JPH088243A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH088243A JPH088243A JP6156490A JP15649094A JPH088243A JP H088243 A JPH088243 A JP H088243A JP 6156490 A JP6156490 A JP 6156490A JP 15649094 A JP15649094 A JP 15649094A JP H088243 A JPH088243 A JP H088243A
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- photosensitive resin
- acid
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光又は放射線などの照
射に対し高感度で、解像性にも優れた感光性ポリイミド
樹脂絶縁層を形成してなる半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a photosensitive polyimide resin insulating layer which is highly sensitive to irradiation with light or radiation and has excellent resolution.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の基板表面に形成されている
素子部分は、外部環境の影響を受けやすいため素子表面
に保護膜が設けられて信頼性等を保持している。従来、
こうした有機の保護膜としては、造膜性、電気特性、信
頼性などの面からポリイミド樹脂が用いられるようにな
ってきており、特に近年は無機保護膜とポリイミド樹脂
膜とを併用するようになってきている。2. Description of the Related Art Since an element portion formed on the surface of a substrate of a semiconductor device is easily affected by an external environment, a protective film is provided on the element surface to maintain reliability and the like. Conventionally,
As such an organic protective film, a polyimide resin has come to be used in terms of film-forming properties, electric characteristics, reliability, etc., and in recent years, an inorganic protective film and a polyimide resin film have come to be used in combination. Is coming.
【0003】保護膜のついた半導体素子は、その表面に
スルーホールのようなパターン加工、或いは外部リード
との導通を採るためのパッド加工を行わなければならな
い。従来、ポリイミド樹脂膜の加工は、フォトレジスト
を用いたフォトエッチングプロセスにより、強アルカリ
でエッチング加工していた。この加工工程は大変繁雑で
長時間を要するばかりでなく、エッチング液の毒性にも
問題があった。このため近年、ポリイミド樹脂そのもの
に感光性を付与させる研究がなされている。感光性を付
与したポリイミド樹脂は、上記感光性を持たないポリイ
ミド樹脂のようにフォトレジストを使用しなくてもよい
ので、パターン作成プロセスの簡素化、合理化ができ、
さらに毒性の強いエッチング液を使用せずにパターニン
グができるので、安全、公害上も優れており、感光性を
持つポリイミド樹脂は、今後一層重要性を増すものと思
われる。A semiconductor element having a protective film must be patterned on its surface, such as a through hole, or must be padded to establish electrical continuity with external leads. Conventionally, the processing of the polyimide resin film has been performed with a strong alkali by a photo-etching process using a photoresist. This processing step is very complicated and takes a long time, and there is a problem in the toxicity of the etching solution. Therefore, in recent years, studies have been made to impart photosensitivity to the polyimide resin itself. Since the polyimide resin with photosensitivity does not need to use a photoresist like the polyimide resin having no photosensitivity, the pattern forming process can be simplified and rationalized,
Further, since it is possible to perform patterning without using a highly toxic etching solution, it is excellent in safety and pollution, and a polyimide resin having photosensitivity is expected to become more important in the future.
【0004】感光性を持つポリイミド樹脂としては、例
えばポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸の極
性溶媒溶液に重クロム酸塩を添加してなる感光性樹脂組
成物[R.E.Kerwin, et al.,Polymer Eng.&
Sci.,11(5),426 pp(1971)]が知られている。
しかし、この系は、得られる最終ポリイミド樹脂膜中に
重クロム酸塩が残るために電気特性や信頼性が低下する
欠点、また、暗反応によって保存中にポリアミック酸が
ゲル化する欠点、さらに、製造工程で排出される廃液中
に 6価クロムが含まれる欠点があった。As the photosensitive polyimide resin, for example, a photosensitive resin composition [R. E. Kerwin, et al. , Polymer Eng. &
Sci. , 11 (5), 426 pp (1971)] are known.
However, this system has the drawback that the electrical properties and reliability are reduced due to the presence of dichromate in the final polyimide resin film obtained, and that the polyamic acid gels during storage due to a dark reaction, and further, There was a drawback that hexavalent chromium was contained in the waste liquid discharged in the manufacturing process.
【0005】また、特公昭55-30207号公報、特公昭55-4
1422号公報等には、次式で示される構造の、エステル基
に感光性基を導入したポリイミド前駆体組成物が示され
ている。Further, Japanese Patent Publication No. 55-30207 and Japanese Patent Publication No. 55-4
1422 discloses a polyimide precursor composition having a structure represented by the following formula, in which a photosensitive group is introduced into an ester group.
【0006】[0006]
【化2】 (但し、式中n は1 以上の整数を表す) この系の感光性ポリイミド樹脂は、樹脂そのものの製造
工程が複雑であるばかりでなく、感光性基を導入する段
階で脱塩酸反応を伴うため、得られるポリイミド樹脂中
に塩素イオンが残り、電気特性やこの樹脂膜を使用した
素子の信頼性が悪いという欠点があった。Embedded image (However, in the formula, n represents an integer of 1 or more.) The photosensitive polyimide resin of this system not only has a complicated manufacturing process of the resin itself but also involves a dehydrochlorination reaction at the stage of introducing a photosensitive group. However, there is a drawback that chlorine ions remain in the obtained polyimide resin, and the electrical characteristics and the reliability of the element using this resin film are poor.
【0007】さらに、特公昭 54-145794号公報には、次
式で示される構造のポリアミック酸に、Further, Japanese Patent Publication No. 54-145794 discloses a polyamic acid having a structure represented by the following formula:
【0008】[0008]
【化3】 (但し、式中Ra は4 価の有機基を、Rb は2 価の有機
基を、Rc はエステル基をそれぞれ表す) 化学線により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結
合、および、アミノ基またはその四級化塩を含む化合物
を添加した組成物が示されている。このような系の感光
性ポリイミド樹脂には、不純物イオンの問題はないもの
の、感度が数百〜数千 mJ/cm2 と実用に供するには低
いものであり、また保存中の粘度変化や上記添加した化
合物の析出等の欠点があった。[Chemical 3] (In the formula, R a represents a tetravalent organic group, R b represents a divalent organic group, and R c represents an ester group.) A carbon-carbon double bond dimerizable or polymerizable by actinic radiation, Also, a composition added with a compound containing an amino group or a quaternized salt thereof is shown. Although the photosensitive polyimide resin of such a system does not have a problem of impurity ions, it has a sensitivity of several hundred to several thousand mJ / cm 2 which is low for practical use, and the viscosity change during storage and the above There was a defect such as precipitation of the added compound.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、半導体素子の表面
に、高感度で、解像度よく、光または放射線の照射によ
るレリーフパターンの形成が可能である感光性樹脂組成
物の絶縁層を設けた半導体装置であって、しかも製造工
程が簡易で環境保全上も安全な半導体装置を提供しよう
とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and it is possible to form a relief pattern on the surface of a semiconductor device by irradiation with light or radiation with high sensitivity and resolution. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device provided with an insulating layer of a photosensitive resin composition, which is possible, and which has a simple manufacturing process and is safe in terms of environmental protection.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ね、ポリマーについて種々
の化学構造を検討した結果、後述の組成物の絶縁層を設
けることによって、上記の目的を達成できることを見い
だし、本発明を完成したものである。Means for Solving the Problems The present inventor has conducted extensive studies to achieve the above-mentioned object, and as a result of studying various chemical structures of polymers, as a result of providing an insulating layer of the composition described below, The present invention has been completed by discovering that the above object can be achieved.
【0011】即ち、本発明は、半導体素子の表面に、直
接または他の絶縁層を介して、(A)次の一般式で示さ
れるポリアミック酸の溶液、That is, the present invention provides (A) a solution of a polyamic acid represented by the following general formula on the surface of a semiconductor element directly or through another insulating layer:
【0012】[0012]
【化4】 (但し、式中、R1 は 4価の有機酸残基を、R2 は 2価
のジアミン残基を、n は1 以上の整数をそれぞれ表す) (B)活性化された芳香環及び3級アミノ基を有する化
合物、(C)光分解性プロトン発生剤および(D)多官
能潜在性親電子剤を必須成分としてなる感光性樹脂組成
物により形成した絶縁層を具備することを特徴とする半
導体装置である。[Chemical 4] (In the formula, R 1 represents a tetravalent organic acid residue, R 2 represents a divalent diamine residue, and n represents an integer of 1 or more.) (B) Activated aromatic ring and 3 An insulating layer formed from a photosensitive resin composition containing a compound having a primary amino group, (C) a photodecomposable proton generator and (D) a polyfunctional latent electrophilic agent as essential components. It is a semiconductor device.
【0013】以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below.
【0014】本発明に用いる感光性樹脂組成物の一成分
である(A)ポリアミック酸は、酸成分とジアミン成分
の反応によって得られるものである。ここで用いる酸成
分の具体的な化合物として、例えば、ピロメリット酸、
1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸、1,2,3,4-シクロブ
タンテトラカルボン酸、1,2,4,5-シクロペンタンテトラ
カルボン酸、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン
酸、 3,3′,4,4′−ビシクロヘキシルテトラカルボン
酸、2,3,5-トリカルボキシシクロペンチル酢酸、3,4-ジ
カルボキシ-1,2,3,4- テトラヒドロナフタレン-1- コハ
ク酸、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、
2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、 3,3′,4,4′−ビ
フェニルエーテルテトラカルボン酸(4,4 ′- オキシジ
フタル酸)、 2,3,3′,4′−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパ
ン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス
(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン、1,1-ビス(2,3-
ジカルボキシフェニル)エタン、 2,2−ビス(3,4-ジカ
ルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、 3,3′,
4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、 2,3,
3′,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、2,3,
6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,8-ナフタレン
テトラカルボン酸、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン
酸、 3,4,9,10-テトラカルボキシペリレン、2,2-ビス
[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパ
ン、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン等の無水物又はその低級
アルキルエステル等が挙げられ、これらは単独又は混合
して使用することができる。The polyamic acid (A), which is one component of the photosensitive resin composition used in the present invention, is obtained by the reaction of an acid component and a diamine component. As a specific compound of the acid component used here, for example, pyromellitic acid,
1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetra Carboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic acid, 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1- Succinic acid, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid,
2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3', 4,
4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4'
-Benzophenone tetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-biphenyl ether tetracarboxylic acid (4,4'-oxydiphthalic acid), 2,3,3', 4'-biphenyl ether tetracarboxylic acid, 2,2 -Bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ) Methane, 1,1-bis (2,3-
Dicarboxyphenyl) ethane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 3,3 ′,
4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid, 2,3,
3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid, 2,3,
6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid, 3,4,9,10-tetracarboxyperylene, 2,2 -Anhydrides such as bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane or lower alkyl esters thereof These may be used alone or in combination.
【0015】また、ジアミン成分としては、具体的な化
合物として、例えば、 4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3,3′,5,5′−テトラメチル-4,4′−ジアミノジフ
ェニルメタン、 3,3′,5,5′−テトラエチル-4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、 3,3′−ジメチル-5,5′−ジ
エチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、 4,4′−メ
チレンビス(シクロヘキシルアミン)、 3,3′−ジメチ
ル-4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3′−
ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、 3,3′
−ジエトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ビス
(3-アミノフェニル)エーテル、ビス(4-アミノフェニ
ル)エーテル、 3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、
3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エ
ーテル、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、 3,3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジア
ミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−
ジアミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジエトキシ-4,
4′−ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス[4-(4-
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3-ビス(4-
アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニ
ル)プロパン、 4,4′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニル
スルフィド、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、 3,3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、 2,2′−ジアミノジエチルス
ルフィド、 2,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、m-
フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,3-ビス
(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,2-ビス(4-アミノ
フェニル)エタン、1,1-ビス(4-アミノフェニル)エタ
ン、ビス(3-アミノフェニル)スルホン、ビス(4-アミ
ノフェニル)スルホン、o-トルイジンスルホン、ビス
[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス
[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、 4,
4′−ジアミノジベンジルスルホキシド、ビス(4-アミ
ノフェニル)ジエチルシラン、ビス(4-アミノフェニ
ル)ジフェニルシラン、ビス(4-アミノフェニル)エチ
ルホスフィンオキシド、ビス(4-アミノフェニル)フェ
ニルホスフィンオキシド、ビス(4-アミノフェニル)−
N−フェニルアミン、ビス(4-アミノフェニル)−N−
メチルアミン、1,2-ジアミノナフタレン、1,4-ジアミノ
ナフタレン、1,5-ジアミノナフタレン、1,6-ジアミノナ
フタレン、1,7-ジアミノナフタレン、1,8-ジアミノナフ
タレン、2,3-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタ
レン、1,4-ジアミノ-2−メチルナフタレン、1,5-ジアミ
ノ-2−メチルナフタレン、1,3-ジアミノ-2−フェニルナ
フタレン、9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン、
4,4′−ジアミノビフェニル、 3,3′−ジアミノビフェ
ニル、 3,3′−ジヒドロキシ-4,4′−ジアミノビフェニ
ル、 3,3′−ジクロロ-4,4′−ジアミノビフェニル、
3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノビフェニル、 3,4′
−ジメチル-4,4′−ジアミノビフェニル、 3,3′−ジメ
トキシ-4,4′−ジアミノビフェニル、 4,4′−ビス(4-
アミノフェノキシ)ビフェニル、2,4-ジアミノトルエ
ン、2,5-ジアミノトルエン、2,6-ジアミノトルエン、3,
5-ジアミノトルエン、1,3-ジアミノ−2,5-ジクロロベン
ゼン、1,4-ジアミノ−2,5-ジクロロベンゼン、1-メトキ
シ−2,4-ジアミノベンゼン、1,3-ジアミノ−4,6-ジメチ
ルベンゼン、1,4-ジアミノ-2,5- ジメチルベンゼン、1,
4-ジアミノ-2−メトキシ-5−メチルベンゼン、1,4-ジア
ミノ−2,3,5,6-テトラメチルベンゼン、1,4-ビス(2-メ
トキシ-4−アミノペンチル)ベンゼン、1,4-ビス(1,1-
ジメチル-5−アミノペンチル)ベンゼン、1,4-ビス(4-
アミノフェノキシ)ベンゼン、3,5-ジアミノ安息香酸、
2,5-ジアミノ安息香酸、o-キシレンジアミン、m-キシレ
ンジアミン、p-キシレンジアミン、 9,10-ビス(4-アミ
ノフェニル)アントラセン、 3,3′−ジアミノベンゾフ
ェノン、 4,4′−ジアミノベンゾフェノン、2,6-ジアミ
ノピリジン、3,5-ジアミノピリジン、1,3-ジアミノアダ
マンタン、 3,3′−ジアミノ-1,1,1′−ジアダマンタ
ン、N−(3-アミノフェニル)-4−アミノベンズアミ
ド、 4,4′−ジアミノベンズアニリド、4-アミノフェニ
ル-3−アミノベンゾエート、2,2-ビス(4-アミノフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(3-アミノフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、2-(3-アミノフェニ
ル)−2-(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2,2-ビス[4-(2-クロロ-4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、
1,1-ビス(4-アミノフェニル)-1−フェニル-2,2,2−ト
リフルオロエタン、1,1-ビス[4-(4-アミノフェノキ
シ)フェニル]−1-フェニル-2,2,2−トリフルオロエタ
ン、1,3-ビス(3-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン、1,3-ビス(3-アミノフェニル)デカフルオロプロ
パン、2,2-ビス(3-アミノ-4- ヒドロキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、2,2-ビス(3-アミノ-4-メチル
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(5-アミ
ノ-4- メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,4-
ビス(3-アミノフェニル)ブタ−1-エン-3−イン等が挙
げられ、これらは単独又は 2種以上混合して使用するこ
とができる。Specific examples of the diamine component include, as specific compounds, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane and 3,3 ', 5,5'. -Tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetraethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4' -Diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylenebis (cyclohexylamine), 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 3,3'-
Dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 '
-Diethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, bis (3-aminophenyl) ether, bis (4-aminophenyl) ether, 3,4'-diaminodiphenylether,
3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 3,3'-dimethyl -4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diethoxy-4 , 4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-dimethoxy-4,4 ′-
Diaminodiphenylpropane, 3,3'-diethoxy-4,
4'-diaminodiphenylpropane, 2,2-bis [4- (4-
Aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis (4-
Aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diethyl- 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diethoxy-4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 2,2'-diaminodiethyl sulfide, 2,4'-diaminodiphenyl sulfide, m-
Phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,2-bis (4-aminophenyl) ethane, 1,1-bis (4-aminophenyl) ethane, bis (3 -Aminophenyl) sulfone, bis (4-aminophenyl) sulfone, o-toluidine sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,
4'-diaminodibenzyl sulfoxide, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, bis (4-aminophenyl) diphenylsilane, bis (4-aminophenyl) ethylphosphine oxide, bis (4-aminophenyl) phenylphosphine oxide, Bis (4-aminophenyl)-
N-phenylamine, bis (4-aminophenyl) -N-
Methylamine, 1,2-diaminonaphthalene, 1,4-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 1,6-diaminonaphthalene, 1,7-diaminonaphthalene, 1,8-diaminonaphthalene, 2,3-diamino Naphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 1,4-diamino-2-methylnaphthalene, 1,5-diamino-2-methylnaphthalene, 1,3-diamino-2-phenylnaphthalene, 9,9-bis (4- Aminophenyl) fluorene,
4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl,
3,3'-Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,4 '
-Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-bis (4-
Aminophenoxy) biphenyl, 2,4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 3,
5-diaminotoluene, 1,3-diamino-2,5-dichlorobenzene, 1,4-diamino-2,5-dichlorobenzene, 1-methoxy-2,4-diaminobenzene, 1,3-diamino-4, 6-dimethylbenzene, 1,4-diamino-2,5-dimethylbenzene, 1,
4-diamino-2-methoxy-5-methylbenzene, 1,4-diamino-2,3,5,6-tetramethylbenzene, 1,4-bis (2-methoxy-4-aminopentyl) benzene, 1, 4-bis (1,1-
Dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,4-bis (4-
Aminophenoxy) benzene, 3,5-diaminobenzoic acid,
2,5-diaminobenzoic acid, o-xylenediamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 3,3′-diaminobenzophenone, 4,4′-diamino Benzophenone, 2,6-diaminopyridine, 3,5-diaminopyridine, 1,3-diaminoadamantane, 3,3′-diamino-1,1,1′-diadamantane, N- (3-aminophenyl) -4 -Aminobenzamide, 4,4'-diaminobenzanilide, 4-aminophenyl-3-aminobenzoate, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexa Fluoropropane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [ 4- (2-chloro-4-aminophenyl Phenoxy) phenyl] hexafluoropropane,
1,1-bis (4-aminophenyl) -1-phenyl-2,2,2-trifluoroethane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1-phenyl-2,2 , 2-Trifluoroethane, 1,3-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenyl) decafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy) Phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (5-amino-4-methylphenyl) hexafluoropropane, 1,4-
Examples thereof include bis (3-aminophenyl) but-1-en-3-yne, which may be used alone or in combination of two or more.
【0016】このポリアミック酸は、 0.5g /N−メチ
ル-2−ピロリドン100 mlの濃度溶液として、30℃におけ
る対数粘度が 0.2〜 4.0の範囲であり、より好ましくは
0.3〜 2.0の範囲である。かかるポリアミック酸は、略
等モルの酸成分とジアミン成分とを有機溶媒中で30℃以
下、好ましくは20℃以下の反応温度下に 3〜12時間付加
重合反応させて得られる。この重合反応における有機溶
媒として、例えばN,N−ジメチルスルホキシド、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチ
ルアセトアミド、N−メチル-2−ピロリドン、ヘキサメ
チレンホスホアミド等が挙げられ、これらは単独又は 2
種以上混合して使用することができる。使用する酸成分
とジアミン成分によっては、汎用の有機溶剤可溶なポリ
アミック酸の合成も可能であり、このような場合には、
上記のようにして得られたポリアミック酸を水、メタノ
ール等の貧溶剤へ投入しポリマーを析出させた後、十分
乾燥後、所望の有機溶媒に溶解させる操作を行い、ポリ
アミック酸溶液とする。このポリアミック酸溶液の濃度
は、本発明の使用目的、使用方法によって適宜決定すれ
ばよいので、特に限定されるものではないが、通常 1〜
30%の濃度で使用する。The polyamic acid has a logarithmic viscosity in the range of 0.2 to 4.0 at 30 ° C. as a solution of a concentration of 0.5 g / 100 ml of N-methyl-2-pyrrolidone, and more preferably,
It is in the range of 0.3 to 2.0. Such a polyamic acid is obtained by subjecting an acid component and a diamine component of approximately equimolar amounts to an addition polymerization reaction in an organic solvent at a reaction temperature of 30 ° C. or lower, preferably 20 ° C. or lower for 3 to 12 hours. As the organic solvent in this polymerization reaction, for example, N, N-dimethylsulfoxide, N,
Examples thereof include N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone and hexamethylenephosphoamide, which may be used alone or in combination with 2
A mixture of two or more species can be used. Depending on the acid component and diamine component used, it is also possible to synthesize a general-purpose organic solvent-soluble polyamic acid, in such a case,
The polyamic acid obtained as described above is put into a poor solvent such as water or methanol to precipitate a polymer, and after sufficiently drying, an operation of dissolving in a desired organic solvent is performed to obtain a polyamic acid solution. The concentration of the polyamic acid solution is not particularly limited, as it may be appropriately determined depending on the purpose of use of the present invention and the method of use, but is usually 1 to
Use at a concentration of 30%.
【0017】本発明に用いる感光性樹脂組成物の一成分
である(B)成分には、芳香環および3級アミノ基を有
する化合物であって、芳香環が電子的に活性化されたも
のを使用し、その3級アミノ基は、窒素原子に直接水素
原子を結合していないアミノ基として定義される。例え
ば、次式の一般式で示される化合物が使用される。Component (B), which is one component of the photosensitive resin composition used in the present invention, is a compound having an aromatic ring and a tertiary amino group, in which the aromatic ring is electronically activated. Used, the tertiary amino group is defined as an amino group in which a hydrogen atom is not directly bonded to a nitrogen atom. For example, a compound represented by the following general formula is used.
【0018】[0018]
【化5】 (但し、式中Ar は芳香環を、R3 、R4 は炭素数 1〜
6 の低級アルキル基を、R5 は 2価の有機基を、R6 は
芳香環を電子的に活性化させるOH、NHCOR、OC
OR、O、アルキル基又はアリール基をそれぞれ表す) この具体的な化合物としては、p-ヒドロキシ安息香酸−
2-ジメチルアミノエチルエステル、m-ヒドロキシ安息香
酸−2-ジメチルアミノエチルエステル、o-ヒドロキシ安
息香酸−2-ジメチルアミノエチルエステル、p-ヒドロキ
シ安息香酸−2-ジエチルアミノエチルエステル、m-ヒド
ロキシ安息香酸−2-ジエチルアミノエチルエステル、o-
ヒドロキシ安息香酸−2-ジエチルアミノエチルエステ
ル、p-ヒドロキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、
m-ヒドロキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、o-ヒ
ドロキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、p-ヒドロ
キシ−N,N−ジエチルベンジルアミン、m-ヒドロキシ
−N,N−ジエチルベンジルアミン、o-ヒドロキシ−
N,N−ジエチルベンジルアミン等を挙げることができ
る。しかし、これらに限定されるものではなく、アミッ
ク酸のカルボン酸とイオン的に結合可能な3級アミノ基
と、カルボカチオンと親電子置換反応を起こす芳香環と
を 1分子中に含有する化合物であればよい。これらの化
合物は、単独又は混合して使用することができる。この
化合物の配合割合は、前述したポリアミック酸のカルボ
ニル基に対して30〜300 モル%配合させることが望まし
く、より好ましくは50〜200 モル%の範囲である。配合
量が30%モル%未満では感光性に劣り、また、 300モル
%を超えると樹脂組成物の保存安定性、ポリイミド膜の
物性に劣り好ましくない。[Chemical 5] (However, in the formula, Ar is an aromatic ring, and R 3 and R 4 are each a carbon number of 1 to
6 is a lower alkyl group, R 5 is a divalent organic group, and R 6 is an OH, NHCOR, OC that electronically activates an aromatic ring.
