JPH09115114A - 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPH09115114A JPH09115114A JP7269721A JP26972195A JPH09115114A JP H09115114 A JPH09115114 A JP H09115114A JP 7269721 A JP7269721 A JP 7269721A JP 26972195 A JP26972195 A JP 26972195A JP H09115114 A JPH09115114 A JP H09115114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- magnetoresistive effect
- magnetic field
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】縦バイアス磁界を印加しても、高い再生出力を
得ることのできる磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供す
る。 【解決手段】 磁気抵抗効果膜の磁化容易軸の方向と、
バイアス磁界印加時の平均的な磁化方向のなす角度が、
６０°〜１２０°の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果膜の異方性磁界Ｈｋが７Ｏｅ以上とす
る。 【効果】 磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける再生出力
を増大させることが可能となる。
得ることのできる磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供す
る。 【解決手段】 磁気抵抗効果膜の磁化容易軸の方向と、
バイアス磁界印加時の平均的な磁化方向のなす角度が、
６０°〜１２０°の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果膜の異方性磁界Ｈｋが７Ｏｅ以上とす
る。 【効果】 磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける再生出力
を増大させることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置に関す
るものである。
及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果（ＭＲ）センサまた
はヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られてい
る。このＭＲセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読
み取り素子の抵抗変化を利用して、磁気信号を素子が感
知する磁束の量及び方向の関数として検出するもので、
従来のインダクティブヘッドを用いた場合にくらべて、
より大きな再生出力を得ることができる。
はヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られてい
る。このＭＲセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読
み取り素子の抵抗変化を利用して、磁気信号を素子が感
知する磁束の量及び方向の関数として検出するもので、
従来のインダクティブヘッドを用いた場合にくらべて、
より大きな再生出力を得ることができる。
【０００３】ＭＲ素子の動作を最適化するためには、Ｍ
Ｒ素子に２種類のバイアス磁界をかける必要がある。第
１のバイアス磁界は横バイアス磁界と呼ばれるもので、
磁気記録媒体からの磁束に対する応答を線形にするため
に印加される。横バイアス磁界は、磁気記録媒体の面に
垂直で平坦なＭＲ素子の表面に平行である。横バイアス
磁界印加法には電流バイアス法、シャントバイアス法、
ソフトバイアス法、ソフトアジェイセントレーヤ（ＳＡ
Ｌ）バイアス法等、種々の方法がある。これらの横方向
バイアス磁界は、ＭＲ素子をＲ−Ｈ特性曲線の最も直線
的な範囲にバイアスさせるのに十分なレベルで発生され
る。
Ｒ素子に２種類のバイアス磁界をかける必要がある。第
１のバイアス磁界は横バイアス磁界と呼ばれるもので、
磁気記録媒体からの磁束に対する応答を線形にするため
に印加される。横バイアス磁界は、磁気記録媒体の面に
垂直で平坦なＭＲ素子の表面に平行である。横バイアス
磁界印加法には電流バイアス法、シャントバイアス法、
ソフトバイアス法、ソフトアジェイセントレーヤ（ＳＡ
Ｌ）バイアス法等、種々の方法がある。これらの横方向
バイアス磁界は、ＭＲ素子をＲ−Ｈ特性曲線の最も直線
的な範囲にバイアスさせるのに十分なレベルで発生され
る。
【０００４】ＭＲ素子の動作を最適化するための第２の
バイアス磁界は縦バイアス磁界と呼ばれるもので、磁気
記録媒体の表面に平行、かつ、ＭＲ素子の長手方向に平
行に印加される。縦バイアスの機能は、ＭＲ素子内の多
磁区構造から生じるバルクハウゼンノイズを抑えること
である。
バイアス磁界は縦バイアス磁界と呼ばれるもので、磁気
記録媒体の表面に平行、かつ、ＭＲ素子の長手方向に平
行に印加される。縦バイアスの機能は、ＭＲ素子内の多
磁区構造から生じるバルクハウゼンノイズを抑えること
である。
【０００５】縦バイアス磁界の印加方法には、特開昭６
２−４０６１０号公報や特開昭６３−１１７３０９号公
報あるいは特願平５−３３０３６に示されている反強磁
性膜を用いる方法や、特開平２−２２０２１３号公報や
特開平４−７８８２６号公報に示されている永久磁石膜
を用いる方法がある。日本応用磁気学会誌第１６巻サプ
リメントＳ１号８５ペ−ジ（１９９２年）に示されてい
るように、反強磁性膜を用いる方法は永久磁石膜を用い
る方法に比べて大きな再生出力を得ることが出来るが、
バルクハウゼンノイズを充分抑えることができないとい
う問題がある。横バイアス磁界印加法としてソフトアジ
ェイセントレーヤバイアス法を用い、縦バイアス磁界印
加法として反強磁性膜を用い、しかもバルクハウゼンノ
イズを抑えるひとつの方法として、特開平３−１７８０
１８号公報に示されているように、ＭＲ膜の磁化容易軸
を長手方向から所定の角度傾け、しかも横バイアス磁界
印加用軟磁性膜（ＳＡＬ）の磁化容易軸をＭＲ膜の磁化
容易軸方向とは反対側に傾ける方法がある。この方法は
バルクハウゼンノイズを抑える上である程度の有効性を
有するものの、ＭＲ膜の磁化容易軸方向とＳＡＬの磁化
容易軸方向を長手方向に対し、互いに逆向きにするとい
う点で、作製プロセス上の困難および歩留まりの悪さと
