JPH09115464A - Field emission display - Google Patents
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- JPH09115464A JPH09115464A JP26823395A JP26823395A JPH09115464A JP H09115464 A JPH09115464 A JP H09115464A JP 26823395 A JP26823395 A JP 26823395A JP 26823395 A JP26823395 A JP 26823395A JP H09115464 A JPH09115464 A JP H09115464A
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- Japan
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- target
- field emission
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Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出型ディスプ
レイに係り、さらに詳しくは、蛍光体として特定の量子
井戸構造を採る平面型発光源を用いた電界放出型ディス
プレイに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission display, and more particularly to a field emission display using a planar light emitting source having a specific quantum well structure as a phosphor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】冷陰極を電子源とする平面型発光源およ
びこれを用いたディスプレイはFieldEmission Display
（以下ＦＥＤと称す）として、従来から良く知られてい
るところであり、その構成は図４の斜視図に示す如くで
ある。すなわち図４において、３は蛍光体側の基板、４
は蛍光体側の基板に対向して配置される電子源側の基板
であって、蛍光体側の基板３は透明電極３１と蛍光体３
２が形成されており、一方、電子源側の基板４側には、
絶縁層４２を挟んでエミッタ電極ライン４１とゲート電
極ライン４３によるマトリックスが構成された構造とな
っている。2. Description of the Related Art A planar emission source having a cold cathode as an electron source and a display using the same are Field Emission Display.
It is well known in the art as (hereinafter referred to as FED), and its configuration is as shown in the perspective view of FIG. That is, in FIG. 4, 3 is a substrate on the phosphor side, 4 is
Is a substrate on the electron source side that is arranged so as to face the substrate on the phosphor side, and the substrate 3 on the phosphor side is a transparent electrode 31 and a phosphor 3.
2 is formed on the other hand, on the other hand, on the substrate 4 side on the electron source side,
It has a structure in which a matrix of emitter electrode lines 41 and gate electrode lines 43 is formed with the insulating layer 42 interposed therebetween.
【０００３】この電子源側の基板４のＢ部近傍をさらに
拡大して示したのが図５の拡大説明図である。すなわち
図５に見られるように前記ゲート電極ライン４３には通
常のリソグラフ法などで開口４５を形成し、この開口４
５を通して微小エミッタ４４を円錐形状に形成するもの
である。この微小エミッタ４４から電界により電子を放
出させ、電界により加速し蛍光体３２に衝突させてこれ
をターゲット物質として発光させるものであって、これ
によって文字や画像の表示を行なう。FIG. 5 is an enlarged explanatory view showing the vicinity of the portion B of the substrate 4 on the electron source side in a further enlarged manner. That is, as shown in FIG. 5, an opening 45 is formed in the gate electrode line 43 by a normal lithographic method or the like.
The minute emitter 44 is formed into a conical shape through 5. Electrons are emitted from the minute emitters 44 by an electric field, accelerated by the electric field and collided with the phosphor 32 to emit light as a target substance, whereby characters and images are displayed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上述べ
たところのＦＥＤでは、テレビのブラウン管と異なり電
子加速電圧が数百Ｖと低いため、十分な蛍光体輝度が得
られない。現在、ＦＥＤに用いられている蛍光体は、粉
末焼成したＺｎＣｄＳ：Ａｇを用いているが、発光効率
が３％と極めて悪く、また発光色も青緑のみであって、
三原色でない。また他の赤や青の三原色用蛍光体の発光
効率はさらに低く、フルカラー表示には不十分である。
従って現状においては高効率蛍光体の開発が最大の課題
になっている。However, in the FED described above, the electron accelerating voltage is as low as several hundreds V, which is different from the cathode ray tube of the television, and therefore sufficient phosphor brightness cannot be obtained. Currently, the phosphor used in the FED uses powder-fired ZnCdS: Ag, but the luminous efficiency is extremely poor at 3%, and the emission color is only blue-green.
