JPH09135035A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09135035A JPH09135035A JP7289597A JP28959795A JPH09135035A JP H09135035 A JPH09135035 A JP H09135035A JP 7289597 A JP7289597 A JP 7289597A JP 28959795 A JP28959795 A JP 28959795A JP H09135035 A JPH09135035 A JP H09135035A
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- semiconductor
- soldering
- lead
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明に関わる半導体装置の製造方法は、主
として太陽電池モジュールの取り出し電極と呼ばれるリ
ード線の取付方法に関わり、太陽電池等の半導体のリー
ド線と絶縁基板間の空隙に裏面封止樹脂が未充填の状態
で残ることによる半導体装置の信頼性低下を解決するこ
とにある。 【解決手段】 太陽電池等の半導体の取り出し電極部分
としてのリード線６を、所定の間隔で予備半田付７を行
い、その部分を半田付けしながら、該太陽電池等の半導
体に取り付ける際に、そのリード線６と該絶縁基板との
空隙を所定の高さに維持するためにスペーサー８を用い
て半田付け作業を行う製造方法とすることにより、リー
ド線と絶縁基板の間が一定の高さの空隙に維持されるこ
ととなり、その空隙に安定的に樹脂を充填させることが
可能となる。
として太陽電池モジュールの取り出し電極と呼ばれるリ
ード線の取付方法に関わり、太陽電池等の半導体のリー
ド線と絶縁基板間の空隙に裏面封止樹脂が未充填の状態
で残ることによる半導体装置の信頼性低下を解決するこ
とにある。 【解決手段】 太陽電池等の半導体の取り出し電極部分
としてのリード線６を、所定の間隔で予備半田付７を行
い、その部分を半田付けしながら、該太陽電池等の半導
体に取り付ける際に、そのリード線６と該絶縁基板との
空隙を所定の高さに維持するためにスペーサー８を用い
て半田付け作業を行う製造方法とすることにより、リー
ド線と絶縁基板の間が一定の高さの空隙に維持されるこ
ととなり、その空隙に安定的に樹脂を充填させることが
可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、より詳しくは太陽電池モジュール、特に非晶
質シリコンを始めとする非晶質半導体層により光電変換
を行う非晶質太陽電池モジュール、或いはＣｄＴｅなど
に代表される化合物系太陽電池モジュールの製造方法に
関するものである。さらに詳しくは上記太陽電池モジュ
ールの両端に位置する取り出し電極部分に関するリード
線の取り付け方法に関するものである。
法に関し、より詳しくは太陽電池モジュール、特に非晶
質シリコンを始めとする非晶質半導体層により光電変換
を行う非晶質太陽電池モジュール、或いはＣｄＴｅなど
に代表される化合物系太陽電池モジュールの製造方法に
関するものである。さらに詳しくは上記太陽電池モジュ
ールの両端に位置する取り出し電極部分に関するリード
線の取り付け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質太陽電池等の半導体装置は、絶縁
基板として主にガラス基板を用い、そのガラス基板上に
透明導電膜層、非晶質半導体層、裏面電極層が順次形成
され、これら薄膜をその都度パターニングする事により
複数のセルが作製される。この際にこれらのセルを集積
化することにより、一般に用いられる太陽電池モジュー
ルとしての電気的特性を示す構造となっている。かかる
太陽電池モジュールにおいては集積されている各段のセ
ルの最初の段と最終段の電極部分、すなわち集積化され
たセルの最も電位差が大きくなる電極部分に於いては、
通常半田メッキを施した銅線をリード線として、それを
半田付けすることにより、そのリード線を太陽電池モジ
ュールの端子ボックスまで導びいている。該ガラス基板
上にこのリード線を全面にわたり半田付けする事は、ガ
ラス基板と金属の熱膨張係数の違いから、リード線とガ
ラス基板の間に剥離を生じ、信頼性を大きく損なう原因
となる。このため通常このリード線の取り付け方法とし
ては、点付けと呼ばれる所定の間隔でリード線と該ガラ
ス基板を半田付けする方法が採用されてきた。
基板として主にガラス基板を用い、そのガラス基板上に
透明導電膜層、非晶質半導体層、裏面電極層が順次形成
され、これら薄膜をその都度パターニングする事により
複数のセルが作製される。この際にこれらのセルを集積
化することにより、一般に用いられる太陽電池モジュー
ルとしての電気的特性を示す構造となっている。かかる
太陽電池モジュールにおいては集積されている各段のセ
ルの最初の段と最終段の電極部分、すなわち集積化され
たセルの最も電位差が大きくなる電極部分に於いては、
通常半田メッキを施した銅線をリード線として、それを
半田付けすることにより、そのリード線を太陽電池モジ
ュールの端子ボックスまで導びいている。該ガラス基板
上にこのリード線を全面にわたり半田付けする事は、ガ
ラス基板と金属の熱膨張係数の違いから、リード線とガ
ラス基板の間に剥離を生じ、信頼性を大きく損なう原因
となる。このため通常このリード線の取り付け方法とし
ては、点付けと呼ばれる所定の間隔でリード線と該ガラ
ス基板を半田付けする方法が採用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半田と
半田の間は、リード線と該ガラス基板の間で空隙が必然
的に生じるが、空隙の高さに大小が生じるため、裏面封
止を行った際に、裏面封止用樹脂がその空隙に進入でき
る場合と進入できない場合が生じていた。特に樹脂が入
り込まなかった場合には、その空隙に外部から進入した
水分が結露等により水滴となってたまり、裏面金属の腐
食が促進される原因となる。その結果、太陽電池モジュ
ールの信頼性に問題を生じていた。
半田の間は、リード線と該ガラス基板の間で空隙が必然
的に生じるが、空隙の高さに大小が生じるため、裏面封
止を行った際に、裏面封止用樹脂がその空隙に進入でき
る場合と進入できない場合が生じていた。特に樹脂が入
り込まなかった場合には、その空隙に外部から進入した
水分が結露等により水滴となってたまり、裏面金属の腐
食が促進される原因となる。その結果、太陽電池モジュ
ールの信頼性に問題を生じていた。
【０００４】そこで、本発明者らは上記問題を解決する
ために鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
ために鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、絶縁基板上に形成された半導体、主に非
晶質太陽電池又は化合物太陽電池の取り出し電極部分と
してのリード線を、所定の間隔で予備半田付を行った部
分に半田付けしながら該半導体に取り付ける方法におい
て、スペーサーを用いてそのリード線と該半導体基板と
の空隙を所定の高さに維持し半田付け作業を行うことで
あり、その後に該スペーサーを取り除くことにある。
の製造方法は、絶縁基板上に形成された半導体、主に非
晶質太陽電池又は化合物太陽電池の取り出し電極部分と
してのリード線を、所定の間隔で予備半田付を行った部
分に半田付けしながら該半導体に取り付ける方法におい
て、スペーサーを用いてそのリード線と該半導体基板と
の空隙を所定の高さに維持し半田付け作業を行うことで
あり、その後に該スペーサーを取り除くことにある。
【０００６】また、熱可塑性樹脂シートでリード線を取
り付けた該太陽電池を覆い、さらに該熱可塑性シートを
フッ素系樹脂シートで代表される裏面カバーで覆った
後、これらを加熱及び真空引き及び加圧により、熱可塑
性樹脂シートと半導体基板の間、及び熱可塑性樹脂シー
トと該裏面カバーの間に気泡を残さない状態で熱可塑性
樹脂を溶融、硬化させ、該半導体と裏面カバーフィルム
とを接着させる真空ラミネート法により前記半導体を封
止する半導体装置の製造方法である。
り付けた該太陽電池を覆い、さらに該熱可塑性シートを
フッ素系樹脂シートで代表される裏面カバーで覆った
後、これらを加熱及び真空引き及び加圧により、熱可塑
性樹脂シートと半導体基板の間、及び熱可塑性樹脂シー
トと該裏面カバーの間に気泡を残さない状態で熱可塑性
樹脂を溶融、硬化させ、該半導体と裏面カバーフィルム
とを接着させる真空ラミネート法により前記半導体を封
止する半導体装置の製造方法である。
【０００７】さらに、半田付けした該絶縁基板とリード
線の空隙に毛管現象を利用して液状樹脂を浸透させる半
導体装置の製造方法である。このような半導体装置を作
製する場合、リード線部分の信頼性を高めるためにリー
ド線とガラス基板との空隙を一定高さ以上とし、しかも
再現性良くその空隙の高さを形成することが可能であ
り、裏面封止樹脂が確実にそのリード線と絶縁基板の空
隙に侵入することができる。その結果、半導体装置とし
ての信頼性を大幅に高めることが可能となる。
線の空隙に毛管現象を利用して液状樹脂を浸透させる半
導体装置の製造方法である。このような半導体装置を作
製する場合、リード線部分の信頼性を高めるためにリー
ド線とガラス基板との空隙を一定高さ以上とし、しかも
再現性良くその空隙の高さを形成することが可能であ
り、裏面封止樹脂が確実にそのリード線と絶縁基板の空
隙に侵入することができる。その結果、半導体装置とし
ての信頼性を大幅に高めることが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】前記、空隙を作る方法を具体的に
述べる。リード線は絶縁基板上に連続的でない状態で超
音波半田ゴテにより予備半田付けされる。等間隔、或い
は所定の決められた間隔で予備半田付けがなされてい
る。通常はこの予備半田された部分の形状は円形の点で
あるので以後この半田付けされた部分をスポットと呼ぶ
事にする。この隣接する半田付けのスポット間隔より狭
い幅のスペーサーで、しかも厚みが真空ラミネート法に
よる裏面封止の場合には１０μｍ以上、常圧裏面封止法
による場合にも１０μｍ以上の厚みを有するスペーサー
を用いることにより、リード線とガラス基板間の距離が
このスペーサーの厚み以上に維持されることになる。
述べる。リード線は絶縁基板上に連続的でない状態で超
音波半田ゴテにより予備半田付けされる。等間隔、或い
は所定の決められた間隔で予備半田付けがなされてい
る。通常はこの予備半田された部分の形状は円形の点で
あるので以後この半田付けされた部分をスポットと呼ぶ
事にする。この隣接する半田付けのスポット間隔より狭
い幅のスペーサーで、しかも厚みが真空ラミネート法に
よる裏面封止の場合には１０μｍ以上、常圧裏面封止法
による場合にも１０μｍ以上の厚みを有するスペーサー
を用いることにより、リード線とガラス基板間の距離が
このスペーサーの厚み以上に維持されることになる。
【０００９】このときのスペーサー形状は櫛歯状の物型
が好ましく、この形状であれば、そのリード線における
スポットをすべて半田付けした後、まとめてスペーサー
を取り除くことができるため、脱着が容易となる。上か
ら見た図を、図３に示す。また、スペーサーの厚みは、
溶融樹脂や、室温で液状の樹脂がスペーサーによって設
けられた空隙に、容易に進入できるようにするために、
１０μｍ以上が好ましい。また裏面を封止する熱可塑性
樹脂や熱硬化性樹脂の厚みが１ｍｍ以下であることを考
慮すれば、スペーサー厚みも１ｍｍ以下が好ましい。
が好ましく、この形状であれば、そのリード線における
スポットをすべて半田付けした後、まとめてスペーサー
を取り除くことができるため、脱着が容易となる。上か
ら見た図を、図３に示す。また、スペーサーの厚みは、
溶融樹脂や、室温で液状の樹脂がスペーサーによって設
けられた空隙に、容易に進入できるようにするために、
１０μｍ以上が好ましい。また裏面を封止する熱可塑性
樹脂や熱硬化性樹脂の厚みが１ｍｍ以下であることを考
慮すれば、スペーサー厚みも１ｍｍ以下が好ましい。
【００１０】さらには、この絶縁基板とリード線の空隙
は数十ミクロンから数百ミクロン程度の精度が要求され
るため、錆或いは膨潤等による膜厚の増加、或いは作業
の繰り返しの摩耗による膜厚の減少は好ましくない。こ
のためスペーサーの材質としては硬質のプラスチックや
ステンレスが好ましいが、このような薄さのスペーサー
をより均一な厚みで成形するためには、ステンレスがよ
り好ましい。
は数十ミクロンから数百ミクロン程度の精度が要求され
るため、錆或いは膨潤等による膜厚の増加、或いは作業
の繰り返しの摩耗による膜厚の減少は好ましくない。こ
のためスペーサーの材質としては硬質のプラスチックや
ステンレスが好ましいが、このような薄さのスペーサー
をより均一な厚みで成形するためには、ステンレスがよ
り好ましい。
【００１１】また、スペーサーの取り出しは全てのスポ
ットの半田付けが終了後に行うのが好ましい。このよう
に一定の高さ以上の空隙が維持されることによりリード
線と絶縁基板の間の空隙に安定的に樹脂を充填させるこ
とが可能となる。
ットの半田付けが終了後に行うのが好ましい。このよう
に一定の高さ以上の空隙が維持されることによりリード
線と絶縁基板の間の空隙に安定的に樹脂を充填させるこ
とが可能となる。
【００１２】
【実施例１】本発明の半導体装置の製造方法を適用した
非晶質太陽電池モジュールにおいて、以下に図面を用い
てその構成を示す。絶縁基板として、基板サイズ３００
ｍｍ×４００ｍｍ、厚み４ｔのガラス基板４上に熱ＣＶ
Ｄ法により透明導電膜層３を形成し、波長１．０６μｍ
ＹＡＧレーザーの基本波を用いて、短冊状に電気的に分
離した。その後純水で超音波洗浄を行ない、透明導電膜
層３が被着された面側に基板温度２００℃、反応圧力
０．５から１．０Ｔｏｒｒにてモノシラン、メタン、ジ
ボランから成る混合ガス、モノシラン、水素から成る混
合ガス、モノシラン、水素、ホスフィンから成る混合ガ
スをこの順序にて容量結合型グロー放電分解装置内で分
解することにより、Ｐ型、Ｉ型、Ｎ型の非晶質半導体層
２を形成した。この後先ほどのレーザーによるスクライ
ブ線より僅かにずれた位置を、透明導電膜層にダメージ
がないように波長０．５３μｍのＹＡＧレーザーの第二
高調波を用いて分離した。引き続いて裏面金属層１とし
てアルミニウムをスパッタリング法により、厚み３００
ｎｍ形成して、これを波長０．５３μｍのＹＡＧレーザ
ーの第二高調波を用いて更に分離し、集積型非晶質シリ
コン太陽電池を作製した。この太陽電池の断面図を図１
に示す。この太陽電池の両端には正負の取り出し電極を
設ける。該取り出し電極は半田メッキ銅箔６を用いてお
り、ガラス基板４との接着は超音波半田付け法により、
予備半田７によってガラス基板との接着を行っている。
概略図を図２に示す。ここでは半田メッキ銅箔６とガラ
ス基板４を半田付けする超音波半田の間隔は２０ｍｍと
一定とした。但し超音波半田のスポット径は２ｍｍであ
るため、スポットの中心から中心までの距離は２０ｍｍ
であり、隣接するスポット間の最短距離は１８ｍｍとな
る。取り出し電極部分に超音波半田付け法で上記のよう
に一定間隔で半田付けした後、幅１６ｍｍ、ステンレス
製の厚み１００μｍのスペーサー８を超音波半田の各ス
ポットの間に挿入した状態で固定し、その後取り出し電
極としてリード線６をはわせた。さらにこの際リード線
の張力が一定となるように、約５００ｇのテンションを
常時加えた状態で順次半田付けを行っていった。この時
のリード付けを行う際のリード線と太陽電池の断面図と
上側から見た図を図３に示す。
非晶質太陽電池モジュールにおいて、以下に図面を用い
てその構成を示す。絶縁基板として、基板サイズ３００
ｍｍ×４００ｍｍ、厚み４ｔのガラス基板４上に熱ＣＶ
Ｄ法により透明導電膜層３を形成し、波長１．０６μｍ
ＹＡＧレーザーの基本波を用いて、短冊状に電気的に分
離した。その後純水で超音波洗浄を行ない、透明導電膜
層３が被着された面側に基板温度２００℃、反応圧力
０．５から１．０Ｔｏｒｒにてモノシラン、メタン、ジ
ボランから成る混合ガス、モノシラン、水素から成る混
合ガス、モノシラン、水素、ホスフィンから成る混合ガ
スをこの順序にて容量結合型グロー放電分解装置内で分
解することにより、Ｐ型、Ｉ型、Ｎ型の非晶質半導体層
２を形成した。この後先ほどのレーザーによるスクライ
ブ線より僅かにずれた位置を、透明導電膜層にダメージ
がないように波長０．５３μｍのＹＡＧレーザーの第二
高調波を用いて分離した。引き続いて裏面金属層１とし
てアルミニウムをスパッタリング法により、厚み３００
ｎｍ形成して、これを波長０．５３μｍのＹＡＧレーザ
ーの第二高調波を用いて更に分離し、集積型非晶質シリ
コン太陽電池を作製した。この太陽電池の断面図を図１
に示す。この太陽電池の両端には正負の取り出し電極を
設ける。該取り出し電極は半田メッキ銅箔６を用いてお
り、ガラス基板４との接着は超音波半田付け法により、
予備半田７によってガラス基板との接着を行っている。
概略図を図２に示す。ここでは半田メッキ銅箔６とガラ
ス基板４を半田付けする超音波半田の間隔は２０ｍｍと
一定とした。但し超音波半田のスポット径は２ｍｍであ
るため、スポットの中心から中心までの距離は２０ｍｍ
であり、隣接するスポット間の最短距離は１８ｍｍとな
る。取り出し電極部分に超音波半田付け法で上記のよう
に一定間隔で半田付けした後、幅１６ｍｍ、ステンレス
製の厚み１００μｍのスペーサー８を超音波半田の各ス
ポットの間に挿入した状態で固定し、その後取り出し電
極としてリード線６をはわせた。さらにこの際リード線
の張力が一定となるように、約５００ｇのテンションを
常時加えた状態で順次半田付けを行っていった。この時
のリード付けを行う際のリード線と太陽電池の断面図と
上側から見た図を図３に示す。
【００１３】この後スペーサーを取り除き、熱可塑性樹
脂であるＥＶＡ（エチレンとビニルアセテートとの共重
合体）９とテドラーフィルム１０を全面に覆い、真空ラ
ミネート法により１５０℃まで昇温しＥＶＡ９を加熱融
着することにより裏面を封止した。封止後の太陽電池の
断面図を図４に示す。その空隙の大きさを調べるため
に、同様に基板サイズ３００ｍｍ×４００ｍｍの透明導
電膜層や半導体層の蒸着されていない透明のガラス基板
を用意し、上記と同様の方法で超音波半田付けを行い、
さらにその後スペーサーを用いてリード線付けを行っ
た。その際のガラス基板とリード線の空隙を隙間ゲージ
により調べた。比較例として、スペーサーを用いないで
リード線付けを行った場合の空隙も隙間ゲージによって
調べた。双方の空隙の大きさの分布を表１に示す。
脂であるＥＶＡ（エチレンとビニルアセテートとの共重
合体）９とテドラーフィルム１０を全面に覆い、真空ラ
ミネート法により１５０℃まで昇温しＥＶＡ９を加熱融
着することにより裏面を封止した。封止後の太陽電池の
断面図を図４に示す。その空隙の大きさを調べるため
に、同様に基板サイズ３００ｍｍ×４００ｍｍの透明導
電膜層や半導体層の蒸着されていない透明のガラス基板
を用意し、上記と同様の方法で超音波半田付けを行い、
さらにその後スペーサーを用いてリード線付けを行っ
た。その際のガラス基板とリード線の空隙を隙間ゲージ
により調べた。比較例として、スペーサーを用いないで
リード線付けを行った場合の空隙も隙間ゲージによって
調べた。双方の空隙の大きさの分布を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】更に双方ともＥＶＡ９とテドラーフィルム
１０を真空ラミネート法により加熱融着させた後、ガラ
ス面側からリード線６の下部に残る気泡を調べた。一枚
の基板に残っている気泡の数を表２に示す。
１０を真空ラミネート法により加熱融着させた後、ガラ
ス面側からリード線６の下部に残る気泡を調べた。一枚
の基板に残っている気泡の数を表２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】更にスペーサーを用いた場合と用いなかっ
た場合での信頼性を調査するために、基板サイズ５イン
チ×５インチの太陽電池モジュールでスペーサーを用い
てリード線付を行った太陽電池モジュールとスペーサー
を用いずにリード線付をした太陽電池モジュールをそれ
ぞれ５枚づつ作製した。このスペーサーを用いてリード
線付を行った小型モジュールに於いても、予備半田付け
の間隔を１０ｍｍとし、幅を７ｍｍ、厚み１００μｍの
スペーサーを用いてリード線付けを行った。その後同様
にＥＶＡとテドラーを用いて真空ラミネート法により加
熱融着を行い、小型の太陽電池モジュールとした。本来
ならばガラス基板の端面には、熱可塑性ブチルゴムなど
により封止した後、アルミフレームなどで保護するもの
である。しかしながら今回は、内部の空隙による性能低
下を短時間で確かめる為に敢えて端面封止は行わなかっ
た。これら合計１０個の太陽電池を８５℃／９０％Ｒ
Ｈ．の高温高湿槽に１０００時間放置し、初期における
電気特性と試験後の電気特性とを比較した。その結果を
表３に示す。
た場合での信頼性を調査するために、基板サイズ５イン
チ×５インチの太陽電池モジュールでスペーサーを用い
てリード線付を行った太陽電池モジュールとスペーサー
を用いずにリード線付をした太陽電池モジュールをそれ
ぞれ５枚づつ作製した。このスペーサーを用いてリード
線付を行った小型モジュールに於いても、予備半田付け
の間隔を１０ｍｍとし、幅を７ｍｍ、厚み１００μｍの
スペーサーを用いてリード線付けを行った。その後同様
にＥＶＡとテドラーを用いて真空ラミネート法により加
熱融着を行い、小型の太陽電池モジュールとした。本来
ならばガラス基板の端面には、熱可塑性ブチルゴムなど
により封止した後、アルミフレームなどで保護するもの
である。しかしながら今回は、内部の空隙による性能低
下を短時間で確かめる為に敢えて端面封止は行わなかっ
た。これら合計１０個の太陽電池を８５℃／９０％Ｒ
Ｈ．の高温高湿槽に１０００時間放置し、初期における
電気特性と試験後の電気特性とを比較した。その結果を
表３に示す。
【００１８】
【表３】
【００１９】これらの表からも分かるようにスペーサー
を用いた太陽電池モジュールは、５枚全てに於いて大き
な特性低下は示さなかったが、スペーサーを用いなかっ
た太陽電池モジュールの中には特性低下を示したものが
見られた。
を用いた太陽電池モジュールは、５枚全てに於いて大き
な特性低下は示さなかったが、スペーサーを用いなかっ
た太陽電池モジュールの中には特性低下を示したものが
見られた。
【００２０】
【実施例２】実施例１と同様の方法で作製された基板サ
イズ３００ｍｍ×４００ｍｍのガラス基板上の太陽電池
に、同様の方法でリード線６を超音波半田付け法により
取り付けた。半田付け間隔は実施例１と同じ２０ｍｍ間
隔である。ここではステンレス製で厚みが２００μｍの
スペーサーを用いた。このガラス基板上にポリイソブチ
レンを主査骨格とした熱硬化型樹脂と、可塑剤、架橋
剤、紫外線吸収剤、充填剤として酸化珪素、酸化チタン
を加え撹拌脱泡を行い、粘度が１８０ポイズの液状樹脂
をディスペンサーによりリード線の幅方向の一方の辺に
かかるように連続的にリード線の長さ方向にわたって樹
脂を塗布し、リード線とガラス基板の空隙に樹脂を注入
した。この後ガラス基板上の太陽電池全面にポリイソブ
チレンを主鎖骨格とした熱硬化型樹脂と、可塑剤、架橋
剤、紫外線吸収剤、充填剤として酸化珪素、酸化チタン
を加え撹拌脱泡を行った粘度３５０ポイズの液状樹脂１
１を太陽電池側に全面塗布し、その上からガラスクロス
１２で覆い、ローラーを用いてエアーが入らないように
カバーした。この後この太陽電池を１５０℃のオーブン
にて約１時間放置させ、樹脂を硬化させることにより太
陽電池モジュールを作製した。この太陽電池モジュール
の断面図を図５に示す。
イズ３００ｍｍ×４００ｍｍのガラス基板上の太陽電池
に、同様の方法でリード線６を超音波半田付け法により
取り付けた。半田付け間隔は実施例１と同じ２０ｍｍ間
隔である。ここではステンレス製で厚みが２００μｍの
スペーサーを用いた。このガラス基板上にポリイソブチ
レンを主査骨格とした熱硬化型樹脂と、可塑剤、架橋
剤、紫外線吸収剤、充填剤として酸化珪素、酸化チタン
を加え撹拌脱泡を行い、粘度が１８０ポイズの液状樹脂
をディスペンサーによりリード線の幅方向の一方の辺に
かかるように連続的にリード線の長さ方向にわたって樹
脂を塗布し、リード線とガラス基板の空隙に樹脂を注入
した。この後ガラス基板上の太陽電池全面にポリイソブ
チレンを主鎖骨格とした熱硬化型樹脂と、可塑剤、架橋
剤、紫外線吸収剤、充填剤として酸化珪素、酸化チタン
を加え撹拌脱泡を行った粘度３５０ポイズの液状樹脂１
１を太陽電池側に全面塗布し、その上からガラスクロス
１２で覆い、ローラーを用いてエアーが入らないように
カバーした。この後この太陽電池を１５０℃のオーブン
にて約１時間放置させ、樹脂を硬化させることにより太
陽電池モジュールを作製した。この太陽電池モジュール
の断面図を図５に示す。
【００２１】この場合も実施例１と同様に、この太陽電
池モジュールは、スペーサーを用いなかった太陽電池モ
ジュールに比べ大きな特性低下は示さなかった。
池モジュールは、スペーサーを用いなかった太陽電池モ
ジュールに比べ大きな特性低下は示さなかった。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明においては、太陽電
池等の半導体の取り出し電極部分をスペーサーを用いて
リード線付けすることにより、裏面封止樹脂が絶縁基板
とリード線の間に未充填部分を残すことなく注入させる
ことが可能となり、その結果半導体装置の信頼性を大幅
に向上させることが可能となった。
池等の半導体の取り出し電極部分をスペーサーを用いて
リード線付けすることにより、裏面封止樹脂が絶縁基板
とリード線の間に未充填部分を残すことなく注入させる
ことが可能となり、その結果半導体装置の信頼性を大幅
に向上させることが可能となった。
【図１】半導体装置の一例である太陽電池の断面図
【図２】リード線を予備半田付けした断面図
【図３】（Ａ）スペーサーを空隙部に挿入した取り付け
部の上側から見た図 （Ｂ）はその断面図
部の上側から見た図 （Ｂ）はその断面図
【図４】実施例１の太陽電池モジュールの断面図
【図５】実施例２の太陽電池モジュールの断面図
１ 裏面電極層 ２ 非晶質半導体層 ３ 透明導電膜層 ４ ガラス基板 ５ 太陽電池層 ６ 半田メッキ銅箔（リード線） ７ 予備半田 ８ スペーサー ９ ＥＶＡ １０ テドラーフィルム １１ 液状樹脂（ポリイソブチレン） １２ ガラスクロス
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁基板上に形成された半導体の取り出し
電極部分としてのリード線を、所定の間隔で予備半田付
を行い、その部分を半田付けしながら、該半導体に取り
付ける際に、そのリード線と該半導体形成基板との空隙
を所定の高さに維持するためにスペーサーを用いて半田
付け作業を行う半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】熱可塑性樹脂シートを用いて真空ラミネー
ト法により前記半導体を封止する請求項１に記載された
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】液状樹脂により該絶縁基板とリード線の空
隙に毛管現象を利用して樹脂を浸透させる請求項１に記
載された半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP28959795A JP3676451B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
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Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2000340812A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
| US6357649B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-03-19 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for automatically soldering a lead wire to a solar battery |
| JP2002151712A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の裏面封止方法 |
| JP2007273908A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kaneka Corp | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2011211249A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2015146413A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 京セラ株式会社 | 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール |
| CN112768544A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-07 | 锦州阳光能源有限公司 | 一种ibc光伏电池组件及其焊接工艺 |
-
1995
- 1995-11-08 JP JP28959795A patent/JP3676451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340812A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
| US6357649B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-03-19 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for automatically soldering a lead wire to a solar battery |
| EP2259338A1 (en) | 1999-09-29 | 2010-12-08 | Kaneka Corporation | Methods and apparatuses for automatically soldering a lead wire to a solar battery |
| JP2002151712A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の裏面封止方法 |
| JP4650971B2 (ja) * | 2000-11-15 | 2011-03-16 | 株式会社カネカ | 薄膜太陽電池の裏面封止方法 |
| JP2007273908A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kaneka Corp | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2011211249A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2015146413A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 京セラ株式会社 | 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール |
| CN112768544A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-07 | 锦州阳光能源有限公司 | 一种ibc光伏电池组件及其焊接工艺 |
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