JPH0894647A - プローブ、該プローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、および前記プローブを用いた記録再生装置 - Google Patents

プローブ、該プローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、および前記プローブを用いた記録再生装置

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JPH0894647A
JPH0894647A JP6226189A JP22618994A JPH0894647A JP H0894647 A JPH0894647 A JP H0894647A JP 6226189 A JP6226189 A JP 6226189A JP 22618994 A JP22618994 A JP 22618994A JP H0894647 A JPH0894647 A JP H0894647A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ティップの可動距離を長くして制御性を良く
し、制御性の良いプローブを提供する。 【構成】 基板上に空隙を介して形成された平板駆動部
と、基板に平行な同一直線上に配置され平板駆動部を基
板に対して回転自在に支持する二つの梁と、平板駆動部
を駆動する駆動手段と、平板駆動部の一端に設けられた
情報入出力用のティップとを有するトーションレバー型
のプローブにおいて,2つの梁は、それぞれ平板駆動部
の一端から他端までの間の中央よりも他端側に配置され
ている。また、2つの梁を通る平板駆動部の回転軸で平
板駆動部を2つの領域に2分し、ティップを有する領域
を第1の領域とする一方、ティップを有しない領域を第
2の領域としたとき、2つの領域の重量比は、第1の領
域の重量/第2の領域の重量<1の関係を満たす。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トーションレバー型プ
ローブ及びこれを用いた走査型プローブ顕微鏡、記録再
生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、導体の表面原子の電子構造を直接
観察できる走査型トンネル顕微鏡(以下、STMと略
す)が開発され[G. Binning et al.P
hys.Rev.Lett,49,57(198
2)]、単結晶、非結晶を問わず実空間像を高い分解能
で測定できるようになった。
【0003】STMは、試料に対して電流による損傷を
与えずに低電力で観測できる利点を有し、大気中でも動
作し、種々の材料に対して用いることができるため、広
範囲な応用が期待されている。
【0004】STMは金属のティップと導電性物質間に
電圧を加えて1nm程度の距離まで近づけるとトンネル
電流が流れることを利用している。この電流は両者の距
離変化に非常に敏感であり、トンネル電流を一定に保つ
ようにティップを走査することで、実空間の全電子雲に
関するいろいろな情報を読み取ることができる。この
時、面内方向の分解能は0.1nm程度であり、STM
の原理を応用すれば十分に原子オーダー(サブ・ナノメ
ートル)での高密度記録再生を行うことが可能である。
【0005】例えば、記録層として電圧や電流のスイッ
チング特性に対してメモリ効果を持つ材料であるπ電子
系有機化合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、
記録、再生をSTMで行う方法が提案されている[特開
昭63―161552号公報、特開昭63―16155
3号公報参照]。
【0006】これらの方法によれば、記録のビットサイ
ズを10nmとすると、1012bit/cm2 もの大容
量記録再生が可能である。
【0007】ここで、装置の小型化を目的として、半導
体フォトリソグラフィプロセスを用い、複数のプローブ
を極めて小型の可動機構で半導体基板上に形成すること
が、マイクロメカニクス技術により検討されている。
【0008】そのプローブの可動機構に用いる典型的な
微小機械としては、静電カンチレバー、圧電バイモルフ
カンチレバー(米国特許第4,906,840号明細書
参照)などが提案されている。これら微小機械は、半導
体フォトリソグラフィプロセスにより作製され、アレイ
化、低コスト化が容易であり、小型化することで高速応
答性が期待できる。特に静電カンチレバーは、自己変位
する圧電バイモルフカンチレバーに比べ、外部からの電
圧印加による静電引力にて変位するために、サイズに比
して大きな変位を行なうことが可能である。
【0009】また、その他に、両端支持梁のねじれ弾性
を利用して、両端支持梁上に形成された平板部を静電駆
動させるタイプ(以下、トーションレバー型プローブと
称す)が提案されている(特開平4−1948号公報参
照)。
【0010】このトーションレバー型プローブは、カン
チレバー型と異なり、レバーのたわみ弾性と梁のねじれ
弾性を独立に設定できるため、剛性と共振周波数に自由
度のある微小変位素子を作製することができる。また、
静電カンチレバーは、電圧を印加することにより、レバ
ーの先端が基板の方向に変化するため、対向する媒体と
の距離が制御しにくいのに対して、トーションレバー型
は電圧を印加することにより、レバーの先端が基板と反
対方向に変位するため、媒体との距離が制御しやすい利
点がある。
【0011】図11は、トーションレバー型プローブを
示す斜視図である。図12は図11に示したプローブの
A−A’線断面図であり、同図(a)はプローブの非駆
動時の様子を表わす図、同図(b)はプローブの駆動時
の様子を表わす図である。
【0012】図11において、基板501上には、絶縁
層502が形成されている。絶縁層502上には固定電
極503が形成され、その上に空隙504を介して平板
駆動部508が形成されている。
【0013】平板駆動部508は、回転支持を行う2つ
の両端支持の梁509によって、中央部が支持部510
に支持されており、平板駆動部508には、各梁509
を通る回転軸によって2分される領域のうち、固定電極
503と対向する領域に、駆動用の上電極507が形成
