JP3522938B2 - 光ディスクの信号記録再生方法 - Google Patents
光ディスクの信号記録再生方法Info
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Description
に、光ビームを照射することによって信号を読み出すこ
とが可能な層を光ビーム入射面に垂直な方向に少なくと
も2以上有し、かつ、1枚の光ディスクに、情報信号の
記録・再生・消去が可能なRAM部と、再生のみ可能な
ROM部とを設けた、パーシャルROMディスクの信号
記録再生方法に関する。
部と、予め信号が記録されており再生すなわち信号を読
み出すことのみ可能なROM部とを有する、いわゆるパ
ーシャルROMディスクの提案がなされ、一般に使われ
ている。日本工業規格JISX 6272「90mm書
換形及び再生専用形光ディスクカートリッジ」によれ
ば、部分エンボス形ディスクが前記パーシャルROMデ
ィスクに相当する。(国際規格では、ISO/IEC
10090に対応する。) 従来のパーシャルROMディスクにおいては、図9に示
すような、RAM部の情報トラックは内周側に、ROM
部の情報トラックは外周側に、これらが同一層上に位置
した構造を持つものが知られている(例えば、特公平5
ー59494号公報参照)。図中901は部分エンボス
形ディスク、902はRAM部すなわち情報信号を記録
再生消去可能な情報トラックを有する領域、903はR
OM部すなわち予め情報が記録された再生のみ可能なト
ラックを有する領域を示す。このようなディスクの半径
方向部分断面図を図10に示す。1001はポリカーボ
ネイト(PC)やポリメチルメタクリレート(PMM
A)などの透明樹脂で構成された透明基板、1002は
情報信号を記録再生消去可能な情報トラックを有するR
AM部、1003は予め情報が記録された再生のみ可能
なトラックを有するROM部、1004は保護層であ
る。
能なRAM部を有するRAMディスクと、信号が予め固
定されたROM部を有するROMディスクとを、中空部
を介して、はめ合わせ、1枚のディスクとした構造を持
つ光ディスクがある(例えば、特公平5ー44106号
公報)。図11において、1101は凹凸状のピットが
形成された反射率3〜4%でほぼ透明なROMディス
ク、1102は例えばTeを含む記録膜1104を備え
たRAMディスク、1103は中空部である。ROMデ
ィスク1101とRAMディスク1102は情報信号が
記録された面を互いに対向させ、中空部1103を介し
て、前記ROMディスクとRAMディスクは外周及び内
周縁部で結合している。このROMディスクとRAMデ
ィスクは着脱自在に構成されており、用途に応じて種々
のディスクと組み合わせることが可能となっている。
は、図12に示すような、光ビームの照射によって光学
的定数の変化する記録層を2層以上積層した多層光ディ
スクがある。これは、記録密度の向上を目的としたもの
である。
ののうち最初に述べた公知例においては、第一に、同一
層上にRAM部とROM部を有しているため、ディスク
片面当たりの記憶容量は、全面にRAM部もしくはRO
M部を有するディスクを越えることがなく、また第二
に、ROM部の情報に関連した情報をRAM部に記録し
ようとする場合、ROM部から半径方向に離れた位置に
あるRAM部へのトラックアクセスが必要となり、この
物理的な距離のため、記録可能な状態になるまで時間が
かかるという問題点があった。この問題点は、光ディス
ク記録再生装置に高速アクセス用のリニアモータを使用
すれば解消するが、その場合には装置の複雑化や高コス
ト化をもたらすという不具合を生じていた。
いては、ROM部とRAM部を別々に製造しているた
め、その構造が、多層ではないという点で本発明と異な
り、かつ、複雑なものであって製造コストが高いという
こと、また、ROMディスクとRAMディスクは着脱自
在に構成されていることからROMディスクもしくはR
AMディスクを取り替える際に中空部へ塵芥が混入する
恐れがあるということ、などの問題点を有していた。
例においては、だだ単に記録密度を向上させる目的で多
層化がなされたものであり、RAM部とROM部との併
用によるパーシャルROMディスクとしての使用という
ことについては考慮されておらず、そのため、上記した
ようなROM部からRAM部へのトラックアクセスに時
間がかかるという問題点の解決手段を提供していないこ
とは言うまでもない。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、ディスクの記憶容量を減らすことなく、また、信号
を記録するRAM部への記録可能となる時間を短縮さ
せ、さらに各RAM部やROM部の層間に塵芥などが混
入する恐れをなくし、大容量で高速かつ安定した信号の
記録再生消去を可能とした光ディスクの信号記録再生方
法を提供しようとするものである。
に、本発明における光ディスクは、光ビームを照射する
ことによって信号を読み出すことが可能な層(ROM層
もしくはRAM層)を複数有し、そのうちの少なくとも
1層を記録再生消去可能な層(RAM層)とし、他の層
を再生のみ可能な層(ROM層)で構成した多層構造よ
りなる多層ディスクと、それと同様の多層ディスク又は
従来の単層若しくは多層の光ディスクと、を貼り合わせ
た構成から成るものである。
AM層)に関しては、信号を記録消去する際には光ビー
ムのエネルギーが強くなくてはならないため、記録再生
消去可能な層は、光ビーム入射面に垂直な方向に少なく
とも2以上配置された層のうち、光ビームが入射する面
に最も近い位置に設けられることが好ましい。
態と非晶質状態とが加熱または冷却によって可逆的に相
変化を起こすことで光学定数を変化させ情報を記録もし
くは消去させるような相変化膜を用いることもできる。
ような相変化膜を用いた場合には、後記する理由によ
り、その記録再生消去可能な層には、層の全面に予め、
信号を記録させておくことが望ましい。その信号の情報
内容は、意味が有っても無くてもよい。
磁極の向きを上向きまたは下向きに設定することで光学
特性を変化させて信号の記録再生消去を可能とするよう
な光磁気膜で構成してもよい。
について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発
明に係る参考例であり第1の光ディスクの半径方向への
部分断面図である。図中101はポリカーボネイト(P
C)やポリメチルメタクリレート(PMMA)などの透
明樹脂で構成された透明基板である。なお、透明基板1
01の102側の表面上には、情報信号を表現する形状
としての微細な情報ピットが、成形によってあらかじ
め、形成されている。その情報ピット上には102を形
成する。102は信号を再生することのみ可能なアルミ
ニウムや金などの薄膜からなるROM層で、スパッタや
蒸着によって作製される。さらにそのROM層102上
には104が形成される。104はROM層102と後
述のRAM層103を隔離かつ接着する中間層であり、
光ビームの透過率の高い透明部材により形成され、厚さ
は約40μm程度である。この場合の透明部材の一例と
しては、紫外線硬化樹脂が挙げられ、例えば、日本合成
ゴム製紫外線硬化型接着剤モデルナンバーKZ8611
J(波長が650nmの光ビームの場合、その透過率は
99%以上である。)を使用する。続いてその中間層1
04上には103を形成する。103は信号を記録再生
消去可能な記録膜で構成されたRAM層である。そのR
AM層103と上記のROM層102の各層とも、その
厚さはごくわずかなものであり、nmオーダーである。
また、上記のROM層102、RAM層103及び中間
層104については、光ディスクの有効面の全面に渡っ
て形成されている。もしくは、RAM層103の一部
に、情報ピットによるROMデータをあらかじめ記録し
たROM部を設け、部分的なRAM層としてもよい。な
お、もしも、RAM層103が設けられている中間層1
04の表面上に、情報信号の記録再生消去時に光ビーム
を所定の位置に案内するための案内溝(グルーブ)を形
成するような場合には、中間層104は、2P(フォト
ポリマー)法を用いて、そのグルーブの形状が刻まれて
いるスタンパーの面がRAM層103が設置される面に
転写されてそのグルーブが形成されたフォトポリマーを
材質として、ROM層102上に作製される。RAM層
103が形成された後、最後に、RAM層103上には
105が形成され。105は保護層で、その材質は中間
層104と同様の紫外線硬化樹脂で構成される。上記の
ように、それぞれの層は積層され、層状の構造を成して
おり、厚さが約0.6mmの多層ディスクが形成される
ように、各層の厚さが設計される。そして、そのような
多層ディスク2枚(A面ディスク及びB面ディスク)
を、図1に示すように、保護層が対向するように貼り合
わせ、本発明の光ディスクにおいては、全体としてのデ
ィスクの厚さが約1.2mmとなるように構成される。
その際の貼り合わせにおいては、例えば、紫外線硬化樹
脂や粘着シートを用いる方法あるいはホットメルト法に
よる接着方法などによって、2枚の多層ディスクの貼り
合わせを行う。なお、貼り合わせられた多層ディスク
(A面ディスク)と同様の構成を有する貼り合わせた多
層ディスク(B面ディスク)に付された図中に記載の符
号についての説明であるが、101と101’、102
と102’、103と103’等の関係にある符号で示
された箇所は、互いに同様のものであることを示す。以
降の明細書、図面、及び要約書においては、特に記載し
ない限り、101等に関する記載は、101’等に関し
ても同様に適用されるものとする。
1側から照射される。ROM層102によって信号を再
生する場合には、前記光ビーム106はROM層102
に焦点を合わせるよう制御される。また、RAM層10
3に信号を記録、再生、もしくは消去する場合には、光
ビーム106はRAM層103に焦点を合わせるよう制
御される。そして、光ビーム106’を基板101’側
から照射した場合においても、上記の説明と同様である
が、ROM層102’によって信号を再生する場合に
は、前記光ビーム106’はROM層102’に焦点を
合わせるよう制御され、RAM層103’に信号を記
録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム10
6’はRAM層103’に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、図1においては、106と106’の2つの
光ビームを使用する場合の実施の形態を示したが、例え
ば、基板101側から2つの光ビームで信号の記録及び
再生をそれぞれ行いながら、基板101’側から1つの
光ビームで信号の再生を行うなど、同時に2以上の複数
の光ビームを使用する場合があってもよい。
せることによって、光ディスクの記憶容量において、さ
らなる大容量化を図ることが可能となり、また、光ビー
ム106と光ビーム106’とを光ディスクの両面から
照射でき、例えば、2つの光ビームによる情報信号の光
ディスク両面同時再生や、光ディスクの片面から読み出
した信号に関連するデータの書き込みを他の片面に瞬時
に行う読み書き動作の高速切り替えなど、作業の高効率
化を図ることができる。
M層103に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
と、ROM層102によって信号を再生する場合のとき
の光ビームの照射の状態を示す図である。図2(a)の
状態が、ROM層を再生する場合を示し、図2(b)の
状態がRAM層に記録、再生、もしくは消去する場合を
示す。図中201は基板、202はROM層、203は
RAM層、204は中間層、205は保護層、206は
光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図1の場
合と同様である。
に示すように、ROM層202の情報トラック上に光ビ
ーム206の焦点を結ばせ、ROM層202の情報トラ
ック上に形成された情報ピットから得られる変調データ
を再生することで、ROM層202から情報信号を再生
する。また、RAM層への記録消去または再生は、図2
(b)に示すように、RAM層203の情報トラック上
に、ROM層202及び中間層204を介して光ビーム
206の焦点を結ばせて行う。RAM層203からの再
生は、RAM層上に焦点を結んだ光ビームが反射して、
中間層204及びROM層202を介して戻ってくる光
信号を検出して行う。
02の情報トラックを再生し、この再生信号のデータを
処理する過程で、関連するデータをRAM層203に記
録する場合には、光ビーム206の焦点を層間移動処理
し、図2(b)の状態にし、ROM層202の略同一半
径に位置するRAM層203上の情報トラックに記録す
る。このように処理することにより、光ビームの移動距
離を高々数10μmとすることができ、ROM層の情報
トラックと関連するRAM層の情報トラックとの間のト
ラックアクセスを短時間で行うことができる。そして、
この場合には、同一面内にROM部とRAM部とを有し
た従来のパーシャルROMディスクにおけるような高速
アクセス用のリニアモータを用いる必要もない。
ようなROM層の情報トラックからの再生信号のデータ
に関連するデータをROM層の略同一半径に位置するR
AM層の情報トラックに記録すること以外に、コンピュ
ータソフトのバージョンアップの際にバージョンアップ
したデータをRAM層に記憶させるという使い方もでき
る。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中301
は光ビームを透過可能な透明樹脂から成る透明基板、3
02は信号を記録再生消去可能な記録膜で構成されたR
AM層、303は信号を再生のみ可能な第1のROM
層、304はRAM層302と第1のROM層303を
隔離する第1の中間層であり、305は信号を再生のみ
可能な第2のROM層、306は第1のROM層303
と第2のROM層305を隔離する第2の中間層であ
り、307は信号を再生のみ可能な第3のROM層、3
08は第2のROM層305と第3のROM層307を
隔離する第3の中間層であり、309は保護層である。
310は光ビームであり、基板301側から照射され
る。
る方法の一例を以下に述べる。まず、透明基板301は
ポリカーボネイト(PC)やポリメチルメタクリレート
(PMMA)などの透明樹脂によって構成される。もし
も、前述の案内溝(グルーブ)を透明基板301のRA
M層302側の表面に形成する場合には、成形によって
あらかじめ形成される。その透明基板301の表面に
は、RAM層302が形成される。続いて、RAM層3
02上に、前述の2P(フォトポリマー)法を用いて、
ROM層303側に微細な情報ピットが成形されたフォ
トポリマーから成る中間層304が形成される。そし
て、その中間層304上には、ROM層303が形成さ
れる。さらにROM層303上には、中間層304と同
様の2P(フォトポリマー)法によって作製された中間
層306が形成される。そして中間層306上にはRO
M層305が形成される。さらに同様に中間層308及
びROM層307が形成される。最後に、ROM層30
7上に、紫外線硬化樹脂から成る保護層309が形成さ
れる。なお、上記の中間層304、306、及び308
は、約40μm程度の厚さに作製される。また、ROM
層303、305、及び307は、アルミニウムや金な
どの薄膜から成り、スパッタや蒸着によって作製され
る。302のRAM層、及び、303、305、307
の各ROM層の厚さは、いずれもごくわずかなものであ
り、nmオーダーである。上記したようにそれぞれの層
は積層され、層状の構造によって、厚さが約0.6mm
の多層ディスクを形成するように構成される。そして、
そのような多層ディスク2枚を、保護層が互いに対向す
るように、図1と同様の方法によって貼り合わせ、本発
明の光ディスクをなしており、全体としてのディスクの
厚さが約1.2mmとなるように設計されている。この
ように構成された光ディスクでは、第1、第2及び第3
のROM層上の情報トラックから再生されたデータに関
連する情報を、RAM層302の略同一半径上に記録す
ることが可能となる。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中401
は、ポリカーボネイト(PC)やポリメチルメタクリレ
ート(PMMA)などの透明樹脂で構成された透明基板
である。透明基板401の402側の表面に、情報信号
の記録再生消去時に光ビームを所定の位置に案内するた
めの前記した案内溝(グルーブ)を形成する場合には、
成形によってあらかじめ、そのグルーブを形成してお
く。そのような透明基板401上には、信号を記録再生
消去可能な記録膜で構成されたRAM層402が形成さ
れる。RAM層402上には404が形成される。40
4はRAM層402と後述の403を接着し、かつ、隔
離する中間層であり、前記の2P(フォトポリマー)法
によって403側に微細な情報ピットが成形されたフォ
トポリマーから成る。中間層404上には、ROM層で
ある403が形成される。最後に、そのROM層403
上に405が形成される。405は保護層で紫外線硬化
樹脂より成る。なお、上記のROM層403、及び、上
記のRAM層402は、各層ともnmオーダーのごくわ
ずかな厚さである。また、中間層404の厚さは約40
μm程度である。上記したようにそれぞれの層は積層さ
れ、多層構造を成し、厚さ約0.6mmの多層ディスク
が構成される。そのような多層ディスク2枚を、図1の
場合と同様の方法によって、保護層が対向するように貼
り合わせ、ディスク全体としての厚さが約1.2mmと
なるように、各層の厚さが設計され、本発明の光ディス
クが構成される。この図4に示すような、光ビーム入射
面に垂直な方向に配置された層のうち、光ビーム入射面
に近い位置に、RAM層の位置を設定することによっ
て、一般に強い光ビームのエネルギーを必要とするRA
M層の情報トラックへの情報の記録を効率よく行うこと
が可能となる。なお、前記RAM層402、ROM層4
03及び中間層404は、光ディスクの有効面の全面に
渡って形成されている。もしくは、RAM層402の一
部に予め情報ピットによるROMデータを記録したRO
M部を設け、部分的なRAM層としてもよい。406は
光ビームであり、基板401側から照射される。RAM
層402に信号を記録、再生、もしくは消去する場合に
は、光ビーム406はRAM層402に焦点を合わせる
よう制御される。また、ROM層403によって信号を
再生する場合には、前記光ビーム406はROM層40
3に焦点を合わせるよう制御される。
M層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、R
OM層によって信号を再生する場合の、光ビームの照射
の状態を示す図である。図5(a)の状態が、ROM層
によって信号を再生する場合を示し、図5(b)の状態
がRAM層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
を示す。図中501は基板、502はRAM層、503
はROM層、504は中間層、505は保護層、506
は光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図4の
場合と同様である。
に示すように、RAM層502及び中間層504を介し
てROM層503の情報トラック上に光ビーム506の
焦点を結ばせ、ROM層503の情報トラック上に形成
された情報ピットから得られる反射された光信号を中間
層504及びRAM層502を介して検出し、変調デー
タを再生することで、ROM層503から情報信号を再
生する。また、RAM層への信号の記録消去または再生
は、図5(b)に示すように、RAM層502の情報ト
ラック上に光ビーム506の焦点を結ばせて行う。RA
M層502からの信号の再生は、RAM層上に焦点を結
んだ光ビームが反射して、戻ってくる光信号を検出して
行う。
2以上配置された層のうち、記録再生消去可能な層を、
光ビーム入射面に最も近い位置に設けることによって、
記録再生消去可能な層への信号の記録を精度よく行うこ
とができる。
03の情報トラックの信号を再生し、この再生信号のデ
ータを処理する過程で、関連するデータをRAM層50
2に記録する場合には、光ビーム506の焦点を層間移
動処理し、図5(b)の状態にし、ROM層503の略
同一半径に位置するRAM層502上の情報トラックに
記録する。このように処理することにより、光ビームの
移動距離を高々数10μmとすることができ、ROM層
の情報トラックと関連するRAM層の情報トラックとの
間のトラックアクセスは短時間で行うことができる。
に少なくとも2以上配置された層のうち、記録再生消去
可能な層を、光ビーム入射面に最も近い位置に設けるこ
とによって、記録再生消去可能な層への信号の記録を効
率よく行うことができる。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図6(a)
において、601はポリカーボネイトやPMMAなどの
透明樹脂で構成された基板、602は信号を記録再生消
去可能RAM層、603は信号を再生のみ可能なROM
層、604はRAM層602とROM層603を隔離す
る中間層であり、605は保護層である。この図で特徴
的なことは、RAM層602が相変化膜で形成されてい
ることである。この相変化膜は、出力制御を伴った光ビ
ームの照射による加熱及び冷却によって、例えば結晶状
態と非晶質状態との可逆的な相変化を生じさせ、反射率
等の光学的定数を変化させることにより、信号を記録及
び消去させることができるものである。なお、信号を読
み出す場合には光ビームの出力を記録時の10分の1程
度に下げて行われる。この相変化膜をRAM層として用
いると、相変化膜は短波長の光ビームを用いた場合にも
CN比が高いという長所のほか、RAM層として光磁気
膜などを用いた場合に必要な磁界発生装置等が不要とな
るため、光ディスク記録再生装置の構造を簡易なものに
でき、また、信号が記録されているRAM層にさらに別
の信号を記録する操作も光ビームの出力制御等のみの容
易なものとすることが可能となる。なお、その他の構成
要素の特徴は、図4の場合と同様である。606は光ビ
ームであり、基板601側から照射される。RAM層6
02に信号を記録、再生、もしくは消去する場合には、
光ビーム606はRAM層602に焦点を合わせるよう
制御される。また、ROM層603によって信号を再生
する場合には、前記光ビーム606はROM層603に
焦点を合わせるよう制御される。
供した際の一実施例を示している。図6(b)では、こ
れまでの単層のRAM層602に、スパッタまたは蒸着
によって作製された保護層607及び反射層608とを
図示するように伴わして設け、多層構造から成るRAM
層としている。保護層607にはZnS−SiO2等
を、反射層608にはアルミニウム合金等を、また相変
化膜602にはGe2Sb2Te5等を、例えば、使用
する。
相変化膜を用いることによって、短波長の光ビームを用
いた場合にもCN比が高いという長所のほか、RAM層
として光磁気膜などを用いた場合には必要な磁界発生装
置等が不要となるため、光ディスク記録再生装置の構造
を簡易なものにでき、また、信号が記録されているRA
M層にさらに信号を記録する操作も光ビームの出力制御
等のみの容易なものとすることが可能となる。
態の場合のROM層からの再生信号レベルを説明する。
図7の縦軸はRAM層を介してROM層から再生される
HF再生信号レベルを、横軸は時間を表す。図7(a)
は、RAM層の一部にのみ情報信号を記録したときのR
OM層再生信号レベルの例を示す。また、図7(b)
