JPH09180248A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH09180248A JPH09180248A JP7339790A JP33979095A JPH09180248A JP H09180248 A JPH09180248 A JP H09180248A JP 7339790 A JP7339790 A JP 7339790A JP 33979095 A JP33979095 A JP 33979095A JP H09180248 A JPH09180248 A JP H09180248A
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- JP
- Japan
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- signal
- recording
- light beam
- optical disc
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大容量でしかもＲＯＭ部とＲＡＭ部との間の
トラック間アクセス時間短縮化を図ることが可能なパー
シャルＲＯＭ光ディスクを提供する。 【解決手段】 光ビーム４０６を照射することによって
信号を読み出すことが可能な層を複数有し、そのうちの
少なくとも１層を記録再生消去可能な層４０２とし、他
の層を再生のみ可能な層４０３で構成する光ディスク。
トラック間アクセス時間短縮化を図ることが可能なパー
シャルＲＯＭ光ディスクを提供する。 【解決手段】 光ビーム４０６を照射することによって
信号を読み出すことが可能な層を複数有し、そのうちの
少なくとも１層を記録再生消去可能な層４０２とし、他
の層を再生のみ可能な層４０３で構成する光ディスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、特
に、光ビームを照射することによって信号を読み出すこ
とが可能な層を光ビーム入射面に垂直な方向に少なくと
も２以上有し、かつ、１枚の光ディスクに、情報信号の
記録・再生・消去が可能なＲＡＭ部と、再生のみ可能な
ＲＯＭ部とを設けた、パーシャルＲＯＭディスクに関す
る。
に、光ビームを照射することによって信号を読み出すこ
とが可能な層を光ビーム入射面に垂直な方向に少なくと
も２以上有し、かつ、１枚の光ディスクに、情報信号の
記録・再生・消去が可能なＲＡＭ部と、再生のみ可能な
ＲＯＭ部とを設けた、パーシャルＲＯＭディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、信号を記録再生消去可能なＲＡＭ
部と、予め信号が記録されており再生すなわち信号を読
み出すことのみ可能なＲＯＭ部とを有する、いわゆるパ
ーシャルＲＯＭディスクの提案がなされ、一般に使われ
ている。日本工業規格ＪＩＳＸ ６２７２「９０ｍｍ書
換形及び再生専用形光ディスクカートリッジ」によれ
ば、部分エンボス形ディスクが前記パーシャルＲＯＭデ
ィスクに相当する。（国際規格では、ＩＳＯ／ＩＥＣ
１００９０に対応する。） 従来のパーシャルＲＯＭディスクにおいては、図９に示
すような、ＲＡＭ部の情報トラックは内周側に、ＲＯＭ
部の情報トラックは外周側に、これらが同一層上に位置
した構造を持つものが知られている（例えば、特公平５
ー５９４９４号公報参照）。図中９０１は部分エンボス
形ディスク、９０２はＲＡＭ部すなわち情報信号を記録
再生消去可能な情報トラックを有する領域、９０３はＲ
ＯＭ部すなわち予め情報が記録された再生のみ可能なト
ラックを有する領域を示す。このようなディスクの半径
方向部分断面図を図１０に示す。１００１はポリカーボ
ネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成された基板、１
００２は情報信号を記録再生消去可能な情報トラックを
有するＲＡＭ部、１００３は予め情報が記録された再生
のみ可能なトラックを有するＲＯＭ部、１００４は保護
層である。
部と、予め信号が記録されており再生すなわち信号を読
み出すことのみ可能なＲＯＭ部とを有する、いわゆるパ
ーシャルＲＯＭディスクの提案がなされ、一般に使われ
ている。日本工業規格ＪＩＳＸ ６２７２「９０ｍｍ書
換形及び再生専用形光ディスクカートリッジ」によれ
ば、部分エンボス形ディスクが前記パーシャルＲＯＭデ
ィスクに相当する。（国際規格では、ＩＳＯ／ＩＥＣ
１００９０に対応する。） 従来のパーシャルＲＯＭディスクにおいては、図９に示
すような、ＲＡＭ部の情報トラックは内周側に、ＲＯＭ
部の情報トラックは外周側に、これらが同一層上に位置
した構造を持つものが知られている（例えば、特公平５
ー５９４９４号公報参照）。図中９０１は部分エンボス
形ディスク、９０２はＲＡＭ部すなわち情報信号を記録
再生消去可能な情報トラックを有する領域、９０３はＲ
ＯＭ部すなわち予め情報が記録された再生のみ可能なト
ラックを有する領域を示す。このようなディスクの半径
方向部分断面図を図１０に示す。１００１はポリカーボ
ネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成された基板、１
００２は情報信号を記録再生消去可能な情報トラックを
有するＲＡＭ部、１００３は予め情報が記録された再生
のみ可能なトラックを有するＲＯＭ部、１００４は保護
層である。
【０００３】また、図１１に示すような、信号を記録可
能なＲＡＭ部を有するＲＡＭディスクと、信号が予め固
定されたＲＯＭ部を有するＲＯＭディスクとを、中空部
を介して、はめ合わせ、１枚のディスクとした構造を持
つ光ディスクがある（例えば、特公平５ー４４１０６号
公報）。図１１において、１１０１は凹凸状のピットが
形成された反射率３〜４％でほぼ透明なＲＯＭディス
ク、１１０２は例えばＴｅを含む記録膜１１０４を備え
たＲＡＭディスク、１１０３は中空部である。ＲＯＭデ
ィスク１１０１とＲＡＭディスク１１０２は情報信号が
記録された面を互いに対向させ、中空部１１０３を介し
て、前記ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは外周及び内
周縁部で結合している。このＲＯＭディスクとＲＡＭデ
ィスクは着脱自在に構成されており、用途に応じて種々
のディスクと組み合わせることが可能となっている。
能なＲＡＭ部を有するＲＡＭディスクと、信号が予め固
定されたＲＯＭ部を有するＲＯＭディスクとを、中空部
を介して、はめ合わせ、１枚のディスクとした構造を持
つ光ディスクがある（例えば、特公平５ー４４１０６号
公報）。図１１において、１１０１は凹凸状のピットが
形成された反射率３〜４％でほぼ透明なＲＯＭディス
ク、１１０２は例えばＴｅを含む記録膜１１０４を備え
たＲＡＭディスク、１１０３は中空部である。ＲＯＭデ
ィスク１１０１とＲＡＭディスク１１０２は情報信号が
記録された面を互いに対向させ、中空部１１０３を介し
て、前記ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは外周及び内
周縁部で結合している。このＲＯＭディスクとＲＡＭデ
ィスクは着脱自在に構成されており、用途に応じて種々
のディスクと組み合わせることが可能となっている。
【０００４】さらに従来より知られている公知例として
は、図１２に示すような、光ビームの照射によって光学
的定数の変化する記録層を二層以上積層した多層光ディ
スクがある。これは、記録密度の向上を目的としたもの
である。
は、図１２に示すような、光ビームの照射によって光学
的定数の変化する記録層を二層以上積層した多層光ディ
スクがある。これは、記録密度の向上を目的としたもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べたも
ののうち最初に述べた公知例においては、第一に、同一
層上にＲＡＭ部とＲＯＭ部を有しているため、ディスク
片面当たりの記憶容量は、全面にＲＡＭ部もしくはＲＯ
Ｍ部を有するディスクを越えることがなく、また第二
に、ＲＯＭ部の情報に関連した情報をＲＡＭ部に記録し
ようとする場合、ＲＯＭ部から半径方向に離れた位置に
あるＲＡＭ部へのトラックアクセスが必要となり、この
物理的な距離のため、記録可能な状態になるまで時間が
かかるという問題点があった。この問題点は、光ディス
ク記録再生装置に高速アクセス用のリニアモータを使用
すれば解消するが、その場合には装置の複雑化や高コス
ト化をもたらすという不具合を生じていた。
ののうち最初に述べた公知例においては、第一に、同一
層上にＲＡＭ部とＲＯＭ部を有しているため、ディスク
片面当たりの記憶容量は、全面にＲＡＭ部もしくはＲＯ
Ｍ部を有するディスクを越えることがなく、また第二
に、ＲＯＭ部の情報に関連した情報をＲＡＭ部に記録し
ようとする場合、ＲＯＭ部から半径方向に離れた位置に
あるＲＡＭ部へのトラックアクセスが必要となり、この
物理的な距離のため、記録可能な状態になるまで時間が
かかるという問題点があった。この問題点は、光ディス
ク記録再生装置に高速アクセス用のリニアモータを使用
すれば解消するが、その場合には装置の複雑化や高コス