されている。また、もう一方の領域の先端には、ティッ
プ用配線513が電気的に接続された情報入出力用のテ
ィップ512が形成されている。
【0014】このような構成において、固定電極503
と上電極507との間に電圧を印加することによって、
固定電極503と上電極507との間に静電力が発生
し、平板駆動部508の上電極507が固定電極503
に引き寄せられる。これにより、梁509がねじれて、
平板駆動部508全体が両端支持の梁509の軸回りに
回転し、ティップ512が基板501から離れる向きに
駆動される(図12(b)参照)。このことを利用し
て、平板駆動部508の先端に設けられたティップ51
2と、記録媒体あるいは被観察試料(不図示)との距離
を制御することができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなトーションレバー型プローブでは、平板駆動部が
梁を軸として回転駆動されるため、ティップの可動距離
は空隙の幅、すなわち固定電極と平板駆動部端部との距
離未満に限定される。ここで、梁による回転軸が平板駆
動部の中心にある場合、ティップの可動距離は空隙の幅
未満となってしまう。
【0016】一方、空隙の幅を大きくとり、平板駆動部
の位置を基板からより遠くに位置させてティップの可動
距離を長くする方法もあるが、静電駆動の場合、駆動に
要する電圧値が急激に増大してしまい、実用上大きな問
題となる可能性があった。
【0017】本発明は上記したような技術が有する問題
点を解決するためになされたものであり、ティップの可
動距離を長くしつつ制御性を良いプローブを提供するこ
とを目的とする。また、これを用いることにより、制御
性の良い走査型プローブ顕微鏡、及び記録再生装置を提
供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のプローブは、基板上に空隙を介して形成された
平板駆動部と、前記基板に平行な同一直線上に配置され
前記平板駆動部を前記基板に対して回転自在に支持する
2つの梁と、前記平板駆動部を駆動する駆動手段と、前
記平板駆動部の一端に設けられた情報入出力用のティッ
プとを有するトーションレバー型のプローブにおいて、
前記2つの梁は、それぞれ前記平板駆動部の一端から他
端までの間の中央よりも他端側に配置されていることを
特徴とする。
【0019】このとき、前記2つの梁を通る前記平板駆
動部の回転軸で前記平板駆動部を2つの領域に2分し、
前記ティップを有する領域を第1の領域とする一方、前
記ティップを有しない領域を第2の領域としたとき、前
記2つの領域の重量比は、第1の領域の重量/第2の領
域の重量<1の関係を満たしていてもよい。この場合、
前記2つの領域の重量比が0.5<第1の領域の重量/
第2の領域の重量<1であるのが望ましく、さらに、前
記2つの領域の重量比が0.8<第1の領域の重量/第
2の領域の重量<1であるのがより望ましい。ここで、
前記2つの領域の重量比が「第1の領域の重量/第2の
領域の重量>1」である場合、「回転軸からの一端まで
の長さ/回転軸からの他端までの長さ>1」であるた
め、慣性モーメントが大きくなり、共振周波数の低下が
大きくなってしまう。従って「第1の領域の重量/第2
の領域の重量<1にすることにより慣性モーメントの増
大を抑制でき、共振周波数の低下を抑制できる。
【0020】また、前記平板駆動部を前記2つの梁を通
る直線で2つの領域に2分したときの、前記ティップを
有しない領域に空孔を有してもよく、前記駆動手段は、
前記基板および前記平板駆動部の、互いに対向する部位
に設けられた一対の電極であってもよい。
【0021】ここで、前記プローブと、プローブの駆動
を制御する駆動制御部と、前記ティップと観察すべき試
料との間のトンネル電流を検出するトンネル電流検出部
と、前記試料の表面情報を処理する信号処理部とを備え
た走査型プローブ顕微鏡を構成してもよく、あるいは、
前記プローブと、プローブの駆動を制御し、記録媒体上
に信号を記録もしくは再生する手段を有する記録再生回
路を備えた記録再生装置を構成してもよい。
【0022】
【作用】上記のように構成されたプローブは、平板駆動
部の長手方向の中央に対して、ティップを有しない他端
側に梁を形成することで、梁による回転軸からの距離
は、ティップを有する一端側の方が、ティップを有しな
い他端側よりも長くなるため、平板駆動部を駆動させた
場合に、空隙の幅、すなわち固定電極と平板駆動部端部
との距離に対して、ティップ先端の可動距離が長くな
る。
【0023】また、平板駆動部の回転軸で平板駆動部を
2つの領域に分け、ティップを有する領域を第1の領域
とし、ティップを有しない領域を第2の領域としたと
き、これらの領域の重量比W=(第1の領域の重量)/
(第2の領域の重量)は、ティップを有する先端側の方
が長いため1以上の値になる恐れがある。重量比Wが1
以上になると第1の領域のほうが第2の領域よりも慣性
モーメントが大きくなり、平板駆動部の共振周波数が低
くなってしまう。
【0024】そこで、2つの領域の重量比WをW<1と
すると駆動時の慣性モーメントを回転軸前後で均一に近
付けることができ、共振周波数の低下が抑制される。
【0025】さらに平板駆動部の第2の領域に空孔を有
することで、平板駆動部と基板との間に存在する空気に
起因するダンパー効果の影響が、より低減される。
【0026】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0027】(第1実施例)図1は本発明のトーション
レバー型プローブを示す図であり、同図(a)は、その
斜視図、同図(b)はそのA−A’断面図である。
【0028】図1において、基板1上には、絶縁層2が
形成されている。絶縁層2上には固定電極3が形成さ
れ、その上に空隙4を介して平板駆動部8が形成されて
いる。平板駆動部8の上面には、先端部に情報入出力用
のティップ12が設けられ、後端部の固定電極3と対向
する位置に駆動用の上電極7が形成されている。ティッ
プ12には、平板駆動部8に形成された電極配線13が
電気的に接続されている。平板駆動部8は、その両側
が、それぞれ絶縁層2上に形成された2つの支持部10
に設けられ互いに同一直線上に配置された2つの両端支
持の梁9により支持されている。これにより平板駆動部
8は各梁9を通る直線を回転軸として回転可能となって
いる。また、各梁9は、平板駆動部8の先端から後端ま
での間の中央よりも後端側に位置している。
【0029】このような構成において、固定電極3と上
電極7との間に電圧を印加することによって、固定電極
3と上電極7との間に静電力が発生し、平板駆動部8の
上電極7が固定電極3に引き寄せられる。これにより、
梁9がねじれて、平板駆動部8全体が両端支持の梁9の
軸回りに回転し、ティップが12が基板1から離れる向
きに駆動される。このことを利用して、平板駆動部8の
先端に設けられたティップ12と、記録媒体あるいは被
観察試料(不図示)との距離を制御することができる。
【0030】上述したように、本実施例のトーションレ
バー型プローブは、平板駆動部8の回転軸からの距離
が、上電極7を有する後端側よりもティップ12を有す
る先端側の方が長いため、平板駆動部8を駆動させた場
合に、後端の可動距離に対して先端の可動距離、すなわ
ち空隙4の幅(固定電極3と平板駆動部8の距離)に対
して、ティップ12の可動距離が長くなる。したがっ
て、空隙4の幅を従来と同じにしつつもティップ12の
可動距離を十分にもった制御しやすいプローブを得るこ
とができる。
【0031】一方、平板駆動部8の回転軸で平板駆動部
8を2つの領域に分け、ティップ12を有する領域を第
1の領域とし、ティップ12を有しない領域を第2の領
域としたとき、これらの領域の重量比W=(第1の領域
の重量)/(第2の領域の重量)は、ティップ12を有
する先端側の方が長いため1以上の値になる恐れがあ
る。重量比Wが1以上になると第1の領域のほうが第2
の領域よりも慣性モーメントが大きくなり、平板駆動部
8の共振周波数が低くなってしまう。
【0032】そこで、本実施例では、2つの領域の重量
比WをW<1とするため、第1の領域にはその外形に合
わせた開口部14が形成されている。これにより、駆動
時の慣性モーメントを回転軸前後で均一に近付けること
ができ、共振周波数の低下を抑制することができる。共
振周波数の低下抑制により、トーションレバー型プロー
ブの駆動性能の高速性が維持できるため、特に高速性が
要求される記録再生装置に有効である。
【0033】なお、第1の領域と第2の領域の慣性モー
メント値をほぼ同一にしようとした場合、第1の領域と
第2の領域との重量比Wが小さすぎると、第1の領域の
強度が低下してしまう構造的な問題が発生する。したが
って、第1の領域と第2の領域の重量比Wは、0.5<
W<1の範囲にあるのが望ましく、さらに0.8<W<
1であることがより望ましい。
【0034】次に、本実施例によるトーションレバー型
プローブの作製工程を、図2および図3を用いて説明す
る。
【0035】図2は図1に示したプローブの作製工程図
であり、図3は図1に示したプローブのティップの作製
工程図である。
【0036】トーションレバー型プローブは、半導体プ
ロセス技術と薄膜作製技術を用いた次の諸工程により形
成される。
【0037】まず、図2(a)に示すように、Siから
なる基板1上にシリコン窒化膜を減圧CVD(LPCV
D)法により0.3μmmの膜厚で成膜し、絶縁層2を
形成する。
【0038】さらに、絶縁層2の上にレジストを塗布
し、パターニングした後、スパッタリング法によりTi
を5nm、Ptを0.2μm堆積し、レジストを除去す
ることにより固定電極3を形成する。
【0039】次に、図2(b)に示すように、固定電極
3を形成した絶縁層2の上に酸化亜鉛をスパッタリング
法により2μm堆積させた後、レジストを塗布、パター
ニングして、過酸化水素とアンモニアの混合水溶液によ
り酸化亜鉛をエッチングして、犠牲層5を形成する。
【0040】そして、酸化シリコンをスパッタリング法
により1μm堆積させ、その上に、レジストを塗布し、
パターニングした後、リアクティブイオンエッチング
(RIE)により酸化シリコンをパターニングし、平板
駆動部8、梁9、および支持部10を形成する。
【0041】続いて、図2(c)に示すように、レジス
トを塗布し、パターニングした後、スパッタリング法に
よってTiを5nm、Auを200nm堆積させる。そ
して、レジストを除去することにより上電極7およびテ
ィップ用の電極配線13を形成する。
【0042】次に、ティップ12を平板駆動部8の先端
部に形成する。この形成方法は特に限定されるものでは
ないが、本実施例では代表的な例として以下の方法を用
いて作製した。
【0043】まず、図3(a)に示すように、面方位
(100)のSiよりなる第2の基板21を用意し、第
2の基板21表面にエッチングのための保護層22とし
て、シリコン窒化膜を減圧CVD(LPCVD)により
0.1m堆積する。
【0044】次に、図3(b)に示すように、保護層2
2をティップ12に対応した寸法で矩形状にエッチング
により除去し、第2の基板21の一部を露出させる。そ
して、第2の基板21を、100℃に加熱した水酸化カ
リウム水溶液を用いて結晶異方性エッチングにより加工
し、ティップ12部分の型となる逆ピラミッド状のティ
ップ用の凹部23を形成する。
【0045】凹部23が形成されたら、図3(c)に示
すように、残りの窒化シリコンを、反応性イオンエッチ
ング法により除去する。さらに、レジストをパターニン
グし、真空蒸着法にてAuを1μm成膜し、その後、レ
ジストをアセトンで溶解することにより、ティップ12
となるAuのパターンを形成する。
【0046】続いて、ティップ12を、あらかじめ形成
してある平板駆動部8の先端上に接着して荷重を加え
(図3(d))、ティップ12を、第2の基板21との
界面からひきはがすことにより、図3(e)に示すよう
に基板1に転写する。
【0047】最後に、図2(d)に示すように、酸化亜
鉛の犠牲層5を、酢酸水溶液にてエッチング除去し、平
板駆動部8と固定電極3間の空隙4を形成する。
【0048】以上の作製工程により図1に示したトーシ
ョンレバー型プローブを得ることができた。
【0049】本実施例で作製したトーションレバー型プ
ローブの寸法は、平板駆動部8の長手方向が200μ
m、幅が80μmとし、空隙4の幅は3μmとした。ま
た、平板駆動部8に対する各梁9の位置は、平板駆動部
