JPH09153646A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、突出型のドーム状レンズ付き表面実
装型光半導体装置において、コストアップなしに高輝度
化を実現でき、歩留まりの向上および品質の安定化を図
ることができるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【解決手段】たとえば、プリント基板１１の表面のマウ
ント部に銀ペースト１２を介して発光素子１３を固着
し、該発光素子１３と上記プリント基板１１上の配線１
４とを金線１６により電気的に結線させる。そして、そ
の金線１６を含んで、上記プリント基板１１上の上記発
光素子１３の周囲を、液状エポキシ樹脂１７を用いてな
る、ドーム状レンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによ
って封止してなる構成とされている。
装型光半導体装置において、コストアップなしに高輝度
化を実現でき、歩留まりの向上および品質の安定化を図
ることができるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【解決手段】たとえば、プリント基板１１の表面のマウ
ント部に銀ペースト１２を介して発光素子１３を固着
し、該発光素子１３と上記プリント基板１１上の配線１
４とを金線１６により電気的に結線させる。そして、そ
の金線１６を含んで、上記プリント基板１１上の上記発
光素子１３の周囲を、液状エポキシ樹脂１７を用いてな
る、ドーム状レンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによ
って封止してなる構成とされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば表面実
装型の光半導体装置およびその製造方法に関するもの
で、特に、突出型ドーム状レンズを有する表面実装型の
光半導体装置に用いられるものである。
装型の光半導体装置およびその製造方法に関するもの
で、特に、突出型ドーム状レンズを有する表面実装型の
光半導体装置に用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面実装型の光半導体装置として
は、フラットタイプ構造のものが製品化されている。図
８は、フラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の
概略構成を示すものである。
は、フラットタイプ構造のものが製品化されている。図
８は、フラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の
概略構成を示すものである。
【０００３】この種の光半導体装置は、たとえば、プリ
ント基板１０１の表面のマウント部に、銀ペースト１０
２を介して発光素子１０３が固着されている。プリント
基板１０１には、配線１０４と外部リード部１０５とが
形成されている。この外部リード部１０５の一端は、上
記プリント基板１０１の表面の一部（他の断面）におい
て、上記配線１０４と接続されている。外部リード部１
０５の他端は、上記プリント基板１０１の側面を介し
て、プリント基板１０１の裏面の端部に引き出されてい
る。
ント基板１０１の表面のマウント部に、銀ペースト１０
２を介して発光素子１０３が固着されている。プリント
基板１０１には、配線１０４と外部リード部１０５とが
形成されている。この外部リード部１０５の一端は、上
記プリント基板１０１の表面の一部（他の断面）におい
て、上記配線１０４と接続されている。外部リード部１
０５の他端は、上記プリント基板１０１の側面を介し
て、プリント基板１０１の裏面の端部に引き出されてい
る。
【０００４】そして、上記発光素子１０３と上記配線１
０４とが、金線１０６により電気的に結線されている。
また、この金線１０６を含んで、上記プリント基板１０
１上の上記発光素子１０３の周囲が、上面が平坦（フラ
ット）とされたエポキシ樹脂１０７によって封止されて
なる構成とされている。
０４とが、金線１０６により電気的に結線されている。
また、この金線１０６を含んで、上記プリント基板１０
１上の上記発光素子１０３の周囲が、上面が平坦（フラ
ット）とされたエポキシ樹脂１０７によって封止されて
なる構成とされている。
【０００５】しかし、このフラットタイプ構造の表面実
装型光半導体装置の場合、発光素子１０３の周囲を単に
エポキシ樹脂１０７によって封止している構造のため、
発光輝度が非常に低いという欠点があった。
装型光半導体装置の場合、発光素子１０３の周囲を単に
エポキシ樹脂１０７によって封止している構造のため、
発光輝度が非常に低いという欠点があった。
【０００６】そこで、このような光半導体装置の特性の
向上（高輝度化）を図るために、装置の表面にインナー
レンズを形成してなる構造の表面実装型光半導体装置が
開発されている。
向上（高輝度化）を図るために、装置の表面にインナー
レンズを形成してなる構造の表面実装型光半導体装置が
開発されている。
【０００７】図９は、インナーレンズ付きの表面実装型
光半導体装置の概略構成を示すものである。なお、同図
（ａ）はインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置
の外観斜視図、同図（ｂ）は同じく断面図である。
光半導体装置の概略構成を示すものである。なお、同図
（ａ）はインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置
の外観斜視図、同図（ｂ）は同じく断面図である。
【０００８】この種の光半導体装置は、たとえば、プリ
ント基板２０１の表面のマウント部に、銀ペースト２０
２を介して発光素子２０３が固着されている。プリント
基板２０１には、配線２０４と外部リード部２０５とが
設けられている。この外部リード部２０５の一端は、上
記プリント基板２０１の表面の一部（他の断面）におい
て、上記配線２０４と接続されている。外部リード部２
０５の他端は、上記プリント基板２０１の側面を介し
て、プリント基板２０１の裏面の端部に引き出されてい
る。
ント基板２０１の表面のマウント部に、銀ペースト２０
２を介して発光素子２０３が固着されている。プリント
基板２０１には、配線２０４と外部リード部２０５とが
設けられている。この外部リード部２０５の一端は、上
記プリント基板２０１の表面の一部（他の断面）におい
て、上記配線２０４と接続されている。外部リード部２
０５の他端は、上記プリント基板２０１の側面を介し
て、プリント基板２０１の裏面の端部に引き出されてい
る。
【０００９】そして、上記発光素子２０３と上記配線２
０４とが、金線２０６により電気的に結線されている。
また、この金線２０６を含んで、上記プリント基板２０
１上の上記発光素子２０３の周囲がエポキシ樹脂２０７
によって封止されるとともに、その発光素子２０３の上
部にインナーレンズ２０７ａが設けられてなる構成とさ
れている。
０４とが、金線２０６により電気的に結線されている。
