JP3522938B2 - 光ディスクの信号記録再生方法 - Google Patents
光ディスクの信号記録再生方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、特
に、光ビームを照射することによって信号を読み出すこ
とが可能な層を光ビーム入射面に垂直な方向に少なくと
も２以上有し、かつ、１枚の光ディスクに、情報信号の
記録・再生・消去が可能なＲＡＭ部と、再生のみ可能な
ＲＯＭ部とを設けた、パーシャルＲＯＭディスクの信号
記録再生方法に関する。
に、光ビームを照射することによって信号を読み出すこ
とが可能な層を光ビーム入射面に垂直な方向に少なくと
も２以上有し、かつ、１枚の光ディスクに、情報信号の
記録・再生・消去が可能なＲＡＭ部と、再生のみ可能な
ＲＯＭ部とを設けた、パーシャルＲＯＭディスクの信号
記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、信号を記録再生消去可能なＲＡＭ
部と、予め信号が記録されており再生すなわち信号を読
み出すことのみ可能なＲＯＭ部とを有する、いわゆるパ
ーシャルＲＯＭディスクの提案がなされ、一般に使われ
ている。日本工業規格ＪＩＳＸ ６２７２「９０ｍｍ書
換形及び再生専用形光ディスクカートリッジ」によれ
ば、部分エンボス形ディスクが前記パーシャルＲＯＭデ
ィスクに相当する。（国際規格では、ＩＳＯ／ＩＥＣ
１００９０に対応する。） 従来のパーシャルＲＯＭディスクにおいては、図９に示
すような、ＲＡＭ部の情報トラックは内周側に、ＲＯＭ
部の情報トラックは外周側に、これらが同一層上に位置
した構造を持つものが知られている（例えば、特公平５
ー５９４９４号公報参照）。図中９０１は部分エンボス
形ディスク、９０２はＲＡＭ部すなわち情報信号を記録
再生消去可能な情報トラックを有する領域、９０３はＲ
ＯＭ部すなわち予め情報が記録された再生のみ可能なト
ラックを有する領域を示す。このようなディスクの半径
方向部分断面図を図１０に示す。１００１はポリカーボ
ネイト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）などの透明樹脂で構成された透明基板、１００２は
情報信号を記録再生消去可能な情報トラックを有するＲ
ＡＭ部、１００３は予め情報が記録された再生のみ可能
なトラックを有するＲＯＭ部、１００４は保護層であ
る。
部と、予め信号が記録されており再生すなわち信号を読
み出すことのみ可能なＲＯＭ部とを有する、いわゆるパ
ーシャルＲＯＭディスクの提案がなされ、一般に使われ
ている。日本工業規格ＪＩＳＸ ６２７２「９０ｍｍ書
換形及び再生専用形光ディスクカートリッジ」によれ
ば、部分エンボス形ディスクが前記パーシャルＲＯＭデ
ィスクに相当する。（国際規格では、ＩＳＯ／ＩＥＣ
１００９０に対応する。） 従来のパーシャルＲＯＭディスクにおいては、図９に示
すような、ＲＡＭ部の情報トラックは内周側に、ＲＯＭ
部の情報トラックは外周側に、これらが同一層上に位置
した構造を持つものが知られている（例えば、特公平５
ー５９４９４号公報参照）。図中９０１は部分エンボス
形ディスク、９０２はＲＡＭ部すなわち情報信号を記録
再生消去可能な情報トラックを有する領域、９０３はＲ
ＯＭ部すなわち予め情報が記録された再生のみ可能なト
ラックを有する領域を示す。このようなディスクの半径
方向部分断面図を図１０に示す。１００１はポリカーボ
ネイト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）などの透明樹脂で構成された透明基板、１００２は
情報信号を記録再生消去可能な情報トラックを有するＲ
ＡＭ部、１００３は予め情報が記録された再生のみ可能
なトラックを有するＲＯＭ部、１００４は保護層であ
る。
【０００３】また、図１１に示すような、信号を記録可
能なＲＡＭ部を有するＲＡＭディスクと、信号が予め固
定されたＲＯＭ部を有するＲＯＭディスクとを、中空部
を介して、はめ合わせ、１枚のディスクとした構造を持
つ光ディスクがある（例えば、特公平５ー４４１０６号
公報）。図１１において、１１０１は凹凸状のピットが
形成された反射率３〜４％でほぼ透明なＲＯＭディス
ク、１１０２は例えばＴｅを含む記録膜１１０４を備え
たＲＡＭディスク、１１０３は中空部である。ＲＯＭデ
ィスク１１０１とＲＡＭディスク１１０２は情報信号が
記録された面を互いに対向させ、中空部１１０３を介し
て、前記ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは外周及び内
周縁部で結合している。このＲＯＭディスクとＲＡＭデ
ィスクは着脱自在に構成されており、用途に応じて種々
のディスクと組み合わせることが可能となっている。
能なＲＡＭ部を有するＲＡＭディスクと、信号が予め固
定されたＲＯＭ部を有するＲＯＭディスクとを、中空部
を介して、はめ合わせ、１枚のディスクとした構造を持
つ光ディスクがある（例えば、特公平５ー４４１０６号
公報）。図１１において、１１０１は凹凸状のピットが
形成された反射率３〜４％でほぼ透明なＲＯＭディス
ク、１１０２は例えばＴｅを含む記録膜１１０４を備え
たＲＡＭディスク、１１０３は中空部である。ＲＯＭデ
ィスク１１０１とＲＡＭディスク１１０２は情報信号が
記録された面を互いに対向させ、中空部１１０３を介し
て、前記ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは外周及び内
周縁部で結合している。このＲＯＭディスクとＲＡＭデ
ィスクは着脱自在に構成されており、用途に応じて種々
のディスクと組み合わせることが可能となっている。
【０００４】さらに従来より知られている公知例として
は、図１２に示すような、光ビームの照射によって光学
的定数の変化する記録層を２層以上積層した多層光ディ
スクがある。これは、記録密度の向上を目的としたもの
である。
は、図１２に示すような、光ビームの照射によって光学
的定数の変化する記録層を２層以上積層した多層光ディ
スクがある。これは、記録密度の向上を目的としたもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べたも
ののうち最初に述べた公知例においては、第一に、同一
層上にＲＡＭ部とＲＯＭ部を有しているため、ディスク
片面当たりの記憶容量は、全面にＲＡＭ部もしくはＲＯ
Ｍ部を有するディスクを越えることがなく、また第二
に、ＲＯＭ部の情報に関連した情報をＲＡＭ部に記録し
ようとする場合、ＲＯＭ部から半径方向に離れた位置に
あるＲＡＭ部へのトラックアクセスが必要となり、この
物理的な距離のため、記録可能な状態になるまで時間が
かかるという問題点があった。この問題点は、光ディス
ク記録再生装置に高速アクセス用のリニアモータを使用
すれば解消するが、その場合には装置の複雑化や高コス
ト化をもたらすという不具合を生じていた。
ののうち最初に述べた公知例においては、第一に、同一
層上にＲＡＭ部とＲＯＭ部を有しているため、ディスク
片面当たりの記憶容量は、全面にＲＡＭ部もしくはＲＯ
Ｍ部を有するディスクを越えることがなく、また第二
に、ＲＯＭ部の情報に関連した情報をＲＡＭ部に記録し
ようとする場合、ＲＯＭ部から半径方向に離れた位置に
あるＲＡＭ部へのトラックアクセスが必要となり、この
物理的な距離のため、記録可能な状態になるまで時間が
かかるという問題点があった。この問題点は、光ディス
ク記録再生装置に高速アクセス用のリニアモータを使用
すれば解消するが、その場合には装置の複雑化や高コス
ト化をもたらすという不具合を生じていた。
【０００６】従来の技術のうち第二に述べた公知例にお
いては、ＲＯＭ部とＲＡＭ部を別々に製造しているた
め、その構造が、多層ではないという点で本発明と異な
り、かつ、複雑なものであって製造コストが高いという
こと、また、ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは着脱自
在に構成されていることからＲＯＭディスクもしくはＲ
ＡＭディスクを取り替える際に中空部へ塵芥が混入する
恐れがあるということ、などの問題点を有していた。
いては、ＲＯＭ部とＲＡＭ部を別々に製造しているた
め、その構造が、多層ではないという点で本発明と異な
り、かつ、複雑なものであって製造コストが高いという
こと、また、ＲＯＭディスクとＲＡＭディスクは着脱自
在に構成されていることからＲＯＭディスクもしくはＲ
ＡＭディスクを取り替える際に中空部へ塵芥が混入する
恐れがあるということ、などの問題点を有していた。
【０００７】そして従来の技術のうち第三に述べた公知
例においては、だだ単に記録密度を向上させる目的で多