は、RAM層の全面に、ランダムな情報信号をあらかじ
め記録しておいた場合のROM層再生信号レベルの例を
示す。図7(a)に示すように、RAM層の一部にのみ
情報信号を記録した場合においては、情報信号の記録さ
れたRAM層を通過するときには、透過率の変化が起こ
り、ROM層再生信号レベルに変動が現れ、安定した信
号再生が困難となる。これに対して、RAM層の全面に
情報信号を記録した場合においては、図7(b)に示す
ように、透過率の変化はなく、ROM層再生信号レベル
に変動が現れず、安定して信号再生が行える。そこで、
請求項4に記載したように、図6に示した光ディスク
に、その光ディスクがその光ディスクを最初に使用する
者によって最初に使用される時に記録再生消去可能な層
の全面に渡って無意味な信号を既に記録しておき、言い
換えると、光ディスクから情報信号を再生もしくは記録
消去する前に予め、RAM層に無意味な意味のないデー
タ、例えば最小マークを繰り返すようなパターンとなる
信号や不規則で意味を持たないランダムな信号等をRA
M層の全面に記録しておき、RAM層への情報記録が必
要となったときのみ、予め記録されたデータ上に上書き
する。なお、上記の意味のない無意味なデータの信号
は、例えば、RAM層を一時的なROM層として代用す
るような場合には、もちろん、意味のある情報性を有す
るデータの信号としてもよい。
化膜によって構成される場合において、その層の全面
に、信号を予め記録することによって、信号を再生する
ことのみ可能な層からの信号を安定かつ精度よく検出す
ることができる。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中801
はポリカーボネイトやPMMAなどの透明樹脂で構成さ
れた基板、802は信号を記録再生消去可能RAM層、
803は信号を再生のみ可能なROM層、804はRA
M層802とROM層803を隔離する中間層であり、
805は保護層である。この図8における特徴として
は、RAM層802が光磁気膜によって構成されている
ことである。光磁気膜は、その磁極の向きを上向きまた
は下向きに設定することで、情報の再生もしくは記録消
去を行うことができる。なお、その他の構成要素の特徴
は図4の場合と同様である。
ら照射される。RAM層802に信号を記録、再生、も
しくは消去する場合には、光ビーム806はRAM層8
02に焦点を合わせるよう制御される。また、ROM層
803によって信号を再生する場合には、前記光ビーム
806はROM層803に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、光磁気膜で構成されたRAM層802を用い
た場合には、情報が記録されている場合とされていない
場合とでは、RAM層802の透過率もしくは反射率の
変化は殆どなく、ROM層803の情報再生信号への影
響はほとんどない。
気膜で構成することによって、相変化膜の場合に必要で
あった記録再生消去可能な層への信号の記録を予めする
ことなく、信号を再生することのみ可能な層からの信号
の読み出しを安定して行うことができる。
は、それぞれの図において説明した多層ディスクを、2
枚貼り合わせることによって1枚の光ディスクを形成し
たが、そのような多層ディスク1枚を片側の光ディスク
として用いると伴に、他方の片側に別の構成から成る光
ディスクを用いて、それらを貼り合わせることによって
1枚の光ディスクを形成することも考えられる。例え
ば、図9に示すような信号を読み出すことのみ可能な層
(ROM層)を少なくとも1層以上有する単層若しくは
多層のROMディスクを他方の片側として、それと前記
の多層ディスクとを貼り合わせて1枚の光ディスクとす
る場合がある。また、図10に示すような信号を記録再
生消去可能な層(RAM層)を少なくとも1層有する単
層若しくは多層のRAMディスクを他方の片側として、
それと前記の多層ディスクとを貼り合わせて1枚の光デ
ィスクとする場合も考えられる。図9及び図10のよう
な貼り合わせによる光ディスクの場合においても、図1
から図8に記載した貼り合わせによる光ディスクの場合
と、同一あるいは類似の作用及び効果を生ずる。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。光
ビームを照射することによって信号を読み出すことが可
能な層(RAM層もしくはROM層)が光ビーム入射面
に垂直な方向に少なくとも2以上配置されておりその信
号を読み出すことが可能な層(RAM層もしくはROM
層)が信号を読み出すことの他に信号を記録及び消去す
ることが可能である少なくとも1層の記録再生消去可能
な層(RAM層)と信号を読み出すことのみ可能な層
(ROM層)とによって構成される多層ディスクと、そ
れと同様の光ディスクと、を貼り合わせて1枚の光ディ
スクとすることにより、光ディスクの記憶容量において
さらなる大容量化を図ることができ、また、信号を記録
するRAM層へのROM層からの記録可能となる時間を
短縮させ、さらに、各RAM層やROM層の層間に塵芥
などが混入する恐れをなくし、その上、光ディスクの両
面からの光ビームの使用による作業の高効率化が図れ、
大容量で高速かつ安定した信号の記録再生消去が可能と
なる。
部分断面図
光ディスク再生を説明するための図
形態を示す部分断面図
部分断面図
光ディスク再生を説明するための図
部分断面図
号再生を説明するための図
部分断面図
す部分断面図
示す部分断面図
M層 103、302、402、902、1002 RA
M層 104、304、404、904、1402 中間
層 105、405、607、905、1204 保護
層 106、310、406 光ビ
ーム 608 反射
層 1101 パー
シャルROMディスク 1102、1202 RA
M部 1103、1203 RO
M部 1301 RO
Mディスク 1302 RA
Mディスク 1303 中空
部 1304、1401 記録
膜
Claims (2)
- 【請求項1】 光ビームが照射されることにより信号が
記録及び再生並びに消去され相変化膜から成る第1の層
と、予め信号が記録されており前記第1の層を介して前
記光ビームが照射されることにより前記予め記録された
信号が読み出される第2の層とを備える多層ディスクを
2枚貼り合わせた光ディスクの信号記録再生方法であっ
て、 予め前記第1の層の全面にランダムな情報信号を記録
し、 その後に前記第2の層からの信号の読出しまたは第1の
層への信号の記録を行うことを特徴とする光ディスクの
信号記録再生方法。 - 【請求項2】 光ビームが照射されることにより信号が
記録及び再生並びに消去され相変化膜から成る第1の層
と、予め信号が記録されており前記第1の層を介して前
記光ビームが照射されることにより前記予め記録された
信号が読み出される第2の層とを備える多層ディスクを
2枚貼り合わせた光ディスクの信号記録再生方法であっ
て、 予め前記第1の層の全面に最少マークの繰り返しパター
ンとなる信号を記録し、 その後に前記第2の層からの信号の読出しまたは第1の
層への信号の記録を行うことを特徴とする光ディスクの
信号記録再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33979195A JP3522938B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33979195A JP3522938B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09180257A JPH09180257A (ja) | 1997-07-11 |
JP3522938B2 true JP3522938B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=18330847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33979195A Expired - Fee Related JP3522938B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3522938B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3699926B2 (ja) | 2001-12-03 | 2005-09-28 | 株式会社東芝 | 光ディスク記録装置、光ディスク記録方法、光ディスク再生装置、光ディスク |
US8429681B2 (en) | 2007-09-06 | 2013-04-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical disc apparatus which includes an optical pickup apparatus that includes an optical member driving apparatus |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP33979195A patent/JP3522938B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH09180257A (ja) | 1997-07-11 |
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