JPH088288B2 - 集積回路及びその製造方法 - Google Patents
集積回路及びその製造方法Info
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- JPH088288B2 JPH088288B2 JP5051397A JP5139793A JPH088288B2 JP H088288 B2 JPH088288 B2 JP H088288B2 JP 5051397 A JP5051397 A JP 5051397A JP 5139793 A JP5139793 A JP 5139793A JP H088288 B2 JPH088288 B2 JP H088288B2
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Description
法に関し、特にモノリシックマイクロ波集積回路に関す
る。
の接地方法は主として、ボンディングワイヤによる方法
とバイアホール(貫通孔)を用いて接地する方法が採ら
れてきた。10[GHZ ]以下の比較的周波数が低い領
域ではボンディングワイヤによる接地方法が採られる。
しかし、ミリ波等の高い周波数領域では、ボンディング
ワイヤによる接地方法はインダクタンスが高いためにモ
ノリシックマイクロ波集積回路が特性劣化するのでバイ
アホールによる接地方法が多く用いられる。
板等の支持板にモノリシックマイクロ波集積回路の裏面
を表にして貼りつけ、裏面からバイアホールを加工する
方法が一般的に行われる。
る測定技術が発達し、ミリ波でもオンウエハの測定プロ
ーブによってSパラメータ等の高周波特性を精度良く測
定することが可能となってきた。
ノリシックマイクロ波集積回路では、ウエハ状態ではガ
ラス板等に貼りつけてしまうため、オンウエハ測定する
ことができない。したがって、特開平2−27746号
公報に開示されているように、ウエハからチップ化した
状態で測定したり、コプレーナ回路やFET単体を裏面
のバイアホール工程する前に測定したりしていた。
2に示されている。これは、高周波プローブ101の接
地電極107と集積回路102のバイアホール100の
電極104とを電気的に接触させ、高周波プローブの信
号ライン106とモノリシックマイクロ波集積回路の入
出力端子103とを電気的に接触させて測定を行うもの
である。なお、105は電源端子、108は電源プロー
ブである。
プ毎に高周波プローブ101と電源プローブ108とを
アライメントする必要があり、時間がかかるため、選別
等には向かないという欠点がある。コプレーナ回路にし
てバイアホールを形成する前に測定する方法では、バイ
アホールを形成した前後で伝送線路の構成が変化するた
めに特性が変化し、やはり高周波での選別作業には適し
ていないという欠点がある。
めになされたものであり、その目的はオンウエハによる
高周波特性の測定を容易に行うことのできる集積回路及
びその製造方法を提供することである。
本発明による集積回路は、半導体ウエハ基板のスクライ
ブ領域に設けられ前記基板の一主表面上の電極と他主表
面上の電極とを電気的に接続する貫通孔を有し、前記他
主表面上の電極を用いて自回路の高周波特性を測定する
ようにしたことを特徴とする。
は、半導体ウエハ基板上の回路の一主表面上の電極と他
主表面上の電極とを電気的に接続する貫通孔を、前記基
板のスクライブ領域に設ける第1のステップと、前記他
主表面上の電極を用いて前記回路の高周波特性を測定し
て、この測定後に前記スクライブ領域により前記基板を
切断してチップ化する第2のステップとを含むことを特
徴とする。
る。
概略構成図であり、ウエハの表面(a)と裏面(b)と
が示されている。図において、表面(a)のFET8
は、高周波入出力端子1及び電源端子4に接続されてい
る。そして、表面(a)の高周波入出力端子1を、スク
ライブ領域2に形成したバイアホール3を介して裏面に
接続する。電源端子4も同様に、バイアホール5によっ
て裏面に接続する。裏面(b)では、マイクロストリッ
プラインの接地導体とコプレーナ線路化した測定用の高
周波入出力端子6を電極として形成し、また電源端子4
とバイアホール5で接続された端子7を電極として形成
する。なお、ウエハ上のすべての回路について同様に端
子を形成するものとする。
形成工程完了後、高周波入出力端子6に高周波プローブ
を接触させ、電源端子7に電源用プローブを接触させれ
ば高周波測定を行うことが可能になる。
は、バイアホール部のインダクタンスとして考えること
ができるが、バイアホールを形成する場合、モノシリッ
クマイクロ波集積回路の半導体基板厚は100[μm]
程度と少なく、バイアホールのインダクタンスは小さい
ためほとんど無視できる。
のように製造するのである。すなわち、半導体ウエハ基
板上の回路の表面電極と裏面電極とを電気的に接続する
貫通孔(バイアホール)を基板上のスクライブ用領域に
設ける。その後にその裏面電極を用いて回路の高周波特
性を測定して、この測定後にスクライブ領域により基板
を切断してチップ化するのである。そして、高周波測定
後、スクライブ領域2はチップ化するために除去され、
バイアホール3,5も除去される。そのため、裏面部の
端子と表面部の端子とは分離されるため、チップ化後の
特性上の影響はないのである。
は、チップ毎に方向が定まらないので高周波プローブを
アライメントする必要があった。これに対し、本実施例
ではウエハ状態であるため、従来のテスタと同様の方法
でウエハとしてのアライメントで測定が可能である。そ
して、最終のチップ化した状態とほぼ同様の伝送線路の
状態として測定できるため高周波選別の方法として有効
である。
特性を測定できる。
裏面からバイアホールを形成する工程を持つモノリシッ
クマイクロ波集積回路において表面電極と裏面電極とを
電気的に接続する貫通孔をスクライブ領域に設けること
により、高周波測定による選別が効率良く行え、不良混
入率を下げることができるという効果がある。
あり、(a)はウエハの表面、(b)はウエハの裏面で
ある。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体ウエハ基板のスクライブ領域に設
けられ前記基板の一主表面上の電極と他主表面上の電極
とを電気的に接続する貫通孔を有し、前記他主表面上の
電極を用いて自回路の高周波特性を測定するようにした
ことを特徴とする集積回路。 - 【請求項2】 半導体ウエハ基板上の回路の一主表面上
の電極と他主表面上の電極とを電気的に接続する貫通孔
を、前記基板のスクライブ領域に設ける第1のステップ
と、前記他主表面上の電極を用いて前記回路の高周波特
性を測定して、この測定後に前記スクライブ領域により
前記基板を切断してチップ化する第2のステップとを含
むことを特徴とする集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5051397A JPH088288B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 集積回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5051397A JPH088288B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 集積回路及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06244252A JPH06244252A (ja) | 1994-09-02 |
JPH088288B2 true JPH088288B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=12885813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5051397A Expired - Fee Related JPH088288B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 集積回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH088288B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3737405B2 (ja) | 2001-09-13 | 2006-01-18 | Necマイクロシステム株式会社 | チップ製造方法およびシステム、回路基板、回路チップ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0245339B2 (ja) * | 1982-09-20 | 1990-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Handotaishusekikairosochi |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP5051397A patent/JPH088288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06244252A (ja) | 1994-09-02 |
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