JPH06333276A - 記録媒体及びその製造方法、及び該記録媒体を用いた情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プローブを介して情報の記録再生を行う情報
処理装置に用いられ、熱変形を防止して記録ビットの位
置ずれが少ない記録媒体を提供する。 【構成】 基板３と電極４と記録層５を有し、基板３に
はストライプ状の凹部１が形成され、その表面積を増大
するように処理されている記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、走査型プローブ顕微鏡
等の原理を用いて情報の記録及び再生等を行い得る記録
媒体及びその製造方法、更にはこれを用いた情報処理装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、導体の表面原子の電子構造を直接
観察できる走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと略
す）が開発された。かかるＳＴＭは真空中、大気中、液
体中でも動作でき単結晶、非晶質を問わず実空間で高い
分解能の測定ができるので広範囲な応用が期待されてい
る。また、絶縁体の表面を原子オーダーの分解能で観察
できる原子間力顕微鏡（以後、ＡＦＭと略す）が開発さ
れた。これらの新しい顕微鏡はプローブを観察する物質
の表面に近接させた状態で該表面上を走査して観察する
ので、走査型プローブ顕微鏡（以後、ＳＰＭと略す）と
総称されており、様々な応用が期待されている。

【０００３】特に、プローブを介して記録層に高分解能
で情報を書き込む記録装置、また、プローブを介して記
録層に書き込まれた情報を高分解能で読み出す再生装置
としての応用が進められている。

【０００４】例えば、ＳＴＭ技術を応用した記録再生装
置として、記録媒体とプローブとの間に電圧を印加する
事によって、記録媒体を構成する電極あるいは該電極上
に形成された記録層表面の形状を変化させて記録媒体に
情報の書き込みを行い、該形状変化をトンネル電流の変
化で検出することにより情報の再生を行う装置が提案さ
れている。

【０００５】この記録再生動作時にはプローブを記録媒
体表面に極めて近接させて走査する必要があり、かつ、
書き込まれる記録ビットのスケールがｎｍオーダーなの
で、記録媒体を構成する電極を記録層として用いる場
合、該電極表面には高い平滑性が要求される。

【０００６】これまでに、平滑な電極として、金錯体溶
液中の金錯体を分解処理することによって基板上に成長
させた平板状金結晶を用いる方法が提案されている。こ
のようにして形成された代表的な平板状金結晶の光学顕
微鏡像を図２５に示す。この結晶平板部の表面の凹凸の
大きさは一辺が１μｍの正方形の領域内で５オングスト
ローム程度であり、極めて平滑な結晶表面を有し、ま
た、該結晶は単結晶である。

【０００７】更に、このような平板状金結晶を複数個、
基板上に選択的に成長させ、該結晶平板部一つに対向し
てプローブを一つ設けた記録再生装置が提案されてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したＳＴＭ技術を
応用した記録再生装置は、最小記録面積が１０^-4μｍ²
程度の高密度記録再生を行い得るものであるが、記録媒
体の外部からの熱による膨張等により、記録ビットの位
置ずれが生じ、記録再生時のエラーレートが高まるとい
った問題点があった。

【０００９】また、上述した平板状金結晶を有する従来
技術の記録媒体には、複数の所望の位置に配置された平
板状金結晶電極と複数のプローブとの精度の良い位置制
御が難しいという問題点があった。

【００１０】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
熱変形による記録ビットの位置ずれを改善した記録媒体
や、平板状金結晶電極とプローブとの位置制御を精度良
く行い得る記録媒体、更にはこの製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１１】また、本発明の他の目的はこれらの記録媒
体を用いることで、より一層精度良く情報の記録再生を
行い得る情報処理装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
すべく成された本発明は、第１に、プローブを介して情
報の記録再生を行う情報処理装置に用いる記録媒体であ
って、該記録媒体は基板と電極と記録層を有し、該基板
には表面積を増大させる処理が施されていることを特徴
とする記録媒体であり、第２に、複数のプローブを介し
て情報の記録再生を行う情報処理装置に用いる記録媒体
であって、該記録媒体は、基板上に２次元的に配列して
いる複数個の平板状金結晶と、該記録媒体と該プローブ
との相対的な位置合わせを行うための手段とを有するこ
とを特徴とする記録媒体であり、第３に、上記第２の記
録媒体を製造する方法において、前記平板状金結晶群を
金錯体溶液中の金錯体を分解処理することによって形成
することを特徴とする記録媒体の製造方法であり、第４
に、プローブを介して情報の記録再生を行う情報処理装
置において、上記第１又は第２の記録媒体を具備するこ
とを特徴とする情報処理装置である。

【００１３】以下、図面を用いて本発明第１の記録媒体
について説明する。

【００１４】図１は本発明第１の記録媒体の一例を示し
た斜視図である。図中２は記録媒体であり、記録媒体２
は基板３，電極４及び記録層５で構成されている。基板
３には、その表面積を増大させるために複数の凹部１が
形成されている。このため、記録媒体２の放熱性が向上
し、凹部１を設けていない場合と比較して、記録媒体２
の温度上昇が抑制されるため、記録層５の熱による膨張
を減少させることができる。

【００１５】本発明第１において基板の表面積を増大さ
せる処理としては、図１に示したような凹部１を形成す
る方法や、穴あるいは溝を設けるなど特に制限はなく、
記録媒体の機械的強度を極端に低下させることなく表面
積を増大できるものであればよい。また、凹部１を形成
する場合においても、その断面形状は図１に示したＶ字
状に限定されるものではなく矩形あるいは半円状にして
もよく、放熱効率を向上できればよい。

【００１６】この凹部１の形成場所は記録層が形成され
た面と反対側の基板面に設けることが好ましいが、記録
層側でも構わず放熱効率を向上できれば特に制限はな
い。

【００１７】更に、上記凹部１の放熱性を向上するため
に該凹部を金属薄膜で被覆することができる。この金属
薄膜としては熱伝導率の高い材料が好ましく、例えばＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ等を用いることができる。

【００１８】基板３を構成する材料としてはＳｉ単結
晶、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、
特に制限はない。また、凹部１の作成方法はマイクロメ
カニクス技術、フォトリソ技術、機械的加工等を挙げる
ことができるが所望の凹部を形成できればよく、特に制
限はない。

【００１９】図１に示したような本発明第１の記録媒体
を組み込んだＳＴＭ技術を応用した情報処理装置の概略
図を図２に示す。同図において、２は本発明第１の記録
媒体、６は電圧印加回路、７はプローブ、８は記録媒体
２を搭載している駆動機構、９はプローブ７が検出する
電流を電圧に変換する回路、１０はプローブ７を記録面
に対して垂直方向に駆動するピエゾ素子、１１は装置を
制御するコンピュータ、１２は支持体である。

