JPH088446B2 - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
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- JPH088446B2 JPH088446B2 JP1217133A JP21713389A JPH088446B2 JP H088446 B2 JPH088446 B2 JP H088446B2 JP 1217133 A JP1217133 A JP 1217133A JP 21713389 A JP21713389 A JP 21713389A JP H088446 B2 JPH088446 B2 JP H088446B2
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- JP
- Japan
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- conductor
- microstrip antenna
- radiation conductor
- protrusion
- notch
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、送受信周波数を調整可能なマイクロストリ
ップアンテナに関する。
ップアンテナに関する。
［従来の技術］ 第７図は従来の直線偏波マイクロストリップアンテナ
の平面図である。
の平面図である。
第７図の直線偏波マイクロストリップアンテナにおい
て、下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方
形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板10
の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射導
体11が形成され、該放射導体11の中心Ｏから径方向にず
れた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電され
る。この直線偏波マイクロストリップアンテナの共振周
波数は、一般に誘電体基板10の比誘電率と厚さ、並びに
放射導体11の直径Ｒにより一義的に決定される。
て、下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方
形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板10
の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射導
体11が形成され、該放射導体11の中心Ｏから径方向にず
れた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電され
る。この直線偏波マイクロストリップアンテナの共振周
波数は、一般に誘電体基板10の比誘電率と厚さ、並びに
放射導体11の直径Ｒにより一義的に決定される。
第８図は従来の基本モードの円偏波マイクロストリッ
プアンテナの平面図であり、第７図と同一のものについ
ては同一の符号を付している。
プアンテナの平面図であり、第７図と同一のものについ
ては同一の符号を付している。
第８図の円偏波マイクロストリップアンテナにおい
て、下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方
形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板10
の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射導
体12が形成され、該放射導体12の中心Ｏから径方向にず
れた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電され
る。ここで、放射導体12の中心Ｏを中心として給電点Ｐ
から時計回りの方向に角度45゜の位置及び反時計回りの
方向に角度135゜の位置における放射導体12の外周縁端
部にそれぞれ、矩形形状の切欠部12a,12bが形成され、
この切欠部12a,12bは、円偏波の電波を放射するための
モード縮退分離素子として動作する。
て、下表面に接地導体（図示せず。）が形成された正方
形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板10
の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射導
体12が形成され、該放射導体12の中心Ｏから径方向にず
れた位置Ｐに、例えば同軸ケーブルを介して給電され
る。ここで、放射導体12の中心Ｏを中心として給電点Ｐ
から時計回りの方向に角度45゜の位置及び反時計回りの
方向に角度135゜の位置における放射導体12の外周縁端
部にそれぞれ、矩形形状の切欠部12a,12bが形成され、
この切欠部12a,12bは、円偏波の電波を放射するための
モード縮退分離素子として動作する。
このマイクロストリップアンテナから円偏波の電波を
放射させるために、円偏波の長径と短径の比である軸比
の値を１に近づけることが所望され、この軸比が最良と
なる切欠部12a,12bの大きさは、誘電体基板10の比誘電
率と厚さ、並びに放射導体12の直径Ｒにより一義的に決
定され、また、軸比が最良となる周波数もまた、これら
３つのパラメータで決定される。
放射させるために、円偏波の長径と短径の比である軸比
の値を１に近づけることが所望され、この軸比が最良と
なる切欠部12a,12bの大きさは、誘電体基板10の比誘電
率と厚さ、並びに放射導体12の直径Ｒにより一義的に決
定され、また、軸比が最良となる周波数もまた、これら
３つのパラメータで決定される。
［発明が解決しようとする課題］ 上述の従来の直線偏波マイクロストリップアンテナに
おいて、誘電体基板10の比誘電率と厚さ、並びに放射導
体11の直径Ｒの３つのパラメータが製造上のバラツキに
より変化した場合、当該マイクロストリップアンテナの
共振周波数が変化してしまうという問題点があった。
おいて、誘電体基板10の比誘電率と厚さ、並びに放射導
体11の直径Ｒの３つのパラメータが製造上のバラツキに
より変化した場合、当該マイクロストリップアンテナの
共振周波数が変化してしまうという問題点があった。
また、上述の従来の円偏波マイクロストリップアンテ
ナにおいても、直線偏波の場合と同様に、上記３つのパ
ラメータが変化した場合、軸比が最良となる周波数が変
化するという問題点があった。
ナにおいても、直線偏波の場合と同様に、上記３つのパ
ラメータが変化した場合、軸比が最良となる周波数が変
化するという問題点があった。
本発明の目的は、例えば製造上のバラツキにより上記
３つのパラメータが変化し軸比が最良となる周波数が変
化した場合であっても、所望の当該周波数を有する円偏
波マイクロストリップアンテナを提供することにある。
３つのパラメータが変化し軸比が最良となる周波数が変
化した場合であっても、所望の当該周波数を有する円偏
波マイクロストリップアンテナを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の円偏波マイクロストリップアンテナは、放射
導体と接地導体を誘電体基板を介して形成してなるマイ
クロストリップアンテナにおいて、上記放射導体と上記
接地導体の間に生じる電磁界がTMmnモードであり、ここ
で、ｍ、ｎは自然数であり、上記放射導体の中心を中心
として給電点から α＝±45/m＋90N/m［゜］ なる角度の位置における上記放射導体の外周縁端部であ
って、上記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の
第１の突起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数で
ある位置に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を
形成したことを特徴とする。
導体と接地導体を誘電体基板を介して形成してなるマイ
クロストリップアンテナにおいて、上記放射導体と上記
接地導体の間に生じる電磁界がTMmnモードであり、ここ
で、ｍ、ｎは自然数であり、上記放射導体の中心を中心
として給電点から α＝±45/m＋90N/m［゜］ なる角度の位置における上記放射導体の外周縁端部であ
って、上記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の
第１の突起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数で
ある位置に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を
形成したことを特徴とする。
［作用］ 以上のように構成することにより、上記第１及び第２
の突起部又は切欠部がモード縮退分離素子として動作
し、軸比が最良となる所定の周波数を有する円偏波マイ
クロストリップアンテナを得ることができる。ここで、
上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさに応じて
軸比が最良となる周波数が決定される。従って、例えば
製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その比
誘電率、又は上記放射導体の直径が変化した場合であっ
ても、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記第１
及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変化することに
より、軸比が最も良好となる周波数を調整することがで
きる。例えば、上記突起部の長さが比較的長く、かつ上
記切欠部の長さが比較的短い放射導体を形成し、上記突
起部の長さが短くなるように上記突起部を切断し、及び
／又は上記切欠部の長さが長くなるように上記放射導体
をさらに切断することによって、軸比が最良となる所望
の周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテナを
得ることができる。
の突起部又は切欠部がモード縮退分離素子として動作
し、軸比が最良となる所定の周波数を有する円偏波マイ
クロストリップアンテナを得ることができる。ここで、
上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさに応じて
軸比が最良となる周波数が決定される。従って、例えば
製造上のバラツキにより上記誘電体基板の厚さ、その比
誘電率、又は上記放射導体の直径が変化した場合であっ
ても、上記放射導体の大きさを変化させずに、上記第１
及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変化することに
より、軸比が最も良好となる周波数を調整することがで
きる。例えば、上記突起部の長さが比較的長く、かつ上
記切欠部の長さが比較的短い放射導体を形成し、上記突
起部の長さが短くなるように上記突起部を切断し、及び
／又は上記切欠部の長さが長くなるように上記放射導体
をさらに切断することによって、軸比が最良となる所望
の周波数を有する円偏波マイクロストリップアンテナを
得ることができる。
なお、この円偏波マイクロストリップアンテナの共振
周波数は、公知の通り、給電点にインピーダンス整合回
路を接続して、上記軸比が最も良好となる周波数の調整
の後に、調整することができる。
周波数は、公知の通り、給電点にインピーダンス整合回
路を接続して、上記軸比が最も良好となる周波数の調整
の後に、調整することができる。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明による実施例について説
明する。
明する。
第１の実施例 第１図は本発明の第１の実施例である直線偏波マイク
ロストリップアンテナの平面図であり、第２図は第１図
のＡ−Ａ′線についての縦断面図である。
ロストリップアンテナの平面図であり、第２図は第１図
のＡ−Ａ′線についての縦断面図である。
第１図において、下表面に接地導体14が形成された正
方形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板
10の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射
導体13が形成され、該放射導体13の中心Ｏから径方向に
ずれた位置Ｐにおける放射導体13に給電用同軸ケーブル
20の中心導体21が接続されるとともに、位置Ｐの直下に
おける接地導体14に同軸ケーブル20の接地導体22が接続
される。また、放射導体13の中心Ｏと給電点Ｐとを無ぶ
直線（以下、基線BLという。）上であって放射導体13の
外周縁端部に、基線BLと垂直な幅ｗと基線BLと平行な長
さｌを有する矩形形状の突起部13aが、上記外周縁端部
から突出して形成される。
方形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板
10の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射
導体13が形成され、該放射導体13の中心Ｏから径方向に
ずれた位置Ｐにおける放射導体13に給電用同軸ケーブル
20の中心導体21が接続されるとともに、位置Ｐの直下に
おける接地導体14に同軸ケーブル20の接地導体22が接続
される。また、放射導体13の中心Ｏと給電点Ｐとを無ぶ
直線（以下、基線BLという。）上であって放射導体13の
外周縁端部に、基線BLと垂直な幅ｗと基線BLと平行な長
さｌを有する矩形形状の突起部13aが、上記外周縁端部
から突出して形成される。
また、上記突起部13aに代えて、上記突起部13aと同じ
位置に幅ｗと長さｌを有する矩形形状の切欠部を形成す
る。
位置に幅ｗと長さｌを有する矩形形状の切欠部を形成す
る。
第５図は、この直線偏波マイクロストリップアンテナ
の給電点Ｐにおける入力端反射係数S11［dB］の周波数
特性を示すグラフであり、ここで、長さｌが正のときは
突起部13aが形成されたことを示し、負のときは切欠部
が形成されたことを示している。また、誘電体基板10と
してガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘電体基板
10の厚さは4mm、その比較電率は2.6、放射導体13の直径
Ｒは80mm、その厚さは0.035mm、突起部13a及び切欠部の
幅ｗは10mmであった。
の給電点Ｐにおける入力端反射係数S11［dB］の周波数
特性を示すグラフであり、ここで、長さｌが正のときは
突起部13aが形成されたことを示し、負のときは切欠部
が形成されたことを示している。また、誘電体基板10と
してガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘電体基板
10の厚さは4mm、その比較電率は2.6、放射導体13の直径
Ｒは80mm、その厚さは0.035mm、突起部13a及び切欠部の
幅ｗは10mmであった。
第５図に示すように、突起部13aがない場合（ｌ＝
０）の共振周波数は約1.305GHzであり、突起部13aの長
さｌが5mm及び2.5mmのときの共振周波数はそれぞれ約1.
28GHz、及び約1.29GHzである。さらに、切欠部の長さが
2.5mmであるときの共振周波数は約1.315GHzである。従
って、突起部13a又は切欠部の長さｌに応じて、当該直
線偏波マイクロストリップアンテナの共振周波数が決定
される。
０）の共振周波数は約1.305GHzであり、突起部13aの長
さｌが5mm及び2.5mmのときの共振周波数はそれぞれ約1.
28GHz、及び約1.29GHzである。さらに、切欠部の長さが
2.5mmであるときの共振周波数は約1.315GHzである。従
って、突起部13a又は切欠部の長さｌに応じて、当該直
線偏波マイクロストリップアンテナの共振周波数が決定
される。
従って、放射導体13の直径Ｒを変化させずに、突起部
13a又は切欠部の長さｌを変化することにより、共振周
波数を調整することができる。例えば、上記突起部13a
の長さｌが比較的長い放射導体13又は切欠部の長さが比
較的短い放射導体13を形成し、上記突起部13aの長さｌ
が短くなるように突起部13aを切断し、又は上記切欠部
の長さが長くなるように放射導体13をさらに切断するこ
とによって、所望の共振周波数を有する直線偏波マイク
ロストリップアンテナを得ることができる。
13a又は切欠部の長さｌを変化することにより、共振周
波数を調整することができる。例えば、上記突起部13a
の長さｌが比較的長い放射導体13又は切欠部の長さが比
較的短い放射導体13を形成し、上記突起部13aの長さｌ
が短くなるように突起部13aを切断し、又は上記切欠部
の長さが長くなるように放射導体13をさらに切断するこ
とによって、所望の共振周波数を有する直線偏波マイク
ロストリップアンテナを得ることができる。
以上説明したように、例えば製造上のバラツキにより
誘電体基板10の厚さ、その比誘電率、又は放射導体13の
直径Ｒが変化した場合であっても、上記突起部13a又は
切欠部の長さｌを変化することにより共振周波数を変化
させ、所望の共振周波数を有する直線偏波マイクロスト
リップアンテナを得ることができる。
誘電体基板10の厚さ、その比誘電率、又は放射導体13の
直径Ｒが変化した場合であっても、上記突起部13a又は
切欠部の長さｌを変化することにより共振周波数を変化
させ、所望の共振周波数を有する直線偏波マイクロスト
リップアンテナを得ることができる。
以上の第１の実施例において、放射導体13と接地導体
10との間における電磁界が基本モードである場合につい
て述べたが、これに限らず、高次モードのマイクロスト
リップアンテナについても共振周波数の調整を同様に行
うことができる。
10との間における電磁界が基本モードである場合につい
て述べたが、これに限らず、高次モードのマイクロスト
リップアンテナについても共振周波数の調整を同様に行
うことができる。
以上の第１の実施例において、放射導体13が円形状で
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
第２の実施例 第３図は本発明の第２の実施例である円偏波マイクロ
ストリップアンテナの平面図であり、第４図は第３図の
Ｂ−Ｂ′線についての縦断面図である。第３図及び第４
図において、第１図及び第２図と同一のものについては
同一の符号を付している。
ストリップアンテナの平面図であり、第４図は第３図の
Ｂ−Ｂ′線についての縦断面図である。第３図及び第４
図において、第１図及び第２図と同一のものについては
同一の符号を付している。
第３図において、下表面に接地導体14が形成された正
方形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板
10の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射
導体15が形成され、該放射導体15の中心Ｏから径方向に
ずれた位置Ｐにおける放射導体15に給電用同軸ケーブル
20の中心導体21が接続されるとともに、位置Ｐの直下に
おける接地導体14に同軸ケーブル20の接地導体22が接続
される。また、放射導体15の中心Ｏを中心として給電点
Ｐから時計回りの方向に45゜の角度の位置、及び反時計
回りの方向に135゜の角度の位置における放射導体15の
各外周縁端部にそれぞれ、放射導体15の径方向と垂直な
幅ｗと径方向と平行な長さl2を有する切欠部15a,15bが
形成される。さらに、放射導体15の中心Ｏを中心として
給電点から反時計回りの方向に45゜の角度の位置、及び
時計回りの方向に135゜の角度の位置における放射導体1
5の各外周縁端部にそれぞれ、放射導体15の径方向と垂
直な幅ｗと径方向と平行な長さl1を有する突起部15c,15
dが、上記外周縁端部から突出して形成される。
方形状の誘電体基板10の上表面の中央部に、誘電体基板
10の一辺よりも十分に短い直径Ｒを有する円形状の放射
導体15が形成され、該放射導体15の中心Ｏから径方向に
ずれた位置Ｐにおける放射導体15に給電用同軸ケーブル
20の中心導体21が接続されるとともに、位置Ｐの直下に
おける接地導体14に同軸ケーブル20の接地導体22が接続
される。また、放射導体15の中心Ｏを中心として給電点
Ｐから時計回りの方向に45゜の角度の位置、及び反時計
回りの方向に135゜の角度の位置における放射導体15の
各外周縁端部にそれぞれ、放射導体15の径方向と垂直な
幅ｗと径方向と平行な長さl2を有する切欠部15a,15bが
形成される。さらに、放射導体15の中心Ｏを中心として
給電点から反時計回りの方向に45゜の角度の位置、及び
時計回りの方向に135゜の角度の位置における放射導体1
5の各外周縁端部にそれぞれ、放射導体15の径方向と垂
直な幅ｗと径方向と平行な長さl1を有する突起部15c,15
dが、上記外周縁端部から突出して形成される。
第６図は、この円偏波マイクロストリップアンテナの
軸比［dB］の周波数特性を示すグラフであり、放射角度
が０゜の場合を示している。ここで、誘電体基板10とし
てガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘電体基板10
の厚さは4mm、その比誘電率は2.6、放射導体15の直径Ｒ
は64mm、その厚さは0.035mm、切欠部15a,15bと突起部15
c,15dの幅ｗは6mmであった。
軸比［dB］の周波数特性を示すグラフであり、放射角度
が０゜の場合を示している。ここで、誘電体基板10とし
てガラス入りテフロン樹脂基板を用い、該誘電体基板10
の厚さは4mm、その比誘電率は2.6、放射導体15の直径Ｒ
は64mm、その厚さは0.035mm、切欠部15a,15bと突起部15
c,15dの幅ｗは6mmであった。
第６図に示すように、突起部15c,15dのみが形成され
る場合（l1＝5mm）において、軸比［dB］が最も０に近
づき軸比が最良であるときの周波数は約1.548であり、
切欠部15a,15bのみが形成される場合（l2＝5mm）におい
て、軸比が最良であるときの周波数は約1.571GHzであ
る。さらに、切欠部15a,15b及び突起部15c,15dがともに
形成された場合（l1＝2.5mm、l3＝3mm）において、軸比
が最良であるときの周波数は約1.565GHzである。従っ
て、切欠部15a,15bの長さl2、及び突起部15c,15dの長さ
l1に応じて、軸比が最良となる周波数が決定される。
る場合（l1＝5mm）において、軸比［dB］が最も０に近
づき軸比が最良であるときの周波数は約1.548であり、
切欠部15a,15bのみが形成される場合（l2＝5mm）におい
て、軸比が最良であるときの周波数は約1.571GHzであ
る。さらに、切欠部15a,15b及び突起部15c,15dがともに
形成された場合（l1＝2.5mm、l3＝3mm）において、軸比
が最良であるときの周波数は約1.565GHzである。従っ
て、切欠部15a,15bの長さl2、及び突起部15c,15dの長さ
l1に応じて、軸比が最良となる周波数が決定される。
従って、放射導体15の直径Ｒを変化させずに、切欠部
15a,15bの長さl2及び／又は突起部15c,15dの長さl1を変
化することにより、軸比が最良となる周波数を調整する
ことができる。例えば、突起部5c,15dの長さl1が比較的
長く、かつ切欠部15a,15bの長さl2が比較的短い放射導
体15を形成し、上記突起部15c,15dの長さl1が短くなる
ように突起部15c,15dを切断し、及び／又は切欠部15a,1
5bの長さl2が長くなるように放射導体15をさらに切断す
ることによって、軸比が最良となる所望の周波数を有す
る円偏波マイクロストリップアンテナを得ることができ
る。
15a,15bの長さl2及び／又は突起部15c,15dの長さl1を変
化することにより、軸比が最良となる周波数を調整する
ことができる。例えば、突起部5c,15dの長さl1が比較的
長く、かつ切欠部15a,15bの長さl2が比較的短い放射導
体15を形成し、上記突起部15c,15dの長さl1が短くなる
ように突起部15c,15dを切断し、及び／又は切欠部15a,1
5bの長さl2が長くなるように放射導体15をさらに切断す
ることによって、軸比が最良となる所望の周波数を有す
る円偏波マイクロストリップアンテナを得ることができ
る。
なお、円偏波マイクロストリップアンテナの共振周波
数は、公知の通り、このアンテナの給電点にインピーダ
ンス整合回路を接続して、上記軸比の周波数調整の後に
調整することができる。
数は、公知の通り、このアンテナの給電点にインピーダ
ンス整合回路を接続して、上記軸比の周波数調整の後に
調整することができる。
以上説明したように、例えば製造上のバラツキにより
誘電体基板10の厚さ、その比誘電率、又は放射導体15の
直径Ｒが変化した場合であっても、上記切欠部15a,15b
の長さl2及び／又は突起部15c,15dの長さl1を変化する
ことにより、軸比が最も良好となる所望の周波数を有す
る円偏波マイクロストリップアンテナを得ることができ
る。
誘電体基板10の厚さ、その比誘電率、又は放射導体15の
直径Ｒが変化した場合であっても、上記切欠部15a,15b
の長さl2及び／又は突起部15c,15dの長さl1を変化する
ことにより、軸比が最も良好となる所望の周波数を有す
る円偏波マイクロストリップアンテナを得ることができ
る。
以上の第２の実施例において、放射導体15と接地導体
10との間における電磁界が基本モードである場合につい
て述べたが、これに限らず、高次モードのマイクロスト
リップアンテナについても共振周波数の調整を同様に行
うことができる。なお、放射導体15と接地導体10との間
の電磁界が一般にTMmnモードであるとき（m,nは公知の
通り、自然数である。）、切欠部及び／又は突起部は、
放射導体15の中心Ｏを中心として給電点Ｐから時計回り
の方向に、次の（１）式で表される角度αの位置にある
放射導体15の外周縁端部に形成される。
10との間における電磁界が基本モードである場合につい
て述べたが、これに限らず、高次モードのマイクロスト
リップアンテナについても共振周波数の調整を同様に行
うことができる。なお、放射導体15と接地導体10との間
の電磁界が一般にTMmnモードであるとき（m,nは公知の
通り、自然数である。）、切欠部及び／又は突起部は、
放射導体15の中心Ｏを中心として給電点Ｐから時計回り
の方向に、次の（１）式で表される角度αの位置にある
放射導体15の外周縁端部に形成される。
α＝±45/m＋90N/m［゜］ ……（１） ここで、Ｎは整数であり、Ｎが偶数である上記位置に
１個以上の切欠部又は突起部が形成され、Ｎが偶数であ
る上記位置に１個以上の切欠部又は突起部が形成され、
従って、合計２個以上の切欠部及び／又は突起部が形成
される。
１個以上の切欠部又は突起部が形成され、Ｎが偶数であ
る上記位置に１個以上の切欠部又は突起部が形成され、
従って、合計２個以上の切欠部及び／又は突起部が形成
される。
以上の第２の実施例において、放射導体15が円形状で
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
ある場合について述べたが、これに限らず、矩形など他
の任意の形状であってもよい。
［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、放射導体と接地
導体を誘電体基板を介して形成してなるマイクロスリッ
プアンテナにおいて、上記放射導体と上記接地導体の間
に生じる電磁界がTMmnモードであり、上記放射導体の中
心を中心として給電点から α＝±45/m＋90N/m［゜］ なる角度の位置における上記放射導体の外周縁端部であ
って、上記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の
第１の突起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数で
ある位置に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を
形成して、円偏波マイクロストリップアンテナを構成し
たので、上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさ
に応じて軸比が最良となる所定の共振周波数を有する円
偏波マイクロストリップアンテナを得ることができる。
従って、例えば製造上のバラツキにより上記誘電体基板
の厚さ、その比誘電率、又は放射導体の直径が変化した
場合であっても、上記放射導体の大きさを変化させず
に、上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変
化して、所望の共振周波数を有する円偏波マイクロスト
リップアンテナを得ることができるという利点がある。
導体を誘電体基板を介して形成してなるマイクロスリッ
プアンテナにおいて、上記放射導体と上記接地導体の間
に生じる電磁界がTMmnモードであり、上記放射導体の中
心を中心として給電点から α＝±45/m＋90N/m［゜］ なる角度の位置における上記放射導体の外周縁端部であ
って、上記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の
第１の突起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数で
ある位置に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を
形成して、円偏波マイクロストリップアンテナを構成し
たので、上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさ
に応じて軸比が最良となる所定の共振周波数を有する円
偏波マイクロストリップアンテナを得ることができる。
従って、例えば製造上のバラツキにより上記誘電体基板
の厚さ、その比誘電率、又は放射導体の直径が変化した
場合であっても、上記放射導体の大きさを変化させず
に、上記第１及び第２の突起部又は切欠部の大きさを変
化して、所望の共振周波数を有する円偏波マイクロスト
リップアンテナを得ることができるという利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例である直線偏波マイクロ
ストリップアンテナの平面図、 第２図は第１図のＡ−Ａ′線についての縦断面図、 第３図は本発明の第２の実施例である円偏波マイクロス
トリップアンテナの平面図、 第４図は第３図のＢ−Ｂ′線についての縦断面図、 第５図は第１の実施例の直線偏波マイクロストリップア
ンテナの給電点における入力端反射係数S11の周波数特
性を示すグラフ、 第６図は第２の実施例の円偏波マイクロストリップアン
テナの軸比の周波数特性を示すグラフ、 第７図は従来の直線偏波マイクロストリップアンテナの
平面図、 第８図は従来の円偏波マイクロストリップアンテナの平
面図である。 10……誘電体基板、 13,15……放射導体、 13a,15c,15d……突起部、 15a,15b……切欠部、 Ｏ……放射導体の中心、 Ｐ……給電点、 l,l1,l2……突起部又は切欠部の長さ。
ストリップアンテナの平面図、 第２図は第１図のＡ−Ａ′線についての縦断面図、 第３図は本発明の第２の実施例である円偏波マイクロス
トリップアンテナの平面図、 第４図は第３図のＢ−Ｂ′線についての縦断面図、 第５図は第１の実施例の直線偏波マイクロストリップア
ンテナの給電点における入力端反射係数S11の周波数特
性を示すグラフ、 第６図は第２の実施例の円偏波マイクロストリップアン
テナの軸比の周波数特性を示すグラフ、 第７図は従来の直線偏波マイクロストリップアンテナの
平面図、 第８図は従来の円偏波マイクロストリップアンテナの平
面図である。 10……誘電体基板、 13,15……放射導体、 13a,15c,15d……突起部、 15a,15b……切欠部、 Ｏ……放射導体の中心、 Ｐ……給電点、 l,l1,l2……突起部又は切欠部の長さ。
Claims (1)
- 【請求項１】放射導体と接地導体を誘電体基板を介して
形成してなるマイクロストリップアンテナにおいて、 上記放射導体と上記接地導体の間に生じる電磁界がTMmn
モードであり、ここで、ｍ、ｎは自然数であり、上記放
射導体の中心を中心として給電点から α＝±45/m＋90N/m［゜］ なる角度の位置における上記放射導体の外周縁端部であ
って、上記整数Ｎが偶数である位置に少なくとも１個の
第１の突起部又は切欠部を形成し、上記整数Ｎが奇数で
ある位置に少なくとも１個の第２の突起部又は切欠部を
形成したことを特徴とする円偏波マイクロストリップア
ンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217133A JPH088446B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217133A JPH088446B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380603A JPH0380603A (ja) | 1991-04-05 |
| JPH088446B2 true JPH088446B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=16699374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217133A Expired - Lifetime JPH088446B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088446B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2852377B2 (ja) * | 1991-07-30 | 1999-02-03 | 株式会社村田製作所 | 円偏波マイクロストリップアンテナ |
| US5568155A (en) * | 1992-12-07 | 1996-10-22 | Ntt Mobile Communications Network Incorporation | Antenna devices having double-resonance characteristics |
| FR2866987A1 (fr) * | 2004-03-01 | 2005-09-02 | Thomson Licensing Sa | Antenne planaire multibandes |
| WO2006064547A1 (ja) | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Fujitsu Limited | アンテナ |
| WO2006077645A1 (ja) | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Fujitsu Limited | アンテナ及びこれを搭載するｒｆｉｄ用タグ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140705U (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-16 | ||
| JPS63149616U (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-03 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1217133A patent/JPH088446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380603A (ja) | 1991-04-05 |
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