JPH0894646A - 表面分析装置 - Google Patents
表面分析装置Info
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- JPH0894646A JPH0894646A JP6254268A JP25426894A JPH0894646A JP H0894646 A JPH0894646 A JP H0894646A JP 6254268 A JP6254268 A JP 6254268A JP 25426894 A JP25426894 A JP 25426894A JP H0894646 A JPH0894646 A JP H0894646A
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- Japan
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- probe
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）による観察
と同程度のレベルのオーダーの微小領域の分析を可能に
する。 【構成】 試料とプローブとの間に観察電圧よりも高い
原子化電圧を印加して、試料の表面を原子化させ、それ
にレーザー光を照射することにより試料原子をイオン化
する。このイオンを抽出電極で引き出して、質量分析を
行なう。
と同程度のレベルのオーダーの微小領域の分析を可能に
する。 【構成】 試料とプローブとの間に観察電圧よりも高い
原子化電圧を印加して、試料の表面を原子化させ、それ
にレーザー光を照射することにより試料原子をイオン化
する。このイオンを抽出電極で引き出して、質量分析を
行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性（半導体を含
む）の試料のごく表面（ｎｍオーダー）の分析を行なう
表面分析装置に関する。
む）の試料のごく表面（ｎｍオーダー）の分析を行なう
表面分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、走査型トンネル顕微鏡（Scanning
Tunneling Microscope＝ＳＴＭ）が開発され、物質表
面の凹凸を原子レベルのオーダーで観察することができ
るようになった。ＳＴＭの原理は次の通りである。導電
性の試料と先端を尖鋭にした金属プローブとの間に所定
の電位（通常、０．１〜２Ｖ程度）を印加して、両者間
にトンネル電流が流れるまで両者を近づける。このとき
のプローブ先端と試料表面との間の距離は、通常数オン
グストローム程度である。このトンネル電流が一定とな
るようにプローブと試料との間の距離を制御しつつ、プ
ローブを試料の表面に沿って２次元走査することによ
り、試料表面の３次元形状を測定することができる。
Tunneling Microscope＝ＳＴＭ）が開発され、物質表
面の凹凸を原子レベルのオーダーで観察することができ
るようになった。ＳＴＭの原理は次の通りである。導電
性の試料と先端を尖鋭にした金属プローブとの間に所定
の電位（通常、０．１〜２Ｖ程度）を印加して、両者間
にトンネル電流が流れるまで両者を近づける。このとき
のプローブ先端と試料表面との間の距離は、通常数オン
グストローム程度である。このトンネル電流が一定とな
るようにプローブと試料との間の距離を制御しつつ、プ
ローブを試料の表面に沿って２次元走査することによ
り、試料表面の３次元形状を測定することができる。
【０００３】プローブと試料との間に印加する電圧を上
記観察時の電圧よりも高くして試料の表面の原子を除去
することにより、試料表面に微細な加工を行なう方法も
既に開発されている。
記観察時の電圧よりも高くして試料の表面の原子を除去
することにより、試料表面に微細な加工を行なう方法も
既に開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】試料の表面の凹凸をこ
のように高倍率で観察することにより、試料に関する多
くの情報が得られるが、観察により得られた表面の凹凸
像において特異な箇所等が発見された場合、凹凸像のみ
ではそれ以上の解析は不可能である。
のように高倍率で観察することにより、試料に関する多
くの情報が得られるが、観察により得られた表面の凹凸
像において特異な箇所等が発見された場合、凹凸像のみ
ではそれ以上の解析は不可能である。
【０００５】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、ＳＴＭ
による観察と同程度のレベルのオーダーの微小な領域を
分析することのできる表面分析装置を提供することにあ
る。
成されたものであり、その目的とするところは、ＳＴＭ
による観察と同程度のレベルのオーダーの微小な領域を
分析することのできる表面分析装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係る表面分析装置は、 a)先端を尖鋭にしたプローブと、 b)プローブを試料の表面に対して移動可能に保持するプ
ローブ移動手段と、 c)試料及びプローブを囲い、一方の側面にレーザー光導
入口、別の一方の側面にイオン放出口を備えた試料容器
と、 d)試料容器のレーザー光導入口を通してプローブの先端
付近にレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、 e)試料容器のイオン放出口より試料容器内のイオンを抽
出するイオン抽出手段と、 f)イオン抽出手段により抽出されたイオンの質量分析を
行なう質量分析手段と、 g)プローブと試料の表面との間に第１の所定電圧を印加
しつつ、プローブと導電性の試料表面との間を流れるト
ンネル電流が一定の値となるようにプローブ移動手段を
制御するとともに、第１の所定電圧よりも高い第２の所
定電圧を印加することにより試料の表面を原子化する制
御部と、を備えることを特徴としている。
に成された本発明に係る表面分析装置は、 a)先端を尖鋭にしたプローブと、 b)プローブを試料の表面に対して移動可能に保持するプ
ローブ移動手段と、 c)試料及びプローブを囲い、一方の側面にレーザー光導
入口、別の一方の側面にイオン放出口を備えた試料容器
と、 d)試料容器のレーザー光導入口を通してプローブの先端
付近にレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、 e)試料容器のイオン放出口より試料容器内のイオンを抽
出するイオン抽出手段と、 f)イオン抽出手段により抽出されたイオンの質量分析を
行なう質量分析手段と、 g)プローブと試料の表面との間に第１の所定電圧を印加
しつつ、プローブと導電性の試料表面との間を流れるト
ンネル電流が一定の値となるようにプローブ移動手段を
制御するとともに、第１の所定電圧よりも高い第２の所
定電圧を印加することにより試料の表面を原子化する制
御部と、を備えることを特徴としている。
【０００７】
【作用】制御部は最初にプローブと試料の表面との間に
第１の所定電圧（通常のＳＴＭにおける観察電圧）を印
加しつつ、プローブと試料表面との間を流れるトンネル
電流が一定の値となるように、プローブ移動手段により
プローブと試料表面との間の距離を調節し、また、プロ
ーブを試料に対して２次元走査させる。なお、もちろ
ん、プローブを固定して試料を移動させてもよいし、両
者を共に移動させてもよい。これにより試料表面の凹凸
像が測定される。次に制御部は、外部（操作者や自動分
析装置の制御部等）から指示された箇所にプローブを移
動させ、そこでプローブと試料との間に第２の所定電圧
を印加する。第２の所定電圧は第１の所定電圧よりも高
いため、試料表面の原子は試料から離れる。試料表面か
ら離れた原子は、レーザー光照射手段からのレーザー光
で照射されることによりイオン化する。このイオンはイ
オン抽出手段により試料容器から引き出され、質量分析
手段により質量分析が行なわれる。これにより、観察さ
れた試料の表面の所望の箇所の分析を行なうことができ
る。
第１の所定電圧（通常のＳＴＭにおける観察電圧）を印
加しつつ、プローブと試料表面との間を流れるトンネル
電流が一定の値となるように、プローブ移動手段により
プローブと試料表面との間の距離を調節し、また、プロ
ーブを試料に対して２次元走査させる。なお、もちろ
ん、プローブを固定して試料を移動させてもよいし、両
者を共に移動させてもよい。これにより試料表面の凹凸
像が測定される。次に制御部は、外部（操作者や自動分
析装置の制御部等）から指示された箇所にプローブを移
動させ、そこでプローブと試料との間に第２の所定電圧
