JPH09193143A - Shaving and cutting method for semiconductor block - Google Patents
Shaving and cutting method for semiconductor blockInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ブロックの
削り出し切断法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor block shaving method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１９ないし図２４を参照して、従来の
半導体製造工程においてシリコンなどの半導体ブロック
をマルチワイヤーソーを用いて多数枚のウエハに切断し
てから、それらウエハを分離するまでの工程を説明す
る。2. Description of the Related Art Referring to FIGS. 19 to 24, in the conventional semiconductor manufacturing process, a semiconductor block of silicon or the like is cut into a large number of wafers by using a multi-wire saw and then the wafers are separated. The process will be described.
【０００３】図１９を参照してアルミ板である固定板２
上に接着剤４を塗布し、接着剤４が塗布された固定板２
上の部分にガラス板である捨て板６を接着固定する。こ
の捨て板６上に接着剤８を塗布し、接着剤８が塗布され
た捨て板６上にシリコンでできた半導体ブロック１０を
接着固定する。こうして、マルチワイヤーソーで切断さ
れるワーク１２の準備が完了する。ここで、捨て板６は
半導体ブロック１０をマルチワイヤーソーで多数枚のウ
エハにフルカットするために必要なものであり、固定板
２はマルチワイヤーソーのテーブルにワーク１２を固定
するために必要なものである。Referring to FIG. 19, a fixed plate 2 which is an aluminum plate
An adhesive 4 is applied on the fixing plate 2, and the adhesive 4 is applied on the fixing plate 2.
The discard plate 6, which is a glass plate, is adhesively fixed to the upper portion. An adhesive 8 is applied on the discard plate 6, and a semiconductor block 10 made of silicon is adhesively fixed on the discard plate 6 coated with the adhesive 8. Thus, the preparation of the work 12 to be cut with the multi-wire saw is completed. Here, the discarding plate 6 is necessary to fully cut the semiconductor block 10 into a large number of wafers with the multi-wire saw, and the fixing plate 2 is necessary to fix the work 12 to the table of the multi-wire saw. It is a thing.
【０００４】図２０を参照して、マルチワイヤーソー１
４として平行に配置された一対の円筒形のワイヤーガイ
ド１６，１６間にワイヤー１８が半導体ブロック１０の
切断間隔にあわせて張られている概略化した構造が示さ
れている。一対のワイヤーガイド１６，１６間にあるワ
イヤー１８の上方にはワーク１２が半導体ブロック１０
側を向けた状態で対向配置されている。このワーク１２
においては、マルチワイヤーソー１４のテーブル２０に
対して捨て板６と固定板２とがネジ２２で固定されてい
る。こうした配置状態でテーブル２０を矢印で示される
ワーク１２方向に降下させて半導体ブロック１０をワイ
ヤー１８に接触させる。この接触箇所に砥粒とオイルと
の混合である切削液（スラリー）を供給しつつワイヤー
１８を矢印方向に走行させることによって、半導体ブロ
ック１０が削り出される。この状態でテーブル２０を降
下させていくことによって半導体ブロック１０は切断さ
れていき、最終的には、図２１で示すように半導体ブロ
ック１０が多数枚のウエハ２４にフルカットされて、捨
て板６もその板厚の半分程度まで切り込まれてしまう。Referring to FIG. 20, a multi-wire saw 1
4 shows a schematic structure in which a wire 18 is stretched between a pair of cylindrical wire guides 16, 16 arranged in parallel to each other in accordance with the cutting interval of the semiconductor block 10. The work 12 is located above the wire 18 between the pair of wire guides 16 and the semiconductor block 10.
They are arranged facing each other with their sides facing each other. This work 12
In FIG. 2, the discard plate 6 and the fixed plate 2 are fixed to the table 20 of the multi-wire saw 14 with screws 22. In this arrangement, the table 20 is lowered in the direction of the work 12 shown by the arrow to bring the semiconductor block 10 into contact with the wire 18. The semiconductor block 10 is cut out by running the wire 18 in the direction of the arrow while supplying a cutting fluid (slurry), which is a mixture of abrasive grains and oil, to this contact point. The semiconductor block 10 is cut by lowering the table 20 in this state, and finally the semiconductor block 10 is fully cut into a large number of wafers 24 as shown in FIG. Is cut to about half of the plate thickness.
【０００５】次に、ワイヤー１８を取り外すためにテー
ブル２０を上昇させていってワイヤー１８を抜き取ると
ともにネジ２２を緩めてマルチワイヤーソー１４のテー
ブル２０からワーク１２を取り出す。こうして取り出さ
れた状態のワーク１２においては、半導体ブロック１０
が多数枚のウエハ２４として切断されているが、捨て板
６とは接着剤８で接着されたままであるので、ウエハ２
４を捨て板６から分離するために、ワーク１２を７０％
の酢酸水溶液中に４時間程度浸漬することで接着剤８を
溶かす。接着剤８が溶けた後はウエハ２４は捨て板６か
ら手作業で図２２で示すようにはく離して図示していな
い専用カセットに収納する。Next, in order to remove the wire 18, the table 20 is raised to remove the wire 18 and loosen the screw 22 to take out the work 12 from the table 20 of the multi-wire saw 14. In the work 12 thus taken out, the semiconductor block 10
Are cut into a large number of wafers 24, but they are still bonded to the discard plate 6 with the adhesive 8.
70% of workpiece 12 to separate 4 from waste plate 6
The adhesive 8 is dissolved by immersing it in the acetic acid aqueous solution for about 4 hours. After the adhesive 8 is melted, the wafer 24 is manually separated from the discard plate 6 as shown in FIG. 22 and stored in a dedicated cassette (not shown).
【０００６】このような半導体ブロック１０の切断に用
いるマルチワイヤーソー１４の詳細を図２３を参照して
説明すると、このマルチワイヤーソー１４は、供給スプ
ール２６、供給側プーリー２８、切削液供給ノズル３
０、ワイヤーガイド３２〜３８、巻き取り側プーリー４
０、および巻き取りスプール４２を主要構成部品として
備え、供給スプール２６から供給されるワイヤー１８を
供給側プーリー２８を介して４本のワイヤーガイド３２
〜３８間を巻回させた後、巻き取り側プーリー４０を介
して巻き取りスプール４２で巻き取るようになってい
る。切削液供給ノズル３０からは供給管４４に供給され
てくる切削液をその下部開口のスリット４６から各ワイ
ヤー１８上に均等に供給するようになっている。The details of the multi-wire saw 14 used for cutting the semiconductor block 10 will be described with reference to FIG. 23. The multi-wire saw 14 includes a supply spool 26, a supply pulley 28, and a cutting fluid supply nozzle 3.
0, wire guides 32 to 38, winding side pulley 4
0 and the take-up spool 42 as main components, and the wire 18 supplied from the supply spool 26 is fed through the supply pulley 28 to the four wire guides 32.
After winding up to 38, the winding spool 42 is wound via the winding pulley 40. The cutting fluid supplied from the cutting fluid supply nozzle 30 to the supply pipe 44 is evenly supplied onto each wire 18 through the slit 46 at the lower opening thereof.
【０００７】このような図２３で示されるマルチワイヤ
ーソー１４によって切断されるウエハの厚みを図２４を
参照して具体的な数値を挙げて説明する。図２４にはワ
イヤー１８でフルカットされてなるウエハ２４と、ワイ
ヤー１８で切り込まれた捨て板６と、固定台２とが示さ
れている。また、捨て板６に切り込んだワイヤー部分の
拡大図が矢印方向に示されている。ワイヤーガイド３２
〜３８にはワイヤー１８が入り込む溝が形成されてい
る。このような構成において、ワイヤーガイド３２〜３
８の溝は軸方向に所定の５６０μｍのピッチ間隔で切ら
れており、ワイヤー１８の径は１８０μｍ、切削液に含
まれる径が１０μｍの砥粒４８によるワイヤー１８周囲
に形成される砥粒層によって削り出しされるウエハ２４
の厚みは３５０μｍになっていることが確認された。そ
うすると、ワイヤー１８による切り代（シロ）は２１０
μｍであることになるから、ワイヤー径１８０μｍとの
差である３０μｍが砥粒による正味の切り代となる。こ
の正味の切り代は砥粒径の３倍であることになる。The thickness of the wafer cut by the multi-wire saw 14 shown in FIG. 23 will be described with specific numerical values with reference to FIG. FIG. 24 shows a wafer 24 that is fully cut by the wires 18, a discard plate 6 that is cut by the wires 18, and a fixed base 2. Further, an enlarged view of the wire portion cut into the discard plate 6 is shown in the arrow direction. Wire guide 32
Grooves into which the wire 18 is inserted are formed in to. In such a configuration, the wire guides 32-3
The groove 8 is cut in the axial direction at a predetermined pitch interval of 560 μm, the diameter of the wire 18 is 180 μm, and the diameter of the wire contained in the cutting fluid is 10 μm. Wafer 24 to be cut out
It was confirmed that the thickness of the film was 350 μm. Then, the cutting margin (white) by the wire 18 is 210
Since it is μm, 30 μm, which is the difference from the wire diameter of 180 μm, is the net cutting margin due to the abrasive grains. This net cutting allowance is three times the abrasive grain size.
