 第４項記載の方法に於いて、接着剤を硬化させ
る工程が、前記接着剤を約１５０℃の温度にさらす事を
含む方法。 （６） 第１項記載の方法に於いて、前記ダイ支持体が
パッケージ・ハウジング内の空所内に配置される方法。The following items will be further disclosed in connection with the above description. (1) In the method of temporarily packaging the semiconductor die,
Attaching the semiconductor die to the die support within the package housing with an adhesive to form an electrical connection between at least one conductor extending from the outside of the package housing and a corresponding bond pad on the die, The electrical connection between at least one conductor extending from the outside of the package housing and a corresponding bond pad is cut and the adhesive is exposed to heat to allow the die to be picked from the die support. A method comprising the step of volatilizing the adhesive. (2) A method according to claim 1, including a step of testing the die after the step of forming an electrical connection. (3) The method according to the item 1, including a step of performing burn-in of the die after the step of forming the electrical connection portion. (4) In the method according to item 1, the step of attaching the semiconductor die to the die support using an adhesive applies the adhesive to the back side of the semiconductor die, and supports the back side of the semiconductor die on the die support. A method comprising placing on a body and curing the adhesive. (5) The method of claim 4 wherein the step of curing the adhesive comprises exposing the adhesive to a temperature of about 150 ° C. (6) The method of claim 1, wherein the die support is placed in a void in the package housing.

【００３４】（７） 第１項記載の方法に於いて、前記
ダイ支持体がパッケージ・ハウジング内の空所内に配置
され、パッケージ・ハウジングは前記ダイ支持体に隣接
して前記空所内に入り込む少なくとも１つの導電パッド
を有し、該少なくとも１つの導電パッドがパッケージ・
ハウジングの外側から伸びる少なくとも１つの導体に電
気的に接続され、電気接続部を形成する前記工程が、ワ
イヤを導電パッドにウェッジ・ボンディングし、前記ワ
イヤを導電パッドから半導体ダイ迄張り、前記ワイヤを
半導体ダイ上のボンド・パッドにウェッジ・ボンディン
グする工程を含む方法。 （８） 第７項記載の方法に於いて、ウェッジ・ボンデ
ィングする工程が、約０．０００２インチの前側半径を
持つウェッジを用いて行われる方法。 （９） 第８項記載の方法に於いて、ワイヤが約２２．
２グラムの引張り強度を持ち、約４．５−５％の範囲内
の伸びを有する方法。 （１０） 第７項記載の方法に於いて、パッケージ・ハ
ウジングの外側から伸びる少なくとも１つの導体と対応
するボンド・パッドの間の電気接続部を切る工程が、前
記ワイヤを引張って、前記ワイヤのボンドされた部分を
前記ボンド・パッドから剥がす事を含む方法。 （１１） 第１項記載の方法に於いて、前記接着剤を熱
にさらして、前記ダイをダイ支持体から摘み取る事が出
来る位に接着剤を揮発させる工程が、前記接着剤を約４
００℃未満の温度にさらす事を含む方法。(7) In the method of claim 1, the die support is located in a cavity within the package housing, and the package housing is at least adjacent to the die support and enters the cavity. A conductive pad having at least one conductive pad
Electrically connected to at least one conductor extending from the outside of the housing to form an electrical connection, the step of wedge bonding the wire to a conductive pad, stretching the wire from the conductive pad to the semiconductor die, and connecting the wire to the semiconductor die. A method comprising wedge bonding to bond pads on a semiconductor die. (8) The method of claim 7, wherein the step of wedge bonding is performed using a wedge having a front radius of about 0.0002 inch. (9) In the method described in the eighth item, the wire is about 22.
A method having a tensile strength of 2 grams and having an elongation in the range of about 4.5-5%. (10) The method of claim 7 wherein the step of disconnecting an electrical connection between at least one conductor extending from the outside of the package housing and a corresponding bond pad pulls the wire. A method comprising peeling a bonded portion from the bond pad. (11) In the method according to item 1, the step of exposing the adhesive to heat to volatilize the adhesive so that the die can be picked from the die support is about 4 times the adhesive.
A method comprising exposing to a temperature below 00 ° C.

【００３５】（１２） 導電パッドと半導体ダイにある
ボンド・パッドの間に仮の電気接続ボンドを形成する方
法に於いて、約２２．２グラムの引張り強度及び約４．
５−５％の範囲内の伸びを有するワイヤを、約０．００
２吋の前側半径を持つウェッジ工具を用いて前記導電パ
ッドにウェッジ・ボンディングし、前記ワイヤを前記導
電パッドから半導体ダイ迄張り、前記ワイヤを前記半導
体ダイ上のボンド・パッドにウェッジ・ボンディングす
る工程を含む方法。(12) In a method of forming a temporary electrical connection bond between a conductive pad and a bond pad on a semiconductor die, a tensile strength of about 22.2 grams and about 4.
A wire having an elongation in the range of 5-5% is about 0.00
Wedge bonding to the conductive pad using a wedge tool having a 2 inch front radius, tensioning the wire from the conductive pad to the semiconductor die and wedge bonding the wire to a bond pad on the semiconductor die. Including the method.

【００３６】（１３） 半導体ダイを仮パッケージする
方法が、第１の低い温度で硬化し、ダイ内の拡散部を一
層深く追込み、ダイの電気特性を変えるような温度より
は低い、第２の一層高い温度で揮発する接着剤（５２）
を用いて、半導体ダイ（４０）をパッケージ・ハウジン
グ（５６）の空所（５８）内にあるダイ支持体（６０）
に取付ける事を含む。逆ボンディング方法を使って、比
較的軟らかいワイヤ（８８）を用いて、空所（５８）の
中に入り込む導電パッド（６２）上に第１のウェッジ・
ボンドを形成すると共に、ダイ（４０）上のボンド・パ
ッドに第２のウェッジ・ボンドを形成する。ウェッジ・
ボンドを作るのに使われるウェッジ工具（７６）は、従
来のウェッジ工具のそれよりも一層大きな前側半径を持
ち、この為、ボンドの踵（９１）の断面積が増加する。
断面積が増加する事並びに軟らかいワイヤである事によ
り、ワイヤを破断したり、あるいはボンド・パッドを目
立って損傷する事なく、ワイヤをボンド・パッド（４
１）から取外す事が出来る。ボンディングの後、パッケ
ージ・ハウジング（５６）を試験装置内に配置する事に
より、ダイ（４０）のバーンイン又は試験を行う事が出
来る。その後、ワイヤ（８８）を引張って、ボンド・パ
ッド（４１）上のウェッジ・ボンドを破断し、接着剤
（５２）を第２の温度にさらして、ダイ（４０）をダイ
支持体（６０）から摘み取る事が出来る位に接着剤を揮
発させる。この仮パッケージ方法は、ダイを損傷する事
なく、ダイをパッケージし、試験し、そしてパッケージ
から取外す事が出来るようにする。(13) A method for temporary packaging of a semiconductor die is a temperature below a temperature that cures at a first low temperature, drives the diffusion within the die deeper and alters the electrical properties of the die. Adhesives that volatilize at higher temperatures (52)
The semiconductor die (40) in the cavity (58) of the package housing (56) using a die support (60)
Including installation in. Using the reverse bonding method, a relatively soft wire (88) is used to form a first wedge on the conductive pad (62) that enters into the cavity (58).
A bond is formed and a second wedge bond is formed on the bond pad on the die (40). Wedge
The wedge tool (76) used to make the bond has a larger front radius than that of conventional wedge tools, which increases the cross-sectional area of the bond's heel (91).
Due to the increased cross-sectional area and the soft wire, the wire can be bonded to the bond pad (4) without breaking the wire or noticeably damaging the bond pad.
It can be removed from 1). After bonding, the package housing (56) can be placed in the test fixture to allow burn-in or testing of the die (40). The wire (88) is then pulled to break the wedge bond on the bond pad (41) and the adhesive (52) is exposed to a second temperature, causing the die (40) to die support (60). Volatilize the adhesive to the point where it can be picked from. This temporary packaging method allows the die to be packaged, tested, and removed from the package without damaging the die.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明による良品判明ダイを作る方法のフロ
ーチャート。FIG. 1 is a flow chart of a method of making a non-defective die according to the present invention.

【図２】仮ダイ取付け接着剤をダイに適用する分与装置
の図。FIG. 2 is a diagram of a dispenser that applies a temporary die attach adhesive to a die.

【図３】仮ダイ取付け接着剤を単一中心線パターンで適
用したダイの裏側を示す図。FIG. 3 shows the back side of the die with the temporary die attach adhesive applied in a single centerline pattern.

【図４】バーンイン及び試験を行おうとするダイを取付
ける仮パッケージの斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a temporary package to which a die to be burned in and tested is attached.

【図５】その空所内にダイを取付けた図４の仮パッケー
ジの断面図。5 is a cross-sectional view of the temporary package of FIG. 4 with a die attached in the void.

【図６】パッケージ内の導電パッドからのワイヤをダイ
上のボンド・パッドにボンディングするウェッジ・ボン
ダーを示す図。FIG. 6 shows a wedge bonder for bonding wires from conductive pads in a package to bond pads on a die.

【図７】ワイヤをダイ上のボンド・パッドにボンディン
グする為にこの発明に従って使われるウェッジの正面
図。FIG. 7 is a front view of a wedge used in accordance with the present invention to bond wires to bond pads on a die.

【図８】図７のウェッジの断面図。8 is a cross-sectional view of the wedge of FIG.

【図９】図７のウェッジの底面図。9 is a bottom view of the wedge of FIG. 7.

【図１０】ａはワイヤを仮パッケージ内にある導電パッ
ドにボンディングする過程の図７のウェッジを示す図。
ｂはワイヤをダイ上のボンド・パッドにボンディングす
る過程にある図７のウェッジを示す図。ｃはワイヤをダ
イ上のボンド・パッドにボンディングした後の図７のウ
ェッジを示す図。10A is a diagram showing the wedge of FIG. 7 in the process of bonding a wire to a conductive pad in a temporary package.
FIG. 8b shows the wedge of FIG. 7 in the process of bonding a wire to a bond pad on the die. c shows the wedge of FIG. 7 after bonding the wire to a bond pad on the die.

【図１１】ａは図５のウェッジを用いて形成されたボン
ドを示す図。ｂは従来のウェッジを用いて形成されたボ
ンドを示す図。11A is a diagram showing a bond formed using the wedge of FIG. 5. FIG. FIG. 5B is a view showing a bond formed using a conventional wedge.

【図１２】ワイヤ・ボンディング及び蓋の密封をした後
の図４の仮パッケージの断面図。12 is a cross-sectional view of the temporary package of FIG. 4 after wire bonding and sealing of the lid.

【図１３】ワイヤを取外す際の仮パッケージの断面図。FIG. 13 is a sectional view of a temporary package when a wire is removed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

４０ ダイ ４１ ボンド・パッド ５２ 接着剤 ５６ パッケージ・ハウジング ６０ ダイ支持体 ６２ 導電パッド ８８ ワイヤ 40 Die 41 Bond Pad 52 Adhesive 56 Package Housing 60 Die Support 62 Conductive Pad 88 Wire

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体ダイを仮パッケージする方法に於
いて、 半導体ダイを接着剤を用いてパッケージ・ハウジング内
のダイ支持体に取付け、 パッケージ・ハウジングの外側から伸びる少なくとも１
つの導体と前記ダイの対応するボンド・パッドの間に電
気接続部を形成し、 前記パッケージ・ハウジングの外側から伸びる少なくと
も１つの導体と対応するボンド・パッドの間の前記電気
接続部を切り、 前記接着剤を熱にさらして、前記ダイをダイ支持体から
摘み取る事が出来る位に前記接着剤を揮発させる工程を
含む方法。1. A method for provisionally packaging a semiconductor die, wherein the semiconductor die is attached to a die support in a package housing with an adhesive and extends from at least one side of the package housing.
Forming an electrical connection between one conductor and a corresponding bond pad of the die, cutting the electrical connection between at least one conductor extending from the outside of the package housing and the corresponding bond pad, A method comprising exposing the adhesive to heat to volatilize the adhesive to the extent that the die can be picked from the die support.