JPH09167593A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH09167593A JPH09167593A JP7348105A JP34810595A JPH09167593A JP H09167593 A JPH09167593 A JP H09167593A JP 7348105 A JP7348105 A JP 7348105A JP 34810595 A JP34810595 A JP 34810595A JP H09167593 A JPH09167593 A JP H09167593A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に低減
する。 【解決手段】 基板６を保持する基板保持手段を、基板
６を静電気によって吸着する静電チャック２０を用いて
構成した。かつ、プラズマ３４を発生させてそれを、静
電チャック２０上の基板６に照射されるイオンビーム２
の近傍または当該基板６の近傍に供給して、イオンビー
ム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する中和装置３
０ａを設けた。
する。 【解決手段】 基板６を保持する基板保持手段を、基板
６を静電気によって吸着する静電チャック２０を用いて
構成した。かつ、プラズマ３４を発生させてそれを、静
電チャック２０上の基板６に照射されるイオンビーム２
の近傍または当該基板６の近傍に供給して、イオンビー
ム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する中和装置３
０ａを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板保持手段に
保持された基板にイオンビームを照射してイオン注入を
行うイオン注入装置に関し、より具体的には、その基板
保持手段からのスパッタ粒子が基板に入り込むことを防
止する手段に関する。
保持された基板にイオンビームを照射してイオン注入を
行うイオン注入装置に関し、より具体的には、その基板
保持手段からのスパッタ粒子が基板に入り込むことを防
止する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のイオン注入装置の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【０００３】このイオン注入装置においては、基板（例
えばウェーハ）６を支持するベース８、基板６の周縁部
をベース８に向けて押し付けるクランパー１０およびば
ね１２によって、基板保持手段を構成している。クラン
パー１０は、図示例のようにリング状の場合もあるし、
多点の場合もある。ベース８およびクランパー１０は、
アルミニウム等の金属によって作られており、図示例の
ようにビーム電流計測器１４を経由して、または直接、
アースされている。基板６に入るイオンビーム２等によ
る電荷は、ベース８（およびこの例ではビーム電流計測
器１４）を経由してアースに流れる。
えばウェーハ）６を支持するベース８、基板６の周縁部
をベース８に向けて押し付けるクランパー１０およびば
ね１２によって、基板保持手段を構成している。クラン
パー１０は、図示例のようにリング状の場合もあるし、
多点の場合もある。ベース８およびクランパー１０は、
アルミニウム等の金属によって作られており、図示例の
ようにビーム電流計測器１４を経由して、または直接、
アースされている。基板６に入るイオンビーム２等によ
る電荷は、ベース８（およびこの例ではビーム電流計測
器１４）を経由してアースに流れる。
【０００４】このような基板保持手段を、通常は、真空
容器内に設けられたファラデーケージ４内に配置し、そ
こで、基板６にイオンビーム２を照射して当該基板６に
イオン注入を行う。このファラデーケージ４は、ベース
８等と共にビーム電流計測器１４に接続されている。但
し、ファラデーケージ４を設けない場合もあり、その場
合は図中の符号４を真空容器と考えれば良く、またビー
ム電流計測器１４はベース８に接続される。
容器内に設けられたファラデーケージ４内に配置し、そ
こで、基板６にイオンビーム２を照射して当該基板６に
イオン注入を行う。このファラデーケージ４は、ベース
８等と共にビーム電流計測器１４に接続されている。但
し、ファラデーケージ４を設けない場合もあり、その場
合は図中の符号４を真空容器と考えれば良く、またビー
ム電流計測器１４はベース８に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おける注入動作においては、イオンビーム２が基板６の
全面に照射（注入）されるように、イオンビーム２と基
板６とは相対的に走査される。例えば、基板６を固定
しておいてイオンビーム２をＸＹ方向に電気的に走査す
る、イオンビーム２を固定しておいて基板６をＸＹ方
向に機械的に走査する、またはイオンビーム２の電気
的な走査と基板６の機械的な走査とを併用する。いずれ
の場合も、基板６の全面に確実にイオンビーム２を照射
する必要上、イオンビーム２が基板６を少しはみ出すよ
うに走査され（これをオーバースキャンと言う）、この
時、基板６の周縁部を押さえているクランパー１０にも
イオンビーム２が当たることになる。
おける注入動作においては、イオンビーム２が基板６の
全面に照射（注入）されるように、イオンビーム２と基
板６とは相対的に走査される。例えば、基板６を固定
しておいてイオンビーム２をＸＹ方向に電気的に走査す
る、イオンビーム２を固定しておいて基板６をＸＹ方
向に機械的に走査する、またはイオンビーム２の電気
的な走査と基板６の機械的な走査とを併用する。いずれ
の場合も、基板６の全面に確実にイオンビーム２を照射
する必要上、イオンビーム２が基板６を少しはみ出すよ
うに走査され（これをオーバースキャンと言う）、この
時、基板６の周縁部を押さえているクランパー１０にも
イオンビーム２が当たることになる。
【０００６】このクランパー１０へのイオンビーム２の
衝突によってクランパー１０はスパッタされてスパッタ
粒子１６が発生し、このスパッタ粒子１６が基板６に入
り込む。このようなスパッタ粒子１６が基板６に入り込
むと基板６の表面が汚染されるため、イオン注入におい
ては、特に微細化が進む超ＬＳＩの製造等においては、
このような汚染を極力防ぐ必要がある。
衝突によってクランパー１０はスパッタされてスパッタ
粒子１６が発生し、このスパッタ粒子１６が基板６に入
り込む。このようなスパッタ粒子１６が基板６に入り込
むと基板６の表面が汚染されるため、イオン注入におい
ては、特に微細化が進む超ＬＳＩの製造等においては、
このような汚染を極力防ぐ必要がある。
【０００７】そこで従来は、クランパー１０から発生す
るスパッタ粒子１６を低減するために、基板６の全周
を押さえるのではなく部分的に押さえる、またはクラ
ンパー１０の内周部を、図示とは逆にビーム入口側が尖
った逆ナイフエッジにする、等の構造を工夫するとか、
クランパー１０の材質を、基板６を構成する半導体に
対してできるだけ害の少ない材質にする、またはその
ような材質をクランパー１０の表面に被覆する、等のス
パッタ粒子１６の源の材質を選択する、等の手段によっ
て対応してきた。
るスパッタ粒子１６を低減するために、基板６の全周
を押さえるのではなく部分的に押さえる、またはクラ
ンパー１０の内周部を、図示とは逆にビーム入口側が尖
った逆ナイフエッジにする、等の構造を工夫するとか、
クランパー１０の材質を、基板６を構成する半導体に
対してできるだけ害の少ない材質にする、またはその
ような材質をクランパー１０の表面に被覆する、等のス
パッタ粒子１６の源の材質を選択する、等の手段によっ
て対応してきた。
【０００８】しかしながら、そのような手段では、スパ
ッタ粒子１６による基板６の汚染をある程度は低減する
ことができても、クランパー１０からスパッタ粒子１６
が発生する以上、スパッタ粒子１６による基板６の汚染
を大幅に低減することはできない。
ッタ粒子１６による基板６の汚染をある程度は低減する
ことができても、クランパー１０からスパッタ粒子１６
が発生する以上、スパッタ粒子１６による基板６の汚染
を大幅に低減することはできない。
【０００９】そこでこの発明は、スパッタ粒子による基
板の汚染を大幅に低減することを主たる目的とする。
板の汚染を大幅に低減することを主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、基板保持手段を、基
板を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とする。
め、この発明のイオン注入装置は、基板保持手段を、基
板を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とする。
【００１１】上記構成によれば、基板の保持を静電チャ
ックによる吸着によって行うことができるので、従来例
においてスパッタ粒子の源になっていたクランパーは、
この発明では不要になる。従って、クランパーからのス
パッタ粒子はこの発明では本質的に存在せず、それ故、
スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に低減することが
できる。
ックによる吸着によって行うことができるので、従来例
においてスパッタ粒子の源になっていたクランパーは、
この発明では不要になる。従って、クランパーからのス
パッタ粒子はこの発明では本質的に存在せず、それ故、
スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に低減することが
できる。
【００１２】しかし、静電チャックの表面は一般的に絶
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。そこ
でこの発明では、そのような正電荷を中和する上記のよ
うな中和装置を設けた。これによって、基板に対する所
定のイオン注入を支障なく行うことができる。
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。そこ
でこの発明では、そのような正電荷を中和する上記のよ
うな中和装置を設けた。これによって、基板に対する所
定のイオン注入を支障なく行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を示す概略図である。図４の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置の一例を示す概略図である。図４の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１４】この実施例においては、前述した基板６を
保持する基板保持手段を、基板６を静電気によって吸着
する静電チャック２０を用いて構成しており、それをこ
の例では前述したファラデーケージ４内に配置してい
る。
保持する基板保持手段を、基板６を静電気によって吸着
する静電チャック２０を用いて構成しており、それをこ
の例では前述したファラデーケージ４内に配置してい
る。
【００１５】静電チャックには、電極が二つの双極型
と、電極が一つの単極型とがあるが、前者の方が吸着力
が強いので好ましい。この実施例の静電チャック２０
も、双極型であり、例えばセラミックのような絶縁体２
２内の表面近くに、共に半円形をした二つの電極２４お
よび２５が相対向して円形を成すように埋め込まれてい
る。この静電チャック２０は、この例では金属製のベー
ス２６に支持されており、このベース２６は、この例で
は前述したビーム電流計測器１４を経由してアースされ
ている。
と、電極が一つの単極型とがあるが、前者の方が吸着力
が強いので好ましい。この実施例の静電チャック２０
も、双極型であり、例えばセラミックのような絶縁体２
２内の表面近くに、共に半円形をした二つの電極２４お
よび２５が相対向して円形を成すように埋め込まれてい
る。この静電チャック２０は、この例では金属製のベー
ス２６に支持されており、このベース２６は、この例で
は前述したビーム電流計測器１４を経由してアースされ
ている。
【００１６】図示しない直流電源から、一方の電極（例
えば電極２４）に正電圧が、他方の電極（例えば電極２
５）に負電圧が印加される。これによって、基板６と電
極２４、２５間に正負の電荷が溜まり、その間に働くク
ーロン力によって基板６が吸着保持される。その状態
で、基板６にイオンビーム２を照射してイオン注入を行
うことができる。
えば電極２４）に正電圧が、他方の電極（例えば電極２
５）に負電圧が印加される。これによって、基板６と電
極２４、２５間に正負の電荷が溜まり、その間に働くク
ーロン力によって基板６が吸着保持される。その状態
で、基板６にイオンビーム２を照射してイオン注入を行
うことができる。
【００１７】上記構成によれば、基板６の保持を静電チ
ャック２０による吸着によって行うことができるので、
従来例においてスパッタ粒子の源になっていたクランパ
ーは、ここでは不要になる。従って、クランパーからの
スパッタ粒子はここでは本質的に存在せず、それ故、ス
パッタ粒子による基板６の汚染を大幅に低減することが
できる。
ャック２０による吸着によって行うことができるので、
従来例においてスパッタ粒子の源になっていたクランパ
ーは、ここでは不要になる。従って、クランパーからの
スパッタ粒子はここでは本質的に存在せず、それ故、ス
パッタ粒子による基板６の汚染を大幅に低減することが
できる。
【００１８】しかし、静電チャック２０の表面は上記の
ように絶縁体２２であり、基板６はそこに周囲から電気
的に絶縁されて保持されることになるため、そのままで
は、基板６に照射されたイオンビーム２の正電荷の流出
先がなく、この正電荷が基板６に蓄積され、所定のイオ
ン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。例えば、
基板６は、イオンビーム２の持つエネルギーに相当する
高い電位にまで充電され、この電位がイオンビーム２の
飛来を妨げるため、基板６に所定のイオン注入を行うこ
とができなくなる。また、基板６とその付近との間でブ
レークダウンが起こり、基板６等が損傷を受けることも
ある。
ように絶縁体２２であり、基板６はそこに周囲から電気
的に絶縁されて保持されることになるため、そのままで
は、基板６に照射されたイオンビーム２の正電荷の流出
先がなく、この正電荷が基板６に蓄積され、所定のイオ
ン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。例えば、
基板６は、イオンビーム２の持つエネルギーに相当する
高い電位にまで充電され、この電位がイオンビーム２の
飛来を妨げるため、基板６に所定のイオン注入を行うこ
とができなくなる。また、基板６とその付近との間でブ
レークダウンが起こり、基板６等が損傷を受けることも
ある。
【００１９】そこでこの発明では、プラズマまたは電子
を発生させてそれを、静電チャック２０に保持された基
板６の近傍または当該基板６に照射されるイオンビーム
２の近傍に供給して、イオンビーム２の照射に伴う基板
６上での正電荷を中和する中和装置を設けている。これ
によって、基板６に対する所定のイオン注入を支障なく
行うことができる。
を発生させてそれを、静電チャック２０に保持された基
板６の近傍または当該基板６に照射されるイオンビーム
２の近傍に供給して、イオンビーム２の照射に伴う基板
６上での正電荷を中和する中和装置を設けている。これ
によって、基板６に対する所定のイオン注入を支障なく
行うことができる。
【００２０】この中和装置の例を詳述すると、図１の実
施例では、静電チャック２０の上流側付近に位置するフ
ァラデーケージ４の側面に、中和装置３０ａを設けてい
る。この中和装置３０ａは、プラズマ３４を生成するプ
ラズマ生成部３２を有していて、そこで生成したプラズ
マ３４を、ファラデーケージ４内を通過するイオンビー
ム２の近傍または静電チャック２０上の基板６の近傍に
供給するように構成されている。
施例では、静電チャック２０の上流側付近に位置するフ
ァラデーケージ４の側面に、中和装置３０ａを設けてい
る。この中和装置３０ａは、プラズマ３４を生成するプ
ラズマ生成部３２を有していて、そこで生成したプラズ
マ３４を、ファラデーケージ４内を通過するイオンビー
ム２の近傍または静電チャック２０上の基板６の近傍に
供給するように構成されている。
【００２１】イオンビーム２は、空間電荷効果によって
正の電位を有しており、このイオンビーム２の近傍に供
給されたプラズマ３４中の電子は、この正電位によって
イオンビーム２中に引き込まれてイオンビーム２と共に
基板６に入射して、または基板６の正帯電による正電位
に引かれて基板６に直接入射して、イオンビーム照射に
伴う基板６上での正電荷を中和する。
正の電位を有しており、このイオンビーム２の近傍に供
給されたプラズマ３４中の電子は、この正電位によって
イオンビーム２中に引き込まれてイオンビーム２と共に
基板６に入射して、または基板６の正帯電による正電位
に引かれて基板６に直接入射して、イオンビーム照射に
伴う基板６上での正電荷を中和する。
【００２２】その場合、プラズマ生成部３２に、図示の
向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を接続して、
プラズマ生成部３２のファラデーケージ４またはアース
に対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０Ｖ〜＋５
０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良く、そのよ
うにすれば、基板６に到達する電子の量等を制御するこ
とができるので、上記中和作用を制御することができ
る。３６は絶縁物である。
向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を接続して、
プラズマ生成部３２のファラデーケージ４またはアース
に対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０Ｖ〜＋５
０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良く、そのよ
うにすれば、基板６に到達する電子の量等を制御するこ
とができるので、上記中和作用を制御することができ
る。３６は絶縁物である。
【００２３】図２の実施例では、静電チャック２０の上
流側付近に位置するファラデーケージ４の側面に、中和
装置３０ｂを設けている。この中和装置３０ｂは、電子
（熱電子）４２発生用のフィラメント４０とそれを加熱
するフィラメント電源４４とを有していて、フィラメン
ト４０から発生させた電子４２を、ファラデーケージ４
内を通過するイオンビーム２の近傍または静電チャック
２０上の基板６の近傍に供給するように構成されてい
る。
流側付近に位置するファラデーケージ４の側面に、中和
装置３０ｂを設けている。この中和装置３０ｂは、電子
（熱電子）４２発生用のフィラメント４０とそれを加熱
するフィラメント電源４４とを有していて、フィラメン
ト４０から発生させた電子４２を、ファラデーケージ４
内を通過するイオンビーム２の近傍または静電チャック
２０上の基板６の近傍に供給するように構成されてい
る。
【００２４】この電子４２は、イオンビーム２の正電位
によってイオンビーム２中に引き込まれてイオンビーム
２と共に基板６に入射して、または基板６の正帯電によ
る正電位に引かれて基板６に直接入射して、イオンビー
ム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する。
によってイオンビーム２中に引き込まれてイオンビーム
２と共に基板６に入射して、または基板６の正帯電によ
る正電位に引かれて基板６に直接入射して、イオンビー
ム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する。
【００２５】この実施例の場合も、フィラメント４０
に、図示の向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を
接続して、フィラメント４０のファラデーケージ４また
はアースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０
Ｖ〜＋５０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良
く、そのようにすれば、基板６に到達する電子４２の量
等を制御することができるので、上記中和作用を制御す
ることができる。
に、図示の向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を
接続して、フィラメント４０のファラデーケージ４また
はアースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０
Ｖ〜＋５０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良
く、そのようにすれば、基板６に到達する電子４２の量
等を制御することができるので、上記中和作用を制御す
ることができる。
【００２６】図３の実施例では、静電チャック２０の上
流側近傍に中和装置３０ｃを設けている。この中和装置
３０ｃは、静電チャック２０に保持された基板６の近傍
にガス４８を供給する１本または複数本のガス供給パイ
プ４６を有している。ガス４８は例えば不活性ガスであ
る。
流側近傍に中和装置３０ｃを設けている。この中和装置
３０ｃは、静電チャック２０に保持された基板６の近傍
にガス４８を供給する１本または複数本のガス供給パイ
プ４６を有している。ガス４８は例えば不活性ガスであ
る。
【００２７】基板６の近傍にガス４８を供給しながら基
板６にイオンビーム２を照射すると、そのガス分子にイ
オンビーム２が衝突してそれを電離させて、基板６の表
面近傍にプラズマ５０が生成される。このプラズマ５０
中の電子は、基板６の正帯電による正電位に引かれて基
板６に入射し、イオンビーム照射に伴う基板６上での正
電荷を中和する。
板６にイオンビーム２を照射すると、そのガス分子にイ
オンビーム２が衝突してそれを電離させて、基板６の表
面近傍にプラズマ５０が生成される。このプラズマ５０
中の電子は、基板６の正帯電による正電位に引かれて基
板６に入射し、イオンビーム照射に伴う基板６上での正
電荷を中和する。
【００２８】このプラズマ５０の端部はガス供給パイプ
４６に接触するので、このプラズマ５０の電位は、ガス
供給パイプ４６の電位によって制御することができる。
そこでこの実施例の場合も、ガス供給パイプ４６に、図
示の向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を接続し
て、ガス供給パイプ４６のファラデーケージ４またはア
ースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０Ｖ〜
＋５０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良く、そ
のようにすれば、プラズマ５０の電位を制御してそこか
ら基板６に供給される電子の量等を制御することができ
るので、上記中和作用を制御することができる。
４６に接触するので、このプラズマ５０の電位は、ガス
供給パイプ４６の電位によって制御することができる。
そこでこの実施例の場合も、ガス供給パイプ４６に、図
示の向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を接続し
て、ガス供給パイプ４６のファラデーケージ４またはア
ースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０Ｖ〜
＋５０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良く、そ
のようにすれば、プラズマ５０の電位を制御してそこか
ら基板６に供給される電子の量等を制御することができ
るので、上記中和作用を制御することができる。
【００２９】なお、上記のような中和装置３０ａ〜３０
ｃの内の二つまたは三つを組み合わせて設けても良く、
そのようにすれば、よりきめ細かく、かつより確実に、
イオンビーム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する
ことができる。
ｃの内の二つまたは三つを組み合わせて設けても良く、
そのようにすれば、よりきめ細かく、かつより確実に、
イオンビーム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する
ことができる。
【００３０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板の
保持を静電チャックによる吸着によって行うことができ
るので、従来例においてスパッタ粒子の源になっていた
クランパーは、この発明では不要になる。従って、クラ
ンパーからのスパッタ粒子はこの発明では本質的に存在
せず、それ故、スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に
低減することができる。
保持を静電チャックによる吸着によって行うことができ
るので、従来例においてスパッタ粒子の源になっていた
クランパーは、この発明では不要になる。従って、クラ
ンパーからのスパッタ粒子はこの発明では本質的に存在
せず、それ故、スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に
低減することができる。
【００３１】しかも、静電チャックの表面は一般的に絶
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生するけれど
も、この発明では、そのような正電荷を中和する上記の
ような中和装置を設けたので、これによって、基板に対
する所定のイオン注入を支障なく行うことができる。
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生するけれど
も、この発明では、そのような正電荷を中和する上記の
ような中和装置を設けたので、これによって、基板に対
する所定のイオン注入を支障なく行うことができる。
【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を示す概
略図である。
略図である。
【図２】この発明に係るイオン注入装置の他の例を示す
概略図である。
概略図である。
【図３】この発明に係るイオン注入装置の更に他の例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図４】従来のイオン注入装置の一例を示す概略図であ
る。
る。
２ イオンビーム ６ 基板 ２０ 静電チャック ３０ａ〜３０ｃ 中和装置 ３４ プラズマ ４２ 電子 ４８ ガス ５０ プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 真空中で、基板保持手段に保持された基
板にイオンビームを照射して当該基板にイオン注入を行
うイオン注入装置において、前記基板保持手段を、基板
を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7348105A JPH09167593A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7348105A JPH09167593A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167593A true JPH09167593A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18394776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7348105A Pending JPH09167593A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167593A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144671A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | イオン注入装置 |
| JP2001185503A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
| KR100460800B1 (ko) * | 1997-07-03 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마처리장치및이의잔류물제거플레이트제조방법 |
| JP2008028405A (ja) * | 2007-08-07 | 2008-02-07 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
| CN104988468A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-10-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种绝缘材料金属等离子体浸没离子注入与沉积装置及使用其进行注入与沉积的方法 |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP7348105A patent/JPH09167593A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460800B1 (ko) * | 1997-07-03 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마처리장치및이의잔류물제거플레이트제조방법 |
| JPH11144671A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | イオン注入装置 |
| JP2001185503A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
| JP2008028405A (ja) * | 2007-08-07 | 2008-02-07 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
| CN104988468A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-10-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种绝缘材料金属等离子体浸没离子注入与沉积装置及使用其进行注入与沉积的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |