JPH08758Y2 - インナリードボンダ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、TAB（tape automated bonding）テープを
用いて半導体装置のインナリードボンディングを行う際
に使用されるインナリードボンダに関する。

〔従来の技術〕

TABテープを用いた半導体装置のインナリードボンデ
ィング工程では、第４図に示すように、半導体ペレット
１上にTABテープ２の窓部3aを重ねて配置し、このTABテ
ープ２上の各インナリード４と半導体ペレット１上の図
示しないバンプ電極との位置合わせを行った後に、加熱
したボンディングツール５によって各インナリード４の
先端を上方から押圧することによりバンプ電極との熱圧
着を行っていた。このTABテープ２は、予め窓部3aが形
成された長尺な絶縁フィルム３上に銅箔をラミネート
し、この銅箔をインナリード４の各パターンを残してエ
ッチング除去することにより形成される。ただし、この
エッチング工程では、第５図に示すように、窓部3aに突
出する微細な各インナリード４の先端部に折れ曲がり等
が生じるのを防止するために、各インナリード４の先端
を繋ぐ方形の銅箔パターンからなる銅サスペンダ部６を
残しておく場合がある。そして、このような銅サスペン
ダ部６を残したTABテープ２を使用する場合、従来は、
上記第４図に示したインナリードボンディング工程の直
前に、シャーリングによって各インナリード４の先端か
らこの銅サスペンダ部６を切断除去していた。

〔考案が解決しようとする課題〕

ところが、インナリード４は厚さが30μｍ程度の薄い
銅箔であり、しかも近年の半導体集積技術の向上に伴
い、リード本数が400本を超えるような半導体装置も製
造されるようになって来たために、このインナリード４
は、益々微細化している。このため、銅サスペンダ部６
を切断除去する際に、シャーリングの刃に僅かでもずれ
が生じると、インナリード４の先端が引きちぎられたり
バリや折れ曲がりが発生することになる。従って、従来
は、インナリードボンディング工程の直前のシャーリン
グ工程においてインナリード４の先端に損傷を与えるお
それがあり、半導体装置の製造上の歩留りを低下させる
原因になるという問題があった。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題を解決するために、本考案は、導電膜をエッ
チングして透孔内に多数本のインナリードを延在させる
と共に各インナリード内端をサスペンダ部に連結したTA
Bテープのインナリードと半導体ペレットの重合部を圧
着するボンディングツールの下端面に、サスペンダ部を
吸着する吸着孔を開口しかつインナリードとサスペンダ
部の隣接部分を切断する切断刃を突設したことを特徴と
する。

〔作用〕

上記構成により、TABテープ上にボンディングツール
が下降すると、圧着面が各インナリードの先端部を半導
体ペレットのバンプ電極に熱圧着させると共に、この圧
着面におけるバンプ電極押圧部より内側に形成された切
断刃が各インナリードの先端を切断する。そして、熱圧
着完了後にボンディングツールが上昇すると、分離され
たサスペンダ部を吸着してこれを除去する。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながら、本考案の実施例を詳述す
る。

第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示すものであ
って、第１図はインナリードボンダの斜視図、第２図は
ボンディングツールの圧着面の斜視図、第３図（イ）〜
（ハ）はそれぞれボンディングツールによる熱圧着の各
工程を示す部分縦断面図である。なお、前記第４図及び
第５図に示した従来例と同様の機能を有する構成部材に
は同一の番号を付記する。

本実施例のインナリードボンダは、第１図に示すよう
に、半導体ペレット１をTABテープ２の窓部（透孔）3a
を内に配置し、このTABテープ２上の各インナリード４
と半導体ペレット１上の図示しないバンプ電極とを重合
し、加熱したボンディングツール５下端の圧着面5aによ
って各インナリード４の先端を押圧することによりバン
プ電極との熱圧着を行うものである。ここで使用される
TABテープ２は、予め窓部3aが形成された長尺な絶縁フ
ィルム３上に銅箔をラミネートし、この銅箔をインナリ
ード４の各パターンを残してエックング除去することに
より形成されたものであるが、窓部3aには、ここに突出
する各インナリード４の先端を繋ぐ方形の銅箔パターン
からなる銅サスペンダ部６も残されている。

上記ボンディングツール５の圧着面5aには、第２図に
示すように、周縁部から一定間隔だけ内側部分を取り囲
むように４稜の切断刃７が形成されている。この切断刃
７は、圧着面5aから先端稜線部が鋭角状に突出したもの
である。そして、この突出高さは、バンプ電極1aの高さ
が50〜100μｍであり、インナリード４の厚さが30μｍ
の場合、40μｍ程度とする。なお、この切断刃７は、ボ
ンディングツール５への埋め込み加工や研削加工が困難
であることから、ここでは放電加工によって形成してい
る。このようにして形成された切断刃７より外側の圧着
面5aは、熱圧着の際に半導体ペレット１のバンプ電極を
押圧する押圧部となる。また、この切断刃７より内側の
圧着面5aには、複数の吸着孔８が開口されている。この
吸着孔８は、ボンディングツール５内部に形成された通
気路8aを介して、外部の真空ポンプ９に接続されてい
る。

上記のように構成されたインナリードボンダによるイ
ンナリードボンディング工程を第３図に基づいて説明す
る。各インナリード４の先端部は、第３図（イ）に示す
ように、銅サスペンダ部６に繋がった状態で半導体ペレ
ット１の各バンプ電極1a上に位置するようになってい
る。そして、この状態で加熱されたボンディングツール
５が下降を始める。このボンディングツール５の下降に
より、第３図（ロ）に示すように、圧着面5aがインナリ
ード４の先端部をバンプ電極1aに押圧すると、これら各
インナリード４の先端部とそれぞれのバンプ電極1aとが
熱圧着されることになる。またこの際、切断刃７は、イ
ンナリード４におけるバンプ電極1aとの熱圧着部より先
端側を鋭角状の稜線によって下方に折り曲げることによ
り、インナリード４のバンプ電極1aへの密着をより確実
なものとして熱圧着を補助すると共に、このインナリー
ド４の先端と銅サスペンダ部６との間を切断し、又は、
切断容易な状態にする。なお、この切断刃７の突出高さ
を上記のように40μｍ程度にしておけば、半導体ペレッ
ト１の表面との間に40〜90μｍ程度の余裕が得られる。
圧着面5aによる熱圧着が完了すると、第３図（ハ）に示
すように、ボンディングツール５が上昇を開始すると共
に、前記第２図に示した真空ポンプ９による吸着孔８か
らの吸引が行われる。すると、銅サスペンダ部６がこの
吸着孔８に吸引されてボンディングツール５と共に上昇
しようするため、既にバンプ電極1aに熱圧着され、これ
より先端側が切断刃７によって折り曲げられたインナリ
ード４の先端との間が確実に切断される。

この結果、本実施例のインナリードボンダによれば、
TABテープ２上の各インナリード４の先端部をバンプ電
極1aに熱圧着される瞬間まで銅サスペンダ部６によって
保護することができる。しかも、熱圧着後には、この銅
サスペンダ部６を吸着孔８の吸引によって確実に除去す
ることができる。

尚、本考案は上記実施例にのみ限定されるものではな
く、例えば、TABテープは絶縁フィルムに導電膜を積層
したものだけでなく、導電膜テープをエッチングしてイ
ンナリードを形成したものでもよい。

また、吸着孔部分は切断刃に対して突出退入可能にし
てもよい。

〔考案の効果〕

以上の説明から明かなように、本考案のインナリード
ボンダによれば、TABテープ上の各インナリードの先端
部を半導体ペレットのバンプ電極に熱圧着される瞬間ま
でサスペンダ部によって保護することができるので、こ
のインナリードの先端部の折れ曲がり等によるインナリ
ードボンディングの不良をなくすことができ、しかも、
熱圧着後にはこのサスペンダ部を確実に除去することが
できるので、作業に無駄がなくなり生産性の向上を図る
ことができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示すものであっ
て、第１図はインナリードボンダの斜視図、第２図はボ
ンディングツールの圧着面の斜視図、第３図（イ）〜
（ハ）はそれぞれボンディングツールによる熱圧着の各
工程を示す部分縦断面図、第４図及び第５図は従来例を
示すものであって、第４図はインナリードボンダの斜視
図、第５図はTABテープの斜視図である。 １……半導体ペレット、２……TABテープ、3a……窓部
（透孔）、４……インナリード、５……ボンディングツ
ール、5a……圧着面、６……銅サスペンダ部（サスペン
ダ部）、７……切断刃、８……吸着孔。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】導電膜をエッチングして透孔内に多数本の
   インナリードを延在させると共に各インナリード内端を
   サスペンダ部に連結したTABテープのインナリードと半
   導体ペレットの重合部を圧着するボンディングツールの
   下端面に、サスペンダ部を吸着する吸着孔を開口しかつ
   インナリードとサスペンダ部の隣接部分を切断する切断
   刃を突設したことを特徴とするインナリードボンダ。