【０００８】なお、供給スプール２６と巻き取りスプー
ル４２は半導体ブロック１０を１回切断するたびごとに
交換する必要があるので、供給スプール２６に予め巻か
れるワイヤー長はおよそ１５０ｋｍである。このような
長いワイヤー１８が走行する間に半導体ブロック１０の
切断を終了させる必要があるが、途中でワイヤー１８が
切れたりするとワイヤー１８を結んでも、またその結び
目のところで容易に切れてしまい、それ以後の切断作業
が不可能である。現状の切断条件の一例としてテーブル
２０の下降速度を３００μｍ／分、ワイヤー１８の走行
速度６ｍ／秒では、１００ｍｍ角の半導体ブロック１０
を切断するのに必要となるワイヤー長はおよそ１２０ｋ
ｍとなり、残りのワイヤー長３０ｋｍは余裕分とされ
る。Since the supply spool 26 and the take-up spool 42 need to be replaced each time the semiconductor block 10 is cut, the length of the wire wound around the supply spool 26 in advance is about 150 km. While it is necessary to finish cutting the semiconductor block 10 while such a long wire 18 travels, if the wire 18 is cut in the middle, even if the wire 18 is tied, the knot will be easily cut at the knot. Subsequent cutting work is impossible. As an example of the current cutting conditions, when the descending speed of the table 20 is 300 μm / min and the traveling speed of the wire 18 is 6 m / sec, the semiconductor block 10 of 100 mm square is
The wire length required to cut the wire is about 120k
m, and the remaining wire length of 30 km is a margin.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
ブロックの切断技術においては、マルチワイヤーソーで
切断されたウエハは接着剤で捨て板に接着されているか
ら、その捨て板からウエハを分離するために、酢酸水溶
液中に４時間という長時間にわたって浸漬する必要があ
るが、これは半導体の製造上の歩留まりの低下とコスト
アップの要因になるという課題があった。In the above-mentioned conventional semiconductor block cutting technique, the wafer cut by the multi-wire saw is bonded to the discard plate with an adhesive, so that the wafer is separated from the discard plate. Therefore, it is necessary to immerse in an acetic acid aqueous solution for a long time of 4 hours, but this has a problem that it causes a decrease in the yield in manufacturing semiconductors and an increase in cost.
【００１０】さらに、酢酸水溶液を取り扱う必要がある
が、この溶液は作業環境に好ましくないうえに、廃液処
理を考慮した設備が必要となるから多大な設備費が必要
となるという課題がある。Further, it is necessary to handle an acetic acid aqueous solution, but this solution is not preferable for the working environment, and there is also a problem that a large amount of equipment cost is required because a facility considering waste liquid treatment is required.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明は
マルチワイヤーソーのテーブルに固定台を介して半導体
ブロックをセットし、前記マルチワイヤーソーのワイヤ
ーによって前記半導体ブロックから複数のウエハを削り
出してから切断するにあたっては前記ワイヤーの径を徐
々に大きくして切断することによって上述した課題を解
決している。According to a first aspect of the present invention, a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and a plurality of wafers are ground from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw. When the wire is cut after being taken out, the diameter of the wire is gradually increased to cut the wire, thereby solving the above-mentioned problem.
【００１２】請求項２に係る本発明はマルチワイヤーソ
ーのテーブルに固定台を介して半導体ブロックをセット
し、前記マルチワイヤーソーのワイヤーによって前記半
導体ブロックから複数のウエハを削り出してから切断す
るにあたっては前記ワイヤーに砥粒を付着して切断する
ことによって上述した課題を解決している。According to a second aspect of the present invention, a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw before cutting. Solves the above-mentioned problem by attaching abrasive grains to the wire and cutting the wire.
【００１３】請求項３に係る本発明はマルチワイヤーソ
ーのテーブルに固定台を介して半導体ブロックをセット
し、前記マルチワイヤーソーのワイヤーを偏平形状と
し、前記半導体ブロックからの複数のウエハの削り出し
においては前記ワイヤーの長軸方向側端面を削り出し方
向に向けて削り出し、その削り出した複数のウエハどう
しの切断においては前記ワイヤーの長軸方向端面をウエ
ハ切断方向に向けて切断することによって上述した課題
を解決している。According to a third aspect of the present invention, a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, the wires of the multi-wire saw are made flat, and a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block. In, the long side end face of the wire is carved out in the carving direction, and when cutting the plurality of carved wafers, the longitudinal end face of the wire is cut toward the wafer cutting direction. The above-mentioned problems are solved.
【００１４】請求項４に係る本発明はマルチワイヤーソ
ーのテーブルに固定台を介して半導体ブロックをセット
し、前記マルチワイヤーソーのワイヤーによって前記半
導体ブロックから複数のウエハを削り出してから切断す
るにあたっては前記テーブルを前後方向に振動させるこ
とによってウエハを切断することによって上述した課題
を解決している。According to a fourth aspect of the present invention, when a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw and then cut. Solves the problem described above by cutting the wafer by vibrating the table in the front-back direction.
【００１５】請求項５に係る本発明はマルチワイヤーソ
ーのテーブルに固定台を介して半導体ブロックをセット
し、前記マルチワイヤーソーのワイヤーによって前記半
導体ブロックから複数のウエハを削り出してから切断す
るにあたっては前記テーブルを回転振動させることによ
ってウエハを切断することによって上述した課題を解決
している。According to a fifth aspect of the present invention, when a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw and then cut. Solves the above-mentioned problem by cutting the wafer by rotating and vibrating the table.
【００１６】請求項６に係る本発明はマルチワイヤーソ
ーのテーブルに固定台を介して半導体ブロックをセット
し、前記マルチワイヤーソーのワイヤーによって前記半
導体ブロックから複数のウエハを削り出すにあたっては
所定径の砥粒をワイヤーに付着させた状態で削り出しを
行い、この削り出した複数のウエハを切断するにあたっ
ては前記砥粒よりも径が大きい砥粒をワイヤーに付着さ
せた状態で切断を行うことによって上述した課題を解決
している。According to a sixth aspect of the present invention, a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and when a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw, a predetermined diameter is set. Cutting is performed with the abrasive particles attached to the wire, and when cutting the plurality of wafers that have been cut out, by cutting with the abrasive particles having a diameter larger than the abrasive particles attached to the wire, The above-mentioned problems are solved.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体製造工
程においてマルチワイヤーソーを用いて半導体ブロック
を削り出して切断する方法について説明する。なお、以
下において図面を参照して説明される各部分、部品に付
される符号は従来と同一ないし類似または対応する場合
は同一の符号を付している。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A method of shaving and cutting a semiconductor block using a multi-wire saw in a semiconductor manufacturing process according to the present invention will be described below. It should be noted that reference numerals given to respective portions and parts described below with reference to the drawings are the same as or similar to the conventional ones, or the same reference numerals are used when corresponding.
