JPH087883B2 - 光デイスク原盤露光方法 - Google Patents
光デイスク原盤露光方法Info
- Publication number
- JPH087883B2 JPH087883B2 JP61298520A JP29852086A JPH087883B2 JP H087883 B2 JPH087883 B2 JP H087883B2 JP 61298520 A JP61298520 A JP 61298520A JP 29852086 A JP29852086 A JP 29852086A JP H087883 B2 JPH087883 B2 JP H087883B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- laser
- photoresist film
- shape
- exposure method
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光デイスク原盤露光方法に関する。
従来技術 一般に、光デイスク用のスタンパ用原盤の作成におい
ては、フオトレジスト膜をレーザ光で露光することによ
り溝を形成するようにしている。
ては、フオトレジスト膜をレーザ光で露光することによ
り溝を形成するようにしている。
ここに、光デイスク用の案内溝・プリフオーマツト付
き基板の形状としては、最近、第２図に示すような所謂
ランド記録型のものが高C/N比の面で注目されている。
第２図中、１が案内溝で、２がプリフオーマツトであ
る。ここに、使用するレーザ光の波長をλとすると、理
論的には、案内溝１の深さはλ/8、プリフオーマツト２
の深さはλ/4が各々最適値である。例えば、半導体レー
ザの波長がλ＝728nmの場合において、基板３の屈折率
を1.5とすると、案内溝１はλ/8＝728/8×1.5が最適値
となる。
き基板の形状としては、最近、第２図に示すような所謂
ランド記録型のものが高C/N比の面で注目されている。
第２図中、１が案内溝で、２がプリフオーマツトであ
る。ここに、使用するレーザ光の波長をλとすると、理
論的には、案内溝１の深さはλ/8、プリフオーマツト２
の深さはλ/4が各々最適値である。例えば、半導体レー
ザの波長がλ＝728nmの場合において、基板３の屈折率
を1.5とすると、案内溝１はλ/8＝728/8×1.5が最適値
となる。
ところが、第２図に示したような溝1,2を実際に形成
する場合を考えると、ガラス基板４上に膜厚λ/4にて形
成したフオトレジスト膜５に２本の集光したレーザ光を
照射することにより露光する。この際、プリフオーマツ
ト２の溝形成用の１本のレーザ光はフオトレジスト膜５
が底、即ちガラス基板４表面まで現像されるような強い
レーザ光とされる。他方の案内溝１用の１本のレーザ光
はフオトレジスト膜５の途中までしか現像されない（即
ち、深さλ/8分のみが現像される）ような弱いレーザ光
とされる。第３図はこのような露光・現像により得られ
た溝1,2の断面形状を示すものである。
する場合を考えると、ガラス基板４上に膜厚λ/4にて形
成したフオトレジスト膜５に２本の集光したレーザ光を
照射することにより露光する。この際、プリフオーマツ
ト２の溝形成用の１本のレーザ光はフオトレジスト膜５
が底、即ちガラス基板４表面まで現像されるような強い
レーザ光とされる。他方の案内溝１用の１本のレーザ光
はフオトレジスト膜５の途中までしか現像されない（即
ち、深さλ/8分のみが現像される）ような弱いレーザ光
とされる。第３図はこのような露光・現像により得られ
た溝1,2の断面形状を示すものである。
この第３図の断面形状によれば、第２図に示したよう
な理想的な形状、即ち案内溝１及びプリフオーマツト２
の溝形状が底面まで矩形状となつているのに対し、変形
していることが判る。即ち、案内溝１についてはガウス
分布のような形状の溝となり、プリフオーマツト２につ
いてはガウス分布形状の先端側をガラス基板４によつて
止めてなるような溝となつている。これは、露光に用い
るレーザ光がそのままガウス分布の強度の形で露光面で
あるフオトレジスト膜５に集光されるためである。
な理想的な形状、即ち案内溝１及びプリフオーマツト２
の溝形状が底面まで矩形状となつているのに対し、変形
していることが判る。即ち、案内溝１についてはガウス
分布のような形状の溝となり、プリフオーマツト２につ
いてはガウス分布形状の先端側をガラス基板４によつて
止めてなるような溝となつている。これは、露光に用い
るレーザ光がそのままガウス分布の強度の形で露光面で
あるフオトレジスト膜５に集光されるためである。
より詳細に説明すれば、案内溝１とプリフオーマツト
２とでは集光させるレーザ光の強度分布（ガウス分布）
を変える方法としては、集光レンズ６のNA（開口数）を
変える方法が一般的である。ここに、第４図に示すよう
にNA＝sinθなる集光レンズ６により集光させたレーザ
光のビームウエストの径Ｗは、Ｗ＝ｋ・λ/NAにより表
すことができる。よつて、NAが大きい集光レンズを用い
るとビームウエスト径Ｗが小さくなり、このビームウエ
ストでのレーザ光強度分布は第５図に示すようにNAが小
さいものより急峻となる。このように急峻度が変化する
ものの、分布特性自体はガウス分布のままである。
２とでは集光させるレーザ光の強度分布（ガウス分布）
を変える方法としては、集光レンズ６のNA（開口数）を
変える方法が一般的である。ここに、第４図に示すよう
にNA＝sinθなる集光レンズ６により集光させたレーザ
光のビームウエストの径Ｗは、Ｗ＝ｋ・λ/NAにより表
すことができる。よつて、NAが大きい集光レンズを用い
るとビームウエスト径Ｗが小さくなり、このビームウエ
ストでのレーザ光強度分布は第５図に示すようにNAが小
さいものより急峻となる。このように急峻度が変化する
ものの、分布特性自体はガウス分布のままである。
そして、再び第３図に示した断面形状について検討し
てみると、深いほうのプリフオーマツト２の溝はガラス
基板４表面まで露光・現像されるのでその溝底面がある
程度平坦となる。しかし、浅いほうの案内溝１は全体が
ガウス分布に対応した形状となり、底面が丸みを持つこ
とにより、第２図に示した理想的な矩形形状に比べると
溝幅が細くなつてしまうものである。この結果、案内溝
１の果たす役割であるトラツキングエラー信号が第２図
の理想的なものと比べ不安定となり、トラツキング外れ
等を生じやすい。
てみると、深いほうのプリフオーマツト２の溝はガラス
基板４表面まで露光・現像されるのでその溝底面がある
程度平坦となる。しかし、浅いほうの案内溝１は全体が
ガウス分布に対応した形状となり、底面が丸みを持つこ
とにより、第２図に示した理想的な矩形形状に比べると
溝幅が細くなつてしまうものである。この結果、案内溝
１の果たす役割であるトラツキングエラー信号が第２図
の理想的なものと比べ不安定となり、トラツキング外れ
等を生じやすい。
目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので、フオ
トレジスト膜の露光に際して、このフオトレジスト膜の
膜厚よりも浅い深さの溝であつてもその底部までより矩
形平坦に近い形状の溝として形成することができる光デ
イスク原盤露光方法を提供することを目的とする。
トレジスト膜の露光に際して、このフオトレジスト膜の
膜厚よりも浅い深さの溝であつてもその底部までより矩
形平坦に近い形状の溝として形成することができる光デ
イスク原盤露光方法を提供することを目的とする。
構成 本発明は、上記目的を達成するため、中心を互いにず
らした複数本のレーザ光を重ね合せてフオトレジスト膜
を露光して１本の溝を形成することを特徴とするもので
ある。
らした複数本のレーザ光を重ね合せてフオトレジスト膜
を露光して１本の溝を形成することを特徴とするもので
ある。
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明す
る。まず、各々ガウス分布による強度分布を持つた複数
本、例えば３本のレーザ光が用いられる。これら
のレーザ光は各々の中心（光軸）が0.5μｍずつ
ずれた状態で設定され、各々の強度分布が互いに重なり
合うように設定されている。このようにこれらのレーザ
光を0.5μｍずつずらす方法としては、例えば回
折格子を用いる方法、プリズムで対物レンズへの入射角
度をずらす方法等を採用することができる。又、これら
のレーザ光のビームウエスト径Ｗ＝1/e2＝0.6μ
ｍである。更に、本実施例ではこれらのレーザ光
のレーザ強度が全て同一ではなく、中心に配設させたレ
ーザ光のみ他のレーザ光に比べると、中心強度が
0.8倍に設定されている。
る。まず、各々ガウス分布による強度分布を持つた複数
本、例えば３本のレーザ光が用いられる。これら
のレーザ光は各々の中心（光軸）が0.5μｍずつ
ずれた状態で設定され、各々の強度分布が互いに重なり
合うように設定されている。このようにこれらのレーザ
光を0.5μｍずつずらす方法としては、例えば回
折格子を用いる方法、プリズムで対物レンズへの入射角
度をずらす方法等を採用することができる。又、これら
のレーザ光のビームウエスト径Ｗ＝1/e2＝0.6μ
ｍである。更に、本実施例ではこれらのレーザ光
のレーザ強度が全て同一ではなく、中心に配設させたレ
ーザ光のみ他のレーザ光に比べると、中心強度が
0.8倍に設定されている。
このような３本のレーザ光を重ね合せることに
より、１本の溝、例えば案内溝を形成したり、プリフオ
ーマツトの溝を形成するものである。即ち、これらの３
本のレーザ光を重ね合せた強度分布形状は実線の
合成レーザ光で示すような矩形状に近い分布となる。
この強度分布を持つ合成レーザ光によりフオトレジス
ト膜の露光が行なわれるので、例えばフオトレジスト膜
の膜厚の半分の深さの溝とすべき案内溝の場合であつて
も、第２図で示した場合のような理想形状に近い底部ま
で矩形平坦的となる案内溝を形成することができる。こ
れは、ガラス基板まで現像する溝（即ち、プリフオーマ
ツトのようにフオトレジスト膜の膜厚分の深さの溝）の
場合であつても、同様である。つまり、で示すよ
うな複数本のレーザ光の位置及び各々の強度比を適宜異
ならせて設定することにより、種々の強度分布を持つ合
成レーザ光を得ることができるからである。
より、１本の溝、例えば案内溝を形成したり、プリフオ
ーマツトの溝を形成するものである。即ち、これらの３
本のレーザ光を重ね合せた強度分布形状は実線の
合成レーザ光で示すような矩形状に近い分布となる。
この強度分布を持つ合成レーザ光によりフオトレジス
ト膜の露光が行なわれるので、例えばフオトレジスト膜
の膜厚の半分の深さの溝とすべき案内溝の場合であつて
も、第２図で示した場合のような理想形状に近い底部ま
で矩形平坦的となる案内溝を形成することができる。こ
れは、ガラス基板まで現像する溝（即ち、プリフオーマ
ツトのようにフオトレジスト膜の膜厚分の深さの溝）の
場合であつても、同様である。つまり、で示すよ
うな複数本のレーザ光の位置及び各々の強度比を適宜異
ならせて設定することにより、種々の強度分布を持つ合
成レーザ光を得ることができるからである。
ちなみに、本実施例による合成レーザ光の強度分布
と中央部の強度分布が同一となるガウス分布を持つ単独
レーザ光の場合を一点鎖線のに示す。この単独レーザ
光と合成レーザ光とを対比すると、両者の強度分布
の特性の違いがよく判る。
と中央部の強度分布が同一となるガウス分布を持つ単独
レーザ光の場合を一点鎖線のに示す。この単独レーザ
光と合成レーザ光とを対比すると、両者の強度分布
の特性の違いがよく判る。
効果 本発明は、上述したように中心を互いにずらした複数
本のレーザ光を重ね合せてフオトレジスト膜を露光して
１本の溝を形成するようにしたので、これらのレーザ光
の本数、位置、各々の強度比を適宜設定するだけで種々
の強度分布を持つ合成レーザ光を得ることができ、よつ
て、ランド記録におけるフオトレジスト膜の膜厚以下の
深さの案内溝であつても底部まで矩形平坦に近い溝とし
て形成することができ、充分なトラツキングエラー信号
を得ることができるものである。
本のレーザ光を重ね合せてフオトレジスト膜を露光して
１本の溝を形成するようにしたので、これらのレーザ光
の本数、位置、各々の強度比を適宜設定するだけで種々
の強度分布を持つ合成レーザ光を得ることができ、よつ
て、ランド記録におけるフオトレジスト膜の膜厚以下の
深さの案内溝であつても底部まで矩形平坦に近い溝とし
て形成することができ、充分なトラツキングエラー信号
を得ることができるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す分布特性図、第２図は
ランド記録型の理想溝形状を示す斜視図、第３図は従来
例を示す断面図、第４図はレンズNA変更方式を示す側面
図、第５図はレーザ光強度分布特性図である。 ……レーザ光、……合成レーザ光
ランド記録型の理想溝形状を示す斜視図、第３図は従来
例を示す断面図、第４図はレンズNA変更方式を示す側面
図、第５図はレーザ光強度分布特性図である。 ……レーザ光、……合成レーザ光
Claims (1)
- 【請求項１】中心を互いにずらした複数本のレーザ光を
重ね合せてフオトレジスト膜を露光して１本の溝を形成
することを特徴とする光デイスク原盤露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298520A JPH087883B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光デイスク原盤露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298520A JPH087883B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光デイスク原盤露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149846A JPS63149846A (ja) | 1988-06-22 |
| JPH087883B2 true JPH087883B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17860788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298520A Expired - Lifetime JPH087883B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光デイスク原盤露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087883B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2508076B2 (ja) * | 1987-04-21 | 1996-06-19 | 日本電気株式会社 | 光デイスク原盤露光方法 |
| JP2677254B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1997-11-17 | 日本電気株式会社 | 光ディスク用原盤露光方法および露光装置 |
| KR100224871B1 (ko) * | 1997-09-30 | 1999-10-15 | 윤종용 | 광디스크 및 그 광디스크의 제조방법 |
| JP2002222548A (ja) | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Sony Corp | 光記録媒体、光記録媒体製造用原盤、光記録媒体製造用原盤の製造装置、光記録媒体製造用原盤の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109033A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | Sony Corp | 光学式信号記録方法 |
| JPS6278740A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録原盤記録方法 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298520A patent/JPH087883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109033A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | Sony Corp | 光学式信号記録方法 |
| JPS6278740A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録原盤記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63149846A (ja) | 1988-06-22 |
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