ト化をもたらすという不具合を生じていた。
【０００６】従来の技術のうち第二に述べた公知例にお
いては、ＲＯＭ部とＲＡＭ部を別々に製造しているた
め、その構造が、多層ではないという点で本発明と異な
り、かつ、複雑なものであって製造コストが高いという
こと、また、ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは着脱自
在に構成されていることからＲＯＭディスクもしくはＲ
ＡＭディスクを取り替える際に中空部へ塵芥が混入する
恐れがあるということ、などの問題点を有していた。
いては、ＲＯＭ部とＲＡＭ部を別々に製造しているた
め、その構造が、多層ではないという点で本発明と異な
り、かつ、複雑なものであって製造コストが高いという
こと、また、ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは着脱自
在に構成されていることからＲＯＭディスクもしくはＲ
ＡＭディスクを取り替える際に中空部へ塵芥が混入する
恐れがあるということ、などの問題点を有していた。
【０００７】そして従来の技術のうち第三に述べた公知
例においては、だだ単に記録密度を向上させる目的で多
層化がなされたものであり、ＲＡＭ部とＲＯＭ部との併
用によるパーシャルＲＯＭディスクとしての使用という
ことについては考慮されておらず、そのため、上記した
ようなＲＯＭ部からＲＡＭ部へのトラックアクセスに時
間がかかるという問題点の解決手段を提供していないこ
とは言うまでもない。
例においては、だだ単に記録密度を向上させる目的で多
層化がなされたものであり、ＲＡＭ部とＲＯＭ部との併
用によるパーシャルＲＯＭディスクとしての使用という
ことについては考慮されておらず、そのため、上記した
ようなＲＯＭ部からＲＡＭ部へのトラックアクセスに時
間がかかるという問題点の解決手段を提供していないこ
とは言うまでもない。
【０００８】本発明は、従来の技術の有する上記問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、ディスクの記憶容量を減らすことなく、また、信号
を記録するＲＡＭ部への記録可能となる時間を短縮さ
せ、さらに各ＲＡＭ部やＲＯＭ部の層間に塵芥などが混
入する恐れをなくし、大容量で高速かつ安定した信号の
記録再生消去を可能とした光ディスクを提供しようとす
るものである。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、ディスクの記憶容量を減らすことなく、また、信号
を記録するＲＡＭ部への記録可能となる時間を短縮さ
せ、さらに各ＲＡＭ部やＲＯＭ部の層間に塵芥などが混
入する恐れをなくし、大容量で高速かつ安定した信号の
記録再生消去を可能とした光ディスクを提供しようとす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における光ディスクは、光ビームを照射する
ことによって信号を読み出すことが可能な層（ＲＯＭ層
もしくはＲＡＭ層）を複数有し、そのうちの少なくとも
１層を記録再生消去可能な層（ＲＡＭ層）とし、他の層
を再生のみ可能な層（ＲＯＭ層）で構成した多層構造よ
りなるものである。
に、本発明における光ディスクは、光ビームを照射する
ことによって信号を読み出すことが可能な層（ＲＯＭ層
もしくはＲＡＭ層）を複数有し、そのうちの少なくとも
１層を記録再生消去可能な層（ＲＡＭ層）とし、他の層
を再生のみ可能な層（ＲＯＭ層）で構成した多層構造よ
りなるものである。
【００１０】そして、信号を記録再生消去可能な層（Ｒ
ＡＭ層）に関しては、信号を記録消去する際には光ビー
ムのエネルギーが強くなくてはならないため、記録再生
消去可能な層は、光ビーム入射面に垂直な方向に少なく
とも２以上配置された層のうち、光ビームが入射する面
に最も近い位置に設けられることが好ましい。
ＡＭ層）に関しては、信号を記録消去する際には光ビー
ムのエネルギーが強くなくてはならないため、記録再生
消去可能な層は、光ビーム入射面に垂直な方向に少なく
とも２以上配置された層のうち、光ビームが入射する面
に最も近い位置に設けられることが好ましい。
【００１１】また、記録再生消去可能な層には、結晶状
態と非晶質状態とが加熱または冷却によって可逆的に相
変化を起こすことで光学定数を変化させ情報を記録もし
くは消去させるような相変化膜を用いることもできる。
態と非晶質状態とが加熱または冷却によって可逆的に相
変化を起こすことで光学定数を変化させ情報を記録もし
くは消去させるような相変化膜を用いることもできる。
【００１２】そして、記録再生消去可能な層に、上記の
ような相変化膜を用いた場合には、後記する理由によ
り、その記録再生消去可能な層には、層の全面に予め、
信号を記録させておくことが望ましい。その信号の情報
内容は、意味が有っても無くてもよい。
ような相変化膜を用いた場合には、後記する理由によ
り、その記録再生消去可能な層には、層の全面に予め、
信号を記録させておくことが望ましい。その信号の情報
内容は、意味が有っても無くてもよい。
【００１３】さらに、信号を記録再生消去可能な層は、
磁極の向きを上向きまたは下向きに設定することで光学
特性を変化させて信号の記録再生消去を可能とするよう
な光磁気膜で構成してもよい。
磁極の向きを上向きまたは下向きに設定することで光学
特性を変化させて信号の記録再生消去を可能とするよう
な光磁気膜で構成してもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明における実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明の、特に請求項１、その他に請求項８、請求項９、及
び請求項１３に対応する実施の形態に係る光ディスクの
半径方向への部分断面図である。図中１０１はポリカー
ボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成された基板
で、その厚さは約０．５８ｍｍである。なお、基板１０
１の１０２側の表面上には、成形によってあらかじめ、
微細な情報ピットが形成されている。その情報ピット上
には１０２を形成する。１０２は信号を再生することの
み可能なアルミニウムや金などの薄膜からなるＲＯＭ層
で、スパッタや蒸着によって作製される。また１０５は
保護層で、その材質は基板１０１と同様のポリカーボネ
イトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成され、その厚さは
約０．５８ｍｍである。保護層１０５の表面に、情報信
号の記録再生消去時に光ビームを所定の位置に案内する
ための案内溝（グルーブ）を形成する場合には、保護層
１０５の１０３側の表面上に、成形によってあらかじ
め、そのグルーブを形成する。そのような保護層１０５
上には１０３を形成する。１０３は信号を記録再生消去
可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層である。そのＲＡＭ
層１０３と上記のＲＯＭ層１０２の各層とも、その厚さ
はごくわずかなものであり、ｎｍオーダーである。これ
らの、ＲＯＭ層１０２が形成された透明基板１０１と、
ＲＡＭ層１０３が形成された保護層１０５とを、ＲＯＭ
層１０２とＲＡＭ層１０３とが対向するように、１０４
を介して接着し、１枚の光ディスクを構成する。１０４
はＲＯＭ層１０２とＲＡＭ層１０３を隔離かつ接着する
中間層であり、光ビームの透過率の高い透明部材により
形成され、厚さは４０μｍ程度である。その透明部材の
一例として、紫外線硬化樹脂が挙げられ、例えば、日本
合成ゴム製紫外線硬化型接着剤モデルナンバーＫＺ８６
１１Ｊ（波長が６５０ｎｍの光ビームの場合、その透過
率は９９％以上である。）を使用する。上記したよう
に、それぞれの層は積層され、層状の構造をなしてお
り、全体としてのディスクの厚さが１．２ｍｍとなるよ
うに設計されている。なお、前記ＲＯＭ層１０２、ＲＡ
Ｍ層１０３及び中間層１０４は、光ディスクの有効面の
全面に渡って形成されている。もしくは、ＲＡＭ層１０
３の一部に予め情報ピットによるＲＯＭデータを記録し
たＲＯＭ部を設け、部分的なＲＡＭ層としてもよい。
について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明の、特に請求項１、その他に請求項８、請求項９、及
び請求項１３に対応する実施の形態に係る光ディスクの
半径方向への部分断面図である。図中１０１はポリカー
ボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成された基板
で、その厚さは約０．５８ｍｍである。なお、基板１０
１の１０２側の表面上には、成形によってあらかじめ、
微細な情報ピットが形成されている。その情報ピット上
には１０２を形成する。１０２は信号を再生することの
み可能なアルミニウムや金などの薄膜からなるＲＯＭ層
で、スパッタや蒸着によって作製される。また１０５は
保護層で、その材質は基板１０１と同様のポリカーボネ
イトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成され、その厚さは
約０．５８ｍｍである。保護層１０５の表面に、情報信
号の記録再生消去時に光ビームを所定の位置に案内する
ための案内溝（グルーブ）を形成する場合には、保護層
１０５の１０３側の表面上に、成形によってあらかじ
め、そのグルーブを形成する。そのような保護層１０５
上には１０３を形成する。１０３は信号を記録再生消去
可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層である。そのＲＡＭ
層１０３と上記のＲＯＭ層１０２の各層とも、その厚さ
はごくわずかなものであり、ｎｍオーダーである。これ
らの、ＲＯＭ層１０２が形成された透明基板１０１と、
ＲＡＭ層１０３が形成された保護層１０５とを、ＲＯＭ
層１０２とＲＡＭ層１０３とが対向するように、１０４
を介して接着し、１枚の光ディスクを構成する。１０４
はＲＯＭ層１０２とＲＡＭ層１０３を隔離かつ接着する
中間層であり、光ビームの透過率の高い透明部材により
形成され、厚さは４０μｍ程度である。その透明部材の
一例として、紫外線硬化樹脂が挙げられ、例えば、日本
合成ゴム製紫外線硬化型接着剤モデルナンバーＫＺ８６
１１Ｊ（波長が６５０ｎｍの光ビームの場合、その透過
率は９９％以上である。）を使用する。上記したよう
に、それぞれの層は積層され、層状の構造をなしてお
り、全体としてのディスクの厚さが１．２ｍｍとなるよ
うに設計されている。なお、前記ＲＯＭ層１０２、ＲＡ
Ｍ層１０３及び中間層１０４は、光ディスクの有効面の
全面に渡って形成されている。もしくは、ＲＡＭ層１０
３の一部に予め情報ピットによるＲＯＭデータを記録し
たＲＯＭ部を設け、部分的なＲＡＭ層としてもよい。
【００１５】１０６は光ビームであり、基板１０１側か
ら照射される。ＲＯＭ層１０２によって信号を再生する
場合には、前記光ビーム１０６はＲＯＭ層１０２に焦点
を合わせるよう制御される。また、ＲＡＭ層１０３に信
号を記録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム
１０６はＲＡＭ層１０３に焦点を合わせるよう制御され
る。
ら照射される。ＲＯＭ層１０２によって信号を再生する
場合には、前記光ビーム１０６はＲＯＭ層１０２に焦点
を合わせるよう制御される。また、ＲＡＭ層１０３に信
号を記録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム
１０６はＲＡＭ層１０３に焦点を合わせるよう制御され
る。
【００１６】図２は、図１の光ディスクにおいて、ＲＡ
Ｍ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、Ｒ
ＯＭ層によって信号を再生する場合のときの光ビームの
照射の状態を示す図である。図２（ａ）の状態が、ＲＯ
Ｍ層を再生する場合を示し、図２（ｂ）の状態がＲＡＭ
層に記録、再生、もしくは消去する場合を示す。図中２
０１は基板、２０２はＲＯＭ層、２０３はＲＡＭ層、２
０４は中間層、２０５は保護層、２０６は光ビームであ
り、それぞれの構成要素の特徴は図１の場合と同様であ
る。
Ｍ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、Ｒ
ＯＭ層によって信号を再生する場合のときの光ビームの
照射の状態を示す図である。図２（ａ）の状態が、ＲＯ
Ｍ層を再生する場合を示し、図２（ｂ）の状態がＲＡＭ
層に記録、再生、もしくは消去する場合を示す。図中２
０１は基板、２０２はＲＯＭ層、２０３はＲＡＭ層、２
０４は中間層、２０５は保護層、２０６は光ビームであ
り、それぞれの構成要素の特徴は図１の場合と同様であ
る。
【００１７】ＲＯＭ層による信号の再生は、図２（ａ）
に示すように、ＲＯＭ層２０２の情報トラック上に光ビ
ーム２０６の焦点を結ばせ、ＲＯＭ層２０２の情報トラ
ック上に形成された情報ピットから得られる変調データ
を再生することで、ＲＯＭ層２０２から情報信号を再生
する。また、ＲＡＭ層への記録消去または再生は、図２
（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層２０３の情報トラック上
に、ＲＯＭ層２０２及び中間層２０４を介して光ビーム
２０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡＭ層２０３からの再
生は、ＲＡＭ層上に焦点を結んだ光ビームが反射して、
中間層２０４及びＲＯＭ層２０２を介して戻ってくる光
信号を検出して行う。
に示すように、ＲＯＭ層２０２の情報トラック上に光ビ
ーム２０６の焦点を結ばせ、ＲＯＭ層２０２の情報トラ
ック上に形成された情報ピットから得られる変調データ
を再生することで、ＲＯＭ層２０２から情報信号を再生
する。また、ＲＡＭ層への記録消去または再生は、図２
（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層２０３の情報トラック上
に、ＲＯＭ層２０２及び中間層２０４を介して光ビーム
２０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡＭ層２０３からの再
生は、ＲＡＭ層上に焦点を結んだ光ビームが反射して、
中間層２０４及びＲＯＭ層２０２を介して戻ってくる光
信号を検出して行う。
【００１８】光ビーム２０６が図２（ａ）のＲＯＭ層２
０２の情報トラックを再生し、この再生信号のデータを
処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層２０３に記
録する場合には、光ビーム２０６の焦点を層間移動処理
し、図２（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層２０２の略同一半
径に位置するＲＡＭ層２０３上の情報トラックに記録す
る。このように処理することにより、光ビームの移動距
離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層の情報
トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの間のト
ラックアクセスを短時間で行うことができる。そして、
この場合には、同一面内にＲＯＭ部とＲＡＭ部とを有し
た従来のパーシャルＲＯＭディスクにおけるような高速
アクセス用のリニアモータを用いる必要もない。
０２の情報トラックを再生し、この再生信号のデータを
処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層２０３に記
録する場合には、光ビーム２０６の焦点を層間移動処理
し、図２（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層２０２の略同一半
径に位置するＲＡＭ層２０３上の情報トラックに記録す
る。このように処理することにより、光ビームの移動距
離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層の情報
トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの間のト
ラックアクセスを短時間で行うことができる。そして、
この場合には、同一面内にＲＯＭ部とＲＡＭ部とを有し
た従来のパーシャルＲＯＭディスクにおけるような高速
アクセス用のリニアモータを用いる必要もない。
【００１９】なお、ＲＡＭ層の使用方法として、上記の
ようなＲＯＭ層の情報トラックからの再生信号のデータ
に関連するデータをＲＯＭ層の略同一半径に位置するＲ
ＡＭ層の情報トラックに記録すること以外に、コンピュ
ータソフトのバージョンアップの際にバージョンアップ
したデータをＲＡＭ層に記憶させるという使い方もでき
る。
ようなＲＯＭ層の情報トラックからの再生信号のデータ
に関連するデータをＲＯＭ層の略同一半径に位置するＲ
ＡＭ層の情報トラックに記録すること以外に、コンピュ
ータソフトのバージョンアップの際にバージョンアップ
したデータをＲＡＭ層に記憶させるという使い方もでき
る。
【００２０】図３は本発明の、特に請求項１１及び請求
項１２、その他に請求項１、請求項２、及び請求項１３
に対応する実施の形態に係る光ディスクの半径方向への
部分断面図である。図中３０１は光ビームを透過可能な
透明樹脂から成る透明基板、３０２は信号を記録再生消
去可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層、３０３は信号を
再生のみ可能な第１のＲＯＭ層、３０４はＲＡＭ層３０
２と第１のＲＯＭ層３０３を隔離する第１の中間層であ
り、３０５は信号を再生のみ可能な第２のＲＯＭ層、３
０６は第１のＲＯＭ層３０３と第２のＲＯＭ層３０５を
隔離する第２の中間層であり、３０７は信号を再生のみ
可能な第３のＲＯＭ層、３０８は第２のＲＯＭ層３０５
と第３のＲＯＭ層３０７を隔離する第３の中間層であ
り、３０９は保護層である。３１０は光ビームであり、
基板３０１側から照射される。
項１２、その他に請求項１、請求項２、及び請求項１３
に対応する実施の形態に係る光ディスクの半径方向への
部分断面図である。図中３０１は光ビームを透過可能な
透明樹脂から成る透明基板、３０２は信号を記録再生消
去可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層、３０３は信号を
再生のみ可能な第１のＲＯＭ層、３０４はＲＡＭ層３０
２と第１のＲＯＭ層３０３を隔離する第１の中間層であ
り、３０５は信号を再生のみ可能な第２のＲＯＭ層、３
０６は第１のＲＯＭ層３０３と第２のＲＯＭ層３０５を
隔離する第２の中間層であり、３０７は信号を再生のみ
可能な第３のＲＯＭ層、３０８は第２のＲＯＭ層３０５
と第３のＲＯＭ層３０７を隔離する第３の中間層であ
り、３０９は保護層である。３１０は光ビームであり、
基板３０１側から照射される。
【００２１】この図３に示すような光ディスクを製造す
る方法の一例を以下に述べる。まず、基板３０１はポリ
カーボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂によって、約
０．５４ｍｍの厚さに構成される。その基板３０１のＲ
ＡＭ層３０２側の表面に、上述の案内溝（グルーブ）を
設ける場合には、成形によって予め、その表面にグルー
ブが形成される。そのような透明基板３０１上に、ＲＡ
Ｍ層３０２が形成される。続いて、ＲＡＭ層３０２上に
２Ｐ（フォトポリマー）法によってＲＯＭ層３０３側に
微細な情報ピットが成形されたフォトポリマーから成る
中間層３０４が形成される。そして、その中間層３０４
上には、ＲＯＭ層３０３が形成される。このようにして
製造された光ディスクの部材を、部材Ａとする。一方、
保護層３０９は、基板３０１と同様の透明樹脂によっ
て、約０．５４ｍｍの厚さに構成される。その保護層３
０９のＲＯＭ層３０７側の表面には、成形によって予
め、エンボスによる微細な情報ピットが形成される。そ
して、その情報ピット上に、ＲＯＭ層３０７が形成され
る。続いて、ＲＯＭ層３０７上に上記と同様の２Ｐ法に
よってＲＯＭ層３０５側に微細な情報ピットが成形され
た中間層３０８が形成される。そして、その中間層３０
８上には、ＲＯＭ層３０５が形成される。このようにし
て製造された光ディスクの部材を、部材Ｂとする。これ
らの部材Ａと部材Ｂを、前記の紫外線硬化樹脂から成る
中間層３０６によって接着を行い、１枚の光ディスクを
製造する。なお、上記の中間層３０４、３０６、及び３
０８は、約４０μｍ程度の厚さに作製される。また、Ｒ
ＯＭ層３０３、３０５、及び３０７は、アルミニウムや
金などの薄膜から成り、スパッタや蒸着によって作製さ
れる。３０２のＲＡＭ層、及び、３０３、３０５、３０
７の各ＲＯＭ層の厚さは、いずれもごくわずかなもので
あり、ｎｍオーダーである。これらの上記した層はそれ
ぞれ積層され、層状の構造をなし、全体としてのディス
クの厚さが１．２ｍｍとなるように設計される。このよ
うに構成された光ディスクでは、第１、第２及び第３の
ＲＯＭ層上の情報トラックから再生されたデータに関連
する情報を、ＲＡＭ層３０２の略同一半径上に記録する
ことが可能となる。
る方法の一例を以下に述べる。まず、基板３０１はポリ
カーボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂によって、約
０．５４ｍｍの厚さに構成される。その基板３０１のＲ
ＡＭ層３０２側の表面に、上述の案内溝（グルーブ）を
設ける場合には、成形によって予め、その表面にグルー
ブが形成される。そのような透明基板３０１上に、ＲＡ
Ｍ層３０２が形成される。続いて、ＲＡＭ層３０２上に
２Ｐ（フォトポリマー）法によってＲＯＭ層３０３側に
微細な情報ピットが成形されたフォトポリマーから成る
中間層３０４が形成される。そして、その中間層３０４
上には、ＲＯＭ層３０３が形成される。このようにして
製造された光ディスクの部材を、部材Ａとする。一方、
保護層３０９は、基板３０１と同様の透明樹脂によっ
て、約０．５４ｍｍの厚さに構成される。その保護層３
０９のＲＯＭ層３０７側の表面には、成形によって予
め、エンボスによる微細な情報ピットが形成される。そ
して、その情報ピット上に、ＲＯＭ層３０７が形成され
る。続いて、ＲＯＭ層３０７上に上記と同様の２Ｐ法に
よってＲＯＭ層３０５側に微細な情報ピットが成形され
た中間層３０８が形成される。そして、その中間層３０
８上には、ＲＯＭ層３０５が形成される。このようにし
て製造された光ディスクの部材を、部材Ｂとする。これ
らの部材Ａと部材Ｂを、前記の紫外線硬化樹脂から成る
中間層３０６によって接着を行い、１枚の光ディスクを
製造する。なお、上記の中間層３０４、３０６、及び３
０８は、約４０μｍ程度の厚さに作製される。また、Ｒ
ＯＭ層３０３、３０５、及び３０７は、アルミニウムや
金などの薄膜から成り、スパッタや蒸着によって作製さ
れる。３０２のＲＡＭ層、及び、３０３、３０５、３０
７の各ＲＯＭ層の厚さは、いずれもごくわずかなもので
あり、ｎｍオーダーである。これらの上記した層はそれ
ぞれ積層され、層状の構造をなし、全体としてのディス
クの厚さが１．２ｍｍとなるように設計される。このよ
うに構成された光ディスクでは、第１、第２及び第３の
ＲＯＭ層上の情報トラックから再生されたデータに関連
する情報を、ＲＡＭ層３０２の略同一半径上に記録する
ことが可能となる。
【００２２】図４は本発明の、特に請求項２、その他に
請求項１、請求項８、請求項１０、及び請求項１３に対
応する実施の形態に係る光ディスクの半径方向への部分
断面図である。図中４０１はポリカーボネイトやＰＭＭ
Ａなどの透明樹脂で構成された基板で、その層の厚さは
約０．５８ｍｍである。透明基板４０１の４０２側の表
面に、前述の案内溝（グルーブ）を形成する場合には、
成形によってあらかじめ、そのグルーブを形成してお
く。その基板４０１上に、信号を記録再生消去可能な記
録膜で構成されたＲＡＭ層４０２が形成される。４０５
は保護層で、その層の厚さは約０．５８ｍｍであり、基
板４０１と同様の材質によって形成されている。なお、
保護層４０５の４０３側の表面上には、成形によってあ
らかじめ、微細な情報ピットが形成されている。その情
報ピット上には、信号を再生のみ可能なＲＯＭ層４０３
が形成される。そのＲＯＭ層４０３、及び、上記のＲＡ
Ｍ層４０２は、各層ともｎｍオーダーのごくわずかな厚
さである。これらの、ＲＡＭ層４０２の形成された透明
基板４０１と、ＲＯＭ層４０３の形成された保護層４０
５とを、ＲＡＭ層４０２とＲＯＭ層４０３とが対向する
ように、４０４によって接着を行う。４０４はＲＡＭ層
４０２とＲＯＭ層４０３を接着し、かつ、隔離する中間
層であり、紫外線硬化樹脂などの透明部材により形成さ
れ、その厚さは４０μｍ程度である。この図４に示すよ
うな、光ビーム入射面に垂直な方向に配置された層のう
ち、光ビーム入射面に近い位置に、ＲＡＭ層の位置を設
定することによって、一般に強い光ビームのエネルギー
を必要とするＲＡＭ層の情報トラックへの情報の記録を
効率よく行うことが可能となる。なお、前記ＲＡＭ層４
０２、ＲＯＭ層４０３及び中間層４０４は、光ディスク
の有効面の全面に渡って形成されている。もしくは、Ｒ
ＡＭ層４０２の一部に予め情報ピットによるＲＯＭデー
タを記録したＲＯＭ部を設け、部分的なＲＡＭ層として
もよい。４０６は光ビームであり、基板４０１側から照
射される。ＲＡＭ層４０２に信号を記録、再生、もしく
は消去する場合には、光ビーム４０６はＲＡＭ層４０２
に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＯＭ層４０
３によって信号を再生する場合には、前記光ビーム４０
６はＲＯＭ層４０３に焦点を合わせるよう制御される。
請求項１、請求項８、請求項１０、及び請求項１３に対
応する実施の形態に係る光ディスクの半径方向への部分
断面図である。図中４０１はポリカーボネイトやＰＭＭ
Ａなどの透明樹脂で構成された基板で、その層の厚さは
約０．５８ｍｍである。透明基板４０１の４０２側の表
面に、前述の案内溝（グルーブ）を形成する場合には、
成形によってあらかじめ、そのグルーブを形成してお
く。その基板４０１上に、信号を記録再生消去可能な記
録膜で構成されたＲＡＭ層４０２が形成される。４０５
は保護層で、その層の厚さは約０．５８ｍｍであり、基
板４０１と同様の材質によって形成されている。なお、
保護層４０５の４０３側の表面上には、成形によってあ
らかじめ、微細な情報ピットが形成されている。その情
報ピット上には、信号を再生のみ可能なＲＯＭ層４０３
が形成される。そのＲＯＭ層４０３、及び、上記のＲＡ
Ｍ層４０２は、各層ともｎｍオーダーのごくわずかな厚
さである。これらの、ＲＡＭ層４０２の形成された透明
基板４０１と、ＲＯＭ層４０３の形成された保護層４０
５とを、ＲＡＭ層４０２とＲＯＭ層４０３とが対向する
ように、４０４によって接着を行う。４０４はＲＡＭ層
４０２とＲＯＭ層４０３を接着し、かつ、隔離する中間
層であり、紫外線硬化樹脂などの透明部材により形成さ
れ、その厚さは４０μｍ程度である。この図４に示すよ
うな、光ビーム入射面に垂直な方向に配置された層のう
ち、光ビーム入射面に近い位置に、ＲＡＭ層の位置を設
定することによって、一般に強い光ビームのエネルギー
を必要とするＲＡＭ層の情報トラックへの情報の記録を
効率よく行うことが可能となる。なお、前記ＲＡＭ層４
０２、ＲＯＭ層４０３及び中間層４０４は、光ディスク
の有効面の全面に渡って形成されている。もしくは、Ｒ
ＡＭ層４０２の一部に予め情報ピットによるＲＯＭデー
タを記録したＲＯＭ部を設け、部分的なＲＡＭ層として
もよい。４０６は光ビームであり、基板４０１側から照
射される。ＲＡＭ層４０２に信号を記録、再生、もしく
は消去する場合には、光ビーム４０６はＲＡＭ層４０２
に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＯＭ層４０
３によって信号を再生する場合には、前記光ビーム４０
６はＲＯＭ層４０３に焦点を合わせるよう制御される。
【００２３】図５は、図４の光ディスクにおいて、ＲＡ
Ｍ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、Ｒ
ＯＭ層によって信号を再生する場合の、光ビームの照射
の状態を示す図である。図５（ａ）の状態が、ＲＯＭ層
によって信号を再生する場合を示し、図５（ｂ）の状態
がＲＡＭ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
を示す。図中５０１は基板、５０２はＲＡＭ層、５０３
はＲＯＭ層、５０４は中間層、５０５は保護層、５０６
は光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図４の
場合と同様である。
Ｍ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、Ｒ
ＯＭ層によって信号を再生する場合の、光ビームの照射
の状態を示す図である。図５（ａ）の状態が、ＲＯＭ層
によって信号を再生する場合を示し、図５（ｂ）の状態
がＲＡＭ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
を示す。図中５０１は基板、５０２はＲＡＭ層、５０３
はＲＯＭ層、５０４は中間層、５０５は保護層、５０６
は光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図４の
場合と同様である。
【００２４】ＲＯＭ層による信号の再生は、図５（ａ）
に示すように、ＲＡＭ層５０２及び中間層５０４を介し
てＲＯＭ層５０３の情報トラック上に光ビーム５０６の
焦点を結ばせ、ＲＯＭ層５０３の情報トラック上に形成
された情報ピットから得られる反射された光信号を中間
層５０４及びＲＡＭ層５０２を介して検出し、変調デー
タを再生することで、ＲＯＭ層５０３から情報信号を再
生する。また、ＲＡＭ層への信号の記録消去または再生
は、図５（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層５０２の情報ト
ラック上に光ビーム５０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡ
Ｍ層５０２からの信号の再生は、ＲＡＭ層上に焦点を結
んだ光ビームが反射して、戻ってくる光信号を検出して
行う。
に示すように、ＲＡＭ層５０２及び中間層５０４を介し
てＲＯＭ層５０３の情報トラック上に光ビーム５０６の
焦点を結ばせ、ＲＯＭ層５０３の情報トラック上に形成
された情報ピットから得られる反射された光信号を中間
層５０４及びＲＡＭ層５０２を介して検出し、変調デー
タを再生することで、ＲＯＭ層５０３から情報信号を再
生する。また、ＲＡＭ層への信号の記録消去または再生
は、図５（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層５０２の情報ト
ラック上に光ビーム５０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡ
Ｍ層５０２からの信号の再生は、ＲＡＭ層上に焦点を結
んだ光ビームが反射して、戻ってくる光信号を検出して
行う。
【００２５】光ビーム入射面に垂直な方向に少なくとも
２以上配置された層のうち、記録再生消去可能な層を、
光ビーム入射面に最も近い位置に設けることによって、
記録再生消去可能な層への信号の記録を精度よく行うこ
とができる。
２以上配置された層のうち、記録再生消去可能な層を、
光ビーム入射面に最も近い位置に設けることによって、
記録再生消去可能な層への信号の記録を精度よく行うこ
とができる。
【００２６】光ビーム５０６が図５（ａ）のＲＯＭ層５
０３の情報トラックの信号を再生し、この再生信号のデ
ータを処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層５０
２に記録する場合には、光ビーム５０６の焦点を層間移
動処理し、図５（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層５０３の略
同一半径に位置するＲＡＭ層５０２上の情報トラックに
記録する。このように処理することにより、光ビームの
移動距離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層
の情報トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの
間のトラックアクセスは短時間で行うことができる。
０３の情報トラックの信号を再生し、この再生信号のデ
ータを処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層５０
２に記録する場合には、光ビーム５０６の焦点を層間移
動処理し、図５（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層５０３の略
同一半径に位置するＲＡＭ層５０２上の情報トラックに
記録する。このように処理することにより、光ビームの
移動距離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層
の情報トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの
間のトラックアクセスは短時間で行うことができる。
【００２７】このように、光ビーム入射面に垂直な方向
に少なくとも２以上配置された層のうち、記録再生消去
可能な層を、光ビーム入射面に最も近い位置に設けるこ
とによって、記録再生消去可能な層への信号の記録を効
率よく行うことができる。
に少なくとも２以上配置された層のうち、記録再生消去
可能な層を、光ビーム入射面に最も近い位置に設けるこ
とによって、記録再生消去可能な層への信号の記録を効
率よく行うことができる。
【００２８】図６は本発明の、特に請求項４、その他に
請求項１、請求項２、請求項８、請求項１０、及び請求
項１３に対応する実施の形態に係る光ディスクの半径方
向への部分断面図である。図６（ａ）において、６０１
はポリカーボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成さ
れた基板、６０２は信号を記録再生消去可能ＲＡＭ層、
６０３は信号を再生のみ可能なＲＯＭ層、６０４はＲＡ
Ｍ層６０２とＲＯＭ層６０３を隔離する中間層であり、
６０５は保護層である。この図で特徴的なことは、ＲＡ
Ｍ層６０２が相変化膜で形成されていることである。こ
の相変化膜は、出力制御を伴った光ビームの照射による
加熱及び冷却によって、例えば結晶状態と非晶質状態と
の可逆的な相変化を生じさせ、反射率等の光学的定数を
変化させることにより、信号を記録及び消去させること
ができるものである。なお、信号を読み出す場合には光
ビームの出力を記録時の１０分の１程度に下げて行われ
る。この相変化膜をＲＡＭ層として用いると、相変化膜
は短波長の光ビームを用いた場合にもＣＮ比が高いとい
う長所のほか、ＲＡＭ層として光磁気膜などを用いた場
合に必要な磁界発生装置等が不要となるため、光ディス
ク記録再生装置の構造を簡易なものにでき、また、信号
が記録されているＲＡＭ層にさらに別の信号を記録する
操作も光ビームの出力制御等のみの容易なものとするこ
とが可能となる。なお、その他の構成要素の特徴は、図
４の場合と同様である。６０６は光ビームであり、基板
６０１側から照射される。ＲＡＭ層６０２に信号を記
録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム６０６
はＲＡＭ層６０２に焦点を合わせるよう制御される。ま
た、ＲＯＭ層６０３によって信号を再生する場合には、
前記光ビーム６０６はＲＯＭ層６０３に焦点を合わせる
よう制御される。
請求項１、請求項２、請求項８、請求項１０、及び請求
項１３に対応する実施の形態に係る光ディスクの半径方
向への部分断面図である。図６（ａ）において、６０１
はポリカーボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成さ
れた基板、６０２は信号を記録再生消去可能ＲＡＭ層、
６０３は信号を再生のみ可能なＲＯＭ層、６０４はＲＡ
Ｍ層６０２とＲＯＭ層６０３を隔離する中間層であり、
６０５は保護層である。この図で特徴的なことは、ＲＡ
Ｍ層６０２が相変化膜で形成されていることである。こ
の相変化膜は、出力制御を伴った光ビームの照射による
加熱及び冷却によって、例えば結晶状態と非晶質状態と
の可逆的な相変化を生じさせ、反射率等の光学的定数を
変化させることにより、信号を記録及び消去させること
ができるものである。なお、信号を読み出す場合には光
ビームの出力を記録時の１０分の１程度に下げて行われ
る。この相変化膜をＲＡＭ層として用いると、相変化膜
は短波長の光ビームを用いた場合にもＣＮ比が高いとい
う長所のほか、ＲＡＭ層として光磁気膜などを用いた場
合に必要な磁界発生装置等が不要となるため、光ディス
ク記録再生装置の構造を簡易なものにでき、また、信号
が記録されているＲＡＭ層にさらに別の信号を記録する
操作も光ビームの出力制御等のみの容易なものとするこ
とが可能となる。なお、その他の構成要素の特徴は、図
４の場合と同様である。６０６は光ビームであり、基板
６０１側から照射される。ＲＡＭ層６０２に信号を記
録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム６０６
はＲＡＭ層６０２に焦点を合わせるよう制御される。ま
た、ＲＯＭ層６０３によって信号を再生する場合には、
前記光ビーム６０６はＲＯＭ層６０３に焦点を合わせる
よう制御される。
【００２９】図６（ｂ）は、図６（ａ）を実際の使用に
供した際の一実施例を示している。図６（ｂ）では、Ｒ
ＡＭ層６０２に、スパッタ又は蒸着によって作製される
保護層６０７及び反射層６０８とを伴なわせ、多層構造
から成るＲＡＭ層としている。保護層６０７にはＺｎＳ
−ＳｉＯ２等を、反射層６０８にはアルミニウム合金等
を、また相変化膜６０２にはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５等を、
例えば、使用する。
供した際の一実施例を示している。図６（ｂ）では、Ｒ
ＡＭ層６０２に、スパッタ又は蒸着によって作製される
保護層６０７及び反射層６０８とを伴なわせ、多層構造
から成るＲＡＭ層としている。保護層６０７にはＺｎＳ
−ＳｉＯ２等を、反射層６０８にはアルミニウム合金等
を、また相変化膜６０２にはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５等を、
例えば、使用する。
【００３０】このように、記録再生消去可能な層として
相変化膜を用いることによって、短波長の光ビームを用
いた場合にもＣＮ比が高いという長所のほか、ＲＡＭ層
として光磁気膜などを用いた場合には必要な磁界発生装
置等が不要となるため、光ディスク記録再生装置の構造
を簡易なものにでき、また、信号が記録されているＲＡ
Ｍ層にさらに信号を記録する操作も光ビームの出力制御
等のみの容易なものとすることが可能となる。
相変化膜を用いることによって、短波長の光ビームを用
いた場合にもＣＮ比が高いという長所のほか、ＲＡＭ層
として光磁気膜などを用いた場合には必要な磁界発生装
置等が不要となるため、光ディスク記録再生装置の構造
を簡易なものにでき、また、信号が記録されているＲＡ
Ｍ層にさらに信号を記録する操作も光ビームの出力制御
等のみの容易なものとすることが可能となる。
【００３１】次に、請求項３及び請求項５に関係する図
７の説明を、図６に示した実施の形態の場合の、ＲＯＭ
層からの再生信号レベルについて行う。図７の縦軸はＲ
ＡＭ層を介してＲＯＭ層から再生されるＨＦ再生信号レ
ベルを、横軸は時間を表す。図７（ａ）は、ＲＡＭ層の
一部にのみ情報信号を記録したときのＲＯＭ層再生信号
レベルの例を示す。また、図７（ｂ）は、ＲＡＭ層の全
面に、ランダムな情報信号をあらかじめ記録しておいた
場合のＲＯＭ層再生信号レベルの例を示す。図７（ａ）
に示すように、ＲＡＭ層の一部にのみ情報信号を記録し
た場合においては、情報信号の記録されたＲＡＭ層を通
過するときには、透過率の変化が起こり、ＲＯＭ層再生
信号レベルに変動が現れ、安定した信号再生が困難とな
る。これに対して、ＲＡＭ層の全面に情報信号を記録し
た場合においては、図７（ｂ）に示すように、透過率の
変化はなく、ＲＯＭ層再生信号レベルに変動が現れず、
安定して信号再生が行える。そこで、請求項５に記載し
たように、図６に示した光ディスクに、その光ディスク
がその光ディスクを最初に使用する者によって最初に使
用される時に記録再生消去可能な層の全面に渡って無意
味な信号を既に記録しておき、言い換えると、光ディス
クから情報信号を再生もしくは記録消去する前に予め、
ＲＡＭ層に無意味な意味のないデータ、例えば最小マー
クを繰り返すようなパターンとなる信号や不規則で意味
を持たないランダムな信号等をＲＡＭ層の全面に記録し
ておき、ＲＡＭ層への情報記録が必要となったときの
み、予め記録されたデータ上に上書きする。なお、上記
の意味のない無意味なデータの信号は、例えば、ＲＡＭ
層を一時的なＲＯＭ層として代用するような場合には、
もちろん、意味のある情報性を有するデータの信号とし
てもよい。
７の説明を、図６に示した実施の形態の場合の、ＲＯＭ
層からの再生信号レベルについて行う。図７の縦軸はＲ
ＡＭ層を介してＲＯＭ層から再生されるＨＦ再生信号レ
ベルを、横軸は時間を表す。図７（ａ）は、ＲＡＭ層の
一部にのみ情報信号を記録したときのＲＯＭ層再生信号
レベルの例を示す。また、図７（ｂ）は、ＲＡＭ層の全
面に、ランダムな情報信号をあらかじめ記録しておいた
場合のＲＯＭ層再生信号レベルの例を示す。図７（ａ）
に示すように、ＲＡＭ層の一部にのみ情報信号を記録し
た場合においては、情報信号の記録されたＲＡＭ層を通
過するときには、透過率の変化が起こり、ＲＯＭ層再生
信号レベルに変動が現れ、安定した信号再生が困難とな
る。これに対して、ＲＡＭ層の全面に情報信号を記録し
た場合においては、図７（ｂ）に示すように、透過率の
変化はなく、ＲＯＭ層再生信号レベルに変動が現れず、
安定して信号再生が行える。そこで、請求項５に記載し
たように、図６に示した光ディスクに、その光ディスク
がその光ディスクを最初に使用する者によって最初に使
用される時に記録再生消去可能な層の全面に渡って無意
味な信号を既に記録しておき、言い換えると、光ディス
クから情報信号を再生もしくは記録消去する前に予め、
ＲＡＭ層に無意味な意味のないデータ、例えば最小マー
クを繰り返すようなパターンとなる信号や不規則で意味
を持たないランダムな信号等をＲＡＭ層の全面に記録し
ておき、ＲＡＭ層への情報記録が必要となったときの
み、予め記録されたデータ上に上書きする。なお、上記
の意味のない無意味なデータの信号は、例えば、ＲＡＭ
層を一時的なＲＯＭ層として代用するような場合には、
もちろん、意味のある情報性を有するデータの信号とし
てもよい。
【００３２】このように、記録再生消去可能な層が相変
化膜によって構成される場合において、その層の全面
に、信号を予め記録することによって、信号を再生する
ことのみ可能な層からの信号を安定かつ精度よく検出す
ることができる。
化膜によって構成される場合において、その層の全面
に、信号を予め記録することによって、信号を再生する
ことのみ可能な層からの信号を安定かつ精度よく検出す
ることができる。
【００３３】図８は本発明の、特に請求項７、その他に
請求項１、請求項２、請求項８、請求項１０、及び請求
項１３に対応する実施の形態に係る光ディスクの半径方
向への部分断面図である。図中８０１はポリカーボネイ
トやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成された基板、８０２
は信号を記録再生消去可能ＲＡＭ層、８０３は信号を再
生のみ可能なＲＯＭ層、８０４はＲＡＭ層８０２とＲＯ
Ｍ層８０３を接着かつ隔離する中間層であり、８０５は
保護層である。この図８における特徴としては、ＲＡＭ
層８０２が光磁気膜によって構成されていることであ
る。光磁気膜は、その磁極の向きを上向きまたは下向き
に設定することで、情報の再生もしくは記録消去を行う
ことができる。なお、その他の構成要素の特徴は図４の
場合と同様である。
請求項１、請求項２、請求項８、請求項１０、及び請求
項１３に対応する実施の形態に係る光ディスクの半径方
向への部分断面図である。図中８０１はポリカーボネイ
トやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成された基板、８０２
は信号を記録再生消去可能ＲＡＭ層、８０３は信号を再
生のみ可能なＲＯＭ層、８０４はＲＡＭ層８０２とＲＯ
Ｍ層８０３を接着かつ隔離する中間層であり、８０５は
保護層である。この図８における特徴としては、ＲＡＭ
層８０２が光磁気膜によって構成されていることであ
る。光磁気膜は、その磁極の向きを上向きまたは下向き
に設定することで、情報の再生もしくは記録消去を行う
ことができる。なお、その他の構成要素の特徴は図４の
場合と同様である。
【００３４】８０６は光ビームであり、基板８０１側か
ら照射される。ＲＡＭ層８０２に信号を記録、再生、も
しくは消去する場合には、光ビーム８０６はＲＡＭ層８
０２に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＯＭ層
８０３によって信号を再生する場合には、前記光ビーム
８０６はＲＯＭ層８０３に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、光磁気膜で構成されたＲＡＭ層８０２を用い
た場合には、情報が記録されている場合とされていない
場合とでは、ＲＡＭ層８０２の透過率及び反射率の変化
は殆どなく、ＲＯＭ層８０３の情報再生信号への影響は
ほとんどない。
ら照射される。ＲＡＭ層８０２に信号を記録、再生、も
しくは消去する場合には、光ビーム８０６はＲＡＭ層８
０２に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＯＭ層
８０３によって信号を再生する場合には、前記光ビーム
８０６はＲＯＭ層８０３に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、光磁気膜で構成されたＲＡＭ層８０２を用い
た場合には、情報が記録されている場合とされていない
場合とでは、ＲＡＭ層８０２の透過率及び反射率の変化
は殆どなく、ＲＯＭ層８０３の情報再生信号への影響は
ほとんどない。
【００３５】このように、記録再生消去可能な層を光磁
気膜で構成することによって、相変化膜の場合に必要で
あった記録再生消去可能な層への信号の記録を予めする
ことなく、信号を再生することのみ可能な層からの信号
の読み出しを安定して行うことができる。
気膜で構成することによって、相変化膜の場合に必要で
あった記録再生消去可能な層への信号の記録を予めする
ことなく、信号を再生することのみ可能な層からの信号
の読み出しを安定して行うことができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。光
ビームを照射することによって信号を読み出すことが可
能な層（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ層）が光ビーム入射面
に垂直な方向に少なくとも２以上配置された多層の光デ
ィスクにおいて、上記の信号を読み出すことが可能な層
（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ層）を、信号を読み出すこと
の他に信号を記録及び消去することが可能である少なく
とも１層の記録再生消去可能な層（ＲＡＭ層）と、信号
を読み出すことのみ可能な層（ＲＯＭ層）とによって構
成することにより、ディスクの記憶容量を減らすことな
く、また、信号を記録するＲＡＭ層へのＲＯＭ層からの
記録可能となる時間を短縮させ、さらに各ＲＡＭ層やＲ
ＯＭ層の層間に塵芥などが混入する恐れをなくし、大容
量で高速かつ安定した信号の記録再生消去が可能とな
る。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。光
ビームを照射することによって信号を読み出すことが可
能な層（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ層）が光ビーム入射面
に垂直な方向に少なくとも２以上配置された多層の光デ
ィスクにおいて、上記の信号を読み出すことが可能な層
（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ層）を、信号を読み出すこと
の他に信号を記録及び消去することが可能である少なく
とも１層の記録再生消去可能な層（ＲＡＭ層）と、信号
を読み出すことのみ可能な層（ＲＯＭ層）とによって構
成することにより、ディスクの記憶容量を減らすことな
く、また、信号を記録するＲＡＭ層へのＲＯＭ層からの
記録可能となる時間を短縮させ、さらに各ＲＡＭ層やＲ
ＯＭ層の層間に塵芥などが混入する恐れをなくし、大容
量で高速かつ安定した信号の記録再生消去が可能とな
る。
【図１】本発明の特に請求項１による実施の形態を示す
断面図
断面図
【図２】本発明の特に請求項１による実施の形態による
光ディスク再生を説明するための図
光ディスク再生を説明するための図
【図３】本発明の特に請求項１１及び１２による実施の
形態を示す断面図
形態を示す断面図
【図４】本発明の特に請求項２による実施の形態を示す
断面図
断面図
【図５】本発明の特に請求項２による実施の形態による
光ディスク再生を説明するための図
光ディスク再生を説明するための図
【図６】本発明の特に請求項４による実施の形態を示す
断面図
断面図
【図７】本発明の特に請求項５による実施の形態におけ
る信号再生を説明するための図
る信号再生を説明するための図
【図８】本発明の特に請求項７による実施の形態を示す
断面図
断面図
【図９】第一の従来例を示す模式図
【図１０】第一の従来例を示す部分断面図
【図１１】第二の従来例を示す部分断面図
【図１２】第三の従来例を示す部分断面図
１０１、４０１、１００１、１２０３ 基板 １０２、３０３、４０３ ＲＯ
Ｍ層 １０３、３０２、４０２ ＲＡ
Ｍ層 １０４、３０４、４０４、１２０２ 中間
層 １０５、４０５、６０７、１００４、１２０４ 保護
層 ６０８ 反射
層 １０６、３１０、４０６ 光ビ
ーム ９０１ パー
シャルＲＯＭディスク ９０２、１００２ ＲＡ
Ｍ部 ９０３、１００３ ＲＯ
Ｍ部 １１０１ ＲＯ
Ｍディスク １１０２ ＲＡ
Ｍディスク １１０３ 中空
部 １１０４、１２０１ 記録
膜
Ｍ層 １０３、３０２、４０２ ＲＡ
Ｍ層 １０４、３０４、４０４、１２０２ 中間
層 １０５、４０５、６０７、１００４、１２０４ 保護
層 ６０８ 反射
層 １０６、３１０、４０６ 光ビ
ーム ９０１ パー
シャルＲＯＭディスク ９０２、１００２ ＲＡ
Ｍ部 ９０３、１００３ ＲＯ
Ｍ部 １１０１ ＲＯ
Ｍディスク １１０２ ＲＡ
Ｍディスク １１０３ 中空
部 １１０４、１２０１ 記録
膜
Claims (13)
- 【請求項１】 光ビームを照射することによって信号を
読み出すことが可能な層が、光ビーム入射面に垂直な方
向に少なくとも２以上配置された多層の光ディスクにお
いて、前記信号を読み出すことが可能な層が、信号を読
み出すことの他に信号を記録及び消去することが可能で
ある少なくとも１層の記録再生消去可能な層と、信号を
読み出すことのみ可能な層とから成ることを特徴とする
光ディスク。 - 【請求項２】 前記記録再生消去可能な層が、光ビーム
入射面に垂直な方向に少なくとも２以上配置された層の
うち、光ビーム入射面に最も近い位置に設けられたこと
を特徴とする請求項１記載の光ディスク。 - 【請求項３】 光ビームを照射することによって信号を
読み出すことの他に信号を記録及び消去することが可能
である記録再生消去可能な層と、その記録再生消去可能
な層を透過してくる光ビームを照射することによって信
号を読み出すことのみ可能である信号を読み出すことの
み可能な層と、を備える多層の光ディスクにおいて、前
記記録再生消去可能な層は、前記多層の光ディスクがそ
の多層の光ディスクを最初に使用する者によって最初に
使用される時にその記録再生消去可能な層の全面に渡っ
て無意味な信号が既に記録されていることを特徴とする
光ディスク。 - 【請求項４】 前記記録再生消去可能な層が、相変化膜
で構成されたことを特徴とする請求項２及び請求項３記
載の光ディスク。 - 【請求項５】 光ビームを照射することによって信号を
読み出すことが可能な層が、光ビーム入射面に垂直な方
向に少なくとも２以上配置された多層の光ディスクにお
いて、前記信号を読み出すことが可能な層が、信号を読
み出すことの他に信号を記録及び消去することが可能で
ある少なくとも１層の記録再生消去可能な層と、信号を
読み出すことのみ可能な層とから成り、前記記録再生消
去可能な層は、光ビーム入射面に垂直な方向に少なくと
も２以上配置された層のうち光ビーム入射面に最も近い
位置に設けられ、相変化膜から成る層であり、かつ、前
記多層の光ディスクがその多層の光ディスクを最初に使
用する者によって最初に使用される時にその記録再生消
去可能な層の全面に渡って無意味な信号が既に記録され
ているという構成から成ることを特徴とする光ディス
ク。 - 【請求項６】 前記無意味な信号に替えて、意味のある
情報性を有する信号が、前記記録再生消去可能な層の全
面に渡って記録されていることを特徴とする請求項３及
び請求項５記載の光ディスク。 - 【請求項７】 前記記録再生消去可能な層が、光磁気膜
で構成されたことを特徴とする請求項２記載の光ディス
ク。 - 【請求項８】 光を透過可能な透明基板と、その透明基
板の片面上に形成された信号を読み出すことが可能な第
一の層と、その信号を読み出すことが可能な第一の層の
片面上であって前記透明基板が形成された面とは反対の
面上に形成され、光を透過可能であり、かつ、紫外線の
照射によって硬化する紫外線硬化樹脂から成る中間層
と、その中間層の片面上であって前記信号を読み出すこ
とが可能な第一の層が形成された面とは反対の面上に形
成された信号を読み出すことが可能な第二の層と、その
信号を読み出すことが可能な第二の層の片面上であって
前記中間層が形成された面とは反対の面上に形成された
保護層と、から成ることを特徴とする請求項１記載の光
ディスク。 - 【請求項９】 前記信号を読み出すことが可能な第一の
層が、前記透明基板の片面であって前記信号を読み出す
ことが可能な第一の層が形成されている面に情報信号を
表現する形状として予め成形によって形成された情報ピ
ットとを伴ない、その情報ピット上に形成された光を反
射可能な金属反射層によって構成され、かつ、前記信号
を読み出すことが可能な第二の層が、前記記録再生消去
可能な層によって構成されることを特徴とする請求項８
記載の光ディスク。 - 【請求項１０】 前記信号を読み出すことが可能な第一
の層が、前記記録再生消去可能な層によって構成され、
かつ、前記信号を読み出すことが可能な第二の層が、前
記保護層の片面であって前記信号を読み出すことが可能
な第二の層が形成されている面に情報信号を表現する形
状として予め成形によって形成された情報ピットとを伴
ない、その情報ピット上に形成された光を反射可能な金
属反射層によって構成されることを特徴とする請求項８
記載の光ディスク。 - 【請求項１１】 光ビームを照射することによって信号
を読み出すことが可能な層が、光ビーム入射面に垂直な
方向に少なくとも３以上配置された多層の光ディスクに
おいて、一方の最も外側の層として配置された光を透過
可能な透明基板と、もう一方の最も外側の層として配置
された保護層と、それらの透明基板と保護層との間に少
なくとも３以上配置された前記信号を読み出すことが可
能な層と、その信号を読み出すことが可能な層のそれぞ
れを隔離すると伴に光を透過可能な材料から成る複数の
中間層と、を具備し、かつ、前記信号を読み出すことが
可能な層が、信号を読み出すことの他に信号を記録及び
消去することが可能である少なくとも１層の記録再生消
去可能な層と、信号を読み出すことのみ可能な層とから
成ることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項１２】 前記中間層が、紫外線硬化樹脂から成
る１層の中間層と、フォトポリマーから成る少なくとも
１層の中間層と、によって構成されていることを特徴と
する請求項１１記載の光ディスク。 - 【請求項１３】 前記中間層の厚さが略４０μｍであっ
て、前記光ディスクの全体としての厚さが略１．２ｍｍ
となるよう構成されたことを特徴とする請求項８、又は
請求項１１記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33979095A JP3522937B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33979095A JP3522937B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180248A true JPH09180248A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3522937B2 JP3522937B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=18330836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33979095A Expired - Fee Related JP3522937B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3522937B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023542A1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and optical information recording method, optical information recording device |
| US6996049B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk recording apparatus, optical disk recording method, optical disk reproducing apparatus, and optical disk capable of interlayer crosstalk reduction |
| WO2007026740A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Pioneer Corporation | 情報記録媒体、情報記録装置及び方法、情報再生装置及び方法、並びに、コンピュータプログラム |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP33979095A patent/JP3522937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023542A1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and optical information recording method, optical information recording device |
| EP1318509A1 (en) * | 2000-09-13 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and optical information recording method, optical information recording device |
| EP1318509A4 (en) * | 2000-09-13 | 2007-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | MEDIUM, METHOD AND DEVICE FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING |
| KR100760839B1 (ko) * | 2000-09-13 | 2007-09-27 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광학적 정보 기록 매체 및 광학적 정보 기록 방법, 광학적정보 기록 장치 |
| US7376058B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium containing a plurality of recording layers provided with characteristics to achieve optimum recording conditions |
| US7894318B2 (en) | 2000-09-13 | 2011-02-22 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium, optical information recording method, and optical information recording apparatus |
| US6996049B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk recording apparatus, optical disk recording method, optical disk reproducing apparatus, and optical disk capable of interlayer crosstalk reduction |
| US7215626B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk recording apparatus, optical disk recording method, optical disk reproducing apparatus, and optical disk capable of interlayer crosstalk reduction |
| WO2007026740A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Pioneer Corporation | 情報記録媒体、情報記録装置及び方法、情報再生装置及び方法、並びに、コンピュータプログラム |
| US8144568B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-03-27 | Pioneer Corporation | Information recording medium, information recording apparatus and method, and information reproducing apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3522937B2 (ja) | 2004-04-26 |
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