【００１８】この方法の各実施の形態においては予め図
１で示すように直方体形状に形成された、シリコンなど
の半導体ブロック１０を、平面形状が長方形のアルミな
どからなる固定板２上に直接、適宜の接着剤４を用いて
接着固定しておいてなるワーク１２を準備しておく。こ
のワーク１２はその固定板２に形成されたネジ穴５０に
ネジを通してマルチワイヤーソー１４のテーブル２０に
固定される。In each of the embodiments of this method, a semiconductor block 10 made of silicon or the like, which is previously formed in a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. 1, is directly mounted on a fixing plate 2 made of aluminum or the like having a rectangular planar shape. A work 12 is prepared which is adhered and fixed using an appropriate adhesive 4. The work 12 is fixed to the table 20 of the multi-wire saw 14 by passing a screw through a screw hole 50 formed in the fixing plate 2.
【００１９】実施の形態１ 図２ないし図４を参照して本発明の実施の形態１に係る
マルチワイヤーソーを用いたウエハの削り出し切断方法
について説明する。なお、マルチワイヤーソーについて
は図２３を参照して説明したものであるから、図２３を
含めて説明することにする。 Embodiment 1 A method of shaving and cutting a wafer using a multi-wire saw according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4. Since the multi-wire saw has been described with reference to FIG. 23, it will be described including FIG. 23.
【００２０】図２には本実施の形態１において用いられ
るワイヤー１８がその形状を長さとその径との相対関係
を無視して模式的概念的に縮小した状態で示されてい
る。このワイヤー１８は、全長が例えば１５０ｋｍであ
って上述した図２３のマルチワイヤーソー１４において
供給スプール２６から供給され巻き取りスプール４２で
巻き取られるまでに走行させられる場合のその走行方向
先端から１２５ｋｍ分が例えば１８０μｍφの同一の径
を有し残りが１８０μｍφから５３０μｍφまでに径が
徐々に大きくなるワイヤーである。ここで同一径ワイヤ
ー部分を１８ａ、徐々に径が大きくなるワイヤー部分を
１８ｂと称することにする。図３ａ，ｂ，ｃはそれぞれ
ウエハ削り出しモード、ウエハ切断モード、ウエハ収納
モードを示しており、図４は縦軸にワイヤー径（μ
ｍ）、横軸にワイヤー走行距離（ｋｍ）をそれぞれ示し
ている。ここで、ワイヤー１８はその全長１５０ｋｍの
うち、走行方向前端から１２０ｋｍ分がウエハの削り出
し用として用いられ、次の５ｋｍ分が余裕分として用い
られるとともに、残りの２５ｋｍ分がウエハの切断用と
して用いられる。FIG. 2 shows the wire 18 used in the first embodiment in a state in which its shape is schematically and conceptually reduced ignoring the relative relationship between the length and the diameter. The wire 18 has a total length of, for example, 150 km, and is 125 km from the front end in the traveling direction when the wire 18 is fed from the supply spool 26 and wound up by the take-up spool 42 in the multi-wire saw 14 of FIG. 23 described above. Is a wire having the same diameter of 180 μmφ and the rest gradually increasing in diameter from 180 μmφ to 530 μmφ. Here, the wire portion having the same diameter is referred to as 18a, and the wire portion having a gradually increasing diameter is referred to as 18b. 3a, 3b, and 3c show a wafer shaving mode, a wafer cutting mode, and a wafer storage mode, respectively, and FIG. 4 shows the wire diameter (μ
m), and the horizontal axis shows the wire travel distance (km). Here, of the total length of 150 km of the wire 18, 120 km from the front end in the traveling direction is used for shaving the wafer, the next 5 km is used as a margin, and the remaining 25 km is used for cutting the wafer. Used.
【００２１】ワーク１２はその固定板２が図２３で示す
ようにしてマルチワイヤーソー１４のテーブル２０上に
ネジで固定されている。ウエハ削り出しモードにおいて
はマルチワイヤーソー１４のテーブル２０を降下させ
て、固定板２上のブロック１０をワイヤー１８に向けて
降下させていく一方でワイヤー１８を走行させブロック
１０からウエハ２４を削り出していく。この削り出しは
ワイヤー部分１８ａで行われる。ワイヤーの走行距離が
１２０ｋｍになるとウエハ２４の削り出しが終了する。
この削り出しの終了状態は図３ａで示されている。図３
ａで示すように削り出しの底部に１８０μｍφのワイヤ
ー部分１８ａが位置している。この場合、ブロック１０
はフルカットされないから、従来のようにブロック１０
をフルカットするための捨て板が不要となっており、そ
の分、コストダウンが図れる。図３ａは図４のａ点つま
りワイヤー径１８０μｍφのワイヤー部分１８ａで走行
距離１２０ｋｍで削り出しされている状態で示されてい
る。こうしてウエハ２４が削り出された後ただちにウエ
ハ２４の切断を開始したのでは、ウエハ２４の削り出し
中であるのにもかかわらずウエハ２４が切断されてしま
う場合があるから、これを防止するためにウエハ削り出
しモードが終了すると、マルチワイヤーソー１４のテー
ブル２０の降下を停止するとともに、ワイヤー１８をさ
らに同一径つまり１８０μｍφのワイヤー部分１８ａで
５ｋｍ分走行させる余裕モードを設けておき、この余裕
モードが終了してからワイヤー径が徐々に大きくなるワ
イヤー部分１８ｂでの切断モードに入るようになってい
る。図４のｂ点はウエハ２４を削り出してから、ワイヤ
ー１８を５ｋｍ走行させた場合のワイヤー１８の走行距
離つまり使用長を示している。The fixing plate 2 of the work 12 is fixed to the table 20 of the multi-wire saw 14 with screws as shown in FIG. In the wafer shaving mode, the table 20 of the multi-wire saw 14 is lowered to lower the block 10 on the fixed plate 2 toward the wire 18, while the wire 18 is run to shave the wafer 24 from the block 10. To go. This shaving is performed on the wire portion 18a. When the traveling distance of the wire reaches 120 km, the shaving of the wafer 24 is completed.
The finished state of this carving is shown in FIG. 3a. FIG.
As shown by a, the wire portion 18a of 180 μmφ is located at the bottom of the carved part. In this case, block 10
Block is not fully cut, so block 10
No need for a waste plate for full cutting, and cost can be reduced accordingly. FIG. 3a is shown in a state in which the wire portion 18a having a wire diameter of 180 μmφ is carved out at a traveling distance of 120 km in FIG. 4a. If the cutting of the wafer 24 is started immediately after the wafer 24 is cut out in this way, the wafer 24 may be cut even though the wafer 24 is being cut out. When the wafer shaving mode is completed, a lowering mode of the table 20 of the multi-wire saw 14 is stopped, and a margin mode in which the wire 18 is further traveled by a wire portion 18a having the same diameter, that is, 180 μmφ for 5 km is provided. After that, the cutting mode is entered in the wire portion 18b where the wire diameter gradually increases. Point b in FIG. 4 shows the travel distance of the wire 18, that is, the length of use, when the wire 18 is run for 5 km after the wafer 24 is cut out.
【００２２】そして、そのｂ点からさらにワイヤー１８
を走行させると、ワイヤー１８はワイヤー径が１８０μ
ｍφから徐々に大きくなるワイヤー部分１８ｂによる切
断モードに入る。この切断モードにおいてはテーブル２
０の降下は停止されている。図３ｂは図４のｃ点での様
子を示しており、この図３ｂでは、テーブル２０の降下
が停止されていると同時にワイヤー部分１８ｂの径が大
きくなってくることでウエハ２４の削り出し位置での削
り出し領域がワイヤー部分１８ｂの径の増大に比例して
増大してくる。この場合、ワイヤー１８の径をワイヤー
部分１８ｂで徐々に大きくするようにしたのは急激にワ
イヤー径を大きくするとウエハ２４が割れたりするか
ら、これを防止するためである。こうして、ワイヤー部
分１８ｂが走行させられていき、ウエハ２４でのワイヤ
ー径が５３０μｍφになると、そのウエハ２４の削り出
し領域が増大して隣接するウエハ２４の削り出し領域ど
うしが連通させられる結果、ウエハ２４は隣接どうしが
切断されて分離されることになる。こうして切断された
各ウエハ２４は図３ｃで示すように専用受け治具５２そ
れぞれの収納口にそれぞれ個別に収納される。こうし
て、ウエハ２４の削り出しと切断と収納とが完了する。
図３ｃは図４のｄ点に対応している。From the point b, the wire 18 is further added.
