JPH09152055A - 電磁比例制御弁の制御方法及び電磁比例制御弁 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 弁体の変位位置に拘らず一定振幅のディザー
を弁体に与える。 【解決手段】 駆動部１１の励磁コイル部３０は、磁性
材からなる外筒部３１の内周側に第１の励磁コイル３２
と第２の励磁コイル３３を備えている。第１の励磁コイ
ル３２には一定周波数及び一定振幅のパルス電流からな
るバイアス励磁電流が供給され、このバイアス励磁電流
によりスプール１８が閉止位置に配置される。第２の励
磁コイル３３にはスプール駆動電流が供給され、このス
プール駆動電流によりスプール１８が閉止位置から目標
変位位置に駆動される。又、スプール１８には、バイア
ス励磁電流によりディザーが与えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ソレノイドを使用
して流量、又は、圧力の制御を行う電磁比例制御弁の制
御方法及び電磁比例制御弁に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２に示すような電磁比例制御弁１５
０では、比例ソレノイド１５１が励磁電流に比例して発
生する駆動力と圧縮コイルばね１５２の付勢力との対向
により、スプール１５３が励磁電流に対応する変位位置
に配置される。即ち、比例ソレノイド１５１に励磁電流
が供給されないときには、スプール１５３は圧縮コイル
ばね１５２の付勢力によりスプール室１５４の右端に配
置される。比例ソレノイド１５１に励磁電流が供給され
ると、スプール１５３は比例ソレノイド１５１の駆動力
により圧縮コイルばね１５２の付勢力に抗してスプール
室１５４の右端から左端側に駆動される。

【０００３】一方、電磁比例制御弁１５０では、スプー
ル１５３がスプール室１５４の中央にある閉止位置に配
置されたときに、出力ポート１５５に入力ポート１５６
及び排気ポート１５７が連通されないようになってい
る。即ち、スプール１５３は、閉止位置をゼロ点（即
ち、基準位置）として、出力ポート１５５に入力ポート
１５６を連通する方向（即ち、左方向）と、出力ポート
１５５に排気ポート１５７を連通する方向（即ち、右方
向）との双方向に駆動される。従って、比例ソレノイド
１５１に供給される励磁電流は、スプール１５３をスプ
ール室１５４の右端から閉止位置までバイアスさせる電
流分と、スプール１５３を閉止位置から目標弁開度に対
応する変位位置に変位させる電流分とが加算された電流
になっている。

【０００４】ところで、電磁比例制御弁１５０では、比
例ソレノイド１５１の磁気回路の磁気ヒステリシス、ス
プール１５３の摺動抵抗の摩擦ヒステリシス等の要因に
より、励磁電流と変位位置との間にヒステリシスが生じ
る。即ち、同一の励磁電流に対する変位位置がスプール
１５３が変位位置に駆動された方向により異なる現象が
発生する。又、各部間の摩擦、あるいは、長時間放置後
において各部同士が容易に離れなくなることにより、ス
プール１５３の変位量が小さいときの感度が悪くなる。

【０００５】そこで、ヒステリシスを防止し、感度を改
善するために、スプール１５３にディザーを発生させた
状態で駆動する方法が一般的に行われている。ディザー
は、各変位位置においてスプール１５３を、変位位置に
影響を与えない範囲の小さい振幅で振動させることによ
り、ヒステリシスをキャンセルし、あるいは、感度を向
上させる方法である。ディザーの振幅は、その大きさが
小さ過ぎるとディザー効果が低くなり、反対に大き過ぎ
ると振動及び騒音の発生源になるため、適正な範囲に設
定されている。

【０００６】スプール１５３にディザーを与える方法と
しては、目標弁開度に対応した励磁電流に三角波等のデ
ィザー信号を加算した電流を励磁電流として比例ソレノ
イド１５１に供給する方法がある。しかし、電磁比例制
御弁１５０に使用される比例ソレノイド１５１は、コイ
ル捲数が大きくインピーダンスが高いため、上記のよう
な範囲のディザー振幅は比較的低い周波数でしか得るこ
とができない。その結果、ディザー周波数が低くなるた
め、振動及び騒音が顕著になる問題がある。

【０００７】このような問題を解消するため、実開昭５
７−１８６７６８号公報の電磁比例制御弁の駆動装置で
は、目標弁開度に基づいてパルス幅変調されたパルス励
磁電流にて比例ソレノイド１５１を駆動する。このパル
ス励磁電流の周波数をディザーに好適な周波数に設定
し、平均電流にてスプール１５３を目標変位位置に駆動
するようにしている。その結果、インピーダンスが高い
比例ソレノイド１５１においても、高いディザー効果を
得ることができる振幅のディザーをスプール１５３に与
えることができるようになっている。

【０００８】尚、ディザーは、スプール弁方式の電磁比
例制御御弁のみならず、ポペット弁方式の電磁比例制御
弁においても行われている。ポペット弁方式の電磁比例
制御弁は一対のポペットを備え、その一方のポペットは
出力ポートと入力ポートとの間の弁座を開閉し、他方の
ポペットは出力ポートと排気ポートとの間の弁座を開閉
する。比例ソレノイドにて駆動されるプッシュロッドに
より、いずれか一方のポペットが弁座に当接する閉止位
置から変位され、もう一方のポペットが変位位置に止ま
るようになっている。従って、ポペット弁では、各ポペ
ット、プッシュロッド等の摩擦、固着により、ヒステリ
シスが発生し、又、感度が低下する。そこで、ポペット
弁においても、プッシュロッドを介して各ポペットにデ
ィザーを与えるようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、パルス励磁
電流にてスプール１５３を駆動する方式では、スプール
１５３の変位位置に応じたパルス励磁電流を発生させる
ために、比例ソレノイド１５１に印加されるパルス電圧
のパルス幅が変化する。比例ソレノイド１５１は誘導性
負荷であるため、パルス電圧のパルス幅が変化すると、
励磁ソレノイド１５１を流れるパルス励磁電流の振幅及
び波形が変化する。この結果、このパルス励磁電流にて
生成されるディザーの振幅が変動する。この変動幅が大
きくなると、ディザー振幅が適正な範囲よりも大きくな
り過ぎて振動及び騒音が発生したり、反対に小さくなり
過ぎて高いディザー効果を得ることができなくなる。

【００１０】又、パルス励磁電流によりディザーを得る
方式では、比例ソレノイド１５１が駆動される間は常時
ディザーが発生する。このような方式でポペット弁方式
の電磁比例制御弁でディザーを発生させると、両ポペッ
トが閉止位置に配置された状態では、プッシュロッドか
ら与えられるディザーにより各ポペットが各弁座に繰り
返し衝突することになる。その結果、ポペット及び弁座
が早期に損傷し、弁機能が早期に損なわれることにな
る。

【００１１】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その第１の目的は、ディザーを弁
体の変位位置に応じて好適に制御することができる電磁
比例制御弁の駆動方法及び電磁比例制御弁を提供するこ
とにある。

【００１２】第２の目的は、弁体の変位位置に拘らず一
定のディザー振幅を弁体に与えることができる電磁比例
制御弁の制御方法及び電磁比例制御弁を提供することに
ある。

【００１３】第３の目的は、弁体が閉止位置にあるとき
には弁体にディザーを与えないようにすることができる
電磁比例制御弁の制御方法及び電磁比例制御弁を提供す
ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、弁体を変位させる可動鉄
心を駆動する励磁コイルに目標変位位置に対応する励磁
電流を供給して、弁体を目標変位位置に変位させるよう
にした電磁比例制御弁の制御方法において、予め周波数
及びパルス幅が設定されたパルス励磁電流にて励磁され
る第１の励磁コイルにより弁体にディザーを与え、前記
第１の励磁コイルとは独立して設けられ、目標変位位置
に基づいて大きさが制御される弁体駆動電流にて励磁さ
れる第２の励磁コイルにより弁体を目標変位位置に変位
させるようにした。

【００１５】請求項２に記載の発明は、弁体を変位させ
る励磁コイルに目標変位位置に対応する励磁電流を供給
して、弁体を閉止位置にバイアスするとともに、閉止位
置から双方向に駆動して目標変位位置に変位させるよう
にした電磁比例制御弁の制御方法において、予め大きさ
が設定されたバイアス励磁電流にて励磁される第１の励
磁コイルにより弁体を閉止位置にバイアスし、前記第１
の励磁コイルとは独立して設けられ、目標変位位置に応
じてパルス変調されるパルス駆動電流にて励磁される第
２の励磁コイルにより弁体を閉止位置から目標変位位置
に変位させるとともに、弁体にディザーを与えるように
した。

【００１６】請求項３に記載の発明は、目標変位位置に
対応する励磁電流にて励磁され、弁体を変位させる可動
鉄心を駆動する励磁コイルを備えた電磁比例制御弁にお
いて、前記励磁コイルを第１の励磁コイル及び第２の励
磁コイルにて構成し、この各励磁コイルを弁体の変位方
向の一方の側に設けた。

【００１７】請求項４に記載のは、請求項３に記載の発
明において、第１の励磁コイル及び第２の励磁コイル
は、各励磁コイルにて駆動される可動鉄心の側方に並設
されるものとした。

【００１８】従って、請求項１に記載の発明によれば、
目標変位位置に応じて大きさが制御される弁体駆動電流
にて励磁される第２の励磁コイルにて駆動される可動鉄
心にて弁体が目標変位位置に変位する。そして、この弁
体駆動電流とは別の予め周波数及びパルス幅が設定され
たパルス励磁電流にて励磁される第１の励磁コイルにて
可動鉄心が駆動され弁体にディザーを与えられる。従っ
て、弁体駆動電流が変化してもパルス励磁電流は変化し
ないため、ディザーの振幅を弁体の変位位置とは関係な
く一定にすることが可能になる。尚、パルス励磁電流に
てディザーが生成されるため、ディザー効果の高いディ
ザーを弁体に与えることができる。

