JPH09148491A - Power semiconductor substrate, and its manufacture - Google Patents
Power semiconductor substrate, and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH09148491A JPH09148491A JP4884696A JP4884696A JPH09148491A JP H09148491 A JPH09148491 A JP H09148491A JP 4884696 A JP4884696 A JP 4884696A JP 4884696 A JP4884696 A JP 4884696A JP H09148491 A JPH09148491 A JP H09148491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor substrate
- plate
- composite plate
- molybdenum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主に、出力用とし
使用される電力半導体等のパワー半導体を実装するのに
用いられるパワー半導体基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention mainly relates to a power semiconductor substrate used for mounting a power semiconductor such as a power semiconductor used for output.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体分野では、小型・高性能化が急速
に進んでおり、これに伴い半導体は多種多様な製品、機
器に広く使用されている。特に熱を発生するＭＯＳＦＥ
Ｔ、ＩＧＢＴ等を含むパワー半導体は家電製品から産業
用機器に至るまで幅広く用いられている。2. Description of the Related Art In the field of semiconductors, miniaturization and high performance are rapidly progressing, and accordingly, semiconductors are widely used in various products and devices. MOSFE which especially generates heat
Power semiconductors including T, IGBT, etc. are widely used from home appliances to industrial equipment.
【０００３】従来、これらパワー半導体を実装するパワ
ー半導体基板として、熱伝導率および電気伝導性に優れ
た銅と、電気絶縁性に優れたセラミックスを接合した高
熱伝導性基板が開発され、パワー半導体基板として実用
化されている。Conventionally, as a power semiconductor substrate on which these power semiconductors are mounted, a high thermal conductivity substrate has been developed in which copper having excellent thermal conductivity and electrical conductivity and ceramics having excellent electrical insulation are joined. Has been put into practical use.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この基板の適
用範囲を拡大するには、より性能を向上させた基板が必
要となる。すなわち、この構成を有する基板では、銅と
セラミックスの大きな熱膨張係数の差に起因して、実使
用範囲を大幅に越える温度差を加えると、セラミックス
に大きな応力が発生し、より厳しい温度差を繰り返し与
えると、基板自体に剥離、或いは、クラックか発生して
しまう場合がある。また、見掛上、クラック等が発生し
ていないように見える場合にも、より厳しい環境下で使
用すると、ある寿命でクラック等が発生するため、この
寿命を加味した製品設計を余儀なくされている。However, in order to expand the range of application of this substrate, a substrate with improved performance is required. That is, in the substrate having this structure, if a temperature difference that greatly exceeds the actual use range is applied due to the large difference in thermal expansion coefficient between copper and ceramics, a large stress is generated in the ceramics, and a more severe temperature difference occurs. Repeated application may cause peeling or cracks on the substrate itself. In addition, even if it seems that no cracks have appeared, if used in a more severe environment, cracks will occur at a certain life, so product design that considers this life is obligatory. .
【０００５】一方、銅とモリブデンを複合化した複合材
を使用することによって、上記した応力差を緩和するこ
とが、例えば、特開平２−３４５７７号公報等によって
提案されている。このように、パワー半導体基板を構成
する銅とセラミックスとの間に、モリブデンを挟んだ場
合、半導体チップ等を搭載するために、通常使用されて
いるセラミックス絶縁基板との接合関係を考慮する必要
があるが、これらセラミックス絶縁基板と複合材との接
合関係については、検討されていない。On the other hand, it has been proposed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-34577 to alleviate the above stress difference by using a composite material in which copper and molybdenum are composited. As described above, when molybdenum is sandwiched between the copper and the ceramics that form the power semiconductor substrate, it is necessary to consider the bonding relationship with the ceramic insulating substrate that is normally used for mounting a semiconductor chip or the like. However, the bonding relationship between these ceramics insulating substrates and composite materials has not been studied.
【０００６】また、このように、銅、モリブデン等の板
材を積層したパワー半導体基板は、これら板材に、貫通
孔等のパターン加工を施すことにより、パワー半導体実
装に必要なパターンを基板自体に形成できるという利点
を有している。Further, in the power semiconductor substrate in which plate materials such as copper and molybdenum are laminated in this way, a pattern necessary for mounting a power semiconductor is formed on the board itself by subjecting these plate materials to pattern processing such as through holes. It has the advantage that it can.
【０００７】しかしながら、互いに材質の全く異なる板
材の接合体に貫通孔を含むパターン加工を行うには、接
合体自体を打抜き加工するか、或いは、エッチング加工
する必要がある。However, in order to perform pattern processing including a through hole in a bonded body of plate materials made of completely different materials, it is necessary to punch the bonded body itself or perform etching processing.
【０００８】しかしながら、材質の異なる板材からなる
接合材の打抜き加工、或いは、エッチング加工は、加工
精度等の面で問題点が多く、未だ、最適な加工について
は指摘されていないのが実情である。However, the punching process or the etching process of the bonding materials made of different plate materials have many problems in terms of processing accuracy and the like, and the actual processing has not been pointed out yet. .
【０００９】更に、パターニング加工したものをセラミ
ックスと精度良く接合することも、実用上非常に困難で
ある。他方、実装精度の向上が見込まれるセラミックス
基板との接合後、複合材をパターニングすることは、表
面寸法のみならず、実用上許されるパターニング精度は
得られないのが現状である。Further, it is very difficult in practice to accurately bond the patterned product to the ceramics. On the other hand, when the composite material is patterned after bonding with a ceramic substrate, which is expected to improve the mounting accuracy, not only the surface dimensions but also the patterning accuracy that is practically acceptable cannot be obtained under the present circumstances.
【００１０】そこで、本発明の第１の技術的課題は、熱
を発生する、例えば、パワー半導体を搭載した場合に
も、クラックの発生を防止できると共に、剥離等を防止
できるパワー半導体基板を提供することである。Therefore, a first technical object of the present invention is to provide a power semiconductor substrate which can generate cracks and prevent peeling even when a power semiconductor is mounted, for example. It is to be.
【００１１】本発明の第２の技術的課題は、半導体実装
のための表面加工が容易であるパワー半導体基板を提供
することである。A second technical object of the present invention is to provide a power semiconductor substrate which is easily surface-processed for semiconductor mounting.
【００１２】本発明の第３の技術的課題は、銅とモリブ
デンを含む複合材を高精度でパターニングできるパワー
半導体基板の製造方法を提供することである。A third technical object of the present invention is to provide a method of manufacturing a power semiconductor substrate capable of patterning a composite material containing copper and molybdenum with high accuracy.
【００１３】本発明の第４の技術的課題は、モリブデン
板を２枚の銅板によって挟んだ複合材を高精度でエッチ
ングできるパワー半導体基板の製造方法を提供すること
である。A fourth technical object of the present invention is to provide a method of manufacturing a power semiconductor substrate capable of highly accurately etching a composite material in which a molybdenum plate is sandwiched between two copper plates.
【００１４】本発明の第５の目的は、モリブデン粉末と
銅粉末を混合、焼結、圧延加工することによって形成さ
れた複合材をセラミックスに対して高精度で接合できる
と共に、当該複合材を高精度でパターニングできるパワ
ー半導体基板の製造方法を提供することである。A fifth object of the present invention is that a composite material formed by mixing, sintering and rolling molybdenum powder and copper powder can be joined to ceramics with high accuracy, and the composite material An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a power semiconductor substrate that can be patterned with high precision.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、パワー
半導体を実装するのに用いられるパワー半導体基板にお
いて、絶縁板と、前記絶縁板の表裏面に接合され、当該
絶縁板に比較して放熱性の高い第１及び第２の高放熱複
合板材とを備え、前記第１及び第２の高放熱複合板材
は、銅とモリブデンの粉末を混合・焼結及び圧延するこ
とによって、形成されており、前記第１及び第２の高放
熱複合板材の内の少なくとも一方は、パターン加工され
ていることを特徴とするパワー半導体基板が得られる。According to the present invention, in a power semiconductor substrate used for mounting a power semiconductor, an insulating plate and a front surface and a back surface of the insulating plate are bonded to each other. The first and second high heat dissipation composite plate materials having high heat dissipation properties are provided, and the first and second high heat dissipation composite plate materials are formed by mixing, sintering and rolling powders of copper and molybdenum. At least one of the first and second high heat dissipation composite plate materials is patterned to obtain a power semiconductor substrate.
【００１６】本発明によれば、パワー半導体を実装する
のに用いられるパワー半導体基板において、絶縁板と、
前記絶縁板の表裏面に接合され、当該絶縁板に比較して
放熱性の高い第１及び第２の複合板材とを備え、前記第
１及び第２の複合板材は、前記絶縁板に対して互いに異
なる接合面積を有すると共に、互いに異なる熱膨張係数
を有しているパワー半導体基板が得られる。According to the present invention, in a power semiconductor substrate used for mounting a power semiconductor, an insulating plate,
The first and second composite plate members that are joined to the front and back surfaces of the insulating plate and have a higher heat dissipation property than the insulating plate, the first and second composite plate members being with respect to the insulating plate. A power semiconductor substrate having different bonding areas and different thermal expansion coefficients can be obtained.
【００１７】本発明では、絶縁基板と、該絶縁基板上に
接合された銅及びモリブデンを含む複合材とを備え、前
記複合材は、パターニングを施されているパワー半導体
基板が得られる。この場合、複合材は、モリブデンを２
枚の銅板によって挟んだ構造を有する複層複合体であっ
ても良いし、また、モリブデン粉末と銅粉末とを混合、
焼成、及び圧延加工することによって形成された単層複
合板であっても良い。In the present invention, a power semiconductor substrate including an insulating substrate and a composite material containing copper and molybdenum bonded on the insulating substrate, wherein the composite material is patterned, can be obtained. In this case, the composite material contains 2 molybdenum.
It may be a multi-layer composite having a structure sandwiched by a copper plate, or may be a mixture of molybdenum powder and copper powder,
It may be a single-layer composite plate formed by firing and rolling.
【００１８】更に、本発明によれば、塩化第二鉄溶液、
或いは、塩化第二銅溶液、及び、フェリシアン化カリウ
ムと水酸化ナトリウム溶液の混合液をエッチング液とし
て用い、上記した複合板をエッチングすることをパワー
半導体基板の製造方法が得られる。この場合、エッチン
グ液は、噴射吐出圧力を加えて複合材をエッチングする
ことにより、エッチングを効率的に、且つ、制御性高く
行うことができる。Further according to the invention, a ferric chloride solution,
Alternatively, a method of manufacturing a power semiconductor substrate can be obtained by etching the above composite plate using a cupric chloride solution and a mixed solution of potassium ferricyanide and sodium hydroxide as an etching solution. In this case, the etching liquid is applied with a jetting pressure to etch the composite material, whereby the etching can be performed efficiently and with high controllability.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】図１は本発明の実施の一形態に係るパワー
半導体基板を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a power semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
【００２１】［実施の形態１］図１を参照すると、図示
されたパワー半導体基板１０は、パターン加工された銅
−モリブデンからなる第１の高放熱性複合板材（以下、
単に、単層複合板材と呼ぶ）１と、パターン加工されて
いない銅−モリブデンからなる第２の単層複合板材３
と、第１及び第２の単層複合板材１及び３の間に挟まれ
た絶縁板２によって構成されている。[First Embodiment] Referring to FIG. 1, a power semiconductor substrate 10 shown in FIG. 1 is a first high heat dissipation composite plate material (hereinafter
1) and a second single-layer composite plate 3 made of unpatterned copper-molybdenum.
And an insulating plate 2 sandwiched between the first and second single-layer composite plate materials 1 and 3.
【００２２】図示されているように、第１の単層複合板
材１には、パワー半導体実装用の貫通孔１ａを複数設け
るようなパターン加工が施されている。ここで、第１及
び第２の単層複合板材１及び３としては、東京タングス
テン株式会社製の登録商標名ＴＴ−ＲＣＭを使用するこ
とができる。As shown in the figure, the first single-layer composite plate material 1 is patterned so as to provide a plurality of through holes 1a for mounting power semiconductors. Here, as the first and second single-layer composite plate materials 1 and 3, registered trademark name TT-RCM manufactured by Tokyo Tungsten Co., Ltd. can be used.
【００２３】本発明の実施の一形態で使用された上記し
た単層複合板材１及び３は、それぞれ高放熱性、且つ、
加工性に優れた組成を有している。また、単層複合板材
１及び３の組成比を制御することにより、熱伝導率、熱
膨張率、或いは、電気伝導率を容易に制御できる。The above-mentioned single-layer composite plate materials 1 and 3 used in the embodiment of the present invention have high heat dissipation properties and
It has a composition with excellent workability. Moreover, by controlling the composition ratio of the single-layer composite plate materials 1 and 3, the thermal conductivity, the thermal expansion coefficient, or the electrical conductivity can be easily controlled.
【００２４】以下、第１及び第２の単層複合板材１、３
の製法について説明する。Hereinafter, the first and second single-layer composite plate materials 1, 3
The production method will be described.
【００２５】これら単層複合板材は、電解銅粉及び金属
モリブデン粉を後述する組成比で混合し、十分混ぜ合わ
せた後、焼結工程を経た後、圧延加工を施し、完全緻密
化することによって得られる。These single-layer composite plate materials are obtained by mixing electrolytic copper powder and metallic molybdenum powder in the composition ratio described below, thoroughly mixing them, and after a sintering step, rolling processing is performed to complete densification. can get.
【００２６】この単層複合板材１及び３（ＴＴ−ＲＣ
Ｍ）の熱伝導率κは、およそ２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であ
り、熱膨張係数αを、銅・モリブデン組成比の制御によ
りコントロールできた。また、上記した製法により、３
ｍｍの厚さまでの単層複合板材を製造できた。The single-layer composite plate materials 1 and 3 (TT-RC
The thermal conductivity κ of M) was about 200 W / m · K or more, and the thermal expansion coefficient α could be controlled by controlling the copper / molybdenum composition ratio. Further, according to the above-mentioned manufacturing method, 3
It was possible to manufacture a single-layer composite plate material up to a thickness of mm.
【００２７】更に、厚さ０．３ｍｍ以下の単層複合板材
は、銅、モリブデンを混合した後、例えばメチルセルロ
ール及びダイナマイトグリセリンの系等のバインダによ
る押出しにより得たグリーンシートを焼結した後、圧延
することによって製造することができた。この場合、モ
リブデンに対して銅を３０ｗｔ％以上混合することがで
き、結果として、熱膨張係数を７．７×１０-6／℃以上
に制御された単層複合板材を得ることができ、熱伝導率
κは１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であった。Further, a single-layer composite plate material having a thickness of 0.3 mm or less is obtained by mixing copper and molybdenum and then sintering a green sheet obtained by extrusion with a binder such as a system of methyl cellulose and dynamite glycerin. , Could be manufactured by rolling. In this case, 30 wt% or more of copper can be mixed with molybdenum, and as a result, a single-layer composite plate material having a thermal expansion coefficient controlled to 7.7 × 10 −6 / ° C. or more can be obtained. The conductivity κ was 180 W / m · K or more.
【００２８】一方、厚さ０．３ｍｍを越える粉末混合・
焼結・圧延によるなる複合板材は、モリブデンに対して
銅３２ｗｔ％以上混合することによって得られた。例え
ば、銅４０ｗｔ％を含有する単層複合板材では、熱伝導
率２３７Ｗ／ｍ・Ｋで、且つ、熱膨張係数８．７×１０
-6／℃であった。On the other hand, powder mixing exceeding 0.3 mm in thickness
The composite plate material obtained by sintering and rolling was obtained by mixing 32 wt% or more of copper with respect to molybdenum. For example, a single-layer composite plate material containing 40 wt% of copper has a thermal conductivity of 237 W / m · K and a thermal expansion coefficient of 8.7 × 10.
It was -6 / ° C.
【００２９】同様にして作った銅５０ｗｔ／％、６０ｗ
ｔ％、及び８０ｗｔ％の複合板材の熱伝導率Ｋは、それ
ぞれ２５３Ｗ／ｍ・Ｋ、２７２Ｗ／ｍ・Ｋ、及び３３８
Ｗ／ｍ・Ｋであり、他方、熱膨張係数αは、それぞれ１
１．０×１０-6／℃、１２．３×１０-6／℃、及び１
５．９×１０-6／℃であった。Copper 50 wt /%, 60 w made in the same manner
The thermal conductivity K of the composite plate materials of t% and 80 wt% is 253 W / m · K, 272 W / m · K, and 338, respectively.
W / m · K, while the coefficient of thermal expansion α is 1
1.0 × 10 -6 /℃,12.3×10 -6 / ℃ , and 1
It was 5.9 × 10 −6 / ° C.
【００３０】上記した複合板材によって挟まれる絶縁板
の材料としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、或いは、炭化硅素（ＳｉＣ）を使用
できるが、コストの面を考慮すれば、アルミナが好まし
いが、放熱性の面では、窒化アルミニウムで充分であ
る。Alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), or silicon carbide (SiC) can be used as the material of the insulating plate sandwiched by the above-mentioned composite plate materials, but considering the cost, Alumina is preferable, but aluminum nitride is sufficient in terms of heat dissipation.
【００３１】アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、炭化硅素（ＳｉＣ）の特性は以下の通り
である。The characteristics of alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and silicon carbide (SiC) are as follows.
【００３２】 Ａｌ２Ｏ３ ＡｌＮ ＳｉＣ κ（Ｗ／ｍ・Ｋ） ２０ １７０ ２４０ α（×１０-6／℃ ７．２ ４．５ ４．０ Ｄ（ｋＶ／ｍｍ） １０〜１５ １７〜１８ ２６〜２７ ρ（ｇ／ｃｍ３） ３．９ ３．３ ３．２ 接合については、特に、ＡｌＮがろう材に対する濡れ性
において劣るため、銀ろうでＡｌＮを接合することは、
信頼性の面から充分でなく、チタンまたはジルコニウム
等の活性金属若しくは活性金属を含んだろう材による接
合が望ましい。Al 2 O 3 AlN SiC κ (W / m · K) 20 170 240 α (× 10 -6 / ° C. 7.2 4.5 4.0 D (kV / mm) 10-15 17-18 26 ˜27 ρ (g / cm 3 ) 3.9 3.3 3.2 With respect to the joining, especially, since AlN is inferior in wettability to a brazing material, joining AlN with silver brazing is
In terms of reliability, it is not sufficient, and joining with an active metal such as titanium or zirconium or a brazing material containing an active metal is desirable.
【００３３】また、ＡｌＮに金属部材、この例では、複
合部材を接合する場合、ＣＶＤ（化学気相蒸着）によ
り、ＡｌＮ上にタングステンを成膜しておいても良い。
この場合、ＷＦ６ガスをＨ２キャリアガスを用いて導入
し、３００〜５００℃の温度でＣＶＤを行うのが望まし
い。このようにして得られたタングステン膜は緻密で、
密着性も良く、若干の表面研磨等の通常の手法を適用す
ることにより、複合板材の接合を容易にすることが確認
された。When joining a metal member to AlN, which is a composite member in this example, a tungsten film may be formed on AlN by CVD (chemical vapor deposition).
