JPH0892729A - 窒化ホウ素含有膜被覆基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高硬度で、優れた化学的安定性を有し、各種
基体への密着性良好な窒化ホウ素含有膜で被覆されてい
ることにより、耐摩耗性、摺動性及び離型性等に優れた
基体を提供する。 【構成】 窒化ホウ素含有膜で被覆された基体であっ
て、この窒化ホウ素含有膜はホウ素（Ｂ）原子数と窒素
（Ｎ）原子数の比（Ｂ／Ｎ組成比）が互いに異なる２以
上の窒化ホウ素含有層からなり、これらの窒化ホウ素含
有層は、立方晶系閃亜鉛鉱型、六方晶系ウルツ鉱型のう
ち少なくとも一方の結晶構造を有する窒化ホウ素を含有
し、最も内側に形成された層のＢ／Ｎ組成比は１５以上
６０以下で、最も外側に形成された層のＢ／Ｎ組成比は
１以上２以下であり、最も外側に形成された層の厚さが
最も内側に形成された層の厚さの１／１００以上１／２
以下である窒化ホウ素含有膜被覆基体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、切削工具、金型、光学
素子成形用型、磁気ヘッド或いは各種の摺動部品といっ
た耐摩耗性、潤滑性、適度の摺動性、離型性及び耐熱性
等の１又は２以上が要求される物品の基体であって、こ
れらの性能を向上させることができるとともに該基体へ
の密着性良好な窒化ホウ素含有膜が被覆された基体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】窒化ホウ素（ＢＮ）は、結晶構造によっ
て立方晶系閃亜鉛鉱型のもの（ｃ−ＢＮ）、六方晶系の
グラファイトと類似した構造のもの（ｈ−ＢＮ）、或い
は六方晶系のウルツ鉱型のもの（ｗ−ＢＮ）等に大別さ
れる。ｈ−ＢＮは、その特性もグラファイトに類似し、
Ｃ軸方向に劈開性を有することから軟質ながらも摺動性
に優れ、現在では人工的に合成された粉末状のものが固
体潤滑剤として、各種摺動部材の摩擦係数を下げるため
に広く用いられている。

【０００３】また、ｃ−ＢＮはダイヤモンドに次ぐ高硬
度を有しており、熱的・化学的安定性はダイヤモンドよ
り優れていることから、切削工具といった耐摩耗性を必
要とする分野への利用が試みられており、また、絶縁性
や高熱伝導率を有する特徴を活かしてヒートシンク用材
料として利用が試みられている。ｗ−ＢＮも高硬度、優
れた熱的・化学的安定性を有し、ｃ−ＢＮと同様、工具
を中心にした耐摩耗性が要求される分野に応用が試みら
れている。

【０００４】ｈ−ＢＮは低温下で容易に粉状に合成さ
れ、また各種物理的蒸着（ＰＶＤ）法や化学的蒸着（Ｃ
ＶＤ）法により容易に膜状に合成される。しかし、ｃ−
ＢＮ及びｗ−ＢＮは、これまで高温度、高圧力下で人工
的に合成されるものであることから、その製造コストは
非常に高くなり、しかも合成される形態がバルク状にな
るため、その応用範囲が限られていた。そこで、ｃ−Ｂ
Ｎ及びｗ−ＢＮを薄膜合成させようとする試みが、各種
ＰＶＤ法やＣＶＤ法によって行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ｃ−Ｂ
Ｎ及びｗ−ＢＮは高硬度であるため、膜形成時に過大な
内部応力を発生させ、しかも化学的に安定であるため、
これらを含有する膜は基体への密着性が劣る。そのた
め、高硬度で化学的安定性に優れ、しかも基体との密着
性良好なＢＮ含有膜は得られておらず、未だ産業上の実
用化には至っていない。

【０００６】そこで本発明は、高硬度で、化学的安定性
に優れ、基体への密着性良好な窒化ホウ素含有膜で被覆
されていることにより、耐摩耗性、摺動性及び離型性等
に優れた基体を提供することを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決すべく研究を重ね、以下の事実を見出した。各種の結
晶構造のＢＮのうちｃ−ＢＮ及びｗ−ＢＮは高硬度であ
るため、これらを含有する膜で被覆することにより基体
の硬度は向上する。しかし前述したように、ｃ−ＢＮ及
びｗ−ＢＮを含有する膜は基体への密着性が劣る。そこ
でｃ−ＢＮ及び（又は）ｗ−ＢＮ含有膜中に窒素（Ｎ）
原子と結合していないホウ素（Ｂ）原子を混入させれ
ば、前記内部応力が緩和され、しかも該膜の基体への濡
れ性が向上するため、該膜の基体への密着性は向上す
る。

【０００８】一方、Ｂ原子の混入により該膜の耐食性、
離型性等の化学的安定性は低下する。そこで前記ＢＮ含
有膜で被覆された基体は、その外側を、Ｂ原子数とＮ原
子数の比（Ｂ／Ｎ組成比）が化学量論組成比（＝１）に
近いＢＮ含有膜で被覆することにより表面の化学的安定
性を向上させることができる。もっとも前記のＢ原子を
多く含む内層と前記の化学量論的組成比に近い外層との
Ｂ／Ｎ組成比が大きく異なるときには、該両層間の組成
の不連続性により該両層からなる前記ＢＮ含有膜中に内
部応力が生じて基体への密着性が低下する恐れがある。

【０００９】そこでこのような密着性低下の恐れのある
ときは、前記両層間に、該両層の中間のＢ／Ｎ組成比を
有する中間層を形成することにより、ＢＮ含有膜内での
Ｂ／Ｎ組成比の変化を連続的なものとし、該膜の基体へ
の密着性を確保することが好ましい。また、前記内層は
Ｎ原子と結合していないＢ原子を比較的多く含むため、
ｃ−ＢＮ及び（又は）ｗ−ＢＮのみからなる膜に比べて
硬度が低い。そのため層厚をある程度厚くすることでｃ
−ＢＮ及び（又は）ｗ−ＢＮの量を増やし、高硬度にす
ることが必要となる。一方、前記外層及び中間層はＢＮ
を比較的多く含むため、層厚をあまり厚くすると、内部
応力が大きくなり密着性を低下させる。そのためＢＮ含
有膜全体での組成の傾斜が急激にならないような範囲内
で前記外層及び中間層の厚さを薄くすることが必要であ
る。

【００１０】以上の知見に基づき本発明は、窒化ホウ素
含有膜で被覆された基体であって、該窒化ホウ素含有膜
はホウ素（Ｂ）原子数と窒素（Ｎ）原子数の比（Ｂ／Ｎ
組成比）が互いに異なる２以上の窒化ホウ素含有層から
なり、これらの窒化ホウ素含有層は、立方晶系閃亜鉛鉱
型、六方晶系ウルツ鉱型のうち少なくとも一方の結晶構
造を有する窒化ホウ素を含有し、最も内側に形成された
層のＢ／Ｎ組成比は１５以上６０以下で、最も外側に形
成された層のＢ／Ｎ組成比は１以上２以下であり、前記
最も外側に形成された層の厚さが前記最も内側に形成さ
れた層の厚さの１／１００以上１／２以下であることを
特徴とする窒化ホウ素含有膜被覆基体を提供する。

【００１１】また、前記窒化ホウ素含有膜被覆基体は、
前記最も内側に形成された層と前記最も外側に形成され
た層との間に、該両層の中間のＢ／Ｎ組成比を有する１
以上の窒化ホウ素含有中間層を有し、該中間層の厚さの
総和が前記の最も内側に形成された層の厚さの１／１０
以上１以下であることが考えられる。前記内層及び中間
層においては、また前記外層ではＢ／Ｎ組成比が１より
大きいときは、該層にはＮ原子と結合していないＢ原子
等のＢが含まれる。

【００１２】前記外層の厚みが前記内層の厚みの１／１
００より小さいときはＢＮ含有膜の化学的安定性が低下
し、１／２より大きいときは該外層ひいてはＢＮ含有膜
の基体への密着性が低下する。また同様に、前記中間層
の厚みが前記内層の厚みの１／１０より小さいときには
ＢＮ含有膜の化学的安定性が低下し、１より大きいとき
には該中間層ひいてはＢＮ含有膜の基体への密着性が低
下する。

【００１３】前記ＢＮ含有膜が前記中間層を２以上有す
るときには、各層のＢ／Ｎ組成比は内側の層から外側の
層にかけて順に減少していることが望ましい。これによ
りＢＮ含有膜中における各層間のＢ／Ｎ組成比の差を小
さくすることができ、各ＢＮ含有層間の密着性ひいては
前記ＢＮ含有膜と基体との密着性を一層向上させること
ができる。

【００１４】なお、前記基体の製法としては、例えば次
のものが考えられる。。すなわち、基体を成膜用真空容
器内のホルダに支持させ、該基体に対し、Ｂ元素含有物
質を真空蒸着法又はスパッタ蒸着法にて付与し、該付与
と同時、交互又は該付与の後にイオン源よりイオンを照
射してＢＮ含有膜を前記基体上に形成するようにする。

【００１５】前記方法において用いるＢ元素含有物質と
しては、Ｂ単体の他、Ｂ化合物、例えば酸化ホウ素、窒
化ホウ素、炭化ホウ素、硫化ホウ素、ホウ化リン、ホウ
化水素及び各種金属ホウ化物等を挙げることができ、こ
れらの中から一又は二以上が用いられる。前記方法にお
いて用いるイオン種は、蒸発ホウ素に作用してＢＮ含有
膜を形成するものであればよく、例えば、Ｎ原子イオ
ン、Ｎ分子イオン、アンモニアイオン（ＮＨ₃ ⁺ ）のよ
うな窒素化合物イオン、窒化ホウ素イオン（ＢＮ⁺ ）の
ようなＢ化合物イオン等を挙げることができ、これらの
中から１又は２以上が用いられる。また、これらのＮ元
素を含むイオン種等に加え、アルゴンイオン（Ａｒ⁺）
等の不活性ガスイオンや水素原子イオン（Ｈ⁺ ）を混合
したもの等を用いることが考えられ、このときＢ原子を
一層高励起化することができ、ｃ−ＢＮ、ｗ−ＢＮの合
成に有利になる。

【００１６】各層中に形成されるＢＮの結晶構造、及び
Ｂ／Ｎ組成比の制御は、基体上に到達するＢ原子数とＮ
原子数の比（Ｂ／Ｎ輸送比）、成膜時間、イオン種、照
射イオンの加速エネルギ及び電流密度等の条件を調整
し、これらを適宜組み合わせることにより行う。また、
各層の厚さは、ホウ素及び窒素の輸送量及び成膜時間の
条件を調整し、これらを適宜組み合わせることにより行
う。

【００１７】Ｂ／Ｎ輸送比は０．５以上６０以下とする
のが望ましく、０．５より小さい場合、照射イオンの蒸
発物質への衝突が過大になり膜中欠陥が多くなり、ＢＮ
含有膜の硬度や化学的安定性が低下する。また、６０よ
り大きい場合、膜内に含有される、Ｎ原子と結合しない
Ｂ原子の割合が多くなり、その分膜内に含有されるＢＮ
の割合が少なくなるため、ＢＮの有する諸特性が十分に
発揮されなくなる。

【００１８】Ｂ／Ｎ輸送比の制御は、例えば水晶振動子
式膜厚モニタ等の膜厚モニタを用いて基体へのホウ素蒸
着量をモニタするとともに、例えばファラデーカップ等
のイオン電流測定器を用いて基体へのイオン照射量をモ
ニタすることで行える。照射イオンの加速エネルギは５
０ｅＶ以上、５０ｋｅＶ以下であることが望ましい。５
０ｅＶより小さい場合、イオン照射により基体と層及び
層と層の界面に形成される混合層の厚みが小さくなり、
該混合層を挟む層と基体及び２つの層を十分に密着させ
ることができない。また、５０ｋｅＶより大きい場合、
膜中欠陥が多くなり、該膜の硬度が低下したり化学的安
定性が低下したりする。

【００１９】なお、基体へのイオン入射角度は特に限定
されず、基体を回転させながら成膜を行ってもよい。イ
オン源の方式も特に限定は無く、例えばカウフマン型、
バケット型等のものが考えられる。さらに、熱的なダメ
ージを充分に避けなければならない基体については基体
を冷却させながら成膜を行うのが好ましい。

【００２０】前記基体の材質は特に限定されず、例えば
各種セラミック、金属、又は高分子から成る材質等が考
えられる。なお、ここでは本発明基体の製造方法とし
て、Ｂ元素含有物質の蒸着とイオン照射とを併用するイ
オン蒸着薄膜形成（ＩＶＤ）法について説明したが、本
発明基体は、これに限らずイオンプレーティング法、プ
ラズマＣＶＤ法等により製造することが考えられる。

【００２１】

【作用】本発明のＢＮ含有膜被覆基体は、Ｂ／Ｎ組成比
が互いに異なる２以上のＢＮ含有層からなる。これらの
ＢＮ含有層のうち基体に隣接する最も内側の内層及び最
も外側の外層はｃ−ＢＮ、ｗ−ＢＮのうち少なくとも一
方の結晶構造を有するＢＮを含有する。さらに、内層の
Ｂ／Ｎ組成比は１５以上６０以下、外層のＢ／Ｎ組成比
は１以上２以下であり、外層の厚さが内層の厚さの１／
１００以上１／２以下である。Ｂ／Ｎ組成比が化学量論
的組成比（＝１）より大きい場合は、該層はＮ原子と結
合していないＢ原子等のホウ素が含まれる。

【００２２】前記外層は、Ｎ原子と結合していないＢ原
子を多く含まないため、前記ＢＮ含有膜の表面は高硬度
で化学的安定性に優れる。また前記内層はＮ原子と結合
していないＢ原子を多く含むため、該層中の内部応力が
緩和されると共に基体に対する濡れ性が良く、該内層は
基体への密着性が良好である。また、前記内層はＮ原子
と結合していないＢ原子の含有率は大きいが、その厚さ
が比較的大きいため該層中に含まれるＢＮの絶対量は多
く、該層の硬度は低くない。また前記外層はＮ原子と結
合していないＢ原子の含有率は小さいが、その厚さが比
較的小さいため層形成時に生じる内部応力が小さく、内
側の層への密着性は良好である。

【００２３】また、前記ＢＮ含有膜被覆基体が前記外層
と内層の間に、該両層の中間のＢ／Ｎ組成比を有する１
以上のＢＮ含有中間層を有し、該中間層の厚さの総和が
前記内層の厚さの１／１０以上１以下であるときには、
ＢＮ含有膜内でのＢ／Ｎ組成比の変化が連続的になり、
該膜中に生じる内部応力が抑制されて、該膜の基体への
密着性が向上する。また、該中間層も前記外層と同様
に、Ｎ原子と結合していないＢ原子の含有率は比較的小
さいが、その厚さが比較的小さいため層形成時に生じる
内部応力が小さく、内側の層への密着性は良好である。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例のＢＮ含有膜で被覆され
たレンズ成形用金型の一部の拡大断面図であり、図２は
図１に示す金型の製造に用いる成膜装置の概略構成を示
したものである。

【００２５】図２に示す装置は、真空容器１を有し、容
器１内には被成膜金型基体Ｓを支持するホルダ２が設置
されると共に、ホルダ２に対向する位置には蒸発源３及
びイオン源４が設置されている。また、ホルダ２近傍に
は膜厚モニタ５及びイオン電流測定器６が配置されてい
る。さらに容器１には排気装置８が付設されて、容器１
内を所定の真空度にすることができる。

【００２６】本発明によるレンズ成形用金型を作成する
に当たっては、まず金型基体Ｓをホルダ２に支持させた
後、真空容器１内を所定の真空度にする。その後、金型
基体Ｓに蒸発源３を用いて、Ｂ元素含有物質３ａを電子
ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段で真空蒸着させ
る。なお、真空蒸着に代えて、Ｂ元素含有物質３ａをイ
オンビーム等の手段でスパッタ蒸着することで金型基体
Ｓ上に膜形成してもよい。

【００２７】このＢ元素含有物質３ａの真空蒸着（或い
はスパッタ蒸着）と同時、交互、又は該蒸着後に、イオ
ン源４よりイオン４ａを当該蒸着面に照射する。以上に
述べた成膜操作により、図１に示すように、金型基体Ｓ
表面にＢＮを含有する内層Ｓ１、中間層Ｓ２、外層Ｓ３
がこの順に積層されたＢＮ含有膜Ｓ１０が形成される。
このうち内層Ｓ１及び外層Ｓ３はｃ−ＢＮ、ｗ−ＢＮの
うち少なくとも一方を含有する膜である。各層のＢ／Ｎ
組成比は内層Ｓ１は１５以上６０以下、外層Ｓ３は１以
上２以下、中間層Ｓ２はその中間の値である。各層にお
いて、Ｂ／Ｎ組成比が１より大きいときは、該層にはＮ
原子と結合していないＢ原子等のホウ素が含まれる。ま
た、各層の厚さの比は内層Ｓ１の厚さを１とすると、外
層Ｓ３は１／１００以上１／２以下、中間層Ｓ２は１／
１０以上１以下である。

【００２８】各層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３中に形成されるＢＮ
の結晶構造、及びＢ／Ｎ組成比の制御は、Ｂ／Ｎ輸送
比、成膜時間、イオン種、照射イオンの加速エネルギ及
び電流密度の条件を調整し、これらを適宜組み合わせる
ことにより行う。また、各層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の厚さ
は、Ｂ及びＮの輸送量及び成膜時間の条件を調整し、こ
れらを適宜組み合わせることにより行う。

【００２９】各層形成時のＢ／Ｎ輸送比は０．５以上６
０以下とする。また照射イオンの加速エネルギは５０ｅ
Ｖ以上、５０ｋｅＶ以下とする。内層Ｓ１はＮ原子と結
合していないＢ原子を多く含むため、層形成時に生じる
内部応力が小さいと共に、基体Ｓに対する濡れ性が良く
該層Ｓ１は基体Ｓへの密着性が良好である。また内層Ｓ
１は、その厚さがある程度厚いため含まれるｃ−ＢＮ及
び（又は）ｗ−ＢＮの絶対量は多く、その硬度は低くな
い。

【００３０】また、外層Ｓ３は、Ｎ原子と結合していな
いＢ原子の含有量が少ないため、膜Ｓ１０の表面は高硬
度で化学的安定性に優れる。また、外層Ｓ３は、その厚
さが比較的小さいため、層形成時に生じる内部応力が小
さく中間層Ｓ２への密着性は良好である。また中間層Ｓ
２は内層Ｓ１と外層Ｓ３の中間のＢ／Ｎ組成比を有する
ため、ＢＮ含有膜Ｓ１０内でのＢ／Ｎ組成比の傾斜が連
続的になり、該膜Ｓ１０中の内部応力が抑制されて該膜
Ｓ１０の基体Ｓへの密着性が向上する。また、中間層Ｓ
２も外層Ｓ３と同様にＮ原子と結合していないＢ原子の
含有量が比較的少ないが、その厚さが比較的小さいため
層形成時に生じる内部応力が小さく、内層Ｓ１への密着
性は良好である。

【００３１】以上のように、ＢＮ含有膜Ｓ１０は、全体
として高硬度で化学的安定性に優れ、基体Ｓへの密着性
が良好なものとなる。次に図２に示す成膜装置により得
られる本発明のＢＮ含有膜で被覆されたレンズ成形用金
型とその製造方法の具体例について説明する。 実験例 図２に示す装置を用いて、超硬基材（ＷＣ−Ｃｏ）より
なり、中央部にレンズ成形用キャビティ面を形成したレ
ンズ成形用金型基体Ｓを基体ホルダ２に設置し、真空容
器１内を１×１０^-6Ｔｏｒｒの真空度とした。その後、
ホウ素ペレット３ａを電子ビーム蒸発源３を用いて蒸気
化し、基体Ｓ上に成膜した。それと同時にイオン源４に
窒素ガスを真空容器１内が５×１０^-5Ｔｏｒｒになるま
で導入し、イオン化させ、該イオン４ａを１０ｋｅＶの
加速エネルギで、基体Ｓに立てた法線に対して０°の角
度で基体Ｓに照射した。なお、イオン源４にはバケット
型イオン源を用いた。

【００３２】また、前記成膜操作においては、Ｂ／Ｎ組
成比が４０になるよう、窒素イオンによるホウ素原子の
スパッタ効率等を考慮してＢ／Ｎ輸送比を調整し、基体
Ｓ上に層厚約６０００Åの内層Ｓ１を形成した。次い
で、Ｂ／Ｎ組成比が３０になるようＢ／Ｎ輸送比を調整
し、その他は前記内層Ｓ１形成時と同じ条件で前記内層
Ｓ１の上に層厚約３０００Åの中間層Ｓ２を形成した。

【００３３】さらに、Ｂ／Ｎ組成比が１になるようＢ／
Ｎ輸送比を調整し、その他は前記内層Ｓ１の形成時と同
じ条件で、前記中間層Ｓ２の上に層厚約３０００Åの外
層Ｓ３を形成した。 比較例１ 前記実験例において、外層Ｓ３の厚さを６０００Åと
し、その他の条件は前記実験例と同様にして、レンズ成
形用金型基体Ｓ上に内層、中間層、外層をこの順に有す
るＢＮ含有膜を形成した。 比較例２ 前記実験例において、外層Ｓ３を形成せず、その他の条
件は前記実験例と同様にして、レンズ成形用金型基体Ｓ
上に内層、中間層をこの順に有するＢＮ含有膜を形成し
た。 比較例３ 前記実験例において、内層Ｓ１の厚さを３０００Åと
し、その他の条件は前記実験例と同様にして、レンズ成
形用金型基体Ｓ上に内層、中間層、外層をこの順に有す
るＢＮ含有膜を形成した。

【００３４】また、実験例及び比較例１、２、３により
得られたレンズ成形用金型について、硬度及び膜密着性
を評価した。硬度はヌープ硬度計によりヌープ硬度を測
定することで評価し、膜密着性は引張り強度試験機を用
いて膜の引張り強度を測定することで評価した。さら
に、各例により得られたレンズ成形用金型を用いて実際
にレンズ成形を繰り返し行い、原料ガラスが金型表面に
付着することなく成形を行うことができる回数を調べ
た。

【００３５】結果を表１に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】比較例１による金型は高硬度な外層の厚さ
が大きいために、実験例による金型に比べて引張り強度
が小さく、その結果、成形可能な回数も少なかった。比
較例２による金型は外層を有していないために、実験例
による金型に比べて成形可能な回数が著しく少なかった
が、これは金型表面が化学的に不安定なことによるもの
と考えられる。比較例３による金型はＢＮ含有率の小さ
い内層が薄いために、実験例による金型に比べてヌープ
硬度が小さく、また、引張り強度が小さく、その結果、
成形可能な回数も少なかった。

【００３８】以上の結果より、硬度、膜密着性及び化学
的安定性の全てについて実験例によるレンズ成形用金型
が優れていることが分かる。なお、ここではレンズ成形
用金型について説明したが、本発明はこの他各種の切削
工具、成形用型、機械部品等にも適用可能である。

【００３９】

【発明の効果】本発明によると、高硬度で、優れた化学
的安定性を有し、基体への密着性良好な窒化ホウ素含有
膜で被覆されていることにより、耐摩耗性、摺動性及び
離型性等に優れた基体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるレンズ成形用金型の一
部の拡大断面図である。

【図２】図１に示す金型の製造に用いる成膜装置の概略
構成を示す図である。

【符号の説明】

１ 真空容器 ２ 基体ホルダ ３ 蒸発源 ３ａ 蒸着物質 ４ イオン源 ４ａ イオン ５ 膜厚モニタ ６ イオン電流測定器 ７ 排気装置 Ｓ レンズ成形用金型基体 Ｓ１０ 窒化ホウ素含有膜 Ｓ１ 内層 Ｓ２ 中間層 Ｓ３ 外層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 潔 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化ホウ素含有膜で被覆された基体であ
   って、該窒化ホウ素含有膜はホウ素（Ｂ）原子数と窒素
   （Ｎ）原子数の比（Ｂ／Ｎ組成比）が互いに異なる２以
   上の窒化ホウ素含有層からなり、これらの窒化ホウ素含
   有層は、立方晶系閃亜鉛鉱型、六方晶系ウルツ鉱型のう
   ち少なくとも一方の結晶構造を有する窒化ホウ素を含有
   し、最も内側に形成された層のＢ／Ｎ組成比は１５以上
   ６０以下で、最も外側に形成された層のＢ／Ｎ組成比は
   １以上２以下であり、前記最も外側に形成された層の厚
   さが前記最も内側に形成された層の厚さの１／１００以
   上１／２以下であることを特徴とする窒化ホウ素含有膜
   被覆基体。
2. 【請求項２】 前記最も内側に形成された層と前記最も
   外側に形成された層との間に、該両層の中間のＢ／Ｎ組
   成比を有する１以上の窒化ホウ素含有中間層を有し、該
   中間層の厚さの総和が前記の最も内側に形成された層の
   厚さの１／１０以上１以下である請求項１記載の窒化ホ
   ウ素含有膜被覆基体。