JPH0897347A - リード部材、半導体装置及びその製造方法並に半導体モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はフィルムキャリアテープを含むリー
ド部材に関し、半導体装置を小型にすることを目的とす
る。 【構成】 半導体チップにおける複数の電極の位置に対
応し、該電極との電気的接続用の複数のインナーリード
１２ａと、各インナーリード１２ａから連続的に延びる
複数のアウターリード１２ｃとを備えたリード部材にお
いて、複数のインナーリード１２ａから延びる複数のア
ウターリード１２ｃを半導体チップの一側面に向けるよ
うに介在する中間リード１２ｂを中間リード用樹脂テー
プ１１ａ上に設ける構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリアテー
プなどのリード部材、半導体装置、この半導体装置の製
造方法、この半導体装置を使用する半導体モジュールに
関するものである。

【０００２】近年、半導体モジュールにおける高密度実
装用パッケージとして、ＴＣＰ（Tape Carrier Packag
e），ＴＳＯＰ（Thin Small outline Package），ＶＳ
ＯＰ（Very Small Outline Package）等の半導体装置が
供給されている。

【０００３】そして、これらの小型化と、さらなる高密
度化が望まれ、これを実現できるリード部材が求められ
ている。

【０００４】プリント配線板に半導体装置を平面状に実
装すると、高い実装密度を得ることができないので、プ
リント配線板の垂直方向の空間を利用するように、プリ
ント配線板に半導体装置を立てて並べるか、平面状に実
装される半導体装置を積み重ねる手法が検討されてい
る。

【０００５】

【従来の技術】従来、半導体モジュールにおける半導体
装置の高密度化を図るものとして、縦型表面実装パッケ
ージ（ＶＳＭＰ，Vertical Surface Mount Package）型
の半導体装置が知られている。

【０００６】図１２（Ａ）に、従来のＶＳＭＰ型の半導
体装置及びこの半導体装置を備えた半導体モジュールの
構成断面図を示す。

【０００７】図１２（Ａ）の半導体装置１００はＴＳＯ
Ｐのような薄型パッケージを縦型表面実装のものに変更
したものであり、１０１はモールド樹脂製のパッケージ
であり、内部に半導体チップ（図示略）がリードフレー
ム１０２上に搭載される。

【０００８】リードフレーム１０２は、一辺に集中する
ように所定数の内部リード１０３および外部リード１０
４が形成されており、内部リード１０３と半導体チップ
のパッドとがワイヤー（図示略）にワイヤーボンディン
グされている。

【０００９】また、所定数の外部リード１０４は、両端
の２本が左右にＬ字状に折り曲げられ、その間に位置す
るものは左右の何れかにＬ字状に折り曲げられたもので
ある。

【００１０】この半導体装置１００は、その外部リード
１０４をプリント配線板１０５の表面上に立設され、配
線パターン１０６に半田付けされ、半導体モジュール１
０７を構成する。

【００１１】この半導体モジュール１０７は、その配線
パターン１０６をベース基板２００のボンディングパッ
ド２０１に接続することにより、ベース基板２００に実
装される。

【００１２】また、図１２（Ｂ）に、従来のＴＣＰ型の
半導体装置及びこの半導体装置を備えた半導体モジュー
ルの構成断面図を示す。

【００１３】図１２（Ｂ）の半導体装置１１０におい
て、１１１はポッティング樹脂であり、ベースフィルム
１１６に接続されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）
リード１１３の内部リード１１４と半導体チップ１１２
の電極とのインナーボンディングの箇所を被覆する。

【００１４】ＴＡＢリード１１３の外部リード１１５は
Ｌ字状に折り曲げられるものである。

【００１５】この半導体装置１１０は、その外部リード
１１５をプリント配線板１１７の表面上に横型で多段に
積み重なり、配線パターン１１８にアウターボンディン
グされ、半導体モジュール１１９を構成する。

【００１６】この半導体モジュール１１９は、その配線
パターン１１８をベース基板２００のボンディングパッ
ド２０１に接続することにより、ベース基板２００に実
装される。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置１００は縦型表面実装のため、外部リード１０４
を、両端の２本が左右にＬ字状に折り曲げ、その間に位
置するものを左右の何れかにＬ字状に折り曲げ、半導体
装置１００の厚さＷ１１より外部リード１４の範囲Ｗ１
２の方を長くし、モールド樹脂製のパッケージでリード
フレーム１０２の内部リード１０３を半導体チップのパ
ッドとワイヤーボンディングする構成である。

【００１８】このため、装置を大型化し、半導体モジュ
ール１０７におけるさらなる高密度化を図れないもので
あった。

【００１９】また、半導体装置１１０は横型で多段に積
み重なるため、外部リード１１５の長さおよび曲げ形状
を積層順に異ならせる。

【００２０】長さが異なるため、半導体装置１１０にお
いて、ＴＡＢリード１１３を成形するための金型を積層
順毎に要し、曲げ形状が異なるため、半導体装置１１０
を積層する際の調整を困難にし、半導体モジュール１１
９の製造歩留りを低下させるものであった。

【００２１】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、半導体装置を小型にすることができるリード部
材、半導体モジュールにおいて、さらなる高密度化を図
れる半導体装置及びその製造方法、並びに、この半導体
装置を使用した半導体モジュールを提供することを、そ
の目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の発明
の構成で解決される。

【００２３】請求項１の発明は、半導体チップにおける
複数の電極の位置に対応し、該電極との電気的接続用の
複数のインナーリードと、各インナーリードから連続的
に延びる複数のアウターリードとを備えたリード部材に
おいて、上記複数のインナーリードから延びる上記複数
のアウターリードを半導体チップの一側面に向けるよう
に介在する中間リードを電気的絶縁層上に設ける構成と
したことを特徴とするものである。

【００２４】また、請求項２の発明は、請求項１のリー
ド部材と、複数の電極を有する半導体チップと、この半
導体チップの側面に設けられた接着層と、を有する半導
体装置であって、上記リード部材を上記半導体チップの
表面に設け、上記リード部材の複数のインナーリードを
上記半導体チップの複数の電極と電気的に接続し、上記
リード部材のアウターリードを曲げ、上記半導体チップ
の接着層に固定する構成としたことを特徴とするもので
ある。

【００２５】また、請求項３の発明は、請求項１のリー
ド部材と、複数の電極を有する半導体チップと、を有す
る半導体装置であって、上記リード部材を上記半導体チ
ップの表面に設け、上記リード部材の複数のインナーリ
ードを上記半導体チップの複数の電極と電気的に接続
し、上記リード部材のアウターリードを外側に延出させ
るように上記半導体チップおよび上記リード部材を封止
する封止部を設け、この封止部の外側に延出するアウタ
ーリードを曲げ、上記封止部の側面に設けられた接着層
に固定する構成としたことを特徴とするものである。

【００２６】また、請求項４の発明は、請求項１のリー
ド部材と、複数の電極を有する半導体チップと、この半
導体チップの側面に設けられた接着層と、を有する半導
体装置であって、上記リード部材を上記半導体チップの
表面に設け、上記リード部材の複数のインナーリードを
上記半導体チップの複数の電極と電気的に接続し、上記
リード部材のアウターリードを外側に延出させるように
上記半導体チップおよび上記リード部材を被覆するよう
にポッテッィングしたポッテッィング部を設け、このポ
ッテッィッグ部の外側に延出するアウターリードを曲
げ、上記半導体チップの側面に設けられた接着層に固定
する構成としたことを特徴とするものである。

【００２７】また、請求項５の発明は、請求項１のリー
ド部材および複数の電極を有する半導体チップを準備
し、この半導体チップの側面に接着層を設け、上記リー
ド部材を上記半導体チップの表面に設け、上記リード部
材の複数のインナーリードを上記半導体チップの複数の
電極と電気的に接続し、上記リード部材のアウターリー
ドを曲げ、上記半導体チップの接着層に固定することを
特徴とする半導体装置の製造方法である。

【００２８】また、請求項６の発明は、請求項１のリー
ド部材および複数の電極を有する半導体チップを準備
し、上記リード部材を上記半導体チップの表面に設け、
上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
ップの複数の電極と電気的に接続し、上記リード部材の
アウターリードを外側に延出させるように上記半導体チ
ップおよび上記リード部材を封止する封止部を設け、こ
の封止部の外側に延出するアウターリードを曲げ、上記
封止部の側面に設けられた接着層に固定することを特徴
とする半導体装置の製造方法である。

【００２９】また、請求項７の発明は、請求項１のリー
ド部材および複数の電極を有する半導体チップを準備
し、この半導体チップの側面に接着層を設け上記リード
部材を上記半導体チップの表面に設け、上記リード部材
の複数のインナーリードを上記半導体チップの複数の電
極と電気的に接続し、上記リード部材のアウターリード
を外側に延出させるように上記半導体チップおよび上記
リード部材を被覆するようにポッテッィングしたポッテ
ッィング部を設け、このポッテッィッグ部の外側に延出
するアウターリードを曲げ、上記半導体チップの側面に
設けられた接着層に固定することを特徴とする半導体装
置の製造方法である。

【００３０】また、請求項８の発明は、請求項２〜４い
ずれか１項記載の複数の半導体装置と、パッドおよび外
部電極で構成される配線パターンを有するプリント配線
板と、を備える半導体モジュールであって、上記複数の
半導体装置を上記プリント配線板に設け、上記半導体装
置のアウターリードを上記プリント配線板のパッドに電
気的に接続する構成としたことを特徴とするものであ
る。

【００３１】また、請求項９の発明は、請求項２〜４い
ずれか１項記載の複数の半導体装置と、パッドおよび外
部電極で構成される配線パターンを両面に有するプリン
ト配線板と、を備える半導体モジュールであって、上記
複数の半導体装置を上記プリント配線板の両面に設け、
上記半導体装置のアウターリードを上記プリント配線板
のパッドに電気的に接続する構成としたことを特徴とす
るものである。

【００３２】

【作用】上述のように、請求項１の発明に係るリード部
材は、複数のインナーリードから延びる複数のアウター
リードを半導体チップの一側面に向けるように介在する
中間リードを電気的絶縁層上に設ける構成としたので、
半導体チップの電極を装置の一側面に引き回しながら集
中させる半導体装置に使用されることが可能となる。

【００３３】また、請求項２の発明に係る半導体装置
は、リード部材を有するので、半導体チップ１の複数の
電極をアウターリードによって側面に集中させることが
できる。

【００３４】アウターリードを曲げ、半導体チップの接
着層に固定するので、アウターリードの長さを装置の幅
と同じにすることができ、半導体チップの厚さに近くな
るように装置の幅を薄くすることができる。

【００３５】このため、半導体チップに限り無く近いサ
イズまで半導体装置の小型化を可能とし、実装基板に直
立で実装される際に、実装面積を縮小し、さらなる高密
度化を達成する。

【００３６】また、請求項３の発明に係る半導体装置
は、リード部材のアウターリードを外側に延出させるよ
うに上記半導体チップおよび上記リード部材を封止する
封止部を設けるので、半導体チップの表面およびインナ
ーリードを保護することができ、そのままの状態で半導
体モジュールに実装されることができる。

【００３７】また、請求項４の発明に係る半導体装置
は、半導体チップおよび上記リード部材を被覆するよう
にポッテッィングしたポッテッィング部を設け、アウタ
ーリードを半導体チップの側面に設けられた接着層に固
定するので、請求項３の半導体装置よりさらに装置の小
型化を図ることができる。

【００３８】また、請求項５の発明に係る半導体装置の
製造方法は、請求項１のリード部材および複数の電極を
有する半導体チップを準備し、この半導体チップの側面
に接着層を設け、リード部材を半導体チップの表面に設
け、リード部材の複数のインナーリードを半導体チップ
の複数の電極と電気的に接続し、リード部材のアウター
リードを曲げ、上記半導体チップの接着層に固定するの
で、請求項２の半導体装置を製造することができる。

【００３９】また、請求項６の発明に係る半導体装置の
製造方法は、リード部材のアウターリードを外側に延出
させるように半導体チップおよびリード部材を封止する
封止部を設け、この封止部の外側に延出するアウターリ
ードを曲げ、封止部の側面に設けられた接着層に固定す
るので、請求項３の半導体装置を製造することができ
る。

【００４０】また、請求項７の発明に係る半導体装置の
製造方法は、半導体チップの側面に接着層を設け、リー
ド部材のアウターリードを外側に延出させるように半導
体チップおよびリード部材を被覆するようにポッテッィ
ングしたポッテッィング部を設け、このポッテッィッグ
部の外側に延出するアウターリードを曲げ、上記半導体
チップの側面に設けられた接着層に固定するので、請求
項４の半導体装置を製造することができる。

【００４１】また、請求項８の発明に係る半導体モジュ
ールは、請求項２〜４いずれか１項記載の複数の半導体
装置をプリント配線板に設け、半導体装置のアウターリ
ードをプリント配線板のパッドに電気的に接続する構成
としたので、プリント配線板に半導体装置を実装する際
の密度を向上させることができる。

【００４２】また、半導体モジュールの大容量化または
小型・軽量化を図ることができ、性能向上に寄与すると
ころが大きい。

【００４３】また、請求項９の発明に係る半導体モジュ
ールは、パッドおよび外部電極で構成される配線パター
ンを両面に有するプリント配線板を備え、複数の半導体
装置をプリント配線板の両面に設けるので、さらに、実
装密度を向上させることができる。

【００４４】

【実施例】図１に、本発明の第１実施例に係るリード部
材となるフィルムキャリアテープの斜視図を示す。

【００４５】このフィルムキャリアテープ１０は、２辺
に電極パッドを有する半導体チップを搭載するためのも
のである。

【００４６】フィルムキャリアテープ１０は、電気絶縁
性および緩衝性を有する可撓性の樹脂テープ１１と、図
示しない接着剤の層と、一方向に集中するように延びメ
ッキされたＴＡＢリード１２と、メッキされたテストパ
ッド１３と、インナーリードホール１４と、軽量化用ホ
ール１５と、アウターリードホール１６と、スプロケッ
トホール１７とで構成される。

【００４７】樹脂テープ１１は、ポリイミド、ガラスエ
ポキシ、ガラス布にＢＴレジン樹脂を含浸させたＢＴレ
ジン、ポリエステル、ユーピレックス（商品名）、ＴＸ
−１（商品名）などの材料が使用される。

【００４８】樹脂テープ１１には、従来のデバイスホー
ルに形成された中間リード用樹脂テープ１１ａと、ＴＡ
Ｂリード１２を接着剤の層を介して接続する緩衝用樹脂
テープ１１ｂを含む。

【００４９】この樹脂テープ１１に、コ字状のインナー
リードホール１４、中間リード用樹脂テープ１１ａを軽
量化するための軽量化用ホール１５、アウターリードホ
ール１６、スプロケットホール１７が形成されている。

【００５０】接着剤の層は樹脂テープ１１にＴＡＢリー
ド１２を接着するものであり、エポキシ系、フェノール
系などの接着剤が使用される。

【００５１】ＴＡＢリード１２は、導電層となる電解銅
箔または圧延銅箔から形成され、厚さ３５μｍまたは１
８μｍとした。厚さが１８μｍのＴＡＢリード１２の銅
材には、ヤング率を高めるため、Ｓｎ等の金属が混入さ
れている。ＴＡＢリード１２の表面には、図示しない
が、Ｓｎ、Ａｕ、半田などのメッキが施されている。

【００５２】また、ＴＡＢリード１２は、インナーリー
ド１２ａと中間リード１２ｂと外部電極となるアウター
リード１２ｃとで構成される。

【００５３】インナーリード１２ａは樹脂テープ１１か
らインナーリードホール１４へ２方向に突き出ている。
図２に示すように、半導体チップ１の電極パッド２とイ
ンナーボンディングされる。

【００５４】中間リード１２ｂはインナーリード１２ａ
から延び、２方向に突き出たインナーリード１２ａを１
方向に集中させ、できるだけ中間リード用樹脂テープ１
１ａの表面積を少なくするように中間リード用樹脂テー
プ１１ａ上に接着剤の層を介して配設される。

【００５５】アウターリード１２ｃは中間リード１２ｂ
からテストパッド１３まで延び、緩衝用樹脂テープ１１
ｂを介してインナーリードホール１４およびアウターリ
ードホール１６を跨いでいる。

【００５６】このようなフィルムキャリアテープ１０
は、中間リード用樹脂テープ１１ａおよび中間リード１
２ｂを有するので、半導体チップの２辺以上に存在する
出力・入力のための電極を１側面に引き回しながら集中
させるＴＡＢの半導体装置に使用されることができる。

【００５７】なお、フィルムキャリアテープ１０のイン
ナーリード１２ａは、半導体チップの４辺に配設された
電極パッドに対応するものであっても、半導体チップの
４辺以外の中央部に配設された電極パッドに対応するも
のであってもよい。

【００５８】次に、フィルムキャリアテープ１０の製造
方法を説明する。

【００５９】まず、樹脂テープ１１の上面に接着剤を塗
布する。この接着剤の層が形成された樹脂テープ１１に
金型でパンチングする。この結果、インナーリードホー
ル１４、軽量化用ホール１５、アウターリードホール１
６、スプロケットホール１７が樹脂テープ１１に形成さ
れる。

【００６０】この後、樹脂テープ１１に接着剤の層を介
して、熱ローラの回転により銅箔を貼り合わせる。

【００６１】この後、銅箔に、レジスト塗布、マスク露
光、現像、ウエットエッチングを行い、ＴＡＢリード１
２およびテストパッド１３を形成する。ＴＡＢリード１
２およびテストパッド１３にメッキ処理を行う。

【００６２】この結果、図１に示すフィルムキャリアテ
ープ１０が完成する。

【００６３】次に、図１のフィルムキャリアテープ１０
を使用した第１の半導体装置を図３を参照して説明す
る。図３（Ａ）はこの半導体装置の斜視図、図３（Ｂ）
はその正面図を示す。

【００６４】この半導体装置２０は、２辺に電極パッド
２を配設する半導体チップ体５１をフィルムキャリアテ
ープ１０に搭載するものである。

【００６５】フィルムキャリアテープ１０は、図２の２
点鎖線Ｘで囲まれた箇所で切断される。半導体チップ１
のパッシベーション膜３上に中間リード用樹脂テープ１
１ａが載置される。ＴＡＢリード１２のインナーリード
１２ａに半導体チップ１の電極パッド２が熱圧着または
超音波ボンディングで電気的に接続される。

【００６６】アウターリード１２ｃはインナーリード１
２ａから連続的に延び、側面４と平行となるように折り
曲げられる。この折り曲げられたアウターリード１２ｃ
に接着剤の層を介して接続される緩衝用樹脂テープ１１
は、接着層２１により半導体チップ１の側面４に接続さ
れる。

【００６７】接着層２１は、熱硬化または紫外線硬化の
接着剤を使用する。

【００６８】アウターリード１２ｃは、半導体モジュー
ルのプリント配線板、ＭＣＭ（Multi Chip Module）、
他の半導体チップなどの実装基板の電極と半導体装置２
０との電気的接続に使用される。

【００６９】このような半導体装置２０は、フィルムキ
ャリアテープ１０を使用するので、半導体チップ１の２
辺以上に存在する出力・入力のための電極パッド２を１
側面４に引き回しながら集中させ、アウターリード１２
ｃの長さを装置の幅Ｗ１と同じになり、半導体チップ１
の厚さに近くなるように幅Ｗ１を薄くする。

【００７０】このため、半導体チップ１に限り無く近い
サイズまで装置の小型化を可能とし、実装基板に直立で
実装される際に、実装面積を縮小し、さらなる高密度化
を達成する。

【００７１】次に、図１のフィルムキャリアテープ１０
を使用した第２の半導体装置を図４を参照して説明す
る。図４はこの半導体装置の構成を示す正面図である。

【００７２】この半導体装置２５はアウターリード１２
ｃを円弧状に曲げ、緩衝用樹脂テープ１１ｂの代わりに
緩衝部材となるシリコーンゴム２６で半導体チップ１の
側面４に接続される。その他の構成を半導体装置２０と
同じとする。

【００７３】半導体装置２５はアウターリード１２ｃを
円弧状に曲げるので、半導体装置１０のアウターリード
１２ｃより機械的応力を緩和し、半導体モジュール等に
実装される際に半導体モジュール等のパッドとの間に半
田を吸い込みやすくすることができ、シリコーンゴム２
６を用いるので、接着層を不要とする。

【００７４】次に、図１のフィルムキャリアテープ１０
を使用した第３の半導体装置を図５を参照して説明す
る。図５（Ａ）はこの半導体装置の斜視図を示し、図５
（Ｂ）はその正面の断面図を示す。

【００７５】この半導体装置３０は、半導体装置２０
に、半導体チップ１の裏面５を露出させるように半導体
チップ１およびＴＡＢリード１２を被覆するエポキシ樹
脂等のモールド封止部３１を設け、折り曲げられたアウ
ターリード１２ｃに接着剤の層を介して接続される緩衝
用樹脂テープ１１を接着層２１によりモールド封止部３
１の側面３２に接続する。

【００７６】半導体装置３０は半導体装置２０をモール
ド封止部３１で封止するので、半導体チップ１の表面お
よびインナーリード１２ａを保護することができ、その
ままの状態で半導体モジュールに実装される。

【００７７】また、アウターリード１２ｃを折り曲げた
長さＷ２を装置の幅Ｗ２より短くするので、装置の小型
化を図れる。

【００７８】なお、半導体装置２０の代わりに半導体装
置２５を用いてもよい。

【００７９】次に、図１のフィルムキャリアテープ１０
を使用した第４の半導体装置を図６を参照して説明す
る。図６はこの半導体装置の正面の断面図を示す。

【００８０】この半導体装置４０は、半導体装置２０
に、半導体チップ１上を被覆する液状エポキシ樹脂等の
ポッティング部４１を設け、折り曲げられたアウターリ
ード１２ｃに接着剤の層を介して接続される緩衝用樹脂
テープ１１を接着層２１により半導体チップ１の側面４
に接続する。

【００８１】半導体装置４０は半導体装置２０をポッテ
ィング部４１で封止するので、半導体チップ１の表面お
よびインナーリード１２ａを保護することができ、その
ままの状態で半導体モジュールに実装される。

【００８２】また、半導体チップ１の側面４に他の部材
を介すること無く接着層２１を接続するので、半導体装
置３０よりさらに装置の小型化を図れる。

【００８３】なお、半導体装置２０の代わりに半導体装
置２５を用いてもよい。

【００８４】次に、半導体装置３０の製造方法を図２、
図７を参照して説明する。

【００８５】まず、図７（Ａ）に示すように、フィルム
キャリアテープ１０のインナーリード１２ａを半導体チ
ップ１と、シングルＴＡＢボンディング等のボンディン
グツール８１でインナーボンディングを行う。

【００８６】このとき、フィルムキャリアテープ１０は
２点鎖線Ｘで囲まれる箇所で切断されていない。

【００８７】次いで、図７（Ｂ）に示すように、トラン
スファーモールドにより、半導体チップ１の裏面５を露
出させ、アウターリード１２ｃを延出させ、緩衝用樹脂
テープ１１ｂを出すように、エポキシ樹脂等のモールド
封止部３１を成形し、半導体チップ１の表面およびイン
ナーリード１２ａを保護する。

【００８８】次に、図７（Ｃ）の断面図に示すように、
モールド封止部３１の側面３２の下部に熱硬化または紫
外線硬化の接着剤を塗布し、接着層２１を形成する。

【００８９】次いで、図７（Ｄ）に示すように、モール
ド封止部３１の外部に延出するアウターリード１２ｃを
側面３２と平行となるように折り曲げながら、緩衝用樹
脂テープ１１ｂを接着層２１に押し当て加熱を施しまた
は紫外線を照射して、硬化した接着層１２に緩衝用樹脂
テープ１１ｂを接続し固定する。

【００９０】フィルムキャリアテープ１０のテストパッ
ド１３を介して半導体チップ１の機能試験を行い、図２
に示すフィルムキャリアテープ１０の２点鎖線Ｘで囲ま
れた箇所を切断する。

【００９１】次に、図７（Ｅ）に示すように、アウター
リード１２ｃにおいて、モールド封止部３１の下面から
突出する部分を切断し、単体としての半導体装置３０が
完成する。

【００９２】次に、半導体装置４０の製造方法を説明す
る。

【００９３】この製造方法は、図７（Ｂ）に示す場合
に、ポッティングにより、液状のエポキシ樹脂等のポッ
ティング部４１を形成し、半導体チップ１の表面および
インナーリード１２ａを保護し、図７（Ｃ）に示す場合
に、半導体チップ１の側面４の下部に熱硬化または紫外
線硬化の接着剤を塗布し、接着層２１を形成する構成以
外のものを半導体装置３０の製造方法と同じである。

【００９４】次に、図８を参照して、第１の半導体モジ
ュールを説明する。

【００９５】この半導体モジュール５０はベース基板２
００のボンディングパッド２０１に、半導体モジュール
５０の外部電極５３を電気的に接続させるもので、配線
パターン５２を有するプリント配線板５１に複数個の半
導体装置３０（または半導体装置４０）を直立で格子状
に実装する。

【００９６】配線パターン５２は、上面から四方の外側
にＬ字状に成形された外部電極５３と、外部電極５３に
電気的に接続され、上面に配列されたパッド５４とを有
し、各パッド５４に、半導体装置３０（４０）のアウタ
リード１２ｃをソルダリング等で電気的に接続する。

【００９７】このような半導体モジュール５０は、小型
の半導体装置３０（４０）を実装するので、プリント配
線板５１の上面に半導体装置３０（４０）を実装する際
の密度を向上させることができる。

【００９８】また、半導体モジュール５０の大容量化ま
たは小型・軽量化を図ることができ、性能向上に寄与す
るところが大きい。

【００９９】なお、半導体モジュール５０をベース基板
２００の下面に実装してもよい。

【０１００】次に、図９を参照して、第２の半導体モジ
ュールを説明する。

【０１０１】この半導体モジュール６０は、配線パター
ン６２、６３を左右面に有するプリント配線板６１の左
右面に多数の半導体装置３０（または半導体装置４０）
を直立で格子状に実装する。

【０１０２】配線パターン６２は、左面から外側に逆Ｌ
字状に成形された外部電極６４と、外部電極６４に電気
的に接続され、左面に配列されたパッド６６とを有し、
パッド６６に、半導体装置３０（４０）のアウタリード
１２ｃをソルダリング等で電気的に接続する。

【０１０３】配線パターン６３は、右面から外側にＬ字
状に成形された外部電極６５と、外部電極６５に電気的
に接続され、右面に配列されたパッド６７とを有し、パ
ッド６７に、半導体装置３０（４０）のアウタリード１
２ｃをソルダリング等で電気的に接続する。

【０１０４】このような半導体モジュール６０は、半導
体装置３０（４０）を両面に格子状に実装するので、さ
らに、実装密度を向上させることができる。

【０１０５】また、ベース基板２００のボンディングパ
ッド２０１に、多数の半導体モジュール６０の外部電極
６４、６５を電気的に接続させ、格子状に実装すること
ができる。

【０１０６】なお、図１０に示すように、上下面にボン
ディングパッド２１１、２１２を有するベース基板２１
０の上下面に、半導体モジュール６０を格子状に実装す
るようにしてもよい。

【０１０７】次に、図１１を参照して、第３の半導体モ
ジュールを説明する。

【０１０８】この半導体モジュール７０は、配線パター
ン７２を有するプリント配線板７１に複数個の半導体装
置３０（または半導体装置４０）を積み重ねて実装す
る。

【０１０９】配線パターン７２は、上面から四方の外側
にＬ字状に成形された外部電極７３と、外部電極７３に
電気的に接続され、上面に配列されたパッド７４とを有
し、各パッド７４に、半導体装置３０（４０）のアウタ
リード１２ｃをソルダリング等で電気的に接続する。

【０１１０】各半導体装置３０（４０）のアウタリード
１２ｃ間の電気的接続を異方性導電フィルム７５で行う
ものである。

【０１１１】このような半導体モジュール７０は、一定
の形状および長さのアウタリード１２ｃを備えるので、
アウタリード１２ｃを成形するための金型を積層順毎に
同じものとし、半導体装置３０（４０）を積み重ねる際
の調整を容易にし、半導体モジュール７０の製造歩留り
を向上させる。

【０１１２】また、図８のベース基板２００のボンディ
ングパッド２０１に、半導体モジュール７０の外部電極
７３を電気的に接続させることができる。

【０１１３】

【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
複数のインナーリードから延びる複数のアウターリード
を半導体チップの一側面に向けるように介在する中間リ
ードを電気的絶縁層上に設ける構成としたので、半導体
チップの電極を装置の一側面に引き回しながら集中させ
る半導体装置に使用されることが可能となる。

【０１１４】また、請求項２の発明によれば、リード部
材を有するので、半導体チップ１の複数の電極をアウタ
ーリードによって側面に集中させることができる。

【０１１５】アウターリードを曲げ、半導体チップの接
着層に固定するので、アウターリードの長さを装置の幅
と同じにすることができ、半導体チップの厚さに近くな
るように装置の幅を薄くすることができる。

【０１１６】このため、半導体チップに限り無く近いサ
イズまで半導体装置の小型化を可能とし、実装基板に直
立で実装される際に、実装面積を縮小し、さらなる高密
度化を達成する。

【０１１７】また、請求項３の発明によれば、リード部
材のアウターリードを外側に延出させるように上記半導
体チップおよび上記リード部材を封止する封止部を設け
るので、半導体チップの表面およびインナーリードを保
護することができ、そのままの状態で半導体モジュール
に実装されることができる。

【０１１８】また、請求項４の発明によれば、半導体チ
ップおよび上記リード部材を被覆するようにポッテッィ
ングしたポッテッィング部を設け、アウターリードを半
導体チップの側面に設けられた接着層に固定するので、
請求項３の半導体装置よりさらに装置の小型化を図るこ
とができる。

【０１１９】また、請求項５の発明によれば、請求項１
のリード部材および複数の電極を有する半導体チップを
準備し、この半導体チップの側面に接着層を設け、リー
ド部材を半導体チップの表面に設け、リード部材の複数
のインナーリードを半導体チップの複数の電極と電気的
に接続し、リード部材のアウターリードを曲げ、上記半
導体チップの接着層に固定するので、請求項２の半導体
装置を製造することができる。

【０１２０】また、請求項６の発明によれば、リード部
材のアウターリードを外側に延出させるように半導体チ
ップおよびリード部材を封止する封止部を設け、この封
止部の外側に延出するアウターリードを曲げ、封止部の
側面に設けられた接着層に固定するので、請求項３の半
導体装置を製造することができる。

【０１２１】また、請求項７の発明によれば、半導体チ
ップの側面に接着層を設け、リード部材のアウターリー
ドを外側に延出させるように半導体チップおよびリード
部材を被覆するようにポッテッィングしたポッテッィン
グ部を設け、このポッテッィッグ部の外側に延出するア
ウターリードを曲げ、上記半導体チップの側面に設けら
れた接着層に固定するので、請求項４の半導体装置を製
造できる。

【０１２２】また、請求項８の発明によれば、請求項２
〜４いずれか１項記載の複数の半導体装置をプリント配
線板に設け、半導体装置のアウターリードをプリント配
線板のパッドに電気的に接続する構成としたので、プリ
ント配線板に半導体装置を実装する際の密度を向上させ
ることができる。

【０１２３】また、半導体モジュールの大容量化または
小型・軽量化を図ることができ、性能向上に寄与すると
ころが大きい。

【０１２４】また、請求項９の発明によれば、パッドお
よび外部電極で構成される配線パターンを両面に有する
プリント配線板を備え、複数の半導体装置をプリント配
線板の両面に設けるので、さらに、実装密度を向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るフィルムキャリアテー
プの構成を示す図である。

【図２】図１のフィルムキャリアテープに半導体チップ
を接続した状態を示す斜視図である。

【図３】図１のフィルムキャリアテープを使用した第１
の半導体装置の構成を示す図である。

【図４】図１のフィルムキャリアテープを使用した第２
の半導体装置の構成を示す図である。

【図５】図１のフィルムキャリアテープを使用した第３
の半導体装置の構成を示す図である。

【図６】図１のフィルムキャリアテープを使用した第４
の半導体装置の構成を示す図である。

【図７】図５の半導体装置の製造方法を説明するための
図である。

【図８】第１の半導体モジュールの構成及びベース基板
への実装構造を示す正面図である。

【図９】第２の半導体モジュールの構成及びベース基板
への実装構造を示す正面図である。

【図１０】ベース基板への実装構造を示す正面図であ
る。

【図１１】第３の半導体モジュールの構成を示す正面図
である。

【図１２】従来の半導体装置及び半導体モジュールの構
成を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ ２ 電極パッド ３ パッシベーション膜 ４ 側面 １０ フィルムキャリア １１ 樹脂テープ １１ａ 中間リード用樹脂テープ １１ｂ 緩衝用樹脂テープ １２ ＴＡＢリード １２ａ インナーリード １２ｂ 中間リード １２ｃ アウターリード １３ テストパッド １４ インナーリードホール １５ 軽量化ホール １６ アウターリードホール １８ 接着剤の層 ２０ 半導体装置 ２１ 接着層 ２５ 半導体装置 ２６ シリコーンゴム ３０ 半導体装置 ３１ モールド封止部 ３２ 側面 ４０ 半導体装置 ４１ ポッティング部 ５０ 半導体モジュール ５１ プリント配線板 ５２ 配線パターン ５３ 外部電極 ５４ パッド ６０ 半導体モジュール ６１ プリント配線板 ６２ 配線パターン ６３ 配線パターン ６４ 外部電極 ６５ 外部電極 ６６ パッド ６７ パッド ７０ 半導体モジュール ７１ プリント配線板 ７２ 配線パターン ７３ 外部電極 ７４ パッド ８１ ボンディングツール ２００ ベース基板 ２０１ ボンディングパッド ２１０ ベース基板 ２１１ ボンディングパッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水越 正孝 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 薗 陸郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップにおける複数の電極の位置
   に対応し、該電極との電気的接続用の複数のインナーリ
   ードと、 各インナーリードから連続的に延びる複数のアウターリ
   ードとを備えたリード部材において、 上記複数のインナーリードから延びる上記複数のアウタ
   ーリードを半導体チップの一側面に向けるように介在す
   る中間リードを電気的絶縁層上に設ける構成としたこと
   を特徴とするリード部材。
2. 【請求項２】 請求項１のリード部材と、 複数の電極を有する半導体チップと、 この半導体チップの側面に設けられた接着層と、を有す
   る半導体装置であって、 上記リード部材を上記半導体チップの表面に設け、 上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
   ップの複数の電極と電気的に接続し、 上記リード部材のアウターリードを曲げ、上記半導体チ
   ップの接着層に固定する構成としたことを特徴とする半
   導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１のリード部材と、 複数の電極を有する半導体チップと、を有する半導体装
   置であって、 上記リード部材を上記半導体チップの表面に設け、 上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
   ップの複数の電極と電気的に接続し、 上記リード部材のアウターリードを外側に延出させるよ
   うに上記半導体チップおよび上記リード部材を封止する
   封止部を設け、 この封止部の外側に延出するアウターリードを曲げ、上
   記封止部の側面に設けられた接着層に固定する構成とし
   たことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１のリード部材と、 複数の電極を有する半導体チップと、 この半導体チップの側面に設けられた接着層と、を有す
   る半導体装置であって、 上記リード部材を上記半導体チップの表面に設け、 上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
   ップの複数の電極と電気的に接続し、 上記リード部材のアウターリードを外側に延出させるよ
   うに上記半導体チップおよび上記リード部材を被覆する
   ようにポッテッィングしたポッテッィング部を設け、 このポッテッィッグ部の外側に延出するアウターリード
   を曲げ、上記半導体チップの側面に設けられた接着層に
   固定する構成としたことを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１のリード部材および複数の電極
   を有する半導体チップを準備し、 この半導体チップの側面に接着層を設け、 上記リード部材を上記半導体チップの表面に設け、 上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
   ップの複数の電極と電気的に接続し、 上記リード部材のアウターリードを曲げ、上記半導体チ
   ップの接着層に固定することを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１のリード部材および複数の電極
   を有する半導体チップを準備し、 上記リード部材を上記半導体チップの表面に設け、 上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
   ップの複数の電極と電気的に接続し、 上記リード部材のアウターリードを外側に延出させるよ
   うに上記半導体チップおよび上記リード部材を封止する
   封止部を設け、 この封止部の外側に延出するアウターリードを曲げ、上
   記封止部の側面に設けられた接着層に固定することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１のリード部材および複数の電極
   を有する半導体チップを準備し、 この半導体チップの側面に接着層を設け上記リード部材
   を上記半導体チップの表面に設け、 上記リード部材の複数のインナーリードを上記半導体チ
   ップの複数の電極と電気的に接続し、 上記リード部材のアウターリードを外側に延出させるよ
   うに上記半導体チップおよび上記リード部材を被覆する
   ようにポッテッィングしたポッテッィング部を設け、 このポッテッィッグ部の外側に延出するアウターリード
   を曲げ、上記半導体チップの側面に設けられた接着層に
   固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項２〜４いずれか１項記載の複数の
   半導体装置と、 パッドおよび外部電極で構成される配線パターンを有す
   るプリント配線板と、を備える半導体モジュールであっ
   て、 上記複数の半導体装置を上記プリント配線板に設け、 上記半導体装置のアウターリードを上記プリント配線板
   のパッドに電気的に接続する構成としたことを特徴とす
   る半導体モジュール。
9. 【請求項９】 請求項２〜４いずれか１項記載の複数の
   半導体装置と、 パッドおよび外部電極で構成される配線パターンを両面
   に有するプリント配線板と、を備える半導体モジュール
   であって、 上記複数の半導体装置を上記プリント配線板の両面に設
   け、 上記半導体装置のアウターリードを上記プリント配線板
   のパッドに電気的に接続する構成としたことを特徴とす
   る半導体モジュール。