Not the three primary colors. Further, the luminous efficiency of the other phosphors for the three primary colors of red and blue is further low, which is insufficient for full color display.
Therefore, under the present circumstances, the development of high-efficiency phosphors has become a major issue.
【０００５】以上のように、従来の構成の蛍光体では、
発光効率が低く、フルカラー表示に使用するには不充分
であるため、実用上問題がある。従って本発明の目的と
するところは、電界放出型ディスプレイについてターゲ
ット物質である蛍光体の発光効率を向上せしめることに
よって、消費電力が低いにも拘わらず発光効率の極めて
優れたフルカラーの電界放出型ディスプレイを得ること
にある。As described above, in the conventional phosphor,
Since the luminous efficiency is low and it is insufficient for use in full-color display, there is a practical problem. Therefore, an object of the present invention is to improve the luminous efficiency of a phosphor, which is a target material for a field emission display, so that a full-color field emission display having extremely excellent luminous efficiency in spite of low power consumption. Is to get.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は標記課題を解決
するために、従来使用されていたＺｎＣｄＳ：Ａｇ蛍光
体に変わって、直接遷移型II−VI族半導体化合物Ｍｇx
ＺｎyＣｄ1-x-yＳuＳｅvＴｅ1-u-vを用いることにより
発光効率の飛躍的増大を図るものであって、その要旨と
するところは、以下の通りである。In order to solve the above problems, the present invention replaces the conventionally used ZnCdS: Ag phosphor with a direct transition type II-VI group semiconductor compound Mg x.
Be those achieving dramatic increase in light emission efficiency by using a Zn y Cd 1-xy S u Se v Te 1-uv, and has as its gist is as follows.
【０００７】すなわち、電界放出型冷陰極より放出され
る電子を電子の衝突で発光するターゲット物質に衝突さ
せることにより発光させる平面型発光源を用いたディス
プレイにおいて、ターゲット物質がＭｇxＺｎyＣｄ
1-x-yＳuＳｅvＴｅ1-u-v（０≦ｘ，ｙ，ｕ，ｖ≦１）で
あることを特徴とする電界放出型ディスプレイを要旨と
するものであって、その場合、ターゲット物質が付活剤
をイオン化して添加されたものであることは有効であ
る。That is, in a display using a planar light emitting source that emits electrons by colliding electrons emitted from a field emission cold cathode with a target substance that emits light by collision of electrons, the target substance is Mg x Zn y Cd.
The field emission display is characterized by 1-xy S u Sev S v Te 1-uv (0 ≦ x, y, u, v ≦ 1), in which case the target material is It is effective that the activator is ionized and added.
【０００８】また、上記要旨において、ターゲット物質
が下記（ａ）乃至（ｃ）のいずれかの手段により形成さ
れたものであることは有効である。 （ａ）ターゲット物質を超高真空蒸着装置あるいは有機
金属の気相化学反応で形成する。 （ｂ）ターゲット物質を亜鉛Ｚｎ溶液から析出させ、そ
れを有機溶媒に溶かしガラス基板あるいはガラス基板に
導電性薄膜ＳｎＯ2を蒸着した上に塗布し後該有機溶媒
を蒸発し固定する。 （ｃ）ターゲット物質を亜鉛Ｚｎ溶液から析出させ、そ
れをフリットガラスとともに有機溶媒に溶かしガラス基
板あるいはガラス基板に導電性薄膜ＳｎＯ2を蒸着した
上に塗布し後該フリットガラスを溶融固化し固定する。Further, in the above-mentioned gist, it is effective that the target material is formed by any of the means (a) to (c) below. (A) A target material is formed by an ultrahigh vacuum vapor deposition apparatus or a vapor phase chemical reaction of an organic metal. (B) A target substance is deposited from a zinc Zn solution, dissolved in an organic solvent, and a conductive thin film SnO 2 is vapor-deposited on a glass substrate or a glass substrate, and then the organic solvent is evaporated and fixed. (C) Precipitating a target substance from a zinc Zn solution, dissolving it in an organic solvent together with frit glass, depositing a conductive thin film SnO 2 on a glass substrate or a glass substrate, and then applying the thin film to melt and solidify and fix the frit glass. .
【０００９】またさらに、ターゲット物質のｘ，ｙ値を
その発光波長に対して変えるとともに、バンドギャップ
の異なる２層以上のターゲット物質を用い、かつ終端タ
ーゲット物質の厚さが励起される２次電子の拡散距離以
下とすること、またはバンドギャップの大きい組成のタ
ーゲット物質で終端し、かつバンドギャップの異なる２
層以上のターゲット物質の構成において、ターゲット物
質の組合わせを１組がバンドギャップ大、小、大となる
ように構成することは、いずれも有効である。Further, the secondary electrons which change the x and y values of the target material with respect to the emission wavelength thereof, use two or more layers of target materials having different band gaps, and excite the thickness of the terminating target material. 2 or less, or terminating with a target material having a composition with a large band gap and having a different band gap.
In the configuration of the target materials in layers or more, it is effective to configure the combination of the target materials such that one set has a large band gap, a small band gap, and a large band gap.
【００１０】以上述べたような本発明においてターゲッ
ト物質として使用されるところの直接遷移型II−VI族半
導体化合物は、９０％以上の内部量子効率が得られるの
で、室外でも十分使用できるフルカラーディスプレイが
実現できる。Since the direct transition type II-VI group semiconductor compound used as a target material in the present invention as described above can obtain an internal quantum efficiency of 90% or more, a full color display which can be sufficiently used outdoors is obtained. realizable.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について図面
を参照しながら説明する。まず本発明の対象とする電界
放出型ディスプレイは、その基本構成に関しては、先に
従来技術に関して述べた図４に示す蛍光体側つまりター
ゲット物質の形成された基板３と、電子源側の微小エミ
ッタを含む基板４とから構成されており、さらに微小エ
ミッタ４４の近傍の構成は、図４の部分拡大図として示
した図５の拡大説明図と基本的に同じ構成を有している
ものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, regarding the basic structure of the field emission display to which the present invention is applied, the phosphor side, that is, the substrate 3 on which the target material is formed and the minute emitter on the electron source side shown in FIG. The substrate 4 is included, and the configuration in the vicinity of the minute emitter 44 is basically the same as the enlarged explanatory view of FIG. 5 shown as a partially enlarged view of FIG.
【００１２】一方、本発明においては、フルカラーのデ
ィスプレイを得ることを目的とするものであり、その手
段として、ガラス基板３に発光色すなわち赤、緑、青に
よって異なる組成のターゲット物質を図１の斜視図に示
す如く、１２ａ，１３ａ，１４ａのように分離して形成
せしめるものである。この場合、図１の構成は上記ター
ゲット物質１２ａ，１３ａ，１４ａの部分以外は、先の
図４と同じであり、Ｂ部の拡大説明図も図５と同じであ
るので他の部分についての構成の説明は省略する。On the other hand, the present invention is intended to obtain a full-color display, and as a means therefor, target substances having different compositions depending on the emission colors, that is, red, green, and blue, are provided on the glass substrate 3. As shown in the perspective view, they are formed separately as 12a, 13a and 14a. In this case, the configuration of FIG. 1 is the same as that of FIG. 4 above except for the portions of the target materials 12a, 13a, and 14a, and the enlarged explanatory view of the part B is also the same as that of FIG. Is omitted.
【００１３】〔実施例１〕まず本発明の最初の実施例と
して、図１に示すように、発光色（赤、緑、青）により
異なる組成のII−VI族半導体組成物を蛍光体１２ａ，１
３ａ，１４ａとしてガラス基板３の前面に夫々分離して
蒸着した。なお蒸着条件等については後述する。この場
合の各組成物としては次の表に示す２組を使用した。Example 1 First, as a first example of the present invention, as shown in FIG. 1, a II-VI group semiconductor composition having a different composition depending on the emission color (red, green, blue) was used as the phosphor 12a, 1
Separately deposited on the front surface of the glass substrate 3 as 3a and 14a. The vapor deposition conditions will be described later. Two sets shown in the following table were used as each composition in this case.
【００１４】[0014]
【表１】 [Table 1]
【００１５】以上の蛍光体１２ａ，１３ａ，１４ａを有
するディスプレイの発光効果について測定したところ、
上記No.１，２のいずれの組合せにおいても、従来の場
合にくらべて２倍に当る５％の発光効率が得られた。こ
れは、従来の蛍光体であるＺｎＣｄＳ系組成物が、その
構成化合物であるＺｎＳはジンクブレンド構造であるの
に対してＣｄＳはウルツァィト構造の結晶形であるた
め、結晶性のよいものが得られないからである。一方、
本発明実施例の蛍光体はターゲットの構成２元化合物が
すべてジンクブレンド構造であるため、結晶性がよく、
従って発光効率の増大が達成されるものである。When the light emitting effect of the display having the above phosphors 12a, 13a, 14a was measured,
In any combination of Nos. 1 and 2 described above, the luminous efficiency of 5%, which is twice as high as the conventional case, was obtained. This is because the ZnCdS-based composition, which is a conventional phosphor, has a zinc blend structure as its constituent compound, whereas CdS has a wurtzite structure as a crystal form, so that a crystal with good crystallinity is obtained. Because there is no. on the other hand,
The phosphors of the examples of the present invention have good crystallinity because all binary compounds constituting the target have a zinc blend structure.
Therefore, an increase in luminous efficiency is achieved.
【００１６】なお、上記蛍光体１２ａ，１３ａ，１４ａ
を有するディスプレイの製造手段の一例は次の通りであ
る。まず図１のガラス基板３を公知の分子線エピタキシ
ャル装置に設置する。次に、図１の蛍光体１２ａ，１３
ａ，１４ａを分離して蒸着するよう金属マスク（図示せ
ず）を設置する。この場合、マスクの穴寸法は８μｍ×
１３μｍとし、真空度が１０-10Ｔｏｒｒ以上に達した
のち、ガラス基板３の温度を３００℃に上昇させる。次
いで組成物を構成する各分子源、すなわちＭｇ，Ｚｎ，
Ｃｄ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの各成分について昇温せしめて蒸
着を行ない、１μｍ厚の蒸着膜を形成させる。The phosphors 12a, 13a, 14a
An example of a manufacturing method of a display having a is as follows. First, the glass substrate 3 of FIG. 1 is installed in a known molecular beam epitaxial device. Next, the phosphors 12a and 13 of FIG.
A metal mask (not shown) is installed so that a and 14a are separated and evaporated. In this case, the mask hole size is 8 μm ×
The temperature of the glass substrate 3 is raised to 300 ° C. after the vacuum degree reaches 13 μm and the degree of vacuum reaches 10 −10 Torr or more. Then, the respective molecular sources constituting the composition, namely Mg, Zn,
The components of Cd, S, Se, and Te are heated to evaporate to form a vapor deposition film having a thickness of 1 μm.
【００１７】この場合、ガラス基板３面上には、前記蛍
光体蒸着膜の形成に先立って、予め帯電防止用として導
電性薄膜ＳｎＯ2が塗布・焼成により形成される。一
方、電子放出部については、先に述べた図５の従来例に
おける電子源側と同様の構成を有するものであって、電
子放出側のガラス基板４上にはエミッタ電極４１として
Ｍｏ（モリブデン）、ゲート絶縁膜４２およびゲート電
極４３を電子ビーム蒸着し、これに通常のリソグラフ法
でゲート電極４３に開口４５を形成せしめ、この開口４
５を通して微小エミッタ４４を円錐形状に形成せしめる
ものである。このようにして得られた２枚の基板３，４
を１０-9Ｔｏｒｒ以上の真空中でフリットガラスで溶着
してディスプレイとするものである。In this case, a conductive thin film SnO 2 is formed on the surface of the glass substrate 3 prior to forming the phosphor vapor deposition film by coating and baking for antistatic purposes. On the other hand, the electron emission portion has the same structure as the electron source side in the conventional example of FIG. 5 described above, and Mo (molybdenum) is used as the emitter electrode 41 on the glass substrate 4 on the electron emission side. The gate insulating film 42 and the gate electrode 43 are subjected to electron beam evaporation, and an opening 45 is formed in the gate electrode 43 by an ordinary lithographic method.
The minute emitter 44 is formed into a conical shape through 5. The two substrates 3 and 4 thus obtained
Is fused with frit glass in a vacuum of 10 -9 Torr or more to form a display.
【００１８】〔実施例２〕次に、実施例１の表１に示す
No.１およびNo.２の赤色用、緑色用、青色用の夫々の蛍
光体である直接遷移型II−VI族半導体化合物ＭｇxＺｎy
Ｃｄ1-x-yＳuＳｅvＴｅ1-u-vの夫々について、イオン化
した付活剤を添加する目的でＰ型ドープ材としてＮ（窒
素）をプラズマ化して１０18ｃｍ-3添加した。このよう
な蛍光体を有するディスプレイを実施例１の場合と同様
に作成し、これについて発光効率を測定したところ実施
例１の場合よりさらに２倍の１０％の発光効率が得られ
た。Example 2 Next, Table 1 of Example 1 is shown.
No. 1 and No. 2 red, green, and blue phosphors, which are direct transition type II-VI group semiconductor compounds Mg x Zn y
Cd for people 1-xy S u Se v Te 1-uv husband was N (nitrogen) was added plasma to 10 18 cm -3 as a P-type dopant for the purpose of adding ionized activator. A display having such a phosphor was prepared in the same manner as in Example 1, and the luminous efficiency was measured. As a result, a luminous efficiency of 10%, which was twice that in Example 1, was obtained.
【００１９】〔実施例３〕先に述べた通り、本発明が対
象とする電界放出型発光源およびこれを用いたディスプ
レイにおいては、電子加速電圧がせいぜい数百Ｖ程度で
あるため、ターゲットへの侵入深さは数百オングストロ
ーム程度であり、この点が通常のテレビのブラウン管の
ように高電圧で電子を加速する場合と異なっている。従
って、本発明の対象技術では励起された電子の一部がタ
ーゲット表面で再結合するため、これが発光効率の低下
を招く原因となっている。そこでかかる影響を低減させ
るために、本実施例においては、実施例１および２で示
した前記表１のNo.１の蛍光体１２ａ，１３ａ，１４ａ
に積層して、図２に示す如く上層を構成する蛍光体１２
ｂ，１３ｂ，１４ｂの直接遷移型II−VI族半導体化合物
層を積層した。[Embodiment 3] As described above, in the field emission type light emitting source and the display using the same, which are the object of the present invention, the electron accelerating voltage is about several hundreds V at most, so that the target is The penetration depth is on the order of several hundred angstroms, which is different from the case of accelerating electrons with a high voltage as in a normal television CRT. Therefore, in the target technology of the present invention, some of the excited electrons are recombined on the target surface, which causes a decrease in luminous efficiency. Therefore, in order to reduce such an influence, in this embodiment, the phosphors 12a, 13a, 14a of No. 1 shown in Table 1 shown in Embodiments 1 and 2 are used.
The phosphor 12 is laminated on top of the phosphor 12 to form the upper layer as shown in FIG.
Direct transition type II-VI group semiconductor compound layers b, 13b and 14b were laminated.
【００２０】これら１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの蛍光体の
組成は次の通りである。 １２ｂ：Ｍｇ0.25Ｚｎ0.15Ｃｄ0.6Ｓｅ １３ｂ：Ｍｇ0.2Ｚｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓｅ0.8 １４ｂ：Ｍｇ0.5Ｚｎ0.5Ｃｄ0.5Ｓｅ0.5 これら蛍光体１２ｂ，１３ｂ，１４ｂは、夫々前記表１
のNo.１の蛍光体１２ａ，１３ａ，１４ａのバンドギャ
ップより、０．４ｅＶ大きい値となるような組成の物質
を夫々選択したものである。The composition of these phosphors 12b, 13b and 14b is as follows. 12b: Mg 0.25 Zn 0.15 Cd 0.6 Se 13b: Mg 0.2 Zn 0.8 Cd 0.2 Se 0.8 14b: Mg 0.5 Zn 0.5 Cd 0.5 Se 0.5 These phosphors 12b, 13b and 14b are shown in Table 1 above, respectively.
No. 1 phosphors 12a, 13a, and 14a, each having a composition that is 0.4 eV larger than the band gap of the selected substance.
【００２１】なお、図２において３はガラス基板、３１
は導電性酸化膜、ＳｎＯ2、である。なお、前記各層の
厚みは、電子の拡散距離１μｍ以下よりも充分小さい１
００オングストロームとした。これによって、蛍光体１
２ｂ，１３ｂ，１４ｂ各層で励起された電子は蛍光体１
２ａ，１３ａ，１４ａ各層に拡散し、発光再結合するの
で、前記のようなターゲット表面での再結合が大いに減
少する。その結果、発光効率を先の実施例と同様に測定
した結果はさらに向上して１５％の発光効率が得られ
た。In FIG. 2, 3 is a glass substrate, 31
Is a conductive oxide film, SnO 2 . The thickness of each layer is sufficiently smaller than the electron diffusion distance of 1 μm or less.
00 angstrom. As a result, the phosphor 1
The electrons excited in the layers 2b, 13b, and 14b are phosphors 1
2a, 13a, and 14a diffuse into each layer and radiatively recombine, so that recombination on the target surface as described above is greatly reduced. As a result, the result of measuring the luminous efficiency in the same manner as in the previous example was further improved, and the luminous efficiency of 15% was obtained.
【００２２】〔実施例４〕次に、さらに発光効率を向上
させる目的で、図３に示すように、前記表１のNo.１の
蛍光体を蛍光体１２ａ，１３ａ，１４ａとし、また実施
例３に示した蛍光体１２ｂ，１３ｂ，１４ｂを用いて、
これらをペアとして４層形成したのち、最下層に蛍光体
１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの層を形成した。これらの夫々
の層の厚みは１００オングストロームとした。以上、図
３に示す如く、ターゲット構造をこのような量子井戸構
造構成とすることによって、発光効率として理論限界に
近い３０％の値が得られた。この値は通常の場合に対し
て約１０倍の効率である。[Embodiment 4] Next, for the purpose of further improving the luminous efficiency, as shown in FIG. 3, the No. 1 phosphor of Table 1 was changed to phosphors 12a, 13a, 14a, and Using the phosphors 12b, 13b, 14b shown in 3,
After forming four layers as a pair of these, the layers of the phosphors 12b, 13b, and 14b were formed in the lowermost layer. The thickness of each of these layers was 100 Å. As described above, as shown in FIG. 3, when the target structure has such a quantum well structure, a value of 30%, which is close to the theoretical limit, as the light emission efficiency was obtained. This value is about 10 times more efficient than the normal case.
【００２３】以上のように構成された発光ターゲットを
用いて、画素数１９２０×１０３５×２の２インチディ
スプレイを作製した。その結果、２００Ｃｄ／ｍ2の輝
度で消費電力が通常手段によるものでは１．１Ｗであっ
たものが０．２Ｗとなり、極めて小型化することが可能
となった。A 2-inch display having 1920 × 1035 × 2 pixels was manufactured by using the light emitting target having the above structure. As a result, the power consumption at the luminance of 200 Cd / m 2 was 1.1 W in the case of using the normal means, but was 0.2 W, and it was possible to make the size extremely small.
【００２４】なお、本発明の実施例においては、ターゲ
ット物質を形成せしめるに際して、ガラス基板に導電性
薄膜ＳｎＯ2を蒸着した上に超高真空蒸着装置により形
成せしめる手段を例示したが、この他、有機金属の気相
化学反応で形成せしめてもよい。あるいはまた、ターゲ
ット物質をＺｎ溶液から析出させそれを単独もしくはフ
リットガラスとともに有機溶媒に溶かし、前記ＳｎＯ2
蒸着面に塗布し、有機溶媒を蒸発し、またフリットガラ
スを溶融固化することによって、固定してもよい。In the embodiment of the present invention, the means for forming the target material by depositing the conductive thin film SnO 2 on the glass substrate and then forming it by the ultra-high vacuum vapor deposition apparatus is exemplified. It may be formed by a gas phase chemical reaction of an organic metal. Alternatively, the target material is deposited from a Zn solution and dissolved alone or in an organic solvent together with frit glass, and the SnO 2 is added.
You may fix by applying on a vapor deposition surface, evaporating an organic solvent, and melting and solidifying frit glass.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明の電界放出型ディスプレイは、以
上述べたように構成されているので、ターゲット物質で
ある蛍光体の発光効率を、従来の電界放出型ディスプレ
イにおける場合と比較して、著しく向上せしめることが
可能であり、特に量子井戸構造構成とすることによっ
て、発光効率としては理論限界に近い値が得られる。ま
た、消費電力が低いにも拘わらず、発光効率の極めて優
れたフルカラーの電界放出型ディスプレイを得ることが
可能である。Since the field emission display of the present invention is constructed as described above, the luminous efficiency of the phosphor, which is the target material, can be remarkably improved as compared with the conventional field emission display. It is possible to improve the light emission efficiency. In particular, with the quantum well structure, a value close to the theoretical limit can be obtained as the luminous efficiency. In addition, it is possible to obtain a full-color field emission display with extremely excellent light emission efficiency despite low power consumption.
【図１】本発明の対象とする電界放出型ディスプレイの
基本構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a basic configuration of a field emission display which is a target of the present invention.
【図２】本発明における蛍光体と２層構造に積層した蛍
光体側基板の模式図である。FIG. 2 is a schematic view of a phosphor-side substrate laminated in a two-layer structure with a phosphor according to the present invention.
【図３】本発明における蛍光体を４層構造に積層した蛍
光体側基板の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a phosphor side substrate in which phosphors according to the present invention are laminated in a four-layer structure.
【図４】従来の電界放出型ディスプレイの基本構成を示
す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a basic configuration of a conventional field emission display.
【図５】図４における微小エミッタの近傍の構成を示す
部分拡大説明図である。5 is a partially enlarged explanatory view showing a configuration near a minute emitter in FIG. 4. FIG.
３，４ 基板 １２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，３
２ 蛍光体 ３１ 導電性薄膜 ４１ エミッタ電極 ４２ 絶縁層 ４３ ゲート電極 ４４ 微小エミッタ ４５ 開口3,4 Substrates 12a, 12b, 13a, 13b, 14a, 14b, 3
2 Phosphor 31 Conductive Thin Film 41 Emitter Electrode 42 Insulating Layer 43 Gate Electrode 44 Minute Emitter 45 Opening
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 29/18 Ｈ０１Ｊ 29/18 Ｚ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01J 29/18 H01J 29/18 Z
Claims (5)
電子の衝突で発光するターゲット物質に衝突させること
により発光させる平面型発光源を用いたディスプレイに
おいて、ターゲット物質がＭｇxＺｎyＣｄ1-x-yＳuＳｅ
vＴｅ1-u-v（０≦ｘ，ｙ，ｕ，ｖ≦１）であることを特
徴とする電界放出型ディスプレイ。1. In a display using a planar light emitting source that emits light by colliding electrons emitted from a field emission cold cathode with a target material that emits light by collision of electrons, the target material is Mg x Zn y Cd 1. -xy S u Se
A field emission display, characterized in that v Te 1-uv (0 ≦ x, y, u, v ≦ 1).