OR, O, and each represent an alkyl group or an aryl group.) As this specific compound, p-hydroxybenzoic acid-
2-Dimethylaminoethyl ester, m-hydroxybenzoic acid-2-dimethylaminoethyl ester, o-hydroxybenzoic acid-2-dimethylaminoethyl ester, p-hydroxybenzoic acid-2-diethylaminoethyl ester, m-hydroxybenzoic acid -2-diethylaminoethyl ester, o-
Hydroxybenzoic acid-2-diethylaminoethyl ester, p-hydroxy-N, N-dimethylbenzylamine,
m-hydroxy-N, N-dimethylbenzylamine, o-hydroxy-N, N-dimethylbenzylamine, p-hydroxy-N, N-diethylbenzylamine, m-hydroxy-N, N-diethylbenzylamine, o- Hydroxy-
N, N-diethylbenzylamine etc. can be mentioned. However, the compound is not limited to these, and is a compound containing a tertiary amino group capable of ionically binding to a carboxylic acid of an amic acid, and a carbocation and an aromatic ring that causes an electrophilic substitution reaction in one molecule. I wish I had it. These compounds can be used alone or in combination. The compounding ratio of this compound is preferably 30 to 300 mol% with respect to the carbonyl group of the polyamic acid described above, and more preferably 50 to 200 mol%. If the blending amount is less than 30% by mole, the photosensitivity is inferior, and if it exceeds 300% by mole, the storage stability of the resin composition and the physical properties of the polyimide film are inferior.
【0019】本発明に用いる感光性樹脂組成物の一成分
である(C)光分解性プロトン発生剤としては、アリル
ジアゾニウム塩(Ar N2 + X- )、ジアリルヨードニ
ウム塩(Ar 2 I+ X- )、トリアリルスルフォニウム
塩(Ar 3 S+ X- )、芳香族スルフォン酸エステル等
が挙げられ、これらは単独又は 2種以上混合して使用す
ることができる。光分解性プロトン発生剤の配合割合
は、前述したポリアミック酸溶液の固形分に対して 1〜
50重量%配合させることが望ましく、より好ましくは 5
〜20重量%の範囲内である。配合量が 1重量%未満で
は、酸の発生速度が遅くなり十分な感度が得られず、ま
た、50重量%を超えると樹脂組成物の保存安定性が悪く
好ましくない。As the photodecomposable proton-generating agent (C) which is one component of the photosensitive resin composition used in the present invention, allyl diazonium salt (Ar N 2 + X − ) and diallyl iodonium salt (Ar 2 I + X) are used. - ), Triallyl sulfonium salt (Ar 3 S + X − ), aromatic sulfonic acid ester and the like, and these can be used alone or in combination of two or more kinds. The mixing ratio of the photodegradable proton generating agent is 1 to the solid content of the polyamic acid solution described above.
It is desirable to add 50% by weight, more preferably 5
Within the range of up to 20% by weight. If the content is less than 1% by weight, the acid generation rate will be slow and sufficient sensitivity cannot be obtained, and if it exceeds 50% by weight, the storage stability of the resin composition will be poor, such being undesirable.
【0020】本発明に用いる感光性樹脂組成物の一成分
である(D)多官能潜在性親電子剤としては、前述した
光分解性プロトン発生剤から発生した酸によりカルボカ
チオン等の親電子置換反応を起こし得る官能基が、 1分
子中に 2つ以上生成するようなものであればよく特に限
定されるものではないが、好ましくはカルボカチオンが
生成する際にブロックしている酸が遊離するものが好ま
しい。具体的な化合物として、例えば、1,4-ビス(アセ
トキシメチル)ベンゼン、1,3,5-トリ(アセトキシメチ
ル)ベンゼン、3,4-ビス(アセトキシメチル)フラン、
1,4-ビス(スルフォキシメチル)ベンゼン、1,3,5-トリ
(スルフォキシメチル)ベンゼン、3,4-ビス(スルフォ
キシメチル)フラン等が挙げられ、これらは単独又は 2
種以上混合して使用することができる。多官能潜在性親
電子剤の配合割合は、前述したポリアミック酸のカルボ
ニル基に対して30〜300 モル%配合させることが望まし
く、より好ましくは50〜200 モル%である。配合量が30
モル%未満では分子間の架橋密度が少なくなり、十分な
感度、解像度が得られず、また、300 モル%を超えると
樹脂組成物の保存安定性、ポリイミド膜の物性に劣り好
ましくない。The polyfunctional latent electrophilic agent (D), which is one component of the photosensitive resin composition used in the present invention, is an electrophilic substitution such as carbocation with an acid generated from the photodegradable proton generator described above. The functional group capable of reacting is not particularly limited as long as it produces two or more functional groups in one molecule, but preferably the blocking acid is liberated when the carbocation is produced. Those are preferable. Specific compounds include, for example, 1,4-bis (acetoxymethyl) benzene, 1,3,5-tri (acetoxymethyl) benzene, 3,4-bis (acetoxymethyl) furan,
Examples include 1,4-bis (sulfoxymethyl) benzene, 1,3,5-tri (sulfoxymethyl) benzene, and 3,4-bis (sulfoxymethyl) furan, which may be used alone or
A mixture of two or more species can be used. The compounding ratio of the polyfunctional latent electrophilic agent is preferably 30 to 300 mol% and more preferably 50 to 200 mol% based on the carbonyl group of the polyamic acid. Compounding amount 30
If it is less than mol%, the cross-linking density between molecules becomes small, and sufficient sensitivity and resolution cannot be obtained, and if it exceeds 300 mol%, the storage stability of the resin composition and the physical properties of the polyimide film are poor, which is not preferable.
【0021】本発明に用いる感光性樹脂組成物は、上述
したポリアミック酸溶液、活性化された芳香環および3
級アミノ基を有する化合物、光分解性プロトン発生剤、
多官能潜在性親電子剤を配合して容易に製造することが
できる。また、上述の各成分を必須成分とするが、本発
明の目的に反しない範囲において他の添加物を配合する
ことができる。こうして得られた感光性樹脂組成物は、
IC、LSIの表面保護膜の他、層間絶縁膜や、液晶の
配向膜等に好適に使用することができる。The photosensitive resin composition used in the present invention comprises the above-mentioned polyamic acid solution, activated aromatic ring and 3
A compound having a primary amino group, a photodegradable proton generator,
It can be easily produced by blending a polyfunctional latent electrophilic agent. Further, although each of the above-mentioned components is an essential component, other additives can be blended within a range not deviating from the object of the present invention. The photosensitive resin composition thus obtained,
In addition to the surface protection film for IC and LSI, it can be preferably used for an interlayer insulating film, an alignment film for liquid crystal, and the like.
【0022】次に本発明の感光性樹脂組成物を用いて、
半導体素子表面にレリーフパターンを形成し、半導体装
置を製造する一例を説明する。まず、ポリアミック酸溶
液、活性化された芳香環および3級アミノ基を有する化
合物、光分解性プロトン発生剤および多官能潜在性親電
子剤を配合して感光性樹脂組成物を調製する。この組成
物を、半導体基板上にスピンコート、印刷等の常法によ
り塗布乾燥させて有機溶剤を除去する。次に得られた塗
膜にネガ型のフォトマスクを通して、X線、電子線、紫
外線、可視光線等、好ましくは紫外線を露光する。露光
後、未露光部を除去するため現像液をスプレーするか、
現像液に基板を浸漬するなどして現像を行う。この現像
液は、塗膜中の未露光部を適当な時間内で溶解除去する
ことのできる有機溶媒がよく、例えば、N,N−ジメチ
ルスルフォキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチル
−2-ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド等を単独
または混合して、さらにこれら良溶媒に対して、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカ
ルビトール、酢酸イソアミルエステル等の貧溶媒を混合
し、溶解度を調整して使用することができる。現像後、
適当なリンス液によって該基板上を洗浄することによっ
てレリーフパターンを形成することができる。ここで用
いるリンス液としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、
エチルカルビトール、ブチルカルビトール、酢酸イソア
ミルエステル等を単独または混合して使用することがで
きる。レリーフパターンの得られた基板は、 100〜400
℃、好ましくは 200〜350℃の下で60〜90分間、加熱処
理して、ポリアミック酸をポリイミドに硬化させる。こ
うして、耐熱性、絶縁性等を有するレリーフパターンを
得ることができる。Next, using the photosensitive resin composition of the present invention,
An example of manufacturing a semiconductor device by forming a relief pattern on the surface of a semiconductor element will be described. First, a photosensitive resin composition is prepared by mixing a polyamic acid solution, a compound having an activated aromatic ring and a tertiary amino group, a photodegradable proton generator and a polyfunctional latent electrophilic agent. This composition is applied on a semiconductor substrate by a conventional method such as spin coating or printing and dried to remove the organic solvent. Next, the obtained coating film is exposed to X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays, and preferably ultraviolet rays through a negative photomask. After exposure, spray a developing solution to remove the unexposed areas, or
Development is performed by immersing the substrate in a developing solution. This developing solution is preferably an organic solvent capable of dissolving and removing the unexposed portion in the coating film within an appropriate time, and examples thereof include N, N-dimethylsulfoxide, N, N-dimethylformamide,
N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylenephosphoamide, etc. may be used alone or in a mixture, and methanol may be added to these good solvents. , Ethanol, isopropanol, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, butyl carbitol, acetic acid isoamyl ester and the like can be mixed and used by adjusting the solubility. After development,
The relief pattern can be formed by washing the substrate with an appropriate rinse solution. As the rinse liquid used here, methanol, ethanol, isopropanol, ethyl cellosolve, butyl cellosolve,
Ethyl carbitol, butyl carbitol, acetic acid isoamyl ester and the like can be used alone or in combination. The substrate on which the relief pattern was obtained is 100 to 400.
The polyamic acid is cured into a polyimide by heat treatment at 60 ° C. for 60 to 90 minutes at 200 ° C., preferably 200 to 350 ° C. In this way, a relief pattern having heat resistance, insulation, etc. can be obtained.
【0023】その後、エポキシ樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シ
リコーン樹脂等で注形、トランスファー成形、射出成形
等により、 0.5〜5mm 程度の厚さに封止成形して、半導
体装置を製造することができる。After that, the semiconductor is sealed with epoxy resin, diallyl phthalate resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, silicone resin or the like by casting, transfer molding, injection molding or the like to a thickness of about 0.5 to 5 mm to form a semiconductor. The device can be manufactured.
【0024】次に、図面を用いて本発明の半導体装置を
説明する。Next, the semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0025】図1は、半導体装置を説明するための概略
断面図である。図1において、シリコン等の半導体素子
1の表面に例えば、pnp 型トランジスタが形成されてい
る。半導体素子1の表面にはエミッタ・ベース間の接合
保護のための二酸化ケイ素膜2が形成され、さらにベー
ス電極3、エミッタ電極4がアルミニウム蒸着膜により
形成されている。この半導体素子表面に無機保護膜であ
る窒化ケイ素蒸着膜5を形成し、さらにその上部に、感
光性樹脂組成物を前述の方法により、エミッタ電極4上
に穴が開くようにパターンニングし、有機保護膜層6を
形成する。次いで強フッ酸により窒化ケイ素蒸着膜5を
エッチングし、エミッタ電極4上にボンディングパッド
を形成する。その後、半導体素子の電極とリード線を、
金あるいはアルミニウムのボンディングワイヤ7により
ボンディングする。プレーナー型トランジスタを封止す
る場合は、半導体素子1をタブリード8の先端に固定
し、機械的強度を持たせるためと外気から保護するため
に、タブリード8の先端部を含む半導体素子1を封止樹
脂9で封止する。こうして半導体装置を製造することが
できる。FIG. 1 is a schematic sectional view for explaining a semiconductor device. In FIG. 1, for example, a pnp type transistor is formed on the surface of a semiconductor element 1 such as silicon. A silicon dioxide film 2 for protecting the junction between the emitter and the base is formed on the surface of the semiconductor element 1, and a base electrode 3 and an emitter electrode 4 are formed by an aluminum vapor deposition film. A silicon nitride vapor deposition film 5 which is an inorganic protective film is formed on the surface of this semiconductor element, and a photosensitive resin composition is further patterned on the upper surface thereof by the above-described method so that holes are formed on the emitter electrode 4. The protective film layer 6 is formed. Then, the silicon nitride vapor deposition film 5 is etched with strong hydrofluoric acid to form a bonding pad on the emitter electrode 4. After that, the electrode of the semiconductor element and the lead wire,
Bonding is performed with a gold or aluminum bonding wire 7. When the planar type transistor is sealed, the semiconductor element 1 is fixed to the tip of the tab lead 8 and the semiconductor element 1 including the tip of the tab lead 8 is sealed in order to provide mechanical strength and to protect it from the outside air. Seal with resin 9. In this way, a semiconductor device can be manufactured.
【0026】[0026]
【作用】本発明の半導体装置は、絶縁保護膜として特定
の感光性樹脂組成物を用いることによって、従来のフォ
トレジストによるフォトエッチングプロセスを用いず
に、半導体素子上にレリーフパターンの絶縁保護膜が得
られるものである。特定の感光性樹脂組成物とは、ポリ
アミック酸に混合しイオン的に結合させた特定の分子中
のベンゼン環に対して、カルボカチオンを 1分子中に 2
つ以上発生できる架橋剤を親電子置換反応させることに
より、現像液に対して露光部と未露光部の溶解度差を出
現させるものである。それによって、従来のラジカルで
感光基であるアクリル等の二重結合どうしを重合させ、
露光部と未露光部の溶解度差を出現させていた感光性ポ
リイミドに比べて、高感度、高解像度のレリーフパター
ンを形成させることができるものである。さらに、ポリ
アミック酸の状態でレリーフパターンを得、その後熱転
化によりポリイミド膜とすることができるので、高密着
のパターンが得られる利点がある。また、半導体装置の
製造工程も短縮され、さらに公害、環境問題にも有利な
プロセスの製造工程で高信頼性の半導体装置を製造する
ことができた。In the semiconductor device of the present invention, by using the specific photosensitive resin composition as the insulating protective film, the insulating protective film of the relief pattern is formed on the semiconductor element without using the conventional photoetching process with the photoresist. Is what you get. A specific photosensitive resin composition is a carbocation in one molecule for a benzene ring in a specific molecule that is mixed with a polyamic acid and ionically bonded.
By subjecting a cross-linking agent capable of generating one or more to an electrophilic substitution reaction, a difference in solubility between the exposed portion and the unexposed portion in the developing solution appears. As a result, conventional double radicals polymerize double bonds such as acrylic, which is a photosensitive group,
It is possible to form a relief pattern with high sensitivity and high resolution, as compared with a photosensitive polyimide in which a solubility difference between an exposed portion and an unexposed portion appears. Furthermore, since a relief pattern can be obtained in the state of polyamic acid and then converted into a polyimide film by thermal conversion, there is an advantage that a pattern with high adhesion can be obtained. Further, the manufacturing process of the semiconductor device has been shortened, and the highly reliable semiconductor device can be manufactured by the manufacturing process of the process which is advantageous for pollution and environmental problems.
【0027】[0027]
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。EXAMPLES Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0028】実施例1 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに乾
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 4,4′−ジア
ミノジフェニルエーテル20.02gとN−メチル-2−ピロリ
ドン 424.9g を加えて溶解した。この溶液にピロメリッ
ト酸二無水物10.91gと 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物16.11gの混合物を粉体のまま、
発熱に注意しながら数回に分割して加えた。反応による
発熱を氷浴中で抑えながら攪拌を続けそのまま8 時間攪
拌してポリアミック酸溶液を調製した。このポリアミッ
ク酸溶液の一部を水とメタノール混合溶媒中に投入、再
沈殿させてポリアミック酸の粉末を得た。この粉末をN
−メチル−2-ピロリドン 0.5g /100 ml濃度となるよう
に溶解し、30℃の対数粘度を測定したところ 1.32dl/g
であった。このポリアミック酸溶液100gにm-ヒドロキ
シ安息香酸−2-ジメチルアミノエチルエステル4.82g
と、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンス
ルフォン酸塩 1.0g と1,4-ビス(アセトキシメチル)ベ
ンゼン5.0 g を溶解させ、 1.0μm フィルターにて加圧
濾過を行い感光性樹脂組成物を製造した。Example 1 Dry nitrogen was passed through a flask equipped with a stirrer, a condenser and a nitrogen inlet tube to replace the inside of the flask, and then 20.02 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether and 424.9 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added. Dissolved. To this solution, a mixture of 10.91 g of pyromellitic dianhydride and 16.11 g of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride as a powder,
While paying attention to heat generation, it was added in several portions. While suppressing the heat generated by the reaction in an ice bath, stirring was continued for 8 hours to prepare a polyamic acid solution. A part of this polyamic acid solution was put into a mixed solvent of water and methanol and reprecipitated to obtain a polyamic acid powder. This powder is N
-Methyl-2-pyrrolidone 0.5 g / 100 ml Dissolved to a concentration of 30 ° C and measured logarithmic viscosity 1.32 dl / g
Met. M-Hydroxybenzoic acid-2-dimethylaminoethyl ester 4.82 g in 100 g of this polyamic acid solution
Then, 1.0 g of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate and 5.0 g of 1,4-bis (acetoxymethyl) benzene were dissolved, and pressure filtration was performed with a 1.0 μm filter to produce a photosensitive resin composition.
【0029】実施例2 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに乾
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 2,2′−ビス
[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン51.84gとN−メチル-2−ピロリドン 294.7g を
加えて溶解した。この溶液にピロメリット酸二無水物2
1.81gを粉体のまま、発熱に注意しながら数回に分割し
て加えた。反応による発熱を氷浴中で抑えながら攪拌を
続けそのまま6 時間攪拌してポリアミック酸溶液を調製
した。このポリアミック酸溶液の一部を水とメタノール
混合溶媒中に投入、再沈殿させてポリアミック酸の粉末
を得た。この粉末をN−メチル−2-ピロリドン 0.5g /
100 ml濃度となるように溶解し、30℃の対数粘度を測定
したところ 0.95 dl/g であった。前記ポリアミック酸
粉末を固形分10%になるようにシクロヘキサノンに溶解
し、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸溶
液100gにp-ヒドロキシ安息香酸−2-ジメチルアミノエチ
ルエステル 2.99gと、ジフェニルヨードニウムトリフル
オロメタンスルフォン酸塩 1.0g と1,4-ビス(アセトキ
シメチル)ベンゼン 3.11gを溶解させ、1.0μm フィル
ターにて加圧濾過を行い感光性樹脂組成物を製造した。Example 2 Dry nitrogen was passed through a flask equipped with a stirrer, a condenser and a nitrogen inlet tube to replace the inside of the flask, and then 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane 51.84 g and N-methyl-2-pyrrolidone 294.7 g were added and dissolved. Add pyromellitic dianhydride 2 to this solution.
