JPH0878588A - 沸騰冷却装置 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000009835 boiling Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 298
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液流が円滑に帰還でき最大熱輸送量を大きく
することができる沸騰冷却装置を提供することにある。 【構成】 ＩＧＢＴモジュール１はＩＧＢＴ素子７を有
している。冷媒貯留槽２内には冷媒１０が封入されてい
る。冷媒貯留槽２の底部にはＩＧＢＴモジュール１が設
けられ、ＩＧＢＴ素子７の発する熱は沸騰熱伝達により
冷媒１０に吸収され、その熱によって気化する。放熱チ
ューブ３はその一端が冷媒貯留槽２に連通するとともに
他端が閉塞されている。放熱チューブ３内には波板状イ
ンナーフィン１４が配置され、上部空間１８、冷媒貯留
槽２からの冷媒を上部空間１８に導く冷媒通路１５，１
６，１７、及び、上部空間１８の冷媒を冷媒貯留槽２に
戻すとともに液溜まり部１９が形成される細孔が、それ
ぞれ区画形成されている。
することができる沸騰冷却装置を提供することにある。 【構成】 ＩＧＢＴモジュール１はＩＧＢＴ素子７を有
している。冷媒貯留槽２内には冷媒１０が封入されてい
る。冷媒貯留槽２の底部にはＩＧＢＴモジュール１が設
けられ、ＩＧＢＴ素子７の発する熱は沸騰熱伝達により
冷媒１０に吸収され、その熱によって気化する。放熱チ
ューブ３はその一端が冷媒貯留槽２に連通するとともに
他端が閉塞されている。放熱チューブ３内には波板状イ
ンナーフィン１４が配置され、上部空間１８、冷媒貯留
槽２からの冷媒を上部空間１８に導く冷媒通路１５，１
６，１７、及び、上部空間１８の冷媒を冷媒貯留槽２に
戻すとともに液溜まり部１９が形成される細孔が、それ
ぞれ区画形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発熱した半導体素子等
の発熱体を冷却する沸騰冷却装置に関するものである。
の発熱体を冷却する沸騰冷却装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、駆動に伴い発熱する半導体素子を
冷却する装置として、例えば、特開平５−２４３４３８
号公報に示されているように沸騰冷却装置がある。これ
は、密閉型二相熱サイホン方式であり、吸熱部において
冷媒が沸騰気化され、放熱部において凝縮液化し、液化
した液体は重力によって吸熱部に戻されるようになって
いた。
冷却する装置として、例えば、特開平５−２４３４３８
号公報に示されているように沸騰冷却装置がある。これ
は、密閉型二相熱サイホン方式であり、吸熱部において
冷媒が沸騰気化され、放熱部において凝縮液化し、液化
した液体は重力によって吸熱部に戻されるようになって
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、沸騰気
化した蒸気流と凝縮気化した帰還液流は逆行するので、
蒸気速度の増加とともにいわゆるフラッディング状態に
達し、それ以上の液流の帰還が不可能になり、これによ
り最大熱輸送量が低く抑えられるという問題がある。
化した蒸気流と凝縮気化した帰還液流は逆行するので、
蒸気速度の増加とともにいわゆるフラッディング状態に
達し、それ以上の液流の帰還が不可能になり、これによ
り最大熱輸送量が低く抑えられるという問題がある。
【０００４】そこで、この発明の目的は、液流が円滑に
帰還でき最大熱輸送量を大きくすることができる沸騰冷
却装置を提供することにある。
帰還でき最大熱輸送量を大きくすることができる沸騰冷
却装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、電気回路等で用いられ、駆動に伴い熱を発生する発
熱体と、前記発熱体の発する熱を吸収してその熱により
気化する冷媒が貯留された冷媒貯留槽と、筒状をなし、
その一端が前記冷媒貯留槽に連通するとともに他端が閉
塞され、前記気化して上昇してくる冷媒を冷却液化して
前記冷媒貯留槽に戻す放熱部と、前記放熱部内に配置さ
れ、前記放熱部の上部の空間である上部空間、前記冷媒
貯留槽からの冷媒を前記上部空間に導く第１の冷媒通
路、前記上部空間の冷媒を前記冷媒貯留槽に戻すととも
にその途中に液化した冷媒により液溜まり部が形成され
る第２の冷媒通路を、それぞれ区画形成する冷媒通路形
成部材とを備えた沸騰冷却装置をその要旨とする。
は、電気回路等で用いられ、駆動に伴い熱を発生する発
熱体と、前記発熱体の発する熱を吸収してその熱により
気化する冷媒が貯留された冷媒貯留槽と、筒状をなし、
その一端が前記冷媒貯留槽に連通するとともに他端が閉
塞され、前記気化して上昇してくる冷媒を冷却液化して
前記冷媒貯留槽に戻す放熱部と、前記放熱部内に配置さ
れ、前記放熱部の上部の空間である上部空間、前記冷媒
貯留槽からの冷媒を前記上部空間に導く第１の冷媒通
路、前記上部空間の冷媒を前記冷媒貯留槽に戻すととも
にその途中に液化した冷媒により液溜まり部が形成され
る第２の冷媒通路を、それぞれ区画形成する冷媒通路形
成部材とを備えた沸騰冷却装置をその要旨とする。
【０００６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第２の冷媒通路は、前記第１の冷媒
通路よりも断面積が小さいものである沸騰冷却装置をそ
の要旨とする。
の発明における前記第２の冷媒通路は、前記第１の冷媒
通路よりも断面積が小さいものである沸騰冷却装置をそ
の要旨とする。
【０００７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第２の冷媒通路は、前記第１の冷媒
通路よりも通路断面における最狭部の幅が狭いものであ
る沸騰冷却装置をその要旨とする。
の発明における前記第２の冷媒通路は、前記第１の冷媒
通路よりも通路断面における最狭部の幅が狭いものであ
る沸騰冷却装置をその要旨とする。
【０００８】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、前記第
２の冷媒通路は複数あり、かつ、前記第１の冷媒通路の
いずれの通路よりも各々の通路断面積が小さいものであ
る沸騰冷却装置をその要旨とする。
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、前記第
２の冷媒通路は複数あり、かつ、前記第１の冷媒通路の
いずれの通路よりも各々の通路断面積が小さいものであ
る沸騰冷却装置をその要旨とする。
【０００９】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、前記第
２の冷媒通路は複数あり、かつ、前記第１の冷媒通路の
いずれの通路よりも各々の通路断面における最狭部の幅
が狭いものである沸騰冷却装置をその要旨とする。
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、前記第
２の冷媒通路は複数あり、かつ、前記第１の冷媒通路の
いずれの通路よりも各々の通路断面における最狭部の幅
が狭いものである沸騰冷却装置をその要旨とする。
【００１０】請求項６に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、そのう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、通路抵抗が
小さいものである沸騰冷却装置をその要旨とする。
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、そのう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、通路抵抗が
小さいものである沸騰冷却装置をその要旨とする。
【００１１】請求項７に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、そのう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、断面積が大
きいものである沸騰冷却装置をその要旨とする。
の発明における前記第１の冷媒通路は複数あり、そのう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、断面積が大
きいものである沸騰冷却装置をその要旨とする。
【００１２】請求項８に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記第１の冷媒通路は１つだけ形成され
ている沸騰冷却装置をその要旨とする。請求項９に記載
の発明は、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発明
における前記冷媒通路形成部材は波板状フィンよりなる
沸騰冷却装置をその要旨とする。
の発明における前記第１の冷媒通路は１つだけ形成され
ている沸騰冷却装置をその要旨とする。請求項９に記載
の発明は、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発明
における前記冷媒通路形成部材は波板状フィンよりなる
沸騰冷却装置をその要旨とする。
【００１３】請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至
９のいずれか１項に記載の発明における前記冷媒通路形
成部材による第１の冷媒通路は、その冷媒貯留槽側の開
口部が冷媒貯留槽側ほど幅広になっている沸騰冷却装置
をその要旨とする。
９のいずれか１項に記載の発明における前記冷媒通路形
成部材による第１の冷媒通路は、その冷媒貯留槽側の開
口部が冷媒貯留槽側ほど幅広になっている沸騰冷却装置
をその要旨とする。
【００１４】請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至
９のいずれか１項に記載の発明における前記冷媒通路形
成部材による第１の冷媒通路は、その冷媒貯留槽側の開
口部が冷媒貯留槽側ほど連続的に幅広になっている沸騰
冷却装置をその要旨とする。
９のいずれか１項に記載の発明における前記冷媒通路形
成部材による第１の冷媒通路は、その冷媒貯留槽側の開
口部が冷媒貯留槽側ほど連続的に幅広になっている沸騰
冷却装置をその要旨とする。
【００１５】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、放熱部内に配
置された冷媒通路形成部材により、上部空間、第１の冷
媒通路及び第２の冷媒通路が区画形成される。そして、
発熱体が電気回路等において駆動すると、熱が発生す
る。発熱体で発生した熱は冷媒貯留槽内の冷媒に吸収さ
れ、その熱により気化する。気化した冷媒は冷媒通路形
成部材により形成された第１の冷媒通路を通って上部空
間に導かれ、さらに、上部空間から第２の冷媒通路を通
って冷媒貯留槽に戻される。この冷媒の移動の際に、気
化した冷媒が冷却液化され、第２の冷媒通路の途中に液
化した冷媒により液溜まり部が形成される。以後、第２
の冷媒通路の途中に液溜まり部が形成された状態で、冷
媒が冷媒貯留槽から第１の冷媒通路，上部空間，第２の
冷媒通路を通って冷媒貯留槽に戻る。
置された冷媒通路形成部材により、上部空間、第１の冷
媒通路及び第２の冷媒通路が区画形成される。そして、
発熱体が電気回路等において駆動すると、熱が発生す
る。発熱体で発生した熱は冷媒貯留槽内の冷媒に吸収さ
れ、その熱により気化する。気化した冷媒は冷媒通路形
成部材により形成された第１の冷媒通路を通って上部空
間に導かれ、さらに、上部空間から第２の冷媒通路を通
って冷媒貯留槽に戻される。この冷媒の移動の際に、気
化した冷媒が冷却液化され、第２の冷媒通路の途中に液
化した冷媒により液溜まり部が形成される。以後、第２
の冷媒通路の途中に液溜まり部が形成された状態で、冷
媒が冷媒貯留槽から第１の冷媒通路，上部空間，第２の
冷媒通路を通って冷媒貯留槽に戻る。
【００１６】このように、冷媒通路形成部材による上部
空間、第１及び第２の冷媒通路にて、冷媒の循環流路が
形成され、上昇してくる気相冷媒と下降する液相冷媒と
が逆行することがなく、液流が円滑に帰還し、最大熱輸
送量が大きくなる。
空間、第１及び第２の冷媒通路にて、冷媒の循環流路が
形成され、上昇してくる気相冷媒と下降する液相冷媒と
が逆行することがなく、液流が円滑に帰還し、最大熱輸
送量が大きくなる。
【００１７】又、前述の液溜まり部が振動する。これ
は、（１）冷媒貯留槽内で気化した冷媒のうち、直接，
液溜まり部に作用するものと第１の冷媒通路を通って液
溜まり部に作用するものとで時間的ズレが有り、これに
より振動を発生させるのと、（２）冷媒貯留槽内の冷媒
から気泡が間欠的に発生して液溜まり部に当たり押し上
げることによる。この液溜まり部の振動にて強制対流熱
伝達が行われ放熱性を向上させる。
は、（１）冷媒貯留槽内で気化した冷媒のうち、直接，
液溜まり部に作用するものと第１の冷媒通路を通って液
溜まり部に作用するものとで時間的ズレが有り、これに
より振動を発生させるのと、（２）冷媒貯留槽内の冷媒
から気泡が間欠的に発生して液溜まり部に当たり押し上
げることによる。この液溜まり部の振動にて強制対流熱
伝達が行われ放熱性を向上させる。
【００１８】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、第２の冷媒通路は、第１の
冷媒通路よりも断面積が小さく、液溜まり部が形成され
やすい。
に記載の発明の作用に加え、第２の冷媒通路は、第１の
冷媒通路よりも断面積が小さく、液溜まり部が形成され
やすい。
【００１９】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、第２の冷媒通路は、第１の
冷媒通路よりも通路断面における最狭部の幅が狭いの
で、液溜まり部が形成されやすい。
に記載の発明の作用に加え、第２の冷媒通路は、第１の
冷媒通路よりも通路断面における最狭部の幅が狭いの
で、液溜まり部が形成されやすい。
【００２０】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、各第２の冷媒通路が第１の
冷媒通路のいずれの通路よりも各々の通路断面積が小さ
いので、液溜まり部が形成されやすい。
に記載の発明の作用に加え、各第２の冷媒通路が第１の
冷媒通路のいずれの通路よりも各々の通路断面積が小さ
いので、液溜まり部が形成されやすい。
【００２１】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、各第２の冷媒通路が第１の
冷媒通路のいずれの通路よりも各々の通路断面における
最狭部の幅が狭いので、液溜まり部が形成されやすい。
に記載の発明の作用に加え、各第２の冷媒通路が第１の
冷媒通路のいずれの通路よりも各々の通路断面における
最狭部の幅が狭いので、液溜まり部が形成されやすい。
【００２２】請求項６に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、複数の第１の冷媒通路のう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、通路抵抗が
小さいので、この通路を主に冷媒が通っていく。
に記載の発明の作用に加え、複数の第１の冷媒通路のう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、通路抵抗が
小さいので、この通路を主に冷媒が通っていく。
【００２３】請求項７に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、複数の第１の冷媒通路のう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、断面積が大
きいので、この通路を主に冷媒が通っていく。
に記載の発明の作用に加え、複数の第１の冷媒通路のう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、断面積が大
きいので、この通路を主に冷媒が通っていく。
【００２４】請求項８に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、第１の冷媒通路が１つだけ
形成され、この冷媒通路を通して気化した冷媒が上部空
間に導かれる。よって、冷媒通路形成部材による第１の
冷媒通路が複数ある場合には上部空間において冷媒流の
衝突が起きるが、第１の冷媒通路が１つだけなので冷媒
流が衝突することなく円滑な冷媒流が形成される。
に記載の発明の作用に加え、第１の冷媒通路が１つだけ
形成され、この冷媒通路を通して気化した冷媒が上部空
間に導かれる。よって、冷媒通路形成部材による第１の
冷媒通路が複数ある場合には上部空間において冷媒流の
衝突が起きるが、第１の冷媒通路が１つだけなので冷媒
流が衝突することなく円滑な冷媒流が形成される。
【００２５】請求項９に記載の発明によれば、請求項１
乃至８のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、冷媒
通路形成部材を波板状フィンとしたので、容易に冷媒通
路を形成できる。
乃至８のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、冷媒
通路形成部材を波板状フィンとしたので、容易に冷媒通
路を形成できる。
【００２６】請求項１０に記載の発明によれば、請求項
１乃至９のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、冷
媒通路形成部材による第１の冷媒通路における冷媒貯留
槽側の開口部が冷媒貯留槽側ほど幅広になり、この部分
により冷媒貯留槽内で気化し上昇してくる冷媒が集めら
れ第１の冷媒通路へと案内される。よって、気化した冷
媒が円滑に第１の冷媒通路に導かれる。
１乃至９のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、冷
媒通路形成部材による第１の冷媒通路における冷媒貯留
槽側の開口部が冷媒貯留槽側ほど幅広になり、この部分
により冷媒貯留槽内で気化し上昇してくる冷媒が集めら
れ第１の冷媒通路へと案内される。よって、気化した冷
媒が円滑に第１の冷媒通路に導かれる。
【００２７】請求項１１に記載の発明によれば、請求項
１乃至９のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、冷
