JPH09138326A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
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- JPH09138326A JPH09138326A JP29570195A JP29570195A JPH09138326A JP H09138326 A JPH09138326 A JP H09138326A JP 29570195 A JP29570195 A JP 29570195A JP 29570195 A JP29570195 A JP 29570195A JP H09138326 A JPH09138326 A JP H09138326A
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- fiber
- optical
- optical semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方
向における位置合わせが容易で、安価に製造することが
可能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供
する。 【解決手段】 光半導体モジュール1は、ヒートシンク
6上に固定される光半導体チップ2と、光ファイバ4b
が固定され、光半導体チップの光の入射側あるいは出射
側の少なくとも一方に配置されるファイバブロック3,
4とを備え、ヒートシンクとファイバブロックが接合固
定されている。
向における位置合わせが容易で、安価に製造することが
可能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供
する。 【解決手段】 光半導体モジュール1は、ヒートシンク
6上に固定される光半導体チップ2と、光ファイバ4b
が固定され、光半導体チップの光の入射側あるいは出射
側の少なくとも一方に配置されるファイバブロック3,
4とを備え、ヒートシンクとファイバブロックが接合固
定されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体モジュー
ルに関する。
ルに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ、半導体光増幅器のような
半導体光素子にシングルモードの光ファイバを結合した
光半導体モジュールが実現されている。このような光半
導体モジュールとして、例えば、光半導体チップから出
射される光を1組のレンズで集光し、光ファイバに結合
するものがあるが、構成部品数が多いため高価になると
いう欠点があった。
半導体光素子にシングルモードの光ファイバを結合した
光半導体モジュールが実現されている。このような光半
導体モジュールとして、例えば、光半導体チップから出
射される光を1組のレンズで集光し、光ファイバに結合
するものがあるが、構成部品数が多いため高価になると
いう欠点があった。
【0003】そこで、上記欠点を解決するため、近年で
は、光半導体チップにモードフィールド変換部を設け、
シングルモードファイバとの結合効率を大きくすること
により、レンズを不要にすることが提案されている(IE
EE Photonics Technology Letters, Vol. 7, No. 5, Ma
y 1995, P. 476-478)。
は、光半導体チップにモードフィールド変換部を設け、
シングルモードファイバとの結合効率を大きくすること
により、レンズを不要にすることが提案されている(IE
EE Photonics Technology Letters, Vol. 7, No. 5, Ma
y 1995, P. 476-478)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
光半導体モジュールは、比屈折率差が0.3%のシングル
モードファイバ(光ファイバ)をファイバ固定板に形成
したV溝で位置決めすると共に、光半導体チップをチッ
プ固定板に固定している。そして、光半導体チップから
出射される光の光ファイバへの結合量が最大となるよう
に、光半導体チップと光ファイバとを位置合わせし、結
合量が最大の位置でファイバ固定板とチップ固定板とを
固定して組み立てられる。
光半導体モジュールは、比屈折率差が0.3%のシングル
モードファイバ(光ファイバ)をファイバ固定板に形成
したV溝で位置決めすると共に、光半導体チップをチッ
プ固定板に固定している。そして、光半導体チップから
出射される光の光ファイバへの結合量が最大となるよう
に、光半導体チップと光ファイバとを位置合わせし、結
合量が最大の位置でファイバ固定板とチップ固定板とを
固定して組み立てられる。
【0005】しかし、従来の光半導体モジュールは、光
半導体チップと光ファイバとの間の結合量が最大となる
位置合わせ、特に、光軸方向の最適位置を決定するため
に、光軸方向で非常に微妙な位置合わせを行う必要があ
り、製造に手数がかかる結果、高価になるという問題点
があった。本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向における
位置合わせが容易で、安価に製造することが可能な高い
結合効率を有する光半導体モジュールを提供することを
目的とする。
半導体チップと光ファイバとの間の結合量が最大となる
位置合わせ、特に、光軸方向の最適位置を決定するため
に、光軸方向で非常に微妙な位置合わせを行う必要があ
り、製造に手数がかかる結果、高価になるという問題点
があった。本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向における
位置合わせが容易で、安価に製造することが可能な高い
結合効率を有する光半導体モジュールを提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の光半導体モジュールによれば、ヒートシンク上
に固定される光半導体チップと、光ファイバが固定さ
れ、前記光半導体チップの光の入射側あるいは出射側の
少なくとも一方に配置されるファイバブロックとを備
え、前記ヒートシンクとファイバブロックが接合固定さ
れている構成としたのである。
本発明の光半導体モジュールによれば、ヒートシンク上
に固定される光半導体チップと、光ファイバが固定さ
れ、前記光半導体チップの光の入射側あるいは出射側の
少なくとも一方に配置されるファイバブロックとを備
え、前記ヒートシンクとファイバブロックが接合固定さ
れている構成としたのである。
【0007】尚、ヒートシンクとファイバブロックの接
合固定には透光性や接合条件の観点から有機系の接着剤
を用いるのが通常であるが、透光性に悪影響を与えず、
接合時に素子の信頼性の低下等を生じるものでなけれ
ば、ハンダ等による接合や融着による接合固定を用いて
も良い。好ましくは、前記光ファイバは、コアとクラッ
ドとの間の比屈折率差を0.3%よりも大きく、3.5%よ
りも小さく設定する。ここで、比屈折率差とは、コアと
クラッドの屈折率差をコアの屈折率で除した値である。
合固定には透光性や接合条件の観点から有機系の接着剤
を用いるのが通常であるが、透光性に悪影響を与えず、
接合時に素子の信頼性の低下等を生じるものでなけれ
ば、ハンダ等による接合や融着による接合固定を用いて
も良い。好ましくは、前記光ファイバは、コアとクラッ
ドとの間の比屈折率差を0.3%よりも大きく、3.5%よ
りも小さく設定する。ここで、比屈折率差とは、コアと
クラッドの屈折率差をコアの屈折率で除した値である。
【0008】また好ましくは、前記ヒートシンク及び光
半導体チップと前記ファイバブロックとを、屈折率が1
以上の接着剤で接着する。更に好ましくは、前記光半導
体チップの、光の入・出射端面の少なくとも一方の端面
近傍にモードフィールド変換部を設ける。光半導体モジ
ュールにおいて、光半導体チップは、その出射端面がヒ
ートシンク端面とほぼ同一面かあるいは出射端面がヒー
トシンク端面より0〜5μm程内側となる様に配置固定
する。また、光増幅チップ等、入・出射両端面にて光フ
ァイバと結合させる場合には、光半導体チップとヒート
シンクとをほぼ同じ長さに設定すると、両部材の端面を
同一端面にすることができる。一方、ファイバブロック
は、光ファイバを接着固定した後、端面を研磨するの
で、ファイバブロック端面と光ファイバ端面が同一面と
なる。
半導体チップと前記ファイバブロックとを、屈折率が1
以上の接着剤で接着する。更に好ましくは、前記光半導
体チップの、光の入・出射端面の少なくとも一方の端面
近傍にモードフィールド変換部を設ける。光半導体モジ
ュールにおいて、光半導体チップは、その出射端面がヒ
ートシンク端面とほぼ同一面かあるいは出射端面がヒー
トシンク端面より0〜5μm程内側となる様に配置固定
する。また、光増幅チップ等、入・出射両端面にて光フ
ァイバと結合させる場合には、光半導体チップとヒート
シンクとをほぼ同じ長さに設定すると、両部材の端面を
同一端面にすることができる。一方、ファイバブロック
は、光ファイバを接着固定した後、端面を研磨するの
で、ファイバブロック端面と光ファイバ端面が同一面と
なる。
【0009】従って、本発明の光半導体モジュールにお
いては、ヒートシンク上に固定した光半導体チップの光
の入射側あるいは出射側の少なくとも一方にファイバブ
ロックを配置するだけで、光半導体チップと光ファイバ
との間の光軸方向におけるギャップが非常に小さなもの
となり、光軸方向における位置合わせが極めて容易とな
る。
いては、ヒートシンク上に固定した光半導体チップの光
の入射側あるいは出射側の少なくとも一方にファイバブ
ロックを配置するだけで、光半導体チップと光ファイバ
との間の光軸方向におけるギャップが非常に小さなもの
となり、光軸方向における位置合わせが極めて容易とな
る。
【0010】このとき、請求項2の発明によれば、コア
とクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモード
ファイバよりも大きいことから、光半導体チップと光フ
ァイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向にお
ける位置合わせが容易になる。また、請求項3の発明に
よれば、光ファイバとの界面における反射の影響を無視
でき、光半導体チップから出射した光の広がりが空気の
場合に比べて小さくなり、結合損失が一層小さくなる。
請求項3の発明に適用し得る接着剤としては、光ファイ
バと屈折率が整合したエポキシ系やアクリル系の接着剤
を用いることができ、例えば、アクリレート#4190
W等が好適である。
とクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモード
ファイバよりも大きいことから、光半導体チップと光フ
ァイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向にお
ける位置合わせが容易になる。また、請求項3の発明に
よれば、光ファイバとの界面における反射の影響を無視
でき、光半導体チップから出射した光の広がりが空気の
場合に比べて小さくなり、結合損失が一層小さくなる。
請求項3の発明に適用し得る接着剤としては、光ファイ
バと屈折率が整合したエポキシ系やアクリル系の接着剤
を用いることができ、例えば、アクリレート#4190
W等が好適である。
【0011】更に、請求項4の発明によれば、半導体チ
ップの端面近傍における光密度が小さくなり、端面にお
ける熱発生が抑制される。
ップの端面近傍における光密度が小さくなり、端面にお
ける熱発生が抑制される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図1乃
至図4に基づいて詳細に説明する。 実施例1 図1及び図2は、本発明の第1の実施例を説明するもの
で、光半導体モジュール1は、半導体光増幅器チップ
(以下、「光増幅器チップ」という)2と、光増幅器チ
ップ2の光の入・出射側に配置されるファイバブロック
3,4とを備え、接着剤5によって接着固定されてい
る。
至図4に基づいて詳細に説明する。 実施例1 図1及び図2は、本発明の第1の実施例を説明するもの
で、光半導体モジュール1は、半導体光増幅器チップ
(以下、「光増幅器チップ」という)2と、光増幅器チ
ップ2の光の入・出射側に配置されるファイバブロック
3,4とを備え、接着剤5によって接着固定されてい
る。
【0013】光増幅器チップ2は、ヒートシンク6上に
固定され、ファイバブロック3,4との衝突を避けるた
めヒートシンク6よりも僅かに短い長さに設定されてい
る。光増幅器チップ2は、図1に示すように、端面反射
を抑えるために光軸を端面に対して約7度傾斜配置させ
てあり、入・出射側の端面近傍にモードフィールドを拡
大させる変換部2a,2bが設けられている。このた
め、光増幅器チップ2は、両端面に活性層が露出してい
ない。
固定され、ファイバブロック3,4との衝突を避けるた
めヒートシンク6よりも僅かに短い長さに設定されてい
る。光増幅器チップ2は、図1に示すように、端面反射
を抑えるために光軸を端面に対して約7度傾斜配置させ
てあり、入・出射側の端面近傍にモードフィールドを拡
大させる変換部2a,2bが設けられている。このた
め、光増幅器チップ2は、両端面に活性層が露出してい
ない。
【0014】ここで、ファイバブロック3,4は、いず
れも構造が同一なのでファイバブロック3のみについて
説明し、ファイバブロック4については図中対応する部
分に対応する符号を付して説明を省略する。ファイバブ
ロック3は、ファイバ孔3aにリボンファイバ3bを接
着固定し、端面3cをリボンファイバ3bと共に研磨し
たものである。ここで、ファイバ孔3aは、リボンファ
イバ3bを構成する光ファイバの端面反射を抑えるため
に、光増幅器チップ2の光軸の傾斜を考慮し、水平面内
において光増幅器チップ2への突き合わせ方向に対して
約17度傾斜させて形成されている。また、リボンファ
イバ3bを構成する光ファイバは、コアとクラッドとの
間の比屈折率差が通常のシングルモードファイバと同じ
0.3%である。
れも構造が同一なのでファイバブロック3のみについて
説明し、ファイバブロック4については図中対応する部
分に対応する符号を付して説明を省略する。ファイバブ
ロック3は、ファイバ孔3aにリボンファイバ3bを接
着固定し、端面3cをリボンファイバ3bと共に研磨し
たものである。ここで、ファイバ孔3aは、リボンファ
イバ3bを構成する光ファイバの端面反射を抑えるため
に、光増幅器チップ2の光軸の傾斜を考慮し、水平面内
において光増幅器チップ2への突き合わせ方向に対して
約17度傾斜させて形成されている。また、リボンファ
イバ3bを構成する光ファイバは、コアとクラッドとの
間の比屈折率差が通常のシングルモードファイバと同じ
0.3%である。
【0015】従って、光半導体モジュール1は、例え
ば、ファイバブロック3のリボンファイバ3bを伝送さ
れてきた光は、光増幅器チップ2を通過する際に光増幅
されてファイバブロック4のリボンファイバ4bへ出射
される。このとき、光半導体モジュール1は、光増幅器
チップ2の両端面近傍に変換部2a,2bが設けられて
いる。従って、光増幅器チップ2は、端面近傍でモード
フィールドが拡大されて光密度が小さくなるので、端面
における熱発生が抑制されている。このため、光半導体
モジュール1は、光増幅器チップ2の端面に接着剤6が
付着していても何ら問題はなく、信頼性が低下すること
はない。
ば、ファイバブロック3のリボンファイバ3bを伝送さ
れてきた光は、光増幅器チップ2を通過する際に光増幅
されてファイバブロック4のリボンファイバ4bへ出射
される。このとき、光半導体モジュール1は、光増幅器
チップ2の両端面近傍に変換部2a,2bが設けられて
いる。従って、光増幅器チップ2は、端面近傍でモード
フィールドが拡大されて光密度が小さくなるので、端面
における熱発生が抑制されている。このため、光半導体
モジュール1は、光増幅器チップ2の端面に接着剤6が
付着していても何ら問題はなく、信頼性が低下すること
はない。
【0016】以上のように構成される光半導体モジュー
ル1を製造したところ、光増幅器チップ2の各端面にフ
ァイバブロック3,4をそれぞれ位置合わせして接着固
定するのに各端面当たり約10分で済み、結合損失が各
端面当たり約3.5dBで、利得20dB以上の非常に良
好なモジュール1を複雑な工程なしに得ることができ
た。
ル1を製造したところ、光増幅器チップ2の各端面にフ
ァイバブロック3,4をそれぞれ位置合わせして接着固
定するのに各端面当たり約10分で済み、結合損失が各
端面当たり約3.5dBで、利得20dB以上の非常に良
好なモジュール1を複雑な工程なしに得ることができ
た。
【0017】一方、光半導体チップとして同一構造の光
増幅器チップを用い、従来の技術で説明した光半導体モ
ジュールを製造したところ、光半導体チップとシングル
モードファイバとを最適位置に位置合わせするために、
各端面当たり約1時間必要であった。但し、結合損失は
各端面当たり約3.5dBであった。 実施例2 次に、本発明の第2の実施例を説明する。第2の実施例
の光半導体モジュールは、光ファイバのコアとクラッド
との間の比屈折率差が2.3%のリボンファイバを用いた
ことを除き、第1の実施例の光半導体モジュール1と構
成が同一であるので、図3においてリボンファイバ以外
の構成要素には同一の符号を付し、本実施例のリボンフ
ァイバの符号をそれぞれ3d,4dとすることにより、
説明を簡単にする。
増幅器チップを用い、従来の技術で説明した光半導体モ
ジュールを製造したところ、光半導体チップとシングル
モードファイバとを最適位置に位置合わせするために、
各端面当たり約1時間必要であった。但し、結合損失は
各端面当たり約3.5dBであった。 実施例2 次に、本発明の第2の実施例を説明する。第2の実施例
の光半導体モジュールは、光ファイバのコアとクラッド
との間の比屈折率差が2.3%のリボンファイバを用いた
ことを除き、第1の実施例の光半導体モジュール1と構
成が同一であるので、図3においてリボンファイバ以外
の構成要素には同一の符号を付し、本実施例のリボンフ
ァイバの符号をそれぞれ3d,4dとすることにより、
説明を簡単にする。
【0018】光半導体モジュール1は、ヒートシンク6
上に固定された光増幅器チップ2にファイバブロック
3,4が接着剤5で接着固定されている。ファイバブロ
ック3,4は、それぞれファイバ孔3a,4aにリボン
ファイバ3d,4dを接着固定し、端面3c,4cをリ
ボンファイバ3d,4dと共に研磨したものである。こ
こで、光半導体チップとして同一構造の光増幅器チップ
を用い、従来の技術で説明した比屈折率差が0.3%のシ
ングルモードファイバに代えて比屈折率差が2.3%の光
ファイバを用いて光半導体モジュールを製造した。その
結果、光半導体チップとシングルモードファイバとを最
適位置に位置合わせするために、各端面当たり約1時間
半を要した。
上に固定された光増幅器チップ2にファイバブロック
3,4が接着剤5で接着固定されている。ファイバブロ
ック3,4は、それぞれファイバ孔3a,4aにリボン
ファイバ3d,4dを接着固定し、端面3c,4cをリ
ボンファイバ3d,4dと共に研磨したものである。こ
こで、光半導体チップとして同一構造の光増幅器チップ
を用い、従来の技術で説明した比屈折率差が0.3%のシ
ングルモードファイバに代えて比屈折率差が2.3%の光
ファイバを用いて光半導体モジュールを製造した。その
結果、光半導体チップとシングルモードファイバとを最
適位置に位置合わせするために、各端面当たり約1時間
半を要した。
【0019】これに対して、本実施例の光半導体モジュ
ール1では、光増幅器チップ2の各端面にファイバブロ
ック3,4をそれぞれ位置合わせして接着固定するのに
各端面当たり約10分で済み、結合損失は各端面当たり
約2.5dBで一層向上していた。ここで、光ファイバ
は、原理的には比屈折率差が大きい程、結合効率が向上
して良い。そこで、比屈折率差が1.4%,2.3%及び3.
1%の光ファイバを用いて光半導体モジュール1を組み
立て、各端面当たりの結合損失を測定したところ、それ
ぞれ1.8dB,2.5dB及び2.6dBであった。
ール1では、光増幅器チップ2の各端面にファイバブロ
ック3,4をそれぞれ位置合わせして接着固定するのに
各端面当たり約10分で済み、結合損失は各端面当たり
約2.5dBで一層向上していた。ここで、光ファイバ
は、原理的には比屈折率差が大きい程、結合効率が向上
して良い。そこで、比屈折率差が1.4%,2.3%及び3.
1%の光ファイバを用いて光半導体モジュール1を組み
立て、各端面当たりの結合損失を測定したところ、それ
ぞれ1.8dB,2.5dB及び2.6dBであった。
【0020】本発明の光半導体モジュールは、構成上、
光ファイバ端面と光半導体チップとの間に僅かなギャッ
プが存在するので、比屈折率差が大きくなり過ぎると比
屈折率差の大きい光ファイバを用いる利点が生かせなく
なる。従って、本発明においては、比屈折率差を通常の
シングルモードファイバの比屈折率差(=0.3%)より
も大きく、3.5%よりも小さく設定した。 実施例3 更に、光半導体モジュールは、図4に示す光半導体モジ
ュール10のように、半導体レーザチップ11の光の出
射側にファイバブロック12を接着剤13で接着固定し
た構成としてもよい。このような構成にすると、光半導
体モジュール10は、他方の端面が開放され、半導体レ
ーザチップ11の発光強度をモニタすることができる。
光ファイバ端面と光半導体チップとの間に僅かなギャッ
プが存在するので、比屈折率差が大きくなり過ぎると比
屈折率差の大きい光ファイバを用いる利点が生かせなく
なる。従って、本発明においては、比屈折率差を通常の
シングルモードファイバの比屈折率差(=0.3%)より
も大きく、3.5%よりも小さく設定した。 実施例3 更に、光半導体モジュールは、図4に示す光半導体モジ
ュール10のように、半導体レーザチップ11の光の出
射側にファイバブロック12を接着剤13で接着固定し
た構成としてもよい。このような構成にすると、光半導
体モジュール10は、他方の端面が開放され、半導体レ
ーザチップ11の発光強度をモニタすることができる。
【0021】ここで、半導体レーザチップ11は、ヒー
トシンク14上に固定され、ファイバブロック12との
衝突を避けるためヒートシンク14よりも僅かに短い長
さに設定されている。半導体レーザチップ11は、図4
に示すように、光軸が端面に対して垂直で、光の出射側
の端面近傍にモードフィールドを拡大させる変換部11
aが設けられている。
トシンク14上に固定され、ファイバブロック12との
衝突を避けるためヒートシンク14よりも僅かに短い長
さに設定されている。半導体レーザチップ11は、図4
に示すように、光軸が端面に対して垂直で、光の出射側
の端面近傍にモードフィールドを拡大させる変換部11
aが設けられている。
【0022】また、ファイバブロック12は、ファイバ
孔12aにリボンファイバ12bを接着固定し、端面1
2cをリボンファイバ12bと共に研磨したものであ
る。ここで、ファイバ孔12aは、水平面内において半
導体レーザチップ11への突き合わせ方向と平行に形成
されている。また、リボンファイバ12bを構成する光
ファイバは、コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常
のシングルモードファイバと同じ0.3%である。
孔12aにリボンファイバ12bを接着固定し、端面1
2cをリボンファイバ12bと共に研磨したものであ
る。ここで、ファイバ孔12aは、水平面内において半
導体レーザチップ11への突き合わせ方向と平行に形成
されている。また、リボンファイバ12bを構成する光
ファイバは、コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常
のシングルモードファイバと同じ0.3%である。
【0023】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向
における位置合わせが容易で、安価に製造することが可
能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供す
ることができる。このとき、請求項2の発明によれば、
コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモ
ードファイバよりも大きいことから、光半導体チップと
光ファイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向
における位置合わせを容易に行うことができる。
よれば、光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向
における位置合わせが容易で、安価に製造することが可
能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供す
ることができる。このとき、請求項2の発明によれば、
コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモ
ードファイバよりも大きいことから、光半導体チップと
光ファイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向
における位置合わせを容易に行うことができる。
【0024】また、請求項3の発明によれば、光ファイ
バとの界面における反射の影響を無視でき、光半導体チ
ップから出射した光の広がりが空気の場合に比べて小さ
くなるので、結合損失を一層小さくすることができる。
更に、請求項4の発明によれば、半導体チップの端面近
傍における光密度が小さくなるので、端面における熱発
生を抑制することができ、光半導体モジュールの信頼性
が向上する。
バとの界面における反射の影響を無視でき、光半導体チ
ップから出射した光の広がりが空気の場合に比べて小さ
くなるので、結合損失を一層小さくすることができる。
更に、請求項4の発明によれば、半導体チップの端面近
傍における光密度が小さくなるので、端面における熱発
生を抑制することができ、光半導体モジュールの信頼性
が向上する。
【図1】本発明の光半導体モジュールの第1の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図2】図1の光半導体モジュールの側面図である。
【図3】本発明の光半導体モジュールの第2の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図4】本発明の光半導体モジュールの第3の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
1 光半導体モジュール 2 光増幅器チップ 2a,2b 変換部(モードフィールドの) 3,4 ファイバブロック 3a,4a ファイバ孔 3b,4b リボンファイバ 3c,4c 端面 3d,4d リボンファイバ 5 接着剤 6 ヒートシンク 10 光半導体モジュール 11 半導体レーザチップ 11a 変換部(モードフィールドの) 12 ファイバブロック 12a ファイバ孔 12b リボンファイバ 12c 端面 13 接着剤 14 ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 麦野 明 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 ヒートシンク上に固定される光半導体チ
ップと、光ファイバが固定され、前記光半導体チップの
光の入射側あるいは出射側の少なくとも一方に配置され
るファイバブロックとを備え、前記ヒートシンクとファ
イバブロックが接合固定されていることを特徴とする光
半導体モジュール。 - 【請求項2】 前記光ファイバは、コアとクラッドとの
間の比屈折率差が0.3%よりも大きく、3.5%よりも小
さい、請求項1の光半導体モジュール。 - 【請求項3】 前記ヒートシンク及び光半導体チップと
前記ファイバブロックとが、屈折率が1以上の接着剤で
接着されている、請求項1又は2の光半導体モジュー
ル。 - 【請求項4】 前記光半導体チップの、光の入・出射端
面の少なくとも一方の端面近傍にモードフィールド変換
部が設けられている、請求項1乃至3いずれかの光半導
体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29570195A JPH09138326A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 光半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29570195A JPH09138326A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 光半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09138326A true JPH09138326A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17824052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29570195A Pending JPH09138326A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 光半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09138326A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | 3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
WO2002099940A3 (en) * | 2001-06-05 | 2003-09-12 | Axcel Photonics Inc | Powerpack laser diode assemblies |
JP2021034450A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29570195A patent/JPH09138326A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | 3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
WO2002099940A3 (en) * | 2001-06-05 | 2003-09-12 | Axcel Photonics Inc | Powerpack laser diode assemblies |
JP2021034450A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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