JPH09161656A - Electron emitting element and manufacture thereof - Google Patents
Electron emitting element and manufacture thereofInfo
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- JPH09161656A JPH09161656A JP34738495A JP34738495A JPH09161656A JP H09161656 A JPH09161656 A JP H09161656A JP 34738495 A JP34738495 A JP 34738495A JP 34738495 A JP34738495 A JP 34738495A JP H09161656 A JPH09161656 A JP H09161656A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子に関
し、特に、表面伝導型の電子放出素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron-emitting device, and more particularly, to a surface conduction electron-emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】フラットパネルディスプレイの一種とし
て、ＦＥＤ（Field Emission Display）が精力的に研究
されている。このＦＥＤは、カソード基板とアノード基
板とを対向させ、カソード基板上に多数の電子放出素子
を配置し、この電子放出素子からアノード基板に向けて
電子を放出させ、アノード基板上の蛍光体層を発光させ
るものである。カソード基板上に形成される電子放出素
子は、個々の画素に対応することになる。これまで利用
されている電子放出素子は、電子放出に適した尖鋭な突
起構造を有するものが一般的であり、たとえば、先端部
が尖った円錐状の金属からなる電子放出素子が広く利用
されている。2. Description of the Related Art As a kind of flat panel display, FED (Field Emission Display) has been energetically studied. In this FED, a cathode substrate and an anode substrate are opposed to each other, a number of electron-emitting devices are arranged on the cathode substrate, electrons are emitted from the electron-emitting devices toward the anode substrate, and a phosphor layer on the anode substrate is formed. It emits light. The electron-emitting devices formed on the cathode substrate correspond to individual pixels. The electron-emitting devices used so far generally have a sharp projection structure suitable for electron emission. For example, an electron-emitting device made of a conical metal with a sharp tip is widely used. I have.
【０００３】これに対して、近年、表面伝導型の電子放
出素子が注目を浴びている。これは、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生じる現象を利用した電子放出素子である。
このような電子放出現象は、１９６５年に「ラジオエン
ジニアリング エレクトロ フィジックス(Radio Eng.
Electron. Phys.)第１０巻、１２９０〜１２９６頁」
に、エム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson ）らによっ
て報告されて以来、今日に至るまで種々の報告がなされ
ている。具体的には、エリンソンらによって開発された
ＳｎＯ２（Ｓｂ）薄膜をはじめ、Ａｕ薄膜、ＩＴＯ薄
膜、カーボン薄膜などで、この表面伝導型の電子放出現
象が報告されている。このような現象は、高抵抗領域が
局所的に存在する薄膜について起こる特有の電子放出現
象であることが知られており、通常は、局所的な高抵抗
領域を形成するためにフォーミング処理が施される。た
とえば、特公平６−８７３９２号公報には、微粒子を含
む導電性薄膜に通電加熱を施すことにより、表面伝導型
の電子放出機能をもった電子放出素子を製造する方法が
開示されている。この方法では、通電加熱というフォー
ミング処理により、導電性薄膜内に局所的に亀裂を発生
させることができ、この亀裂部分が高抵抗領域として機
能することになる。On the other hand, in recent years, surface conduction electron-emitting devices have been receiving attention. This is an electron-emitting device utilizing a phenomenon in which an electron is emitted when a current flows through a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface.
Such an electron emission phenomenon was described in 1965 in “Radio Engineering Electrophysics (Radio Eng.
Electron. Phys.) Volume 10, 1290-1296 "
Since then, by MI Elinson et al., Various reports have been made to date. Specifically, this surface conduction type electron emission phenomenon has been reported for SnO 2 (Sb) thin film developed by Erinson et al., Au thin film, ITO thin film, carbon thin film and the like. It is known that such a phenomenon is a peculiar electron emission phenomenon that occurs in a thin film in which a high resistance region is locally present, and usually, a forming process is performed to form a local high resistance region. To be done. For example, Japanese Examined Patent Publication (Kokoku) No. 6-87392 discloses a method of manufacturing an electron-emitting device having a surface conduction type electron-emitting function by heating a conductive thin film containing fine particles with electricity. In this method, a cracking can be locally generated in the conductive thin film by a forming process called electric heating, and the cracked portion functions as a high resistance region.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフォーミング処理を施す製造方法では、安定した電子
放出が可能な素子を製造することが非常に困難である。
基板上に導電性薄膜を形成し、この導電性薄膜に通電加
熱などのフォーミング処理を施すと、通電破壊によって
膜内に局所的に亀裂が生じ、この亀裂部分が高抵抗領域
として機能することになる。したがって、安定した電子
放出を実現するためには、亀裂を薄膜内に均一に発生さ
せてやる必要がある。ところが、このフォーミング処理
工程において、亀裂の発生箇所や亀裂の大きさなどを制
御することは困難であり、安定した電子放出が可能な素
子を実現するためには、このフォーミング処理工程に高
度な技術が必要になる。However, it is very difficult to manufacture a device capable of stable electron emission by the manufacturing method which performs the above-mentioned forming treatment.
When a conductive thin film is formed on a substrate and the conductive thin film is subjected to forming treatment such as electric heating, a local crack occurs in the film due to electric breakdown, and this crack portion functions as a high resistance region. Become. Therefore, in order to realize stable electron emission, it is necessary to uniformly generate cracks in the thin film. However, in this forming process, it is difficult to control the location of cracks, the size of the cracks, etc., and in order to realize an element capable of stable electron emission, a high technology is required for this forming process. Will be required.
【０００５】また、上述したように、表面伝導型の電子
放出素子は、ＦＥＤなどのフラットパネルディスプレイ
への利用が期待されている素子であり、このようなディ
スプレイへ応用する場合、基板上に多数の素子を行列状
に配置し、各素子から安定した均一な電子放出を得る必
要がある。もし、動作が不安定な素子が混在するように
なると、ディスプレイとしての画面表示にムラが生じ、
もはや高品位のディスプレイは実現できなくなる。この
ため、ディスプレイへ応用する上では、各画素を構成す
る個々の電子放出素子の特性をできるだけ均一にし、す
べての素子から安定した電子放出が得られるようにする
必要がある。したがって、ディスプレイに利用される電
子放出素子の場合は、更に高度なフォーミング処理が要
求されることになる。Further, as described above, the surface conduction electron-emitting device is a device that is expected to be used for a flat panel display such as an FED, and when applied to such a display, many electron-emitting devices are formed on a substrate. It is necessary to arrange these elements in a matrix to obtain stable and uniform electron emission from each element. If elements with unstable operation are mixed, the screen display as a display becomes uneven,
High-quality displays can no longer be realized. Therefore, in application to a display, it is necessary to make the characteristics of the individual electron-emitting devices forming each pixel as uniform as possible so that stable electron emission can be obtained from all the devices. Therefore, in the case of an electron-emitting device used for a display, a higher level of forming process is required.
【０００６】このようなフォーミング処理の問題を解決
すべく、特公平６−１０１２９７号公報には、フォーミ
ング処理が必要ない電子放出素子の構造が提案されてい
る。すなわち、この公報には、第１の絶縁層の表面に微
粒子を分散させ、この上に第２の絶縁層を形成すること
により、微粒子の分散面を絶縁層によって挟持した構造
を作り、表面伝導型の電子放出素子を構成する技術が開
示されている。しかしながら、この構造では、微粒子分
散面を絶縁層によって挟み込む必要があるため、製造プ
ロセスが複雑化するという新たな問題が生じることにな
る。In order to solve the problem of the forming process, Japanese Patent Publication No. 6-101297 proposes a structure of an electron-emitting device which does not require the forming process. That is, in this publication, fine particles are dispersed on the surface of a first insulating layer, and a second insulating layer is formed on the surface of the first insulating layer to form a structure in which the dispersed surface of the fine particles is sandwiched by insulating layers, and the surface conduction There is disclosed a technique for forming a positive electron-emitting device. However, in this structure, since it is necessary to sandwich the fine particle dispersion surface between the insulating layers, a new problem arises that the manufacturing process becomes complicated.
【０００７】そこで本発明は、単純な工程で製造するこ
とができ、しかも安定した電子放出が可能な電子放出素
子およびその製造方法を提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide an electron-emitting device which can be manufactured by a simple process and can stably emit electrons, and a manufacturing method thereof.
【０００８】[0008]
(1) 本発明の第１の態様は、電子放出素子を、導電性
材料からなる第１の微粒子と絶縁性材料からなる第２の
微粒子とを混合して充填することにより構成される電子
放出層と、この電子放出層に接触し互いに所定間隔をお
いて配置された一対の電極と、電子放出層および一対の
電極を支持する支持基板と、によって構成したものであ
る。(1) A first aspect of the present invention is an electron emission device configured by mixing and filling an electron-emitting device with first fine particles made of a conductive material and second fine particles made of an insulating material. The layer, a pair of electrodes that are in contact with the electron emission layer and are spaced apart from each other by a predetermined distance, and a support substrate that supports the electron emission layer and the pair of electrodes.
【０００９】(2) 本発明の第２の態様は、上述の第１
の態様に係る電子放出素子において、電子放出層を構成
する各微粒子として、直径が１００ｎｍ以下の超微粒子
を用いるようにしたものである。(2) The second aspect of the present invention is the above-mentioned first aspect.
In the electron-emitting device according to the aspect, ultrafine particles having a diameter of 100 nm or less are used as the respective fine particles forming the electron-emitting layer.
