JPH088231A - Flattening method of film - Google Patents
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- JPH088231A JPH088231A JP13894594A JP13894594A JPH088231A JP H088231 A JPH088231 A JP H088231A JP 13894594 A JP13894594 A JP 13894594A JP 13894594 A JP13894594 A JP 13894594A JP H088231 A JPH088231 A JP H088231A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、膜の平坦化方法であっ
て、例えば、半導体デバイスの層間絶縁膜として用いら
れる有機スピンオングラス膜（Spin On Glass、以下、
有機ＳＯＧ膜という）の表面を平坦化する方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film flattening method, for example, an organic spin-on-glass film (Spin On Glass, hereinafter referred to as an interlayer insulating film of a semiconductor device).
The surface of an organic SOG film) is planarized.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴い、積層型の配
線構造が採用されている。上層配線と下層配線間の層間
絶縁膜としては、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＯＧ膜等が
よく用いられているが、このうち、特開平３−１８３７
５６号公報（Ｃ２３Ｃ１４／００）に示されているよう
な有機ＳＯＧ膜を使った例を図７に基づいて説明する。2. Description of the Related Art With the miniaturization of semiconductor devices, a laminated wiring structure has been adopted. A PSG film, a BPSG film, an SOG film or the like is often used as an interlayer insulating film between the upper layer wiring and the lower layer wiring.
An example using an organic SOG film as disclosed in Japanese Patent Publication No. 56 (C23C14 / 00) will be described with reference to FIG.
【０００３】図７Ａにおいて、１は単結晶シリコン基
板、２は素子分離膜、３はこの素子分離膜２の上に形成
されたＡｌ配線、４はプラズマＣＶＤ法により、前記基
板全面に前記Ａｌ配線を覆うように薄く堆積されたシリ
コン酸化膜である。そして、このシリコン酸化膜４の上
に有機ＳＯＧ膜５を形成する。この有機ＳＯＧ膜５は、
有機溶剤（例えばメタノール、アセトン）にケイ素化合
物を溶解させた溶液を回転塗布法により塗布し、その後
熱処理を加えることにより溶剤の揮発及び脱水縮合反応
を進行させて形成する。種類としてはシリコン酸化膜に
属する。回転塗布法により形成されるため、図の通り、
下地膜の凹部に厚く、凸部に薄く形成される。In FIG. 7A, 1 is a single crystal silicon substrate, 2 is an element isolation film, 3 is an Al wiring formed on the element isolation film 2, and 4 is the Al wiring on the entire surface of the substrate by a plasma CVD method. Is a thin silicon oxide film deposited so as to cover the. Then, the organic SOG film 5 is formed on the silicon oxide film 4. This organic SOG film 5 is
A solution in which a silicon compound is dissolved in an organic solvent (for example, methanol or acetone) is applied by a spin coating method, and then a heat treatment is applied to promote volatilization and dehydration condensation reaction of the solvent to form a film. The type belongs to the silicon oxide film. As it is formed by spin coating method,
The base film is formed thick in the concave portion and thin in the convex portion.
【０００４】次に、図７Ｂにおいて、まず、上層配線
（例えばＡｌ配線）とのコンタクト部となる前記Ａｌ配
線３上部の前記有機ＳＯＧ膜５を除去するために、前記
有機ＳＯＧ膜５を全面エッチバック処理する。これは、
有機ＳＯＧ膜５が上層配線堆積のための熱処理によって
ガス（Ｈ2Ｏ等酸素を含むガス）を発生し、これがコン
タクト内の下層配線（Ａｌ配線３）を酸化させて、コン
タクト抵抗を増加させるからである。Next, in FIG. 7B, first, the organic SOG film 5 is entirely etched to remove the organic SOG film 5 on the Al wiring 3, which is a contact portion with an upper wiring (eg, Al wiring). Back processing. this is,
The organic SOG film 5 generates a gas (a gas containing oxygen such as H 2 O) by heat treatment for depositing the upper layer wiring, which oxidizes the lower layer wiring (Al wiring 3) in the contact and increases the contact resistance. Is.
【０００５】前記有機ＳＯＧ膜５のエッチバック処理
は、前記シリコン酸化膜４と有機ＳＯＧ膜５とのエッチ
ングレートが等しくなるように、ＣＦ4、ＣＨＦ3及びＡ
ｒを使用ガスとして用いたドライエッチングで行う。仮
に、エッチングレートが異なると、有機ＳＯＧ膜５をオ
ーバーエッチングした場合に、凹部を埋めている有機Ｓ
ＯＧ膜５と凸部を覆っているシリコン酸化膜４との間で
段差が生じる恐れがある。The etch back process of the organic SOG film 5 is performed by using CF 4 , CHF 3 and A so that the etching rates of the silicon oxide film 4 and the organic SOG film 5 become equal.
Dry etching is performed using r as a used gas. If the etching rates are different, if the organic SOG film 5 is over-etched, the organic S that fills the recess is
A step may occur between the OG film 5 and the silicon oxide film 4 covering the convex portion.
【０００６】尚、エッチバックの条件は、ガス流量：Ｃ
Ｆ4／ＣＨＦ3／Ａｒ＝５０／５０／５００sccm、真空
度：５００mTorr、高周波出力：４００Ｗである。エッ
チバック後、全面にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸
化膜６を堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術
により前記Ａｌ配線３に通じるコンタクトホール７を形
成し、更に、スパッタ法によりコンタクトホール７内及
び全面にＡｌを蒸着させ、再びリソグラフィ技術及びエ
ッチング技術により、Ａｌを上層配線８として加工す
る。The etch back conditions are gas flow rate: C
F 4 / CHF 3 / Ar = 50/50/500 sccm, vacuum degree: 500 mTorr, high frequency output: 400 W. After the etching back, a silicon oxide film 6 is deposited on the entire surface by plasma CVD method, a contact hole 7 communicating with the Al wiring 3 is formed by lithography technology and etching technology, and further, Al is formed in the contact hole 7 and on the entire surface by sputtering method. Is vapor-deposited, and again Al is processed as the upper wiring 8 by the lithography technique and the etching technique.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来例のエッチバック
法は、図５に示す通り、エッチング初期の３０秒後から
エッチングレートが低下し、エッチング初期の６０％に
まで低下する。これは、エッチング時間の経過と共に、
エッチングガスと有機ＳＯＧ膜中の有機成分が反応し
て、有機ＳＯＧ膜の表面にポリマー（例えばＣ−Ｆ系ポ
リマー）が形成されるためである。In the conventional etch back method, as shown in FIG. 5, the etching rate decreases from 30 seconds after the initial etching to 60% of the initial etching. This is due to the passage of etching time.
This is because the etching gas reacts with the organic component in the organic SOG film to form a polymer (for example, a C—F polymer) on the surface of the organic SOG film.
【０００８】このように、有機ＳＯＧ膜のエッチングレ
ートが低下すると、エッチング工程が長時間化したり、
有機ＳＯＧ膜とその他の膜（例えば、シリコン酸化膜）
とのエッチングレート比が変化したりする等の問題が生
じる。尚、エッチングガス中にＡｒを混入させるのは、
有機ＳＯＧ膜の表面に発生したポリマーを除去する目的
もあるが、ＣＦ4等の炭素系ガスと有機成分との反応が
活発で、多量発生するポリマーを処理しきれないのが実
状である。As described above, when the etching rate of the organic SOG film is lowered, the etching process becomes long,
Organic SOG film and other films (eg, silicon oxide film)
There arises a problem that the etching rate ratio with In addition, mixing Ar into the etching gas is
There is also the purpose of removing the polymer generated on the surface of the organic SOG film, but the fact is that the reaction between the carbon-based gas such as CF 4 and the organic component is active and the polymer that is generated in large quantities cannot be completely processed.
【０００９】また、図６に示す通り、従来例のエッチバ
ック法では、時間の経過に従い基板表面を均一にエッチ
バックすることができなくなる。これは、基板表面に発
生するポリマーの分布に偏りが生じるためである。即
ち、従来例のエッチバック法では、一応エッチングガス
と有機成分との反応ガスを真空排気して有機ＳＯＧ膜の
表面にポリマーが形成されにくいようにしているが、主
に基板中央部の方が基板周縁部に比べて真空排気されに
くく、他の場所に比べて、この中央部付近に多くポリマ
ーが発生することになり、時間が経過するに従って、基
板表面においてポリマーの分布に偏りが生じることにな
る。Further, as shown in FIG. 6, in the conventional etchback method, it becomes impossible to uniformly etch back the substrate surface as time passes. This is because the distribution of the polymer generated on the substrate surface is biased. That is, in the conventional etch-back method, the reaction gas of the etching gas and the organic component is evacuated to make it difficult for a polymer to be formed on the surface of the organic SOG film. It is more difficult to evacuate than the peripheral edge of the substrate, and more polymer is generated near this central portion than in other places, and over time, the distribution of the polymer becomes uneven on the substrate surface. Become.
【００１０】本発明は、膜の平坦化方法に関し、斯かる
問題点を解消するものである。The present invention relates to a film flattening method, and solves such a problem.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】第１の発明における膜の
平坦化方法は、形成された膜の上面を不活性ガスを使用
してエッチングすることによって平坦化するものであ
る。第２の発明における膜の平坦化方法は、形成された
膜の上面を不活性ガスのみを使用してエッチングするこ
とによって平坦化するものである。A method of flattening a film according to the first aspect of the present invention is to flatten an upper surface of a formed film by etching using an inert gas. The method of flattening a film in the second aspect of the invention is to flatten the upper surface of the formed film by etching using only an inert gas.
【００１２】第３の発明における膜の平坦化方法は、形
成された膜の上面を少なくとも２種類のエッチングガス
を交互に使用することによって平坦化するものである。
第４の発明における膜の平坦化方法は、形成された膜の
上面を、エッチング速度の速い第１のエッチングガス
と、この第１のエッチングガスによるエッチング中に発
生するエッチング作業の阻害物質を除去する第２のエッ
チングガスとを交互に使用して平坦化するものである。The film planarizing method according to the third aspect of the invention is to planarize the upper surface of the formed film by alternately using at least two kinds of etching gases.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for flattening a film, which removes a first etching gas having a high etching rate and an inhibitory substance for an etching operation generated during etching by the first etching gas from the upper surface of the formed film. The second etching gas is used alternately for planarization.
【００１３】第５の発明における膜の平坦化方法は、前
記形成された膜が有機成分を含有したスピンオングラス
膜であるものである。第６の発明における膜の平坦化方
法は、有機成分を含有したスピンオングラス膜の上面
を、少なくとも炭素を含有する第１のエッチングガス
と、炭素を含有しない第２のエッチングガスとを交互に
使用して平坦化するものである。In the film flattening method in the fifth invention, the formed film is a spin-on-glass film containing an organic component. A film planarization method according to a sixth aspect of the present invention alternately uses a first etching gas containing at least carbon and a second etching gas containing no carbon on the upper surface of a spin-on-glass film containing an organic component. And flatten it.
【００１４】第７の発明における膜の平坦化方法は、前
記第１のエッチングガスとして、少なくともＣＦ4、Ｃ
ＨＦ3等の炭素含有ガスを含むガスを用い、前記第２の
エッチングガスとして、Ａｒ等の不活性ガスを用いたも
のである。第８の発明における膜の平坦化方法は、前記
膜及び有機スピンオングラス膜を配線パターン等の凹凸
面上に形成するものである。According to a seventh aspect of the present invention, in the method of flattening a film, the first etching gas is at least CF 4 , C.
A gas containing a carbon-containing gas such as HF 3 is used, and an inert gas such as Ar is used as the second etching gas. A method of flattening a film according to an eighth aspect of the invention is to form the film and the organic spin-on-glass film on an uneven surface such as a wiring pattern.
【００１５】[0015]
【作用】即ち、不活性ガスをエッチングガスとして用い
た場合、この不活性ガスは物理的除去機構が主であり、
有機ＳＯＧ膜等のエッチングすべき膜の成分と反応しに
くい。従って、反応生成物が発生しにくいので、長時間
に渡ってエッチングレートがほとんど不変である。In other words, when an inert gas is used as the etching gas, the physical removal mechanism of this inert gas is the main,
It is difficult to react with the components of the film to be etched such as the organic SOG film. Therefore, since reaction products are less likely to be generated, the etching rate is almost unchanged over a long period of time.
【００１６】また、形成された膜をエッチバックし平坦
化する際に、少なくとも２種類のエッチングガスを交互
に用いることで、各エッチングガスの長所を生かしなが
ら且つ短所を補い合って、良好な平坦性を得る。例え
ば、エッチング速度の速い第１のエッチングガスと、こ
の第１のエッチングガスによるエッチング中に発生する
エッチング作業の阻害物質を除去する第２のエッチング
ガスとを交互に使用すれば、エッチング速度の低下を軽
減しつつ、エッチングを阻害する有害物質を除去しなが
らエッチバックが行える。Further, by alternately using at least two kinds of etching gases when etching back and flattening the formed film, the advantages of each etching gas can be utilized and the disadvantages can be compensated, and good flatness can be obtained. To get For example, if the first etching gas having a high etching rate and the second etching gas that removes the inhibitory substance of the etching operation generated during the etching by the first etching gas are alternately used, the etching rate is lowered. It is possible to perform etchback while reducing harmful substances and removing harmful substances that inhibit etching.
【００１７】平坦化すべき膜が、有機ＳＯＧ膜の場合
は、ＣＦ4等の炭素系ガスによりエッチング速度を早
め、炭素系ガスと有機ＳＯＧ膜の有機成分との反応によ
って生じたポリマーをＡｒ等の不活性ガスで除去する。When the film to be flattened is an organic SOG film, the etching rate is increased by a carbon-based gas such as CF 4 and the polymer produced by the reaction between the carbon-based gas and the organic component of the organic SOG film is changed to Ar or the like. Remove with an inert gas.
【００１８】[0018]
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１は有機ＳＯＧ膜５をエッチバックする手順を示すフ
ローチャートであり、図の通り、図７Ａの状態におい
て、まず、従来技術と同様のエッチング条件、即ち、エ
ッチングガスＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａｒ＝５０／５０／５０
０sccmでもって３０秒間の全面エッチバックを行う。３
０秒という時間に設定したのは、図５から明らかな通
り、この条件では３０秒以内ならエッチングレートが低
下しないからである（Ｓ−１）。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a flow chart showing a procedure for etching back the organic SOG film 5. As shown in the figure, in the state of FIG. 7A, first, etching conditions similar to those of the conventional technique, that is, etching gas CF 4 / CHF 3 / Ar = 50/50/50
Perform full etch back for 30 seconds at 0 sccm. Three
The time is set to 0 seconds because, as is clear from FIG. 5, the etching rate does not decrease within 30 seconds under this condition (S-1).
【００１９】次に、アルゴン（Ａｒ）ガスのみを使用し
て全面エッチバックを５秒間行う（Ｓ−２）。この５秒
間の間に、（Ｓ−１）のエッチング工程で有機ＳＯＧ膜
５の表面に形成されたポリマーが除去される。以後は、
前記Ａｌ配線３上部の有機ＳＯＧ膜５がなくなるまで、
この（Ｓ−１）と（Ｓ−２）の工程を繰り返す。Next, the entire surface is etched back for 5 seconds using only argon (Ar) gas (S-2). During this 5 seconds, the polymer formed on the surface of the organic SOG film 5 in the etching step (S-1) is removed. After that,
Until the organic SOG film 5 on the Al wiring 3 disappears,
The steps (S-1) and (S-2) are repeated.
【００２０】この実施例において、全てＡｒガスのみで
全面エッチバックを行わないのは、図４に示す通り、Ａ
ｒガスのエッチングレートが約１０ｎｍ／分と非常に遅
いため、スループットが低下する問題が生じるからであ
る。エッチングレートの速い不活性ガス（例えばＫｒ
（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン））を用いることがで
きれば、前記（Ｓ−１）の工程は必要なく、全て、この
不活性ガスのみのエッチバックを行ってもよい。In this embodiment, the entire surface is not etched back only with Ar gas, as shown in FIG.
This is because the etching rate of r gas is as slow as about 10 nm / min, which causes a problem of lower throughput. Inert gas with a high etching rate (eg Kr
If (krypton) or Xe (xenon) can be used, the step of (S-1) is not necessary, and the etchback may be performed only with this inert gas.
【００２１】もちろん、Ａｒガスは有機成分と反応しに
くいので、炭素系エッチングガスのようにポリマーを発
生することはなく、むしろポリマーを除去する機能を有
し、スループットの問題を無視するのならば、Ａｒガス
等の不活性ガスのみで前記エッチバック工程を行っても
よい。いずれにしても、Ａｒガスのようなエッチングレ
ートの低いガスを使用する場合には、前記実施例の通
り、炭素系ガスによるエッチングと組み合わせることは
全体としてのエッチングレートを改善する意味で非常に
有効である。Of course, since Ar gas does not easily react with organic components, it does not generate a polymer unlike carbon-based etching gas, but rather has a function of removing the polymer, and if the problem of throughput is ignored, The etchback step may be performed only with an inert gas such as Ar gas. In any case, when a gas having a low etching rate such as Ar gas is used, it is very effective to combine the etching with the carbon-based gas as described in the above embodiment in order to improve the etching rate as a whole. Is.
【００２２】図２は上記実施例によるエッチングレート
を測定した結果を示している。図から明らかな通り、エ
ッチング時間に関係なく高く且つ一定のエッチングレー
トを維持し続けることができる。図３はエッチングの均
一性を測定したものであって、図から明らかな通り、Ａ
ｒガスによる短時間のポリマー除去工程を介入させるこ
とによって、エッチング時間に関係なく、基板表面を全
体的に均一にエッチングすることができる。FIG. 2 shows the results of measuring the etching rate according to the above embodiment. As is clear from the figure, a high and constant etching rate can be maintained regardless of the etching time. FIG. 3 shows the measured etching uniformity. As is clear from FIG.
By interposing a short-time polymer removal process using r gas, the substrate surface can be uniformly etched regardless of the etching time.
【００２３】尚、本実施例以外にも、次の変形例が考え
られる。 １）（Ｓ−１）工程でのエッチングガスとして、Ｃ2Ｆ6
やＣ3Ｆ8等も使用可能である。この場合、工程時間はガ
スの種類によって適宜変化させるべきである。 ２）（Ｓ−２）工程でのエッチングガスとして、Ｏ2等
も使用可能である。この場合、工程時間は、（Ｓ−１）
で用いたガスとのかね合いで適宜変化させるべきであ
る。Besides the present embodiment, the following modified examples are possible. 1) As an etching gas in the step (S-1), C 2 F 6
C 3 F 8 etc. can also be used. In this case, the process time should be appropriately changed depending on the type of gas. 2) O 2 or the like can be used as the etching gas in the step (S-2). In this case, the process time is (S-1)
It should be changed appropriately depending on the balance with the gas used in.
【００２４】３）前記実施例では、有機ＳＯＧ膜の平坦
化を例に説明したが、例えば、ポリイミド膜やポリイミ
ドシロキサン膜の平坦化に利用してもよい、その場合の
使用ガスは、（Ｓ−１）工程、（Ｓ−２）工程ともに前
述の実施例と同様のものでよい。また、前述した通り、
エッチングレートとの関係でこれらの膜に不活性ガス
（例えばＫｒやＸｅ）のみでエッチング可能ならば、
（Ｓ−２）工程のみでもよい。3) In the above embodiment, the planarization of the organic SOG film is described as an example. However, for example, it may be used for the planarization of the polyimide film or the polyimidesiloxane film. The gas used in that case is (S Both step -1) and step (S-2) may be the same as those in the above-mentioned embodiment. Also, as mentioned above,
If it is possible to etch these films only with an inert gas (for example, Kr or Xe) in relation to the etching rate,
Only the step (S-2) may be performed.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明の膜の平坦化方法にあっては、不
活性ガスをエッチングガスとして用いることにより、長
時間にわたってエッチングレートがほとんど不変とな
り、エッチング制御がしやすくなる。また、形成された
膜をエッチバックし平坦化する際に、少なくとも２種類
のエッチングガスを交互に用いることで、各エッチング
ガスの長所を生かしながら且つ短所を補い合って、良好
な平坦性を得ることができる。In the film flattening method of the present invention, the use of an inert gas as an etching gas makes the etching rate almost unchanged over a long period of time, and facilitates etching control. Further, by alternately using at least two kinds of etching gases when etching back and flattening the formed film, it is possible to obtain good flatness while making the best use of the advantages of each etching gas and compensating for their shortcomings. You can
【図１】本発明の実施例におけるエッチバック法の手順
を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing a procedure of an etch back method in an example of the present invention.
【図２】本発明の実施例におけるエッチバック法のエッ
チング時間とエッチングレートとの関係を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an etching time and an etching rate in the etch back method in the example of the present invention.
【図３】本発明の実施例におけるエッチバック法のエッ
チング時間と面内均一性との関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the etching time and the in-plane uniformity of the etch back method in the example of the present invention.
【図４】本発明の実施例において、エッチングガスとし
てアルゴンガスのみを用いた場合のエッチング時間とエ
ッチングレートとの関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an etching time and an etching rate when only argon gas is used as an etching gas in the example of the present invention.
【図５】従来例において、エッチングガスとしてＣＦ4
／ＣＨＦ3／Ａｒガスのみを用いた場合のエッチング時
間とエッチングレートとの関係を示す図である。FIG. 5 shows CF 4 as an etching gas in the conventional example.
/ CHF 3 / Ar when only the used gas is a diagram showing the relationship between the etching time and etching rate.
【図６】従来例において、エッチングガスとしてＣＦ4
／ＣＨＦ3／Ａｒガスのみを用いた場合のエッチング時
間と面内均一性との関係を示す図である。FIG. 6 shows CF 4 as an etching gas in the conventional example.
/ Is a diagram showing the relationship between the etching time and the in-plane uniformity obtained by using the CHF 3 / Ar gas.
【図７】従来例において、有機ＳＯＧ膜を層間絶縁膜と
して使用した半導体装置の製造プロセスを示す断面図で
ある。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a semiconductor device using an organic SOG film as an interlayer insulating film in a conventional example.
５ 有機ＳＯＧ膜 5 Organic SOG film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ Ｙ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/316 G Y
Claims (8)
してエッチングすることによって平坦化したことを特徴
とする膜の平坦化方法。1. A method of planarizing a film, wherein the upper surface of the formed film is planarized by etching using an inert gas.
使用してエッチングすることによって平坦化したことを
特徴とする膜の平坦化方法。2. A method for planarizing a film, wherein the upper surface of the formed film is planarized by etching using only an inert gas.
のエッチングガスを交互に使用することによって平坦化
したことを特徴とする膜の平坦化方法。3. A method of planarizing a film, wherein the upper surface of the formed film is planarized by alternately using at least two kinds of etching gases.
の速い第１のエッチングガスと、この第１のエッチング
ガスによるエッチング中に発生するエッチング作業の阻
害物質を除去する第２のエッチングガスとを交互に使用
して平坦化することを特徴とした膜の平坦化方法。4. An upper surface of the formed film is provided with a first etching gas having a high etching rate, and a second etching gas for removing a substance that inhibits an etching operation generated during the etching by the first etching gas. A method for planarizing a film, characterized by alternately using and planarizing.
スピンオングラス膜であることを特徴とした請求項１乃
至４のいずれかに記載の膜の平坦化方法。5. The method of planarizing a film according to claim 1, wherein the formed film is a spin-on-glass film containing an organic component.
の上面を、少なくとも炭素を含有する第１のエッチング
ガスと、炭素を含有しない第２のエッチングガスとを交
互に使用して平坦化することを特徴とした膜の平坦化方
法。6. A planarization is performed by alternately using at least a first etching gas containing carbon and a second etching gas containing no carbon on the upper surface of the spin-on-glass film containing an organic component. Characterized film planarization method.
もＣＦ4、ＣＨＦ3等の炭素含有ガスを含むガスであっ
て、前記第２のエッチングガスは、Ａｒ等の不活性ガス
であることを特徴とした請求項４乃至６のいずれかに記
載の膜の平坦化方法。7. The first etching gas is a gas containing at least a carbon-containing gas such as CF 4 and CHF 3 , and the second etching gas is an inert gas such as Ar. 7. The method for planarizing a film according to claim 4, wherein.
線パターン等の凹凸面上に形成されることを特徴とした
請求項１乃至７のいずれかに記載の膜の平坦化方法。8. The method of planarizing a film according to claim 1, wherein the film and the organic spin-on-glass film are formed on an uneven surface such as a wiring pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13894594A JPH088231A (en) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | Flattening method of film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13894594A JPH088231A (en) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | Flattening method of film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088231A true JPH088231A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15233832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13894594A Pending JPH088231A (en) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | Flattening method of film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088231A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664196B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
| JP2008526025A (en) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | Method and apparatus for alternately executing plasma processing steps for substrate optimization |
| JP2010098146A (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
| JP2015514158A (en) * | 2012-03-28 | 2015-05-18 | アルストム テクノロジー リミテッドＡＬＳＴＯＭ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ | Method for separating metal part from ceramic part |
-
1994
- 1994-06-21 JP JP13894594A patent/JPH088231A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664196B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
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