JPH09162128A - 気相成長方法及び気相成長装置用基板保持装置 - Google Patents
気相成長方法及び気相成長装置用基板保持装置Info
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- JPH09162128A JPH09162128A JP31681995A JP31681995A JPH09162128A JP H09162128 A JPH09162128 A JP H09162128A JP 31681995 A JP31681995 A JP 31681995A JP 31681995 A JP31681995 A JP 31681995A JP H09162128 A JPH09162128 A JP H09162128A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の温度均一性や薄膜の均一性を大幅
に向上させることができる気相成長方法及び気相成長装
置用基板保持装置を提供する。 【解決手段】 基板の気相成長面を下向きにして保持す
るとともに、該基板を公転させながら自転させる。
に向上させることができる気相成長方法及び気相成長装
置用基板保持装置を提供する。 【解決手段】 基板の気相成長面を下向きにして保持す
るとともに、該基板を公転させながら自転させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長方法及び
気相成長装置用基板保持装置に関し、詳しくは、気相成
長面を下向きにして基板を保持するフェースダウン型の
気相成長方法及び気相成長装置用基板保持装置に関す
る。
気相成長装置用基板保持装置に関し、詳しくは、気相成
長面を下向きにして基板を保持するフェースダウン型の
気相成長方法及び気相成長装置用基板保持装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機金
属化合物と水素化合物等の原料ガスを反応管内に導入
し、反応管内に設置した基板付近で反応・分解させて基
板面に所定の半導体薄膜を形成する気相成長方法が知ら
れている。この方法を実施する気相成長装置では、従
来、基板の気相成長面を上向きにして反応管内に設置し
ていたが、反応・分解により生じた生成物がパーティク
ルとして基板面に付着し、薄膜の品質を損なうことがあ
った。
属化合物と水素化合物等の原料ガスを反応管内に導入
し、反応管内に設置した基板付近で反応・分解させて基
板面に所定の半導体薄膜を形成する気相成長方法が知ら
れている。この方法を実施する気相成長装置では、従
来、基板の気相成長面を上向きにして反応管内に設置し
ていたが、反応・分解により生じた生成物がパーティク
ルとして基板面に付着し、薄膜の品質を損なうことがあ
った。
【０００３】このため、基板の気相成長面を下向きにし
て生成物の落下による影響を無くしたフェースダウン型
の気相成長装置が用いられるようになってきた。さら
に、基板の温度均一性，薄膜成長速度の均一性を得るた
めに基板自体を回転させたり、基板を保持する部材を回
転させたりすることも行われるようになってきている。
しかし、このように、基板を自転させたり、公転させた
りすることにより、基板の温度均一性や薄膜成長速度の
均一性をある程度向上させることはできるが、自転の
み、あるいは公転のみでは未だ十分ではなかった。
て生成物の落下による影響を無くしたフェースダウン型
の気相成長装置が用いられるようになってきた。さら
に、基板の温度均一性，薄膜成長速度の均一性を得るた
めに基板自体を回転させたり、基板を保持する部材を回
転させたりすることも行われるようになってきている。
しかし、このように、基板を自転させたり、公転させた
りすることにより、基板の温度均一性や薄膜成長速度の
均一性をある程度向上させることはできるが、自転の
み、あるいは公転のみでは未だ十分ではなかった。
【０００４】そこで本発明は、気相成長面を下向きにし
て基板を保持するとともに、温度均一性や薄膜の均一性
を大幅に向上させることができる気相成長方法及び気相
成長装置用基板保持装置を提供することを目的としてい
る。
て基板を保持するとともに、温度均一性や薄膜の均一性
を大幅に向上させることができる気相成長方法及び気相
成長装置用基板保持装置を提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の気相成長方法は、基板を設置した反応管内
に原料ガスを導入して前記基板の気相成長面に半導体薄
膜を形成する気相成長方法において、前記反応管内で、
基板の気相成長面を下向きにして保持するとともに、該
基板を公転させながら自転させることを特徴としてい
る。
め、本発明の気相成長方法は、基板を設置した反応管内
に原料ガスを導入して前記基板の気相成長面に半導体薄
膜を形成する気相成長方法において、前記反応管内で、
基板の気相成長面を下向きにして保持するとともに、該
基板を公転させながら自転させることを特徴としてい
る。
【０００６】また、本発明の気相成長装置用基板保持装
置は、気相成長装置の反応管内で、気相成長面を下向き
にした基板を保持する基板保持装置であって、基板を保
持する円筒状の基板保持部材と、該基板保持部材が回転
可能に挿入される複数個の基板保持部材挿入孔を有する
円盤状のテーブルと、該テーブルの外周に回転可能に設
けられる内歯車付きリングとを備え、前記基板保持部材
は、中空円筒体の中空部底部に基板を支持する基板支持
部材を有するとともに、中空円筒体の上部外周に、前記
リングの内歯車に歯合する外歯車を備えたフランジを有
し、前記テーブルは、その上面に反応管内の所定位置に
設けられた回転駆動部材に係合する係合部を有し、前記
リングは、反応管内の所定位置に設けられた回転止めに
係止する係止突片を有していることを特徴としている。
置は、気相成長装置の反応管内で、気相成長面を下向き
にした基板を保持する基板保持装置であって、基板を保
持する円筒状の基板保持部材と、該基板保持部材が回転
可能に挿入される複数個の基板保持部材挿入孔を有する
円盤状のテーブルと、該テーブルの外周に回転可能に設
けられる内歯車付きリングとを備え、前記基板保持部材
は、中空円筒体の中空部底部に基板を支持する基板支持
部材を有するとともに、中空円筒体の上部外周に、前記
リングの内歯車に歯合する外歯車を備えたフランジを有
し、前記テーブルは、その上面に反応管内の所定位置に
設けられた回転駆動部材に係合する係合部を有し、前記
リングは、反応管内の所定位置に設けられた回転止めに
係止する係止突片を有していることを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面を参照して
さらに詳細に説明する。図は、本発明を適用した気相成
長装置用基板保持装置の一例を示すもので、図１は平面
図、図２は分解断面図、図３は基板保持装置と反応管内
の部材との関係を示す説明図、図４は同じく平面図であ
る。
さらに詳細に説明する。図は、本発明を適用した気相成
長装置用基板保持装置の一例を示すもので、図１は平面
図、図２は分解断面図、図３は基板保持装置と反応管内
の部材との関係を示す説明図、図４は同じく平面図であ
る。
【０００８】まず、図１及び図２において、基板保持装
置１は、基板２を保持する４個の円筒状の基板保持部材
１０と、該基板保持部材１０を保持する円盤状のテーブ
ル２０と、該テーブル２０の外周に設けられる内歯車付
きリング３０とにより構成され、基板保持部材１０及び
内歯車付きリング３０は、それぞれ上方からテーブル２
０にセットされ、複数の止めネジ３により上方への抜け
が防止されて一体的に形成される。
置１は、基板２を保持する４個の円筒状の基板保持部材
１０と、該基板保持部材１０を保持する円盤状のテーブ
ル２０と、該テーブル２０の外周に設けられる内歯車付
きリング３０とにより構成され、基板保持部材１０及び
内歯車付きリング３０は、それぞれ上方からテーブル２
０にセットされ、複数の止めネジ３により上方への抜け
が防止されて一体的に形成される。
【０００９】基板保持部材１０は、中空円筒体の中空部
底部に基板２を保持するものであって、中空円筒体の底
面には、内方に向かって突出する複数の爪状の基板支持
部材１１が設けられている。この基板支持部材１１は、
中空円筒体胴部を円筒体軸線方向に貫通する軸部１１ａ
の下端に設けられており、軸部１１ａは、中空円筒体の
上面から突出するネジ部１１ｂがナット１１ｃで固定さ
れている。また、基板保持部材１０の中空円筒体の上部
外周には、外歯車１２を備えたフランジ１３が設けられ
ている。
底部に基板２を保持するものであって、中空円筒体の底
面には、内方に向かって突出する複数の爪状の基板支持
部材１１が設けられている。この基板支持部材１１は、
中空円筒体胴部を円筒体軸線方向に貫通する軸部１１ａ
の下端に設けられており、軸部１１ａは、中空円筒体の
上面から突出するネジ部１１ｂがナット１１ｃで固定さ
れている。また、基板保持部材１０の中空円筒体の上部
外周には、外歯車１２を備えたフランジ１３が設けられ
ている。
【００１０】基板２は、その底面（気相成長面）の周辺
部が前記基板支持部材１１に支持された状態で中空部底
部に保持され、該基板２の上面には、基板２を均一に加
熱するための均熱板４が載置される。なお、基板２の加
熱は、従来と同様の高周波コイル等により行うことがで
きる。
部が前記基板支持部材１１に支持された状態で中空部底
部に保持され、該基板２の上面には、基板２を均一に加
熱するための均熱板４が載置される。なお、基板２の加
熱は、従来と同様の高周波コイル等により行うことがで
きる。
【００１１】前記テーブル２０は、内周部に、基板保持
部材１０を回転可能に挿入する４個の基板保持部材挿入
孔２１を等間隔で配置するとともに、外周部に、前記内
歯車付きリング３０を回転可能に載置するリング保持縁
２２を設けたもので、基板保持部材挿入孔２１の上縁部
には、基板保持部材１０のフランジ１３を載置するベア
リング２３ａと、基板保持部材１０の中空円筒体胴部外
周をガイドするベアリング２３ｂとが設けられ、リング
保持縁２２の上面には、内歯車付きリング３０の下面を
支持するベアリング２４ａと、リング３０の下面に設け
られた周状突縁３１の側面をガイドするベアリング２４
ｂとが設けられている。
部材１０を回転可能に挿入する４個の基板保持部材挿入
孔２１を等間隔で配置するとともに、外周部に、前記内
歯車付きリング３０を回転可能に載置するリング保持縁
２２を設けたもので、基板保持部材挿入孔２１の上縁部
には、基板保持部材１０のフランジ１３を載置するベア
リング２３ａと、基板保持部材１０の中空円筒体胴部外
周をガイドするベアリング２３ｂとが設けられ、リング
保持縁２２の上面には、内歯車付きリング３０の下面を
支持するベアリング２４ａと、リング３０の下面に設け
られた周状突縁３１の側面をガイドするベアリング２４
ｂとが設けられている。
【００１２】すなわち、テーブル２０に対して、基板保
持部材１０は、その下半部を基板保持部材挿入孔２１内
に挿入した状態でベアリング２３ａ，２３ｂにより回転
可能に支持され、リング３０は、周状突縁３１をベアリ
ング２４ａ，２４ｂ間に挿入した状態でテーブル２０の
外周部に回転可能に支持されるとともに、止めネジ３の
頭部によりテーブル２０に組付けられる。この組付け状
態において、基板保持部材１０とテーブル２０とは、基
板保持部材１０の下端がテーブル２０の下面と面一にな
り、基板保持部材１０内に保持される基板２の気相成長
面も、テーブル２０の下面と面一になるように各部の寸
法が設定されている。
持部材１０は、その下半部を基板保持部材挿入孔２１内
に挿入した状態でベアリング２３ａ，２３ｂにより回転
可能に支持され、リング３０は、周状突縁３１をベアリ
ング２４ａ，２４ｂ間に挿入した状態でテーブル２０の
外周部に回転可能に支持されるとともに、止めネジ３の
頭部によりテーブル２０に組付けられる。この組付け状
態において、基板保持部材１０とテーブル２０とは、基
板保持部材１０の下端がテーブル２０の下面と面一にな
り、基板保持部材１０内に保持される基板２の気相成長
面も、テーブル２０の下面と面一になるように各部の寸
法が設定されている。
【００１３】また、テーブル２０の上面には、一対の逆
Ｌ字型の係合部２５が相対向するように突設されてお
り、前記内歯車付きリング３０の外周対向部には、係止
突片３２が突設されている。
Ｌ字型の係合部２５が相対向するように突設されてお
り、前記内歯車付きリング３０の外周対向部には、係止
突片３２が突設されている。
【００１４】図３及び図４に示すように、上述の基板保
持装置１は、テーブル２０の外縁を支持するフォーク５
により水平方向に搬送され、テーブル２０の係合部２５
は、反応管（図示せず）の所定位置に設けられた円盤状
の回転駆動部材６に側方から係合する。この状態で回転
駆動部材６を僅かに上昇させてフォーク５を後退させる
と、テーブル２０は、回転駆動部材６に係合部２５が係
合して吊上げられた状態となり、回転駆動部材６をモー
ター７等により回転駆動すると、回転駆動部材６とテー
ブル２０及び該テーブル上の各部材が一体に回転する。
そして、内歯車付きリング３０の係止突片３２は、該内
歯車付きリング３０がテーブル２０とともに回転したと
きに、反応管内の所定位置に設けられた回転止め８に係
止して内歯車付きリング３０の回転を阻止する。
持装置１は、テーブル２０の外縁を支持するフォーク５
により水平方向に搬送され、テーブル２０の係合部２５
は、反応管（図示せず）の所定位置に設けられた円盤状
の回転駆動部材６に側方から係合する。この状態で回転
駆動部材６を僅かに上昇させてフォーク５を後退させる
と、テーブル２０は、回転駆動部材６に係合部２５が係
合して吊上げられた状態となり、回転駆動部材６をモー
ター７等により回転駆動すると、回転駆動部材６とテー
ブル２０及び該テーブル上の各部材が一体に回転する。
そして、内歯車付きリング３０の係止突片３２は、該内
歯車付きリング３０がテーブル２０とともに回転したと
きに、反応管内の所定位置に設けられた回転止め８に係
止して内歯車付きリング３０の回転を阻止する。
【００１５】これにより、回転止め８で回転を阻止され
た内歯車付きリング３０に対してテーブル２０が回転す
る状態となり、該テーブル２０の基板保持部材挿入孔２
１に装着されている基板保持部材１０がテーブル２０と
ともに回転し、該基板保持部材１０にセットされている
基板２がテーブル２０の回転軸を中心として公転する状
態となる。
た内歯車付きリング３０に対してテーブル２０が回転す
る状態となり、該テーブル２０の基板保持部材挿入孔２
１に装着されている基板保持部材１０がテーブル２０と
ともに回転し、該基板保持部材１０にセットされている
基板２がテーブル２０の回転軸を中心として公転する状
態となる。
【００１６】さらに、基板保持部材１０のフランジ１３
に設けられた外歯車１２が内歯車付きリング３０の歯に
噛み合って基板保持部材１０が回転するので、基板２
は、テーブル２０の回転により公転しながら基板保持部
材１０の回転により自転する状態となる。
に設けられた外歯車１２が内歯車付きリング３０の歯に
噛み合って基板保持部材１０が回転するので、基板２
は、テーブル２０の回転により公転しながら基板保持部
材１０の回転により自転する状態となる。
【００１７】このように、気相成長面を下向きにして保
持した基板２を公転させながら自転させることにより、
公転のみ、あるいは自転のみの場合に比べて、薄膜の均
一性を大幅に向上させることができ、フェースダウン型
自体の利点であるパーティクルの付着防止効果と併せ
て、高品質な薄膜を効率よく製造することができる。
持した基板２を公転させながら自転させることにより、
公転のみ、あるいは自転のみの場合に比べて、薄膜の均
一性を大幅に向上させることができ、フェースダウン型
自体の利点であるパーティクルの付着防止効果と併せ
て、高品質な薄膜を効率よく製造することができる。
【００１８】なお、細部の構造は、上記構成に限定され
るものではなく、保持する基板の大きさや枚数等により
適宜な形状にすることが可能である。また、回転駆動部
材や回転止めは、反応管内に設けた適宜な支持部材を介
して設置すればよく、装置の大きさなどにより任意の構
造を採用することができる。さらに、基板保持装置が保
持する基板の交換は、従来と同様に、反応管の一側に基
板交換室を設けることにより行うことができる。
るものではなく、保持する基板の大きさや枚数等により
適宜な形状にすることが可能である。また、回転駆動部
材や回転止めは、反応管内に設けた適宜な支持部材を介
して設置すればよく、装置の大きさなどにより任意の構
造を採用することができる。さらに、基板保持装置が保
持する基板の交換は、従来と同様に、反応管の一側に基
板交換室を設けることにより行うことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フェースダウン状態で保持した基板を公転及び自転させ
ながら気相成長を行うことができるから、基板の温度均
一性や、形成される薄膜の均一性を大幅に向上させるこ
とができる。
フェースダウン状態で保持した基板を公転及び自転させ
ながら気相成長を行うことができるから、基板の温度均
一性や、形成される薄膜の均一性を大幅に向上させるこ
とができる。
【図１】 気相成長装置用基板保持装置の一例を示す平
面図である。
面図である。
【図２】 同じく分解断面図である。
【図３】 基板保持装置と反応管内の部材との関係を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】 同じく平面図である。
１…基板保持装置、２…基板、３…止めネジ、４…均熱
板、５…フォーク、６…回転駆動部材、７…モーター、
８…回転止め、１０…基板保持部材、１１…基板支持部
材、１２…外歯車、１３…フランジ、２０…テーブル、
２１…基板保持部材挿入孔、２２…リング保持縁、２３
ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…ベアリング、２５…係合
部、３０…内歯車付きリング、３１…周状突縁、３２…
係止突片
板、５…フォーク、６…回転駆動部材、７…モーター、
８…回転止め、１０…基板保持部材、１１…基板支持部
材、１２…外歯車、１３…フランジ、２０…テーブル、
２１…基板保持部材挿入孔、２２…リング保持縁、２３
ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…ベアリング、２５…係合
部、３０…内歯車付きリング、３１…周状突縁、３２…
係止突片
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を設置した反応管内に原料ガスを導
入して前記基板の気相成長面に半導体薄膜を形成する気
相成長方法において、前記反応管内で、基板の気相成長
面を下向きにして保持するとともに、該基板を公転させ
ながら自転させることを特徴とする気相成長方法。 - 【請求項２】 気相成長装置の反応管内で、気相成長面
を下向きにした基板を保持する基板保持装置であって、
基板を保持する円筒状の基板保持部材と、該基板保持部
材が回転可能に挿入される複数個の基板保持部材挿入孔
を有する円盤状のテーブルと、該テーブルの外周に回転
可能に設けられる内歯車付きリングとを備え、前記基板
保持部材は、中空円筒体の中空部底部に基板を支持する
基板支持部材を有するとともに、中空円筒体の上部外周
に、前記リングの内歯車に歯合する外歯車を備えたフラ
ンジを有し、前記テーブルは、その上面に反応管内の所
定位置に設けられた回転駆動部材に係合する係合部を有
し、前記リングは、反応管内の所定位置に設けられた回
転止めに係止する係止突片を有していることを特徴とす
る気相成長装置用基板保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31681995A JP3610376B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 気相成長装置用基板保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31681995A JP3610376B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 気相成長装置用基板保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162128A true JPH09162128A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3610376B2 JP3610376B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=18081277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31681995A Expired - Fee Related JP3610376B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 気相成長装置用基板保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3610376B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448180B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-09-10 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치의 반응기내 유성기어의 구조 |
| JP2007266121A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Hitachi Cable Ltd | 気相成長装置 |
| JP2008196031A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| US7662733B2 (en) | 2004-10-12 | 2010-02-16 | Hitachi Cable, Ltd. | Vapor phase growth apparatus |
| KR100943090B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2010-02-18 | 주식회사 시스넥스 | 대면적 화학기상증착기용 유도가열장치 |
| JP2012153927A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sharp Corp | 回転支持構造を有する成膜装置 |
| JP2013219217A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| DE10221847B4 (de) | 2000-12-07 | 2019-10-10 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Filmbildungsvorrichtung mit einem Substratdrehmechanismus |
| TWI694170B (zh) * | 2018-02-09 | 2020-05-21 | 漢民科技股份有限公司 | 成膜裝置 |
| JP2021086950A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 自転駆動機構及び自転駆動方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31681995A patent/JP3610376B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10221847B4 (de) | 2000-12-07 | 2019-10-10 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Filmbildungsvorrichtung mit einem Substratdrehmechanismus |
| KR100448180B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-09-10 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치의 반응기내 유성기어의 구조 |
| US7662733B2 (en) | 2004-10-12 | 2010-02-16 | Hitachi Cable, Ltd. | Vapor phase growth apparatus |
| JP2007266121A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Hitachi Cable Ltd | 気相成長装置 |
| JP4706531B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-06-22 | 日立電線株式会社 | 気相成長装置 |
| JP2008196031A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| KR100943090B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2010-02-18 | 주식회사 시스넥스 | 대면적 화학기상증착기용 유도가열장치 |
| JP2012153927A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sharp Corp | 回転支持構造を有する成膜装置 |
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