8の先端から130μmの位置とした。また、前述した
第1の領域と第2の領域との重量比Wは0.82であっ
た。
【0050】本実施例のプローブの固定電極3、上電極
7間に電圧を加えて駆動させたところ、ティップ12先
端の可動距離は、空隙4の幅よりも長い4.3μmの距
離を得ることができた。また、共振周波数も26kHz
と大きな値が得られた。
【0051】(第2実施例)図4は本発明のトーション
レバー型プローブの第2実施例を示す斜視図である。
【0052】本実施例では、各梁109の位置が、第1
実施例よりもさらに平板駆動部108の後端側に配置さ
れ、それに伴って第1の領域と第2の領域との重量比W
が大きくなるのを防止するために、第2の領域、すなわ
ち平板駆動部108の後端部に重り114が設けられて
いる。その他の構成は第1実施例と同様であるので、そ
の説明は省略する。
【0053】このように、各梁109の位置をより平板
駆動部108の後端側に配置しても、重り114により
第2の領域の重量を調整することで、2つの領域の重量
比Wを1より小さくし、回転軸前後の慣性モーメントを
第1の領域と第2の領域とを近付けることができるた
め、ティップ112の可動距離を大きくしつつも、平板
駆動部108の共振周波数の低下を抑制することができ
る。
【0054】次に、本実施例によるトーションレバー型
プローブの作製工程を、図5を用いて説明する。
【0055】図5は図4に示したプローブの作製工程図
である。
【0056】まず、第1実施例と同様にして、基板10
1上に固定電極103、その上に犠牲層105、さらに
その上に平板駆動部108、梁109および支持部11
0を形成し、平板駆動部108の上に上電極107、電
極配線113を形成する(図5(a))。
【0057】次に、レジストを塗布、パターニングした
後、酸化シリコンをスパッタリング法により1μm堆積
させる。そして、レジストおよびレジスト上の酸化シリ
コン膜を除去することにより、残った酸化シリコン膜が
重り114となる(図5(b))。
【0058】続いて、第1実施例と同様にして、ティッ
プ112を平板駆動部108上に形成し(図5
(c))、最後に犠牲層105を溶解除去してトーショ
ンレバー型プローブを得た(図6(d))。
【0059】作製したプローブの寸法は、平板駆動部1
08の長手方向が180μm、幅が70μmとし、空隙
104の幅は2.5μmとした。また、平板駆動部10
8に対する各梁109の位置は、平板駆動部108の先
端から130μmの位置とした。また、前述した第1の
領域と第2の領域との重量比Wは0.9であった。
【0060】本実施例のプローブの固定電極103、上
電極107間に電圧を加えて駆動させたところ、ティッ
プ112先端の可動距離は空隙104の幅よりも大き
い、4.9μmの可動距離を得ることができた。また、
共振周波数も28kHzと十分大きな値が得られた。
【0061】(第3実施例)図6は本発明のトーション
レバー型プローブの第3実施例を示す斜視図である。
【0062】本実施例では、図6に示すように、平板駆
動部208の第2の領域に空孔215を有する点が第1
実施例と異なる。その他の構成、製造方法は第1実施例
と同様であるので、その説明は省略する。
【0063】このような構造を有することにより、本実
施例のプローブは、平板駆動部208と基板201との
間に存在する空気に起因するダンパー効果の影響を、よ
り低減することができる。したがって、トーションレバ
ー型プローブの高速駆動性能の低下を防止できる。
【0064】作製したプローブの寸法は、平板駆動部2
08の長手方向が200μm、幅が80μmとし、空隙
204の幅は3μmとした。また、平板駆動部28に対
する各梁209の位置は、平板駆動部208の先端から
130μmの位置とした。また、前述した第1の領域と
第2の領域との重量比Wは0.86であった。さらに、
ダンパー効果低減用の空孔の直径は10μmとした。
【0065】本実施例のトーションレバー型プローブの
固定電極203、上電極207間に電圧を加えて駆動さ
せたところ、ティップ212先端の可動距離は空隙20
4幅よりも大きい、4.3μmの可動距離を得ることが
できた。また、共振周波数も26kHzと大きな値が得
られた。
【0066】(第4実施例)図7は本発明のトーション
レバー型プローブの第4実施例を示す斜視図である。
【0067】本実施例では、図7に示すように、平板駆
動部308の形状が略羽子板状になっており、握りにあ
たる部分の先端にティップ312、もう一端の固定電極
303と対向する位置に上電極307を有し、2つの梁
309が平板駆動部308の中央よりも上電極307側
(後端側)に配置されている点が第1実施例と異なる。
その他の構成、製造方法は第1実施例と同様であるの
で、その説明は省略する。
【0068】作製したプローブの寸法は、平板駆動部3
08の長手方向が220μm、幅が80μmとし、空隙
304の幅は2.5μmとした。また、平板駆動部30
8に対する各梁309の位置は、平板駆動部308の先
端から140μmの位置とした。また、前述した第1の
領域と第2の領域との重量比Wは0.96であった。
【0069】このような構成においても、第1実施例と
同様に、回転軸に対して、ティップ312を有する先端
側が後端側よりも長いため、ティップ312先端の可動
距離を空隙304幅より長くすることができる。
【0070】本実施例のプローブの固定電極303、上
電極307間に電圧を加えて駆動させたところ、ティッ
プ312先端の可動距離は空隙304の幅よりも大き
い、3.3μmの可動距離を得ることができた。また、
共振周波数も24kHzと大きな値が得られた。
【0071】(第5実施例)図8は本発明のトーション
レバー型プローブの第5実施例を示す斜視図である。
【0072】本実施例では、図8に示すように、ティッ
プ412を有する第1の領域が短冊状の形状になってお
り、その先端にティップ412を有する点が第1実施例
と異なる。その他の構成、製造方法は第1実施例と同様
であるので、その説明は省略する。
【0073】作製したプローブの寸法は、平板駆動部4
08の長手方向が200μm、幅が80μmとし、空隙
404の幅は2.5μmとした。また、平板駆動部40
