JPH09143707A - Production of target for sputtering and target for sputtering - Google Patents
Production of target for sputtering and target for sputteringInfo
- Publication number
- JPH09143707A JPH09143707A JP31040995A JP31040995A JPH09143707A JP H09143707 A JPH09143707 A JP H09143707A JP 31040995 A JP31040995 A JP 31040995A JP 31040995 A JP31040995 A JP 31040995A JP H09143707 A JPH09143707 A JP H09143707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- target member
- capsule
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明はターゲット部材とバ
ッキングプレートを具備するスパッタリング用ターゲッ
トの製造方法およびターゲットに係わり、特にターゲッ
ト部材とバッキングプレートとの接合部の形成方法の改
良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a sputtering target having a target member and a backing plate, and more particularly to improvement of a method of forming a joint between the target member and the backing plate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体素子や、パーソナルコンピ
ュータの記録媒体として用いられる磁気ディスク、ある
いは液晶ディスプレイなどの精密部品の製造分野でスパ
ッタリング法を用いた薄膜の形成が広く行われている。
スパッタリング用ターゲットは、通常ターゲット材にパ
ッキングプレートが接合されて形成されている。これ
は、バッキングプレートが、スパッタリング装置への装
着時のターゲット材の固定部材として、またスパッタリ
ング中のターゲットの過熱を防止するための熱伝導部材
として、あるいはターゲット材にチャージアップした電
荷の放散のための導電性部材として有効であるからであ
る。2. Description of the Related Art In recent years, a thin film has been widely formed by a sputtering method in the field of manufacturing semiconductor elements, magnetic disks used as recording media for personal computers, or precision parts such as liquid crystal displays.
The sputtering target is usually formed by joining a packing plate to a target material. This is because the backing plate serves as a fixing member for the target material when it is attached to the sputtering device, as a heat conducting member for preventing overheating of the target during sputtering, or for discharging the charge accumulated in the target material. This is because it is effective as a conductive member.
【０００３】上述の高い熱伝導性と、高い電気伝導性と
を満足するバッキングプレート用素材として、熱伝導性
の観点から主として無酸素銅が用いられている。また、
アルミニウムあるいはジュラルミン等のアルミニウムを
基とする合金のバッキングプレートが使用される場合も
ある。通常、ターゲット材とバッキングプレートとは、
インジウム系あるいはスズ系のロウ材を用いて接合され
ている。最近、成膜時の効率を向上するために、ターゲ
ット材は大型化し、スパッタリングのために投入される
電力は、ますます増加する傾向にある。例えば、ＬＳＩ
の製造プロセスで使用される純チタンターゲットには、
コリメータ使用による薄膜の堆積速度の低下を補うため
に、数十キロワットにもおよぶ高い電力が投入される場
合がある。このため、従来よりもターゲットの過熱が激
しく、高温下でのバッキングプレートとのボンディング
の信頼性の確保が大きな課題となっている。From the viewpoint of thermal conductivity, oxygen-free copper is mainly used as a backing plate material satisfying the above-mentioned high thermal conductivity and high electrical conductivity. Also,
Backing plates of aluminum or aluminum-based alloys such as duralumin may also be used. Usually, the target material and the backing plate are
Bonding is performed using an indium-based or tin-based brazing material. Recently, in order to improve the efficiency of film formation, the target material has been increased in size, and the power input for sputtering tends to increase more and more. For example, LSI
The pure titanium target used in the manufacturing process of
In order to compensate for the decrease in the deposition rate of the thin film due to the use of the collimator, a high electric power of tens of kilowatts may be applied. For this reason, the target is overheated more intensely than before, and it has become a major issue to secure the reliability of bonding with the backing plate at a high temperature.
【０００４】高温下における接合部分の信頼性を確保す
る手段としては、高融点のロウ材を使用する方法がある
が、ロウ材の高温化には限界があり、またロウ材を使用
する際に用いられるフラックス剤により、ターゲットが
汚染されるという問題がある。このような問題を解決す
るために、バッキングプレートを使用しないでターゲッ
ト材を直接装置に導入してスパッタリングを行う方法を
取る場合があるが、この場合は、上述したようにスパッ
タリング中のターゲットの過熱を防止できる、あるいは
チャージアップした電荷の放散を容易に行えるといった
バッキングプレートを装着することによる利点を得るこ
とができない。A method of using a brazing material having a high melting point is known as a means for ensuring the reliability of the joint at high temperature. However, there is a limit to the high temperature of the brazing material, and when using the brazing material. There is a problem that the target is contaminated by the flux agent used. In order to solve such a problem, there is a case where a target material is directly introduced into the apparatus and sputtering is performed without using a backing plate. In this case, as described above, the target is overheated during sputtering. It is not possible to obtain the advantage of mounting the backing plate that can prevent the above-mentioned phenomenon or can easily dissipate the charge up.
【０００５】また、上述した問題を解決する新しい手法
として、ターゲット材とバッキングプレートとを固相拡
散により接合する方法が提案されている。たとえば、特
開平６−６５７３３号公報によれば、チタンのターゲッ
トとアルミニウムのバッキングプレートとを直接５００
℃で２４時間、８００トンの荷重を加えて拡散接合する
ことにより、引張強度９．７から１１．９ｋｇｆ／ｍｍ
２(９５．１から１１６．６ＭＰａ）の接合強度が得ら
れることが開示されている。また、特開平６−１０８２
４６号公報によれば、ターゲットよりも低融点のインサ
ート材を挿入して、拡散接合する方法が開示されてい
る。As a new method for solving the above-mentioned problems, a method of joining a target material and a backing plate by solid phase diffusion has been proposed. For example, according to Japanese Patent Laid-Open No. 6-65733, a titanium target and an aluminum backing plate are directly connected to each other.
Tensile strength of 9.7 to 11.9 kgf / mm by diffusion bonding under load of 800 tons for 24 hours at ℃
It is disclosed that a bond strength of 2 (95.1 to 116.6 MPa) can be obtained. In addition, JP-A-6-1082
According to Japanese Patent Publication No. 46, a method of inserting an insert material having a melting point lower than that of the target and performing diffusion bonding is disclosed.
【０００６】上述した拡散によりターゲット素材とバッ
キングプレートとを接合する方法は、通常のロウ材によ
る接合にくらべて約１０から２０倍もの強固な接合を得
ることができ、スパッタリング時も投入電力の増加に伴
う温度上昇にあっても、接合部の信頼性を確保できるも
のとして期待されている。The above-described method of joining the target material and the backing plate by diffusion can obtain about 10 to 20 times stronger joining than the joining by the normal brazing material, and increase the input power even during sputtering. It is expected that the reliability of the joint can be secured even if the temperature rises due to the above.
【０００７】近年、半導体素子や、パーソナルコンピュ
ータの記録媒体として用いられる磁気ディスク、あるい
は液晶ディスプレイなどの精密部品の製造分野でスパッ
タリング法を用いた薄膜の形成が広く行われている。In recent years, the formation of thin films using the sputtering method has been widely performed in the field of manufacturing semiconductor elements, magnetic disks used as recording media for personal computers, or precision parts such as liquid crystal displays.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、拡散
接合によるターゲット部材とバッキングプレートとを接
合する方法は有効である。本発明者が検討したところに
よれば、一軸方向にのみ荷重を付与するホットプレス法
では、荷重の軸が少しでもずれると接合界面に圧力分布
のむらが生じ、未拡散部の発生が起こり易いという問題
に遭遇した。また、ホットプレス法によってターゲット
部材とバッキングプレートとを接合する場合には、ター
ゲット部材の接合面の寸法とバッキングプレートが同寸
法としないと、一軸方向の荷重により一方が変形してし
まうという問題が発生することがわかった。As described above, the method of joining the target member and the backing plate by diffusion joining is effective. According to a study conducted by the present inventor, in the hot pressing method in which a load is applied only in the uniaxial direction, even if the load axis is slightly deviated, the pressure distribution becomes uneven at the bonding interface, and an undiffused portion is likely to occur. I ran into a problem. Further, when the target member and the backing plate are joined by the hot pressing method, unless the dimension of the joining surface of the target member and the backing plate are the same, one of them may be deformed due to the uniaxial load. It turned out to occur.
【０００９】このような問題から、本発明者は、ホット
プレスに変えて、等方的な圧力を付与可能な熱間静水圧
プレスを適用することを試み、上述のような圧力分布の
むら発生による未拡散部の発生を防止することができる
ことを見いだした。本発明者は、ターゲット部材とバッ
キングプレートとの接合についてさらに検討した。しか
し、熱間静水圧プレス法を適用した場合は、熱間静水圧
プレスに使用する圧力を伝達するカプセルは、通常円筒
断面あるいは角断面のような単純な空間をもつものであ
り、ターゲット部材の接合面の寸法とバッキングプレー
トの寸法に差があるような場合には使えないものであっ
た。Due to such a problem, the present inventor tried to apply a hot isostatic press capable of applying an isotropic pressure in place of the hot press, and due to the occurrence of the uneven pressure distribution as described above. It has been found that it is possible to prevent the occurrence of non-diffused parts. The present inventor further studied the joining of the target member and the backing plate. However, when the hot isostatic pressing method is applied, the capsule for transmitting the pressure used for the hot isostatic pressing usually has a simple space such as a cylindrical cross section or a square cross section, It cannot be used when there is a difference between the size of the joint surface and the size of the backing plate.
【００１０】本発明の目的は、拡散接合に有効な熱間静
水圧プレス法を、ターゲットとしてのターゲット部材と
バッキングプレートとの接合形状に大きく左右されずに
適用できる方法および新規なターゲットを提供すること
にある。An object of the present invention is to provide a method and a novel target in which a hot isostatic pressing method effective for diffusion bonding can be applied without being largely affected by the bonding shape of a target member as a target and a backing plate. Especially.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した熱
間静水圧プレス法に使用するカプセルを検討した。その
結果、ターゲット部材とバッキングプレートの形状が異
なると、その形状に合わせた空間を有するカプセルの設
計が必要になり、極めてコストの高いものとなることが
判明した。これを解消すべく、検討を重ねた結果、ター
ゲット部材とバッキングプレートをカプセル内で接合す
るという概念を捨て去ることで、カプセルそのものをバ
ッキングプレートとして使用するという新たな発想が生
まれた。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventor has examined capsules used in the hot isostatic pressing method described above. As a result, it has been found that if the target member and the backing plate have different shapes, it is necessary to design a capsule having a space matching the shapes, which is extremely expensive. As a result of repeated studies to solve this, a new idea was born that the capsule itself is used as a backing plate by abandoning the concept of joining the target member and the backing plate inside the capsule.
【００１２】すなわち、本発明は、金属製のカプセル内
にターゲット部材を装填し、脱気封入した後、加熱を伴
う静水圧プレス処理を行ない、前記カプセルと前記ター
ゲット部材とを拡散接合し、次いで機械加工により、タ
ーゲット部材を露出させるとともに、前記カプセルをバ
ッキングプレートの形状もしくはバッキングプレートの
一部となる形状に加工するスパッタリング用ターゲット
の製造方法である。That is, according to the present invention, a target member is loaded in a metal capsule, and after deaeration and encapsulation, a hydrostatic pressing process involving heating is performed to diffusion-bond the capsule and the target member, and It is a method of manufacturing a sputtering target in which a target member is exposed by machining and the capsule is processed into a shape of a backing plate or a shape to be a part of the backing plate.
【００１３】好ましくは、金属製のカプセルは、ターゲ
ット部材を装填可能な空間を有し、かつ前記空間に連な
る部分には、バッキングプレートに対応する厚肉部を設
ける。本発明における金属製のカプセルの材質として、
従来の熱間静水圧プレスでカプセルとして使用される軟
鋼やステンレス鋼も使用できるが、これらはバッキング
プレートとして要求される高熱伝導性と高電気伝導性と
いう特性については、特に有効な材料とは言えない。実
際のバッキングプレートとしては、前述したように、高
い熱伝導性と高い電気伝導性を満足する必要があり、ま
た静水圧プレスにより圧力を伝達するには変形しやすい
材料が望まれる。このような条件において前記カプセル
としては、純銅もしくは純アルミニウムまたはジュラル
ミンのようなアルミ合金を使用することが望ましい。Preferably, the metal capsule has a space into which the target member can be loaded, and a thick portion corresponding to the backing plate is provided in a portion continuous with the space. As the material of the metal capsule in the present invention,
Mild steel and stainless steel that are used as capsules in conventional hot isostatic press can also be used, but these are particularly effective materials in terms of the high thermal conductivity and high electrical conductivity required for backing plates. Absent. As described above, as an actual backing plate, it is necessary to satisfy high thermal conductivity and high electrical conductivity, and a material that is easily deformed is desired to transmit pressure by the hydrostatic press. Under such conditions, it is desirable to use pure copper or pure aluminum or an aluminum alloy such as duralumin for the capsule.
【００１４】また、最近は、圧延ままの組織において
は、圧延方向によってスパッタリングの特性が変わる場
合があり、再結晶化して微細な組織を得ることによっ
て、ターゲットの異方性を低減することが行なわれてい
る。微細組織を有するターゲット部材では、接合時の温
度が高すぎると結晶粒が粗大化し、スパッタリングの期
間中に結晶粒による段差が生じて、スパッタリングによ
り得られる膜上の異物（パーティクル）の発生を増加す
る。したがって、できるだけ低温で接合する必要があ
る。特に、チタンは再結晶温度が低く、加熱し過ぎると
組織に影響がでやすい。本発明の方法は、静水圧プレス
を適用する。これにより、圧力分布が発生し難い等方的
な加圧が可能であり、チタンやアルミニウムのような温
度を高めることが出来ないようなターゲットであって
も、未接合部の発生を防止することができる。Further, recently, in the as-rolled structure, the sputtering characteristics may change depending on the rolling direction, and the anisotropy of the target is reduced by recrystallization to obtain a fine structure. Has been. In a target member having a fine structure, if the temperature at the time of joining is too high, the crystal grains become coarse, and a step due to the crystal grains occurs during the sputtering period, increasing the generation of foreign particles (particles) on the film obtained by sputtering. To do. Therefore, it is necessary to bond at a temperature as low as possible. In particular, titanium has a low recrystallization temperature, and if it is overheated, its structure is likely to be affected. The method of the present invention applies a hydrostatic press. This enables isotropic pressurization where pressure distribution is unlikely to occur and prevents the generation of unbonded parts even with targets such as titanium and aluminum that cannot raise the temperature. You can
【００１５】上述したように、本発明では静水圧プレス
により等方的な加圧が行なえるため、カプセルの変形が
少なく、厚肉のバッキングプレート部に対応する部分が
大きく変形しない。すなわちこの方法により、ターゲッ
トの外寸法よりも大きい外寸法を有するバッキングプレ
ート部をカプセルに設けておけば、ターゲット部材と、
該ターゲット部材の外寸法よりも広い外寸法を有するバ
ッキングプレートとの間に拡散接合部が存在する新規な
スパッタリング用ターゲットを得ることができるのであ
る。As described above, in the present invention, isotropic pressurization can be performed by the hydrostatic press, so that the capsule is not deformed so much that the portion corresponding to the thick backing plate portion is not largely deformed. That is, by this method, if the backing plate portion having an outer dimension larger than the outer dimension of the target is provided in the capsule, the target member,
It is possible to obtain a novel sputtering target having a diffusion bonding portion between the target member and a backing plate having an outer dimension wider than that of the target member.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】上述したように本発明の最大の特
徴の一つは、静水圧プレスに使用するカプセルそのもの
をバッキングプレートに加工するところにある。これに
より、バッキングプレートとターゲット部材の外寸法が
一致しない場合に問題となる静水圧プレスに使用するカ
プセルを複雑形状に加工しておく必要がなくなるのであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As described above, one of the greatest features of the present invention is that the capsule itself used in the hydrostatic press is processed into a backing plate. As a result, it is not necessary to process the capsule used in the hydrostatic press into a complicated shape, which is a problem when the outer dimensions of the backing plate and the target member do not match.
【００１７】具体的には、例えば、図１に示すようにバ
ッキングプレート部に対応する底部３を有するカプセル
１にターゲット部材２を装填し、脱気孔４を有する上蓋
５を溶接により設置する。これに加熱を伴う静水圧プレ
スを適用し、カプセル１とターゲット部材２を接合す
る。その後、図２に２点鎖線で示す部分を機械加工し
て、ターゲットを露出させるとともに、バッキングプレ
ート６の形状をえる。これにより、ターゲット部材と、
バッキングプレート６との間に拡散接合部が存在するス
パッタリング用ターゲットを得ることができる。Specifically, for example, as shown in FIG. 1, a target member 2 is loaded into a capsule 1 having a bottom portion 3 corresponding to a backing plate portion, and an upper lid 5 having a deaeration hole 4 is installed by welding. A hydrostatic press accompanied by heating is applied to this to bond the capsule 1 and the target member 2. After that, the portion shown by the chain double-dashed line in FIG. 2 is machined to expose the target and obtain the shape of the backing plate 6. With this, the target member,
A sputtering target having a diffusion bonding portion between the backing plate 6 and the backing plate 6 can be obtained.
【００１８】また、本発明では静水圧プレスにより等方
的な荷重を得ることができるため、カプセルの変形が少
なく、たとえば図１のバッキングプレートに対応する厚
肉部３をカプセルに形成しておいても、この底部３が大
きく変形することがない。したがって、図３のようなス
パッタリング用ターゲットでは、ホットプレスのような
一軸の荷重による場合で変形の問題が生じていたターゲ
ット部材の外寸法よりも大きな外寸法を有するバッキン
グプレートを有するターゲットを、容易に製造すること
ができるのである。Further, in the present invention, since an isotropic load can be obtained by the hydrostatic pressing, deformation of the capsule is small and, for example, the thick portion 3 corresponding to the backing plate of FIG. 1 is formed in the capsule. However, the bottom portion 3 is not significantly deformed. Therefore, in the sputtering target as shown in FIG. 3, a target having a backing plate having an outer dimension larger than the outer dimension of the target member, which has a problem of deformation in the case of uniaxial load such as hot pressing, can be easily prepared. Can be manufactured.
【００１９】もちろん、機械加工により、ターゲット部
材と同じ外寸法のバッキングプレートを有するターゲッ
ト、あるいはターゲット部材の外寸法よりも小さいバッ
キングプレートを有するターゲットを製造することも可
能である。なお、本発明においては、カプセルをバッキ
ングプレートに加工するものであり、カプセルの外寸法
は、本来ターゲット部材の外寸法より大きいものであ
る。したがって、本発明はターゲット部材の外寸法より
大きい外寸法を有するバッキングプレートを有するター
ゲットの製造に好適である。Of course, it is also possible to manufacture a target having a backing plate having the same outer dimensions as the target member or a target having a backing plate smaller than the outer dimensions of the target member by machining. In addition, in the present invention, the capsule is processed into a backing plate, and the outer dimension of the capsule is originally larger than the outer dimension of the target member. Therefore, the present invention is suitable for manufacturing a target having a backing plate having an outer dimension larger than the outer dimension of the target member.
【００２０】本発明において、加熱を伴う静水圧プレス
としたのは、室温付近で拡散接合を行わせることは実質
的に不可能であるからである。また、本発明においては
熱間静水圧プレス装置を適用することができるが、熱間
領域、すなわち再結晶温度以上の領域の温度とすること
は必須でない。例えば、チタンなどの再結晶温度が低い
素材をおいては、ターゲット部材組織中の結晶粒の粗大
化といったターゲットの特性にとって好ましくない組織
の変化を防止するために、できる限りの低温を適用すべ
き場合もある。具体的にはチタンの場合は３００℃から
４５０℃程度、圧力は１００から２００ＭＰａが適当で
ある。In the present invention, the reason why the hydrostatic pressing is accompanied by heating is that it is practically impossible to perform diffusion bonding near room temperature. Further, in the present invention, a hot isostatic pressing device can be applied, but it is not essential to set the temperature in the hot region, that is, the region above the recrystallization temperature. For example, in the case of a material such as titanium having a low recrystallization temperature, a temperature as low as possible should be applied in order to prevent a change in the structure that is not preferable for the target characteristics such as coarsening of crystal grains in the target member structure. In some cases. Specifically, in the case of titanium, it is suitable that the temperature is about 300 to 450 ° C. and the pressure is 100 to 200 MPa.
【００２１】本発明においては、カプセルとターゲット
部材を接合するものであり、カプセルとターゲットの間
に拡散を阻害する部材を設けることは必要でない。しか
し、この場合バッキングプレートに対応しない部分にお
いてもカプセルとターゲット部材との拡散が進行するた
め、ターゲット部材の表面を一部除去しカプセルからの
汚染を除去することが有効である。なお、カプセルのバ
ッキングプレートに対応しない部分によるターゲット部
材の汚染をできるだけ少なくするには、接合不要な部分
に拡散を阻害する部材を設ける。具体的な拡散を阻害す
る部材として、モリブデン箔やニオブ箔を配置したり、
窒化ほう素粉末を塗布したり、これらを複合化して使用
することが有効である。In the present invention, the capsule and the target member are joined together, and it is not necessary to provide a member for inhibiting diffusion between the capsule and the target. However, in this case, the diffusion of the capsule and the target member proceeds even in the portion not corresponding to the backing plate, so it is effective to remove a part of the surface of the target member to remove the contamination from the capsule. In order to minimize the contamination of the target member by the portion of the capsule that does not correspond to the backing plate, a member that inhibits diffusion is provided in a portion that does not require joining. Placing molybdenum foil or niobium foil as a member that inhibits specific diffusion,
It is effective to apply boron nitride powder or to use these in combination.
【００２２】[0022]
【実施例】底部肉厚２７ｍｍ、外径３０３ｍｍ、ターゲ
ット部材を装填する空間径３００．５ｍｍ、深さ１０．
５ｍｍの図１に示す形状のカプセル１をＪＩＳ合金番号
１０５０の純アルミニウムで作製した。一方、５Ｎ（９
９．９９９％純度）グレードのチタンインゴットを熱間
鍛造後、トータルで８０％の冷間加工を施し、次いで４
００℃にて再結晶化の加熱処理を行い平均結晶粒径６μ
ｍの再結晶組織を有するチタン板を得、これを機械加工
して３００ｍｍφ×１０ｍｍｔターゲット部材を得た。
上述したカプセル１内に得られたターゲット部材２を装
填した。次に脱気孔４を有する上蓋を溶接により設置し
た。これを０．００１Ｐａ以下に減圧した後、脱気孔４
を封止した。EXAMPLE Bottom thickness 27 mm, outer diameter 303 mm, space diameter 300.5 mm for loading target member, depth 10.
A 5 mm capsule 1 having the shape shown in FIG. 1 was made of pure aluminum of JIS alloy number 1050. On the other hand, 5N (9
9.999% purity) grade titanium ingot is hot forged and then cold worked to a total of 80%, then 4
The average crystal grain size is 6μ after heat treatment for recrystallization at 00 ℃.
A titanium plate having a recrystallized structure of m was obtained and machined to obtain a 300 mmφ × 10 mmt target member.
The obtained target member 2 was loaded in the capsule 1 described above. Next, the upper lid having the degassing holes 4 was installed by welding. After depressurizing this to 0.001 Pa or less, the degassing holes 4
Was sealed.
【００２３】これを、熱間静水圧プレス装置の炉内に導
入し、温度４００℃、圧力１４０ＭＰａの条件で５時間
保持の静水圧プレスを行った。静水圧プレス処理後、カ
プセルの上蓋５および側面部分を図２の２点鎖線で示す
如く、旋盤加工により除去し、図３に示すターゲット部
材２と、ターゲット部材の外寸法よりも広い外寸法を有
するバッキングプレート６との間に拡散接合部７が存在
するスパッリング用ターゲットを得た。This was introduced into the furnace of a hot isostatic pressing apparatus, and hydrostatic pressing was carried out for 5 hours under the conditions of a temperature of 400 ° C. and a pressure of 140 MPa. After the hydrostatic pressing treatment, the upper lid 5 and the side surface portion of the capsule are removed by lathe processing as shown by the chain double-dashed line in FIG. 2, and the target member 2 shown in FIG. 3 and the outer dimension wider than the outer dimension of the target member are removed. A sparring target having a diffusion bonding portion 7 between the backing plate 6 and the backing plate 6 was obtained.
【００２４】具体的なターゲットの寸法は、ターゲット
部分φ３００×８ｍｍｔ、バッキングプレート部分φ３
５０×２５ｍｍｔである。得られた複合体の密着性を音
波探傷法で調査したところ、接合率が１００％を達成し
ていることが確認された。また、同様にして製造したタ
ーゲットから、３０ｍｍ角、厚さ１２ｍｍの引っ張り試
験片を切り出し、接合面に垂直な方向に荷重をかけて、
接合強度を測定した結果、８９ＭＰａであった。Specific dimensions of the target are as follows: target portion φ300 × 8 mmt, backing plate portion φ3
It is 50 × 25 mmt. When the adhesiveness of the obtained composite was investigated by the ultrasonic flaw detection method, it was confirmed that the bonding rate reached 100%. Further, a tensile test piece of 30 mm square and 12 mm in thickness was cut out from the target manufactured in the same manner, and a load was applied in a direction perpendicular to the joint surface,
As a result of measuring the bonding strength, it was 89 MPa.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明のスパッタリング用ターゲットの
製造方法によれば、静水圧プレスに用いるカプセル自体
を、バッキングプレートとして使用するため、複雑なカ
プセルを準備する必要がなく、ターゲット部材の接合面
の寸法とバッキングプレートの接合面の寸法に差がある
ターゲットを容易に得ることができるAccording to the method for producing a sputtering target of the present invention, since the capsule itself used for the hydrostatic pressing is used as the backing plate, it is not necessary to prepare a complicated capsule and the bonding surface of the target member can be formed. You can easily obtain a target that has a difference in size and the size of the bonding surface of the backing plate.
【図１】本発明の製造方法におけるターゲット部材とカ
プセルの関係の一例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a relationship between a target member and a capsule in a manufacturing method of the present invention.
【図２】本発明の製造方法におけるターゲット部材とバ
ッキングプレートの関係の一例を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a relationship between a target member and a backing plate in the manufacturing method of the present invention.
【図３】本発明のターゲットの構成の一例を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing an example of the configuration of a target of the present invention.
１ カプセル、２ ターゲット部材、３ 底部、４ 脱
気孔、５ 上蓋 ６ バッキングプレート、７ 拡散接合部1 capsule, 2 target member, 3 bottom part, 4 degassing hole, 5 upper lid 6 backing plate, 7 diffusion joint part
Claims (3)
装填し、脱気封入した後、加熱を伴う静水圧プレス処理
を行ない、前記カプセルと前記ターゲット部材とを拡散
接合し、次いで機械加工により、ターゲット部材を露出
させるとともに、前記カプセルをバッキングプレートの
形状もしくはバッキングプレートの一部となる形状に加
工することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
製造方法。1. A metal capsule is filled with a target member, deaerated and sealed, and then hydrostatic pressing with heating is performed to diffuse-bond the capsule and the target member, and then mechanically process. A method of manufacturing a sputtering target, which comprises exposing a target member and processing the capsule into a shape of a backing plate or a shape of a part of the backing plate.
装填可能な空間を有し、かつ前記空間に連なる部分に
は、バッキングプレートに対応する厚肉部が存在するこ
とを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング用ター
ゲットの製造方法。2. The metal capsule has a space into which the target member can be loaded, and a thick portion corresponding to the backing plate is present in a portion continuous with the space. The method for manufacturing a sputtering target according to 1.
外寸法よりも広い外寸法を有するバッキングプレートと
の間に拡散接合部が存在することを特徴とするスパッタ
リング用ターゲット。3. A sputtering target, characterized in that there is a diffusion bond between the target member and a backing plate having an outer dimension wider than the outer dimension of the target member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31040995A JPH09143707A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Production of target for sputtering and target for sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31040995A JPH09143707A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Production of target for sputtering and target for sputtering |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143707A true JPH09143707A (en) | 1997-06-03 |
Family
ID=18004921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31040995A Pending JPH09143707A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Production of target for sputtering and target for sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143707A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000000661A1 (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputter target |
| JP2007245211A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Manufacturing method of target having backing plate |
| JP2010189768A (en) * | 1997-05-02 | 2010-09-02 | Materials Research Corp | Method of reducing sputtering burn-in time and minimizing sputtered particulate, and target assembly used thereupon |
| WO2018012460A1 (en) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 住友化学株式会社 | Sputtering target manufacturing method and sputtering target |
| JP2018016884A (en) * | 2016-07-13 | 2018-02-01 | 住友化学株式会社 | Production method of sputtering target, and sputtering target |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31040995A patent/JPH09143707A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010189768A (en) * | 1997-05-02 | 2010-09-02 | Materials Research Corp | Method of reducing sputtering burn-in time and minimizing sputtered particulate, and target assembly used thereupon |
| WO2000000661A1 (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputter target |
| US9437486B2 (en) | 1998-06-29 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| JP2007245211A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Manufacturing method of target having backing plate |
| JP4706926B2 (en) * | 2006-03-17 | 2011-06-22 | 三菱マテリアル株式会社 | Method for manufacturing target with backing plate |
| JP2018016884A (en) * | 2016-07-13 | 2018-02-01 | 住友化学株式会社 | Production method of sputtering target, and sputtering target |
| WO2018012460A1 (en) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 住友化学株式会社 | Sputtering target manufacturing method and sputtering target |
| KR20190018425A (en) | 2016-07-13 | 2019-02-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | Sputtering target manufacturing method and sputtering target |
| KR20190087958A (en) | 2016-07-13 | 2019-07-25 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | METHOD FOR MANUFACTURING SPARTING TARGET AND SPARTING TARGET |
| US10369656B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-08-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing sputtering target and sputtering target |
| US10737352B2 (en) | 2016-07-13 | 2020-08-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing sputtering target and sputtering target |
| US10886111B2 (en) | 2016-07-13 | 2021-01-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing sputtering target and sputtering target |
| KR20210031771A (en) | 2016-07-13 | 2021-03-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | Sputtering target manufacturing method and sputtering target |
| US11244814B2 (en) | 2016-07-13 | 2022-02-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing sputtering target and sputtering target |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4257728B2 (en) | Formation method of spatter target assembly | |
| US8243884B2 (en) | X-ray anode having improved heat removal | |
| JP4672834B2 (en) | Method for joining sputtering target to receiving plate | |
| KR100246682B1 (en) | Sputtering titanium target assembly and producing method thereof | |
| JP2010523812A (en) | Bonded sputtering target and manufacturing method | |
| JP6745415B2 (en) | Sputtering target and manufacturing method thereof | |
| JPH09143704A (en) | Titanium target for sputtering and its production | |
| JPH09143707A (en) | Production of target for sputtering and target for sputtering | |
| CN103492608A (en) | Diffusion-bonded sputtering target assembly and method of manufacturing | |
| JPH0959770A (en) | Target for sputtering and its production | |
| JPH08188872A (en) | Method for joining spattering target with backing plate | |
| JP4367796B2 (en) | Method for manufacturing titanium target assembly for sputtering | |
| JP2003039179A (en) | Manufacturing method for composite member of high temperature material and the composite member | |
| JP2000239837A (en) | Method for separating sputtering target assembled body subjected to solid phase diffusion joining | |
| JP6563581B1 (en) | Dissimilar metal joint for divertor | |
| US8123107B2 (en) | Method for forming sputter target assemblies | |
| JP4560170B2 (en) | Solid phase diffusion bonding sputtering target assembly and manufacturing method thereof | |
| JP6690288B2 (en) | Titanium-encapsulating structure and method for producing titanium multilayer material | |
| JP4519981B2 (en) | Solid phase diffusion bonding sputtering target assembly and manufacturing method thereof | |
| EP0095284B1 (en) | Tantalum bonding method | |
| JPH06172993A (en) | Diffusion bonded sputtering target assembled body and its production | |
| WO2022070881A1 (en) | Sputtering target-backing plate assembly, method for manufacturing the same, and sputtering target recovery method | |
| JP3797637B2 (en) | Composite | |
| JP2005074450A (en) | Titanium-clad steel plate, and its production method | |
| JPH0243704B2 (en) | SERAMITSUKUSUTOKINZOKUTONOSETSUGOHOHO |