添加されたものであることを特徴とする請求項１記載の
電界放出型ディスプレイ。2. The field emission display according to claim 1, wherein the target material is a material to which an activator is ionized and added.
のいずれかの手段により形成されたものであることを特
徴とする請求項１または２記載の電界放出型ディスプレ
イ。 （ａ）ターゲット物質を超高真空蒸着装置あるいは有機
金属の気相化学反応で形成する。 （ｂ）ターゲット物質を亜鉛Ｚｎ溶液から析出させ、そ
れを有機溶媒に溶かしガラス基板あるいはガラス基板に
導電性薄膜ＳｎＯ2を蒸着した上に塗布し後該有機溶媒
を蒸発し固定する。 （ｃ）ターゲット物質を亜鉛Ｚｎ溶液から析出させ、そ
れをフリットガラスとともに有機溶媒に溶かしガラス基
板あるいはガラス基板に導電性薄膜ＳｎＯ2を蒸着した
上に塗布し後該フリットガラスを溶融固化し固定する。3. The target material is any of the following (a) to (c):
The field emission display according to claim 1 or 2, wherein the field emission display is formed by any one of the above-mentioned means. (A) A target material is formed by an ultrahigh vacuum vapor deposition apparatus or a vapor phase chemical reaction of an organic metal. (B) A target substance is deposited from a zinc Zn solution, dissolved in an organic solvent, and a conductive thin film SnO 2 is vapor-deposited on a glass substrate or a glass substrate, and then the organic solvent is evaporated and fixed. (C) Precipitating a target substance from a zinc Zn solution, dissolving it in an organic solvent together with frit glass, depositing a conductive thin film SnO 2 on a glass substrate or a glass substrate, and then applying the thin film to melt and solidify and fix the frit glass. .
長に対して変えるとともに、バンドギャップの異なる２
層以上のターゲット物質を用い、かつ終端ターゲット物
質の厚さを励起される２次電子の拡散距離以下とするこ
とを特徴とする請求項１乃至３記載の電界放出型ディス
プレイ。4. The x and y values of the target material are changed with respect to the emission wavelength thereof, and the band gap is different.
4. The field emission display according to claim 1, wherein a target material having a layer or more is used, and a thickness of the terminating target material is set to be equal to or less than a diffusion distance of excited secondary electrons.
長に対して変えるとともに、バンドギャップの大きい組
成のターゲット物質で終端し、かつバンドギャップの異
なる２層以上のターゲット物質の構成において、ターゲ
ット物質の組合わせを１組がバンドギャップ大、小、大
となるように構成することを特徴とする請求項１乃至４
記載の電界放出型ディスプレイ。5. A target in which two or more layers of target materials having different band gaps are used, and the x and y values of the target material are changed with respect to its emission wavelength, and the target material is terminated by a target material having a large band gap. 5. The combination of substances is configured such that one set has a large bandgap, a small bandgap, and a large bandgap.
The field emission display described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26823395A JPH09115464A (en) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Field emission display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26823395A JPH09115464A (en) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Field emission display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115464A true JPH09115464A (en) | 1997-05-02 |
Family
ID=17455760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26823395A Pending JPH09115464A (en) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Field emission display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115464A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004007637A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Japan Science And Technology Agency | Highly bright mechanoluminescence material and process for producing the same |
| JP2012056988A (en) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Sharp Corp | Phosphor |
-
1995
- 1995-10-17 JP JP26823395A patent/JPH09115464A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004007637A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Japan Science And Technology Agency | Highly bright mechanoluminescence material and process for producing the same |
| US7297295B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-11-20 | Japan Science And Technology Agency | Highly bright mechanoluminescence material and process for producing the same |
| JP2012056988A (en) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Sharp Corp | Phosphor |
| US8603364B2 (en) | 2010-09-06 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor |
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