8に対する各梁409の位置は、平板駆動部408の先
端から138μmの位置とした。また、前述した第1の
領域と第2の領域との重量比Wは0.5であった。
【0074】このような構成においても、第1実施例と
同様に、回転軸に対して、ティップ412を有する先端
側が後端側よりも長いため、ティップ412先端の可動
距離を空隙404の幅より長くすることができる。
【0075】本実施例のプローブの固定電極403、上
電極407間に電圧を加えて駆動させたところ、ティッ
プ412先端の可動距離は空隙404幅よりも大きい、
3.4μmの可動距離を得ることができた。また、共振
周波数は18kHzであった。
【0076】なお、上述した第1実施例から第5実施例
は、静電力により駆動するトーションレバー型プローブ
を説明しているが、駆動の方法は本発明を限定するもの
ではなく、磁力による吸引、反発力、あるいは、熱によ
る梁の変形等を利用することも考えられる。
【0077】(第6実施例)本実施例では、本発明のト
ーションレバー型プローブを複数本(9本)用いた走査
型プローブ顕微鏡について述べる。
【0078】図9は本発明のプローブを用いた走査型プ
ローブ顕微鏡の一実施例の主要構成を示すブロック図で
ある。
【0079】図9において、XYステージ57には、前
述した各実施例に示したものと同様のプローブ51が配
置されている。また、被観察基板55には、複数のプロ
ーブ51(1つのみ図示)が対向して配置されており、
駆動制御部49およびトンネル電流検出部41は、これ
ら複数のプローブ51に対して、それぞれ1つずつ設け
られている。したがって、各プローブ51によるトンネ
ル電流検出、および各プローブ51の変位制御などはそ
れぞれのトンネル電流検出部41、駆動制御部49によ
り独立して行なわれている。
【0080】トンネル電流検出部41は、ティップ54
と被観察基板55の間に流れるトンネル電流を増幅する
回路である。
【0081】駆動制御部49は、サーボ回路42、X―
Y走査回路43およびXYステージ57により構成され
ている。サーボ回路42は、ティップ54のZ軸方向の
駆動を制御する回路であり、プローブ51の固定電極
(不図示)に制御電圧を印加し、ティップ54を駆動さ
せる。X―Y走査回路43は、XYステージ57を駆動
し、プローブ51をX、Y方向に走査する回路である。
【0082】また、信号処理部48は、メモリー44、
マイクロコンピュータ45、およびディスプレイ46に
より構成されている。メモリー44は、サーボ回路42
の出力、およびプローブ51のX、Y方向の位置情報を
一時的に記憶しておく回路である。マイクロコンピュー
タ45は、メモリー44に記憶してあるデータを処理す
るもので、マイクロコンピュータ45からの処理情報に
基づいてディスプレイ46に画像が表示される。
【0083】このような構成において、測定時は、XY
ステージ57によりプローブ51をX、Y方向に走査し
ながら、ティップ54と被観察基板55との間に流れる
トンネル電流を検知する。検知したトンネル電流をトン
ネル電流増幅器41で増幅し、サーボ回路42に送る。
【0084】サーボ回路42は、プローブ51の走査中
に、プローブ51の固定電極(不図示)へ制御電圧を印
加し、トンネル電流が一定になるように、ティップ54
のZ軸方向(高さ方向)の制御を行なう。
【0085】このサーボ回路42の出力から、被観察基
板55のZ軸方向の情報が得られる。この情報と、プロ
ーブ51をX、Y方向に走査することによって得られる
被観察基板55表面の2次元の情報とをマイクロコンピ
ュータ45で処理し、ディスプレイ46に出力すること
で、被観察基板55の表面情報を画像情報として見るこ
とができる。
【0086】上述した走査型プローブ顕微鏡は、本発明
のプローブを備えることにより、ティップの可動距離を
十分もち、制御がしやすく、共振周波数の低下が抑制さ
れた高速駆動が可能なシステムとなる。
【0087】なお、XYステージ57の走査機構は、円
筒型ピエゾアクチュエータ、平行バネ、差動マイクロメ
ーター、ボイスコイル、あるいはインチウオーム等の制
御機構を用いて行なった。
【0088】また、上記走査型プローブ顕微鏡を用い
て、表面の一部に3μm程度のうねりがあるAu基板表
面の測定を行なった。その結果、基板のうねりが大きい
にもかかわらず、9本のプローブとも基板のうねりに良
好に追従し、分解能の高い基板表面情報を得ることがで
きた。
【0089】(第7実施例)本実施例では、本発明のト
ーションレバー型プローブを複数本(25本)用いた記
録再生装置について述べる。
【0090】図10は本発明のプローブを複数本用いた
記録再生装置の一実施例の主要構成を示すブロック図で
ある。
【0091】図10において、本記録再生装置は、記録
媒体65への情報の記録、および記録媒体65に記録さ
れた情報を再生する記録再生ヘッド部76と、記録再生
ヘッド部76の駆動制御、および記録媒体65に対して
情報の記録あるいは再生を行なう記録再生回路75とに
よって構成されている。
【0092】記録媒体65には、複数の記録再生ヘッド
部76(1つのみ図示)が対向して配置されており、記
録再生回路75は、これら複数の記録再生ヘッド部76
に対して、それぞれ1つずつ設けられている。したがっ
て、各プローブ61による記録、再生、および各プロー
ブ61の変位制御(トラッキング、間隔調整等)などの
要素はそれぞれの記録再生回路75により独立して行な
われている。
【0093】記録再生ヘッド部76は、前述した各実施
例で示したものと同様のプローブ61と、プローブ61
をX、Y方向に走査するXYステージ67とで構成され
る。
【0094】この記録再生ヘッド部76と対向するよう
に、情報記録用の記録媒体65が配置されており、記録
媒体65の下には、記録媒体65とプローブ61上のテ
ィップ64との間に電圧を印加するための下地電極66
が配置してある。
【0095】記録媒体65は、ティップ64から発生す
るトンネル電流により記録媒体65表面の形状を凸型
(Staufer、Appl.Phys.Letter
s、51(4)、27、July、1987、p244
参照)または凹型(Heinzelmann、App
l.Phys.Letters、Vol.53,No.
