JPH09165293A - 単結晶の育成方法 - Google Patents
単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPH09165293A JPH09165293A JP34781395A JP34781395A JPH09165293A JP H09165293 A JPH09165293 A JP H09165293A JP 34781395 A JP34781395 A JP 34781395A JP 34781395 A JP34781395 A JP 34781395A JP H09165293 A JPH09165293 A JP H09165293A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- diameter
- growing
- melt
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長尺でも径が一定の値に制御された単結晶を
育成して、単結晶を高い歩留りで育成する。 【解決手段】 単結晶２１の直胴部の育成時間が経過す
るに連れてヒータ１３の温度に対する単結晶２１の径の
応答関数の時定数または利得の少なくとも一方が単調的
に小さくなっている。このため、融液１４の残量が減少
したり、ヒータ１３と融液１４との相対位置が変化した
りしても、ヒータ１３の温度に対する単結晶２１の径の
応答性が速くなることはないので、長尺でも径が一定の
値に制御された単結晶２１を育成することができる。
育成して、単結晶を高い歩留りで育成する。 【解決手段】 単結晶２１の直胴部の育成時間が経過す
るに連れてヒータ１３の温度に対する単結晶２１の径の
応答関数の時定数または利得の少なくとも一方が単調的
に小さくなっている。このため、融液１４の残量が減少
したり、ヒータ１３と融液１４との相対位置が変化した
りしても、ヒータ１３の温度に対する単結晶２１の径の
応答性が速くなることはないので、長尺でも径が一定の
値に制御された単結晶２１を育成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モデル予測制御を
用いて引上げ法による単結晶の育成を行う方法に関する
ものである。
用いて引上げ法による単結晶の育成を行う方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】引上げ法によって単結晶を育成するに際
して、単結晶の径を一定の値に制御することができなけ
れば、径の変動幅を見込んで大きめの径の単結晶を育成
する必要があり、また、単結晶からの放熱が不安定にな
って製品として使用することができない多結晶の比率が
高くなるので、単結晶を高い歩留りで育成することがで
きない。
して、単結晶の径を一定の値に制御することができなけ
れば、径の変動幅を見込んで大きめの径の単結晶を育成
する必要があり、また、単結晶からの放熱が不安定にな
って製品として使用することができない多結晶の比率が
高くなるので、単結晶を高い歩留りで育成することがで
きない。
【０００３】そこで、原料の融液を形成するために原料
を加熱する温度に対する単結晶の径の応答関数を予め求
めておき、単結晶の実際の育成中における加熱の履歴と
重量法等で求めた単結晶の径とから所定時間経過後にお
ける単結晶の径の予測値を応答関数から求め、この予測
値が当該所定時間経過後における目標値に一致する様に
加熱の温度を制御するというモデル予測制御を用いる方
法が知られている（例えば、特開平４−１０８６８７号
公報）。
を加熱する温度に対する単結晶の径の応答関数を予め求
めておき、単結晶の実際の育成中における加熱の履歴と
重量法等で求めた単結晶の径とから所定時間経過後にお
ける単結晶の径の予測値を応答関数から求め、この予測
値が当該所定時間経過後における目標値に一致する様に
加熱の温度を制御するというモデル予測制御を用いる方
法が知られている（例えば、特開平４−１０８６８７号
公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単結晶の実際
の育成においては、上述の様なモデル予測制御を用いて