媒通路形成部材による第１の冷媒通路における冷媒貯留
槽側の開口部が冷媒貯留槽側ほど連続的に幅広になり、
この部分により冷媒貯留槽内で気化し上昇してくる冷媒
が集められ第１の冷媒通路へと案内される。よって、気
化した冷媒がより円滑に第１の冷媒通路に導かれる。
１乃至９のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、冷
媒通路形成部材による第１の冷媒通路における冷媒貯留
槽側の開口部が冷媒貯留槽側ほど連続的に幅広になり、
この部分により冷媒貯留槽内で気化し上昇してくる冷媒
が集められ第１の冷媒通路へと案内される。よって、気
化した冷媒がより円滑に第１の冷媒通路に導かれる。
【００２８】
（第１実施例）以下、この発明を具体化した第１実施例
を図面に従って説明する。
を図面に従って説明する。
【００２９】図１（ａ）には、本実施例の沸騰冷却装置
の正面図を示し、図１（ｂ）には、沸騰冷却装置の側面
図を示す。図２には図１（ａ）のＡ−Ａ断面を示す。図
３には図２のＢ−Ｂ断面を示し、図４には後述する放熱
チューブ３と放熱フィン４の斜視図を示す。
の正面図を示し、図１（ｂ）には、沸騰冷却装置の側面
図を示す。図２には図１（ａ）のＡ−Ａ断面を示す。図
３には図２のＢ−Ｂ断面を示し、図４には後述する放熱
チューブ３と放熱フィン４の斜視図を示す。
【００３０】図１に示すように、本装置は、ＩＧＢＴモ
ジュール１と、冷媒貯留槽２と、多管の放熱チューブ３
と、放熱フィン４と、冷却ファン５とを備えている。図
２に示すように、ＩＧＢＴモジュール１は放熱板６と発
熱体としてのＩＧＢＴ素子（パワー素子）７とキャップ
８と絶縁基板９とを備えている。銅製の放熱板６の下面
にはＩＧＢＴ素子７が絶縁基板９を介して接合され、こ
のＩＧＢＴ素子７がキャップ８にてパッケージされてい
る。ＩＧＢＴ素子７を含めて電気回路が構成されてお
り、ＩＧＢＴ素子７はその駆動（通電）に伴い熱を発生
する。そして、ＩＧＢＴ素子７の発する熱は絶縁基板９
を介して放熱板６に伝えられる。
ジュール１と、冷媒貯留槽２と、多管の放熱チューブ３
と、放熱フィン４と、冷却ファン５とを備えている。図
２に示すように、ＩＧＢＴモジュール１は放熱板６と発
熱体としてのＩＧＢＴ素子（パワー素子）７とキャップ
８と絶縁基板９とを備えている。銅製の放熱板６の下面
にはＩＧＢＴ素子７が絶縁基板９を介して接合され、こ
のＩＧＢＴ素子７がキャップ８にてパッケージされてい
る。ＩＧＢＴ素子７を含めて電気回路が構成されてお
り、ＩＧＢＴ素子７はその駆動（通電）に伴い熱を発生
する。そして、ＩＧＢＴ素子７の発する熱は絶縁基板９
を介して放熱板６に伝えられる。
【００３１】冷媒貯留槽２はアルミよりなる。冷媒貯留
槽２内には冷媒１０が封入されている。この冷媒１０と
しては、本実施例では、水が使用され、同水は冷媒貯留
槽２内に０．０１ＭＰａ程度に減圧した状態で封入され
ている。冷媒貯留槽２の底部には開口部１１が形成され
ている。この開口部１１を下側から塞ぐようにＩＧＢＴ
モジュール１の放熱板６が当接され、Ｏリング１２を介
してボルト１３により密封状態で冷媒貯留槽２に固定さ
れている。この放熱板６の上面が放熱面６ａとなり、こ
の放熱面６ａはＩＧＢＴ素子７と熱的に接合されるとと
もに、冷媒１０と接している。そして、ＩＧＢＴ素子７
の発する熱は沸騰熱伝達により冷媒１０に吸収され、そ
の熱によって気化する。
槽２内には冷媒１０が封入されている。この冷媒１０と
しては、本実施例では、水が使用され、同水は冷媒貯留
槽２内に０．０１ＭＰａ程度に減圧した状態で封入され
ている。冷媒貯留槽２の底部には開口部１１が形成され
ている。この開口部１１を下側から塞ぐようにＩＧＢＴ
モジュール１の放熱板６が当接され、Ｏリング１２を介
してボルト１３により密封状態で冷媒貯留槽２に固定さ
れている。この放熱板６の上面が放熱面６ａとなり、こ
の放熱面６ａはＩＧＢＴ素子７と熱的に接合されるとと
もに、冷媒１０と接している。そして、ＩＧＢＴ素子７
の発する熱は沸騰熱伝達により冷媒１０に吸収され、そ
の熱によって気化する。
【００３２】冷媒貯留槽２の上面には多数のアルミ製の
放熱チューブ３が取り付けられており、同放熱チューブ
３が上方に延設されている。この放熱チューブ３は、図
３に示すような、偏平形状をなしている。即ち、放熱チ
ューブ３は、平行部３ａとその先端の半円部３ｂとから
なる。各放熱チューブ３は長軸が平行となるように並設
されている。図２に示すように、放熱チューブ３の下端
は冷媒貯留槽２と連通し、上端は閉塞されている。そし
て、冷媒貯留槽２内で気化した冷媒が放熱チューブ３内
を上昇していき低温の放熱チューブ内面２８に接触し凝
縮して潜熱を放出すると共に冷却液化して冷媒貯留槽２
に戻されるようになっている。この放熱チューブ３にて
筒状をなす放熱部が構成されている。
放熱チューブ３が取り付けられており、同放熱チューブ
３が上方に延設されている。この放熱チューブ３は、図
３に示すような、偏平形状をなしている。即ち、放熱チ
ューブ３は、平行部３ａとその先端の半円部３ｂとから
なる。各放熱チューブ３は長軸が平行となるように並設
されている。図２に示すように、放熱チューブ３の下端
は冷媒貯留槽２と連通し、上端は閉塞されている。そし
て、冷媒貯留槽２内で気化した冷媒が放熱チューブ３内
を上昇していき低温の放熱チューブ内面２８に接触し凝
縮して潜熱を放出すると共に冷却液化して冷媒貯留槽２
に戻されるようになっている。この放熱チューブ３にて
筒状をなす放熱部が構成されている。
【００３３】さらに、放熱チューブ３の平行部３ａでの
外周部にはアルミ製の放熱フィン４がロウ付けにて取り
付けられ、放出された熱は放熱フィン４に伝えられる。
本実施例では、放熱フィン４としてコルゲートフィンが
使用されている。
外周部にはアルミ製の放熱フィン４がロウ付けにて取り
付けられ、放出された熱は放熱フィン４に伝えられる。
本実施例では、放熱フィン４としてコルゲートフィンが
使用されている。
【００３４】尚、冷媒貯留槽２はその内部圧力による変
形に耐えうる圧力容器に準ずる構造とし、放熱チューブ
３とは洩れの無い結合方法（例えば、ロウ付け）にて結
合されている。
形に耐えうる圧力容器に準ずる構造とし、放熱チューブ
３とは洩れの無い結合方法（例えば、ロウ付け）にて結
合されている。
【００３５】図１に示すように、放熱チューブ３の配置
部分の背面側には冷却ファン５が設けられ、同冷却ファ
ン５の駆動により空気（外気）が放熱チューブ３の外周
面および放熱フィン４を通過し冷却するようになってい
る。
部分の背面側には冷却ファン５が設けられ、同冷却ファ
ン５の駆動により空気（外気）が放熱チューブ３の外周
面および放熱フィン４を通過し冷却するようになってい
る。
【００３６】図２，３，４に示すように、放熱チューブ
３の内部には冷媒通路形成部材としての波板状インナー
フィン１４が配置されている。このインナーフィン１４
はアルミ製の波板よりなり、図３に示すように、そのピ
ッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距離）Ｐ
は、冷媒が水の時は約３ｍｍ以下がよい。この波板より
なるインナーフィン１４が放熱チューブ３の内部におい
て山あるいは谷の延設方向が放熱チューブ３の延設方向
に一致するように挿入配置されている。又、波板状イン
ナーフィン１４の山と谷とが放熱チューブ３の内壁面に
接触しており、この接触部分がロウ付けされ、波板状イ
ンナーフィン１４が放熱チューブ３に固定されている。
この波板状インナーフィン１４にて、放熱チューブ３の
内部において放熱チューブ３の延設方向に延びる細孔２
４が区画形成されている。
３の内部には冷媒通路形成部材としての波板状インナー
フィン１４が配置されている。このインナーフィン１４
はアルミ製の波板よりなり、図３に示すように、そのピ
ッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距離）Ｐ
は、冷媒が水の時は約３ｍｍ以下がよい。この波板より
なるインナーフィン１４が放熱チューブ３の内部におい
て山あるいは谷の延設方向が放熱チューブ３の延設方向
に一致するように挿入配置されている。又、波板状イン
ナーフィン１４の山と谷とが放熱チューブ３の内壁面に
接触しており、この接触部分がロウ付けされ、波板状イ
ンナーフィン１４が放熱チューブ３に固定されている。
この波板状インナーフィン１４にて、放熱チューブ３の
内部において放熱チューブ３の延設方向に延びる細孔２
４が区画形成されている。
【００３７】このような波板状インナーフィン１４を用
いる際の通路断面（細孔２４の断面）は、放熱チューブ
３の平行部３ａの隙間間隔をＧとし、インナーフィン１
４のピッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距
離）をＰとしたとき、縦がＧで横がＰ／２の略四角形状
でその最狭部の幅はＰ／２である。
いる際の通路断面（細孔２４の断面）は、放熱チューブ
３の平行部３ａの隙間間隔をＧとし、インナーフィン１
４のピッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距
離）をＰとしたとき、縦がＧで横がＰ／２の略四角形状
でその最狭部の幅はＰ／２である。
【００３８】波板状インナーフィン１４は２枚よりな