24Dec.,1988.p2447参照)に変形する
ことが可能な金属、半導体、酸化物、有機薄膜、あるい
はトンネル電流により電気的性質が変化(たとえば電気
的メモリー効果を生じる)する有機薄膜等からなる物質
で構成される。
【0096】電気的性質が変化する有機薄膜としては、
例えば特開昭63ー161552号公報に記載された材
料を使用し、ラングミュア・ブロジェット膜(LB膜)
からなるものが好ましい。本実施例では、石英ガラス基
板の上に、下地電極66としては、真空蒸着法によって
Crを5nm堆積させ、さらにその上にAuを30nm
同法により蒸着したものを用い、さらに、その上に記録
媒体65として、LB法によってSOAZ(スクアリリ
ウムービスー6ーオクチルアズレン)を4層積層したも
の等を用いた。
【0097】なお、XYステージ67の走査機構として
は、円筒型ピエゾアクチュエータ、平行ばね、差動マイ
クロメーター、ボイスコイル、またはインチウオームな
どの制御機構を用いて行った(不図示)。
【0098】一方、記録再生回路75は、データ変調回
路68、記録電圧印加装置69、記録信号検出回路7
0、データ復調回路71、ティップ高さ検出回路72、
x,z軸駆動制御回路74およびトラック検出回路73
により構成されている。
【0099】データ変調回路68は、データの記録時
に、記録すべきデータを記録に適した信号に変調する回
路である。
【0100】記録電圧印加装置69は、記録媒体65上
にデータを記録、または記録媒体65上のデータを再生
するために、記録媒体65とティップ64の間に、電圧
を印加する装置である。
【0101】記録信号検出回路70は、ティップ64と
記録媒体65との間に電圧を印加した際に、両者間に流
れるトンネル電流を検出する回路である。
【0102】また、データ復調回路71は、データ再生
時に、記録信号検出回路70が検出したトンネル電流信
号からデータを復調する回路である。
【0103】ティップ高さ検出回路72は,記録信号検
出回路70の検出信号を受け、情報ビットの有無による
高周波振動成分をカットし、残った信号を処理して、こ
の残りの信号値が一定になるようにx,z軸駆動制御回
路74に制御信号を発信する回路である。x,z軸駆動
制御回路74は、ティップ高さ検出回路72からの制御
信号を受けて、ティップ64の上下動を行なう回路であ
る。このティップ高さ検出回路72とx,z軸駆動制御
回路74とによって、ティップ64と記録媒体65との
間隔が一定に保たれる。
【0104】トラック検出回路73は、ティップ64が
記録媒体65上を走査する際に、記録媒体65上のデー
タが記録されるべき経路、あるいは記録されたデータ列
からのずれを検出する回路である。このトラック検出回
路73によって、記録あるいは再生の際のトラック検出
を行なう。
【0105】以上のような構成において、データを記録
媒体65上に記録するには、ティップ64を記録媒体6
5に所定間隔まで近づけ、記録電圧印加装置69によっ
て例えば3V、幅50nsの矩形状パルス電圧を印加す
る。これにより、記録媒体65が特性変化を起こし、電
気抵抗の低い部分が生じる。このように、XYステージ
67によって、ティップ64を記録媒体65面上で走査
しながら、記録媒体65の表面に電気抵抗の低い部分を
データ変調回路68から出力された信号に対応して形成
することで、情報の記録が行える。
【0106】また、データ信号再生時には、ティップ6
4と記録媒体65とを所定間隔にし、記録電圧より低
い、例えば200mVの直流電圧を、ティップ64と記
録媒体65間に加える。この状態で、ティップ64を記
録媒体65上の記録データ列に沿って走査させると、記
録信号検出回路70によって検出されるトンネル電流信
号が記録データ信号に対応する。この検出したトンネル
電流信号を電流電圧変換し、電流電圧変換した信号を、
データ復調回路68で復調することにより再生データ信
号を得ることができる。
【0107】上述した記録再生装置は、本発明のプロー
ブを備えることにより、ティップの可動距離を十分も
ち、制御がしやすく、共振周波数の低下が抑制された高
速駆動が可能なシステムとなる。
【0108】なお、本実施例による記録媒体65に用い
る記録層は、ティップ64と記録層との間に流れるトン
ネル電流により記録層に書き込まれた情報を検出できる
ものであればどのような材料でも用いることができる。
例えば、表面に凹凸を形成し記録するものではHOPG
(HighlyーOrientedーPyrolithicーGraphite) 劈開基板、
Siウエハー、真空蒸着またはエピタキシャル成長させ
たAu、Ag、Pt、Mo、Cuなどの金属薄膜、ある
いは、Rh25Zr75、Co35Tb65 などのガラス金属
があげられる。表面の電子状態により記録するものでは
アモルファスSi、π電子系有機化合物やカルコゲン化
合物の薄膜層などがあげられる。
【0109】本実施例で使用した石英ガラス基板の一部
には、うねりが3μm程度存在していたが、基板のうね
りが大きいにもかかわらず、25本すべてのプローブと
も基板のうねりに良好に追従し、エラー無く記録再生を
行なうことができた。
【0110】本実施例は、記録再生装置であるが、記録
または再生のみの装置、または走査型トンネル電流検知
装置であっても本発明が適用可能であることは言うまで
もない。
【0111】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載する効果を奏する。
【0112】請求項1に記載のプローブにおいては、平
板駆動部の一端から他端までの間の中央よりも他端側に
2つの梁それぞれを配置することで、回転軸からの距離
は、ティップを有する一端側の方が、ティップを有しな
い他端側よりも長くなるため、平板駆動部を駆動させた
場合に、空隙の幅に対して、ティップの可動距離を長く
することができる。したがって、ティップの可動距離を
十分にもった制御しやすいプローブを得ることができ
る。
【0113】請求項2、3、および4に記載のプローブ
においては、ティップを有する第1の領域と、ティップ
を有しない第2の領域の重量比Wを、第1の領域の重量
/第2の領域の重量<1にすると、回転軸となる梁の位
置が平板駆動部の他端側にあっても、駆動時の慣性モー
メントが回転軸前後で均一な値に近づけることができる
ため、共振周波数の低下を抑制できる。その結果、プロ
ーブの駆動性能の高速性を維持できるため、特に高速性
が要求される記録再生装置に有効である。また、重量比
Wを0.5<W<1とすることにより、第1の領域の強
度の低下を抑えつつ、2つの領域の慣性モーメントの値
を近づけることができる。さらに、0.8<W<1とす
ると、第1の領域お強度の低下をより抑えることができ
る。
【0114】請求項5に記載のプローブにおいては、平
板駆動部を2つの梁を通る直線で2つの領域に2分した
ときの、ティップを有しない領域に空孔を有すること
で、平板駆動部と基板との間に存在する空気に起因する
ダンパー効果の影響を、より低減することができる。し
たがって、プローブの高速駆動性能の低下を防止でき
る。
【0115】請求項6に記載のプローブにおいては、外
部からの電圧印加による静電引力で変位するため、サイ
ズに比して大きな変位を行うことが可能であり、十分な
変位量を確保できる。
【0116】そして請求項7および8に記載した本発明
の走査型プローブ顕微鏡および記録再生装置は、上述し
た本発明のプローブを備えることにより、ティップの可
動距離を十分もち、制御がしやすく、しかも共振周波数
の低下が抑制された高速駆動が可能なシステムが得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明のトーションレバー型プローブを
示す図であり、同図(a)は、その斜視図、同図(b)
はそのA−A’断面図である。
【図2】図1に示したプローブの作製工程図である。
【図3】図1に示したプローブのティップの作製工程図
である。
【図4】本発明のトーションレバー型プローブの第2実
施例を示す斜視図である。
【図5】図4に示したプローブの作製工程図である。
【図6】本発明のトーションレバー型プローブの第3実
施例を示す斜視図である。
【図7】本発明のトーションレバー型プローブの第4実
施例を示す斜視図である。
【図8】本発明のトーションレバー型プローブの第5実
施例を示す斜視図である。
【図9】本発明のプローブを複数本用いた走査型プロー
ブ顕微鏡の一実施例の主要構成を示すブロック図であ
る。
【図10】本発明のプローブを複数本用いた記録再生装
置の一実施例の主要構成を示すブロック図である。
【図11】従来のトーションレバー型プローブを示す斜
視図である。
【図12】図11に示したプローブのA−A’線断面図
であり、同図(a)はプローブの非駆動時の様子を表わ
す図、同図(b)はプローブの駆動時の様子を表わす図
である。
【符号の説明】
1、101、201 基板 2、102 絶縁層 3、103、203、303、403 固定電極 4、104、204、304、404 空隙 5、105 犠牲層 7、107、207、307、407 上電極 8、108、208、308、408 平板駆動部 9、109、209、309、409 梁 10、110 支持部 12、112、212、312、412 ティップ 13、113 電極配線 14 開口部 21 第2の基板 22 保護層 23 凹部 41 トンネル電流検出部 42 サーボ回路 43 X−Y走査回路 44 メモリー 45 マイクロコンピュータ 46 ディスプレイ 48 信号処理部 49 駆動制御部 51 プローブ 54 ティップ 55 被観察基板 57 XYステージ 58 平板駆動部 61 プローブ 62 平板駆動部 64 ティップ 65 記録媒体 66 下地電極 67 XYステージ 68 データ変調回路 69 記録電圧印加装置 70 記録信号検出回路 71 データ復調回路 72 ティップ高さ検出回路 73 トラック検出回路 74 x,z軸駆動制御回路 75 記録再生回路 76 記録再生ヘッド部 114 重り 215 空孔

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に空隙を介して形成された平板駆
    動部と、前記基板に平行な同一直線上に配置され前記平
    板駆動部を前記基板に対して回転自在に支持する2つの
    梁と、前記平板駆動部を駆動する駆動手段と、前記平板
    駆動部の一端に設けられた情報入出力用のティップとを
    有するトーションレバー型のプローブであって、 前記2つの梁は、それぞれ前記平板駆動部の一端から他
    端までの間の中央よりも他端側に配置されていることを
    特徴とするプローブ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のプローブにおいて、 前記2つの梁を通る前記平板駆動部の回転軸で前記平板
    駆動部を2つの領域に2分し、前記ティップを有する領
    域を第1の領域とする一方、前記ティップを有しない領
    域を第2の領域としたとき、前記2つの領域の重量比
    は、第1の領域の重量/第2の領域の重量<1の関係を
    満たすことを特徴とするプローブ。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載のプローブにおいて、 前記2つの領域の重量比が0.5<第1の領域の重量/
    第2の領域の重量<1であることを特徴とするプロー
    ブ。
  4. 【請求項4】 請求項2に記載のプローブにおいて、 前記2つの領域の重量比が0.8<第1の領域の重量/
    第2の領域の重量<1であることを特徴とするプロー
    ブ。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか1項に記載
    のプローブにおいて、 前記平板駆動部を前記2つの梁を通る直線で2つの領域
    に2分したときの、前記ティップを有しない領域に空孔
    を有することを特徴とするプローブ。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれか1項に記載
    のプローブにおいて、 前記駆動手段は、前記基板および前記平板駆動部の、互
    いに対向する部位に設けられた一対の電極であることを
    特徴とするプローブ。
  7. 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれか1項に記載
    のプローブと、 前記プローブの駆動を制御する駆動制御部と、 前記ティップと観察すべき試料との間のトンネル電流を
    検出するトンネル電流検出部と、 前記試料の表面情報を処理する信号処理部とを備えたこ
    とを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし6のいずれか1項に記載
    のプローブと、 前記プローブの駆動を制御し、記録媒体上に信号を記録
    もしくは再生する手段を有する記録再生回路を備えたこ
    とを特徴とする記録再生装置。
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EP95306614A EP0703429B1 (en) 1994-09-21 1995-09-20 Extended torsion lever probe, scanning probe microscope, information recording or reproducing apparatus
US08/530,965 US5574279A (en) 1994-09-21 1995-09-20 Probe with torsion lever structure, and scanning probe microscope and record/reproducing apparatus utilizing the same
DE69527904T DE69527904T2 (de) 1994-09-21 1995-09-20 Verlängerte Torsionshebel-Probe, Raster-Mikroskop, Informations-Aufnahme-Wiedergabe- Vorrichtung

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003102549A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-11 Japan Science And Technology Agency Three-dimensional structural body composed of silicon fine wire, its manufacturing method, and device using same
JP2006095683A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Lucent Technol Inc 平衡カンチレバー板を有するモノリシックmemsデバイス

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0880671A2 (en) * 1995-07-20 1998-12-02 Cornell Research Foundation, Inc. Microfabricated torsional cantilevers for sensitive force detection
US6000280A (en) * 1995-07-20 1999-12-14 Cornell Research Foundation, Inc. Drive electrodes for microfabricated torsional cantilevers
JP3679519B2 (ja) * 1995-09-14 2005-08-03 キヤノン株式会社 トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置
JP3576677B2 (ja) * 1996-01-19 2004-10-13 キヤノン株式会社 静電アクチュエータ及び、該アクチュエータを用いたプローブ、走査型プローブ顕微鏡、加工装置、記録再生装置
FR2755224B1 (fr) * 1996-10-24 1998-12-04 Suisse Electronique Microtech Capteur a effet tunnel, notamment pour relever la topographie d'une surface
JPH10282130A (ja) * 1997-04-01 1998-10-23 Canon Inc プローブとそれを用いた走査型プローブ顕微鏡
JP3697034B2 (ja) * 1997-08-26 2005-09-21 キヤノン株式会社 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ
GB9801286D0 (en) 1998-01-21 1998-03-18 Univ Cambridge Tech Sensor
JP2000035396A (ja) 1998-07-16 2000-02-02 Canon Inc 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法
US6497141B1 (en) 1999-06-07 2002-12-24 Cornell Research Foundation Inc. Parametric resonance in microelectromechanical structures
US6677225B1 (en) * 2000-07-14 2004-01-13 Zyvex Corporation System and method for constraining totally released microcomponents
JP4387623B2 (ja) * 2000-12-04 2009-12-16 キヤノン株式会社 圧電素子の製造方法
US6831765B2 (en) * 2001-02-22 2004-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Tiltable-body apparatus, and method of fabricating the same
US6642129B2 (en) * 2001-07-26 2003-11-04 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Parallel, individually addressable probes for nanolithography
US7073938B2 (en) * 2001-10-31 2006-07-11 The Regents Of The University Of Michigan Micromachined arrayed thermal probe apparatus, system for thermal scanning a sample in a contact mode and cantilevered reference probe for use therein
US6813937B2 (en) * 2001-11-28 2004-11-09 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures
JP5027984B2 (ja) * 2003-03-28 2012-09-19 キヤノン株式会社 揺動体を用いた電位測定装置、電位測定方法、及び画像形成装置
JP2005079508A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Canon Inc 磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ
DE10348335B4 (de) * 2003-10-17 2013-12-24 Universität Ulm Brückenförmiges Mikrobauteil mit einem bimetallischen Biegeelement
US20050128927A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-16 Hewlett-Packard Development Co., L.P. Electrostatic actuator for contact probe storage device
US7787350B2 (en) * 2005-01-13 2010-08-31 International Business Machines Corporation Data storage device
JP4731927B2 (ja) * 2005-01-31 2011-07-27 キヤノン株式会社 磁性体センサおよび検出キット
JP2006317358A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Canon Inc 電位測定装置、およびそれを用いた画像形成装置
US7382137B2 (en) * 2005-05-27 2008-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Potential measuring apparatus
CN101079331B (zh) * 2005-08-04 2010-12-08 中国科学院物理研究所 一种用于扫描隧道显微镜的隧道探针及其制备方法
JP5188024B2 (ja) * 2006-02-09 2013-04-24 キヤノン株式会社 揺動体装置、電位測定装置、及び光偏向装置
JP4309413B2 (ja) * 2006-08-31 2009-08-05 株式会社東芝 情報記録再生装置
JP2008116444A (ja) * 2006-10-12 2008-05-22 Canon Inc 複合機能センサー及び検知方法
JP4309438B2 (ja) * 2007-03-20 2009-08-05 株式会社東芝 情報記録再生装置
JP5226481B2 (ja) * 2008-11-27 2013-07-03 株式会社日立ハイテクサイエンス 自己変位検出型カンチレバーおよび走査型プローブ顕微鏡

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0194323B1 (en) * 1985-03-07 1989-08-02 International Business Machines Corporation Scanning tunneling microscope
JP2556492B2 (ja) * 1986-12-24 1996-11-20 キヤノン株式会社 再生装置及び再生法
JP2556491B2 (ja) 1986-12-24 1996-11-20 キヤノン株式会社 記録装置及び記録法
US4906840A (en) 1988-01-27 1990-03-06 The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University Integrated scanning tunneling microscope
JPH041948A (ja) 1990-04-18 1992-01-07 Canon Inc 情報記録装置及び情報再生装置及び情報記録再生装置
US5283437A (en) * 1990-12-21 1994-02-01 International Business Machines Corporation Pneumatically and electrostatically driven scanning tunneling microscope
EP0491973B1 (en) * 1990-12-21 1995-11-02 International Business Machines Corporation Integrated pneumatically and electrostatically controlled scanning tunneling microscope and method of making the same
JP2884447B2 (ja) * 1991-04-22 1999-04-19 キヤノン株式会社 カンチレバー型プローブ、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置
JP2923813B2 (ja) * 1991-06-11 1999-07-26 キヤノン株式会社 カンチレバー型変位素子、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置
GB9112777D0 (en) * 1991-06-13 1991-07-31 Buser Rudolf A Microprobe for surface scanning microscopes
US5319961A (en) * 1991-09-17 1994-06-14 Olympus Optical Co., Ltd. Cantilever chip for use in scanning probe microscope
JP3184619B2 (ja) * 1991-09-24 2001-07-09 キヤノン株式会社 平行平面保持機構及びそれを用いたメモリ装置及びstm装置
US5386720A (en) * 1992-01-09 1995-02-07 Olympus Optical Co., Ltd. Integrated AFM sensor
US5444244A (en) * 1993-06-03 1995-08-22 Park Scientific Instruments Corporation Piezoresistive cantilever with integral tip for scanning probe microscope

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003102549A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-11 Japan Science And Technology Agency Three-dimensional structural body composed of silicon fine wire, its manufacturing method, and device using same
US7297568B2 (en) 2002-06-03 2007-11-20 Japan Science And Technology Agency Three-dimensional structural body composed of silicon fine wire, its manufacturing method, and device using same
JP2006095683A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Lucent Technol Inc 平衡カンチレバー板を有するモノリシックmemsデバイス

Also Published As

Publication number Publication date
EP0703429A3 (en) 1996-10-16
DE69527904T2 (de) 2003-04-24
US5574279A (en) 1996-11-12
DE69527904D1 (de) 2002-10-02
EP0703429B1 (en) 2002-08-28
JP3192887B2 (ja) 2001-07-30
EP0703429A2 (en) 1996-03-27

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