JPH0918267A - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0918267A JPH0918267A JP16329595A JP16329595A JPH0918267A JP H0918267 A JPH0918267 A JP H0918267A JP 16329595 A JP16329595 A JP 16329595A JP 16329595 A JP16329595 A JP 16329595A JP H0918267 A JPH0918267 A JP H0918267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- adhesive
- wave device
- saw device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】パッケージに接着剤を介し載置したＳＡＷデバ
イスを熱硬化するダイボンド工程で、熱硬化前にイオン
化エアブローを曝露する工程１０９を追加し、接着剤の
熱硬化中にも、イオン化エアブローを曝露し、加熱槽内
温度を常温（室温）状態でパッケージに接着剤を介し載
置した（１１０）ＳＡＷデバイスを設置し、その後、所
定の熱硬化温度に上昇させる。更に、熱硬化後、直ちに
ＳＡＷデバイスにイオン化エアブローを曝露する。 【効果】ＳＡＷデバイス製造プロセスの一連の昇、降温
工程で発生する電荷量が低減され、熱硬化後に発生する
ＩＤＴ破壊が低減される。
イスを熱硬化するダイボンド工程で、熱硬化前にイオン
化エアブローを曝露する工程１０９を追加し、接着剤の
熱硬化中にも、イオン化エアブローを曝露し、加熱槽内
温度を常温（室温）状態でパッケージに接着剤を介し載
置した（１１０）ＳＡＷデバイスを設置し、その後、所
定の熱硬化温度に上昇させる。更に、熱硬化後、直ちに
ＳＡＷデバイスにイオン化エアブローを曝露する。 【効果】ＳＡＷデバイス製造プロセスの一連の昇、降温
工程で発生する電荷量が低減され、熱硬化後に発生する
ＩＤＴ破壊が低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は接着剤を熱硬化するダイ
ボンド工程を必要とする弾性表面波装置およびその製造
方法に関する。
ボンド工程を必要とする弾性表面波装置およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置（以下ＳＡＷデバイスと
略称）には通常、圧電性基板が用いられる。特に、広帯
域、低損失のフィルタの用途には、電気機械変換係数の
高いＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3等の強誘電体基板が用い
られる。ＳＡＷデバイスの製造プロセスを図２により簡
単に説明する。まず、強誘電体基板のウエハに、Ａｌ等
を蒸着、又はスパッタで成膜する。この上に感光性のフ
ォトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングの各種
工程により、弾性表面波を励起、もしくは送受するため
の入力、および出力すだれ状電極（インターディジタル
電極：以下ＩＤＴと略称）をウエハ上に形成する。更
に、このウエハ上に形成された複数のＳＡＷデバイスの
チップを、ダイサで切断し、各チップ毎に分離するダイ
シング工程後、表面がＮｉ等からなるパッケージに絶縁
性又は、導電性の接着剤を塗布し、その上にＳＡＷチッ
プを載せ、該接着剤を熱硬化するダイボンド工程を経
て、Ａｌ、Ａｕワイヤ等で配線（ワイヤーボンディング
工程）し、更に気密封止を行い、ＳＡＷデバイスが完成
する。
略称）には通常、圧電性基板が用いられる。特に、広帯
域、低損失のフィルタの用途には、電気機械変換係数の
高いＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3等の強誘電体基板が用い
られる。ＳＡＷデバイスの製造プロセスを図２により簡
単に説明する。まず、強誘電体基板のウエハに、Ａｌ等
を蒸着、又はスパッタで成膜する。この上に感光性のフ
ォトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングの各種
工程により、弾性表面波を励起、もしくは送受するため
の入力、および出力すだれ状電極（インターディジタル
電極：以下ＩＤＴと略称）をウエハ上に形成する。更
に、このウエハ上に形成された複数のＳＡＷデバイスの
チップを、ダイサで切断し、各チップ毎に分離するダイ
シング工程後、表面がＮｉ等からなるパッケージに絶縁
性又は、導電性の接着剤を塗布し、その上にＳＡＷチッ
プを載せ、該接着剤を熱硬化するダイボンド工程を経
て、Ａｌ、Ａｕワイヤ等で配線（ワイヤーボンディング
工程）し、更に気密封止を行い、ＳＡＷデバイスが完成
する。
【０００３】ＳＡＷデバイスの製造プロセスにおいて、
現像、エッチング、レジスト剥離、ダイシング工程後に
は、洗浄、乾燥工程が必要となる。更に、ダイボンド工
程では、接着剤硬化のため、加熱槽での熱硬化が必要と
なり、従来は、パッケージに接着剤を塗布し、その上に
ＳＡＷチップを載せた後、直ちに接着剤の熱硬化温度
（１００℃〜１５０℃）に設定された加熱槽内に設置さ
れ、熱硬化される。
現像、エッチング、レジスト剥離、ダイシング工程後に
は、洗浄、乾燥工程が必要となる。更に、ダイボンド工
程では、接着剤硬化のため、加熱槽での熱硬化が必要と
なり、従来は、パッケージに接着剤を塗布し、その上に
ＳＡＷチップを載せた後、直ちに接着剤の熱硬化温度
（１００℃〜１５０℃）に設定された加熱槽内に設置さ
れ、熱硬化される。
【０００４】一連の製造プロセスにおいて、強誘電体の
ウエハ、しかも、相当な割合で、その分極がウエハ表面
に対し法線成分を持つものを使うため、その焦電的性
質、すなわち、温度変化によりウエハの表裏に互いに逆
極性の電荷が発生する性質がある。この電荷の一瞬の急
激な放電により、ＩＤＴが破壊し、所望の周波数特性を
得られないという問題がある。
ウエハ、しかも、相当な割合で、その分極がウエハ表面
に対し法線成分を持つものを使うため、その焦電的性
質、すなわち、温度変化によりウエハの表裏に互いに逆
極性の電荷が発生する性質がある。この電荷の一瞬の急
激な放電により、ＩＤＴが破壊し、所望の周波数特性を
得られないという問題がある。
【０００５】特開昭５４−３２２６８号公報では、Ｌｉ
ＮｂＯ3、ＰＺＴ等の強誘電性単結晶基板に微細パター
ンを形成する場合のエッチング時の焦電効果、即ち、温
度変化によって誘起される電荷の極性が基板上で部分的
に異なることによるパターン幅等のばらつきについて記
載されている。この対策手段は、強誘電性単結晶基板の
表面に複数個の単位電極パターンと共に、それぞれの電
極パターンを短絡する短絡パターンを形成したものであ
る。
ＮｂＯ3、ＰＺＴ等の強誘電性単結晶基板に微細パター
ンを形成する場合のエッチング時の焦電効果、即ち、温
度変化によって誘起される電荷の極性が基板上で部分的
に異なることによるパターン幅等のばらつきについて記
載されている。この対策手段は、強誘電性単結晶基板の
表面に複数個の単位電極パターンと共に、それぞれの電
極パターンを短絡する短絡パターンを形成したものであ
る。
【０００６】特公平２−９７２４号公報では、エッチン
グを行った後の洗浄、乾燥工程、吸音材塗布後の乾燥工
程で、ＩＤＴ形成後の洗浄時の水分と、乾燥時の圧電性
基板上の温度勾配（変化）により発生する電荷によるＩ
ＤＴ破壊について記載されている。この対策手段とし
て、弾性表面波を送受するＩＤＴおよび、ＩＤＴを短絡
させるショート電極を形成し、短絡されたＩＤＴを備え
たウエハを、ＳＡＷデバイスワンチップとして切断する
際、このショート電極をＩＤＴから同時に切断させたも
のである。
グを行った後の洗浄、乾燥工程、吸音材塗布後の乾燥工
程で、ＩＤＴ形成後の洗浄時の水分と、乾燥時の圧電性
基板上の温度勾配（変化）により発生する電荷によるＩ
ＤＴ破壊について記載されている。この対策手段とし
て、弾性表面波を送受するＩＤＴおよび、ＩＤＴを短絡
させるショート電極を形成し、短絡されたＩＤＴを備え
たウエハを、ＳＡＷデバイスワンチップとして切断する
際、このショート電極をＩＤＴから同時に切断させたも
のである。
【０００７】特公平２−１８７６７号公報は、発生した
電荷を除去するため、ＳＡＷデバイスの製造方法で、レ
ジストパターンを形成後電極パターンを形成する前工程
として、純水中に浸せきする工程を設けたものである。
電荷を除去するため、ＳＡＷデバイスの製造方法で、レ
ジストパターンを形成後電極パターンを形成する前工程
として、純水中に浸せきする工程を設けたものである。
【０００８】特公平５−５９６０９号公報は、発生した
電荷を消散するため、圧電性基板上に少なくとも、二つ
の相互に絶縁された金属化領域を備えた音波デバイス
で、二つの金属化領域を抵抗リンク経路により接続した
ものである。
電荷を消散するため、圧電性基板上に少なくとも、二つ
の相互に絶縁された金属化領域を備えた音波デバイス
で、二つの金属化領域を抵抗リンク経路により接続した
ものである。
【０００９】他の公知例には、特開平３−２９３８０８
号公報がある。
号公報がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷデバイスで、特
にＵＨＦ帯以上の高周波では、ＩＤＴの線幅は１μｍ程
度とかなり微細なパターンとなる。前述のように各種の
昇、降温工程があるＳＡＷデバイスの製造プロセスで、
ウエハ面に法線成分を持つ強誘電体ウエハを用いる場合
焦電性があるため、温度変化で発生する電荷の急激な放
電によるＩＤＴ破壊対策が重要である。とりわけ基板面
積の大きなものについては、発生電荷量も大きいため、
破壊が顕著に発生する。
にＵＨＦ帯以上の高周波では、ＩＤＴの線幅は１μｍ程
度とかなり微細なパターンとなる。前述のように各種の
昇、降温工程があるＳＡＷデバイスの製造プロセスで、
ウエハ面に法線成分を持つ強誘電体ウエハを用いる場合
焦電性があるため、温度変化で発生する電荷の急激な放
電によるＩＤＴ破壊対策が重要である。とりわけ基板面
積の大きなものについては、発生電荷量も大きいため、
破壊が顕著に発生する。
【００１１】上記従来技術は、エッチング中、エッチン
グ後の洗浄、乾燥工程、吸音材塗布後の乾燥工程で、Ｉ
ＤＴ形成後の洗浄時の水分と、乾燥時の圧電性基板上の
温度勾配（変化）で発生する電荷によるＩＤＴ破壊（焦
電効果）についての対策手段である。エッチングを行っ
た後の洗浄、乾燥工程、吸音材塗布後の乾燥工程では、
ＳＡＷデバイスを構成するＩＤＴがショート電極で同電
位となるため、温度変化により発生する電荷によるＩＤ
Ｔ破壊は改善される。しかし、特公平５−５９６０９号
公報以外の従来技術では、ダイシング工程で、ショート
電極が同時に切断されるため、ダイシング工程後の洗
浄、乾燥工程、および、製造プロセスの中で一番温度変
化の大きいダイボンド工程の熱硬化時では、ＩＤＴが開
放され、温度変化で発生する電荷の急激な放電によるＩ
ＤＴ破壊は免れない。
グ後の洗浄、乾燥工程、吸音材塗布後の乾燥工程で、Ｉ
ＤＴ形成後の洗浄時の水分と、乾燥時の圧電性基板上の
温度勾配（変化）で発生する電荷によるＩＤＴ破壊（焦
電効果）についての対策手段である。エッチングを行っ
た後の洗浄、乾燥工程、吸音材塗布後の乾燥工程では、
ＳＡＷデバイスを構成するＩＤＴがショート電極で同電
位となるため、温度変化により発生する電荷によるＩＤ
Ｔ破壊は改善される。しかし、特公平５−５９６０９号
公報以外の従来技術では、ダイシング工程で、ショート
電極が同時に切断されるため、ダイシング工程後の洗
浄、乾燥工程、および、製造プロセスの中で一番温度変
化の大きいダイボンド工程の熱硬化時では、ＩＤＴが開
放され、温度変化で発生する電荷の急激な放電によるＩ
ＤＴ破壊は免れない。
【００１２】本発明の目的は、弾性表面波を送受するＩ
ＤＴの焦電効果によるＩＤＴ破壊がなく、良好な周波数
特性が得られるＳＡＷデバイスの製造方法を提供するこ
とにある。
ＤＴの焦電効果によるＩＤＴ破壊がなく、良好な周波数
特性が得られるＳＡＷデバイスの製造方法を提供するこ
とにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】目的を達成するために、
本発明はＳＡＷデバイスをパッケージに接着剤を介して
載置し、熱硬化することにより接着するダイボンド工程
で、熱硬化前に部分的にイオン化した気体流、すなわ
ち、イオン化エアブローに曝露する工程を追加する。更
に、接着剤の熱硬化中にも、イオン化エアブローに曝露
すると共に、加熱槽内温度を常温（室温）状態で熱硬化
前のＳＡＷデバイスを設置し、その後、所定の熱硬化温
度に上昇させる。更に、熱硬化後、直ちにＳＡＷデバイ
スにイオン化エアブローを曝露する。
本発明はＳＡＷデバイスをパッケージに接着剤を介して
載置し、熱硬化することにより接着するダイボンド工程
で、熱硬化前に部分的にイオン化した気体流、すなわ
ち、イオン化エアブローに曝露する工程を追加する。更
に、接着剤の熱硬化中にも、イオン化エアブローに曝露
すると共に、加熱槽内温度を常温（室温）状態で熱硬化
前のＳＡＷデバイスを設置し、その後、所定の熱硬化温
度に上昇させる。更に、熱硬化後、直ちにＳＡＷデバイ
スにイオン化エアブローを曝露する。
【００１４】
【作用】のような手段をとることにより、接着剤の熱硬
化を必要とするダイボンド工程で発生するＩＤＴ破壊が
低減できる。すなわち、このＩＤＴ破壊を防止する鍵
は、いかにＳＡＷデバイス表面に発生する電荷を緩やか
に放電、中和させて抑え込めるかである。このため、ダ
イシング工程、その後の洗浄、乾燥工程で発生した電荷
は、まず、ダイボンド工程で、接着剤の熱硬化前にイオ
ン化エアブローを用いることで、ほぼ除去することがで
きる。また、接着剤の熱硬化する際、加熱槽内温度を常
温（室温）状態で、未硬化状態のＳＡＷデバイスを載置
したパッケージを設置し、その後所定の熱硬化温度に上
昇させることで、ＳＡＷデバイス自身の温度上昇勾配が
緩やかになり、これに比例して電荷の発生も緩やかにな
る。この熱硬化中（すなわち、加熱槽内に設置し、加熱
中）でも、同時にイオン化エアブローに曝露させること
で、単位時間に発生した電荷量が少ないため、イオン化
エアブロー中の限られたイオンで直ちに中和することが
でき、温度上昇による電荷の蓄積を抑えることができ
る。更に、熱硬化後、直ちにＳＡＷデバイスにイオン化
エアブローに曝露させることで、温度下降時に発生する
電荷もイオン化エアブロー中の限られたイオンで直ちに
中和することができる。
化を必要とするダイボンド工程で発生するＩＤＴ破壊が
低減できる。すなわち、このＩＤＴ破壊を防止する鍵
は、いかにＳＡＷデバイス表面に発生する電荷を緩やか
に放電、中和させて抑え込めるかである。このため、ダ
イシング工程、その後の洗浄、乾燥工程で発生した電荷
は、まず、ダイボンド工程で、接着剤の熱硬化前にイオ
ン化エアブローを用いることで、ほぼ除去することがで
きる。また、接着剤の熱硬化する際、加熱槽内温度を常
温（室温）状態で、未硬化状態のＳＡＷデバイスを載置
したパッケージを設置し、その後所定の熱硬化温度に上
昇させることで、ＳＡＷデバイス自身の温度上昇勾配が
緩やかになり、これに比例して電荷の発生も緩やかにな
る。この熱硬化中（すなわち、加熱槽内に設置し、加熱
中）でも、同時にイオン化エアブローに曝露させること
で、単位時間に発生した電荷量が少ないため、イオン化
エアブロー中の限られたイオンで直ちに中和することが
でき、温度上昇による電荷の蓄積を抑えることができ
る。更に、熱硬化後、直ちにＳＡＷデバイスにイオン化
エアブローに曝露させることで、温度下降時に発生する
電荷もイオン化エアブロー中の限られたイオンで直ちに
中和することができる。
【００１５】以上のことから、弾性表面波を送受するＩ
ＤＴの、焦電効果によるＩＤＴ破壊がなくなり、良好な
周波数特性が得られるＳＡＷデバイスの製造方法を提供
できる。
ＤＴの、焦電効果によるＩＤＴ破壊がなくなり、良好な
周波数特性が得られるＳＡＷデバイスの製造方法を提供
できる。
【００１６】なお、接着剤の熱硬化前では、それ以前の
加熱工程等で発生した吸収電荷が徐々に表面に現われる
こと、洗浄、乾燥工程では、絶縁性流体が、急激に流れ
るため、摩擦電気が発生すること、以上の二つが問題と
して考えられ、これ等の電荷を中和除去させぬまま加熱
すると、焦電効果による発生電荷がわずかであっても、
放電破壊のしきい値を超えてしまう危険性が高いのであ
る。
加熱工程等で発生した吸収電荷が徐々に表面に現われる
こと、洗浄、乾燥工程では、絶縁性流体が、急激に流れ
るため、摩擦電気が発生すること、以上の二つが問題と
して考えられ、これ等の電荷を中和除去させぬまま加熱
すると、焦電効果による発生電荷がわずかであっても、
放電破壊のしきい値を超えてしまう危険性が高いのであ
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を製造フローチャート
図１より説明する。
図１より説明する。
【００１８】圧電性基板として、６４度のニオブ酸リチ
ウム単結晶基板（ＬｉＮｂＯ3）を用い、この基板上
に、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）によりＡｌ−Ｃｕを１
００ｎｍ厚に成膜する（１０１）。その上に感光性のホ
トレジストを塗布（１０２）後、露光１０３及び現像１
０４工程により、ＩＤＴのホトレジストパターンが形成
される。次に、このホトレジストパターンをマスクとし
て、湿式化学エッチングによりＡｌ−Ｃｕをエッチング
除去（１０５）し、ＳＡＷデバイスのＩＤＴが圧電性基
板上に複数個完成する。更に、基板上に形成された複数
のＳＡＷデバイスを、ワンチップ化するため、ダイシン
グ工程（１０６）でダイサで切断する。その後、ダイボ
ンド工程１０７で、表面がＮｉ、Ａｕ等からなるＳＭＤ
パッケージに絶縁性、導電性の接着剤を塗布し、ＳＡＷ
チップ、および整合用のコイル基板を接着剤上に載せた
後、ＳＡＷデバイス表面に帯電している電荷を除去する
ため、イオン化エアブローに３０分曝露する。その後、
接着剤を熱硬化するため、加熱槽に、パッケージに接着
剤を介して載置したＳＡＷデバイスを設置する（１０
８）が、この時、加熱槽内温度は常温（室温）状態にす
る。設置後、徐々に加熱槽内温度を接着剤硬化温度であ
る１５０℃に上昇させる。この時、加熱槽内でも、イオ
ン化エアブローを曝露（１０９）する。接着剤硬化後
（約６０分）、加熱槽から取り出したＳＡＷデバイス
は、直ちにイオン化エアブローに曝露する。次に、ＳＡ
Ｗデバイス自身の温度が室温程度に下がり次第、Ａｌワ
イヤで配線する。その後、ハーメチックな封止を行う。
（１１０） 以上の工程を経ることで、ダイシング工程、その後の洗
浄、乾燥工程で発生した電荷、及びダイボンド工程での
接着剤の熱硬化に伴い発生する電荷によるＩＤＴ破壊が
従来の１／５に低減できた。図３は、ＩＤＴパターンの
状態を模式的に図示したものである。従来の製造方法で
は、（ａ）に示すように、ＩＤＴ破壊が広範囲にわたり
発生していたが、本発明製造方法を用いることで、
（ｂ）に示すように、たとえＩＤＴ破壊が発生した場合
でも、非常に軽微で、実用上問題ない。
ウム単結晶基板（ＬｉＮｂＯ3）を用い、この基板上
に、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）によりＡｌ−Ｃｕを１
００ｎｍ厚に成膜する（１０１）。その上に感光性のホ
トレジストを塗布（１０２）後、露光１０３及び現像１
０４工程により、ＩＤＴのホトレジストパターンが形成
される。次に、このホトレジストパターンをマスクとし
て、湿式化学エッチングによりＡｌ−Ｃｕをエッチング
除去（１０５）し、ＳＡＷデバイスのＩＤＴが圧電性基
板上に複数個完成する。更に、基板上に形成された複数
のＳＡＷデバイスを、ワンチップ化するため、ダイシン
グ工程（１０６）でダイサで切断する。その後、ダイボ
ンド工程１０７で、表面がＮｉ、Ａｕ等からなるＳＭＤ
パッケージに絶縁性、導電性の接着剤を塗布し、ＳＡＷ
チップ、および整合用のコイル基板を接着剤上に載せた
後、ＳＡＷデバイス表面に帯電している電荷を除去する
ため、イオン化エアブローに３０分曝露する。その後、
接着剤を熱硬化するため、加熱槽に、パッケージに接着
剤を介して載置したＳＡＷデバイスを設置する（１０
８）が、この時、加熱槽内温度は常温（室温）状態にす
る。設置後、徐々に加熱槽内温度を接着剤硬化温度であ
る１５０℃に上昇させる。この時、加熱槽内でも、イオ
ン化エアブローを曝露（１０９）する。接着剤硬化後
（約６０分）、加熱槽から取り出したＳＡＷデバイス
は、直ちにイオン化エアブローに曝露する。次に、ＳＡ
Ｗデバイス自身の温度が室温程度に下がり次第、Ａｌワ
イヤで配線する。その後、ハーメチックな封止を行う。
（１１０） 以上の工程を経ることで、ダイシング工程、その後の洗
浄、乾燥工程で発生した電荷、及びダイボンド工程での
接着剤の熱硬化に伴い発生する電荷によるＩＤＴ破壊が
従来の１／５に低減できた。図３は、ＩＤＴパターンの
状態を模式的に図示したものである。従来の製造方法で
は、（ａ）に示すように、ＩＤＴ破壊が広範囲にわたり
発生していたが、本発明製造方法を用いることで、
（ｂ）に示すように、たとえＩＤＴ破壊が発生した場合
でも、非常に軽微で、実用上問題ない。
【００１９】尚、本実施例では、ＩＤＴ材料はＡｌ−Ｃ
ｕを用いたが、Ａｌ、および、Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ系合
金であっても良い。また、圧電性基板は、タンタル酸リ
チウム単結晶基板（ＬｉＴａＯ3）であっても良い。ま
た、ＩＤＴ形成には、電極幅に高い寸法精度が要求され
る場合、湿式化学エッチングに代わり、ＲＩＥ（ドライ
エッチング）技術を用いても良い。
ｕを用いたが、Ａｌ、および、Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ系合
金であっても良い。また、圧電性基板は、タンタル酸リ
チウム単結晶基板（ＬｉＴａＯ3）であっても良い。ま
た、ＩＤＴ形成には、電極幅に高い寸法精度が要求され
る場合、湿式化学エッチングに代わり、ＲＩＥ（ドライ
エッチング）技術を用いても良い。
【００２０】更に、ワイヤーボンディングに用いるワイ
ヤーは２５μｍφのＡｌワイヤーを使用したが、Ａｌの
ほかＡｕ等であっても良い。
ヤーは２５μｍφのＡｌワイヤーを使用したが、Ａｌの
ほかＡｕ等であっても良い。
【００２１】図４は、本発明の製造方法により作成した
ＳＡＷデバイスを用いて構成した移動無線機システムの
アンテナ分波器の実施例である。この分波器は、送信フ
ィルタ１、受信フィルタ２にＳＡＷデバイスを用いてい
る。送信フィルタ１、受信フィルタ２はそれぞれ、分岐
回路３を介してアンテナ４と接続されている。移動無線
機システムに用いる送信フィルタ１、受信フィルタ２
は、耐電力性を必要とするほか、８００〜９００ＭＨｚ
と高周波であるため、ＳＡＷデバイスを構成するＩＤＴ
が１μｍ程度と微細となる。又、フィルタ特性として非
常に低損失で、急峻な肩特性を必要とする。特に受信フ
ィルタ２は、複数個の共振子を組み合わせた構成であ
り、基板面積が、約２．５ｍｍ×４．０ｍｍと大きいた
め、焦電効果によるＩＤＴ破壊が目立って発生する。こ
のため、特に通過帯域内でのうねり、肩特性劣化によ
り、損失が増加し、所望の周波数特性を実現できない場
合がある。このような場合でも、本発明の製造方法を用
いることで、ＩＤＴ破壊が低減し、図５（実線：本発明
破線：従来）に示すように、周波数特性の良好なＳＡ
Ｗデバイスが提供できる。
ＳＡＷデバイスを用いて構成した移動無線機システムの
アンテナ分波器の実施例である。この分波器は、送信フ
ィルタ１、受信フィルタ２にＳＡＷデバイスを用いてい
る。送信フィルタ１、受信フィルタ２はそれぞれ、分岐
回路３を介してアンテナ４と接続されている。移動無線
機システムに用いる送信フィルタ１、受信フィルタ２
は、耐電力性を必要とするほか、８００〜９００ＭＨｚ
と高周波であるため、ＳＡＷデバイスを構成するＩＤＴ
が１μｍ程度と微細となる。又、フィルタ特性として非
常に低損失で、急峻な肩特性を必要とする。特に受信フ
ィルタ２は、複数個の共振子を組み合わせた構成であ
り、基板面積が、約２．５ｍｍ×４．０ｍｍと大きいた
め、焦電効果によるＩＤＴ破壊が目立って発生する。こ
のため、特に通過帯域内でのうねり、肩特性劣化によ
り、損失が増加し、所望の周波数特性を実現できない場
合がある。このような場合でも、本発明の製造方法を用
いることで、ＩＤＴ破壊が低減し、図５（実線：本発明
破線：従来）に示すように、周波数特性の良好なＳＡ
Ｗデバイスが提供できる。
【００２２】尚、本実施例は、移動無線機システムに限
らず、ＶＴＲ、またはＣＡＴＶ用コンバータ、衛星放送
用受信機システム等に用いるＳＡＷデバイスの製造方法
全般でも有効な手段である。
らず、ＶＴＲ、またはＣＡＴＶ用コンバータ、衛星放送
用受信機システム等に用いるＳＡＷデバイスの製造方法
全般でも有効な手段である。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ダイボンド工程の熱硬
化後に発生するＩＤＴ破壊が低減され、良好な周波数特
性を有するＳＡＷデバイス、および、高歩留りなＳＡＷ
デバイスの製造方法が提供できる。
化後に発生するＩＤＴ破壊が低減され、良好な周波数特
性を有するＳＡＷデバイス、および、高歩留りなＳＡＷ
デバイスの製造方法が提供できる。
【図１】本発明のＳＡＷデバイス製造のフローチャー
ト。
ト。
【図２】従来のＳＡＷデバイス製造のフローチャート。
【図３】ＳＡＷデバイスのＩＤＴ状態の説明図。
【図４】本発明の移動無線機のアンテナ分波器の説明
図。
図。
【図５】本発明の移動無線機用ＳＡＷデバイスの周波数
特性図。
特性図。
１…送信フィルタ、 ２…受信フィルタ、 ３…アンテナ、 ４…分岐回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大貫 秀男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内 (72)発明者 湯原 章綱 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内
Claims (3)
- 【請求項１】圧電性基板上に、弾性表面波を励起、もし
くは送受する少なくとも１個のすだれ状電極を有する弾
性表面波装置において、前記弾性表面波装置のチップを
パッケージに接着剤で接着、熱硬化するダイボンド工程
で、前記接着剤の熱硬化前、熱硬化中、熱硬化後にそれ
ぞれ、前記弾性表面波装置のチップを、少なくとも一部
がイオン化された気体流に曝露したことを特徴とする弾
性表面波装置の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記弾性表面波装置の
チップをパッケージに接着剤で接着、熱硬化するダイボ
ンド工程において、前記接着剤を熱硬化する際、熱硬化
用の加熱槽内温度を常温で、未硬化状態で前記弾性表面
波装置のチップを載置したパッケージを前記加熱槽内に
設置し、所定の加熱硬化温度に上昇させた弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の前記弾性表面波
装置の製造方法を使用した弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16329595A JPH0918267A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16329595A JPH0918267A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918267A true JPH0918267A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15771119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16329595A Pending JPH0918267A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918267A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210664A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷発生半導体基板用バンプ形成装置、電荷発生半導体基板の除電方法、電荷発生半導体基板用除電装置、及び電荷発生半導体基板 |
| JP2002009569A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP16329595A patent/JPH0918267A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210664A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷発生半導体基板用バンプ形成装置、電荷発生半導体基板の除電方法、電荷発生半導体基板用除電装置、及び電荷発生半導体基板 |