いう問題を残す。
２−４０６１０号公報や特開昭６３−１１７３０９号公
報あるいは特願平５−３３０３６に示されている反強磁
性膜を用いる方法や、特開平２−２２０２１３号公報や
特開平４−７８８２６号公報に示されている永久磁石膜
を用いる方法がある。日本応用磁気学会誌第１６巻サプ
リメントＳ１号８５ペ−ジ（１９９２年）に示されてい
るように、反強磁性膜を用いる方法は永久磁石膜を用い
る方法に比べて大きな再生出力を得ることが出来るが、
バルクハウゼンノイズを充分抑えることができないとい
う問題がある。横バイアス磁界印加法としてソフトアジ
ェイセントレーヤバイアス法を用い、縦バイアス磁界印
加法として反強磁性膜を用い、しかもバルクハウゼンノ
イズを抑えるひとつの方法として、特開平３−１７８０
１８号公報に示されているように、ＭＲ膜の磁化容易軸
を長手方向から所定の角度傾け、しかも横バイアス磁界
印加用軟磁性膜（ＳＡＬ）の磁化容易軸をＭＲ膜の磁化
容易軸方向とは反対側に傾ける方法がある。この方法は
バルクハウゼンノイズを抑える上である程度の有効性を
有するものの、ＭＲ膜の磁化容易軸方向とＳＡＬの磁化
容易軸方向を長手方向に対し、互いに逆向きにするとい
う点で、作製プロセス上の困難および歩留まりの悪さと
いう問題を残す。
【０００６】さらに、ＳＡＬの磁化容易軸を長手方向か
ら所定の角度傾け、さらにＭＲ膜の磁化容易軸もＳＡＬ
の磁化容易軸方向と同じ回転方向に傾ける方法が特開平
６−１６６８５４号に記載されている。この方法も、バ
ルクハウゼンノイズを抑制するのに効果的であることが
示されている。
ら所定の角度傾け、さらにＭＲ膜の磁化容易軸もＳＡＬ
の磁化容易軸方向と同じ回転方向に傾ける方法が特開平
６−１６６８５４号に記載されている。この方法も、バ
ルクハウゼンノイズを抑制するのに効果的であることが
示されている。
【０００７】一方、再生出力を向上することを目的とし
て、縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜の磁化方向を長
手方向から傾ける方法が、特開平７−４４８２７号公報
に示されている。しかし、この方法においてはＭＲ膜あ
るいはＳＡＬの磁化容易軸の方向についての配慮はなさ
れていない。
て、縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜の磁化方向を長
手方向から傾ける方法が、特開平７−４４８２７号公報
に示されている。しかし、この方法においてはＭＲ膜あ
るいはＳＡＬの磁化容易軸の方向についての配慮はなさ
れていない。
【０００８】磁化容易軸を長手方向に向ける従来技術で
は、異方性磁界Ｈｋを大きくしすぎると再生出力が低下
するため、Ｈｋは５Ｏｅ前後が望ましいとされている。
は、異方性磁界Ｈｋを大きくしすぎると再生出力が低下
するため、Ｈｋは５Ｏｅ前後が望ましいとされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上示したように、Ｍ
Ｒ膜及びＳＡＬの磁化容易軸の方向を、膜の長手方向か
ら傾ける従来技術は、主としてバルクハウゼンノイズの
抑止を目的としたものであった。これらの従来技術にお
いては、バルクハウゼンノイズを抑止するために縦バイ
アス磁界を印加すると、再生出力が低下するという問題
があった。
Ｒ膜及びＳＡＬの磁化容易軸の方向を、膜の長手方向か
ら傾ける従来技術は、主としてバルクハウゼンノイズの
抑止を目的としたものであった。これらの従来技術にお
いては、バルクハウゼンノイズを抑止するために縦バイ
アス磁界を印加すると、再生出力が低下するという問題
があった。
【００１０】本発明は、縦バイアス磁界を印加しても高
い再生出力を得ることのできるＭＲヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
い再生出力を得ることのできるＭＲヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ＭＲ膜の磁
化容易軸の方向と、バイアス磁界印加時のＭＲ膜中の磁
化の方向のなす角度が、６０°〜１２０°となるよう
に、ＭＲ膜の磁化容易軸の方向を傾けた時、ＭＲ膜の異
方性磁界の大きさを７Ｏｅ以上、望ましくは１０Ｏｅ〜
３０Ｏｅとすることにより達成される。ここで、磁化容
易軸とは結晶磁気異方性等により生じるものを意味し、
形状異方性によるものは含んでいない。すなわち、ＭＲ
膜中の磁化容易軸の方向はＭＲ膜作製時の磁界印加方向
を意味する。
化容易軸の方向と、バイアス磁界印加時のＭＲ膜中の磁
化の方向のなす角度が、６０°〜１２０°となるよう
に、ＭＲ膜の磁化容易軸の方向を傾けた時、ＭＲ膜の異
方性磁界の大きさを７Ｏｅ以上、望ましくは１０Ｏｅ〜
３０Ｏｅとすることにより達成される。ここで、磁化容
易軸とは結晶磁気異方性等により生じるものを意味し、
形状異方性によるものは含んでいない。すなわち、ＭＲ
膜中の磁化容易軸の方向はＭＲ膜作製時の磁界印加方向
を意味する。
【００１２】本発明による磁気抵抗効果素子は、磁気抵
抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電流を流すための一対の
電極と、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加するた
めの手段と、磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加す
るための手段とを含み、磁気抵抗効果膜の磁化容易軸の
方向とバイアス磁界印加時の磁化方向のなす角度が６０
°〜１２０°で、磁気抵抗効果膜の異方性磁界の大きさ
が７Ｏｅ以上、望ましくは１０Ｏｅ〜３０Ｏｅであるこ
とを特徴とする。
抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電流を流すための一対の
電極と、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加するた
めの手段と、磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加す
るための手段とを含み、磁気抵抗効果膜の磁化容易軸の
方向とバイアス磁界印加時の磁化方向のなす角度が６０
°〜１２０°で、磁気抵抗効果膜の異方性磁界の大きさ
が７Ｏｅ以上、望ましくは１０Ｏｅ〜３０Ｏｅであるこ
とを特徴とする。
【００１３】横バイアス磁界は軟磁性膜を用いるＳＡＬ
バイアス法で印加するのが好ましく、縦バイアス磁界は
永久磁石又は反強磁性膜によって印加することができ
る。
バイアス法で印加するのが好ましく、縦バイアス磁界は
永久磁石又は反強磁性膜によって印加することができ
る。
【００１４】磁気抵抗効果素子の具体的な構造として
は、（１）基板上に積層して設けられた横バイアス磁界
印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜及び磁気抵抗効果膜、
前記磁気抵抗効果膜の長手方向両端部に設けられた縦バ
イアス磁界印加用の一対の永久磁石膜、並びに前記一対
の永久磁石膜上に設けられた一対の電極とを備える構
造、（２）基板上に積層して設けられた横バイアス磁界
印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜及び磁気抵抗効果膜及
び前記磁気抵抗効果膜上に長手方向に離間して設けられ
た一対の反強磁性を含む多層膜と、前記多層膜の上に設
けられた一対の電極とを備え、前記一対の反強磁性膜は
電極の下方領域に設けられている構造、あるいは、
（３）基板上に積層して設けられた反強磁性膜、前記反
強磁性膜に長手方向両端部が接触するようにして積層さ
れた磁気抵抗効果膜、その上に積層された非磁性導電膜
及び横バイアス磁界印加用の軟磁性膜を含む多層膜と、
前記多層膜の上に設けられた一対の電極とを備える構造
等を採用することができる。
は、（１）基板上に積層して設けられた横バイアス磁界
印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜及び磁気抵抗効果膜、
前記磁気抵抗効果膜の長手方向両端部に設けられた縦バ
イアス磁界印加用の一対の永久磁石膜、並びに前記一対
の永久磁石膜上に設けられた一対の電極とを備える構
造、（２）基板上に積層して設けられた横バイアス磁界
印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜及び磁気抵抗効果膜及
び前記磁気抵抗効果膜上に長手方向に離間して設けられ
た一対の反強磁性を含む多層膜と、前記多層膜の上に設
けられた一対の電極とを備え、前記一対の反強磁性膜は
電極の下方領域に設けられている構造、あるいは、
（３）基板上に積層して設けられた反強磁性膜、前記反
強磁性膜に長手方向両端部が接触するようにして積層さ
れた磁気抵抗効果膜、その上に積層された非磁性導電膜
及び横バイアス磁界印加用の軟磁性膜を含む多層膜と、
前記多層膜の上に設けられた一対の電極とを備える構造
等を採用することができる。
【００１５】本発明の磁気抵抗効果素子は磁気ヘッドに
組み込むことができる。また、本発明の磁気抵抗効果型
再生ヘッドは、磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わ
せて記録再生分離型磁気ヘッドを構成することができ
る。
組み込むことができる。また、本発明の磁気抵抗効果型
再生ヘッドは、磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わ
せて記録再生分離型磁気ヘッドを構成することができ
る。
【００１６】ＭＲヘッドの再生出力は、ＭＲ膜内の磁化
回転角θに対してｃｏｓ2θに比例する。従って、媒体
からの磁界がＭＲヘッドに印加された時に変化するＭＲ
膜内の磁化の回転角が大きいほど、再生出力は大きい。
回転角θに対してｃｏｓ2θに比例する。従って、媒体
からの磁界がＭＲヘッドに印加された時に変化するＭＲ
膜内の磁化の回転角が大きいほど、再生出力は大きい。
【００１７】バイアス磁界印加時のＭＲ膜の磁化の方向
と、磁化容易軸の方向のなす角度をほぼ９０°とする
と、ＭＲ膜の磁化はほぼ磁化困難軸方向を向くことにな
るので、不安定な状態になる。この状態に媒体からの磁
界が印加されると、磁化は磁化容易方向へ向こうとする
ので、磁化の回転角が増加する。ＭＲ膜の異方性磁界を
大きくするほど、磁化が磁化容易方向へ向こうとする力
が大きくなるので、さらに回転角が増加して、再生出力
が上がる。
と、磁化容易軸の方向のなす角度をほぼ９０°とする
と、ＭＲ膜の磁化はほぼ磁化困難軸方向を向くことにな
るので、不安定な状態になる。この状態に媒体からの磁
界が印加されると、磁化は磁化容易方向へ向こうとする
ので、磁化の回転角が増加する。ＭＲ膜の異方性磁界を
大きくするほど、磁化が磁化容易方向へ向こうとする力
が大きくなるので、さらに回転角が増加して、再生出力
が上がる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１９】（実施例１）図１は、本発明による磁気抵
抗効果（ＭＲ）素子を備える磁気ヘッドの一実施例の断
面図である。この磁気ヘッドの作製に当たっては、基板
５上に、厚さ２μｍの下部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）１
０、厚さ０．２μｍの磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ
2Ｏ3膜）２０、厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＣｏＺｒＴａ
膜）３０、厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０、厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）
５０を積層した。次に、有機レジスト膜を積層した後、
所望の形状にパタ−ニングを行った。さらに、厚さ３０
ｎｍの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）６０を積層し所望
の形状に加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂを積層、加工し
電極７０とした。さらに、厚さ０．１５５μｍの磁気ギ
ャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０、厚さ２μｍの
上部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層し所望の形状
に加工して磁気ヘッドとした。
抗効果（ＭＲ）素子を備える磁気ヘッドの一実施例の断
面図である。この磁気ヘッドの作製に当たっては、基板
５上に、厚さ２μｍの下部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）１
０、厚さ０．２μｍの磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ
2Ｏ3膜）２０、厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＣｏＺｒＴａ
膜）３０、厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０、厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）
５０を積層した。次に、有機レジスト膜を積層した後、
所望の形状にパタ−ニングを行った。さらに、厚さ３０
ｎｍの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）６０を積層し所望
の形状に加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂを積層、加工し
電極７０とした。さらに、厚さ０．１５５μｍの磁気ギ
ャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０、厚さ２μｍの
上部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層し所望の形状
に加工して磁気ヘッドとした。
【００２０】ＭＲ膜を作製する際には、図２に示すＭＲ
膜平面の長手方向ｘから−４５°傾けた、矢印ｅで示す
方向に３０Oeの磁界を印加して磁化容易軸をつけた。ま
たＳＡＬを作製する際にも、ＭＲ膜の磁化容易軸方向と
同方向に３０Oeの磁界を印加して磁化容易軸をつけた。
さらに永久磁石膜を作製した後、矢印ｘの方向に着磁の
ための磁界を１０００Oe印加した。
膜平面の長手方向ｘから−４５°傾けた、矢印ｅで示す
方向に３０Oeの磁界を印加して磁化容易軸をつけた。ま
たＳＡＬを作製する際にも、ＭＲ膜の磁化容易軸方向と
同方向に３０Oeの磁界を印加して磁化容易軸をつけた。
さらに永久磁石膜を作製した後、矢印ｘの方向に着磁の
ための磁界を１０００Oe印加した。
【００２１】また、磁気抵抗効果膜の異方性磁界はＣｏ
の添加量によって調節した。本実施例の磁気抵抗効果膜
は、Ｃｏを１８％添加して異方性磁界を２０Ｏｅとし
た。
の添加量によって調節した。本実施例の磁気抵抗効果膜
は、Ｃｏを１８％添加して異方性磁界を２０Ｏｅとし
た。
【００２２】このＭＲヘッドに、ＭＲ膜に流れる電流が
１．５×１０7Ａ／cm2となるようにセンス電流を流し、
バイアス磁界印加時の磁化Ｍの方向が長手方向ｘから約
＋４５°傾くようにした（第２図）。すなわち、磁化容
易軸の方向ｅとＭのなす角θｄが約９０°になるように
した。ここで、バイアス磁界印加時の磁化方向の長手方
向ｘからの傾き角をバイアス角度θbとし、バイアス角
度は以下に示すように測定した。第３図は、横バイアス
磁界印加時のＭＲヘッドに外部から一様な磁界Ｈを印加
した時の、電圧の変化ΔＶを測定した結果である。バイ
アス角度θbは、外部磁界がゼロの時の電圧変化ΔＶ
0と、電圧変化の最大値ΔＶmaxをもとに、次の関係式か
ら求めた。
１．５×１０7Ａ／cm2となるようにセンス電流を流し、
バイアス磁界印加時の磁化Ｍの方向が長手方向ｘから約
＋４５°傾くようにした（第２図）。すなわち、磁化容
易軸の方向ｅとＭのなす角θｄが約９０°になるように
した。ここで、バイアス磁界印加時の磁化方向の長手方
向ｘからの傾き角をバイアス角度θbとし、バイアス角
度は以下に示すように測定した。第３図は、横バイアス
磁界印加時のＭＲヘッドに外部から一様な磁界Ｈを印加
した時の、電圧の変化ΔＶを測定した結果である。バイ
アス角度θbは、外部磁界がゼロの時の電圧変化ΔＶ
0と、電圧変化の最大値ΔＶmaxをもとに、次の関係式か
ら求めた。
【００２３】ΔＶ0／ΔＶmax＝ｃｏｓ2θb このヘッドの再生出力を測定し、ＭＲ膜の異方性磁界Ｈ
ｋが５Ｏｅの従来ヘッドの再生出力と比較した結果、出
力が約２倍に向上するこが確かめられた。
ｋが５Ｏｅの従来ヘッドの再生出力と比較した結果、出
力が約２倍に向上するこが確かめられた。
【００２４】さらに、ＭＲ膜の異方性磁界Ｈｋを５Ｏｅ
から５０Ｏｅまで変えて、図１に示す構造のヘッドを作
製して、再生出力を測定した。このとき、ＭＲヘッドに
流す電流は一定で、ＭＲ膜の電流密度が１．５×１０7
Ａ／cm2となるようにセンス電流を流した。図４に示す
ように、Ｈｋを大きくするほど、再生出力は増加し、Ｈ
ｋが５０Ｏｅのヘッドの再生出力は従来の約４倍になっ
た。ただし、Ｈｋが３０Ｏｅより大きいヘッドでは、再
生波形の変動が起こる場合があり、ヘッドの安定性に問
題があった。Ｈｋが１０Ｏｅ〜３０Ｏｅのヘッドは再生
出力が従来の１．５〜２．５倍になり、しかも安定に動
作する。
から５０Ｏｅまで変えて、図１に示す構造のヘッドを作
製して、再生出力を測定した。このとき、ＭＲヘッドに
流す電流は一定で、ＭＲ膜の電流密度が１．５×１０7
Ａ／cm2となるようにセンス電流を流した。図４に示す
ように、Ｈｋを大きくするほど、再生出力は増加し、Ｈ
ｋが５０Ｏｅのヘッドの再生出力は従来の約４倍になっ
た。ただし、Ｈｋが３０Ｏｅより大きいヘッドでは、再
生波形の変動が起こる場合があり、ヘッドの安定性に問
題があった。Ｈｋが１０Ｏｅ〜３０Ｏｅのヘッドは再生
出力が従来の１．５〜２．５倍になり、しかも安定に動
作する。
【００２５】（実施例２）図５に、本発明によるＭＲ素
子を備える磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施例の断面図
を示す。このヘッドの作製に当たっては、基板５上に、
厚さ２μｍの下部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、厚さ
０．２μｍの磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）
２０、厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＣｏＴａＺｒ膜）３
０、厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０、厚さ
２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）５０、厚
さ２０ｎｍの磁区制御用ＦｅＭｎ膜１００を積層した
後、所望の形状に加工する。つぎに電極用Ｎｂ／Ａｕ／
Ｎｂ７０を積層し、所望の形状に加工した後、厚さ０．
１５５μｍの磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０、
厚さ２μｍの磁気シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
し所望の形状に加工して磁気ヘッドとした。このヘッド
のＭＲ膜の磁化容易軸の方向ｅと、横バイアス磁界によ
って傾く平均的な磁化方向Ｍは、図２に示すようにθｅ
≒−４５°、θｄ≒９０°に設定した。また、ＭＲ膜の
Ｈｋは２０Ｏｅとした。このヘッドで得た再生出力も、
ＭＲ膜の異方性磁界Ｈｋが５Ｏｅの従来ヘッドに比べ
て、約２倍向上した。
子を備える磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施例の断面図
を示す。このヘッドの作製に当たっては、基板５上に、
厚さ２μｍの下部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、厚さ
０．２μｍの磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）
２０、厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＣｏＴａＺｒ膜）３
０、厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０、厚さ
２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）５０、厚
さ２０ｎｍの磁区制御用ＦｅＭｎ膜１００を積層した
後、所望の形状に加工する。つぎに電極用Ｎｂ／Ａｕ／
Ｎｂ７０を積層し、所望の形状に加工した後、厚さ０．
１５５μｍの磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０、
厚さ２μｍの磁気シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
し所望の形状に加工して磁気ヘッドとした。このヘッド
のＭＲ膜の磁化容易軸の方向ｅと、横バイアス磁界によ
って傾く平均的な磁化方向Ｍは、図２に示すようにθｅ
≒−４５°、θｄ≒９０°に設定した。また、ＭＲ膜の
Ｈｋは２０Ｏｅとした。このヘッドで得た再生出力も、
ＭＲ膜の異方性磁界Ｈｋが５Ｏｅの従来ヘッドに比べ
て、約２倍向上した。
【００２６】（実施例３）図６に、本発明によるＭＲ素
子を備える磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施例の断面図
を示す。このヘッドの作製に当たっては、基板５上に、
厚さ２μｍの下部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、厚さ
０．２μｍの磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）
２０、厚さ２０ｎｍの磁区制御用ＮｉＯ膜１００、厚さ
１０ｎｍの絶縁用Ａｌ2Ｏ3膜１１０を積層した後、厚さ
２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）５０、厚
さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０、厚さ２０ｎ
ｍの軟磁性膜（ＣｏＴａＺｒ膜）３０を積層して、所望
の形状に加工した。次に電極用Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂ７０を
積層し、所望の形状に加工した後、厚さ０．１５５μｍ
の磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０、厚さ２μｍ
の磁気シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層し所望の形
状に加工して磁気ヘッドとした。
子を備える磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施例の断面図
を示す。このヘッドの作製に当たっては、基板５上に、
厚さ２μｍの下部シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、厚さ
０．２μｍの磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）
２０、厚さ２０ｎｍの磁区制御用ＮｉＯ膜１００、厚さ
１０ｎｍの絶縁用Ａｌ2Ｏ3膜１１０を積層した後、厚さ
２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）５０、厚
さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０、厚さ２０ｎ
ｍの軟磁性膜（ＣｏＴａＺｒ膜）３０を積層して、所望
の形状に加工した。次に電極用Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂ７０を
積層し、所望の形状に加工した後、厚さ０．１５５μｍ
の磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０、厚さ２μｍ
の磁気シ−ルド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層し所望の形
状に加工して磁気ヘッドとした。
【００２７】ＭＲ膜の磁化容易軸の方向ｅと横バイアス
磁界によって傾く磁化方向Ｍは、図２に示すようにθｅ
≒−４５°、θｄ≒９０°に設定した。また、ＭＲ膜の
Ｈｋは２０Ｏｅとした。このヘッドで得た再生出力も、
ＭＲ膜の異方性磁界Ｈｋが５Ｏｅの従来ヘッドに比べ
て、約２倍向上した。
磁界によって傾く磁化方向Ｍは、図２に示すようにθｅ
≒−４５°、θｄ≒９０°に設定した。また、ＭＲ膜の
Ｈｋは２０Ｏｅとした。このヘッドで得た再生出力も、
ＭＲ膜の異方性磁界Ｈｋが５Ｏｅの従来ヘッドに比べ
て、約２倍向上した。
【００２８】（実施例４）本発明の磁気抵抗効果素子を
再生用ヘッドに用い、従来公知の誘導型薄膜ヘッドを記
録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気ヘッドを作
製した。図７に、本実施例による記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した斜視図を示す。
再生用ヘッドに用い、従来公知の誘導型薄膜ヘッドを記
録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気ヘッドを作
製した。図７に、本実施例による記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した斜視図を示す。
【００２９】Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体を
スライダ用の基板５とした。前記実施例１に示した方法
により下部シ−ルド膜１０形成し、その上に磁気ギャッ
プ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）、厚さ２０ｎｍの軟磁性
膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０、非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０、磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）５０、有機レジ
スト膜を積層した後、所望の形状にパタ−ニングを行
う。さらに、厚さ３０ｎｍの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ
膜）を積層し所望の形状に加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂ７０を積層、加工して電極とした。さらにその上に、
磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）、磁気シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）９０を形成した。以上の部分が再生ヘッ
ドとして働く。ＭＲ膜およびＳＡＬの磁化容易軸の方向
ｅは、図２に示すように、ほぼ−４５°に設定し、永久
磁石膜の着磁方向は長手方向ｘに設定した。また、ＭＲ
膜のＨｋは２０Ｏｅとした。
スライダ用の基板５とした。前記実施例１に示した方法
により下部シ−ルド膜１０形成し、その上に磁気ギャッ
プ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）、厚さ２０ｎｍの軟磁性
膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０、非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０、磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅＣｏ膜）５０、有機レジ
スト膜を積層した後、所望の形状にパタ−ニングを行
う。さらに、厚さ３０ｎｍの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ
膜）を積層し所望の形状に加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂ７０を積層、加工して電極とした。さらにその上に、
磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）、磁気シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）９０を形成した。以上の部分が再生ヘッ
ドとして働く。ＭＲ膜およびＳＡＬの磁化容易軸の方向
ｅは、図２に示すように、ほぼ−４５°に設定し、永久
磁石膜の着磁方向は長手方向ｘに設定した。また、ＭＲ
膜のＨｋは２０Ｏｅとした。
【００３０】次に、磁気記録用ヘッドとして、厚さ３μ
ｍのＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１
２０、上部磁極１３０およびコイル１４０からなる誘導
型薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１２０、上部磁極１
３０には、スパッタリング法で形成した膜厚３．０μｍ
のＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極１２０
および上部磁極１３０の間のギャップ層には、スパッタ
リング法で形成した膜厚０．２μｍのＡｌ2Ｏ3を用い
た。コイル１４０には、膜厚３．０μｍのＣｕを使用し
た。下部磁極１２０と上部磁極１３０は磁気的に結合さ
れて磁気回路を構成し、コイル１４０はその磁気回路に
鎖交している。
ｍのＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１
２０、上部磁極１３０およびコイル１４０からなる誘導
型薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１２０、上部磁極１
３０には、スパッタリング法で形成した膜厚３．０μｍ
のＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極１２０
および上部磁極１３０の間のギャップ層には、スパッタ
リング法で形成した膜厚０．２μｍのＡｌ2Ｏ3を用い
た。コイル１４０には、膜厚３．０μｍのＣｕを使用し
た。下部磁極１２０と上部磁極１３０は磁気的に結合さ
れて磁気回路を構成し、コイル１４０はその磁気回路に
鎖交している。
【００３１】以上述べた構造の磁気ヘッドを用い、磁気
抵抗効果膜の平均的な磁化方向が、図２の矢印Ｍとほぼ
同じ方向（θｄ≒９０°）になるように、センス電流
（ＭＲ膜の電流密度が１．５×１０7Ａ／ｃｍ2）を流し
て記録再生実験を行った。この結果、ＭＲ膜の磁化容易
軸の方向が膜の長手方向に平行な従来の磁気ヘッドを用
いた場合に比べて、約２倍大きな出力値を得た。
抵抗効果膜の平均的な磁化方向が、図２の矢印Ｍとほぼ
同じ方向（θｄ≒９０°）になるように、センス電流
（ＭＲ膜の電流密度が１．５×１０7Ａ／ｃｍ2）を流し
て記録再生実験を行った。この結果、ＭＲ膜の磁化容易
軸の方向が膜の長手方向に平行な従来の磁気ヘッドを用
いた場合に比べて、約２倍大きな出力値を得た。
【００３２】（実施例５）前記実施例４で述べた磁気ヘ
ッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図８（ａ）
に磁気ディスク装置の概略平面図を、図８（ｂ）にその
Ａ−Ａ’断面図を示す。
ッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図８（ａ）
に磁気ディスク装置の概略平面図を、図８（ｂ）にその
Ａ−Ａ’断面図を示す。
【００３３】磁気記録媒体１５０には、残留磁束密度
０．７５ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１５０は駆動部１６０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１７０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ、再生ヘッドのトラック幅は１．５μ
ｍとした。磁気ヘッド１７０は、駆動部１８０によって
回転駆動されて磁気記録媒体１５０上のトラックを選択
できる。磁気ヘッド１７０による記録再生信号は記録再
生信号処理系１９０で処理される。
０．７５ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１５０は駆動部１６０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１７０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ、再生ヘッドのトラック幅は１．５μ
ｍとした。磁気ヘッド１７０は、駆動部１８０によって
回転駆動されて磁気記録媒体１５０上のトラックを選択
できる。磁気ヘッド１７０による記録再生信号は記録再
生信号処理系１９０で処理される。
【００３４】磁気ヘッド１７０に用いた磁気抵抗効果素
子は、従来の構造の磁気抵抗効果素子の２．０倍の出力
を出すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高い
磁気ディスク装置を作製することもできる。
子は、従来の構造の磁気抵抗効果素子の２．０倍の出力
を出すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高い
磁気ディスク装置を作製することもできる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によると、磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドにおける再生出力を増大させることが可能となる。
ッドにおける再生出力を増大させることが可能となる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果素子の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果膜の磁化容易軸ｅの方向
と、バイアス磁界印加時の磁化方向Ｍとの関係を示す説
明図である。
と、バイアス磁界印加時の磁化方向Ｍとの関係を示す説
明図である。
【図３】外部磁界Ｈと磁気ヘッドの電圧変化ΔＶとの関
係を示す線図である。
係を示す線図である。
【図４】磁気抵抗効果膜の異方性磁界Ｈｋと再生出力と
の関係を示す線図である。
の関係を示す線図である。
【図５】本発明の磁気抵抗効果素子のその他の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の磁気抵抗効果素子のその他の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の記録再生分離型磁気ヘッドの構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】本発明の磁気記録再生装置の概略図である。
５…基板、１０…下部シ−ルド膜、２０…下部磁気ギャ
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石膜、７０…
電極、８０…上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０…上
部シ−ルド膜、１００…磁区制御用反強磁性膜、１１０
…絶縁用Ａｌ2Ｏ3膜、１２０…記録ヘッド用下部磁極、
１３０…記録ヘッド用上部磁極、１４０…コイル、１５
０…磁気記録媒体、１６０…磁気記録媒体駆動部、１７
０…磁気ヘッド、１８０…磁気ヘッド駆動部、１９０…
記録再生信号処理系、ｘ…磁気抵抗効果膜の長手方向、
ｅ…磁化容易軸方向、Ｍ…磁化の平均的な方向、θe …
ｘとｅのなす角、θd …ｅとＭのなす角
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石膜、７０…
電極、８０…上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０…上
部シ−ルド膜、１００…磁区制御用反強磁性膜、１１０
…絶縁用Ａｌ2Ｏ3膜、１２０…記録ヘッド用下部磁極、
１３０…記録ヘッド用上部磁極、１４０…コイル、１５
０…磁気記録媒体、１６０…磁気記録媒体駆動部、１７
０…磁気ヘッド、１８０…磁気ヘッド駆動部、１９０…
記録再生信号処理系、ｘ…磁気抵抗効果膜の長手方向、
ｅ…磁化容易軸方向、Ｍ…磁化の平均的な方向、θe …
ｘとｅのなす角、θd …ｅとＭのなす角
フロントページの続き (72)発明者 杉田 愃 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
に電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜
に横バイアス磁界を印加するための手段と、前記磁気抵
抗効果膜に縦バイアス磁界を印加するための手段とを含
み、前記磁気抵抗効果膜の磁化容易軸の方向とバイアス
磁界印加時の磁化方向のなす角度が６０°〜１２０°
で、前記磁気抵抗効果膜の異方性磁界の大きさが７Ｏｅ
以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
に電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜
に横バイアス磁界を印加するための手段と、前記磁気抵
抗効果膜に縦バイアス磁界を印加するための手段とを含
み、前記磁気抵抗効果膜の磁化容易軸の方向とバイアス
磁界印加時の磁化方向のなす角度が６０°〜１２０°
で、前記磁気抵抗効果膜の異方性磁界の大きさが１０Ｏ
ｅ〜３０Ｏｅであることを特徴とする磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項３】 基板上に積層して設けられた横バイアス
磁界印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜及び磁気抵抗効果
膜、前記磁気抵抗効果膜の長手方向両端部に設けられた
縦バイアス磁界印加用の一対の永久磁石膜、並びに前記
一対の永久磁石膜上に設けられた一対の電極とを備える
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項４】 基板上に積層して設けられた横バイアス
磁界印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜及び磁気抵抗効果
膜、前記磁気抵抗効果膜の長手方向に離間して設けられ
た一対の反強磁性を含む多層膜と、前記多層膜の上に設
けられた一対の電極とを備え、前記一対の反強磁性膜は
電極の下方領域に設けられていることを特徴とする請求
項１又は２記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】 基板上に積層して設けられた反強磁性
膜、前記反強磁性膜に長手方向両端部が接触するように
して積層された磁気抵抗効果膜、その上に積層された非
磁性導電膜及び横バイアス磁界印加用の軟磁性膜を含む
多層膜と、前記多層膜の上に設けられた一対の電極とを
備えることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗
効果素子。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気
抵抗効果素子を備えることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項７】 積層方向に離間して設けられた一対の磁
気シールド膜をさらに備え、前記磁気抵抗効果素子は前
記一対の磁気シールド膜の間に配置されていることを特
徴とする請求項６記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】 一対の磁極、該一対の磁極を磁気的に結
合する磁気回路手段及び前記磁気回路に鎖交するコイル
を含む磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと、前記請求項６又
は７記載の磁気ヘッドとを備えることを特徴とする記録
再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項９】 磁気記録媒体と、請求項６、７又は８の
いずれか１項に記載の磁気ヘッドと、前記磁気記録媒体
と前記ヘッドとを相対的に駆動する駆動手段と、前記磁
気ヘッドに接続された記録再生信号処理系とを含むこと
を特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269721A JPH09115114A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269721A JPH09115114A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115114A true JPH09115114A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17476246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7269721A Pending JPH09115114A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115114A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311686A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-18 JP JP7269721A patent/JPH09115114A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311686A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6141190A (en) | Magnetoresistive effect head | |
| KR960002612B1 (ko) | 자기 저항 효과형 자기헤드 | |
| KR20090031819A (ko) | 자기 헤드 및 자기 기록 장치 | |
| JP2003303406A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気ヘッド | |
| JP2003296907A (ja) | 磁気抵抗効果膜を有する磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置 | |
| JPH09191142A (ja) | 磁気抵抗装置および磁気センサ | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| US6545847B2 (en) | Magnetoresistive effect head | |
| JPH1186235A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JP2000011331A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド | |
| JPH1125431A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| US6697235B2 (en) | Magnetoresistive head and magnetic recoding/reproducing apparatus using the same | |
| JPH09115114A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH0877517A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造法 | |
| JP2897725B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3565925B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0922511A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH09251616A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH08124122A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH0836715A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH08129718A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気センサ | |
| JP2003208706A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0991630A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| WO1997011458A1 (fr) | Tete magnetoresistante | |
| JP2003263708A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド |