JPH0881628A - 耐熱性導電ペースト - Google Patents
耐熱性導電ペーストInfo
- Publication number
- JPH0881628A JPH0881628A JP24716094A JP24716094A JPH0881628A JP H0881628 A JPH0881628 A JP H0881628A JP 24716094 A JP24716094 A JP 24716094A JP 24716094 A JP24716094 A JP 24716094A JP H0881628 A JPH0881628 A JP H0881628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- acid
- bis
- electrically conductive
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）次の一般式で示されるポリ
アミック酸、 （Ｂ）無機顔料および（Ｃ）導電性粉末を必須成分とし
てなることを特徴とする耐熱導電性ペーストである。 【効果】 本発明の耐熱導電性ペーストは、耐熱性、接
着性に優れ、ボイドやチップクラックの発生がなく、ア
ルミニウム電極の腐食による断線不良がなく、生産性が
高く原価低減に寄与し、半導体チップの大型化に対応し
た信頼性の高いものである。
アミック酸、 （Ｂ）無機顔料および（Ｃ）導電性粉末を必須成分とし
てなることを特徴とする耐熱導電性ペーストである。 【効果】 本発明の耐熱導電性ペーストは、耐熱性、接
着性に優れ、ボイドやチップクラックの発生がなく、ア
ルミニウム電極の腐食による断線不良がなく、生産性が
高く原価低減に寄与し、半導体チップの大型化に対応し
た信頼性の高いものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のアッセン
ブリーや各種部品類の接着等に使用される、耐熱性、接
着性に優れ、ボイドの発生のない、半導体チップの大型
化に対応した耐熱性導電ペーストに関する。
ブリーや各種部品類の接着等に使用される、耐熱性、接
着性に優れ、ボイドの発生のない、半導体チップの大型
化に対応した耐熱性導電ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム上の所定部分にＩＣ、Ｌ
ＳＩ等の半導体チップを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従来から
この接続方法として、半導体チップのシリコン面をリー
ドフレーム上の金メッキ面に、加圧圧着するというＡu
−Ｓi 共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金属、
特に金の高騰を契機としてＡu −Ｓi 共晶法から、半田
を使用する方法や、導電性ペーストを使用する方法等に
急速に移行しつつある。
ＳＩ等の半導体チップを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従来から
この接続方法として、半導体チップのシリコン面をリー
ドフレーム上の金メッキ面に、加圧圧着するというＡu
−Ｓi 共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金属、
特に金の高騰を契機としてＡu −Ｓi 共晶法から、半田
を使用する方法や、導電性ペーストを使用する方法等に
急速に移行しつつある。
【０００３】一方、半導体装置の封止方法は現在ではエ
ポキシ樹脂等を用いた樹脂封止が主流となっており、か
かる樹脂封止型半導体装置におけるチップ接続方法は、
エポキシ樹脂をベースとした導電性ペーストによるもの
が主流である。
ポキシ樹脂等を用いた樹脂封止が主流となっており、か
かる樹脂封止型半導体装置におけるチップ接続方法は、
エポキシ樹脂をベースとした導電性ペーストによるもの
が主流である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、こういった樹
脂封止は、耐湿性やリードフレームとの密着が悪く、ア
ルミニウム電極の腐食が起こり断線不良の原因となるた
め、高信頼性の要求される高級機器に関してはセラミッ
ク等を用いたハーメチックパッケージが使用されてい
る。
脂封止は、耐湿性やリードフレームとの密着が悪く、ア
ルミニウム電極の腐食が起こり断線不良の原因となるた
め、高信頼性の要求される高級機器に関してはセラミッ
ク等を用いたハーメチックパッケージが使用されてい
る。
【０００５】セラミックパッケージのアセンブリでは、
ベッドに半導体チップを接着した後、パッケージ内に不
活性ガスを封入し封着するが、その封着方法として400
℃以上でのガラスシールが用いられている。半導体チッ
プの接着に従来のエポキシ樹脂をベースとした導電性ペ
ーストを用いた場合、エポキシ樹脂にこのパッケージ封
着時の耐熱がないため、樹脂が分解して半導体チップの
接着力の低下が起こるとともに、分解ガスが半導体チッ
プに再付着してアルミニウム電極の腐食を起こし、素子
そのものの信頼性を著しく低下させる欠点がある。
ベッドに半導体チップを接着した後、パッケージ内に不
活性ガスを封入し封着するが、その封着方法として400
℃以上でのガラスシールが用いられている。半導体チッ
プの接着に従来のエポキシ樹脂をベースとした導電性ペ
ーストを用いた場合、エポキシ樹脂にこのパッケージ封
着時の耐熱がないため、樹脂が分解して半導体チップの
接着力の低下が起こるとともに、分解ガスが半導体チッ
プに再付着してアルミニウム電極の腐食を起こし、素子
そのものの信頼性を著しく低下させる欠点がある。
【０００６】また、近年のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チッ
プの大型化に伴い、従来の導電性ペーストを大型チップ
に使用するとボイドの発生、チップクラック、接着力の
低下が起こる欠点がある。ボイドの発生を改良するため
には、低温から長時間かけて硬化する方法が採られこと
もあるが、生産性が悪いという欠点がある。
プの大型化に伴い、従来の導電性ペーストを大型チップ
に使用するとボイドの発生、チップクラック、接着力の
低下が起こる欠点がある。ボイドの発生を改良するため
には、低温から長時間かけて硬化する方法が採られこと
もあるが、生産性が悪いという欠点がある。
【０００７】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、耐熱性、接着性に優れ、ボイドの発生が
なく、アルミニウム電極の腐食による断線不良がなく、
生産性が高く原価低減に寄与し、半導体チップの大型化
に対応した信頼性の高い耐熱導電性ペーストを提供しよ
うとするものである。
されたもので、耐熱性、接着性に優れ、ボイドの発生が
なく、アルミニウム電極の腐食による断線不良がなく、
生産性が高く原価低減に寄与し、半導体チップの大型化
に対応した信頼性の高い耐熱導電性ペーストを提供しよ
うとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述する組成の
ペーストが、上記目的を達成できることを見いだし、本
発明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述する組成の
ペーストが、上記目的を達成できることを見いだし、本
発明を完成したものである。
【０００９】即ち、本発明は、（Ａ）次の一般式で示さ
れるポリアミック酸、
れるポリアミック酸、
【００１０】
【化２】 （但し、式中Ｒ1 は 4価の有機基の残基を、Ｒ2 は 2価
の有機基の残基をそれぞれ表す）（Ｂ）無機顔料および
（Ｃ）導電性粉末を必須成分としてなることを特徴とす
る耐熱性導電ペーストである。
の有機基の残基をそれぞれ表す）（Ｂ）無機顔料および
（Ｃ）導電性粉末を必須成分としてなることを特徴とす
る耐熱性導電ペーストである。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明に用いる（Ａ）ポリアミック酸は、
酸成分とジアミン成分との縮合反応によって得られるも
のである。ここで用いる酸成分として具体的には例え
ば、ピロメリット酸、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン
酸、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,4,5-
シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,4,5-シクロヘキ
サンテトラカルボン酸、 3,3′,4,4′−ビシクロヘキシ
ルテトラカルボン酸、2,3,5-トリカルボキシシクロペン
チル酢酸、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4- テトラヒドロナ
フタレン-1- コハク酸、 3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸、 2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカルボ
ン酸、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、 2,3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸
（4,4 ′- オキシジフタル酸）、 2,3,3′,4′−ビフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸、2,2-ビス（3,4-ジカル
ボキシフェニル）プロパン、2,2-ビス（2,3-ジカルボキ
シフェニル）プロパン、ビス（3,4-ジカルボキシフェニ
ル）メタン、ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）メタ
ン、1,1-ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）エタン、
2,2−ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、 3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸、 2,3,3′,4′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、1,
4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6-ナフタレ
ンテトラカルボン酸、 3,4,9,10-テトラカルボキシペリ
レン、2,2-ビス［4-（3,4-ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（3,4-ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等の無水
物又はその低級アルキルエステル等が挙げられ、これら
は単独又は混合して使用することかができる。
酸成分とジアミン成分との縮合反応によって得られるも
のである。ここで用いる酸成分として具体的には例え
ば、ピロメリット酸、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン
酸、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,4,5-
シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,4,5-シクロヘキ
サンテトラカルボン酸、 3,3′,4,4′−ビシクロヘキシ
ルテトラカルボン酸、2,3,5-トリカルボキシシクロペン
チル酢酸、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4- テトラヒドロナ
フタレン-1- コハク酸、 3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸、 2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカルボ
ン酸、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、 2,3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸
（4,4 ′- オキシジフタル酸）、 2,3,3′,4′−ビフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸、2,2-ビス（3,4-ジカル
ボキシフェニル）プロパン、2,2-ビス（2,3-ジカルボキ
シフェニル）プロパン、ビス（3,4-ジカルボキシフェニ
ル）メタン、ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）メタ
ン、1,1-ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）エタン、
2,2−ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、 3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸、 2,3,3′,4′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、1,
4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6-ナフタレ
ンテトラカルボン酸、 3,4,9,10-テトラカルボキシペリ
レン、2,2-ビス［4-（3,4-ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（3,4-ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等の無水
物又はその低級アルキルエステル等が挙げられ、これら
は単独又は混合して使用することかができる。
【００１３】また、ジアミン成分としては、具体的な化
合物としては、例えば、 4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、 3,3′,5,5′−テトラメチル-4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン、 3,3′,5,5′−テトラエチル-4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、 3,3′−ジメチル-5,5′−
ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、 4,4′−
メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、 3,3′−ジメ
チル-4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、 3,3′
−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、 3,
3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、
ビス（3-アミノフェニル）エーテル、ビス（4-アミノフ
ェニル）エーテル、 3,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］
エーテル、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジ
フェニルスルホン、 3,3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジア
ミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジ
アミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジメトキシ-4,4′
−ジアミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジエトキシ-
4,4′−ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス［4-（4
-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、1,3-ビス（4
-アミノフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-アミノフェ
ニル）プロパン、 4,4′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニル
スルフィド、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、 3,3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、 2,2′−ジアミノジエチルス
ルフィド、 2,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、m-
フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,3-′−
ジアミノビフェニル、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミ
ノビフェニル、3,4′−ジメチル-4,4′−ジアミノビフ
ェニル、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノビフェニ
ル、 4,4′−ビス（4-アミノフェノキシ）ビフェニル、
2,4-ジアミノトルエン、2,5-ジアミノトルエン、2,6-ジ
アミノトルエン、3,5-ジアミノトルエン、1,3-ジアミノ
−2,5-ジクロロベンゼン、1,4-ジアミノ−2,5-ジクロロ
ベンゼン、1-メトキシ−2,4-ジアミノベンゼン、1,3-ジ
アミノ−4,6-ジメチルベンゼン、1,4-ジアミノ-2,5- ジ
メチルベンゼン、1,4-ジアミノ-2−メトキシ-5−メチル
ベンゼン、1,4-ジアミノ−2,3,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,4-ビス（2-メトキシ-4−アミノペンチル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（1,1-ジメチル-5−アミノペンチル）ベン
ゼン、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、3,5-
ジアミノ安息香酸、2,5-ジアミノ安息香酸、o-キシレン
ジアミン、m-キシレンジアミン、p-キシレンジアミン、
9,10-ビス（4-アミノフェニル）アントラセン、 3,3′
−ジアミノベンゾフェノン、 4,4′−ジアミノベンゾフ
ェノン、2,6-ジアミノピリジン、3,5-ジアミノピリジ
ン、1,3-ジアミノアダマンタン、 3,3′−ジアミノ-1,
1,1′−ジアダマンタン、Ｎ−（3-アミノフェニル）-4
−アミノベンズアミド、 4,4′−ジアミノベンズアニリ
ド、4-アミノフェニル-3−アミノベンゾエート、2,2-ビ
ス（4-アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,2-
ビス（3-アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2-
（3-アミノフェニル）−2-（4-アミノフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス［4-
（2-クロロ-4−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフ
ルオロプロパン、1,1-ビス（4-アミノフェニル）-1−フ
ェニル-2,2,2−トリフルオロエタン、1,1-ビス［4-（4-
アミノフェノキシ）フェニル］−1-フェニル-2,2,2−ト
リフルオロエタン、1,3-ビス（3-アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、1,3-ビス（3-アミノフェニル）デ
カフルオロプロパン、2,2-ビス（3-アミノ-4- ヒドロキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス（3-ア
ミノ-4- メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,
2-ビス（5-アミノ-4-メチルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、1,4-ビス（3-アミノフェニル）ブタ−1-エン
-3−イン、1,3-ビス（3-アミノフロピル）−1,1,3,3-テ
トラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（3-アミノプロ
ピル）ポリジメチルシロキサン等が挙げられ、これらは
単独又は 2種以上混合して使用することができる。
合物としては、例えば、 4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、 3,3′,5,5′−テトラメチル-4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン、 3,3′,5,5′−テトラエチル-4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、 3,3′−ジメチル-5,5′−
ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、 4,4′−
メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、 3,3′−ジメ
チル-4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、 3,3′
−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、 3,
3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミノジフェニルメタン、
ビス（3-アミノフェニル）エーテル、ビス（4-アミノフ
ェニル）エーテル、 3,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］
エーテル、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジ
フェニルスルホン、 3,3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジア
ミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジ
アミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジメトキシ-4,4′
−ジアミノジフェニルプロパン、 3,3′−ジエトキシ-
4,4′−ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス［4-（4
-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、1,3-ビス（4
-アミノフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-アミノフェ
ニル）プロパン、 4,4′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、 3,3′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニル
スルフィド、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、 3,3′−ジエトキシ-4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、 2,2′−ジアミノジエチルス
ルフィド、 2,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、m-
フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,3-′−
ジアミノビフェニル、 3,3′−ジメチル-4,4′−ジアミ
ノビフェニル、3,4′−ジメチル-4,4′−ジアミノビフ
ェニル、 3,3′−ジメトキシ-4,4′−ジアミノビフェニ
ル、 4,4′−ビス（4-アミノフェノキシ）ビフェニル、
2,4-ジアミノトルエン、2,5-ジアミノトルエン、2,6-ジ
アミノトルエン、3,5-ジアミノトルエン、1,3-ジアミノ
−2,5-ジクロロベンゼン、1,4-ジアミノ−2,5-ジクロロ
ベンゼン、1-メトキシ−2,4-ジアミノベンゼン、1,3-ジ
アミノ−4,6-ジメチルベンゼン、1,4-ジアミノ-2,5- ジ
メチルベンゼン、1,4-ジアミノ-2−メトキシ-5−メチル
ベンゼン、1,4-ジアミノ−2,3,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,4-ビス（2-メトキシ-4−アミノペンチル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（1,1-ジメチル-5−アミノペンチル）ベン
ゼン、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、3,5-
ジアミノ安息香酸、2,5-ジアミノ安息香酸、o-キシレン
ジアミン、m-キシレンジアミン、p-キシレンジアミン、
9,10-ビス（4-アミノフェニル）アントラセン、 3,3′
−ジアミノベンゾフェノン、 4,4′−ジアミノベンゾフ
ェノン、2,6-ジアミノピリジン、3,5-ジアミノピリジ
ン、1,3-ジアミノアダマンタン、 3,3′−ジアミノ-1,
1,1′−ジアダマンタン、Ｎ−（3-アミノフェニル）-4
−アミノベンズアミド、 4,4′−ジアミノベンズアニリ
ド、4-アミノフェニル-3−アミノベンゾエート、2,2-ビ
ス（4-アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,2-
ビス（3-アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2-
（3-アミノフェニル）−2-（4-アミノフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス［4-
（2-クロロ-4−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフ
ルオロプロパン、1,1-ビス（4-アミノフェニル）-1−フ
ェニル-2,2,2−トリフルオロエタン、1,1-ビス［4-（4-
アミノフェノキシ）フェニル］−1-フェニル-2,2,2−ト
リフルオロエタン、1,3-ビス（3-アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、1,3-ビス（3-アミノフェニル）デ
カフルオロプロパン、2,2-ビス（3-アミノ-4- ヒドロキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス（3-ア
ミノ-4- メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,
2-ビス（5-アミノ-4-メチルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、1,4-ビス（3-アミノフェニル）ブタ−1-エン
-3−イン、1,3-ビス（3-アミノフロピル）−1,1,3,3-テ
トラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（3-アミノプロ
ピル）ポリジメチルシロキサン等が挙げられ、これらは
単独又は 2種以上混合して使用することができる。
【００１４】本発明に用いるポリイミド樹脂の前駆体で
あるポリアミック酸は、前述した酸成分と前述したジア
ミン成分とを反応して得られ、 0.5g ／Ｎ−メチル-2−
ピロリドン 10ml の濃度溶液として、30℃における対数
粘度が 0.2〜4.0 の範囲であり、より好ましくは 0.3〜
2.0の範囲である。ポリアミック酸は、ほぼ等モルの酸
成分とジアミン成分とを有機溶媒中で30℃以下、好まし
くは20℃以下の反温度下に 3〜12時間付加重合反応させ
て得られる。この重合反応における有機溶媒として、例
えばＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル-2−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホ
アミド等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上混合し
て使用することができる。さらに使用する酸成分、ジア
ミン成分によっては、汎用の有機溶媒可溶なポリアミッ
ク酸の合成も可能であり、このうな場合は上述のように
して得られたポリアミック酸溶液を水又はメタノール等
の貧溶剤に投入し、ポリマーを析出させた十分乾燥後、
所望の有機溶媒に溶解させて、本発明に用いるポリアミ
ック酸とすることができる。
あるポリアミック酸は、前述した酸成分と前述したジア
ミン成分とを反応して得られ、 0.5g ／Ｎ−メチル-2−
ピロリドン 10ml の濃度溶液として、30℃における対数
粘度が 0.2〜4.0 の範囲であり、より好ましくは 0.3〜
2.0の範囲である。ポリアミック酸は、ほぼ等モルの酸
成分とジアミン成分とを有機溶媒中で30℃以下、好まし
くは20℃以下の反温度下に 3〜12時間付加重合反応させ
て得られる。この重合反応における有機溶媒として、例
えばＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル-2−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホ
アミド等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上混合し
て使用することができる。さらに使用する酸成分、ジア
ミン成分によっては、汎用の有機溶媒可溶なポリアミッ
ク酸の合成も可能であり、このうな場合は上述のように
して得られたポリアミック酸溶液を水又はメタノール等
の貧溶剤に投入し、ポリマーを析出させた十分乾燥後、
所望の有機溶媒に溶解させて、本発明に用いるポリアミ
ック酸とすることができる。
【００１５】本発明に用いる（Ｂ）無機顔料としては、
例えば、シリカ粉末を使用することができ、具体的には
クリスタライトＡ−１、ＡＡ、ＶＸ−Ｓ2 、ＶＸ−Ｓ、
ＶＸ−ＳＲ、ＶＸ−Ｘ、５Ｘ、フューズレックスＺＡ−
３０、ＦＦ、Ｘ（龍森社製、商品名）等が挙げられ、こ
れらの中でも超微粒子状無水シリカを使用することが好
ましい。これらの具体的なものとして、アエロジル２０
０，３８０，Ｒ９７２，Ｒ２０２（日本アエロジル社
製、商品名）等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上
混合して使用することができる。無機顔料の配合割合
は、樹脂固形分に対して 1〜200 重量％、好ましくは 1
〜100 重量％含有するように配合することが望ましい。
この配合が1 重量％未満ではチクソ性に不十分で、また
200重量％を超えると増粘が著しく作業性が悪く好まし
くない。
例えば、シリカ粉末を使用することができ、具体的には
クリスタライトＡ−１、ＡＡ、ＶＸ−Ｓ2 、ＶＸ−Ｓ、
ＶＸ−ＳＲ、ＶＸ−Ｘ、５Ｘ、フューズレックスＺＡ−
３０、ＦＦ、Ｘ（龍森社製、商品名）等が挙げられ、こ
れらの中でも超微粒子状無水シリカを使用することが好
ましい。これらの具体的なものとして、アエロジル２０
０，３８０，Ｒ９７２，Ｒ２０２（日本アエロジル社
製、商品名）等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上
混合して使用することができる。無機顔料の配合割合
は、樹脂固形分に対して 1〜200 重量％、好ましくは 1
〜100 重量％含有するように配合することが望ましい。
この配合が1 重量％未満ではチクソ性に不十分で、また
200重量％を超えると増粘が著しく作業性が悪く好まし
くない。
【００１６】本発明に用いる（Ｃ）導電性粉末として
は、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、パラジウムコート
銀粉末、銀コート銅粉末等の金属粉末或いは表面に金属
層を有する粉末等が挙げられ、これらは単独又は 2種以
上混合して使用することができる。導電性粉末の形状等
に特に制限はないが、中でも燐片状ものが好ましく使用
される。導電性粉末は、いずれも平均粒径20μm 以下で
あることが望ましい。平均粒径20μm を超えると導電性
が不安定となり好ましくない。バインダーとなるポリア
ミック酸と導電性粉末との配合割合は、重量比で30／70
〜10／90であることが望ましい。導電性粉末が70重量％
未満であると十分な導電性が得られず、また、90重量％
を超えると作業性や密着性が低下し好ましくない。
は、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、パラジウムコート
銀粉末、銀コート銅粉末等の金属粉末或いは表面に金属
層を有する粉末等が挙げられ、これらは単独又は 2種以
上混合して使用することができる。導電性粉末の形状等
に特に制限はないが、中でも燐片状ものが好ましく使用
される。導電性粉末は、いずれも平均粒径20μm 以下で
あることが望ましい。平均粒径20μm を超えると導電性
が不安定となり好ましくない。バインダーとなるポリア
ミック酸と導電性粉末との配合割合は、重量比で30／70
〜10／90であることが望ましい。導電性粉末が70重量％
未満であると十分な導電性が得られず、また、90重量％
を超えると作業性や密着性が低下し好ましくない。
【００１７】本発明の耐熱導電性ペーストは、上述した
ポリアミック酸、無機顔料および導電性粉末を必須成分
とするが、本発明の目的に反しない限度においてその他
の成分、必要に応じて、消泡剤、カップリング剤、分散
剤やその他を添加配合することができる。
ポリアミック酸、無機顔料および導電性粉末を必須成分
とするが、本発明の目的に反しない限度においてその他
の成分、必要に応じて、消泡剤、カップリング剤、分散
剤やその他を添加配合することができる。
【００１８】本発明の耐熱導電性ペーストは、上述した
各成分を配合して、例えば、三本ロールミル、ディスパ
ース等により混合処理を行い容易に製造することができ
る。こうして製造した耐熱導電性ペーストは、所定の場
所にディスペンサー、スクリーン印刷、ピン転写法等に
より塗布してから数秒から数十時間後、半導体ップを載
せ80〜350 ℃、好ましくは多段ステップで数分から数時
間オーブンで加熱硬化させて使用する。
各成分を配合して、例えば、三本ロールミル、ディスパ
ース等により混合処理を行い容易に製造することができ
る。こうして製造した耐熱導電性ペーストは、所定の場
所にディスペンサー、スクリーン印刷、ピン転写法等に
より塗布してから数秒から数十時間後、半導体ップを載
せ80〜350 ℃、好ましくは多段ステップで数分から数時
間オーブンで加熱硬化させて使用する。
【００１９】
【作用】本発明の耐熱導電性ペーストは、上述したポリ
アミック酸、無機顔料および導電性粉末を必須成分とす
ることによって、耐熱性、接着性に優れ、ボイドの発生
のないものとすることができた。
アミック酸、無機顔料および導電性粉末を必須成分とす
ることによって、耐熱性、接着性に優れ、ボイドの発生
のないものとすることができた。
【００２０】
【実施例】次に、本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例において「部」とは特に説明のない限
り「重量部」を意味する。
本発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例において「部」とは特に説明のない限
り「重量部」を意味する。
【００２１】合成例１ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに乾
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 4,4′−ジア
ミノジフェニルエーテル20.02gとＮ−メチル-2−ピロリ
ドン 190.6g を投入して溶解した。溶解後これにピロメ
リット酸二無水物21.81gを粉体のまま、発熱に注意しな
がら数回に分解して加えた。反応による発熱を氷浴中で
抑えながら攪拌を続け、そのまま 8時間攪拌してポリア
ミック酸溶液（Ｘ）を製造した。このポリアミック酸溶
液の一部を水とメタノールの混合溶媒中に投入再沈殿さ
せ、白色のポリアミック酸粉末を得た。この粉末をＮ−
メチル-2−ピロリドンで溶解し 0.5g ／100ml 濃度と
し、30℃の対数粘度を測定したところ 1.32dl ／g であ
った。
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 4,4′−ジア
ミノジフェニルエーテル20.02gとＮ−メチル-2−ピロリ
ドン 190.6g を投入して溶解した。溶解後これにピロメ
リット酸二無水物21.81gを粉体のまま、発熱に注意しな
がら数回に分解して加えた。反応による発熱を氷浴中で
抑えながら攪拌を続け、そのまま 8時間攪拌してポリア
ミック酸溶液（Ｘ）を製造した。このポリアミック酸溶
液の一部を水とメタノールの混合溶媒中に投入再沈殿さ
せ、白色のポリアミック酸粉末を得た。この粉末をＮ−
メチル-2−ピロリドンで溶解し 0.5g ／100ml 濃度と
し、30℃の対数粘度を測定したところ 1.32dl ／g であ
った。
【００２２】合成例２ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに乾
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 2,2′−ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン41.05g
とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド 255.5g を投入して溶
解した。溶解後これに 4,4′オキシジフタル酸二無水物
31.02gを粉体のまま、発熱に注意しながら数回に分割し
て加えた。反応による発熱を氷浴中で抑えながら攪拌を
続け、そのまま12時間攪拌してポリアミック酸溶液
（Ｙ）を製造した。このポリアミック酸溶液の一部を水
とメタノールの混合溶媒中に投入再沈殿させ、白色のポ
リアミック酸粉末を得た。この粉末をＮ−メチル-2−ピ
ロリドンで溶解し 0.5g ／100ml 濃度とし、30℃の対数
粘度を測定したところ 0.95dl ／g であった。
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 2,2′−ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン41.05g
とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド 255.5g を投入して溶
解した。溶解後これに 4,4′オキシジフタル酸二無水物
31.02gを粉体のまま、発熱に注意しながら数回に分割し
て加えた。反応による発熱を氷浴中で抑えながら攪拌を
続け、そのまま12時間攪拌してポリアミック酸溶液
（Ｙ）を製造した。このポリアミック酸溶液の一部を水
とメタノールの混合溶媒中に投入再沈殿させ、白色のポ
リアミック酸粉末を得た。この粉末をＮ−メチル-2−ピ
ロリドンで溶解し 0.5g ／100ml 濃度とし、30℃の対数
粘度を測定したところ 0.95dl ／g であった。
【００２３】合成例３ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに乾
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン19.83gとＮ−メチル-2−ピロリド
ン 197.0g を投入して溶解した。溶解後これに 3,3′,
4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42gを
粉体のまま、発熱に注意しながら数回に分割して加え
た。反応による発熱を氷浴中で抑えながら攪拌を続け、
そのまま12時間攪拌してポリアミック酸溶液（Ｚ）を製
造した。このポリアミック酸溶液の一部を水とメタノー
ルの混合溶媒中に投入再沈殿させ、白色のポリアミック
酸粉末を得た。この粉末をＮ−メチル-2−ピロリドンで
溶解し 0.5g ／100ml 濃度とし、30℃の対数粘度を測定
したところ 1.21dl ／g であった。
燥窒素を通してフラスコ内を置換した後、 4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン19.83gとＮ−メチル-2−ピロリド
ン 197.0g を投入して溶解した。溶解後これに 3,3′,
4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42gを
粉体のまま、発熱に注意しながら数回に分割して加え
た。反応による発熱を氷浴中で抑えながら攪拌を続け、
そのまま12時間攪拌してポリアミック酸溶液（Ｚ）を製
造した。このポリアミック酸溶液の一部を水とメタノー
ルの混合溶媒中に投入再沈殿させ、白色のポリアミック
酸粉末を得た。この粉末をＮ−メチル-2−ピロリドンで
溶解し 0.5g ／100ml 濃度とし、30℃の対数粘度を測定
したところ 1.21dl ／g であった。
【００２４】実施例１ ポリアミック酸溶液（Ｘ）57.5部に、銀粉末12.4部、ニ
ッケル粉末29部、超微粉末シリカ 1部を混合し、さらに
三本ロールで混練して耐熱導電性ペーストを製造した。
ッケル粉末29部、超微粉末シリカ 1部を混合し、さらに
三本ロールで混練して耐熱導電性ペーストを製造した。
【００２５】実施例２ ポリアミック酸溶液（Ｙ）44.0部に、銀粉末27.5部、ニ
ッケル粉末27.5部、超微粉末シリカ 1部を混合し、さら
に三本ロールで混練して耐熱導電性ペーストを製造し
た。
ッケル粉末27.5部、超微粉末シリカ 1部を混合し、さら
に三本ロールで混練して耐熱導電性ペーストを製造し
た。
【００２６】実施例３ ポリアミック酸溶液（Ｚ）55.0部に、パラジウムコート
銀粉末44.0部、超微粉末シリカ 1部を混合し、さらに三
本ロールで混練して耐熱導電性ペーストを製造した。
銀粉末44.0部、超微粉末シリカ 1部を混合し、さらに三
本ロールで混練して耐熱導電性ペーストを製造した。
【００２７】比較例１ 市販のエポキシ樹脂ベースの半導体用導電性ペーストを
入手した。
入手した。
【００２８】比較例２ 市販の耐熱性半導体用導電性ペーストを入手した。
【００２９】実施例１〜３及び比較例１〜２で得た導電
性ペーストを用いて、半導体チップと金蒸着セラミック
製パッケージとを接着し、熱風乾燥炉を用いて硬化させ
半導体チップとセラミックフレームとを接合して半導体
装置を得た。これらの半導体装置に関して、接着強度お
よび接着強度の耐熱性、ボイドの発生の有無、導電性の
試験を行ったのでその結果を表１に示したが、いずれも
本発明が優れており、本発明の顕著な効果が認められ
た。
性ペーストを用いて、半導体チップと金蒸着セラミック
製パッケージとを接着し、熱風乾燥炉を用いて硬化させ
半導体チップとセラミックフレームとを接合して半導体
装置を得た。これらの半導体装置に関して、接着強度お
よび接着強度の耐熱性、ボイドの発生の有無、導電性の
試験を行ったのでその結果を表１に示したが、いずれも
本発明が優れており、本発明の顕著な効果が認められ
た。
【００３０】
【表１】 ＊1 ：80℃× 0.5時間＋150 ℃× 0.5時間＋ 250℃×1 時間 ＊2 ：180 ℃×1 時間 ＊3 ：100 ℃×12時間＋150 ℃×8 時間＋200 ℃×2 時間 ＊4 ：金蒸着したセラミックフレーム上に 2×2mm のシリコンチップを接着し、 25℃における接着強度を、また、450 ℃×30分後の接着強度をそれぞれプッシュ プルゲージを用いて測定した。 ＊5 ：シリコンチップをリードフレーム上から剥がしてチップ裏面のボイドの発 生の状況を目視で観察した。○印…ボイドの発生なし、×印…ボイドの発生有り 。 ＊6 ：体積抵抗率計で測定した。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の耐熱導電性ペーストは、耐熱性、接着性に
優れ、ボイドやチップクラックの発生がなく、アルミニ
ウム電極の腐食による断線不良がなく、生産性が高く原
価低減に寄与し、半導体チップの大型化に対応した信頼
性の高いものである。
に、本発明の耐熱導電性ペーストは、耐熱性、接着性に
優れ、ボイドやチップクラックの発生がなく、アルミニ
ウム電極の腐食による断線不良がなく、生産性が高く原
価低減に寄与し、半導体チップの大型化に対応した信頼
性の高いものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示されるポリアミッ
ク酸、 【化１】 （但し、式中Ｒ1 は 4価の有機基の残基を、Ｒ2 は 2価
の有機基の残基をそれぞれ表す）（Ｂ）無機顔料および
（Ｃ）導電性粉末を必須成分としてなることを特徴とす
る耐熱性導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24716094A JPH0881628A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 耐熱性導電ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24716094A JPH0881628A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 耐熱性導電ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881628A true JPH0881628A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=17159336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24716094A Pending JPH0881628A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 耐熱性導電ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0881628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237300A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JP2011526960A (ja) * | 2008-07-03 | 2011-10-20 | ヘンケル コーポレイション | チクソ伝導性組成物 |
| JP5343562B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2013-11-13 | 日立化成株式会社 | 耐熱性樹脂ペースト |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP24716094A patent/JPH0881628A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237300A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JP5343562B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2013-11-13 | 日立化成株式会社 | 耐熱性樹脂ペースト |
| US8759440B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Heat-resistant resin paste |
| JP2011526960A (ja) * | 2008-07-03 | 2011-10-20 | ヘンケル コーポレイション | チクソ伝導性組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2011089922A1 (ja) | ポリイミド樹脂組成物、それを含む接着剤、積層体およびデバイス | |
| KR101635659B1 (ko) | 접착 조성물, 접착 시트, 이들을 이용한 회로 기판 및 반도체 장치 및 이들의 제조 방법 | |
| JP5444986B2 (ja) | 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置 | |
| TWI351414B (ja) | ||
| KR101908760B1 (ko) | 수지 조성물, 수지 조성물 시트, 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| WO2001066645A1 (en) | Resin composition, heat-resistant resin paste and semiconductor device using them and method for manufacture thereof | |
| JP2010006983A (ja) | 封止充填剤及び半導体装置 | |
| KR20130059434A (ko) | 폴리이미드 수지 조성물 및 그것을 포함하는 적층체 | |
| KR20170042609A (ko) | 가부착용 접착제, 접착제층, 웨이퍼 가공체 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법, 리워크 용제, 폴리이미드 공중합체, 폴리이미드 혼합 수지, 및 수지 조성물 | |
| TWI386121B (zh) | 電路連接結構體及其製造方法以及電路連接結構體用的半導體基板 | |
| KR20150100727A (ko) | 접착제, 접착 필름, 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP2007008977A (ja) | 樹脂溶液組成物、ポリイミド樹脂、及び半導体装置 | |
| KR101848114B1 (ko) | 폴리아미드산 입자의 제조 방법, 폴리이미드 입자의 제조 방법, 폴리이미드 입자 및 전자 부품용 접합재 | |
| WO2005105943A1 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト | |
| JPH08325533A (ja) | 電子部品用接着テープおよび液状接着剤 | |
| JPH0967559A (ja) | 電子部品用接着テープ及び液状接着剤 | |
| JPH0551541A (ja) | ポリイミド樹脂で被覆された無機充填剤、それを配合した樹脂組成物およびその樹脂組成物で封止された半導体装置 | |
| JP6716939B2 (ja) | 接着剤、それからなる接着フィルム、それらの硬化物を含む半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002012845A (ja) | 接着フィルム及び半導体装置 | |
| JP5362315B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 | |
| JPH0881628A (ja) | 耐熱性導電ペースト | |
| JP3535281B2 (ja) | 電子部品用接着テープ及び液状接着剤 | |
| JPH04222889A (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
| JP4013092B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JPH08295870A (ja) | 耐熱絶縁接着剤 |