【００１９】請求項２に記載の発明によれば、予め大き
さが設定されたバイアス励磁電流にて励磁される第１の
励磁コイルにて可動鉄心が駆動され弁体が閉止位置に配
置される。そして、目標変位位置に基づいてパルス幅変
調されるパルス駆動電流にて励磁される第２の励磁コイ
ルにて可動鉄心が駆動されて弁体が閉止位置から目標変
位位置に変位されるとともに、変位した弁体にディザー
が与えられる。従って、弁体が閉止位置に配置されたと
きにはパルス駆動電流が０になるため、弁体に対してデ
ィザーが与えられることはない。その結果、弁体には閉
止位置から変位した状態でのみディザーが与えられる。

【００２０】請求項３に記載の発明によれば、弁体を駆
動する励磁コイルが２つ設けられるため、第１の励磁コ
イルを一定周波数及び一定パルス幅のパルス励磁電流に
て励磁して弁体にディザーを与えるとともに、第２の励
磁コイルを目標変位位置に対応する励磁電流にて励磁し
て弁体を目標変位位置に変位させることができる。又
は、第１の励磁コイルを励磁して弁体を閉止位置に配置
するとともに、第２の励磁コイルを閉止位置から目標変
位位置に変位させる励磁電流にて励磁して弁体を目標変
位位置に変位させることができる。

【００２１】又、２つの励磁コイルが弁体の変位方向の
一方の側に設けられるため、弁体の両側にそれぞれ１個
ずつ励磁コイルを設ける構造に比較して電磁比例制御弁
の構造を簡単にすることが可能になる。

【００２２】請求項４に記載の発明によれば、各励磁コ
イルの内部に可動鉄心を収容しない構造であるため、各
励磁コイルの捲径を小さくすることができる。その結
果、同じ起磁力を得るための捲数に必要な銅線の長さが
短くなるため、励磁コイルの抵抗が小さくなる。このた
め、励磁コイルにより大きな励磁電流を流すことができ
るため、より少ない捲数で同じ起磁力を得ることが可能
になる。

【００２３】さらに、励磁コイルが可動鉄心の側方に設
けられるため、偏平化が可能になる。又、捲数の低減に
より、インピーダンスが小さくなるため、励磁電流の立
ち上がりが早くなり、大きな吸引力を発生させることが
できる。その結果、弁体を高速に駆動することができる
ため、応答性を向上することが可能になる。

【００２４】さらに、銅線の使用量が低減するため、材
料コストを低減させるとともに、電磁比例制御弁の軽量
化を図ることが可能になる。又、各励磁コイルからの磁
束を可動鉄心に供給する磁気回路を単純な形状の磁性材
で構成することができ磁気回路の加工性が向上するた
め、形状による加工上の制約が小さくなる。従って、磁
気特性は優れているが加工性が悪いために使用すること
ができなかった磁気材料を使用することができる。その
結果、電磁比例制御弁を一層小型化したり、応答性を向
上することが可能になる。

【００２５】

【発明の実施の形態】

〔第１の実施の形態〕以下、本発明をエアの圧力制御を
行う圧力制御装置に具体化した第１の実施の形態を図１
〜図３に従って説明する。

【００２６】図２に示すように、圧力制御装置１は、電
磁比例制御弁２、フィルタ３、オイルミストセパレータ
４、電磁弁駆動装置５、偏差増幅器６及び圧力検出器７
にて構成されている。尚、電磁比例制御弁２は、機能的
に３ポート３位置弁として図示している。圧力制御装置
１には、目標圧力信号ＶS を出力する制御信号発生装置
８が接続されている。目標圧力信号ＶS は、圧力制御装
置１が負荷Ｌに供給する圧力（以下、実圧力という）Ｐ
O を設定するための信号であり、図示しない外部の制御
コンピュータからの圧力指令信号に基づいて生成され
る。

【００２７】フィルタ３には、空圧源Ｓから圧力ＰI の
エアが供給されている。フィルタ３は、空圧源Ｓから供
給されるエアから水分を除去したエアをオイルミストセ
パレータ４に供給する。オイルミストセパレータ４はフ
ィルタ３から供給されるエアからオイルミストを除去し
たエアを電磁比例制御弁２に供給する。

【００２８】圧力検出器７は、電磁比例制御弁２が負荷
Ｌに供給する実圧力ＰO の検出値である実圧力信号ＶO
を偏差増幅器６に出力する。偏差増幅器６は、目標圧力
信号ＶS に対する実圧力信号ＶO の偏差を増幅し、その
信号を制御偏差信号ΔＶとして電磁弁駆動装置５に出力
する。この制御偏差信号ΔＶは、電磁比例制御弁２の弁
開度を目標弁開度に制御するための信号である。

【００２９】次に、電磁比例制御弁２の構成を詳述す
る。図１に示すように、電磁比例制御弁２は、弁部１０
及び駆動部１１とから構成されている。弁部１０の弁本
体１２には、右側から順に入力ポート１３、出力ポート
１４及び排気ポート１５が並設されている。弁本体１２
の内部に形成される孔内にはスリーブ１６が嵌挿され、
このスリーブ１６の内部にはスプール室１７が形成され
ている。このスプール室１７には入力ポート１３、出力
ポート１４、排気ポート１５がそれぞれ連通されてい
る。スプール室１７には、出力ポート１４に対して入力
ポート１３又は排気ポート１５を切換連通するスプール
１８が配設されている。即ち、スプール１８がスプール
室１７のほぼ中央の閉止位置に配置されると、出力ポー
ト１４は入力ポート１３及び排気ポート１５のいずれに
も連通されない。スプール１８が閉止位置から左方に変
位すると、その変位量に応じた流路断面積で入力ポート
１３が出力ポート１４に連通される。反対に、スプール
１８が閉止位置から右方に変位すると、その変位量に応
じた流路断面積で排気ポート１５が出力ポート１４に連
通される。スプール室１７の左端にはばね室１９が形成
され、このばね室１９にはスプール１８の左端面に当接
してスプール１８を右方向に常時付勢する圧縮コイルば
ね２０が配設されている。尚、弁本体１２には、ばね室
１８を大気に開放するポート２１が設けられている。

【００３０】前記駆動部１１の内部には、前記スプール
室１７に連通する鉄心室２２が形成されている。鉄心室
２２には可動鉄心２３が配設され、可動鉄心２３にはス
プール１８を駆動するための摺動軸２４が貫通固定され
ている。鉄心室２２の左端には磁性材からなり摺動軸２
４の左端を包囲して支持する支持部２５が配設され、こ
の支持部２５の内周には摺動軸２４の左端部外周に摺接
する軸受け２６が固定されている。鉄心室２２の右端に
は非磁性材からなり摺動軸２４の右端を包囲して支持す
る支持部２７が配設され、この支持部２７の内周には摺
動軸２４の右端部外周に摺接する軸受け２８が固定され
ている。

【００３１】鉄心室２２の外周側には、可動鉄心２３に
磁束を誘導するための円筒状の磁路２９が配設されてい
る。磁路２９及び支持部２５の外周側には、円環状に形
成され磁路２９及び支持部２５に磁束を供給する励磁コ
イル部３０が配設されている。励磁コイル部３０は磁性
材からなる外筒部３１を備え、この外筒部３１の内周側
の右側（即ち、弁部１０の反対側）には第１の励磁コイ
ル３２が配設され、同じく左側（即ち、弁部１０の側）
には第２の励磁コイル３３が配設されている。外筒部３
１の右側内周面は磁路２９の外周面に当接され、外筒部
３１の左側内周面は支持部２５の外周面に当接されてい
る。外筒部３１、磁路２９及び支持部２５にて可動鉄心
２３に磁束を供給するための磁気回路が構成されてい
る。

【００３２】第１の励磁コイル３２及び第２の励磁コイ
ル３３は、同じ捲数で形成されている。第１の励磁コイ
ル３２又は第２の励磁コイル３３が生成する磁束は、磁
気回路にて可動鉄心２３に作用する。

【００３３】次に、電磁弁駆動装置５の構成を詳述す
る。図３に示すように、電磁弁駆動装置５は、第１の駆
動部４０及び第２の駆動部４１とから構成されている。
第１の駆動部４０は、バイアス設定部４２、第１の演算
増幅器４３、第１の周波数設定部４４、第１の関数発生
部４５、第１のＰＷＭ制御部４６、第１の出力回路４７
及び抵抗４８とから構成される公知のパルス幅変調によ
る定電流回路である。

【００３４】バイアス設定部４２は可変抵抗を備え、所
定の電圧ＶC からバイアス設定信号ＶB を生成する。こ
のバイアス設定信号ＶB は、スプール１８がバイアスさ
れる変位位置を設定するための信号である。

【００３５】第１の演算増幅器４３はバイアス設定信号
ＶB を入力するとともに後述する第１の検出電圧ＶK1を
入力して、バイアス設定信号ＶB と第１の検出電圧ＶK1
との偏差をバイアス設定信号ＶB に加算し、その信号を
第１の制御信号ＶR1として第１の第１のＰＷＭ制御部４
６に出力する。

【００３６】第１の周波数設定部４４は可変抵抗を備
え、所定の電圧ＶC から第１の周波数設定信号ｌF1を生
成して第１の関数発生器４５に出力する。この第１の周
波数設定信号ＩF1は、スプール１８に与えるディザーの
周波数を設定するための信号である。第１の関数発生器
４５は第１の周波数設定信号ＩF1にて設定される周波数
の第１の基準信号（三角波）ＶT1を生成して第１のＰＷ
Ｍ制御部４６に出力する。