り、放熱チューブ３の内部において両端部と中央部とに
隙間ができるように配置されている。この両端部と中央
部との隙間にて冷媒通路１５，１６，１７が形成され
る。つまり、冷媒通路１５，１６，１７は、図３に示す
ように、インナーフィン１４の最狭部の幅Ｐ／２よりも
広い幅ｄとなっている。
り、放熱チューブ３の内部において両端部と中央部とに
隙間ができるように配置されている。この両端部と中央
部との隙間にて冷媒通路１５，１６，１７が形成され
る。つまり、冷媒通路１５，１６，１７は、図３に示す
ように、インナーフィン１４の最狭部の幅Ｐ／２よりも
広い幅ｄとなっている。
【００３９】さらに、図２に示すように、放熱チューブ
３の内部において波板状インナーフィン１４が放熱チュ
ーブ３の上面より所定距離Ｌo だけ下方に位置するよう
に配置され、放熱チューブ３の上面と波板状インナーフ
ィン１４との間には上部空間１８が形成されている。
３の内部において波板状インナーフィン１４が放熱チュ
ーブ３の上面より所定距離Ｌo だけ下方に位置するよう
に配置され、放熱チューブ３の上面と波板状インナーフ
ィン１４との間には上部空間１８が形成されている。
【００４０】このように、放熱チューブ３内に配置され
た波板状インナーフィン１４にて、冷媒貯留槽２からの
冷媒を上部空間１８に導くための冷媒通路（第１の冷媒
通路）１５，１６，１７と、冷媒通路１５，１６，１７
よりも一本当たりの通路断面積が狭く上部空間１８の冷
媒を冷媒貯留槽２に戻すための細孔（第２の冷媒通路）
２４と、上部空間１８とが区画形成されている。
た波板状インナーフィン１４にて、冷媒貯留槽２からの
冷媒を上部空間１８に導くための冷媒通路（第１の冷媒
通路）１５，１６，１７と、冷媒通路１５，１６，１７
よりも一本当たりの通路断面積が狭く上部空間１８の冷
媒を冷媒貯留槽２に戻すための細孔（第２の冷媒通路）
２４と、上部空間１８とが区画形成されている。
【００４１】次に、このように構成した沸騰冷却装置の
作用を説明する。ＩＧＢＴモジュール１の内部のＩＧＢ
Ｔ素子（パワー素子）７が発熱すると、その熱は放熱板
６の放熱面６ａに伝達され、さらに、沸騰熱伝達により
冷媒貯留槽２内の冷媒１０へと伝わる。そして、冷媒１
０が蒸気となり、気化した冷媒１０は幅広の冷媒通路１
５，１６，１７を通って放熱チューブ３内を上昇し、主
に放熱チューブ３内の上面空間１８およびその下部にお
いて凝縮して熱を伝えるとともに液化し、波板状インナ
ーフィン１４の細孔（内部隙間）２４を通って冷媒貯留
槽２に戻される。又、凝縮した冷媒１０の一部は表面張
力によりインナーフィン１４の細孔２４の下部において
液溜まり部１９を形成する。又、液溜まり部１９は、冷
媒貯留槽２で発生した気泡が上昇して直接，インナーフ
ィン１４の下面に当たり気泡液膜がインナーフィン１４
の下部に表面張力により捕らえられることによっても形
成される。つまり、冷媒１０の沸騰に伴い冷媒貯留槽２
内の冷媒から気泡が発生し、この気泡がインナーフィン
１４に向かって吹き上げられインナーフィン１４に接触
する。この際、気泡液膜の一部はインナーフィン１４の
下部に表面張力により液溜まり部１９となって捕らえら
れる。
作用を説明する。ＩＧＢＴモジュール１の内部のＩＧＢ
Ｔ素子（パワー素子）７が発熱すると、その熱は放熱板
６の放熱面６ａに伝達され、さらに、沸騰熱伝達により
冷媒貯留槽２内の冷媒１０へと伝わる。そして、冷媒１
０が蒸気となり、気化した冷媒１０は幅広の冷媒通路１
５，１６，１７を通って放熱チューブ３内を上昇し、主
に放熱チューブ３内の上面空間１８およびその下部にお
いて凝縮して熱を伝えるとともに液化し、波板状インナ
ーフィン１４の細孔（内部隙間）２４を通って冷媒貯留
槽２に戻される。又、凝縮した冷媒１０の一部は表面張
力によりインナーフィン１４の細孔２４の下部において
液溜まり部１９を形成する。又、液溜まり部１９は、冷
媒貯留槽２で発生した気泡が上昇して直接，インナーフ
ィン１４の下面に当たり気泡液膜がインナーフィン１４
の下部に表面張力により捕らえられることによっても形
成される。つまり、冷媒１０の沸騰に伴い冷媒貯留槽２
内の冷媒から気泡が発生し、この気泡がインナーフィン
１４に向かって吹き上げられインナーフィン１４に接触
する。この際、気泡液膜の一部はインナーフィン１４の
下部に表面張力により液溜まり部１９となって捕らえら
れる。
【００４２】又、蒸気が冷媒通路１５，１６，１７を通
って上昇した際には、液溜まり部１９の液冷媒の一部が
押し出され落下して冷媒貯留槽２に戻される。このよう
に、冷媒１０の蒸気流と帰還液流とで循環流が形成さ
れ、蒸気速度増加時も液流がスムーズに帰還して最大熱
輸送量が大きくなる。
って上昇した際には、液溜まり部１９の液冷媒の一部が
押し出され落下して冷媒貯留槽２に戻される。このよう
に、冷媒１０の蒸気流と帰還液流とで循環流が形成さ
れ、蒸気速度増加時も液流がスムーズに帰還して最大熱
輸送量が大きくなる。
【００４３】一方、液溜まり部１９は上下に振動する。
つまり、図２に示すように、液溜まり部１９がインナー
フィン１４の最下部に位置する状態から、図５に示すよ
うに、液溜まり部１９がインナーフィン１４の最下部か
ら上動した状態になる。この図２，図５の状態の繰り返
しにより液溜まり部１９が上下に振動する。この振動は
２つの要因による。第１の要因は、冷媒貯留槽２で気化
した冷媒のうち、直接，液溜まり部１９に作用する蒸気
流と、冷媒通路１５，１６，１７を上昇して液溜まり部
１９に作用する蒸気流とで位相差（時間的ズレ）があ
り、これにより振動させる。第２の要因は、冷媒貯留槽
２内の冷媒１０から気泡が間欠的に発生してインナーフ
ィン１４の下部の液溜まり部１９に当たり、液溜まり部
１９を押し上げることにより振動させる。そして、この
液溜まり部１９の上下の振動により液溜まり部１９にお
いて対流が発生し、この強制対流熱伝達により放熱チュ
ーブ３の内壁面に熱が伝えられる。
つまり、図２に示すように、液溜まり部１９がインナー
フィン１４の最下部に位置する状態から、図５に示すよ
うに、液溜まり部１９がインナーフィン１４の最下部か
ら上動した状態になる。この図２，図５の状態の繰り返
しにより液溜まり部１９が上下に振動する。この振動は
２つの要因による。第１の要因は、冷媒貯留槽２で気化
した冷媒のうち、直接，液溜まり部１９に作用する蒸気
流と、冷媒通路１５，１６，１７を上昇して液溜まり部
１９に作用する蒸気流とで位相差（時間的ズレ）があ
り、これにより振動させる。第２の要因は、冷媒貯留槽
２内の冷媒１０から気泡が間欠的に発生してインナーフ
ィン１４の下部の液溜まり部１９に当たり、液溜まり部
１９を押し上げることにより振動させる。そして、この
液溜まり部１９の上下の振動により液溜まり部１９にお
いて対流が発生し、この強制対流熱伝達により放熱チュ
ーブ３の内壁面に熱が伝えられる。
【００４４】又、放熱チューブ３内にインナーフィン１
４を設けたので、放熱面積が増大し、インナーフィン１
４が無い場合に比べ、冷媒から放熱チューブ３への放熱
を高めることができる。
４を設けたので、放熱面積が増大し、インナーフィン１
４が無い場合に比べ、冷媒から放熱チューブ３への放熱
を高めることができる。
【００４５】図６には、可視化ビデオより求めた液溜ま
り部１９の液面変位の時間的変化を示しており、平均す
ると約２ｓｅｃ間隔で振幅約５ｍｍ、周期約０．１ｓｅ
ｃの振動流が発生していることが分かった。図７には熱
伝達率の時間的変化を示す。自然対流の時には熱伝達率
が１０００Ｗ／ｍ2 ・Ｋであるが、本実施例のように振
動流を伴うと熱伝達率が１０００Ｗ／ｍ2 ・Ｋから１５
０００Ｗ／ｍ2 ・Ｋと自然対流時の約１５倍であり、振
動流を発生させることにより、平均熱伝達率が増加し放
熱性能を向上させることができる。
り部１９の液面変位の時間的変化を示しており、平均す
ると約２ｓｅｃ間隔で振幅約５ｍｍ、周期約０．１ｓｅ
ｃの振動流が発生していることが分かった。図７には熱
伝達率の時間的変化を示す。自然対流の時には熱伝達率
が１０００Ｗ／ｍ2 ・Ｋであるが、本実施例のように振
動流を伴うと熱伝達率が１０００Ｗ／ｍ2 ・Ｋから１５
０００Ｗ／ｍ2 ・Ｋと自然対流時の約１５倍であり、振
動流を発生させることにより、平均熱伝達率が増加し放
熱性能を向上させることができる。
【００４６】このように本実施例では、放熱チューブ３
内にインナーフィン（冷媒通路形成部材）１４を配置し
て、冷媒貯留槽２からの冷媒を上部空間１８に導く冷媒
通路（第１の冷媒通路）１５，１６，１７、及び、上部
空間１８の冷媒を冷媒貯留槽２に戻すとともにその途中
に液化した冷媒により液溜まり部１９が形成される細孔
（第２の冷媒通路）２４と上部空間１８を、それぞれ区
画形成した。よって、冷媒の循環流路が形成され、上昇
してくる気相冷媒と下降する液相冷媒とが逆行すること
がなく、液流が円滑に帰還し、最大熱輸送量を大きくす
ることができる。
内にインナーフィン（冷媒通路形成部材）１４を配置し
て、冷媒貯留槽２からの冷媒を上部空間１８に導く冷媒
通路（第１の冷媒通路）１５，１６，１７、及び、上部
空間１８の冷媒を冷媒貯留槽２に戻すとともにその途中
に液化した冷媒により液溜まり部１９が形成される細孔
（第２の冷媒通路）２４と上部空間１８を、それぞれ区
画形成した。よって、冷媒の循環流路が形成され、上昇
してくる気相冷媒と下降する液相冷媒とが逆行すること
がなく、液流が円滑に帰還し、最大熱輸送量を大きくす
ることができる。
【００４７】又、液溜まり部１９の振動にて強制対流熱
伝達が行われ放熱性が向上する。又、波板状フィンにて
細孔２４を形成したので、容易に細孔２４を形成でき
る。さらに、第１の冷媒通路は冷媒通路１５，１６，１
７と複数あり、第２の冷媒通路としての細孔２４は複数
あり、かつ、第１の冷媒通路のいずれの通路よりも各々
の通路断面積が小さくなっている。よって、液溜まり部
１９が形成されやすい。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
伝達が行われ放熱性が向上する。又、波板状フィンにて
細孔２４を形成したので、容易に細孔２４を形成でき
る。さらに、第１の冷媒通路は冷媒通路１５，１６，１
７と複数あり、第２の冷媒通路としての細孔２４は複数
あり、かつ、第１の冷媒通路のいずれの通路よりも各々
の通路断面積が小さくなっている。よって、液溜まり部
１９が形成されやすい。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００４８】図８は、第１実施例の図２に対応する図で
あり、図９は図８のＣ−Ｃ断面図である。放熱チューブ
３の内部にはインナーフィン２０が配置されている。こ
のインナーフィン２０はアルミ製の波板よりなり、その
ピッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距離）Ｐ
は約３ｍｍ以下が良い。この波板よりなるインナーフィ
ン２０が放熱チューブ３の内部において山あるいは谷の
延設方向が放熱チューブ３の延設方向と一致するように
挿入配置され、波板状インナーフィン２０の山と谷とが
放熱チューブ３の内壁面に接触している。この接触部分
がロウ付けされ、波板状インナーフィン２０が放熱チュ
ーブ３に固定されている。このとき、波板状インナーフ
ィン２０は、放熱チューブ３の内部において一方の端部
に隙間ができるように配置されている。この隙間にて冷
媒通路２１（第１の冷媒通路）が形成される。つまり、
冷媒通路２１は、細孔２４の通路断面の最狭部の幅Ｐ／
２（例えば０．８５ｍｍ）よりも広い幅ｄ（例えば、８
ｍｍ）となっている。
あり、図９は図８のＣ−Ｃ断面図である。放熱チューブ
３の内部にはインナーフィン２０が配置されている。こ
のインナーフィン２０はアルミ製の波板よりなり、その
ピッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距離）Ｐ
は約３ｍｍ以下が良い。この波板よりなるインナーフィ
ン２０が放熱チューブ３の内部において山あるいは谷の
延設方向が放熱チューブ３の延設方向と一致するように
挿入配置され、波板状インナーフィン２０の山と谷とが
放熱チューブ３の内壁面に接触している。この接触部分
がロウ付けされ、波板状インナーフィン２０が放熱チュ
ーブ３に固定されている。このとき、波板状インナーフ
ィン２０は、放熱チューブ３の内部において一方の端部
に隙間ができるように配置されている。この隙間にて冷
媒通路２１（第１の冷媒通路）が形成される。つまり、
冷媒通路２１は、細孔２４の通路断面の最狭部の幅Ｐ／
２（例えば０．８５ｍｍ）よりも広い幅ｄ（例えば、８
ｍｍ）となっている。
【００４９】さらに、図８に示すように、放熱チューブ
３の内部において波板状インナーフィン２０が放熱チュ
ーブ３の上面より下方に位置するように配置され、放熱
チューブ３の上面と波板状インナーフィン２０との間に
は上部空間１８が形成されている。
３の内部において波板状インナーフィン２０が放熱チュ
ーブ３の上面より下方に位置するように配置され、放熱
チューブ３の上面と波板状インナーフィン２０との間に
は上部空間１８が形成されている。
【００５０】次に、このように構成した沸騰冷却装置の
作用を説明する。ＩＧＢＴモジュール１のＩＧＢＴ素子
（パワー素子）７の熱は放熱板６の放熱面６ａに伝達さ
れ、さらに、沸騰熱伝達により冷媒貯留槽２内の冷媒１
０へと伝わる。そして、冷媒１０が蒸気となり、気化し
た冷媒１０は幅広の冷媒通路２１を通って放熱チューブ
３内を上昇し、放熱チューブ３内の上面空間１８および
その下部において凝縮して熱を伝えるとともに液化し、
波板状インナーフィン２０の細孔（内部隙間）２４を通
って冷媒貯留槽２に戻される。又、凝縮した冷媒１０の
一部は表面張力によりインナーフィン２０の下部におい
て液溜まり部１９を形成する。蒸気が冷媒通路２１を通
って上昇した際には、液溜まり部１９の液冷媒の一部は
押し出され冷媒貯留槽２に戻される。又、液溜まり部１
９は上下に振動しており、この振動に伴う強制対流伝達
により熱が放熱チューブ３の内壁面に伝えられる。
作用を説明する。ＩＧＢＴモジュール１のＩＧＢＴ素子
（パワー素子）７の熱は放熱板６の放熱面６ａに伝達さ
れ、さらに、沸騰熱伝達により冷媒貯留槽２内の冷媒１
０へと伝わる。そして、冷媒１０が蒸気となり、気化し
た冷媒１０は幅広の冷媒通路２１を通って放熱チューブ
３内を上昇し、放熱チューブ３内の上面空間１８および
その下部において凝縮して熱を伝えるとともに液化し、
波板状インナーフィン２０の細孔（内部隙間）２４を通
って冷媒貯留槽２に戻される。又、凝縮した冷媒１０の
一部は表面張力によりインナーフィン２０の下部におい
て液溜まり部１９を形成する。蒸気が冷媒通路２１を通
って上昇した際には、液溜まり部１９の液冷媒の一部は
押し出され冷媒貯留槽２に戻される。又、液溜まり部１
９は上下に振動しており、この振動に伴う強制対流伝達
により熱が放熱チューブ３の内壁面に伝えられる。
【００５１】ここで、第１実施例では冷媒貯留槽２から
上部空間１８に至る第１の冷媒通路が３つ（１５，１
６，１７）あり、そのために冷媒の流れも３つでき、上
部空間１８においてこれら３つの冷媒の流れの衝突が起
きる。しかし、本第２実施例では第１の冷媒通路が２つ
（２１，２９）あるが、通路２１は通路２９よりも断面
積が大きく流れの抵抗（通路抵抗）が小さい。よって、
気化した冷媒は主に通路２１を上昇する。この通路２１
を通して循環流が形成され、液流が円滑に帰還でき、最
大熱輸送量を大きくできる。
上部空間１８に至る第１の冷媒通路が３つ（１５，１
６，１７）あり、そのために冷媒の流れも３つでき、上
部空間１８においてこれら３つの冷媒の流れの衝突が起
きる。しかし、本第２実施例では第１の冷媒通路が２つ
（２１，２９）あるが、通路２１は通路２９よりも断面
積が大きく流れの抵抗（通路抵抗）が小さい。よって、
気化した冷媒は主に通路２１を上昇する。この通路２１
を通して循環流が形成され、液流が円滑に帰還でき、最
大熱輸送量を大きくできる。
【００５２】図１０には、ＩＧＢＴモジュール１の放熱
面６ａの温度が一定の場合の放熱面高さ方向における熱
流束分布を示す。つまり、図８に示すように、インナー
フィン２０の下面から放熱チューブ３の上面までの高さ
をＺo とし、インナーフィン２０の下面からの高さＺで
の位置をＺ／Ｚo として表したときの熱流束分布を示す
図である。実線は本第２実施例のインナーフィンを用い
た場合の分布を示し、破線は第１実施例のインナーフィ
ンを用いた場合の結果を示す。
面６ａの温度が一定の場合の放熱面高さ方向における熱
流束分布を示す。つまり、図８に示すように、インナー
フィン２０の下面から放熱チューブ３の上面までの高さ
をＺo とし、インナーフィン２０の下面からの高さＺで
の位置をＺ／Ｚo として表したときの熱流束分布を示す
図である。実線は本第２実施例のインナーフィンを用い
た場合の分布を示し、破線は第１実施例のインナーフィ
ンを用いた場合の結果を示す。
【００５３】この図１０から、放熱面上部（放熱チュー
ブ３の上部）と下部（放熱チューブ３の下部）におい
て、第１実施例に比べ本第２実施例の方が熱流束が大き
くなっているのが分かる。
ブ３の上部）と下部（放熱チューブ３の下部）におい
て、第１実施例に比べ本第２実施例の方が熱流束が大き
くなっているのが分かる。
【００５４】ここで、放熱面上部（放熱チューブ３の上
部）において、第１実施例に比べ本第２実施例の方が熱
流束が大きくなっているのは、第１実施例での構成では
冷媒貯留槽２から上部空間１８に至る冷媒通路が３つあ
り、上部空間１８において蒸気流の衝突が起きるが、本
第２実施例での構成ではこの冷媒通路が２つ（２１，２
９）あるが、通路断面積が大きく通路抵抗が小さな通路
２１を主に冷媒が通過し、蒸気流の衝突は発生しないの
で、円滑なる循環流が形成され、上昇蒸気量の増加に伴
い熱流束が増大している。
部）において、第１実施例に比べ本第２実施例の方が熱
流束が大きくなっているのは、第１実施例での構成では
冷媒貯留槽２から上部空間１８に至る冷媒通路が３つあ
り、上部空間１８において蒸気流の衝突が起きるが、本
第２実施例での構成ではこの冷媒通路が２つ（２１，２
９）あるが、通路断面積が大きく通路抵抗が小さな通路
２１を主に冷媒が通過し、蒸気流の衝突は発生しないの
で、円滑なる循環流が形成され、上昇蒸気量の増加に伴
い熱流束が増大している。
【００５５】一方、放熱面下部（放熱チューブ３の下
部）において、第１実施例に比べ本第２実施例の方が熱
流束が大きくなることを、図１１，１２，１３を用いて
説明する。
部）において、第１実施例に比べ本第２実施例の方が熱
流束が大きくなることを、図１１，１２，１３を用いて
説明する。
【００５６】図１１に、本実施例における液溜まり部１
９の液面変位の時間的変化を示す。図６に示した第１実
施例での液面変位の時間的変化では振幅が５ｍｍ程度で
あったが、図１１に示す本実施例では最大振幅が１５ｍ
ｍ程度となり、第１実施例に比べ本実施例の方が液溜ま
り部１９の液面は大きく振動し、大きな流動現象が生じ
ていることが分かる。
９の液面変位の時間的変化を示す。図６に示した第１実
施例での液面変位の時間的変化では振幅が５ｍｍ程度で
あったが、図１１に示す本実施例では最大振幅が１５ｍ
ｍ程度となり、第１実施例に比べ本実施例の方が液溜ま
り部１９の液面は大きく振動し、大きな流動現象が生じ
ていることが分かる。
【００５７】図１２には、第１実施例での構成における
放熱チューブ３内の下端部での圧力Ｐ１と放熱チューブ
３内の上端部での圧力Ｐ２の圧力変動を示す（図２参
照）。図１３には、第２実施例での構成における放熱チ
ューブ３内の下端部での圧力Ｐ１と放熱チューブ３内の
上端部での圧力Ｐ２の圧力変動を示す（図８参照）。図
１２に示す第１実施例の構成では圧力変動は小さいが、
図１３に示す第２実施例の構成では大きな圧力変動が生
じ、さらに、τ１，τ２，τ３で示す位相差により交番
力が発生している。これは、気泡は幅広の冷媒通路２１
を抜けるが、気泡が冷媒通路２１を抜けた瞬間、放熱チ
ューブ上部の圧力が増大し、下部の圧力が減少すること
により液溜まり部１９に逆位相の力が作用し、放熱チュ
ーブ３内の上端部と下端部で圧力が大きく変動するもの
と推測される。その結果、図１１に示したように、液溜
まり部１９の液面は大きく振動することとなる。
放熱チューブ３内の下端部での圧力Ｐ１と放熱チューブ
３内の上端部での圧力Ｐ２の圧力変動を示す（図２参
照）。図１３には、第２実施例での構成における放熱チ
ューブ３内の下端部での圧力Ｐ１と放熱チューブ３内の
上端部での圧力Ｐ２の圧力変動を示す（図８参照）。図
１２に示す第１実施例の構成では圧力変動は小さいが、
図１３に示す第２実施例の構成では大きな圧力変動が生
じ、さらに、τ１，τ２，τ３で示す位相差により交番
力が発生している。これは、気泡は幅広の冷媒通路２１
を抜けるが、気泡が冷媒通路２１を抜けた瞬間、放熱チ
ューブ上部の圧力が増大し、下部の圧力が減少すること
により液溜まり部１９に逆位相の力が作用し、放熱チュ
ーブ３内の上端部と下端部で圧力が大きく変動するもの
と推測される。その結果、図１１に示したように、液溜
まり部１９の液面は大きく振動することとなる。
【００５８】これらのことから、図１０において放熱面
下部の熱流束が大きいのは、液溜まり部１９において第
１実施例よりも本実施例の方が大きな振動が発生してお
り、振動に伴う対流（振動流）が促進されたことによ
る。
下部の熱流束が大きいのは、液溜まり部１９において第
１実施例よりも本実施例の方が大きな振動が発生してお
り、振動に伴う対流（振動流）が促進されたことによ
る。
【００５９】このように、放熱面下部（放熱チューブ３
の下部）において、液溜まり部１９を大きく上下に振動
させることによって温度境界層の発達が抑制され、効果
的に放熱が行われる。このようにして、外力を用いずに
自励的に振動を増大でき熱伝達率を向上できる。
の下部）において、液溜まり部１９を大きく上下に振動
させることによって温度境界層の発達が抑制され、効果
的に放熱が行われる。このようにして、外力を用いずに
自励的に振動を増大でき熱伝達率を向上できる。
【００６０】このように本実施例では、インナーフィン
２０による冷媒貯留槽２から上部空間１８に至る冷媒通
路２１，２９が２つ形成され、そのうちの１つの通路２
１が他の通路２９よりも、断面積が大きくて通路抵抗が
小さくなっている。よって、この通路２１を主に冷媒が
通っていく（冷媒通路２１を通して気化した冷媒が上部
空間１８に導かれる）。よって、インナーフィン２０に
よる均等なる冷媒通路が複数ある場合には上部空間１８
において冷媒流の衝突が起きるが、主たる冷媒通路が１
つだけなので冷媒流が衝突することなく円滑な冷媒流が
形成され、上昇蒸気流の増加に伴い熱流束が増加して放
熱性が向上する。さらに、液溜まり部１９を大きく振動
させることによって強制対流に伴う熱伝達率を向上でき
る。 （第３実施例）次に、第３実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
２０による冷媒貯留槽２から上部空間１８に至る冷媒通
路２１，２９が２つ形成され、そのうちの１つの通路２
１が他の通路２９よりも、断面積が大きくて通路抵抗が
小さくなっている。よって、この通路２１を主に冷媒が
通っていく（冷媒通路２１を通して気化した冷媒が上部
空間１８に導かれる）。よって、インナーフィン２０に
よる均等なる冷媒通路が複数ある場合には上部空間１８
において冷媒流の衝突が起きるが、主たる冷媒通路が１
つだけなので冷媒流が衝突することなく円滑な冷媒流が
形成され、上昇蒸気流の増加に伴い熱流束が増加して放
熱性が向上する。さらに、液溜まり部１９を大きく振動
させることによって強制対流に伴う熱伝達率を向上でき
る。 （第３実施例）次に、第３実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００６１】本実施例では、図１４，１５に示すよう
に、放熱チューブ３内に補強材２２を設けている。つま
り、放熱チューブ３に対してインナーフィン２０をロウ
付けにより接合することになるが、その際、放熱チュー
ブ３を加圧した状態でロウ付けを行うため、放熱チュー
ブ３の反りを防ぐために、内部に補強材２２を入れてい
る。この場合、インナーフィン２０を分割した状態にて
設置することになるが、図１４のように冷媒通路２１を
形成することにより第２実施例と同様に蒸気流と帰還液
流の循環流を形成でき効果的に放熱を行うことができ
る。 （第４実施例）次に、第４実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
に、放熱チューブ３内に補強材２２を設けている。つま
り、放熱チューブ３に対してインナーフィン２０をロウ
付けにより接合することになるが、その際、放熱チュー
ブ３を加圧した状態でロウ付けを行うため、放熱チュー
ブ３の反りを防ぐために、内部に補強材２２を入れてい
る。この場合、インナーフィン２０を分割した状態にて
設置することになるが、図１４のように冷媒通路２１を
形成することにより第２実施例と同様に蒸気流と帰還液
流の循環流を形成でき効果的に放熱を行うことができ
る。 （第４実施例）次に、第４実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００６２】本実施例では、図１６に示すように、イン
ナーフィン２０には、冷媒通路２１における冷媒貯留槽
２側開口部を冷媒貯留槽２側ほど幅広にすべく段差部２
５を設けている。このように、インナーフィン２０によ
る冷媒通路２１を、その冷媒貯留槽２側の開口部が冷媒
貯留槽２側ほど幅広になるようにしているので、この部
分により冷媒貯留槽２内で気化し上昇してくる冷媒がよ
り多く集められ冷媒通路２１へと案内される。よって、
気化した冷媒が円滑に冷媒通路２１に導かれ、蒸気流と
帰還液流の循環流が形成されやすくなり、放熱性能はさ
らに向上する。
ナーフィン２０には、冷媒通路２１における冷媒貯留槽
２側開口部を冷媒貯留槽２側ほど幅広にすべく段差部２
５を設けている。このように、インナーフィン２０によ
る冷媒通路２１を、その冷媒貯留槽２側の開口部が冷媒
貯留槽２側ほど幅広になるようにしているので、この部
分により冷媒貯留槽２内で気化し上昇してくる冷媒がよ
り多く集められ冷媒通路２１へと案内される。よって、
気化した冷媒が円滑に冷媒通路２１に導かれ、蒸気流と
帰還液流の循環流が形成されやすくなり、放熱性能はさ
らに向上する。
【００６３】尚、本実施例の応用として、図１７に示す
ように、補強材２２を入れた場合に具体化してもよい。 （第５実施例）次に、第５実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
ように、補強材２２を入れた場合に具体化してもよい。 （第５実施例）次に、第５実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００６４】本実施例では、図１８に示すように、イン
ナーフィン２０には、冷媒通路２１における冷媒貯留槽
２側開口部を冷媒貯留槽２側ほど幅広にすべく斜状部２
６を設けている。このように、インナーフィン２０によ
る冷媒通路２１を、その冷媒貯留槽２側の開口部が冷媒
貯留槽２側ほど連続的に幅広になるようにしているの
で、この部分により冷媒貯留槽２内で気化し上昇してく
る冷媒がより多く集められ冷媒通路２１へと案内され
る。よって、気化した冷媒が円滑に冷媒通路２１に導か
れ、蒸気流と帰還液流の循環流が形成されやすくなり、
放熱性能はさらに向上する。
ナーフィン２０には、冷媒通路２１における冷媒貯留槽
２側開口部を冷媒貯留槽２側ほど幅広にすべく斜状部２
６を設けている。このように、インナーフィン２０によ
る冷媒通路２１を、その冷媒貯留槽２側の開口部が冷媒
貯留槽２側ほど連続的に幅広になるようにしているの
で、この部分により冷媒貯留槽２内で気化し上昇してく
る冷媒がより多く集められ冷媒通路２１へと案内され
る。よって、気化した冷媒が円滑に冷媒通路２１に導か
れ、蒸気流と帰還液流の循環流が形成されやすくなり、
放熱性能はさらに向上する。
【００６５】尚、本実施例の応用として、図１９に示す
ように、補強材２２を入れた場合に具体化してもよい。 （第６実施例）次に、第６実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
ように、補強材２２を入れた場合に具体化してもよい。 （第６実施例）次に、第６実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００６６】図２０は、第２実施例の図８に対応する図
であり、図２１は図２０のＥ−Ｅ断面図である。幅広の
ピッチを持つ不等ピッチインナーフィン２３が放熱チュ
ーブ３の内面に設けられ、端部にピッチの大きな部分
（ピッチ；Ｐａ）が形成され、この部分が冷媒通路２７
（第１の冷媒通路）となっている。この場合も、蒸気は
幅広ピッチ部分（２７）を上昇し、蒸気流と帰還液流が
循環流を形成し、さらに液溜まり部１９が大きく振動す
ることにより効果的に放熱を行うことができる。 （第７実施例）次に、第７実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
であり、図２１は図２０のＥ−Ｅ断面図である。幅広の
ピッチを持つ不等ピッチインナーフィン２３が放熱チュ
ーブ３の内面に設けられ、端部にピッチの大きな部分
（ピッチ；Ｐａ）が形成され、この部分が冷媒通路２７
（第１の冷媒通路）となっている。この場合も、蒸気は
幅広ピッチ部分（２７）を上昇し、蒸気流と帰還液流が
循環流を形成し、さらに液溜まり部１９が大きく振動す
ることにより効果的に放熱を行うことができる。 （第７実施例）次に、第７実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００６７】本実施例を図２２に示す。本実施例では、
放熱チューブ３内の端部の隙間２９は、インナーフィン
２０の細孔２４の一本当たりの通路断面よりは広いが、
冷媒通路２１の断面よりは狭く液溜まり部１９を形成す
る。従って、第２実施例においては、第１の冷媒通路は
通路２１の１つのみで第２の冷媒通路２は細孔２４と隙
間２９である。そのために冷媒の流れも１つのみであり
上部空間１８において冷媒流の衝突は発生しない。よっ
て、さらに、円滑なる循環流が形成され、液流が円滑に
帰還でき最大熱輸送量をさらに大きくすることができ
る。
放熱チューブ３内の端部の隙間２９は、インナーフィン
２０の細孔２４の一本当たりの通路断面よりは広いが、
冷媒通路２１の断面よりは狭く液溜まり部１９を形成す
る。従って、第２実施例においては、第１の冷媒通路は
通路２１の１つのみで第２の冷媒通路２は細孔２４と隙
間２９である。そのために冷媒の流れも１つのみであり
上部空間１８において冷媒流の衝突は発生しない。よっ
て、さらに、円滑なる循環流が形成され、液流が円滑に
帰還でき最大熱輸送量をさらに大きくすることができ
る。
【００６８】このように本実施例では、インナーフィン
２０による冷媒貯留槽２から上部空間１８に至る冷媒通
路２１が１つだけ形成され、この冷媒通路２１を通して
気化した冷媒が上部空間１８に導かれる。よって、イン
ナーフィン２０による冷媒通路が複数ある場合には上部
空間１８において冷媒流の衝突が起きるが、冷媒通路が
１つだけなので冷媒流が衝突することなく円滑な冷媒流
が形成され、上昇蒸気流の増加に伴い熱流束が増加して
放熱性が向上する。さらに、液溜まり部１９を大きく振
動させることによって強制対流に伴う熱伝達率を向上で
きる。
２０による冷媒貯留槽２から上部空間１８に至る冷媒通
路２１が１つだけ形成され、この冷媒通路２１を通して
気化した冷媒が上部空間１８に導かれる。よって、イン
ナーフィン２０による冷媒通路が複数ある場合には上部
空間１８において冷媒流の衝突が起きるが、冷媒通路が
１つだけなので冷媒流が衝突することなく円滑な冷媒流
が形成され、上昇蒸気流の増加に伴い熱流束が増加して
放熱性が向上する。さらに、液溜まり部１９を大きく振
動させることによって強制対流に伴う熱伝達率を向上で
きる。
【００６９】尚、本実施例の応用として、冷媒貯留槽２
から上部空間１８に至る冷媒通路２１が１つだけ形成さ
れている場合において、第４実施例のように段差部２５
を設けたり、第５実施例のように斜状部２６を設けても
よい。 （第８実施例）次に、第８実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
から上部空間１８に至る冷媒通路２１が１つだけ形成さ
れている場合において、第４実施例のように段差部２５
を設けたり、第５実施例のように斜状部２６を設けても
よい。 （第８実施例）次に、第８実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００７０】図２３は、本実施例における放熱チューブ
３を示しており、第２実施例における図９に対応するも
のである。本装置では、放熱チューブ３内に波板状イン
ナフィン３０が設けられているとともに、冷媒通路２１
（第１の冷媒通路）と波板状インナフィン３０とを仕切
るための仕切り板３１が設けられている。波板状インナ
フィン３０は放熱チューブ３内において放熱チューブ３
の平行部３ａと平行になるように配置されている。その
結果、波板状フィン３０にて区画された細長孔３２にお
いては、その通路断面が、波板状インナーフィン３０の
ピッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距離）を
Ｐとし波板状インナーフィン３０の全長（山と谷との距
離）をＧとしたとき、縦がＰ／２で横がＧの略四角形状
をなし、その最狭部の幅はＰ／２である。そして、この
細長孔３２に液溜まり部１９が形成される。ここで、Ｐ
／２は、冷媒通路２１の通路断面における最狭部の幅ｄ
よりも小さくなっている。
３を示しており、第２実施例における図９に対応するも
のである。本装置では、放熱チューブ３内に波板状イン
ナフィン３０が設けられているとともに、冷媒通路２１
（第１の冷媒通路）と波板状インナフィン３０とを仕切
るための仕切り板３１が設けられている。波板状インナ
フィン３０は放熱チューブ３内において放熱チューブ３
の平行部３ａと平行になるように配置されている。その
結果、波板状フィン３０にて区画された細長孔３２にお
いては、その通路断面が、波板状インナーフィン３０の
ピッチ（山と山との距離、あるいは谷と谷との距離）を
Ｐとし波板状インナーフィン３０の全長（山と谷との距
離）をＧとしたとき、縦がＰ／２で横がＧの略四角形状
をなし、その最狭部の幅はＰ／２である。そして、この
細長孔３２に液溜まり部１９が形成される。ここで、Ｐ
／２は、冷媒通路２１の通路断面における最狭部の幅ｄ
よりも小さくなっている。
【００７１】このように本実施例では、第２の冷媒通路
としての細長孔３２の通路断面における最狭部の幅（Ｐ
／２）を、第１の冷媒通路２１の通路断面における最狭
部の幅（ｄ）よりも狭くしたので、細長孔３２に液溜ま
り部１９を形成しやすいものとなる。
としての細長孔３２の通路断面における最狭部の幅（Ｐ
／２）を、第１の冷媒通路２１の通路断面における最狭
部の幅（ｄ）よりも狭くしたので、細長孔３２に液溜ま
り部１９を形成しやすいものとなる。
【００７２】尚、本実施例の応用として、第１の冷媒通
路を複数とするとともに、第２の冷媒通路としての細長
孔３２を複数形成し、かつ、この各細長孔３２は第１の
冷媒通路のいずれの通路よりも各々の通路断面における
最狭部の幅が狭いものとしてもよい。この場合、各第２
の冷媒通路が第１の冷媒通路のいずれの通路よりも各々
の通路断面における最狭部の幅（Ｐ／２）が狭いので、
液溜まり部１９が形成されやすい。
路を複数とするとともに、第２の冷媒通路としての細長
孔３２を複数形成し、かつ、この各細長孔３２は第１の
冷媒通路のいずれの通路よりも各々の通路断面における
最狭部の幅が狭いものとしてもよい。この場合、各第２
の冷媒通路が第１の冷媒通路のいずれの通路よりも各々
の通路断面における最狭部の幅（Ｐ／２）が狭いので、
液溜まり部１９が形成されやすい。
【００７３】又、本実施例の他の応用として、上記本実
施例の構成に加え、第４実施例のように段差部２５を設
けたり、第５実施例のように斜状部２６を設けてもよ
い。尚、この発明は上記各実施例に限定されるものでは
なく、例えば、インナーフィン１４，２０，２３の代わ
りに、波板状フィンを積層した状態で放熱チューブ３内
に配置してもよい。この場合にも、放熱チューブ３の延
設方向に延びる細孔が形成される。
施例の構成に加え、第４実施例のように段差部２５を設
けたり、第５実施例のように斜状部２６を設けてもよ
い。尚、この発明は上記各実施例に限定されるものでは
なく、例えば、インナーフィン１４，２０，２３の代わ
りに、波板状フィンを積層した状態で放熱チューブ３内
に配置してもよい。この場合にも、放熱チューブ３の延
設方向に延びる細孔が形成される。
【００７４】又、波板状のインナーフィン１４，２０，
２３の代わりに、ハニカム状よりなり、熱伝導性に優れ
た材料を放熱チューブ３内に配置してもよい。この場合
にも、放熱チューブ３の延設方向に延びる細孔が形成さ
れる。
２３の代わりに、ハニカム状よりなり、熱伝導性に優れ
た材料を放熱チューブ３内に配置してもよい。この場合
にも、放熱チューブ３の延設方向に延びる細孔が形成さ
れる。
【００７５】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１，２，３，
４，５，６，７，８，９，１０に記載の発明によれば、
液流が円滑に帰還でき最大熱輸送量を大きくすることが
できる優れた効果を発揮する。
４，５，６，７，８，９，１０に記載の発明によれば、
液流が円滑に帰還でき最大熱輸送量を大きくすることが
できる優れた効果を発揮する。
【００７６】請求項１０に記載の発明によれば、請求項
１乃至９のいずれか１項に記載の発明の効果に加え、円
滑に気化した冷媒を冷媒通路に導くことができる。請求
項１１に記載の発明によれば、請求項１乃至９のいずれ
か１項に記載の発明の効果に加え、より円滑に気化した
冷媒を冷媒通路に導くことができる。
１乃至９のいずれか１項に記載の発明の効果に加え、円
滑に気化した冷媒を冷媒通路に導くことができる。請求
項１１に記載の発明によれば、請求項１乃至９のいずれ
か１項に記載の発明の効果に加え、より円滑に気化した
冷媒を冷媒通路に導くことができる。
【図１】第１実施例の沸騰冷却装置を示し、（ａ）は正
面図であり、（ｂ）は側面図である。
面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図２】図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】放熱チューブと放熱フィンの斜視図である。
【図５】第１実施例の沸騰冷却装置の作用を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図６】第１実施例の沸騰冷却装置における液溜まり部
の液面の時間的変位を示す説明図である。
の液面の時間的変位を示す説明図である。
【図７】第１実施例の沸騰冷却装置における熱伝達率の
時間的変化を示す説明図である。
時間的変化を示す説明図である。
【図８】第２実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ断面図である。
【図１０】放熱面高さ方向での熱流束を示す説明図であ
る。
る。
【図１１】第２実施例の沸騰冷却装置における液溜まり
部の液面の時間的変位を示す説明図である。
部の液面の時間的変位を示す説明図である。
【図１２】第１実施例の沸騰冷却装置における冷媒の圧
力の時間的変化を示す測定図である。
力の時間的変化を示す測定図である。
【図１３】第２実施例の沸騰冷却装置における冷媒の圧
力の時間的変化を示す測定図である。
力の時間的変化を示す測定図である。
【図１４】第３実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
【図１５】図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【図１６】第４実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
【図１７】第４実施例の応用例の沸騰冷却装置の断面図
である。
である。
【図１８】第５実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
【図１９】第５実施例の応用例の沸騰冷却装置の断面図
である。
である。
【図２０】第６実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
【図２１】図２０のＥ−Ｅ断面図である。
【図２２】第７実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
【図２３】第８実施例の沸騰冷却装置の断面図である。
２…冷媒貯留槽、３…放熱部としての放熱チューブ、７
…発熱体としてのＩＧＢＴ素子、１０…冷媒、１４…冷
媒通路形成部材としての波板状インナーフィン、１５…
冷媒通路、１６…冷媒通路、１７…冷媒通路、１８…上
部空間、１９…液溜まり部、２１…冷媒通路、２４…細
孔、２５…段差部、２６…斜状部
…発熱体としてのＩＧＢＴ素子、１０…冷媒、１４…冷
媒通路形成部材としての波板状インナーフィン、１５…
冷媒通路、１６…冷媒通路、１７…冷媒通路、１８…上
部空間、１９…液溜まり部、２１…冷媒通路、２４…細
孔、２５…段差部、２６…斜状部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 数馬 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 電気回路等で用いられ、駆動に伴い熱を
発生する発熱体と、 前記発熱体の発する熱を吸収してその熱により気化する
冷媒が貯留された冷媒貯留槽と、 筒状をなし、その一端が前記冷媒貯留槽に連通するとと
もに他端が閉塞され、前記気化して上昇してくる冷媒を
冷却液化して前記冷媒貯留槽に戻す放熱部と、 前記放熱部内に配置され、前記放熱部の上部の空間であ
る上部空間、前記冷媒貯留槽からの冷媒を前記上部空間
に導く第１の冷媒通路、前記上部空間の冷媒を前記冷媒
貯留槽に戻すとともにその途中に液化した冷媒により液
溜まり部が形成される第２の冷媒通路を、それぞれ区画
形成する冷媒通路形成部材とを備えたこと特徴とする沸
騰冷却装置。 - 【請求項２】 前記第２の冷媒通路は、前記第１の冷媒
通路よりも断面積が小さいものである請求項１に記載の
沸騰冷却装置。 - 【請求項３】 前記第２の冷媒通路は、前記第１の冷媒
通路よりも通路断面における最狭部の幅が狭いものであ
る請求項１に記載の沸騰冷却装置。 - 【請求項４】 前記第１の冷媒通路は複数あり、前記第
２の冷媒通路は複数あり、かつ、前記第１の冷媒通路の
いずれの通路よりも各々の通路断面積が小さいものであ
る請求項１に記載の沸騰冷却装置。 - 【請求項５】 前記第１の冷媒通路は複数あり、前記第
２の冷媒通路は複数あり、かつ、前記第１の冷媒通路の
いずれの通路よりも各々の通路断面における最狭部の幅
が狭いものである請求項１に記載の沸騰冷却装置。 - 【請求項６】 前記第１の冷媒通路は複数あり、そのう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、通路抵抗が
小さいものである請求項１に記載の沸騰冷却装置。 - 【請求項７】 前記第１の冷媒通路は複数あり、そのう
ちの１つの通路が他のいずれの通路よりも、断面積が大
きいものである請求項１に記載の沸騰冷却装置。 - 【請求項８】 前記第１の冷媒通路は１つだけ形成され
ている請求項１に記載の沸騰冷却装置。 - 【請求項９】 前記冷媒通路形成部材は波板状フィンよ
りなる請求項１乃至８のいずれか１項に記載の沸騰冷却
装置。 - 【請求項１０】 前記冷媒通路形成部材による第１の冷
媒通路は、その冷媒貯留槽側の開口部が冷媒貯留槽側ほ
ど幅広になっている請求項１乃至９のいずれか１項に記
載の沸騰冷却装置。 - 【請求項１１】 前記冷媒通路形成部材による第１の冷
媒通路は、その冷媒貯留槽側の開口部が冷媒貯留槽側ほ
ど連続的に幅広になっている請求項１乃至９のいずれか
１項に記載の沸騰冷却装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21293394A JP3451737B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 沸騰冷却装置 |
| US08/807,649 US5871043A (en) | 1994-09-06 | 1997-02-27 | Cooling apparatus using boiling and condensing refrigerant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21293394A JP3451737B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 沸騰冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878588A true JPH0878588A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3451737B2 JP3451737B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=16630702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21293394A Expired - Fee Related JP3451737B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 沸騰冷却装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5871043A (ja) |
| JP (1) | JP3451737B2 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3451737B2 (ja) | 2003-09-29 |
| US5871043A (en) | 1999-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |