JPH09138326A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
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- JPH09138326A JPH09138326A JP29570195A JP29570195A JPH09138326A JP H09138326 A JPH09138326 A JP H09138326A JP 29570195 A JP29570195 A JP 29570195A JP 29570195 A JP29570195 A JP 29570195A JP H09138326 A JPH09138326 A JP H09138326A
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- optical
- optical semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方
向における位置合わせが容易で、安価に製造することが
可能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供
する。 【解決手段】 光半導体モジュール１は、ヒートシンク
６上に固定される光半導体チップ２と、光ファイバ４ｂ
が固定され、光半導体チップの光の入射側あるいは出射
側の少なくとも一方に配置されるファイバブロック３，
４とを備え、ヒートシンクとファイバブロックが接合固
定されている。
向における位置合わせが容易で、安価に製造することが
可能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供
する。 【解決手段】 光半導体モジュール１は、ヒートシンク
６上に固定される光半導体チップ２と、光ファイバ４ｂ
が固定され、光半導体チップの光の入射側あるいは出射
側の少なくとも一方に配置されるファイバブロック３，
４とを備え、ヒートシンクとファイバブロックが接合固
定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体モジュー
ルに関する。
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ、半導体光増幅器のような
半導体光素子にシングルモードの光ファイバを結合した
光半導体モジュールが実現されている。このような光半
導体モジュールとして、例えば、光半導体チップから出
射される光を１組のレンズで集光し、光ファイバに結合
するものがあるが、構成部品数が多いため高価になると
いう欠点があった。
半導体光素子にシングルモードの光ファイバを結合した
光半導体モジュールが実現されている。このような光半
導体モジュールとして、例えば、光半導体チップから出
射される光を１組のレンズで集光し、光ファイバに結合
するものがあるが、構成部品数が多いため高価になると
いう欠点があった。
【０００３】そこで、上記欠点を解決するため、近年で
は、光半導体チップにモードフィールド変換部を設け、
シングルモードファイバとの結合効率を大きくすること
により、レンズを不要にすることが提案されている（IE
EE Photonics Technology Letters, Vol. 7, No. 5, Ma
y 1995, P. 476-478）。
は、光半導体チップにモードフィールド変換部を設け、
シングルモードファイバとの結合効率を大きくすること
により、レンズを不要にすることが提案されている（IE
EE Photonics Technology Letters, Vol. 7, No. 5, Ma
y 1995, P. 476-478）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
光半導体モジュールは、比屈折率差が0.３％のシングル
モードファイバ（光ファイバ）をファイバ固定板に形成
したＶ溝で位置決めすると共に、光半導体チップをチッ
プ固定板に固定している。そして、光半導体チップから
出射される光の光ファイバへの結合量が最大となるよう
に、光半導体チップと光ファイバとを位置合わせし、結
合量が最大の位置でファイバ固定板とチップ固定板とを
固定して組み立てられる。
光半導体モジュールは、比屈折率差が0.３％のシングル
モードファイバ（光ファイバ）をファイバ固定板に形成
したＶ溝で位置決めすると共に、光半導体チップをチッ
プ固定板に固定している。そして、光半導体チップから
出射される光の光ファイバへの結合量が最大となるよう
に、光半導体チップと光ファイバとを位置合わせし、結
合量が最大の位置でファイバ固定板とチップ固定板とを
固定して組み立てられる。
【０００５】しかし、従来の光半導体モジュールは、光
半導体チップと光ファイバとの間の結合量が最大となる
位置合わせ、特に、光軸方向の最適位置を決定するため
に、光軸方向で非常に微妙な位置合わせを行う必要があ
り、製造に手数がかかる結果、高価になるという問題点
があった。本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向における
位置合わせが容易で、安価に製造することが可能な高い
結合効率を有する光半導体モジュールを提供することを
目的とする。
半導体チップと光ファイバとの間の結合量が最大となる
位置合わせ、特に、光軸方向の最適位置を決定するため
に、光軸方向で非常に微妙な位置合わせを行う必要があ
り、製造に手数がかかる結果、高価になるという問題点
があった。本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向における
位置合わせが容易で、安価に製造することが可能な高い
結合効率を有する光半導体モジュールを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の光半導体モジュールによれば、ヒートシンク上
に固定される光半導体チップと、光ファイバが固定さ
れ、前記光半導体チップの光の入射側あるいは出射側の
少なくとも一方に配置されるファイバブロックとを備
え、前記ヒートシンクとファイバブロックが接合固定さ
れている構成としたのである。
本発明の光半導体モジュールによれば、ヒートシンク上
に固定される光半導体チップと、光ファイバが固定さ
れ、前記光半導体チップの光の入射側あるいは出射側の
少なくとも一方に配置されるファイバブロックとを備
え、前記ヒートシンクとファイバブロックが接合固定さ
れている構成としたのである。
【０００７】尚、ヒートシンクとファイバブロックの接
合固定には透光性や接合条件の観点から有機系の接着剤
を用いるのが通常であるが、透光性に悪影響を与えず、
接合時に素子の信頼性の低下等を生じるものでなけれ
ば、ハンダ等による接合や融着による接合固定を用いて
も良い。好ましくは、前記光ファイバは、コアとクラッ
ドとの間の比屈折率差を0.３％よりも大きく、3.５％よ
りも小さく設定する。ここで、比屈折率差とは、コアと
クラッドの屈折率差をコアの屈折率で除した値である。
合固定には透光性や接合条件の観点から有機系の接着剤
を用いるのが通常であるが、透光性に悪影響を与えず、
接合時に素子の信頼性の低下等を生じるものでなけれ
ば、ハンダ等による接合や融着による接合固定を用いて
も良い。好ましくは、前記光ファイバは、コアとクラッ
ドとの間の比屈折率差を0.３％よりも大きく、3.５％よ
りも小さく設定する。ここで、比屈折率差とは、コアと
クラッドの屈折率差をコアの屈折率で除した値である。
【０００８】また好ましくは、前記ヒートシンク及び光
半導体チップと前記ファイバブロックとを、屈折率が１
以上の接着剤で接着する。更に好ましくは、前記光半導
体チップの、光の入・出射端面の少なくとも一方の端面
近傍にモードフィールド変換部を設ける。光半導体モジ
ュールにおいて、光半導体チップは、その出射端面がヒ
ートシンク端面とほぼ同一面かあるいは出射端面がヒー
トシンク端面より０〜５μｍ程内側となる様に配置固定
する。また、光増幅チップ等、入・出射両端面にて光フ
ァイバと結合させる場合には、光半導体チップとヒート
シンクとをほぼ同じ長さに設定すると、両部材の端面を
同一端面にすることができる。一方、ファイバブロック
は、光ファイバを接着固定した後、端面を研磨するの
で、ファイバブロック端面と光ファイバ端面が同一面と
なる。
半導体チップと前記ファイバブロックとを、屈折率が１
以上の接着剤で接着する。更に好ましくは、前記光半導
体チップの、光の入・出射端面の少なくとも一方の端面
近傍にモードフィールド変換部を設ける。光半導体モジ
ュールにおいて、光半導体チップは、その出射端面がヒ
ートシンク端面とほぼ同一面かあるいは出射端面がヒー
トシンク端面より０〜５μｍ程内側となる様に配置固定
する。また、光増幅チップ等、入・出射両端面にて光フ
ァイバと結合させる場合には、光半導体チップとヒート
シンクとをほぼ同じ長さに設定すると、両部材の端面を
同一端面にすることができる。一方、ファイバブロック
は、光ファイバを接着固定した後、端面を研磨するの
で、ファイバブロック端面と光ファイバ端面が同一面と
なる。
【０００９】従って、本発明の光半導体モジュールにお
いては、ヒートシンク上に固定した光半導体チップの光
の入射側あるいは出射側の少なくとも一方にファイバブ
ロックを配置するだけで、光半導体チップと光ファイバ
との間の光軸方向におけるギャップが非常に小さなもの
となり、光軸方向における位置合わせが極めて容易とな
る。
いては、ヒートシンク上に固定した光半導体チップの光
の入射側あるいは出射側の少なくとも一方にファイバブ
ロックを配置するだけで、光半導体チップと光ファイバ
との間の光軸方向におけるギャップが非常に小さなもの
となり、光軸方向における位置合わせが極めて容易とな
る。
【００１０】このとき、請求項２の発明によれば、コア
とクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモード
ファイバよりも大きいことから、光半導体チップと光フ
ァイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向にお
ける位置合わせが容易になる。また、請求項３の発明に
よれば、光ファイバとの界面における反射の影響を無視
でき、光半導体チップから出射した光の広がりが空気の
場合に比べて小さくなり、結合損失が一層小さくなる。
請求項３の発明に適用し得る接着剤としては、光ファイ
バと屈折率が整合したエポキシ系やアクリル系の接着剤
を用いることができ、例えば、アクリレート＃４１９０
Ｗ等が好適である。
とクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモード
ファイバよりも大きいことから、光半導体チップと光フ
ァイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向にお
ける位置合わせが容易になる。また、請求項３の発明に
よれば、光ファイバとの界面における反射の影響を無視
でき、光半導体チップから出射した光の広がりが空気の
場合に比べて小さくなり、結合損失が一層小さくなる。
請求項３の発明に適用し得る接着剤としては、光ファイ
バと屈折率が整合したエポキシ系やアクリル系の接着剤
を用いることができ、例えば、アクリレート＃４１９０
Ｗ等が好適である。
【００１１】更に、請求項４の発明によれば、半導体チ
ップの端面近傍における光密度が小さくなり、端面にお
ける熱発生が抑制される。
ップの端面近傍における光密度が小さくなり、端面にお
ける熱発生が抑制される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１乃
至図４に基づいて詳細に説明する。 実施例１ 図１及び図２は、本発明の第１の実施例を説明するもの
で、光半導体モジュール１は、半導体光増幅器チップ
（以下、「光増幅器チップ」という）２と、光増幅器チ
ップ２の光の入・出射側に配置されるファイバブロック
３，４とを備え、接着剤５によって接着固定されてい
る。
至図４に基づいて詳細に説明する。 実施例１ 図１及び図２は、本発明の第１の実施例を説明するもの
で、光半導体モジュール１は、半導体光増幅器チップ
（以下、「光増幅器チップ」という）２と、光増幅器チ
ップ２の光の入・出射側に配置されるファイバブロック
３，４とを備え、接着剤５によって接着固定されてい
る。
【００１３】光増幅器チップ２は、ヒートシンク６上に
固定され、ファイバブロック３，４との衝突を避けるた
めヒートシンク６よりも僅かに短い長さに設定されてい
る。光増幅器チップ２は、図１に示すように、端面反射
を抑えるために光軸を端面に対して約７度傾斜配置させ
てあり、入・出射側の端面近傍にモードフィールドを拡
大させる変換部２ａ，２ｂが設けられている。このた
め、光増幅器チップ２は、両端面に活性層が露出してい
ない。
固定され、ファイバブロック３，４との衝突を避けるた
めヒートシンク６よりも僅かに短い長さに設定されてい
る。光増幅器チップ２は、図１に示すように、端面反射
を抑えるために光軸を端面に対して約７度傾斜配置させ
てあり、入・出射側の端面近傍にモードフィールドを拡
大させる変換部２ａ，２ｂが設けられている。このた
め、光増幅器チップ２は、両端面に活性層が露出してい
ない。
【００１４】ここで、ファイバブロック３，４は、いず
れも構造が同一なのでファイバブロック３のみについて
説明し、ファイバブロック４については図中対応する部
分に対応する符号を付して説明を省略する。ファイバブ
ロック３は、ファイバ孔３ａにリボンファイバ３ｂを接
着固定し、端面３ｃをリボンファイバ３ｂと共に研磨し
たものである。ここで、ファイバ孔３ａは、リボンファ
イバ３ｂを構成する光ファイバの端面反射を抑えるため
に、光増幅器チップ２の光軸の傾斜を考慮し、水平面内
において光増幅器チップ２への突き合わせ方向に対して
約１７度傾斜させて形成されている。また、リボンファ
イバ３ｂを構成する光ファイバは、コアとクラッドとの
間の比屈折率差が通常のシングルモードファイバと同じ
0.３％である。
れも構造が同一なのでファイバブロック３のみについて
説明し、ファイバブロック４については図中対応する部
分に対応する符号を付して説明を省略する。ファイバブ
ロック３は、ファイバ孔３ａにリボンファイバ３ｂを接
着固定し、端面３ｃをリボンファイバ３ｂと共に研磨し
たものである。ここで、ファイバ孔３ａは、リボンファ
イバ３ｂを構成する光ファイバの端面反射を抑えるため
に、光増幅器チップ２の光軸の傾斜を考慮し、水平面内
において光増幅器チップ２への突き合わせ方向に対して
約１７度傾斜させて形成されている。また、リボンファ
イバ３ｂを構成する光ファイバは、コアとクラッドとの
間の比屈折率差が通常のシングルモードファイバと同じ
0.３％である。
【００１５】従って、光半導体モジュール１は、例え
ば、ファイバブロック３のリボンファイバ３ｂを伝送さ
れてきた光は、光増幅器チップ２を通過する際に光増幅
されてファイバブロック４のリボンファイバ４ｂへ出射
される。このとき、光半導体モジュール１は、光増幅器
チップ２の両端面近傍に変換部２ａ，２ｂが設けられて
いる。従って、光増幅器チップ２は、端面近傍でモード
フィールドが拡大されて光密度が小さくなるので、端面
における熱発生が抑制されている。このため、光半導体
モジュール１は、光増幅器チップ２の端面に接着剤６が
付着していても何ら問題はなく、信頼性が低下すること
はない。
ば、ファイバブロック３のリボンファイバ３ｂを伝送さ
れてきた光は、光増幅器チップ２を通過する際に光増幅
されてファイバブロック４のリボンファイバ４ｂへ出射
される。このとき、光半導体モジュール１は、光増幅器
チップ２の両端面近傍に変換部２ａ，２ｂが設けられて
いる。従って、光増幅器チップ２は、端面近傍でモード
フィールドが拡大されて光密度が小さくなるので、端面
における熱発生が抑制されている。このため、光半導体
モジュール１は、光増幅器チップ２の端面に接着剤６が
付着していても何ら問題はなく、信頼性が低下すること
はない。
【００１６】以上のように構成される光半導体モジュー
ル１を製造したところ、光増幅器チップ２の各端面にフ
ァイバブロック３，４をそれぞれ位置合わせして接着固
定するのに各端面当たり約１０分で済み、結合損失が各
端面当たり約3.５ｄＢで、利得２０ｄＢ以上の非常に良
好なモジュール１を複雑な工程なしに得ることができ
た。
ル１を製造したところ、光増幅器チップ２の各端面にフ
ァイバブロック３，４をそれぞれ位置合わせして接着固
定するのに各端面当たり約１０分で済み、結合損失が各
端面当たり約3.５ｄＢで、利得２０ｄＢ以上の非常に良
好なモジュール１を複雑な工程なしに得ることができ
た。
【００１７】一方、光半導体チップとして同一構造の光
増幅器チップを用い、従来の技術で説明した光半導体モ
ジュールを製造したところ、光半導体チップとシングル
モードファイバとを最適位置に位置合わせするために、
各端面当たり約１時間必要であった。但し、結合損失は
各端面当たり約3.５ｄＢであった。 実施例２ 次に、本発明の第２の実施例を説明する。第２の実施例
の光半導体モジュールは、光ファイバのコアとクラッド
との間の比屈折率差が2.３％のリボンファイバを用いた
ことを除き、第１の実施例の光半導体モジュール１と構
成が同一であるので、図３においてリボンファイバ以外
の構成要素には同一の符号を付し、本実施例のリボンフ
ァイバの符号をそれぞれ３ｄ，４ｄとすることにより、
説明を簡単にする。
増幅器チップを用い、従来の技術で説明した光半導体モ
ジュールを製造したところ、光半導体チップとシングル
モードファイバとを最適位置に位置合わせするために、
各端面当たり約１時間必要であった。但し、結合損失は
各端面当たり約3.５ｄＢであった。 実施例２ 次に、本発明の第２の実施例を説明する。第２の実施例
の光半導体モジュールは、光ファイバのコアとクラッド
との間の比屈折率差が2.３％のリボンファイバを用いた
ことを除き、第１の実施例の光半導体モジュール１と構
成が同一であるので、図３においてリボンファイバ以外
の構成要素には同一の符号を付し、本実施例のリボンフ
ァイバの符号をそれぞれ３ｄ，４ｄとすることにより、
説明を簡単にする。
【００１８】光半導体モジュール１は、ヒートシンク６
上に固定された光増幅器チップ２にファイバブロック
３，４が接着剤５で接着固定されている。ファイバブロ
ック３，４は、それぞれファイバ孔３ａ，４ａにリボン
ファイバ３ｄ，４ｄを接着固定し、端面３ｃ，４ｃをリ
ボンファイバ３ｄ，４ｄと共に研磨したものである。こ
こで、光半導体チップとして同一構造の光増幅器チップ
を用い、従来の技術で説明した比屈折率差が0.３％のシ
ングルモードファイバに代えて比屈折率差が2.３％の光
ファイバを用いて光半導体モジュールを製造した。その
結果、光半導体チップとシングルモードファイバとを最
適位置に位置合わせするために、各端面当たり約１時間
半を要した。
上に固定された光増幅器チップ２にファイバブロック
３，４が接着剤５で接着固定されている。ファイバブロ
ック３，４は、それぞれファイバ孔３ａ，４ａにリボン
ファイバ３ｄ，４ｄを接着固定し、端面３ｃ，４ｃをリ
ボンファイバ３ｄ，４ｄと共に研磨したものである。こ
こで、光半導体チップとして同一構造の光増幅器チップ
を用い、従来の技術で説明した比屈折率差が0.３％のシ
ングルモードファイバに代えて比屈折率差が2.３％の光
ファイバを用いて光半導体モジュールを製造した。その
結果、光半導体チップとシングルモードファイバとを最
適位置に位置合わせするために、各端面当たり約１時間
半を要した。
【００１９】これに対して、本実施例の光半導体モジュ
ール１では、光増幅器チップ２の各端面にファイバブロ
ック３，４をそれぞれ位置合わせして接着固定するのに
各端面当たり約１０分で済み、結合損失は各端面当たり
約2.５ｄＢで一層向上していた。ここで、光ファイバ
は、原理的には比屈折率差が大きい程、結合効率が向上
して良い。そこで、比屈折率差が1.４％，2.３％及び3.
１％の光ファイバを用いて光半導体モジュール１を組み
立て、各端面当たりの結合損失を測定したところ、それ
ぞれ1.８ｄＢ，2.５ｄＢ及び2.６ｄＢであった。
ール１では、光増幅器チップ２の各端面にファイバブロ
ック３，４をそれぞれ位置合わせして接着固定するのに
各端面当たり約１０分で済み、結合損失は各端面当たり
約2.５ｄＢで一層向上していた。ここで、光ファイバ
は、原理的には比屈折率差が大きい程、結合効率が向上
して良い。そこで、比屈折率差が1.４％，2.３％及び3.
１％の光ファイバを用いて光半導体モジュール１を組み
立て、各端面当たりの結合損失を測定したところ、それ
ぞれ1.８ｄＢ，2.５ｄＢ及び2.６ｄＢであった。
【００２０】本発明の光半導体モジュールは、構成上、
光ファイバ端面と光半導体チップとの間に僅かなギャッ
プが存在するので、比屈折率差が大きくなり過ぎると比
屈折率差の大きい光ファイバを用いる利点が生かせなく
なる。従って、本発明においては、比屈折率差を通常の
シングルモードファイバの比屈折率差（＝0.３％）より
も大きく、3.５％よりも小さく設定した。 実施例３ 更に、光半導体モジュールは、図４に示す光半導体モジ
ュール１０のように、半導体レーザチップ１１の光の出
射側にファイバブロック１２を接着剤１３で接着固定し
た構成としてもよい。このような構成にすると、光半導
体モジュール１０は、他方の端面が開放され、半導体レ
ーザチップ１１の発光強度をモニタすることができる。
光ファイバ端面と光半導体チップとの間に僅かなギャッ
プが存在するので、比屈折率差が大きくなり過ぎると比
屈折率差の大きい光ファイバを用いる利点が生かせなく
なる。従って、本発明においては、比屈折率差を通常の
シングルモードファイバの比屈折率差（＝0.３％）より
も大きく、3.５％よりも小さく設定した。 実施例３ 更に、光半導体モジュールは、図４に示す光半導体モジ
ュール１０のように、半導体レーザチップ１１の光の出
射側にファイバブロック１２を接着剤１３で接着固定し
た構成としてもよい。このような構成にすると、光半導
体モジュール１０は、他方の端面が開放され、半導体レ
ーザチップ１１の発光強度をモニタすることができる。
【００２１】ここで、半導体レーザチップ１１は、ヒー
トシンク１４上に固定され、ファイバブロック１２との
衝突を避けるためヒートシンク１４よりも僅かに短い長
さに設定されている。半導体レーザチップ１１は、図４
に示すように、光軸が端面に対して垂直で、光の出射側
の端面近傍にモードフィールドを拡大させる変換部１１
ａが設けられている。
トシンク１４上に固定され、ファイバブロック１２との
衝突を避けるためヒートシンク１４よりも僅かに短い長
さに設定されている。半導体レーザチップ１１は、図４
に示すように、光軸が端面に対して垂直で、光の出射側
の端面近傍にモードフィールドを拡大させる変換部１１
ａが設けられている。
【００２２】また、ファイバブロック１２は、ファイバ
孔１２ａにリボンファイバ１２ｂを接着固定し、端面１
２ｃをリボンファイバ１２ｂと共に研磨したものであ
る。ここで、ファイバ孔１２ａは、水平面内において半
導体レーザチップ１１への突き合わせ方向と平行に形成
されている。また、リボンファイバ１２ｂを構成する光
ファイバは、コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常
のシングルモードファイバと同じ0.３％である。
孔１２ａにリボンファイバ１２ｂを接着固定し、端面１
２ｃをリボンファイバ１２ｂと共に研磨したものであ
る。ここで、ファイバ孔１２ａは、水平面内において半
導体レーザチップ１１への突き合わせ方向と平行に形成
されている。また、リボンファイバ１２ｂを構成する光
ファイバは、コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常
のシングルモードファイバと同じ0.３％である。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向
における位置合わせが容易で、安価に製造することが可
能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供す
ることができる。このとき、請求項２の発明によれば、
コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモ
ードファイバよりも大きいことから、光半導体チップと
光ファイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向
における位置合わせを容易に行うことができる。
よれば、光半導体チップと光ファイバとの間の光軸方向
における位置合わせが容易で、安価に製造することが可
能な高い結合効率を有する光半導体モジュールを提供す
ることができる。このとき、請求項２の発明によれば、
コアとクラッドとの間の比屈折率差が通常のシングルモ
ードファイバよりも大きいことから、光半導体チップと
光ファイバとの間の結合効率が向上し、両者の光軸方向
における位置合わせを容易に行うことができる。
【００２４】また、請求項３の発明によれば、光ファイ
バとの界面における反射の影響を無視でき、光半導体チ
ップから出射した光の広がりが空気の場合に比べて小さ
くなるので、結合損失を一層小さくすることができる。
更に、請求項４の発明によれば、半導体チップの端面近
傍における光密度が小さくなるので、端面における熱発
生を抑制することができ、光半導体モジュールの信頼性
が向上する。
バとの界面における反射の影響を無視でき、光半導体チ
ップから出射した光の広がりが空気の場合に比べて小さ
くなるので、結合損失を一層小さくすることができる。
更に、請求項４の発明によれば、半導体チップの端面近
傍における光密度が小さくなるので、端面における熱発
生を抑制することができ、光半導体モジュールの信頼性
が向上する。
【図１】本発明の光半導体モジュールの第１の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１の光半導体モジュールの側面図である。
【図３】本発明の光半導体モジュールの第２の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】本発明の光半導体モジュールの第３の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
１ 光半導体モジュール ２ 光増幅器チップ ２ａ，２ｂ 変換部（モードフィールドの） ３，４ ファイバブロック ３ａ，４ａ ファイバ孔 ３ｂ，４ｂ リボンファイバ ３ｃ，４ｃ 端面 ３ｄ，４ｄ リボンファイバ ５ 接着剤 ６ ヒートシンク １０ 光半導体モジュール １１ 半導体レーザチップ １１ａ 変換部（モードフィールドの） １２ ファイバブロック １２ａ ファイバ孔 １２ｂ リボンファイバ １２ｃ 端面 １３ 接着剤 １４ ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 麦野 明 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ヒートシンク上に固定される光半導体チ
ップと、光ファイバが固定され、前記光半導体チップの
光の入射側あるいは出射側の少なくとも一方に配置され
るファイバブロックとを備え、前記ヒートシンクとファ
イバブロックが接合固定されていることを特徴とする光
半導体モジュール。 - 【請求項２】 前記光ファイバは、コアとクラッドとの
間の比屈折率差が0.３％よりも大きく、3.５％よりも小
さい、請求項１の光半導体モジュール。 - 【請求項３】 前記ヒートシンク及び光半導体チップと
前記ファイバブロックとが、屈折率が１以上の接着剤で
接着されている、請求項１又は２の光半導体モジュー
ル。 - 【請求項４】 前記光半導体チップの、光の入・出射端
面の少なくとも一方の端面近傍にモードフィールド変換
部が設けられている、請求項１乃至３いずれかの光半導
体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29570195A JPH09138326A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 光半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29570195A JPH09138326A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 光半導体モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09138326A true JPH09138326A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17824052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29570195A Pending JPH09138326A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 光半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09138326A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | ３次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
| WO2002099940A3 (en) * | 2001-06-05 | 2003-09-12 | Axcel Photonics Inc | Powerpack laser diode assemblies |
| JP2021034450A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29570195A patent/JPH09138326A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | ３次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
| WO2002099940A3 (en) * | 2001-06-05 | 2003-09-12 | Axcel Photonics Inc | Powerpack laser diode assemblies |
| JP2021034450A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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