層化がなされたものであり、ＲＡＭ部とＲＯＭ部との併
用によるパーシャルＲＯＭディスクとしての使用という
ことについては考慮されておらず、そのため、上記した
ようなＲＯＭ部からＲＡＭ部へのトラックアクセスに時
間がかかるという問題点の解決手段を提供していないこ
とは言うまでもない。
例においては、だだ単に記録密度を向上させる目的で多
層化がなされたものであり、ＲＡＭ部とＲＯＭ部との併
用によるパーシャルＲＯＭディスクとしての使用という
ことについては考慮されておらず、そのため、上記した
ようなＲＯＭ部からＲＡＭ部へのトラックアクセスに時
間がかかるという問題点の解決手段を提供していないこ
とは言うまでもない。
【０００８】本発明は、従来の技術の有する上記問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、ディスクの記憶容量を減らすことなく、また、信号
を記録するＲＡＭ部への記録可能となる時間を短縮さ
せ、さらに各ＲＡＭ部やＲＯＭ部の層間に塵芥などが混
入する恐れをなくし、大容量で高速かつ安定した信号の
記録再生消去を可能とした光ディスクの信号記録再生方
法を提供しようとするものである。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、ディスクの記憶容量を減らすことなく、また、信号
を記録するＲＡＭ部への記録可能となる時間を短縮さ
せ、さらに各ＲＡＭ部やＲＯＭ部の層間に塵芥などが混
入する恐れをなくし、大容量で高速かつ安定した信号の
記録再生消去を可能とした光ディスクの信号記録再生方
法を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における光ディスクは、光ビームを照射する
ことによって信号を読み出すことが可能な層（ＲＯＭ層
もしくはＲＡＭ層）を複数有し、そのうちの少なくとも
１層を記録再生消去可能な層（ＲＡＭ層）とし、他の層
を再生のみ可能な層（ＲＯＭ層）で構成した多層構造よ
りなる多層ディスクと、それと同様の多層ディスク又は
従来の単層若しくは多層の光ディスクと、を貼り合わせ
た構成から成るものである。
に、本発明における光ディスクは、光ビームを照射する
ことによって信号を読み出すことが可能な層（ＲＯＭ層
もしくはＲＡＭ層）を複数有し、そのうちの少なくとも
１層を記録再生消去可能な層（ＲＡＭ層）とし、他の層
を再生のみ可能な層（ＲＯＭ層）で構成した多層構造よ
りなる多層ディスクと、それと同様の多層ディスク又は
従来の単層若しくは多層の光ディスクと、を貼り合わせ
た構成から成るものである。
【００１０】そして、信号を記録再生消去可能な層（Ｒ
ＡＭ層）に関しては、信号を記録消去する際には光ビー
ムのエネルギーが強くなくてはならないため、記録再生
消去可能な層は、光ビーム入射面に垂直な方向に少なく
とも２以上配置された層のうち、光ビームが入射する面
に最も近い位置に設けられることが好ましい。
ＡＭ層）に関しては、信号を記録消去する際には光ビー
ムのエネルギーが強くなくてはならないため、記録再生
消去可能な層は、光ビーム入射面に垂直な方向に少なく
とも２以上配置された層のうち、光ビームが入射する面
に最も近い位置に設けられることが好ましい。
【００１１】また、記録再生消去可能な層には、結晶状
態と非晶質状態とが加熱または冷却によって可逆的に相
変化を起こすことで光学定数を変化させ情報を記録もし
くは消去させるような相変化膜を用いることもできる。
態と非晶質状態とが加熱または冷却によって可逆的に相
変化を起こすことで光学定数を変化させ情報を記録もし
くは消去させるような相変化膜を用いることもできる。
【００１２】そして、記録再生消去可能な層に、上記の
ような相変化膜を用いた場合には、後記する理由によ
り、その記録再生消去可能な層には、層の全面に予め、
信号を記録させておくことが望ましい。その信号の情報
内容は、意味が有っても無くてもよい。
ような相変化膜を用いた場合には、後記する理由によ
り、その記録再生消去可能な層には、層の全面に予め、
信号を記録させておくことが望ましい。その信号の情報
内容は、意味が有っても無くてもよい。
【００１３】さらに、信号を記録再生消去可能な層は、
磁極の向きを上向きまたは下向きに設定することで光学
特性を変化させて信号の記録再生消去を可能とするよう
な光磁気膜で構成してもよい。
磁極の向きを上向きまたは下向きに設定することで光学
特性を変化させて信号の記録再生消去を可能とするよう
な光磁気膜で構成してもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明における実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明に係る参考例であり第１の光ディスクの半径方向への
部分断面図である。図中１０１はポリカーボネイト（Ｐ
Ｃ）やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透
明樹脂で構成された透明基板である。なお、透明基板１
０１の１０２側の表面上には、情報信号を表現する形状
としての微細な情報ピットが、成形によってあらかじ
め、形成されている。その情報ピット上には１０２を形
成する。１０２は信号を再生することのみ可能なアルミ
ニウムや金などの薄膜からなるＲＯＭ層で、スパッタや
蒸着によって作製される。さらにそのＲＯＭ層１０２上
には１０４が形成される。１０４はＲＯＭ層１０２と後
述のＲＡＭ層１０３を隔離かつ接着する中間層であり、
光ビームの透過率の高い透明部材により形成され、厚さ
は約４０μｍ程度である。この場合の透明部材の一例と
しては、紫外線硬化樹脂が挙げられ、例えば、日本合成
ゴム製紫外線硬化型接着剤モデルナンバーＫＺ８６１１
Ｊ（波長が６５０ｎｍの光ビームの場合、その透過率は
９９％以上である。）を使用する。続いてその中間層１
０４上には１０３を形成する。１０３は信号を記録再生
消去可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層である。そのＲ
ＡＭ層１０３と上記のＲＯＭ層１０２の各層とも、その
厚さはごくわずかなものであり、ｎｍオーダーである。
また、上記のＲＯＭ層１０２、ＲＡＭ層１０３及び中間
層１０４については、光ディスクの有効面の全面に渡っ
て形成されている。もしくは、ＲＡＭ層１０３の一部
に、情報ピットによるＲＯＭデータをあらかじめ記録し
たＲＯＭ部を設け、部分的なＲＡＭ層としてもよい。な
お、もしも、ＲＡＭ層１０３が設けられている中間層１
０４の表面上に、情報信号の記録再生消去時に光ビーム
を所定の位置に案内するための案内溝（グルーブ）を形
成するような場合には、中間層１０４は、２Ｐ（フォト
ポリマー）法を用いて、そのグルーブの形状が刻まれて
いるスタンパーの面がＲＡＭ層１０３が設置される面に
転写されてそのグルーブが形成されたフォトポリマーを
材質として、ＲＯＭ層１０２上に作製される。ＲＡＭ層
１０３が形成された後、最後に、ＲＡＭ層１０３上には
１０５が形成され。１０５は保護層で、その材質は中間
層１０４と同様の紫外線硬化樹脂で構成される。上記の
ように、それぞれの層は積層され、層状の構造を成して
おり、厚さが約０．６ｍｍの多層ディスクが形成される
ように、各層の厚さが設計される。そして、そのような
多層ディスク２枚（Ａ面ディスク及びＢ面ディスク）
を、図１に示すように、保護層が対向するように貼り合
わせ、本発明の光ディスクにおいては、全体としてのデ
ィスクの厚さが約１．２ｍｍとなるように構成される。
その際の貼り合わせにおいては、例えば、紫外線硬化樹
脂や粘着シートを用いる方法あるいはホットメルト法に
よる接着方法などによって、２枚の多層ディスクの貼り
合わせを行う。なお、貼り合わせられた多層ディスク
（Ａ面ディスク）と同様の構成を有する貼り合わせた多
層ディスク（Ｂ面ディスク）に付された図中に記載の符
号についての説明であるが、１０１と１０１’、１０２
と１０２’、１０３と１０３’等の関係にある符号で示
された箇所は、互いに同様のものであることを示す。以
降の明細書、図面、及び要約書においては、特に記載し
ない限り、１０１等に関する記載は、１０１’等に関し
ても同様に適用されるものとする。
について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明に係る参考例であり第１の光ディスクの半径方向への
部分断面図である。図中１０１はポリカーボネイト（Ｐ
Ｃ）やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透
明樹脂で構成された透明基板である。なお、透明基板１
０１の１０２側の表面上には、情報信号を表現する形状
