JPH09191003A - ドライエッチング方法とその装置 - Google Patents
ドライエッチング方法とその装置Info
- Publication number
- JPH09191003A JPH09191003A JP344396A JP344396A JPH09191003A JP H09191003 A JPH09191003 A JP H09191003A JP 344396 A JP344396 A JP 344396A JP 344396 A JP344396 A JP 344396A JP H09191003 A JPH09191003 A JP H09191003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ring
- base ring
- dry etching
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リングがエッチングされて試料の上に生成す
る残滓を抑止して製品の歩留まりを向上させ、かつリン
グのコストを低減できるドライエッチング方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 電極２ａの上に試料１を載置し、電極２
ａの露出部分の少なくとも一部をベースリング７で保護
し、ベースリング７の少なくとも一部をベースリング７
とは異種の材料で作られたカバーリング８で保護した状
態で試料１をエッチングする。これによると、ベースリ
ング７がエッチングまたはスパッタされて被エッチング
膜上に生成する残滓を抑止し、リング７のコスト低減を
はかることができる。
る残滓を抑止して製品の歩留まりを向上させ、かつリン
グのコストを低減できるドライエッチング方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 電極２ａの上に試料１を載置し、電極２
ａの露出部分の少なくとも一部をベースリング７で保護
し、ベースリング７の少なくとも一部をベースリング７
とは異種の材料で作られたカバーリング８で保護した状
態で試料１をエッチングする。これによると、ベースリ
ング７がエッチングまたはスパッタされて被エッチング
膜上に生成する残滓を抑止し、リング７のコスト低減を
はかることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング方
法とその装置に関するものである。
法とその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜デバイスの製造工程などで使用され
るドライエッチング装置の反応室構造は、エッチング特
性を決定する大きな要因である。
るドライエッチング装置の反応室構造は、エッチング特
性を決定する大きな要因である。
【０００３】従来のドライエッチング装置は図２に示す
ように構成されている。チャンバー４の内部には、アル
ミナリング３ａ，３ｂを介して電極２ａ，２ｂが配置さ
れ、電極２ａの上に試料１を載置し、電極２ａ，２ｂの
間に高周波電源５から電力が供給されている。アルミナ
リング３ａと電極２ａの一部にかけて配設されたリング
６は、電極２ａの保護ならびに試料１の位置決めのため
に設けられている。
ように構成されている。チャンバー４の内部には、アル
ミナリング３ａ，３ｂを介して電極２ａ，２ｂが配置さ
れ、電極２ａの上に試料１を載置し、電極２ａ，２ｂの
間に高周波電源５から電力が供給されている。アルミナ
リング３ａと電極２ａの一部にかけて配設されたリング
６は、電極２ａの保護ならびに試料１の位置決めのため
に設けられている。
【０００４】リング６の材質は、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分と
して含むセラミックス材料が使用されている。このよう
な構成では、試料１のエッチングの際にリング６がエッ
チングまたはスパッタされて発生した反応生成物が飛散
して、図３に示すように試料１の上の外周部にこの反応
生成物Ａが堆積する。この結果、試料１に堆積した反応
生成物Ａが被エッチング膜の不必要なマスクになって、
試料１の外周部周辺に形成される製品の歩留まりを著し
く低下させるという問題がある。
して含むセラミックス材料が使用されている。このよう
な構成では、試料１のエッチングの際にリング６がエッ
チングまたはスパッタされて発生した反応生成物が飛散
して、図３に示すように試料１の上の外周部にこの反応
生成物Ａが堆積する。この結果、試料１に堆積した反応
生成物Ａが被エッチング膜の不必要なマスクになって、
試料１の外周部周辺に形成される製品の歩留まりを著し
く低下させるという問題がある。
【０００５】そこで従来では、図４に示すように石英製
のリング６ａを使用したものが見られる。石英製のリン
グ６ａがエッチングされて生成する反応生成物は、気化
して排気されやすく、試料１に堆積することがなく、試
料１を良好にエッチングすることが可能であり、製品の
歩留まりが向上する。
のリング６ａを使用したものが見られる。石英製のリン
グ６ａがエッチングされて生成する反応生成物は、気化
して排気されやすく、試料１に堆積することがなく、試
料１を良好にエッチングすることが可能であり、製品の
歩留まりが向上する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英製
のリング６ａはプラズマに対する耐性が小さいために消
耗が早く、多大なコストがかかることを余儀なくされて
いた。
のリング６ａはプラズマに対する耐性が小さいために消
耗が早く、多大なコストがかかることを余儀なくされて
いた。
【０００７】本発明はリングがエッチングされて試料の
