JPH09134864A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH09134864A JPH09134864A JP7292361A JP29236195A JPH09134864A JP H09134864 A JPH09134864 A JP H09134864A JP 7292361 A JP7292361 A JP 7292361A JP 29236195 A JP29236195 A JP 29236195A JP H09134864 A JPH09134864 A JP H09134864A
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- scanning
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査露光型の露光装置において、位置合わせ
精度を維持したままスループットを向上させる。 【解決手段】 あるショット領域での露光が終了後、Ｘ
Ｙステージは位置ｙ1 （Ｙ座標値）から目標位置ｙ
2 （Ｙ座標値）で示す走査開始位置まで移動し、その走
査開始位置で速度がほぼ０に減速して暫く振動した後、
所定のサンプリング回数の測定値の目標位置ｙ2 からの
ずれ量が走査開始位置での許容範囲εS 内に収束した時
刻ｔ３から走査を開始する。許容範囲εS の値は露光時
の許容範囲εEより極めて緩い値となっており、これに
より整定時間ＴS を短縮する。走査開始位置で発生した
位置決め誤差は、走査開始時刻ｔ３から露光開始時刻迄
の間に補正する。
精度を維持したままスループットを向上させる。 【解決手段】 あるショット領域での露光が終了後、Ｘ
Ｙステージは位置ｙ1 （Ｙ座標値）から目標位置ｙ
2 （Ｙ座標値）で示す走査開始位置まで移動し、その走
査開始位置で速度がほぼ０に減速して暫く振動した後、
所定のサンプリング回数の測定値の目標位置ｙ2 からの
ずれ量が走査開始位置での許容範囲εS 内に収束した時
刻ｔ３から走査を開始する。許容範囲εS の値は露光時
の許容範囲εEより極めて緩い値となっており、これに
より整定時間ＴS を短縮する。走査開始位置で発生した
位置決め誤差は、走査開始時刻ｔ３から露光開始時刻迄
の間に補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
マスク上のパターンを感光性の基板上に露光するための
露光方法に関し、特に、マスク上のパターンの一部を感
光性の基板上に投射した状態でマスク及び感光性の基板
を同期して走査することにより、マスク上のパターンを
その基板上の各ショット領域に逐次転写露光する、所謂
ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光
装置の露光方法に適用して好適なものである。
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
マスク上のパターンを感光性の基板上に露光するための
露光方法に関し、特に、マスク上のパターンの一部を感
光性の基板上に投射した状態でマスク及び感光性の基板
を同期して走査することにより、マスク上のパターンを
その基板上の各ショット領域に逐次転写露光する、所謂
ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光
装置の露光方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子等をフォトリソグ
ラフィ技術を用いて製造する際に、マスクとしてのレチ
クルのパターンの投影光学系を介した像をフォトレジス
ト等が塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上の
各ショット領域に露光するステッパー等の一括露光型の
投影露光装置が使用されている。これに対して最近、半
導体素子等の１個のチップサイズが大型化する傾向にあ
り、投影露光装置においてはレチクル上のより大きな面
積のパターンをウエハ上に露光する大面積化が求められ
ている。しかしながら、このために単に投影光学系の露
光フィールドを大きくしようとすると、広い露光フィー
ルドの全面で諸収差を許容範囲内に収めるために投影光
学系が複雑化して製造コストが高くなると共に、投影光
学系が大型化して装置全体が大きくなり過ぎてしまう。
ラフィ技術を用いて製造する際に、マスクとしてのレチ
クルのパターンの投影光学系を介した像をフォトレジス
ト等が塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上の
各ショット領域に露光するステッパー等の一括露光型の
投影露光装置が使用されている。これに対して最近、半
導体素子等の１個のチップサイズが大型化する傾向にあ
り、投影露光装置においてはレチクル上のより大きな面
積のパターンをウエハ上に露光する大面積化が求められ
ている。しかしながら、このために単に投影光学系の露
光フィールドを大きくしようとすると、広い露光フィー
ルドの全面で諸収差を許容範囲内に収めるために投影光
学系が複雑化して製造コストが高くなると共に、投影光
学系が大型化して装置全体が大きくなり過ぎてしまう。
【０００３】そこで、投影光学系の露光フィールドをあ
まり大型化することなく、被転写パターンの大面積化の
要求に応えるために、レチクルのパターンの一部を投影
光学系を介してウエハ上に投射した状態で、その投影光
学系に対してレチクル及びウエハを同期して走査するこ
とによって、レチクル上のパターンを逐次ウエハ上の各
ショット領域に転写露光する、所謂ステップ・アンド・
スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置が注目され
ている。そのステップ・アンド・スキャン方式は、従来
より知られているように、マスクパターンを１回の走査
でウエハの全面に露光するスリットスキャン方式を発展
させたものである。
まり大型化することなく、被転写パターンの大面積化の
要求に応えるために、レチクルのパターンの一部を投影
光学系を介してウエハ上に投射した状態で、その投影光
学系に対してレチクル及びウエハを同期して走査するこ
とによって、レチクル上のパターンを逐次ウエハ上の各
ショット領域に転写露光する、所謂ステップ・アンド・
スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置が注目され
ている。そのステップ・アンド・スキャン方式は、従来
より知られているように、マスクパターンを１回の走査
でウエハの全面に露光するスリットスキャン方式を発展
させたものである。
【０００４】ところで、例えば半導体素子はウエハ上に
何層もの回路を精密に重ね合わせることにより製造され
る。このため、投影露光装置にはレチクル及びウエハを
所定の位置に移動して位置決めするためのレチクルステ
ージやウエハステージ等のステージ機構、アライメント
系及び可動の視野絞り（可動ブラインド）等が設けられ
ている。近年、ＩＣの高集積化に伴って各機構では更に
高い位置決め精度を必要としている。一方で高いスルー
プット（生産性）を得るために、工程時間を更に短縮す
るための技術も求められており、位置合わせの精度と生
産性とを共に向上させる技術が要求されている。
何層もの回路を精密に重ね合わせることにより製造され
る。このため、投影露光装置にはレチクル及びウエハを
所定の位置に移動して位置決めするためのレチクルステ
ージやウエハステージ等のステージ機構、アライメント
系及び可動の視野絞り（可動ブラインド）等が設けられ
ている。近年、ＩＣの高集積化に伴って各機構では更に
高い位置決め精度を必要としている。一方で高いスルー
プット（生産性）を得るために、工程時間を更に短縮す
るための技術も求められており、位置合わせの精度と生
産性とを共に向上させる技術が要求されている。
【０００５】今日一般的に使用されている投影露光装置
では、レチクルのパターンがウエハ上の複数のショット
領域へ転写される。そのため、露光対象のショット領域
を露光フィールド付近へ移動するステッピング動作と、
そのショット領域とレチクルとを位置合わせするアライ
メント動作と、そのショット領域へ露光する動作とが繰
り返される。特に走査露光型の投影露光装置において
は、次のショット領域の走査開始位置までステッピング
し、その位置で精密に位置決めし、露光開始位置で所定
の走査速度になるように加速した後、レチクルステージ
とウエハステージとの相対位置を精密な位置決め精度で
調整し、可動ブラインド等の駆動系も同期させた状態で
制御しながら、所定の走査速度でレチクルステージ及び
ウエハステージを駆動して走査露光を行うという一連の
動作が繰り返される。この場合、従来は、走査開始位置
での位置決め精度と、露光開始位置及び走査露光時の位
置決め精度との間に差はなく、同じ位置決め精度で位置
決めが行われていた。
では、レチクルのパターンがウエハ上の複数のショット
領域へ転写される。そのため、露光対象のショット領域
を露光フィールド付近へ移動するステッピング動作と、
そのショット領域とレチクルとを位置合わせするアライ
メント動作と、そのショット領域へ露光する動作とが繰
り返される。特に走査露光型の投影露光装置において
は、次のショット領域の走査開始位置までステッピング
し、その位置で精密に位置決めし、露光開始位置で所定
の走査速度になるように加速した後、レチクルステージ
とウエハステージとの相対位置を精密な位置決め精度で
調整し、可動ブラインド等の駆動系も同期させた状態で
制御しながら、所定の走査速度でレチクルステージ及び
ウエハステージを駆動して走査露光を行うという一連の
動作が繰り返される。この場合、従来は、走査開始位置
での位置決め精度と、露光開始位置及び走査露光時の位
置決め精度との間に差はなく、同じ位置決め精度で位置
決めが行われていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来技術によれ
ば、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置ではショ
ット領域の露光終了後、直ぐに前後左右の次のショット
領域へ直線的に最短距離でステッピングし、そのショッ
ト領域での精密な位置決めが行われた後、その位置決め
された位置で露光が行われる。これに対して、走査露光
型の投影露光装置ではショット領域の露光終了後、ウエ
ハステージは暫くの間減速して、次のショット領域の走
査開始位置へステッピングし、走査開始位置で精密な位
置決めが行われた後、例えば走査方向を反転して走査露
光が行われる。このように、走査露光型の投影露光装置
では、ウエハステージは投影光学系の露光中心に対して
蛇行した後、次のショット領域の走査開始位置へ位置決
めされるという動作が繰り返される。そのため、走査露
光型では、一括露光型の投影露光装置に比較してスルー
プットを高めにくいという不都合があった。
ば、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置ではショ
ット領域の露光終了後、直ぐに前後左右の次のショット
領域へ直線的に最短距離でステッピングし、そのショッ
ト領域での精密な位置決めが行われた後、その位置決め
された位置で露光が行われる。これに対して、走査露光
型の投影露光装置ではショット領域の露光終了後、ウエ
ハステージは暫くの間減速して、次のショット領域の走
査開始位置へステッピングし、走査開始位置で精密な位
置決めが行われた後、例えば走査方向を反転して走査露
光が行われる。このように、走査露光型の投影露光装置
では、ウエハステージは投影光学系の露光中心に対して
蛇行した後、次のショット領域の走査開始位置へ位置決
めされるという動作が繰り返される。そのため、走査露
光型では、一括露光型の投影露光装置に比較してスルー
プットを高めにくいという不都合があった。
【０００７】本発明は斯かる点に鑑み、走査露光型の露
光装置で露光を行う際に、露光時の位置合わせ精度を従
来通り高く維持したまま、スループットを向上できる露
光方法を提供することを目的とする。
光装置で露光を行う際に、露光時の位置合わせ精度を従
来通り高く維持したまま、スループットを向上できる露
光方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、露光光（ＩＬ）のもとでマスク（Ｒ）上のパターン
の一部を感光性の基板（Ｗ）上に投射した状態で、その
マスク（Ｒ）とその基板（Ｗ）とを同期走査することに
よりそのパターンをその基板（Ｗ）上の各ショット領域
に逐次転写露光する露光方法において、その基板（Ｗ）
上の各ショット領域の走査開始位置への位置決め精度を
露光時の位置決め精度より（例えば５倍〜２００倍程度
に）緩くするものである。斯かる本発明の露光方法によ
れば、走査開始位置への位置決めを露光時の位置決め精
度より緩い位置決め精度で行うため、走査開始位置にお
ける位置決め時間が短縮される。また、露光時の位置決
め精度は緩めないため、露光時の位置合わせ精度を高く
維持したまま、スループット（生産性）の向上が計れ
る。
は、露光光（ＩＬ）のもとでマスク（Ｒ）上のパターン
の一部を感光性の基板（Ｗ）上に投射した状態で、その
マスク（Ｒ）とその基板（Ｗ）とを同期走査することに
よりそのパターンをその基板（Ｗ）上の各ショット領域
に逐次転写露光する露光方法において、その基板（Ｗ）
上の各ショット領域の走査開始位置への位置決め精度を
露光時の位置決め精度より（例えば５倍〜２００倍程度
に）緩くするものである。斯かる本発明の露光方法によ
れば、走査開始位置への位置決めを露光時の位置決め精
度より緩い位置決め精度で行うため、走査開始位置にお
ける位置決め時間が短縮される。また、露光時の位置決
め精度は緩めないため、露光時の位置合わせ精度を高く
維持したまま、スループット（生産性）の向上が計れ
る。
【０００９】この場合、その基板（Ｗ）上の各ショット
領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光
開始までの間に補正することが好ましい。これにより、
走査開始位置における位置決め精度を緩めたことにより
発生する位置決め誤差が露光開始位置迄に補正されるた
め、露光時の位置合わせ精度が低下しない。
領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光
開始までの間に補正することが好ましい。これにより、
走査開始位置における位置決め精度を緩めたことにより
発生する位置決め誤差が露光開始位置迄に補正されるた
め、露光時の位置合わせ精度が低下しない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例は、レチクル及び
ウエハを投影光学系に対して同期して走査することによ
り、レチクル上のパターンをそのウエハ上の各ショット
領域に逐次転写露光する、ステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置で露光する場合に本発明を適用した
ものである。
につき図面を参照して説明する。本例は、レチクル及び
ウエハを投影光学系に対して同期して走査することによ
り、レチクル上のパターンをそのウエハ上の各ショット
領域に逐次転写露光する、ステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置で露光する場合に本発明を適用した
ものである。
【００１１】図１は、本例の投影露光装置の概略構成を
示し、この図１において、光源及びウエハＷ上の照度を
調節する減光部等を含む光源系１から射出された照明光
ＩＬは、フライアイレンズ４に入射する。光源系１は主
制御系１３により制御されており、主制御系１３は光源
系１の光源及び減光部を制御してウエハＷ上の照明光Ｉ
Ｌの照度を調節する。照明光ＩＬとしては、例えばＫｒ
Ｆエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光、銅蒸気
レーザやＹＡＧレーザの高調波、あるいは超高圧水銀ラ
ンプの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）等が用いられる。
フライアイレンズ４は、レチクルＲを均一な照度分布で
照明するために多数の２次光源を形成する。フライアイ
レンズ４の射出面には照明系の開口絞り５が配置され、
その開口絞り５内の２次光源から射出される照明光ＩＬ
は、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッター
６に入射し、ビームスプリッター６を透過した照明光Ｉ
Ｌは、第１リレーレンズ７Ａを経て可動の視野絞り（以
下、「可動ブラインド」という）８の開口部を通過す
る。
示し、この図１において、光源及びウエハＷ上の照度を
調節する減光部等を含む光源系１から射出された照明光
ＩＬは、フライアイレンズ４に入射する。光源系１は主
制御系１３により制御されており、主制御系１３は光源
系１の光源及び減光部を制御してウエハＷ上の照明光Ｉ
Ｌの照度を調節する。照明光ＩＬとしては、例えばＫｒ
Ｆエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光、銅蒸気
レーザやＹＡＧレーザの高調波、あるいは超高圧水銀ラ
ンプの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）等が用いられる。
フライアイレンズ４は、レチクルＲを均一な照度分布で
照明するために多数の２次光源を形成する。フライアイ
レンズ４の射出面には照明系の開口絞り５が配置され、
その開口絞り５内の２次光源から射出される照明光ＩＬ
は、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッター
６に入射し、ビームスプリッター６を透過した照明光Ｉ
Ｌは、第１リレーレンズ７Ａを経て可動の視野絞り（以
下、「可動ブラインド」という）８の開口部を通過す
る。
【００１２】本例の可動ブラインド８は、レチクルのパ
ターン面に対する共役面に配置され、且つその可動ブラ
インド８の長方形の開口部の走査方向の幅及び位置がブ
ラインド駆動系８ａにより連続的に変化できるように構
成されている。ブラインド駆動系８ａは主制御系１３に
より制御されており、主制御系１３からの指令によりブ
ラインド駆動系８ａを介して可動ブラインド８を開閉す
ることにより照明光ＩＬの照明領域を連続的に調整し
て、ショット領域以外の部分への露光を防止する。可動
ブラインド８を通過した照明光ＩＬは、第２リレーレン
ズ７Ｂ、光路折り曲げ用のミラー９及びメインコンデン
サーレンズ１０を経て、レチクルＲ上のスリット状の照
明領域２４を均一な照度分布で照明し、レチクルＲ上の
照明領域２４内のパターンを投影光学系１５を介して投
影倍率β（βは例えば１／４）で反転縮小した像をウエ
ハＷ上のスリット状の露光領域２４Ｗに投影露光する。
以下、投影光学系１５の光軸に平行にＺ軸をとり、その
光軸に垂直な平面内でスリット状の照明領域２４に対す
るレチクルＲの走査方向（即ち、図１の紙面に平行な方
向）をＸ方向、その走査方向に垂直な非走査方向をＹ方
向として説明する。
ターン面に対する共役面に配置され、且つその可動ブラ
インド８の長方形の開口部の走査方向の幅及び位置がブ
ラインド駆動系８ａにより連続的に変化できるように構
成されている。ブラインド駆動系８ａは主制御系１３に
より制御されており、主制御系１３からの指令によりブ
ラインド駆動系８ａを介して可動ブラインド８を開閉す
ることにより照明光ＩＬの照明領域を連続的に調整し
て、ショット領域以外の部分への露光を防止する。可動
ブラインド８を通過した照明光ＩＬは、第２リレーレン
ズ７Ｂ、光路折り曲げ用のミラー９及びメインコンデン
サーレンズ１０を経て、レチクルＲ上のスリット状の照
明領域２４を均一な照度分布で照明し、レチクルＲ上の
照明領域２４内のパターンを投影光学系１５を介して投
影倍率β（βは例えば１／４）で反転縮小した像をウエ
ハＷ上のスリット状の露光領域２４Ｗに投影露光する。
以下、投影光学系１５の光軸に平行にＺ軸をとり、その
光軸に垂直な平面内でスリット状の照明領域２４に対す
るレチクルＲの走査方向（即ち、図１の紙面に平行な方
向）をＸ方向、その走査方向に垂直な非走査方向をＹ方
向として説明する。
【００１３】レチクルＲは、不図示のレチクルホルダを
介してレチクルステージ１１上に載置されている。レチ
クルステージ１１は投影光学系１５の光軸に垂直な平面
（ＸＹ平面）内で２次元的に微動してレチクルＲを位置
決めすると共に、走査方向（Ｘ方向）に所定の走査速度
で移動可能となっている。また、レチクルステージ１１
は走査方向にレチクルＲの全面が少なくとも照明領域２
４を横切ることができるだけのストロークを有してい
る。レチクルステージ１１の−Ｘ方向の端部には、外部
のレーザ干渉計２２ａからのレーザビームを反射する移
動鏡２２ｂが固定されており、レチクルステージ１１の
位置は、レーザ干渉計２２ａにより常時モニタされてい
る。レーザ干渉計２２ａからのレチクルステージ１１の
位置情報はレチクルステージ制御系２７に送られ、その
位置情報はレチクルステージ制御系２７を介して主制御
系１３にも供給されている。主制御系１３はその位置情
報に基づき、レチクルステージ制御系２７を介してレチ
クルステージ１１の位置及び速度を制御している。
介してレチクルステージ１１上に載置されている。レチ
クルステージ１１は投影光学系１５の光軸に垂直な平面
（ＸＹ平面）内で２次元的に微動してレチクルＲを位置
決めすると共に、走査方向（Ｘ方向）に所定の走査速度
で移動可能となっている。また、レチクルステージ１１
は走査方向にレチクルＲの全面が少なくとも照明領域２
４を横切ることができるだけのストロークを有してい
る。レチクルステージ１１の−Ｘ方向の端部には、外部
のレーザ干渉計２２ａからのレーザビームを反射する移
動鏡２２ｂが固定されており、レチクルステージ１１の
位置は、レーザ干渉計２２ａにより常時モニタされてい
る。レーザ干渉計２２ａからのレチクルステージ１１の
位置情報はレチクルステージ制御系２７に送られ、その
位置情報はレチクルステージ制御系２７を介して主制御
系１３にも供給されている。主制御系１３はその位置情
報に基づき、レチクルステージ制御系２７を介してレチ
クルステージ１１の位置及び速度を制御している。
【００１４】一方、ウエハＷは不図示のウエハホルダを
介してＺチルトステージ１６上に載置され、Ｚチルトス
テージ１６はウエハステージ制御系２８を介してＸ方向
及びＹ方向に駆動されるＸＹステージ１７上に載置され
ている。ＸＹステージ１７によりウエハＷ上の各ショッ
ト領域へスキャン露光する動作と、次の露光開始位置ま
でステッピングする動作とを繰り返すステップ・アンド
・スキャン動作が行われる。ウエハＷはＺチルトステー
ジ１６によりＺ方向への移動、及びＸＹ平面に対する傾
斜が可能に構成されている。
介してＺチルトステージ１６上に載置され、Ｚチルトス
テージ１６はウエハステージ制御系２８を介してＸ方向
及びＹ方向に駆動されるＸＹステージ１７上に載置され
ている。ＸＹステージ１７によりウエハＷ上の各ショッ
ト領域へスキャン露光する動作と、次の露光開始位置ま
でステッピングする動作とを繰り返すステップ・アンド
・スキャン動作が行われる。ウエハＷはＺチルトステー
ジ１６によりＺ方向への移動、及びＸＹ平面に対する傾
斜が可能に構成されている。
【００１５】また、Ｚチルトステージ１６の端部には外
部のレーザ干渉計２３ａからのレーザビームを反射する
移動鏡２３ｂが固定されており、Ｚチルトステージ１６
（ウエハＷ）の位置はレーザ干渉計２３ａにより、常時
モニタされている。レーザ干渉計２３ａからのＺチルト
ステージ１６の位置情報はウエハステージ制御系２８に
送られており、その位置情報は更にウエハステージ制御
系２８を介して主制御系１３にも供給されている。主制
御系１３はその位置情報に基づいてウエハステージ制御
系２８を介してウエハＷの位置及び速度を制御してい
る。
部のレーザ干渉計２３ａからのレーザビームを反射する
移動鏡２３ｂが固定されており、Ｚチルトステージ１６
（ウエハＷ）の位置はレーザ干渉計２３ａにより、常時
モニタされている。レーザ干渉計２３ａからのＺチルト
ステージ１６の位置情報はウエハステージ制御系２８に
送られており、その位置情報は更にウエハステージ制御
系２８を介して主制御系１３にも供給されている。主制
御系１３はその位置情報に基づいてウエハステージ制御
系２８を介してウエハＷの位置及び速度を制御してい
る。
【００１６】本例では走査露光時に、レチクルＲが＋Ｘ
方向（又は−Ｘ方向）へ、例えば速度ＶR でスキャンさ
れるのと同期してウエハＷが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）
に速度ＶW でスキャンされる。走査速度ＶR と速度ＶW
との比（ＶW ／ＶR ）は投影光学系１５の縮小倍率βに
正確に一致したものになっており、これによってレチク
ルＲ上のパターンがウエハＷの各ショット領域に正確に
転写される。
方向（又は−Ｘ方向）へ、例えば速度ＶR でスキャンさ
れるのと同期してウエハＷが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）
に速度ＶW でスキャンされる。走査速度ＶR と速度ＶW
との比（ＶW ／ＶR ）は投影光学系１５の縮小倍率βに
正確に一致したものになっており、これによってレチク
ルＲ上のパターンがウエハＷの各ショット領域に正確に
転写される。
【００１７】また、ビームスプリッター６で反射された
照明光は、集光レンズ１９を介して光電変換素子よりな
るインテグレータセンサ２０で受光され、インテグレー
タセンサ２０の光電変換信号が主制御系１３に供給され
ている。インテグレータセンサ２０の光電変換信号とウ
エハＷの露光面上での照明光の照度との関係は予め求め
られており、この光電変換信号に基づいてウエハＷ上の
露光量の制御が行われる。また、図１の装置には不図示
であるが、ウエハＷの面位置及び傾斜角を検出するため
の斜入射方式の焦点位置検出系、及びレチクルＲとウエ
ハＷの各ショット領域との位置合わせのための複数のア
ライメントセンサが配置されている。
照明光は、集光レンズ１９を介して光電変換素子よりな
るインテグレータセンサ２０で受光され、インテグレー
タセンサ２０の光電変換信号が主制御系１３に供給され
ている。インテグレータセンサ２０の光電変換信号とウ
エハＷの露光面上での照明光の照度との関係は予め求め
られており、この光電変換信号に基づいてウエハＷ上の
露光量の制御が行われる。また、図１の装置には不図示
であるが、ウエハＷの面位置及び傾斜角を検出するため
の斜入射方式の焦点位置検出系、及びレチクルＲとウエ
ハＷの各ショット領域との位置合わせのための複数のア
ライメントセンサが配置されている。
【００１８】次に、本例の露光動作の一例につき主に図
２〜図４を参照して説明する。前述のように走査露光型
の投影露光装置では、各ステージ系及び可動ブラインド
等の駆動系が精密な同期性を保つことによりレチクルＲ
のパターンがウエハＷ上の各ショット領域に転写され
る。走査露光型の投影露光装置では、走査露光中は一定
の速度で走査が行われるため、助走を経て一旦露光開始
位置で各駆動系の同期を取った後、走査露光が行われ
る。本例は、走査開始位置でのＸＹステージ１７の位置
決め精度を露光時の位置決め精度より緩めることによ
り、走査開始位置に位置決めするための時間を短縮し、
露光精度を維持しながらスループットの向上を計るもの
であり、以下ではＸＹステージ１７の動作を例に取り、
具体的に説明する。
２〜図４を参照して説明する。前述のように走査露光型
の投影露光装置では、各ステージ系及び可動ブラインド
等の駆動系が精密な同期性を保つことによりレチクルＲ
のパターンがウエハＷ上の各ショット領域に転写され
る。走査露光型の投影露光装置では、走査露光中は一定
の速度で走査が行われるため、助走を経て一旦露光開始
位置で各駆動系の同期を取った後、走査露光が行われ
る。本例は、走査開始位置でのＸＹステージ１７の位置
決め精度を露光時の位置決め精度より緩めることによ
り、走査開始位置に位置決めするための時間を短縮し、
露光精度を維持しながらスループットの向上を計るもの
であり、以下ではＸＹステージ１７の動作を例に取り、
具体的に説明する。
【００１９】図２は、図１のＸＹステージ１７の動作に
伴うウエハＷのステッピング及び走査の様子を示し、こ
の図２において実際には投影光学系１５は固定されてウ
エハＷが移動するが、説明の都合上、ウエハＷが静止し
てその上を投影光学系１５の光軸ＡＸが矢印で示す軌跡
３３に沿って移動するように表現する。この例では、投
影光学系１５の光軸ＡＸは軌跡３３に沿って、前のショ
ット領域３１を−Ｘ方向に走査した後、ＸＹステージ１
７の動作によって、ステッピング区間３４に沿って次に
露光すべきショット領域３２の下方に移動する。そし
て、投影光学系１５の光軸ＡＸは次のショット領域３２
の走査開始位置３５に緩い位置決め精度で位置決めされ
た後、加速区間３６の間に加速され、露光開始位置３７
に達する迄に所定の走査速度になり、その走査速度でシ
ョット領域３２の中央部の露光区間３８を移動する。
伴うウエハＷのステッピング及び走査の様子を示し、こ
の図２において実際には投影光学系１５は固定されてウ
エハＷが移動するが、説明の都合上、ウエハＷが静止し
てその上を投影光学系１５の光軸ＡＸが矢印で示す軌跡
３３に沿って移動するように表現する。この例では、投
影光学系１５の光軸ＡＸは軌跡３３に沿って、前のショ
ット領域３１を−Ｘ方向に走査した後、ＸＹステージ１
７の動作によって、ステッピング区間３４に沿って次に
露光すべきショット領域３２の下方に移動する。そし
て、投影光学系１５の光軸ＡＸは次のショット領域３２
の走査開始位置３５に緩い位置決め精度で位置決めされ
た後、加速区間３６の間に加速され、露光開始位置３７
に達する迄に所定の走査速度になり、その走査速度でシ
ョット領域３２の中央部の露光区間３８を移動する。
【００２０】図３は、本例におけるＸＹステージ１７の
位置決め状態を表し、この図３において横軸は時間ｔ、
縦軸はＸＹステージ１７の非走査方向（Ｙ方向）の位置
ｙを表す。この図３において、曲線４１に示すようにシ
ョット領域３１への露光が終了した時刻ｔ１に、ＸＹス
テージ１７は位置ｙ１から直ぐに次のショット領域３２
への移動を開始する。走査開始位置３５に近付くと、Ｘ
Ｙステージ１７は減速され、時刻ｔ２において速度がほ
ぼ０近くになり、ＸＹステージ１７のＹ方向の位置ｙは
走査開始位置３５となる目標位置ｙ２付近で振動しなが
らその目標位置ｙ２に収束していく。そして、その位置
ｙの振動の振幅が収束し、位置決め完了と判断された時
刻ｔ３から次のショット領域３２のための助走が開始さ
れる。この場合、ＸＹステージ１７の位置ｙは一定のサ
ンプリング周期で計測されるが、所定数以上のサンプリ
ング回数（又はある時間以上）における位置ｙの目標位
置ｙ２からの誤差が位置決め誤差の許容範囲εS 内（±
εS ／２以内）に連続して存在するときに位置決め完了
と判断される。
位置決め状態を表し、この図３において横軸は時間ｔ、
縦軸はＸＹステージ１７の非走査方向（Ｙ方向）の位置
ｙを表す。この図３において、曲線４１に示すようにシ
ョット領域３１への露光が終了した時刻ｔ１に、ＸＹス
テージ１７は位置ｙ１から直ぐに次のショット領域３２
への移動を開始する。走査開始位置３５に近付くと、Ｘ
Ｙステージ１７は減速され、時刻ｔ２において速度がほ
ぼ０近くになり、ＸＹステージ１７のＹ方向の位置ｙは
走査開始位置３５となる目標位置ｙ２付近で振動しなが
らその目標位置ｙ２に収束していく。そして、その位置
ｙの振動の振幅が収束し、位置決め完了と判断された時
刻ｔ３から次のショット領域３２のための助走が開始さ
れる。この場合、ＸＹステージ１７の位置ｙは一定のサ
ンプリング周期で計測されるが、所定数以上のサンプリ
ング回数（又はある時間以上）における位置ｙの目標位
置ｙ２からの誤差が位置決め誤差の許容範囲εS 内（±
εS ／２以内）に連続して存在するときに位置決め完了
と判断される。
【００２１】ＸＹステージ１７の位置決めに必要な時間
は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間の移動時間ＴR と、
時刻ｔ２から時刻ｔ３までの間の整定時間ＴS と、の合
計時間ＴT （＝ＴR ＋ＴS ）である。そして、この整定
時間ＴS は、ＸＹステージ１７の移動時の加速度及び速
度、並びに位置決めの許容範囲に関係する。即ち、移動
時の加速度や速度が大きければ整定時間ＴS は長くな
り、位置決めの許容範囲が小さいほど位置決め完了まで
の時間も長くなる。このことを逆に言えば、許容範囲が
緩くても良い場合には位置決め時間を短縮することが可
能である。
は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間の移動時間ＴR と、
時刻ｔ２から時刻ｔ３までの間の整定時間ＴS と、の合
計時間ＴT （＝ＴR ＋ＴS ）である。そして、この整定
時間ＴS は、ＸＹステージ１７の移動時の加速度及び速
度、並びに位置決めの許容範囲に関係する。即ち、移動
時の加速度や速度が大きければ整定時間ＴS は長くな
り、位置決めの許容範囲が小さいほど位置決め完了まで
の時間も長くなる。このことを逆に言えば、許容範囲が
緩くても良い場合には位置決め時間を短縮することが可
能である。
【００２２】通常、投影露光装置における一般的な位置
決め誤差の許容範囲は露光のための位置決め時と同じく
数１０ｎｍ程度である。走査露光中の位置決め誤差の許
容範囲においても同様の精度が求められる。しかし、走
査露光方式においては露光時（走査露光時）にのみ厳格
な位置決め精度が達成されればよく、それ以外の位置決
め、特に走査開始位置での位置決め時には、露光時と同
等の位置決め精度を必要としない。本例はその点を利用
したものであり、この場合、走査開始位置３５での位置
決め誤差の許容範囲を緩くした結果生じる位置誤差分
は、走査開始後、露光が開始されるまでの加速及び同期
制御を行う間に露光に必要とされる許容範囲εE まで追
い込むことにより補正することが可能である。
決め誤差の許容範囲は露光のための位置決め時と同じく
数１０ｎｍ程度である。走査露光中の位置決め誤差の許
容範囲においても同様の精度が求められる。しかし、走
査露光方式においては露光時（走査露光時）にのみ厳格
な位置決め精度が達成されればよく、それ以外の位置決
め、特に走査開始位置での位置決め時には、露光時と同
等の位置決め精度を必要としない。本例はその点を利用
したものであり、この場合、走査開始位置３５での位置
決め誤差の許容範囲を緩くした結果生じる位置誤差分
は、走査開始後、露光が開始されるまでの加速及び同期
制御を行う間に露光に必要とされる許容範囲εE まで追
い込むことにより補正することが可能である。
【００２３】図３に示すように、本例では走査開始位置
３５での位置決め誤差の許容範囲として、走査露光時の
位置決め誤差の許容範囲εE に対して大きな許容範囲ε
S を設定している。具体的には、例えば走査露光時の許
容範囲εE が数１０ｎｍとすれば、走査開始位置３５で
の位置決め誤差の許容範囲εS は数１００ｎｍ〜数μｍ
とする。即ち、走査開始位置での許容範囲εS として、
走査露光時の許容範囲εE の約１０倍〜１００倍程度の
許容範囲を設定することが可能である。また、実用的に
は許容範囲εS は許容範囲εE の５倍〜２００倍程度が
可能である。許容範囲εS が許容範囲εE の５倍より小
さいと、スループット改善の効果が小さく、許容範囲ε
E の２００倍を超えると、露光開始時に位置決め誤差を
許容範囲εE の範囲に収めるのが困難となる。この許容
範囲εS の設定に当たっては、加速区間３６の間に位置
決め誤差が許容範囲εE 内に入るように、走査開始位置
３５から露光開始位置３７の加速区間３６の幅及び加速
度が考慮される。
３５での位置決め誤差の許容範囲として、走査露光時の
位置決め誤差の許容範囲εE に対して大きな許容範囲ε
S を設定している。具体的には、例えば走査露光時の許
容範囲εE が数１０ｎｍとすれば、走査開始位置３５で
の位置決め誤差の許容範囲εS は数１００ｎｍ〜数μｍ
とする。即ち、走査開始位置での許容範囲εS として、
走査露光時の許容範囲εE の約１０倍〜１００倍程度の
許容範囲を設定することが可能である。また、実用的に
は許容範囲εS は許容範囲εE の５倍〜２００倍程度が
可能である。許容範囲εS が許容範囲εE の５倍より小
さいと、スループット改善の効果が小さく、許容範囲ε
E の２００倍を超えると、露光開始時に位置決め誤差を
許容範囲εE の範囲に収めるのが困難となる。この許容
範囲εS の設定に当たっては、加速区間３６の間に位置
決め誤差が許容範囲εE 内に入るように、走査開始位置
３５から露光開始位置３７の加速区間３６の幅及び加速
度が考慮される。
【００２４】図４は、本例における露光工程のフローチ
ャートの一部を示し、この図４に示すように、ウエハＷ
上の複数のショット領域に対して、ステップ１０１〜１
０３が繰り返される。即ち、ステップ１０１においてシ
ョット領域間の移動（ステッピング）及び走査開始位置
（スタート位置）への位置決めが行われた後、ステップ
１０２においてＸＹステージ１７が加速されると同時に
主制御系１３により各駆動系との同期が取られる。そし
て、ステップ１０３において走査露光が行われ、走査露
光が終了すると再びステップ１０１に戻り、次のショッ
ト領域へのステッピング及び位置決めが行われるという
工程が複数のショット領域に対して繰り返される。この
場合、ステップ１０１における走査開始位置への位置決
め誤差は、露光時の許容範囲εE より緩やかな許容範囲
εS に設定し、ステップ１０２の加速時には、急速に位
置決め精度を高め、露光開始位置では位置決め誤差を小
さな許容範囲εE 内に収め、ステップ１０３においては
その小さな許容範囲εE 内で走査露光が行われるように
各ステップにおける位置決め誤差の許容範囲を設定す
る。
ャートの一部を示し、この図４に示すように、ウエハＷ
上の複数のショット領域に対して、ステップ１０１〜１
０３が繰り返される。即ち、ステップ１０１においてシ
ョット領域間の移動（ステッピング）及び走査開始位置
（スタート位置）への位置決めが行われた後、ステップ
１０２においてＸＹステージ１７が加速されると同時に
主制御系１３により各駆動系との同期が取られる。そし
て、ステップ１０３において走査露光が行われ、走査露
光が終了すると再びステップ１０１に戻り、次のショッ
ト領域へのステッピング及び位置決めが行われるという
工程が複数のショット領域に対して繰り返される。この
場合、ステップ１０１における走査開始位置への位置決
め誤差は、露光時の許容範囲εE より緩やかな許容範囲
εS に設定し、ステップ１０２の加速時には、急速に位
置決め精度を高め、露光開始位置では位置決め誤差を小
さな許容範囲εE 内に収め、ステップ１０３においては
その小さな許容範囲εE 内で走査露光が行われるように
各ステップにおける位置決め誤差の許容範囲を設定す
る。
【００２５】以上のように、ステップ１０１での位置決
め誤差の許容範囲を大幅に緩めることにより走査開始位
置での位置決め時間が短縮される。この動作は複数のシ
ョット領域に対して繰り返し行われるため、大幅に露光
時間が短縮される。また、露光開始位置及び走査露光時
の位置決め精度は従来と同様であるため、露光精度を維
持したまま、スループットの大幅な向上が計れる。
め誤差の許容範囲を大幅に緩めることにより走査開始位
置での位置決め時間が短縮される。この動作は複数のシ
ョット領域に対して繰り返し行われるため、大幅に露光
時間が短縮される。また、露光開始位置及び走査露光時
の位置決め精度は従来と同様であるため、露光精度を維
持したまま、スループットの大幅な向上が計れる。
【００２６】なお、本発明はステージ系に限らず、可動
ブラインド等の同期制御される駆動系に対しても同様に
適用できる。このように、本発明は上述の実施の形態に
限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構
成を取り得る。
ブラインド等の同期制御される駆動系に対しても同様に
適用できる。このように、本発明は上述の実施の形態に
限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構
成を取り得る。
【００２７】
【発明の効果】本発明による露光方法によれば、走査開
始位置での位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩
く設定するため、走査開始位置での位置決め時間を短縮
することができる。また、露光時の位置決め精度に変わ
りはないため、位置合わせの精度を維持したまま、スル
ープットが向上する利点がある。
始位置での位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩
く設定するため、走査開始位置での位置決め時間を短縮
することができる。また、露光時の位置決め精度に変わ
りはないため、位置合わせの精度を維持したまま、スル
ープットが向上する利点がある。
【００２８】また、基板上の各ショット領域の走査開始
位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に
補正する場合には、走査開始位置での位置決め精度を緩
めたことにより発生する位置決め誤差が露光時には補正
されているため、位置合わせ精度が高精度に維持される
利点がある。
位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に
補正する場合には、走査開始位置での位置決め精度を緩
めたことにより発生する位置決め誤差が露光時には補正
されているため、位置合わせ精度が高精度に維持される
利点がある。
【図１】本発明による露光方法の実施の形態の一例で使
用される投影露光装置の全体を示す概略構成図である。
用される投影露光装置の全体を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態において、ＸＹステージ１
７（又は投影光学系１５）の移動経路の説明に供するウ
エハの平面図である。
７（又は投影光学系１５）の移動経路の説明に供するウ
エハの平面図である。
【図３】図１のＸＹステージ１７の位置変化及び振動状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態における露光動作の一例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１ 光源系 ＩＬ 照明光 Ｒ レチクル １１ レチクルステージ １３ 主制御系 １５ 投影光学系 Ｗ ウエハ １７ ＸＹステージ ３１，３２ ショット領域 ３４ 移動区間 ３５ 走査開始位置 ３６ 加速区間 ３７ 露光開始位置 ３８ 露光区間
Claims (2)
- 【請求項１】 露光光のもとでマスク上のパターンの一
部を感光性の基板上に投射した状態で、前記マスクと前
記基板とを同期走査することにより前記パターンを前記
基板上の各ショット領域に逐次転写露光する露光方法に
おいて、 前記基板上の各ショット領域の走査開始位置への位置決
め精度を露光時の位置決め精度より緩くすることを特徴
とする露光方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の露光方法であって、 前記基板上の各ショット領域の走査開始位置の位置決め
誤差を走査開始から露光開始までの間に補正することを
特徴とする露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29236195A JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 露光方法 |
| KR1019960052198A KR100481756B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-10-31 | 주사노광방법및주사형노광장치 |
| US09/195,902 US6172739B1 (en) | 1995-11-10 | 1998-11-19 | Exposure apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29236195A JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134864A true JPH09134864A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3564833B2 JP3564833B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=17780815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29236195A Expired - Fee Related JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6172739B1 (ja) |
| JP (1) | JP3564833B2 (ja) |
| KR (1) | KR100481756B1 (ja) |
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| US6646715B1 (en) | 1997-01-14 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus and method with run-up distance control |
| JP2013258283A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2019003136A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
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| KR100870666B1 (ko) * | 2002-09-04 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| US4669867A (en) | 1984-02-20 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
| US4937618A (en) | 1984-10-18 | 1990-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus and method for manufacture of integrated circuits |
| JPH01284793A (ja) | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Canon Inc | 基板支持装置 |
| US4924257A (en) | 1988-10-05 | 1990-05-08 | Kantilal Jain | Scan and repeat high resolution projection lithography system |
| JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP3362416B2 (ja) | 1992-10-15 | 2003-01-07 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、走査型露光装置及び前記方法を使用する素子の製造方法 |
| US5477304A (en) | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
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| JP3362454B2 (ja) | 1993-06-16 | 2003-01-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
| JP3365567B2 (ja) | 1993-06-14 | 2003-01-14 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
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| WO1996038764A1 (en) | 1995-05-30 | 1996-12-05 | Philips Electronics N.V. | Lithographic device with a three-dimensionally positionable mask holder |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP29236195A patent/JP3564833B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-31 KR KR1019960052198A patent/KR100481756B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-11-19 US US09/195,902 patent/US6172739B1/en not_active Expired - Fee Related
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