1.81 g was added as a powder in several divided portions while paying attention to heat generation. While suppressing the heat generated by the reaction in an ice bath, stirring was continued for 6 hours to prepare a polyamic acid solution. A part of this polyamic acid solution was put into a mixed solvent of water and methanol and reprecipitated to obtain a polyamic acid powder. This powder was added to N-methyl-2-pyrrolidone 0.5 g /
It was dissolved so as to have a concentration of 100 ml, and the logarithmic viscosity at 30 ° C. was measured to be 0.95 dl / g. The polyamic acid powder was dissolved in cyclohexanone so that the solid content was 10% to obtain a polyamic acid solution. P-Hydroxybenzoic acid-2-dimethylaminoethyl ester 2.99 g, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate 1.0 g and 1,4-bis (acetoxymethyl) benzene 3.11 g were dissolved in 100 g of this polyamic acid solution, and 1.0 μm A photosensitive resin composition was manufactured by performing pressure filtration with a filter.
【0030】比較例1 実施例1において得られたポリアミック酸溶液100gに、
2-(N,N−ジメチルアミノ)エチルメタクリレート
8.23gとラジカル発生剤であるIRGACURE907
(チバガイギー社製、商品名) 1.0g を配合溶解させ
1.0μm フィルターにて加圧濾過を行い感光性樹脂組成
物を製造した。Comparative Example 1 To 100 g of the polyamic acid solution obtained in Example 1,
2- (N, N-dimethylamino) ethyl methacrylate
8.23g and IRGACURE907 which is a radical generator
(Ciba Geigy, trade name) 1.0g
A photosensitive resin composition was manufactured by performing pressure filtration with a 1.0 μm filter.
【0031】比較例2 実施例1において得られたポリアミック酸溶液100 g を
そのまま使用した。Comparative Example 2 100 g of the polyamic acid solution obtained in Example 1 was used as it was.
【0032】実施例および比較例で製造した感光性樹脂
組成物およびポリアミック酸溶液(比較例2)を用い
て、それぞれそれに適合するプロセスを用いて半導体素
子表面に絶縁保護膜を形成し、封止樹脂で封止した半導
体装置を製造した。これらの半導体装置について、製造
プロセスの簡易さ、耐湿性の試験を、また、ポリイミド
樹脂膜とした場合の電気特性を測定したので、その結果
を表1に示した。いずれの場合も本発明が優れており、
本発明の効果を確認することができた。Using the photosensitive resin composition and the polyamic acid solution (Comparative Example 2) produced in the Examples and Comparative Examples, an insulating protective film was formed on the surface of the semiconductor element by using a process compatible with each of them, and sealing was performed. A semiconductor device sealed with a resin was manufactured. With respect to these semiconductor devices, a simple manufacturing process and a moisture resistance test were conducted, and electrical characteristics of the polyimide resin film were measured. The results are shown in Table 1. In any case, the present invention is excellent,
The effect of the present invention could be confirmed.
【0033】[0033]
【表1】 [Table 1]
【0034】[0034]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置は、特定の感光性樹脂組成物を絶縁膜とし
て用いることにより、簡易で、安全なプロセスによって
信頼性の高い装置を製造することができるものである。As is clear from the above description, the semiconductor device of the present invention is a highly reliable device manufactured by a simple and safe process by using a specific photosensitive resin composition as an insulating film. Is what you can do.
【図1】図1は、本発明の半導体装置を説明するための
概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view for explaining a semiconductor device of the present invention.
【符号の説明】 1 半導体素子 2 二酸化ケイ素膜 3 ベース電極 4 エミッタ電極 5 窒化ケイ素蒸着膜 6 有機保護膜 7 ボンディングワイヤ 8 タブリード 9 封止樹脂[Explanation of reference numerals] 1 semiconductor element 2 silicon dioxide film 3 base electrode 4 emitter electrode 5 silicon nitride vapor deposition film 6 organic protective film 7 bonding wire 8 tab lead 9 sealing resin
Claims (1)
縁層を介して、(A)次の一般式で示されるポリアミッ
ク酸の溶液、 【化1】 (但し、式中、R1 は 4価の有機酸残基を、R2 は 2価
のジアミン残基を、n は1 以上の整数をそれぞれ表す) (B)活性化された芳香環及び3級アミノ基を有する化
合物、(C)光分解性プロトン発生剤および(D)多官
能潜在性親電子剤を必須成分としてなる感光性樹脂組成
物により形成した絶縁層を具備することを特徴とする半
導体装置。1. A solution of (A) a polyamic acid represented by the following general formula, directly on the surface of a semiconductor element or through another insulating layer: (In the formula, R 1 represents a tetravalent organic acid residue, R 2 represents a divalent diamine residue, and n represents an integer of 1 or more.) (B) Activated aromatic ring and 3 An insulating layer formed from a photosensitive resin composition containing a compound having a primary amino group, (C) a photodecomposable proton generator and (D) a polyfunctional latent electrophilic agent as essential components. Semiconductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6156490A JPH088243A (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6156490A JPH088243A (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH088243A true JPH088243A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15628901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6156490A Pending JPH088243A (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH088243A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414382B1 (en) | 1997-01-23 | 2002-07-02 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
US8142747B2 (en) | 1998-02-06 | 2012-03-27 | Anders Andreasson | Catalytic reduction of NOx |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP6156490A patent/JPH088243A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414382B1 (en) | 1997-01-23 | 2002-07-02 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
US8142747B2 (en) | 1998-02-06 | 2012-03-27 | Anders Andreasson | Catalytic reduction of NOx |
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