【００２０】本装置では電圧印加回路６によりプローブ
７と記録媒体２の電極４間に所定の電圧を印加しつつ、
駆動機構８により記録面内方向に記録媒体２をプローブ
７と相対移動することで記録再生を行う。この記録再生
動作については後述の実施例において詳述する。

【００２１】本発明第１の記録媒体を用いた上記のよう
な構成を有する本発明の情報処理装置は、記録媒体の熱
膨張等に起因する記録ビットの位置ずれが小さいため、
プローブによる記録再生の精度が向上される。

【００２２】次に、本発明第２の記録媒体について説明
する。

【００２３】図１４は本発明第２の記録媒体の一例を模
式的に示した平面図である。図中１０１は記録媒体であ
り、記録媒体１０１は基板１０２上に記録層となる複数
の平板状金結晶１０３と、位置合わせ手段としての電極
１０４を形成して構成されている。この平板状金結晶１
０３はＸ方向には周期ａ、Ｙ方向には周期ｂで基板１０
２上に配列している。

【００２４】本発明第２の記録媒体に係る平板状金結晶
は、例えば金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで
形成することができる。以下に、金錯体として［ＡｕＩ
₄］^-及び［ＡｕＩ₂］^-、金錯体の分解処理手段として揮
発処理を用いて、平板状金結晶を基板上に形成する例を
説明する。

【００２５】まず、蒸留水にヨウ化カリウム及びヨウ素
を投入してヨウ素水溶液を形成した後、金を溶解させ、
［ＡｕＩ₄］^-及び［ＡｕＩ₂］^-を含有する金錯体溶液を
作成する。ことのき溶液中には、前記金錯体［Ａｕ
Ｉ₄］^-、［ＡｕＩ₂］^-の他、Ｉ₃ ^-，Ｋ⁺が存在するもの
と考えられる。

【００２６】次いで、基板の表面を金錯体溶液に接した
後、該溶液を３０〜１００℃に昇温し、この温度を保ち
ヨウ素成分及び水分を揮発させる。その結果、金が過飽
和状態となり基板表面に析出，成長する。

【００２７】このようにして得られた平板状金結晶は、
基板に対して（１１１）方位が優先配向した単結晶であ
ることがＸ線回折測定より確認できた。

【００２８】また、該平板状金結晶表面をＳＴＭで観察
したところ、該金結晶表面の凹凸は、一辺が１μｍの正
方形の領域内で５オングストローム程度であり、極めて
平滑であった。

【００２９】尚、金錯体の種類、分解の手法が異なるも
のの、このような金錯体の分解を利用して、導電性金ペ
ースト用の金粉末を析出させる技術が特開昭５６−３８
４０６、特開昭５５−５４５０９に開示されている。

【００３０】また、本発明第２の記録媒体に係る平板状
金結晶は、例えば基板表面に核形成密度の大きい領域と
小さい領域を設け、該核形成密度の大きい領域のみに平
板状金結晶を選択的に成長させることもできる。様々な
基板表面材料、錯体の種類、形成条件による、核形成密
度及び平均結晶粒径の実験値を表１に示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１より明らかなように、核形成密度は、
基板表面の材料の種類、錯体の種類、形成条件により異
なるが、特に基板表面材料の種類には強く依存する。そ
の中でも特に金属等の導電体の表面では大きく、これに
対して絶縁体の表面では小さい。従って、上記材料によ
る核形成密度の差を利用して、基板表面に核形成密度の
大きい領域と小さい領域を設けることができる。

【００３３】図１６に核形成密度の違いを利用して、平
板状金結晶を核形成密度の大きい領域のみに選択的に形
成する概略的な工程を示す。

【００３４】先ず、図１６（ａ）に示すように、核形成
密度の小さい材料からなる基板１０２上に核形成密度の
大きい金属薄膜１０５を形成する。その後、フォトリソ
グラフィー等により図１６（ｂ）に示すように、所望の
位置のみに金属薄膜１０５が残るようにパターニングを
行う。次に、前記基板を平板状金結晶成長用の金錯体を
含む溶液に投入し、該金錯体を分解処理することで、図
１６（ｃ）に示すように平板状金結晶１０３をパターニ
ングされた下地金属薄膜１０５から選択的に核を形成し
て成長させた。

【００３５】このように選択成長させて得られた平板状
金結晶表面をＳＴＭで観察したところ、該金結晶表面の
凹凸は、一辺が１μｍの正方形の領域内で５オングスト
ローム程度であり、極めて平滑であった。

【００３６】また、本発明第２の記録媒体に係る平板状
金結晶は、例えば半導体からなる基板表面に、金属と該
半導体との共晶領域を形成し、該共晶を核として選択成
長させることにより、その結晶方位を揃えて基板上に形
成することもできる。

【００３７】この方法の具体例を図１７を用いて説明す
る。先ず図１７（ａ）に示すように、核形成密度の小さ
い材料からなる基板１０２上に核形成密度の大きい金属
薄膜１０５を真空蒸着により形成する。ここで基板１０
２はＳｉ（１１１）単結晶であり、金属薄膜１０５はＡ
ｕである。その後、フォトリソグラフィー等により図１
７（ｂ）に示すように所望の位置のみに金属薄膜１０５
が残るようにパターニングを行う。

【００３８】次に、この基板を図１７（ｃ）に示す様
に、Ａｕ−Ｓｉの共晶温度３６０℃以上の温度での熱処
理を加えてＡｕとＳｉの界面を溶融し、冷却することに
より所望の位置にＡｕ−Ｓｉ共晶１０８を形成する。該
共晶１０８は下地基板１０２の影響を受け、基板１０２
の面内方向に結晶方位が揃ったものが得られる。

【００３９】次に、前記基板を平板状金結晶成長用の金
錯体を含む溶液に投入し、該金錯体を分解処理すること
で、図１７（ｄ）に示すように平板状金結晶１０３を共
晶１０８が形成された位置から選択的に成長させた。該
平板状金結晶１０３は前述した共晶１０８の影響を受
け、基板１０２の面内方向に結晶方位が揃っていた。図
１７（ｄ）の基板の上面図を図１７（ｅ）に示す。

【００４０】このように選択成長させて得られた平板状
金結晶表面をＳＴＭで観察したところ、該金結晶表面の
凹凸は、１μｍ角で５オングストローム程度であり、極
めて平滑であった。

【００４１】次に、図１４で示したような本発明第２に
係る位置合わせ手段１０４について説明する。

【００４２】図１８は本発明第２の記録媒体を用いて構
成した情報処理装置の中で、主に記録媒体とプローブと
の位置合わせに関連する部分を模式的に示したものであ
る。

【００４３】同図において、１０４ａ，１０４ｂは基板
１０２に設けられた位置決め手段としての平板電極、１
０９ａ，１０９ｂはプローブ１１０を支持する手段１１
１に設けられた位置決め手段としての平板電極である。
電極１０４ａ，１０４ｂと１０９ａ，１０９ｂは同じ大
きさの櫛形をしている（図１９参照）。図１９に示され
るように、この櫛の歯は周期的に配列している。また、
電極１０４ａ，１０４ｂと電極１０９ａ，１０９ｂは対
向しており、コンデンサー１１２ａ，１１２ｂを形成し
ている。なお、電極１０４の法線方向より電極１０４と
１０９を見た場合、該電極１０４と１０９のそれぞれの
櫛は同じ方向を向いている。

【００４４】以上のような構成とすることで、コンデン
サー１１２ａ，１１２ｂの静電容量の変化を検出して記
録媒体とプローブとの位置決めを行うことができる。こ
の位置決めの原理は以下のとおりである。

【００４５】まず、位置決めに関する原点を例えば以下
の方法で決める。即ち、記録媒体１０１とプローブ支持
手段１１１をそれぞれＸＹステージからなる駆動機構１
１４及び１１５で駆動して、コンデンサー１１２ａとコ
ンデンサー１１２ｂの両方の静電容量が最大になる位置
を求める。この状態を、記録媒体１０１に対してプロー
ブ１１０が位置決めの原点に存在していることにする。

【００４６】このように本発明第２の記録媒体に係る位
置決め用電極１０４は、図１４に示したような平板状金
結晶１０３を複数のプローブとの相対的な位置関係を与
える基準位置，基準マーカーとして機能する。

【００４７】上述の原点にあったプローブ１１０が基板
１０２に対して相対的に図１８のＸ方向に変位すると、
電極１０４と電極１０９の重なりあう面積が変化するの
で、前記コンデンサー１１２の静電容量も変化する。こ
の静電容量の変化を静電容量計１１３で検出すると、逆
に記録媒体１０１に対してプローブ１１０が原点よりい
くら変位したかわかる。

【００４８】この際、電極１０４と１０９は櫛形をして
いるので、Ｘ方向に記録媒体１０１に対してプローブ１
１０が相対的に変位すると、静電容量の変化は該櫛の歯
の配列周期に応じた周期で変化するので、該櫛の歯の配
列周期に応じた空間分解の精度で変位量を検出できる。

【００４９】このような上記コンデンサー１１２ａ，１
１２ｂと同様な２組のコンデンサーを、前記Ｘ方向と直
交するＹ方向に配置すると、先に述べた位置決め方法に
より、Ｙ方向に関する原点が決定でき、かつＹ方向への
変位量を検出できる。

【００５０】更に本発明では、位置決め精度をより高く
するために、プローブ支持手段１１１上における複数の
プローブ１１０の配列周期と位置決め用の電極１０９の
配置を、基板１０２に先述のようにして形成した共晶の
配列周期と位置決め用電極１０４の配置と同じにして、
上記位置決め方法を適用すると、平板状金結晶一つに対
してプローブ１つを精度良く対向させることができる。

【００５１】図２３にプローブ支持手段１１１の記録媒
体と対向する側の面を示す。１１０はプローブ、１０９
は位置決め用の電極である。また、１２２は圧電体バイ
モルフ型のカンチレバーであり、プローブ１１０を該カ
ンチレバー１２２の自由端に支持している。カンチレバ
ー１２２はプローブ１１０を記録媒体の表面に対して垂
直な方向（図１８のＺ方向）に変位させる。なお、プロ
ーブ支持手段１１１はＳｉ単結晶を用いることにより既
知のマイクロメカニクス技術により作成できる（例え
ば、Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｅｎ、Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ、
７０、４２０（１９８２）参照）。

【００５２】なお本発明第２は、前述した実施態様の例
以外にも様々な態様にて実施可能である。

【００５３】例えば、平板状金結晶の形成に用いる金錯
体としては、［ＡｕＩ₄］^-、［ＡｕＩ₂］^-、［ＡｕＣｌ
₄］^-、［Ａｕ（ＣＮ）₂］^-、［Ａｕ（ＣＮ）₃］^-などを
用いることができる。

【００５４】金錯体の分解処理手段としては、加熱、還
元剤処理等がある。還元剤としては例えば、ハイドロキ
ノン、ピロガロール、パイロカテキン、グクシン、メト
ールハイドロキノン、アミドール、メトール、亜硫酸ソ
ーダ、チオ硫酸ナトリウムなどの他、溶液中で還元作用
を有する物質が用いられる。

【００５５】また、平板状金結晶を選択的に成長させる
際に用いる核形成密度の小さい基板あるいは基板表面の
被膜としては、前述の平板状金結晶の成長を行った時
に、前述の金属薄膜表面と比較して核形成密度が十分小
さく、かつ金錯体溶液に浸した時に溶解しにくものであ
れば使用可能である。具体的には、ＳｉＯ₂、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＳｉＯＮ、テフロン、ＰＳＧ等が用いられる。

【００５６】また、平板状金結晶の結晶方位を揃えて選
択成長させる際に用いる共晶はゲルマニウムと金との共
晶でも構わず特に制限はない。

【００５７】また、位置合わせ手段は、静電容量式に限
らず磁気エンコーダーでも構わず、特に制限はない。

【００５８】以上説明した本発明第２の記録媒体は、Ｓ
ＰＭ技術による記録再生に十分な平滑性を有する複数の
平板状金結晶と複数のプローブとの相対的な位置関係を
与える基板位置、基準マーカーを有しているので、該プ
ローブを該平板状金結晶表面の所望の位置にアクセスす
る場合、より精度の良い位置制御が可能となる。

【００５９】また、本発明第２の記録媒体が有する平板
状金結晶を、基板上で結晶方位を揃えて選択成長させる
ことにより、該結晶毎の熱による膨張量は同一方向では
同じなので、プローブを平板状金結晶表面の所望の位置
にアクセスする場合において、複数のプローブを同一方
向に該結晶上を走査しても、より精度の良い位置制御が
可能となる。

【００６０】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明を説明する。

【００６１】実施例１ 本実施例は、図１に示したような本発明第１の記録媒体
を作製し、さらにこの記録媒体を用いて情報処理装置を
構成したものである。

【００６２】図１において、２は記録媒体であり、基板
３、電極４、記録層５より構成されている。凹部１はＶ
字溝であり、ストライプ状に配列している。本実施例で
は、基板３としてＳｉ単結晶を用い、ＫＯＨ溶液による
異方性エッチングにより基板３の電極４を設けた面の反
対面に凹部１を形成した。

【００６３】図３を用いて本実施例の記録媒体の作製方
法を説明する。

【００６４】まず、図３（ａ）に示したように、厚さ８
００μｍのＳｉ（１００）基板３の上下面に厚さ０．３
μｍのＳｉ₃Ｎ₄からなる保護層１７，１８をＬＰＣＶＤ
法を用いて形成した。続いて図３（ｂ）に示すように、
保護層１７を通常のフォトリソグラフィー法とＣＦ₄ガ
スを用いたプラズマエッチングにより、幅５０μｍ、間
隔を２００μｍのストライプ状にパターニングし、後述
の基板３の異方性エッチングのためのマスク層を形成し
た。次に、このマスク層を形成した基板を、図３（ｃ）
に示すように、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチング
を行い、凹部１を形成した。このようにして異方性エッ
チングを行うと、マスク層のない部分でＳｉ（１００）
基板は表面に対して５４．７°の角度でＶ字形に加工さ
れ、幅２００μｍ、深さ１５０μｍのＶ字溝がストライ
プ状に形成される。続いて、図３（ｄ）に示すように、
保護層１７，１８を除去して、凹部１を有する基板３を
作製した。

【００６５】次に、図３（ｅ）に示すように、凹部１を
形成した面と反対側の基板３の面にまずＣｒを厚さ５０
Å真空蒸着し、ついでＡｕを１０００Å真空蒸着して電
極４を形成した。

【００６６】続いて、図３（ｆ）に示すように、記録層
５としてスクアリリウム−ビス−６−オクチルアズレン
（ＳＯＡＺ）の単分子膜を、ラングミュアーブロジェッ
ト（ＬＢ）法により、電極４上に２層積層した（特開昭
６３−１６１５５２号公報参照）。具体的な記録層の作
製は、まずＳＯＡＺを濃度０．２ｍｇ／ｍｌで溶かした
クロロホルム溶液を水温２０℃の純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除去
後、表面圧を２０ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を一定
に保ちながら図３（ｅ）で示した電極４付きの基板３を
水面を横切る方向に速度１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬
した後、続いて５ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げて２層
のＹ型単分子累積膜を作成して、該膜を記録層５とし
た。

【００６７】このように作製した本実施例の記録媒体２
を図４に示すようなＳＴＭの原理を用いた情報処理装置
に組み込んだ。尚、図２と同一符号で示したものは同等
部材を示している。

【００６８】本装置では、記録媒体２の凹部１を有する
面を記録媒体駆動機構８に固定した。また、放熱を促進
する為に、Ｖ溝１が記録媒体駆動機構８と形成する三角
形の窓１６は開放状態にしておく。

【００６９】なお本実施例の記録媒体駆動機構８は円筒
型圧電体より構成されており、一方の端は支持体１２に
固定されており、自由端に前記記録媒体２を固定させ
た。該圧電体の側面には４つの同形状の電極が等間隔で
取り付けられている。図５に該圧電体と電極の水平断面
図を示す。尚、５１〜５４は電極、５５は円筒型圧電体
である。

【００７０】本実施例では、電極５１，５３に加える正
弦波電圧の位相を電極５２，５４に加える正弦波電圧の
位相に対して９０°ずらすことにより、前記圧電体の自
由端を円運動させ、記録媒体２を円運動させた。これに
よりプローブ７と記録媒体２との相対走査を行った。こ
の時、電極５１〜５４への電圧印加は記録媒体駆動回路
１４により行った。

【００７１】本装置ではプローブ７を複数個設け、プロ
ーブ駆動機構１０として圧電体バイモルフ型のカンチレ
バーを用いた。該カンチレバー１０はカンチレバー支持
体１５に支持されている。図６にカンチレバー支持体１
５の模式的な斜視図を示す。

【００７２】これらのプローブ、カンチレバー等は既知
のマイクロメカニクス技術により作成した（例えば、
Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｅｎ、Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ、７
０、４２０（１９８２）参照）。

【００７３】該カンチレバーはカンチレバー駆動回路１
３からの電圧により、記録層５に対して垂直な方向に変
形できる構成になっており、該プローブの動きに連動さ
せてプローブ７を変位させる。

【００７４】次に、本実施例で行った記録再生動作につ
いて説明する。

【００７５】本情報処理装置で記録媒体５に情報の記録
を以下の方法により行った。

【００７６】まず、電圧印加回路６でプローブ７に＋
１．５Ｖの電圧を印加した状態で該プローブ７に流れる
電流Ｉ_Tを電流電圧変換回路９で検出し、該電流値Ｉ_Tが
１０^-8［Ａ］≧Ｉ_T≧１０^-10［Ａ］になるようにカンチ
レバー１０を用いて該プローブ７と記録層５の表面間の
距離を調整した。

【００７７】続いて、該距離を保持した状態で、プロー
ブ７を＋側、電極４を−側にして図２４に示すような電
圧を電圧印加回路６によりプローブ７と電極４の間に印
加する。該電圧印加後、プローブ７に対向した記録層５
の微小領域の導電率は増大し、かつその状態は保存され
る。以上の動作により記録ビットを書き込んだ。

【００７８】記録したい情報に基づいた記録ビット列
は、前記記録媒体駆動機構８を円運動させることによ
り、プローブ７を記録層５上で移動させつつ、前記書き
込み運動を行って形成した。

【００７９】また記録された情報の再生は以下の方法に
より行った。＋１．５Ｖの電圧を印加されたプローブ７
を前記方法により記録層５からの距離を一定に維持しな
がら該記録層５上を走査する。ビット部はそれ以外の領
域と比較して導電率が高いので、ビット部上を該プロー
ブ７が走査すると、該プローブ７に流れる電流はビット
部以外をプローブが走査した場合と比較して大きくな
る。この電流値の変化を電流電圧変換回路９で検出する
ことにより情報の再生を行った。

【００８０】本実施例では図４で示す情報処理装置を用
いて、前述した記録再生動作を繰り返し行ったところ、
駆動機構８等からの熱による記録層５の膨張に起因する
記録ビットの位置ずれを非常に小さくでき、読み出しエ
ラーの少ない記録再生を行うことができた。

【００８１】実施例２ 本実施例は、図７に示されるような本発明第１の記録媒
体を作製し、さらにこの記録媒体を用いて情報処理装置
を構成したものである。

【００８２】図７において、２は記録媒体であり、基板
３、電極４、記録層５により構成されている。凹部１は
基板３の記録層５側に形成したＶ字溝であり、ストライ
プ状の配列している。本実施例では基板３としてＳｉ単
結晶を用い、ＫＯＨ溶液による異方性エッチングにより
凹部１を形成した。

【００８３】図８を用いて本実施例の記録媒体の作製方
法を説明する。

【００８４】まず、図８（ａ）に示したように、厚さ８
００μｍのＳｉ（１００）基板３の上下面に厚さ０．３
μｍのＳｉ₃Ｎ₄からなる保護層１７，１８をＬＰＣＶＤ
法を用いて形成した。続いて図８（ｂ）に示すように、
後述の電極４の形成領域１９以外の保護層１７を通常の
フォトリソグラフィー法とＣＦ₄ガスを用いたプラズマ
エッチングにより、幅５０μｍ、間隔を２００μｍのス
トライプ状にパターニングし、後述の基板３の異方性エ
ッチングのためのマスク層を形成した。

【００８５】次に、このマスク層を形成した基板を、図
８（ｃ）に示すように、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性エ
ッチングを行い、凹部１を形成した。このようにして異
方性エッチングを行うと、マスク層のない部分でＳｉ
（１００）基板は表面に対して５４．７°の角度でＶ字
形に加工され、幅２００μｍ、深さ１５０μｍのＶ字溝
がストライプ状に形成される。続いて、図８（ｄ）に示
すように、保護層１７，１８を除去して、凹部１を有す
る基板３を作製した。

【００８６】次に、図８（ｅ）に示すように、凹部１を
形成した基板３の面上に所望の形状の電極４の形成領域
１９を有するフォトレジストパターンを形成する。２０
はフォトレジストである。

【００８７】続いて、フォトレジスト２０でパターン形
成した基板３の面に対して垂直方向からまずＣｒを５０
Å真空蒸着し、ついでＡｕを１０００Å真空蒸着した
後、リフトオフによりＣｒ／Ａｕ膜よりなる電極４を形
成した（図８（ｆ）参照）。

【００８８】続いて、記録層５として、実施例１で述べ
た方法により、スクアリリウム−ビス−６−オクチルア
ズレン（ＳＯＡＺ）の単分子膜をＬＢ法により電極４上
に２層積層した（図８（ｇ）参照）。

【００８９】このように作製した本実施例の記録媒体２
を図９に示すようなＳＴＭの原理を用いた情報処理装置
に組み込んだ。

【００９０】本装置の構成及び記録再生原理は実施例１
と同じである。

【００９１】上記装置を用いて、記録再生動作を繰り返
し行ったところ、駆動機構８等からの熱による記録媒体
５の膨張に起因する記録ビットの位置ずれを非常に小さ
くでき、読み出しエラーの少ない記録再生を行うことが
できた。

【００９２】実施例３ 本実施例は、図１０に示されるような本発明第１の記録
媒体を作製し、さらにこの記録媒体を用いて情報処理装
置を構成したものである。

【００９３】図１０において、２は記録媒体であり、基
板３、電極４、記録層５より構成されている。

【００９４】凹部１は矩形溝であり、互いに直交するス
トライプ状に配列している。

【００９５】本実施例の記録媒体は次のように作製し
た。まず、厚さ１ｍｍのガラス基板３の一方の面をディ
スコ社製のカッティング装置で機械的に幅３００μｍ、
深さ２００μｍの矩形溝をストライプ状に削った。次に
該ストライプに直交させて、再び同様の矩形溝をストラ
イプ状に削った。このようにして図１０に示すように矩
形溝のストライプを互いに直交させて凹部１を形成し
た。

【００９６】続いて、基板３の凹部１を設けた面と反対
側の面に、実施例１と同じ方法により、Ｃｒ／Ａｕ膜よ
りなる電極４を形成した。

【００９７】次に記録層５として、実施例１と同じ方法
により、スクアリリウム−ビス−６−オクチルアズレン
（ＳＯＡＺ）の単分子膜をＬＢ法により電極４上に２層
積層した。

【００９８】このように作製した本実施例の記録媒体２
を実施例１で述べた情報処理装置（図４参照）の記録媒
体駆動機構８に固定した。この際、記録媒体２の凹部１
を有する面を記録媒体駆動機構８に固定した。この固定
状態の模式図を図１１に示す。

【００９９】上記装置を用いて、実施例１と同様にして
記録再生動作を繰り返し行ったところ、駆動機構８等か
らの熱による記録層５の膨張に起因する記録ビットの位
置ずれを非常に小さくでき、読み出しエラーの少ない記
録再生を行うことができた。

【０１００】実施例４ 本実施例では、実施例１におけるＬＢ膜からなる記録層
を電極４上に形成しないこと以外は、実施例１と同様に
して本発明第１の記録媒体を作製した。即ち、本実施例
においては電極４の表層を記録層としたものである。

【０１０１】本実施例の記録媒体２を図１２に示すよう
なＳＴＭ，ＡＦＭの原理を用いて情報の記録、再生を行
う情報処理装置に組み込んだ。

【０１０２】記録層５への情報の書き込みをＳＴＭ技術
を用いて行う場合、プローブ７と金電極よりなる記録層
５との間にパルス電源２１を用いてパルス幅数μｓｅ
ｃ、波高値数ボルトの電圧を印加して、記録層５表面上
に直径１０ｎｍ、高さ２ｎｍの凸部を形成した。これが
記録ビット２２となる。

【０１０３】記録ビットの再生はＡＦＭ技術を用いて行
う。即ち、記録層５とプローブ７との間に原子間力が作
用する程度までプローブ７を記録層５に近接させ、プロ
ーブ７に働く原子間力が一定になるようにフィードバッ
クをかけながらプローブ７と記録層５とを相対的に走査
すると、記録層５表面の凹凸に応じてプローブ７が上下
する。このプローブ７の上下動に連動したカンチレバー
１０の動きを光てこの原理で検出する。この方法により
記録ビット２２を検出する。

【０１０４】本実施例では図１２に示した情報処理装置
を用いて、前述した記録再生動作を繰り返し行ったとこ
ろ、記録媒体駆動機構等からの熱による記録層５の膨張
に起因する記録ビットの位置ずれを非常に小さくでき、
読み出しエラーの少ない記録再生を行うことができた。

【０１０５】実施例５ 本実施例の記録媒体は、実施例１で示した本発明第１の
記録媒体の構成に、更に、凹部１の放熱性を上げるため
に凹部１上及び記録媒体側面に熱放出促進用の金属薄膜
を設けたものである。図１３に本実施例の記録媒体の概
略断面図を示す。

【０１０６】本実施例では基板３に凹部１を設けた後、
該基板３の全表面に、実施例１と同じ方法、条件によ
り、ＣｒついでＡｕを蒸着した。凹部１を設けた面と反
対側の面に形成された前記金薄膜は電極４として、それ
以外の凹部１上等に形成された金薄膜は熱放出促進用の
膜３２として用いた。

【０１０７】記録層５は、実施例１と同じ方法で、スク
アリリウム−ビス−６−オクチルアズレン（ＳＯＡＺ）
の単分子膜を電極４上に２層積層して作製した。

【０１０８】このように作製した本実施例の記録媒体２
を図４に示したＳＴＭの原理を用いた情報処理装置に組
み込んだ。この際、記録媒体２の凹部１を有する面を記
録媒体駆動機構８に固定した。

【０１０９】本装置を用いて、実施例１で説明した記録
再生原理で記録再生動作を繰り返し行ったところ、駆動
機構８等からの熱による記録層５の膨張に起因する記録
ビットの位置ずれを非常に小さくでき、読み出しエラー
の少ない記録再生を行うことができた。

【０１１０】実施例６ 本実施例は、図１４に示したような本発明第２の記録媒
体を作製し、さらにこの記録媒体を用いて情報処理装置
を構成したものである。

【０１１１】図１５を用いて本実施例の記録媒体の作製
方法を説明する。

【０１１２】まず、蒸留水５００ｍｌにヨウ化カリウム
４０ｇ及びヨウ素６ｇを投入して撹拌溶解させた。この
溶液に金を２ｇ投入して撹拌溶解させた。金の溶解後、
この溶液から１００ｍｌ分取して反応容器にいれ、ここ
にさらに蒸留水を５００ｍｌ加えて撹拌し結晶成長用溶
液とした。

【０１１３】次に図１５（ａ）に示されるようにＳｉ
（１１１）基板１０２上に、真空蒸着法により金属薄膜
１０５を０．０５μｍの厚さで堆積した。この金属薄膜
１０５の材料として本実施例ではＡｕを用いた。

【０１１４】このように作成したＡｕよりなる金属薄膜
１０５を、図１５（ｂ）に示すように、通常のフォトリ
ソグラフィーとヨウ化カリウムとヨウ素の水溶液による
エッチングにより、Ａｕよりなる金属薄膜１０５を直径
１μｍのドット状にパターニングした。ドットの間隔は
１１０μｍとした。

【０１１５】続いて、この基板を３８０℃に加熱して熱
処理し、図１５（ｃ）に示すように、Ａｕ−Ｓｉの共晶
１０８をドット状に作成した。該共晶１０８は、Ｓｉ
（１１１）面の影響を受け、基板１０２の面内方向に結
晶方位が揃っている。

【０１１６】次に、図１５（ｄ）に示すように、位置決
め用櫛形電極１０４を設ける領域に開口部１１４を有す
るレジストパターン１１５を形成した。この後、金を真
空蒸着してリフトオフし、位置決め用櫛形電極１０４を
形成した（図１５（ｅ）参照）。尚、金の厚さは０．１
μｍである。この際の蒸着条件は、真空度５×１０^-7Ｔ
ｏｒｒ、基板温度は室温、蒸着速度は０．１ｎｍ／ｓｅ
ｃとした。尚、該Ａｕ膜１０４は不図示の厚さ０．００
５μｍの蒸着Ｃｒ膜の上に成膜した。

【０１１７】次に、図１５（ｆ）に示すように位置決め
用櫛形電極１０４をポリイミド系レジスト１１６でマス
キングして、該電極１０４を保護した上で、該基板を約
９０℃に加熱した上述の結晶成長用溶液に投入し、温度
を保ったまま放置した。

【０１１８】４０分後に基板を取り出し、前記レジスト
を除去した。該基板を観察したところ、図１５（ｇ）に
示したように、ドット状の結晶１０８上のみに選択的に
平板状金結晶１０３が形成されていた。

【０１１９】この平板状金結晶１０３は基板に垂直方向
には（１１１）面を有している。また該結晶１０３は、
前述した共晶１０８の結晶方位の影響を受けて、基板の
面内方向にも結晶方位が揃っていた。図１５（ｇ）の上
面図が図１４に相当する。

【０１２０】各平板状金結晶１０３の基板の面内方向の
平均粒径は約１００μｍであり、厚さは１μｍであっ
た。

【０１２１】以上のようにして作成した平板状金結晶１
０３は平板状表面を位相差顕微鏡及びＳＴＭで観察した
ところ、段差の大きさが単原子層程度のステップが存在
している以外、それ以上に大きな段差や穴は観察され
ず、大面積にわたって極めて平滑な金結晶面が得られ
た。

【０１２２】次に、上記記録媒体を図２０に示すような
ＳＴＭ技術を応用した情報処理装置に組み込み、記録再
生動作を行った。

【０１２３】同図において、１０１は本実施例で作製し
た記録媒体であり、１０２は基板、１０３は平板状金結
晶、１０４は位置決め用の櫛形電極である。本実施例で
は該平板状金結晶１０３の表面を記録面とした。

【０１２４】１１０はプローブ、１１１はプローブ支持
手段、１０９は前記電極１０４に対向して設けた静電容
量検出用の電極であり、これらは従来のマイクロメカニ
クス技術により作成した。

【０１２５】１１３は静電容量検出回路であり、電極１
０４と電極１０９が形成するコンデンサー１１２の静電
容量を検出する。

【０１２６】１１４はプローブ支持手段１１１の駆動機
構であり、１１５は記録媒体１０１の駆動機構である。
本実施例では該駆動機構１１４，１１５としてＸＹステ
ージを用いた。駆動機構１１４，１１５はそれぞれ駆動
回路１１６，１１７からの信号により駆動する。また、
１１８は平板状金結晶１０３とプローブ１１０間に電圧
を印加する回路であり、１１９は電流電圧変換回路であ
る。１２０はこれらを制御するコンピュータである。

【０１２７】本実施例では記録再生動作を行う前にま
ず、先に説明した原理で、記録媒体１０１とプローブ支
持手段１１１の間に形成された４つのコンデンサーの静
電容量が最大になる記録媒体１０１とプローブ支持手段
１１１との位置を探し、その位置を記録媒体１０１に対
してプローブ支持手段１１１が原点にいるとした。この
際、駆動機構１１４及び１１５により記録媒体１０１と
プローブ支持手段１１１を相対駆動してコンデンサー１
１２の静電容量を変化させた。

【０１２８】次に、駆動機構１１４及び１１５により記
録媒体１０１に対して相対的にプローブ１１０を変位さ
せながら記録再生動作を行った。この際、記録媒体１０
１に対するプローブ支持手段１１１の原点からの相対的
な変位量を、先に説明した原理で、コンデンサー１１２
の静電容量の周期的な変化を静電容量計１１３により計
測することにより求めた。

【０１２９】本実施例では、情報の記録を行う場合は、
電圧印加回路１１８によりプローブ１１０と平板状金結
晶１０３との間にパルス幅数μｓｅｃ、波高値数ボルト
のパルス電圧を印加する。この電圧印加により、平板状
金結晶１０３の表面に直径１０ｎｍ、高さ２ｎｍの凸部
が形成される。これを記録ビットとした。

【０１３０】この際、先に述べたように記録媒体１０１
とプローブ１１０を、静電容量計１１３で変位量を計測
しながら駆動機構１１４及び１１５により相対的に走査
しつつ、上記ビット形成動作を行うことにより、平板状
金結晶１０３の表面上に記録ビット列を形成した。

【０１３１】記録ビットの再生を行う場合は、ＳＴＭの
原理により、平板状金結晶１０３の表面内から前記凸部
の検出をする事で行った。トンネル電流の検出は電流電
圧変換回路１１９により行った。

【０１３２】本実施例では、静電容量計１１３で変位量
を計測しながら駆動機構１１４及び１１５により相対的
に走査して、プローブ１１０を平板状金結晶１０３の表
面の所望の領域にアクセスし、ビット再生をしたとこ
ろ、再生エラーが少ないことが確認できた。

【０１３３】本実施例で記録再生動作を繰り返し行った
ところ、複数のプローブを記録媒体の複数の平板状金結
晶表面の所望の位置にアクセスする場合、精度の良い位
置制御が可能であった。

【０１３４】実施例７ 本実施例では、基板２としてＧｅ（１１１）単結晶を用
い、実施例１と同じ工程でＡｕ−Ｇｅ共晶を核として平
板状金結晶を選択成長させ、かつ位置決め用の櫛形電極
を形成して本発明第２の記録媒体を作製した。

【０１３５】本実施例の方法により作製した平板状金結
晶群を構成する平板状金結晶について、平板状表面を位
相差顕微鏡及びＳＴＭで観察したところ、段差の大きさ
が単原子層程度のステップが存在している以外、それ以
上に大きな段差や穴は観察されず、大面積にわたって極
めて平滑な金結晶面が得られた。

【０１３６】次に、上記記録媒体を、実施例６で述べた
情報処理装置（図２０参照）に組み込み、平板状金結晶
の表面を記録層として、実施例１と同様の方法で、記録
再生動作を行った。

【０１３７】本実施例で記録再生動作を繰り返し行った
ところ、複数のプローブを記録媒体の複数の平板状金結
晶表面の所望の位置にアクセスする場合、精度の良い位
置制御が可能であった。

【０１３８】実施例８ 本実施例では、実施例６で作製した記録媒体に更に加工
を加えた。本実施例では図１４で示した複数の平板状金
結晶１０３の表面に、実施例１で示した手法によりスク
アリリウム−ビス−６−オクチルアズレン（ＳＯＡＺ）
の単分子膜を二層積層した。

【０１３９】図２１に本実施例の記録媒体の模式図を示
す。１２１が上記単分子累積膜である。単分子累積膜１
２１の表面を、走査型電子顕微鏡及びＳＴＭで観察した
ところ、段差の大きさが数Å程度のステップが存在して
いる以外、それ以上に大きな段差や穴は観察されず、大
面積にわたって極めて平滑な単分子累積面が得られた。

【０１４０】次に、上記記録媒体を、図２２に示すよう
な情報処理装置に組み込み、実施例６と同様に記録再生
動作を行った。本実施例では上記単分子累積膜１２１に
情報の書き込み行った。

【０１４１】単分子累積膜１２１への情報の記録は以下
の方法により行った。まず電圧印加回路１１８でプロー
ブ１１０に＋１．５Ｖの電圧を印加した状態で該プロー
ブ１１０に流れる電流Ｉ_Tを電流電圧変換回路１１９で
検出し、該電流値Ｉ_Tが１０^-8［Ａ］≧Ｉ_T≧１０
^-10［Ａ］になるようにプローブ駆動機構１１４を用い
て該プローブ１１０と単分子累積膜１２１との距離を調
整した。

【０１４２】続いて、該距離に保持した状態で、プロー
ブ１１０を＋側、平板状金結晶１０５を−側にして図２
４に示すような電圧を電圧印加回路１１８によりプロー
ブ１１０と平板状金結晶１０３の間に印加する。該電圧
印加後、プローブ１１０に対向した単分子累積膜１２１
の微小領域の導電率が増大し、かつその状態は保持され
る。以上の動作により記録ビットを書き込んだ。

【０１４３】また記録した情報の再生は以下の方法によ
り行った。＋１．５Ｖの電圧を印加されたプローブ１１
０を前記方法により単分子累積層１２１からの距離を一
定に維持し、かつ静電容量計１１３で原点からの該プロ
ーブ１１０の変位量を計測しながら単分子累積膜１２１
上を走査する。ビット部はそれ以外の領域と比較して導
電率が高いので、ビット部上を該プローブ１１０が走査
すると、該プローブ１１０に流れる電流がビット部以外
をプローブが走査した場合と比較して大きくなる。この
電流値の変化を電流電圧変換回路１１９で検出すること
により情報の再生を行った。本実施例においても、実施
例６と同様に良好な結果が得られた。

【０１４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を奏する。

【０１４５】（１） 本発明第１の記録媒体によれば、
基板の表面積を増大し、放熱効率を向上させたことによ
り、外部からの熱による変形を低減できる。このため、
該記録媒体を用いて構成した情報処理装置では、記録媒
体の駆動機構等で発生する熱による記録媒体の熱変形を
防止でき、記録ビットの位置ずれが少なくなり、記録再
生時のエラーレートが低減され高精度の装置となった。

【０１４６】（２） 本発明第２の記録媒体によれば、
ＳＰＭ技術による記録再生に十分な平滑性を有する複数
の平板状金結晶と複数のプローブとの相対的な位置関係
を与える基準位置、基準マーカーを有しているので、該
プローブを該平板状金結晶表面の所望の位置にアクセス
する場合、より精度の良い位置制御が可能となった。

【０１４７】また、本発明第２の記録媒体が有する平板
状金結晶を、基板上で結晶方位を揃えて選択成長させる
ことにより、該複数の結晶毎の熱による同一方向の膨張
量を同じくできるため、プローブを平板状金結晶表面の
所望の位置にアクセスする場合において、複数のプロー
ブを同一方向に該結晶上を走査しても、より精度の良い
位置制御が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１の記録媒体の一例を示す斜視図であ
る。

【図２】図１の記録媒体を用いた情報処理装置の概略構
成図である。

【図３】実施例１にて示す本発明第１の記録媒体の製造
工程を説明するための図である。

【図４】実施例１にて示す本発明の情報処理装置の概略
構成図である。

【図５】図４の装置に関わる円筒型圧電体の断面図であ
る。

【図６】図４の装置に関わるカンチレバー支持体の模式
的な斜視図である。

【図７】実施例２にて示す本発明第１の記録媒体の斜視
図である。

【図８】図７の記録媒体の製造工程を説明するための図
である。

【図９】実施例２にて示す本発明の情報処理装置の概略
構成図である。

【図１０】実施例３にて示す本発明第１の記録媒体の斜
視図である。

【図１１】図１０の記録媒体と駆動機構との固定状態を
模式的に示す図である。

【図１２】実施例４にて示す本発明の情報処理装置の概
略構成図である。

【図１３】実施例５にて示す本発明第１の記録媒体の模
式図である。

【図１４】本発明第２の記録媒体の一例を示す平面図で
ある。

【図１５】実施例６にて示す本発明第２の記録媒体の製
造工程を説明するための図である。

【図１６】本発明第２の記録媒体に係る平板状金結晶を
選択的に形成する工程を説明するための図である。

【図１７】本発明第２の記録媒体に係る平板状金結晶を
共晶上に選択成長させる工程を説明するための図であ
る。

【図１８】本発明第２の記録媒体を用いた情報処理装置
の位置合わせに関連する部分を模式的に示した図であ
る。

【図１９】図１８の装置における櫛形電極の平面図であ
る。

【図２０】実施例６にて示す本発明の情報処理装置の概
略構成図である。

【図２１】実施例８にて示す本発明第２の記録媒体の模
式図である。

【図２２】実施例８にて示す本発明の情報処理装置の概
略構成図である。

【図２３】本発明第２の記録媒体を用いて構成される情
報処理装置のプローブ支持手段の平面図である。

【図２４】情報記録用の電圧パルス波形である。

【図２５】本発明第２の記録媒体に係る平板状金結晶の
光学顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１ 凹部 ２ 記録媒体 ３ 基板 ４ 電極 ５ 記録層 ６ 電圧印加回路 ７ プローブ ８ 記録媒体駆動機構 ９ 電流電圧変換回路 １０ プローブ保持手段 １１ コンピュータ １２ 支持体 １３ カンチレバー駆動回路 １４ 記録媒体駆動回路 １５ プローブ保持部 １６ 凹部が形成する窓 １７，１８ 保護層 １９ 電極形成領域 ２０ レジスト ３２ 金属薄膜 ５１〜５４ 電極 ５５ 円筒型圧電体 １０１ 記録媒体 １０２ 基板 １０３ 平板状金結晶 １０４ 静電容量検出用電極 １０５ 金属薄膜 １０８ 共晶 １０９ 静電容量検出用電極 １１０ プローブ １１１ プローブ支持手段 １１２ コンデンサー １１３ 静電容量計 １１４ 記録媒体駆動機構 １１５ プローブ支持手段駆動機構 １１６，１１７ 駆動回路 １１８ 電圧印加回路 １１９ 電流電圧変換回路 １２０ コンピューター １２１ 単分子累積薄膜 １２２ カンチレバー

フロントページの続き (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プローブを介して情報の記録再生を行う
   情報処理装置に用いる記録媒体であって、該記録媒体は
   基板と電極と記録層を有し、該基板には表面積を増大さ
   せる処理が施されていることを特徴とする記録媒体。
2. 【請求項２】 前記処理により、前記基板に凹部が形成
   されていることを特徴とする請求項１に記載の記録媒
   体。
3. 【請求項３】 前記凹部が、複数の溝であることを特徴
   とする請求項２に記載の記録媒体。
4. 【請求項４】 前記凹部の断面形状が、Ｖ字または矩形
   であることを特徴とする請求項２に記載の記録媒体。
5. 【請求項５】 前記凹部が金属薄膜で被覆されているこ
   とを特徴とする請求項２に記載の記録媒体。
6. 【請求項６】 前記金属が金であることを特徴とする請
   求項５に記載の記録媒体。
7. 【請求項７】 プローブを介して情報の記録再生を行う
   情報処理装置において、請求項１〜６いずれかに記載の
   記録媒体を具備することを特徴とする情報処理装置。
8. 【請求項８】 前記プローブと前記記録媒体間に流れる
   トンネル電流を用いて記録再生を行うことを特徴とする
   請求項７に記載の情報処理装置。
9. 【請求項９】 複数のプローブを介して情報の記録再生
   を行う情報処理装置に用いる記録媒体であって、該記録
   媒体は、基板上に２次元的に配列している複数個の平板
   状金結晶と、該記録媒体と該プローブとの相対的な位置
   合わせを行うための手段とを有することを特徴とする記
   録媒体。
10. 【請求項１０】 前記位置合わせを行う手段が、静電容
    量検出用の平板電極であることを特徴とする請求項９に
    記載の記録媒体。
11. 【請求項１１】 前記２次元的に配列した平板状金結晶
    が周期的に配列していることを特徴とする請求項９に記
    載の記録媒体。
12. 【請求項１２】 前記平板状金結晶の結晶方位が、前記
    基板面内方向に対して揃っていることを特徴とする請求
    項９に記載の記録媒体。
13. 【請求項１３】 請求項９〜１２いずれかに記載の記録
    媒体を製造する方法において、前記平板状金結晶群を金
    錯体溶液中の金錯体を分解処理することによって形成す
    ることを特徴とする記録媒体の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記平板状金結晶を前記基板表面に設
    けた前記基板と金属との共晶上に選択成長せしめること
    を特徴とする請求項１３に記載の記録媒体の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記基板がＳｉであり、前記金属がＡ
    ｕであり、前記共晶がＳｉ−Ａｕ共晶であることを特徴
    とする請求項１４に記載の記録媒体の製造方法。
16. 【請求項１６】 複数のプローブを介して情報の記録再
    生を行う情報処理装置において、請求項９〜１２いずれ
    かに記載の記録媒体を具備することを特徴とする情報処
    理装置。
17. 【請求項１７】 前記プローブが、前記記録媒体の平板
    状金結晶に対向配置されていることを特徴とする請求項
    １６に記載の情報処理装置。
18. 【請求項１８】 前記平板状金結晶一つに対して、前記
    プローブの一つが対向していることを特徴とする請求項
    １７に記載の情報処理装置。