も、単結晶の育成に伴って、応答関数で求めた予測値と
実際に育成した単結晶の径との差が大きくなっていた。
このため、予測値と目標値とが一致する様に加熱の温度
を制御しても、実際に育成した単結晶の径が目標値から
ずれ、単結晶を高い歩留りで育成することが依然として
困難であった。
の育成においては、上述の様なモデル予測制御を用いて
も、単結晶の育成に伴って、応答関数で求めた予測値と
実際に育成した単結晶の径との差が大きくなっていた。
このため、予測値と目標値とが一致する様に加熱の温度
を制御しても、実際に育成した単結晶の径が目標値から
ずれ、単結晶を高い歩留りで育成することが依然として
困難であった。
【０００５】この様な予測値と目標値とのずれは、本願
の発明者によれば、単結晶の育成に伴う育成環境の変
化、例えば、融液の残量の減少や、この減少による加熱
手段と融液との相対位置の変化に起因すると考えられ
る。このことは、長尺の単結晶を育成するために多量の
融液を使用すると予測値と目標値とのずれが更に顕著に
なることからも考えられる。
の発明者によれば、単結晶の育成に伴う育成環境の変
化、例えば、融液の残量の減少や、この減少による加熱
手段と融液との相対位置の変化に起因すると考えられ
る。このことは、長尺の単結晶を育成するために多量の
融液を使用すると予測値と目標値とのずれが更に顕著に
なることからも考えられる。
【０００６】従って、本発明は、長尺でも径が一定の値
に制御された単結晶を育成することができて、単結晶を
高い歩留りで育成することができる方法を提供すること
を目的としている。
に制御された単結晶を育成することができて、単結晶を
高い歩留りで育成することができる方法を提供すること
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の単結晶の育成
方法は、原料を加熱して形成した融液に種結晶を接触さ
せ、この種結晶を前記融液から引き上げることによって
単結晶を育成するに際して、前記加熱の温度に対する前
記単結晶の径の応答関数を予め求めておき、前記育成中
における前記加熱の履歴と前記径とから所定時間経過後
における前記径の予測値を前記応答関数から求め、この
予測値が前記所定時間経過後における前記径の目標値に
一致する様に前記加熱の温度を制御する単結晶の育成方
法において、前記単結晶の直胴部の育成時間が経過する
に連れて前記応答関数の時定数または利得の少なくとも
一方が単調的に小さくなっていることを特徴としてい
る。
方法は、原料を加熱して形成した融液に種結晶を接触さ
せ、この種結晶を前記融液から引き上げることによって
単結晶を育成するに際して、前記加熱の温度に対する前
記単結晶の径の応答関数を予め求めておき、前記育成中
における前記加熱の履歴と前記径とから所定時間経過後
における前記径の予測値を前記応答関数から求め、この
予測値が前記所定時間経過後における前記径の目標値に
一致する様に前記加熱の温度を制御する単結晶の育成方
法において、前記単結晶の直胴部の育成時間が経過する
に連れて前記応答関数の時定数または利得の少なくとも
一方が単調的に小さくなっていることを特徴としてい
る。
【０００８】請求項２の単結晶の育成方法は、請求項１
の単結晶の育成方法において、前記融液の残量が減少す
るに連れて前記時定数または前記利得の少なくとも一方
が単調的に小さくなっていることを特徴としている。
の単結晶の育成方法において、前記融液の残量が減少す
るに連れて前記時定数または前記利得の少なくとも一方
が単調的に小さくなっていることを特徴としている。
【０００９】請求項３の単結晶の育成方法は、請求項１
の単結晶の育成方法において、前記加熱の手段と前記融
液との相対位置が変化するに連れて前記時定数または前
記利得の少なくとも一方が単調的に小さくなっているこ
とを特徴としている。
の単結晶の育成方法において、前記加熱の手段と前記融
液との相対位置が変化するに連れて前記時定数または前
記利得の少なくとも一方が単調的に小さくなっているこ
とを特徴としている。
【００１０】請求項４の単結晶の育成方法は、請求項１
〜３の何れかの単結晶の育成方法において、前記時定数
または前記利得の少なくとも一方が一次関数的に小さく
なっていることを特徴としている。
〜３の何れかの単結晶の育成方法において、前記時定数
または前記利得の少なくとも一方が一次関数的に小さく
なっていることを特徴としている。
【００１１】本発明による単結晶の育成方法では、単結
晶の直胴部の育成時間が経過するに連れて加熱の温度に
対する単結晶の径の応答関数の時定数または利得の少な
くとも一方が単調的に小さくなっているので、融液の残
量が減少したり、加熱の手段と融液との相対位置が変化
したりしても、加熱の温度に対する単結晶の径の応答性
が速くなることはない。
晶の直胴部の育成時間が経過するに連れて加熱の温度に
対する単結晶の径の応答関数の時定数または利得の少な
くとも一方が単調的に小さくなっているので、融液の残
量が減少したり、加熱の手段と融液との相対位置が変化
したりしても、加熱の温度に対する単結晶の径の応答性
が速くなることはない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、直径４インチのウェハを得
ることができる様に目標半径が５５ｍｍで長さが２００
ｍｍであるＧａＡｓ単結晶を、引上げ法の一種である液
体封止引上げ法で育成する場合に適用した本発明の一具
体例を、図１〜４を参照しながら説明する。
ることができる様に目標半径が５５ｍｍで長さが２００
ｍｍであるＧａＡｓ単結晶を、引上げ法の一種である液
体封止引上げ法で育成する場合に適用した本発明の一具
体例を、図１〜４を参照しながら説明する。
【００１３】本具体例では、図１に示す様に、育成炉１
１内に配置されており直径が３００ｍｍであるｐＢＮ
（熱分解窒化硼素）製の坩堝１２内に、原料になる高純
度のＧａＡｓ１５ｋｇと封止剤になるＢ2 Ｏ3 ２．５ｋ
ｇとを投入し、育成炉１１内の空気を真空ポンプで排気
した後、Ａｒガスで育成炉１１内を２０気圧にする。
１内に配置されており直径が３００ｍｍであるｐＢＮ
（熱分解窒化硼素）製の坩堝１２内に、原料になる高純
度のＧａＡｓ１５ｋｇと封止剤になるＢ2 Ｏ3 ２．５ｋ
ｇとを投入し、育成炉１１内の空気を真空ポンプで排気
した後、Ａｒガスで育成炉１１内を２０気圧にする。
【００１４】そして、ヒータ１３に給電して坩堝１２を
加熱し、坩堝１２内のＧａＡｓ及びＢ2 Ｏ3 を融解させ
て、ＧａＡｓの融液１４を形成すると共に、Ｂ2 Ｏ3 を
融解させてＢ2 Ｏ3 の融液（図示せず）をＧａＡｓの融
液１４上に形成して、Ｂ2 Ｏ3 の融液でＧａＡｓの融液
１４を坩堝１２内に封止する。
加熱し、坩堝１２内のＧａＡｓ及びＢ2 Ｏ3 を融解させ
て、ＧａＡｓの融液１４を形成すると共に、Ｂ2 Ｏ3 を
融解させてＢ2 Ｏ3 の融液（図示せず）をＧａＡｓの融
液１４上に形成して、Ｂ2 Ｏ3 の融液でＧａＡｓの融液
１４を坩堝１２内に封止する。
【００１５】その後、育成しつつある結晶と融液１４と
の固液界面形状が下方へ向かって凸形状になる温度分布
を育成炉１１が有する様にヒータ１３への供給電力を制
御しつつ、種結晶１５を融液１４に接触させ、この種結
晶１５を懸吊している結晶引上軸１６を時計回り方向へ
６回転／分で回転させると共に、坩堝１２を支持してい
る坩堝軸１７を反時計回り方向へ２０〜３０回転／分で
回転させつつ、６〜１０ｍｍ／時の速度で種結晶１５を
上方へ引き上げることによって、結晶方位が＜１００＞
であるＧａＡｓの単結晶２１を得る。
の固液界面形状が下方へ向かって凸形状になる温度分布
を育成炉１１が有する様にヒータ１３への供給電力を制
御しつつ、種結晶１５を融液１４に接触させ、この種結
晶１５を懸吊している結晶引上軸１６を時計回り方向へ
６回転／分で回転させると共に、坩堝１２を支持してい
る坩堝軸１７を反時計回り方向へ２０〜３０回転／分で
回転させつつ、６〜１０ｍｍ／時の速度で種結晶１５を
上方へ引き上げることによって、結晶方位が＜１００＞
であるＧａＡｓの単結晶２１を得る。
【００１６】単結晶２１が目標半径に到達するまで、つ
まり単結晶２１の肩部を育成している間は、単結晶２１
の実際の形状に応じて手動でヒータ１３の温度を制御
し、単結晶２１が目標半径に到達した後、つまり単結晶
２１の直胴部の育成開始以後は、目標半径のままで単結
晶２１を育成するために、以下の様なヒータ１３の温度
の自動制御を行った。
まり単結晶２１の肩部を育成している間は、単結晶２１
の実際の形状に応じて手動でヒータ１３の温度を制御
し、単結晶２１が目標半径に到達した後、つまり単結晶
２１の直胴部の育成開始以後は、目標半径のままで単結
晶２１を育成するために、以下の様なヒータ１３の温度
の自動制御を行った。
【００１７】即ち、まず、図２（ａ）に示す様にステッ
プ状に設定した温度のヒータ１３による加熱によって、
単結晶２１の半径が図２（ｂ）に示す様にステップ状に
応答するとする。そして、時刻ｔ＋ｊにおける半径ｙM
（ｔ＋ｊ）を時刻ｔにおける半径ｙM （ｔ）からの変動
としてモデル化して、次の式の応答関数を採用した。
プ状に設定した温度のヒータ１３による加熱によって、
単結晶２１の半径が図２（ｂ）に示す様にステップ状に
応答するとする。そして、時刻ｔ＋ｊにおける半径ｙM
（ｔ＋ｊ）を時刻ｔにおける半径ｙM （ｔ）からの変動
としてモデル化して、次の式の応答関数を採用した。
【００１８】
【数１】
【００１９】なお、この式中の第２項は未来の加熱によ
る寄与分であり、第３項は過去の加熱による寄与分つま
り加熱の履歴である。また、本具体例では、Ｍ＝３、ｓ
＝１００、ｊ＝１０〜１４を採用したが、サンプリング
間隔つまり１区間の時間を２分にしたので、Ｍ＝６分、
ｓ＝２００分、ｊ＝２０〜２８分になる。
る寄与分であり、第３項は過去の加熱による寄与分つま
り加熱の履歴である。また、本具体例では、Ｍ＝３、ｓ
＝１００、ｊ＝１０〜１４を採用したが、サンプリング
間隔つまり１区間の時間を２分にしたので、Ｍ＝６分、
ｓ＝２００分、ｊ＝２０〜２８分になる。
【００２０】一方、重量測定装置２２によって求めた単
位時間当たりの単結晶２１の重量増加量ｄＷと、結晶引
上軸１６による引上速度から求めた単位時間当たりの単
結晶２１の育成長さＬと、単結晶２１の密度ρとから、
下記の換算式によって、演算回路２３が単結晶２１の半
径ｒを求める。 ｄＷ＝πｒ2 Ｌρ
位時間当たりの単結晶２１の重量増加量ｄＷと、結晶引
上軸１６による引上速度から求めた単位時間当たりの単
結晶２１の育成長さＬと、単結晶２１の密度ρとから、
下記の換算式によって、演算回路２３が単結晶２１の半
径ｒを求める。 ｄＷ＝πｒ2 Ｌρ
【００２１】この様にして求めた単結晶２１の半径ｒが
上述の応答関数におけるｙM （ｔ）に相当しているの
で、この応答関数を用いて、演算回路２３が、ｔ＋１０
〜ｔ＋１４における予測値ｙM （ｔ＋１０）〜ｙM （ｔ
＋１４）を求め、これらの予測値とｔ＋１０〜ｔ＋１４
における目標値との差の２乗の和が最小になるヒータ１
３の温度Δｕ（ｔ＋０）〜Δｕ（ｔ＋２）を求める。
上述の応答関数におけるｙM （ｔ）に相当しているの
で、この応答関数を用いて、演算回路２３が、ｔ＋１０
〜ｔ＋１４における予測値ｙM （ｔ＋１０）〜ｙM （ｔ
＋１４）を求め、これらの予測値とｔ＋１０〜ｔ＋１４
における目標値との差の２乗の和が最小になるヒータ１
３の温度Δｕ（ｔ＋０）〜Δｕ（ｔ＋２）を求める。
【００２２】そして、ヒータ制御装置２４は演算回路２
３からヒータ１３の温度Δｕ（ｔ＋０）〜Δｕ（ｔ＋
２）を入力して、ヒータ１３の温度をこれらの温度Δｕ
（ｔ＋０）〜Δｕ（ｔ＋２）に制御する。この様なヒー
タ１３の温度の制御は、各区間毎つまり２分毎に行う。
３からヒータ１３の温度Δｕ（ｔ＋０）〜Δｕ（ｔ＋
２）を入力して、ヒータ１３の温度をこれらの温度Δｕ
（ｔ＋０）〜Δｕ（ｔ＋２）に制御する。この様なヒー
タ１３の温度の制御は、各区間毎つまり２分毎に行う。
【００２３】ところで、本具体例では、上述の応答関数
中の時定数Ｔの式からも明らかな様に、この時定数Ｔは
融液１４の残量の減少に伴って一次関数的に小さくなっ
ている。従って、融液１４の残量の減少に伴って融液１
４の熱容量が減少するにも拘らず、ヒータ１３の温度に
対する単結晶２１の径の応答性が速くなることはない。
この結果、図３に示す様に、半径の偏差が４ｍｍ以下で
長さが２５０ｍｍであるＧａＡｓの単結晶２１を育成す
ることができた。
中の時定数Ｔの式からも明らかな様に、この時定数Ｔは
融液１４の残量の減少に伴って一次関数的に小さくなっ
ている。従って、融液１４の残量の減少に伴って融液１
４の熱容量が減少するにも拘らず、ヒータ１３の温度に
対する単結晶２１の径の応答性が速くなることはない。
この結果、図３に示す様に、半径の偏差が４ｍｍ以下で
長さが２５０ｍｍであるＧａＡｓの単結晶２１を育成す
ることができた。
【００２４】これに対して、上述の形の応答関数を用い
ても、従来例の様にその中の時定数Ｔが例えば１５とい
う一定値であれば、図４に示す様に、目標半径からのば
らつきが大きい単結晶しか育成することができなかっ
た。
ても、従来例の様にその中の時定数Ｔが例えば１５とい
う一定値であれば、図４に示す様に、目標半径からのば
らつきが大きい単結晶しか育成することができなかっ
た。
【００２５】ところで、以上の具体例では、時定数Ｔ中
の融液残量に対する係数を１にしているが、この係数が
大きくて時定数Ｔの減少の度合いが大きいと、ヒータ１
３の温度の制御に対して単結晶２１の径の制御が遅れ、
逆に、この係数が小さくて時定数Ｔの減少の度合いが小
さいと、ヒータ１３の温度の制御に対して単結晶２１の
径の制御が速過ぎて、何れの場合も、目標径からの変動
が大きくなる。
の融液残量に対する係数を１にしているが、この係数が
大きくて時定数Ｔの減少の度合いが大きいと、ヒータ１
３の温度の制御に対して単結晶２１の径の制御が遅れ、
逆に、この係数が小さくて時定数Ｔの減少の度合いが小
さいと、ヒータ１３の温度の制御に対して単結晶２１の
径の制御が速過ぎて、何れの場合も、目標径からの変動
が大きくなる。
【００２６】なお、この係数は、ヒータ１３の配置、ヒ
ータ１３の大きさ及び育成炉１１の大きさ等の育成炉１
１の特性や、育成すべき単結晶２１に依存する値であ
る。
ータ１３の大きさ及び育成炉１１の大きさ等の育成炉１
１の特性や、育成すべき単結晶２１に依存する値であ
る。
【００２７】また、上述の具体例では、単結晶２１の直
胴部の育成開始時点からヒータ１３の温度の自動制御を
開始しているが、直胴部の育成開始後で直胴部が１００
ｍｍ程度に育成するまでの間にヒータ１３の温度の自動
制御を開始してもよい。
胴部の育成開始時点からヒータ１３の温度の自動制御を
開始しているが、直胴部の育成開始後で直胴部が１００
ｍｍ程度に育成するまでの間にヒータ１３の温度の自動
制御を開始してもよい。
【００２８】また、上述の具体例では、応答関数中の時
定数Ｔの式からも明らかな様に、この時定数Ｔを決定す
るに当たって融液１４の残量しか考慮していないが、単
結晶２１の育成に伴うヒータ１３と融液１４との相対位
置の変化をも考慮すれば、単結晶２１の径の制御性が更
に向上することが見込まれる。
定数Ｔの式からも明らかな様に、この時定数Ｔを決定す
るに当たって融液１４の残量しか考慮していないが、単
結晶２１の育成に伴うヒータ１３と融液１４との相対位
置の変化をも考慮すれば、単結晶２１の径の制御性が更
に向上することが見込まれる。
【００２９】また、上述の具体例では、応答関数中の時
定数Ｔを一次関数的に小さくしているが、時定数Ｔは単
調的に小さくなっていればよく必ずしも一次関数的に小
さくなっている必要はない。更に、上述の具体例では、
単結晶２１の育成に伴って応答関数中の時定数Ｔを小さ
くしているが、応答関数中の利得Ｋを小さくしてもよ
く、時定数Ｔと利得Ｋとの両方を小さくしてもよい。
定数Ｔを一次関数的に小さくしているが、時定数Ｔは単
調的に小さくなっていればよく必ずしも一次関数的に小
さくなっている必要はない。更に、上述の具体例では、
単結晶２１の育成に伴って応答関数中の時定数Ｔを小さ
くしているが、応答関数中の利得Ｋを小さくしてもよ
く、時定数Ｔと利得Ｋとの両方を小さくしてもよい。
【００３０】また、上述の具体例は液体封止引上げ法に
よるＧａＡｓ単結晶の育成に本発明を適用したものであ
るが、液体による封止を行わない元素単結晶等の育成に
も本発明を当然に適用することができる。
よるＧａＡｓ単結晶の育成に本発明を適用したものであ
るが、液体による封止を行わない元素単結晶等の育成に
も本発明を当然に適用することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明による単結晶の育成方法では、融
液の残量が減少したり、加熱の手段と融液との相対位置
が変化したりしても、加熱の温度に対する単結晶の径の
応答性が速くなることはないので、長尺でも径が一定の
値に制御された単結晶を育成することができて、単結晶
を高い歩留りで育成することができる。
液の残量が減少したり、加熱の手段と融液との相対位置
が変化したりしても、加熱の温度に対する単結晶の径の
応答性が速くなることはないので、長尺でも径が一定の
値に制御された単結晶を育成することができて、単結晶
を高い歩留りで育成することができる。
【図１】本発明の一具体例を実施するための装置の概略
図である。
図である。
【図２】一具体例で用いる応答関数を示すグラフであ
る。
る。
【図３】一具体例で育成した単結晶の側面図である。
【図４】本発明の一従来例で育成した単結晶の側面図で
ある。
ある。
１３ ヒータ １４ 融液 １５ 種結晶 ２１ 単結晶 ２２ 重量測定装置 ２３ 演算回路 ２４ ヒータ制御装置
Claims (4)
- 【請求項１】 原料を加熱して形成した融液に種結晶を
接触させ、この種結晶を前記融液から引き上げることに
よって単結晶を育成するに際して、 前記加熱の温度に対する前記単結晶の径の応答関数を予
め求めておき、 前記育成中における前記加熱の履歴と前記径とから所定
時間経過後における前記径の予測値を前記応答関数から
求め、この予測値が前記所定時間経過後における前記径
の目標値に一致する様に前記加熱の温度を制御する単結
晶の育成方法において、 前記単結晶の直胴部の育成時間が経過するに連れて前記
応答関数の時定数または利得の少なくとも一方が単調的
に小さくなっていることを特徴とする単結晶の育成方
法。 - 【請求項２】 前記融液の残量が減少するに連れて前記
時定数または前記利得の少なくとも一方が単調的に小さ
くなっていることを特徴とする請求項１記載の単結晶の
育成方法。 - 【請求項３】 前記加熱の手段と前記融液との相対位置
が変化するに連れて前記時定数または前記利得の少なく
とも一方が単調的に小さくなっていることを特徴とする
請求項１記載の単結晶の育成方法。 - 【請求項４】 前記時定数または前記利得の少なくとも
一方が一次関数的に小さくなっていることを特徴とする
請求項１〜３の何れか１項に記載の単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34781395A JPH09165293A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34781395A JPH09165293A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09165293A true JPH09165293A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18392766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34781395A Pending JPH09165293A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09165293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8150784B2 (en) | 2005-08-12 | 2012-04-03 | Sumco Techxiv Corporation | Control system and method for controlled object in time variant system with dead time, such as single crystal production device by czochralski method |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP34781395A patent/JPH09165293A/ja active Pending
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