また、この金線２０６を含んで、上記プリント基板２０
１上の上記発光素子２０３の周囲がエポキシ樹脂２０７
によって封止されるとともに、その発光素子２０３の上
部にインナーレンズ２０７ａが設けられてなる構成とさ
れている。
【００１０】さて、このような構成のインナーレンズ付
きの表面実装型光半導体装置は、一般的に、次のような
方法により製造されている。図１０を参照して、上記し
たインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の製造
方法について説明する。
きの表面実装型光半導体装置は、一般的に、次のような
方法により製造されている。図１０を参照して、上記し
たインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の製造
方法について説明する。
【００１１】たとえば、絶縁板体２１１に複数の開口２
１１ａが並列して設けられて、その開口２１１ａの相互
間に、それぞれ複数個分のプリント基板２０１が列状に
形成されてなるものを用意する。
１１ａが並列して設けられて、その開口２１１ａの相互
間に、それぞれ複数個分のプリント基板２０１が列状に
形成されてなるものを用意する。
【００１２】また、その絶縁板体２１１の各列のプリン
ト基板２０１のそれぞれには、あらかじめ上記配線２０
４や外部リード部２０５を形成しておく。このような絶
縁板体２１１に対して、まず、各プリント基板２０１上
に、それぞれ銀ペースト２０２を介して発光素子２０３
を個々に固着する。そして、各プリント基板２０１上に
おいて、その発光素子２０３と配線２０４との間を金線
２０６によりそれぞれボンディングする。
ト基板２０１のそれぞれには、あらかじめ上記配線２０
４や外部リード部２０５を形成しておく。このような絶
縁板体２１１に対して、まず、各プリント基板２０１上
に、それぞれ銀ペースト２０２を介して発光素子２０３
を個々に固着する。そして、各プリント基板２０１上に
おいて、その発光素子２０３と配線２０４との間を金線
２０６によりそれぞれボンディングする。
【００１３】この後、絶縁板体２１１の上面にモールド
金型（図示していない）を密着させ、その金型内にエポ
キシ系の樹脂を注入する。この場合、モールド金型は、
各発光素子２０３に対応して、上記エポキシ樹脂２０７
および上記インナーレンズ２０７ａの形成に必要な形状
を有してなるとともに、各列ごとにプリント基板２０１
のそれぞれに連続してエポキシ系の樹脂を供給できるよ
うになっている（スルーゲート構造のトランスファモー
ルド）。
金型（図示していない）を密着させ、その金型内にエポ
キシ系の樹脂を注入する。この場合、モールド金型は、
各発光素子２０３に対応して、上記エポキシ樹脂２０７
および上記インナーレンズ２０７ａの形成に必要な形状
を有してなるとともに、各列ごとにプリント基板２０１
のそれぞれに連続してエポキシ系の樹脂を供給できるよ
うになっている（スルーゲート構造のトランスファモー
ルド）。
【００１４】また、注入用のエポキシ系の樹脂として
は、たとえば、タブレット状のエポキシ樹脂を溶融した
ものが用いられる。そして、上記エポキシ系の樹脂を加
熱して硬化させた後、モールド金型から絶縁板体２１１
を取り外す（図１０には、モールド金型から絶縁板体２
１１を取り外した状態を示している）。
は、たとえば、タブレット状のエポキシ樹脂を溶融した
ものが用いられる。そして、上記エポキシ系の樹脂を加
熱して硬化させた後、モールド金型から絶縁板体２１１
を取り外す（図１０には、モールド金型から絶縁板体２
１１を取り外した状態を示している）。
【００１５】こうして、各列のプリント基板２０１上の
発光素子２０３のそれぞれが、インナーレンズ２０７ａ
を有するエポキシ樹脂２０７によって一括して封止され
た後、各列のプリント基板２０１をダイシングによって
個々に切り離すことで、図９に示した、インナーレンズ
付きの表面実装型光半導体装置が製造される。
発光素子２０３のそれぞれが、インナーレンズ２０７ａ
を有するエポキシ樹脂２０７によって一括して封止され
た後、各列のプリント基板２０１をダイシングによって
個々に切り離すことで、図９に示した、インナーレンズ
付きの表面実装型光半導体装置が製造される。
【００１６】このようにして製造されるインナーレンズ
付きの表面実装型光半導体装置の場合、そのレンズ効果
により、上記したフラットタイプ構造の表面実装型光半
導体装置に比べ、約２倍の高輝度化が可能となってい
る。
付きの表面実装型光半導体装置の場合、そのレンズ効果
により、上記したフラットタイプ構造の表面実装型光半
導体装置に比べ、約２倍の高輝度化が可能となってい
る。
【００１７】しかしながら、インナーレンズ付きの表面
実装型光半導体装置であっても、たかだかフラットタイ
プ構造の表面実装型光半導体装置の２倍程度の高輝度化
では市場の要求に対しては十分とはいえず、高輝度化の
要求は依然として高いものがある。
実装型光半導体装置であっても、たかだかフラットタイ
プ構造の表面実装型光半導体装置の２倍程度の高輝度化
では市場の要求に対しては十分とはいえず、高輝度化の
要求は依然として高いものがある。
【００１８】さらなる高輝度化を図るには、レンズの径
を大きくすればよいが、インナーレンズ付きの表面実装
型光半導体装置の場合、レンズ径の大型化には限界があ
る。すなわち、上述のスルーゲート構造のトランスファ
モールドでは、連続的に樹脂の供給を行うようになって
いる。このため、レンズの部分に気泡が発生しやすく、
レンズ径の大型化は製品化をますます困難にする。
を大きくすればよいが、インナーレンズ付きの表面実装
型光半導体装置の場合、レンズ径の大型化には限界があ
る。すなわち、上述のスルーゲート構造のトランスファ
モールドでは、連続的に樹脂の供給を行うようになって
いる。このため、レンズの部分に気泡が発生しやすく、
レンズ径の大型化は製品化をますます困難にする。
【００１９】この気泡の発生は、たとえば、各列のプリ
ント基板のそれぞれに対応させて樹脂の供給口を設け、
個別にエポキシ系の樹脂の供給を行うようにする、いわ
ゆるモールド金型の個別ゲート構造化によって解決でき
る。
ント基板のそれぞれに対応させて樹脂の供給口を設け、
個別にエポキシ系の樹脂の供給を行うようにする、いわ
ゆるモールド金型の個別ゲート構造化によって解決でき
る。
【００２０】しかし、この方法では、プリント基板内に
ランナーゲートを配置する必要が生じるなど、プリント
基板の利用効率が著しく低下し、結果として製品のコス
トアップにつながる。
ランナーゲートを配置する必要が生じるなど、プリント
基板の利用効率が著しく低下し、結果として製品のコス
トアップにつながる。
【００２１】また、トランスファモールドで用いられる
タブレット状のエポキシ系の樹脂は、一般に、溶融粘度
が樹脂の注入中に高くなる。このため、樹脂注入時の圧
力や注入速度および材料のロット差によって金線の変形
を招くなどの問題があり、注入の方法や条件が製品の品
質および歩留まりに大きく影響するという欠点があっ
た。
タブレット状のエポキシ系の樹脂は、一般に、溶融粘度
が樹脂の注入中に高くなる。このため、樹脂注入時の圧
力や注入速度および材料のロット差によって金線の変形
を招くなどの問題があり、注入の方法や条件が製品の品
質および歩留まりに大きく影響するという欠点があっ
た。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、高輝度化を図ろうとすると製品のコストア
ップを招き、また、製品の品質および歩留まりが安定し
ないなどの不具合があった。
においては、高輝度化を図ろうとすると製品のコストア
ップを招き、また、製品の品質および歩留まりが安定し
ないなどの不具合があった。
【００２３】そこで、この発明は、製品のコストアップ
なしに高輝度化を実現でき、歩留まりの向上および品質
の安定化を図ることが可能な光半導体装置およびその製
造方法を提供することを目的としている。
なしに高輝度化を実現でき、歩留まりの向上および品質
の安定化を図ることが可能な光半導体装置およびその製
造方法を提供することを目的としている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の光半導体装置にあっては、光半導体素
子を基板に実装し、前記光半導体素子上に突出型のドー
ム状レンズを有してなる構成とされている。
めに、この発明の光半導体装置にあっては、光半導体素
子を基板に実装し、前記光半導体素子上に突出型のドー
ム状レンズを有してなる構成とされている。
【００２５】また、この発明の光半導体装置の製造方法
にあっては、光半導体素子が実装された絶縁基板の主面
に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を注入し
て硬化させることにより、前記光半導体素子上に突出型
のドーム状レンズを形成するようになっている。
にあっては、光半導体素子が実装された絶縁基板の主面
に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を注入し
て硬化させることにより、前記光半導体素子上に突出型
のドーム状レンズを形成するようになっている。
【００２６】また、この発明の光半導体装置の製造方法
にあっては、複数の光半導体素子がそれぞれ実装された
各絶縁基板の上面に封止型を密着させ、その封止型内に
液状樹脂を連続的に注入して硬化させることにより、前
記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズ
を一括して形成するようになっている。
にあっては、複数の光半導体素子がそれぞれ実装された
各絶縁基板の上面に封止型を密着させ、その封止型内に
液状樹脂を連続的に注入して硬化させることにより、前
記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズ
を一括して形成するようになっている。
【００２７】さらに、この発明の光半導体装置の製造方
法にあっては、各絶縁基板上にそれぞれ光半導体素子を
実装する工程と、前記各絶縁基板の上面に、ドーム形状
部がそれぞれ形成されてなる封止型を密着させる工程
と、前記封止型の各ドーム形状部内に液状樹脂を連続し
て注入する工程と、前記液状樹脂を硬化させて、前記各
光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズを形
成する工程と、前記封止型を取り外した後、前記各絶縁
基板を光半導体素子ごとに分離する工程とからなってい
る。
法にあっては、各絶縁基板上にそれぞれ光半導体素子を
実装する工程と、前記各絶縁基板の上面に、ドーム形状
部がそれぞれ形成されてなる封止型を密着させる工程
と、前記封止型の各ドーム形状部内に液状樹脂を連続し
て注入する工程と、前記液状樹脂を硬化させて、前記各
光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズを形
成する工程と、前記封止型を取り外した後、前記各絶縁
基板を光半導体素子ごとに分離する工程とからなってい
る。
【００２８】この発明の光半導体装置およびその製造方
法によれば、液状樹脂の採用により、樹脂の注入の方法
や条件を容易に最適化できるようになるため、レンズ部
分での気泡の発生を大幅に低減することが可能となる。
これにより、スルーゲート構造のトランスファモールド
によって径の大きなレンズを短時間に形成することが可
能となるなど、高輝度化を安価に達成できるようになる
ものである。
法によれば、液状樹脂の採用により、樹脂の注入の方法
や条件を容易に最適化できるようになるため、レンズ部
分での気泡の発生を大幅に低減することが可能となる。
これにより、スルーゲート構造のトランスファモールド
によって径の大きなレンズを短時間に形成することが可
能となるなど、高輝度化を安価に達成できるようになる
ものである。
【００２９】また、液状樹脂の採用は、樹脂注入時の圧
力や注入速度などによらず、金線が変形するのを抑える
ことが可能となるため、高輝度化に加えて、製品の品質
および歩留まりの低下を改善できるようになるものであ
る。
力や注入速度などによらず、金線が変形するのを抑える
ことが可能となるため、高輝度化に加えて、製品の品質
および歩留まりの低下を改善できるようになるものであ
る。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置（突出型レンズタイプ）の概略構成を示
すものである。
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置（突出型レンズタイプ）の概略構成を示
すものである。
【００３１】この突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置は、たとえば、ＢＴ（Bismaleimide and
Triazine ）レジンからなるプリント基板（絶縁基板）
１１の表面のマウント部に、銀ペースト１２を介して、
発光素子（光半導体素子）１３が固着されている。
型光半導体装置は、たとえば、ＢＴ（Bismaleimide and
Triazine ）レジンからなるプリント基板（絶縁基板）
１１の表面のマウント部に、銀ペースト１２を介して、
発光素子（光半導体素子）１３が固着されている。
【００３２】プリント基板１１には、配線１４と外部リ
ード部（外部導出端子）１５とが設けられている。この
外部リード部１５はメッキなどにより形成され、その一
端は上記プリント基板１１の表面の一部（他の断面）に
おいて、上記配線１４と接続されている。外部リード部
１５の他端は、上記プリント基板１１の側面を介して、
プリント基板１１の裏面の端部に引き出されている。
ード部（外部導出端子）１５とが設けられている。この
外部リード部１５はメッキなどにより形成され、その一
端は上記プリント基板１１の表面の一部（他の断面）に
おいて、上記配線１４と接続されている。外部リード部
１５の他端は、上記プリント基板１１の側面を介して、
プリント基板１１の裏面の端部に引き出されている。
【００３３】そして、上記発光素子１３と上記配線１４
とが、金線１６により電気的に結線されている。また、
この金線１６を含んで、上記プリント基板１１上の上記
発光素子１３の周囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いて
なる、ドーム状レンズ部（突出型レンズ）１７ａおよび
フランジ１７ｂによって封止されてなる構成とされてい
る。
とが、金線１６により電気的に結線されている。また、
この金線１６を含んで、上記プリント基板１１上の上記
発光素子１３の周囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いて
なる、ドーム状レンズ部（突出型レンズ）１７ａおよび
フランジ１７ｂによって封止されてなる構成とされてい
る。
【００３４】上記ドーム状レンズ部１７ａとしては、少
なくとも０．５ｍｍ以上の高さを有して形成するのが望
ましい。さて、このような構成の、突出型のドーム状レ
ンズ付き表面実装型光半導体装置を、たとえば、上記プ
リント基板１１の厚さを０．５ｍｍ、上記発光素子１３
のサイズを０．３ｍｍ角、上記フランジ１７ｂの厚さを
０．５ｍｍとし、その上に、上記ドーム状レンズ部１７
ａを１．５２ｍｍの高さ（Ｒ＝１．０ｍｍ）で形成し
た。
なくとも０．５ｍｍ以上の高さを有して形成するのが望
ましい。さて、このような構成の、突出型のドーム状レ
ンズ付き表面実装型光半導体装置を、たとえば、上記プ
リント基板１１の厚さを０．５ｍｍ、上記発光素子１３
のサイズを０．３ｍｍ角、上記フランジ１７ｂの厚さを
０．５ｍｍとし、その上に、上記ドーム状レンズ部１７
ａを１．５２ｍｍの高さ（Ｒ＝１．０ｍｍ）で形成し
た。
【００３５】その結果、発光素子の光出力を同一とした
場合において、上記ドーム状レンズ部１７ａのレンズ効
果により、従来のフラットタイプ構造の表面実装型光半
導体装置に比して約５倍の高輝度化が、また、従来のイ
ンナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置に比して約
２．５倍の高輝度化が、それぞれ達成できた。
場合において、上記ドーム状レンズ部１７ａのレンズ効
果により、従来のフラットタイプ構造の表面実装型光半
導体装置に比して約５倍の高輝度化が、また、従来のイ
ンナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置に比して約
２．５倍の高輝度化が、それぞれ達成できた。
【００３６】次に、図２を参照して、上記した構成の、
突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の
製造方法について説明する。なお、突出型のドーム状レ
ンズ付き表面実装型光半導体装置の製造に際しては、従
来のインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の場
合と同様に、たとえば、複数の開口２１ａが並列して設
けられて、その開口２１ａの相互間に、それぞれ複数個
分のプリント基板１１が列状に形成されてなる絶縁板体
２１が用いられる。
突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の
製造方法について説明する。なお、突出型のドーム状レ
ンズ付き表面実装型光半導体装置の製造に際しては、従
来のインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の場
合と同様に、たとえば、複数の開口２１ａが並列して設
けられて、その開口２１ａの相互間に、それぞれ複数個
分のプリント基板１１が列状に形成されてなる絶縁板体
２１が用いられる。
【００３７】また、その絶縁板体２１の各列のプリント
基板１１のそれぞれには、上記配線１４および上記外部
リード部１５があらかじめ形成されているものとする。
まず、従来（たとえば、インナーレンズ付きの表面実装
型光半導体装置の場合）と同一仕様の絶縁板体２１の、
各列のプリント基板１１上に、それぞれ銀ペースト１２
を介して、発光素子１３を個々に固着する。
基板１１のそれぞれには、上記配線１４および上記外部
リード部１５があらかじめ形成されているものとする。
まず、従来（たとえば、インナーレンズ付きの表面実装
型光半導体装置の場合）と同一仕様の絶縁板体２１の、
各列のプリント基板１１上に、それぞれ銀ペースト１２
を介して、発光素子１３を個々に固着する。
【００３８】そして、各プリント基板１１上において、
発光素子１３と配線１４との間を金線１６によりそれぞ
れボンディングする。この後、絶縁板体２１の主面（素
子実装面側）に、その素子実装面を下側にして、加圧に
より封止型３１を密着させる。
発光素子１３と配線１４との間を金線１６によりそれぞ
れボンディングする。この後、絶縁板体２１の主面（素
子実装面側）に、その素子実装面を下側にして、加圧に
より封止型３１を密着させる。
【００３９】封止型３１は、各発光素子１３に対応し
て、上記ドーム状レンズ部１７ａおよび上記フランジ１
７ｂの形成に必要な形状（キャビティ）を有してなる構
成とされている。
て、上記ドーム状レンズ部１７ａおよび上記フランジ１
７ｂの形成に必要な形状（キャビティ）を有してなる構
成とされている。
【００４０】また、封止型３１は、たとえば、金属また
は非晶質ポリオレフィンなどの樹脂によって形成され、
各列ごとに、プリント基板１１のそれぞれに連続して液
状エポキシ樹脂１７を供給することが可能な形状となっ
ている（スルーゲート構造のトランスファモールド）。
は非晶質ポリオレフィンなどの樹脂によって形成され、
各列ごとに、プリント基板１１のそれぞれに連続して液
状エポキシ樹脂１７を供給することが可能な形状となっ
ている（スルーゲート構造のトランスファモールド）。
【００４１】さらに、封止型３１は、液状エポキシ樹脂
１７の注入時に、樹脂１７の逆流を防止するためのブッ
シュ３２を備えて構成されている。さて、絶縁板体２１
の主面に、ブッシュ３２の組み込まれた封止型３１が密
着されると、続いて、絶縁板体２１の他主面に、プリン
ト基板１１などの厚さのばらつきによる樹脂漏れを防止
するためのシリコーンラバー３３を装着する。
１７の注入時に、樹脂１７の逆流を防止するためのブッ
シュ３２を備えて構成されている。さて、絶縁板体２１
の主面に、ブッシュ３２の組み込まれた封止型３１が密
着されると、続いて、絶縁板体２１の他主面に、プリン
ト基板１１などの厚さのばらつきによる樹脂漏れを防止
するためのシリコーンラバー３３を装着する。
【００４２】さらに、そのシリコーンラバー３３を介し
て、絶縁板体２１を型締治具４１，４２により挾み込
み、７×１０6 Ｐａ程度の圧力で型締めする。この状態
において、たとえば、５０〜６０℃に加熱され、１００
〜２００Ｐａ・ｓ程度の粘度を有する液状エポキシ樹脂
１７を、ディスペンサー５１を用いて上記封止型３１内
に注入する。
て、絶縁板体２１を型締治具４１，４２により挾み込
み、７×１０6 Ｐａ程度の圧力で型締めする。この状態
において、たとえば、５０〜６０℃に加熱され、１００
〜２００Ｐａ・ｓ程度の粘度を有する液状エポキシ樹脂
１７を、ディスペンサー５１を用いて上記封止型３１内
に注入する。
【００４３】このとき、液状エポキシ樹脂１７は、各列
ごとにプリント基板１１のそれぞれに連続して供給さ
れ、その途中においてほとんど粘度が変わることなく、
封止型３１のそれぞれのレンズ部分へ充分に供給され
る。
ごとにプリント基板１１のそれぞれに連続して供給さ
れ、その途中においてほとんど粘度が変わることなく、
封止型３１のそれぞれのレンズ部分へ充分に供給され
る。
【００４４】樹脂注入後、１２０℃程度の温度で、２時
間ほど加熱して、上記液状エポキシ樹脂１７を硬化させ
る。そして、型締めをといて封止型３１などを取り外し
た後、液状エポキシ樹脂１７によってそれぞれ一括して
封止されて、各発光素子１３上にドーム状レンズ部１７
ａが形成された各列のプリント基板１１をダイシングに
よって個々に切り離すことで、図１に示した、突出型の
ドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置が製造され
る。
間ほど加熱して、上記液状エポキシ樹脂１７を硬化させ
る。そして、型締めをといて封止型３１などを取り外し
た後、液状エポキシ樹脂１７によってそれぞれ一括して
封止されて、各発光素子１３上にドーム状レンズ部１７
ａが形成された各列のプリント基板１１をダイシングに
よって個々に切り離すことで、図１に示した、突出型の
ドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置が製造され
る。
【００４５】このようにして製造される、突出型のドー
ム状レンズ付き表面実装型光半導体装置によれば、その
レンズ効果により、さほどのコストアップを招くことな
しに、格段の高輝度化を達成できる。
ム状レンズ付き表面実装型光半導体装置によれば、その
レンズ効果により、さほどのコストアップを招くことな
しに、格段の高輝度化を達成できる。
【００４６】すなわち、液状エポキシ樹脂１７は従来の
エポキシ系の樹脂（タブレット状）に比べて硬化の速度
が遅い。したがって、スルーゲート構造でも、樹脂１７
が硬化し始める前に、樹脂１７をレンズ部分へ充分に流
し込むことが可能となるため、レンズ部分での気泡の発
生を大幅に低減することが可能となる。
エポキシ系の樹脂（タブレット状）に比べて硬化の速度
が遅い。したがって、スルーゲート構造でも、樹脂１７
が硬化し始める前に、樹脂１７をレンズ部分へ充分に流
し込むことが可能となるため、レンズ部分での気泡の発
生を大幅に低減することが可能となる。
【００４７】しかも、本例の場合、封止型３１のレンズ
部分を下側に向けることによって、樹脂注入時のレンズ
部分への樹脂１７の流れ込みがさらに良くなるようにし
ている。
部分を下側に向けることによって、樹脂注入時のレンズ
部分への樹脂１７の流れ込みがさらに良くなるようにし
ている。
【００４８】図３は、かかる突出型のドーム状レンズ付
き表面実装型光半導体装置の製造方法の要部を断面にし
て示すものである。すなわち、突出型のドーム状レンズ
付き表面実装型光半導体装置を製造する場合、液状エポ
キシ樹脂１７が、封止型３１のレンズ部分を下側に向け
た状態で、該封止型３１のキャビティ３１ａ内に注入さ
れるようにしている。
き表面実装型光半導体装置の製造方法の要部を断面にし
て示すものである。すなわち、突出型のドーム状レンズ
付き表面実装型光半導体装置を製造する場合、液状エポ
キシ樹脂１７が、封止型３１のレンズ部分を下側に向け
た状態で、該封止型３１のキャビティ３１ａ内に注入さ
れるようにしている。
【００４９】これにより、レンズ部分への樹脂１７の効
果的な供給が可能となって、気泡の発生率を大幅に減少
できるとともに、短時間での樹脂１７の注入が可能とな
る。また、注入の途中で樹脂１７が硬化するのを遅らせ
ることが可能となるため、樹脂注入時の圧力や注入速度
の制御が容易となり、金線１６が樹脂１７によって変形
されるといった問題も解消される。
果的な供給が可能となって、気泡の発生率を大幅に減少
できるとともに、短時間での樹脂１７の注入が可能とな
る。また、注入の途中で樹脂１７が硬化するのを遅らせ
ることが可能となるため、樹脂注入時の圧力や注入速度
の制御が容易となり、金線１６が樹脂１７によって変形
されるといった問題も解消される。
【００５０】したがって、金線１６の細線化とともに、
樹脂１７の注入にともなう金線１６の変形による製品の
品質や歩留まりの低下を改善できる。上記したように、
液状エポキシ樹脂の採用により、樹脂の注入の方法や条
件を最適化できるようにしている。
樹脂１７の注入にともなう金線１６の変形による製品の
品質や歩留まりの低下を改善できる。上記したように、
液状エポキシ樹脂の採用により、樹脂の注入の方法や条
件を最適化できるようにしている。
【００５１】すなわち、従来のタブレット状のエポキシ
系の樹脂よりも硬化の速度が遅い、液状エポキシ樹脂を
用いて発光素子上に突出型レンズを形成するようにして
いる。これにより、スルーゲート構造のトランスファモ
ールドでの、レンズ部分での気泡の発生を低減すること
が可能となり、径の大きなレンズを短時間で形成できる
ようになる。したがって、製品のコストアップを招くこ
となしに、安価に高輝度化を実現することが可能となる
ものである。
系の樹脂よりも硬化の速度が遅い、液状エポキシ樹脂を
用いて発光素子上に突出型レンズを形成するようにして
いる。これにより、スルーゲート構造のトランスファモ
ールドでの、レンズ部分での気泡の発生を低減すること
が可能となり、径の大きなレンズを短時間で形成できる
ようになる。したがって、製品のコストアップを招くこ
となしに、安価に高輝度化を実現することが可能となる
ものである。
【００５２】また、液状エポキシ樹脂の注入によって金
線が変形などされるのを抑制できるため、製造の歩留ま
りの向上および製品の品質の安定化を図ることが可能と
なるものである。
線が変形などされるのを抑制できるため、製造の歩留ま
りの向上および製品の品質の安定化を図ることが可能と
なるものである。
【００５３】なお、上記した本発明の実施の一形態（本
例）においては、光半導体素子として発光素子を用いた
場合を例に説明したが、これに限らず、たとえば受光素
子を実装してなる光半導体装置や発光素子と受光素子の
両方を実装してなる反射型センサなどの光半導体装置に
も適用可能である。
例）においては、光半導体素子として発光素子を用いた
場合を例に説明したが、これに限らず、たとえば受光素
子を実装してなる光半導体装置や発光素子と受光素子の
両方を実装してなる反射型センサなどの光半導体装置に
も適用可能である。
【００５４】特に、反射型センサの場合、発光素子上お
よび受光素子上にそれぞれドーム状レンズを別個に形成
するようにすることで、誤動作を軽減でき、高信頼性を
達成できる。
よび受光素子上にそれぞれドーム状レンズを別個に形成
するようにすることで、誤動作を軽減でき、高信頼性を
達成できる。
【００５５】また、二種類以上の電極が同一面方向に形