【００３７】第１のＰＷＭ制御部４６は第１の制御信号
ＶR1と第１の基準信号ＶT1とにより、第１の基準電圧Ｖ
T1の搬送周波数を持ち、第１の制御信号ＶR1に比例した
パルス幅（デューティ比）となるパルス信号からなる第
１の制御動作信号ＶA1を第１の出力回路４７に出力す
る。従って、第１の制御動作信号ＶA1は、第１の制御信
号ＶR1が小さくなるほど小さなパルス幅となり、第１の
制御信号ＶR1が大きくなるほど大きなパルス幅となるパ
ルス信号である。

【００３８】第１の出力回路４７には正の電源電圧＋Ｖ
C が接続されている。第１の出力回路４７は第１の制御
動作信号ＶA1に基づき、パルス励磁電流としての正のバ
イアス励磁電流ＩB を第１の励磁コイル３２に出力す
る。このバイアス励磁電流ＩBは、スプール１８を閉止
位置にバイアスするとともに、スプール１８にディザー
を発生させるための信号である。

【００３９】又、第１の出力回路４７にて出力されるバ
イアス励磁電流ＩB は抵抗４８を流れ、生成される第１
の検出電圧ＶK1を前記第１の演算増幅器４３に出力す
る。この第１の検出電圧ＶK1は、目標値であるバイアス
設定信号ＶB に対して制御量である実際のバイアス励磁
電流ＩB を帰還して、バイアス励磁電流ＩB をフィード
バック制御するための信号である。

【００４０】前記第２の駆動部４１は、ゲイン調整部５
０、第２の演算増幅器５１、第２の周波数設定部５２、
第２の関数発生器５３、第２のＰＷＭ制御部５４、第２
の出力回路５５及び抵抗５６とからなる公知のパルス幅
変調による定電流回路である。

【００４１】ゲイン調整部５０は、前記偏差増幅器６か
ら出力される制御偏差信号ΔＶから位置制御信号ＶP1を
生成する。この位置制御信号ＶP1は、閉止位置を０点と
して制御偏差信号ΔＶに対応する変位位置にスプール１
８を制御するための信号である。

【００４２】第２の演算増幅器５１は、位置制御信号Ｖ
P1を入力するとともに後述する第２の検出電圧ＶK2を入
力して位置制御信号ＶP1と第２の検出電圧ＶK2との偏差
を位置制御信号ＶP1に加算し、その信号を増幅して第２
の制御信号ＶR2として第２のＰＷＭ制御部５４に出力す
る。

【００４３】一方、第２の周波数設定部５２は所定の電
圧ＶC から第２の周波数設定信号ＩF2を生成して第２の
関数発生器５３に出力する。この第２の周波数設定信号
ＩF2は、ディザーが生成される周波数よりも十分に高い
周波数を設定するための信号である。第２の関数発生器
５３は第２の周波数設定信号ＩF2にて設定される周波数
の第２の基準信号（三角波）ＶT2を生成して第２のＰＷ
Ｍ制御部５４に出力する。

【００４４】第２のＰＷＭ制御部５４は第２の制御信号
ＶR2と第２の基準信号ＶT2とにより、第２の制御信号Ｖ
R2が正のときは、第２の基準信号ＶT2の搬送周波数を持
ち、第２の制御信号ＶR2に比例したパルス幅（デューテ
ィ比）となる正のパルス信号からなる第２の制御動作信
号ＶA2を第２の出力回路５５に出力する。従って、第２
の制御動作信号ＶA2は、第２の制御信号ＶR2が小さくな
るほど小さなデューティ比となり、第２の制御信号ＶR2
が大きくなるほど大きなデューティ比となる正のパルス
信号である。

【００４５】又、第２のＰＷＭ制御部５４は第２の制御
信号ＶR2と第２の基準信号ＶT2とにより、第２の制御信
号ＶR2が負のときは、第２の基準信号ＶT2の搬送周波数
を持ち、第２の制御信号ＶR2に比例したパルス幅（デュ
ーティ比）となる負のパルス信号からなる第２の制御動
作信号ＶA2を第２の出力回路５５に出力する。従って、
第２の制御動作信号ＶA2は、第２の制御信号ＶR2が小さ
くなるほど小さなデューティ比となり、第２の制御信号
ＶR2が大きくなるほど大きなデューティ比となる負のパ
ルス信号である。

【００４６】第２の出力回路５５には、正の電源電圧＋
ＶC 及び負の電源電圧−ＶC が接続されている。第２の
出力回路５５は第２の制御動作信号ＶA2に基づき、正又
は負のパルス電流からなる弁体駆動電流としてのスプー
ル駆動電流ＩD1を第２の励磁コイル３３に出力する。即
ち、スプール駆動電流ＩD1は、第２の制御動作信号ＶA2
が正のパルス信号であるときは正となり、第２の制御動
作信号ＶA2が負のパルス信号であるときは負となるパル
ス信号である。このスプール駆動電流ＩD1は、第２の励
磁コイル３３を励磁してスプール１８を閉止位置を０点
として制御偏差信号ΔＶに対応する変位位置（即ち、目
標変位位置）に駆動するための信号である。

【００４７】又、第２の出力回路５５にて出力されるス
プール駆動電流ＩD1は抵抗５６を流れ、生成される第２
の検出電圧ＶK2を前記第２の演算増幅器５１に出力す
る。この第２の検出電圧ＶK2は、目標値である位置制御
信号ＶP1に対して制御量である実際のスプール駆動電流
ＩD1を帰還して、スプール駆動電流ＩD1を帰還制御する
ための信号である。

【００４８】次に、以上のように構成された圧力制御装
置及び電磁比例制御弁の作用について説明する。電磁比
例制御弁２に負荷Ｌが接続された後、電磁弁駆動装置５
が作動されると、第１の駆動部４０はバイアス設定信号
ＶB に対応するバイアス励磁電流ＩB を第１の励磁コイ
ル３２に出力する。このとき、第１の駆動部４０では、
バイアス励磁電流ＩB がバイアス設定信号ＶB に対応す
る値にフィードバック制御されるため、精度の高いバイ
アス励磁電流ＩB が第１の励磁コイル３２に供給され
る。このバイアス励磁電流ＩB は、周波数及びパルス幅
が一定の信号になる。その結果、スプール１８は、第１
の励磁コイル３２にて高い精度で閉止位置まで駆動され
て保持される。同時に、スプール１８には、このバイア
ス励磁電流ＩB にて励磁される第１の励磁コイル３２に
てディザーが与えられる。尚、このとき、スプール１８
が閉止位置から外れる場合には、バイアス設定部４２で
バイアス設定信号ＶB を調整することによりスプール１
８を閉止位置にバイアスする。

【００４９】制御信号発生装置８から目標圧力信号ＶS
が出力されると、偏差増幅器６は目標圧力信号ＶS と実
圧力信号ＶO との偏差を増幅した制御偏差信号ΔＶを第
２の駆動部４１に出力する。第２の駆動部４１は、制御
偏差信号ΔＶに応じたスプール駆動電流ＩD1を第２の励
磁コイル３３に出力する。このとき、第２の駆動部４１
では、スプール駆動電流ＩD1がこの制御偏差信号ΔＶに
対応する位置制御信号ＶP1に対応する値にフィードバッ
ク制御されるため、精度の高いスプール駆動電流ＩD1が
第２の励磁コイル３３に供給される。その結果、スプー
ル１８は、第２の励磁コイル３３にて、閉止位置から位
置制御信号ＶP1に対応する変位位置まで高い精度で駆動
される。尚、スプール駆動電流ＩD1の周波数は、ディザ
ーが生成される周波数よりも十分に高い周波数に設定さ
れているため、スプール駆動電流ＩD1によりスプール１
８にディザーが与えられることはない。

【００５０】このとき、電磁比例制御弁２の目標弁開度
として与えられる制御偏差信号ΔＶは、負荷Ｌにエアが
供給され実圧力ＶO が上昇すると徐々に減少していく。
実圧力ＶO が目標圧力に達した時点では制御偏差信号Δ
Ｖはゼロとなるため、弁開度がゼロとなるようにスプー
ル１８が閉止位置に配置される。このようにして、負荷
Ｌに供給されるエアの実圧力ＶO は目標圧力信号ＶS に
対応する圧力に制御される。

【００５１】第１の励磁コイル３２には、常時バイアス
励磁電流ＩB が供給されるため、スプール１８にはその
変位位置に拘らずディザーが与えられる。このバイアス
励磁電流ＩB は、スプール駆動電流ＩD1とは独立して生
成されるため、制御偏差信号ΔＶに応じてスプール駆動
電流ＩD1の平均電流値、即ち、パルス幅が変化しても、
バイアス励磁電流ＩB のパルス幅及び波形が変化するこ
とはない。その結果、スプール１８には、その変位位置
に拘らず一定振幅のディザーが与えられる。

【００５２】以上詳述したように、本実施の形態の電磁
比例制御弁によれば、以下の効果を得ることができる。 （ａ） 第１の駆動部４０にて周波数及びパルス幅が一
定の、スプール１８にディザーを発生させるパルス信号
であるバイアス励磁電流ＩB を生成し、このバイアス励
磁電流ＩB で第１の励磁コイル３２を励磁してスプール
１８を閉止位置にバイアスさせる。一方、第２の駆動部
４１にてスプール１８を制御偏差信号ΔＶに対応する変
位位置に駆動するためのスプール駆動電流ＩD1を生成
し、このスプール駆動電流ＩD1にて第２の励磁コイル３
３を励磁して閉止位置にバイアスされたスプール１８を
変位位置に駆動させる。従って、バイアス励磁電流ＩB
はスプール駆動電流ＩD1とは独立して生成されるため、
スプール駆動電流ＩD1が変化してもそのパルス幅及び波
形は一定になる。その結果、スプール１８の変位位置に
拘らず高いディザー効果が得られる一定振幅のディザー
を得ることができる。ゆえに、電磁比例制御弁２のヒス
テリシスをキャンセルすることができるため、スプール
１８を高い精度で制御してスプール１８の目標変位位置
（即ち、弁開度）を制御することができ、又、感度を高
くすることができる。

【００５３】又、圧力制御装置１を構成した場合、実圧
力ＶO を高い精度で目標圧力に制御することができ、し
かも、感度を高くすることができる。さらに、第１の励
磁コイル３２及び第２の励磁コイル３３は、共同してス
プール１８を目標変位位置に変位させるため、従来のよ
うに１個だけの励磁コイルでスプール１８を駆動する場
合に比較して、各励磁コイルを小型化することができ
る。従って、各励磁コイル３２，３３のインピーダンス
が小さくなりスプール駆動電流ＩD1の立ち上がりが早く
なるため、スプール１８の応答性を向上させることがで
きる。

【００５４】（ｂ） 第１の励磁コイル３２及び第２の
励磁コイル３３をスプール１８の変位方向の一方に設け
るようにしたので、各励磁コイルをスプール１８の変位
方向の両側にそれぞれ１個ずつ設ける構造に比較して、
電磁比例制御弁２の構造を簡単にすることができる。

【００５５】（ｃ） スプール駆動電流ＩD1を、第１の
駆動部４０と同様の構成のパルス発生回路である第２の
駆動部４１にて生成するようにした。このとき、スプー
ル駆動電流ＩD1の周波数は、ディザーを生成するバイア
ス励磁電流ＩB の周波数に対して十分に高く設定し、ス
プール駆動電流ＩD1がディザーを生成しないようにし
た。従って、第２の駆動部４１を第１の駆動部４０と同
様の構成のパルス発生回路にて構成することができるた
め、スプール駆動電流ＩD1を直流電流にて生成する回路
構成に比較して簡素な回路構成とすることができる。

【００５６】〔第２の実施の形態〕次に、本発明を具体
化した第２の実施の形態を図４及び図５に従って説明す
る。尚、本実施の形態では、第１の実施の形態における
電磁比例制御弁２の励磁コイル部３０を励磁コイル部６
０に置き換えた。又、第１の実施の形態における第１の
駆動部４０を第１の駆動部７０とし、同じく第２の駆動
部４１を第２の駆動部７１とした。以上の点が第１の実
施の形態と異なる点である。

【００５７】先ず、電磁比例制御弁２の構成を説明す
る。支持部２５及び磁路２９の外周側には、円環状に形
成され磁路２９及び支持部２５に磁束を供給する励磁コ
イル部６０が配設されている。励磁コイル部６０は磁性
材からなる外筒部３１を備え、この外筒部３１の内周側
の右側には第１の励磁コイル６１が配設され、同じく左
側には第２の励磁コイル６２が配設されている。

【００５８】第２の励磁コイル６２の捲数は、従来の電
磁比例制御弁の励磁コイルとほぼ同じ捲数で形成され、
第１の励磁コイル６１の捲数は、第２の励磁コイル６２
の捲数よりも少なく形成されている。

【００５９】次に、電磁弁駆動装置５の構成を説明す
る。図５に示すように、電磁弁駆動装置５は、第１の駆
動部７０及び第２の駆動部７１とから構成されている。
第１の駆動部７０は、パルス幅設定部７２、第１の演算
増幅器７３、第１の周波数設定部７４、第１の関数発生
部７５、第１のＰＷＭ制御部７６、第１の出力回路７７
及び抵抗７８とから構成される公知のパルス幅変調によ
る定電流回路である。

【００６０】パルス幅設定部７２は可変抵抗を備え、所
定の電圧＋ＶC からパルス幅設定信号ＶW を生成して第
１の演算増幅器７３に出力する。このパルス幅設定信号
ＶWは、スプール１８に与えるディザーの振幅を設定す
る信号である。

【００６１】第１の演算増幅器７３は、パルス幅設定信
号ＶW を入力するとともに後述する第３の検出電圧ＶK3
を入力してパルス幅設定信号ＶW と第３の検出電圧ＶK3
との偏差をパルス幅設定信号ＶW に加算し、その信号を
第３の制御信号ＶR3として第１のＰＷＭ制御部７６に出
力する。

【００６２】一方、第１の周波数設定部７４は、所定の
電圧＋ＶC から第３の周波数設定信号ＩF3を生成して第
１の関数発生器７５に出力する。この第３の周波数設定
信号ＩF3は、ディザーの周波数を設定するための信号で
ある。第１の関数発生器７５は、第３の周波数設定信号
ＩF3にて設定される周波数の第３の基準信号ＶT3を生成
して前記第１のＰＷＭ制御部７６に出力する。

【００６３】第１のＰＷＭ制御部７６は、第３の制御信
号ＶR3と第３の基準信号ＶT3とにより、第３の基準信号
ＶT3の搬送周波数を持ち、第３の制御信号ＶR3に比例し
たパルス幅（デューティ比）となるパルス信号からなる
第３の制御動作信号ＶA3を第１の出力回路７７に出力す
る。従って、第３の制御動作信号ＶA3は、第３の制御信
号ＶR3が小さくなるほど小さなパルス幅となり、第３の
制御信号ＶR3が大きくなるほど大きなパルス幅となるパ
ルス信号である。

【００６４】第１の出力回路７７には、正の電源電圧＋
ＶC が印加されている。第１の出力回路７７は、第３の
制御動作信号ＶA3に基づき、正のパルス信号からなるパ
ルス励磁電流としてのディザー電流ＩDTを第１の励磁コ
イル６１に出力する。このディザー電流ＩDTは、スプー
ル１８にディザーを与えるための信号である。尚、この
ディザー電流ＩDTの平均電流によりスプール１８はバイ
アスされるが、このバイアス分は前記圧縮コイルばね２
０の初期付勢力にて相殺されている。即ち、本実施の形
態の圧縮コイルばね２０は、第１の実施の形態の圧縮コ
イルばねに対して、初期付勢力がバイアス分だけ大きく
設定されている。

【００６５】又、第１の出力回路７７により出力される
ディザー電流ＩDTは抵抗７８を流れ、生成される第３の
検出電圧ＶK3を前記第１の演算増幅器７２に出力する。
この第１の検出電圧ＶK3は目標値であるパルス幅設定信
号ＶW に対して制御量であるディザー電流ＩDTを帰還す
るための信号である。

【００６６】前記第２の駆動部７１は、ゲイン調整部８
０、バイアス設定部８０Ａ、加算器８０Ｂ、第２の演算
増幅器８１、第２の周波数設定部８２、第２の関数発生
器８３、第２のＰＷＭ制御部８４、第２の出力回路８５
及び抵抗８６とから構成される公知のパルス幅変調によ
る定電流回路である。

【００６７】ゲイン調整部８０は可変抵抗を備え、偏差
増幅器６から出力される制御偏差信号ΔＶをゲイン調整
して加算器８０Ｂに出力する。バイアス設定部８０Ａ
は、所定の電圧＋ＶC からバイアス信号ＶB を生成して
加算器８０Ｂに出力する。このバイアス信号ＶB は、ス
プール１８を閉止位置に配置するための信号である。加
算器８０Ｂは、バイアス信号にゲイン調整された制御偏
差信号ΔＶを加算し、この信号を位置制御信号ＶP2とし
て第２の偏差増幅器８１に出力する。この位置制御信号
ＶP2は、スプール１８を閉止位置から制御偏差信号ΔＶ
に対応する変位位置（即ち、閉止位置からの目標変位位
置）に制御するための信号である。

【００６８】第２の演算増幅器８１は、位置制御信号Ｖ
P2を入力するとともに後述する第２の検出電圧ＶK4を入
力して位置制御信号ＶP2と第２の検出電圧ＶK4との偏差
を位置制御信号ＶP2に加算し、第２のＰＷＭ制御部８４
に出力する。

【００６９】一方、第２の周波数設定部８２は、所定の
電圧＋ＶC から第４の周波数設定信号ＶF4を生成して第
２の関数発生器８３に出力する。この第４の周波数設定
信号ＶF4は、ディザーを生成するための第３の周波数設
定信号ＶF3よりも十分に高い周波数を設定するための信
号である。第２の関数発生器８３は、第４の周波数設定
信号ＶF4にて設定される周波数の第４の基準信号ＶT4を
生成して前記第２のＰＷＭ制御部に８４に出力する。

【００７０】第２のＰＷＭ制御部８４は、第４の制御信
号ＶR4と第４の基準信号ＶT4とにより、第４の基準信号
ＶT4の搬送周波数を持ち、第４の制御信号ＶR4に比例し
たパルス幅（デューティ比）となるパルス信号からなる
第４の制御動作信号ＶA4を第２の出力回路８５に出力す
る。従って、第４の制御動作信号ＶA4は、第４の制御信
号ＶR4が小さくなるほど小さなパルス幅となり、第４の
制御動作信号ＶR4が大きくなるほど大きなパルス幅とな
るパルス信号である。

【００７１】第２の出力回路８５には正の電源電圧＋Ｖ
C が印加されている。第２の出力回路８５は、第４の制
御動作信号ＶA4に基づき、弁体駆動電流としてのスプー
ル駆動電流ＩD2を第２の励磁コイル６２に出力する。こ
のスプール駆動電流ＩD2は、第２の励磁コイル６２が励
磁されておらず、可動鉄心２３が変位していないときの
スプール１８の位置から、制御偏差信号ΔＶにバイアス
信号ＶB を加えた値に対応する変位位置にスプール１８
を直接駆動するための信号である。

【００７２】又、第２の出力回路８５にて出力されるス
プール駆動電流ＩD2は抵抗に流れ、生成される第４の検
出電圧ＶK4を前記第２の演算増幅器８１に出力する。こ
の第４の検出電圧ＶK4は目標値である位置制御信号ＶP2
に対して制御量であるスプール駆動電流ＩD2の偏差をフ
ィードバックするための信号である。