| JP2002009569A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10250222B2 (en) | Electronic device | |
| CN100539413C (zh) | 弹性表面波元件、弹性表面波装置以及通信装置 | |
| EP0920129B1 (en) | Elastic boundary wave device and method of its manufacture | |
| KR100642697B1 (ko) | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| US6557225B2 (en) | Method of producing surface acoustic wave device | |
| US7301421B2 (en) | Surface acoustic wave device, manufacturing method therefor, and communications equipment | |
| JP2717071B2 (ja) | 誘電体基板上に金属化領域を備えた音波デバイスの製法 | |
| CN109586680B (zh) | 用于声谐振器结构的经锚定聚合物封装 | |
| JP2008135971A (ja) | 弾性波デバイス | |
| US7841064B2 (en) | Method of manufacturing an acoustic wave device | |
| EP1521362B1 (en) | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device | |
| JP2000312127A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2002374137A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置、およびこれを搭載した通信装置 | |
| JPH0918267A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| US10511285B1 (en) | Anchored polymeric package for acoustic resonator structures | |
| JP2001345675A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2003283295A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JPH11330899A (ja) | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 | |
| JP2006014097A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 | |
| JP4610244B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP4130314B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPH10163802A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2010034782A (ja) | 弾性境界波デバイスおよびその製造方法、デュープレクサの製造方法 | |
| JPH06125235A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2000059165A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 |