JPH09126717A - パターン位置測定方法及び装置 - Google Patents
パターン位置測定方法及び装置Info
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- JPH09126717A JPH09126717A JP7309977A JP30997795A JPH09126717A JP H09126717 A JPH09126717 A JP H09126717A JP 7309977 A JP7309977 A JP 7309977A JP 30997795 A JP30997795 A JP 30997795A JP H09126717 A JPH09126717 A JP H09126717A
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- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の撓み状態を任意に調整可能で、且つ当該
基板への異物の付着を防止すること。 【解決手段】ステージ（３２）と基板（１４）との間に
密閉空間（４８）を形成し、密閉空間（４８）に所定の
流体を充填し、密閉空間（４８）内の流体の圧力を所定
の値に調整した状態で、基板（１４）のパターン（１
６）の位置を測定する。
基板への異物の付着を防止すること。 【解決手段】ステージ（３２）と基板（１４）との間に
密閉空間（４８）を形成し、密閉空間（４８）に所定の
流体を充填し、密閉空間（４８）内の流体の圧力を所定
の値に調整した状態で、基板（１４）のパターン（１
６）の位置を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン位置測定
方法及び装置に関し、特に、ステージ上に配置された基
板のパターン位置を、基板の自重による撓みを考慮して
測定する方法及び装置に関する。
方法及び装置に関し、特に、ステージ上に配置された基
板のパターン位置を、基板の自重による撓みを考慮して
測定する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超精密機器の１つとして、半導体デバイ
ス製造用の露光装置等においては、精度向上及び品質向
上等の目的から、露光作業に先立ち、マスク又はレチク
ル（以下、統一して「マスク」と称する）に形成された
露光パターンの検査を行う。
ス製造用の露光装置等においては、精度向上及び品質向
上等の目的から、露光作業に先立ち、マスク又はレチク
ル（以下、統一して「マスク」と称する）に形成された
露光パターンの検査を行う。
【０００３】図６は、マスクのパターン位置を測定する
従来のパターン位置測定装置を示す。図において、測定
対象であるマスク１００は、二次元ステージ１０２上の
マスクホルダ１０４上に、吸着部１０６（図７参照）に
よって固定される。マスク１００は二次元ステージ１０
２によって、水平面内で移動可能になっている。ステー
ジ１０２の移動量は、レーザ干渉計１１４により正確に
計測される。マスクホルダ１０４に支持されたマスク１
００のパターン面上には、測定光学系１０８より収束光
１１０が照射される。収束光１１０がマスク１００のパ
ターン１１２のエッジ部分に照射されると、そこから散
乱光が発生したり、正反射光が増加（減少）する。これ
らの光信号を測定光学系１０８に内蔵された受光系で処
理し、パターン１１２の位置を検出する。この時、パタ
ーン１１２を検出したときのレーザ干渉計１１４の計測
値から各パターン１１２の位置を高精度に検出すること
ができる。
従来のパターン位置測定装置を示す。図において、測定
対象であるマスク１００は、二次元ステージ１０２上の
マスクホルダ１０４上に、吸着部１０６（図７参照）に
よって固定される。マスク１００は二次元ステージ１０
２によって、水平面内で移動可能になっている。ステー
ジ１０２の移動量は、レーザ干渉計１１４により正確に
計測される。マスクホルダ１０４に支持されたマスク１
００のパターン面上には、測定光学系１０８より収束光
１１０が照射される。収束光１１０がマスク１００のパ
ターン１１２のエッジ部分に照射されると、そこから散
乱光が発生したり、正反射光が増加（減少）する。これ
らの光信号を測定光学系１０８に内蔵された受光系で処
理し、パターン１１２の位置を検出する。この時、パタ
ーン１１２を検出したときのレーザ干渉計１１４の計測
値から各パターン１１２の位置を高精度に検出すること
ができる。
【０００４】上記の装置においては、マスク１００は実
際には、図７に示すように、自重により下方に撓んでい
る。従って、自由状態（無重力状態）と比較した場合、
マスク１００のパターン１１２ａ、１１２ｂ間の距離Ｌ
は、撓みによってわずかに縮むことになる。
際には、図７に示すように、自重により下方に撓んでい
る。従って、自由状態（無重力状態）と比較した場合、
マスク１００のパターン１１２ａ、１１２ｂ間の距離Ｌ
は、撓みによってわずかに縮むことになる。
【０００５】他方、マスクを用いて感光性基板の露光を
行う露光装置においては、一般にマスクはパターン形成
面を下に向けて保持される。このため、露光装置のマス
クホルダ上に支持されたマスクは自重により、図７に示
した状態と全く逆の方向に撓むことになる。従って、図
６に示した測定装置で測定したパターン位置と、実際に
露光装置のマスクホルダに保持された状態との位置デー
タ間に誤差が生じてしまう。このような不都合を解消す
る方法が既に提案されている。以下に、その方法を示
す。
行う露光装置においては、一般にマスクはパターン形成
面を下に向けて保持される。このため、露光装置のマス
クホルダ上に支持されたマスクは自重により、図７に示
した状態と全く逆の方向に撓むことになる。従って、図
６に示した測定装置で測定したパターン位置と、実際に
露光装置のマスクホルダに保持された状態との位置デー
タ間に誤差が生じてしまう。このような不都合を解消す
る方法が既に提案されている。以下に、その方法を示
す。
【０００６】図８は、特開平５−３１２５４１号公報に
開示された、従来のパターン位置測定装置を示す。図に
おいて、ステージ２００上には、パターン２０４が形成
された面を上向きにした状態でマスク２０２がマスクホ
ルダ２０６の吸着部２０８に吸着保持されている。この
ようなマスク２０２の状態は、露光装置（図１）マスク
ホルダに保持されるのと上下逆向きとなる。マスク２０
２とステージ２００の間には、柔軟なゴム或いは樹脂等
からなる密閉袋２１０が配置されている。密閉袋２１０
は中空管２１２を介してステージ２００外に設置された
圧力制御用密閉袋２１４に接続されている。密閉袋２１
０及び圧力制御用密閉袋２１４には所定の気体が充填さ
れている。また、圧力制御用密閉袋２１４の上には、単
位面積当たりの重量がマスク２０２に等しい重り２１６
が１個あるいは２個重ねて搭載されている。
開示された、従来のパターン位置測定装置を示す。図に
おいて、ステージ２００上には、パターン２０４が形成
された面を上向きにした状態でマスク２０２がマスクホ
ルダ２０６の吸着部２０８に吸着保持されている。この
ようなマスク２０２の状態は、露光装置（図１）マスク
ホルダに保持されるのと上下逆向きとなる。マスク２０
２とステージ２００の間には、柔軟なゴム或いは樹脂等
からなる密閉袋２１０が配置されている。密閉袋２１０
は中空管２１２を介してステージ２００外に設置された
圧力制御用密閉袋２１４に接続されている。密閉袋２１
０及び圧力制御用密閉袋２１４には所定の気体が充填さ
れている。また、圧力制御用密閉袋２１４の上には、単
位面積当たりの重量がマスク２０２に等しい重り２１６
が１個あるいは２個重ねて搭載されている。
【０００７】密閉袋２１０と圧力制御用密閉袋２１４内
の気体の圧力は、パスカルの原理により、何れの点でも
等しくなる。また、圧力制御用密閉袋２１４の上に搭載
された重り２１６が１個の場合は、単位面積当たりの重
量がマスク２０２に等しいため、マスク２０２を密閉袋
２１０が下面から押す力と、マスク２０４に掛かる重力
とが釣り合い、マスク２０４は無重力状態と等価にな
る。一方、圧力制御用密閉袋２１４上に重りを２個重ね
て載せると、マスク２０２を密閉袋２１０が下方から押
す力は、マスク２０２に掛かる重力の２倍になり、マス
ク２０２に下から重力に等しい力が作用しているのと等
価な状態になる。すなわち、マスク２０２を露光装置の
マスクホルダでパターン面を下向きに保持したのと同じ
撓み具合となる。このように実際の使用条件と等価な条
件で、パターン２０４の位置を測定すれば、正確な検査
が可能となる。
の気体の圧力は、パスカルの原理により、何れの点でも
等しくなる。また、圧力制御用密閉袋２１４の上に搭載
された重り２１６が１個の場合は、単位面積当たりの重
量がマスク２０２に等しいため、マスク２０２を密閉袋
２１０が下面から押す力と、マスク２０４に掛かる重力
とが釣り合い、マスク２０４は無重力状態と等価にな
る。一方、圧力制御用密閉袋２１４上に重りを２個重ね
て載せると、マスク２０２を密閉袋２１０が下方から押
す力は、マスク２０２に掛かる重力の２倍になり、マス
ク２０２に下から重力に等しい力が作用しているのと等
価な状態になる。すなわち、マスク２０２を露光装置の
マスクホルダでパターン面を下向きに保持したのと同じ
撓み具合となる。このように実際の使用条件と等価な条
件で、パターン２０４の位置を測定すれば、正確な検査
が可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法によると、密閉袋２１０がマスク２０
２に直接接しているため、マスク２０２の裏面にゴミ等
の異物が付着することがある。たとえ裏面であっても、
マスク２０２に異物が付着していると、パターン２０４
を基板上に投影した場合の解像度に悪影響を及ぼすこと
になる。
ような従来の方法によると、密閉袋２１０がマスク２０
２に直接接しているため、マスク２０２の裏面にゴミ等
の異物が付着することがある。たとえ裏面であっても、
マスク２０２に異物が付着していると、パターン２０４
を基板上に投影した場合の解像度に悪影響を及ぼすこと
になる。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みて成されたもの
であり、基板の撓み状態を任意に調整可能な方法におい
て、当該基板への異物の付着を防止できるパターン位置
測定方法及び装置を提供することを目的とする。
であり、基板の撓み状態を任意に調整可能な方法におい
て、当該基板への異物の付着を防止できるパターン位置
測定方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ステージと基板との間に密閉空間を形成し、密閉空
間に所定の流体を充填し、密閉空間内の流体の圧力を所
定の値に調整した状態で、基板のパターン位置を測定す
る。ステージと基板との間の密閉空間は、例えば、ステ
ージ上で基板の外周部分を支持する支持部材と、該支持
部材と基板とを密閉するシール部材とで構成する。
に、ステージと基板との間に密閉空間を形成し、密閉空
間に所定の流体を充填し、密閉空間内の流体の圧力を所
定の値に調整した状態で、基板のパターン位置を測定す
る。ステージと基板との間の密閉空間は、例えば、ステ
ージ上で基板の外周部分を支持する支持部材と、該支持
部材と基板とを密閉するシール部材とで構成する。
【００１１】
【作用及び効果】上記のような本発明によれば、基板と
ステージの間には圧力調整用の流体のみが存在するた
め、従来のように密閉袋との接触によって基板に異物が
付着することがない。
ステージの間には圧力調整用の流体のみが存在するた
め、従来のように密閉袋との接触によって基板に異物が
付着することがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を以下
に示す実施例に基づいて説明する。本実施例は、投影露
光装置用のマスクのパターン検査装置に本発明を適用し
たものである。
に示す実施例に基づいて説明する。本実施例は、投影露
光装置用のマスクのパターン検査装置に本発明を適用し
たものである。
【００１３】図１は、本実施例のパターン検査装置によ
って検査されたマスクを用いて露光作業を行う投影露光
装置を示す。マスク１４は、パターン１６が形成された
面を下に向けた状態で、マスクホルダ１２に支持され
る。投影光学系２０を介してマスク１４上のパターン１
６が転写されるウエハ（感光性基板）２２は、ＸＹ二次
元方向に移動可能なウエハステージ２４上に載置されて
いる。ウエハステージ２４は、レーザ干渉計システム２
６によって、常時その位置がモニタされている。なお、
ここでは紙面に平行な方向の位置を検出する干渉計シス
テム２６のみを示し、紙面に垂直な方向の位置を検出す
る干渉計システムの図示は省略する。
って検査されたマスクを用いて露光作業を行う投影露光
装置を示す。マスク１４は、パターン１６が形成された
面を下に向けた状態で、マスクホルダ１２に支持され
る。投影光学系２０を介してマスク１４上のパターン１
６が転写されるウエハ（感光性基板）２２は、ＸＹ二次
元方向に移動可能なウエハステージ２４上に載置されて
いる。ウエハステージ２４は、レーザ干渉計システム２
６によって、常時その位置がモニタされている。なお、
ここでは紙面に平行な方向の位置を検出する干渉計シス
テム２６のみを示し、紙面に垂直な方向の位置を検出す
る干渉計システムの図示は省略する。
【００１４】以上のような構成の露光装置において、マ
スクホルダ１２に固定されたマスク１４を照明光１８で
照明すると、マスク１４上のパターン１６が投影レンズ
２０を介してレジストが塗布されたウエハ２２に転写さ
れる。本実施例においては、ウエハステージ２４を二次
元方向にステップ移動することにより、ウエハ２２上の
複数のショット領域にマスク１４のパターン１６を順次
露光するようになっている。
スクホルダ１２に固定されたマスク１４を照明光１８で
照明すると、マスク１４上のパターン１６が投影レンズ
２０を介してレジストが塗布されたウエハ２２に転写さ
れる。本実施例においては、ウエハステージ２４を二次
元方向にステップ移動することにより、ウエハ２２上の
複数のショット領域にマスク１４のパターン１６を順次
露光するようになっている。
【００１５】図２は、吸着部２８によってマスクホルダ
１２に保持されたマスク１４の様子を示す。図のよう
に、マスク１４は自重によって下方に撓むことになる。
図１に示すような露光装置によって、高集積度の半導体
デバイスを製造するためには、複数のマスクパターンを
同一ウエハ上に重ねて露光するため、各パターンを極め
て精密に位置合わせする必要がある。従って、撓みによ
るパターンの位置ずれ量は、通常数１００ｎｍ程度であ
るが、今日のパターン位置測定機においては１０ｎｍ以
下の測定精度が要求されている。このため、マスクの撓
みは全く無視できなくなっている。
１２に保持されたマスク１４の様子を示す。図のよう
に、マスク１４は自重によって下方に撓むことになる。
図１に示すような露光装置によって、高集積度の半導体
デバイスを製造するためには、複数のマスクパターンを
同一ウエハ上に重ねて露光するため、各パターンを極め
て精密に位置合わせする必要がある。従って、撓みによ
るパターンの位置ずれ量は、通常数１００ｎｍ程度であ
るが、今日のパターン位置測定機においては１０ｎｍ以
下の測定精度が要求されている。このため、マスクの撓
みは全く無視できなくなっている。
【００１６】図３は、本実施例にかかるパターン位置計
測装置を示し、図４及び図５は、当該装置のマスク１４
周辺の詳細を示す。図において、測定対象であるマスク
１４は、パターン１６が形成された面を上方に向けた状
態で、マスクホルダ３０によって二次元ステージ３２上
に支持されている。マスク１４は、マスクホルダ３０の
吸着部３４（図４、図５参照）に吸着され、マスク１４
のパターン面上に測定光学系３６より射出される収束光
３８が照射される。マスクホルダ３０は、ステージ３２
と一体で動作するように構成されている。収束光３８が
パターン１６のエッジ部分を照射すると、そこで散乱光
が発生したり、正反射光が増加（減少）する。これらの
光信号を測定光学系３６に内蔵された受光系（図示せ
ず）で処理することにより、パターン１６の位置（エッ
ジの位置）を検出することができる。マスク１４は、二
次元ステージ３２によって二次元方向に移動可能であ
り、その移動量をレーザ干渉計４０により正確に計測さ
れる。従って、パターン１６を検出したときのレーザ干
渉計４０の計測値から各パターン１６の位置を高精度に
検出することができる。
測装置を示し、図４及び図５は、当該装置のマスク１４
周辺の詳細を示す。図において、測定対象であるマスク
１４は、パターン１６が形成された面を上方に向けた状
態で、マスクホルダ３０によって二次元ステージ３２上
に支持されている。マスク１４は、マスクホルダ３０の
吸着部３４（図４、図５参照）に吸着され、マスク１４
のパターン面上に測定光学系３６より射出される収束光
３８が照射される。マスクホルダ３０は、ステージ３２
と一体で動作するように構成されている。収束光３８が
パターン１６のエッジ部分を照射すると、そこで散乱光
が発生したり、正反射光が増加（減少）する。これらの
光信号を測定光学系３６に内蔵された受光系（図示せ
ず）で処理することにより、パターン１６の位置（エッ
ジの位置）を検出することができる。マスク１４は、二
次元ステージ３２によって二次元方向に移動可能であ
り、その移動量をレーザ干渉計４０により正確に計測さ
れる。従って、パターン１６を検出したときのレーザ干
渉計４０の計測値から各パターン１６の位置を高精度に
検出することができる。
【００１７】ステージ３２上には、マスク１４の周囲を
取り囲むように枠４２が配置され、枠４２の上面には、
額縁状に成形された軟質性の樹脂４４が配置されてい
る。樹脂４４の外縁部分は枠４２の上面に固着し、内縁
部分がマスク１４の裏面の縁に接するように配置され、
これによって、ステージ３２の上面と、枠４２の内側面
と、マスク１４の裏面とによって空間４８が形成され
る。なお、図３においては、樹脂４４及びマスクホルダ
３０の吸着部３４の図示を省略する。空間４８は、中空
管５０を介して圧力制御部５２に接続され、圧力制御部
５２によって空間４８内の気圧を調整するようになって
いる。圧力制御部５２によって、空間４８内の空気に一
定以上の圧力をかけると、軟質性の樹脂４４に圧力が加
わり、当該樹脂４４がマスク１４の裏面と密着して空間
４８が密閉される。この際、空間４８内の気体によりマ
スク１４の裏面を押す圧力は、パスカルの原理により、
何れの点でも等しくなる。
取り囲むように枠４２が配置され、枠４２の上面には、
額縁状に成形された軟質性の樹脂４４が配置されてい
る。樹脂４４の外縁部分は枠４２の上面に固着し、内縁
部分がマスク１４の裏面の縁に接するように配置され、
これによって、ステージ３２の上面と、枠４２の内側面
と、マスク１４の裏面とによって空間４８が形成され
る。なお、図３においては、樹脂４４及びマスクホルダ
３０の吸着部３４の図示を省略する。空間４８は、中空
管５０を介して圧力制御部５２に接続され、圧力制御部
５２によって空間４８内の気圧を調整するようになって
いる。圧力制御部５２によって、空間４８内の空気に一
定以上の圧力をかけると、軟質性の樹脂４４に圧力が加
わり、当該樹脂４４がマスク１４の裏面と密着して空間
４８が密閉される。この際、空間４８内の気体によりマ
スク１４の裏面を押す圧力は、パスカルの原理により、
何れの点でも等しくなる。
【００１８】圧力制御部５２によって、マスク１４の単
位面積当たりの重さに等しくなるように、気体の圧力を
制御すると、マスク１４の撓み具合は無重力状態で吸着
部３４に吸着されたのと等価の状態となる。この時、軟
質性の樹脂４４を薄くしておけば、マスク１４の裏面に
は気体の圧力以外に余計な力が作用することはない。ま
た、圧力制御部５２によって、マスク１４の単位面積当
たりの重さの２倍になるように、空間４８内の気体の圧
力を制御すると、図４に示すように、マスク１４の裏面
に対して下から重力が作用しているのと同じ状態にな
る。つまり、マスク１４が、露光装置のマスクホルダ１
２上に載置された状態（図２参照）を上下逆にしたのと
同じ撓み具合をもつことになる。このような状態で、マ
スク１４の表面に形成されたパターン１６の位置を、測
定光学系３６によって検出すれば、露光装置において実
際に使用されるのと同一条件での計測となり、極めて正
確な計測が可能となる。
位面積当たりの重さに等しくなるように、気体の圧力を
制御すると、マスク１４の撓み具合は無重力状態で吸着
部３４に吸着されたのと等価の状態となる。この時、軟
質性の樹脂４４を薄くしておけば、マスク１４の裏面に
は気体の圧力以外に余計な力が作用することはない。ま
た、圧力制御部５２によって、マスク１４の単位面積当
たりの重さの２倍になるように、空間４８内の気体の圧
力を制御すると、図４に示すように、マスク１４の裏面
に対して下から重力が作用しているのと同じ状態にな
る。つまり、マスク１４が、露光装置のマスクホルダ１
２上に載置された状態（図２参照）を上下逆にしたのと
同じ撓み具合をもつことになる。このような状態で、マ
スク１４の表面に形成されたパターン１６の位置を、測
定光学系３６によって検出すれば、露光装置において実
際に使用されるのと同一条件での計測となり、極めて正
確な計測が可能となる。
【００１９】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、ステージ３２と、マスク１４の裏面と、枠４２
の内側面で形成される空間４８内の気圧の制御は、圧力
制御装置５２によらず、従来のように空間４８と等価な
密閉袋及び重りを用いて行っても良い。また、空間４８
を密閉する手段としては、軟質性の樹脂４４に限らず、
柔軟且つ密着性のある他の物質を使用しても良い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、ステージ３２と、マスク１４の裏面と、枠４２
の内側面で形成される空間４８内の気圧の制御は、圧力
制御装置５２によらず、従来のように空間４８と等価な
密閉袋及び重りを用いて行っても良い。また、空間４８
を密閉する手段としては、軟質性の樹脂４４に限らず、
柔軟且つ密着性のある他の物質を使用しても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被測定対象である基板の撓み状態を任意に調整できると
ともに、従来課題であった基板への異物の付着を防止で
きるという効果がある。
被測定対象である基板の撓み状態を任意に調整できると
ともに、従来課題であった基板への異物の付着を防止で
きるという効果がある。
【図１】図１は、本発明の背景技術を説明するための概
念図（正面図）である。
念図（正面図）である。
【図２】図２は、本発明の背景技術を説明するための概
念図（正面図）である。
念図（正面図）である。
【図３】図３は、本発明の実施例を示す概念図（正面
図）である。
図）である。
【図４】図４は、実施例の要部を示す説明図（一部断
面）である。
面）である。
【図５】図５は、実施例の要部を示す平面図である。
【図６】図６は、従来の装置を示す概念図（正面図）で
ある。
ある。
【図７】図７は、従来技術の作用を説明するための概念
図である。
図である。
【図８】図８は、従来技術を示す正面図（一部断面）で
ある。
ある。
１２・・・マスクホルダ １４・・・マスク １６・・・パターン ２０・・・投影光学系 ２２・・・ウエハ（感光性基板） ３６・・・測定光学系 ４４・・・軟質樹脂 ４８・・・空間 ５２・・・圧力制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０６Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 被測定基板をステージ上に配置し、該基
板表面に形成されたパターン位置を測定する方法におい
て、 前記ステージと前記基板との間を密閉し；前記密閉され
た空間に所定の流体を充填し；前記空間内の前記流体の
圧力を所定の値に調整して、前記基板のパターン位置を
測定することを特徴とするパターン位置測定方法。 - 【請求項２】 被測定基板をステージ上に配置し、該基
板表面に形成されたパターン位置を測定する装置におい
て、 前記ステージ上で前記基板の外周部分を支持するととも
に、前記ステージと前記基板との間に密閉空間を形成す
る手段と；前記密閉空間に所定の流体を充填し、該流体
の圧力を所定の値に調整する手段と；前記密閉空間内の
前記流体の圧力を前記所定の値に保った状態で、前記基
板表面のパターン位置を測定する位置測定手段とを含む
ことを特徴とするパターン位置測定装置。 - 【請求項３】 前記密閉空間を形成する手段は、前記ス
テージ上で前記基板の外周部分を支持する支持部材と、
該支持部材と前記基板とを密閉するシール部材とを備え
ることを特徴とする請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記シール部材は、軟質且つ密着性の高
い材質からなることを特徴とする請求項３に記載の装
置。 - 【請求項５】 前記基板は、感光性基板を露光するのに
用いられる露光用マスクであることを特徴とする請求項
２、３又は４に記載の装置。 - 【請求項６】 前記露光用マスクは、露光時においては
前記パターンが形成された面が下に向くように支持され
るものであり、 前記調整手段は、前記密閉空間内の前記流体の圧力を、
前記基板の単位面積当たりの重さの２倍に設定すること
を特徴とする請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記流体は、気体であることを特徴とす
る請求項２、３、４、５又は６に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309977A JPH09126717A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | パターン位置測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309977A JPH09126717A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | パターン位置測定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09126717A true JPH09126717A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17999657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7309977A Pending JPH09126717A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | パターン位置測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09126717A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196303A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-07-19 | Asm Lithography Bv | リトグラフ投影装置 |
| JP2014106158A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Canon Inc | 測定装置、および物品の製造方法 |
-
1995
- 1995-11-02 JP JP7309977A patent/JPH09126717A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196303A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-07-19 | Asm Lithography Bv | リトグラフ投影装置 |
| JP2014106158A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Canon Inc | 測定装置、および物品の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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