JPH0877600A - Optical information recording medium - Google Patents
Optical information recording mediumInfo
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- JPH0877600A JPH0877600A JP6234409A JP23440994A JPH0877600A JP H0877600 A JPH0877600 A JP H0877600A JP 6234409 A JP6234409 A JP 6234409A JP 23440994 A JP23440994 A JP 23440994A JP H0877600 A JPH0877600 A JP H0877600A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線等の光学的
手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録又は再生する
光学的情報記録部材に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording member for recording or reproducing information at high speed and high density by using optical means such as a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レーザ光線を利用して情報の再生又は記
録を高密度で行う技術は、主に光ディスクとして実用化
されている。光学的情報記録部材である光ディスクは再
生専用型、追記型、書き換え型に大別することができ
る。再生専用型はコンパクトディスクやレーザディスク
として、また追記型や書き換え型は文書ファイル、デー
タファイル等として実用化されている。書き換え型光デ
ィスクには主に光磁気ディスクと相変化型ディスクがあ
る。2. Description of the Related Art A technique for reproducing or recording information at a high density by using a laser beam is mainly put into practical use as an optical disc. Optical disks, which are optical information recording members, can be roughly classified into a read-only type, a write-once type, and a rewritable type. The read-only type has been put into practical use as a compact disc or a laser disc, and the write-once type and rewritable type have been put into practical use as document files, data files and the like. Rewritable optical disks mainly include magneto-optical disks and phase change disks.
【０００３】相変化型光ディスクは記録層がレーザ光線
の照射によってアモルファスと結晶間（あるいは結晶と
更に異なる構造の結晶間）で可逆的に状態変化を起こす
ことを利用したものである。レーザ光線の照射により薄
膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくとも何れか一
つが変化するよう記録を行う。この薄膜部分で透過光あ
るいは反射光の振幅が変化するので、検出系に至る透過
光量あるいは反射光量を検出して信号を再生する。アモ
ルファスと結晶間で状態変化を起こす材料としては、例
えばＴｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用いられて
いる。The phase change type optical disk utilizes the fact that the recording layer undergoes a reversible state change between an amorphous state and a crystalline state (or a crystalline state having a structure different from that of the crystalline state) upon irradiation with a laser beam. Recording is performed so that at least one of the refractive index and the extinction coefficient of the thin film changes due to the irradiation of the laser beam. Since the amplitude of transmitted light or reflected light changes in this thin film portion, the amount of transmitted light or reflected light reaching the detection system is detected to reproduce the signal. Alloys such as Te, Se, In, and Sb are mainly used as materials that cause a state change between amorphous and crystalline.
【０００４】相変化型光ディスクでは、記録マークの書
き換えに１ビームオーバーライトを用いることができ
る。１ビームオーバーライトとは、記録信号によりレー
ザパワーを記録レベルと消去レベルの間で変調して、レ
ーザ光線を信号トラック上に照射することにより、既に
記録されている古い信号を消去しながら新しい信号を記
録する方法である。記録レベルで照射された領域は、元
の状態がアモルファスか結晶かに係わらず溶融後冷却さ
れるためアモルファスとなる。消去レベルで照射された
領域は結晶化温度以上に昇温するため、元の状態に係わ
らず結晶化して、新しい信号がオーバーライトされる。In the phase change type optical disc, one beam overwrite can be used for rewriting the recording mark. The one-beam overwrite is a new signal that erases an already recorded old signal by irradiating a laser beam on a signal track by modulating laser power between a recording level and an erasing level by a recording signal. Is a method of recording. The area irradiated at the recording level becomes amorphous because it is cooled after melting regardless of whether the original state is amorphous or crystalline. Since the area irradiated at the erase level rises above the crystallization temperature, it is crystallized regardless of the original state and a new signal is overwritten.
【０００５】ところで、光ディスクの記録再生装置では
光ディスクの回転方式は大別して２つの方式がある。デ
ィスクの内外周で線速度が同じになるようにディスクを
回転させる方法をＣＬＶと呼び、ディスクを一定の角速
度で回転させる方法をＣＡＶと呼ぶ。例えば、コンピュ
ータ用の外部メモリ等に用いられるデータファイルのよ
うに、高速なアクセスが必要とされる場合には、ディス
クの回転数を変えるには時間がかかるためＣＡＶが使用
される。この場合、ディスクの周方向の線速度は外周で
速く、内周で遅くなる。By the way, in the optical disk recording / reproducing apparatus, the optical disk rotation methods are roughly classified into two methods. The method of rotating the disk so that the linear velocity is the same on the inner and outer circumferences of the disk is called CLV, and the method of rotating the disk at a constant angular velocity is called CAV. For example, when a high speed access is required, such as a data file used for an external memory for a computer, it takes time to change the number of rotations of the disk, so CAV is used. In this case, the linear velocity in the circumferential direction of the disc is high at the outer circumference and slow at the inner circumference.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】光ディスクの記録再生
装置で、半導体レーザによりレーザ光線を照射して記録
層に物理的状態変化を生じさせる場合、例えば書き換え
可能な相変化材料を用いた光ディスクにおいて良好な記
録再生特性を得るには、アモルファスの記録マークを安
定して形成することと、充分な消去率を実現することが
不可欠である。しかしながら、ＣＡＶモードでは線速度
の大きい外周では消去率の低下が起こる。また逆に線速
度の小さい内周では、十分な大きさの記録マークが形成
できなかったり、又は記録のマーク歪が生じる場合があ
った。これは外周ほどレーザ光線のスポットがトラック
上の一点を通過する時間が短くなり、記録層の結晶化が
不充分となり消し残りを生じるからである。また逆に内
周ほどレーザ光線の通過時間が長くなり、ここで溶融さ
れた領域は冷却速度が小さくなり、記録層が再結晶化し
てしまい、充分にアモルファス化されないからである。
上記のような消し残りやマーク歪等は、共に再生波形の
歪やノイズになって再生ジッタの原因になる。DISCLOSURE OF THE INVENTION In an optical disk recording / reproducing apparatus, when a semiconductor laser emits a laser beam to cause a physical state change in a recording layer, for example, an optical disk using a rewritable phase change material is suitable. In order to obtain excellent recording / reproducing characteristics, it is indispensable to form amorphous recording marks stably and to realize a sufficient erasing rate. However, in the CAV mode, the erasing rate decreases at the outer periphery where the linear velocity is high. On the contrary, in the inner circumference where the linear velocity is low, a recording mark having a sufficient size may not be formed, or recording mark distortion may occur. This is because the time for the spot of the laser beam to pass through one point on the track becomes shorter toward the outer circumference, and the crystallization of the recording layer becomes insufficient, resulting in unerased residue. On the contrary, the inner circumference has a longer transit time of the laser beam, and the region melted here has a lower cooling rate, so that the recording layer is recrystallized and is not sufficiently amorphized.
The unerased portion, mark distortion, etc. as described above both become distortion or noise of the reproduced waveform and cause reproduction jitter.
【０００７】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、相変化型の光ディスクをＣＡＶ
モードで記録及び再生して使用するとき、光ディスクの
内外周にかかわらず全面においてアモルファスの記録マ
ークを安定して形成し、かつ充分な消去率を実現するこ
とができる光学的情報記録部材を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of the above conventional problems, and a phase change type optical disk is a CAV.
Provided is an optical information recording member capable of stably forming an amorphous recording mark on the entire surface regardless of the inner and outer circumferences of an optical disc and realizing a sufficient erasing rate when used for recording and reproducing in a mode. The purpose is to
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、レーザ光線の照射によって相状態が変化し、且つレ
ーザ光線の照射により光学的に該相状態の検出が可能と
なる記録層を薄膜層の一部として基板上に設けたディス
ク状の光学的情報記録部材であって、薄膜層は、ディス
クの同心円状に分割された複数のゾーンによってその薄
膜構成が異なることを特徴とするものである。According to the invention of claim 1 of the present application, a recording layer whose phase state is changed by irradiation of a laser beam and which can be optically detected by irradiation of a laser beam is provided. A disk-shaped optical information recording member provided on a substrate as part of a thin film layer, characterized in that the thin film layer has a different thin film structure depending on a plurality of concentrically divided zones of the disk. Is.
【０００９】本願の請求項２の発明は、レーザ光線の照
射によって相状態が変化し、且つレーザ光線の照射によ
り光学的に該相状態の検出が可能となる記録層と、記録
層の両面に形成された第１の誘電体層及び第２の誘電体
層と、記録層と第１及び第２の誘電体層とを一体に保持
するディスク状の基板と、を具備する光学的情報記録部
材であって、記録層は、レーザ光線の照射によってアモ
ルファス相と結晶相間で可逆的に相変化を起こす相変化
記録材料からなり、且つディスクの同心円状に分割され
た複数のゾーンによって相変化記録材料の組成が異なる
ことを特徴とするものである。According to the invention of claim 2 of the present application, the phase state is changed by the irradiation of the laser beam, and the phase state can be optically detected by the irradiation of the laser beam. An optical information recording member including the formed first dielectric layer and second dielectric layer, and a disk-shaped substrate that integrally holds the recording layer and the first and second dielectric layers. The recording layer is made of a phase change recording material that reversibly undergoes a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase upon irradiation with a laser beam, and the phase change recording material is composed of a plurality of concentrically divided zones of the disk. Are different in composition.
【００１０】本願の請求項１２の発明は、レーザ光線の
照射によってアモルファス相と結晶相間で可逆的に相変
化を起こす相変化記録材料からなり、且つレーザ光線の
照射により光学的に該相状態の検出が可能となる記録層
と、記録層の上面及び下面に夫々形成された第２の誘電
体層及び第１の誘電体層と、第２の誘電体層の上面に形
成され、レーザ光線を反射する反射層と、記録層、第１
及び第２の誘電体層、反射層を保持するディスク状の基
板と、を具備する光学的情報記録部材であって、反射層
は、ディスクの同心円状に分割された複数のゾーンによ
って膜厚が異なり、外周ゾーンほど膜厚が薄いことを特
徴とするものである。The invention of claim 12 of the present application comprises a phase change recording material which reversibly changes phase between an amorphous phase and a crystalline phase upon irradiation with a laser beam, and which is optically in this phase state upon irradiation with a laser beam. A recording layer that can be detected, a second dielectric layer and a first dielectric layer formed on the upper and lower surfaces of the recording layer, and a laser beam formed on the upper surface of the second dielectric layer. A reflective layer for reflecting and a recording layer, the first
And a second dielectric layer, a disk-shaped substrate holding the reflective layer, wherein the reflective layer has a film thickness of a plurality of concentric zones of the disk. Differently, the outer peripheral zone is characterized by having a smaller film thickness.
【００１１】本願の請求項１４の発明は、レーザ光線の
照射によってアモルファス相と結晶相間で可逆的に相変
化を起こす相変化記録材料からなり、且つレーザ光線の
照射により光学的に該相状態の検出が可能となる記録層
と、記録層の上面及び下面に夫々形成された第２の誘電
体層及び第１の誘電体層と、第２の誘電体層の上面に形
成され、レーザ光線を反射する反射層と、記録層、第１
及び第２の誘電体層、反射層を保持するディスク状の基
板と、を具備する光学的情報記録部材であって、第２の
誘電体層は、ディスクの同心円状に分割された複数のゾ
ーンによって膜厚が異なり、外周ゾーンほど膜厚が厚い
ことを特徴とするものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, the invention comprises a phase change recording material that reversibly changes phase between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiation with a laser beam, and the phase state recording material is optically changed by irradiation with a laser beam. A recording layer that can be detected, a second dielectric layer and a first dielectric layer formed on the upper and lower surfaces of the recording layer, and a laser beam formed on the upper surface of the second dielectric layer. A reflective layer for reflecting and a recording layer, the first
And a second dielectric layer, and a disk-shaped substrate holding the reflective layer, wherein the second dielectric layer is a plurality of concentrically divided zones of the disk. The film thickness is different depending on the type, and the film thickness is larger in the outer peripheral zone.
【００１２】本願の請求項１５の発明は、レーザ光線の
照射によってアモルファス相と結晶相間で可逆的に相変
化を起こす相変化記録材料からなり、且つレーザ光線の
照射により光学的に該相状態の検出が可能となる記録層
と、記録層の上面及び下面に夫々形成された第１の誘電
体層及び第２の誘電体層と、第２の誘電体層の上面に形
成され、レーザ光線を反射する反射層と、記録層、第１
及び第２の誘電体層、反射層を保持するディスク状の基
板と、を具備する光学的情報記録部材であって、記録層
は、ディスクの同心円状に分割された複数のゾーンによ
って膜厚が異なり、外周ゾーンほど膜厚が厚いことを特
徴とするものである。According to a fifteenth aspect of the present invention, the invention comprises a phase-change recording material that reversibly changes phase between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiation with a laser beam, and the phase state of the phase state is changed optically by irradiation with a laser beam. A recording layer that can be detected, a first dielectric layer and a second dielectric layer formed on the upper and lower surfaces of the recording layer, and a laser beam formed on the upper surface of the second dielectric layer. A reflective layer for reflecting and a recording layer, the first
And a second dielectric layer, and a disk-shaped substrate holding the reflective layer, wherein the recording layer has a film thickness of a plurality of concentric zones of the disk. Differently, the outer peripheral zone is characterized by having a larger film thickness.
【００１３】本願の請求項１６の発明は、レーザ光線の
照射によって相状態が変化し、且つレーザ光線の照射に
より光学的に該相状態の検出が可能となる記録層を薄膜
層の一部として基板上に設けた光学的情報記録部材であ
って、薄膜層は、ディスクの同心円状に分割された内周
ゾーンと外周ゾーンとによってその薄膜構成が異なるこ
とを特徴とするものである。According to a sixteenth aspect of the present invention, a recording layer whose phase state is changed by irradiation with a laser beam and which can be optically detected by irradiation with a laser beam is used as a part of the thin film layer. An optical information recording member provided on a substrate, characterized in that the thin film layer has a different thin film structure depending on an inner peripheral zone and an outer peripheral zone divided into concentric circles of the disc.
【００１４】[0014]
【作用】このような特徴を有する本発明によれば、ディ
スクを同心円状に複数のゾーンに分割し、ゾーンにより
相変化を起こすための条件を変えている。具体的には （１）記録層の組成比を変えることにより結晶化速度を
外周ほど大きくすると、夫々のゾーンの結晶化速度が線
速度に適したものとなり、内外周における消去率をほぼ
同等にできる。このためディスク全面に渡って良好なア
モルファスマークが記録される。 （２）内周ゾーンより外周ゾーンで反射層の膜厚を薄く
すると、同一パワーのレーザ光線の照射に対して、記録
層の冷却速度が最適化される。このためディスク全面に
渡って良好なアモルファスマークが記録される。 （３）内周ゾーンより外周ゾーンで記録層と反射層の間
の誘電体層の膜厚を厚くくすると、同一パワーのレーザ
光線の照射に対して、誘電体層と接する記録層の冷却速
度が最適化される。このためディスク全面に渡って良好
なアモルファスマークが記録される。 （４）内周ゾーンより外周ゾーンで記録層の膜厚を厚く
すると、同一パワーのレーザ光線の照射に対して記録層
の冷却速度が最適化される。このためディスク全面に渡
って良好なアモルファスマークが記録される。 以上の各項のいずれか１つを採用することにより、ディ
スクの内周から外周までマーク歪の少ない記録ができる
こととなる。According to the present invention having such characteristics, the disk is concentrically divided into a plurality of zones, and the conditions for causing a phase change are changed depending on the zones. Specifically, (1) When the crystallization rate is increased toward the outer periphery by changing the composition ratio of the recording layer, the crystallization rate in each zone becomes suitable for the linear velocity, and the erasing rate at the inner and outer periphery becomes almost equal. it can. Therefore, a good amorphous mark is recorded over the entire surface of the disc. (2) When the thickness of the reflective layer is made thinner in the outer peripheral zone than in the inner peripheral zone, the cooling rate of the recording layer is optimized for the irradiation of the laser beam of the same power. Therefore, a good amorphous mark is recorded over the entire surface of the disc. (3) When the film thickness of the dielectric layer between the recording layer and the reflective layer is made thicker in the outer zone than in the inner zone, the cooling rate of the recording layer in contact with the dielectric layer against irradiation of a laser beam of the same power is increased. Is optimized. Therefore, a good amorphous mark is recorded over the entire surface of the disc. (4) When the thickness of the recording layer is made thicker in the outer peripheral zone than in the inner peripheral zone, the cooling rate of the recording layer is optimized for the irradiation of the laser beam of the same power. Therefore, a good amorphous mark is recorded over the entire surface of the disc. By adopting any one of the above items, it is possible to perform recording with little mark distortion from the inner circumference to the outer circumference of the disc.
【００１５】[0015]
【実施例】まず、図１を用いて本発明における光学的情
報記録部材（以下、光ディスクという）の基本構造につ
いて説明する。本図において相変化型の光ディスク１０
は、基板１１、第１の誘電体層１２、記録層１３、第２
の誘電体層１４、反射層１５、保護層１６を含んで構成
される。この内、誘電体層１２，１４、記録層１３、反
射層１５は真空蒸着又はスパッタリングなどの方法で透
明な基板上に形成される。また反射層１５の上に密着し
た透明な保護層１６を設ける。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the basic structure of an optical information recording member (hereinafter referred to as an optical disk) in the present invention will be described with reference to FIG. In the figure, the phase change type optical disk 10 is shown.
Is the substrate 11, the first dielectric layer 12, the recording layer 13, the second
The dielectric layer 14, the reflective layer 15, and the protective layer 16 are included. Of these, the dielectric layers 12, 14, the recording layer 13, and the reflective layer 15 are formed on a transparent substrate by a method such as vacuum deposition or sputtering. Further, a transparent protective layer 16 which is in close contact with the reflective layer 15 is provided.
【００１６】つぎに図１において、光ディスク１０の半
径方向に沿って同心円状に分割し、内側を内周ゾーン１
７と呼び、外側を外周ゾーン１８と呼ぶ。ここでは光デ
ィスク１０を２ゾーン構造としたが、ゾーンが３つ以上
の場合の光ディスクも作成できる。また、反射層１５や
保護層１６のない構造の光ディスクもある。記録及び再
生用のレーザ光線は基板１１の下側から入射される。Next, referring to FIG. 1, the optical disc 10 is divided into concentric circles along the radial direction, and the inner side of the inner zone 1
7 and the outside is called the outer peripheral zone 18. Although the optical disc 10 has a two-zone structure here, an optical disc having three or more zones can also be produced. Also, there is an optical disc having a structure without the reflection layer 15 and the protection layer 16. The laser beam for recording and reproduction is incident from the lower side of the substrate 11.
【００１７】基板１１の材質として、ガラス、石英、ポ
リカーボネート、又はポリメチルメタクリレートが使用
できる。また基板１１は平滑な平板でもよく、表面にト
ラッキングガイド用の凸凹の溝があってもよい。保護層
１６として、樹脂を溶剤に溶かして塗布及び乾燥したも
のや、樹脂板を接着剤で接着したもの等が使用できる。As a material for the substrate 11, glass, quartz, polycarbonate, or polymethylmethacrylate can be used. In addition, the substrate 11 may be a flat flat plate, and may have an uneven groove for a tracking guide on the surface. As the protective layer 16, a resin dissolved in a solvent and applied and dried, or a resin plate bonded with an adhesive can be used.
【００１８】さて記録層１３に用いる記録層材料として
は、アモルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合
金がよく知られている。例えばＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴ
ｅ系、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅＰｄ系、Ｔｅ
ＧｅＳｎＡｕ系、ＡｇＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧａＳ
ｂ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、Ｉｎ
ＳｂＳｅ系、ＩｎＳｂＴｅＡｇ系等が使える。As a recording layer material used for the recording layer 13, a chalcogen alloy which changes phase between amorphous and crystalline is well known. For example, SbTe system, GeSbT
e system, GeSbTeSe system, GeSbTePd system, Te
GeSnAu system, AgSbTe system, GeTe system, GaS
b type, InSe type, InSb type, InSbTe type, In
SbSe type, InSbTeAg type, etc. can be used.
【００１９】記録層材料としてＧｅＳｂＴｅを用いる場
合、特にｘＧｅＴｅ＋（１−ｘ）Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋ｙＳｂ
（０＜ｘ≦１、ｙ≧０）を満たす組成のものが、書き
換え相変化型の光ディスクの材料として適している。こ
のことに関しては、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス ２６（１９８７年）第６１
頁から第６６頁（Japanese Journal of Applied Physic
s, Vol.26 (1987) 61-66）に開示されている。When GeSbTe is used as the recording layer material, especially xGeTe + (1-x) Sb 2 Te 3 + ySb
A composition having a composition satisfying (0 <x ≦ 1, y ≧ 0) is suitable as a material for a rewritable phase change type optical disc. In this regard, the Japanese Journal of
Applied Physics 26 (1987) No. 61
Pages 66 to 66 (Japanese Journal of Applied Physic
s, Vol. 26 (1987) 61-66).
【００２０】つぎに誘電体層１２、１４としては、Ｓｉ
Ｏ2 、ＳｉＯ、ＴｉＯ2 、ＭｇＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2
Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等あるいはこれら
の混合物が使える。Next, as the dielectric layers 12 and 14, Si is used.
O 2 , SiO, TiO 2 , MgO, Ta 2 O 5 , Al 2
O 3 , GeO 2 , Si 3 N 4 , BN, AlN, SiC,
ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, etc. or a mixture thereof can be used.
【００２１】反射層１５としては、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料ある
いはこれらの混合物、さらには所定の波長における反射
率の大きな誘電体多層膜等が使える。The reflective layer 15 includes Au, Al, Cu,
A material containing a metal material such as Cr, Ni, or Ti as a main component or a mixture thereof, and a dielectric multilayer film having a large reflectance at a predetermined wavelength can be used.
【００２２】ここで本発明の最大の特徴は、光ディスク
内外周のゾーンにおいて薄膜構成を異にしていることで
ある。例えば内周より外周ゾーン１８において結晶化速
度を速くすることである。ＣＡＶモードで光ディスクを
回転させた場合、線速度の大きい外周では消去率の低下
が起こり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさの記
録マークが形成できないか、又はマーク歪が生じる場合
があり、何れの場合も再生ジッタの原因となっていた。Here, the greatest feature of the present invention is that the thin film structure is different in the inner and outer zones of the optical disk. For example, increasing the crystallization rate in the outer zone 18 than in the inner zone. When the optical disc is rotated in the CAV mode, the erasing rate decreases at the outer periphery having a high linear velocity, and conversely, a sufficiently large recording mark cannot be formed at the inner periphery having a low linear velocity, or mark distortion occurs. However, in any case, it was a cause of reproduction jitter.
【００２３】しかし、記録層の結晶化速度を外周ほど大
きくすることにより、内外周における消去率をほぼ同等
にできる。結晶化速度を変化させるには、ＧｅＳｂＴｅ
系の記録層においては、Ｓｂ量を変化させるか又はさら
に第４の元素を添加することにより可能である。例え
ば、ｘＧｅＴｅ＋（１−ｘ）Ｓｂ2 Ｔｅ3 （０＜ｘ≦
１）で表される組成に、さらにＳｂを添加すれば結晶化
速度は遅くなる。However, by increasing the crystallization rate of the recording layer toward the outer circumference, the erasing rates at the inner and outer circumferences can be made substantially equal. To change the crystallization rate, GeSbTe
In the recording layer of the system, it is possible by changing the Sb amount or further adding the fourth element. For example, xGeTe + (1-x) Sb 2 Te 3 (0 <x ≦
If Sb is further added to the composition represented by 1), the crystallization rate becomes slow.
【００２４】ＧｅＳｂＴｅの３元系に、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃ
ｏ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｎｉ
を添加しても結晶化速度は遅くできる。さらには、反射
層の厚膜化、記録層の薄膜化および反射層側の誘電体層
の薄膜化は、記録層の冷却速度を高めることができ、結
果として内周において良好なアモルファスマークが形成
でき、ジッタが小さくできる。Ge, SbTe ternary system, Ag, Cu, C
o, Tl, Pd, Au, Bi, Se, Sn, Pt, Ni
The crystallization rate can be slowed down by adding. Furthermore, the thicker reflective layer, thinner recording layer, and thinner dielectric layer on the reflective layer side can increase the cooling rate of the recording layer, resulting in formation of good amorphous marks on the inner circumference. Yes, the jitter can be reduced.
【００２５】また、一つの記録マークを形成するための
記録波形を、複数のゾーンで使い分ける方法がある。即
ちゾーン毎に記録用のレーザ光線の波形を、内周ゾーン
より外周ゾーンで「後続の短パルス巾／先頭パルス巾」
が大きくなるようマルチパルス波形にする。そのマルチ
パルス波形をゾーンに応じて切り換えることで、ゾーン
に応じてマルチパルス波形を最適化し、内周から外周ま
でマーク歪の少ない記録を行うこともできる。There is also a method of selectively using a recording waveform for forming one recording mark in a plurality of zones. That is, the waveform of the recording laser beam for each zone is changed from the inner zone to the outer zone by "subsequent short pulse width / leading pulse width".
Use a multi-pulse waveform so that becomes larger. By switching the multi-pulse waveform depending on the zone, it is possible to optimize the multi-pulse waveform according to the zone and perform recording with little mark distortion from the inner circumference to the outer circumference.
【００２６】ＣＡＶモードの場合、光ディスクの最内周
部と最外周部での線速度比が約２〜４の値になる。一
方、一つの薄膜構成では約２倍の線速度比に対応可能で
あり、最低２ゾーンに光ディスクを分割することで、約
４倍の線速度比に対応可能となる。また、光ディスクの
半径方向に連続的に薄膜構成を変化させることにより、
線速度差に対応することも考えられるが、この方法では
膜厚や記録層組成の再現性に問題がある。従って本発明
のように光ディスクを２ゾーンに分割する方法は、実現
性も高く再現性もよい。In the CAV mode, the linear velocity ratio between the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion of the optical disk has a value of about 2-4. On the other hand, one thin film structure can handle a linear velocity ratio of about 2 times, and by dividing the optical disc into at least two zones, a linear velocity ratio of about 4 times can be handled. In addition, by continuously changing the thin film structure in the radial direction of the optical disc,
It may be possible to cope with the difference in linear velocity, but this method has a problem in reproducibility of the film thickness and the composition of the recording layer. Therefore, the method of dividing the optical disc into two zones as in the present invention has high feasibility and good reproducibility.
【００２７】以下、具体的な実施例をもって本発明の光
ディスクを詳細に説明する。 （実施例１）本発明の第１実施例における光ディスクの
構造を図２に示す。本図の断面図に示すように第１実施
例の光ディスク１０Ａはその記録層１３が内周の記録層
１３ａと外周の記録層１３ｂとに分割されている。まず
光ディスク１０Ａの各層の成膜プロセスについて説明す
る。図３及び図４は光ディスク１０Ａの成膜プロセスに
用いられる基板とスパッタ用マスクの関係図である。The optical disc of the present invention will be described in detail below with reference to specific examples. (Embodiment 1) FIG. 2 shows the structure of the optical disc in the first embodiment of the present invention. As shown in the sectional view of this figure, the recording layer 13 of the optical disc 10A of the first embodiment is divided into an inner recording layer 13a and an outer recording layer 13b. First, the film forming process of each layer of the optical disc 10A will be described. 3 and 4 are relationship diagrams of the substrate and the sputtering mask used in the film forming process of the optical disk 10A.
【００２８】さて記録層１３の組成を内周ゾーン１７と
外周ゾーン１８で変えるべく、光ディスク１０Ａの基板
１１としてφ１３０ｍｍのポリカーボネート製の信号記
録用トラックを持つ基板を用いた。図２に示すように光
ディスク１０Ａにおいて、半径２２ｍｍ以上４０ｍｍ未
満の部分を内周ゾーン１７、半径４０ｍｍ以上５８ｍｍ
以下の部分を外周ゾーン１８とした。基板１１の上面に
第１の誘電体層１２として、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜を
厚さ１３００Åにスパッタリングにより形成した。In order to change the composition of the recording layer 13 between the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18, a substrate having a signal recording track made of polycarbonate having a diameter of 130 mm was used as the substrate 11 of the optical disk 10A. As shown in FIG. 2, in the optical disc 10A, a portion having a radius of 22 mm or more and less than 40 mm is an inner peripheral zone 17, and a radius of 40 mm or more and 58 mm.
The following portion was designated as the outer peripheral zone 18. A ZnS—SiO 2 mixed film was formed on the upper surface of the substrate 11 as the first dielectric layer 12 by sputtering to a thickness of 1300 Å.
【００２９】次に、内周ゾーン１７の記録層１３ａのみ
を２５０Åの膜厚となるよう、図３に示すような内周部
分のみ穴の開いた内周部スパッタ用マスク２１を用い、
基板１１を回転させながらターゲット２２をスパッタリ
ングすることにより成膜を行った。つぎに図４に示すよ
うに外周部分のみ穴の開いている外周部スパッタ用マス
ク３１を用いて異なる組成の混合材料をターゲット４２
にし、基板１１を回転させながらスパッタリングにより
２５０Åの記録層１３ｂを形成した。そして第２の誘電
体層１４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 の混合膜を厚さ２００
Å、反射層１５としてＡｌ膜を１５００Åにスパッタリ
ングにより形成した。そしてその上にポリカーボネート
の保護層１６を設けた。Next, an inner peripheral portion sputtering mask 21 having holes only in the inner peripheral portion as shown in FIG. 3 is used so that only the recording layer 13a in the inner peripheral zone 17 has a film thickness of 250Å.
A film was formed by sputtering the target 22 while rotating the substrate 11. Next, as shown in FIG. 4, a target material 42 having a mixture of different compositions is formed by using an outer peripheral sputtering mask 31 having holes only in the outer peripheral portion.
Then, the recording layer 13b of 250 Å was formed by sputtering while rotating the substrate 11. Then, a ZnS—SiO 2 mixed film having a thickness of 200 is used as the second dielectric layer 14.
Å, an Al film was formed as the reflection layer 15 at 1500 Å by sputtering. Then, a polycarbonate protective layer 16 was provided thereon.
【００３０】なお、光ディスクの内外周で記録層１３の
組成を変化させる方法としては、上記の方法の他に、図
５に示すような内周部をマスクする領域と、外周部をマ
スクする領域を設けた一枚のマスク４１を用い、異なっ
た組成の記録層をターゲット２２とターゲット４２の同
時スパッタにより成膜することも可能である。なお、マ
スク形状としては、内周ゾーン１７及び外周ゾーン１８
において膜厚が均一にできるものであれば他の形状とし
てもよい。また、誘電体層１２，１４、記録層１３、反
射層１５の膜厚を、内周ゾーン１７及び外周ゾーン１８
で変えた光ディスクを作製する場合には、図３の内周部
スパッタ用マスク２１、又は図４の外周部スパッタ用マ
スク３１を用いてスパッタリングを行い、膜厚を所定の
値になるよう制御すればよい。なお、内外周で膜厚を変
えた光ディスクの作成方法としては、図６に示すような
内外周で穴の開いている部分の面積が異なる内外周膜厚
制御用マスク５１を用いることもできる。As a method of changing the composition of the recording layer 13 on the inner and outer circumferences of the optical disk, in addition to the above-mentioned method, an inner masking area and an outer masking area as shown in FIG. It is also possible to form recording layers of different compositions by co-sputtering the target 22 and the target 42 by using one mask 41 provided with. As the mask shape, the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18
Other shapes may be used as long as the film thickness can be made uniform. In addition, the film thicknesses of the dielectric layers 12 and 14, the recording layer 13, and the reflective layer 15 are set to the inner zone 17 and the outer zone 18.
When manufacturing an optical disc changed with step 1, sputtering is performed using the inner peripheral portion sputtering mask 21 in FIG. 3 or the outer peripheral portion sputtering mask 31 in FIG. 4 to control the film thickness to a predetermined value. Good. As a method of producing an optical disc in which the film thickness is changed on the inner and outer circumferences, it is also possible to use an inner and outer circumference film thickness control mask 51, as shown in FIG.
【００３１】上記の光ディスク１０Ａの評価について
は、レーザ光線の波長が７８０ｎｍ、記録装置の記録再
生に用いる光学ヘッドの対物レンズのＮＡを０．５５、
光ディスクの回転数を１０００ｒｐｍとして、ＥＦＭ信
号の最短マーク長が常に０．９０μｍとなるようにクロ
ックＴを制御することにより記録及び再生を行なった。
ここでも１ビームオーバーライトにより１００回記録
し、ＥＦＭ信号における３Ｔ再生信号のゼロクロス点の
ジッタ値を測定する。ここでいうジッタとは、３Ｔ再生
信号のパルス幅（ウインドウ幅）をＴｗ、その時間変動
幅をσ（標準偏差）とし、σ／Ｔｗ（％）の値で定義す
る。In the evaluation of the above optical disk 10A, the wavelength of the laser beam is 780 nm, the NA of the objective lens of the optical head used for recording / reproducing of the recording apparatus is 0.55,
Recording and reproduction were performed by controlling the clock T so that the shortest mark length of the EFM signal is always 0.90 μm with the number of revolutions of the optical disk being 1000 rpm.
Here again, recording is performed 100 times by one-beam overwrite, and the jitter value at the zero cross point of the 3T reproduction signal in the EFM signal is measured. The jitter here is defined as a value of σ / Tw (%), where Tw is the pulse width (window width) of the 3T reproduction signal and σ (standard deviation) is its time variation width.
【００３２】このように定義したジッタを光ディスクの
半径２３、３０、３７、４３、５０、５７ｍｍの各位置
で測定した。前述した半径における夫々の線速度は、内
周側から約 2.4、3.1 、3.9 、4.5 、5.2 、6.0 ｍ／ｓ
である。全ての光ディスクについて内周ゾーン１７及び
外周ゾーン１８で、記録マーク長が０．９μｍとなるよ
う単一周波数で記録したとき、Ｃ／Ｎ値が飽和する記録
パワーと、記録マークを消去した場合に消去率が−２０
ｄＢを越えるパワーマージンの中央値のパワーを設定し
た。The jitter thus defined was measured at each position of radius 23, 30, 37, 43, 50, 57 mm of the optical disk. The respective linear velocities in the radius mentioned above are about 2.4, 3.1, 3.9, 4.5, 5.2, 6.0 m / s from the inner circumference side.
Is. When recording at a single frequency so that the recording mark length is 0.9 μm in the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18 of all optical disks, the recording power at which the C / N value is saturated and the recording mark is erased Erasure rate is -20
The median power of the power margin exceeding dB was set.
【００３３】図７は本実施例で用いた具体的な記録波形
の説明図である。図７（ａ）は光ディスクでよく用いら
れるＥＦＭ信号の入力波形の一例である。図７（ｂ）は
（ａ）の入力波形を記録する場合の半導体レーザを駆動
するマルチパルス記録波形Ａである。短パルス列中の先
頭パルスの幅は１．５Ｔ、後続パルスの幅及びその間隔
は何れも０．５Ｔである。図７（ｃ）は短パルス列中の
先頭パルス幅を１．５Ｔ、後続パルス幅を０．７５Ｔと
広くした記録波形Ｂである。第１実施例〜第５実施例の
光ディスクについては、図７（ｂ）に示すマルチパルス
記録波形Ａを用いた。FIG. 7 is an illustration of a specific recording waveform used in this embodiment. FIG. 7A is an example of an input waveform of an EFM signal that is often used in optical discs. FIG. 7B shows a multi-pulse recording waveform A for driving the semiconductor laser when the input waveform of FIG. 7A is recorded. The width of the leading pulse in the short pulse train is 1.5T, and the width of the subsequent pulse and its interval are 0.5T. FIG. 7C shows a recording waveform B in which the leading pulse width and the trailing pulse width in the short pulse train are widened to 1.5T and 0.75T, respectively. For the optical discs of the first to fifth examples, the multi-pulse recording waveform A shown in FIG. 7B was used.
【００３４】光ディスクの内外周ゾーンで記録層１３の
組成を変えた場合の記録マークのジッタ特性の一例を表
１に示す。表１は図中の番号で示す光ディスク（１）〜
（４）の特性を示すもので、光ディスク（４）は、内周
ゾーンと外周ゾーンとで記録層１３の組成を変えた光デ
ィスクである。また光ディスク（１）〜（３）は、内周
ゾーンと外周ゾーンの記録層１３を同一の組成で構成し
たリファレンスディスクである。各光ディスクの夫々の
列の値は、夫々の半径に記録された記録マークのジッタ
値である。Table 1 shows an example of the jitter characteristics of the recording marks when the composition of the recording layer 13 is changed in the inner and outer zones of the optical disk. Table 1 shows optical disks (1) to 1 indicated by numbers in the figure.
The optical disk (4) shows the characteristics of (4), and the composition of the recording layer 13 is changed between the inner peripheral zone and the outer peripheral zone. Further, the optical discs (1) to (3) are reference discs in which the recording layers 13 of the inner and outer zones have the same composition. The value of each column of each optical disk is the jitter value of the recording mark recorded in each radius.
【表１】 [Table 1]
【００３５】表１に示すように、光ディスク（４）の記
録層１３の組成は、外周ゾーン１８でＧｅ22.2Ｓｂ22.2
Ｔｅ55.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）とした。また
内周ゾーン１７でＧｅ21.1Ｓｂ26.3Ｔｅ52.6；（２Ｇｅ
Ｔｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋０．５Ｓｂ）とした。As shown in Table 1, the composition of the recording layer 13 of the optical disc (4) is such that Ge 22.2 Sb 22.2
Te 55.6 ; (2GeTe + Sb 2 Te 3 ). In the inner zone 17, Ge 21.1 Sb 26.3 Te 52.6 ; (2Ge
Te + Sb 2 Te 3 + 0.5Sb).
【００３６】また、リファレンスディスクとして内周ゾ
ーンから外周ゾーンまで記録層１３の組成を一定とし、
１ゾーンのみからなる光ディスク（１）〜（３）の３枚
を作成した。具体的には、光ディスク（１）では、記録
層１３の組成はＧｅ22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ52.6；（２ＧｅＴ
ｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）とし、光ディスク（２）では、Ｇｅ
21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋
０．２５Ｓｂ）とし、光ディスク（３）では、Ｇｅ21.1
Ｓｂ26.3Ｔｅ52.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋０．
５Ｓｂ）とした。As a reference disc, the composition of the recording layer 13 is constant from the inner zone to the outer zone,
Three optical discs (1) to (3) each including only one zone were prepared. Specifically, in the optical disc (1), the composition of the recording layer 13 is Ge 22.2 Sb 22.2 Te 52.6 ; (2GeT
e + Sb 2 Te 3 ) and the optical disc (2) is Ge
21.6 Sb 24.3 Te 54.1 ; (2GeTe + Sb 2 Te 3 +
0.25 Sb) and the optical disc (3) has Ge 21.1
Sb 26.3 Te 52.6 ; (2GeTe + Sb 2 Te 3 +0.
5Sb).
【００３７】上記４枚の光ディスクの第１の誘電体層１
２、第２の誘電体層１４、反射層１５等における材料、
膜厚、作成条件、及び記録層１３の膜厚、作成条件は互
いに同じである。さて、表１のデータに示すように光デ
ィスク（１）の場合、この記録層の組成では結晶化速度
は速く、外周部の線速度での記録・消去に適している。
また良好な記録マークが形成されており、ジッタも小さ
い値となっている。しかし、最内周部では線速度が遅す
ぎるため、記録マークが再結晶化し、充分にアモルファ
ス化されず、記録マーク歪み及びジッタ値が増加する。First dielectric layer 1 of the above four optical disks
2, the material of the second dielectric layer 14, the reflective layer 15, etc.,
The film thickness, the preparation conditions, the film thickness of the recording layer 13, and the preparation conditions are the same. Now, as shown in the data of Table 1, in the case of the optical disc (1), the composition of this recording layer has a high crystallization rate and is suitable for recording / erasing at the linear velocity of the outer peripheral portion.
Also, good recording marks are formed, and the jitter is a small value. However, since the linear velocity is too slow in the innermost peripheral portion, the recording mark is recrystallized and is not sufficiently amorphized, and the recording mark distortion and the jitter value increase.
【００３８】逆に光ディスク（３）では、記録層の組成
の結晶化速度が内周部でその線速度に適している。この
ため良好な記録マークが形成されており、ジッタ値も良
好である。しかし外周部では線速度が速すぎるため、オ
ーバーライト時に消し残りが発生し、ジッタが増加して
いる。On the contrary, in the optical disc (3), the crystallization rate of the composition of the recording layer is suitable for the linear velocity at the inner peripheral portion. Therefore, good recording marks are formed and the jitter value is also good. However, since the linear velocity is too high in the outer peripheral portion, the unerased portion is generated during overwriting, and the jitter increases.
【００３９】結晶化速度が光ディスク（１）と光ディス
ク（３）のほぼ中間である記録層を有する光ディスク
（２）の場合には、最内周部と最外周部では光ディスク
（３）、（１）と同様の現象が生じ、それが原因でジッ
タが増加する。すなわち、記録層１３の組成が単一の場
合、どんな組成を選んでもＣＡＶ回転では内周部から外
周部までの全領域では、良好なジッタ特性が得られなか
った。In the case of an optical disc (2) having a recording layer whose crystallization speed is approximately between that of the optical disc (1) and that of the optical disc (3), the optical discs (3), (1 The same phenomenon occurs as in (1), which causes an increase in jitter. That is, when the composition of the recording layer 13 is single, no matter what composition is selected, good jitter characteristics cannot be obtained in the entire area from the inner peripheral portion to the outer peripheral portion by CAV rotation.
【００４０】一方、光ディスク（４）では、内周ゾーン
と外周ゾーンの結晶化速度がその線速度に適しているた
め、良好な記録マークが形成されており、ジッタ値は光
ディスク全面に渡って小さくなっている。このように記
録層１３において、外周ゾーンほど結晶化速度が速い組
成にすることで、ＣＡＶの場合においても光ディスク全
面でジッタの小さい良好な記録が可能となることがわか
る。On the other hand, in the optical disc (4), since the crystallization speeds of the inner and outer zones are suitable for the linear velocity, good recording marks are formed, and the jitter value is small over the entire surface of the optical disk. Has become. As described above, it can be seen that by setting the composition in the recording layer 13 such that the crystallization rate is higher toward the outer peripheral zone, good recording with small jitter can be performed on the entire surface of the optical disc even in the case of CAV.
【００４１】なお、本実施例ではゾーンが２つの場合の
結果のみを示したが、ゾーンを３つ以上に分割し、夫々
の線速度に対応する結晶化速度の記録層を形成した場合
にも、ゾーンを２分割した場合と同様に光ディスクの全
面において良いジッタ値が得られた。なお、本実施例で
はｘＧｅＴｅ＋（１−ｘ）Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋ｙＳｂ （ｙ
≧０）においてｘ＝２／３の場合のみを示したが、ｘ＝
１／２を満たす記録層の組成についても、結晶化速度を
外周ゾーンほど速くしたものでは、光ディスク全面に渡
って良好なジッタ値が得られた。In this embodiment, only the result in the case of two zones is shown, but the zone is divided into three or more and the recording layer having the crystallization rate corresponding to each linear velocity is formed. , A good jitter value was obtained on the entire surface of the optical disk as in the case where the zone was divided into two. In this embodiment, xGeTe + (1-x) Sb 2 Te 3 + ySb (y
In the case of ≧ 0), only the case of x = 2/3 is shown.
Regarding the composition of the recording layer satisfying 1/2, a good jitter value was obtained over the entire surface of the optical disc when the crystallization speed was increased toward the outer peripheral zone.
【００４２】（実施例２）つぎに本発明の第２実施例に
おける光ディスクについて説明する。本実施例の光ディ
スク１０Ｂの断面構造は図２に示すものと同一である。
第１実施例と異なり本実施例の記録層１３は、ｘＧｅＴ
ｅ＋（１−ｘ）Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋ｙＡｇ（ｘ＝２／３、ｙ
≧０）の材料で形成される。表２は本実施例の光ディス
ク１０Ｂ（光ディスク（３））とリファレンスディスク
（１），（２）の特性を示すもので、記録層の組成をパ
ラメータにしている。表１と同様に光ディスクの内外周
ゾーンでの記録マークのジッタ特性を示している。(Embodiment 2) Next, an optical disk according to a second embodiment of the present invention will be described. The sectional structure of the optical disc 10B of this embodiment is the same as that shown in FIG.
Unlike the first embodiment, the recording layer 13 of this embodiment is xGeT.
e + (1-x) Sb 2 Te 3 + yAg (x = 2/3, y
≧ 0). Table 2 shows the characteristics of the optical disk 10B (optical disk (3)) and the reference disks (1) and (2) of this embodiment, and the composition of the recording layer is used as a parameter. Similar to Table 1, it shows the jitter characteristics of recording marks in the inner and outer zones of the optical disc.
【表２】 [Table 2]
【００４３】本実施例の光ディスクの作成方法は第１実
施例のものとと同じであり、その説明は省略する。本実
施例で製作した光ディスク（３）は、その記録層１３の
組成が外周ゾーン１８でＧe 22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ55.6；
（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）であり、内周ゾーン１７
でＧｅ21.1Ｓｂ21.1Ｔｅ52.6Ａｇ5.2 ；（２ＧｅＴｅ＋
Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋０．５Ａｇ）である。The method of producing the optical disk of this embodiment is the same as that of the first embodiment, and the explanation thereof is omitted. In the optical disc (3) manufactured in this example, the composition of the recording layer 13 was Ge 22.2 Sb 22.2 Te 55.6 in the outer peripheral zone 18.
(2GeTe + Sb 2 Te 3 ), the inner zone 17
Ge 21.1 Sb 21.1 Te 52.6 Ag 5.2 ; (2GeTe +
Sb 2 Te 3 + 0.5Ag).
【００４４】また、リファレンスディスクである光ディ
スク（１）として、内周ゾーンから外周ゾーンまでの記
録層１３の組成をＧe 22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ55.6；（２Ｇｅ
Ｔｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）として作成した。同じく光ディス
ク（２）として、内周ゾーンから外周ゾーンまでの記録
層１３の組成をＧｅ21.1Ｓｂ21.1Ｔｅ52.6Ａｇ5.2 ；
（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋０．５Ａｇ）として作成
した。As the optical disc (1) which is the reference disc, the composition of the recording layer 13 from the inner peripheral zone to the outer peripheral zone is Ge 22.2 Sb 22.2 Te 55.6 ; (2Ge
Te + Sb 2 Te 3 ). Similarly, as the optical disc (2), the composition of the recording layer 13 from the inner peripheral zone to the outer peripheral zone is Ge 21.1 Sb 21.1 Te 52.6 Ag 5.2 ;
It was created as (2GeTe + Sb 2 Te 3 + 0.5Ag).
【００４５】上記３枚の光ディスクの第１の誘電体層１
２、第２の誘電体層１４、反射層１５の各材料、膜厚、
作成条件、及び記録層１３の膜厚、作成条件は第１実施
例の光ディスク１０Ａと同じである。また夫々の光ディ
スクにおける測定半径を表１の値と同一に設定し、各ジ
ッタ値を測定した。表２のデータから判るように、光デ
ィスク（１）の場合、この記録層１３の組成は結晶化速
度が外周部での線速度に適しており、良好な記録マーク
が形成され、ジッタ値も小さい。しかし内周部では線速
度が遅いため、記録マークが歪んでしまい、ジッタが増
加する。First dielectric layer 1 of the above three optical disks
2, each material of the second dielectric layer 14 and the reflective layer 15, the film thickness,
The production conditions, the film thickness of the recording layer 13, and the production conditions are the same as those of the optical disc 10A of the first embodiment. Moreover, the measurement radius of each optical disk was set to be the same as the value in Table 1, and each jitter value was measured. As can be seen from the data in Table 2, in the case of the optical disc (1), the composition of the recording layer 13 has a crystallization rate suitable for the linear velocity at the outer peripheral portion, a good recording mark is formed, and the jitter value is small. . However, since the linear velocity is low in the inner peripheral portion, the recording mark is distorted and the jitter increases.
【００４６】一方、Ａｇを記録層１３に添加することに
より結晶化速度を遅くすることができる。このため光デ
ィスク（２）の内周部ではジッタ値の改善がみられる
が、外周部では逆に線速度が速すぎるため、オーバーラ
イト時に消し残りが発生し、ジッタが増加する。しか
し、本実施例の光ディスク（３）では、光ディスクの内
外周で各々の結晶化速度と線速度とが適しているため、
良好な記録マークが形成でき、ジッタ値は光ディスク全
面において良好なものとなっている。On the other hand, by adding Ag to the recording layer 13, the crystallization speed can be slowed down. Therefore, the jitter value is improved in the inner peripheral portion of the optical disk (2), but on the other hand, in the outer peripheral portion, the linear velocity is too fast, so that unerased residue occurs at the time of overwriting and the jitter increases. However, in the optical disc (3) of the present embodiment, the crystallization speed and the linear velocity are suitable at the inner and outer circumferences of the optical disc.
Good recording marks can be formed, and the jitter value is good over the entire surface of the optical disc.
【００４７】このように記録層１３として外周ゾーンほ
ど結晶化速度が速い組成にすることにより、ＣＡＶの場
合においても光ディスク全面でジッタの小さい良好な記
録・消去動作が可能となる。またＡｇ以外のＣｕ、Ｃ
ｏ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｎｉ
を、記録層１３の外周ゾーン１８ほど多く添加した場合
にも、本実施例と同様の結果が得られた。As described above, by making the composition of the recording layer 13 such that the crystallization rate is higher toward the outer peripheral zone, it is possible to perform good recording / erasing operation with small jitter over the entire surface of the optical disk even in the case of CAV. Cu and C other than Ag
o, Tl, Pd, Au, Bi, Se, Sn, Pt, Ni
The same results as in the present example were obtained even when a larger amount was added to the outer peripheral zone 18 of the recording layer 13.
【００４８】（実施例３）つぎに本発明の第３実施例に
おける光ディスクについて説明する。図８は第３実施例
の光ディスク１０Ｃの構造を示す断面図である。本図に
おいて光ディスク１０Ｃは、第１、第２実施例と同様に
基板１１、第１の誘電体層１２、記録層１３、第２の誘
電体層１４、反射層１５、保護層１６により構成されて
いるが、反射層１５の膜厚が内周ゾーン１７と外周ゾー
ン１８とで異なることが特徴である。(Embodiment 3) Next, an optical disk according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a sectional view showing the structure of the optical disc 10C of the third embodiment. In this figure, an optical disk 10C is composed of a substrate 11, a first dielectric layer 12, a recording layer 13, a second dielectric layer 14, a reflective layer 15, and a protective layer 16 as in the first and second embodiments. However, the film thickness of the reflective layer 15 is different between the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18.
【００４９】表３は光ディスク（１）〜（４）の特性を
示すもので、光ディスク（４）は、内周ゾーンと外周ゾ
ーンとで反射層１５の膜厚を変えた本実施例の光ディス
ク１０Ｃである。また光ディスク（１）〜（３）は、内
周ゾーンと外周ゾーンの反射層１５を同一の膜厚で構成
したリファレンスディスクである。各光ディスクのデー
タの表示方法は第１、第２実施例のものと同一である。Table 3 shows the characteristics of the optical discs (1) to (4). The optical disc (4) has an optical disc 10C of this embodiment in which the thickness of the reflective layer 15 is changed between the inner zone and the outer zone. Is. The optical discs (1) to (3) are reference discs in which the reflective layers 15 in the inner and outer zones have the same film thickness. The method of displaying the data on each optical disk is the same as in the first and second embodiments.
【表３】 [Table 3]
【００５０】光ディスク（１）〜（４）の記録層１３の
組成は内外周ゾーンともＧｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；
（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋０．２５Ｓｂ）とした。
光ディスク（４）では内周ゾーン１７での反射層１５ａ
の膜厚を２０００Åとし、外周ゾーン１８での反射層１
５ｂでの膜厚を１２５０Åとした。またリファレンスデ
ィスクとして、全周で反射膜厚が１２５０Å、１５００
Å、２０００Åとした光ディスク（１）、（２）、
（３）を夫々作成した。The composition of the recording layer 13 of the optical discs (1) to (4) is Ge 21.6 Sb 24.3 Te 54.1 in both the inner and outer zones.
(2GeTe + Sb 2 Te 3 + 0.25Sb).
In the optical disc (4), the reflection layer 15a in the inner peripheral zone 17
With a film thickness of 2000 Å, the reflective layer 1 in the outer peripheral zone 18
The film thickness at 5b was 1250Å. In addition, as a reference disc, the reflective film thickness is 1250Å, 1500 at the entire circumference.
Å, 2000 Å optical disks (1), (2),
(3) was created respectively.
【００５１】上記４枚の光ディスクの第１の誘電体層１
２、第２の誘電体層１４の材料、膜厚、作成条件、及び
記録層１３の膜厚、反射層の材料、作成条件は第１実施
例と同じである。表３のデータに示すように、光ディス
ク（２）では、最内周と最外周においてジッタの増加が
見られる。これは最内周では線速度が遅いために記録層
１３の冷却速度が小さく、記録層１３のメルト部分が再
結晶化してマークが歪むからである。逆に最外周では線
速度が速いために冷却速度が大きく、記録層１３が高温
に保たれる時間が短く、結晶化が不充分なことにより、
消去率が低下することが原因と考えられる。First dielectric layer 1 of the above four optical disks
2. The material and film thickness of the second dielectric layer 14, the forming conditions, the film thickness of the recording layer 13, the material of the reflective layer, and the forming conditions are the same as those in the first embodiment. As shown in the data of Table 3, in the optical disc (2), an increase in jitter is seen at the innermost circumference and the outermost circumference. This is because the cooling speed of the recording layer 13 is low at the innermost circumference because the linear velocity is low, and the melted portion of the recording layer 13 is recrystallized and the mark is distorted. On the contrary, at the outermost circumference, the linear velocity is high, so the cooling rate is high, the time for which the recording layer 13 is kept at high temperature is short, and the crystallization is insufficient.
It is thought that this is because the erase rate decreases.
【００５２】これに対して、反射層１５を薄くした光デ
ィスク（１）では、冷却速度が小さくなるため、最外周
のジッタは改善されるものの、最内周のジッタは大き
い。また逆に反射層１５を厚くした光ディスク（３）で
は、冷却速度が大きくなるため、最内周のジッタは改善
されるものの最外周のジッタは大きい。即ち、反射層１
５の膜厚が内周ゾーンと外周ゾーン１８とで同一の場
合、その厚さを適当に選んでも、ＣＡＶ回転では内周か
ら外周までの全領域で良好なジッタ特性は得られなかっ
た。On the other hand, in the optical disc (1) having a thin reflective layer 15, the cooling rate is small, so that the outermost jitter is improved, but the innermost jitter is large. On the contrary, in the optical disk (3) having the thick reflective layer 15, the cooling rate is increased, so that the jitter at the innermost circumference is improved, but the jitter at the outermost circumference is large. That is, the reflective layer 1
When the film thickness of 5 is the same in the inner peripheral zone and the outer peripheral zone 18, even if the thickness is properly selected, good jitter characteristics could not be obtained in the entire area from the inner periphery to the outer periphery by CAV rotation.
【００５３】一方、本実施例の光ディスク（４）の場
合、内外周夫々のゾーンで記録層１３の冷却速度が最適
になるような反射層１５を設けているため、良好なアモ
ルファスマークが形成されており、ジッタ値も小さくな
っている。このように、外周ゾーン１８ほど反射層１５
の膜厚を薄くすることで、ＣＡＶの場合においても光デ
ィスク全面でジッタの小さい良好な記録が可能となるこ
とがわかる。On the other hand, in the case of the optical disc (4) of the present embodiment, since the reflective layer 15 is provided so that the cooling rate of the recording layer 13 is optimized in each of the inner and outer zones, a good amorphous mark is formed. And the jitter value is also small. Thus, the outer peripheral zone 18 is closer to the reflective layer 15
It can be seen that, by reducing the film thickness of, even in the case of CAV, good recording with small jitter can be performed on the entire surface of the optical disc.
【００５４】（実施例４）つぎに本発明の第４実施例に
おける光ディスクについて説明する。図９は第４実施例
の光ディスク１０Ｄの構造を示す断面図である。本図に
おいて光ディスク１０Ｄは、第１〜第３実施例と同様に
基板１１、第１の誘電体層１２、記録層１３、第２の誘
電体層１４、反射層１５、保護層１６により構成されて
いるが、第２の誘電体層１４の膜厚が内周ゾーン１７と
外周ゾーン１８とで異なることが特徴である。(Fourth Embodiment) Next, an optical disk according to a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a sectional view showing the structure of the optical disc 10D of the fourth embodiment. In this figure, an optical disk 10D is composed of a substrate 11, a first dielectric layer 12, a recording layer 13, a second dielectric layer 14, a reflective layer 15, and a protective layer 16 as in the first to third embodiments. However, the film thickness of the second dielectric layer 14 is different between the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18.
【００５５】表４は光ディスク（１）〜（４）の特性を
示すもので、光ディスク（４）は、内周ゾーンと外周ゾ
ーンとで第２の誘電体層１４の膜厚を変えた本実施例の
光ディスク１０Ｄである。また光ディスク（１）〜
（３）は、内周ゾーンと外周ゾーンの第２の誘電体層１
４を同一の膜厚で構成したリファレンスディスクであ
る。各光ディスクのデータの表示方法は第１〜第３実施
例のものと同一である。Table 4 shows the characteristics of the optical discs (1) to (4). In the optical disc (4), the thickness of the second dielectric layer 14 was changed between the inner zone and the outer zone. It is an example optical disc 10D. In addition, optical disc (1)
(3) is the second dielectric layer 1 in the inner and outer zones
4 is a reference disk having the same film thickness. The method of displaying the data on each optical disk is the same as in the first to third embodiments.
【表４】 [Table 4]
【００５６】光ディスク（１）〜（４）の記録層１３の
組成は内外周ゾーンとも、Ｇｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；
（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋０．２５Ｓｂ）とした。
光ディスク（４）では内周ゾーン１７での第２の誘電体
層１４ａの膜厚を１７０Åとし、外周ゾーン１８での第
２の誘電体層１４ｂの膜厚を２３０Åとした。またリフ
ァレンスディスクとして内外周で第２の誘電体層１４の
膜厚が夫々２３０Å、２００Å、１７０Åとして光ディ
スク（１）、（２）、（３）を作成した。The composition of the recording layer 13 of the optical discs (1) to (4) is Ge 21.6 Sb 24.3 Te 54.1 in both the inner and outer zones.
(2GeTe + Sb 2 Te 3 + 0.25Sb).
In the optical disc (4), the film thickness of the second dielectric layer 14a in the inner peripheral zone 17 was 170Å, and the film thickness of the second dielectric layer 14b in the outer peripheral zone 18 was 230Å. Further, optical discs (1), (2), and (3) were prepared as reference discs in which the second dielectric layer 14 had film thicknesses of 230Å, 200Å, and 170Å on the inner and outer circumferences, respectively.
【００５７】上記４枚の光ディスクにおいて、第１の誘
電体層１２の材料、膜厚、作成条件、及び第２の誘電体
層１４の材料、記録層１３の膜厚、反射層１５の材料、
作成条件は、夫々第１実施例１のものと同一にした。表
４のデータに示すように、光ディスク（２）では、最内
周と最外周においてジッタの増加が見られる。これは最
内周では線速度が遅いために冷却速度が小さく、記録層
１３のメルト部分が再結晶化してマークが歪み、逆に最
外周では線速度が速いために冷却速度が大きく、記録層
１３が高温に保たれる時間が短いからであり、結晶化が
不充分なことにより、消去率が低下することが原因と考
えられる。In the above four optical disks, the material and film thickness of the first dielectric layer 12, the preparation conditions, the material of the second dielectric layer 14, the film thickness of the recording layer 13 and the material of the reflective layer 15,
The preparation conditions were the same as those of the first embodiment. As shown in the data in Table 4, in the optical disc (2), an increase in jitter is observed at the innermost circumference and the outermost circumference. This is because the linear velocity is slow at the innermost circumference, so that the cooling rate is low, the melt portion of the recording layer 13 is recrystallized and the mark is distorted, and conversely, the linear velocity is fast at the outermost circumference, so the cooling rate is high and the recording layer is This is because 13 is kept at a high temperature for a short time, and it is considered that the erasing rate is lowered due to insufficient crystallization.
【００５８】これに対して、第２の誘電体層１４を厚く
した光ディスク（１）では、冷却速度が小さくなるた
め、最外周のジッタは改善されるものの、最内周のジッ
タは大きい。逆に第２の誘電体層１４を薄くした光ディ
スク（３）では、冷却速度が大きくなるため、最内周の
ジッタは改善されるものの、最外周のジッタは大きい。
即ち第２の誘電体層１４の膜厚が内周ゾーン１７と外周
ゾーン１８とて同一の場合、その厚さを適当に選んで
も、ＣＡＶ回転では内周から外周までの全領域で良好な
ジッタ特性は得られなかった。On the other hand, in the optical disk (1) in which the second dielectric layer 14 is thick, the cooling rate is small, so that the outermost jitter is improved, but the innermost jitter is large. On the contrary, in the optical disc (3) in which the second dielectric layer 14 is thinned, the cooling rate is increased, so that the jitter at the innermost circumference is improved, but the jitter at the outermost circumference is large.
That is, in the case where the film thickness of the second dielectric layer 14 is the same in the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18, even if the thickness is properly selected, good jitter is obtained in the entire area from the inner periphery to the outer periphery in CAV rotation. No properties were obtained.
【００５９】一方、本実施例の光ディスク（４）の場
合、内外周それぞれのゾーンで記録層１３の冷却速度が
最適になるよう、第２の誘電体層１４の膜厚が設定され
ているため、良好なアモルファスマークが形成され、ジ
ッタ値も小さくなっている。このように、外周ゾーン１
８ほど第２の誘電体層１４の膜厚を厚くすることで、Ｃ
ＡＶの場合においても、光ディスクの全面でジッタの小
さい良好な記録が可能となることがわかる。On the other hand, in the case of the optical disc (4) of this embodiment, the film thickness of the second dielectric layer 14 is set so that the cooling rate of the recording layer 13 is optimized in each of the inner and outer zones. A good amorphous mark is formed and the jitter value is small. Thus, the outer zone 1
By increasing the thickness of the second dielectric layer 14 by about 8,
It can be seen that even in the case of AV, good recording with small jitter can be performed on the entire surface of the optical disc.
【００６０】（実施例５）つぎに本発明の第５実施例に
おける光ディスクについて説明する。図１０は第４実施
例の光ディスク１０Ｅの構造を示す断面図である。本図
において光ディスク１０Ｅは、第１〜第４実施例と同様
に基板１１、第１の誘電体層１２、記録層１３、第２の
誘電体層１４、反射層１５、保護層１６により構成され
ているが、記録層１３の膜厚が内周ゾーン１７と外周ゾ
ーン１８とで異なることが特徴である。(Fifth Embodiment) Next, an optical disk according to a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a sectional view showing the structure of the optical disc 10E of the fourth embodiment. In this figure, an optical disk 10E is composed of a substrate 11, a first dielectric layer 12, a recording layer 13, a second dielectric layer 14, a reflective layer 15, and a protective layer 16 as in the first to fourth embodiments. However, the film thickness of the recording layer 13 is different between the inner peripheral zone 17 and the outer peripheral zone 18.
【００６１】表５は光ディスク（１）〜（４）の特性を
示すもので、光ディスク（４）は、内周ゾーンと外周ゾ
ーンとで記録層１３の膜厚を変えた本実施例の光ディス
ク１０Ｅである。また光ディスク（１）〜（３）は、内
周ゾーンと外周ゾーンの第２の記録層１３を同一の膜厚
で構成したリファレンスディスクである。各光ディスク
のデータの表示方法は第１〜第４実施例のものと同一で
ある。Table 5 shows the characteristics of the optical disks (1) to (4). The optical disk (4) has an optical disk 10E of the present embodiment in which the film thickness of the recording layer 13 is changed between the inner peripheral zone and the outer peripheral zone. Is. The optical discs (1) to (3) are reference discs in which the second recording layer 13 in the inner peripheral zone and the outer peripheral zone are formed to have the same film thickness. The method of displaying data on each optical disk is the same as that of the first to fourth embodiments.
【表５】 [Table 5]
【００６２】表５のデータに示すように、光ディスク
（１）〜（４）の記録層１３の組成は内外周ゾーンと
も、Ｇｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2
Ｔｅ3 ＋０．２５Ｓｂ）とした。光ディスク（４）で
は、内周ゾーン１７での記録層１３ａの膜厚を２００Å
とし、外周ゾーン１８での記録層１３ｂの膜厚を３００
Åとした。リファレンスディスクとして、全周で記録膜
厚が夫々３００Å、２５０Å、２００Åとした光ディス
ク（１）、（２）、（３）を作成した。As shown in the data in Table 5, the composition of the recording layer 13 of the optical discs (1) to (4) is Ge 21.6 Sb 24.3 Te 54.1 ; (2GeTe + Sb 2
Te 3 +0.25 Sb). In the optical disc (4), the film thickness of the recording layer 13a in the inner circumferential zone 17 is 200Å
And the film thickness of the recording layer 13b in the outer peripheral zone 18 is 300
Å As reference discs, optical discs (1), (2) and (3) having recording film thicknesses of 300 Å, 250 Å and 200 Å all over the circumference were prepared.
【００６３】上記４枚の光ディスクの第１の誘電体層１
２と第２の誘電体層１４の材料、膜厚、作成条件、及び
反射層１５の材料、作成条件は、第１実施例ものと同じ
である。表５に示すように光ディスク（２）では、最内
周と最外周においてジッタの増加が見られる。これは最
内周では線速度が遅いために冷却速度が小さく、記録層
１３のメルト部分が再結晶化してマークが歪むからであ
る。逆に最外周では線速度が速いために冷却速度が大き
く、記録層１３が高温に保たれる時間が短く、結晶化が
不充分なことにより、消去率が低下することが原因と考
えられる。First dielectric layer 1 of the above four optical disks
The materials and thicknesses of the second and second dielectric layers 14 and the forming conditions, and the materials and forming conditions of the reflective layer 15 are the same as those in the first embodiment. As shown in Table 5, in the optical disc (2), an increase in jitter is seen at the innermost circumference and the outermost circumference. This is because the linear velocity is slow at the innermost circumference, so the cooling rate is small, and the melted portion of the recording layer 13 is recrystallized and the mark is distorted. On the contrary, it is considered that the cooling rate is high at the outermost circumference because the linear velocity is high, the time for which the recording layer 13 is kept at high temperature is short, and the crystallization is insufficient, so that the erasing rate is lowered.
【００６４】これに対して、記録層１３を厚くした光デ
ィスク（１）では、冷却速度が小さくなるため、最外周
のジッタは改善されるものの、最内周のジッタは大き
い。逆に記録層１３を薄くした光ディスク（３）では、
冷却速度が大きくなるため最内周のジッタは改善される
ものの、最外周のジッタは大きい。即ち記録層１３の膜
厚が同一の場合、その厚さを適当に選んでも、ＣＡＶ回
転では内周から外周までの全領域で良好なジッタ特性は
得られなかった。On the other hand, in the optical disc (1) having a thick recording layer 13, the cooling rate is small, so that the jitter at the outermost circumference is improved, but the jitter at the innermost circumference is large. On the contrary, in the optical disc (3) in which the recording layer 13 is thin,
Since the cooling rate is increased, the innermost jitter is improved, but the outermost jitter is large. That is, when the thickness of the recording layer 13 is the same, even if the thickness is properly selected, good jitter characteristics cannot be obtained in the entire area from the inner circumference to the outer circumference by CAV rotation.
【００６５】一方、本実施例による光ディスク（４）の
場合、内外周のゾーンで記録層１３の冷却速度が最適に
なるよう、記録層１３の膜厚が設定されているため、良
好なアモルファスマークが形成され、ジッタ値も小さく
なっている。このように、外周ゾーン１８ほど記録層１
３の膜厚を厚くすることで、ＣＡＶの場合においても光
ディスク全面で、ジッタの小さい良好な記録が可能とな
ることがわかる。On the other hand, in the case of the optical disc (4) according to the present embodiment, since the film thickness of the recording layer 13 is set so that the cooling rate of the recording layer 13 is optimum in the inner and outer zones, a good amorphous mark is obtained. Are formed, and the jitter value is also small. In this way, the outer peripheral zone 18 is closer to the recording layer 1
It can be seen that by increasing the film thickness of No. 3, good recording with small jitter can be performed on the entire surface of the optical disk even in the case of CAV.
【００６６】[0066]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ディスク
の記録層の結晶化速度を外周ほど大きくすることによ
り、内外周における消去率をほぼ同等にできる。また、
反射層の厚膜化、記録層の薄膜化、および反射層側の誘
電体層の薄膜化は、記録層の冷却速度を高めることがで
き、結果として内周において良好なアモルファスマーク
が形成できる。こうするとディスクをＣＡＶ方式で駆動
したとき、内周ゾーンと外周ゾーンで線速度変化して
も、同一の記録条件で情報が記録でき、レーザビームの
記録パワーを一定にできるという効果が生じる。さらに
ディスクの回転角速度を一定にできるので、光ヘッドの
トラックアクセスに係わる制御系の応答速度も向上する
ことができる。As described above, according to the present invention, by increasing the crystallization rate of the recording layer of the disc toward the outer circumference, the erasing rates at the inner and outer circumferences can be made substantially equal. Also,
The thicker reflective layer, thinner recording layer, and thinner dielectric layer on the reflective layer can increase the cooling rate of the recording layer, and as a result, a good amorphous mark can be formed on the inner circumference. In this way, when the disk is driven by the CAV method, information can be recorded under the same recording conditions even if the linear velocity changes in the inner and outer zones, and the recording power of the laser beam can be made constant. Further, since the rotational angular velocity of the disk can be made constant, the response speed of the control system relating to the track access of the optical head can be improved.
【図１】本発明の各実施例における光ディスクの基本的
構造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a basic structure of an optical disc according to each embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１及び第２実施例の光ディスクの構
成を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of an optical disc according to first and second embodiments of the present invention.
【図３】本実施例の光ディスクの各層を成膜するための
製造装置（その１）の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing apparatus (No. 1) for forming each layer of the optical disc of this embodiment.
【図４】本実施例の光ディスクの各層を成膜するための
製造装置（その２）の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a manufacturing apparatus (No. 2) for forming each layer of the optical disc of this embodiment.
【図５】本実施例の光ディスクの各層を成膜するための
製造装置（その３）の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a manufacturing apparatus (No. 3) for forming each layer of the optical disc of this embodiment.
【図６】本実施例の光ディスクの各層を成膜するための
製造装置（その４）の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a manufacturing apparatus (No. 4) for forming each layer of the optical disc of the present embodiment.
【図７】本実施例の光ディスクにおける記録信号の波形
図を示し、（ａ）はデジタル入力波形図である。（ｂ）
はマルチパルスの記録波形Ａの波形図である。（ｃ）は
光ディスクのゾーン毎に記録波形Ａを補正した記録波形
Ｂの波形図である。FIG. 7 shows a waveform diagram of a recording signal in the optical disc of the present embodiment, and (a) is a digital input waveform diagram. (B)
FIG. 4 is a waveform diagram of a multi-pulse recording waveform A. (C) is a waveform diagram of a recording waveform B obtained by correcting the recording waveform A for each zone of the optical disc.
【図８】本発明の第３実施例の光ディスクの構成を示す
断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a structure of an optical disc according to a third embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第４実施例の光ディスクの構成を示す
断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of the optical disc of the fourth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第５実施例の光ディスクの構成を示
す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing the structure of an optical disc according to a fifth embodiment of the present invention.
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，９１
光ディスク １１ 基板 １２ 第１の誘電体層 １３，１３ａ，１３ｂ 記録層 １４，１４ａ，１４ｂ 第２の誘電体層 １５，１５ｂ，１５ｂ 反射層 １６ 保護層 １７ 内周ゾーン １８ 外周ゾーン ２１ 内周部スパッタ用マスク ２２，４２ ターゲット ３１ 外周部スパッタ用マスク ４１ 内外周同時スパッタリング用マスク ５１ 内外周膜厚制御用マスク10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 91
Optical Disk 11 Substrate 12 First Dielectric Layer 13, 13a, 13b Recording Layer 14, 14a, 14b Second Dielectric Layer 15, 15b, 15b Reflective Layer 16 Protective Layer 17 Inner Zone 18 Outer Zone 21 Inner Sputter Mask 22, 42 target 31 outer peripheral sputtering mask 41 inner-outer simultaneous sputtering mask 51 inner-outer film thickness control mask
Claims (16)
し、且つ前記レーザ光線の照射により光学的に該相状態
の検出が可能となる記録層を薄膜層の一部として基板上
に設けたディスク状の光学的情報記録部材であって、 前記薄膜層は、ディスクの同心円状に分割された複数の
ゾーンによってその薄膜構成が異なることを特徴とする
光学的情報記録部材。1. A disc provided with a recording layer, which changes a phase state by irradiation of a laser beam and is capable of optically detecting the phase state by irradiation of the laser beam, as a part of a thin film layer on a substrate. The optical information recording member, wherein the thin film layer has a different thin film structure depending on a plurality of concentrically divided zones of the disc.
し、且つ前記レーザ光線の照射により光学的に該相状態
の検出が可能となる記録層と、 前記記録層の両面に形成された第１の誘電体層及び第２
の誘電体層と、 前記記録層と前記第１及び第２の誘電体層とを一体に保
持するディスク状の基板と、を具備する光学的情報記録
部材であって、 前記記録層は、前記レーザ光線の照射によってアモルフ
ァス相と結晶相間で可逆的に相変化を起こす相変化記録
材料からなり、且つディスクの同心円状に分割された複
数のゾーンによって前記相変化記録材料の組成が異なる
ことを特徴とする光学的情報記録部材。2. A recording layer whose phase state is changed by irradiation with a laser beam and which can be optically detected by irradiation with the laser beam; and a first layer formed on both surfaces of the recording layer. Second dielectric layer and second
An optical information recording member comprising: a dielectric layer; and a disk-shaped substrate that integrally holds the recording layer and the first and second dielectric layers, wherein the recording layer is the Characterized by a phase-change recording material that undergoes a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase upon irradiation with a laser beam, and the composition of the phase-change recording material is different depending on a plurality of concentrically divided zones of the disk. And an optical information recording member.
相変化における結晶化速度が異なる材料を用いたことを
特徴とする請求項２記載の光学的情報記録部材。3. The optical information recording member according to claim 2, wherein the recording layer is made of a material having a different crystallization rate in a phase change for each zone of the disc.
ど相変化における結晶化速度が速い材料を用いたことを
特徴とする請求項３記載の光学的情報記録部材。4. The optical information recording member according to claim 3, wherein the recording phase is made of a material having a higher crystallization rate in the phase change in the outer peripheral zone of the disc.
分とする相変化記録材料であることを特徴とする請求項
２記載の光学的情報記録部材。5. The optical information recording member according to claim 2, wherein the recording layer is a phase change recording material containing Ge, Sb, and Te as main components.
Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＋ｙＳｂ（０＜ｘ≦１、ｙ≧０）を満たす
ものであって、ディスクの同心円状に分割された複数の
ゾーンによって前記Ｓｂの組成比を示すｙの値がディス
クの内周ゾーンに比べて外周ゾーンほど小さいことを特
徴とする請求項５記載の光学的情報記録部材。6. The recording layer is xGeTe + (1-x)
Sb 2 Te 3 + ySb (0 <x ≦ 1, y ≧ 0) is satisfied, and the value of y indicating the composition ratio of Sb is determined by a plurality of concentric zones of the disc. The optical information recording member according to claim 5, wherein the outer peripheral zone is smaller than the zone.
特徴とする請求項６記載の光学的情報記録部材。7. The optical information recording member according to claim 6, wherein the recording layer has x = 2/3.
特徴とする請求項６記載の光学的情報記録部材。8. The optical information recording member according to claim 6, wherein the recording layer has x = 1/2.
（Ｍは金属元素又は半金属元素）からなることを特徴と
する請求項２記載の光学的情報記録部材。9. The recording layer comprises Ge, Sb, Te and M.
3. The optical information recording member according to claim 2, wherein (M is a metal element or a metalloid element).
ほど外周ゾーンよりＭの量が多いことを特徴とする請求
項９記載の光学的情報記録部材。10. The optical information recording member according to claim 9, wherein the recording layer has a larger amount of M in an inner peripheral zone of the disc than in an outer peripheral zone.
Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｔ、Ｎｉの内いずか１つを含むことを特徴とする請求項
９記載の光学的情報記録部材。11. The recording layer has M of at least Ag,
Cu, Co, Tl, Pd, Au, Bi, Se, Sn, P
10. The optical information recording member according to claim 9, comprising at least one of t and Ni.
ス相と結晶相間で可逆的に相変化を起こす相変化記録材
料からなり、且つ前記レーザ光線の照射により光学的に
該相状態の検出が可能となる記録層と、 前記記録層の上面及び下面に夫々形成された第２の誘電
体層及び第１の誘電体層と、 前記第２の誘電体層の上面に形成され、前記レーザ光線
を反射する反射層と、 前記記録層、前記第１及び第２の誘電体層、前記反射層
を保持するディスク状の基板と、を具備する光学的情報
記録部材であって、 前記反射層は、ディスクの同心円状に分割された複数の
ゾーンによって膜厚が異なり、外周ゾーンほど膜厚が薄
いことを特徴とする光学的情報記録部材。12. A recording comprising a phase change recording material that reversibly changes phase between an amorphous phase and a crystalline phase upon irradiation with a laser beam, and the phase state can be optically detected upon irradiation with the laser beam. Layer, a second dielectric layer and a first dielectric layer respectively formed on the upper surface and the lower surface of the recording layer, and reflection formed on the upper surface of the second dielectric layer and reflecting the laser beam. An optical information recording member comprising a layer, a recording layer, the first and second dielectric layers, and a disc-shaped substrate holding the reflection layer, wherein the reflection layer is a concentric circle of the disc. An optical information recording member characterized in that the film thickness is different depending on a plurality of zones divided into a plurality, and the film thickness is thinner toward the outer peripheral zone.
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｇの金属材料の何れかを主成分とす
るものか、又は前記各金属材料の混合物であることを特
徴とする請求項１２記載の光学的情報記録部材。13. The reflective layer is made of Au, Al, Cu, C.
13. The optical information recording member according to claim 12, wherein the main component is any one of r, Ni, Ti, and Ag metal materials, or a mixture of the metal materials.
ス相と結晶相間で可逆的に相変化を起こす相変化記録材
料からなり、且つ前記レーザ光線の照射により光学的に
該相状態の検出が可能となる記録層と、 前記記録層の上面及び下面に夫々形成された第２の誘電
体層及び第１の誘電体層と、 前記第２の誘電体層の上面に形成され、前記レーザ光線
を反射する反射層と、 前記記録層、前記第１及び第２の誘電体層、前記反射層
を保持するディスク状の基板と、を具備する光学的情報
記録部材であって、 前記第２の誘電体層は、ディスクの同心円状に分割され
た複数のゾーンによって膜厚が異なり、外周ゾーンほど
膜厚が厚いことを特徴とする光学的情報記録部材。14. A recording which comprises a phase change recording material which reversibly changes phase between an amorphous phase and a crystalline phase upon irradiation with a laser beam, and which can optically detect the phase state upon irradiation with the laser beam. Layer, a second dielectric layer and a first dielectric layer respectively formed on the upper surface and the lower surface of the recording layer, and reflection formed on the upper surface of the second dielectric layer and reflecting the laser beam. An optical information recording member comprising a layer, a recording layer, the first and second dielectric layers, and a disk-shaped substrate holding the reflective layer, wherein the second dielectric layer is The optical information recording member is characterized in that the film thickness varies depending on a plurality of concentrically divided zones of the disk, and the outer peripheral zone has a larger film thickness.
ス相と結晶相間で可逆的に相変化を起こす相変化記録材
料からなり、且つ前記レーザ光線の照射により光学的に
該相状態の検出が可能となる記録層と、 前記記録層の上面及び下面に夫々形成された第１の誘電
体層及び第２の誘電体層と、 前記第２の誘電体層の上面に形成され、前記レーザ光線
を反射する反射層と、 前記記録層、前記第１及び第２の誘電体層、前記反射層
を保持するディスク状の基板と、を具備する光学的情報
記録部材であって、 前記記録層は、ディスクの同心円状に分割された複数の
ゾーンによって膜厚が異なり、外周ゾーンほど膜厚が厚
いことを特徴とする光学的情報記録部材。15. A recording comprising a phase-change recording material that reversibly changes phase between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiation with a laser beam, and the phase state can be optically detected by irradiation with the laser beam. Layer, a first dielectric layer and a second dielectric layer formed on the upper surface and the lower surface of the recording layer, respectively, and reflection formed on the upper surface of the second dielectric layer and reflecting the laser beam. An optical information recording member comprising a layer, a recording layer, the first and second dielectric layers, and a disk-shaped substrate holding the reflection layer, wherein the recording layer is a concentric circle of the disk. An optical information recording member characterized in that the film thickness is different depending on a plurality of zones divided into a plurality, and that the outer peripheral zone has a larger film thickness.
化し、且つ前記レーザ光線の照射により光学的に該相状
態の検出が可能となる記録層を薄膜層の一部として基板
上に設けた光学的情報記録部材であって、 前記薄膜層は、ディスクの同心円状に分割された内周ゾ
ーンと外周ゾーンとによってその薄膜構成が異なること
を特徴とする光学的情報記録部材。16. An optical system in which a phase state is changed by irradiation with a laser beam, and the phase state can be optically detected by irradiation with the laser beam is provided on a substrate as a part of a thin film layer. The optical information recording member, wherein the thin film layer has a different thin film structure depending on an inner peripheral zone and an outer peripheral zone of the disk which are divided into concentric circles.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234409A JPH0877600A (en) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234409A JPH0877600A (en) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Optical information recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0877600A true JPH0877600A (en) | 1996-03-22 |
Family
ID=16970564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6234409A Pending JPH0877600A (en) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Optical information recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0877600A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980059949A (en) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | Phase change optical disk and manufacturing method thereof |
| KR100788646B1 (en) * | 2001-08-09 | 2007-12-26 | 삼성전자주식회사 | An optical disk Burst Cutting Area code recording method |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP6234409A patent/JPH0877600A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980059949A (en) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | Phase change optical disk and manufacturing method thereof |
| KR100788646B1 (en) * | 2001-08-09 | 2007-12-26 | 삼성전자주식회사 | An optical disk Burst Cutting Area code recording method |
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