を印加する。第２の所定電圧は第１の所定電圧よりも高
いため、試料表面の原子は試料から離れる。試料表面か
ら離れた原子は、レーザー光照射手段からのレーザー光
で照射されることによりイオン化する。このイオンはイ
オン抽出手段により試料容器から引き出され、質量分析
手段により質量分析が行なわれる。これにより、観察さ
れた試料の表面の所望の箇所の分析を行なうことができ
る。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例である表面分析装置を図１
〜図４により説明する。本実施例の表面分析装置は図１
（ａ）に示すように、全体を囲う真空室１１の内部に試
料部１２、抽出電極１３、イオンレンズ１４、質量分析
部１５及びイオン検出部１６の各装置が配置され、ま
た、側面にレーザー光生成部１７が装着されて成る。測
定時、真空室１１は拡散ポンプ（ＤＰ）やターボ分子ポ
ンプ（ＴＭＰ）、イオンポンプ（ＩＰ）等により１０-9
〜１０-10Torr程度の超高真空に保持される。なお、図
１（ａ）ではＴＭＰ及びＤＰを例示したが、ポンプの種
類はこれらに限定されるものではなく、いかなる組み合
わせで用いてもかまわない。
〜図４により説明する。本実施例の表面分析装置は図１
（ａ）に示すように、全体を囲う真空室１１の内部に試
料部１２、抽出電極１３、イオンレンズ１４、質量分析
部１５及びイオン検出部１６の各装置が配置され、ま
た、側面にレーザー光生成部１７が装着されて成る。測
定時、真空室１１は拡散ポンプ（ＤＰ）やターボ分子ポ
ンプ（ＴＭＰ）、イオンポンプ（ＩＰ）等により１０-9
〜１０-10Torr程度の超高真空に保持される。なお、図
１（ａ）ではＴＭＰ及びＤＰを例示したが、ポンプの種
類はこれらに限定されるものではなく、いかなる組み合
わせで用いてもかまわない。
【０００９】試料部１２には、プローブ１２１と試料１
２２を囲う試料室１２４が設けられている。試料室１２
４内は図１に示すように別個の排気系で排気を行なうよ
うにしてもよいが、それを設けずに真空室１１と同じ真
空度（上記超高真空）としてもよい。プローブ１２１は
金属（タングステンＷ、白金イリジウムＰｔＩｒ等）製
の針の先端を電界研磨等で尖鋭にしたものであり、プロ
ーブ駆動部１２３の下部に取り付けられる。プローブ駆
動部１２３は図２に示すように、プローブ１２１を保持
するプローブホルダ２７と、プローブホルダ２７をＸ、
Ｙ、Ｚの各方向に駆動する圧電素子製の駆動体２４、２
５、２６から成る。Ｘ、Ｙ方向の駆動体２４、２５はＸ
−Ｙ走査回路２２から電圧を印加されることにより伸縮
して、プローブ１２１を試料１２２の表面に平行に移動
させる。Ｚ方向の駆動体２６はＺ駆動回路２３から電圧
を印加されることにより伸縮して、プローブ１２１を試
料１２２の表面に対して垂直に移動させる。導電性のプ
ローブホルダ２７と試料１２２を載置する試料台との間
には直流電圧印加回路３２及び電流検出回路３１が設け
られる。これらＸ−Ｙ走査回路２２、Ｚ駆動回路２３、
直流電圧印加回路３２及び電流検出回路３１はいずれも
プローブ制御部２１に接続される。なお、試料室１２４
内には、試料台を大きく移動させるための試料移動機構
が備えられているが、図示を省略している。
２２を囲う試料室１２４が設けられている。試料室１２
４内は図１に示すように別個の排気系で排気を行なうよ
うにしてもよいが、それを設けずに真空室１１と同じ真
空度（上記超高真空）としてもよい。プローブ１２１は
金属（タングステンＷ、白金イリジウムＰｔＩｒ等）製
の針の先端を電界研磨等で尖鋭にしたものであり、プロ
ーブ駆動部１２３の下部に取り付けられる。プローブ駆
動部１２３は図２に示すように、プローブ１２１を保持
するプローブホルダ２７と、プローブホルダ２７をＸ、
Ｙ、Ｚの各方向に駆動する圧電素子製の駆動体２４、２
５、２６から成る。Ｘ、Ｙ方向の駆動体２４、２５はＸ
−Ｙ走査回路２２から電圧を印加されることにより伸縮
して、プローブ１２１を試料１２２の表面に平行に移動
させる。Ｚ方向の駆動体２６はＺ駆動回路２３から電圧
を印加されることにより伸縮して、プローブ１２１を試
料１２２の表面に対して垂直に移動させる。導電性のプ
ローブホルダ２７と試料１２２を載置する試料台との間
には直流電圧印加回路３２及び電流検出回路３１が設け
られる。これらＸ−Ｙ走査回路２２、Ｚ駆動回路２３、
直流電圧印加回路３２及び電流検出回路３１はいずれも
プローブ制御部２１に接続される。なお、試料室１２４
内には、試料台を大きく移動させるための試料移動機構
が備えられているが、図示を省略している。
【００１０】図１（ｂ）に示すように、真空室１１の側
面に設けられたレーザー光生成部１７は、窒素（Ｎ2）
レーザーを内蔵するレーザー室１７１と、生成されたレ
ーザー光１８を透過させるガラス又は石英製の窓１７２
から成る。このレーザー光生成部１７の窓１７２に対向
する試料室１２４の側壁には、レーザー光１８を通過さ
せるためのレーザー光孔１２５が設けられている。な
お、このレーザー光孔１２５にも、レーザー光１８を透
過するガラスや石英等の窓を固定してもよい。
面に設けられたレーザー光生成部１７は、窒素（Ｎ2）
レーザーを内蔵するレーザー室１７１と、生成されたレ
ーザー光１８を透過させるガラス又は石英製の窓１７２
から成る。このレーザー光生成部１７の窓１７２に対向
する試料室１２４の側壁には、レーザー光１８を通過さ
せるためのレーザー光孔１２５が設けられている。な
お、このレーザー光孔１２５にも、レーザー光１８を透
過するガラスや石英等の窓を固定してもよい。
【００１１】試料室１２４の他方の側壁にはイオン抽出
孔１２６が設けられている。上記イオン抽出電極１３は
このイオン抽出孔１２６に固定されており、試料室１２
４内のイオンを電気的にイオンレンズ１４の方に引き出
す。イオンレンズ１４、質量分析部１５及びイオン検出
部１６は従来の質量分析装置で用いられているものと同
じものを用いることができる。図１（ａ）では四重極型
質量分析装置を示しているが、飛行時間型等、その他の
質量分析装置を使用することも可能である。
孔１２６が設けられている。上記イオン抽出電極１３は
このイオン抽出孔１２６に固定されており、試料室１２
４内のイオンを電気的にイオンレンズ１４の方に引き出
す。イオンレンズ１４、質量分析部１５及びイオン検出
部１６は従来の質量分析装置で用いられているものと同
じものを用いることができる。図１（ａ）では四重極型
質量分析装置を示しているが、飛行時間型等、その他の
質量分析装置を使用することも可能である。
【００１２】図３に示すように、試料部１２、レーザー
光生成部１７、抽出電極１３、イオンレンズ１４、質量
分析部１５、イオン検出部１６の各部はそれぞれに設け
られた制御部２１、ドライバ（ＤＲ）４１〜４４及びア
ンプ４５を介して分析制御部４６に接続されている。分
析制御部４６はコンピュータにより構成されており、こ
れには、データ出力用のディスプレイ４７及び指示入力
用のマウス４８等が接続されている。
光生成部１７、抽出電極１３、イオンレンズ１４、質量
分析部１５、イオン検出部１６の各部はそれぞれに設け
られた制御部２１、ドライバ（ＤＲ）４１〜４４及びア
ンプ４５を介して分析制御部４６に接続されている。分
析制御部４６はコンピュータにより構成されており、こ
れには、データ出力用のディスプレイ４７及び指示入力
用のマウス４８等が接続されている。
【００１３】本実施例の表面分析装置により試料１２２
の表面の分析を行なう際の手順及び装置の動作を図４の
フローチャートにより説明する。まず、分析制御部４６
がプローブ制御部２１を介して直流電圧印加回路３２を
制御することにより、試料１２２とプローブ１２１との
間に所定の観察電圧（通常、０．１〜２Ｖ程度）を印加
する（ステップＳ１）。そして、試料台をＺ方向に移動
させることにより試料１２２をプローブ１２１先端に近
づけ、トンネル電流が流れ始めた時点で試料台を停止す
る。トンネル電流の検出は、電流検出回路３１により行
なう。次に、Ｘ−Ｙ走査回路２２によりプローブ１２１
を試料１２２に対して２次元走査し、その間、トンネル
電流の値が一定となるように、Ｚ駆動回路２３によりプ
ローブ１２１を上下させる（ステップＳ２）。これによ
り、プローブ１２１の先端は試料１２２表面との間に所
定の間隔ｓを保持したまま、試料１２２の表面の凹凸に
沿って移動する。この間のＸ−Ｙ走査回路２２及びＺ駆
動回路２３の駆動電圧の変化を３次元表示することによ
り、図３に示すような試料表面の凹凸像が得られる（ス
テップＳ３）。
の表面の分析を行なう際の手順及び装置の動作を図４の
フローチャートにより説明する。まず、分析制御部４６
がプローブ制御部２１を介して直流電圧印加回路３２を
制御することにより、試料１２２とプローブ１２１との
間に所定の観察電圧（通常、０．１〜２Ｖ程度）を印加
する（ステップＳ１）。そして、試料台をＺ方向に移動
させることにより試料１２２をプローブ１２１先端に近
づけ、トンネル電流が流れ始めた時点で試料台を停止す
る。トンネル電流の検出は、電流検出回路３１により行
なう。次に、Ｘ−Ｙ走査回路２２によりプローブ１２１
を試料１２２に対して２次元走査し、その間、トンネル
電流の値が一定となるように、Ｚ駆動回路２３によりプ
ローブ１２１を上下させる（ステップＳ２）。これによ
り、プローブ１２１の先端は試料１２２表面との間に所
定の間隔ｓを保持したまま、試料１２２の表面の凹凸に
沿って移動する。この間のＸ−Ｙ走査回路２２及びＺ駆
動回路２３の駆動電圧の変化を３次元表示することによ
り、図３に示すような試料表面の凹凸像が得られる（ス
テップＳ３）。
【００１４】操作者は、ディスプレイ４７上の試料表面
の凹凸像を見て、分析したい箇所（図３の×印）をマウ
ス４８等の入力機器で分析制御部４６に指示する（ステ
ップＳ４）。分析制御部４６は、Ｘ−Ｙ走査回路２２に
よりプローブ１２１を指示された箇所に移動し、プロー
ブ１２１と試料１２２との間にトンネル電流が流れるま
で両者を近づける（ステップＳ５）。そして、レーザー
光生成部１７から試料室１２４内へレーザー光１８を照
射させるとともに、直流電圧印加回路３２によりプロー
ブ１２１と試料１２２との間に上記観察電圧よりも高い
電圧（通常、５〜１０Ｖ程度）を印加する（ステップＳ
６）。これにより試料１２２の表面の非常に浅い層（数
原子層）の原子のみが試料１２２の表面を離れ、揮発す
る。
の凹凸像を見て、分析したい箇所（図３の×印）をマウ
ス４８等の入力機器で分析制御部４６に指示する（ステ
ップＳ４）。分析制御部４６は、Ｘ−Ｙ走査回路２２に
よりプローブ１２１を指示された箇所に移動し、プロー
ブ１２１と試料１２２との間にトンネル電流が流れるま
で両者を近づける（ステップＳ５）。そして、レーザー
光生成部１７から試料室１２４内へレーザー光１８を照
射させるとともに、直流電圧印加回路３２によりプロー
ブ１２１と試料１２２との間に上記観察電圧よりも高い
電圧（通常、５〜１０Ｖ程度）を印加する（ステップＳ
６）。これにより試料１２２の表面の非常に浅い層（数
原子層）の原子のみが試料１２２の表面を離れ、揮発す
る。
【００１５】揮発した原子はレーザー光１８によりイオ
ン化され、抽出電極１３により試料室１２４から引き出
される。引き出されたイオン１９は、従来の質量分析装
置と同様、イオンレンズ１４により質量分析部１５のイ
オン入射口に集束され、質量分析部１５及びイオン検出
部１６において質量分析される（ステップＳ７）。質量
分析の結果もディスプレイ４７上に表示される（ステッ
プＳ８）。
ン化され、抽出電極１３により試料室１２４から引き出
される。引き出されたイオン１９は、従来の質量分析装
置と同様、イオンレンズ１４により質量分析部１５のイ
オン入射口に集束され、質量分析部１５及びイオン検出
部１６において質量分析される（ステップＳ７）。質量
分析の結果もディスプレイ４７上に表示される（ステッ
プＳ８）。
【００１６】
【発明の効果】従来のＥＰＭＡ（Electron Probe Micro
Analyzer）、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Ch
emical Analysis）、ＡＥＳ（Auger Electron Spectros
cope）等の分析装置では、分析したい箇所に電子ビーム
を照射することにより分析を行なうものであったため、
分析領域が微小であるといってもその範囲はμｍのオー
ダーであった。しかし、本発明に係る表面分析装置では
尖鋭なプローブにより試料表面のごく微小な領域のみを
原子化し、質量分析を行なうため、ｎｍオーダーの領域
の分析を行なうことができる。また、本発明に係る表面
分析装置では、まず通常のＳＴＭと同じ方法により試料
の表面の３次元像を測定することができ、次に、その中
の任意の箇所の質量分析を行なうことができるため、よ
り多面的な試料の解析を行なうことができる。
Analyzer）、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Ch
emical Analysis）、ＡＥＳ（Auger Electron Spectros
cope）等の分析装置では、分析したい箇所に電子ビーム
を照射することにより分析を行なうものであったため、
分析領域が微小であるといってもその範囲はμｍのオー
ダーであった。しかし、本発明に係る表面分析装置では
尖鋭なプローブにより試料表面のごく微小な領域のみを
原子化し、質量分析を行なうため、ｎｍオーダーの領域
の分析を行なうことができる。また、本発明に係る表面
分析装置では、まず通常のＳＴＭと同じ方法により試料
の表面の３次元像を測定することができ、次に、その中
の任意の箇所の質量分析を行なうことができるため、よ
り多面的な試料の解析を行なうことができる。
【図１】 本発明の一実施例である表面分析装置の構成
を示す縦断面図（ａ）及び試料部の横断面図（ｂ）。
を示す縦断面図（ａ）及び試料部の横断面図（ｂ）。
【図２】 試料部の概略構成図。
【図３】 実施例の表面分析装置の電気的構成を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図４】 実施例の表面分析装置による表面分析の手順
を示すフローチャート。
を示すフローチャート。
１１…真空室 １２…試料部 １２１…プローブ １２２…試料 １２３…プローブ駆動部 １２４…試料室 １２５…レーザー光孔 １２６…イオン抽出孔 １３…イオン抽出電極 １４…イオンレンズ １５…質量分析部 １６…イオン検出部 １７…レーザー光生成部 １８…レーザー光 １９…イオン ２１…プローブ制御部 ３１…電流検出回路 ３２…直流電圧印加回路 ４６…分析制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 a)先端を尖鋭にしたプローブと、 b)プローブを試料の表面に対して移動可能に保持するプ
ローブ移動手段と、 c)試料及びプローブを囲い、一方の側面にレーザー光導
入口、別の一方の側面にイオン放出口を備えた試料容器
と、 d)試料容器のレーザー光導入口を通してプローブの先端
付近にレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、 e)試料容器のイオン放出口より試料容器内のイオンを抽
出するイオン抽出手段と、 f)イオン抽出手段により抽出されたイオンの質量分析を
行なう質量分析手段と、 g)プローブと試料の表面との間に第１の所定電圧を印加
しつつ、プローブと導電性の試料表面との間を流れるト
ンネル電流が一定の値となるようにプローブ移動手段を
制御するとともに、第１の所定電圧よりも高い第２の所
定電圧を印加することにより試料の表面を原子化する制
御部と、を備えることを特徴とする表面分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254268A JPH0894646A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254268A JPH0894646A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 表面分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894646A true JPH0894646A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17262618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6254268A Pending JPH0894646A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 表面分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894646A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001083066A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Jeol Ltd | 走査プローブ顕微鏡 |
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