In this case, it is desirable to introduce WF 6 gas using H 2 carrier gas and perform CVD at a temperature of 300 to 500 ° C. The tungsten film thus obtained is dense,
It has been confirmed that the adhesiveness is good, and the bonding of the composite plate materials is facilitated by applying a normal method such as slight surface polishing.
【００３４】次に、複合板材を絶縁板に張り付けること
により、最終的に、パワー半導体基板１０を構成する。
この場合、パワー半導体基板１０の片面には、図１に示
すように、パターン加工が施され、パワー半導体を実装
するための実装用貫通孔１ａが設けられている。ここ
で、貫通孔１ａは第１の複合板材１に形成されており、
この貫通孔１ａの形状は、スリット形状、半円形状、或
いは、それらの組み合わせた形状等、種々様々の形状を
有しているが、第１の単層複合部材１として、前述した
銅−モリブデンの組成を有するものを使用すれば、プレ
ス加工或いはエッチング加工により、容易に、所望の形
状を有する貫通孔１ａを形成できる。ダレ、反り等の信
頼性の点からはエッチングが望ましい。Next, the power semiconductor substrate 10 is finally formed by sticking the composite plate material to the insulating plate.
In this case, as shown in FIG. 1, one surface of the power semiconductor substrate 10 is subjected to patterning, and a mounting through hole 1a for mounting the power semiconductor is provided. Here, the through hole 1a is formed in the first composite plate material 1,
The shape of the through hole 1a has various shapes such as a slit shape, a semicircular shape, or a combination thereof, but as the first single-layer composite member 1, the above-mentioned copper-molybdenum is used. If the material having the composition is used, the through hole 1a having a desired shape can be easily formed by pressing or etching. Etching is desirable from the viewpoint of reliability such as sagging and warpage.
【００３５】ここで、絶縁板の片側の面には、上記した
ように、貫通孔１ａを有する単層複合板材（第１の単層
複合板材）１が接合されるが、他方の面には、基板全体
の熱応力による変形等を緩衝するために、パターン加工
されない第２の単層複合板材３が貼り付けられている。Here, as described above, the single-layer composite plate material (first single-layer composite plate material) 1 having the through holes 1a is joined to one surface of the insulating plate, while the other surface is bonded to the other surface. In order to buffer the deformation of the entire substrate due to the thermal stress, the second single-layer composite plate material 3 which is not patterned is attached.
【００３６】したがって、絶縁板の表裏両面に接合され
た単層複合板材の接合面積が異なっている。このこと
は、第１の単層複合板材１の絶縁板２に対する接合面積
の面積比と、第２の単層複合部材３の絶縁板２に対する
接合面積の面積比とが互いに相違していることを意味し
ている。Therefore, the bonding areas of the single-layer composite plate materials bonded to both the front and back surfaces of the insulating plate are different. This means that the area ratio of the bonding area of the first single-layer composite plate material 1 to the insulating plate 2 and the area ratio of the bonding area of the second single-layer composite member 3 to the insulating plate 2 are different from each other. Means
【００３７】このような基板がパワー半導体を実装する
ために使用された場合、パワー半導体において発生する
熱が多くなると、表裏における単層複合板材の面積比の
異なる基板では、絶縁板２と第１及び第２の単層複合板
材１、３とがいかに強固に接合されていても、全体とし
て、変形するのを避けることができなくなってしまう。
また、時には、応力に耐えられず、絶縁板が割れたり、
或いは、第１或いは第２の単層複合板材１、３が剥離し
たり、割れたりすることも考えられる。When such a substrate is used to mount a power semiconductor, if the heat generated in the power semiconductor increases, the insulating plate 2 and the first plate are different from those of the insulating plate 2 in the substrates having different surface area ratios of the single-layer composite plate materials. However, no matter how strongly the second single-layer composite plate materials 1 and 3 are joined, it becomes impossible to avoid deformation as a whole.
Also, at times, it is not possible to withstand stress and the insulating plate may crack,
Alternatively, it is also conceivable that the first or second single-layer composite plate materials 1 and 3 are separated or cracked.
【００３８】本発明では、第１、第２の単層複合板材
１、３自体の熱膨張を制御して、張り合わせることがで
きるのが特徴である。The present invention is characterized in that the thermal expansions of the first and second single-layer composite plate materials 1 and 3 themselves can be controlled and bonded together.
【００３９】より具体的に言えば、図１の絶縁板２とし
て、熱膨張係数αが４．５（×１０-6／℃）であるＡｌ
Ｎを使用した場合、第１の単層複合板材１として、パワ
ー半導体のパワーを考慮して、６０ｗｔ％の銅を含む銅
／モリブデン複合板材を使用したものとする。この時の
第１の単層複合板材１の熱膨張係数αは１２．３（×１
０-6／℃）であり、接合面積比が片面全域の５０％とす
る。一方、第２の単層複合板材は残る片面の全域に接合
されるものとすれば、その残る板材の材質は、（１２．
３−４．５）×０．５＋４．５でおよそ８．４となるよ
うな熱膨張係数αを持てば、第１の単層複合板材１と絶
縁板２との間の熱膨張の差による応力を緩和することが
できる。More specifically, as the insulating plate 2 shown in FIG. 1, Al having a coefficient of thermal expansion α of 4.5 (× 10 −6 / ° C.)
When N is used, a copper / molybdenum composite plate material containing 60 wt% of copper is used as the first single-layer composite plate material 1 in consideration of the power of the power semiconductor. At this time, the thermal expansion coefficient α of the first single-layer composite plate material 1 is 12.3 (× 1
A 0 -6 / ℃), the bonding area ratio is 50% of one side throughout. On the other hand, assuming that the second single-layer composite plate material is bonded to the entire remaining one surface, the material of the remaining plate material is (12.
3-4.5) × 0.5 + 4.5, if the thermal expansion coefficient α is about 8.4, it depends on the difference in thermal expansion between the first single-layer composite plate material 1 and the insulating plate 2. The stress can be relieved.
【００４０】したがって、第２の単層複合板材３とし
て、３７ｗｔ％の銅を含む銅／モリブデン複合材を使用
すれば、上記した熱膨張係数αを実現することができ、
また、厚みも圧延により容易に制御できるため信頼性の
あるパワー半導体基板を構成することができる。Therefore, if the copper / molybdenum composite material containing 37 wt% of copper is used as the second single-layer composite plate material 3, the above-mentioned thermal expansion coefficient α can be realized.
In addition, since the thickness can be easily controlled by rolling, a reliable power semiconductor substrate can be constructed.
【００４１】一方、本発明の実施の一形態における銅／
モリブデン複合板材にＮｉあるいはＣｕ等をめっきして
耐食性向上やろう材ぬれ性向上を図る事も有効である。On the other hand, in the embodiment of the present invention, copper /
It is also effective to plate the molybdenum composite plate material with Ni or Cu to improve the corrosion resistance and the wettability of the brazing material.
【００４２】次に、本発明の実施の形態に係るパワー半
導体基板の製造方法をより具体的に説明する。Next, the method for manufacturing the power semiconductor substrate according to the embodiment of the present invention will be described more specifically.
【００４３】まず、放熱板を兼ねるＡｌＮ板からなる絶
縁板２を用意する。一方、銅／モリブデン粉末混合・焼
結・圧延工程を施して成る第２の単層複合板材３とし
て、銅４０ｗｔ％の厚さ０．７ｍｍの銅ーモリブデン複
合板（東京タングステン製ＴＴ−ＲＣＭ４０）を用意
し、且つ、第１の単層複合板材１として、銅を８０ｗｔ
％含み、且つ、厚さ０．７ｍｍの銅ーモリブデン複合板
（東京タングステン製ＴＴ−ＲＣＭ８０）を用意する。
この場合、第１の単層複合板材１は、その開口面積、即
ち、ＡｌＮとの接合面積比が３８％になるように、エッ
チングによりパターン加工された。上記した第１及び第
２の単層複合板材１、３により、絶縁板材２を表裏から
挟み三層構造となるようにした上、チタン５０μｍの箔
にて真空中で加熱処理して接合しパワー半導体基板１０
とした。得られたパワー半導体基板１０の接合部を１０
０倍の光学顕微鏡で観察した結果、空隙部がなく極めて
良好であった。First, an insulating plate 2 made of an AlN plate also serving as a heat dissipation plate is prepared. On the other hand, a copper-molybdenum composite plate (TT-RCM40 manufactured by Tokyo Tungsten) having a thickness of 0.7 mm and containing 40 wt% of copper is used as the second single-layer composite plate material 3 obtained by performing a copper / molybdenum powder mixing / sintering / rolling process. 80wt% of copper prepared and used as the first single-layer composite plate material 1
%, And a copper-molybdenum composite plate (TT-RCM80 manufactured by Tokyo Tungsten) having a thickness of 0.7 mm is prepared.
In this case, the first single-layer composite plate material 1 was patterned by etching so that the opening area, that is, the bonding area ratio with AlN was 38%. The insulating plate member 2 is sandwiched from the front and back by the above-mentioned first and second single-layer composite plate members 1 and 3 so as to have a three-layer structure, and is heat-treated in a vacuum with a foil of titanium 50 μm to bond the power. Semiconductor substrate 10
And The power semiconductor substrate 10 thus obtained is bonded to the joint portion 10
As a result of observing with an optical microscope of 0 times, there was no void and it was extremely good.
【００４４】又、実際にＰｂ−Ｓｎ系半田層を介して、
パワー半導体を実装したが、熱を良好に放出できると共
に、ＡｌＮ基板に変形、クラック発生のない高信頼パワ
ー半導体基板である事が判った。これは、ＴＴ−ＲＣＭ
８０の熱伝導率３３８Ｗ／ｍ・Ｋ、比抵抗２．２×１０
-6Ωｃｍである事もさることながら、裏面に全体に熱膨
張の異なる単層複合板材を貼り付けることにより、半導
体基板全体の熱膨張をバランスさせ、且つ、マッチさせ
る構造にした事によるものである。In addition, actually through the Pb-Sn type solder layer,
Although a power semiconductor was mounted, it was found to be a highly reliable power semiconductor substrate which can radiate heat well and does not deform or crack on the AlN substrate. This is TT-RCM
80 thermal conductivity 338 W / mK, specific resistance 2.2 × 10
Not only -6 Ωcm, but also the structure in which the thermal expansion of the entire semiconductor substrate is balanced and matched by sticking a single-layer composite plate material with different thermal expansion on the entire back surface. is there.
【００４５】尚、第１及び第２の単層複合板材の双方を
加工する必要がある場合、熱膨張係数と厚さとを調整す
ることによってバランスさせても良い。When it is necessary to process both the first and second single-layer composite plate materials, the coefficient of thermal expansion and the thickness may be adjusted to achieve a balance.
【００４６】上記した構成では、窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックスによ
って形成される絶縁基板に、銅及びモリブデンを含有す
る単層複合板材１及び３をロー付け接合し、ロー付け接
合後、第１の単層複合板材１にエッチングを施してい
る。ここで、第１の単層複合板材１自体が銅とモリブデ
ンという全く異質な組み合わせの複合材料であるため、
エッチング液の選択及びエッチングの方法そのものを充
分検討する必要がある。In the above structure, aluminum nitride (A
1N), alumina (Al 2 O 3 ) and other insulating substrates formed of ceramics, and the single-layer composite plate materials 1 and 3 containing copper and molybdenum are brazed and joined together, and then the first monolayer is joined. The composite plate material 1 is etched. Here, since the first single-layer composite plate material 1 itself is a composite material of a completely different combination of copper and molybdenum,
It is necessary to thoroughly study the selection of the etching solution and the etching method itself.
【００４７】更に、銅とモリブデンからなる単層複合板
材を一連の工程中でエッチングし、所望の回路を得るた
めには、エッチングの際に使用されるレジストを選定す
ること、及び、サイドエッチを緩慢にすることも重要で
ある。Furthermore, in order to obtain a desired circuit by etching a single-layer composite plate material made of copper and molybdenum in a series of steps, the resist used for etching is selected and side etching is performed. Being slow is also important.
【００４８】表面に塗布するレジストについて言えば、
銅とモリブデンの両方のエッチング液に溶解しない特性
を有するレジストが工業的に効果的である。例えば、銅
のエッチング用レジストとして、一般的に用いられてい
るカゼインを用いると、銅に対しては溶解しないものの
モリブデンをエッチングした時に溶解してしまい、この
場合にも、所望の回路を第１の単層複合板材１に形成で
きないという問題がある。As for the resist applied on the surface,
A resist having characteristics that it is insoluble in both etching solutions of copper and molybdenum is industrially effective. For example, when casein, which is generally used as a resist for etching copper, is used, it does not dissolve in copper but it dissolves when molybdenum is etched. There is a problem that it cannot be formed in the single-layer composite plate material 1.
【００４９】上記したことを考慮して、本発明では、第
１の単層複合板材１をエッチングするためのレジストと
して、ゴム系材質を使用すると共に、エッチング液とし
て、塩化第二鉄溶液或いは塩化第二銅溶液、及びフェリ
シアン化カリウムと水酸化ナトリウム溶液の混合液（以
下、Ａ液と呼ぶ）を使用する。In consideration of the above, in the present invention, a rubber material is used as a resist for etching the first single-layer composite plate material 1, and a ferric chloride solution or a chloride is used as an etching solution. A cupric solution and a mixed solution of potassium ferricyanide and sodium hydroxide solution (hereinafter referred to as solution A) are used.
【００５０】具体的には、ゴム系材質により第１の単層
複合板材１をパターンマスクし、塩化第二鉄溶液或いは
塩化第二銅溶液、及びフェリシアン化カリウムと水酸化
ナトリウム溶液の混合液（以下、Ａ液と呼ぶ）を液圧３
〜３．５ｋｇ／ｃｍ2 で吐出する。Specifically, the first single-layer composite plate material 1 is patterned with a rubber material, and the ferric chloride solution or cupric chloride solution, and a mixed solution of potassium ferricyanide and sodium hydroxide solution (hereinafter , A liquid) is hydraulic pressure 3
Discharge at ~ 3.5 kg / cm 2 .
【００５１】この吐出液圧が、３ｋｇ／ｃｍ2 より小さ
い場合、サイドエッチが大きくなり、搭載精度が悪化し
てしまう。逆に、吐出液圧が３．５ｋｇ／ｃｍ2 より大
きい場合、深さ方向に対するエッチング速度が速くなり
すぎ、積層により成る回路のエッチングバラツキがあっ
た場合、回路が割れてしまう恐れが生じる。When the discharge liquid pressure is less than 3 kg / cm 2 , the side etching becomes large and the mounting accuracy deteriorates. On the other hand, if the discharge liquid pressure is higher than 3.5 kg / cm 2 , the etching rate in the depth direction becomes too fast, and if there is etching variation in the circuit formed by stacking, the circuit may be broken.
【００５２】加えて、塩類濃度が高すぎた場合、又は、
時として回路よりスケール（微細な屑）が発生すること
も考えられるため、高すぎる吐出圧での連続運転はポン
プ寿命上好ましいとは言えない。In addition, if the salt concentration is too high, or
Since scale (fine dust) may sometimes be generated from the circuit, continuous operation at an excessively high discharge pressure is not preferable in terms of pump life.
【００５３】上記したエッチング液を使用することによ
り、従来よりもエッチング速度を３５％以上速くするこ
とができることが確認された。更に、エッチング速度が
速くなることにより、コスト低減に寄与すると共に、所
望形状に加工する際、不必要な部分まで侵食されるのを
防止でき、したがって、搭載精度、及び断面精度を向上
させることができる。It was confirmed that the etching rate can be increased by 35% or more as compared with the conventional case by using the above etching solution. Further, the faster etching rate contributes to cost reduction and can prevent erosion of unnecessary portions when processing into a desired shape, thus improving mounting accuracy and cross-sectional accuracy. it can.
【００５４】一方、第１の単層複合板材１を打抜き加工
により回路を構成する場合には、複数の導体を搭載する
必要があるが、この場合、導体の搭載精度が出ないた
め、３ｋＶ〜５ｋＶの高電圧を印加すると、放電が発生
するという問題が発生した。また、搭載精度の問題を解
消するために、細いタイバーで相互に接続した回路を接
合し、その後に、切断するという方法を採用した場合、
回路間の相対精度は確保されるもののタイバーの切断作
業が煩雑となるだけでなく、基本的に切断部が鋭角を形
成するため、この切断部に電界が集中し放電が発生し易
いという問題が生じた。したがって、第１の単層複合板
材１を打ち抜き加工によって、パターニングすること
は、エッチングによってパターニングする場合に比較し
て問題が多いことが判った。On the other hand, when a circuit is formed by stamping the first single-layer composite plate material 1, it is necessary to mount a plurality of conductors, but in this case, since the conductor mounting accuracy does not appear, 3 kV- When a high voltage of 5 kV was applied, there was a problem that discharge was generated. Also, in order to solve the problem of mounting accuracy, if the method of joining the circuits connected to each other with a thin tie bar and then cutting it is adopted,
Although the relative accuracy between the circuits is secured, not only the cutting work of the tie bar is complicated, but also the cutting portion basically forms an acute angle, so that an electric field is concentrated on this cutting portion, and there is a problem that discharge easily occurs. occured. Therefore, it has been found that patterning the first single-layer composite plate material 1 by punching has more problems than patterning by etching.
【００５５】第１及び第２の単層複合板材１及び３をセ
ラミックスの絶縁基板２と接合するためのロー材として
は、金属ロー材を用いることが可能であり、例えば、重
量で７２％のＡｇと、２８％のＣｕとを含む組成に対し
て、重量で１〜３０％のＴｉを添加した系の中から、選
択するのが好ましいが、Ｚｒ系等のロー材でも良いこと
が確認された。尚、これらロー材は従来のエッチング方
法により容易に除去できるため、ロー材の除去方法につ
いては、ここでは、説明を省略する。As a brazing material for joining the first and second single-layer composite plate materials 1 and 3 to the ceramic insulating substrate 2, a metal brazing material can be used, for example, 72% by weight. It is preferable to select from a system in which 1 to 30% by weight of Ti is added to the composition containing Ag and 28% Cu, but it is confirmed that a brazing material such as Zr system may be used. It was Since these brazing materials can be easily removed by the conventional etching method, the description of the method for removing the brazing material will be omitted here.
【００５６】［実施の形態２］本発明の他の実施の形態
に係るパワー半導体基板は、図１と同様に、パターン加
工された第１の複合板材１、パターン加工されていない
第２の複合板材３、及び、これら第１と第２の複合板材
１と３との間に、挟持されたセラミックスの絶縁基板２
とを備えている。この実施の形態に係る第１及び第２の
複合板材１及び３は、それぞれ、東京タングステン株式
会社製のＴＴ−ＣＭＣによって構成されている点で、先
に述べた実施の形態とは異なっている。[Second Embodiment] A power semiconductor substrate according to another embodiment of the present invention is similar to FIG. 1 in that a patterned first composite plate material 1 and a non-patterned second composite plate material 1 are used. A plate material 3 and a ceramic insulating substrate 2 sandwiched between the first and second composite plate materials 1 and 3.
And The first and second composite plate materials 1 and 3 according to this embodiment are different from the above-described embodiment in that they are each made of TT-CMC manufactured by Tokyo Tungsten Co., Ltd. .
【００５７】ここで、第１及び第２の複合板材１及び３
として使用される各ＴＴ−ＣＭＣは、比較的粗い表面を
有するモリブデン板を２枚の銅板でサンドイッチ状に挟
んだ構成を備え、モリブデン板と２枚の銅板とは、圧延
等により圧着接合されている。以下、この形式の複合板
材１及び３を複層複合板材と呼ぶ。Here, the first and second composite plate materials 1 and 3
Each TT-CMC used as is provided with a structure in which a molybdenum plate having a relatively rough surface is sandwiched between two copper plates, and the molybdenum plate and the two copper plates are pressure-bonded by rolling or the like. There is. Hereinafter, the composite plate materials 1 and 3 of this type are referred to as a multilayer composite plate material.
【００５８】この実施の形態では、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、炭化硅素（Ｓｉ
Ｃ）等のセラミックスによって形成される絶縁基板２の
両面に、第１及び第２の複層複合板材１及び３を接合
し、第１の複層複合板材１をエッチングによりパターン
加工した場合について説明するが、絶縁基板２の片面だ
けにパターン加工を施した複層複合板材１を接合しても
良い。いずれにしても、複層複合板材１及び３は、組成
比等を制御することにより、前述した単層複合板材と同
様に、熱伝導率、熱膨脹率、或いは、電気伝導率を容易
に制御できる。In this embodiment, aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ) and silicon carbide (Si) are used.
The case where the first and second multilayer composite plate materials 1 and 3 are bonded to both surfaces of the insulating substrate 2 formed of ceramics such as C) and the first multilayer composite plate material 1 is patterned by etching will be described. However, the multi-layer composite plate material 1 in which the pattern processing is applied to only one surface of the insulating substrate 2 may be bonded. In any case, the multilayer composite plate materials 1 and 3 can easily control the thermal conductivity, the thermal expansion coefficient, or the electrical conductivity by controlling the composition ratio and the like, similarly to the above-mentioned single layer composite plate material. .
【００５９】第１及び第２の複層複合板材１及び３と、
絶縁基板２との接合は、前述した実施の形態１の場合と
同様にして接合できるから、説明を省略する。First and second multilayer composite plate materials 1 and 3, and
Since the bonding with the insulating substrate 2 can be performed in the same manner as in the case of the above-described first embodiment, the description thereof will be omitted.
【００６０】ここで、上記した複層複合板材１をエッチ
ングするエッチング液として、通常、銅をエッチングす
るのに使用される塩化第二鉄を用いると共に、モリブデ
ンをエッチングするのに使用される水、硝酸、及び硫酸
の混合液を用いて、前述した第１の複層複合板材１をエ
ッチングした場合、モリブデンのエッチング時に銅が同
時にエッチングされ、極端な場合は、最表面の銅が無く
なってしまい、エッチングされた第１の複層複合板材１
には、半導体チップ用の回路を構成できなくなってしま
う。Here, as an etching solution for etching the above-mentioned multilayer composite plate material 1, ferric chloride which is usually used for etching copper is used, and water used for etching molybdenum is used. When the above-mentioned first multilayer composite plate material 1 is etched using a mixed solution of nitric acid and sulfuric acid, copper is simultaneously etched during the etching of molybdenum, and in an extreme case, the outermost copper is lost, Etched first multi-layer composite board 1
Therefore, it becomes impossible to configure a circuit for a semiconductor chip.
【００６１】さらに又、サイドエッチを制御するため
に、エッチング液吐出圧力を上昇させても、水、硝酸、
及び硫酸の混合液においては効果がなく、所望のエッチ
ングパターンを得ることはできなかった。Furthermore, even if the discharge pressure of the etching solution is increased to control the side etching, water, nitric acid,
No effect was obtained with a mixed solution of sulfuric acid and sulfuric acid, and a desired etching pattern could not be obtained.
【００６２】このことを考慮して、第１の複層複合板材
１をエッチングする場合、エッチング液として、塩化第
二鉄溶液或いは塩化第二銅溶液、及び、フェリシアン化
カリウムと水酸化ナトリウム溶液の混合液（即ち、前述
したＡ液）を使用する。このようなエッチング液を使用
した場合、通常、銅のエッチング用レジストとして用い
られているカゼインでは、酸、アルカリの双方に対して
同時には、耐久効果がなく、例え、耐酸用と耐アルカリ
用のレジストを張り替えるとしても、非常に手間が掛か
ってしまう。このため、この実施の態様２においても、
エッチング用レジストとして、ゴム系材質を使用する。In consideration of this, when the first multilayer composite plate material 1 is etched, a ferric chloride solution or cupric chloride solution and a mixture of potassium ferricyanide and sodium hydroxide solution are used as etching solutions. A liquid (that is, the above-mentioned liquid A) is used. When such an etching solution is used, in casein which is usually used as a resist for etching copper, both acid and alkali have no endurance effect at the same time, and for example, acid-resistant and alkali-resistant Even if the resist is replaced, it takes a lot of work. Therefore, also in the second embodiment,
A rubber material is used as the etching resist.
【００６３】具体的に言えば、塩化第二鉄溶液或いは塩
化第二銅溶液、及び、フェリシアン化カリウムと水酸化
ナトリウム溶液の混合液を、選択的にエッチング液とし
て、吐出することにより、第１の複層複合板材１をパタ
ーニングし、回路を形成できることが確認された。More specifically, the ferric chloride solution or cupric chloride solution and the mixed solution of potassium ferricyanide and sodium hydroxide solution are selectively discharged as an etching solution to obtain the first solution. It was confirmed that the multilayer composite plate material 1 could be patterned to form a circuit.
【００６４】パターニングの際のレジスト寸法は、所望
の回路寸法に対して板厚の１０％程度をオーバーハング
の量として見るのが一般的であるが、ゴム系材質をレジ
ストとして用い、上記したエッチング液によりエッチン
グを行った場合、レジスト寸法は上記した範囲に収まる
ことが確認された。Regarding the resist dimension at the time of patterning, it is general to see about 10% of the plate thickness as the amount of overhang with respect to the desired circuit dimension, but a rubber material is used as the resist and the above-mentioned etching is performed. It was confirmed that the resist dimensions were within the above range when the etching was performed with a liquid.
【００６５】通常のエッチングにおけるエッチング液の
吐出圧は１〜１．５ｋｇ／ｃｍ2 であるのが普通である
が、この実施の態様のおけるエッチング液は１〜３ｋｇ
／ｃｍ2 の液圧で吐出された。ここで、吐出液圧が、１
ｋｇ／ｃｍ2 より小さい場合、サイドエッチが過度に大
きくなって、搭載精度が悪化することが判明した。他
方、３ｋｇ／ｃｍ2 以上の液圧の場合、深さ方向に対す
るエッチング速度が速くなり過ぎ、回路が剥がれてしま
う恐れがある。The discharge pressure of the etching solution in normal etching is usually 1 to 1.5 kg / cm 2 , but the etching solution in this embodiment is 1 to 3 kg.
It was discharged at a liquid pressure of / cm 2 . Here, the discharge liquid pressure is 1
It was found that when the value is less than kg / cm 2 , the side etching becomes excessively large and the mounting accuracy deteriorates. On the other hand, when the liquid pressure is 3 kg / cm 2 or more, the etching rate in the depth direction becomes too fast, and the circuit may peel off.
【００６６】図２を参照すると、第１の複層複合板材１
をゴム系材質をレジストとして、上記したエッチング液
によりエッチングした場合におけるエッチング断面が示
されており、エッチングされた第１の複層複合板材１は
選択的に除去されて、絶縁基板２が露出している。した
がって、第１の複層複合板材１はパターニングされ、そ
の内部には、空洞部が形成されている。Referring to FIG. 2, the first multi-layer composite board 1
The etching cross section is shown in the case where the rubber material is used as a resist and is etched by the above-mentioned etching solution. The etched first multilayer composite plate material 1 is selectively removed to expose the insulating substrate 2. ing. Therefore, the first multi-layer composite plate material 1 is patterned, and a cavity is formed inside thereof.
【００６７】図示された例では、中間層であるモリブデ
ン（Ｍｏ）板が上下に配置された２枚の銅（Ｃｕ）板よ
りも、空洞部方向へ突出しており、且つ、そのサイドエ
ッチされた先端は尖っている。この尖った部分は、複層
複合板のエッチング液の温度より低温でエッチングする
ことにより突出させ、加えて、吐出液圧を下げることに
より丸めることができる。In the illustrated example, the molybdenum (Mo) plate, which is the intermediate layer, protrudes in the direction of the cavity from the two copper (Cu) plates arranged above and below and is side-etched. The tip is sharp. The pointed portion can be made to protrude by etching at a temperature lower than the temperature of the etching liquid of the multilayer composite plate, and can be further rounded by lowering the discharge liquid pressure.
【００６８】モリブデン（Ｍｏ）板が銅（Ｃｕ）より空
洞部の内側に引っ込んでいる場合、エッチングされた第
１の複層複合板材１上に搭載される半導体チップからの
放熱が妨げられる場合がある。逆に、回路を形成するモ
リブデン板を銅板から突出させた場合、セラミックスの
絶縁基板２に加わる応力を大幅に低減できる。具体的に
言えば、厚さ１．０ｍｍの第１の複層複合板材１、即
ち、ＴＴ−ＣＭＣ１１１を使用した場合、モリブデン板
が銅板より２００μｍだけ引っ込んでいる場合と、銅板
より５０μｍだけ突出している場合を比較すると、セラ
ミックスの絶縁基板２の寿命は約５倍延びるという結果
が得られている。更に、三層の空洞部の壁となる開口端
部が平坦にエッチングされた場合よりも、モリブデン板
が５０μｍ程度、突出している方が応力緩和の点で好ま
しい。When the molybdenum (Mo) plate is recessed from the copper (Cu) inside the cavity, heat radiation from the semiconductor chip mounted on the etched first multilayer composite plate material 1 may be hindered. is there. On the contrary, when the molybdenum plate forming the circuit is projected from the copper plate, the stress applied to the ceramic insulating substrate 2 can be significantly reduced. Specifically, when the first multi-layer composite plate material 1 having a thickness of 1.0 mm, that is, TT-CMC111 is used, the molybdenum plate is retracted by 200 μm from the copper plate, and the molybdenum plate is projected by 50 μm from the copper plate. Comparing the cases, the results show that the life of the ceramic insulating substrate 2 is extended by about 5 times. Further, it is preferable in terms of stress relaxation that the molybdenum plate is projected by about 50 μm, as compared with the case where the opening end portion which becomes the wall of the three-layer cavity is etched flat.
【００６９】上記した事実は、第１の複層複合板材１を
打抜きにより回路構成した場合も同様であることが判明
した。即ち、打抜きをした場合、その特性上、延性度の
高い上下に配置された銅板の端部が、中間のモリブデン
板の端部を覆ってしまうことは避けられない。このよう
に、モリブデン板の端部が銅板によって覆われてしまう
と、結果的に、寿命が短くなることが判明した。したが
って、打抜き加工を行った後、更に寿命を改善するため
には、打抜き後、銅板を選択的にエッチングしてモリブ
デン板の端部を突出させることが寿命の改善の点で望ま
しい。It was found that the above facts are the same when the first multilayer composite plate material 1 is punched to form a circuit. That is, in the case of punching, it is inevitable that the end portions of the upper and lower copper plates having high ductility cover the end portions of the intermediate molybdenum plate due to the characteristics. Thus, it was found that if the end of the molybdenum plate is covered with the copper plate, the life will be shortened as a result. Therefore, in order to further improve the life after punching, it is desirable from the viewpoint of improving the life that the copper plate is selectively etched and the ends of the molybdenum plate are projected after the punching.
【００７０】以下、上記した実施の形態１及び２におい
て複合板材１及び３として使用したＴＴ−ＲＣＭ及びＴ
Ｔ−ＣＭＣの特性を純モリブデン及び純銅の特性と共に
表１に示す。Hereinafter, TT-RCM and T used as the composite plate materials 1 and 3 in the above-described first and second embodiments.
The characteristics of T-CMC are shown in Table 1 together with the characteristics of pure molybdenum and pure copper.
【００７１】[0071]
【表１】 [Table 1]
【００７２】また、絶縁基板２としては、窒化アルミニ
ウム及びアルミナが適当であるが、パワー半導体用基板
としては、１１０Ｗ／ｍＫ以上、望ましくは、１４０Ｗ
／ｍＫ以上の放熱特性を持つことが、好ましい。Aluminum nitride and alumina are suitable for the insulating substrate 2, and 110 W / mK or more, preferably 140 W for the power semiconductor substrate.
It is preferable to have a heat dissipation characteristic of / mK or more.
【００７３】以下、本発明のより具体的な実施例を上げ
ておく。More specific examples of the present invention will be given below.
【００７４】［実施例１］厚さ０．５ｍｍのＴＴ−ＣＭ
Ｃ１１１を厚さ０．６３５ｍｍのＡｌＮとをロー材によ
り、接合した。この時、ロー材として、重量で、７２％
のＡｇと、２８％のＣｕとを含む組成に対して、３％の
Ｔｉを添加したものを使用した。この接合によって、Ａ
ｌＮには、全く剥離やクラックが発生しなかった。更
に、この接合体をパターニングされたゴム系材質をレジ
ストとして、塩化第二鉄溶液及び前述したＡ液を用い、
３ｋｇ／ｃｍ2 の吐出液圧でエッチングし、回路基板を
作成した。この時のＴＴ−ＣＭＣの表面寸法は９０μｍ
であり、中間層のモリブデン板の突出部は５０μｍであ
った。この場合、銅、モリブデン、銅の各層の先端にお
ける放電は起こらず、良好であった。また、測定結果に
よれば、電流特性や放熱特性も良好であり、パワーモジ
ュールとして使用できるものであった。[Example 1] TT-CM having a thickness of 0.5 mm
C111 was joined to AlN having a thickness of 0.635 mm by a brazing material. At this time, as a brazing material, 72% by weight
3% Ti was added to the composition containing Ag and 28% Cu. By this joining, A
No peeling or cracking occurred in 1N. Further, using the patterned rubber material as a resist, using the ferric chloride solution and the above-mentioned solution A,
A circuit board was prepared by etching with a discharge liquid pressure of 3 kg / cm 2 . The surface dimension of TT-CMC at this time is 90 μm.
And the protrusion of the molybdenum plate of the intermediate layer was 50 μm. In this case, discharge was not generated at the tips of the copper, molybdenum, and copper layers, which was good. Further, according to the measurement results, the current characteristics and the heat dissipation characteristics were good, and it could be used as a power module.
【００７５】［実施例２］厚さ０．５ｍｍのＴＴ−ＲＣ
Ｍ８０を厚さ０．６３５ｍｍのＡｌＮとをロー材によ
り、接合した。ロー材として、重量で、７２％のＡｇ
と、２８％のＣｕとを含む組成に対して、１．５％のＴ
ｉを添加したものを使用したが、接合によって、ＡｌＮ
には全く剥離やクラックが発生しなかった。この接合体
をパターニングされたゴム系材質をレジストとして、塩
化第二鉄溶液及び前述したＡ液を用い、３．５ｋｇ／ｃ
ｍ2 の吐出液圧で片エッチングし、回路基板を作成し
た。この時のＴＴ−ＲＣＭ８０の表面寸法は８０μｍで
あった。ＴＴ−ＲＣＭ層の先端での放電は起きず良好で
あった。また、電流特性や放熱特性も良好であり、パワ
ーモジュールとして使用できるものであった。[Example 2] TT-RC having a thickness of 0.5 mm
M80 was bonded to AlN having a thickness of 0.635 mm by a brazing material. 72% Ag by weight as a brazing material
And a composition containing 28% Cu and 1.5% T
Although the one with i added was used, the
No peeling or cracking occurred at all. 3.5 kg / c using a ferric chloride solution and the above-mentioned solution A, using the patterned rubber material as a resist
One-side etching was performed with a discharge liquid pressure of m 2 to prepare a circuit board. At this time, the surface dimension of TT-RCM80 was 80 μm. No discharge occurred at the tip of the TT-RCM layer, which was good. In addition, the current characteristics and the heat dissipation characteristics were good, and it could be used as a power module.
【００７６】導体としてのＴＴ−ＲＣＭ単体では、セラ
ミックスとの熱膨張差を小さくするには、モリブデンの
含有率を、例えば、６０％程度と多くする必要がある
が、この場合、端部の応力集中が大きくなるという問題
が発生する。したがって、基板寿命を延ばすためには、
モリブデンの含有率を５〜３０％程度とすることが望ま
しい。In the TT-RCM simple substance as the conductor, in order to reduce the difference in thermal expansion from the ceramics, it is necessary to increase the molybdenum content rate to about 60%. There is a problem that the concentration becomes large. Therefore, in order to extend the life of the substrate,
It is desirable to set the molybdenum content to about 5 to 30%.
【００７７】更に、ＴＴ−ＲＣＭの剛性が高いことを利
用すると、セラミックスと導体の接合温度を７５０℃以
下とすることにより改善が図れることが判明した。即
ち、接合部のエッジ部の残留応力が大きい場合には、温
度サイクルが加わることによって、更に、セラミックス
に引張応力が付加されるため、セラミックス割れに至る
ものと推定される。したがって、ロー材としては、Ｔｉ
−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎや、Ｔｉ−Ｃｕ−Ｓｎ等が寿命改善
に優れていた。Further, it has been found that if the high rigidity of TT-RCM is utilized, it can be improved by setting the bonding temperature of the ceramic and the conductor to 750 ° C. or lower. That is, when the residual stress at the edge portion of the joint is large, it is estimated that the temperature cycle is applied, and the tensile stress is further applied to the ceramics, resulting in the cracking of the ceramics. Therefore, as a brazing material, Ti
-Ag-Cu-Sn, Ti-Cu-Sn, etc. were excellent in life improvement.
【００７８】［実施例３］ＴＴ−ＲＣＭの応力集中をよ
り避けるためには、Ｃｕ／ＴＴ−ＲＣＭ／Ｃｕ構造を取
ることが好ましく、この場合のモリブデンの含有率はＴ
Ｔ−ＲＣＭ単体の時とは異なり、エッチングで支障のな
い程度、例えば、ＴＴ−ＲＣＭでのＣｕ含有率を５％以
上とすることでよい結果が得られた。[Embodiment 3] In order to avoid stress concentration of TT-RCM, it is preferable to have a Cu / TT-RCM / Cu structure. In this case, the molybdenum content is T.
Different from the case of using T-RCM alone, good results were obtained by setting the Cu content in TT-RCM to 5% or more so that there is no problem in etching.
【００７９】具体的には、１枚のＴＴ−ＲＣＭ４０を２
枚の無酸素銅（Ｃｕ）板でサンドイッチし、Ｃｕ（厚さ
０．３ｍｍ）／ＴＴ−ＲＣＭ（厚さ０．１５ｍｍ）／Ｃ
ｕ（厚さ０．３ｍｍ）構造に圧延により圧着した接合体
を実施例１と同様にＡｌＮと接合した。この接合によっ
て、ＡｌＮには全く剥離やクラックは発生しなかった。
この接合体を塩化第二鉄水溶液及び前述したＡ液を用
い、３ｋｇ／ｃｍ2 の吐出液圧でエッチングし回路基板
を作製した。このエッチングはＴＴ−ＣＭＣの場合と変
らない速度で行うことができた。この時の表面寸法は、
１００μｍであった。各層（Ｃｕ／ＴＴ−ＲＣＭ４０／
Ｃｕ）の先端での放電は起きず良好であった。また、電
流特性や放熱特性も良好であり、パワーモジュールとし
て使用できるものであった。Specifically, one TT-RCM 40 has two
Sandwiched with a sheet of oxygen-free copper (Cu), Cu (thickness 0.3 mm) / TT-RCM (thickness 0.15 mm) / C
The joined body pressed into a u (thickness 0.3 mm) structure by rolling was joined to AlN in the same manner as in Example 1. By this joining, no peeling or cracking occurred in AlN.
This joined body was etched using a ferric chloride aqueous solution and the above-mentioned solution A at a discharge liquid pressure of 3 kg / cm 2 to produce a circuit board. This etching could be performed at the same rate as in the case of TT-CMC. The surface dimensions at this time are
It was 100 μm. Each layer (Cu / TT-RCM40 /
No discharge occurred at the tip of Cu), which was good. In addition, the current characteristics and the heat dissipation characteristics were good, and it could be used as a power module.
【００８０】[0080]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明において
は、熱を発生する例えば、電力半導体を搭載した際に
も、クラックを発生せず、さらに、多層構造を備えてい
ながら接合界面が少ないので、剥離の心配がない高い信
頼性を有するパワー半導体基板を提供することができ
る。本発明では、異質の材料によって構成される複合材
を効果的に、且つ、長寿命化できるエッチング方法が得
られる。As described above, according to the present invention, cracks do not occur even when a heat-generating semiconductor such as a power semiconductor is mounted, and the multilayer structure has a small number of bonding interfaces. Therefore, it is possible to provide a highly reliable power semiconductor substrate without fear of peeling. According to the present invention, it is possible to obtain an etching method capable of effectively increasing the life of a composite material composed of different materials.
【図１】本発明の実施の一形態によるパワー放熱基板を
示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a power radiation substrate according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施の形態に係るパワー放熱基板
のエッチング状態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an etching state of a power radiation substrate according to another embodiment of the present invention.
１ 第１の高放熱性複合板材 ２ 絶縁板 ３ 第２の高放熱性複合板材 １０ パワー半導体基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st high heat dissipation composite board material 2 Insulation board 3 2nd high heat dissipation composite board material 10 Power semiconductor substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有川 正 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タン グステン株式会社富山製作所内 (72)発明者 加柴 良裕 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 野口 二三夫 岐阜県大垣市横曽根五丁目145番地 平井 精密工業株式会社大垣工場内 (72)発明者 ▲高▼井 伝栄 岐阜県大垣市横曽根五丁目145番地 平井 精密工業株式会社大垣工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tadashi Arikawa 2 Iwase Koshi-cho, Toyama City, Toyama Prefecture Tokyo Togsten Co., Ltd. Toyama Works (72) Inventor Yoshihiro Kashiba 2-3-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Sanryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Fumio Noguchi 5-145 Yokosone, Ogaki, Gifu Prefecture Hirai Precision Industry Co., Ltd. Ogaki Factory (72) Inventor ▲ Takai Iei 5145, Yokosone, Ogaki, Gifu Prefecture Hirai Precision Industry Co., Ltd. Ogaki factory
Claims (24)
パワー半導体基板において、絶縁板と、前記絶縁板の表
裏面に接合され、当該絶縁板に比較して放熱性の高い第
１及び第２の高放熱複合板材とを備え、前記第１及び第
２の高放熱複合板材は、銅とモリブデンの粉末を混合・
焼結及び圧延することによって、形成されており、前記
第１及び第２の高放熱複合板材の内の少なくとも一方
は、パターン加工されていることを特徴とするパワー半
導体基板。1. A power semiconductor substrate used for mounting a power semiconductor, comprising: an insulating plate, first and second bonded to front and back surfaces of the insulating plate, and having a higher heat radiation property than the insulating plate. A high heat dissipation composite plate material, wherein the first and second high heat dissipation composite plate materials are a mixture of copper and molybdenum powder.
A power semiconductor substrate which is formed by sintering and rolling, and at least one of the first and second high heat dissipation composite plate materials is patterned.
て、前記絶縁板は、窒化アルミニウム、及びアルミナの
内の少なくとも一方からなることを特徴とするパワー半
導体基板。2. The power semiconductor substrate according to claim 1, wherein the insulating plate is made of at least one of aluminum nitride and alumina.
て、前記第１及び第２の高放熱複合板材は、互いに異な
る熱膨張係数を有することを特徴とするパワー半導体基
板。3. The power semiconductor substrate according to claim 1, wherein the first and second high heat dissipation composite plate materials have different thermal expansion coefficients.
は、パワー半導体実装用貫通孔であることを特徴とする
パワー半導体基板。4. The power semiconductor substrate according to claim 1, wherein the pattern processing is a through hole for mounting a power semiconductor.
パワー半導体基板において、絶縁板と、前記絶縁板の表
裏面に接合され、当該絶縁板に比較して放熱性の高い第
１及び第２の複合板材とを備え、前記第１及び第２の複
合板材は、前記絶縁板に対して互いに異なる接合面積を
有すると共に、互いに異なる熱膨張係数を有しているこ
とを特徴とするパワー半導体基板。5. A power semiconductor substrate used for mounting a power semiconductor, wherein an insulating plate and first and second first and second bonded to the front and back surfaces of the insulating plate and having a higher heat dissipation property than the insulating plate. A power semiconductor substrate comprising: a composite plate material, wherein the first and second composite plate materials have different bonding areas with respect to the insulating plate and different thermal expansion coefficients.
て、前記第１及び第２の複合板材のうち、接合面積の広
い方の複合板材の熱膨張係数は、接合面積の狭い複合部
材の接合面積、及び熱膨張係数、並びに、絶縁板材の熱
膨張係数に基づいて定められていることを特徴とするパ
ワー半導体基板。6. The power semiconductor substrate according to claim 5, wherein, of the first and second composite plate materials, a composite plate material having a larger bonding area has a coefficient of thermal expansion of a bonding area of a composite member having a narrow bonding area. , And a thermal expansion coefficient, and a thermal expansion coefficient of the insulating plate material.
て、前記接合面積の広い方の複合板材の熱膨張係数は、
他方の複合板材及び絶縁板材の熱膨張係数とバランスす
るように、定められていることを特徴とするパワー半導
体基板。7. The power semiconductor substrate according to claim 6, wherein the composite plate material having the larger bonding area has a thermal expansion coefficient of:
A power semiconductor substrate, which is defined so as to be balanced with the thermal expansion coefficients of the other composite plate material and insulating plate material.
銅及びモリブデンを含む複合材とを備え、前記複合材は
エッチングによりパターンニングを施されていることを
特徴とするパワー半導体基板。8. A power semiconductor substrate comprising an insulating substrate and a composite material containing copper and molybdenum bonded on the insulating substrate, wherein the composite material is patterned by etching.
ブデン板と、当該モリブデン板を挟む２枚の銅板とによ
って形成されてた複層複合板であることを特徴とするパ
ワー半導体基板。9. The power semiconductor substrate according to claim 8, wherein the composite material is a multi-layer composite plate formed by a molybdenum plate and two copper plates sandwiching the molybdenum plate.
セラミックスによって形成されていることを特徴とする
パワー半導体基板。10. The insulating substrate according to claim 8,
A power semiconductor substrate formed of ceramics.
スは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）、及び炭化硅素（ＳｉＣ）のいずれかであることを
特徴とするパワー半導体基板。11. The ceramic according to claim 10, wherein the ceramic is aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O).
3 ) or silicon carbide (SiC).
するモリブデン板が当該モリブデン板を挟む銅板よりも
突出していることを特徴とするパワー半導体基板。12. The power semiconductor substrate according to claim 9, wherein the molybdenum plates forming the composite material are projected more than the copper plates sandwiching the molybdenum plates.
板が５０〜１５０μｍ空洞部に突出していることを特徴
とするパワー半導体基板。13. The power semiconductor substrate according to claim 12, wherein the molybdenum plate projects into the cavity of 50 to 150 μm.
た銅及びモリブデンを含む複合材とを備え、前記複合材
は、銅粉末及びモリブデン粉末を混合、焼成、及び、圧
延加工することによって形成された単層複合板であり、
且つ、当該単層複合板には、パターンニングが施されて
いることを特徴とするパワー半導体基板。14. An insulating substrate and a composite material containing copper and molybdenum bonded on the insulating substrate, wherein the composite material is obtained by mixing, firing, and rolling copper powder and molybdenum powder. Is a single-layer composite plate formed,
Further, the power semiconductor substrate, wherein the single-layer composite plate is subjected to patterning.
は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）、及び炭化硅素（ＳｉＣ）のいずれか一つからなる
セラミックスによって形成されていることを特徴とする
パワー半導体基板。15. The insulating substrate according to claim 14, wherein the insulating substrate is aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O
3 ) and a silicon carbide (SiC) ceramics substrate.
は、前記絶縁基板に接合された後、エッチングによりパ
ターニングを施されていることを特徴とするパワー半導
体基板。16. The power semiconductor substrate according to claim 14, wherein the single-layer composite plate is bonded to the insulating substrate and then patterned by etching.
は、打ち抜き加工により、パターニングを施された後、
前記絶縁基板に接合されていることを特徴とするパワー
半導体基板。17. The single-layer composite plate according to claim 14, after being subjected to patterning by punching,
A power semiconductor substrate joined to the insulating substrate.
た銅及びモリブデンを含む複合材とを備え、前記複合材
は、モリブデン板と、当該モリブデン板を挟む２枚の銅
板とによって形成された複層複合板によって構成される
パワー半導体基板を製造する方法において、塩化第二鉄
溶液、或いは、塩化第二銅溶液、選択的に、フェリシア
ン化カリウムと水酸化ナトリウム溶液の混合液をエッチ
ング液として用いて、前記複層複合板をエッチングする
ことを特徴とするパワー半導体基板の製造方法。18. An insulating substrate, and a composite material containing copper and molybdenum bonded on the insulating substrate, wherein the composite material is formed by a molybdenum plate and two copper plates sandwiching the molybdenum plate. In a method for manufacturing a power semiconductor substrate composed of a multi-layer composite plate, a ferric chloride solution or a cupric chloride solution, optionally a mixed solution of potassium ferricyanide and sodium hydroxide solution is used as an etching solution. A method for manufacturing a power semiconductor substrate, which comprises etching the multilayer composite plate using the same.
された複層複合板は、鈍角の角部を有していることを特
徴とするパワー半導体基板。19. The power semiconductor substrate according to claim 18, wherein the etched multi-layer composite plate has obtuse corners.
を鈍角の角部を有するようにエッチングすることを特徴
とするパワー半導体基板の製造方法。20. The method of manufacturing a power semiconductor substrate according to claim 18, wherein the multilayer composite plate is etched to have obtuse corners.
液に対して噴射吐出圧力を加えてエッチングを行うこと
を特徴とするパワー半導体基板の製造方法。21. The method of manufacturing a power semiconductor substrate according to claim 18, wherein etching is performed by applying a jetting and discharging pressure to the etching liquid.
た銅及びモリブデンを含む複合材とを備え、前記複合材
は、銅粉末及びモリブデン粉末を混合、焼成、及び、圧
延加工することによって形成された単層複合板であり、
且つ、当該単層複合板の表裏には、無酸素銅が接合され
ていることを特徴とするパワー半導体基板。22. An insulating substrate and a composite material containing copper and molybdenum bonded on the insulating substrate, wherein the composite material is obtained by mixing, firing, and rolling copper powder and molybdenum powder. Is a single-layer composite plate formed,
In addition, a power semiconductor substrate, wherein oxygen-free copper is bonded to the front and back of the single-layer composite plate.
た銅及びモリブデンを含む複合材とを備え、前記複合材
は、銅粉末及びモリブデン粉末を混合、焼成、及び、圧
延加工することによって形成された単層複合板によって
構成されるパワー半導体基板の製造方法において、塩化
第二鉄溶液、或いは、塩化第二銅溶液、及び、フェリシ
アン化カリウムと水酸化ナトリウム溶液の混合液をエッ
チング液として用いて、前記単層複合板をエッチングす
ることを特徴とするパワー半導体基板の製造方法。23. An insulating substrate and a composite material containing copper and molybdenum bonded on the insulating substrate, wherein the composite material is prepared by mixing, firing, and rolling copper powder and molybdenum powder. In a method for manufacturing a power semiconductor substrate configured by a formed single-layer composite plate, a ferric chloride solution, a cupric chloride solution, or a mixed solution of potassium ferricyanide and sodium hydroxide solution is used as an etching solution. And then etching the single-layer composite plate.
液に対して噴射吐出圧力を加えてエッチングを行うこと
を特徴とするパワー半導体基板の製造方法。24. The method for manufacturing a power semiconductor substrate according to claim 23, wherein etching is performed by applying a jetting and discharging pressure to the etching liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4884696A JPH09148491A (en) | 1995-09-19 | 1996-03-06 | Power semiconductor substrate, and its manufacture |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-239478 | 1995-09-19 | ||
| JP23947895 | 1995-09-19 | ||
| JP4884696A JPH09148491A (en) | 1995-09-19 | 1996-03-06 | Power semiconductor substrate, and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148491A true JPH09148491A (en) | 1997-06-06 |
Family
ID=26389178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4884696A Withdrawn JPH09148491A (en) | 1995-09-19 | 1996-03-06 | Power semiconductor substrate, and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148491A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043508A (en) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2007258677A (en) * | 2006-01-11 | 2007-10-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Silver conductive film and method of manufacturing the same |
| JP2008028295A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Power semiconductor module and production method therefor |
| CN100410007C (en) * | 2006-01-26 | 2008-08-13 | 宜兴市科兴合金材料有限公司 | Process for manufacturing molybdenum disc by molybdenum blank rolling method |
| US7671467B2 (en) | 2006-05-12 | 2010-03-02 | Honda Motor Co., Ltd. | Power semiconductor module |
| CN103534801A (en) * | 2011-06-01 | 2014-01-22 | 住友电气工业株式会社 | Semiconductor device and wiring substrate |
| JP2014022514A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Kyocera Corp | Substrate for mounting electronic element and electronic device using the same |
| CN103887300A (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | 浙江大学 | Power IGBT module with high reliability heat conduction insulating substrate |
| JP2015070049A (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 京セラ株式会社 | Circuit board and electronic apparatus |
| JP2018101765A (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 株式会社Ｎｓｃ | Power module substrate and method for producing the same |
| CN114799553A (en) * | 2022-04-22 | 2022-07-29 | 东莞领益精密制造科技有限公司 | Composite material processing technology and composite material production line |
-
1996
- 1996-03-06 JP JP4884696A patent/JPH09148491A/en not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043508A (en) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2007258677A (en) * | 2006-01-11 | 2007-10-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Silver conductive film and method of manufacturing the same |
| CN100410007C (en) * | 2006-01-26 | 2008-08-13 | 宜兴市科兴合金材料有限公司 | Process for manufacturing molybdenum disc by molybdenum blank rolling method |
| US7671467B2 (en) | 2006-05-12 | 2010-03-02 | Honda Motor Co., Ltd. | Power semiconductor module |
| JP2008028295A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Power semiconductor module and production method therefor |
| EP2717310A4 (en) * | 2011-06-01 | 2015-02-25 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor device and wiring substrate |
| EP2717310A1 (en) * | 2011-06-01 | 2014-04-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and wiring substrate |
| CN103534801A (en) * | 2011-06-01 | 2014-01-22 | 住友电气工业株式会社 | Semiconductor device and wiring substrate |
| JP2014022514A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Kyocera Corp | Substrate for mounting electronic element and electronic device using the same |
| CN103887300A (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | 浙江大学 | Power IGBT module with high reliability heat conduction insulating substrate |
| JP2015070049A (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 京セラ株式会社 | Circuit board and electronic apparatus |
| JP2018101765A (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 株式会社Ｎｓｃ | Power module substrate and method for producing the same |
| CN114799553A (en) * | 2022-04-22 | 2022-07-29 | 东莞领益精密制造科技有限公司 | Composite material processing technology and composite material production line |
| CN114799553B (en) * | 2022-04-22 | 2023-10-20 | 东莞领益精密制造科技有限公司 | Composite material processing technology and composite material production line |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6261703B1 (en) | Copper circuit junction substrate and method of producing the same | |
| EP0463872B1 (en) | Method of manufacturing circuit board and circuit board itself manufactured by said method | |
| JP2001168482A (en) | Ceramics circuit substrate | |
| EP2991105B1 (en) | Composite laminate and electronic device | |
| JP6670240B2 (en) | Ceramic circuit board and method of manufacturing the same | |
| JPH09148491A (en) | Power semiconductor substrate, and its manufacture | |
| JP2000323618A (en) | Copper circuit clad substrate and manufacture thereof | |
| JP7212700B2 (en) | CERAMIC-COPPER COMPOSITE, CERAMIC CIRCUIT BOARD, POWER MODULE, AND CERAMIC-COPPER COMPOSITE MANUFACTURING METHOD | |
| KR100374379B1 (en) | Substrate | |
| JPH10326949A (en) | Circuit board | |
| CN114026967B (en) | Method for manufacturing ceramic substrate | |
| JPH09181423A (en) | Ceramic circuit board | |
| JP2594475B2 (en) | Ceramic circuit board | |
| JP2005129625A (en) | Circuit board with slit and manufacturing method therefor | |
| JP6614256B2 (en) | Insulated circuit board | |
| JP3454331B2 (en) | Circuit board and method of manufacturing the same | |
| JP2002314220A (en) | Manufacturing method of circuit board | |
| JP2002134885A (en) | Circuit board, manufacturing method thereof, electronic device mounting body, and green sheet | |
| JP3729637B2 (en) | Electronic components | |
| JP7330382B2 (en) | Composite substrate | |
| JPS61121489A (en) | Cu wiring sheet for manufacture of substrate | |
| WO2021200801A1 (en) | Ceramic circuit board, electronic device, metal member, and production method for ceramic circuit board | |
| WO2023190253A1 (en) | Printed circuit board and manufacturing method therefor, and power module | |
| JP2004328012A (en) | Manufacturing method of ceramic wiring board | |
| JPH0529507A (en) | Board for semiconductor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |