JPH0912674A - エポキシ樹脂およびその製造方法 - Google Patents
エポキシ樹脂およびその製造方法Info
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- JPH0912674A JPH0912674A JP17616795A JP17616795A JPH0912674A JP H0912674 A JPH0912674 A JP H0912674A JP 17616795 A JP17616795 A JP 17616795A JP 17616795 A JP17616795 A JP 17616795A JP H0912674 A JPH0912674 A JP H0912674A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低融点を有し、溶剤への溶解性の良いスチルベ
ン系エポキシ樹脂およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】一般式（１） 【化１】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に炭素数１〜６の鎖
状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子
を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリ
ール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５
０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂、またはこれ
の一種または二種以上と、一般式（２） 【化２】 （ここでＲ9〜Ｒ12はそれぞれ独立に、炭素数１〜６の
鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原
子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン
系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とす
る、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物、お
よびこれらの製造方法。
ン系エポキシ樹脂およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】一般式（１） 【化１】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に炭素数１〜６の鎖
状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子
を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリ
ール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５
０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂、またはこれ
の一種または二種以上と、一般式（２） 【化２】 （ここでＲ9〜Ｒ12はそれぞれ独立に、炭素数１〜６の
鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原
子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン
系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とす
る、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物、お
よびこれらの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着、塗料、絶縁
材料や積層板等の電気電子材料、特に、電子部品の封止
用として有用なエポキシ樹脂またはその混合物、および
その製造方法に関する。
材料や積層板等の電気電子材料、特に、電子部品の封止
用として有用なエポキシ樹脂またはその混合物、および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スチルベン骨格を有するエポキシ樹脂に
ついては多くの研究例がある。例えば、無置換、あるい
はアルキル基が置換されたスチルベン骨格、好ましくは
メチル基が対称的な位置に置換されたスチルベン骨格を
有するビスフェノール化合物のグリシジルエーテル体が
開示されている（米国特許第4762901号、独国特許第362
2613号、特開昭63-23931）。エポキシ樹脂の原料とな
る、炭素−炭素二重結合に同じアリール基が置換したス
チルベン型ビスフェノール化合物についても報告例があ
り、4,4'-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ
-3,3'-ジメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',
5,5'-テトラメチルスチルベン等の化合物の製法と物性
が開示されている（von Rolf H.Sieber,Liebigs Ann.Ch
em.730,31-46(1969)）。また、スチルベン骨格を有する
エポキシ樹脂には液晶構造を発現するものがあり、液晶
性を有する化合物を液晶状態下にて少量の触媒を加えて
重合を行うと、液晶構造をそのまま保持した架橋体を得
ること、特定条件の電場下にて重合を行うことで液晶ド
メインの配向が起こることが報告されている（第３回次
世代産業基盤技術シンポジウム予稿集P182（1985））。
この中で4,4'-ジヒドロキシ−α−シアノスチルベンの
エポキシ化物が液晶性を示す化合物として例示されてい
る。また、機械特性を改良するために液晶性を示すもし
くはロッド状部分を有するエポキシ樹脂が提案されてい
る（特開平2-275872）。この特許でエポキシ化する水酸
基含有化合物として、4,4'-ジヒドロキシ−α−メチル
スチルベン、4,4'-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒ
ドロキ-3,3',5,5'-テトラブロモスチルベン、4,4'-ジヒ
ドロキ-3,3',5,5'-テトラメチルスチルベン等が例示さ
れている。この様にスチルベン系エポキシ樹脂は、その
応用開発が数多く提案されている。
ついては多くの研究例がある。例えば、無置換、あるい
はアルキル基が置換されたスチルベン骨格、好ましくは
メチル基が対称的な位置に置換されたスチルベン骨格を
有するビスフェノール化合物のグリシジルエーテル体が
開示されている（米国特許第4762901号、独国特許第362
2613号、特開昭63-23931）。エポキシ樹脂の原料とな
る、炭素−炭素二重結合に同じアリール基が置換したス
チルベン型ビスフェノール化合物についても報告例があ
り、4,4'-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ
-3,3'-ジメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',
5,5'-テトラメチルスチルベン等の化合物の製法と物性
が開示されている（von Rolf H.Sieber,Liebigs Ann.Ch
em.730,31-46(1969)）。また、スチルベン骨格を有する
エポキシ樹脂には液晶構造を発現するものがあり、液晶
性を有する化合物を液晶状態下にて少量の触媒を加えて
重合を行うと、液晶構造をそのまま保持した架橋体を得
ること、特定条件の電場下にて重合を行うことで液晶ド
メインの配向が起こることが報告されている（第３回次
世代産業基盤技術シンポジウム予稿集P182（1985））。
この中で4,4'-ジヒドロキシ−α−シアノスチルベンの
エポキシ化物が液晶性を示す化合物として例示されてい
る。また、機械特性を改良するために液晶性を示すもし
くはロッド状部分を有するエポキシ樹脂が提案されてい
る（特開平2-275872）。この特許でエポキシ化する水酸
基含有化合物として、4,4'-ジヒドロキシ−α−メチル
スチルベン、4,4'-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒ
ドロキ-3,3',5,5'-テトラブロモスチルベン、4,4'-ジヒ
ドロキ-3,3',5,5'-テトラメチルスチルベン等が例示さ
れている。この様にスチルベン系エポキシ樹脂は、その
応用開発が数多く提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スチル
ベン系エポキシ樹脂は一般に融点が高く、溶剤への溶解
性も低いため、その使用方法は限られる。例えば、4,4'
-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ
メチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テト
ラメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物の融点
は、それぞれ208〜215℃、150℃、151℃と高く、エポキ
シ硬化剤との均一混合や他の成分との均一混練が困難で
ある等の問題点があった。本発明の目的は、低融点を有
し、溶剤への溶解性の良いスチルベン系エポキシ樹脂お
よびその製造方法を提供することにある。
ベン系エポキシ樹脂は一般に融点が高く、溶剤への溶解
性も低いため、その使用方法は限られる。例えば、4,4'
-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ
メチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テト
ラメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物の融点
は、それぞれ208〜215℃、150℃、151℃と高く、エポキ
シ硬化剤との均一混合や他の成分との均一混練が困難で
ある等の問題点があった。本発明の目的は、低融点を有
し、溶剤への溶解性の良いスチルベン系エポキシ樹脂お
よびその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような事情に鑑み、
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。すなわち、本発明は次のとおりである。 ［１］一般式（１）
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。すなわち、本発明は次のとおりである。 ［１］一般式（１）
【化３】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に炭素数１〜６の鎖
状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子
を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリ
ール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５
０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂。
状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子
を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリ
ール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５
０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂。
【０００５】［２］一般式（１）において、Ｒ1がｔ−
ブチル基である上記［１］記載のスチルベン系エポキシ
樹脂。
ブチル基である上記［１］記載のスチルベン系エポキシ
樹脂。
【０００６】［３］一般式（１）において、Ｒ1がｔ−
ブチル基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である上
記［１］記載のスチルベン系エポキシ樹脂。
ブチル基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である上
記［１］記載のスチルベン系エポキシ樹脂。
【０００７】［４］一般式（１）において、Ｒ1のｔ−
ブチル基が酸素原子の結合位置に対してオルソ位に結合
している上記［２］または［３］記載のスチルベン系エ
ポキシ樹脂。
ブチル基が酸素原子の結合位置に対してオルソ位に結合
している上記［２］または［３］記載のスチルベン系エ
ポキシ樹脂。
【０００８】［５］上記［１］記載の一般式（１）で表
されるスチルベン系エポキシ樹脂の一種または二種以上
と、一般式（２）
されるスチルベン系エポキシ樹脂の一種または二種以上
と、一般式（２）
【化４】 （ここでＲ9〜Ｒ12はそれぞれ独立に、炭素数１〜６の
鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原
子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン
系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とす
る、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物。
鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原
子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン
系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とす
る、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物。
【０００９】［６］一般式（１）で表されるスチルベン
系エポキシ樹脂において、Ｒ1がｔ−ブチル基である上
記［５］記載のエポキシ樹脂混合物。
系エポキシ樹脂において、Ｒ1がｔ−ブチル基である上
記［５］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１０】［７］一般式（１）において、Ｒ1がｔ−
ブチル基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である上
記［５］または［６］記載のエポキシ樹脂混合物。
ブチル基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である上
記［５］または［６］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１１】［８］一般式（１）において、Ｒ1がｔ−
ブチル基であり、アリール基において酸素原子の置換位
置に対してオルソ位に置換している上記［５］、［６］
または［７］記載のエポキシ樹脂混合物。
ブチル基であり、アリール基において酸素原子の置換位
置に対してオルソ位に置換している上記［５］、［６］
または［７］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１２】［９］１５０℃での溶融粘度が１ポイズ以
下である上記［５］、［６］、［７］または［８］記載
のエポキシ樹脂混合物。
下である上記［５］、［６］、［７］または［８］記載
のエポキシ樹脂混合物。
【００１３】［１０］２種以上のフェノール類とクロロ
アセトアルデヒド類とを酸性物質の存在下で反応させて
得られた１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−ク
ロロエタン誘導体を塩基性物質の存在下に脱塩酸反応を
行ってジヒドロキシスチルベン誘導体とした後、該ジヒ
ドロキシスチルベン誘導体を塩基性物質の存在下にエピ
ハロヒドリンと反応させることを特徴とするエポキシ樹
脂またはその混合物の製造方法。
アセトアルデヒド類とを酸性物質の存在下で反応させて
得られた１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−ク
ロロエタン誘導体を塩基性物質の存在下に脱塩酸反応を
行ってジヒドロキシスチルベン誘導体とした後、該ジヒ
ドロキシスチルベン誘導体を塩基性物質の存在下にエピ
ハロヒドリンと反応させることを特徴とするエポキシ樹
脂またはその混合物の製造方法。
【００１４】［１１］フェノール類が２，６−キシレノ
ール、２，４−キシレノール、３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ルからなる群から選ばれる２種以上である上記［１０］
記載のエポキシ樹脂またはその混合物の製造方法。
ール、２，４−キシレノール、３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ルからなる群から選ばれる２種以上である上記［１０］
記載のエポキシ樹脂またはその混合物の製造方法。
【００１５】［１２］フェノール類が２，６−キシレノ
ールおよび３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールの混
合物である上記［１０］記載のエポキシ樹脂またはその
混合物の製造方法。
ールおよび３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールの混
合物である上記［１０］記載のエポキシ樹脂またはその
混合物の製造方法。
【００１６】本発明における一般式（１）または（２）
で表されるエポキシ樹脂の置換基Ｒ 1〜Ｒ12を具体的に
例示すると、それぞれメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル
基（各異性体を含む）、塩素原子および臭素原子等があ
げられる。中でも製品の溶融粘度の低さや原料の入手の
容易さからメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
が好ましい。
で表されるエポキシ樹脂の置換基Ｒ 1〜Ｒ12を具体的に
例示すると、それぞれメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル
基（各異性体を含む）、塩素原子および臭素原子等があ
げられる。中でも製品の溶融粘度の低さや原料の入手の
容易さからメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
が好ましい。
【００１７】本発明における一般式（１）で表されるエ
ポキシ樹脂の原料となる、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基が互いに同じではないスチルベ
ン系フェノール類の具体例としては、3-t-ブチル-4,4'-
ジヒドロキシ-3'-メチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-
ジヒドロキシ-5,3'-ジメチルスチルベン、3-t-ブチル-
4,4'-ジヒドロキシ-3',6-ジメチルスチルベン、3-t-ブ
チル-4,4'-ジヒドロキシ-5-エチル-3'-メチルスチルベ
ン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3'-メチル-5-プロ
ピルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-5-ブ
チル-3'-メチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロ
キシ-5-アミル-3'-メチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'
-ジヒドロキシ-5-ヘキシル-3'-メチルスチルベン、3-t-
ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-5-シクロヘキシル-3'-メチ
ルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3',5,5'
-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-2,4'-ジヒドロキ
シ-3',5',6-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-
ジヒドロキシ-3',5',6-トリメチルスチルベン、3-t-ブ
チル-4,4'-ジヒドロキシ-3',5,-ジメチル-5'-プロピル
スチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3',6,-ジ
メチル-5'-プロピルスチルベン等（置換位置の異なる異
性体を含む）が例示できるが、合成の容易さ、性能、原
料の価格の面から3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3',5,
5'-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-2,4'-ジヒドロ
キシ-3',5',6-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'
-ジヒドロキシ-3',5',6-トリメチルスチルベンが特に好
ましい。
ポキシ樹脂の原料となる、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基が互いに同じではないスチルベ
ン系フェノール類の具体例としては、3-t-ブチル-4,4'-
ジヒドロキシ-3'-メチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-
ジヒドロキシ-5,3'-ジメチルスチルベン、3-t-ブチル-
4,4'-ジヒドロキシ-3',6-ジメチルスチルベン、3-t-ブ
チル-4,4'-ジヒドロキシ-5-エチル-3'-メチルスチルベ
ン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3'-メチル-5-プロ
ピルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-5-ブ
チル-3'-メチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロ
キシ-5-アミル-3'-メチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'
-ジヒドロキシ-5-ヘキシル-3'-メチルスチルベン、3-t-
ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-5-シクロヘキシル-3'-メチ
ルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3',5,5'
-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-2,4'-ジヒドロキ
シ-3',5',6-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'-
ジヒドロキシ-3',5',6-トリメチルスチルベン、3-t-ブ
チル-4,4'-ジヒドロキシ-3',5,-ジメチル-5'-プロピル
スチルベン、3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3',6,-ジ
メチル-5'-プロピルスチルベン等（置換位置の異なる異
性体を含む）が例示できるが、合成の容易さ、性能、原
料の価格の面から3-t-ブチル-4,4'-ジヒドロキシ-3',5,
5'-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-2,4'-ジヒドロ
キシ-3',5',6-トリメチルスチルベン、3-t-ブチル-4,4'
-ジヒドロキシ-3',5',6-トリメチルスチルベンが特に好
ましい。
【００１８】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂の原
料となるスチルベン系フェノール類の具体例としては、
4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジメチルスチルベン、3,3'-ジ
エチル-4,4'-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒドロ
キシ-3,3'-ジプロピルスチルベン、3,3'-ジアミル-4,4'
-ジヒドロキシスチルベン、3,3'-ジヘキシル-4,4'-ジヒ
ドロキシスチルベン、3,3'-ジシクロヘキシル-4,4'-ジ
ヒドロキシスチルベン、2,2'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-
テトラメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,
5'-テトラメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-
ジ-t-ブチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t
-ブチル-5,5'-ジメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ
-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベン、2,2'-ジ
ヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベ
ン、2,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチ
ルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テトラ-t
-ブチルスチルベン等（置換位置の異なる異性体を含
む。）が例示できるが、中でも合成の容易さ、性能、原
料の価格の面から2,2'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テトラ
メチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テト
ラメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブ
チル-5,5'-ジメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,
3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベン、2,2'-ジヒ
ドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベ
ン、2,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチ
ルスチルベンが特に好ましい。
料となるスチルベン系フェノール類の具体例としては、
4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジメチルスチルベン、3,3'-ジ
エチル-4,4'-ジヒドロキシスチルベン、4,4'-ジヒドロ
キシ-3,3'-ジプロピルスチルベン、3,3'-ジアミル-4,4'
-ジヒドロキシスチルベン、3,3'-ジヘキシル-4,4'-ジヒ
ドロキシスチルベン、3,3'-ジシクロヘキシル-4,4'-ジ
ヒドロキシスチルベン、2,2'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-
テトラメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,
5'-テトラメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-
ジ-t-ブチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t
-ブチル-5,5'-ジメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ
-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベン、2,2'-ジ
ヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベ
ン、2,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチ
ルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テトラ-t
-ブチルスチルベン等（置換位置の異なる異性体を含
む。）が例示できるが、中でも合成の容易さ、性能、原
料の価格の面から2,2'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テトラ
メチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テト
ラメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブ
チル-5,5'-ジメチルスチルベン、4,4'-ジヒドロキシ-3,
3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベン、2,2'-ジヒ
ドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチルスチルベ
ン、2,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジ-t-ブチル-6,6'-ジメチ
ルスチルベンが特に好ましい。
【００１９】本発明において、スチルベン系エポキシ樹
脂の出発原料として用いられるフェノール類としては下
記のものが具体例として例示できる。t-ブチル基を含む
ものとして、3-メチル-6-t-ブチルフェノール、2-メチ
ル-6-t-ブチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、2-
エチル-6-t-ブチルフェノール、2-プロピル-6-t-ブチル
フェノール、2,6-ジ-t-ブチルフェノール、2-イソブチ
ル-6-t-ブチルフェノール、2-アミル-6-t-ブチルフェノ
ール、2-アミル-6-t-ブチルフェノール、2-ヘキシル-6-
t-ブチルフェノール、2-シクロヘキシル-6-t-ブチルフ
ェノール等が例示できるが、最終生成物の融点や入手の
し易さ、価格の面から3-メチル-6-t-ブチルフェノー
ル、2-メチル-6-t-ブチルフェノールが特に好ましい。
また、t-ブチル基を含まないものとして、クレゾール、
キシレノール、トリメチルフェノール、テトラメチルフ
ェノール、メチルエチルフェノール、メチルプロピルフ
ェノール、メチルイソブチルフェノール、メチルヘキシ
ルフェノール、メチルシクロヘキシルフェノール等（各
異性体を含む）が例示できる。これらの中でもキシレノ
ールが性能、価格のバランスで特に好ましい。
脂の出発原料として用いられるフェノール類としては下
記のものが具体例として例示できる。t-ブチル基を含む
ものとして、3-メチル-6-t-ブチルフェノール、2-メチ
ル-6-t-ブチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、2-
エチル-6-t-ブチルフェノール、2-プロピル-6-t-ブチル
フェノール、2,6-ジ-t-ブチルフェノール、2-イソブチ
ル-6-t-ブチルフェノール、2-アミル-6-t-ブチルフェノ
ール、2-アミル-6-t-ブチルフェノール、2-ヘキシル-6-
t-ブチルフェノール、2-シクロヘキシル-6-t-ブチルフ
ェノール等が例示できるが、最終生成物の融点や入手の
し易さ、価格の面から3-メチル-6-t-ブチルフェノー
ル、2-メチル-6-t-ブチルフェノールが特に好ましい。
また、t-ブチル基を含まないものとして、クレゾール、
キシレノール、トリメチルフェノール、テトラメチルフ
ェノール、メチルエチルフェノール、メチルプロピルフ
ェノール、メチルイソブチルフェノール、メチルヘキシ
ルフェノール、メチルシクロヘキシルフェノール等（各
異性体を含む）が例示できる。これらの中でもキシレノ
ールが性能、価格のバランスで特に好ましい。
【００２０】本発明において、スチルベン系エポキシ樹
脂の出発原料として用いられるクロロアセトアルデヒド
類としては、クロロアセトアルデヒド、クロロアセトア
ルデヒド水溶液、クロロアセトアルデヒドのアセタール
類、クロロアセトアルデヒドのトリオキサン型三量体等
が例示される。
脂の出発原料として用いられるクロロアセトアルデヒド
類としては、クロロアセトアルデヒド、クロロアセトア
ルデヒド水溶液、クロロアセトアルデヒドのアセタール
類、クロロアセトアルデヒドのトリオキサン型三量体等
が例示される。
【００２１】使用するクロロアセトアルデヒド類の量は
フェノール類の合計モル量を１として０．８〜１．４倍
モル、好ましくは等量配合で行う。この範囲より少ない
と未反応フェノール類が製品に残存し易く、この範囲を
超えると、製品が高分子量化し易い。
フェノール類の合計モル量を１として０．８〜１．４倍
モル、好ましくは等量配合で行う。この範囲より少ない
と未反応フェノール類が製品に残存し易く、この範囲を
超えると、製品が高分子量化し易い。
【００２２】クロロアセトアルデヒド類とフェノール類
との反応は通常、酸性物質の存在下に実施させるが、こ
の様な物質としては、発煙硫酸、濃硫酸、硫酸水溶液、
濃塩酸、塩化水素ガス、塩酸水溶液、トリフルオロスル
ホン酸等の無機酸、p-トルエンスルホン酸、クロロ酢
酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸、ヘ
テロポリ酸、酸性イオン交換樹脂等が例示できるが、濃
硫酸が高純度の製品を簡便に得られる点で好ましい。使
用する量はクロロアセトアルデヒド類に対して０．１〜
１０倍モル、好ましくは０．５〜２倍モルである。この
範囲より小さいと反応の進行が遅く、この範囲を超えて
使用しても一定以上の効果は得られない。
との反応は通常、酸性物質の存在下に実施させるが、こ
の様な物質としては、発煙硫酸、濃硫酸、硫酸水溶液、
濃塩酸、塩化水素ガス、塩酸水溶液、トリフルオロスル
ホン酸等の無機酸、p-トルエンスルホン酸、クロロ酢
酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸、ヘ
テロポリ酸、酸性イオン交換樹脂等が例示できるが、濃
硫酸が高純度の製品を簡便に得られる点で好ましい。使
用する量はクロロアセトアルデヒド類に対して０．１〜
１０倍モル、好ましくは０．５〜２倍モルである。この
範囲より小さいと反応の進行が遅く、この範囲を超えて
使用しても一定以上の効果は得られない。
【００２３】反応溶媒としてはトルエン、キシレン等の
炭化水素類、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
メタノール、プロパノール等のアルコール類、ジメチル
スルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルム
アミド等の非プロトン性極性溶媒、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール等のグリコール類、酢酸等の
酸性溶媒等が例示できるが、中でも酢酸が好ましい。こ
れらの溶媒は一種、もしくは二種以上が使用できる。
炭化水素類、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
メタノール、プロパノール等のアルコール類、ジメチル
スルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルム
アミド等の非プロトン性極性溶媒、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール等のグリコール類、酢酸等の
酸性溶媒等が例示できるが、中でも酢酸が好ましい。こ
れらの溶媒は一種、もしくは二種以上が使用できる。
【００２４】溶媒の使用量は、フェノール類とクロロア
セトアルデヒド類に対して０．１〜２０重量倍、好まし
くは０．５〜１０重量倍が好ましい。この範囲以下であ
ると反応によって析出した結晶により撹拌が困難とな
り、この範囲を超えると、反応一回当たりの製品得量が
低下し、経済的に不利となる。
セトアルデヒド類に対して０．１〜２０重量倍、好まし
くは０．５〜１０重量倍が好ましい。この範囲以下であ
ると反応によって析出した結晶により撹拌が困難とな
り、この範囲を超えると、反応一回当たりの製品得量が
低下し、経済的に不利となる。
【００２５】反応は、フェノール類とクロロアセトアル
デヒド類を溶媒に溶かしておいてから、酸性物質を滴下
するか、フェノール類と酸性物質を先に反応容器に仕込
んでおいてから、クロロアセトアルデヒド類を滴下して
も良い。滴下時間は通常０．５時間から１０時間以内で
ある。滴下後は３〜２４時間反応を行う。温度は−３０
〜６０℃、好ましくは−１０〜４０℃で行う。この温度
以下では反応の進行が遅く、この範囲を超えると不純物
の生成が顕著となる。反応後、析出した結晶を濾別し、
水洗を行なってから減圧下に乾燥を行う。このようにし
て本発明のエポキシ樹脂の中間体である1,1-ビス（ヒド
ロキシフェニル）-2-クロロエタン誘導体が得られる。
デヒド類を溶媒に溶かしておいてから、酸性物質を滴下
するか、フェノール類と酸性物質を先に反応容器に仕込
んでおいてから、クロロアセトアルデヒド類を滴下して
も良い。滴下時間は通常０．５時間から１０時間以内で
ある。滴下後は３〜２４時間反応を行う。温度は−３０
〜６０℃、好ましくは−１０〜４０℃で行う。この温度
以下では反応の進行が遅く、この範囲を超えると不純物
の生成が顕著となる。反応後、析出した結晶を濾別し、
水洗を行なってから減圧下に乾燥を行う。このようにし
て本発明のエポキシ樹脂の中間体である1,1-ビス（ヒド
ロキシフェニル）-2-クロロエタン誘導体が得られる。
【００２６】次に、1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2
-クロロエタン誘導体の脱塩酸／転位反応を行う。この
化合物を溶媒に溶解し、苛性ソーダ水溶液等の塩基性物
質を滴下することにより、容易に行うことができる。使
用する溶媒としては、トルエン、キシレン等の炭化水素
類、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノー
ル、プロパノール等のアルコール類、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等
の非プロトン性極性溶媒、エチレングリコール、プロピ
レングリコール等のグリコール類、酢酸等の酸性溶媒等
が例示できるが、中でもメタノール、プロパノール等の
アルコール類が好ましい。これらの溶媒は一種、もしく
は二種以上が使用できる。
-クロロエタン誘導体の脱塩酸／転位反応を行う。この
化合物を溶媒に溶解し、苛性ソーダ水溶液等の塩基性物
質を滴下することにより、容易に行うことができる。使
用する溶媒としては、トルエン、キシレン等の炭化水素
類、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノー
ル、プロパノール等のアルコール類、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等
の非プロトン性極性溶媒、エチレングリコール、プロピ
レングリコール等のグリコール類、酢酸等の酸性溶媒等
が例示できるが、中でもメタノール、プロパノール等の
アルコール類が好ましい。これらの溶媒は一種、もしく
は二種以上が使用できる。
【００２７】溶媒の使用量は、1,1-ビス（ヒドロキシフ
ェニル）-2-クロロエタン誘導体に対して０．１〜２０
重量倍、好ましくは０．５〜１０重量倍が好ましい。こ
の範囲以下であると反応中に析出した塩により撹拌が困
難となり、この範囲を超えると、反応一回当たりの製品
得量が低下し、経済的に不利となる。
ェニル）-2-クロロエタン誘導体に対して０．１〜２０
重量倍、好ましくは０．５〜１０重量倍が好ましい。こ
の範囲以下であると反応中に析出した塩により撹拌が困
難となり、この範囲を超えると、反応一回当たりの製品
得量が低下し、経済的に不利となる。
【００２８】反応に使用する塩基性物質としては、苛性
ソーダ、苛性カリ等の粉末、ペレット、水溶液がある
が、中でも苛性ソーダの水溶液が取扱い性や価格の面で
好ましい。使用する量は1,1-ビス（ヒドロキシフェニ
ル）-2-クロロエタン誘導体に対して１〜５倍モル、好
ましくは１〜２倍モルが好ましい。この範囲以下である
と未反応物が残存し、この範囲を超えて使用しても、一
定以上の効果は得られない。
ソーダ、苛性カリ等の粉末、ペレット、水溶液がある
が、中でも苛性ソーダの水溶液が取扱い性や価格の面で
好ましい。使用する量は1,1-ビス（ヒドロキシフェニ
ル）-2-クロロエタン誘導体に対して１〜５倍モル、好
ましくは１〜２倍モルが好ましい。この範囲以下である
と未反応物が残存し、この範囲を超えて使用しても、一
定以上の効果は得られない。
【００２９】反応は、1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）
-2-クロロエタン誘導体を溶媒に溶かしておいてから、
塩基性物質を滴下するか、フェノール類と酸性物質を先
に反応容器に仕込んでおいてから、1,1-ビス（ヒドロキ
シフェニル）-2-クロロエタン誘導体を粉体のまま、あ
るいは溶液、スラリーの状態で滴下する。滴下時間は通
常０．５時間から１０時間以内が好ましい。滴下後は３
〜２４時間反応を行うのが好ましい。温度は好ましくは
−２０〜１５０℃、さらに好ましくは２０〜１００℃で
ある。この温度以下では反応の進行が遅く、この範囲を
超えて反応を行っても一定以上の効果は得られない。
-2-クロロエタン誘導体を溶媒に溶かしておいてから、
塩基性物質を滴下するか、フェノール類と酸性物質を先
に反応容器に仕込んでおいてから、1,1-ビス（ヒドロキ
シフェニル）-2-クロロエタン誘導体を粉体のまま、あ
るいは溶液、スラリーの状態で滴下する。滴下時間は通
常０．５時間から１０時間以内が好ましい。滴下後は３
〜２４時間反応を行うのが好ましい。温度は好ましくは
−２０〜１５０℃、さらに好ましくは２０〜１００℃で
ある。この温度以下では反応の進行が遅く、この範囲を
超えて反応を行っても一定以上の効果は得られない。
【００３０】反応後は反応系を中和してから溶媒回収を
行う。溶媒回収後、反応容器内に水を入れることによ
り、反応混合物は容易に結晶化する。これを濾取後、水
洗してから減圧下に乾燥する。このようにして本発明の
エポキシ樹脂の中間体であるスチルベン骨格を持つビス
フェノール化合物が得られる。
行う。溶媒回収後、反応容器内に水を入れることによ
り、反応混合物は容易に結晶化する。これを濾取後、水
洗してから減圧下に乾燥する。このようにして本発明の
エポキシ樹脂の中間体であるスチルベン骨格を持つビス
フェノール化合物が得られる。
【００３１】本発明のスチルベン系エポキシ樹脂は、上
記のようにして得たスチルベン系のビスフェノールをグ
リシジルエーテル化する周知の方法によって得ることが
できる。つまり、ビスフェノールとエピハロヒドリンと
を、苛性ソーダ等のアルカリの存在下で反応させる方法
である。特に、高純度品を得る場合には、特開昭60-315
17号の様に、非プロトン性溶媒やジオキサン等の溶媒を
用いる反応が好適である。
記のようにして得たスチルベン系のビスフェノールをグ
リシジルエーテル化する周知の方法によって得ることが
できる。つまり、ビスフェノールとエピハロヒドリンと
を、苛性ソーダ等のアルカリの存在下で反応させる方法
である。特に、高純度品を得る場合には、特開昭60-315
17号の様に、非プロトン性溶媒やジオキサン等の溶媒を
用いる反応が好適である。
【００３２】本発明において、一般式（１）で表される
エポキシ樹脂と一般式（２）で表されるエポキシ樹脂の
混合物は、それぞれ別々に合成して、混合して調製して
も良い。また、エポキシ化までの工程の途中まで別々に
合成し、その段階で混合してから残りの工程の反応を行
うことによって得ることもできる。
エポキシ樹脂と一般式（２）で表されるエポキシ樹脂の
混合物は、それぞれ別々に合成して、混合して調製して
も良い。また、エポキシ化までの工程の途中まで別々に
合成し、その段階で混合してから残りの工程の反応を行
うことによって得ることもできる。
【００３３】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例中、エポキシ当量と
は、エポキシ基１個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定
義される。
れに限定されるものではない。例中、エポキシ当量と
は、エポキシ基１個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定
義される。
【００３４】参考例１ （１）1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2-クロロエタ
ン誘導体の合成−１ 温度計、撹拌機、コンデンサーを備えた２リットル四ツ
口フラスコに２，６−キシレノール（以下２６ＸＹと略
す。）２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）、４０．５％クロ
ロアセトアルデヒド水溶液１９３．８ｇ（１．０ｍｏ
ｌ）および酢酸３７６ｇを仕込み、撹拌、溶解し、５℃
まで冷却した。次に、濃硫酸１２２ｇ（１．２ｍｏｌ）
を酢酸８４ｇに混合した溶液を５℃にて３時間かけて滴
下、その後２５℃で６時間反応系を保温し、終夜室温で
撹拌を続けた。系の温度を５℃まで冷却し、析出した結
晶を濾別した。結晶を５００ｇの水で６回洗浄し、その
後４０℃にて８時間真空乾燥し、無色結晶２６４ｇ（収
率８６．６％）を得た（ＸＹＣＥとする）。ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー（以下ＧＰＣと略す。２
５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９８．３
％、赤外吸収スペクトルにより３５００cm-1付近に水酸
基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペ
クトルにより、分子量３０４のフラグメントが観察でき
た。
ン誘導体の合成−１ 温度計、撹拌機、コンデンサーを備えた２リットル四ツ
口フラスコに２，６−キシレノール（以下２６ＸＹと略
す。）２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）、４０．５％クロ
ロアセトアルデヒド水溶液１９３．８ｇ（１．０ｍｏ
ｌ）および酢酸３７６ｇを仕込み、撹拌、溶解し、５℃
まで冷却した。次に、濃硫酸１２２ｇ（１．２ｍｏｌ）
を酢酸８４ｇに混合した溶液を５℃にて３時間かけて滴
下、その後２５℃で６時間反応系を保温し、終夜室温で
撹拌を続けた。系の温度を５℃まで冷却し、析出した結
晶を濾別した。結晶を５００ｇの水で６回洗浄し、その
後４０℃にて８時間真空乾燥し、無色結晶２６４ｇ（収
率８６．６％）を得た（ＸＹＣＥとする）。ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー（以下ＧＰＣと略す。２
５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９８．３
％、赤外吸収スペクトルにより３５００cm-1付近に水酸
基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペ
クトルにより、分子量３０４のフラグメントが観察でき
た。
【００３５】（２）スチルベン系ビスフェノールの合成
−１ 温度計、撹拌機、コンデンサーの付いたリットル四ツ口
フラスコに（１）で得たＸＹＣＥ２２５．６ｇとメタノ
ール４５１．２ｇを仕込み、窒素気流下、撹拌して溶解
させた。４８．３％苛性ソーダ水溶液９１．９ｇを内温
３０℃、１時間で滴下した。次に昇温しメタノールを還
流させながら３時間反応させた。反応後、高速液体クロ
マトグラフィー（以下ＬＣと略す）で原料のＸＹＣＥは
完全に消失していた。６０℃まで冷却後、濃塩酸３７．
５ｇを加えて中和し、メタノールを留去した。続いて温
水１０００ｇを加えて、析出した結晶を濾取した。結晶
を水洗後、８０℃で８時間真空乾燥を行い黄色結晶１９
２ｇ（９６．７％）を得た（ＸＹＳＢとする）。ＧＰＣ
による純度は９８．１％、赤外吸収スペクトルにより３
４００cm-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認され
た。また、質量分析スペクトルにより、分子量２６８の
フラグメントが観察できた。
−１ 温度計、撹拌機、コンデンサーの付いたリットル四ツ口
フラスコに（１）で得たＸＹＣＥ２２５．６ｇとメタノ
ール４５１．２ｇを仕込み、窒素気流下、撹拌して溶解
させた。４８．３％苛性ソーダ水溶液９１．９ｇを内温
３０℃、１時間で滴下した。次に昇温しメタノールを還
流させながら３時間反応させた。反応後、高速液体クロ
マトグラフィー（以下ＬＣと略す）で原料のＸＹＣＥは
完全に消失していた。６０℃まで冷却後、濃塩酸３７．
５ｇを加えて中和し、メタノールを留去した。続いて温
水１０００ｇを加えて、析出した結晶を濾取した。結晶
を水洗後、８０℃で８時間真空乾燥を行い黄色結晶１９
２ｇ（９６．７％）を得た（ＸＹＳＢとする）。ＧＰＣ
による純度は９８．１％、赤外吸収スペクトルにより３
４００cm-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認され
た。また、質量分析スペクトルにより、分子量２６８の
フラグメントが観察できた。
【００３６】（３）エポキシの合成−１ （２）で得られた原料フェノール（ＸＹＳＢ）１００ｇ
を温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサー
の付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン４８
５．６ｇ、１，４−ジオキサン２４２．８ｇに溶解し
た。反応系内を１４０ｔｏｒｒに保ちながら、温度６２
℃で、４８．３％苛性ソーダ６１．７１ｇを５時間で連
続的に滴下した。 この間、温度は６２℃に保ちなが
ら、共沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有
機層を反応系内に戻しながら反応させた。反応終了後
に、未反応エピクロルヒドリンと１，４−ジオキサンと
を減圧濃縮により除去し、副生塩とグリシジルエーテル
をメチルイソブチルケトン８００ｇに溶解させ、副生塩
とジメチルスルホキシドを水洗により除去した。その後
１６０℃、１０ｔｏｒｒにてメチルイソブチルケトンを
減圧留去し目的物を１２２．２ｇ（８６．２％）得た
（ＸＹＣＣ−Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により
検出）による純度は９３．０％、このものの融点は１５
１℃、エポキシ当量は１９８ｇ／ｅｑであった。赤外吸
収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸
収は消失し、エポキシによる１２４０ｃｍ -1、９１５ｃ
ｍ-1の吸収を有することが確認された。
を温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサー
の付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン４８
５．６ｇ、１，４−ジオキサン２４２．８ｇに溶解し
た。反応系内を１４０ｔｏｒｒに保ちながら、温度６２
℃で、４８．３％苛性ソーダ６１．７１ｇを５時間で連
続的に滴下した。 この間、温度は６２℃に保ちなが
ら、共沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有
機層を反応系内に戻しながら反応させた。反応終了後
に、未反応エピクロルヒドリンと１，４−ジオキサンと
を減圧濃縮により除去し、副生塩とグリシジルエーテル
をメチルイソブチルケトン８００ｇに溶解させ、副生塩
とジメチルスルホキシドを水洗により除去した。その後
１６０℃、１０ｔｏｒｒにてメチルイソブチルケトンを
減圧留去し目的物を１２２．２ｇ（８６．２％）得た
（ＸＹＣＣ−Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により
検出）による純度は９３．０％、このものの融点は１５
１℃、エポキシ当量は１９８ｇ／ｅｑであった。赤外吸
収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸
収は消失し、エポキシによる１２４０ｃｍ -1、９１５ｃ
ｍ-1の吸収を有することが確認された。
【００３７】参考例２ （１）1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2-クロロエタ
ン誘導体の合成−２ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ
ール（以下３Ｍ６Ｂと略す。）３２８．５ｇ（２．０ｍ
ｏｌ）を用いた他は同様に操作を行い、淡紫結晶を３１
７ｇ（８１．５％）得た（ＸＭＣＥ−１００とする）。
ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は
８７．７％、赤外吸収スペクトルにより３５００cm-1付
近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量
分析スペクトルにより、分子量３８９のフラグメントが
観察できた。
ン誘導体の合成−２ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ
ール（以下３Ｍ６Ｂと略す。）３２８．５ｇ（２．０ｍ
ｏｌ）を用いた他は同様に操作を行い、淡紫結晶を３１
７ｇ（８１．５％）得た（ＸＭＣＥ−１００とする）。
ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は
８７．７％、赤外吸収スペクトルにより３５００cm-1付
近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量
分析スペクトルにより、分子量３８９のフラグメントが
観察できた。
【００３８】（２）スチルベン系ビスフェノールの合成
−２ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに参考例２
（１）で得られたＸＭＣＥ−１００を用いて同様に実験
を行い、淡黄色結晶１３４ｇ（９４．８％）を得た（Ｘ
ＭＳＢ−１００とする）。ＧＰＣによる純度は９３．５
％、赤外吸収スペクトルにより３１００ｃｍ-1付近に水
酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析ス
ペクトルにより、分子量３５２のフラグメントが観察で
きた。
−２ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに参考例２
（１）で得られたＸＭＣＥ−１００を用いて同様に実験
を行い、淡黄色結晶１３４ｇ（９４．８％）を得た（Ｘ
ＭＳＢ−１００とする）。ＧＰＣによる純度は９３．５
％、赤外吸収スペクトルにより３１００ｃｍ-1付近に水
酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析ス
ペクトルにより、分子量３５２のフラグメントが観察で
きた。
【００３９】（３）エポキシの合成−２ 参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりにＸＭＳＢ−
１００を用いた他は同様に操作を行い、同様にエポキシ
化を行って目的物を５４．７ｇ（３６．２％）得た（Ｘ
ＭＣＣ−１００Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計によ
り検出）による純度は９５．２％であった。また、この
ものの融点は２２０〜２２４℃、エポキシ当量は２３０
ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フ
ェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる
１２３０、９２０ｃｍ-1の吸収を有することが確認され
た。
１００を用いた他は同様に操作を行い、同様にエポキシ
化を行って目的物を５４．７ｇ（３６．２％）得た（Ｘ
ＭＣＣ−１００Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計によ
り検出）による純度は９５．２％であった。また、この
ものの融点は２２０〜２２４℃、エポキシ当量は２３０
ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フ
ェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる
１２３０、９２０ｃｍ-1の吸収を有することが確認され
た。
【００４０】実施例１ （１）1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2-クロロエタ
ン誘導体の合成−３ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１９５．５ｇ（１．６ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ６５．７ｇ（０．４ｍｏｌ）を用いた他
は同様に操作を行い、淡紫結晶を２７１ｇ（８４．１
％）得た（ＸＭＣＥ−２０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎ
ｍの紫外線により検出）による純度は９７．７％、赤外
吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ-1付近に
水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析
スペクトルにより、分子量３４６、３０４のフラグメン
トが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例４のＸ
ＭＣＥ−１００は検出されなかった。
ン誘導体の合成−３ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１９５．５ｇ（１．６ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ６５．７ｇ（０．４ｍｏｌ）を用いた他
は同様に操作を行い、淡紫結晶を２７１ｇ（８４．１
％）得た（ＸＭＣＥ−２０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎ
ｍの紫外線により検出）による純度は９７．７％、赤外
吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ-1付近に
水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析
スペクトルにより、分子量３４６、３０４のフラグメン
トが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例４のＸ
ＭＣＥ−１００は検出されなかった。
【００４１】（２）スチルベン系ビスフェノールの合成
−３ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに実施例１
（１）で得られたＸＭＣＥ−２０を１４４．８ｇを用い
て同様に実験を行い、黄色結晶１２４ｇ（９６．６％）
を得た（ＸＭＳＢ−２０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍ
の紫外線により検出）による純度は９７．１％、赤外吸
収スペクトルにより３４００ｃｍ-1付近に水酸基による
幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルに
より、分子量３１０、２６８のフラグメントが観察でき
た。また、ＬＣによる分析で参考例５のＸＭＳＢ−１０
０は検出されなかった。
−３ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに実施例１
（１）で得られたＸＭＣＥ−２０を１４４．８ｇを用い
て同様に実験を行い、黄色結晶１２４ｇ（９６．６％）
を得た（ＸＭＳＢ−２０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍ
の紫外線により検出）による純度は９７．１％、赤外吸
収スペクトルにより３４００ｃｍ-1付近に水酸基による
幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルに
より、分子量３１０、２６８のフラグメントが観察でき
た。また、ＬＣによる分析で参考例５のＸＭＳＢ−１０
０は検出されなかった。
【００４２】（３）エポキシの合成−３ 参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに上記（２）
で得られたＸＭＳＢ−２０を９９．７ｇ用いた他は同様
に操作を行い、目的物を１３１ｇ（９４％）得た（ＸＭ
ＣＣ−２０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検
出）による純度は９３．６％、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分
子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は３９．６％で
あった。このものの融点は１１０〜１３０℃、エポキシ
当量は２０８ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測
定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エ
ポキシによる１２４０、９２０ｃｍ-1の吸収を有するこ
とが確認された。
で得られたＸＭＳＢ−２０を９９．７ｇ用いた他は同様
に操作を行い、目的物を１３１ｇ（９４％）得た（ＸＭ
ＣＣ−２０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検
出）による純度は９３．６％、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分
子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は３９．６％で
あった。このものの融点は１１０〜１３０℃、エポキシ
当量は２０８ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測
定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エ
ポキシによる１２４０、９２０ｃｍ-1の吸収を有するこ
とが確認された。
【００４３】実施例２ （１）1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2-クロロエタ
ン誘導体の合成−４ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１７１．１ｇ（１．４ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ９８．６ｇ（０．６ｍｏｌ）ｇを用いた
他は同様に操作を行い、淡紫結晶を２５３ｇ（７６．７
％）得た（ＸＭＣＥ−３０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎ
ｍの紫外線により検出）による純度は９６．０％、赤外
吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ-1付近に
水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析
スペクトルにより、分子量３４６、３０４のフラグメン
トが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例４のＸ
ＭＣＥ−１００は検出されなかった。
ン誘導体の合成−４ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１７１．１ｇ（１．４ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ９８．６ｇ（０．６ｍｏｌ）ｇを用いた
他は同様に操作を行い、淡紫結晶を２５３ｇ（７６．７
％）得た（ＸＭＣＥ−３０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎ
ｍの紫外線により検出）による純度は９６．０％、赤外
吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ-1付近に
水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析
スペクトルにより、分子量３４６、３０４のフラグメン
トが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例４のＸ
ＭＣＥ−１００は検出されなかった。
【００４４】（２）スチルベン系ビスフェノールの合成
−４ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記
（１）で得られたＸＭＣＥ−３０を１２２．１ｇを用い
て同様に実験を行い、黄色結晶１０８ｇ（９９．４％）
を得た（ＸＭＳＢ−３０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍ
の紫外線により検出）による純度は９３．３％、赤外吸
収スペクトルにより３４００ｃｍ-1付近に水酸基による
幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルに
より、分子量３１０、２６８のフラグメントが観察でき
た。また、ＬＣによる分析で参考例２（２）のＸＭＳＢ
−１００は検出されなかった。
−４ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記
（１）で得られたＸＭＣＥ−３０を１２２．１ｇを用い
て同様に実験を行い、黄色結晶１０８ｇ（９９．４％）
を得た（ＸＭＳＢ−３０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍ
の紫外線により検出）による純度は９３．３％、赤外吸
収スペクトルにより３４００ｃｍ-1付近に水酸基による
幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルに
より、分子量３１０、２６８のフラグメントが観察でき
た。また、ＬＣによる分析で参考例２（２）のＸＭＳＢ
−１００は検出されなかった。
【００４５】（３）エポキシの合成−４ 参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに上記（２）
で得られたＸＭＳＢ−３０を９５．４ｇ用いた他は同様
に操作を行い、目的物を１１８ｇ（８９．５％）得た
（ＸＭＣＣ−３０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計に
より検出）による純度は８６．６％、２６ＸＹと３Ｍ６
Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は５３．
２％であった。このものは室温で半固形状であり、エポ
キシ当量は２００ｇ／ｅｑであった。溶融粘度は１５０
℃で０．１６ポイズであった。赤外吸収スペクトル測定
の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポ
キシによる吸収１２６０、９１０ｃｍ-1の吸収を有する
ことが確認された。
で得られたＸＭＳＢ−３０を９５．４ｇ用いた他は同様
に操作を行い、目的物を１１８ｇ（８９．５％）得た
（ＸＭＣＣ−３０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計に
より検出）による純度は８６．６％、２６ＸＹと３Ｍ６
Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は５３．
２％であった。このものは室温で半固形状であり、エポ
キシ当量は２００ｇ／ｅｑであった。溶融粘度は１５０
℃で０．１６ポイズであった。赤外吸収スペクトル測定
の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポ
キシによる吸収１２６０、９１０ｃｍ-1の吸収を有する
ことが確認された。
【００４６】実施例３ （１）1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2-クロロエタ
ン誘導体の合成−５ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１２２．２ｇ（１．０ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ１６４．３ｇ（１．０ｍｏｌ）ｇを用い
た他は同様に操作を行い、無色結晶を３２１ｇ（９２．
５％）得た（ＸＭＣＥ−５０とする）。ＧＰＣ（２５４
ｎｍの紫外線により検出）による純度は９０．７％、赤
外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ-1付近
に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分
析スペクトルにより、分子量３４６、３０４および微量
の３８９のフラグメントが観察できた。
ン誘導体の合成−５ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１２２．２ｇ（１．０ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ１６４．３ｇ（１．０ｍｏｌ）ｇを用い
た他は同様に操作を行い、無色結晶を３２１ｇ（９２．
５％）得た（ＸＭＣＥ−５０とする）。ＧＰＣ（２５４
ｎｍの紫外線により検出）による純度は９０．７％、赤
外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ-1付近
に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分
析スペクトルにより、分子量３４６、３０４および微量
の３８９のフラグメントが観察できた。
【００４７】（２）スチルベン系ビスフェノールの合成
−５ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記
（１）で得られたＸＭＣＥ−５０を１１４．７ｇを用い
て同様に実験を行い、淡褐色結晶９８．５ｇ（９５．８
％）を得た（ＸＭＳＢ−５０とする）。ＧＰＣ（２５４
ｎｍの紫外線により検出）による純度は９６．５％であ
り、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン化合
物が８６．４％であった。赤外吸収スペクトルにより３
４００ｃｍ-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認され
た。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０、
２６８および微量の３５２のフラグメントが観察でき
た。
−５ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記
（１）で得られたＸＭＣＥ−５０を１１４．７ｇを用い
て同様に実験を行い、淡褐色結晶９８．５ｇ（９５．８
％）を得た（ＸＭＳＢ−５０とする）。ＧＰＣ（２５４
ｎｍの紫外線により検出）による純度は９６．５％であ
り、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン化合
物が８６．４％であった。赤外吸収スペクトルにより３
４００ｃｍ-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認され
た。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０、
２６８および微量の３５２のフラグメントが観察でき
た。
【００４８】（３）スチルベン系ビスフェノールの精製 実施例３（２）で得られたＸＭＳＢ−５０をトルエンか
ら再結晶した。結晶をシクロヘキサンで洗浄後、減圧下
に乾燥して褐色微結晶を得た。高速液体クロマトグラフ
ィー（以下ＬＣと略）による純度は９９．１％であり、
実施例３（２）で得られた２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中
に持つスチルベン系ビスフェノールのＬＣの保持時間と
完全に一致した。赤外吸収スペクトルにより３５００cm
-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、
質量分析スペクトルにより、分子量３１０のフラグメン
トが観察できた。 ・融点 １７５〜１７９℃ ・ 1Ｈ−ＮＭＲ δ：１．４３ｐｐｍ（ｓ、ｔ−ブチル基、９Ｈ） ２．２７ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、６Ｈ） ２．３３ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、３Ｈ） ４．７７ｐｐｍ（ｂｒｓ、水酸基、２Ｈ） ６．５〜７．５ｐｐｍ （ｍ、Ａｒ−Ｈ、−ＣＨ＝ＣＨ−、６Ｈ）
ら再結晶した。結晶をシクロヘキサンで洗浄後、減圧下
に乾燥して褐色微結晶を得た。高速液体クロマトグラフ
ィー（以下ＬＣと略）による純度は９９．１％であり、
実施例３（２）で得られた２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中
に持つスチルベン系ビスフェノールのＬＣの保持時間と
完全に一致した。赤外吸収スペクトルにより３５００cm
-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、
質量分析スペクトルにより、分子量３１０のフラグメン
トが観察できた。 ・融点 １７５〜１７９℃ ・ 1Ｈ−ＮＭＲ δ：１．４３ｐｐｍ（ｓ、ｔ−ブチル基、９Ｈ） ２．２７ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、６Ｈ） ２．３３ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、３Ｈ） ４．７７ｐｐｍ（ｂｒｓ、水酸基、２Ｈ） ６．５〜７．５ｐｐｍ （ｍ、Ａｒ−Ｈ、−ＣＨ＝ＣＨ−、６Ｈ）
【００４９】（４）エポキシの合成−５ 参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに上記（２）
で得られたＸＭＳＢ−５０を９９．７ｇ用いた他は同様
に操作を行い、目的物を１３１ｇ（９４％）得た（ＸＭ
ＣＣ−５０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検
出）による純度は９３．５％、２６ＸＹ残基と３Ｍ６Ｂ
残基を分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は８
０．５％であった。このものの融点は４５℃、エポキシ
当量は２２６ｇ／ｅｑ、溶融粘度は１５０℃で０．２ポ
イズであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノ
ール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収
１２６０、９２０ｃｍ-1の吸収を有することが確認され
た。
で得られたＸＭＳＢ−５０を９９．７ｇ用いた他は同様
に操作を行い、目的物を１３１ｇ（９４％）得た（ＸＭ
ＣＣ−５０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検
出）による純度は９３．５％、２６ＸＹ残基と３Ｍ６Ｂ
残基を分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は８
０．５％であった。このものの融点は４５℃、エポキシ
当量は２２６ｇ／ｅｑ、溶融粘度は１５０℃で０．２ポ
イズであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノ
ール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収
１２６０、９２０ｃｍ-1の吸収を有することが確認され
た。
【００５０】（５） エポキシの合成−６ 参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに実施例３
（３）で得られた再結晶品を３８．８ｇ用いた他は同様
に操作を行い、淡黄色の粘稠液状物を５０．２ｇ（９５
％）得た。ＬＣによる２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持
つスチルベン系エポキシ化合物の純度は９４．２％であ
った。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水
酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収１２６
０、９１０cm -1の吸収を有することが確認された。 ・ 1Ｈ−ＮＭＲ δ：１．４２ｐｐｍ（ｓ、ｔ−ブチル基、９Ｈ） ２．３２ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、６Ｈ） ２．３８ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、３Ｈ） ２．７〜３．０ｐｐｍ（ｍ、エポキシ−ＣＨ2、４Ｈ） ３．４ｐｐｍ（ｍ、エポキシ−ＣＨ、２Ｈ） ３．７〜４．３ｐｐｍ（ｍ、−ＯＣＨ2、４Ｈ） ６．６〜７．５ｐｐｍ （ｍ、Ａｒ−Ｈ、−ＣＨ＝ＣＨ−、６Ｈ）
（３）で得られた再結晶品を３８．８ｇ用いた他は同様
に操作を行い、淡黄色の粘稠液状物を５０．２ｇ（９５
％）得た。ＬＣによる２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持
つスチルベン系エポキシ化合物の純度は９４．２％であ
った。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水
酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収１２６
０、９１０cm -1の吸収を有することが確認された。 ・ 1Ｈ−ＮＭＲ δ：１．４２ｐｐｍ（ｓ、ｔ−ブチル基、９Ｈ） ２．３２ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、６Ｈ） ２．３８ｐｐｍ（ｓ、Ａｒ−ＣＨ3、３Ｈ） ２．７〜３．０ｐｐｍ（ｍ、エポキシ−ＣＨ2、４Ｈ） ３．４ｐｐｍ（ｍ、エポキシ−ＣＨ、２Ｈ） ３．７〜４．３ｐｐｍ（ｍ、−ＯＣＨ2、４Ｈ） ６．６〜７．５ｐｐｍ （ｍ、Ａｒ−Ｈ、−ＣＨ＝ＣＨ−、６Ｈ）
【００５１】実施例４ （１）1,1-ビス（ヒドロキシフェニル）-2-クロロエタ
ン誘導体の合成−６ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ９１．７ｇ（０．７５ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ１６４．３ｇ（１．２５ｍｏｌ）を用い
た他は同様に操作を行い、淡紫結晶を３１５ｇ（８８．
０％）得た（ＸＭＣＥ−６２．５とする）。ＧＰＣ（２
５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９４．４
％、赤外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ
-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、
質量分析スペクトルにより、分子量３４６、３８９、３
０４のフラグメントが観察できた。
ン誘導体の合成−６ 参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０
ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ９１．７ｇ（０．７５ｍｏ
ｌ）と３Ｍ６Ｂ１６４．３ｇ（１．２５ｍｏｌ）を用い
た他は同様に操作を行い、淡紫結晶を３１５ｇ（８８．
０％）得た（ＸＭＣＥ−６２．５とする）。ＧＰＣ（２
５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９４．４
％、赤外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ
-1付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、
質量分析スペクトルにより、分子量３４６、３８９、３
０４のフラグメントが観察できた。
【００５２】（２）スチルベン系ビスフェノールの合成
−６ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記
（１）で得られたＸＭＣＥ−６２．５を１２１．１ｇを
用いて同様に実験を行い、淡褐色結晶１０３ｇ（９４．
７％）を得た（ＸＭＳＢ−６２．５とする）。ＧＰＣ
（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９２．
０％、赤外吸収スペクトルにより３５００ｃｍ -1付近に
水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析
スペクトルにより、分子量３１０、２６８、３５２のフ
ラグメントが観察できた。
−６ 参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記
（１）で得られたＸＭＣＥ−６２．５を１２１．１ｇを
用いて同様に実験を行い、淡褐色結晶１０３ｇ（９４．
７％）を得た（ＸＭＳＢ−６２．５とする）。ＧＰＣ
（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９２．
０％、赤外吸収スペクトルにより３５００ｃｍ -1付近に
水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析
スペクトルにより、分子量３１０、２６８、３５２のフ
ラグメントが観察できた。
【００５３】（３）エポキシの合成−７ 参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに実施例４
（２）で得られたＸＭＳＢ−６２．５を８０．３ｇ用い
た他は同様に操作を行い、目的物を９５．２ｇ（８７．
９％）得た（ＸＭＣＣ−６２．５Ｅとする）。ＧＰＣ
（示差屈折率計により検出）による純度は８５．８％、
２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキ
シ化合物は７１．０％であった。このものの融点は１０
５〜１２５℃、エポキシ当量は２３０ｇ／ｅｑ、また、
溶融粘度は１５０℃で０．４ポイズであった。赤外吸収
スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収
は消失し、エポキシによる吸収１２６０、９１５ｃｍ-1
の吸収を有することが確認された。
（２）で得られたＸＭＳＢ−６２．５を８０．３ｇ用い
た他は同様に操作を行い、目的物を９５．２ｇ（８７．
９％）得た（ＸＭＣＣ−６２．５Ｅとする）。ＧＰＣ
（示差屈折率計により検出）による純度は８５．８％、
２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキ
シ化合物は７１．０％であった。このものの融点は１０
５〜１２５℃、エポキシ当量は２３０ｇ／ｅｑ、また、
溶融粘度は１５０℃で０．４ポイズであった。赤外吸収
スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収
は消失し、エポキシによる吸収１２６０、９１５ｃｍ-1
の吸収を有することが確認された。
【００５４】実施例５、溶媒に対するエポキシ樹脂の溶
解度試験 実施例１、２、３、４または参考例１、２で得られたエ
ポキシ樹脂（それぞれＸＭＣＣ−２０Ｅ、ＸＭＣＣ−３
０Ｅ、ＸＭＣＣ−５０Ｅ、ＸＭＣＣ−６２．５Ｅ、ＸＭ
ＣＣ−１００Ｅ、ＸＹＣＣ−Ｅ）２０重量部にメチルイ
ソブチルケトン８０重量部を加え、８０℃に加熱した時
の溶解度を調べた。また、参考例１と２で得られたエポ
キシ樹脂をそれぞれ１０重量部ずつをメチルイソブチル
ケトン８０重量部に加えて同様に溶解度を調べた。結果
を表１に示す。溶解した場合には○、溶解しなかった場
合には×の記号で示した。また、それぞれの樹脂の融点
も併記した。
解度試験 実施例１、２、３、４または参考例１、２で得られたエ
ポキシ樹脂（それぞれＸＭＣＣ−２０Ｅ、ＸＭＣＣ−３
０Ｅ、ＸＭＣＣ−５０Ｅ、ＸＭＣＣ−６２．５Ｅ、ＸＭ
ＣＣ−１００Ｅ、ＸＹＣＣ−Ｅ）２０重量部にメチルイ
ソブチルケトン８０重量部を加え、８０℃に加熱した時
の溶解度を調べた。また、参考例１と２で得られたエポ
キシ樹脂をそれぞれ１０重量部ずつをメチルイソブチル
ケトン８０重量部に加えて同様に溶解度を調べた。結果
を表１に示す。溶解した場合には○、溶解しなかった場
合には×の記号で示した。また、それぞれの樹脂の融点
も併記した。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【発明の効果】本発明の互いに異なるアリール基を持つ
スチルベン系エポキシ化合物またはそれをを含むエポキ
シ樹脂混合物は、互いに等しいアリール基を持つスチル
ベン系エポキシ樹脂またはそれを含むエポキシ樹脂混合
物と比較して低融点である。このためこれらの樹脂等
は、従来品に比べ作業性や成形性が改善され、これらを
用いて成形加工を行う場合、製品化工程の時間短縮等、
経済性や生産性の面で優れる。また、本発明のエポキシ
樹脂等を用いると従来のものに比べ応用範囲も広がる。
本発明のエポキシ樹脂等の融点はアリール基の置換基を
変えることによって大きく変化させることができ、例え
ば１５０℃から室温で液状のものまで幅広い対応が可能
であり、目的や用途に応じて柔軟に対応することができ
る。また、本発明のエポキシ樹脂等は、従来のものと比
べ溶剤への溶解度も向上しており、ワニスや塗料といっ
た用途にも対応できる。この様に本発明のエポキシ樹脂
等は、接着、塗料、絶縁材料や積層板等の電気電子材
料、特に電子部品の封止用として有用である。
スチルベン系エポキシ化合物またはそれをを含むエポキ
シ樹脂混合物は、互いに等しいアリール基を持つスチル
ベン系エポキシ樹脂またはそれを含むエポキシ樹脂混合
物と比較して低融点である。このためこれらの樹脂等
は、従来品に比べ作業性や成形性が改善され、これらを
用いて成形加工を行う場合、製品化工程の時間短縮等、
経済性や生産性の面で優れる。また、本発明のエポキシ
樹脂等を用いると従来のものに比べ応用範囲も広がる。
本発明のエポキシ樹脂等の融点はアリール基の置換基を
変えることによって大きく変化させることができ、例え
ば１５０℃から室温で液状のものまで幅広い対応が可能
であり、目的や用途に応じて柔軟に対応することができ
る。また、本発明のエポキシ樹脂等は、従来のものと比
べ溶剤への溶解度も向上しており、ワニスや塗料といっ
た用途にも対応できる。この様に本発明のエポキシ樹脂
等は、接着、塗料、絶縁材料や積層板等の電気電子材
料、特に電子部品の封止用として有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 宏 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 内藤 茂樹 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内
Claims (12)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に炭素数１〜６の鎖
状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子
を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリ
ール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５
０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂。 - 【請求項２】一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル
基である請求項１記載のスチルベン系エポキシ樹脂。 - 【請求項３】一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル
基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である請求項１
記載のスチルベン系エポキシ樹脂。 - 【請求項４】一般式（１）において、Ｒ1のｔ−ブチル
基が酸素原子の結合位置に対してオルソ位に結合してい
る請求項２または３記載のスチルベン系エポキシ樹脂。 - 【請求項５】請求項１記載の一般式（１）で表されるス
チルベン系エポキシ樹脂の一種または二種以上と、一般
式（２） 【化２】 （ここでＲ9〜Ｒ12はそれぞれ独立に、炭素数１〜６の
鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原
子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合し
ている二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン
系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とす
る、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物。 - 【請求項６】一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル
基である請求項５記載のエポキシ樹脂混合物。 - 【請求項７】一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル
基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である請求項
５、６または７記載のエポキシ樹脂混合物。 - 【請求項８】一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル
基であり、アリール基において酸素原子の置換位置に対
してオルソ位に置換している請求項５、６または７記載
のエポキシ樹脂混合物。 - 【請求項９】１５０℃での溶融粘度が１ポイズ以下であ
る請求項５、６、７または８記載のエポキシ樹脂混合
物。 - 【請求項１０】２種以上のフェノール類とクロロアセト
アルデヒド類とを酸性物質の存在下で反応させて得られ
た１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエ
タン誘導体を塩基性物質の存在下に脱塩酸反応を行って
ジヒドロキシスチルベン誘導体とした後、該ジヒドロキ
シスチルベン誘導体を塩基性物質の存在下にエピハロヒ
ドリンと反応させることを特徴とするエポキシ樹脂また
はその混合物の製造方法。 - 【請求項１１】フェノール類が２，６−キシレノール、
２，４−キシレノール、３−メチル−６−ｔ−ブチルフ
ェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールから
なる群から選ばれる２種以上である請求項１０記載のエ
ポキシ樹脂またはその混合物の製造方法。 - 【請求項１２】フェノール類が２，６−キシレノールお
よび３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールの混合物で
ある請求項１０記載のエポキシ樹脂またはその混合物の
製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616795A JP3621996B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-07-12 | エポキシ樹脂およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10676895 | 1995-04-28 | ||
| JP7-106768 | 1995-04-28 | ||
| JP17616795A JP3621996B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-07-12 | エポキシ樹脂およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0912674A true JPH0912674A (ja) | 1997-01-14 |
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| JP17616795A Expired - Fee Related JP3621996B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-07-12 | エポキシ樹脂およびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3621996B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7304120B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-12-04 | Japan Epoxy Resins Co., Ltd. | Epoxy compound, preparation method thereof, and use thereof |
-
1995
- 1995-07-12 JP JP17616795A patent/JP3621996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7304120B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-12-04 | Japan Epoxy Resins Co., Ltd. | Epoxy compound, preparation method thereof, and use thereof |
| US7307128B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-12-11 | Japan Epoxy Resins Co., Ltd. | Epoxy compound, preparation method thereof, and use thereof |
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