成されてなる光半導体素子を実装してなる光半導体装置
にも同様に適用できる。図４〜図７は、いずれも本発明
の実施の他の形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付
き表面実装型光半導体装置を、たとえば、Ｉｎ（ｘ）Ａ
ｌ（ｙ）Ｇａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋
ｙ≦１）からなる窒化ガリウム系化合物半導体を有し、
素子の同一面方向にｐ型とｎ型の両電極が形成されてな
る発光素子１３ａを実装してなる場合を例に示すもので
ある。
成されてなる光半導体素子を実装してなる光半導体装置
にも同様に適用できる。図４〜図７は、いずれも本発明
の実施の他の形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付
き表面実装型光半導体装置を、たとえば、Ｉｎ（ｘ）Ａ
ｌ（ｙ）Ｇａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋
ｙ≦１）からなる窒化ガリウム系化合物半導体を有し、
素子の同一面方向にｐ型とｎ型の両電極が形成されてな
る発光素子１３ａを実装してなる場合を例に示すもので
ある。
【００５６】図４に示す突出型のドーム状レンズ付き表
面実装型光半導体装置は、たとえば、プリント基板１１
の表面のマウント部に、ペースト１２ａを介して、上記
発光素子１３ａが固着され、該発光素子１３ａの各電極
と配線１４ａ，１４ｂとが、それぞれ金線１６ａ，１６
ｂにより電気的に結線されている。
面実装型光半導体装置は、たとえば、プリント基板１１
の表面のマウント部に、ペースト１２ａを介して、上記
発光素子１３ａが固着され、該発光素子１３ａの各電極
と配線１４ａ，１４ｂとが、それぞれ金線１６ａ，１６
ｂにより電気的に結線されている。
【００５７】そして、この金線１６ａ，１６ｂを含ん
で、上記プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周
囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レ
ンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されて
なる構成とされている。
で、上記プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周
囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レ
ンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されて
なる構成とされている。
【００５８】この場合、上記発光素子１３ａには、通
常、絶縁性基板が用いられる。このため、上記ペースト
１２ａとしては、導電性のものまたは絶縁性のもののど
ちらを用いてもよい。
常、絶縁性基板が用いられる。このため、上記ペースト
１２ａとしては、導電性のものまたは絶縁性のもののど
ちらを用いてもよい。
【００５９】図５に示す突出型のドーム状レンズ付き表
面実装型光半導体装置は、たとえば、反射板１１ａが設
けられたプリント基板１１の表面のマウント部に、ペー
スト１２ａを介して、上記発光素子１３ａが固着され、
該発光素子１３ａの各電極と配線１４ａ，１４ｂとが、
それぞれ金線１６ａ，１６ｂにより電気的に結線されて
いる。
面実装型光半導体装置は、たとえば、反射板１１ａが設
けられたプリント基板１１の表面のマウント部に、ペー
スト１２ａを介して、上記発光素子１３ａが固着され、
該発光素子１３ａの各電極と配線１４ａ，１４ｂとが、
それぞれ金線１６ａ，１６ｂにより電気的に結線されて
いる。
【００６０】そして、この金線１６ａ，１６ｂを含ん
で、上記プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周
囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レ
ンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されて
なる構成とされている。
で、上記プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周
囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レ
ンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されて
なる構成とされている。
【００６１】この場合、反射板１１ａによって発光素子
１３ａの発光をより有効にドーム状レンズ部１７ａに結
合させることが可能となる。このため、発光素子１３ａ
を３０〜１００μｍ厚程度に薄型化することで、結合効
率のさらなる向上が図れる。
１３ａの発光をより有効にドーム状レンズ部１７ａに結
合させることが可能となる。このため、発光素子１３ａ
を３０〜１００μｍ厚程度に薄型化することで、結合効
率のさらなる向上が図れる。
【００６２】図６に示す突出型のドーム状レンズ付き表
面実装型光半導体装置は、たとえば、プリント基板１１
の凹部１１ｂ内に、ペースト１２ａを介して、上記発光
素子１３ａが固着され、該発光素子１３ａの各電極と配
線１４ａ，１４ｂとが、それぞれ金線１６ａ，１６ｂに
より電気的に結線されている。
面実装型光半導体装置は、たとえば、プリント基板１１
の凹部１１ｂ内に、ペースト１２ａを介して、上記発光
素子１３ａが固着され、該発光素子１３ａの各電極と配
線１４ａ，１４ｂとが、それぞれ金線１６ａ，１６ｂに
より電気的に結線されている。
【００６３】そして、この金線１６ａ，１６ｂを含ん
で、上記プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周
囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レ
ンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されて
なる構成とされている。
で、上記プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周
囲が、液状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レ
ンズ部１７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されて
なる構成とされている。
【００６４】この場合、たとえば、プリント基板１１に
凹部１１ｂを形成し、その凹部１１ｂの傾斜壁面に反射
膜を蒸着したり、反射材を埋め込むことで、発光素子１
３ａを薄型化せずに、上記の図５に示した突出型のドー
ム状レンズ付き表面実装型光半導体装置と同様の効果が
期待できる。
凹部１１ｂを形成し、その凹部１１ｂの傾斜壁面に反射
膜を蒸着したり、反射材を埋め込むことで、発光素子１
３ａを薄型化せずに、上記の図５に示した突出型のドー
ム状レンズ付き表面実装型光半導体装置と同様の効果が
期待できる。
【００６５】図７に示す突出型のドーム状レンズ付き表
面実装型光半導体装置は、たとえば、上記発光素子１３
ａの各電極とプリント基板１１上の各配線１４ａ，１４
ｂとが直に接続され、かつ、その接続部を含んで、上記
プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周囲が、液
状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レンズ部１
７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されてなる構成
とされている。
面実装型光半導体装置は、たとえば、上記発光素子１３
ａの各電極とプリント基板１１上の各配線１４ａ，１４
ｂとが直に接続され、かつ、その接続部を含んで、上記
プリント基板１１上の上記発光素子１３ａの周囲が、液
状エポキシ樹脂１７を用いてなる、ドーム状レンズ部１
７ａおよびフランジ１７ｂによって封止されてなる構成
とされている。
【００６６】この場合、ペーストや金線が不要となる
分、低廉化が図れるとともに、フェイスダウンによるワ
イヤレスボンディングにより品質の向上が可能となる。
さらには、上記したいずれの形態においても、プリント
基板１１とドーム状レンズ部１７ａとの密着性を高める
とともに、表面実装時のピックアップ性の向上を図るな
どの目的で、ドーム状レンズ部１７ａの下方にフランジ
１７ｂを設けるようにしたが、フランジ１７ｂの形成は
必ずしも必要としない。その他、この発明の要旨を変え
ない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
分、低廉化が図れるとともに、フェイスダウンによるワ
イヤレスボンディングにより品質の向上が可能となる。
さらには、上記したいずれの形態においても、プリント
基板１１とドーム状レンズ部１７ａとの密着性を高める
とともに、表面実装時のピックアップ性の向上を図るな
どの目的で、ドーム状レンズ部１７ａの下方にフランジ
１７ｂを設けるようにしたが、フランジ１７ｂの形成は
必ずしも必要としない。その他、この発明の要旨を変え
ない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
【００６７】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、コストアップなしに高輝度化を実現でき、歩留まり
の向上および品質の安定化を図ることが可能な光半導体
装置およびその製造方法を提供できる。
ば、コストアップなしに高輝度化を実現でき、歩留まり
の向上および品質の安定化を図ることが可能な光半導体
装置およびその製造方法を提供できる。
【図１】この発明の実施の一形態にかかる、突出型のド
ーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成を
示す断面図。
ーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成を
示す断面図。
【図２】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置の製造プロセスを説明するために示す概
略斜視図。
型光半導体装置の製造プロセスを説明するために示す概
略斜視図。
【図３】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置の製造プロセスを説明するために示す概
略断面図。
型光半導体装置の製造プロセスを説明するために示す概
略断面図。
【図４】この発明の実施の他の形態にかかる、突出型の
ドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成
を示す断面図。
ドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成
を示す断面図。
【図５】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。
型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。
【図６】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。
型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。
【図７】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装
型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。
型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。
【図８】従来技術とその問題点を説明するために示す、
フラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の概略断
面図。
フラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の概略断
面図。
【図９】同じく、従来のインナーレンズ付き表面実装型
光半導体装置の概略構成を示す断面図。
光半導体装置の概略構成を示す断面図。
【図１０】同じく、従来のインナーレンズ付き表面実装
型光半導体装置の製造方法を説明するために示す概略斜
視図。
型光半導体装置の製造方法を説明するために示す概略斜
視図。
１１…プリント基板 １１ａ…反射板 １１ｂ…凹部 １２…銀ペースト １２ａ…ペースト １３，１３ａ…発光素子 １４，１４ａ，１４ｂ…配線 １５…外部リード部 １６，１６ａ，１６ｂ…金線 １７…液状エポキシ樹脂 １７ａ…ドーム状レンズ部 １７ｂ…フランジ ２１…絶縁板体 ３１…封止型 ３１ａ…キャビティ ３２…ブッシュ ３３…シリコーンラバー ４１，４２…型締治具 ５１…ディスペンサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 岩夫 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 永澤 裕 福岡県北九州市小倉北区下到津１丁目10番 １号 株式会社東芝北九州工場内
Claims (21)
- 【請求項１】 光半導体素子を基板に実装し、前記光半
導体素子上に突出型のドーム状レンズを有してなること
を特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 少なくとも１個以上の光半導体素子が実
装されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導
体装置。 - 【請求項３】 前記光半導体素子は、発光素子、受光素
子、または、その両者のいずれかであることを特徴とす
る請求項１または２のいずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 光半導体素子が実装された絶縁基板の主
面に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を注入
して硬化させることにより、前記光半導体素子上に突出
型のドーム状レンズを形成するようにしたことを特徴と
する光半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁基板は、その主面に、前記光半
導体素子が電気的に接続される配線が、また、その裏面
に、前記配線につながる外部導出端子が、それぞれ配設
されてなることを特徴とする請求項４に記載の光半導体
装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記光半導体素子は、発光素子、受光素
子、または、その両者のいずれかであることを特徴とす
る請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記封止型は、前記絶縁基板上の光半導
体素子に対応して、ドーム形状部が形成されてなること
を特徴とする請求項４に記載の光半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 前記液状樹脂の注入は、前記封止型のド
ーム形状部を下方に向けた状態で行われることを特徴と
する請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記液状樹脂は、０．１〜１０００Ｐａ
・ｓ程度の溶融粘度を有することを特徴とする請求項４
に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 複数の光半導体素子がそれぞれ実装さ
れた各絶縁基板の上面に封止型を密着させ、その封止型
内に液状樹脂を連続的に注入して硬化させることによ
り、前記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状
レンズを一括して形成するようにしたことを特徴とする
光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記絶縁基板は、絶縁板体に形成され
た複数の開口の相互に列状に設けられ、各基板の表面に
は、前記光半導体素子が電気的に接続される配線が、ま
た、各基板の裏面には、前記開口の側面を介して前記配
線につながる外部導出端子が、それぞれ配設されてなる
ことを特徴とする請求項１０に記載の光半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１２】 前記光半導体素子は、発光素子、受光
素子、または、その両者のいずれかであることを特徴と
する請求項１０に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記封止型は、前記各絶縁基板上の各
光半導体素子に対応して、ドーム形状部がそれぞれ形成
されてなることを特徴とする請求項１０に記載の光半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記液状樹脂の注入は、前記封止型の
各ドーム形状部を下方に向けた状態で行われることを特
徴とする請求項１０に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記液状樹脂は、０．１〜１０００Ｐ
ａ・ｓ程度の溶融粘度を有することを特徴とする請求項
１０に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 各絶縁基板上にそれぞれ光半導体素子
を実装する工程と、 前記各絶縁基板の上面に、ドーム形状部がそれぞれ形成
されてなる封止型を密着させる工程と、 前記封止型の各ドーム形状部内に液状樹脂を連続して注
入する工程と、 前記液状樹脂を硬化させて、前記各光半導体素子上にそ
れぞれ突出型のドーム状レンズを形成する工程と、 前記封止型を取り外した後、前記各絶縁基板を光半導体
素子ごとに分離する工程とからなることを特徴とする光
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記絶縁基板は、絶縁板体に形成され
た複数の開口の相互に列状に設けられ、各基板の表面に
は、前記光半導体素子が電気的に接続される配線が、ま
た、各基板の裏面には、前記開口の側面を介して前記配
線につながる外部導出端子が、それぞれ配設されてなる
ことを特徴とする請求項１６に記載の光半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１８】 前記光半導体素子は、発光素子、受光
素子、または、その両者のいずれかであることを特徴と
する請求項１６に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記封止型は、金属または樹脂によっ
て形成されてなることを特徴とする請求項１６に記載の
光半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記液状樹脂を注入する工程は、前記
封止型の各ドーム形状部を下方に向けた状態で行われる
ことを特徴とする請求項１６に記載の光半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２１】 前記液状樹脂は、０．１〜１０００Ｐ
ａ・ｓ程度の溶融粘度を有することを特徴とする請求項
１６に記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256251A JPH09153646A (ja) | 1995-09-27 | 1996-09-27 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-249532 | 1995-09-27 | ||
| JP24953295 | 1995-09-27 | ||
| JP8256251A JPH09153646A (ja) | 1995-09-27 | 1996-09-27 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153646A true JPH09153646A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=26539345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256251A Pending JPH09153646A (ja) | 1995-09-27 | 1996-09-27 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153646A (ja) |
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