上に生成する残滓を抑止して製品の歩留まりを向上さ
せ、かつリングのコストを低減できるドライエッチング
方法とドライエッチング装置を提供することを目的とす
る。
上に生成する残滓を抑止して製品の歩留まりを向上さ
せ、かつリングのコストを低減できるドライエッチング
方法とドライエッチング装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、電極の上に試料を載置し、前記電極の露出部
分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベースリ
ングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種の材
料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試料を
エッチングするドライエッチング方法。
グ方法は、電極の上に試料を載置し、前記電極の露出部
分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベースリ
ングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種の材
料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試料を
エッチングするドライエッチング方法。
【０００９】また本発明のドライエッチング方法は、電
極の上に試料を載置し、前記電極の露出部分の少なくと
も一部をベースリングで保護し、ベースリングの少なく
とも一部を前記ベースリングの材料よりもエッチングレ
ートの高い材料で作られたカバーリングで保護した状態
で前記試料をエッチングすることを特徴とする。
極の上に試料を載置し、前記電極の露出部分の少なくと
も一部をベースリングで保護し、ベースリングの少なく
とも一部を前記ベースリングの材料よりもエッチングレ
ートの高い材料で作られたカバーリングで保護した状態
で前記試料をエッチングすることを特徴とする。
【００１０】また本発明のドライエッチング装置は、電
極の上に試料を載置し、これをドライエッチングする装
置であって、載置された試料と当接する部分を除いて少
なくとも一部を被うベースリングと、ベースリングの少
なくとも一部を被うとともに前記ベースリングとは異種
材料で作られたカバーリングとを設けたことを特徴とす
る。
極の上に試料を載置し、これをドライエッチングする装
置であって、載置された試料と当接する部分を除いて少
なくとも一部を被うベースリングと、ベースリングの少
なくとも一部を被うとともに前記ベースリングとは異種
材料で作られたカバーリングとを設けたことを特徴とす
る。
【００１１】また本発明のドライエッチング装置は、電
極の上に試料を載置し、これをドライエッチングする装
置であって、載置された試料と当接する部分を除いて少
なくとも一部を被うベースリングと、ベースリングの少
なくとも一部を被うとともに前記ベースリングの材料よ
りもエッチングレートの高い材料で作られたカバーリン
グとを設けたことを特徴とする。
極の上に試料を載置し、これをドライエッチングする装
置であって、載置された試料と当接する部分を除いて少
なくとも一部を被うベースリングと、ベースリングの少
なくとも一部を被うとともに前記ベースリングの材料よ
りもエッチングレートの高い材料で作られたカバーリン
グとを設けたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のドライエッチング
方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
【００１３】図１は本発明のドライエッチング方法を実
現するドライエッチング装置の反応室を示している。試
料１の上の被エッチング膜としての単結晶Ｓｉ膜または
多結晶Ｓｉ膜またはＳｉＯ2 膜またはＳｉＮ膜などをド
ライエッチングする場合、チャンバー４の内部には、ア
ルミナリング３ａ，３ｂを介して電極２ａ，２ｂが配置
され、電極２ａの上に試料１を載置し、電極２ａ，２ｂ
の間に高周波電源５から電力が供給されている。アルミ
ナリング３ａと電極２ａの一部にかけて配設されたベー
スリング７はプラズマ耐性の高いＡｌ2 Ｏ3 を主成分と
して含むセラミックス材料が使用されており、電極２ａ
の保護のために設けられている。
現するドライエッチング装置の反応室を示している。試
料１の上の被エッチング膜としての単結晶Ｓｉ膜または
多結晶Ｓｉ膜またはＳｉＯ2 膜またはＳｉＮ膜などをド
ライエッチングする場合、チャンバー４の内部には、ア
ルミナリング３ａ，３ｂを介して電極２ａ，２ｂが配置
され、電極２ａの上に試料１を載置し、電極２ａ，２ｂ
の間に高周波電源５から電力が供給されている。アルミ
ナリング３ａと電極２ａの一部にかけて配設されたベー
スリング７はプラズマ耐性の高いＡｌ2 Ｏ3 を主成分と
して含むセラミックス材料が使用されており、電極２ａ
の保護のために設けられている。
【００１４】ベースリング７の上には、ベースリング７
の保護ならびに試料１の位置決めのために、ＳｉＯ2 ，
ＳｉＣ，ＳｉＮなどのシリコン化合物で作られたカバー
リング８が設けられている。
の保護ならびに試料１の位置決めのために、ＳｉＯ2 ，
ＳｉＣ，ＳｉＮなどのシリコン化合物で作られたカバー
リング８が設けられている。
【００１５】このように構成したため、チャンバー４に
反応ガスを流しながら試料１のドライエッチングを実施
すると、ベースリング７はカバーリング８で保護されて
いるためエッチングされにくい。カバーリング８はエッ
チングされてしまうが、ベースリング８に比べてエッチ
ングレートが高く反応生成物の蒸気圧が高いため、反応
生成物は反応ガスに伴われてチャンバー４から排気され
易く、試料１の上に堆積する残滓を抑止して製品の歩留
まりが向上するとともに、ベースリングのコストも低減
できた。
反応ガスを流しながら試料１のドライエッチングを実施
すると、ベースリング７はカバーリング８で保護されて
いるためエッチングされにくい。カバーリング８はエッ
チングされてしまうが、ベースリング８に比べてエッチ
ングレートが高く反応生成物の蒸気圧が高いため、反応
生成物は反応ガスに伴われてチャンバー４から排気され
易く、試料１の上に堆積する残滓を抑止して製品の歩留
まりが向上するとともに、ベースリングのコストも低減
できた。
【００１６】上記の実施の形態のベースリング７には、
プラズマ耐性の高いＡｌ2 Ｏ3 を主成分として含むセラ
ミックスを使用したが、Ａｌベースをアルマイト処理し
たＡｌアルマイトや、Ａｌベースにアルミナを溶射した
Ａｌアルミナ溶射など、エッチングレートが極めて極め
て低い材料を使用できる。
プラズマ耐性の高いＡｌ2 Ｏ3 を主成分として含むセラ
ミックスを使用したが、Ａｌベースをアルマイト処理し
たＡｌアルマイトや、Ａｌベースにアルミナを溶射した
Ａｌアルミナ溶射など、エッチングレートが極めて極め
て低い材料を使用できる。
【００１７】上記の実施の形態では、カバーリング８に
はプラズマに曝されて生成する反応生成物が気化しやす
いＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＳｉＮなどのシリコン化合物を使
用したが、Ｓｉ単結晶またはポリイミド、全芳香族ポリ
エステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテル
サルホンなどの熱可塑性の耐熱樹脂を使用することもで
きる。
はプラズマに曝されて生成する反応生成物が気化しやす
いＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＳｉＮなどのシリコン化合物を使
用したが、Ｓｉ単結晶またはポリイミド、全芳香族ポリ
エステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテル
サルホンなどの熱可塑性の耐熱樹脂を使用することもで
きる。
【００１８】なお、ベースリング７は試料１を固定する
ためのクランプであってもよい。
ためのクランプであってもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明のドライエッチング
方法によれば、電極の上に試料を載置し、前記電極の露
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種
の材料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試
料をエッチングするので、ベースリングがエッチングさ
れて基板上に生成する残滓を抑止して製品の歩留まりを
向上させ、リングのコストを低減することができるなど
の経済的効果が望める。
方法によれば、電極の上に試料を載置し、前記電極の露
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種
の材料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試
料をエッチングするので、ベースリングがエッチングさ
れて基板上に生成する残滓を抑止して製品の歩留まりを
向上させ、リングのコストを低減することができるなど
の経済的効果が望める。
【図１】本発明のドライエッチング方法の実施に使用す
るドライエッチング装置の反応室構造の主要部を示す断
面図
るドライエッチング装置の反応室構造の主要部を示す断
面図
【図２】従来のドライエッチング装置の反応室構造を示
す断面図
す断面図
【図３】従来の問題点を説明する反応室の要部の拡大図
【図４】別の従来例を示す反応室の要部の拡大図
１ 試料 ２ａ，２ｂ 電極 ３ａ，３ｂ 電極とチャンバーを分離するアルミナリ
ング ４ チャンバー ５ 高周波電源 ７ ベースリング ８ カバーリング
ング ４ チャンバー ５ 高周波電源 ７ ベースリング ８ カバーリング
Claims (7)
- 【請求項１】 電極の上に試料を載置し、前記電極の露
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種
の材料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試
料をエッチングするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 電極の上に試料を載置し、前記電極の露
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングの材質よ
りもエッチングレートの高い材料で作られたカバーリン
グで保護した状態で前記試料をエッチングするドライエ
ッチング方法。 - 【請求項３】 試料の単結晶Ｓｉ膜、多結晶Ｓｉ膜、Ｓ
ｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜の何れかをエッチングする請求項
１，請求項２記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 電極の上に試料を載置し、これをドライ
エッチングする装置であって、載置された試料と当接す
る部分を除いて少なくとも一部を被うベースリングと、
ベースリングの少なくとも一部を被うとともに前記ベー
スリングとは異種の材料で作られたカバーリングとを設
けたドライエッチング装置。 - 【請求項５】 電極の上に試料を載置し、これをドライ
エッチングする装置であって、載置された試料と当接す
る部分を除いて少なくとも一部を被うベースリングと、
ベースリングの少なくとも一部を被うとともに前記ベー
スリングの材料よりもエッチングレートの高い材質で作
られたカバーリングとを設けたドライエッチング装置。 - 【請求項６】 カバーリングをＳｉ単結晶、Ｓｉ化合物
または熱可塑性の耐熱樹脂を主成分とする材質で作った
請求項４，請求項５記載のドライエッチング装置。 - 【請求項７】 ベースリングをＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし
て含むセラミックスまたはアルマイト処理を施したＡｌ
を用いた請求項４，請求項５，請求項６記載のドライエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP344396A JPH09191003A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | ドライエッチング方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP344396A JPH09191003A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | ドライエッチング方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191003A true JPH09191003A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11557500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP344396A Pending JPH09191003A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | ドライエッチング方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09191003A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0940844A2 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-08 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| US7837828B2 (en) | 2003-03-12 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device |
| JP2011035241A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2013254902A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Panasonic Corp | トレイ、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、およびカバー部材 |
| JP2017506817A (ja) * | 2014-01-30 | 2017-03-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シャドーフレームを除去するためのガス閉じ込め装置アセンブリ |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP344396A patent/JPH09191003A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0940844A2 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-08 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| EP0940844A3 (en) * | 1998-03-03 | 2003-08-13 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| US7837828B2 (en) | 2003-03-12 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device |
| JP2011035241A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2013254902A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Panasonic Corp | トレイ、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、およびカバー部材 |
| JP2017506817A (ja) * | 2014-01-30 | 2017-03-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シャドーフレームを除去するためのガス閉じ込め装置アセンブリ |
| US11773489B2 (en) | 2014-01-30 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gas confiner assembly for eliminating shadow frame |
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