JPH09180896A - Plasma igniter for semiconductor manufacturing device - Google Patents
Plasma igniter for semiconductor manufacturing deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング装
置等の半導体製造装置に関し、特に、真空チャンバ内で
プラズマを発生させ或いは維持するためのプラズマイグ
ナイタに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus such as a sputtering apparatus, and more particularly to a plasma igniter for generating or maintaining plasma in a vacuum chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】スパッタリング装置は、真空チャンバ内
にスパッタガスを導入してプラズマを発生させ、スパッ
タガスの正イオンを陰極であるターゲットに衝突させる
ことにより、そこからスパッタされるターゲット原子を
陽極であるウェハ上に堆積させて成膜を行うものであ
る。このようなスパッタリング装置においては、ターゲ
ット原子の散乱防止等の観点から真空チャンバ内の圧力
を可能な限り減ずることが望ましい。2. Description of the Related Art A sputtering apparatus introduces a sputtering gas into a vacuum chamber to generate plasma, and causes positive ions of the sputtering gas to collide with a target which is a cathode, so that target atoms to be sputtered from the target are converted into an anode. The film is formed by depositing it on a certain wafer. In such a sputtering apparatus, it is desirable to reduce the pressure in the vacuum chamber as much as possible from the viewpoint of preventing scattering of target atoms.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来一
般のスパッタリング装置では、電極間に所定の電圧を印
加することにより真空チャンバ内にプラズマを発生させ
るという方法を採っているため、真空チャンバ内の圧力
を所定値（２〜３ｍＴｏｒｒ）以下に減ずると、プラズ
マが発生しにくい状態となる。However, since the conventional general sputtering apparatus employs a method of generating a plasma in the vacuum chamber by applying a predetermined voltage between the electrodes, the pressure in the vacuum chamber is reduced. Is reduced to a predetermined value (2 to 3 mTorr) or less, plasma is less likely to be generated.
【０００４】そこで、従来においては、電磁コイルを真
空チャンバを囲むようにして設け、電磁コイルからの電
磁波によりスパッタガスの原子ないしは分子を励起して
プラズマを発生させる手段や、熱電子銃を真空チャンバ
内に配置し、電子ビームによりプラズマを発生させる手
段が提案されている。Therefore, conventionally, an electromagnetic coil is provided so as to surround the vacuum chamber, a means for exciting atoms or molecules of the sputtering gas by the electromagnetic wave from the electromagnetic coil to generate plasma, and a thermionic gun are provided in the vacuum chamber. A means for arranging and generating plasma by an electron beam has been proposed.
【０００５】しかし、電磁コイルを用いる手段はプラズ
マの発生が不安定であるという問題があり、熱電子銃を
用いる手段は、フィラメントを伴うため、フィラメント
が蒸発して真空チャンバ内を汚染する可能性がある。However, the means using the electromagnetic coil has a problem that the generation of plasma is unstable, and the means using the thermionic gun involves a filament, so that the filament may evaporate and contaminate the inside of the vacuum chamber. There is.
【０００６】そこで、本発明の目的は、真空チャンバ内
を汚染することなく安定してプラズマを発生、維持する
ことのできるプラズマイグナイタを提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to provide a plasma igniter capable of stably generating and maintaining plasma without contaminating the inside of the vacuum chamber.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、半導体製造装置の真空チャ
ンバ内のプラズマ発生空間に導入されたガスの分子又は
原子をレーザ光により励起してプラズマを発生させるプ
ラズマイグナイタであって、真空チャンバの外部に配置
されたレーザ装置と、このレーザ装置からのレーザ光を
真空チャンバ内に導入するよう真空チャンバの壁部に設
けられた透光窓とを備えるプラズマイグナイタを特徴と
している。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 excites molecules or atoms of a gas introduced into a plasma generation space in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus by laser light. A plasma igniter for generating plasma by means of a laser device arranged outside the vacuum chamber, and a light-transmitting member provided on the wall of the vacuum chamber for introducing laser light from the laser device into the vacuum chamber. It features a plasma igniter with a window.
【０００８】かかる構成においては、レーザ装置が真空
チャンバの外部に配置されているので、真空チャンバ内
を汚染するおそれがなく、レーザ光により安定してガス
の分子又は原子を励起することができる。In such a structure, since the laser device is arranged outside the vacuum chamber, there is no risk of contaminating the inside of the vacuum chamber, and it is possible to stably excite gas molecules or atoms by laser light.
【０００９】また、ガスの励起に適した光強度とすべ
く、真空チャンバの外部にレーザ光の光強度制御手段を
設けることが好適である。Further, it is preferable to provide a light intensity control means for the laser light outside the vacuum chamber so that the light intensity is suitable for exciting the gas.
【００１０】更に、一箇所にレーザ光が集中しないよ
う、レーザ装置からのレーザ光を偏向させるための光偏
向手段を真空チャンバの外部に設けることが好ましい。Further, it is preferable to provide an optical deflection means for deflecting the laser light from the laser device outside the vacuum chamber so that the laser light is not concentrated at one place.
【００１１】真空チャンバ内には、当該真空チャンバ内
に導入されたレーザ光をプラズマ発生空間の所望部位に
導くための反射鏡を設けてもよい。レーザ光を用いた場
合、光路上に光学焦点を特に必要とせず、反射鏡により
光路を容易に変更することができ、装置レイアウトの容
易化を図ることができる。勿論、反射鏡のみから成る光
学系を真空チャンバ内に配置しても、これが汚染源とな
ることはない。A reflection mirror for guiding the laser light introduced into the vacuum chamber to a desired portion of the plasma generation space may be provided in the vacuum chamber. When laser light is used, an optical focus is not particularly required on the optical path, the optical path can be easily changed by the reflecting mirror, and the device layout can be facilitated. Of course, even if the optical system including only the reflecting mirror is arranged in the vacuum chamber, it does not become a pollution source.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の好適な
実施形態について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１３】図１は、本発明によるプラズマイグナイタ
を備えたスパッタリング装置を概略的に示している。こ
のスパッタリング装置１０は、真空チャンバ１２と、真
空チャンバ１２の上部に配置された円形のターゲット１
４とを備えている。真空チャンバ１２内にはウェハ支持
ペディスタル１６が設けられており、ウェハ１８はこの
ウェハ支持ペディスタル１６上で支持され、ターゲット
１４の下面に対して平行に対向配置されるようになって
いる。ターゲット１４とウェハ１８との間の周囲には、
ターゲット原子の漏出を防止すべくシールド２０が設け
られている。図示実施形態のシールド２０は、ターゲッ
ト１４とウェハ支持ペディスタル１６との間のプラズマ
発生空間２２にスパッタガスが導入されるよう、互いに
一定の間隔をおいて配置された上部シールド２０ａと下
部シールド２０ｂとから構成されている。FIG. 1 schematically shows a sputtering apparatus equipped with a plasma igniter according to the present invention. The sputtering apparatus 10 includes a vacuum chamber 12 and a circular target 1 arranged above the vacuum chamber 12.
4 is provided. A wafer support pedestal 16 is provided in the vacuum chamber 12, and a wafer 18 is supported on the wafer support pedestal 16 and arranged to face the lower surface of the target 14 in parallel. In the periphery between the target 14 and the wafer 18,
A shield 20 is provided to prevent leakage of target atoms. The shield 20 of the illustrated embodiment includes an upper shield 20a and a lower shield 20b, which are arranged at regular intervals so that the sputtering gas is introduced into the plasma generation space 22 between the target 14 and the wafer support pedestal 16. It consists of
【００１４】スパッタプロセス中、ターゲット１４とウ
ェハ支持ペディスタル１６（即ち、ウェハ１８）とには
それぞれ、直流電源の陰極と陽極が接続される。そし
て、真空ポンプ（図示せず）により真空チャンバ１２内
を減圧すると共に、スパッタガスとしてアルゴンガスを
導入し、これを励起すると、プラズマが発生する。この
時、プラズマ中のアルゴンイオンがターゲット１４の表
面に衝突し、ターゲット原子をはじき出し、このターゲ
ット原子がウェハ１８上に堆積して薄膜が形成されるの
である。During the sputtering process, the target 14 and wafer support pedestal 16 (ie, wafer 18) are connected to the cathode and anode of a DC power supply, respectively. Then, the inside of the vacuum chamber 12 is decompressed by a vacuum pump (not shown), and argon gas is introduced as a sputter gas, and this is excited to generate plasma. At this time, argon ions in the plasma collide with the surface of the target 14 and repel the target atoms, and the target atoms are deposited on the wafer 18 to form a thin film.
【００１５】図１において、符号３０はプラズマイグナ
イタを示している。このブラズマイグナイタ３０は、真
空チャンバ１２に導入されたアルガンガスのアルゴン分
子をレーザ光により直接励起してプラズマを発生させる
装置である。In FIG. 1, reference numeral 30 indicates a plasma igniter. The plasma igniter 30 is a device that directly excites Argon gas argon molecules introduced into the vacuum chamber 12 with laser light to generate plasma.
【００１６】図示実施形態のプラズマイグナイタ３０
は、アルゴン分子を励起して電離することのできるレー
ザ光を発するレーザ装置３２と、このレーザ装置３２か
らのレーザ光を平行光とするレンズ３４、光減衰器（光
強度制御手段）３６及び光軸変調器（光偏向手段）３８
を備えている。更に、プラズマイグナイタ３０は、真空
チャンバ１２の側壁４０に設けられたレーザ光を透過さ
せる透光窓４２と、この透光窓４２を通って導入された
レーザ光をプラズマ発生空間２２に導く反射鏡４４，４
６とを備えている。The plasma igniter 30 of the illustrated embodiment
Is a laser device 32 that emits laser light capable of exciting argon molecules to be ionized, a lens 34 that makes the laser light from the laser device 32 parallel light, an optical attenuator (light intensity control means) 36, and a light. Axial modulator (light deflection means) 38
It has. Further, the plasma igniter 30 is provided with a transparent window 42 provided on the side wall 40 of the vacuum chamber 12 for transmitting a laser beam, and a reflecting mirror for guiding the laser beam introduced through the transparent window 42 to the plasma generation space 22. 44,4
6 is provided.
【００１７】レーザ装置３２は、スパッタガスの種類に
応じて種々の型式が考えられるが、スパッタガスとして
アルゴンガスを用いている場合、アルゴンガスレーザ装
置が好適である。アルゴン分子の固有振動数にて発振し
ているレーザ光をアルゴンガスに照射することにより、
効率のよいエネルギの吸収・光電子励起を実現すること
ができるからである。The laser device 32 may be of various types depending on the type of sputtering gas, but when argon gas is used as the sputtering gas, the argon gas laser device is suitable. By irradiating the argon gas with laser light oscillating at the natural frequency of the argon molecule,
This is because efficient energy absorption and photoelectron excitation can be realized.
【００１８】光減衰器３６は、アルゴン分子の励起に適
した光強度とするようレーザ光の振幅制御を行うための
ものであり、アルゴンガスの流量の変更等に対応可能な
ように可変型が好ましい。可変型の光減衰器３６として
は、例えば図示するように、互いに平行配置された２枚
の偏向板４８，５０と、その間に配置されたＫＤＰ等の
電気光学デバイス（Electro Optic Effect Device ）５
２とから成るものがある。この光減衰器３６は、レンズ
３４により平行光線とされたレーザ光を入力側の偏向板
４８により直線偏向成分のみとし、電気光学デバイス５
２に外部電界を加えることにより電気光学デバイス５２
中を通過するレーザ光の偏向状態を制御し、出力側に配
置された偏向板５０により再度直線偏向成分のみを透過
させることにより、レーザ光の振幅を制御することがで
きる。なお、外部電界の制御はコントローラ５４により
行われる。The optical attenuator 36 is for controlling the amplitude of the laser light so that the light intensity is suitable for exciting the argon molecules, and is of a variable type so as to be able to respond to changes in the flow rate of the argon gas. preferable. As the variable optical attenuator 36, for example, as shown in the drawing, two deflecting plates 48 and 50 arranged in parallel to each other, and an electro-optical device (Electro Optic Effect Device) 5 such as KDP arranged between them.
Some consist of 2 and. The optical attenuator 36 converts the laser light, which is collimated by the lens 34, into a linearly deflected component by the deflector 48 on the input side.
By applying an external electric field to the electro-optical device 52
The amplitude of the laser light can be controlled by controlling the deflection state of the laser light passing through it and transmitting again only the linear deflection component by the deflecting plate 50 arranged on the output side. The controller 54 controls the external electric field.
【００１９】また、光減衰器３６としては、固定された
入力側の偏向板と、この偏向板に対向配置され、モータ
等により回転駆動される出力側偏向板とから成るものも
適用可能である。この光減衰器の場合、入力側の偏向板
は、入力したレーザ光を最もよく透過させる向きとされ
ており、出力側の偏向板を回転させることで、レーザ光
の透過率を変化させ、その振幅を制御するようになって
いる。As the optical attenuator 36, it is also possible to apply a fixed input-side deflecting plate and an output-side deflecting plate which is arranged to face the deflecting plate and is rotationally driven by a motor or the like. . In the case of this optical attenuator, the deflection plate on the input side is oriented so as to best transmit the input laser light, and by rotating the deflection plate on the output side, the transmittance of the laser light is changed, It is designed to control the amplitude.
【００２０】光軸変調器３８は、光減衰器３６によりパ
ワー制御されたレーザ光の進行方向を制御するためのも
のである。これは、レーザ光を連続的に発振させた場合
に、レーザ光が一箇所に集中して照射されるのを防止す
ることを目的として設けられている。光軸変調器３８と
しては、加える音響場によりレーザ光の進行方向を制御
する音響光学デバイス（Acoustic Optical Device ）を
用いたものが、制御が容易であり好ましい。本実施形態
では、音響場の制御は前述のコントローラ５４により行
われ、レーザ光が所定の振り角の範囲内でランダムに偏
向されるようにしている。なお、レーザ光の進行方向を
制御する光偏向手段としては、光軸変調器３８に限られ
ず、ガルバノメータ等の光偏向器を用いることもでき
る。The optical axis modulator 38 is for controlling the traveling direction of the laser light whose power is controlled by the optical attenuator 36. This is provided for the purpose of preventing the laser light from being concentrated and irradiated at one place when the laser light is continuously oscillated. As the optical axis modulator 38, it is preferable to use an acousto-optical device (Acoustic Optical Device) that controls the traveling direction of the laser light by an applied acoustic field because the control is easy. In this embodiment, the control of the acoustic field is performed by the controller 54 described above so that the laser light is randomly deflected within a range of a predetermined swing angle. The optical deflector for controlling the traveling direction of the laser light is not limited to the optical axis modulator 38, and an optical deflector such as a galvanometer may be used.
【００２１】このようなレーザ装置３２、光減衰器３
６、光軸変調器３８及びコントローラ５４は発熱源であ
り、真空チャンバ１２の外部に置かれるが、スパッタリ
ング装置１０は全体として低温環境で使用されることが
好ましいため、これらの装置３２，３６，３８，５４を
ハウジング６２内に収容し、適当な手段により冷却する
のが有効である。The laser device 32 and the optical attenuator 3 as described above are provided.
6, the optical axis modulator 38 and the controller 54 are heat sources and are placed outside the vacuum chamber 12, but since the sputtering apparatus 10 is preferably used in a low temperature environment as a whole, these apparatuses 32, 36, It is effective to store 38 and 54 in the housing 62 and cool them by an appropriate means.
【００２２】光軸変調器３８から出力されたレーザ光は
透光窓４２を通って真空チャンバ１２内に入射され、タ
ーゲット１４とウェハ支持ペディスタル１６との間のプ
ラズマ発生空間２２に導かれる。プラズマ発生空間２２
の周囲にはシールド２０が設けられているため、シール
ド２０の一部には開口６４が設けられ、この開口６４を
通してレーザ光がプラズマ発生空間２２に導入されるよ
うになっている。図示実施形態では、上部シールド２０
ａに設けられた開口６４と透光窓４２との位置が上下方
向にずれているため、複数の反射鏡４４，４６から成る
光学系によりレーザ光が開口６４からプラズマ発生空間
２２に導かれるようになっている。なお、レーザ光の振
り幅を大きくするため、一方の反射鏡４６にはパラボリ
ックミラーが用いられている。また、開口６４には、タ
ーゲット原子が回り込まないように、適当な角度と寸法
の「ひさし６６」を設けるのが好ましい。図では、ひさ
し６６の先端部が丸められているが、これは電界集中を
緩和するためである。The laser light output from the optical axis modulator 38 enters the vacuum chamber 12 through the transparent window 42 and is guided to the plasma generation space 22 between the target 14 and the wafer support pedestal 16. Plasma generation space 22
Since the shield 20 is provided around the shield 20, an opening 64 is provided in a part of the shield 20, and laser light is introduced into the plasma generation space 22 through the opening 64. In the illustrated embodiment, the upper shield 20
Since the positions of the opening 64 provided in a and the transparent window 42 are vertically displaced, the laser light is guided from the opening 64 to the plasma generation space 22 by the optical system including the plurality of reflecting mirrors 44 and 46. It has become. A parabolic mirror is used for one of the reflecting mirrors 46 in order to increase the swing width of the laser light. In addition, it is preferable that the opening 64 be provided with a “corner 66” having an appropriate angle and size so that the target atoms do not go around. In the figure, the tip portion of the eaves 66 is rounded, but this is for relaxing the electric field concentration.
【００２３】上記構成のプラズマイグナイタ３０を用い
た場合、真空チャンバ１２内を２ｍＴｏｒｒ以下の高真
空としても、プラズマ発生空間２２内のアルゴン分子を
レーザ光が直接励起して電離させるため、放出された光
電子がプラズマの火種となってプラズマを安定的に発生
させることが可能となる。また、高真空下においては一
旦発生したプラズマが消失する可能性も高いが、プラズ
マイグナイタ３０により励起光電子の生成ないしは補充
を行うことができるため、プラズマを維持することが可
能となる。When the plasma igniter 30 having the above-mentioned configuration is used, even if the vacuum chamber 12 is set to a high vacuum of 2 mTorr or less, the laser light directly excites and ionizes the argon molecules in the plasma generation space 22, so that the argon molecules are emitted. It becomes possible for photoelectrons to become a spark of plasma and to generate plasma stably. Further, although there is a high possibility that the plasma once generated disappears under a high vacuum, the plasma igniter 30 can generate or supplement the excited photoelectrons, so that the plasma can be maintained.
【００２４】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことはいうまでもない。例えば、上記実施形態では光減
衰器３６や光軸変調器３８を設けているが、レーザ装置
３２自体に光強度制御機能及び光偏向機能がある場合に
は、これらの機器は特に必要ない。また、反射鏡４４，
４６もレーザ光の入射位置によっては不要である。The preferred embodiments of the present invention have been described above in detail, but it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, although the optical attenuator 36 and the optical axis modulator 38 are provided in the above embodiment, if the laser device 32 itself has a light intensity control function and a light deflection function, these devices are not particularly necessary. In addition, the reflecting mirror 44,
46 is also unnecessary depending on the incident position of the laser light.
【００２５】更に、ターゲット１４に向かって紫外線領
域のレーザ光を照射した場合、ターゲット１４から光電
子が放出されるが、この光電子をプラズマ発生の火種と
することができる。また、赤外線領域のレーザ光をター
ゲット１４に照射した場合には熱電子が放出されるの
で、この熱電子をプラズマ発生の火種とすることもでき
る。Further, when the target 14 is irradiated with laser light in the ultraviolet region, photoelectrons are emitted from the target 14, and the photoelectrons can be used as a spark for plasma generation. Further, when the target 14 is irradiated with laser light in the infrared region, thermoelectrons are emitted, and thus the thermoelectrons can be used as a spark for plasma generation.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、レ
ーザ光を用いて真空チャンバ内のガスの分子又は原子を
直接励起するので、真空チャンバの圧力を大幅に減じて
も、安定的にプラズマを発生、維持することができる。
また、レーザ光を発するレーザ装置等は真空チャンバの
外部に配置されるため、熱電子銃を用いた場合のような
汚染の心配もない。更に、レーザ光には焦点合せ手段は
必要ないので、簡素な光学系にて構成することができ
る。As described above, according to the present invention, the laser beam is used to directly excite the molecules or atoms of the gas in the vacuum chamber. Therefore, even if the pressure in the vacuum chamber is greatly reduced, it is stable. Plasma can be generated and maintained.
Further, since the laser device and the like for emitting the laser beam are arranged outside the vacuum chamber, there is no fear of contamination as in the case of using a thermionic gun. Further, since the laser beam does not need a focusing means, it can be configured with a simple optical system.
【００２７】なお、本発明のプラズマイグナイタは、プ
ラズマ発生用の真空チャンバを有する半導体製造装置全
般に適用可能であるが、超高真空下でのプラズマ発生が
要請されているスパッタリング装置に特に有効である。The plasma igniter of the present invention can be applied to all semiconductor manufacturing apparatuses having a vacuum chamber for plasma generation, but is particularly effective for a sputtering apparatus required to generate plasma under ultrahigh vacuum. is there.
【図１】本発明のプラズマイグナイタを備えるスパッタ
リング装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a sputtering apparatus equipped with a plasma igniter of the present invention.
１０…スパッタリング装置、１２…真空チャンバ、１４
…ターゲット、１６…ウェハ支持ペディスタル、１８…
ウェハ、２０…シールド、２２…プラズマ発生空間、２
４…直流電源、３０…プラズマイグナイタ、３２…レー
ザ装置、３４…レンズ、３６…光減衰器、３８…光軸変
調器、４２…透光窓、４４，４６…反射鏡、５４…コン
トローラ、６２…ウォータジャケット、６４…開口。10 ... Sputtering apparatus, 12 ... Vacuum chamber, 14
… Target, 16… Wafer support pedestal, 18…
Wafer, 20 ... Shield, 22 ... Plasma generation space, 2
4 ... DC power supply, 30 ... Plasma igniter, 32 ... Laser device, 34 ... Lens, 36 ... Optical attenuator, 38 ... Optical axis modulator, 42 ... Translucent window, 44, 46 ... Reflecting mirror, 54 ... Controller, 62 … Water jacket, 64… Opening.
Claims (4)
ズマ発生空間に導入されたガスの分子又は原子をレーザ
光により励起してプラズマを発生させるプラズマイグナ
イタであって、 前記真空チャンバの外部に配置されたレーザ装置と、前
記レーザ装置からのレーザ光を前記真空チャンバ内に導
入するよう前記真空チャンバの壁部に設けられた透光窓
とを備える半導体製造装置用のプラズマイグナイタ。1. A plasma igniter that excites molecules or atoms of a gas introduced into a plasma generation space in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus by laser light to generate plasma, the plasma igniter being disposed outside the vacuum chamber. A plasma igniter for a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a laser device; and a light-transmitting window provided on a wall portion of the vacuum chamber for introducing laser light from the laser device into the vacuum chamber.
前記レーザ装置からのレーザ光の光強度を制御するため
の光強度制御手段を備える請求項１記載の半導体製造装
置用のプラズマイグナイタ。2. A vacuum chamber provided outside the vacuum chamber,
The plasma igniter for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a light intensity control unit for controlling a light intensity of the laser light from the laser device.
前記レーザ装置からのレーザ光を偏向させるための光偏
向手段を備える請求項１又は２記載の半導体製造装置用
のプラズマイグナイタ。3. Provided outside the vacuum chamber,
3. The plasma igniter for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a light deflecting unit for deflecting the laser light from the laser device.
真空チャンバ内に導入されたレーザ光を前記プラズマ発
生空間の所望部位に導くための反射鏡を備える請求項１
〜３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用のプラズ
マイグナイタ。4. A reflection mirror provided in the vacuum chamber for guiding the laser light introduced into the vacuum chamber to a desired portion of the plasma generation space.
4. A plasma igniter for a semiconductor manufacturing apparatus according to any one of 3 to 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327228A JP2847056B2 (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | Plasma igniter for semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP7327228A JP2847056B2 (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | Plasma igniter for semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180896A true JPH09180896A (en) | 1997-07-11 |
| JP2847056B2 JP2847056B2 (en) | 1999-01-13 |
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ID=18196756
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| JP7327228A Expired - Fee Related JP2847056B2 (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | Plasma igniter for semiconductor manufacturing equipment |
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| Country | Link |
|---|---|
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1995
- 1995-12-15 JP JP7327228A patent/JP2847056B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JP2847056B2 (en) | 1999-01-13 |
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