JP3719604B2

JP3719604B2 - Electron emission source and display device

Info

Publication number: JP3719604B2
Application number: JP2003097160A
Authority: JP
Inventors: 種正浅野; 昭好馬場; 雄二石田
Original assignee: Kitakyushu Foundation for Advancement of Industry Science and Technology
Current assignee: Kitakyushu Foundation for Advancement of Industry Science and Technology
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2005-11-24
Anticipated expiration: 2023-03-31
Also published as: JP2004303641A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、強い電場を作用させ、トンネル効果によって冷陰極から電子を真空中に放出させる電子放出源および多数の電子放出源が配列されたディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ブラウン管ディスプレイ装置（ＣＲＴ）と同等の高画質が得られ、しかも液晶ディスプレイ装置と同等に発色速度およびレスポンス速度が速く、フラット化および薄型化も可能なフィールドエミッションディスプレイ装置（以下、ＦＥＤ）が開発されている。
ＦＥＤとは、カソード用基板の表面に、上下に交差配置される各複数本のカソード電極ラインとゲート電極ラインとを有し、両電極ラインの各交差領域をそれぞれ１画素とする。各画素領域にあっては、上側配置されるゲート電極ラインに、互いに離間した多数の微細な開口部がそれぞれ形成され、しかも下側配置されるカソード電極ラインの各開口部内の領域には、多数の冷陰極が配設されている。これらのカソード用基板、カソード電極ライン、ゲート電極ラインおよび冷陰極により電子放出源が構成される。また、カソード用基板から、そのカソード電極ライン側に向かって離間してアノード用基板が配置され、アノード用基板のカソード電極ライン側の面には、蛍光体が形成されている。電子放出源と蛍光体との間は真空に保たれている。
このＦＥＤは、所定の電気信号に応じて、対応する画素領域の各冷陰極を励起し、これにより各冷陰極から真空中に電子を放出し、各電子を真空中で加速して蛍光体に照射する。この照射された各電子は、蛍光体の一部分にそれぞれ衝突して可視光を放出し、所定の画像を表示するように構成されている。
【０００３】
従来、冷陰極としては、例えば(1) シリコン製の円錐形状を有するＳｐｉｎｄｔタイプのもの、(2) ２枚の金属膜の間に絶縁膜を介在したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）タイプのもの、そして(3) カーボンナノチューブを使用するタイプのものなどが知られていた。
(1) Ｓｐｉｎｄｔタイプのものは、リソグラフィーなどの半導体の微細加工技術を応用して作製される冷陰極である。また、(2) ＭＩＭタイプのものは、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより、カソード用基板の上に、金属膜、絶縁膜、他の金属膜を順次成長させることにより作製される冷陰極である。さらに、(3) カーボンナノチューブタイプのものは、例えば特許文献１のように、炭素を材料とした直径数〜数１０ｎｍの線状材料より構成される冷陰極である。カーボンナノチューブは、半導体の微細加工技術に比べて微細加工の制御が容易な炭素の自己組織化によって作製される。カーボンナノチューブに電界を印加することで、電子を放出する。例えば、外部印加電界が０．７Ｖ／μｍ程度でも電子を放出する。その結果、駆動電圧を低く設定することができ、しかもカーボンナノチューブは化学的に安定であるので、機械的にも強靱となる。
【０００４】
また、このカーボンナノチューブの製造方法としては、主に２種類が知られている。具体的には、(a) 第１の方法は、前記微細加工技術と併用し、炭素の自己組織化を利用する化学気相成長法によって、少数のカーボンナノチューブを成長させる方法である。一方、(b) 第２の方法は、あらかじめ作製されたカーボンナノチューブをバインダ中に練り込みペースト状とし、これをスクリーン印刷法によりカソード電極ラインの表面に塗布することで、カーボンナノチューブの塊をカソード電極ラインにアレイ状に配置する方法である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−５１６４２号公報（第１頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、(1) Ｓｐｉｎｄｔタイプの冷陰極を有する電子放出源では、このようにリソグラフィーなどの高価な半導体の微細加工技術を利用し、冷陰極を作製していた。そのため、コスト高を招いていた。しかも、冷陰極から電子を放出させるには、電子放出源と蛍光体との間を高真空（１０-9ｔｏｒｒ程度）に保ち、高い電圧を印加させる必要があった。
また、ＭＩＭタイプの冷陰極を有する電子放出源によれば、Ｓｐｉｎｄｔタイプと同じように冷陰極から電子を放出するときに、高い電圧が必要であった。
【０００７】
さらに、カーボンナノチューブタイプの冷陰極を有する電子放出源によれば、電子放出源と蛍光体との間が比較的低真空（１０-6Ｔｏｒｒ程度）でも、冷陰極からの電子の放出が可能となる。しかしながら、以下の課題があった。
すなわち、(a) 前記第１の方法によって製造される電子放出源では、Ｓｐｉｎｄｔタイプの電子放出源に比べて作製が容易で安価となるものの、同様に高価な微細加工技術を必要としていた。そのため、大面積のカソード用基板に、低コストで多数の電子放出源を配列させることができなかった。また、(b) 第２の方法により製造される電子放出源では、冷陰極から電子を引き出すためのゲート電極を有する電子放出源の作製が困難であった。しかも、前述した冷陰極からの電子放出の低電圧化が難しかった。
【０００８】
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、冷陰極として金属などの導電性微粒子を含有するものを採用すれば、冷陰極に所定の電界を加えることで、局所的な電界集中および冷陰極内でのホットエレクトロンの走行により、冷陰極中から真空中に電子が放出される現象を知見し（２０００年１２月、国際ディスプレイワークショップ予稿集，Ｐ．９７９〜Ｐ．９８２参照）、この発明を完成させた。
【０００９】
【発明の目的】
この発明は、低電圧でも安定した電子の放出が可能で、しかも薄型で大画面のディスプレイを低コストで作製可能な電子放出源およびディスプレイ装置を提供することを、その目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、カソード用基板と、このカソード用基板上に形成された多数本のカソード電極ラインと、前記カソード用基板上またはこれらのカソード電極ライン上に形成された絶縁層と、これらのカソード電極ライン上に形成された互いに離間した多数の微細な開口部と、前記カソード電極ライン上で、これらの開口部内にそれぞれ配設された多数の冷陰極と、これらの冷陰極上に形成され、これらの冷陰極をその表面側から被覆する多数のゲート電極ラインとを備え、前記各冷陰極が電子を放出する導電性微粒子を含有するとともに、これらのカソード電極ラインとゲート電極ラインとの間で生じた電圧差によってこれら各冷陰極から電子をそれぞれ放出させる電子放出源である。
【００１１】
カソード用基板の素材としては、例えばガラスを含む各種のセラミックスなどを採用することができる。
カソード電極ラインの素材としては、例えばニオブ、モリブデン、クロムなどを採用することができる。
絶縁層の素材としては、例えば二酸化シリコンなどを採用することができる。
ゲート電極ラインの素材としては、例えばニオブ、モリブデン、クロムなどを採用することができる。
絶縁膜の厚さは１〜２０μｍ、好ましくは１〜５μｍである。１μｍ未満ではゲート電極ラインとカソードとの間の絶縁性が保たれ難くなる。また、２０μｍを超えると膜形成に長時間を要すると同時に、膜の剥離という障害が発生し、また低電圧化が困難になるという不都合が生じる。
開口部の大きさは、直径１〜１００μｍ、好ましくは３〜１０μｍである。
１μｍ未満では微細加工コストが上昇するという不都合が生じる。また、１００μｍを超えると高精細化が困難になると同時に、カソードの一部分でしか電子を放出しなくなるという不都合が生じる。
【００１２】
導電性微粒子の素材は、導電性を含有すれば限定されない。例えば、パラジウム、銀、銅、ニッケルなどを採用することができる。
また、導電性微粒子の大きさは限定されない。例えば４０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍである。
導電性微粒子から電子を放出させる外部印加電界の大きさは、導電性微粒子の素材のほか、冷陰極および導電性微粒子の大きさなどにより、適宜変更される。例えば導電性微粒子として、粒径１００ｎｍのパラジウム微粒子を使用した場合、０．５〜１Ｖ／μｍで電子放出が生じる。この電界の値は小さい方が好ましい。また、１Ｖ／μｍを超えると、低電圧で動作させることが困難になり、消費電力の増大を招くという不都合が生じる。１つの電子放出源（ＦＥＤにおける１画素の領域に相当）に形成される冷陰極の個数は限定されない。例えば１〜１０００個である。
【００１３】
冷陰極の形成方法は限定されない。例えば、導電性微粒子を含む液状の電子放出材料をカソード電極に噴射するインクジェット式液滴吐出法、導電性微粒子を含むターゲット基板（蒸発材料）にレーザ光を照射して蒸発させ、薄膜を形成するレーザアブレーション法、スピンコート法を利用し、溶液中に酸化シリコンが混入されたＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｌａｓｓ）法、スクリーン印刷法などを採用することができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記導電性微粒子の素材がパラジウムである請求項１に記載の電子放出源である。
パラジウムは、その他の導電性微粒子に比べて、微粒子を作り易く、酸化に対して安定であるという点で優れている。
【００１５】
電子放出源の製造は、カソード用基板に形成されたカソード電極ラインに、絶縁層を介して、互いに離間した多数の微細な開口部を有しているゲート電極ラインを形成する工程と、前記カソード電極ラインの各開口部内の領域に、前記カソード電極ラインとゲート電極ラインとの間で生じた電圧差によって電子をそれぞれ放出させる多数の冷陰極を形成する工程とを備えた電子放出源の製造方法において、各冷陰極は、電子を放出する導電性微粒子を含む液状の電子放出材料をカソード電極ラインに噴射するインクジェット式液滴吐出法により形成される。
【００１６】
カソード電極ラインの形成方法としては、まずカソード用基板の表面に、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法などにより所定の電極材料からなる導電膜を成膜する。次に、例えばリソグラフィー、反応性イオンエッチングなどにより、導電膜を帯状に加工する。その結果、カソード電極ラインが得られる。
絶縁層の形成方法としては、例えばスパッタリングまたはＣＶＤなどの各種の薄膜形成技術により、カソード用基板の表面に、カソード電極ラインを介して所定の厚さの絶縁層を成膜することにより得られる。
【００１７】
ゲート電極ラインの形成方法としては、例えば絶縁層およびカソード電極ラインを介して、カソード用基板の表面に、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法などにより所定の電極材料からなる導電膜を成膜する。その後、写真製版法または反応性イオンエッチング法により、導体膜をカソード電極ラインと直交する帯状に加工する。これにより、開口部が存在しないゲート電極ラインが形成される。その後、ゲート電極ラインと絶縁層とを貫通し、カソード電極ラインまで到達する平面視して円形状の多数の微細な開口部を、例えば写真製版法または反応性イオンエッチングなどにより形成する。これにより、多数の開口部が存在するゲート電極ラインが形成される。
インクジェット式液滴吐出法における液状の電子放出材料の噴射方式は限定されない。例えば、(1) 荷電変調方式（Ｓｅｅｔ方式）および拡散方式（Ｈｅｒｔｚ方式）を含む連続噴射方式、(2) ピエゾ方式、サーマル方式、静電誘引方式、放電方式を含むＤＯＤ（ＤｒｏｐｏｎＤｅｍａｎｄ）方式を採用することができる。その他、熱溶融インク（ソリッドインク方式）、インクミスト方式なども採用することができる。
【００１８】
なお、前記電子放出源の製造では、前記導電性微粒子の素材がパラジウムである。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、電子放出源、アノード用基板、蛍光体を有するディスプレイ装置において、上記電子放出源が、カソード用基板と、このカソード用基板上に形成された多数本のカソード電極ラインと、前記カソード用基板上またはこれらのカソード電極ライン上に形成された絶縁層と、これらのカソード電極ライン上に形成された互いに離間した多数の微細な開口部と、前記カソード電極ライン上で、これらの開口部内にそれぞれ配設された多数の冷陰極と、これらの冷陰極上に形成され、これらの冷陰極をその表面側から被覆する多数のゲート電極ラインとを備え、前記各冷陰極が電子を放出する導電性微粒子を含有するとともに、これらのカソード電極ラインとゲート電極ラインとの間で生じた電圧差によってこれら各冷陰極から電子をそれぞれ放出させ、前記冷陰極が、前記電子を放出する導電性微粒子を含有し、前記アノード用電極は、前記カソード用基板から前記カソード電極ライン側に向かって離間して配置されるとともに、前記蛍光体は、このアノード用基板のカソード電極ライン側の面に形成されたディスプレイ装置である。
【００２０】
カソード電極ラインと蛍光体との間の距離は限定されない。例えば、１〜５ｍｍである。また、カソード電極ラインと蛍光体との間の真空度は、１０^−６〜１０^−９Ｔｏｒｒ、好ましくは１０^−８〜１０^−９Ｔｏｒｒである。１０^−６Ｔｏｒｒ未満では、イオン化したガス分子によりスパッタが生じ、寿命が短くなる。また、１０^−９Ｔｏｒｒを超えると、真空保持が困難になるという不都合が生じる。
アノード用基板の素材は限定されない。例えば、導電性を有する酸化インジウム・スズ薄膜を形成したガラス基板などを採用することができる。
蛍光体の素材も限定されない。例えば、ＣＲＴ用の赤、青、緑の各色を発行する蛍光塗料などを採用することができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記導電性微粒子の素材がパラジウムである請求項３に記載のディスプレイ装置である。
【００２２】
【作用】
請求項１に記載の電子放出源および請求項３に記載のディスプレイ装置によれば、カソード電極ラインとゲート電極ラインとの間に通電し、各冷陰極に所定の電界を加える。その結果、局所的な電界集中および冷陰極内でのホットエレクトロンの走行によって、冷陰極中から真空中に多数の電子が放出される。放出された各電子は、例えばディスプレイ装置によると、真空中で加速され、蛍光体に照射される。照射後の各電子は、蛍光体の一部分にそれぞれ衝突し、可視光を放出する。これにより、アノード用基板には、その蛍光体側の面に所定の画像が表示される。
このように、冷陰極として導電性微粒子を含有したものを採用したので、低電圧による安定した電子の放出が可能となる。しかも、薄型で大画面のディスプレイを低コストで作製することができる。
【００２３】
特に、請求項２に記載の電子放出源および請求項４に記載のディスプレイ装置によれば、導電性微粒子の素材としてパラジウムを採用したので、他の導電性微粒子の素材に比べて、酸化に対して安定であるのでバインダーの素材が限定され難く寿命も長いという効果が得られる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。まず、参考例を説明する。
図１および図２において、１０は参考例に係るディスプレイ装置で、このディスプレイ装置１０は、電子を放出する多数の電子放出源１１を平面視してマトリクス形状に配設した電子放出構造体１２と、電子放出源１１から離間して配置され、蛍光体１３を有する発光構造体１４とを備えたフィールドエミッションディスプレイ装置である。
【００２５】
まず、電子放出構造体１２を説明する。電子放出源１１は、カソード用基板１５と、カソード用基板１５に形成されたカソード電極ライン１６と、互いに離間した多数の微細な開口部１７ａを有し、カソード電極ライン１６に絶縁層１８を介して形成されたゲート電極ライン１７と、カソード電極ライン１６の各開口部１７ａ内の領域に配設され、カソード電極ライン１６とゲート電極ライン１７との間で生じた電圧差によって電子をそれぞれ放出させる多数の冷陰極１９とを備えている。
カソード用基板１５はガラス製で、その表面には多数本の帯状のカソード電極ライン１６が形成されている。各カソード電極ライン１６の表面には前記絶縁層１８が形成され、さらにその上に各カソード電極ライン１６と直交した状態で、多数本の帯状のゲート電極ライン１７が形成されている。したがって、各ゲート電極ライン１７は、各カソード電極ライン１６とともにマトリクス構造を有している。前記絶縁層１８は、二酸化シリコン製で、厚さは３μｍ程度である。
【００２６】
両電極ライン１６，１７はそれぞれモリブデン製で、各厚さは１μｍ程度である。隣接するカソード電極ライン１６同士の間隔、および、隣接するゲート電極ライン１７同士の間隔は、それぞれ１０μｍ程度である。各カソード電極ライン１６および各ゲート電極ライン１７は、図示しない制御手段にそれぞれ接続され、その駆動が制御される。
両電極ライン１６，１７の各交差領域においては、ゲート電極ライン１７と絶縁層１８とを貫通し、カソード電極ライン１６まで達した平面視して円形状を有する多数の微細な開口部１７ａが、それぞれ形成されている。各開口部１７ａの底面となるカソード電極ライン１６の表面には、多数の冷陰極１９が個々に形成されている。各冷陰極１９は、電子を放出するパラジウム製の導電性微粒子１９ａを含有している。導電性微粒子１９ａの平均粒径は５０ｎｍである。これらのカソード電極ライン１６、ゲート電極ライン１７および冷陰極１９により、前記電子放出源１１が構成される。
一方、前記発光構造体１４は、アノード用基板２０と、このアノード用基板２０のカソード電極ライン１６側の面に形成された前記蛍光体１３とを有している。また、電子放出源１１のカソード電極ライン１６と、蛍光体１３との間は真空に保たれている。
【００２７】
次に、図１〜図３を参照して、電子放出源１１の製造方法を説明する。
まず、図１および図２に示すように、カソード用基板１５の表面に、ＣＶＤ法によりモリブデンからなる導電膜を成膜する。次に、公知のリソグラフィー技術により、導電膜を帯状に加工する。これにより、互いに所定の間隔で離間した多数本のカソード電極ライン１６が形成される。
続く絶縁層１８の形成にあっては、ＣＶＤ法により、カソード用基板１５の表面全域にカソード電極ライン１６の上から二酸化シリコン製の絶縁層１８を成膜する。
【００２８】
それから、ゲート電極ライン１７の形成が行われる。すなわち、絶縁層１８およびカソード電極ライン１６を介して、カソード用基板１５の表面に、ＣＶＤ法によりモリブデン製の導電膜を成膜する。その後、公知の反応性イオンエッチング法により、この導体膜をカソード電極ライン１６と直交する多数本の帯状に加工する。その結果、前記開口部１７ａが存在しない多数本のゲート電極ライン１７が形成される。次に、リソグラフィー技術により、対応するゲート電極ライン１７と絶縁層１８とを貫通し、下層のカソード電極ライン１６まで到達した平面視して円形状の多数の微細な開口部１７ａを、ＨＦ溶液を使ったウエットエッチングによってそれぞれ形成する。これにより、多数の開口部１７ａが存在するゲート電極ライン１７が形成される。
【００２９】
続いて、図３を参照して、前記冷陰極１９を詳細に説明する。
図３に示すように、冷陰極１９は、電子を放出する導電性微粒子１９ａを含有している。冷陰極１９は、インクジェット式液滴吐出装置２１を用い、導電性微粒子１９ａを含む液状の電子放出材料２２を、各開口部１７ａを経てカソード電極ライン１６の表面の外部露出した領域に吐出することで形成される。電子放出材料２２は、有機シリカ製のバインダにパラジウム製の導電性微粒子１９ａを所定量添加し、これを図示しない攪拌装置に投入し、所定時間だけ混練したものである。導電性微粒子１９ａの添加量は、バインダ１００重量部に対して約１０００重量部である。
【００３０】
前記インクジェット式液滴吐出装置２１は、多数本のインクジェット式ノズル２３が、ゲート電極ライン１７の各開口部１７ａと同じ縦横の間隔で配列されたピエゾ方式の液滴吐出装置である。各インクジェット式ノズル２３には、前記液状の電子放出材料２２の吐出口２３ａがそれぞれ形成されている。各吐出口２３ａは、共有する１本の流路により連通されている。流路内の所定位置には、振動することで流路内の容積を高速度で増減させる圧電素子２４が設けられている。したがって、圧電素子２４を振動させれば、流路内を流れる電子放出材料２２の一部が、各吐出口２３ａから液滴となって噴出される。こうして噴出された電子放出材料２２は、対応する開口部１７ａを通過し、カソード電極ライン１６の外部露出した表面の領域に付着される。その後、所定時間が経過することでバインダの揮発成分が揮発し、カソード電極ライン１６の表面に多数の冷陰極１９がそれぞれマトリクス形状に配置される。冷陰極１９の直径ｄは１０μｍである。
以上の工程により、図１および図２に示す前記電子放出源１１が形成される。
【００３１】
次に、参考例に係るディスプレイ装置１０の作動を説明する。
図１に示すように、図示しない制御手段からの指令に基づき、カソード電極ライン１６とゲート電極ライン１７との間に通電し、各冷陰極１９に所定の電界を加える。これにより、局所的な電界集中および冷陰極１９内でのホットエレクトロンの走行によって、冷陰極１９中から真空中に多数の電子が放出される。放出された各電子は、カソード電極ライン１６とアノード用基板２０との間に印加された電圧により真空中で加速され、蛍光体１３に照射される。照射後の各電子は、蛍光体１３の一部分にそれぞれ衝突し、可視光を放出する。その結果、アノード用基板２０には、その蛍光体１３側の面に所定の画像が表示される。
【００３２】
このように、冷陰極１９として導電性微粒子１９ａを含有したものを採用したので、カソード電極ライン１６とゲート電極ライン１７との間の印加電圧がＶ程度（電界の強さ０．５Ｖ／μｍ程度）で、ディスプレイとしての必要な電流量を得ることができる。これにより、低電圧によるディスプレイ装置１０の安定した駆動が可能となる。しかも、薄型で大画面のディスプレイ装置１０が低コストで作製可能になる。
また、導電性微粒子１９ａの素材としてパラジウムを採用したので、銅、ニッケルなどの他の導電性微粒子１９ａの素材に比べて、酸化に対して安定でバインダの素材を選択し易く、寿命も長いという効果が得られる。
【００３３】
次に、図４を参照して、この発明の一実施例に係るディスプレイ装置３０を説明する。
図４に示すように、この実施例のディスプレイ装置３０は、第１の実施例のディスプレイ装置１０のようにゲート電極ライン１７に多数の開口部１７ａを形成せず、ゲート電極ライン１７により、冷陰極１９を表面側から被覆した例である。これにより、電子放出の面内均一性が向上する。電子の飛び出し方向がそろい易い、真空度が悪化しても安定に動作するという効果が得られる。
その他の構成、作用および効果は、参考例と同じであるので、説明を省略する。
【００３４】
【発明の効果】
請求項１に記載の電子放出源および請求項３に記載のディスプレイ装置によれば、冷陰極として、電子を放出する導電性微粒子を含有したものを採用したので、低電圧による安定した電子の放出が可能で、薄型で大画面のディスプレイを作製することができる。
【００３５】
特に、導電性微粒子の素材としてパラジウムを採用すると、他の導電性微粒子の素材に比べて、酸化に対して安定であり、バインダの素材を選択し易く、寿命も短いという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の参考例に係るディスプレイ装置の一部を構成する電子放出源の要部拡大断面図である。
【図２】この発明の参考例に係るディスプレイ装置の要部拡大斜視図である。
【図３】この発明の参考例に係る冷陰極の形成方法を説明する要部拡大断面図である。
【図４】この発明の一実施例に係るディスプレイ装置の一部を構成する電子放出源の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１０，３０ディスプレイ装置、
１１電子放出源、
１３蛍光体、
１５カソード用基板、
１６カソード電極ライン、
１７ゲート電極ライン、
１７ａ開口部、
１８絶縁層、
１９冷陰極、
１９ａ導電性微粒子、
２０アノード用基板、
２１インクジェット式液滴吐出装置。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electron emission source in which a strong electric field is applied and electrons are emitted from a cold cathode into a vacuum by a tunnel effect, and a display device in which a large number of electron emission sources are arranged .
[0002]
[Prior art]
In recent years, a field emission display device (hereinafter referred to as FED) that can obtain high image quality equivalent to that of a cathode ray tube display device (CRT), has a color development speed and response speed that are as fast as a liquid crystal display device, and can be flattened and thinned. Has been developed.
The FED has a plurality of cathode electrode lines and gate electrode lines that are vertically arranged on the surface of the cathode substrate, and each of the intersecting regions of both electrode lines is one pixel. In each pixel region, a large number of fine openings spaced apart from each other are formed in the gate electrode line disposed on the upper side, and a large number of regions in each opening of the cathode electrode line disposed on the lower side are formed. The cold cathode is provided. These cathode substrate, cathode electrode line, gate electrode line and cold cathode constitute an electron emission source. Further, the anode substrate is disposed away from the cathode substrate toward the cathode electrode line side, and a phosphor is formed on the surface of the anode substrate on the cathode electrode line side. A vacuum is maintained between the electron emission source and the phosphor.
This FED excites each cold cathode in the corresponding pixel region in accordance with a predetermined electrical signal, thereby emitting electrons from each cold cathode into the vacuum and accelerating each electron in vacuum to form a phosphor. Irradiate. Each of the irradiated electrons collides with a part of the phosphor to emit visible light and display a predetermined image.
[0003]
Conventional cold cathodes are, for example, (1) Spindt type having a conical shape made of silicon, and (2) MIM (Metal-Insulator-Metal) type in which an insulating film is interposed between two metal films. And (3) types using carbon nanotubes were known.
(1) The Spindt type is a cold cathode produced by applying a semiconductor microfabrication technique such as lithography. (2) The MIM type is a cold cathode produced by sequentially growing a metal film, an insulating film, and another metal film on a cathode substrate by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like. is there. Further, the carbon nanotube type (3) is a cold cathode composed of a linear material having a diameter of several to several tens of nanometers made of carbon as disclosed in Patent Document 1, for example. Carbon nanotubes are produced by self-organization of carbon, which is easier to control microfabrication than semiconductor microfabrication technology. Electrons are emitted by applying an electric field to the carbon nanotubes. For example, electrons are emitted even when the externally applied electric field is about 0.7 V / μm. As a result, the drive voltage can be set low, and the carbon nanotubes are chemically stable, so that they are mechanically tough.
[0004]
Also, two types of carbon nanotube production methods are known. Specifically, (a) the first method is a method of growing a small number of carbon nanotubes by chemical vapor deposition using the self-organization of carbon in combination with the fine processing technique. On the other hand, (b) the second method is to knead carbon nanotubes prepared in advance into a binder to form a paste, and apply this to the surface of the cathode electrode line by screen printing, so that the mass of carbon nanotubes is converted into a cathode. This is a method of arranging the electrode lines in an array.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2001-51642 A (first page, FIG. 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, (1) In an electron emission source having a Spindt type cold cathode, a cold cathode is produced by using an expensive semiconductor microfabrication technique such as lithography. Therefore, the cost was high. Moreover, in order to emit electrons from the cold cathode, it is necessary to maintain a high vacuum (about 10 @ -9 torr) between the electron emission source and the phosphor and to apply a high voltage.
Further, according to the electron emission source having the MIM type cold cathode, a high voltage is required when electrons are emitted from the cold cathode as in the Spindt type.
[0007]
Further, according to the electron emission source having the carbon nanotube type cold cathode, it is possible to emit electrons from the cold cathode even when the space between the electron emission source and the phosphor is relatively low vacuum (about 10 −6 Torr). . However, there were the following problems.
That is, (a) Although the electron emission source manufactured by the first method is easier and less expensive to manufacture than the Spindt type electron emission source, it similarly requires an expensive fine processing technique. Therefore, it has been impossible to arrange a large number of electron emission sources on a large area cathode substrate at low cost. Further, (b) in the electron emission source manufactured by the second method, it is difficult to produce an electron emission source having a gate electrode for extracting electrons from the cold cathode. In addition, it is difficult to reduce the voltage of electron emission from the cold cathode described above.
[0008]
Therefore, as a result of intensive studies, the inventors have applied a predetermined electric field to the cold cathode as a cold cathode containing a conductive fine particle such as a metal. The phenomenon of electrons being emitted from the cold cathode into the vacuum by running hot electrons in the world was discovered (see December 2000, International Display Workshop Proceedings, pages 979-982), and the present invention was completed. I let you.
[0009]
OBJECT OF THE INVENTION
An object of the present invention is to provide an electron emission source and a display device that can stably emit electrons even at a low voltage and that can produce a thin and large-screen display at low cost.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is a cathode substrate, a plurality of cathode electrode lines formed on the cathode substrate, an insulating layer formed on the cathode substrate or on these cathode electrode lines, A plurality of spaced apart fine openings formed on the cathode electrode lines, a plurality of cold cathodes respectively disposed in the openings on the cathode electrode lines, and the cold cathodes A plurality of gate electrode lines that cover these cold cathodes from the surface side, and each of the cold cathodes contains conductive fine particles that emit electrons, and these cathode electrode lines and gate electrode lines The electron emission source emits electrons from each of the cold cathodes due to a voltage difference generated between the two and the cathode .
[0011]
As the material for the cathode substrate, for example, various ceramics including glass can be employed.
As a material for the cathode electrode line, for example, niobium, molybdenum, chromium, or the like can be employed.
As the material for the insulating layer, for example, silicon dioxide can be employed.
As a material for the gate electrode line, for example, niobium, molybdenum, chromium, or the like can be employed.
The thickness of the insulating film is 1 to 20 μm, preferably 1 to 5 μm. If it is less than 1 μm, it is difficult to maintain the insulation between the gate electrode line and the cathode. On the other hand, when the thickness exceeds 20 μm, it takes a long time to form a film, and at the same time, a problem of film peeling occurs, and it is difficult to lower the voltage.
The size of the opening is 1 to 100 μm in diameter, preferably 3 to 10 μm.
If it is less than 1 μm, there arises a disadvantage that the fine processing cost increases. On the other hand, if it exceeds 100 μm, it becomes difficult to achieve high definition, and at the same time, there is a disadvantage that electrons are emitted only at a part of the cathode.
[0012]
The material of the conductive fine particles is not limited as long as it contains conductivity. For example, palladium, silver, copper, nickel, etc. can be employed.
Further, the size of the conductive fine particles is not limited. For example, it is 40 nm to 10 μm, preferably 50 nm to 1 μm.
The magnitude of the externally applied electric field for emitting electrons from the conductive fine particles is appropriately changed according to the size of the cold cathode and the conductive fine particles in addition to the material of the conductive fine particles. For example, when palladium fine particles having a particle diameter of 100 nm are used as conductive fine particles, electron emission occurs at 0.5 to 1 V / μm. The value of this electric field is preferably smaller. On the other hand, if it exceeds 1 V / μm, it becomes difficult to operate at a low voltage, resulting in an increase in power consumption. The number of cold cathodes formed in one electron emission source (corresponding to the area of one pixel in the FED) is not limited. For example, it is 1-1000 pieces.
[0013]
The method for forming the cold cathode is not limited. For example, an inkjet droplet discharge method in which a liquid electron-emitting material containing conductive fine particles is jetted onto a cathode electrode, a target substrate (evaporating material) containing conductive fine particles is irradiated and evaporated to form a thin film A laser ablation method, a spin coating method, a SOG (Spin On Glass) method in which silicon oxide is mixed in a solution, a screen printing method, or the like can be employed.
[0014]
The invention according to claim 2 is the electron emission source according to claim 1, wherein the material of the conductive fine particles is palladium.
Palladium is superior to other conductive fine particles in that it is easy to produce fine particles and is stable against oxidation.
[0015]
The electron emission source is manufactured by forming a gate electrode line having a number of fine openings spaced apart from each other through an insulating layer on a cathode electrode line formed on a cathode substrate; Forming a plurality of cold cathodes, each of which emits electrons due to a voltage difference generated between the cathode electrode line and the gate electrode line, in a region within each opening of the electrode line. Each of the cold cathodes is formed by an ink jet type droplet discharge method in which a liquid electron emission material containing conductive fine particles that emit electrons is ejected onto the cathode electrode line .
[0016]
As a method for forming the cathode electrode line, first, a conductive film made of a predetermined electrode material is formed on the surface of the cathode substrate by, for example, a CVD method or a sputtering method. Next, the conductive film is processed into a strip shape by lithography, reactive ion etching, or the like, for example. As a result, a cathode electrode line is obtained.
The insulating layer is formed by forming an insulating layer having a predetermined thickness on the surface of the cathode substrate via the cathode electrode line by various thin film forming techniques such as sputtering or CVD.
[0017]
As a method of forming the gate electrode line, for example, a conductive film made of a predetermined electrode material is formed on the surface of the cathode substrate via, for example, an insulating layer and a cathode electrode line by, for example, a CVD method or a sputtering method. Thereafter, the conductor film is processed into a belt shape orthogonal to the cathode electrode line by photolithography or reactive ion etching. Thereby, a gate electrode line having no opening is formed. Thereafter, a large number of fine openings having a circular shape in a plan view passing through the gate electrode line and the insulating layer and reaching the cathode electrode line are formed by, for example, photolithography or reactive ion etching. Thereby, a gate electrode line having a large number of openings is formed.
There is no limitation on the injection method of the liquid electron emission material in the ink jet droplet discharge method. For example, (1) Continuous injection method including charge modulation method (Set method) and diffusion method (Hertz method), (2) DOD (Drop on Demand) method including piezo method, thermal method, electrostatic attraction method, discharge method Can be adopted. In addition, a hot-melt ink (solid ink method), an ink mist method, or the like can also be employed.
[0018]
In the manufacture of the electron emission source, the material of the conductive fine particles is palladium.
[0019]
According to a third aspect of the present invention, in the display device having an electron emission source, an anode substrate, and a phosphor, the electron emission source includes a cathode substrate and a plurality of cathode electrodes formed on the cathode substrate. A line, an insulating layer formed on the cathode substrate or the cathode electrode lines, a plurality of spaced apart minute openings formed on the cathode electrode lines, and the cathode electrode lines. A plurality of cold cathodes respectively disposed in the openings, and a plurality of gate electrode lines formed on the cold cathodes and covering the cold cathodes from the surface side. Contain conductive fine particles that emit electrons, and each cold cathode is caused by a voltage difference generated between the cathode electrode line and the gate electrode line. And the cold cathode contains conductive fine particles that emit the electrons, and the anode electrode is disposed away from the cathode substrate toward the cathode electrode line side. The phosphor is a display device formed on the surface of the anode substrate on the cathode electrode line side.
[0020]
The distance between the cathode electrode line and the phosphor is not limited. For example, 1-5 mm. The degree of vacuum between the cathode electrode line and the phosphor is 10 ⁻⁶ to 10 ⁻⁹ Torr, preferably 10 ⁻⁸ to 10 ⁻⁹ Torr. If it is less than 10 ⁻⁶ Torr, sputtering occurs due to ionized gas molecules, and the lifetime is shortened. On the other hand, when it exceeds 10 ⁻⁹ Torr, there arises a disadvantage that it is difficult to hold the vacuum.
The material of the anode substrate is not limited. For example, a glass substrate on which a conductive indium tin oxide thin film is formed can be employed.
The material of the phosphor is not limited. For example, a fluorescent paint that issues red, blue, and green colors for CRT can be employed.
[0021]
A fourth aspect of the present invention is the display device according to the third aspect , wherein the conductive fine particle material is palladium.
[0022]
[Action]
According to the electron emission source according to claim 1 and the display device according to claim 3, electricity is applied between the cathode electrode line and the gate electrode line, and a predetermined electric field is applied to each cold cathode. As a result, a large number of electrons are emitted from the cold cathode into the vacuum by local electric field concentration and hot electron travel in the cold cathode. For example, according to the display device, the emitted electrons are accelerated in a vacuum and irradiated onto the phosphor. Each electron after irradiation collides with a part of the phosphor to emit visible light. Thereby, a predetermined image is displayed on the surface of the phosphor on the anode substrate.
Thus, since the thing containing electroconductive fine particles was employ | adopted as a cold cathode, the discharge | release of the stable electron by a low voltage is attained. In addition, a thin and large-screen display can be manufactured at low cost.
[0023]
In particular, according to the electron emission source according to claim 2 and the display device according to claim 4, since palladium is adopted as the material of the conductive fine particles, it is more resistant to oxidation than the other conductive fine particle materials. Since it is stable and stable, it is difficult to limit the material of the binder and the effect is that the lifetime is long.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, a reference example will be described .
1 and 2, reference numeral 10 denotes a display device according to a reference example . This display device 10 includes an electron emission structure 12 in which a large number of electron emission sources 11 that emit electrons are arranged in a matrix in plan view. The field emission display device includes a light emitting structure 14 that is disposed apart from the electron emission source 11 and has a phosphor 13.
[0025]
First, the electron emission structure 12 will be described. The electron emission source 11 has a cathode substrate 15, a cathode electrode line 16 formed in the cathode substrate 15, and a large number of minute openings 17 a spaced apart from each other, and an insulating layer 18 is interposed in the cathode electrode line 16. The gate electrode line 17 and the cathode electrode line 16 are formed in regions within the openings 17a, and electrons are emitted by a voltage difference generated between the cathode electrode line 16 and the gate electrode line 17, respectively. A number of cold cathodes 19 are provided.
The cathode substrate 15 is made of glass, and a plurality of strip-like cathode electrode lines 16 are formed on the surface thereof. The insulating layer 18 is formed on the surface of each cathode electrode line 16, and a plurality of strip-like gate electrode lines 17 are formed on the insulating layer 18 in a state orthogonal to the cathode electrode lines 16. Therefore, each gate electrode line 17 has a matrix structure together with each cathode electrode line 16. The insulating layer 18 is made of silicon dioxide and has a thickness of about 3 μm.
[0026]
Both electrode lines 16 and 17 are made of molybdenum, and each thickness is about 1 μm. The interval between adjacent cathode electrode lines 16 and the interval between adjacent gate electrode lines 17 are each about 10 μm. Each cathode electrode line 16 and each gate electrode line 17 are respectively connected to control means (not shown) and their driving is controlled.
In each crossing region of the electrode lines 16 and 17, a large number of fine openings 17 a having a circular shape in plan view that penetrates the gate electrode line 17 and the insulating layer 18 and reaches the cathode electrode line 16. Each is formed. A number of cold cathodes 19 are individually formed on the surface of the cathode electrode line 16 serving as the bottom surface of each opening 17a. Each cold cathode 19 contains conductive fine particles 19a made of palladium that emit electrons. The average particle diameter of the conductive fine particles 19a is 50 nm. These cathode electrode line 16, gate electrode line 17 and cold cathode 19 constitute the electron emission source 11.
On the other hand, the light emitting structure 14 includes an anode substrate 20 and the phosphor 13 formed on the surface of the anode substrate 20 on the cathode electrode line 16 side. Further, a vacuum is maintained between the cathode electrode line 16 of the electron emission source 11 and the phosphor 13.
[0027]
Next, a method for manufacturing the electron emission source 11 will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIGS. 1 and 2, a conductive film made of molybdenum is formed on the surface of the cathode substrate 15 by a CVD method. Next, the conductive film is processed into a strip shape by a known lithography technique. Thereby, a large number of cathode electrode lines 16 spaced apart from each other at a predetermined interval are formed.
In the subsequent formation of the insulating layer 18, a silicon dioxide insulating layer 18 is formed over the entire surface of the cathode substrate 15 from above the cathode electrode line 16 by CVD.
[0028]
Then, the gate electrode line 17 is formed. That is, a molybdenum conductive film is formed on the surface of the cathode substrate 15 via the insulating layer 18 and the cathode electrode line 16 by the CVD method. Thereafter, the conductor film is processed into a number of strips orthogonal to the cathode electrode line 16 by a known reactive ion etching method. As a result, a large number of gate electrode lines 17 without the openings 17a are formed. Next, a large number of circular openings 17a that pass through the corresponding gate electrode line 17 and the insulating layer 18 and reach the lower cathode electrode line 16 in plan view are formed by lithographic techniques using HF solution. Each is formed by the wet etching used. Thereby, the gate electrode line 17 having a large number of openings 17a is formed.
[0029]
Next, the cold cathode 19 will be described in detail with reference to FIG.
As shown in FIG. 3, the cold cathode 19 contains conductive fine particles 19a that emit electrons. The cold cathode 19 uses an ink jet type droplet discharge device 21 to discharge a liquid electron emission material 22 containing conductive fine particles 19a to an externally exposed region on the surface of the cathode electrode line 16 through each opening 17a. Formed with. The electron emission material 22 is obtained by adding a predetermined amount of palladium conductive fine particles 19a to an organic silica binder, putting it in a stirrer (not shown), and kneading for a predetermined time. The addition amount of the conductive fine particles 19a is about 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder.
[0030]
The ink jet droplet discharge device 21 is a piezoelectric droplet discharge device in which a large number of ink jet nozzles 23 are arranged at the same vertical and horizontal intervals as the openings 17 a of the gate electrode line 17. Each ink jet nozzle 23 is formed with an ejection port 23a for the liquid electron emission material 22. Each discharge port 23a is connected by one shared flow path. A piezoelectric element 24 is provided at a predetermined position in the flow path to increase or decrease the volume in the flow path at a high speed by vibrating. Therefore, if the piezoelectric element 24 is vibrated, a part of the electron emission material 22 flowing in the flow path is ejected as a droplet from each discharge port 23a. The electron emission material 22 ejected in this way passes through the corresponding opening 17a and adheres to the externally exposed surface region of the cathode electrode line 16. Thereafter, the volatile components of the binder are volatilized by elapse of a predetermined time, and a large number of cold cathodes 19 are arranged on the surface of the cathode electrode line 16 in a matrix shape. The diameter d of the cold cathode 19 is 10 μm.
Through the above steps, the electron emission source 11 shown in FIGS. 1 and 2 is formed.
[0031]
Next, the operation of the display device 10 according to the reference example will be described.
As shown in FIG. 1, a predetermined electric field is applied to each cold cathode 19 by energizing between the cathode electrode line 16 and the gate electrode line 17 based on a command from a control means (not shown). As a result, a large number of electrons are emitted from the cold cathode 19 into the vacuum due to local electric field concentration and hot electron travel in the cold cathode 19. Each emitted electron is accelerated in a vacuum by a voltage applied between the cathode electrode line 16 and the anode substrate 20 and irradiated onto the phosphor 13. Each electron after irradiation collides with a part of the phosphor 13 and emits visible light. As a result, a predetermined image is displayed on the surface of the phosphor substrate 13 on the anode substrate 20.
[0032]
Thus, since the cold cathode 19 containing the conductive fine particles 19a is adopted, the applied voltage between the cathode electrode line 16 and the gate electrode line 17 is about V (the electric field strength is about 0.5 V / μm). ), A necessary amount of current as a display can be obtained. Thereby, the stable drive of the display apparatus 10 by a low voltage is attained. Moreover, a thin and large-screen display device 10 can be manufactured at low cost.
Further, since palladium is adopted as the material of the conductive fine particles 19a, it is more stable against oxidation than the material of other conductive fine particles 19a such as copper and nickel, and it is easy to select a binder material and has a long life. An effect is obtained.
[0033]
Next, a display device 30 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 4, the display device 30 of this embodiment does not form a large number of openings 17a in the gate electrode line 17 unlike the display device 10 of the first embodiment. In this example, the cathode 19 is coated from the surface side. This improves the in-plane uniformity of electron emission. The effect is that the electron emission directions are easily aligned, and the operation is stable even when the degree of vacuum deteriorates.
Other configurations, operations, and effects are the same as those in the reference example, and thus description thereof is omitted.
[0034]
【The invention's effect】
According to de Isupurei apparatus according to electron emission source and claims 3 according to claim 1, as a cold cathode, since the adopted one containing conductive fine particles for emitting electrons, a stable electron by the low-voltage A thin, large-screen display can be produced.
[0035]
In particular, when palladium is used as the material for the conductive fine particles, the effects of being stable against oxidation, being easy to select the material for the binder, and having a short life compared to other materials for the conductive fine particles can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a main part of an electron emission source constituting a part of a display device according to a reference example of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged perspective view of a main part of a display device according to a reference example of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part for explaining a method for forming a cold cathode according to a reference example of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part of an electron emission source constituting a part of a display device according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10,30 display device,
11 electron emission source,
13 phosphor,
15 cathode substrate,
16 Cathode electrode line,
17 Gate electrode line,
17a opening,
18 Insulating layer,
19 Cold cathode,
19a conductive fine particles,
20 Anode substrate,
21 Inkjet droplet discharge device.

Claims

カソード用基板と、
このカソード用基板上に形成された多数本のカソード電極ラインと、
前記カソード用基板上またはこれらのカソード電極ライン上に形成された絶縁層と、
これらのカソード電極ライン上に形成された互いに離間した多数の微細な開口部と、
前記カソード電極ライン上で、これらの開口部内にそれぞれ配設された多数の冷陰極と、
これらの冷陰極上に形成され、これらの冷陰極をその表面側から被覆する多数のゲート電極ラインとを備え、
前記各冷陰極が電子を放出する導電性微粒子を含有するとともに、これらのカソード電極ラインとゲート電極ラインとの間で生じた電圧差によってこれら各冷陰極から電子をそれぞれ放出させる電子放出源。 A cathode substrate;
A number of cathode electrode lines formed on the cathode substrate;
An insulating layer formed on the cathode substrate or on the cathode electrode line;
Many fine openings spaced apart from each other formed on these cathode electrode lines;
On the cathode electrode line, a number of cold cathodes respectively disposed in these openings,
A plurality of gate electrode lines formed on these cold cathodes and covering these cold cathodes from the surface side;
An electron emission source in which each cold cathode contains conductive fine particles that emit electrons, and electrons are emitted from each cold cathode by a voltage difference generated between the cathode electrode line and the gate electrode line.

前記導電性微粒子の素材が、パラジウムである請求項１に記載の電子放出源。 The electron emission source according to claim 1, wherein a material of the conductive fine particles is palladium.

電子放出源、アノード用基板、蛍光体を有するディスプレイ装置において、In a display device having an electron emission source, an anode substrate, and a phosphor,
上記電子放出源が、  The electron emission source is
カソード用基板と、  A cathode substrate;
このカソード用基板上に形成された多数本のカソード電極ラインと、  A number of cathode electrode lines formed on the cathode substrate;
前記カソード用基板上またはこれらのカソード電極ライン上に形成された絶縁層と、  An insulating layer formed on the cathode substrate or on the cathode electrode line;
これらのカソード電極ライン上に形成された互いに離間した多数の微細な開口部と、  Many fine openings spaced apart from each other formed on these cathode electrode lines;
前記カソード電極ライン上で、これらの開口部内にそれぞれ配設された多数の冷陰極と、  On the cathode electrode line, a number of cold cathodes respectively disposed in these openings,
これらの冷陰極上に形成され、これらの冷陰極をその表面側から被覆する多数のゲート電極ラインとを備え、  A plurality of gate electrode lines formed on these cold cathodes and covering these cold cathodes from the surface side;
前記各冷陰極が電子を放出する導電性微粒子を含有するとともに、これらのカソード電極ラインとゲート電極ラインとの間で生じた電圧差によってこれら各冷陰極から電子をそれぞれ放出させ、  Each of the cold cathodes contains conductive fine particles that emit electrons, and electrons are emitted from each of the cold cathodes due to a voltage difference generated between the cathode electrode line and the gate electrode line,
前記冷陰極が、前記電子を放出する導電性微粒子を含有し、  The cold cathode contains conductive fine particles that emit the electrons,
前記アノード用電極は、前記カソード用基板から前記カソード電極ライン側に向かって離間して配置されるとともに、  The anode electrode is disposed away from the cathode substrate toward the cathode electrode line side,
前記蛍光体は、このアノード用基板のカソード電極ライン側の面に形成されたディスプレイ装置。  The phosphor is a display device formed on the surface of the anode substrate on the cathode electrode line side.

前記導電性微粒子の素材が、パラジウムである請求項３に記載のディスプレイ装置。The display device according to claim 3, wherein a material of the conductive fine particles is palladium.