【００１０】(3) 本発明の第３の態様は、上述の第１
または第２の態様に係る電子放出素子において、第１の
微粒子と第２の微粒子との混合割合を、体積比１：５〜
１：１００としたものである。(3) A third aspect of the present invention is the above-mentioned first aspect.
Alternatively, in the electron-emitting device according to the second aspect, the mixing ratio of the first fine particles and the second fine particles is set to a volume ratio of 1: 5 to 5.
It is set to 1: 100.
【００１１】(4) 本発明の第４の態様は、上述の第１
〜第３の態様に係る電子放出素子の製造方法において、
導電性材料を収容した第１のチャンバと、絶縁性材料を
収容した第２のチャンバと、電子放出層を形成させる支
持基板を収容した第３のチャンバと、を用意し、第１の
チャンバ内に不活性ガスを導入しながら、導電性材料を
加熱して蒸発させ、導電性材料からなる第１の微粒子を
生成し、第２のチャンバ内に不活性ガスを導入しなが
ら、絶縁性材料を加熱して蒸発させ、絶縁性材料からな
る第２の微粒子を生成し、生成した第１の微粒子および
第２の微粒子を、第３のチャンバ内にノズルから支持基
板に向けて放出させるようにして導入し、支持基板上に
電子放出層を形成するようにしたものである。(4) The fourth aspect of the present invention is the above-mentioned first aspect.
~ In the method for manufacturing an electron-emitting device according to the third aspect,
In the first chamber, a first chamber containing a conductive material, a second chamber containing an insulating material, and a third chamber containing a supporting substrate for forming an electron emission layer are prepared. The conductive material is heated and vaporized while introducing the inert gas into the chamber to generate the first fine particles made of the conductive material, and the insulating material is introduced into the second chamber while introducing the inert gas. By heating and evaporating to generate second fine particles made of an insulating material, the generated first fine particles and second fine particles are discharged from the nozzle toward the supporting substrate into the third chamber. It is introduced so that an electron emission layer is formed on the supporting substrate.
【００１２】(5) 本発明の第５の態様は、上述の第４
の態様に係る電子放出素子の製造方法において、生成し
た第１の微粒子および第２の微粒子を、第３のチャンバ
内に導入する前に混合し、混合した微粒子を同一のノズ
ルから放出させるようにしたものである。(5) The fifth aspect of the present invention relates to the above-described fourth aspect.
In the method for manufacturing an electron-emitting device according to the aspect of 1, the generated first fine particles and second fine particles are mixed before being introduced into the third chamber, and the mixed fine particles are discharged from the same nozzle. It was done.
【００１３】(6) 本発明の第６の態様は、上述の第４
の態様に係る電子放出素子の製造方法において、生成し
た第１の微粒子および第２の微粒子を、それぞれ別の移
送管を用いて第３のチャンバ内に導入し、それぞれ別の
ノズルから放出させるようにし、ノズルから放出後に両
微粒子が混合するようにしたものである。(6) A sixth aspect of the present invention relates to the above-mentioned fourth aspect.
In the method for manufacturing an electron-emitting device according to the above aspect, the generated first fine particles and second fine particles are introduced into the third chamber by using different transfer pipes and are emitted from different nozzles. And both fine particles are mixed after being discharged from the nozzle.
【００１４】(7) 本発明の第７の態様は、上述の第４
〜第６の態様に係る電子放出素子の製造方法において、
第３のチャンバ内に、支持基板を移動させる移動ステー
ジを設け、この移動ステージにより支持基板を移動させ
ながら電子放出層を成長させることにより、移動軌跡に
応じたパターンの電子放出層を形成するようにしたもの
である。(7) A seventh aspect of the present invention relates to the above-mentioned fourth aspect.
~ In the method for manufacturing an electron-emitting device according to the sixth aspect,
A moving stage for moving the supporting substrate is provided in the third chamber, and the supporting substrate is moved by the moving stage to grow the electron emitting layer, so that the electron emitting layer having a pattern corresponding to the movement locus is formed. It is the one.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示する実施形態
に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on an embodiment shown in the drawings.
【００１６】§１． 従来の電子放出素子の構造および
動作 はじめに、従来の一般的な表面伝導型の電子放出素子の
構造および動作原理を説明しておく。図１は、従来の表
面伝導型の電子放出素子１０および対向基板２０の構造
を示す断面図である。この例では、電子放出素子１０
は、ガラス基板１１上に電極１２，１３を形成し、更に
その上に電子放出層１４を形成することにより構成され
ている。電子放出層１４は、カソード電極として機能す
ることになり、たとえば、ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｐｂ
Ｏなどの金属酸化物、Ａｕ，Ａｇなどの金属、カーボン
その他各種半導体など、表面伝導型の電子放出現象が知
られている材料であればどのような材料で構成してもか
まわない。一方、対向基板２０は、ガラス基板２１上に
透明電極２２および蛍光体層２３を形成したものであ
る。透明電極２２は、たとえばＩＴＯなどの材料で構成
され、アノード電極として機能することになる。 §1. The structure of the conventional electron-emitting device and
Operation First, the structure and operation principle of a conventional general surface conduction electron-emitting device will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional surface conduction electron-emitting device 10 and a counter substrate 20. In this example, the electron-emitting device 10
Is formed by forming electrodes 12 and 13 on a glass substrate 11 and further forming an electron emission layer 14 thereon. The electron emission layer 14 functions as a cathode electrode, and for example, SnO 2 , In 2 O 3 , Pb is used.
Any material, such as a metal oxide such as O, a metal such as Au and Ag, carbon, and various semiconductors, may be used as long as the material has a known surface conduction electron emission phenomenon. On the other hand, the counter substrate 20 is formed by forming a transparent electrode 22 and a phosphor layer 23 on a glass substrate 21. The transparent electrode 22 is made of, for example, a material such as ITO and functions as an anode electrode.
【００１７】図２は、図１に示す電子放出素子１０にお
けるガラス基板１１上に形成された構成要素の上面図で
あり、この図における切断線１−１による断面が図１に
示されていることになる。電極１２および１３が所定間
隔をおいて向き合っており、その間に電子放出層１４が
形成されている状態が明瞭に示されている。FIG. 2 is a top view of the components formed on the glass substrate 11 in the electron-emitting device 10 shown in FIG. 1, and the cross section taken along the section line 1-1 in this figure is shown in FIG. It will be. It is clearly shown that the electrodes 12 and 13 are opposed to each other with a predetermined interval, and the electron emission layer 14 is formed therebetween.
【００１８】いま、図１に示すように、各部に配線を施
した場合に生じる現象について考えてみる。この配線に
よれば、電極１３は接地され、電極１２には電源３１か
ら負の電圧が印加される。また、電子放出素子１０と対
向基板２０との間にも、電源３２によってカソード／ア
ノード間電圧が印加されるが、この図１に示す状態で
は、スイッチ３３が開いているため、電圧印加は行われ
ていない。さて、電極１２，１３によって、電子放出層
１４の両側に電圧が印加されると、電子放出層１４の膜
表面部分に、図に矢印で示したような電子放出が起こ
る。これが、表面伝導型の電子放出として知られている
現象である。Now, let us consider a phenomenon that occurs when wiring is provided to each part as shown in FIG. According to this wiring, the electrode 13 is grounded, and a negative voltage is applied to the electrode 12 from the power supply 31. The cathode / anode voltage is also applied between the electron-emitting device 10 and the counter substrate 20 by the power source 32. In the state shown in FIG. 1, however, the switch 33 is open, so that the voltage is not applied. I haven't been. Now, when a voltage is applied to both sides of the electron emission layer 14 by the electrodes 12 and 13, electron emission as indicated by an arrow in the drawing occurs on the film surface portion of the electron emission layer 14. This is a phenomenon known as surface conduction electron emission.
【００１９】ここで、スイッチ３３を閉じてカソード／
アノード間電圧を印加すれば、図３に示すように、電子
放出層１４の表面に放出された電子は、アノード側の対
向基板２０へと飛翔することになり、このようなカソー
ドからアノードへと向かう電子の衝突により、蛍光体層
２３が蛍光を発することになる。ここでは、説明の便宜
上、１画素分の構成要素のみを示したが、このような１
画素分の構成要素を縦横にマトリックス状に配列すれ
ば、画素を二次元平面上に並べたフラットパネルディス
プレイを実現することができる。なお、このようなフラ
ットパネルディスプレイでは、スイッチ３３を閉じた状
態のままとし、各画素ごとに電源３１からの印加電圧を
調節して、画素ごとの発光状態を制御するのが一般的で
ある。より具体的には、電子放出層１４に与える印加電
圧の値および印加時間を調節することにより、対向基板
２０側への電子の飛翔量を制御することができる。Here, the switch 33 is closed and the cathode /
When the voltage between the anodes is applied, the electrons emitted to the surface of the electron emission layer 14 fly to the counter substrate 20 on the anode side, as shown in FIG. The collision of electrons toward each other causes the phosphor layer 23 to emit fluorescence. Here, for convenience of explanation, only the components for one pixel are shown.
By arranging components for pixels in a matrix in a matrix, a flat panel display in which pixels are arranged on a two-dimensional plane can be realized. In such a flat panel display, it is general that the switch 33 is kept closed and the voltage applied from the power source 31 is adjusted for each pixel to control the light emitting state of each pixel. More specifically, the amount of electrons flying to the counter substrate 20 side can be controlled by adjusting the value of the voltage applied to the electron emission layer 14 and the application time.
【００２０】このような電子放出特性をもった電子放出
層を形成するために、従来は導電性薄膜に対するフォー
ミング処理を行っていた。すなわち、図４の側断面図に
示すように、ガラス基板１１上に一対の電極１２，１３
を形成した後、導電性薄膜１４Ｚを形成し、両電極１
２，１３間に電源３４からフォーミング用の比較的大き
な電流Ｉｆを供給し、ジュール熱により導電性薄膜１４
Ｚを局所的に破壊、変形もしくは変質させて電気的に高
抵抗な領域（具体的には、０．５μｍ〜５μｍ程度の亀
裂）を生成させ、電子放出層１４の形成を行っていた。
しかしながら、このようなフォーミング工程では、亀裂
の生成箇所や大きさを正確に制御することができないた
め、安定した電子放出が可能な電子放出層１４を形成す
ることが困難であることは既に述べたとおりである。In order to form an electron emission layer having such electron emission characteristics, conventionally, a forming treatment has been performed on a conductive thin film. That is, as shown in the side sectional view of FIG. 4, a pair of electrodes 12, 13 is formed on the glass substrate 11.
After forming the conductive thin film 14Z, both electrodes 1
A relatively large current If for forming is supplied from a power source 34 between the second and the third electrodes 13, and the conductive thin film 14 is formed by Joule heat.
The electron emission layer 14 is formed by locally destroying, deforming or degrading Z to generate an electrically high resistance region (specifically, a crack of about 0.5 μm to 5 μm).
However, in such a forming process, it is difficult to form the electron emission layer 14 capable of stable electron emission because it is not possible to accurately control the generation location and size of the crack. It is as follows.
【００２１】§２． 本発明の電子放出素子の構造およ
び動作 本発明に係る電子放出素子は、図１に示すような表面伝
導型の電子放出素子において、電子放出層１４を、導電
性材料からなる第１の微粒子と絶縁性材料からなる第２
の微粒子とを混合して充填することにより構成したもの
である。図５は、この電子放出層の基本構成を説明する
ための拡大断面図である。ここでは、導電性材料からな
る第１の微粒子として鉄（Ｆｅ）の超微粒子を用い、絶
縁性材料からなる第２の微粒子として酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）の超微粒子を用いている。一般に、「超微粒
子」という言葉は、直径１００ｎｍ以下の微粒子に対し
て用いられており、本実施形態では、いずれの超微粒子
も直径１０〜５０ｎｍ程度の大きさのものを用いてい
る。 §2. The structure and structure of the electron-emitting device of the present invention
In the electron-emitting device according to the present invention, in the surface-conduction electron-emitting device as shown in FIG. 1, the electron-emitting layer 14 includes the first fine particles made of a conductive material and the second fine particles made of an insulating material.
It is constituted by mixing and filling the fine particles of. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view for explaining the basic structure of this electron emission layer. Here, ultrafine particles of iron (Fe) are used as the first fine particles made of a conductive material, and ultrafine particles of magnesium oxide (MgO) are used as the second fine particles made of an insulating material. In general, the term "ultrafine particles" is used for fine particles having a diameter of 100 nm or less, and in the present embodiment, all ultrafine particles having a diameter of about 10 to 50 nm are used.
【００２２】本願発明者は、このような２種類の超微粒
子を支持基板上に充填して物理的な層を形成すれば、こ
の層は電子放出層として機能することを見出したのであ
る。たとえば、図５において左端点Ｐに示されている超
微粒子と、右端点Ｑに示されている超微粒子との間に、
所定の印加電圧Ｖ１を供給すると、二点ＰＱ間に充填さ
れている他のいくつかの超微粒子を介して電流が流れる
ことになり、表面から電子放出現象が見られる。超微粒
子の充填密度をある程度以上に保てば、三次元空間内に
おいて、各超微粒子の大部分は他の超微粒子と表面接触
した状態になっており、この電子放出層は、絶縁性の微
粒子（ＭｇＯ）からなる層（高抵抗体層）に、導電性の
微粒子（Ｆｅ）を分散した構造になっている。このよう
な構造体において、電子放出現象が起こる理由につい
て、現段階では詳細な理論的考察はなされていない。The inventor of the present invention has found that, if two kinds of such ultrafine particles are filled on a supporting substrate to form a physical layer, this layer functions as an electron emitting layer. For example, between the ultrafine particles shown at the left end point P and the ultrafine particles shown at the right end point Q in FIG.
When a predetermined applied voltage V1 is supplied, a current flows through some other ultrafine particles filled between the two points PQ, and an electron emission phenomenon is observed from the surface. If the packing density of the ultrafine particles is kept above a certain level, most of the ultrafine particles are in surface contact with other ultrafine particles in the three-dimensional space. It has a structure in which conductive fine particles (Fe) are dispersed in a layer (high resistance layer) made of (MgO). No detailed theoretical consideration has been given to the reason why the electron emission phenomenon occurs in such a structure at this stage.
【００２３】ただ、本願発明者は、このように高抵抗体
層内に粒径１００ｎｍ以下の導電性超微粒子が散在する
状態では、次のような理由により電子放出が起こりやす
い環境が生じているものと考えている。すなわち、一般
に、コロナ放電のような放電現象は鋭利な先端部から生
じることが知られている。粒径１００ｎｍ以下の導電性
超微粒子は、この鋭利な先端部と同等の機能を果たすで
あろうことは想像するに難くない。したがって、このよ
うな微細な導電性超微粒子を高抵抗体層中に散在させる
と、真空中の針先から放電が起こるのと同じように、電
子放出が起こるのではないかと考えられる。特に、図５
における左端点Ｐ側には負の電圧印加により過剰電荷が
発生するものと考えられ、この過剰電荷が電子放出に寄
与するものと思われる。なお、後述する製造方法によれ
ば、図５に示すような高抵抗体層中に導電性超微粒子が
散在した状態が直ちに得られるので、従来のように、層
中に微細な亀裂を生じさせる必要はなくなり、従来のよ
うなフォーミング処理は不要になる。However, in the state in which the conductive ultrafine particles having a particle size of 100 nm or less are scattered in the high resistance layer in this way, the environment in which electron emission is likely to occur is generated for the following reason. I think that. That is, it is generally known that a discharge phenomenon such as corona discharge occurs from a sharp tip. It is not difficult to imagine that the conductive ultrafine particles having a particle diameter of 100 nm or less will perform the same function as this sharp tip. Therefore, it is considered that if such fine conductive ultrafine particles are scattered in the high resistance layer, electron emission may occur in the same manner as discharge occurs from the needle tip in vacuum. In particular, FIG.
It is considered that excess charges are generated on the side of the left end point P in the above by the negative voltage application, and this excess charges is considered to contribute to electron emission. In addition, according to the manufacturing method described later, a state in which the conductive ultrafine particles are scattered in the high resistance layer as shown in FIG. 5 can be immediately obtained, and thus fine cracks are generated in the layer as in the conventional case. It is no longer necessary and the conventional forming process is no longer necessary.
【００２４】本願発明者の行った実験によれば、第１の
微粒子および第２の微粒子の大きさは、いずれもほぼ直
径１０〜５０ｎｍ程度の大きさのものを用いるのが好ま
しいが、直径１００ｎｍ以下のいわゆる超微粒子を用い
れば、このような電子放出現象が確認できる。また、本
願発明者の行った実験によれば、第１の微粒子（導電性
微粒子）と第２の微粒子（絶縁性微粒子）との混合割合
を、体積比１：５〜１：１００の範囲に設定すれば、効
果的な電子放出が可能になることがわかった。この混合
割合は、電子放出層全体の抵抗値を左右するパラメータ
となる。なお、後述する製造方法によれば、各微粒子の
大きさや混合割合は自由に制御することが可能である。According to an experiment conducted by the inventor of the present application, it is preferable that the first fine particles and the second fine particles each have a diameter of about 10 to 50 nm, but the diameter is 100 nm. Such electron emission phenomenon can be confirmed by using the following so-called ultrafine particles. Further, according to an experiment conducted by the inventor of the present application, the mixing ratio of the first fine particles (conductive fine particles) and the second fine particles (insulating fine particles) is set to a volume ratio of 1: 5 to 1: 100. It was found that effective electron emission is possible if set. This mixing ratio is a parameter that affects the resistance value of the entire electron emission layer. According to the manufacturing method described later, the size and mixing ratio of each fine particle can be freely controlled.
【００２５】また、上述の実施形態では、導電性材料か
らなる第１の微粒子として鉄（Ｆｅ）の超微粒子を用
い、絶縁性材料からなる第２の微粒子として酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）の超微粒子を用いているが、各微粒子
の材料はこれらに限定されるものではなく、第１の微粒
子として導電性を有する材料を用い、第２の微粒子とし
て絶縁性を有する材料を用いれば、本発明の電子放出現
象を得ることは可能である。たとえば、第１の微粒子用
の材料としては、Ｆｅの他にも、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ，Ａｕ，Ｐｂなどの金属やこれらの合金、ＳｎＯ２，
Ｉｎ２Ｏ３，ＰｂＯなどの金属化合物やカーボン、ある
いは半導体を用いることができ、第２の微粒子用の材料
としてはＭｇＯの他にも、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｃａ
Ｏ，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＳｉＮなどの絶縁性材料を用
いることもできる。あるいは、第２の微粒子用の材料と
しては、ポリイミドなど、蒸着やスパッタなどが可能な
有機物材料を用いてもよい。In the above-described embodiment, ultrafine particles of iron (Fe) are used as the first fine particles made of a conductive material, and ultrafine particles of magnesium oxide (MgO) are used as the second fine particles made of an insulating material. However, the material of each fine particle is not limited to these, and if a conductive material is used as the first fine particle and an insulating material is used as the second fine particle, the electron of the present invention can be obtained. It is possible to obtain a release phenomenon. For example, as the material for the first fine particles, in addition to Fe, Mg, Al, Si, T
i, V, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Zn, Nb,
Mo, Pd, Ag, In, Sn, Ta, W, Ir, P
metals such as t, Au, Pb and alloys thereof, SnO 2 ,
A metal compound such as In 2 O 3 , PbO, carbon, or a semiconductor can be used. As the material for the second fine particles, in addition to MgO, Al 2 O 3 , SiO 2 , Ca is used.
Insulating materials such as O, Y 2 O 3 , ZrO 2 , and SiN can also be used. Alternatively, as the material for the second fine particles, an organic material capable of vapor deposition or sputtering such as polyimide may be used.
【００２６】図６は、本発明の一実施形態に係る電子放
出素子の具体的な構造を示す斜視図である。支持基板４
１上において、一対の電極４２，４３に挟持されるよう
にして、いわゆるカマボコ型の電子放出層４４が形成さ
れている。この電子放出層４４は、図５に示した２種類
の超微粒子を所定の密度に混合充填してなる層であり、
その両端部を覆うように、一対の電極４２，４３がそれ
ぞれ形成されている。一方の電極４２と他方の電極４３
との間に所定の印加電圧Ｖ１を供給すれば、前述のよう
に、電子放出層４４には所定の電流Ｉ１が流れることに
なる。このとき、電子放出層４４内を移動中の電子の一
部が表面から外部に放出される。したがって、図に破線
で示すような対向電極４５を用意し、この対向電極４５
にアノード電圧Ｖ２を印加し、支持基板４１と対向電極
４５との間の空間を所定の真空度に維持しておけば、電
子放出層４４の表面から放出された電子が対向電極４５
へと向かって飛翔し、放出電流Ｉ２を生じることにな
る。このように、支持基板４１、ならびに、その上に形
成された一対の電極４２，４３および電子放出層４４に
よって、電子放出素子が形成されることになる。なお、
印加電圧Ｖ１は、直流電圧に限らず、交流電圧でもよ
い。FIG. 6 is a perspective view showing a specific structure of the electron-emitting device according to the embodiment of the present invention. Support substrate 4
A so-called chamfered electron-emitting layer 44 is formed on the first substrate so as to be sandwiched between the pair of electrodes 42 and 43. The electron emission layer 44 is a layer formed by mixing and filling the two types of ultrafine particles shown in FIG. 5 at a predetermined density,
A pair of electrodes 42 and 43 are formed so as to cover both ends thereof. One electrode 42 and the other electrode 43
If a predetermined applied voltage V1 is supplied between the two, a predetermined current I1 will flow through the electron emission layer 44, as described above. At this time, some of the electrons moving in the electron emission layer 44 are emitted from the surface to the outside. Therefore, the counter electrode 45 as shown by the broken line in the drawing is prepared, and the counter electrode 45 is
If the anode voltage V2 is applied to and the space between the support substrate 41 and the counter electrode 45 is maintained at a predetermined vacuum degree, the electrons emitted from the surface of the electron emission layer 44 will be generated.
It will fly toward and generate an emission current I2. In this way, the support substrate 41, and the pair of electrodes 42 and 43 and the electron emission layer 44 formed thereon form an electron emission element. In addition,
The applied voltage V1 is not limited to the DC voltage and may be an AC voltage.
【００２７】ここで、電子放出層４４の表面からは、非
常に安定した電子放出が得られる。電子放出層４４は、
図５に示すような２種類の超微粒子を混合充填させてな
る層である。もちろん、個々の超微粒子をミクロ的に見
れば、それぞれ直径や形状も異なり、また、隣接する超
微粒子の種類や接触状態もそれぞれ異なっている。しか
しながら、電子放出層４４全体としてマクロ的に見れ
ば、各超微粒子の分布も相互の接触状態も均一とみなす
ことができる。すなわち、導電性領域／高抵抗領域の混
在状態も、マクロ的には均一なものとなり、非常に安定
した電子放出が得られるのである。また、たとえば、こ
の１つの電子放出層４４によって１画素を表示するディ
スプレイ装置を製造する場合、支持基板４１上には多数
の独立した電子放出層４４が形成されることになるが、
マクロ的に見れば、各電子放出層４４内の超微粒子の密
度や混在状態はほぼ同一になり、画素間における表示特
性も均一になる。このため、画素間の表示特性にムラの
ない高品位のディスプレイ装置が実現できる。Here, very stable electron emission can be obtained from the surface of the electron emission layer 44. The electron emission layer 44 is
It is a layer formed by mixing and filling two kinds of ultrafine particles as shown in FIG. Of course, when the individual ultrafine particles are viewed microscopically, they have different diameters and shapes, and the types and contact states of adjacent ultrafine particles also differ. However, when viewed as a macroscopic view of the electron emission layer 44 as a whole, both the distribution of the ultrafine particles and the mutual contact state can be regarded as uniform. That is, the mixed state of the conductive region and the high resistance region is also macroscopically uniform, and very stable electron emission can be obtained. Further, for example, when manufacturing a display device that displays one pixel by using this one electron emission layer 44, a large number of independent electron emission layers 44 are formed on the support substrate 41.
From a macroscopic point of view, the density and mixed state of the ultrafine particles in each electron emission layer 44 are substantially the same, and the display characteristics between the pixels are also uniform. Therefore, it is possible to realize a high-quality display device in which display characteristics between pixels are uniform.
【００２８】§３． 本発明の電子放出素子の別な実施
形態 本発明に係る電子放出素子は、図６に示すような構造に
限定されるものではなく、支持基板上に、導電性材料か
らなる第１の微粒子と絶縁性材料からなる第２の微粒子
とを混合して充填することにより構成される電子放出層
と、この電子放出層に接触し互いに所定間隔をおいて配
置された一対の電極と、が形成された構造であれば、ど
のような構造であってもかまわない。たとえば、図１に
示す従来構造の電子放出素子に本発明を適用する場合
は、電子放出層１４を図５に示す微粒子混合充填構造に
すればよい。以下、いくつかの別な実施形態の構造を例
示しておく。 §3. Another implementation of the electron-emitting device of the present invention
Form The electron-emitting device according to the present invention is not limited to the structure as shown in FIG. 6, and the first fine particles made of a conductive material and the second fine particles made of an insulating material are provided on the supporting substrate. What is the structure as long as it has a structure in which an electron-emitting layer formed by mixing and filling the same and a pair of electrodes that are in contact with the electron-emitting layer and are arranged at predetermined intervals are formed. It doesn't matter. For example, when the present invention is applied to the electron-emitting device having the conventional structure shown in FIG. 1, the electron-emitting layer 14 may have the fine particle mixed filling structure shown in FIG. Hereinafter, the structures of some other embodiments will be exemplified.
【００２９】図６に示す構造は、支持基板４１上に電極
４２，電子放出層４４，電極４３を横に並べたものであ
り、図１に示す構造も、支持基板１１上に電極１２，電
子放出層１４，電極１３を横に並べたものである。これ
に対して、図７に示す構造は、これを縦に並べるように
したものである。すなわち、まず、図７(a) に示すよう
に、支持基板５１（図示されていない）の上に、下部電
極層５２，中間絶縁層５３，上部電極層５４を積層した
三層構造体を形成し、更に、その側面端部に、図７(b)
に示すように電子放出層５５を形成するのである。ここ
で、電子放出層５５は、図５に示すように、導電性微粒
子と絶縁性微粒子とを混合充填した層である。このよう
な構造によっても、電子放出素子５０を形成することが
できる。The structure shown in FIG. 6 is one in which an electrode 42, an electron emission layer 44, and an electrode 43 are arranged side by side on a support substrate 41. The structure shown in FIG. The emission layer 14 and the electrode 13 are arranged side by side. On the other hand, in the structure shown in FIG. 7, the structures are arranged vertically. That is, first, as shown in FIG. 7A, a three-layer structure in which a lower electrode layer 52, an intermediate insulating layer 53, and an upper electrode layer 54 are laminated on a supporting substrate 51 (not shown) is formed. In addition, as shown in FIG.
The electron emission layer 55 is formed as shown in FIG. Here, the electron emission layer 55 is a layer in which conductive fine particles and insulating fine particles are mixed and filled, as shown in FIG. The electron-emitting device 50 can be formed also with such a structure.
【００３０】すなわち、図８の側断面図に示されている
ように、ガラス基板５１上に、下部電極層５２，中間絶
縁層５３，上部電極層５４を積層した三層構造体を形成
し、更に、その側面端部に、電子放出層５５を形成して
なる電子放出素子５０を用意し、その上方に対向基板２
０を配置する。対向基板２０は、ガラス基板２１上に透
明電極２２および蛍光体層２３を形成したものである。
ここで、図８に示すように各部に配線を施す。この配線
によれば、電極層５２は接地され、電極層５４には電源
３１から負の電圧が印加される。また、電子放出素子５
０と対向基板２０との間にも、電源３２によってカソー
ド／アノード間電圧が印加されるが、この図８に示す状
態では、スイッチ３３が開いているため、電圧印加は行
われていない。電極層５２，５４によって、電子放出層
５５の両側に電圧が印加されると、電子放出層５５の膜
表面部分に、図に矢印で示したような電子放出が起こ
る。That is, as shown in the side sectional view of FIG. 8, a three-layer structure in which a lower electrode layer 52, an intermediate insulating layer 53, and an upper electrode layer 54 are laminated on a glass substrate 51 is formed, Further, an electron-emitting device 50 having an electron-emitting layer 55 formed on the side surface end is prepared, and the counter substrate 2 is provided above the electron-emitting device 50.
0 is placed. The opposing substrate 20 is formed by forming a transparent electrode 22 and a phosphor layer 23 on a glass substrate 21.
Here, as shown in FIG. 8, wiring is provided to each part. With this wiring, the electrode layer 52 is grounded, and a negative voltage is applied to the electrode layer 54 from the power supply 31. In addition, the electron-emitting device 5
The cathode / anode voltage is also applied between 0 and the counter substrate 20 by the power supply 32, but in the state shown in FIG. 8, the voltage is not applied because the switch 33 is open. When a voltage is applied to both sides of the electron emission layer 55 by the electrode layers 52 and 54, electron emission as indicated by an arrow in the figure occurs at the film surface portion of the electron emission layer 55.
【００３１】ここで、スイッチ３３を閉じてカソード／
アノード間電圧を印加すれば、図９に示すように、電子
放出層５５の表面に放出された電子は、アノード側の対
向基板２０へと飛翔することになり、このようなカソー
ドからアノードへと向かう電子の衝突により、蛍光体層
２３が蛍光を発することになる。ここでは、説明の便宜
上、１画素分の構成要素のみを示したが、このような１
画素分の構成要素を縦横にマトリックス状に配列すれ
ば、画素を二次元平面上に並べたフラットパネルディス
プレイを実現することができる。なお、このようなフラ
ットパネルディスプレイでは、スイッチ３３を閉じた状
態のままとし、各画素ごとに電源３１からの印加電圧を
調節して、画素ごとの発光状態を制御するのが一般的で
ある。より具体的には、電子放出層５５に与える印加電
圧の値および印加時間を調節することにより、対向基板
２０側への電子の飛翔量を制御することができる。Here, the switch 33 is closed and the cathode /
When the voltage between the anodes is applied, the electrons emitted to the surface of the electron emission layer 55 will fly to the counter substrate 20 on the anode side, as shown in FIG. The collision of electrons toward each other causes the phosphor layer 23 to emit fluorescence. Here, for convenience of explanation, only the components for one pixel are shown.
By arranging components for pixels in a matrix in a matrix, a flat panel display in which pixels are arranged on a two-dimensional plane can be realized. In such a flat panel display, it is general that the switch 33 is kept closed and the voltage applied from the power source 31 is adjusted for each pixel to control the light emitting state of each pixel. More specifically, the amount of electrons flying to the counter substrate 20 side can be controlled by adjusting the value of the voltage applied to the electron emission layer 55 and the application time.
【００３２】図１０に示す構造は、図７に示す構造に段
差を設けたものである。すなわち、まず、図１０(a) に
示すように、支持基板６１（図示されていない）の上
に、下部電極層６２，中間絶縁層６３，上部電極層６４
を積層した三層構造体を形成する。この三層構造体は、
側部が段差構造となっている。そこで、この段差構造部
分に、図１０(b) に示すように電子放出層６５を形成す
るのである。ここで、電子放出層６５は、図５に示すよ
うに、導電性微粒子と絶縁性微粒子とを混合充填した層
である。このような構造によっても、電子放出素子６０
を形成することができる。The structure shown in FIG. 10 is the structure shown in FIG. 7 with steps. That is, first, as shown in FIG. 10A, a lower electrode layer 62, an intermediate insulating layer 63, and an upper electrode layer 64 are formed on a supporting substrate 61 (not shown).
To form a three-layer structure. This three-layer structure is
The side part has a step structure. Therefore, the electron emission layer 65 is formed in this step structure portion as shown in FIG. 10 (b). Here, as shown in FIG. 5, the electron emission layer 65 is a layer in which conductive fine particles and insulating fine particles are mixed and filled. Even with such a structure, the electron-emitting device 60
Can be formed.
【００３３】要するに、本発明の特徴は、導電性微粒子
と絶縁性微粒子とを混合充填した電子放出層を形成する
点にあり、この電子放出層に対して一対の電極をどのよ
うな形態で接触させて電子放出素子を構成してもかまわ
ない。In short, the feature of the present invention resides in that the electron emitting layer is formed by mixing and filling the conductive fine particles and the insulating fine particles, and the pair of electrodes is brought into contact with the electron emitting layer in any form. Then, the electron-emitting device may be configured.
【００３４】§４． 本発明に係る電子放出層の製造方
法 上述したように、本発明の特徴は、導電性微粒子と絶縁
性微粒子とを混合充填した電子放出層を形成する点にあ
るが、このような電子放出層は、非常に簡便な製造プロ
セスで製造可能である。たとえば、第１のチャンバ内を
所定の真空度に保ち、不活性ガスを導入しながら導電性
材料としての鉄（Ｆｅ）を加熱して蒸発させれば、チャ
ンバ内でＦｅ微粒子を発生させることができる。同様
に、第２のチャンバ内を所定の真空度に保ち、不活性ガ
スを導入しながら絶縁性材料としての酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）を加熱して蒸発させれば、チャンバ内でＭｇ
Ｏ微粒子を発生させることができる。そこで、このＦｅ
微粒子とＭｇＯ微粒子とを第３のチャンバへと送り、ノ
ズルから支持基板に向けて放出させるようにすれば、支
持基板上に混合微粒子の充填層が作られ、上述の原理に
基づく電子放出現象が起こる電子放出層が得られる。両
微粒子は、第３のチャンバ内に導入する前に混合し、混
合した微粒子を同一のノズルから放出させるようにして
もよいし、両微粒子を、それぞれ別の移送管を用いて第
３のチャンバ内に導入し、それぞれ別のノズルから放出
させるようにし、ノズルから放出後に両微粒子が混合す
るようにしてもよい。 §4. Method for manufacturing electron emission layer according to the present invention
Method As described above, the feature of the present invention lies in the point of forming the electron-emitting layer in which the conductive fine particles and the insulating fine particles are mixed and filled. However, such an electron-emitting layer has a very simple manufacturing process. It can be manufactured. For example, if the inside of the first chamber is kept at a predetermined degree of vacuum and iron (Fe) as a conductive material is heated and evaporated while introducing an inert gas, Fe fine particles can be generated in the chamber. it can. Similarly, if a predetermined vacuum degree is maintained in the second chamber and magnesium oxide (MgO) as an insulating material is heated and evaporated while introducing an inert gas, Mg
O fine particles can be generated. So this Fe
If the fine particles and the MgO fine particles are sent to the third chamber and discharged from the nozzle toward the supporting substrate, a packed layer of mixed fine particles is formed on the supporting substrate, and the electron emission phenomenon based on the above-mentioned principle occurs. The resulting electron-emissive layer is obtained. Both fine particles may be mixed before being introduced into the third chamber, and the mixed fine particles may be discharged from the same nozzle, or both fine particles may be supplied to the third chamber by using different transfer pipes. The particles may be introduced into each of the nozzles and discharged from different nozzles, and both particles may be mixed after being discharged from the nozzle.
【００３５】各微粒子の大きさや両微粒子の混合割合
は、個々のチャンバ内の真空度や個々の材料の蒸発温度
によって制御することができる。支持基板上に形成され
る電子放出層内には、膨大な数の両微粒子が混合状態で
堆積しており、全体として、各微粒子の密度や混合割合
は支持基板上で均一になるため、安定した電子放出が得
られることになる。The size of each fine particle and the mixing ratio of both fine particles can be controlled by the degree of vacuum in each chamber and the evaporation temperature of each material. An enormous number of both fine particles are deposited in a mixed state in the electron emission layer formed on the supporting substrate. As a whole, the density and mixing ratio of the respective fine particles are uniform on the supporting substrate, and therefore stable. The electron emission will be obtained.
【００３６】なお、第３のチャンバ内に、支持基板を移
動させる移動ステージを設け、この移動ステージにより
支持基板を移動させながら電子放出層を成長させるよう
にすれば、ノズルから放出される微粒子を支持基板上の
任意の位置へ堆積させることが可能になり、移動軌跡に
応じた任意のパターンを非常に簡単に形成させることが
できる。If a moving stage for moving the supporting substrate is provided in the third chamber and the supporting substrate is moved by the moving stage to grow the electron emitting layer, the fine particles emitted from the nozzles can be collected. It is possible to deposit on an arbitrary position on the supporting substrate, and it is possible to very easily form an arbitrary pattern according to the movement trajectory.
【００３７】[0037]
【実施例】以下、本発明に係る電子放出素子の具体的な
製造方法を図示するいくつかの実施例に基いて説明す
る。この製造プロセスは、いわゆる反応性ガスデポジシ
ョン装置を用いた反応性超微粒子成膜技術を利用したも
のである。この方法によれば、導電性微粒子と絶縁性微
粒子との混合充填層を基板上に形成させることが、短時
間で、かつ非常に簡単なプロセスで行うことができる。EXAMPLES A specific method of manufacturing an electron-emitting device according to the present invention will be described below with reference to some examples. This manufacturing process utilizes a reactive ultrafine particle film forming technique using a so-called reactive gas deposition apparatus. According to this method, it is possible to form the mixed filling layer of the conductive fine particles and the insulating fine particles on the substrate in a short time and in a very simple process.
【００３８】(1) 第１の製造方法 まず、図１１に示すように、３つのチャンバを用意す
る。第１のチャンバ１１０は、収容したＦｅ材料１１１
を蒸発させて、Ｆｅ超微粒子を生成するためのチャンバ
であり、第２のチャンバ１２０は、収容したＭｇＯ材料
１２１を蒸発させて、ＭｇＯ超微粒子を生成するための
チャンバであり、第３のチャンバ１３０は、第１のチャ
ンバ１１０で生成されたＦｅ微粒子と第２のチャンバ１
２０で生成されたＭｇＯ微粒子とを混合状態にして、支
持基板１０１上にノズル１３１から放出することによ
り、支持基板１０１上に電子放出層１０４を形成させる
ためのチャンバである。後述するように、支持基板１０
１は、移動ステージ１３２上に載置されている。(1) First Manufacturing Method First, as shown in FIG. 11, three chambers are prepared. The first chamber 110 contains the Fe material 111 contained therein.
And a second chamber 120 for evaporating the contained MgO material 121 to generate MgO ultrafine particles, and a third chamber. 130 is Fe fine particles generated in the first chamber 110 and the second chamber 1.
This is a chamber for forming the electron emission layer 104 on the support substrate 101 by mixing the MgO fine particles generated in 20 with each other and ejecting the mixture from the nozzle 131 onto the support substrate 101. As will be described later, the support substrate 10
1 is mounted on the moving stage 132.
【００３９】この第３のチャンバ１３０内は、排気管１
３３を介して真空ポンプ（図示されていない）などで排
気されており、所定の真空度に保つことができる。ま
た、第１のチャンバ１１０および第２のチャンバ１２０
と、第３のチャンバ１３０とは、移送管１１４，１２４
によって連結されているため、排気管１３３からの排気
により、第１のチャンバ１１０および第２のチャンバ１
２０内も間接的に排気され、所定の真空度に保たれるこ
とになる。各チャンバ内の真空度は、真空ポンプによる
排気能率、移送管１１４，１２４の管径、ノズル１３１
の口径などを調節することにより制御できる。In the third chamber 130, the exhaust pipe 1
It is evacuated by a vacuum pump (not shown) or the like via 33, so that a predetermined degree of vacuum can be maintained. In addition, the first chamber 110 and the second chamber 120
And the third chamber 130 are the transfer tubes 114, 124.
Are exhausted from the exhaust pipe 133, the first chamber 110 and the second chamber 1 are connected to each other.
The inside of 20 is also indirectly evacuated and maintained at a predetermined degree of vacuum. The degree of vacuum in each chamber is determined by the exhaust efficiency of the vacuum pump, the diameters of the transfer pipes 114 and 124, and the nozzle 131.
It can be controlled by adjusting the diameter and so on.
【００４０】第１のチャンバ１１０内には、Ｆｅ材料１
１１を入れるためのルツボ１１２が備わっており、この
ルツボ１１２は、図示されていない加熱装置によって加
熱される。加熱装置としては、抵抗体に通電することに
より加熱を行う装置や、高周波電圧を印加することによ
り加熱を行う装置などを用いればよい。もちろん、ルツ
ボを用いずにＦｅ材料を直接加熱するようにしてもよ
い。このような直接加熱の方法としては、レーザアブレ
ーション法、ランプ加熱法、高周波加熱法などを用いる
ことができる。チャンバ１１０内には、ガス導入管１１
３によって不活性ガスとしてのヘリウムガスが導入され
る。このヘリウムガスを導入しながら、第１のチャンバ
１１０内を所定の真空度に保ち、ルツボ１１２を加熱し
てＦｅ材料１１１を蒸発させると、Ｆｅ蒸気がチャンバ
１１０内に充満することになる。そして、チャンバ１１
０内において、散在しているＦｅ原子が互いに結合し
て、Ｆｅ微粒子が生成される。このＦｅ微粒子は、移送
管１１４によって、第３のチャンバ１３０へと送られ
る。In the first chamber 110, the Fe material 1
A crucible 112 for containing 11 is provided, and this crucible 112 is heated by a heating device (not shown). As the heating device, a device for heating by energizing the resistor, a device for heating by applying a high frequency voltage, or the like may be used. Of course, the Fe material may be directly heated without using the crucible. As such a direct heating method, a laser ablation method, a lamp heating method, a high frequency heating method, or the like can be used. In the chamber 110, the gas introduction pipe 11
Helium gas as an inert gas is introduced by 3. While introducing the helium gas, the first chamber 110 is kept at a predetermined vacuum degree and the crucible 112 is heated to evaporate the Fe material 111, so that the Fe vapor fills the chamber 110. And chamber 11
In 0, scattered Fe atoms are bonded to each other to generate Fe fine particles. The Fe fine particles are sent to the third chamber 130 by the transfer pipe 114.
【００４１】一方、第２のチャンバ１２０内には、Ｍｇ
Ｏ材料１２１を加熱するための加熱装置１２２が備わっ
ており、この加熱装置１２２の上にＭｇＯ材料１２１が
置かれる。加熱装置１２２としては、レーザ光を用いた
加熱装置や、キセノンランプを用いた加熱装置を用いれ
ばよい。このチャンバ１２０内にも、ガス導入管１２３
によって不活性ガスとしてのヘリウムガスが導入され
る。また、必要に応じて、ヘリウムガスに酸素ガスを加
えるようにすると、ＭｇＯの分解を防ぐことが可能にな
る。こうしてガスを導入しながら、第２のチャンバ１２
０内を所定の真空度に保ち、加熱装置１２２によりＭｇ
Ｏ材料１２１を加熱して蒸発させると、ＭｇＯ蒸気がチ
ャンバ１２０内に充満することになる。そして、チャン
バ１２０内において、散在しているＭｇＯ分子が互いに
結合して、ＭｇＯ微粒子が生成される。このＭｇＯ微粒
子は、移送管１２４によって、第３のチャンバ１３０へ
と送られる。On the other hand, in the second chamber 120, Mg
A heating device 122 for heating the O material 121 is provided, and the MgO material 121 is placed on the heating device 122. As the heating device 122, a heating device using a laser beam or a heating device using a xenon lamp may be used. The gas introducing pipe 123 is also provided in the chamber 120.
As a result, helium gas as an inert gas is introduced. Further, if necessary, oxygen gas may be added to helium gas to prevent decomposition of MgO. In this way, while introducing the gas, the second chamber 12
The inside of 0 is kept at a predetermined vacuum degree, and the heating device 122
When the O material 121 is heated and evaporated, the MgO vapor fills the chamber 120. Then, in the chamber 120, the scattered MgO molecules are bonded to each other to generate MgO fine particles. The MgO particles are sent to the third chamber 130 by the transfer pipe 124.
【００４２】こうして、移送管１１４からはＦｅ微粒子
が送られ、移送管１２４からはＭｇＯ微粒子が送られて
くる。各微粒子の大きさは、各チャンバ内の真空度と加
熱温度とによって制御することができる。各チャンバ内
の圧力を、数１０ｍｔｏｒｒ〜数１０００ｔｏｒｒ程度
に維持すれば、各超微粒子を生成することが可能である
が、最終的に製造される電子放出層１０４内の微粒子密
度をある程度高くするためには、３００ｔｏｒｒ以上に
維持しておくのが好ましい。Thus, Fe fine particles are sent from the transfer pipe 114, and MgO fine particles are sent from the transfer pipe 124. The size of each fine particle can be controlled by the degree of vacuum in each chamber and the heating temperature. If the pressure in each chamber is maintained at about several tens of mtorr to several thousand torr, it is possible to generate each ultrafine particle, but in order to raise the particle density in the finally manufactured electron emission layer 104 to some extent. In addition, it is preferable to maintain the pressure at 300 torr or more.
【００４３】移送管１１４から送られてきたＦｅ微粒子
と、移送管１２４から送られてきたＭｇＯ微粒子とは、
第３のチャンバ１３０に導入される前に混合され、この
混合微粒子が、ノズル１３１から支持基板１０１に向か
って放出される。排気管１３３からの排気により、第３
のチャンバ１３０内の圧力は、第１のチャンバ１１０内
の圧力および第２のチャンバ１２０内の圧力より低くな
るため、各微粒子はチャンバ間の圧力差に基いて、自然
に第３のチャンバ１３０内に移送され、ノズル１３１か
ら放出されることになる。この実施例では、第１のチャ
ンバ１１０および第２のチャンバ１２０の圧力を５００
ｔｏｒｒに維持するとともに、第３のチャンバ１３０の
圧力を５ｔｏｒｒ以下に維持することができるように、
排気系やノズル径の設定を行っている。また、この実施
例では、ノズル１３１から放出される混合微粒子は、Ｆ
ｅ微粒子が１に対して、ＭｇＯ微粒子が１０程度の混合
割合になるように、各チャンバの圧力、各移送管の径な
どを適宜設定している。The Fe fine particles sent from the transfer pipe 114 and the MgO fine particles sent from the transfer pipe 124 are
The mixed fine particles are mixed before being introduced into the third chamber 130, and the mixed fine particles are discharged from the nozzle 131 toward the supporting substrate 101. By the exhaust from the exhaust pipe 133, the third
Since the pressure in the first chamber 110 is lower than the pressure in the first chamber 110 and the pressure in the second chamber 120, each fine particle naturally causes the pressure in the third chamber 130 based on the pressure difference between the chambers. And is discharged from the nozzle 131. In this example, the pressure in the first chamber 110 and the second chamber 120 is set to 500
In order to maintain the pressure of the third chamber 130 at 5 torr or less,
The exhaust system and nozzle diameter are set. Further, in this embodiment, the mixed fine particles discharged from the nozzle 131 are F
The pressure of each chamber, the diameter of each transfer pipe, and the like are appropriately set so that the mixing ratio of the MgO particles is about 10 with respect to the e particles.
【００４４】第３のチャンバ１３０内には、移動ステー
ジ１３２が設けられており、支持基板１０１は、この移
動ステージ１３２上に固定されている。ノズル１３１か
ら放出された混合超微粒子は、支持基板１０１の上面に
吹き付けられる。移動ステージ１３２は、このノズル１
３１の吹き出し方向に対して垂直な平面内において、支
持基板１０１を自由に移動させることができる。そこ
で、たとえば、図１２に示すように、矢印Ａの方向に支
持基板１０１をゆっくりと移動させながら、ノズル１３
１からの混合超微粒子を支持基板１０１上に吹き出させ
れば、支持基板１０１上には、この矢印Ａで示す移動軌
跡に応じたパターンをもった電子放出層１０４を成長さ
せることができる。この実施例では、幅２００μｍ、厚
み（高さ）２０μｍ、長さ１０ｍｍ程度の寸法をもった
電子放出層１０４を得ている。A moving stage 132 is provided in the third chamber 130, and the support substrate 101 is fixed on the moving stage 132. The mixed ultrafine particles emitted from the nozzle 131 are sprayed onto the upper surface of the support substrate 101. The moving stage 132 uses the nozzle 1
The support substrate 101 can be freely moved within a plane perpendicular to the blowing direction of 31. Therefore, for example, as shown in FIG. 12, while slowly moving the support substrate 101 in the direction of arrow A, the nozzle 13
When the mixed ultrafine particles from No. 1 are blown onto the supporting substrate 101, the electron emitting layer 104 having a pattern according to the movement locus shown by the arrow A can be grown on the supporting substrate 101. In this embodiment, an electron emission layer 104 having a width of 200 μm, a thickness (height) of 20 μm and a length of about 10 mm is obtained.
【００４５】こうして得られた電子放出層１０４の両端
に、それぞれ電極層を形成するようにすれば、図６に示
すような構造をもった電子放出素子が形成できる。な
お、上述の方法によれば、移動ステージ１３２の移動軌
跡によって、任意のパターンをもった電子放出層１０４
を形成することができる。たとえば、図７(a) に示すよ
うな三層構造体を予め基板上に形成しておき、その側面
部にノズル１３１からの混合微粒子を吹き付けるように
すれば、図７(b) に示すような電子放出層５５を形成す
ることも可能である。また、移動ステージ１３２の移動
速度、ルツボ１１２や加熱装置１２２による加熱温度
（材料の蒸発速度を左右する）、導入ガスの流量などを
制御することにより、形成される電子放出層の厚みは自
由に制御することが可能である。更に、必要に応じて、
ＦｅおよびＭｇＯに対するエッチャントを用いれば、電
子放出層を形成後に、エッチングプロセスにより、この
電子放出層に対するパターニングを行うことも可能であ
る。By forming electrode layers on both ends of the electron emission layer 104 thus obtained, an electron emission device having a structure as shown in FIG. 6 can be formed. According to the method described above, the electron emission layer 104 having an arbitrary pattern is selected depending on the movement locus of the movement stage 132.
Can be formed. For example, if a three-layer structure as shown in FIG. 7 (a) is formed on the substrate in advance and the mixed fine particles from the nozzle 131 are sprayed on the side surface of the same, the structure shown in FIG. 7 (b) is obtained. It is also possible to form a different electron emission layer 55. By controlling the moving speed of the moving stage 132, the heating temperature of the crucible 112 and the heating device 122 (which influences the evaporation rate of the material), the flow rate of the introduced gas, etc., the thickness of the electron emission layer formed can be freely set. It is possible to control. In addition, if necessary,
If an etchant for Fe and MgO is used, it is also possible to pattern the electron emission layer by an etching process after forming the electron emission layer.
【００４６】なお、第１のチャンバ１１０あるいは第２
のチャンバ１２０で発生した超微粒子同士が互いに凝集
して二次粒子が生成されるのを防ぐために、移送管１１
４，１２４の取り入れ口を蒸発源となるＦｅ材料１１
１，ＭｇＯ材料１２１の直上（５〜２０ｍｍ程度離れた
位置）に設置するのが好ましい。また、移送中に二次粒
子が生成されるのを防ぐためには、各移送管１１４，１
２４が、ノズル１３１に至るまで、できるだけ屈曲せず
に直線状になるように、各チャンバの配置を考慮するの
が好ましい。The first chamber 110 or the second chamber 110
In order to prevent the ultrafine particles generated in the chamber 120 of the above from coagulating with each other and generating secondary particles,
Fe material 11 serving as an evaporation source for the intake ports of 4,124
1, it is preferable to install directly on the MgO material 121 (position separated by about 5 to 20 mm). In addition, in order to prevent secondary particles from being generated during transfer, each transfer pipe 114, 1
It is preferable to consider the arrangement of the chambers so that the nozzle 24 reaches the nozzle 131 in a straight line shape without bending as much as possible.
【００４７】(2) 第２の製造方法 上述した第１の製造方法では、第３のチャンバ１３０内
に導入する前に、両微粒子を混合させているが、両微粒
子をそれぞれ別々のノズルから放出させながら混合させ
るようにしてもよい。図１３は、このような製造プロセ
スを行うための装置の構成図である。第１のチャンバ１
１０および第２のチャンバ１２０の構成は、上述した第
１の製造方法と全く同じである。ただ、第３のチャンバ
１３０内には、それぞれ移送管１１４，１２４が別個に
導入されており、各移送管の先端には、それぞれ別個の
ノズル１３１Ａ，１３１Ｂが取り付けられている。した
がって、移送管１１４から送られてきたＦｅ微粒子はノ
ズル１３１Ａから放出され、移送管１２４から送られて
きたＭｇＯ微粒子はノズル１３１Ｂから放出され、両微
粒子は、各ノズルから放出された後に混合され、支持基
板１０１上に堆積することになる。(2) Second Manufacturing Method In the above-described first manufacturing method, both fine particles are mixed before being introduced into the third chamber 130, but both fine particles are discharged from different nozzles. You may make it mix while making it do. FIG. 13 is a block diagram of an apparatus for performing such a manufacturing process. First chamber 1
The configurations of 10 and the second chamber 120 are exactly the same as those of the first manufacturing method described above. However, the transfer tubes 114 and 124 are separately introduced into the third chamber 130, and the nozzles 131A and 131B that are different from each other are attached to the tips of the transfer tubes. Therefore, the Fe particles sent from the transfer pipe 114 are discharged from the nozzle 131A, the MgO particles sent from the transfer pipe 124 are discharged from the nozzle 131B, and both particles are mixed after being discharged from each nozzle, It will be deposited on the supporting substrate 101.
【００４８】この方法では、ノズル１３１Ａ，１３１Ｂ
の口径を調節することにより、両微粒子の混合割合を簡
単に調節することが可能である。In this method, the nozzles 131A and 131B are
It is possible to easily adjust the mixing ratio of both fine particles by adjusting the diameter of.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上のとおり本発明によれば、導電性微
粒子と絶縁性微粒子とを混合充填することにより電子放
出層を形成するようにしたため、安定した電子放出が可
能であり、また、製造プロセスが簡便な電子放出素子を
実現することが可能になる。As described above, according to the present invention, since the electron emitting layer is formed by mixing and filling the conductive fine particles and the insulating fine particles, stable electron emission is possible, and the production is also possible. It becomes possible to realize an electron-emitting device having a simple process.
【図１】従来提案されている一般的な表面伝導型の電子
放出素子１０および対向基板２０の構造を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a general surface conduction type electron-emitting device 10 and a counter substrate 20 which have been conventionally proposed.
【図２】図１に示す電子放出素子１０におけるガラス基
板１１上に形成された構成要素の上面図であり、この図
における切断線１−１による断面が図１に示されてい
る。2 is a top view of components formed on a glass substrate 11 in the electron-emitting device 10 shown in FIG. 1, and a cross section taken along a cutting line 1-1 in this figure is shown in FIG.
【図３】図１に示す電子放出素子１０からの電子放出が
行われている状態を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing a state where electrons are being emitted from an electron-emitting device 10 shown in FIG.
【図４】図１に示す電子放出素子１０の電子放出層１４
をフォーミング処理により形成する方法を示す断面図で
ある。4 is an electron emission layer 14 of the electron emission device 10 shown in FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of forming a by a forming process.
【図５】本発明に係る電子放出素子における電子放出層
の基本構成を説明するための拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view for explaining a basic structure of an electron emitting layer in the electron emitting device according to the present invention.
【図６】本発明の一実施形態に係る電子放出素子の具体
的な構造を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a specific structure of the electron-emitting device according to the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の別な一実施形態に係る電子放出素子５
０の具体的な構造を示す斜視図である。FIG. 7 is an electron-emitting device 5 according to another embodiment of the present invention.
It is a perspective view which shows the concrete structure of 0.
【図８】図７に示す電子放出素子５０および対向基板２
０の構造を示す断面図である。8 is an electron-emitting device 50 and a counter substrate 2 shown in FIG.
It is sectional drawing which shows the structure of 0.
【図９】図７に示す電子放出素子５０からの電子放出が
行われている状態を示す断面図である。9 is a cross-sectional view showing a state where electrons are being emitted from the electron-emitting device 50 shown in FIG.
【図１０】本発明の更に別な一実施形態に係る電子放出
素子６０の具体的な構造を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a specific structure of an electron-emitting device 60 according to another embodiment of the present invention.
【図１１】本発明に係る電子放出素子の第１の製造方法
を実施するための装置構成を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing an apparatus configuration for carrying out a first method of manufacturing an electron-emitting device according to the present invention.
【図１２】図１１に示す装置における第３のチャンバ１
３０内の詳細図である。FIG. 12 is a third chamber 1 in the apparatus shown in FIG.
It is a detailed view in 30.
【図１３】本発明に係る電子放出素子の第２の製造方法
を実施するための装置構成を示すブロック図である。FIG. 13 is a block diagram showing an apparatus configuration for carrying out a second method of manufacturing an electron-emitting device according to the present invention.
１０…電子放出素子 １１…ガラス基板 １２…電極 １３…電極 １４…電子放出層 １４Ｚ…導電性薄膜 ２０…対向基板 ２１…ガラス基板 ２２…透明電極 ２３…蛍光体層 ３１…電源 ３２…電源 ３３…スイッチ ３４…電源 ４１…支持基板 ４２…電極 ４３…電極 ４４…電子放出層 ４５…対向基板 ５０…電子放出素子 ５１…支持基板 ５２…下部電極層 ５３…中間絶縁層 ５４…上部電極層 ５５…電子放出層 ６０…電子放出素子 ６１…支持基板 ６２…下部電極層 ６３…中間絶縁層 ６４…上部電極層 ６５…電子放出層 １０１…支持基板 １０４…電子放出層 １１０…第１のチャンバ １１１…Ｆｅ材料 １１２…ルツボ １１３…ガス導入管 １１４…移送管 １２０…第２のチャンバ １２１…ＭｇＯ材料 １２２…加熱装置 １２３…ガス導入管 １２４…移送管 １３０…第３のチャンバ １３１，１３１Ａ，１３１Ｂ…ノズル １３２…移動ステージ １３３…排気管 Ｉ１…ダイオード電流 Ｉ２…放出電流 Ｉｆ…フォーミング用電流 Ｖ１…印加電圧 Ｖ２…アノード電圧 10 ... Electron emitting element 11 ... Glass substrate 12 ... Electrode 13 ... Electrode 14 ... Electron emitting layer 14Z ... Conductive thin film 20 ... Counter substrate 21 ... Glass substrate 22 ... Transparent electrode 23 ... Phosphor layer 31 ... Power source 32 ... Power source 33 ... Switch 34 ... Power source 41 ... Supporting substrate 42 ... Electrode 43 ... Electrode 44 ... Electron emitting layer 45 ... Counter substrate 50 ... Electron emitting element 51 ... Supporting substrate 52 ... Lower electrode layer 53 ... Intermediate insulating layer 54 ... Upper electrode layer 55 ... Electron Emitting layer 60 ... Electron emitting element 61 ... Supporting substrate 62 ... Lower electrode layer 63 ... Intermediate insulating layer 64 ... Upper electrode layer 65 ... Electron emitting layer 101 ... Supporting substrate 104 ... Electron emitting layer 110 ... First chamber 111 ... Fe material 112 ... Crucible 113 ... Gas introduction pipe 114 ... Transfer pipe 120 ... Second chamber 121 ... MgO material 122 ... Heating device 123 ... Gas introduction pipe 24 ... transfer pipe 130 ... third chamber 131,131A, 131B ... nozzle 132 ... moving stage 133 ... exhaust pipe I1 ... diode current I2 ... emission current If ... a forming current V1 ... applied voltage V2 ... anode voltage
Claims (7)
性材料からなる第２の微粒子とを混合して充填すること
により構成される電子放出層と、この電子放出層に接触
し互いに所定間隔をおいて配置された一対の電極と、前
記電子放出層および前記一対の電極を支持する支持基板
と、を有することを特徴とする電子放出素子。1. An electron emission layer formed by mixing and filling first fine particles made of a conductive material and second fine particles made of an insulating material, and a predetermined mutual contact with the electron emission layer. An electron-emitting device comprising a pair of electrodes arranged at intervals and a support substrate supporting the electron-emitting layer and the pair of electrodes.
て、 電子放出層を構成する各微粒子として、直径が１００ｎ
ｍ以下の超微粒子を用いたことを特徴とする電子放出素
子。2. The electron-emitting device according to claim 1, wherein each of the fine particles forming the electron-emitting layer has a diameter of 100 n.
An electron-emitting device characterized by using ultrafine particles of m or less.
において、 第１の微粒子と第２の微粒子との混合割合を、体積比
１：５〜１：１００としたことを特徴とする電子放出素
子。3. The electron-emitting device according to claim 1, wherein the mixing ratio of the first fine particles and the second fine particles is 1: 5 to 1: 100 by volume. Emissive element.
出素子の製造方法において、 導電性材料を収容した第１のチャンバと、絶縁性材料を
収容した第２のチャンバと、電子放出層を形成させる支
持基板を収容した第３のチャンバと、を用意し、 前記第１のチャンバ内に不活性ガスを導入しながら、前
記導電性材料を加熱して蒸発させ、前記導電性材料から
なる第１の微粒子を生成し、 前記第２のチャンバ内に不活性ガスを導入しながら、前
記絶縁性材料を加熱して蒸発させ、前記絶縁性材料から
なる第２の微粒子を生成し、 生成した第１の微粒子および第２の微粒子を、前記第３
のチャンバ内にノズルから支持基板に向けて放出させる
ようにして導入し、前記支持基板上に電子放出層を形成
することを特徴とする電子放出素子の製造方法。4. The method for manufacturing an electron-emitting device according to claim 1, wherein the first chamber contains a conductive material, the second chamber contains an insulating material, and the electron emission. A third chamber containing a support substrate for forming a layer is prepared, and while introducing an inert gas into the first chamber, the conductive material is heated and evaporated, To generate the first fine particles and to heat and evaporate the insulating material while introducing an inert gas into the second chamber to generate the second fine particles made of the insulating material. The first fine particles and the second fine particles are
A method for manufacturing an electron-emitting device, characterized in that the electron-emitting device is introduced into the chamber from a nozzle so as to be emitted toward a supporting substrate, and an electron-emitting layer is formed on the supporting substrate.
法において、 生成した第１の微粒子および第２の微粒子を、第３のチ
ャンバ内に導入する前に混合し、混合した微粒子を同一
のノズルから放出させるようにしたことを特徴とする電
子放出素子の製造方法。5. The method for manufacturing an electron-emitting device according to claim 4, wherein the generated first fine particles and second fine particles are mixed before being introduced into the third chamber, and the mixed fine particles are the same. A method for manufacturing an electron-emitting device, characterized in that the electron-emitting device is made to emit from the nozzle.
法において、 生成した第１の微粒子および第２の微粒子を、それぞれ
別の移送管を用いて第３のチャンバ内に導入し、それぞ
れ別のノズルから放出させるようにし、ノズルから放出
後に両微粒子が混合するようにしたことを特徴とする電
子放出素子の製造方法。6. The method of manufacturing an electron-emitting device according to claim 4, wherein the generated first fine particles and second fine particles are introduced into the third chamber by using different transfer pipes, respectively. A method for manufacturing an electron-emitting device, characterized in that the particles are emitted from another nozzle, and both particles are mixed after being emitted from the nozzle.
出素子の製造方法において、 第３のチャンバ内に、支持基板を移動させる移動ステー
ジを設け、この移動ステージにより支持基板を移動させ
ながら電子放出層を成長させることにより、移動軌跡に
応じたパターンの電子放出層を形成することを特徴とす
る電子放出素子の製造方法。7. The method for manufacturing an electron-emitting device according to claim 4, wherein a moving stage for moving the supporting substrate is provided in the third chamber, and the supporting substrate is moved by the moving stage. A method of manufacturing an electron-emitting device, which comprises forming an electron-emitting layer having a pattern corresponding to a movement locus by growing the electron-emitting layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34738495A JPH09161656A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Electron emitting element and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34738495A JPH09161656A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Electron emitting element and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161656A true JPH09161656A (en) | 1997-06-20 |
Family
ID=18389867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34738495A Pending JPH09161656A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Electron emitting element and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09161656A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7942713B2 (en) * | 2005-12-13 | 2011-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating an electron-emitting device incorporating a conductive film containing first and second particles having different resistance values |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP34738495A patent/JPH09161656A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7942713B2 (en) * | 2005-12-13 | 2011-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating an electron-emitting device incorporating a conductive film containing first and second particles having different resistance values |
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