The wire diameter of the wire 18 is 180μ
The cutting mode is started by the wire portion 18b gradually increasing from mφ. Table 2 in this disconnect mode
The 0 descent is stopped. FIG. 3b shows a state at the point c in FIG. 4, and in this FIG. 3b, the diameter of the wire portion 18b is increased at the same time when the lowering of the table 20 is stopped and the shaving position of the wafer 24 is cut. The cut-out area in (3) increases in proportion to the increase in the diameter of the wire portion 18b. In this case, the reason why the diameter of the wire 18 is gradually increased in the wire portion 18b is to prevent the wafer 24 from cracking if the wire diameter is rapidly increased. Thus, when the wire portion 18b is made to travel and the wire diameter on the wafer 24 becomes 530 μmφ, the shaving area of the wafer 24 increases and the shaving areas of the adjacent wafers 24 communicate with each other. As for 24, adjacent parts are cut and separated. The wafers 24 thus cut are individually stored in the respective storage openings of the dedicated receiving jig 52 as shown in FIG. 3C. Thus, the shaving, cutting and storage of the wafer 24 are completed.
FIG. 3c corresponds to point d in FIG.
【００２３】なお、ウエハ２４の削り出しに必要なワイ
ヤー長はマルチワイヤーソー１４のテーブル降下速度、
ワイヤーの走行速度、ブロックの大きさから決定され
る。上述のワイヤーの全長１５０ｋｍのうちウエハの削
り出しまでのワイヤーの走行距離を１２０ｋｍとしたの
は一例であるが、これはこれまでのウエハの削り出しで
はテーブル降下速度が３００μｍ／分、ワイヤー走行速
度６ｍ／秒、ブロックの大きさが１００ｍｍ角では削り
出しに必要なワイヤー長が１２０ｋｍであったことから
により、そのために余裕長として５ｋｍとし、ウエハ切
断のためのワイヤー長を２５ｋｍとしたのである。な
お、ワイヤーの走行速度の制御、テーブルの降下と降下
停止のタイミングおよび降下速度の制御、切削液の供給
動作の制御、ならびに削り出し状況、切断状況などの報
知制御などについては詳しい説明を省略するが、例えば
上記のようなテーブル降下速度、ワイヤー走行速度、ブ
ロックの大きさであれば、約６時間後にウエハの削り出
しが終了するから、これら速度のデータなどをマルチワ
イヤーソーの制御装置にインプットしておき、ウエハの
削り出しが終了するその時間の経過後に自動的にテーブ
ルの降下停止、ワイヤーの走行停止、切削液の供給停止
を行ったのち例えばブザーを鳴動させるなどして使用者
にそのことを報知するようにすればよい。また、ウエハ
の削り出し後の余裕分、および切断についてはテーブル
をその降下位置に保持させたまま再びワイヤーの走行開
始、切削液の供給開始を行なうように上記制御装置で制
御するとよい。こうした制御は本実施の形態１において
は特に詳しい説明は不要であるからその説明は省略す
る。The wire length required for shaving the wafer 24 depends on the table lowering speed of the multi-wire saw 14.
It is determined from the running speed of the wire and the size of the block. It is an example that the traveling distance of the wire to the shaving of the wafer is set to 120 km out of the total length of 150 km of the above-mentioned wire. In the shaving of the conventional wafer, the table lowering speed is 300 μm / min, and the wire traveling speed is Since the wire length required for shaving was 6 km / sec and the block size of 100 mm square was 120 km, the allowance length was set to 5 km, and the wire length for wafer cutting was set to 25 km. Detailed description is omitted for controlling the traveling speed of the wire, controlling the timing of descending and descending the table, controlling the descending speed, controlling the supply operation of the cutting fluid, and notifying the cutting status and cutting status. However, for example, if the table lowering speed, wire traveling speed, and block size are as described above, the wafer shaving is completed after about 6 hours. Therefore, data of these speeds is input to the control device of the multi-wire saw. Then, after the lapse of the time when the shaving of the wafer is finished, the table is automatically lowered, the wire is stopped, and the cutting fluid is stopped. It suffices to notify that fact. Further, for the margin after cutting the wafer and for cutting, it is preferable to control the above-mentioned control device so as to restart the running of the wire and the supply of the cutting fluid while keeping the table at the lowered position. Such control does not require a detailed description in the first embodiment, and therefore its description is omitted.
【００２４】このようにして本実施の形態１において
は、ブロックから削り出されたウエハは機械的に切断さ
れて分離されるから、従来のように捨て板からウエハを
分離する必要がなくなる結果、捨て板が不要になるこ
と、捨て板から分離するための酢酸水溶液が不要となる
こと、酢酸で分離するために要していた長時間にわたる
分離作業が不要となって半導体製造上の歩留まりが向上
することのみならず、作業環境の改善、酢酸の廃液処理
のための設備が不要となってコストダウンが図れるもの
となる。As described above, in the first embodiment, since the wafer carved from the block is mechanically cut and separated, there is no need to separate the wafer from the discard plate as in the conventional case. The waste plate is not required, the acetic acid aqueous solution for separating from the waste plate is not required, and the long-time separation work required for separation with acetic acid is not necessary, improving the semiconductor manufacturing yield. In addition to the above, the working environment can be improved and the equipment for treating the waste liquid of acetic acid is not required, and the cost can be reduced.
【００２５】実施の形態２ 図５ないし図７を参照して本発明の実施の形態２につい
て説明する。本実施の形態２においては図５を参照して
説明するワイヤー１８を用いていることに特徴がある。
本実施の形態２に用いられるマルチワイヤーソー１４の
ワイヤー１８は前記実施の形態１で用いられたワイヤー
と同様に全長が１５０ｋｍであって、ワイヤーの進行方
向先端から１２５ｋｍまでのワイヤー径は同一でかつそ
の外周面に何も付着させていないが、実施の形態１と異
なるのは、１２５ｋｍ以降でもワイヤー径が変化せず、
かつ、その１２５ｋｍ以降からは砥径１３０μｍφのダ
イヤモンド砥粒５４を付着させていることにある。図６
ａは図３ａのウエハ削り出しモードに、図６ｂは図３ｂ
のウエハ切断モードに、図６ｃは図３ｃのウエハ収納モ
ードにそれぞれ対応している。 Second Embodiment A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The second embodiment is characterized in that the wire 18 described with reference to FIG. 5 is used.
The wire 18 of the multi-wire saw 14 used in the second embodiment has a total length of 150 km like the wire used in the first embodiment, and the wire diameter from the forward end of the wire to 125 km is the same. And, although nothing is attached to the outer peripheral surface, the difference from the first embodiment is that the wire diameter does not change even after 125 km,
Further, from 125 km onward, diamond abrasive grains 54 having an abrasive diameter of 130 μmφ are attached. FIG.
3a is the wafer shaving mode of FIG. 3a, and FIG.
6c corresponds to the wafer cutting mode of FIG. 3c and FIG. 6c corresponds to the wafer storing mode of FIG. 3c.
【００２６】ウエハ削り出しモードにおいては、ワーク
１２をマルチワイヤーソー１４にセットしテーブル２０
を降下させて、かつ供給スプール２６からワイヤー１８
を供給していくことによってブロック１０からウエハ２
４を削り出していく。ワイヤー１８の走行距離が増える
にしたがってウエハ２４の削り出しが進行してワイヤー
１８の走行距離が１２０ｋｍになると、図６ａで示すよ
うにウエハ２４の削り出しが終了する。この図６ａで示
されるウエハ２４の削り出しの状態は図７のａ点つまり
ダイヤモンド砥粒５４が付着していない１２０ｋｍの長
さのワイヤー部分の走行によってウエハ２４が削り出し
されたことに対応している。この削り出しが終了すると
テーブル２０の降下を停止させるが、その後のしばらく
の時間の間、ワイヤー１８を余裕分として５ｋｍ走行さ
せる。この余裕分の走行の後は図７のｂ点つまりダイヤ
モンド砥粒５４が付着していない５ｋｍの長さのワイヤ
ー部分の走行に対応している。そして、この余裕分以降
のワイヤー部分はダイヤモンド砥粒５４付着部分に変わ
る。そして、さらにワイヤー１８を走行させていくとウ
エハ２０は砥径１３０μｍφのダイヤモンド砥粒５４に
よって切断されていく。図６ｂはこの切断の途中を示し
ており図７のｃ点に対応している。ワイヤー１８の走行
が進むと、最終的にはウエハ２４は切断される。図６ｃ
はこの切断が終了した状態を示しており図７のｄ点に対
応している。こうして切断したウエハ２４はそれぞれ図
６ｃで示すように受け治具５２の受け口のそれぞれに個
別に収納される。In the wafer shaving mode, the work 12 is set on the multi-wire saw 14 and the table 20 is set.
The wire 18 from the supply spool 26.
The wafer 2 from the block 10 by supplying
Cut out 4 As the traveling distance of the wire 18 increases, the shaving of the wafer 24 progresses, and when the traveling distance of the wire 18 reaches 120 km, the shaving of the wafer 24 ends, as shown in FIG. 6a. The shaving state of the wafer 24 shown in FIG. 6A corresponds to the shaving of the wafer 24 by the running of the wire portion having a length of 120 km on which the diamond abrasive grains 54 are not attached at the point a in FIG. ing. When this shaving is completed, the descent of the table 20 is stopped, but the wire 18 is allowed to travel for 5 km as a margin for a while after that. After traveling for this margin, it corresponds to traveling of point b in FIG. 7, that is, a wire portion having a length of 5 km where the diamond abrasive grains 54 are not attached. The wire portion after this margin is changed to the diamond abrasive grain 54 adhering portion. Then, when the wire 18 is further run, the wafer 20 is cut by the diamond abrasive grains 54 having an abrasive diameter of 130 μmφ. FIG. 6b shows the middle of this cutting and corresponds to point c in FIG. As the wire 18 travels, the wafer 24 is finally cut. FIG. 6c
Shows the state in which this cutting is completed, and corresponds to point d in FIG. The wafers 24 thus cut are individually stored in the respective receiving openings of the receiving jig 52 as shown in FIG. 6C.
【００２７】以上のようにして本実施の形態２において
も上記実施の形態と同様の効果を奏することができる。As described above, also in the second embodiment, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.
【００２８】実施の形態３ 図８ないし図１２を参照して本発明の実施の形態３につ
いて説明する。この実施の形態３においては、図８で示
すように全体形状が偏平なワイヤー１８が用いられる。
このワイヤー１８は全長が１５０ｋｍの偏平形状のもの
であってウエハ削り出しモードにおいては図８ａで示す
ようにその偏平部分の長軸方向が削り出し方向に向いて
その長軸方向端面１８ｃで削り出しされていきかつ削り
出し幅が短軸方向幅にされ、ウエハ切断モードにおいて
は図８ｂで示すように長軸方向端面１８ｃが切断方向つ
まり隣接して互いに分離されるべきウエハ方向に向くよ
うに、９０度回転されるものが用いられる。 Third Embodiment A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 12. In the third embodiment, a wire 18 having a flat shape as a whole is used as shown in FIG.
This wire 18 has a flat shape with a total length of 150 km, and in the wafer shaving mode, as shown in FIG. 8a, the long axis direction of the flat portion is oriented in the shaving direction, and shaving is performed at the long axis end face 18c. And the shaving width is set to the width in the short axis direction, and in the wafer cutting mode, as shown in FIG. 8b, the long end surfaces 18c are oriented in the cutting direction, that is, in the wafer direction to be separated from each other. Those rotated by 90 degrees are used.
【００２９】図９ａは図３ａに、図９ｂは図３ｂに、図
９ｃは図３ｃにそれぞれ対応している。図１０は縦軸が
ワイヤーが図３ａのようになっている場合を０度とし、
図３ｂのようになっている場合を９０度とするワイヤー
角度、横軸がワイヤーの走行距離をそれぞれ示してい
る。テーブル２０をブロック１０に向けて降下させてい
くことによってウエハ２４の削り出し方向に一致したワ
イヤー１８の長軸方向端面１８ｃでもってウエハ２４を
削り出していくと、ウエハ２４は図９ａで示すように削
り出しされる。この削り出しが終了するとワイヤー１８
は図１０で示すように１２０ｋｍ走行されて消費され
る。図１０のａ点はウエハ２４の削り出し終了位置を示
しているとともに、ワイヤー１８を図９ｂで示すように
９０度回転させてウエハ２４切断方向に向いた長軸方向
端面１８ｃでもって切断させていく。図１０のｂ点はそ
の切断の途中を示している。こうしてウエハ２４の切断
が図９ｃのように終了するとウエハ２４を受け治具５２
それぞれの受け口に個別に収納する。図９ｃは図１０の
ｃ点に対応している。9a corresponds to FIG. 3a, FIG. 9b corresponds to FIG. 3b, and FIG. 9c corresponds to FIG. 3c. In FIG. 10, the vertical axis is 0 degrees when the wire is as shown in FIG. 3a,
In the case of FIG. 3b, the wire angle is 90 degrees, and the horizontal axis represents the running distance of the wire. By lowering the table 20 toward the block 10 and shaving the wafer 24 with the long-axis direction end face 18c of the wire 18 which coincides with the shaving direction of the wafer 24, the wafer 24 is removed as shown in FIG. 9a. Is carved into. When this shaving is finished, the wire 18
Is consumed after traveling 120 km as shown in FIG. A point a in FIG. 10 indicates a shaving end position of the wafer 24, and the wire 18 is rotated 90 degrees as shown in FIG. 9b so that the wire 18 is cut by the long-axis end face 18c oriented in the wafer 24 cutting direction. Go. Point b in FIG. 10 shows the middle of the cutting. Thus, when the cutting of the wafer 24 is completed as shown in FIG.
Store individually in each receptacle. FIG. 9c corresponds to point c in FIG.
【００３０】ワイヤー１８をウエハ２４の削り出しモー
ドでは長軸方向端面１８ｃを削り出し方向に、ウエハの
切断モードでは長軸方向端面１８ｃを切断方向に９０度
回転させるためのワイヤー回転機構について図１１およ
び図１２を参照して説明する。図１１はマルチワイヤー
ソーとワークとを正面からみた図であり、図１２ａは図
１１のＡーＡ線に沿う断面図であり、図１２ｂおよびｃ
は図１１のＢーＢ線に沿う断面図をそれぞれ示してい
る。特に図１２ｂはウエハ削り出しモードにおいてのワ
イヤーの回転状態、図１２ｃはウエハ切断モードにおい
てワイヤーの回転状態がそれぞれ示されている。A wire rotation mechanism for rotating the wire 18 in the shaving mode of the wafer 24 in the shaving direction of the long-axis direction end face 18c and in the wafer cutting mode for rotating the long-axis direction end face 18c in the cutting direction by 90 degrees is shown in FIG. And it demonstrates with reference to FIG. FIG. 11 is a front view of the multi-wire saw and the work, FIG. 12a is a sectional view taken along the line AA of FIG. 11, and FIGS.
Shows cross-sectional views taken along the line BB of FIG. 11, respectively. In particular, FIG. 12b shows the rotating state of the wire in the wafer shaving mode, and FIG. 12c shows the rotating state of the wire in the wafer cutting mode.
【００３１】一対のワイヤーガイド３２，３４はそれぞ
れ内部が鉄製の円筒であり表面が柔らかい樹脂で被覆さ
れて構成されており、これらの間を走行するワイヤー１
８には上下一対のローラー５６，５８が走行方向前後に
２組それぞれ配備されている。ワーク１２はこれら各組
のローラ５６，５８間に位置させられている。ワイヤー
ガイド３２，３４にはワイヤー１８の収納のために溝６
０が軸方向に沿って互いに平行に多数形成されている。
これら溝は互いのピッチ５６０μｍで、溝幅２１０μ
ｍ、溝深さ５３０μｍである。ワイヤー１８は短軸方向
長が１８０μｍ、長軸方向長が５３０μｍである。そし
て、ワイヤーガイド３２，３４の各溝６０にはワイヤー
１８が長軸側方向端１８ｃ面が露出させられて収納され
ている。上下一対のローラ５６，５８はワイヤー１８が
長軸方向端面１８ｃを削り出し方向に向けて通過し得る
ように所定の間隔例えば長軸側方向長５３０μｍよりも
若干長い６００μｍあけられており、したがって、ウエ
ハ削り出しモードにおいては図１２ｂで示すようにワイ
ヤーガイド３２，３４によって案内されるワイヤー１８
はその長軸方向端面１８ｃをブロック側に向けられた状
態で走行させられ、ウエハ切断モードにおいては上下一
対のローラ５６，５８の間隔が図示していないローラ移
動機構によって狭められることによってワイヤー１８が
９０度回転させられて長軸方向端面１８ｃがウエハ切断
方向側に向けられるようになっている。Each of the pair of wire guides 32, 34 is made of iron and has a surface covered with a soft resin.
A pair of upper and lower rollers 56 and 58 are provided on the front and rear sides of the roller 8, respectively. The work 12 is located between the rollers 56 and 58 of each set. The wire guides 32 and 34 have grooves 6 for accommodating the wires 18.
Many 0s are formed in parallel with each other along the axial direction.
These grooves have a pitch of 560 μm and a groove width of 210 μm.
m, and the groove depth is 530 μm. The wire 18 has a short-axis direction length of 180 μm and a long-axis direction length of 530 μm. The wire 18 is housed in each groove 60 of the wire guides 32 and 34 with the long-axis side end 18c surface exposed. The pair of upper and lower rollers 56, 58 are provided with a predetermined interval, for example, 600 μm, which is slightly longer than the length 530 μm in the major axis side direction, so that the wire 18 can pass through in the shaving direction of the major axis end surface 18c. In the wafer shaving mode, the wire 18 guided by the wire guides 32 and 34 as shown in FIG. 12b.
Is run with its long-axis end face 18c directed toward the block side, and in the wafer cutting mode, the distance between the pair of upper and lower rollers 56, 58 is narrowed by a roller moving mechanism (not shown), so that the wire 18 is moved. The long-axis direction end face 18c is turned 90 degrees so that the long-axis direction end face 18c faces the wafer cutting direction side.
【００３２】このようにして本実施の形態３において
は、上記実施の形態と同様の効果を奏することができ
る。In this way, in the third embodiment, the same effect as that of the above-mentioned embodiments can be obtained.
【００３３】実施の形態４ 本発明の実施の形態４について図１３および図１４を参
照して説明する。本実施の形態４においては、マルチワ
イヤーソー１４は、固定板２の下にウエハを前後方向つ
まり互いに隣接して切断されるべきウエハ間の方向に振
動させる機能を備えたテーブル２０が配備されている。
このウエハの削り出しと切断のために用いられるワイヤ
ーは一定径を有している。マルチワイヤーソー１４のテ
ーブル２０を降下させてワイヤー１８を走行させていく
ことによってウエハ２４の削り出しが行われ、この削り
出しが図１３ａで示すように終了すると、テーブル２０
の降下を停止させるとともに、図１３ｂで示すようにテ
ーブル２０を矢印で示される前後方向に振動させる。こ
の振動によってワイヤー１８はウエハ２４の削り出し到
達部内部においてその前後方向にウエハ２４を切断して
いくためにウエハ２４は図１３ｃで示すようにウエハ２
４の削り出し終了位置部分での内径が大きくされてい
き、最終的には隣接するウエハ２４は互いに図１３ｄで
示すようにその削り出し終了位置部分で互いから切断さ
れてしまう。こうして互いから切断されたウエハ２４そ
れぞれを受け治具５２の受け口それぞれに収納する。 Fourth Embodiment A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 and 14. In the fourth embodiment, the multi-wire saw 14 is provided with the table 20 having a function of vibrating the wafer in the front-back direction, that is, the direction between the wafers to be cut adjacent to each other, under the fixing plate 2. There is.
The wire used for shaving and cutting the wafer has a constant diameter. The wafer 24 is shaving by lowering the table 20 of the multi-wire saw 14 and moving the wire 18, and when the shaving is completed as shown in FIG.
And the table 20 is vibrated in the front-back direction indicated by the arrow as shown in FIG. 13b. Due to this vibration, the wire 18 cuts the wafer 24 in the front-back direction inside the cut-out reaching portion of the wafer 24.
The inner diameter of the shaving end position 4 is increased, and the adjacent wafers 24 are finally cut from each other at the shaving end position as shown in FIG. 13d. The wafers 24 thus cut from each other are received in the respective receiving openings of the jig 52.
【００３４】図１４では縦軸にテーブル２０の前後方向
の振動無しの場合と振動有りの場合とを示しており、横
軸にはワイヤー１８の走行距離を示している。ワイヤー
１８は全長が１５０ｋｍであり、走行距離が１２０ｋｍ
までの間はウエハ削り出しモードとしてテーブル２０を
降下させていくが、この場合のテーブル２０は振動無し
であり、走行距離が１２０ｋｍになると、ウエハ切断モ
ードに移行してテーブル２０を振動させる。図１４のａ
点までは図１３ａに対応してテーブル降下で振動無し、
ｂ点以降はテーブル降下停止でかつ振動有りで、ｂ点は
図１３ｂに、ｃ点は図１３ｃ、ｄ点は図１３ｄにそれぞ
れ対応している。In FIG. 14, the vertical axis shows the case of no vibration in the front-back direction of the table 20 and the case of vibration, and the horizontal axis shows the traveling distance of the wire 18. The wire 18 has a total length of 150 km and a mileage of 120 km.
Until then, the table 20 is lowered in the wafer shaving mode, but in this case the table 20 is not vibrated, and when the traveling distance becomes 120 km, the table 20 is vibrated by shifting to the wafer cutting mode. 14a
Up to the point there is no vibration due to table descent, corresponding to Figure 13a,
After the point b, the table descending is stopped and there is vibration. The point b corresponds to FIG. 13b, the point c corresponds to FIG. 13c, and the point d corresponds to FIG. 13d.
【００３５】本実施の形態４においては、上記実施の形
態と同様の効果を奏することができる。In the fourth embodiment, the same effect as that of the above-mentioned embodiment can be obtained.
【００３６】実施の形態５ 本発明の実施の形態５について図１５および図１６を参
照して説明する。本実施の形態５においては、固定台に
固定されるマルチワイヤーソー１４のテーブル２０は回
転振動機能付きのものであって、ウエハ切断モードにお
いては回転振動させられて固定台２を回転振動させるこ
とでウエハ２４を切断するようになっている。これに使
用されるワイヤー１８は一定径であり、全長が１５０ｋ
ｍである。まず、このワイヤー１８で図１５ａで示すよ
うにウエハ２４の削り出しを行うと、図１５ａの矢印Ａ
方向から見た図である図１５ｂで示すようにウエハ２４
を削り出して入り込んでいるワイヤー１８が、テーブル
２０の軸方向の長さＬ１と幅方向の長さＬ２それぞれの
中央部であるＯ点回りを中心にして矢印のように回転振
動し、これによってウエハ２４を切断するようにしてい
る。図１５ｃはこの回転振動でウエハ２４が切断されて
いる状態が示されている。切断されたウエハ２４は図１
５ｄで示すように上記と同様にして受け治具５２に収納
される。 Fifth Embodiment A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 and 16. In the fifth embodiment, the table 20 of the multi-wire saw 14 fixed to the fixed table has a rotary vibration function, and in the wafer cutting mode, the table 20 is rotationally vibrated to rotationally vibrate the fixed table 2. The wafer 24 is cut by. The wire 18 used for this has a constant diameter and a total length of 150k.
m. First, when the wafer 24 is carved with the wire 18 as shown in FIG. 15A, an arrow A in FIG.
The wafer 24 as shown in FIG.
The wire 18 that has been carved out and entered is rotationally vibrated in the direction of the arrow around the point O, which is the center of each of the axial length L1 and the widthwise length L2 of the table 20, and as a result, The wafer 24 is cut. FIG. 15c shows a state where the wafer 24 is cut by this rotational vibration. The cut wafer 24 is shown in FIG.
As shown by 5d, it is stored in the receiving jig 52 in the same manner as described above.
【００３７】図１６を参照して縦軸はテーブル２０の回
転振動の有無を示しており、横軸はワイヤー１８の走行
距離を示している。走行距離が１２０ｋｍまではテーブ
ル２０が下降してウエハ２４が削り出しが行われるウエ
ハ削り出しモードであって、このモードにおいてはテー
ブル２０の回転振動は無しであり、それ以降の走行にお
いてはウエハ２４の切断モードになってテーブル２０の
下降が停止されてテーブル２０が回転振動してウエハ２
４の切断が行われることになる。図１６のａ点は図１５
ａに、ｂ点は図１５ｂ、ｃ点は図１５ｃ、ｄ点は図１５
ｄにそれぞれ対応している。With reference to FIG. 16, the vertical axis shows the presence or absence of rotational vibration of the table 20, and the horizontal axis shows the traveling distance of the wire 18. This is a wafer shaving mode in which the table 20 is lowered and the wafer 24 is shaving up to a mileage of 120 km. In this mode, there is no rotational vibration of the table 20, and the wafer 24 is sown in the subsequent traveling. The cutting mode of the wafer 20 is stopped, the table 20 is stopped from descending, and the table 20 is rotationally vibrated and the wafer 2
4 will be cut. Point a in FIG. 16 corresponds to FIG.
15a, 15b, 15c, 15c, 15d, 15d, 15a, 15d.
It corresponds to each d.
【００３８】この実施の形態５においては、上記各実施
の形態と同様の効果を奏することができる。In the fifth embodiment, the same effect as that of each of the above-described embodiments can be obtained.
【００３９】実施の形態６ 図１７および図１８を参照して本発明の実施の形態６に
ついて説明する。本実施の形態６においては、ワイヤー
２４に小さな径例えば１０μｍの砥粒６２を付着させて
ウエハ２４の削り出しを行い、その削り出しが終了する
と、大きな径例えば１３０μｍの砥粒６２に変更する。
そして、この大きな径の砥粒６２によってウエハ２４の
切断を行う。すなわち、テーブル２０を降下させて小さ
な径の砥粒６２を付着させたワイヤー１８を走行させて
図１７ａで示すようにウエハ２４の削り出しを行う。こ
の削り出しの終了後にテーブル２０の降下を停止させた
状態で大きな径の砥粒６２をワイヤー１８に付着させて
ワイヤー１８を走行させると、ウエハ２４はこの大きな
径の砥粒６２で切断されることになる。この切断の途中
の様子が図１７ｂ、切断された状態が図１７ｃでそれぞ
れ示されている。こうして、切断されたウエハ２４は同
じく図１７ｃで示すように受け治具５２の受け口のそれ
ぞれに個別に収納される。 Sixth Embodiment A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 17 and 18. In the sixth embodiment, the abrasive grains 62 having a small diameter, for example, 10 μm are attached to the wire 24 to shave the wafer 24, and when the shaving is completed, the abrasive grains 62 having a large diameter, for example, 130 μm are changed.
Then, the wafer 24 is cut by the large-diameter abrasive grains 62. That is, the table 20 is lowered and the wire 18 having the small-diameter abrasive grains 62 attached thereto is run to shave the wafer 24 as shown in FIG. 17A. After the shaving, when the descending of the table 20 is stopped and the large diameter abrasive grains 62 are attached to the wire 18 and the wire 18 is run, the wafer 24 is cut by the large diameter abrasive grains 62. It will be. The state in the middle of this cutting is shown in FIG. 17b, and the cut state is shown in FIG. 17c. Thus, the cut wafers 24 are individually stored in the respective receiving openings of the receiving jig 52 as shown in FIG. 17c.
【００４０】図１８は縦軸が砥粒径、横軸がワイヤー走
行距離を示している。ワイヤー１８が１２０ｋｍ走行す
るまではワイヤー１８に径が１０μｍの砥粒６２を付着
させておいてテーブル２０を降下させたうえでワイヤー
１８を走行させると、図１７ａで示すようにウエハ２４
が削り出しされる。この削り出しが終了すると、テーブ
ル２０の降下を停止させてワイヤー１８に径が１３０μ
ｍの砥粒６２の付着に変更する。これによって、ウエハ
２４は切断される。図１８のａ点は図１７ａで小さい砥
粒径の砥粒６２によるウエハ２４の削り出し、ｂ点は図
１７ｂで大きな砥粒径の砥粒６２でのウエハ２４の切断
途中、ｃ点は図１７ｃでウエハ２４の切断終了が示され
ている。In FIG. 18, the vertical axis represents the abrasive grain size and the horizontal axis represents the wire travel distance. Until the wire 18 travels 120 km, the abrasive grains 62 having a diameter of 10 μm are attached to the wire 18, the table 20 is lowered, and then the wire 18 is run, as shown in FIG.
Is carved out. When this shaving is completed, the descending of the table 20 is stopped and the wire 18 has a diameter of 130 μm.
Change to the attachment of m abrasive grains 62. As a result, the wafer 24 is cut. Point a in FIG. 18 is the shaving of the wafer 24 with the abrasive grains 62 having a small abrasive grain size in FIG. 17a, point b is the cutting of the wafer 24 with the abrasive grains 62 having a large abrasive grain size in FIG. 17b, and point c is the figure. 17c shows the end of cutting of the wafer 24.
【００４１】この実施の形態６においても上記実施の形
態と同様の効果を奏することができる。Also in the sixth embodiment, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上のようにいずれの請求項に係る本発
明においても、ブロックから削り出されたウエハは機械
的に切断されて分離されるから、従来のように捨て板か
らウエハを分離する必要がなくなる結果、捨て板が不要
になること、捨て板から分離するための酢酸水溶液が不
要となること、酢酸で分離するために要していた長時間
にわたる分離作業が不要となって半導体製造上の歩留ま
りが向上することのみならず、作業環境の改善、酢酸の
廃液処理のための設備が不要となってコストダウンが図
れるという効果を奏することができる。As described above, in the present invention according to any of the claims, since the wafer carved from the block is mechanically cut and separated, the wafer is separated from the discard plate as in the conventional case. As a result, there is no need for a waste plate, there is no need for an aqueous acetic acid solution to separate it from the waste plate, and the long-time separation work required for separation with acetic acid is no longer necessary. Not only the above-mentioned yield is improved, but also the working environment is improved, and the facility for treating the waste liquid of acetic acid is not required, so that the cost can be reduced.
【図１】本発明の実施形態１に係るワークの斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a work according to a first embodiment of the present invention.
【図２】実施の形態１において使用されるワイヤーの斜
視図。FIG. 2 is a perspective view of a wire used in the first embodiment.
【図３】実施の形態１においてのウエハ削り出しと切断
の説明に供する図であり、（ａ）はウエハ削り出しモー
ドを示す図、（ｂ）はウエハ切断モードを示す図、
（ｃ）はウエハ収納モードを示す図。3A and 3B are diagrams for explaining wafer shaving and cutting in the first embodiment, FIG. 3A is a diagram showing a wafer shaving mode, and FIG. 3B is a diagram showing a wafer slicing mode;
FIG. 6C is a diagram showing a wafer storage mode.
【図４】実施の形態１においてワイヤー径とワーク走行
距離との関係を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a wire diameter and a work traveling distance in the first embodiment.
【図５】実施の形態２において使用されるワイヤーの斜
視図。FIG. 5 is a perspective view of a wire used in the second embodiment.
【図６】実施の形態２においてのウエハ削り出しと切断
の説明に供する図であり、（ａ）はウエハ削り出しモー
ドを示す図、（ｂ）はウエハ切断モードを示す図、
（ｃ）はウエハ収納モードを示す図。6A and 6B are diagrams for explaining wafer shaving and cutting in the second embodiment, FIG. 6A is a diagram showing a wafer shaving mode, and FIG. 6B is a diagram showing a wafer slicing mode;
FIG. 6C is a diagram showing a wafer storage mode.
【図７】実施の形態２において砥粒付着の有無とワーク
走行距離との関係を示す図。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the presence or absence of adhered abrasive grains and the work traveling distance in the second embodiment.
【図８】実施の形態３において使用されるワイヤーの斜
視図。FIG. 8 is a perspective view of a wire used in the third embodiment.
【図９】実施の形態３においてのウエハ削り出しと切断
の説明に供する図であり、（ａ）はウエハ削り出しモー
ドを示す図、（ｂ）はウエハ切断モードを示す図、
（ｃ）はウエハ収納モードを示す図。9A and 9B are diagrams for explaining wafer shaving and cutting in the third embodiment, FIG. 9A is a diagram showing a wafer shaving mode, and FIG. 9B is a diagram showing a wafer slicing mode;
FIG. 6C is a diagram showing a wafer storage mode.
【図１０】実施の形態３においてワイヤー角度とワーク
走行距離との関係を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a wire angle and a work traveling distance in the third embodiment.
【図１１】実施の形態３においてワイヤー回転機構の正
面図。FIG. 11 is a front view of the wire rotating mechanism according to the third embodiment.
【図１２】図１１の断面図で、（ａ）はＡーＡ線に沿う
断面図、（ｂ）（ｃ）はＢーＢ線に沿う断面図。12A and 12B are sectional views taken along the line AA in FIGS. 11A and 11B, and FIGS. 12B and 12C are sectional views taken along the line BB.
【図１３】実施の形態４においてのウエハ削り出し、テ
ーブル前後振動、ウエハ切断、ウエハ収納の説明に供す
る図であり、（ａ）はウエハ削り出しモードを示す図、
（ｂ）はテーブル前後振動モードを示す図、（ｃ）はウ
エハ切断モードを示す図、（ｄ）はウエハ収納モードを
示す図。13A and 13B are diagrams for explaining wafer shaving, table longitudinal vibration, wafer cutting, and wafer storage in the fourth embodiment, and FIG. 13A is a diagram showing a wafer shaving mode;
FIG. 6B is a diagram showing a table longitudinal vibration mode, FIG. 7C is a diagram showing a wafer cutting mode, and FIG.
【図１４】実施の形態４においてテーブルの前後振動の
有無とワイヤー走行距離との関係を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a relationship between presence / absence of longitudinal vibration of a table and a wire traveling distance in the fourth embodiment.
【図１５】実施の形態５においてのウエハ削り出し、テ
ーブル回転振動、ウエハ切断、ウエハ収納の説明に供す
る図であり、（ａ）はウエハ削り出しモードを示す図、
（ｂ）はテーブル回転振動モードを示す図、（ｃ）はウ
エハ切断モードを示す図、（ｄ）はウエハ収納モードを
示す図。15A and 15B are diagrams for explaining wafer shaving, table rotation vibration, wafer cutting, and wafer storage in the fifth embodiment, and FIG. 15A is a diagram showing a wafer shaving mode;
(B) is a diagram showing a table rotation vibration mode, (c) is a diagram showing a wafer cutting mode, and (d) is a diagram showing a wafer storage mode.
【図１６】実施の形態５においてテーブルの回転振動の
有無とワイヤー走行距離との関係を示す図。FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the presence or absence of rotational vibration of the table and the wire travel distance in the fifth embodiment.
【図１７】実施の形態６においてのウエハ削り出しと切
断の説明に供する図であり、（ａ）はウエハ削り出しモ
ードを示す図、（ｂ）はウエハ切断モードを示す図、
（ｃ）はウエハ収納モードを示す図。FIG. 17 is a diagram for explaining wafer shaving and cutting in the sixth embodiment, (a) showing a wafer shaving mode, (b) showing a wafer cutting mode,
FIG. 6C is a diagram showing a wafer storage mode.
【図１８】実施の形態６において砥粒径とワイヤー走行
距離との関係を示す図。FIG. 18 is a diagram showing the relationship between the abrasive grain size and the wire travel distance in the sixth embodiment.
【図１９】従来のワークの分解斜視図。FIG. 19 is an exploded perspective view of a conventional work.
【図２０】図１９のワークとマルチワイヤーソーとの斜
視図。20 is a perspective view of the work of FIG. 19 and a multi-wire saw.
【図２１】図１９のワークとマルチワイヤーソーとにお
いてウエハの削り出しが行われた状態を示す斜視図。FIG. 21 is a perspective view showing a state where a wafer is carved out in the work and the multi-wire saw in FIG.
【図２２】図１９のワークからウエハが削り出されて分
離される状態を示す斜視図。22 is a perspective view showing a state where a wafer is cut out from the work of FIG. 19 and separated.
【図２３】ワークとマルチワイヤーソーとの詳細な斜視
図。FIG. 23 is a detailed perspective view of a work and a multi-wire saw.
【図２４】マルチワイヤーソーで削り出しされたワーク
の正面図。FIG. 24 is a front view of a workpiece carved with a multi-wire saw.
２ 固定台 １０ 半導体ブロック １８ ワイヤー ２０ テーブル ２４ ウエハ ２６ 供給スプール ３２，３４ ワイヤーガイド ４２ 巻き取りスプール ５２ 受け治具 2 fixing base 10 semiconductor block 18 wire 20 table 24 wafer 26 supply spool 32, 34 wire guide 42 take-up spool 52 receiving jig
Claims (6)
を介して半導体ブロックをセットし、前記マルチワイヤ
ーソーのワイヤーによって前記半導体ブロックから複数
のウエハを削り出してから切断するにあたっては前記ワ
イヤーの径を徐々に大きくして切断することを特徴とす
る半導体ブロックの削り出し切断法。1. A semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and when a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wire of the multi-wire saw and then cut, the diameter of the wire is set. A method of cutting and cutting a semiconductor block, which is characterized by gradually increasing and cutting.
を介して半導体ブロックをセットし、前記マルチワイヤ
ーソーのワイヤーによって前記半導体ブロックから複数
のウエハを削り出してから切断するにあたっては前記ワ
イヤーに砥粒を付着して切断することを特徴とする半導
体ブロックの削り出し切断法。2. When a semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wire of the multi-wire saw and then cut, the wires are abrasive grains. A method for cutting and cutting a semiconductor block, which is characterized by attaching and cutting.
を介して半導体ブロックをセットし、前記マルチワイヤ
ーソーのワイヤーを偏平形状とし、前記半導体ブロック
からの複数のウエハの削り出しにおいては前記ワイヤー
の長軸方向側端面を削り出し方向に向けて削り出し、そ
の削り出した複数のウエハどうしの切断においては前記
ワイヤーの長軸方向端面をウエハ切断方向に向けて切断
することを特徴とする半導体ブロックの削り出し切断
法。3. A semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, the wires of the multi-wire saw are made flat, and the length of the wire is cut when shaving a plurality of wafers from the semiconductor block. The semiconductor block is characterized in that the end face in the axial direction is carved in the carving direction, and in the cutting of the carved plural wafers, the longitudinal end face of the wire is cut in the wafer cutting direction. Cutting and cutting method.
を介して半導体ブロックをセットし、前記マルチワイヤ
ーソーのワイヤーによって前記半導体ブロックから複数
のウエハを削り出してから切断するにあたっては前記テ
ーブルを前後方向に振動させることによってウエハを切
断することを特徴とする半導体ブロックの削り出し切断
法。4. A semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and when the plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw and then cut, the table is moved in the front-back direction. A method of cutting and cutting a semiconductor block, which comprises cutting a wafer by vibrating the wafer.
を介して半導体ブロックをセットし、前記マルチワイヤ
ーソーのワイヤーによって前記半導体ブロックから複数
のウエハを削り出してから切断するにあたっては前記テ
ーブルを回転振動させることによってウエハを切断する
ことを特徴とする半導体ブロックの削り出し切断法。5. A rotary vibration of the table is set when a semiconductor block is set on a table of the multi-wire saw via a fixing base, and a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wires of the multi-wire saw. A method of cutting and cutting a semiconductor block, which comprises cutting a wafer by performing the cutting.
を介して半導体ブロックをセットし、前記マルチワイヤ
ーソーのワイヤーによって前記半導体ブロックから複数
のウエハを削り出すにあたっては所定径の砥粒をワイヤ
ーに付着させた状態で削り出しを行い、この削り出した
複数のウエハを切断するにあたっては前記砥粒よりも径
が大きい砥粒をワイヤーに付着させた状態で切断を行う
ことを特徴とする半導体ブロックの削り出し切断法。6. A semiconductor block is set on a table of a multi-wire saw via a fixing base, and when a plurality of wafers are cut out from the semiconductor block by the wire of the multi-wire saw, an abrasive grain having a predetermined diameter is attached to the wire. Performing shaving in the state of cutting, in cutting the plurality of wafers carved out, the semiconductor block is characterized in that cutting is performed in a state in which abrasive grains having a diameter larger than the abrasive grains are attached to the wire. Cutting and cutting method.
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|---|---|---|---|---|
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