JPH09186448A - Method and apparatus for reflow soldering - Google Patents
Method and apparatus for reflow solderingInfo
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- JPH09186448A JPH09186448A JP34252695A JP34252695A JPH09186448A JP H09186448 A JPH09186448 A JP H09186448A JP 34252695 A JP34252695 A JP 34252695A JP 34252695 A JP34252695 A JP 34252695A JP H09186448 A JPH09186448 A JP H09186448A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被はんだ付けワーク、
例えば配線基板を加熱して被はんだ付け部に予め供給し
てあるはんだを溶融させてはんだ付けを行うリフローは
んだ付け方法およびリフローはんだ付け装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a work to be soldered,
For example, the present invention relates to a reflow soldering method and a reflow soldering apparatus that heat a wiring board to melt solder that has been supplied in advance to a soldered portion and perform soldering.
【０００２】[0002]
【従来の技術】配線基板の被はんだ付け部に予めはんだ
やクリームはんだを供給しておいて、該被はんだ付け部
に電子部品を搭載した後に加熱し、前記はんだを溶融さ
せてはんだ付けを行うリフローはんだ付け法が用いられ
ている。2. Description of the Related Art Solder or cream solder is supplied in advance to a soldered portion of a wiring board, and electronic parts are mounted on the soldered portion and then heated to melt the solder for soldering. The reflow soldering method is used.
【０００３】配線基板を加熱する技術としては、赤外線
等の熱線を用いて加熱を行う熱線リフロー法や熱風加熱
による熱風リフロー法、またこれらを併用したリフロー
法等が現在の主流である。As a technique for heating a wiring board, a hot wire reflow method of heating by using a hot wire such as infrared rays, a hot air reflow method by hot air heating, and a reflow method using these in combination are currently the mainstream.
【０００４】また、低酸素濃度雰囲気中で配線基板のリ
フローはんだ付けを行うことで、フラックスの使用量を
少なくしてはんだ付け後の配線基板洗浄を不要化できる
とともに、溶融はんだの表面張力低下によって、いわゆ
るマイクロソルダリングが可能となる。Further, by performing reflow soldering of a wiring board in an atmosphere of low oxygen concentration, it is possible to reduce the amount of flux used and eliminate the need for cleaning the wiring board after soldering, and to reduce the surface tension of the molten solder. , So-called micro soldering becomes possible.
【０００５】リフローはんだ付け法で均一なはんだ付け
を行って高品質の製品を製造する上では、配線基板その
ものやそこに搭載された各種の電子部品を均一に加熱・
昇温させる必要がある。そのため、熱線加熱と熱風加熱
とを併用したリフローはんだ付け法が近年好んで使用さ
れるようになった。また、低酸素濃度雰囲気中でリフロ
ーはんだ付けを行う装置にあっては、Ｎ2 ガス等の不活
性ガスを加熱処理領域に供給するが、その場合において
Ｎ2 ガスの消費量が少ないことがランニングコストを低
く抑える上から求められている。In order to manufacture high quality products by performing uniform soldering by the reflow soldering method, the wiring board itself and various electronic parts mounted thereon are uniformly heated and
It is necessary to raise the temperature. For this reason, the reflow soldering method, which uses both hot wire heating and hot air heating in combination, has become popular in recent years. In addition, in an apparatus that performs reflow soldering in a low oxygen concentration atmosphere, an inert gas such as N 2 gas is supplied to the heat treatment area, but in that case, the consumption of N 2 gas is small It is required to keep costs low.
【０００６】図８，図９（ａ），（ｂ）は、従来のリフ
ローはんだ付け用加熱装置の例を示す図で、図８は実開
平７−７１７２号公報から抜粋した斜視図、図９
（ａ），（ｂ）は実開平１−１３２０８５号公報から抜
粋した側断面図である。FIGS. 8, 9A and 9B are views showing an example of a conventional heating apparatus for reflow soldering. FIG. 8 is a perspective view extracted from Japanese Utility Model Laid-Open No. 7-7172.
(A), (b) is a side sectional view extracted from Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-132085.
【０００７】図８の加熱装置は、加熱されると遠赤外線
を放射するセラミックス層２を設けた金属の多孔質板１
の裏側にヒータ３を設け、さらに、多孔質板１に熱風吹
出口４を設けるとともに、多孔質板１にはモータ５で回
転するファン６でガス（エアやＮ2 ガス等）を供給し
て、配線基板（図示せず）を加熱する構成である。な
お、前記のセラミックス層２は気体流出口７を形成した
通気性のあるものである。The heating device shown in FIG. 8 has a metal porous plate 1 provided with a ceramics layer 2 which emits far infrared rays when heated.
A heater 3 is provided on the back side of the substrate, a hot air outlet 4 is provided on the porous plate 1, and gas (air, N 2 gas, etc.) is supplied to the porous plate 1 by a fan 6 rotated by a motor 5. The wiring board (not shown) is heated. The ceramic layer 2 is gas-permeable and has a gas outlet 7.
【０００８】すなわち、多孔質板１のセラミックス質２
からは遠赤外線が放射され、多孔質板１の気体流出口７
からは熱風が吹き出し、さらに熱風吹出口４からは流速
の速い熱風が吹き出し、これらにより配線基板を加熱す
る技術である。That is, the ceramic material 2 of the porous plate 1
Far-infrared rays are emitted from the gas outlet 7 of the porous plate 1.
Is a technique in which hot air is blown from the hot air outlet 4 and hot air having a high flow velocity is blown from the hot air outlet 4 to heat the wiring board.
【０００９】図９（ａ），（ｂ）の加熱装置は、加熱さ
れると遠赤外線を放射するセラミック層１４を設けた多
孔性金属板１３の裏側にヒータ１２を設け、このヒータ
１２側から多孔性金属板１３にガス供給手段１５からガ
ス（エアやＮ2 ガス）を供給するように構成された加熱
装置で、箱状空洞体１１はガス供給チャンバとして作用
する。すなわち、図９（ａ），（ｂ）は図８に示す熱風
吹出口４を備えていないということ以外は図８と同様の
技術である。なお、図９（ａ），（ｂ）に用いられてい
るセラミックス層１４も通気性のあるものである。ま
た、図９（ｂ）の金属板１６には多数の孔１７があけら
れており、ガスを容易に通過させるものである。In the heating device shown in FIGS. 9A and 9B, a heater 12 is provided on the back side of a porous metal plate 13 provided with a ceramic layer 14 which emits far infrared rays when heated, and from this heater 12 side. In the heating device configured to supply gas (air or N 2 gas) from the gas supply means 15 to the porous metal plate 13, the box-shaped hollow body 11 acts as a gas supply chamber. That is, FIGS. 9A and 9B are the same technology as FIG. 8 except that the hot air outlet 4 shown in FIG. 8 is not provided. The ceramic layer 14 used in FIGS. 9A and 9B is also breathable. Further, a large number of holes 17 are formed in the metal plate 16 of FIG. 9 (b) to allow the gas to easily pass therethrough.
【００１０】すなわち、多孔性金属板１３のセラミック
ス層１４からは遠赤外線が放射され、多孔性金属板１３
の各部から熱風が吹き出し、これらにより配線基板（図
示せず）を加熱する技術である。That is, far infrared rays are radiated from the ceramic layer 14 of the porous metal plate 13, and the porous metal plate 13
Hot air is blown from each part of the above, and the wiring board (not shown) is heated by these.
【００１１】図１０は、従来のリフロー装置を示す断面
図で特開平７−２４９８６０号公報からの抜粋である。
すなわち、炉体２２内のヒータホルダ２３内に取り付け
られたヒータ２４によって加熱されたガスを、増速ノズ
ル２５を介して配線基板２１に吹き付けるとともに、増
速ノズル２５に塗布された赤外線放射塗料２６から赤外
線が放射されて配線基板２１に照射され、これらにより
配線基板２１を加熱する技術である。なお、２７は前記
配線基板２１の搬送コンベアである。FIG. 10 is a sectional view showing a conventional reflow apparatus, which is an excerpt from JP-A-7-249860.
That is, the gas heated by the heater 24 installed in the heater holder 23 in the furnace body 22 is blown onto the wiring board 21 through the speed increasing nozzle 25, and the infrared radiation paint 26 applied to the speed increasing nozzle 25 This is a technique in which infrared rays are radiated and applied to the wiring board 21 to heat the wiring board 21. Reference numeral 27 is a conveyer conveyor for the wiring board 21.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】赤外線等の熱線加熱と
熱風加熱とが併用される理由は、配線基板２１の各部
（配線基板２１そのものやそこに搭載されている各種の
電子部品、そして電子部品そのもののパッケージとリー
ド線やリード端子）の赤外線吸収率や熱容量の相違に原
因して該配線基板２１各部の加熱・昇温が不均一になら
ないようにするためである。The reason why heating with infrared rays or the like and heating with hot air are used together is that each part of the wiring board 21 (the wiring board 21 itself, various electronic parts mounted thereon, and electronic parts). This is to prevent uneven heating and temperature rise in each part of the wiring board 21 due to the difference in infrared absorption rate and heat capacity between the package itself and the lead wire or lead terminal).
【００１３】例えば、ＳＯＰ（Small Outline Package
）ＩＣやＱＦＰ（Quad Flat Package ）ＩＣ等におい
ては、そのパッケージにおける赤外線の吸収率が高く、
逆にリード線やリード端子においては赤外線吸収率が極
めて低い。また、前記パッケージでは熱容量が大きくリ
ード線やリード端子では熱容量が小さい。For example, SOP (Small Outline Package)
) In the case of ICs and QFP (Quad Flat Package) ICs, the absorption rate of infrared rays in the package is high,
On the contrary, the infrared absorption rate of lead wires and lead terminals is extremely low. Further, the package has a large heat capacity, and the lead wire and the lead terminal have a small heat capacity.
【００１４】しかし、配線基板２１に搭載される電子部
品のそれぞれについて赤外線吸収率が異なるとともに、
該吸収率にも波長依存性があってそれらは相互に一致し
ていないことが多い。そしてこのことはＶＲ（Variable
Resister ）やＶＣ（Variable Capasiter）、パワーデ
バイス、等の異形部品において顕著である。すなわち材
質や色調、形、大きさ等々がそれぞれ極端に相違するか
らである。However, the electronic components mounted on the wiring board 21 have different infrared absorption rates, and
The absorptance also depends on the wavelength and often does not coincide with each other. And this is VR (Variable
This is remarkable in odd-shaped parts such as Resistors), VCs (Variable Capasiters), and power devices. That is, the material, color tone, shape, size, etc. are extremely different from each other.
【００１５】本発明の目的は、配線基板等の被はんだ付
けワークにおける赤外線吸収率の波長依存性を考慮し、
これに左右されない加熱技術を確立すること、さらに熱
風加熱を併用した加熱技術を確立することで、被はんだ
付けワークの加熱・昇温を極めて均一に行うことができ
るようにして高品質のはんだ付けを行えるようにするこ
とにある。具体的には、配線基板において搭載されてい
る電子部品の種類に依らず均一に加熱・昇温できるよう
にして、高品質の配線基板を製造できるようにすること
にある。An object of the present invention is to consider the wavelength dependence of infrared absorption in a work to be soldered such as a wiring board,
By establishing a heating technology that is not affected by this, and by establishing a heating technology that also uses hot air heating, it is possible to perform heating and temperature rise of the workpiece to be soldered extremely uniformly, and high quality soldering. Is to be able to do. Specifically, it is possible to manufacture a high-quality wiring board by uniformly heating and raising the temperature regardless of the type of electronic components mounted on the wiring board.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明のはんだ付け方法
およびリフローはんだ付け装置は、それぞれ放射中心波
長の異なる赤外線放射体を複数設け、これら赤外線放射
体が放射する赤外線（例えば、近赤外線や遠赤外線）を
併せて被はんだ付けワークに照射して加熱し、また、熱
風を併せて吹き付け、被リフローはんだ付けワークのリ
フローはんだ付けを行うように構成したところに特徴が
ある。A soldering method and a reflow soldering apparatus of the present invention are provided with a plurality of infrared radiators each having a different emission center wavelength, and infrared rays emitted from these infrared radiators (for example, near infrared rays or far infrared rays). It is characterized in that the work to be soldered is also irradiated with (infrared) to be heated, and hot air is also blown to perform reflow soldering of the work to be reflow soldered.
【００１７】[0017]
【作用】各請求項に対応して次のような作用がある。According to each claim, there are the following actions.
【００１８】（１）本発明の請求項１に記載の発明は、
赤外線は波長０．７５μｍ〜１０００μｍの電磁波の一
種であり、通常０．７５μｍ〜３μｍを近赤外線、３μ
ｍ〜１０００μｍを遠赤外線と呼んで分類している。(1) The invention according to claim 1 of the present invention is
Infrared ray is a kind of electromagnetic wave having a wavelength of 0.75 μm to 1000 μm, and usually 0.75 μm to 3 μm is near infrared ray and 3 μm.
m to 1000 μm are called as far infrared rays and classified.
【００１９】他方、赤外線は被はんだ付けワークに照射
されると熱に転換されるが、それぞれの材質や色調等に
よって赤外線を良く吸収する波長が異なることが知られ
ている。On the other hand, infrared rays are converted into heat when they are applied to the workpiece to be soldered, but it is known that the wavelengths at which infrared rays are well absorbed are different depending on the respective materials and color tones.
【００２０】したがって、広い波長帯域に渡って赤外線
エネルギー（エネルギーバンドの広い熱線）を放射する
ことにより、被はんだ付けワーク、特に多種類の電子部
品を搭載した配線基板各部においては、赤外線吸収率の
波長依存性を問題とすることなく、被はんだ付けワーク
を均一に加熱・昇温することができるようになる。Therefore, by radiating infrared energy (a heat ray having a wide energy band) over a wide wavelength band, the infrared absorption rate of the work to be soldered, in particular, each part of the wiring board on which various kinds of electronic parts are mounted, is increased. It becomes possible to uniformly heat and raise the temperature of the workpiece to be soldered without causing a wavelength dependency problem.
【００２１】（２）請求項２に記載の発明は、広い波長
帯域に渡って赤外線エネルギーを放射することにより、
被はんだ付けワーク、特に多種類の電子部品を搭載した
配線基板各部において赤外線吸収率の波長依存性を問題
とすることなく、被はんだ付けワークを加熱・昇温し、
さらに加熱されたガスにより被はんだ付けワークが加熱
される。(2) The invention according to claim 2 radiates infrared energy over a wide wavelength band,
The work to be soldered, in particular, the heating and heating of the work to be soldered, does not pose a problem of the wavelength dependence of the infrared absorption rate in each part of the wiring board on which various types of electronic components are mounted,
Further, the heated gas heats the workpiece to be soldered.
【００２２】したがって、赤外線吸収率の特に低い部分
が存在していても、当該部分が熱風によって加熱され、
被はんだ付けワークを一層均一に加熱することができる
ようになる。Therefore, even if there is a portion having a particularly low infrared absorption rate, the portion is heated by hot air,
The work to be soldered can be heated more uniformly.
【００２３】（３）請求項３に記載の発明は、加熱され
た不活性ガスを被はんだ付けワークに吹き付けることに
より、被はんだ付けワークの周辺領域が低酸素濃度雰囲
気となり、被はんだ付けワークの酸化が抑制され、溶融
はんだの流動性が向上し、さらに良好なはんだ付けを行
うことができるようになる。(3) In the invention described in claim 3, the heated inert gas is blown to the work to be soldered, so that the peripheral region of the work to be soldered becomes a low oxygen concentration atmosphere and the work to be soldered is Oxidation is suppressed, the fluidity of the molten solder is improved, and good soldering can be performed.
【００２４】（４）請求項４に記載の発明は、被はんだ
付けワーク各部の赤外線吸収率の波長依存性に偏りがあ
る場合には、それに合わせて波長による赤外線放射特性
を調節することで、被はんだ付けワークに適した加熱を
行うことができるようになり、加熱温度むらの少ない均
一なリフローはんだ付けを行うことが可能となる。(4) According to the invention described in claim 4, when the wavelength dependency of the infrared absorption rate of each part of the workpiece to be soldered is uneven, the infrared radiation characteristics depending on the wavelength are adjusted accordingly. It becomes possible to perform heating suitable for the work to be soldered, and it becomes possible to perform uniform reflow soldering with less uneven heating temperature.
【００２５】（５）請求項５に記載の発明は、被はんだ
付けワーク各部の赤外線吸収率の波長依存性に偏りがあ
る場合には、それに合わせて波長による赤外線放射特性
を調節することで被はんだ付けワークに適した加熱を行
い、さらに加熱されたガス流量を調節することにより、
加熱されたガスから被はんだ付けワークへの入熱量を調
節することができる。(5) In the invention according to claim 5, when the wavelength dependency of the infrared absorption rate of each part of the workpiece to be soldered is uneven, the infrared radiation characteristics depending on the wavelength are adjusted accordingly. By performing heating suitable for soldering work and adjusting the heated gas flow rate,
The amount of heat input from the heated gas to the workpiece to be soldered can be adjusted.
【００２６】したがって、赤外線吸収率の特に低い部分
が存在してしても、これに近似あるいは合わせた赤外線
放射特性を得て、さらに加熱されたガス流量を調節して
当該部分の加熱・昇温を促進させることができるように
なり、被はんだ付けワークに最も適した加熱形態を創り
出すことができるようになって、加熱温度むらを極めて
小さい値に追い込むことができるようになる。Therefore, even if there is a portion having a particularly low infrared absorption rate, an infrared radiation characteristic close to or matched with this portion is obtained, and the flow rate of the heated gas is adjusted to heat or raise the temperature of the portion. Can be promoted, a heating pattern most suitable for the workpiece to be soldered can be created, and the uneven heating temperature can be reduced to an extremely small value.
【００２７】（６）請求項６に記載の発明は、多数の孔
を設けた板状部材は近赤外線ヒータにより加熱され、そ
の表面すなわち遠赤外線放射セラミックス層からは遠赤
外線が放射される。また、前記板状部材の多数の孔から
は近赤外線が放射される。そして、これら近赤外線と遠
赤外線とは被はんだ付けワークに照射される。(6) In the invention described in claim 6, the plate-shaped member having a large number of holes is heated by the near-infrared heater, and far infrared rays are radiated from the surface thereof, that is, the far infrared radiating ceramics layer. In addition, near infrared rays are radiated from a large number of holes of the plate member. Then, these near infrared rays and far infrared rays are applied to the soldering work.
【００２８】すなわち、放射波長帯域の広い赤外線が被
はんだ付けワークに照射され、この被はんだ付けワーク
の赤外線吸収率の波長依存性に左右されることなく前記
被はんだ付けワークを均一に加熱することができるよう
になり、はんだ付けも均一に行われるようになる。That is, infrared rays having a wide radiation wavelength band are applied to the work piece to be soldered, and the work piece to be soldered is uniformly heated without being affected by the wavelength dependence of the infrared absorption rate of the work piece to be soldered. It becomes possible to perform soldering uniformly.
【００２９】（７）請求項７に記載の発明は、多数の孔
を設けた板状部材は近赤外線ヒータにより加熱され、そ
の表面すなわち遠赤外線放射セラミックス層からは遠赤
外線が放射される。また、前記板状部材の多数の孔から
は近赤外線が放射される。そして、これら近赤外線と遠
赤外線とが被はんだ付けワークに照射する。(7) In the invention described in claim 7, the plate-shaped member having a large number of holes is heated by the near-infrared heater, and far infrared rays are radiated from the surface thereof, that is, the far infrared radiating ceramics layer. In addition, near infrared rays are radiated from a large number of holes of the plate member. Then, the near-infrared rays and far-infrared rays irradiate the work to be soldered.
【００３０】また、多数の孔から加熱されたガスが被は
んだ付けワークへ吹き付けられ、このガスによっても被
はんだ付けワークが加熱される。Further, the heated gas is sprayed from a large number of holes onto the workpiece to be soldered, and the gas also heats the workpiece to be soldered.
【００３１】すなわち、放射波長帯域の広い赤外線が被
はんだ付けワークに照射され、被はんだ付けワークの赤
外線吸収率の波長依存性に左右されることなく、被はん
だ付けワークを均一に加熱することができ、さらに赤外
線吸収率が極端に小さい部分においても加熱されたガス
によって加熱されるので、一層均一に加熱を行うことが
できるようになり、はんだ付けも一層均一に行われるよ
うになる。That is, infrared rays having a wide radiation wavelength band are applied to the work piece to be soldered, and the work piece to be soldered can be heated uniformly without being affected by the wavelength dependence of the infrared absorption rate of the work piece to be soldered. In addition, since the heated gas also heats the portion having an extremely small infrared absorption rate, the heating can be performed more uniformly, and the soldering can be performed more uniformly.
【００３２】（８）請求項８に記載の発明は、加熱され
た不活性ガスを被はんだ付けワークに吹き付けることに
なり、被はんだ付けワークの周辺領域が低酸素濃度雰囲
気となり、被はんだ付けワークの酸化が抑制され、溶融
はんだの流動性が向上し、さらに良好なはんだ付けを行
うことができるようになる。(8) According to the invention described in claim 8, the heated inert gas is blown to the work to be soldered, and the peripheral region of the work to be soldered becomes a low oxygen concentration atmosphere, and the work to be soldered Is suppressed, the fluidity of the molten solder is improved, and good soldering can be performed.
【００３３】（９）請求項９に記載の発明は、板状部材
の開口面積を調節することにより、板状部材に設けた孔
から放射される近赤外線の放射量を調節することができ
るようになる。このため、板状部材から放射される遠赤
外線の放射量との相対量を調節することができるように
なり、被はんだ付けワークの赤外線吸収率の波長依存性
に合わせた加熱を行うことができる。すなわち、均一な
加熱と均一なはんだ付けを行うことができる。(9) According to the ninth aspect of the invention, by adjusting the opening area of the plate-like member, it is possible to adjust the amount of near-infrared radiation emitted from the hole provided in the plate-like member. become. Therefore, it becomes possible to adjust the relative amount of the far infrared radiation emitted from the plate member, and it is possible to perform heating in accordance with the wavelength dependence of the infrared absorption rate of the workpiece to be soldered. . That is, uniform heating and uniform soldering can be performed.
【００３４】（１０）請求項１０に記載の発明は、加熱
されたガスの流量に影響を与えることなく、板状部材に
設けた孔から放射される近赤外線の放射量のみを調節す
ることができるようになる。したがって、遠赤外線放射
量と近赤外線放射量および加熱されたガス流量を相互に
干渉することなく調節することができるようになり、被
はんだ付けワークに最も適した加熱形態を創り出すこと
ができるようになる。(10) According to the tenth aspect of the present invention, only the amount of near-infrared rays emitted from the holes provided in the plate member can be adjusted without affecting the flow rate of the heated gas. become able to. Therefore, it becomes possible to adjust the far-infrared radiation amount, the near-infrared radiation amount, and the heated gas flow rate without interfering with each other, and it is possible to create the most suitable heating pattern for the workpiece to be soldered. Become.
【００３５】[0035]
【実施例】次に、本発明によるリフローはんだ付け方法
を実際上どのように具体化できるかを実施例で説明す
る。EXAMPLES Next, examples will be used to describe how the reflow soldering method according to the present invention can be practically embodied.
【００３６】（１）基本構成 図１，図２は、本発明の基本的構成を示す図で、図１は
本発明の一実施例を示す熱線加熱のみのリフローはんだ
付け装置の側断面図、図２は本発明の他の実施例を示す
熱線加熱と熱風加熱とを併用したリフローはんだ付け装
置の側断面図である。(1) Basic Structure FIG. 1 and FIG. 2 are views showing the basic structure of the present invention. FIG. 1 is a side sectional view of a reflow soldering apparatus only for heating by heating, showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side cross-sectional view of a reflow soldering apparatus that uses both hot wire heating and hot air heating, showing another embodiment of the present invention.
【００３７】すなわち、図１の加熱装置３０は、箱体３
１の１つの面に多数の孔３３を形成した多孔板３２を使
用し、箱体３１の外側となる多孔板３２の表面には、加
熱されると遠赤外線を放射する放射体である遠赤外線放
射セラミックス層（例えば、放射中心波長λ2 ＝５μ
ｍ）３４を設けてある。この遠赤外線放射セラミックス
層３４は、放射中心波長が異なる複数種類のセラミック
ス層を多層あるいは縞状に形成し、遠赤外線放射帯域
（エネルギーバンド）が広くなるようにしてもよい。That is, the heating device 30 of FIG.
A perforated plate 32 having a large number of holes 33 formed on one surface of 1 is used. Radiation ceramic layer (for example, radiation center wavelength λ 2 = 5μ
m) 34 is provided. The far-infrared radiation ceramic layer 34 may be formed by forming a plurality of types of ceramic layers having different emission center wavelengths in a multi-layer or striped pattern so that the far-infrared radiation band (energy band) is widened.
【００３８】そして箱体３１の中には近赤外線を放射す
る放射体である近赤外線放射ヒータ（例えば、ハロゲン
ランプヒータ（放射中心波長λ1 ＝約１μｍ程度））３
５を複数設けてあり、さらに近赤外線放射ヒータ３５か
ら放射される近赤外線を多孔板３２の方へ反射する反射
板３６を備えている。なお、箱体３１の内側面を鏡面と
してこれを反射板とすることもできる。A near-infrared radiation heater (for example, a halogen lamp heater (radiation center wavelength λ 1 = about 1 μm)) 3 which is a radiator for radiating near-infrared rays is provided in the box 31.
A plurality of 5 are provided, and a reflection plate 36 that reflects the near infrared rays emitted from the near infrared radiation heater 35 toward the porous plate 32 is provided. In addition, the inner surface of the box body 31 may be a mirror surface and may be a reflector.
【００３９】さらに、断熱部材３７は、多孔板３２が有
効に加熱されるようにするために、箱体３１と多孔板３
２、遠赤外線放射セラミックス層３４との間の断熱を行
うために設けたものである。Further, the heat insulating member 37 includes the box body 31 and the perforated plate 3 so that the perforated plate 32 can be effectively heated.
2. It is provided to insulate the far infrared radiation ceramic layer 34 from heat.
【００４０】このように構成した加熱装置３０を、搬送
コンベア２７の搬送路に沿って配設する。すなわち、矢
印Ａ方向に搬送される配線基板２１にその多孔板３２を
向けて配設する。The heating device 30 constructed as described above is arranged along the transport path of the transport conveyor 27. That is, the perforated plate 32 is arranged so as to face the wiring board 21 conveyed in the direction of arrow A.
【００４１】図２は、図１のリフローはんだ付け装置の
箱体３１にガス供給口３８を設けたものであり、ガス供
給口３８はファンやブロワー等の送風手段や、Ｎ2 ガス
等の不活性ガスを供給するＮ2 ガスボンベやＮ2 ガス発
生装置等からなるガス供給手段３９を接続する。その
他、図１と同一符号は同一部分を示す。FIG. 2 shows a gas supply port 38 provided in the box 31 of the reflow soldering apparatus shown in FIG. 1. The gas supply port 38 does not have a blowing means such as a fan or a blower, or N 2 gas or the like. connecting the gas supply means 39 composed of the active gas from the N 2 gas cylinder and N 2 gas generator for supplying. In addition, the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts.
【００４２】（２）動作 このように構成すると、近赤外線によって多孔板３２が
加熱され、その加熱によって遠赤外線放射セラミックス
層３４から遠赤外線が放射される。また、多孔板３２の
多数の孔３３から近赤外線が放射される。そしてこれら
遠赤外線と近赤外線が併せて配線基板２１に照射され、
加熱される。(2) Operation With this structure, the near infrared rays heat the perforated plate 32, and the far infrared rays are radiated from the far infrared radiation ceramics layer 34 by the heating. Further, near infrared rays are radiated from the large number of holes 33 of the porous plate 32. Then, the far-infrared rays and the near-infrared rays are irradiated onto the wiring board 21 together,
Heated.
【００４３】この場合、加熱装置３０から放射される近
赤外線は広い波長帯域のエネルギースペクトルを含み、
すなわちエネルギーバンドが広いので、配線基板２１に
搭載された種々の材質・色調・形状・大きさ等々の電子
部品に依らず、それぞれに吸収されやすい波長の赤外線
が吸収され、均一に加熱・昇温される。In this case, the near infrared rays emitted from the heating device 30 include the energy spectrum of a wide wavelength band,
That is, since the energy band is wide, infrared rays of wavelengths that are easily absorbed by each are absorbed regardless of various electronic components mounted on the wiring board 21, such as various materials, color tones, shapes, sizes, etc., to uniformly heat and raise the temperature. To be done.
【００４４】また、図２にようにガスを供給する加熱装
置３０では、前記赤外線の他に孔３３から加熱されたガ
スが噴出して配線基板２１に吹き付けられる。このガ
ス、すなわち熱風は、例えばＳＯＰ ＩＣやＱＦＰ Ｉ
Ｃのようにパッケージ容積が大きいにもかかわらずその
リード端子が小さく、かつ熱線の反射性が強い、すなわ
ち赤外線吸収率が極めて小さい場合に有効であり、この
熱風が該リード端子を速やかに加熱する。Further, in the heating device 30 for supplying gas as shown in FIG. 2, in addition to the infrared rays, heated gas is jetted from the hole 33 and blown onto the wiring board 21. This gas, that is, hot air is, for example, SOP IC or QFP I.
This is effective when the lead terminal is small and the heat ray reflectivity is strong, that is, the infrared absorption rate is extremely small, as in C, even though the package volume is large, and the hot air quickly heats the lead terminal. .
【００４５】そしてその結果、配線基板２１およびそこ
に搭載された各種の電子部品を均一に加熱・昇温させ、
均一にはんだ付けを行うことができるようになる。また
これにより、品質の高い配線基板２１を製造することが
できるようになる。As a result, the wiring board 21 and various electronic components mounted thereon are heated and heated uniformly,
It becomes possible to perform soldering uniformly. Further, this makes it possible to manufacture a high-quality wiring board 21.
【００４６】なお、ガス供給口３８に供給するガス流量
を調節することで熱風の流量を調節することができるの
で、熱風によって配線基板２１およびそこに搭載されて
いる電子部品に供給される熱量すなわち入熱量を調節す
ることができる（一般に熱風流量が大きくなると入熱量
も増大する）。したがって、熱線加熱量と熱風加熱量と
のバランスを調節し、当該配線基板２１を均一に加熱す
る際に必要とされる状態を容易に調節して創り出すこと
ができる。Since the flow rate of hot air can be adjusted by adjusting the flow rate of gas supplied to the gas supply port 38, the amount of heat supplied by the hot air to the wiring board 21 and the electronic components mounted thereon, that is, The amount of heat input can be adjusted (generally, the amount of heat input increases as the flow rate of hot air increases). Therefore, it is possible to adjust the balance between the heating amount of the hot wire and the heating amount of the hot air, and easily adjust and create the state required for uniformly heating the wiring board 21.
【００４７】また、ガスとしてＮ2 ガス等の不活性ガス
を使用すれば、配線基板２１が加熱される領域を低酸素
濃度雰囲気とすることができるので、配線基板２１の被
はんだ付け部の酸化を抑制するとともに溶融はんだの流
動性が高まり、さらに良好なはんだ付け性が得られるよ
うになる。If an inert gas such as N 2 gas is used as the gas, the area where the wiring board 21 is heated can be made to have a low oxygen concentration atmosphere, so that the soldered portion of the wiring board 21 is oxidized. And the fluidity of the molten solder is increased, and more favorable solderability can be obtained.
【００４８】（３）赤外線放射量の調節機構を備えた加
熱装置の例 図３（ａ），（ｂ）はいずれも近赤外線放射量を調節す
ることができる機構を備えた加熱装置を示す図で、図２
の加熱装置３０を例にしてそれを拡大して示した図であ
り、一部を省略して図示しており、図２と同一符号は同
一部分を示す。(3) Example of a heating device having a mechanism for adjusting the infrared radiation amount FIGS. 3A and 3B are views showing a heating device having a mechanism capable of adjusting the near infrared radiation amount. Then, Fig. 2
It is the figure which expanded and showed the heating apparatus 30 of this as an example, and abbreviate | omits a part and is shown, and the same code | symbol as FIG. 2 shows the same part.
【００４９】図３（ａ）において、多孔板３２の孔３３
と同様の孔４２を形成した開口面積調節板４１を多孔板
３２の上（近赤外線放射ヒータ３５側）に載せ、この開
口面積調節板４１を駆動片４３で図上の左右方向（矢印
Ｂ方向）へ移動・調節し、実質的に多孔板３２の孔３３
の開口面積を調節する開口面積調節手段を設けた機構で
ある。そしてこれにより孔３３，４２から放射される近
赤外線（点線で示す）λ1 量が調節され、遠赤外線放射
セラミックス層３４から放射される遠赤外線（破線で示
す）λ2 量との相対的な比を調節することができるよう
になる。In FIG. 3A, the holes 33 of the perforated plate 32 are shown.
An opening area adjusting plate 41 having a hole 42 similar to the above is placed on the perforated plate 32 (near infrared radiation heater 35 side), and the opening area adjusting plate 41 is driven by the driving piece 43 in the left-right direction in the drawing (direction of arrow B). ) And adjusts to substantially the hole 33 of the perforated plate 32.
Is a mechanism provided with an opening area adjusting means for adjusting the opening area. Thus, the amount of near infrared rays (shown by dotted lines) λ 1 radiated from the holes 33 and 42 is adjusted, and relative to the amount of far infrared rays (shown by broken lines) λ 2 emitted from the far infrared radiating ceramic layer 34. You will be able to adjust the ratio.
【００５０】なお、、多数の孔３３，４２の実質的な開
口面積は変化はするものの、ガス供給口３８から供給さ
れるガス流量はそのままの流量で多数の孔３３，４２か
ら高温ガス（実線で示す）４４として噴出し、図２に示
す配線基板２１に吹き付けられる。Although the substantial opening area of the large number of holes 33, 42 changes, the flow rate of the gas supplied from the gas supply port 38 remains unchanged and the high temperature gas (solid line) is discharged from the large number of holes 33, 42. (Shown by), and is sprayed on the wiring board 21 shown in FIG.
【００５１】図３（ｂ）において、図３（ａ）の例と相
違する点は、図３（ａ）の開口面積調節板４１の孔４２
と同様の孔４６を設けることにより近赤外線の放射を調
節する手段としての放射面積調節板４５が、遠赤外線放
射セラミックス層３４を備えた多孔板３２と離隔し、近
赤外線放射ヒータ３５側で駆動片４３により図上の左右
方向（矢印Ｂ方向）へ移動調節可能に構成している点で
ある。3 (b) is different from the example of FIG. 3 (a) in that the hole 42 of the opening area adjusting plate 41 of FIG. 3 (a) is different.
The radiation area adjusting plate 45 as a means for adjusting the radiation of the near-infrared rays by providing the hole 46 similar to that is separated from the porous plate 32 having the far-infrared radiation ceramic layer 34, and is driven by the near-infrared radiation heater 35 side. This is a point that the piece 43 is configured to be movable and adjustable in the left-right direction (arrow B direction) in the drawing.
【００５２】したがって、放射面積調節板４５を設けた
ことにより、近赤外線を放射するヒータ３５から多孔板
３２の孔３３を介して放射される近赤外線の放射量を調
節し、あるいは放射される近赤外線を遮断することがで
きるとともに、多孔板３２の開口面積を変化させること
がないので、ガス供給口３８から供給される高温ガス４
４はその流体抵抗の変化を受けないままに多数の孔３３
から噴出させることができるようになる。Therefore, by providing the radiation area adjusting plate 45, the radiation amount of the near infrared rays emitted from the heater 35 for emitting the near infrared rays via the holes 33 of the perforated plate 32 is adjusted or is emitted. The infrared rays can be blocked and the opening area of the perforated plate 32 is not changed. Therefore, the high temperature gas 4 supplied from the gas supply port 38
4 has a large number of holes 33 without being affected by the change in fluid resistance.
It will be possible to eject from.
【００５３】（４）多孔板の孔形状の例 図４（ａ），（ｂ）は、図３（ａ）の多孔板３２の孔３
３形状の一例を説明する図で、図４（ａ）は丸形状の場
合を示し、図４（ｂ）は長孔の場合を示す。なお、これ
らの図は、図３（ａ）をＩ−Ｉ線方向から見た平面図で
ある。(4) Example of hole shape of perforated plate FIGS. 4 (a) and 4 (b) show holes 3 of the perforated plate 32 of FIG. 3 (a).
3A and 3B are diagrams illustrating an example of three shapes, FIG. 4A illustrates a case of a round shape, and FIG. 4B illustrates a case of a long hole. It should be noted that these figures are plan views of FIG. 3A viewed from the direction of the line I-I.
【００５４】このように、多孔板３２，開口面積調節板
４１または放射面積調節板４５の孔３３，４２の形状は
特定されるものではないが、開口面積の調節が行いやす
く、近赤外線の照射むらを生じないような形状が良い。
一般的には図４（ａ），（ｂ）のように丸孔や長孔、ま
たは四角形等が良い。また、配列の仕方も種々であり、
図４（ａ），（ｂ）のように整列させることなく各孔を
千鳥状に配設してもよい。As described above, the shapes of the holes 33 and 42 of the perforated plate 32, the opening area adjusting plate 41 or the radiation area adjusting plate 45 are not specified, but the opening area can be easily adjusted and the near infrared rays are irradiated. A shape that does not cause unevenness is preferable.
Generally, as shown in FIGS. 4A and 4B, a round hole, a long hole, a square, or the like is preferable. Also, there are various arrangements,
The holes may be arranged in a staggered manner without being aligned as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b).
【００５５】また、図４（ａ），（ｂ）からも判るよう
に、開口面積調節板４１の移動（矢印Ｂ方向の移動）に
より多孔板３２の孔３３面積を変化させることができ
る。As can be seen from FIGS. 4A and 4B, the area of the holes 33 of the porous plate 32 can be changed by moving the opening area adjusting plate 41 (moving in the direction of arrow B).
【００５６】（５）両面加熱リフローはんだ付け装置の
例 図５は、配線基板２１の両面を加熱装置３０により同時
に加熱することができるリフローはんだ付け装置の一例
を示す側断面図である。なお、ガス供給系はシンボル図
で示している。(5) Example of Double-sided Heating Reflow Soldering Device FIG. 5 is a side sectional view showing an example of a reflow soldering device capable of simultaneously heating both surfaces of the wiring board 21 by the heating device 30. The gas supply system is shown in a symbol diagram.
【００５７】すなわち、リフローはんだ付け装置５１は
２つの予備加熱室５２，５３と１つのリフロー室５４と
から炉体５５が構成され、この炉体５５の中央部を貫通
して配線基板２１の搬送コンベア２７を通してある。That is, in the reflow soldering apparatus 51, a furnace body 55 is composed of two preheating chambers 52 and 53 and one reflow chamber 54, and the wiring board 21 is conveyed through the central portion of the furnace body 55. It is through the conveyor 27.
【００５８】各予備加熱室５２，５３とリフロー室５４
には搬送コンベア２７を挟んでその上下に加熱装置３０
を設けてある。この加熱装置３０は例えば図２あるいは
図３（ａ），（ｂ）に示すものである。もちろんガスを
供給しないものであれば図１の加熱装置３０でもよい。Preheating chambers 52 and 53 and reflow chamber 54
A heating device 30 is provided above and below the carrier conveyor 27 with the carrier conveyor 27 interposed therebetween.
Is provided. This heating device 30 is shown in FIG. 2 or FIGS. 3 (a) and 3 (b), for example. Of course, the heating device 30 of FIG. 1 may be used as long as it does not supply gas.
【００５９】また、炉体５５の搬入口５６および搬出口
５７にはラビリンス部５８を設けてあり、炉体５５内の
雰囲気が炉体５５外へ、あるいは炉体５５外の空気が炉
体５５内へ流通することが抑制されるように構成してあ
る。A labyrinth portion 58 is provided at the inlet 56 and the outlet 57 of the furnace body 55 so that the atmosphere inside the furnace body 55 is outside the furnace body 55 or the air outside the furnace body 55 is outside the furnace body 55. It is configured so as to be restricted from being distributed inside.
【００６０】各加熱装置３０にはＮ2 ガス等の不活性ガ
スを供給するが、これはＮ2 ガスボンベやＰＳＡ（Pres
sure Swing Adsorption ）方式によるＮ2 ガス発生装置
（図示せず）から供給する。なお、低酸素濃度の雰囲気
を必要としないのであれば、これらに代わって送風ファ
ンやブロワー等に置き換えることもできる。その場合は
炉体５５内の雰囲気を循環させるようにすると熱効率を
良くすることができる。An inert gas such as N 2 gas is supplied to each heating device 30, which is an N 2 gas cylinder or PSA (Pres
It is supplied from an N 2 gas generator (not shown) of the sure swing adsorption method. If a low oxygen concentration atmosphere is not required, a blower fan, a blower or the like can be used instead of these. In that case, the thermal efficiency can be improved by circulating the atmosphere in the furnace body 55.
【００６１】Ｎ2 ガス供給装置６１から供給されるＮ2
ガスは、開閉弁６２→フィルタ６３→圧力調節弁６４→
圧力計６５→（主）流量調節弁６６→（主）流量計６７
の順に通ってその供給の開閉、不要物の除去、供給圧力
の調節、全流量の調節、全流量の測定が行われ、その後
各加熱装置３０に分岐して供給する。そして、各加熱装
置３０毎に流量調節弁６８と流量計６９とを設け、それ
ぞれ個別に供給流量を調節できるように構成している。[0061] N 2 supplied from the N 2 gas supply unit 61
The gas is an on-off valve 62 → a filter 63 → a pressure control valve 64 →
Pressure gauge 65 → (main) flow rate control valve 66 → (main) flow meter 67
Opening and closing of the supply, removal of unnecessary substances, adjustment of the supply pressure, adjustment of the total flow rate, and measurement of the total flow rate are performed in this order, and then the supply is branched to each heating device 30. A flow rate adjusting valve 68 and a flow meter 69 are provided for each heating device 30, and the supply flow rate can be adjusted individually.
【００６２】図６は、加熱装置３０の加熱特性を調節す
る機構を示すブロック図を示しており、図３と同一符号
は同一部分を示す。FIG. 6 is a block diagram showing a mechanism for adjusting the heating characteristic of the heating device 30, and the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same parts.
【００６３】すなわち、近赤外線を放射するヒータ３５
の表面温度を温度調節装置７１で調節するように構成し
たもので、近赤外線を放射するヒータ３５の表面に熱電
対等の温度センサ７２を設け、この温度検出信号ＳT と
温度調節装置７１の指示操作部７３が指示する温度とが
一致するように商用電源７４によるヒータ印加電力ＰH
を制御する。これにより、近赤外線を放射するヒータ３
５が放射する近赤外線放射量を調節することができるよ
うになる。なお、図６では図面を判りやすくするため放
射面積調節板４５を例にして図示してある。That is, the heater 35 for radiating near infrared rays
A temperature sensor 72 such as a thermocouple is provided on the surface of the heater 35 that radiates near infrared rays, and the temperature detection signal S T and the instruction of the temperature adjustment device 71 are provided. The heater applied power P H from the commercial power supply 74 is adjusted so that the temperature instructed by the operation unit 73 matches.
Control. As a result, the heater 3 that emits near infrared rays
It becomes possible to adjust the amount of near-infrared radiation emitted by 5. In FIG. 6, the radiation area adjusting plate 45 is shown as an example for easy understanding of the drawing.
【００６４】また、開口面積調節板４１あるいは放射面
積調節板４５はアクチュエータ７５により移動・駆動し
て多孔板３２の開口面積（近赤外線放射面積）あるいは
近赤外線の放射量を調節する仕組みである。すなわち、
（リニア）モータや空気圧シリンダ、油圧シリンダ、等
のアクチュエータ７５で前記調節板を駆動するもので、
それぞれに対応して電力駆動回路や空気圧切り換え電磁
弁、油圧切り換え電磁弁、等の駆動部を介してアクチュ
エータ７５を駆動する。また、アクチュエータ７５の駆
動位置はアブソリュート（絶対値）タイプのリニアエン
コーダ７７によって検出する。The opening area adjusting plate 41 or the radiation area adjusting plate 45 is a mechanism for moving and driving by the actuator 75 to adjust the opening area (near infrared radiation area) of the porous plate 32 or the near infrared radiation amount. That is,
The linear actuator is driven by an actuator 75 such as a (linear) motor, a pneumatic cylinder, or a hydraulic cylinder.
The actuator 75 is driven via a driving unit such as an electric power drive circuit, an air pressure switching electromagnetic valve, a hydraulic pressure switching electromagnetic valve, etc. corresponding to each. The drive position of the actuator 75 is detected by an absolute type absolute linear encoder 77.
【００６５】なお、断熱カプラ７８は、各調節板４１，
４５からの断熱を目的とした接続部材である。The heat insulating coupler 78 includes the adjusting plates 41,
It is a connecting member for the purpose of heat insulation from 45.
【００６６】そして、アクチュエータ７５の駆動量は制
御装置７９で制御し、制御装置７９の指示操作部８０が
指示する位置と前記エンコーダ７７の検出した位置信号
ＳEとが一致するように駆動信号ＳD を出力する仕組み
である。Then, the drive amount of the actuator 75 is controlled by the control device 79, and the drive signal S is adjusted so that the position indicated by the instruction operating portion 80 of the control device 79 and the position signal S E detected by the encoder 77 coincide with each other. It is a mechanism to output D.
【００６７】（６）動作 このリフローはんだ付け装置の動作は、図１あるいは図
２，図３，図４に例示した基本的なリフローはんだ付け
装置と同様である。(6) Operation The operation of this reflow soldering apparatus is the same as that of the basic reflow soldering apparatus illustrated in FIG. 1 or FIGS. 2, 3, and 4.
【００６８】遠赤外線と近赤外線とによる広い波長帯域
に渡る広いエネルギーバンドの赤外線が配線基板２１に
照射される。また、エアやＮ2 ガスによる熱風加熱を併
せて行うことができる。The wiring board 21 is irradiated with infrared rays having a wide energy band covering a wide wavelength band of far infrared rays and near infrared rays. Further, hot air heating with air or N 2 gas can be performed together.
【００６９】さらに、赤外線の放射特性を配線基板２１
の種類に応じて変化させ、また、熱風供給流量も調節す
ることができる。したがって、これらを調節することに
より、配線基板２１やそこに搭載されている電子部品に
合わせてそれを均一に加熱・昇温させることができるよ
うになる。Furthermore, the radiation characteristics of infrared rays are measured by the wiring board 21.
It is also possible to change the hot air supply flow rate according to the type. Therefore, by adjusting these, it becomes possible to uniformly heat and raise the temperature of the wiring board 21 according to the wiring board 21 and the electronic components mounted thereon.
【００７０】もちろん、下側あるいは上側の加熱装置３
０の動作を停止させれば、片面のみをリフローはんだ付
けする装置となる。Of course, the lower or upper heating device 3
If the operation of 0 is stopped, it becomes a device for reflow soldering only one side.
【００７１】図７は、赤外線放射量の調節例を示す図
で、横軸は赤外線の波長λを示し縦軸は赤外線の相対放
射量を示している。FIG. 7 is a diagram showing an example of adjusting the infrared radiation amount, in which the horizontal axis represents the infrared wavelength λ and the vertical axis represents the relative infrared radiation amount.
【００７２】すなわち、λ1 は図３（ａ），（ｂ）に示
す近赤外線放射のヒータ３５が放射する近赤外線の中心
波長であり、λ2 ，λ3 は遠赤外線放射のセラミックス
層３４が放射する遠赤外線の中心波長である。そして、
開口面積調節板４１あるいは放射面積調節板４５を調節
し、中心波長λ1 を有する近赤外線放射量の相対値を図
中の実線に示すように調節すると、総合放射特性
を破線で示した（１）（２）（３）のように変化させる
ことができる。That is, λ 1 is the center wavelength of the near infrared rays emitted by the heater 35 for emitting the near infrared rays shown in FIGS. 3A and 3B, and λ 2 and λ 3 are the ceramic layers 34 for emitting the far infrared rays. It is the central wavelength of the far infrared rays emitted. And
When the aperture area adjusting plate 41 or the radiation area adjusting plate 45 is adjusted and the relative value of the near infrared radiation amount having the central wavelength λ 1 is adjusted as shown by the solid line in the figure, the total radiation characteristic is shown by the broken line (1 ) (2) and (3).
【００７３】つまり、広い帯域に渡って近赤外線および
遠赤外線を放射することができるとともにその放射特性
を可変・調節することができるようになり、配線基板２
１の種類に応じて最適な加熱特性を選択することができ
るようになる。That is, near-infrared rays and far-infrared rays can be radiated over a wide band, and the radiation characteristics thereof can be varied / adjusted.
It becomes possible to select the optimum heating characteristics according to the type of the item 1.
【００７４】[0074]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば各請求項
に対応して次のような効果がある。As described above, according to the present invention, there are the following effects corresponding to each claim.
【００７５】本発明にかかる請求項１記載の発明は、広
い波長帯域に渡って赤外線エネルギーを放射して配線基
板等の被はんだ付けワークを加熱することができるの
で、赤外線吸収率の波長依存性を問題とすることなく被
はんだ付けワークを加熱・昇温することができるように
なり、したがって、各部を均一に加熱・昇温して均一な
リフローはんだ付けを行うことができるようになる。そ
の結果、高品質の配線基板を製造することができるよう
になる。According to the first aspect of the present invention, since infrared energy is radiated over a wide wavelength band to heat a work piece to be soldered such as a wiring board, the infrared absorption coefficient depends on the wavelength. It becomes possible to heat and raise the temperature of the workpiece to be soldered without causing a problem, and therefore it becomes possible to uniformly heat and raise the temperature of each part to perform uniform reflow soldering. As a result, a high quality wiring board can be manufactured.
【００７６】また、請求項２記載の発明は、請求項１の
効果に加えて、赤外線吸収率の特に低い部分が存在して
いても当該部分を熱風で加熱して配線基板を一層均一に
加熱することができるようになる。その結果、さらに高
品質の配線基板を製造することができるようになる。Further, in addition to the effect of claim 1, the invention according to claim 2 heats the wiring board more evenly by heating the portion having a particularly low infrared absorption coefficient even if there is such a portion. You will be able to. As a result, a higher quality wiring board can be manufactured.
【００７７】また、請求項３記載の発明は、低酸素濃度
雰囲気中でリフローはんだ付けを行うことができるよう
になり、請求項２の効果に加えて被はんだ付けワークの
酸化を抑制しつつ溶融はんだの流動性を向上させ、さら
に高品質のはんだ付けを行って高品質の配線基板を製造
することができるようになる。Further, according to the invention of claim 3, reflow soldering can be performed in an atmosphere of low oxygen concentration, and in addition to the effect of claim 2, the work to be soldered is melted while suppressing oxidation. It becomes possible to improve the fluidity of the solder and perform high-quality soldering to manufacture a high-quality wiring board.
【００７８】また、請求項４記載の発明は、請求項１の
効果に加えて、被はんだ付けワーク各部の赤外線吸収率
の波長依存性の偏りに合わせて赤外線放射特性を調節す
ることで、加熱温度むらの少ない均一なリフローはんだ
付けを行うことが可能となり、一層高品質の配線基板を
製造することができるようになる。In addition to the effect of claim 1, the invention according to claim 4 adjusts the infrared radiation characteristics in accordance with the deviation of the wavelength dependence of the infrared absorption rate of each part of the workpiece to be soldered, thereby heating the workpiece. It is possible to perform uniform reflow soldering with little temperature unevenness, and it is possible to manufacture a higher quality wiring board.
【００７９】また、請求項５記載の発明は、それぞれの
赤外線放射体から放射する赤外線放射特性を調節するこ
とと加熱されたガス流量を調節することにより、被はん
だ付けワークに最も適した加熱形態を創り出すことがで
きるようになり、請求項２および請求項３記載の効果に
加えて、一層の均一な加熱と均一なはんだ付けが可能と
なり、高品質の配線基板を製造することができるように
なる。According to the fifth aspect of the present invention, by adjusting the infrared radiation characteristics radiated from each infrared radiator and the heated gas flow rate, the heating pattern most suitable for the soldered work can be obtained. In addition to the effects of claim 2 and claim 3, further uniform heating and uniform soldering are possible, and a high quality wiring board can be manufactured. Become.
【００８０】また、請求項６記載の発明は、請求項１の
効果と同様に、広い波長帯域に渡って赤外線エネルギー
を放射して配線基板等の被はんだ付けワークを加熱する
ことができるので、赤外線吸収率の波長依存性を問題と
することなく被はんだ付けワークを加熱・昇温すること
ができるようになり、したがって、各部を均一に加熱・
昇温して均一なリフローはんだ付けを行うことができる
ようになる。その結果、高品質の配線基板を製造するこ
とができるようになる。Further, according to the invention of claim 6, like the effect of claim 1, since infrared energy can be radiated over a wide wavelength band to heat a soldered work such as a wiring board, The work to be soldered can be heated and heated without causing the wavelength dependence of the infrared absorption rate to be a problem.
It becomes possible to raise the temperature and perform uniform reflow soldering. As a result, a high quality wiring board can be manufactured.
【００８１】また、請求項７記載の発明は、多数の孔を
設けた板状部材の各孔から加熱されたガス、すなわち熱
風が噴出し、赤外線と併せて被はんだ付けワークを加熱
するので、請求項６の効果に加えて、赤外線吸収率の特
に低い部分が存在していても当該部分を熱風で加熱して
配線基板を一層均一に加熱することができるようにな
る。その結果、一層高品質の配線基板を製造することが
できるようになる。In the invention according to claim 7, heated gas, that is, hot air is blown from each hole of the plate-shaped member having a large number of holes, and the work to be soldered is heated together with the infrared rays. In addition to the effect of the sixth aspect, even if there is a portion having a particularly low infrared absorption rate, the portion can be heated by hot air to heat the wiring board more uniformly. As a result, a higher quality wiring board can be manufactured.
【００８２】また、請求項８記載の発明は、低酸素濃度
雰囲気中でリフローはんだ付けを行うことができるよう
になり、請求項７の効果に加えて被はんだ付けワークの
酸化を抑制しつつ溶融はんだの流動性を向上させ、さら
に高品質のはんだ付けを行って高品質の配線基板を製造
することができるようになる。Further, according to the invention described in claim 8, reflow soldering can be performed in an atmosphere of low oxygen concentration, and in addition to the effect of claim 7, the work to be soldered is melted while suppressing oxidation. It becomes possible to improve the fluidity of the solder and perform high-quality soldering to manufacture a high-quality wiring board.
【００８３】また、請求項９の発明は、板状部材の開口
面積を調節することにより、波長による赤外線放射特性
を調節することができるようになり、請求項６ないし請
求項８のいずれかに記載の効果に加えて、被はんだ付け
ワーク各部の赤外線吸収率の波長依存性に合わせて赤外
線放射特性を調節することで、加熱温度むらの少ない均
一なリフローはんだ付けを行うことが可能となり、一層
高品質の配線基板を製造することができるようになる。Further, according to the invention of claim 9, the infrared radiation characteristic according to the wavelength can be adjusted by adjusting the opening area of the plate-like member. In addition to the effects described, by adjusting the infrared radiation characteristics in accordance with the wavelength dependence of the infrared absorption rate of each part of the work to be soldered, it is possible to perform uniform reflow soldering with less heating temperature unevenness, It becomes possible to manufacture a high-quality wiring board.
【００８４】また、請求項１０記載の発明は、波長によ
る赤外線放射特性の調節を遮光手段によって行うので、
遠赤外線放射量と近赤外線放射量および加熱されたガス
流量を相互に干渉することなく調節することができるよ
うになるので、請求項７または請求項８の効果に加えて
はんだ付けワークに最も適した加熱形態を容易に創り出
して、均一なはんだ付けと品質の高い配線基板の製造が
可能となる。According to the tenth aspect of the invention, since the infrared radiation characteristic is adjusted by the wavelength by the light shielding means,
The far-infrared radiation amount and the near-infrared radiation amount and the heated gas flow rate can be adjusted without interfering with each other. Therefore, in addition to the effect of claim 7 or claim 8, it is most suitable for soldering work. It is possible to easily create a heating pattern that enables uniform soldering and manufacture of high-quality wiring boards.
【図１】本発明の一実施例を示す熱線加熱のみのリフロ
ーはんだ付け装置の側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of a reflow soldering device that only heats a wire according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例を示す熱線加熱と熱風加熱
とを併用したリフローはんだ付け装置の側断面図であ
る。FIG. 2 is a side sectional view of a reflow soldering apparatus that uses hot wire heating and hot air heating in combination, showing another embodiment of the present invention.
【図３】近赤外線放射量を調節できる機構を備えた加熱
装置の側断面図である。FIG. 3 is a side sectional view of a heating device provided with a mechanism capable of adjusting a near infrared radiation amount.
【図４】図１，図２の多孔板の形状を示す平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view showing the shape of the perforated plate shown in FIGS. 1 and 2.
【図５】本発明の加熱装置を備えたリフローはんだ付け
装置の一例を示す側断面図である。FIG. 5 is a side sectional view showing an example of a reflow soldering device equipped with the heating device of the present invention.
【図６】加熱装置の加熱特性を調節する機構を示すブロ
ック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a mechanism for adjusting heating characteristics of a heating device.
【図７】赤外線放射量の調節例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of adjusting the amount of infrared radiation.
【図８】従来のリフローはんだ付け用加熱装置の一例を
示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing an example of a conventional heating device for reflow soldering.
【図９】従来のリフローはんだ付け用加熱装置の他の例
を示す側断面図である。FIG. 9 is a side sectional view showing another example of a conventional heating device for reflow soldering.
【図１０】従来のリフロー装置を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a conventional reflow apparatus.
２１ 配線基板 ２７ 搬送コンベア ３０ 加熱装置 ３１ 箱体 ３２ 多孔板 ３３ 孔 ３４ 遠赤外線放射セラミックス層 ３５ 近赤外線放射ヒータ ３６ 反射板 ３８ ガス供給口 ３９ ガス供給手段 ４１ 開口面積調節板 ４２ 孔 ４４ 高温ガス ４５ 放射面積調節板 ４６ 孔 21 wiring board 27 conveyer 30 heating device 31 box 32 porous plate 33 hole 34 far infrared radiation ceramic layer 35 near infrared radiation heater 36 reflector plate 38 gas supply port 39 gas supply means 41 opening area control plate 42 hole 44 high temperature gas 45 Radiation area control plate 46 holes
Claims (10)
射体を複数設け、これらの赤外線放射体が放射する赤外
線を併せて被リフローはんだ付けワークに照射して加熱
し、前記被リフローはんだ付けワークのリフローはんだ
付けを行う、 ことを特徴とするリフローはんだ付け方法。1. A plurality of infrared radiators each having a different emission center wavelength are provided, and infrared rays radiated by these infrared radiators are also applied to a reflow soldering work to irradiate and heat the reflow soldering work to be reflowed. Reflow soldering method characterized by performing soldering.
射体を複数設け、これら赤外線放射体が放射する赤外線
を併せて被リフローはんだ付けワークに照射するととも
に、これらの赤外線放射体によって加熱されたガスを前
記被リフローはんだ付けワークに吹き付けることによ
り、前記被リフローはんだ付けワークのリフローはんだ
付けを行う、 ことを特徴とするリフローはんだ付け方法。2. A plurality of infrared radiators each having a different emission center wavelength are provided, and the infrared rays emitted by these infrared radiators are also applied to the reflow soldering work, and the gas heated by these infrared radiators is emitted. A reflow soldering method, wherein the reflow soldering work is reflow-soldered by spraying the reflow soldering work.
法。3. The reflow soldering method according to claim 2, wherein the gas is an inert gas.
線の放射量を調節することにより前記赤外線の放射量の
相対値を調節し、被リフローはんだ付けワークの加熱温
度むらが少なくなるように加熱して前記被リフローはん
だ付けワークのリフローはんだ付けを行う、 ことを特徴とする請求項１記載のリフローはんだ付け方
法。4. The infrared radiation emitted by each infrared radiator is adjusted to adjust the relative value of the infrared radiation, and the reflow soldering work is heated so that the heating temperature unevenness is reduced. The reflow soldering method according to claim 1, wherein the reflow soldering work is performed by reflow soldering.
線の放射量を調節することにより前記赤外線の放射量の
相対値を調節し、さらに被リフローはんだ付けワークに
吹き付けられる前記赤外線放射体によって加熱されたガ
スの流量を調節し、前記被リフローはんだ付けワークの
加熱温度むらが少なくなるように加熱して前記被リフロ
ーはんだ付けワークのリフローはんだ付けを行う、 ことを特徴とする請求項２または請求項３記載のリフロ
ーはんだ付け方法。5. The relative value of the infrared radiation amount is adjusted by adjusting the infrared radiation amount emitted by each infrared radiation body, and the infrared radiation body is heated by the infrared radiation body sprayed on the reflow soldering work. The reflow soldering of the reflow soldering work is performed by adjusting the flow rate of the gas, and heating so that the heating temperature unevenness of the reflow soldering work is reduced. 3. The reflow soldering method described in 3.
この板状部材の表面に遠赤外線放射セラミックス層を形
成し、他方、前記板状部材と離隔した位置に前記板状部
材を加熱しつつ前記多数の孔から近赤外線を放射する近
赤外線放射ヒータを設けて加熱装置を構成し、 前記加熱装置を被リフローはんだ付けワークの搬送手段
に沿って設けた、 ことを特徴とするリフローはんだ付け装置。6. The plate member is provided with a large number of holes,
A far-infrared radiation ceramics layer is formed on the surface of the plate-shaped member, and on the other hand, a near-infrared radiation heater that radiates near-infrared rays from the plurality of holes while heating the plate-shaped member at a position separated from the plate-shaped member is provided. A reflow soldering device, wherein the reflow soldering device is provided to constitute a heating device, and the heating device is provided along a conveying means for a reflow soldering work.
その表面に遠赤外線放射セラミック層を形成し、他方、
前記板状部材と離隔した位置に前記板状部材を加熱しつ
つ前記多数の孔から近赤外線を放射する近赤外線放射ヒ
ータを設け、また、前記板状部材を一面として箱体で覆
うとともにこの箱体にガスを供給するガス供給口を設け
て加熱装置を構成し、 前記加熱装置を被リフローはんだ付けワークの搬送手段
に沿って設けるとともに前記加熱装置のガス供給口にガ
スを供給する手段を備えた、 ことを特徴とするリフローはんだ付け装置。7. The plate member is provided with a large number of holes,
Form a far infrared emitting ceramic layer on its surface, while
A near-infrared radiation heater that radiates near-infrared rays from the plurality of holes while heating the plate-shaped member at a position separated from the plate-shaped member is provided, and the plate-shaped member is covered with a box body as one surface and this box A heating device is configured by providing a gas supply port for supplying gas to the body, and the heating device is provided along the conveying means of the reflow soldering work and a means for supplying gas to the gas supply port of the heating device is provided. A reflow soldering device characterized by the following.
る、 ことを特徴とする請求項７記載のリフローはんだ付け装
置。8. The reflow soldering device according to claim 7, wherein the gas supply means is an inert gas supply means.
る開口面積調節手段を設けた、 ことを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれかに
記載のリフローはんだ付け装置。9. The reflow soldering device according to claim 6, further comprising an opening area adjusting means for adjusting an opening area of the hole formed in the plate member.
ータとの間に、前記孔を介して前記赤外線ヒータから放
射される近赤外線の放射量を調節し、あるいは放射され
る近赤外線を遮断することができる放射面積調節手段を
設けた、 ことを特徴とする請求項７または請求項８記載のリフロ
ーはんだ付け装置。10. A radiation amount of near-infrared radiation emitted from the infrared heater through the hole is adjusted between a hole provided in the plate member and the near-infrared radiation heater, or the near-infrared radiation emitted is adjusted. 9. The reflow soldering device according to claim 7 or 8, further comprising a radiation area adjusting means capable of cutting off.
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001501008A (en) * | 1996-12-20 | 2001-01-23 | レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Process for supplying gas to a chamber and method for adjusting the content of certain components of the atmosphere in such a chamber |
| US6345757B1 (en) | 1997-07-31 | 2002-02-12 | Fujitsu Limited | Reflow soldering method |
| US6412681B2 (en) | 1999-12-10 | 2002-07-02 | Hitachi, Ltd. | Soldering machine |
| KR100501678B1 (en) * | 2002-05-24 | 2005-07-18 | 현대자동차주식회사 | Multi-temperature control heat treatment device using near infrared ray |
| WO2008146815A1 (en) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Heating furnace |
| JP2010135839A (en) * | 2010-02-23 | 2010-06-17 | Hitachi Automotive Systems Ltd | Soldering equipment |
| JP2014214999A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | パナソニック株式会社 | Heat treatment apparatus |
| KR20160079202A (en) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 주식회사 비아트론 | Substrate thermal processing system having oxidation prevention section |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001501008A (en) * | 1996-12-20 | 2001-01-23 | レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Process for supplying gas to a chamber and method for adjusting the content of certain components of the atmosphere in such a chamber |
| US6345757B1 (en) | 1997-07-31 | 2002-02-12 | Fujitsu Limited | Reflow soldering method |
| US6412681B2 (en) | 1999-12-10 | 2002-07-02 | Hitachi, Ltd. | Soldering machine |
| US6761301B2 (en) | 1999-12-10 | 2004-07-13 | Hitachi, Ltd. | Soldering machine |
| KR100501678B1 (en) * | 2002-05-24 | 2005-07-18 | 현대자동차주식회사 | Multi-temperature control heat treatment device using near infrared ray |
| WO2008146815A1 (en) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Heating furnace |
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| JP2014214999A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | パナソニック株式会社 | Heat treatment apparatus |
| KR20160079202A (en) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 주식회사 비아트론 | Substrate thermal processing system having oxidation prevention section |
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