【００７３】次に、以上のように構成された圧力制御装
置及び電磁比例制御弁の作用について説明する。電磁弁
駆動装置５が作動されると、第１の駆動部７０は第１の
励磁コイル６１にディザー電流ＩDTを出力する。このと
き、第１の駆動部７０では、ディザー電流ＩDTがパルス
幅設定信号ＶW に対応する値にフィードバック制御され
るため、精度の高いディザー電流ＩDTが第１の励磁コイ
ル６１に供給される。このディザー電流ＩDTは、周波数
及びパルス幅が一定の信号になる。その結果、スプール
１８には、精度の高い一定振幅のディザーが与えられ
る。駆動部７１からバイアス信号ＶB に基づくスプール
駆動電流ＩD2が第２の励磁コイル６２に出力されると、
スプール１８は閉止位置に制御される。この状態で、制
御信号発生装置８から目標圧力信号ＶS が出力される
と、偏差増幅器６は制御偏差信号ΔＶを第２の駆動部７
１に出力する。第２の駆動部７１は、制御偏差信号ΔＶ
にバイアス信号ＶB を加算した位置制御信号ＶP2に基づ
くスプール駆動電流ＩD2を第２の励磁コイル６２に出力
する。このとき、第２の駆動部７１では、スプール駆動
電流ＩD2がこの制御偏差信号ΔＶにバイアス信号ＶB を
加算して生成される位置制御信号ＶP2に対応する値にフ
ィードバック制御されるため、精度の高いスプール駆動
電流ＩD2が第２の励磁コイル６２に出力される。その結
果、スプール１８は、第２の励磁コイル６２にて、位置
制御信号ＶP2に対応する変位位置まで高い精度で駆動さ
れる。つまり、閉止位置からの目標変位信号である制御
偏差信号ΔＶに対応する変位位置に高い精度で制御され
る。

【００７４】このとき、電磁比例制御弁２の目標弁開度
として与えられる制御偏差信号ΔＶは、負荷Ｌにエアが
供給され実圧力ＶO が上昇すると徐々に減少していく。
実圧力ＶO が目標圧力に達した時点では制御偏差信号Δ
Ｖはゼロとなるため、弁開度がゼロになるようにスプー
ル１８が閉止位置に配置される。このようにして、負荷
Ｌに供給されるエアの実圧力ＶO は目標圧力信号ＶS に
対応する圧力に制御される。

【００７５】第１の励磁コイル６１には、常時ディザー
電流ＩDTが供給されるため、スプール１８の変位位置に
拘らずディザーが与えられる。このディザー電流ＩDTは
スプール駆動電流ＩD2とは独立して生成されるため、制
御偏差信号ΔＶに応じてスプール駆動電流ＩD2の平均電
流値、即ち、パルス幅が変化しても、ディザー電流ＩDT
のパルス幅及び波形が変化することはない。その結果、
スプール１８には、その変位位置に拘らず一定振幅のデ
ィザーが与えられる。

【００７６】以上詳述したように、本実施の形態の電磁
比例制御弁によれば、以下の効果を得ることができる。 （ａ） 第１の駆動部７０にて、周波数及びパルス幅が
一定の、スプール１８にディザーを与えるためのパルス
信号からなるディザー電流ＩDTを生成し、このディザー
電流ＩDTにて第１の励磁コイル６１を励磁してスプール
１８にディザーを与えるようにした。一方、第２の駆動
部７１にてスプール１８を各変位位置に駆動させるため
のスプール駆動電流ＩD2を生成し、このスプール駆動電
流ＩD2にて第２の励磁コイル６２を励磁してスプール１
８を制御偏差信号ΔＶに対応する変位位置に駆動させる
ようにした。従って、ディザー電流ＩDTはスプール駆動
電流ＩD2とは独立して生成されるため、スプール駆動電
流ＩD2が変化してもディザー電流ＩDTのパルス幅及び波
形は一定になる。その結果、本実施の形態においても、
第１の実施の形態と同様に、スプール１８の変位位置に
拘らず高いディザー効果が得られる一定振幅のディザー
を生成することができるため、スプール１８を高い精度
で制御して目標変位位置（片開度）を制御することがで
きる。

【００７７】〔第３の実施の形態〕次に、本発明を具体
化した第３の実施の形態を図３及び図６に従って説明す
る。尚、本実施の形態の電磁比例制御弁は、第１の実施
の形態における電磁比例制御弁２の弁部（スプール弁）
１０を弁部（ポペット弁）９０に変更したことが第１の
実施の形態と異なる。又、第１の実施の形態の電磁弁駆
動装置５において第１の周波数設定部４４が出力する、
バイアス励磁電流ＩB の周波数を設定するための第１の
周波数設定信号ＩF1を、本実施の形態の第２の周波数設
定部５２が出力する、ポペット駆動電流ＩD3の周波数を
設定するための第２の周波数設定信号ＩF2に置き換え
た。反対に、第１の実施の形態においてスプール駆動電
流ＩD の周波数を設定するための第２の周波数設定信号
ＩF2を、本実施の形態のバイアス励磁電流ＩB の周波数
を設定するための第１の周波数設定信号ＩF1に置き換え
た。以上の点が第１の実施の形態と異なる点である。従
って、弁部９０、第１の駆動部４０にて生成されるバイ
アス励磁電流ＩB 、及び、第２の駆動部４１にて生成さ
れるポペット駆動電流ＩD3のみを詳述し、第１の実施の
形態と同一の構成については符号を同じにしてその説明
を省略する。

【００７８】先ず、弁部の構成を説明する。図６に示す
ように、弁部９０の弁本体９１には、その一側に出力ポ
ート９２が形成され、他側に入力ポート９３及び排気ポ
ート９４が併設されている。弁本体９１の内部には、出
力ポート９２、入力ポート９３及び排気ポート９４を連
通する連通孔９５が形成されている。連通孔９５の内部
において入力ポート９３と出力ポート９２との間には弁
座９６が形成され、同じく排気ポート９４と出力ポート
９２との間には弁座９７が形成されている。

【００７９】連通孔９５の左端にはポペットホルダ９８
が配設され、このポペットホルダ９８には弁座９７の開
閉を行う弁体としてのポペット９９が収容されている。
ポペットホルダ９８の内部には、ポペット９９の開閉面
９９ａが弁座９７に当接する位置（以下、閉止位置とい
う）にポペット９９を付勢する付勢ばね１００が収容さ
れている。又、連通孔９５の右端にはポペットホルダ１
０１が配設され、このポペットホルダ１０１には弁座９
６の開閉を行う弁体としてのポペット１０２が収容され
ている。ポペットホルダ１０１の内部には、ポペット１
０２の開閉面１０２ａが弁座９６に当接する位置（以
下、閉止位置という）にポペット１０２を付勢する付勢
ばね１０３が収容されている。

【００８０】前記ポペット９９とポペット１０２との間
には、ポペット９９を閉止位置から左方に変位させる
か、又は、ポペット１０２を閉止位置から右方に変位さ
せるためのプッシュロッド１０４が配設されている。前
記ポペットホルダ９８の内部には、プッシュロッド１０
４の左端に当接してプッシュロッド１０４を右方に付勢
する復帰ばね１０５が収容されている。プッシュロッド
１０４の右端には、プッシュロッド１０４を左方に駆動
する摺動軸２４の左端が当接されている。

【００８１】次に、電磁弁駆動装置について説明する。
図３に示すように、第１の周波数設定部４４は第１の周
波数設定信号ＩF1を生成して第１の関数発生器４５に出
力する。この第１の周波数設定信号ＩF1は、ポペット１
８に発生させるディザーの周波数よりも十分に高い周波
数を設定するための信号である。第１の出力回路４７
は、第１の周波数設定信号ＩF1にて周波数が設定される
バイアス励磁電流ＩB を第１の励磁コイル３２に出力す
る。このバイアス励磁電流ＩB はプッシュロッド１０４
を所定位置にバイアスさせて両ポペット９９，１０２を
共にそれぞれの閉止位置に配置させるための信号であ
る。

【００８２】第２の周波数設定部５２は第２の周波数設
定信号ＩF2を生成して第２の関数発生器５３に出力す
る。この第２の周波数設定信号ＩF2は、ポペット１８に
発生させるディザーの周波数を設定するための信号であ
る。第２の出力回路５５は、第２の周波数設定信号ＩF2
にて周波数が設定されるパルス駆動電流としてのポペッ
ト駆動電流ＩD3を第２の励磁コイル３３に出力する。こ
のポペット駆動電流ＩD3は、第２の励磁コイル３３にて
各ポペット９９，１０２を各閉止位置を０点として制御
偏差信号ΔＶに対応する変位位置（即ち、目標変位位
置）に駆動させるとともに、各ポペット９９，１０２に
ディザーを与えるための信号である。

【００８３】次に、以上のように構成された圧力制御装
置及び電磁比例制御弁の作用について説明する。電磁弁
駆動装置５が作動されると、第１の駆動部４０は第１の
励磁コイル３２にバイアス励磁電流ＩB を出力する。こ
のとき、第１の駆動部４０からは精度の高いバイアス励
磁電流ＩB が第１の励磁コイル３２に供給される。この
バイアス励磁電流ＩB は、大きさが一定の電流になる。
その結果、プッシュロッド１０４が高い精度で駆動さ
れ、両ポペット９９，１０４が高い精度で各閉止位置に
配置される。尚、このとき、バイアス励磁電流ＩB の周
波数は、ディザーが生成される周波数よりも十分に高い
周波数に設定されているため、バイアス励磁電流ＩBに
より各ポペット９９，１０４にディザーが与えられるこ
とはない。

【００８４】制御信号発生装置８から目標圧力信号ＶS
が出力されると、偏差増幅部６は制御偏差信号ΔＶを第
２の駆動部４１に出力する。第２の駆動部４１は、制御
偏差信号ΔＶに基づくポペット駆動電流ＩD3を第２の励
磁コイル３３に出力する。このとき、第２の駆動部４１
からは、精度の高いポペット駆動電流ＩD3が第２の励磁
コイル３３に出力される。その結果、第２の励磁コイル
３３にてプッシュロッド１０４が高い精度で駆動される
ため、ポペット９９又はポペット１０２は各閉止位置か
ら位置制御信号ＶP に対応する変位位置まで高い精度で
駆動される。

【００８５】このとき、電磁比例制御弁２の目標弁開度
として与えられる制御偏差信号ΔＶは、負荷Ｌにエアが
供給され実圧力ＶO が上昇すると徐々に減少していく。
実圧力ＶO が目標圧力に達した時点では制御偏差信号Δ
Ｖはゼロとなるため、弁開度がゼロとなるように各ポペ
ット９９，１０２がそれぞれ閉止位置に配置される。こ
のようにして、負荷Ｌに供給されるエアの実圧力ＶO は
目標圧力信号ＶS に対応する圧力に制御される。

【００８６】又、第２の励磁コイル３３にポペット駆動
信号ＩD3が供給されると、プッシュロッド１０４にてそ
の閉止位置から変位されている方のポペット９９，１０
２にディザーが与えられる。即ち、閉止位置に止まって
いるポペット９９，１０２はプッシュロッド１０４にて
駆動されないため、ディザーが与えられることはない。
従って、閉止位置にあるポペット９９は弁座９７に衝突
することはなく、閉止位置にあるポペット１０２が弁座
９６に衝突することはない。

【００８７】ポペット駆動信号ＩDPが０になると、即
ち、両ポペット９９，１０２がそれぞれ閉止位置に配置
された状態では、第２の励磁コイル３３からプッシュロ
ッド１０４にディザーが与えられないため、各ポペット
９９，１０２にディザーが与えられることはない。従っ
て、両ポペット９９，１０２が共に閉止位置に配置され
た状態では、ディザーによりポペット９９が弁座９７に
衝突することはなく、又、ポペット１０２が弁座９６に
衝突することはない。

【００８８】尚、本実施の形態においては、第１の実施
の形態と異なり、ポペット９９，１０２を制御偏差信号
ΔＶに応じて駆動するためのパルス信号であるポペット
駆動信号ＩD3にてディザーが生成される。従って、ポペ
ット駆動信号ＩD3の平均電流、即ち、パルス幅に応じて
ディザー振幅が変化する。

【００８９】以上詳述したように、本実施の形態の電磁
比例制御弁によれば、以下の効果を得ることができる。 （ａ） 第１の駆動部４０に大きさが一定であるバイア
ス励磁電流ＩB を生成し、このバイアス励磁電流ＩB で
第１の励磁コイル３２を励磁してプッシュロッド１０４
をバイアスさせて両ポペット９９，１０２をそれぞれの
閉止位置に配置させる。又、第２の駆動部４１にて各ポ
ペット９９，１０２を制御偏差信号ΔＶに対応する変位
位置に駆動するためのパルス信号であるポペット駆動電
流ＩD3を生成し、このポペット駆動電流ＩD3にて第２の
励磁コイル３３を励磁していずれか一方のポペット９
９，１０２を変位位置に駆動させるとともにディザーを
与える。その結果、ポペット駆動信号ＩD3が０になり、
両ポペット９９，１０２が共に各閉止位置に配置された
状態では、各ポペット９９，１０２のいずれにもディザ
ーが与えられないため、各ポペット９９，１０２が弁座
９６，９７に繰り返し衝突することはなくなる。従っ
て、衝突によるポペット９９，１０２又は弁座９６，９
７の早期損傷が防止できるため、弁機能の早期低下を防
止することができる。

【００９０】〔第４の実施の形態〕次に、本発明を具体
化した第４の実施の形態を図７及び図８に従って説明す
る。尚、本実施の形態の電磁比例制御弁は、第１の実施
の形態における弁部１０を弁部１１０に置き換えたこ
と、励磁コイル部３０を励磁コイル部１２２，１２５に
置き換えたことのみが第１の実施の形態と異なる。従っ
て、弁部１１０及び励磁コイル部１２２，１２５のみを
詳述し、第１の実施の形態と同一の構成については符号
を同じにしてその説明を省略する。

【００９１】先ず、弁部１１０の構成を詳述する。図７
に示すように、弁部１１０の弁本体１１１には、その一
側に出力ポート１１２が形成され、他側に入力ポート１
１３及び排気ポート１１４が形成されている。弁本体１
１１の内部に形成される孔内にはスリーブ１１５が嵌挿
され、スリーブ１１５の内部にはスプール室１１６が形
成されている。このスプール室１１６には、各ポート１
１２，１１３，１１４がそれぞれ連通されている。スプ
ール室１１６には、出力ポート１１２に対して入力ポー
ト１１３又は排気ポート１１４を切換連通するスプール
１１７が配設されている。即ち、スプール１１７がスプ
ール室１１６のほぼ中央の閉止位置に配置されると、出
力ポート１１２は入力ポート１１３及び排気ポート１１
４のいずれにも連通されない。スプール１１７が閉止位
置から左方に変位すると、その変位量に応じた流路断面
積で入力ポート１１２が出力ポート１１３に連通され
る。反対に、スプール１１７が閉止位置から右方に変位
すると、その変位量に応じた流路断面積で排気ポート１
１２が排気１１４に連通される。スプール室１１６の右
端にはばね室１１８が形成され、このばね室１１８には
スプール１１７の左端に当接してスプール１１７を右方
に常時付勢する圧縮コイルばね１１９が配設されてい
る。

【００９２】次に、励磁コイル部１２０，１２５の構成
を詳述する。図７及び図８に示すように、駆動部１１に
おいて、磁路２９及び支持部２５の上側には第１の励磁
コイル部１２０が配設されている。第１のコイル部１２
０は可動鉄心２３の側方に配設される円柱状の磁心１２
１を備え、この磁心１２１には円筒状の第１の励磁コイ
ル１２２が装着されている。磁心１２１の両端には、板
状の磁路１２３，１２４がそれぞれ接続されている。磁
路１２３は支持部２５の外周面に当接され、磁路１２４
は磁路２９の外周面に当接されている。磁心１２１、磁
路２９，１２３，１２４及び支持部２５にて、第１の励
磁コイル１２２が生成する磁束を可動鉄心２３に誘導す
るための磁気回路が構成されている。

【００９３】磁路２９及び支持部２５の下側には第２の
励磁コイル部１２５が配設されている。第２の励磁コイ
ル部１２５は可動鉄心２３の側方に配設される円柱状の
磁心１２６を備え、この磁心１２６には円筒状の第２の
励磁コイル１２７が装着されている。磁心１２６の両端
には、板状の磁路１２３，１２４がそれぞれ接続されて
いる。磁路１２３は支持部２５の外周面に当接され、磁
路１２４は磁路２９の外周面に当接されている。磁心１
２６、磁路２９，１２３，１２４及び支持部２５にて、
第２の励磁コイル１２７が生成する磁束を可動鉄心２３
に誘導するための磁気回路が構成されている。

【００９４】次に、以上のように構成された電磁比例制
御弁の作用について説明する。第１の駆動部４０から第
１の励磁コイル１２２にバイアス励磁電流ＩB が出力さ
れると、スプール１８は閉止位置にバイアスされる。ス
プール１８には、バイアス励磁電流ＩB によりディザー
が与えられる。又、第２駆動部４１から第２の励磁コイ
ル１２７にスプール駆動電流ＩD1が出力されると、スプ
ール１８は閉止位置から制御偏差信号ΔＶに対応する変
位位置に駆動される。従って、第１の実施の形態と同様
に、スプール１８の変位位置に拘らずスプール１８には
高いディザー効果が得られる一定振幅のディザーが与え
られる。

【００９５】以上詳述したように、本実施の形態の電磁
比例制御弁によれば、第１の実施の形態の効果に加えて
以下の効果を得ることができる。 （ａ） 可動鉄心２３の側方に、支持部２５及び磁路２
９に磁気的に連結される磁心１２１，１２６を設け、こ
の磁心１２１の周囲に第１の励磁コイル１２２を配設
し、磁心１２６の周囲に第２の励磁コイル１２７を配設
した。つまり、各励磁コイル１２２，１２７は支持部２
５及び磁路２９を直接磁化する代わりに、各磁心１２
１，１２６を磁化するように構成した。従って、各励磁
コイル１２２，１２７の内部に可動鉄心２３を収容しな
くてもよいため、各励磁コイル１２２，１２７の捲径を
小さくできる。その結果、同じ起磁力を得るための捲数
に使用する銅線の長さを短くすることができるため、各
励磁コイル１２２，１２７の抵抗を低減することができ
る。このため、各励磁コイル１２２，１２７により大き
な励磁電流を流すことができるため、より少ない捲数で
同じ起磁力を得ることができる。又、捲数の低減によ
り、インピーダンスが低減するため、励磁電流の立ち上
がりが早くなり、大きな駆動力を発生させることができ
る。その結果、スプール１８を高速に駆動することがで
きるため、応答性を向上させることができる。さらに、
銅線の使用量が低減するため、材料コストが低減される
とともに、電磁比例制御弁２の軽量化を図ることができ
る。

【００９６】又、両励磁コイル１２２，１２７はその内
部に可動鉄心２３を収容せず、可動鉄心２３の両側に分
離して配置されるため、電磁比例制御弁２を偏平化する
ことができる。その結果、電磁比例制御弁２を設置する
際の自由度が向上する。又、電磁比例制御弁２の各ポー
ト１１２，１１３，１１４に対して給排気を行うマニホ
ールドの接続が容易になる。

【００９７】さらに、各励磁コイル１２２，１２７の内
部に可動鉄心２３を収容する構造でないため、磁心１２
１，１２６及び各磁路１２３，１２４の形状を単純化す
ることができる。このため、磁心１２１，１２６及び各
磁路１２３，１２４の加工性が向上し、形状による制約
が少なくなるため、磁気特性は優れているが加工性が悪
いために使用することができなかった磁性材を使用する
ことができる。その結果、電磁比例制御弁２を一層小型
化したり、応答性を高くすることができる。

【００９８】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではなく、以下のように構成することもできる。 （１） 第１の実施の形態において、スプール駆動電流
ＩD1を直流電流としてもよい。

【００９９】又、第２の実施の形態において、スプール
駆動電流ＩD2を直流電流としてもよい。 （２） 第３の実施の形態において、バイアス励磁電流
ＩB を直流電流としてもよい。

【０１００】（３） 第１の実施の形態において、第１
の駆動部４０にてパルス信号からなるバイアス／ディザ
ー電流を生成し、第１の励磁コイル３２にてスプール１
８を閉止位置までは届かない変位位置までバイアスさせ
るとともにディザーを与える。又、第２の駆動部にてバ
イアス／ディザー電流と共同してスプール１８を閉止位
置にバイアスするとともにスプール１８を制御偏差信号
ΔＶに対応する変位位置に駆動するバイアス／スプール
駆動電流を生成し、第２の励磁コイル３３にてスプール
１８を閉止位置までバイアスさせるとともに、閉止位置
を０点として駆動するように構成してもよい。この構成
でも、各励磁コイル３２，３３の捲数を少なくすること
ができるため、インピーダンスを低減して応答性を向上
することができる。

【０１０１】（４） 第１〜第４の各実施の形態におい
て、第１の励磁コイル３２，６１，１２２及び第２の励
磁コイル３３，６２，１２７の位置を入れ換えてもよ
い。 （５） 各実施の形態では、スプール１８あるいはポペ
ット９９，１０２の変位方向の一方に第１の励磁コイル
３２，６１，１２２及び第２の励磁コイル３３，６２，
１２７を設けたが、スプール１８あるいはポペット９
９，１０２の変位方向の一方に第１の励磁コイルを設
け、他方に第２の励磁コイルを設けた電磁比例制御弁に
て実施してもよい。

【０１０２】（６） 第４の実施の形態では、第１の励
磁コイル部１２０と第２の励磁コイル部１２５とを可動
鉄心２３の中心軸線に対して１８０°の角度間隔で配設
したが、１８０°以外の角度間隔、例えば、９０°の角
度間隔で配設してもよい。この角度間隔を電磁比例制御
弁２を使用する様態に合わせて設定することにより、各
ポートへのマニホールドの接続を容易にしたり、電磁比
例制御弁２の設置を容易にすることができる。

【０１０３】（７） 各実施の形態における電磁比例制
御弁は、３ポート弁に限らず、４ポート弁としてもよ
い。 （８） 第１、第２及び第４の各実施の形態における電
磁比例制御弁を、スプール弁に限らず、スライド弁とし
てもよい。

【０１０４】（９） 上記各実施の形態では、電磁比例
制御弁２を流量制御弁として構成し、この電磁比例制御
弁２を用いて負荷Ｌに供給するエアの圧力を制御する圧
力制御装置に実施した。これを電磁比例制御弁２を圧力
比例制御弁として構成し、負荷Ｌに供給する圧力を制御
することもできる。即ち、電磁比例制御弁２の出力ポー
ト１４をポート２１に連通して実圧力ＰO をスプール１
８の左端に加わるように帰還させ、第１及び第２の励磁
コイルの駆動力に対して、圧縮コイルばね２０の付勢力
と実圧力ＰO による推力とを合わせた総推力が対向して
スプール１８を駆動し、駆動力と総推力とが均衡する状
態でスプール１８が閉止位置に配置されるように構成す
る。その結果、電磁比例制御弁２自体で、可動鉄心２３
に作用する駆動力、即ち、両励磁コイル３２，３３に供
給される総励磁電流に応じて実圧力ＰO が制御される。
即ち、第１の励磁コイル３２又は第２の励磁コイル３３
のいずれか一方、又は、両方に、実圧力ＰO を設定する
ための励磁電流を供給すると、圧力比例制御弁が実圧力
ＰO を励磁電流に応じて制御する。この圧力比例制御弁
を２個用いて、図９に示すように、エアシリンダ等のピ
ストン位置制御を行う空圧制御装置１３０を構成するこ
ともできる。

【０１０５】この空圧制御装置１３０では、エアシリン
ダ１３１のヘッド側ピストン室に第１の圧力比例制御弁
１３２を接続し、同じくロッド側ピストン室に第２の圧
力比例制御弁１３３を接続する。第１の圧力比例制御弁
１３２には第１の実施の形態と同じ構成の第１の電磁弁
駆動装置１３４を接続し、第２の圧力比例制御弁１３３
にも同じ構成の第２の電磁弁駆動装置１３５を接続す
る。

【０１０６】第１の電磁弁駆動装置１３４の第１の駆動
部からは、ヘッド側ピストン室の圧力を供給されるエア
の圧力の半分の圧力に設定するためのバイアス圧力電流
を第１の圧力比例制御弁１３２の第１の励磁コイルに出
力する。又、第２の電磁比例制御弁１３５の第１の駆動
部からは、ロッド側ピストン室の圧力を供給されるエア
の圧力の半分の圧力に設定するためのバイアス圧力電流
を第２の圧力比例制御弁１３３の第１の励磁コイルに出
力する。この結果、ピストン１３６は均衡する圧力によ
り、所定位置に配置される。

【０１０７】一方、エアシリンダ１３１のピストン位置
をピストン位置検出器１３７にて検出し、検出値をピス
トン位置信号ＶPKとして偏差増幅器６に出力する。又、
制御信号発生装置８にて、目標ピストン位置に対応する
目標ピストン位置信号ＶPPを偏差増幅器６に出力する。
演算増幅器は目標ピストン位置信号ＶPPとピストン位置
信号ＶPKとの偏差を増幅し、制御偏差信号ΔＶとして各
電磁弁駆動装置１３４，１３５の各第２の駆動部に出力
する。第１の電磁弁駆動装置１３４は、制御偏差信号Δ
Ｖに対応する第１の圧力設定電流ＩP1を第１の圧力比例
制御弁１３２の第２の励磁コイルに出力する。同時に、
第２の電磁弁駆動装置１３５は、制御偏差信号ΔＶに対
応する第２の圧力設定電流ＩP2を第２の圧力比例制御弁
１３３の第２の励磁コイルに出力する。この第１の圧力
設定電流ＩP1と第２の圧力設定電流ＩP2は同じ大きさで
ある。但し、第２の圧力比例制御弁１３３の第２の励磁
コイルは第１の圧力比例制御弁１３２の第２の励磁コイ
ルとは逆の極性に励磁されるように、第２の電磁弁駆動
装置１３５の出力端に対して第２の圧力比例制御弁１３
３の第２の励磁コイルを接続する。

【０１０８】第１の圧力比例制御弁１３２は、第２の励
磁コイルに正の第１の圧力設定電流ＩP1が供給される
と、実圧力ＰO を第１の圧力設定電流ＩP1の分だけ増大
させる。このとき、第２の圧力比例制御弁１３３では、
第２の励磁コイルに負の第２の圧力設定電流ＩP2が供給
されることになるため、実圧力ＰO を第２の圧力設定電
流ＩP2の分だけ減少させる。この結果、ピストン１３６
には差圧が作用するため、ピストン１３６はロッド側に
駆動される。そして、制御偏差信号ΔＶが０になるよう
に制御されるため、ピストン１３６が目標ピストン位置
に制御される。

【０１０９】このとき、各電磁弁駆動装置１３４，１３
５の各第１の駆動部が出力するバイアス圧力電流の周波
数をディザーを生成する周波数に設定することにより、
各圧力比例制御弁１３２，１３３の各スプール１８に対
して変位位置によらず一定振幅となるディザーを与える
ことができる。その結果、各スプール１８を高精度に制
御することにより実圧力ＰO を高精度に制御することが
できるため、ピストン位置を高精度に制御することがで
きる。

【０１１０】尚、各圧力比例制御弁１３２，１３３をポ
ペット弁とした場合には、第１の圧力設定電流ＩP1及び
第２の圧力設定電流ＩP2の周波数をディザーを生成する
周波数に設定することにより、各閉止位置から変位した
状態の各ポペットにディザーを与えることができる。

【０１１１】（１０） （９）と同様に、電磁比例制御
弁を圧力比例制御弁として構成し、図１０に示すような
エアシリンダの推力制御装置１４０を構成することもで
きる。この推力制御装置１４０では、エアシリンダ１３
１のヘッド側ピストン室に圧力比例制御弁１４１を接続
し、同じくロッド側ピストン室に減圧弁１４２を接続す
る。圧力比例制御弁１４１には、図１１に示す構成の電
磁弁駆動装置１４３を接続する。電磁弁駆動装置１４３
は、バイアス圧力を制御する第１の駆動部１４４と、バ
イアス圧力に対する差圧を制御する第２の駆動部１４５
とから構成される。

【０１１２】エアシリンダ１３１のロッド側ピストン室
の圧力を圧力検出器１４６にて検出し、その検出値をバ
イアス圧設定信号ＶBPとして第１の駆動部１４４に出力
する。このバイアス圧設定信号ＶBPに基づき、第１の駆
動部１４４は圧力比例制御弁１４１の第１の励磁コイル
１４７にバイアス圧力電流ＩBPを供給する。このバイア
ス圧力電流ＩBPにより、圧力比例制御弁１４１はヘッド
側ピストン室の圧力をロッド側ピストン室の圧力に均衡
するバイアス圧力に制御する。その結果、ピストン１３
６は静止した状態に制御される。

【０１１３】ピストン１３６を駆動するには、制御信号
発生装置８から第２の駆動部１４５に差圧設定信号ＶDP
を出力する。第２の駆動部１４５は差圧設定信号ＶDPに
基づき、差圧生成電流ＩDPを第２の励磁コイル１４８に
出力する。この差圧生成電流ＶDPにより、圧力比例制御
弁１４１はヘッド側ピストン室の圧力を増減する。その
結果、ピストン１３６には差圧が作用するため、ヘッド
側又はロッド側に駆動される。

【０１１４】ピストン１３６がロッド側に変位すると、
ロッド側ピストン室のエアが圧縮されてその圧力が増大
する。すると、バイアス圧設定信号ＶBPが増大するた
め、圧力比例制御弁１４１が設定するヘッド側ピストン
室のバイアス圧力も増大する。反対に、ピストン１３６
がヘッド側に変位してロッド側ピストン室の圧力が減少
すると、バイアス設定信号ＶBPが低下して圧力比例制御
弁１４１が設定するヘッド側ピストン室のバイアス圧力
が低下する。即ち、ピストンが駆動されることにより、
ロッド側ピストン室の圧力が変化しても、その圧力に応
じたバイアス圧設定信号ＶBPに基づいてヘッド側ピスト
ン室のバイアス圧力がロッド側ピストン室の圧力に均衡
するように制御される。このため、減圧弁１４２にて制
御されるヘッド側ピストン室の圧力が不安定であって
も、ピストン１３６には常に差圧設定信号ＶDPにて設定
される差圧が高い精度で印加される。従って、ピストン
を常に一定の推力で駆動することができるため、高い精
度の推力制御を行うことができる。尚、この推力制御装
置１４０によれば、ピストン１３６の駆動方向を切り換
えるための方向切換弁を廃止することができる。

【０１１５】この推力制御装置１４０においても、第１
の駆動部１４４のバイアス圧力電流ＩBPの周波数をディ
ザーを生成する周波数に設定することにより、圧力比例
制御弁１４１のスプールに対してディザーを与えること
ができる。この場合、バイアス圧力電流ＩBPの変動幅は
比較的小さくなるため、バイアス圧力電流ＩBPにてスプ
ールに与えられるディザーの振幅の変動幅は小さくな
る。従って、変位位置に拘らずほぼ一定振幅のディザー
をスプールに与えることができる。その結果、スプール
を高精度に制御することによりヘッド側ピストン室の総
圧力を高精度に制御することができるため、ピストンの
推力を高精度に制御することができる。

【０１１６】尚、圧力比例制御弁１４１をポペット弁と
した場合には、第２の駆動部１４５が生成する差圧生成
電流ＩDPの周波数をディザーを生成する周波数に設定す
ることにより、各閉止位置から変位した状態の各ポペッ
トにディザーを与えることができる。

【０１１７】前記実施の形態から把握できる請求項以外
の技術的思想について、以下にその効果とともに記載す
る。 （１） 請求項１に記載の電磁比例制御弁の制御方法に
おいて、弁体駆動電流ＩD1，ＩD2をパルス電流とする。
この構成によれば、第１の励磁コイルを励磁するパルス
励磁電流ＩB ，ＩDTを生成する回路と同一の回路構成で
弁体駆動電流ＩD1，ＩD2を生成することができる。従っ
て、弁体駆動電流ＩD1，ＩD2の周波数を変更することに
より、弁体駆動電流ＩD1，ＩD2にて弁体１８にディザー
を与えるように容易に変更することができる。

【０１１８】（２） 請求項４に記載の電磁比例制御弁
において、各励磁コイル１２２，１２７を可動鉄心２３
を挟んで互いに対向する側方に設ける。この構成によれ
ば、第１の励磁コイル１２２及び第２の励磁コイル１２
７が可動鉄心２３の両側に配設されるため、電磁比例制
御弁を偏平化することができる。

【０１１９】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１又は請求
項２に記載の発明によれば、弁体に与えるディザーを弁
体の変位位置に応じて好適に制御することができる。

【０１２０】請求項１に記載の発明によれば、弁体の変
位位置に拘らず一定振幅のディザーを弁体に与えること
ができる。請求項２に記載の発明によれば、弁体が閉止
位置にあるときは弁体にディザーを与えないようにする
ことができる。従って、弁体としてポペットを用いる場
合には、閉止位置におけるポペットの弁座への衝突を防
止して、ポペット及び弁座の損傷を防止することができ
るため、弁機能の早期劣化を防止することができる。

【０１２１】請求項３に記載の発明によれば、構造を複
雑化することなく、弁体をバイアスする励磁電流と、弁
体を目標変位位置に駆動させる駆動電流とで、弁体を独
立して制御することができる。従って、弁体の変位位置
に拘らず一定振幅のディザーを与えることができるた
め、弁体の変位位置に拘らずディザー効果の高いディザ
ーを得ることができる。又、弁体を閉止位置にバイアス
する励磁電流と、弁体を閉止位置から目標変位位置に駆
動させる駆動電流とで、弁体を独立して制御することが
できる。従って、弁体が閉止位置にあるときにはディザ
ーを停止することができるため、閉止位置にある弁体の
損傷を防止することができる。

【０１２２】請求項４に記載の発明によれば、励磁コイ
ルを小型化することができるため、弁体に対する駆動力
を維持しながらインピーダンスを低減して応答性を向上
することができる。さらに、励磁コイルを可動鉄心の側
方に配置することができるため、偏平化を図ることがで
きる。又、銅線の使用量を減らすことができるため、材
料コストを低減するとともに軽量化を図ることができ
る。さらに、難加工性ではあるが磁気特性に優れた磁性
材を用いることができるため、小型化を図ったり、応答
性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施の形態の電磁比例制御弁の断面
図。

【図２】 圧力制御装置のブロック図。

【図３】 電磁弁駆動装置のブロック図。

【図４】 第２の実施の形態の電磁比例制御弁の断面
図。

【図５】 電磁弁駆動装置のブロック図。

【図６】 第３の実施の形態の電磁比例制御弁の断面
図。

【図７】 第４の実施の形態の電磁比例制御弁の側断面
図。

【図８】 同じく正面側断面図。

【図９】 別例の圧力比例制御弁を用いたピストン位置
装置のブロック図。

【図１０】 同じく推力制御装置のブロック図。

【図１１】 電磁弁駆動装置のブロック図。

【図１２】 従来例の電磁比例制御弁の断面図。

【符号の説明】

１８…弁体としてのスプール、２３…可動鉄心、３２…
第１の励磁コイル、３３…第２の励磁コイル、６１…第
１の励磁コイル、６２…第２の励磁コイル、９９，１０
２…弁体としてのポペット、１１７…弁体としてのスプ
ール、１２２…第１の励磁コイル、１２７…第２の励磁
コイル、ＩB …パルス励磁電流としてのバイアス励磁電
流、ＩD1，ＩD2…弁体駆動電流としてのスプール駆動電
流、ＩD3…パルス駆動電流としてのポペット駆動電流、
ＩDT…パルス励磁電流としてのディザー電流。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弁体（１８）を変位させる可動鉄心（２
   ３）を駆動する励磁コイルに目標変位位置に対応する励
   磁電流を供給して、弁体（１８）を目標変位位置に変位
   させるようにした電磁比例制御弁の制御方法において、 予め周波数及びパルス幅が設定されたパルス励磁電流
   （ＩB ，ＩDT）にて励磁される第１の励磁コイル（３
   ２，６１）により弁体（１８）にディザーを与え、 前記第１の励磁コイル（３２，６１）とは独立して設け
   られ、目標変位位置に基づいて大きさが制御される弁体
   駆動電流（ＩD1，ＩD2）にて励磁される第２の励磁コイ
   ル（３３，６２）により弁体（１８）を目標変位位置に
   変位させるようにした電磁比例制御弁の制御方法。
2. 【請求項２】 弁体（９９，１０２）を変位させる可動
   鉄心（２３）を駆動する励磁コイルに目標変位位置に対
   応する励磁電流を供給して、弁体（９９，１０２）を閉
   止位置にバイアスするとともに、閉止位置から双方向に
   駆動して目標変位位置に変位させるようにした電磁比例
   制御弁の制御方法において、 予め大きさが設定されたバイアス励磁電流（ＩB ）にて
   励磁される第１の励磁コイル（３２）により弁体（９
   ９，１０２）を閉止位置にバイアスし、 前記第１の励磁コイル（３２）とは独立して設けられ、
   目標変位位置に応じてパルス変調されるパルス駆動電流
   （ＩD3）にて励磁される第２の励磁コイル（３３）によ
   り弁体（９９，１０２）を閉止位置から目標変位位置に
   変位させるとともに、弁体（９９，１０２）にディザー
   を与えるようにした電磁比例制御弁の制御方法。
3. 【請求項３】 目標変位位置に対応する励磁電流（ＩB
   ，ＩDT，ＩD1，ＩD2，ＩD3）にて励磁され、弁体（１
   ８，９９，１０２，１１７）を変位させる可動鉄心（２
   ３）を駆動する励磁コイルを備えた電磁比例制御弁にお
   いて、 前記励磁コイルを第１の励磁コイル（３２，６１，１２
   ２）及び第２の励磁コイル（３３，６２，１２７）にて
   構成し、この各励磁コイルを弁体（１８，９９，１０
   ２，１１７）の変位方向の一方の側に設けた電磁比例制
   御弁。
4. 【請求項４】 第１の励磁コイル（３２，６１，１２
   ２）及び第２の励磁コイル（３３，６２，１２７）は、
   各励磁コイルにて駆動される可動鉄心（２３）の側方に
   並設されるものである請求項３に記載の電磁比例制御
   弁。