としての微細な情報ピットが、成形によってあらかじ
め、形成されている。その情報ピット上には１０２を形
成する。１０２は信号を再生することのみ可能なアルミ
ニウムや金などの薄膜からなるＲＯＭ層で、スパッタや
蒸着によって作製される。さらにそのＲＯＭ層１０２上
には１０４が形成される。１０４はＲＯＭ層１０２と後
述のＲＡＭ層１０３を隔離かつ接着する中間層であり、
光ビームの透過率の高い透明部材により形成され、厚さ
は約４０μｍ程度である。この場合の透明部材の一例と
しては、紫外線硬化樹脂が挙げられ、例えば、日本合成
ゴム製紫外線硬化型接着剤モデルナンバーＫＺ８６１１
Ｊ（波長が６５０ｎｍの光ビームの場合、その透過率は
９９％以上である。）を使用する。続いてその中間層１
０４上には１０３を形成する。１０３は信号を記録再生
消去可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層である。そのＲ
ＡＭ層１０３と上記のＲＯＭ層１０２の各層とも、その
厚さはごくわずかなものであり、ｎｍオーダーである。
また、上記のＲＯＭ層１０２、ＲＡＭ層１０３及び中間
層１０４については、光ディスクの有効面の全面に渡っ
て形成されている。もしくは、ＲＡＭ層１０３の一部
に、情報ピットによるＲＯＭデータをあらかじめ記録し
たＲＯＭ部を設け、部分的なＲＡＭ層としてもよい。な
お、もしも、ＲＡＭ層１０３が設けられている中間層１
０４の表面上に、情報信号の記録再生消去時に光ビーム
を所定の位置に案内するための案内溝（グルーブ）を形
成するような場合には、中間層１０４は、２Ｐ（フォト
ポリマー）法を用いて、そのグルーブの形状が刻まれて
いるスタンパーの面がＲＡＭ層１０３が設置される面に
転写されてそのグルーブが形成されたフォトポリマーを
材質として、ＲＯＭ層１０２上に作製される。ＲＡＭ層
１０３が形成された後、最後に、ＲＡＭ層１０３上には
１０５が形成され。１０５は保護層で、その材質は中間
層１０４と同様の紫外線硬化樹脂で構成される。上記の
ように、それぞれの層は積層され、層状の構造を成して
おり、厚さが約０．６ｍｍの多層ディスクが形成される
ように、各層の厚さが設計される。そして、そのような
多層ディスク２枚（Ａ面ディスク及びＢ面ディスク）
を、図１に示すように、保護層が対向するように貼り合
わせ、本発明の光ディスクにおいては、全体としてのデ
ィスクの厚さが約１．２ｍｍとなるように構成される。
その際の貼り合わせにおいては、例えば、紫外線硬化樹
脂や粘着シートを用いる方法あるいはホットメルト法に
よる接着方法などによって、２枚の多層ディスクの貼り
合わせを行う。なお、貼り合わせられた多層ディスク
（Ａ面ディスク）と同様の構成を有する貼り合わせた多
層ディスク（Ｂ面ディスク）に付された図中に記載の符
号についての説明であるが、１０１と１０１’、１０２
と１０２’、１０３と１０３’等の関係にある符号で示
された箇所は、互いに同様のものであることを示す。以
降の明細書、図面、及び要約書においては、特に記載し
ない限り、１０１等に関する記載は、１０１’等に関し
ても同様に適用されるものとする。
【００１５】また、１０６は光ビームであり、基板１０
１側から照射される。ＲＯＭ層１０２によって信号を再
生する場合には、前記光ビーム１０６はＲＯＭ層１０２
に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＡＭ層１０
３に信号を記録、再生、もしくは消去する場合には、光
ビーム１０６はＲＡＭ層１０３に焦点を合わせるよう制
御される。そして、光ビーム１０６’を基板１０１’側
から照射した場合においても、上記の説明と同様である
が、ＲＯＭ層１０２’によって信号を再生する場合に
は、前記光ビーム１０６’はＲＯＭ層１０２’に焦点を
合わせるよう制御され、ＲＡＭ層１０３’に信号を記
録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム１０
６’はＲＡＭ層１０３’に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、図１においては、１０６と１０６’の２つの
光ビームを使用する場合の実施の形態を示したが、例え
ば、基板１０１側から２つの光ビームで信号の記録及び
再生をそれぞれ行いながら、基板１０１’側から１つの
光ビームで信号の再生を行うなど、同時に２以上の複数
の光ビームを使用する場合があってもよい。
１側から照射される。ＲＯＭ層１０２によって信号を再
生する場合には、前記光ビーム１０６はＲＯＭ層１０２
に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＡＭ層１０
３に信号を記録、再生、もしくは消去する場合には、光
ビーム１０６はＲＡＭ層１０３に焦点を合わせるよう制
御される。そして、光ビーム１０６’を基板１０１’側
から照射した場合においても、上記の説明と同様である
が、ＲＯＭ層１０２’によって信号を再生する場合に
は、前記光ビーム１０６’はＲＯＭ層１０２’に焦点を
合わせるよう制御され、ＲＡＭ層１０３’に信号を記
録、再生、もしくは消去する場合には、光ビーム１０
６’はＲＡＭ層１０３’に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、図１においては、１０６と１０６’の２つの
光ビームを使用する場合の実施の形態を示したが、例え
ば、基板１０１側から２つの光ビームで信号の記録及び
再生をそれぞれ行いながら、基板１０１’側から１つの
光ビームで信号の再生を行うなど、同時に２以上の複数
の光ビームを使用する場合があってもよい。
【００１６】このような、多層ディスクを２枚貼り合わ
せることによって、光ディスクの記憶容量において、さ
らなる大容量化を図ることが可能となり、また、光ビー
ム１０６と光ビーム１０６’とを光ディスクの両面から
照射でき、例えば、２つの光ビームによる情報信号の光
ディスク両面同時再生や、光ディスクの片面から読み出
した信号に関連するデータの書き込みを他の片面に瞬時
に行う読み書き動作の高速切り替えなど、作業の高効率
化を図ることができる。
せることによって、光ディスクの記憶容量において、さ
らなる大容量化を図ることが可能となり、また、光ビー
ム１０６と光ビーム１０６’とを光ディスクの両面から
照射でき、例えば、２つの光ビームによる情報信号の光
ディスク両面同時再生や、光ディスクの片面から読み出
した信号に関連するデータの書き込みを他の片面に瞬時
に行う読み書き動作の高速切り替えなど、作業の高効率
化を図ることができる。
【００１７】図２は、図１の光ディスクにおいて、ＲＡ
Ｍ層１０３に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
と、ＲＯＭ層１０２によって信号を再生する場合のとき
の光ビームの照射の状態を示す図である。図２（ａ）の
状態が、ＲＯＭ層を再生する場合を示し、図２（ｂ）の
状態がＲＡＭ層に記録、再生、もしくは消去する場合を
示す。図中２０１は基板、２０２はＲＯＭ層、２０３は
ＲＡＭ層、２０４は中間層、２０５は保護層、２０６は
光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図１の場
合と同様である。
Ｍ層１０３に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
と、ＲＯＭ層１０２によって信号を再生する場合のとき
の光ビームの照射の状態を示す図である。図２（ａ）の
状態が、ＲＯＭ層を再生する場合を示し、図２（ｂ）の
状態がＲＡＭ層に記録、再生、もしくは消去する場合を
示す。図中２０１は基板、２０２はＲＯＭ層、２０３は
ＲＡＭ層、２０４は中間層、２０５は保護層、２０６は
光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図１の場
合と同様である。
【００１８】ＲＯＭ層による信号の再生は、図２（ａ）
に示すように、ＲＯＭ層２０２の情報トラック上に光ビ
ーム２０６の焦点を結ばせ、ＲＯＭ層２０２の情報トラ
ック上に形成された情報ピットから得られる変調データ
を再生することで、ＲＯＭ層２０２から情報信号を再生
する。また、ＲＡＭ層への記録消去または再生は、図２
（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層２０３の情報トラック上
に、ＲＯＭ層２０２及び中間層２０４を介して光ビーム
２０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡＭ層２０３からの再
生は、ＲＡＭ層上に焦点を結んだ光ビームが反射して、
中間層２０４及びＲＯＭ層２０２を介して戻ってくる光
信号を検出して行う。
に示すように、ＲＯＭ層２０２の情報トラック上に光ビ
ーム２０６の焦点を結ばせ、ＲＯＭ層２０２の情報トラ
ック上に形成された情報ピットから得られる変調データ
を再生することで、ＲＯＭ層２０２から情報信号を再生
する。また、ＲＡＭ層への記録消去または再生は、図２
（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層２０３の情報トラック上
に、ＲＯＭ層２０２及び中間層２０４を介して光ビーム
２０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡＭ層２０３からの再
生は、ＲＡＭ層上に焦点を結んだ光ビームが反射して、
中間層２０４及びＲＯＭ層２０２を介して戻ってくる光
信号を検出して行う。
【００１９】光ビーム２０６が図２（ａ）のＲＯＭ層２
０２の情報トラックを再生し、この再生信号のデータを
処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層２０３に記
録する場合には、光ビーム２０６の焦点を層間移動処理
し、図２（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層２０２の略同一半
径に位置するＲＡＭ層２０３上の情報トラックに記録す
る。このように処理することにより、光ビームの移動距
離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層の情報
トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの間のト
ラックアクセスを短時間で行うことができる。そして、
この場合には、同一面内にＲＯＭ部とＲＡＭ部とを有し
た従来のパーシャルＲＯＭディスクにおけるような高速
アクセス用のリニアモータを用いる必要もない。
０２の情報トラックを再生し、この再生信号のデータを
処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層２０３に記
録する場合には、光ビーム２０６の焦点を層間移動処理
し、図２（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層２０２の略同一半
径に位置するＲＡＭ層２０３上の情報トラックに記録す
る。このように処理することにより、光ビームの移動距
離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層の情報
トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの間のト
ラックアクセスを短時間で行うことができる。そして、
この場合には、同一面内にＲＯＭ部とＲＡＭ部とを有し
た従来のパーシャルＲＯＭディスクにおけるような高速
アクセス用のリニアモータを用いる必要もない。
【００２０】なお、ＲＡＭ層の使用方法として、上記の
ようなＲＯＭ層の情報トラックからの再生信号のデータ
に関連するデータをＲＯＭ層の略同一半径に位置するＲ
ＡＭ層の情報トラックに記録すること以外に、コンピュ
ータソフトのバージョンアップの際にバージョンアップ
したデータをＲＡＭ層に記憶させるという使い方もでき
る。
ようなＲＯＭ層の情報トラックからの再生信号のデータ
に関連するデータをＲＯＭ層の略同一半径に位置するＲ
ＡＭ層の情報トラックに記録すること以外に、コンピュ
ータソフトのバージョンアップの際にバージョンアップ
したデータをＲＡＭ層に記憶させるという使い方もでき
る。
【００２１】図３は本発明の実施の形態に係る第２の光
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中３０１
は光ビームを透過可能な透明樹脂から成る透明基板、３
０２は信号を記録再生消去可能な記録膜で構成されたＲ
ＡＭ層、３０３は信号を再生のみ可能な第１のＲＯＭ
層、３０４はＲＡＭ層３０２と第１のＲＯＭ層３０３を
隔離する第１の中間層であり、３０５は信号を再生のみ
可能な第２のＲＯＭ層、３０６は第１のＲＯＭ層３０３
と第２のＲＯＭ層３０５を隔離する第２の中間層であ
り、３０７は信号を再生のみ可能な第３のＲＯＭ層、３
０８は第２のＲＯＭ層３０５と第３のＲＯＭ層３０７を
隔離する第３の中間層であり、３０９は保護層である。
３１０は光ビームであり、基板３０１側から照射され
る。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中３０１
は光ビームを透過可能な透明樹脂から成る透明基板、３
０２は信号を記録再生消去可能な記録膜で構成されたＲ
ＡＭ層、３０３は信号を再生のみ可能な第１のＲＯＭ
層、３０４はＲＡＭ層３０２と第１のＲＯＭ層３０３を
隔離する第１の中間層であり、３０５は信号を再生のみ
可能な第２のＲＯＭ層、３０６は第１のＲＯＭ層３０３
と第２のＲＯＭ層３０５を隔離する第２の中間層であ
り、３０７は信号を再生のみ可能な第３のＲＯＭ層、３
０８は第２のＲＯＭ層３０５と第３のＲＯＭ層３０７を
隔離する第３の中間層であり、３０９は保護層である。
３１０は光ビームであり、基板３０１側から照射され
る。
【００２２】この図３に示すような光ディスクを製造す
る方法の一例を以下に述べる。まず、透明基板３０１は
ポリカーボネイト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）などの透明樹脂によって構成される。もし
も、前述の案内溝（グルーブ）を透明基板３０１のＲＡ
Ｍ層３０２側の表面に形成する場合には、成形によって
あらかじめ形成される。その透明基板３０１の表面に
は、ＲＡＭ層３０２が形成される。続いて、ＲＡＭ層３
０２上に、前述の２Ｐ（フォトポリマー）法を用いて、
ＲＯＭ層３０３側に微細な情報ピットが成形されたフォ
トポリマーから成る中間層３０４が形成される。そし
て、その中間層３０４上には、ＲＯＭ層３０３が形成さ
れる。さらにＲＯＭ層３０３上には、中間層３０４と同
様の２Ｐ（フォトポリマー）法によって作製された中間
層３０６が形成される。そして中間層３０６上にはＲＯ
Ｍ層３０５が形成される。さらに同様に中間層３０８及
びＲＯＭ層３０７が形成される。最後に、ＲＯＭ層３０
７上に、紫外線硬化樹脂から成る保護層３０９が形成さ
れる。なお、上記の中間層３０４、３０６、及び３０８
は、約４０μｍ程度の厚さに作製される。また、ＲＯＭ
層３０３、３０５、及び３０７は、アルミニウムや金な
どの薄膜から成り、スパッタや蒸着によって作製され
る。３０２のＲＡＭ層、及び、３０３、３０５、３０７
の各ＲＯＭ層の厚さは、いずれもごくわずかなものであ
り、ｎｍオーダーである。上記したようにそれぞれの層
は積層され、層状の構造によって、厚さが約０．６ｍｍ
の多層ディスクを形成するように構成される。そして、
そのような多層ディスク２枚を、保護層が互いに対向す
るように、図１と同様の方法によって貼り合わせ、本発
明の光ディスクをなしており、全体としてのディスクの
厚さが約１．２ｍｍとなるように設計されている。この
ように構成された光ディスクでは、第１、第２及び第３
のＲＯＭ層上の情報トラックから再生されたデータに関
連する情報を、ＲＡＭ層３０２の略同一半径上に記録す
ることが可能となる。
る方法の一例を以下に述べる。まず、透明基板３０１は
ポリカーボネイト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）などの透明樹脂によって構成される。もし
も、前述の案内溝（グルーブ）を透明基板３０１のＲＡ
Ｍ層３０２側の表面に形成する場合には、成形によって
あらかじめ形成される。その透明基板３０１の表面に
は、ＲＡＭ層３０２が形成される。続いて、ＲＡＭ層３
０２上に、前述の２Ｐ（フォトポリマー）法を用いて、
ＲＯＭ層３０３側に微細な情報ピットが成形されたフォ
トポリマーから成る中間層３０４が形成される。そし
て、その中間層３０４上には、ＲＯＭ層３０３が形成さ
れる。さらにＲＯＭ層３０３上には、中間層３０４と同
様の２Ｐ（フォトポリマー）法によって作製された中間
層３０６が形成される。そして中間層３０６上にはＲＯ
Ｍ層３０５が形成される。さらに同様に中間層３０８及
びＲＯＭ層３０７が形成される。最後に、ＲＯＭ層３０
７上に、紫外線硬化樹脂から成る保護層３０９が形成さ
れる。なお、上記の中間層３０４、３０６、及び３０８
は、約４０μｍ程度の厚さに作製される。また、ＲＯＭ
層３０３、３０５、及び３０７は、アルミニウムや金な
どの薄膜から成り、スパッタや蒸着によって作製され
る。３０２のＲＡＭ層、及び、３０３、３０５、３０７
の各ＲＯＭ層の厚さは、いずれもごくわずかなものであ
り、ｎｍオーダーである。上記したようにそれぞれの層
は積層され、層状の構造によって、厚さが約０．６ｍｍ
の多層ディスクを形成するように構成される。そして、
そのような多層ディスク２枚を、保護層が互いに対向す
るように、図１と同様の方法によって貼り合わせ、本発
明の光ディスクをなしており、全体としてのディスクの
厚さが約１．２ｍｍとなるように設計されている。この
ように構成された光ディスクでは、第１、第２及び第３
のＲＯＭ層上の情報トラックから再生されたデータに関
連する情報を、ＲＡＭ層３０２の略同一半径上に記録す
ることが可能となる。
【００２３】図４は本発明の実施の形態に係る第３の光
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中４０１
は、ポリカーボネイト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）などの透明樹脂で構成された透明基板
である。透明基板４０１の４０２側の表面に、情報信号
の記録再生消去時に光ビームを所定の位置に案内するた
めの前記した案内溝（グルーブ）を形成する場合には、
成形によってあらかじめ、そのグルーブを形成してお
く。そのような透明基板４０１上には、信号を記録再生
消去可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層４０２が形成さ
れる。ＲＡＭ層４０２上には４０４が形成される。４０
４はＲＡＭ層４０２と後述の４０３を接着し、かつ、隔
離する中間層であり、前記の２Ｐ（フォトポリマー）法
によって４０３側に微細な情報ピットが成形されたフォ
トポリマーから成る。中間層４０４上には、ＲＯＭ層で
ある４０３が形成される。最後に、そのＲＯＭ層４０３
上に４０５が形成される。４０５は保護層で紫外線硬化
樹脂より成る。なお、上記のＲＯＭ層４０３、及び、上
記のＲＡＭ層４０２は、各層ともｎｍオーダーのごくわ
ずかな厚さである。また、中間層４０４の厚さは約４０
μｍ程度である。上記したようにそれぞれの層は積層さ
れ、多層構造を成し、厚さ約０．６ｍｍの多層ディスク
が構成される。そのような多層ディスク２枚を、図１の
場合と同様の方法によって、保護層が対向するように貼
り合わせ、ディスク全体としての厚さが約１．２ｍｍと
なるように、各層の厚さが設計され、本発明の光ディス
クが構成される。この図４に示すような、光ビーム入射
面に垂直な方向に配置された層のうち、光ビーム入射面
に近い位置に、ＲＡＭ層の位置を設定することによっ
て、一般に強い光ビームのエネルギーを必要とするＲＡ
Ｍ層の情報トラックへの情報の記録を効率よく行うこと
が可能となる。なお、前記ＲＡＭ層４０２、ＲＯＭ層４
０３及び中間層４０４は、光ディスクの有効面の全面に
渡って形成されている。もしくは、ＲＡＭ層４０２の一
部に予め情報ピットによるＲＯＭデータを記録したＲＯ
Ｍ部を設け、部分的なＲＡＭ層としてもよい。４０６は
光ビームであり、基板４０１側から照射される。ＲＡＭ
層４０２に信号を記録、再生、もしくは消去する場合に
は、光ビーム４０６はＲＡＭ層４０２に焦点を合わせる
よう制御される。また、ＲＯＭ層４０３によって信号を
再生する場合には、前記光ビーム４０６はＲＯＭ層４０
３に焦点を合わせるよう制御される。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中４０１
は、ポリカーボネイト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）などの透明樹脂で構成された透明基板
である。透明基板４０１の４０２側の表面に、情報信号
の記録再生消去時に光ビームを所定の位置に案内するた
めの前記した案内溝（グルーブ）を形成する場合には、
成形によってあらかじめ、そのグルーブを形成してお
く。そのような透明基板４０１上には、信号を記録再生
消去可能な記録膜で構成されたＲＡＭ層４０２が形成さ
れる。ＲＡＭ層４０２上には４０４が形成される。４０
４はＲＡＭ層４０２と後述の４０３を接着し、かつ、隔
離する中間層であり、前記の２Ｐ（フォトポリマー）法
によって４０３側に微細な情報ピットが成形されたフォ
トポリマーから成る。中間層４０４上には、ＲＯＭ層で
ある４０３が形成される。最後に、そのＲＯＭ層４０３
上に４０５が形成される。４０５は保護層で紫外線硬化
樹脂より成る。なお、上記のＲＯＭ層４０３、及び、上
記のＲＡＭ層４０２は、各層ともｎｍオーダーのごくわ
ずかな厚さである。また、中間層４０４の厚さは約４０
μｍ程度である。上記したようにそれぞれの層は積層さ
れ、多層構造を成し、厚さ約０．６ｍｍの多層ディスク
が構成される。そのような多層ディスク２枚を、図１の
場合と同様の方法によって、保護層が対向するように貼
り合わせ、ディスク全体としての厚さが約１．２ｍｍと
なるように、各層の厚さが設計され、本発明の光ディス
クが構成される。この図４に示すような、光ビーム入射
面に垂直な方向に配置された層のうち、光ビーム入射面
に近い位置に、ＲＡＭ層の位置を設定することによっ
て、一般に強い光ビームのエネルギーを必要とするＲＡ
Ｍ層の情報トラックへの情報の記録を効率よく行うこと
が可能となる。なお、前記ＲＡＭ層４０２、ＲＯＭ層４
０３及び中間層４０４は、光ディスクの有効面の全面に
渡って形成されている。もしくは、ＲＡＭ層４０２の一
部に予め情報ピットによるＲＯＭデータを記録したＲＯ
Ｍ部を設け、部分的なＲＡＭ層としてもよい。４０６は
光ビームであり、基板４０１側から照射される。ＲＡＭ
層４０２に信号を記録、再生、もしくは消去する場合に
は、光ビーム４０６はＲＡＭ層４０２に焦点を合わせる
よう制御される。また、ＲＯＭ層４０３によって信号を
再生する場合には、前記光ビーム４０６はＲＯＭ層４０
３に焦点を合わせるよう制御される。
【００２４】図５は、図４の光ディスクにおいて、ＲＡ
Ｍ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、Ｒ
ＯＭ層によって信号を再生する場合の、光ビームの照射
の状態を示す図である。図５（ａ）の状態が、ＲＯＭ層
によって信号を再生する場合を示し、図５（ｂ）の状態
がＲＡＭ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
を示す。図中５０１は基板、５０２はＲＡＭ層、５０３
はＲＯＭ層、５０４は中間層、５０５は保護層、５０６
は光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図４の
場合と同様である。
Ｍ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合と、Ｒ
ＯＭ層によって信号を再生する場合の、光ビームの照射
の状態を示す図である。図５（ａ）の状態が、ＲＯＭ層
によって信号を再生する場合を示し、図５（ｂ）の状態
がＲＡＭ層に信号を記録、再生、もしくは消去する場合
を示す。図中５０１は基板、５０２はＲＡＭ層、５０３
はＲＯＭ層、５０４は中間層、５０５は保護層、５０６
は光ビームであり、それぞれの構成要素の特徴は図４の
場合と同様である。
【００２５】ＲＯＭ層による信号の再生は、図５（ａ）
に示すように、ＲＡＭ層５０２及び中間層５０４を介し
てＲＯＭ層５０３の情報トラック上に光ビーム５０６の
焦点を結ばせ、ＲＯＭ層５０３の情報トラック上に形成
された情報ピットから得られる反射された光信号を中間
層５０４及びＲＡＭ層５０２を介して検出し、変調デー
タを再生することで、ＲＯＭ層５０３から情報信号を再
生する。また、ＲＡＭ層への信号の記録消去または再生
は、図５（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層５０２の情報ト
ラック上に光ビーム５０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡ
Ｍ層５０２からの信号の再生は、ＲＡＭ層上に焦点を結
んだ光ビームが反射して、戻ってくる光信号を検出して
行う。
に示すように、ＲＡＭ層５０２及び中間層５０４を介し
てＲＯＭ層５０３の情報トラック上に光ビーム５０６の
焦点を結ばせ、ＲＯＭ層５０３の情報トラック上に形成
された情報ピットから得られる反射された光信号を中間
層５０４及びＲＡＭ層５０２を介して検出し、変調デー
タを再生することで、ＲＯＭ層５０３から情報信号を再
生する。また、ＲＡＭ層への信号の記録消去または再生
は、図５（ｂ）に示すように、ＲＡＭ層５０２の情報ト
ラック上に光ビーム５０６の焦点を結ばせて行う。ＲＡ
Ｍ層５０２からの信号の再生は、ＲＡＭ層上に焦点を結
んだ光ビームが反射して、戻ってくる光信号を検出して
行う。
【００２６】光ビーム入射面に垂直な方向に少なくとも
２以上配置された層のうち、記録再生消去可能な層を、
光ビーム入射面に最も近い位置に設けることによって、
記録再生消去可能な層への信号の記録を精度よく行うこ
とができる。
２以上配置された層のうち、記録再生消去可能な層を、
光ビーム入射面に最も近い位置に設けることによって、
記録再生消去可能な層への信号の記録を精度よく行うこ
とができる。
【００２７】光ビーム５０６が図５（ａ）のＲＯＭ層５
０３の情報トラックの信号を再生し、この再生信号のデ
ータを処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層５０
２に記録する場合には、光ビーム５０６の焦点を層間移
動処理し、図５（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層５０３の略
同一半径に位置するＲＡＭ層５０２上の情報トラックに
記録する。このように処理することにより、光ビームの
移動距離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層
の情報トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの
間のトラックアクセスは短時間で行うことができる。
０３の情報トラックの信号を再生し、この再生信号のデ
ータを処理する過程で、関連するデータをＲＡＭ層５０
２に記録する場合には、光ビーム５０６の焦点を層間移
動処理し、図５（ｂ）の状態にし、ＲＯＭ層５０３の略
同一半径に位置するＲＡＭ層５０２上の情報トラックに
記録する。このように処理することにより、光ビームの
移動距離を高々数１０μｍとすることができ、ＲＯＭ層
の情報トラックと関連するＲＡＭ層の情報トラックとの
間のトラックアクセスは短時間で行うことができる。
【００２８】このように、光ビーム入射面に垂直な方向
に少なくとも２以上配置された層のうち、記録再生消去
可能な層を、光ビーム入射面に最も近い位置に設けるこ
とによって、記録再生消去可能な層への信号の記録を効
率よく行うことができる。
に少なくとも２以上配置された層のうち、記録再生消去
可能な層を、光ビーム入射面に最も近い位置に設けるこ
とによって、記録再生消去可能な層への信号の記録を効
率よく行うことができる。
【００２９】図６は本発明の実施の形態に係る第４の光
ディスクの半径方向への部分断面図である。図６（ａ）
において、６０１はポリカーボネイトやＰＭＭＡなどの
透明樹脂で構成された基板、６０２は信号を記録再生消
去可能ＲＡＭ層、６０３は信号を再生のみ可能なＲＯＭ
層、６０４はＲＡＭ層６０２とＲＯＭ層６０３を隔離す
る中間層であり、６０５は保護層である。この図で特徴
的なことは、ＲＡＭ層６０２が相変化膜で形成されてい
ることである。この相変化膜は、出力制御を伴った光ビ
ームの照射による加熱及び冷却によって、例えば結晶状
態と非晶質状態との可逆的な相変化を生じさせ、反射率
等の光学的定数を変化させることにより、信号を記録及
び消去させることができるものである。なお、信号を読
み出す場合には光ビームの出力を記録時の１０分の１程
度に下げて行われる。この相変化膜をＲＡＭ層として用
いると、相変化膜は短波長の光ビームを用いた場合にも
ＣＮ比が高いという長所のほか、ＲＡＭ層として光磁気
膜などを用いた場合に必要な磁界発生装置等が不要とな
るため、光ディスク記録再生装置の構造を簡易なものに
でき、また、信号が記録されているＲＡＭ層にさらに別
の信号を記録する操作も光ビームの出力制御等のみの容
易なものとすることが可能となる。なお、その他の構成
要素の特徴は、図４の場合と同様である。６０６は光ビ
ームであり、基板６０１側から照射される。ＲＡＭ層６
０２に信号を記録、再生、もしくは消去する場合には、
光ビーム６０６はＲＡＭ層６０２に焦点を合わせるよう
制御される。また、ＲＯＭ層６０３によって信号を再生
する場合には、前記光ビーム６０６はＲＯＭ層６０３に
焦点を合わせるよう制御される。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図６（ａ）
において、６０１はポリカーボネイトやＰＭＭＡなどの
透明樹脂で構成された基板、６０２は信号を記録再生消
去可能ＲＡＭ層、６０３は信号を再生のみ可能なＲＯＭ
層、６０４はＲＡＭ層６０２とＲＯＭ層６０３を隔離す
る中間層であり、６０５は保護層である。この図で特徴
的なことは、ＲＡＭ層６０２が相変化膜で形成されてい
ることである。この相変化膜は、出力制御を伴った光ビ
ームの照射による加熱及び冷却によって、例えば結晶状
態と非晶質状態との可逆的な相変化を生じさせ、反射率
等の光学的定数を変化させることにより、信号を記録及
び消去させることができるものである。なお、信号を読
み出す場合には光ビームの出力を記録時の１０分の１程
度に下げて行われる。この相変化膜をＲＡＭ層として用
いると、相変化膜は短波長の光ビームを用いた場合にも
ＣＮ比が高いという長所のほか、ＲＡＭ層として光磁気
膜などを用いた場合に必要な磁界発生装置等が不要とな
るため、光ディスク記録再生装置の構造を簡易なものに
でき、また、信号が記録されているＲＡＭ層にさらに別
の信号を記録する操作も光ビームの出力制御等のみの容
易なものとすることが可能となる。なお、その他の構成
要素の特徴は、図４の場合と同様である。６０６は光ビ
ームであり、基板６０１側から照射される。ＲＡＭ層６
０２に信号を記録、再生、もしくは消去する場合には、
光ビーム６０６はＲＡＭ層６０２に焦点を合わせるよう
制御される。また、ＲＯＭ層６０３によって信号を再生
する場合には、前記光ビーム６０６はＲＯＭ層６０３に
焦点を合わせるよう制御される。
【００３０】図６（ｂ）は、図６（ａ）を実際の使用に
供した際の一実施例を示している。図６（ｂ）では、こ
れまでの単層のＲＡＭ層６０２に、スパッタまたは蒸着
によって作製された保護層６０７及び反射層６０８とを
図示するように伴わして設け、多層構造から成るＲＡＭ
層としている。保護層６０７にはＺｎＳ−ＳｉＯ２等
を、反射層６０８にはアルミニウム合金等を、また相変
化膜６０２にはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５等を、例えば、使用
する。
供した際の一実施例を示している。図６（ｂ）では、こ
れまでの単層のＲＡＭ層６０２に、スパッタまたは蒸着
によって作製された保護層６０７及び反射層６０８とを
図示するように伴わして設け、多層構造から成るＲＡＭ
層としている。保護層６０７にはＺｎＳ−ＳｉＯ２等
を、反射層６０８にはアルミニウム合金等を、また相変
化膜６０２にはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５等を、例えば、使用
する。
【００３１】このように、記録再生消去可能な層として
相変化膜を用いることによって、短波長の光ビームを用
いた場合にもＣＮ比が高いという長所のほか、ＲＡＭ層
として光磁気膜などを用いた場合には必要な磁界発生装
置等が不要となるため、光ディスク記録再生装置の構造
を簡易なものにでき、また、信号が記録されているＲＡ
Ｍ層にさらに信号を記録する操作も光ビームの出力制御
等のみの容易なものとすることが可能となる。
相変化膜を用いることによって、短波長の光ビームを用
いた場合にもＣＮ比が高いという長所のほか、ＲＡＭ層
として光磁気膜などを用いた場合には必要な磁界発生装
置等が不要となるため、光ディスク記録再生装置の構造
を簡易なものにでき、また、信号が記録されているＲＡ
Ｍ層にさらに信号を記録する操作も光ビームの出力制御
等のみの容易なものとすることが可能となる。
【００３２】次に、図７を用いて図６に示した実施の形
態の場合のＲＯＭ層からの再生信号レベルを説明する。
図７の縦軸はＲＡＭ層を介してＲＯＭ層から再生される
ＨＦ再生信号レベルを、横軸は時間を表す。図７（ａ）
は、ＲＡＭ層の一部にのみ情報信号を記録したときのＲ
ＯＭ層再生信号レベルの例を示す。また、図７（ｂ）
は、ＲＡＭ層の全面に、ランダムな情報信号をあらかじ
め記録しておいた場合のＲＯＭ層再生信号レベルの例を
示す。図７（ａ）に示すように、ＲＡＭ層の一部にのみ
情報信号を記録した場合においては、情報信号の記録さ
れたＲＡＭ層を通過するときには、透過率の変化が起こ
り、ＲＯＭ層再生信号レベルに変動が現れ、安定した信
号再生が困難となる。これに対して、ＲＡＭ層の全面に
情報信号を記録した場合においては、図７（ｂ）に示す
ように、透過率の変化はなく、ＲＯＭ層再生信号レベル
に変動が現れず、安定して信号再生が行える。そこで、
請求項４に記載したように、図６に示した光ディスク
に、その光ディスクがその光ディスクを最初に使用する
者によって最初に使用される時に記録再生消去可能な層
の全面に渡って無意味な信号を既に記録しておき、言い
換えると、光ディスクから情報信号を再生もしくは記録
消去する前に予め、ＲＡＭ層に無意味な意味のないデー
タ、例えば最小マークを繰り返すようなパターンとなる
信号や不規則で意味を持たないランダムな信号等をＲＡ
Ｍ層の全面に記録しておき、ＲＡＭ層への情報記録が必
要となったときのみ、予め記録されたデータ上に上書き
する。なお、上記の意味のない無意味なデータの信号
は、例えば、ＲＡＭ層を一時的なＲＯＭ層として代用す
るような場合には、もちろん、意味のある情報性を有す
るデータの信号としてもよい。
態の場合のＲＯＭ層からの再生信号レベルを説明する。
図７の縦軸はＲＡＭ層を介してＲＯＭ層から再生される
ＨＦ再生信号レベルを、横軸は時間を表す。図７（ａ）
は、ＲＡＭ層の一部にのみ情報信号を記録したときのＲ
ＯＭ層再生信号レベルの例を示す。また、図７（ｂ）
は、ＲＡＭ層の全面に、ランダムな情報信号をあらかじ
め記録しておいた場合のＲＯＭ層再生信号レベルの例を
示す。図７（ａ）に示すように、ＲＡＭ層の一部にのみ
情報信号を記録した場合においては、情報信号の記録さ
れたＲＡＭ層を通過するときには、透過率の変化が起こ
り、ＲＯＭ層再生信号レベルに変動が現れ、安定した信
号再生が困難となる。これに対して、ＲＡＭ層の全面に
情報信号を記録した場合においては、図７（ｂ）に示す
ように、透過率の変化はなく、ＲＯＭ層再生信号レベル
に変動が現れず、安定して信号再生が行える。そこで、
請求項４に記載したように、図６に示した光ディスク
に、その光ディスクがその光ディスクを最初に使用する
者によって最初に使用される時に記録再生消去可能な層
の全面に渡って無意味な信号を既に記録しておき、言い
換えると、光ディスクから情報信号を再生もしくは記録
消去する前に予め、ＲＡＭ層に無意味な意味のないデー
タ、例えば最小マークを繰り返すようなパターンとなる
信号や不規則で意味を持たないランダムな信号等をＲＡ
Ｍ層の全面に記録しておき、ＲＡＭ層への情報記録が必
要となったときのみ、予め記録されたデータ上に上書き
する。なお、上記の意味のない無意味なデータの信号
は、例えば、ＲＡＭ層を一時的なＲＯＭ層として代用す
るような場合には、もちろん、意味のある情報性を有す
るデータの信号としてもよい。
【００３３】このように、記録再生消去可能な層が相変
化膜によって構成される場合において、その層の全面
に、信号を予め記録することによって、信号を再生する
ことのみ可能な層からの信号を安定かつ精度よく検出す
ることができる。
化膜によって構成される場合において、その層の全面
に、信号を予め記録することによって、信号を再生する
ことのみ可能な層からの信号を安定かつ精度よく検出す
ることができる。
【００３４】図８は本発明の実施の形態に係る第５の光
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中８０１
はポリカーボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成さ
れた基板、８０２は信号を記録再生消去可能ＲＡＭ層、
８０３は信号を再生のみ可能なＲＯＭ層、８０４はＲＡ
Ｍ層８０２とＲＯＭ層８０３を隔離する中間層であり、
８０５は保護層である。この図８における特徴として
は、ＲＡＭ層８０２が光磁気膜によって構成されている
ことである。光磁気膜は、その磁極の向きを上向きまた
は下向きに設定することで、情報の再生もしくは記録消
去を行うことができる。なお、その他の構成要素の特徴
は図４の場合と同様である。
ディスクの半径方向への部分断面図である。図中８０１
はポリカーボネイトやＰＭＭＡなどの透明樹脂で構成さ
れた基板、８０２は信号を記録再生消去可能ＲＡＭ層、
８０３は信号を再生のみ可能なＲＯＭ層、８０４はＲＡ
Ｍ層８０２とＲＯＭ層８０３を隔離する中間層であり、
８０５は保護層である。この図８における特徴として
は、ＲＡＭ層８０２が光磁気膜によって構成されている
ことである。光磁気膜は、その磁極の向きを上向きまた
は下向きに設定することで、情報の再生もしくは記録消
去を行うことができる。なお、その他の構成要素の特徴
は図４の場合と同様である。
【００３５】８０６は光ビームであり、基板８０１側か
ら照射される。ＲＡＭ層８０２に信号を記録、再生、も
しくは消去する場合には、光ビーム８０６はＲＡＭ層８
０２に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＯＭ層
８０３によって信号を再生する場合には、前記光ビーム
８０６はＲＯＭ層８０３に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、光磁気膜で構成されたＲＡＭ層８０２を用い
た場合には、情報が記録されている場合とされていない
場合とでは、ＲＡＭ層８０２の透過率もしくは反射率の
変化は殆どなく、ＲＯＭ層８０３の情報再生信号への影
響はほとんどない。
ら照射される。ＲＡＭ層８０２に信号を記録、再生、も
しくは消去する場合には、光ビーム８０６はＲＡＭ層８
０２に焦点を合わせるよう制御される。また、ＲＯＭ層
８０３によって信号を再生する場合には、前記光ビーム
８０６はＲＯＭ層８０３に焦点を合わせるよう制御され
る。なお、光磁気膜で構成されたＲＡＭ層８０２を用い
た場合には、情報が記録されている場合とされていない
場合とでは、ＲＡＭ層８０２の透過率もしくは反射率の
変化は殆どなく、ＲＯＭ層８０３の情報再生信号への影
響はほとんどない。
【００３６】このように、記録再生消去可能な層を光磁
気膜で構成することによって、相変化膜の場合に必要で
あった記録再生消去可能な層への信号の記録を予めする
ことなく、信号を再生することのみ可能な層からの信号
の読み出しを安定して行うことができる。
気膜で構成することによって、相変化膜の場合に必要で
あった記録再生消去可能な層への信号の記録を予めする
ことなく、信号を再生することのみ可能な層からの信号
の読み出しを安定して行うことができる。
【００３７】以上説明した図１から図８の場合において
は、それぞれの図において説明した多層ディスクを、２
枚貼り合わせることによって１枚の光ディスクを形成し
たが、そのような多層ディスク１枚を片側の光ディスク
として用いると伴に、他方の片側に別の構成から成る光
ディスクを用いて、それらを貼り合わせることによって
１枚の光ディスクを形成することも考えられる。例え
ば、図９に示すような信号を読み出すことのみ可能な層
（ＲＯＭ層）を少なくとも１層以上有する単層若しくは
多層のＲＯＭディスクを他方の片側として、それと前記
の多層ディスクとを貼り合わせて１枚の光ディスクとす
る場合がある。また、図１０に示すような信号を記録再
生消去可能な層（ＲＡＭ層）を少なくとも１層有する単
層若しくは多層のＲＡＭディスクを他方の片側として、
それと前記の多層ディスクとを貼り合わせて１枚の光デ
ィスクとする場合も考えられる。図９及び図１０のよう
な貼り合わせによる光ディスクの場合においても、図１
から図８に記載した貼り合わせによる光ディスクの場合
と、同一あるいは類似の作用及び効果を生ずる。
は、それぞれの図において説明した多層ディスクを、２
枚貼り合わせることによって１枚の光ディスクを形成し
たが、そのような多層ディスク１枚を片側の光ディスク
として用いると伴に、他方の片側に別の構成から成る光
ディスクを用いて、それらを貼り合わせることによって
１枚の光ディスクを形成することも考えられる。例え
ば、図９に示すような信号を読み出すことのみ可能な層
（ＲＯＭ層）を少なくとも１層以上有する単層若しくは
多層のＲＯＭディスクを他方の片側として、それと前記
の多層ディスクとを貼り合わせて１枚の光ディスクとす
る場合がある。また、図１０に示すような信号を記録再
生消去可能な層（ＲＡＭ層）を少なくとも１層有する単
層若しくは多層のＲＡＭディスクを他方の片側として、
それと前記の多層ディスクとを貼り合わせて１枚の光デ
ィスクとする場合も考えられる。図９及び図１０のよう
な貼り合わせによる光ディスクの場合においても、図１
から図８に記載した貼り合わせによる光ディスクの場合
と、同一あるいは類似の作用及び効果を生ずる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。光
ビームを照射することによって信号を読み出すことが可
能な層（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ層）が光ビーム入射面
に垂直な方向に少なくとも２以上配置されておりその信
号を読み出すことが可能な層（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ
層）が信号を読み出すことの他に信号を記録及び消去す
ることが可能である少なくとも１層の記録再生消去可能
な層（ＲＡＭ層）と信号を読み出すことのみ可能な層
（ＲＯＭ層）とによって構成される多層ディスクと、そ
れと同様の光ディスクと、を貼り合わせて１枚の光ディ
スクとすることにより、光ディスクの記憶容量において
さらなる大容量化を図ることができ、また、信号を記録
するＲＡＭ層へのＲＯＭ層からの記録可能となる時間を
短縮させ、さらに、各ＲＡＭ層やＲＯＭ層の層間に塵芥
などが混入する恐れをなくし、その上、光ディスクの両
面からの光ビームの使用による作業の高効率化が図れ、
大容量で高速かつ安定した信号の記録再生消去が可能と
なる。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。光
ビームを照射することによって信号を読み出すことが可
能な層（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ層）が光ビーム入射面
に垂直な方向に少なくとも２以上配置されておりその信
号を読み出すことが可能な層（ＲＡＭ層もしくはＲＯＭ
層）が信号を読み出すことの他に信号を記録及び消去す
ることが可能である少なくとも１層の記録再生消去可能
な層（ＲＡＭ層）と信号を読み出すことのみ可能な層
（ＲＯＭ層）とによって構成される多層ディスクと、そ
れと同様の光ディスクと、を貼り合わせて１枚の光ディ
スクとすることにより、光ディスクの記憶容量において
さらなる大容量化を図ることができ、また、信号を記録
するＲＡＭ層へのＲＯＭ層からの記録可能となる時間を
短縮させ、さらに、各ＲＡＭ層やＲＯＭ層の層間に塵芥
などが混入する恐れをなくし、その上、光ディスクの両
面からの光ビームの使用による作業の高効率化が図れ、
大容量で高速かつ安定した信号の記録再生消去が可能と
なる。
【図１】本発明の特に請求項１による実施の形態を示す
部分断面図
部分断面図
【図２】本発明の特に請求項１による実施の形態による
光ディスク再生を説明するための図
光ディスク再生を説明するための図
【図３】本発明の特に請求項１０及び１１による実施の
形態を示す部分断面図
形態を示す部分断面図
【図４】本発明の特に請求項２による実施の形態を示す
部分断面図
部分断面図
【図５】本発明の特に請求項２による実施の形態による
光ディスク再生を説明するための図
光ディスク再生を説明するための図
【図６】本発明の特に請求項３による実施の形態を示す
部分断面図
部分断面図
【図７】本発明の請求項４による実施の形態における信
号再生を説明するための図
号再生を説明するための図
【図８】本発明の特に請求項６による実施の形態を示す
部分断面図
部分断面図
【図９】本発明の特に請求項１３による実施の形態を示
す部分断面図
す部分断面図
【図１０】本発明の特に請求項１４による実施の形態を
示す部分断面図
示す部分断面図
【図１１】第一の従来例を示す模式図
【図１２】第一の従来例を示す部分部分断面図
【図１３】第二の従来例を示す部分部分断面図
【図１４】第三の従来例を示す部分部分断面図
１０１、４０１、９０１、１２０１、１４０３ 基板
１０２、３０３、４０３、９０３、１００３ ＲＯ
Ｍ層 １０３、３０２、４０２、９０２、１００２ ＲＡ
Ｍ層 １０４、３０４、４０４、９０４、１４０２ 中間
層 １０５、４０５、６０７、９０５、１２０４ 保護
層 １０６、３１０、４０６ 光ビ
ーム ６０８ 反射
層 １１０１ パー
シャルＲＯＭディスク １１０２、１２０２ ＲＡ
Ｍ部 １１０３、１２０３ ＲＯ
Ｍ部 １３０１ ＲＯ
Ｍディスク １３０２ ＲＡ
Ｍディスク １３０３ 中空
部 １３０４、１４０１ 記録
膜
Ｍ層 １０３、３０２、４０２、９０２、１００２ ＲＡ
Ｍ層 １０４、３０４、４０４、９０４、１４０２ 中間
層 １０５、４０５、６０７、９０５、１２０４ 保護
層 １０６、３１０、４０６ 光ビ
ーム ６０８ 反射
層 １１０１ パー
シャルＲＯＭディスク １１０２、１２０２ ＲＡ
Ｍ部 １１０３、１２０３ ＲＯ
Ｍ部 １３０１ ＲＯ
Ｍディスク １３０２ ＲＡ
Ｍディスク １３０３ 中空
部 １３０４、１４０１ 記録
膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/00 - 7/0065
G11B 7/24
Claims (2)
- 【請求項１】 光ビームが照射されることにより信号が
記録及び再生並びに消去され相変化膜から成る第１の層
と、予め信号が記録されており前記第１の層を介して前
記光ビームが照射されることにより前記予め記録された
信号が読み出される第２の層とを備える多層ディスクを
２枚貼り合わせた光ディスクの信号記録再生方法であっ
て、 予め前記第１の層の全面にランダムな情報信号を記録
し、 その後に前記第２の層からの信号の読出しまたは第１の
層への信号の記録を行うことを特徴とする光ディスクの
信号記録再生方法。 - 【請求項２】 光ビームが照射されることにより信号が
記録及び再生並びに消去され相変化膜から成る第１の層
と、予め信号が記録されており前記第１の層を介して前
記光ビームが照射されることにより前記予め記録された
信号が読み出される第２の層とを備える多層ディスクを
２枚貼り合わせた光ディスクの信号記録再生方法であっ
て、 予め前記第１の層の全面に最少マークの繰り返しパター
ンとなる信号を記録し、 その後に前記第２の層からの信号の読出しまたは第１の
層への信号の記録を行うことを特徴とする光ディスクの
信号記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33979195A JP3522938B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33979195A JP3522938B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180257A JPH09180257A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3522938B2 true JP3522938B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=18330847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33979195A Expired - Fee Related JP3522938B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光ディスクの信号記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3522938B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7151729B1 (en) * | 2000-06-29 | 2006-12-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical recording medium having read-only storage area and writeable storage area and recording/reproducing apparatus and method therefor |
| JP3699926B2 (ja) | 2001-12-03 | 2005-09-28 | 株式会社東芝 | 光ディスク記録装置、光ディスク記録方法、光ディスク再生装置、光ディスク |
| US8429681B2 (en) | 2007-09-06 | 2013-04-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical disc apparatus which includes an optical pickup apparatus that includes an optical member driving apparatus |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP33979195A patent/JP3522938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09180257A (ja) | 1997-07-11 |
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