JPH0870028A - 半導体製造装置及び大気浸入防止方法 - Google Patents
半導体製造装置及び大気浸入防止方法Info
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- JPH0870028A JPH0870028A JP22598094A JP22598094A JPH0870028A JP H0870028 A JPH0870028 A JP H0870028A JP 22598094 A JP22598094 A JP 22598094A JP 22598094 A JP22598094 A JP 22598094A JP H0870028 A JPH0870028 A JP H0870028A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】ウェーハカセット、ウェーハの搬送効率を上げ
生産性を向上させると共にウェーハカセットの搬入搬出
過程で大気が半導体製造装置内に浸入すること、装置内
でのウェーハの移載時、待機時での自然酸化膜の生成、
ウェーハの汚染を防止する。 【構成】反応炉にボート9を装入引出しするボートエレ
ベータと、カセットストッカ2と、バッファカセットス
トッカ3と、ボート9とカセットストッカとの間でウェ
ーハの移載を行うウェーハ移載機4と、外部とカセット
ストッカ2、バッファカセットストッカ間でウェーハカ
セットの授受を行うカセットローダ1とを具備した半導
体製造装置に於いて、筐体内部をカセット室22に仕切
りカセット移載機28を設けウェーハカセットの授受を
行い得る様構成し、或は更にカセット室を搬送室23と
に隣接させ、ウェーハカセット搬送用のゲート弁30を
設け、仕切り壁にウェーハ搬送用のゲート弁31を設
け、筐体内を小室に仕切る。
生産性を向上させると共にウェーハカセットの搬入搬出
過程で大気が半導体製造装置内に浸入すること、装置内
でのウェーハの移載時、待機時での自然酸化膜の生成、
ウェーハの汚染を防止する。 【構成】反応炉にボート9を装入引出しするボートエレ
ベータと、カセットストッカ2と、バッファカセットス
トッカ3と、ボート9とカセットストッカとの間でウェ
ーハの移載を行うウェーハ移載機4と、外部とカセット
ストッカ2、バッファカセットストッカ間でウェーハカ
セットの授受を行うカセットローダ1とを具備した半導
体製造装置に於いて、筐体内部をカセット室22に仕切
りカセット移載機28を設けウェーハカセットの授受を
行い得る様構成し、或は更にカセット室を搬送室23と
に隣接させ、ウェーハカセット搬送用のゲート弁30を
設け、仕切り壁にウェーハ搬送用のゲート弁31を設
け、筐体内を小室に仕切る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハより半
導体素子を製造する半導体製造装置、及び半導体製造装
置内への大気浸入を防止する方法に関するものである。
導体素子を製造する半導体製造装置、及び半導体製造装
置内への大気浸入を防止する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体を製造する工程として、ウェーハ
への気相成長反応による膜の堆積や、燐或は硼素等の不
純物拡散、その他ウェーハを加熱処理する工程がある。
への気相成長反応による膜の堆積や、燐或は硼素等の不
純物拡散、その他ウェーハを加熱処理する工程がある。
【0003】図2、図3に於いて半導体製造装置、特に
縦型炉を有する半導体製造装置の概略を説明する。
縦型炉を有する半導体製造装置の概略を説明する。
【0004】1は半導体製造装置前側に位置するカセッ
トローダ、2はカセットストッカ、3はバッファカセッ
トストッカ、4はウェーハ移載機、5はボートエレベー
タ、6は反応炉、20は筐体を示す。
トローダ、2はカセットストッカ、3はバッファカセッ
トストッカ、4はウェーハ移載機、5はボートエレベー
タ、6は反応炉、20は筐体を示す。
【0005】ウェーハの搬送はウェーハカセット13に
装填された状態で行われる。ウェーハカセット13は作
業者、或は工場に設備されたカセット搬送ロボット(図
示せず)により半導体製造装置に設けられたカセット搬
入搬出口26を介して前記カセットローダ1のカセット
挿脱機7に載置される。該カセット挿脱機7が昇降し、
前記カセットストッカ2、バッファカセットストッカ3
の所要位置のカセット収納棚にウェーハカセット13の
挿脱を行う。
装填された状態で行われる。ウェーハカセット13は作
業者、或は工場に設備されたカセット搬送ロボット(図
示せず)により半導体製造装置に設けられたカセット搬
入搬出口26を介して前記カセットローダ1のカセット
挿脱機7に載置される。該カセット挿脱機7が昇降し、
前記カセットストッカ2、バッファカセットストッカ3
の所要位置のカセット収納棚にウェーハカセット13の
挿脱を行う。
【0006】前記ウェーハ移載機4は昇降可能、回転可
能、水平方向に移動可能なチャッキングヘッド8を有
し、又前記ボートエレベータ5はボートキャップ11を
介してボート9を受載し、該ボート9を昇降させ、前記
反応炉6に装入する。前記ウェーハ移載機4はボート9
の下降状態で、前記チャッキングヘッド8によりカセッ
トストッカ2のウェーハカセットからウェーハ10をボ
ート9へ移載する。
能、水平方向に移動可能なチャッキングヘッド8を有
し、又前記ボートエレベータ5はボートキャップ11を
介してボート9を受載し、該ボート9を昇降させ、前記
反応炉6に装入する。前記ウェーハ移載機4はボート9
の下降状態で、前記チャッキングヘッド8によりカセッ
トストッカ2のウェーハカセットからウェーハ10をボ
ート9へ移載する。
【0007】前記ボートエレベータ5によりボート9を
前記反応炉6に装入し、反応炉6内でウェーハ10を加
熱し、ウェーハ10が反応温度になる様に一定の時間を
おいて反応炉6内を真空引し、所定の真空度に制御し、
前記反応炉6内に反応ガスを導入して所要の処理を行
う。加熱処理後、反応炉6内を不活性ガスに置換し、前
記ボートエレベータ5によりボート9を降下させ反応炉
6より引出す。ボート9、ウェーハ10を炉外で冷却
し、該ボート9の降下状態で、前記ウェーハ移載機4に
よりボート9からカセットストッカ2のウェーハカセッ
トへウェーハ10の移載を行う。
前記反応炉6に装入し、反応炉6内でウェーハ10を加
熱し、ウェーハ10が反応温度になる様に一定の時間を
おいて反応炉6内を真空引し、所定の真空度に制御し、
前記反応炉6内に反応ガスを導入して所要の処理を行
う。加熱処理後、反応炉6内を不活性ガスに置換し、前
記ボートエレベータ5によりボート9を降下させ反応炉
6より引出す。ボート9、ウェーハ10を炉外で冷却
し、該ボート9の降下状態で、前記ウェーハ移載機4に
よりボート9からカセットストッカ2のウェーハカセッ
トへウェーハ10の移載を行う。
【0008】更に、次に処理されるウェーハ10が前記
ウェーハ移載機4によりボート9に移載される。尚、図
中12はボート9引出し時に反応炉6からの熱放射を遮
断する炉口シャッタである。
ウェーハ移載機4によりボート9に移載される。尚、図
中12はボート9引出し時に反応炉6からの熱放射を遮
断する炉口シャッタである。
【0009】次に、前記カセットローダ1の作動を略述
する。前記カセットストッカ2に未収納のカセット収納
棚がある場合は、前記カセット挿脱機7を未収納のカセ
ット収納棚迄昇降させ、ウェーハカセット13をカセッ
トストッカ2に収納させる。又、カセットストッカ2に
必要数ウェーハカセット13が収納されている場合は、
前記反応炉6によるウェーハの加熱処理中に、前記カセ
ットローダ1がカセット挿脱機7を駆動してバッファカ
セットストッカ3に次工程用のウェーハが装填されたウ
ェーハカセット13を収納させる。
する。前記カセットストッカ2に未収納のカセット収納
棚がある場合は、前記カセット挿脱機7を未収納のカセ
ット収納棚迄昇降させ、ウェーハカセット13をカセッ
トストッカ2に収納させる。又、カセットストッカ2に
必要数ウェーハカセット13が収納されている場合は、
前記反応炉6によるウェーハの加熱処理中に、前記カセ
ットローダ1がカセット挿脱機7を駆動してバッファカ
セットストッカ3に次工程用のウェーハが装填されたウ
ェーハカセット13を収納させる。
【0010】バッファカセットストッカ3に収納された
ウェーハカセット13は、カセットストッカ2に収納さ
れたウェーハの処理が完了すると、前記カセットローダ
1によりカセット挿脱機7を介して前記カセットストッ
カ2に移載され、次の処理に供される。
ウェーハカセット13は、カセットストッカ2に収納さ
れたウェーハの処理が完了すると、前記カセットローダ
1によりカセット挿脱機7を介して前記カセットストッ
カ2に移載され、次の処理に供される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】前記した様に、従来の
半導体製造装置ではカセットストッカ2とバッファカセ
ットストッカ3とを上下に配設しており、カセットスト
ッカ2とバッファカセットストッカ3との間でウェーハ
カセット13の移載をするには、2カセットずつ行って
おり、移載動作を複数回繰返して行わなければならず非
常に時間が掛かった。更に、従来の半導体製造装置では
ウェーハカセット13の搬入搬出時に前記カセット搬入
搬出口より大気が大量に浸入する。更に又、半導体製造
装置内ではカセットストッカ2とバッファカセットスト
ッカ3間でのウェーハカセット13の移載作動を伴い、
更にバッファカセットストッカ3に長時間待機させてい
る場合がある。この為、ウェーハがバッファカセットス
トッカ3待機中に、更にカセットストッカ2とバッファ
カセットストッカ3間でのウェーハカセット13の移載
作動中にウェーハ表面に自然酸化膜が形成される。
半導体製造装置ではカセットストッカ2とバッファカセ
ットストッカ3とを上下に配設しており、カセットスト
ッカ2とバッファカセットストッカ3との間でウェーハ
カセット13の移載をするには、2カセットずつ行って
おり、移載動作を複数回繰返して行わなければならず非
常に時間が掛かった。更に、従来の半導体製造装置では
ウェーハカセット13の搬入搬出時に前記カセット搬入
搬出口より大気が大量に浸入する。更に又、半導体製造
装置内ではカセットストッカ2とバッファカセットスト
ッカ3間でのウェーハカセット13の移載作動を伴い、
更にバッファカセットストッカ3に長時間待機させてい
る場合がある。この為、ウェーハがバッファカセットス
トッカ3待機中に、更にカセットストッカ2とバッファ
カセットストッカ3間でのウェーハカセット13の移載
作動中にウェーハ表面に自然酸化膜が形成される。
【0012】更に又、正常に保たれたクリーン室内でも
パーティクルその他の汚染物質(Na、Al、Cu他の
金属物質)が微量ではあるが浮遊している。この為、ウ
ェーハが待機中、ウェーハカセット13移載中に汚染さ
れる可能性がある。これらパーティクルその他の汚染物
質は、半導体製造工程中にウェーハに付着すると製作す
る半導体素子の断線、電気的特性の劣化等を引起こす。
パーティクルその他の汚染物質(Na、Al、Cu他の
金属物質)が微量ではあるが浮遊している。この為、ウ
ェーハが待機中、ウェーハカセット13移載中に汚染さ
れる可能性がある。これらパーティクルその他の汚染物
質は、半導体製造工程中にウェーハに付着すると製作す
る半導体素子の断線、電気的特性の劣化等を引起こす。
【0013】又、拡散装置に於いてウェーハ表面に酸化
膜を成膜する場合、ウェーハ表面に金属物質等の汚染物
質がある場合、汚染部分のみ酸化速度が早くなり、局所
的に膜厚が厚くなってしまうと共に膜質にも影響を与え
てしまうという問題がある。
膜を成膜する場合、ウェーハ表面に金属物質等の汚染物
質がある場合、汚染部分のみ酸化速度が早くなり、局所
的に膜厚が厚くなってしまうと共に膜質にも影響を与え
てしまうという問題がある。
【0014】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハカセ
ット、ウェーハの搬送効率を上げ、半導体製造装置の生
産性を向上させると共にウェーハカセットの搬入搬出過
程で大気が半導体製造装置内に浸入すること、半導体製
造装置内でのウェーハの移載時、待機時での自然酸化膜
の生成、ウェーハの汚染を防止することを目的とするも
のである。
ット、ウェーハの搬送効率を上げ、半導体製造装置の生
産性を向上させると共にウェーハカセットの搬入搬出過
程で大気が半導体製造装置内に浸入すること、半導体製
造装置内でのウェーハの移載時、待機時での自然酸化膜
の生成、ウェーハの汚染を防止することを目的とするも
のである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、筐体内に反応
炉と、該反応炉にボートを装入引出しするボートエレベ
ータと、カセットストッカと、バッファカセットストッ
カと、前記ボートとカセットストッカとの間でウェーハ
の移載を行うウェーハ移載機と、外部と前記カセットス
トッカ、バッファカセットストッカ間でウェーハカセッ
トの授受を行うカセットローダとを具備した半導体製造
装置に於いて、筐体内部を少なくとも前記カセットロー
ダを収納するカセット授受室と、カセットストッカ、バ
ッファカセットストッカを収納するカセット室とに仕切
り、各室間の仕切り壁にゲート弁を設け、各室に不活性
ガス導入管、排気管を連通した半導体製造装置に係り、
又は筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを装入引出し
するボートエレベータと、カセットストッカと、バッフ
ァカセットストッカと、前記ボートとカセットストッカ
との間でウェーハの移載を行うウェーハ移載機と、外部
と前記カセットストッカ、バッファカセットストッカ間
でウェーハカセットの授受を行うカセットローダとを具
備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を少なくとも
カセットストッカ、バッファカセットストッカを収納す
るカセット室に仕切り、該カセットストッカとバッファ
カセットストッカとを対向して設けると共にカセットス
トッカとバッファカセットストッカとの間にウェーハカ
セットを搬送するカセット移載機を設け、該カセット移
載機と前記カセットローダとの間でウェーハカセットの
授受を行い得る様構成した半導体製造装置に係り、更に
斯かる半導体製造装置に於いてカセット室をカセット授
受室と、ウェーハ移載機を収納する搬送室とに隣接さ
せ、カセット室とカセット授受室との仕切り壁にウェー
ハカセット搬送用のゲート弁を設け、カセット室と搬送
室との仕切り壁にウェーハ搬送用のゲート弁を設け、両
ゲート弁のいずれか一方が閉じている様両ゲート弁を開
閉する半導体製造装置に係り、更に又筐体内に反応炉
と、該反応炉にボートを装入引出しするボートエレベー
タと、カセットストッカと、バッファカセットストッカ
と、前記ボートとカセットストッカとの間でウェーハの
移載を行うウェーハ移載機と、外部と前記カセットスト
ッカ、バッファカセットストッカ間でウェーハカセット
の授受を行うカセットローダとを具備し、前記カセット
ストッカとバッファカセットストッカがカセット室に収
納され、前記カセットローダがカセット授受室に収納さ
れ、前記カセット室及びカセット授受室それぞれに不活
性ガス導入管、排気管を連通した半導体製造装置に於い
て、前記カセット室からの不活性ガス流入量をカセット
室、カセット授受室両室の排気流量以上とした大気浸入
防止方法に係るものである。
炉と、該反応炉にボートを装入引出しするボートエレベ
ータと、カセットストッカと、バッファカセットストッ
カと、前記ボートとカセットストッカとの間でウェーハ
の移載を行うウェーハ移載機と、外部と前記カセットス
トッカ、バッファカセットストッカ間でウェーハカセッ
トの授受を行うカセットローダとを具備した半導体製造
装置に於いて、筐体内部を少なくとも前記カセットロー
ダを収納するカセット授受室と、カセットストッカ、バ
ッファカセットストッカを収納するカセット室とに仕切
り、各室間の仕切り壁にゲート弁を設け、各室に不活性
ガス導入管、排気管を連通した半導体製造装置に係り、
又は筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを装入引出し
するボートエレベータと、カセットストッカと、バッフ
ァカセットストッカと、前記ボートとカセットストッカ
との間でウェーハの移載を行うウェーハ移載機と、外部
と前記カセットストッカ、バッファカセットストッカ間
でウェーハカセットの授受を行うカセットローダとを具
備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を少なくとも
カセットストッカ、バッファカセットストッカを収納す
るカセット室に仕切り、該カセットストッカとバッファ
カセットストッカとを対向して設けると共にカセットス
トッカとバッファカセットストッカとの間にウェーハカ
セットを搬送するカセット移載機を設け、該カセット移
載機と前記カセットローダとの間でウェーハカセットの
授受を行い得る様構成した半導体製造装置に係り、更に
斯かる半導体製造装置に於いてカセット室をカセット授
受室と、ウェーハ移載機を収納する搬送室とに隣接さ
せ、カセット室とカセット授受室との仕切り壁にウェー
ハカセット搬送用のゲート弁を設け、カセット室と搬送
室との仕切り壁にウェーハ搬送用のゲート弁を設け、両
ゲート弁のいずれか一方が閉じている様両ゲート弁を開
閉する半導体製造装置に係り、更に又筐体内に反応炉
と、該反応炉にボートを装入引出しするボートエレベー
タと、カセットストッカと、バッファカセットストッカ
と、前記ボートとカセットストッカとの間でウェーハの
移載を行うウェーハ移載機と、外部と前記カセットスト
ッカ、バッファカセットストッカ間でウェーハカセット
の授受を行うカセットローダとを具備し、前記カセット
ストッカとバッファカセットストッカがカセット室に収
納され、前記カセットローダがカセット授受室に収納さ
れ、前記カセット室及びカセット授受室それぞれに不活
性ガス導入管、排気管を連通した半導体製造装置に於い
て、前記カセット室からの不活性ガス流入量をカセット
室、カセット授受室両室の排気流量以上とした大気浸入
防止方法に係るものである。
【0016】
【作用】筐体内部を少なくとも前記カセットローダを収
納するカセット授受室と、カセットストッカ、バッファ
カセットストッカを収納するカセット室とに仕切り、各
部屋間のウェーハカセットの移載をゲート弁を介して行
うので、各ユニット毎の不活性ガス置換が容易になり、
大気が半導体製造装置内部に浸入することが防止でき
る。又、カセットストッカ、バッファカセットストッカ
を対向させ配設することで移載動作が簡潔となり、移載
時間の短縮が図れ、又カセット室に複数のゲート弁を設
け、該ゲート弁の内少なくとも1が閉状態である様に作
動させることで、カセット室より内部に大気が浸入でき
なくなり、大気の浸入を防止できる。更に又、カセット
室へ導入する不活性ガスの流量を排気流量以上とするこ
とでカセット搬入搬出口からの大気の浸入を防止するこ
とができる。
納するカセット授受室と、カセットストッカ、バッファ
カセットストッカを収納するカセット室とに仕切り、各
部屋間のウェーハカセットの移載をゲート弁を介して行
うので、各ユニット毎の不活性ガス置換が容易になり、
大気が半導体製造装置内部に浸入することが防止でき
る。又、カセットストッカ、バッファカセットストッカ
を対向させ配設することで移載動作が簡潔となり、移載
時間の短縮が図れ、又カセット室に複数のゲート弁を設
け、該ゲート弁の内少なくとも1が閉状態である様に作
動させることで、カセット室より内部に大気が浸入でき
なくなり、大気の浸入を防止できる。更に又、カセット
室へ導入する不活性ガスの流量を排気流量以上とするこ
とでカセット搬入搬出口からの大気の浸入を防止するこ
とができる。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【0018】尚、図1中、図2中で示したものと同様の
機能を有するものには同符号を付してある。
機能を有するものには同符号を付してある。
【0019】半導体製造装置の筐体20の内部を、前面
下方に位置するカセット授受室21、該カセット授受室
21の上方に位置するカセット室22、該カセット室2
2の下方及びカセット授受室21の後方に位置する搬送
室23、該搬送室23に隣接し、装置上方後部に位置す
るヒータ室24、該ヒータ室24の下方に位置するボー
ト収納室25に区分けする。
下方に位置するカセット授受室21、該カセット授受室
21の上方に位置するカセット室22、該カセット室2
2の下方及びカセット授受室21の後方に位置する搬送
室23、該搬送室23に隣接し、装置上方後部に位置す
るヒータ室24、該ヒータ室24の下方に位置するボー
ト収納室25に区分けする。
【0020】前記筐体20の前記カセット授受室21に
臨む部分にカセット搬入搬出口26設け、該カセット搬
入搬出口26にフロントシャッタ27を設ける。該フロ
ントシャッタ27は扉体が下方から上方に押上げられて
開口する構造となっている。又前記カセット授受室21
内にはカセットローダ1が設けられ、該カセット授受室
21には窒素ガス導入管34、ストップ弁36を具備し
た排気管35が連通されている。
臨む部分にカセット搬入搬出口26設け、該カセット搬
入搬出口26にフロントシャッタ27を設ける。該フロ
ントシャッタ27は扉体が下方から上方に押上げられて
開口する構造となっている。又前記カセット授受室21
内にはカセットローダ1が設けられ、該カセット授受室
21には窒素ガス導入管34、ストップ弁36を具備し
た排気管35が連通されている。
【0021】前記カセット室22内には、前方側にバッ
ファカセットストッカ3、後方側にカセットストッカ2
が配設され、バッファカセットストッカ3とカセットス
トッカ2との間にカセット移載機28が設けられる。該
カセット移載機28は昇降可能、回転可能、且水平方向
に進退可能なカセットホルダ40を有し、該カセットホ
ルダ40を駆動して前記バッファカセットストッカ3と
前記カセットストッカ2間でウェーハカセット13の移
載を行う。
ファカセットストッカ3、後方側にカセットストッカ2
が配設され、バッファカセットストッカ3とカセットス
トッカ2との間にカセット移載機28が設けられる。該
カセット移載機28は昇降可能、回転可能、且水平方向
に進退可能なカセットホルダ40を有し、該カセットホ
ルダ40を駆動して前記バッファカセットストッカ3と
前記カセットストッカ2間でウェーハカセット13の移
載を行う。
【0022】前記カセット室22を画成する仕切り壁2
9の前記カセット授受室21との境界部にゲート弁30
を設け、該ゲート弁30を介し前記カセットローダ1に
より外部から搬入されたウェーハカセット13を前記バ
ッファカセットストッカ3に収納させ、又該バッファカ
セットストッカ3のウェーハカセット13を外部に搬出
する。
9の前記カセット授受室21との境界部にゲート弁30
を設け、該ゲート弁30を介し前記カセットローダ1に
より外部から搬入されたウェーハカセット13を前記バ
ッファカセットストッカ3に収納させ、又該バッファカ
セットストッカ3のウェーハカセット13を外部に搬出
する。
【0023】前記カセットストッカ2は前記カセット室
22と前記搬送室23間に掛け亘って昇降する様になっ
ており、前記カセットストッカ2の前記仕切り壁29挿
通部にはゲート弁31が設けられている。又、前記カセ
ット室22には窒素ガス導入管37、ストップ弁39を
具備した排気管38が連通されている。
22と前記搬送室23間に掛け亘って昇降する様になっ
ており、前記カセットストッカ2の前記仕切り壁29挿
通部にはゲート弁31が設けられている。又、前記カセ
ット室22には窒素ガス導入管37、ストップ弁39を
具備した排気管38が連通されている。
【0024】前記カセット授受室21と搬送室23とを
仕切る仕切り壁32にはクリーンユニット33が設けら
れ、前記搬送室23の後方部前記ボート収納室25に隣
接した位置にウェーハ移載機4が設けられ、前記カセッ
トストッカ2が降下した状態で前記ウェーハ移載機4に
よりカセットストッカ2とボート9間でウェーハ10の
移載を行う様になっている。又、前記搬送室23には窒
素ガス導入管41、ストップ弁43を具備した排気管4
2が連通されている。
仕切る仕切り壁32にはクリーンユニット33が設けら
れ、前記搬送室23の後方部前記ボート収納室25に隣
接した位置にウェーハ移載機4が設けられ、前記カセッ
トストッカ2が降下した状態で前記ウェーハ移載機4に
よりカセットストッカ2とボート9間でウェーハ10の
移載を行う様になっている。又、前記搬送室23には窒
素ガス導入管41、ストップ弁43を具備した排気管4
2が連通されている。
【0025】前記反応炉6は前記ヒータ室24に収納さ
れており、前記反応炉6の炉口部にはゲート弁46が設
けられている。
れており、前記反応炉6の炉口部にはゲート弁46が設
けられている。
【0026】前記搬送室23と前記ボート収納室25を
仕切る仕切り壁44にはウェーハ移載時に開放するゲー
ト弁45が設けられる。前記ボート収納室25内には図
示しないボートエレベータが設けられ、前記ボート9を
前記ゲート弁46を介して前記反応炉6内に装入、引出
しする。又、ボート収納室25内には窒素ガス導入管
(図示せず)先端に設けられた窒素ガス導入ノズル47
が降下状態のボート9と平行に設けられ、更にストップ
弁49を具備した排気管48が連通されている。前記窒
素ガス導入ノズル47には多数のガス流出口が穿設さ
れ、窒素ガスを分散してボート収納室25内に供給する
様になっている。
仕切る仕切り壁44にはウェーハ移載時に開放するゲー
ト弁45が設けられる。前記ボート収納室25内には図
示しないボートエレベータが設けられ、前記ボート9を
前記ゲート弁46を介して前記反応炉6内に装入、引出
しする。又、ボート収納室25内には窒素ガス導入管
(図示せず)先端に設けられた窒素ガス導入ノズル47
が降下状態のボート9と平行に設けられ、更にストップ
弁49を具備した排気管48が連通されている。前記窒
素ガス導入ノズル47には多数のガス流出口が穿設さ
れ、窒素ガスを分散してボート収納室25内に供給する
様になっている。
【0027】前記した様に、前記カセット授受室21、
カセット室22、搬送室23、ボート収納室25には、
それぞれ窒素ガス導入管、排気管が連通されているの
で、各室を不活性ガス(窒素ガス)雰囲気とすることが
できる。
カセット室22、搬送室23、ボート収納室25には、
それぞれ窒素ガス導入管、排気管が連通されているの
で、各室を不活性ガス(窒素ガス)雰囲気とすることが
できる。
【0028】次に、ウェーハカセット、ウェーハの搬送
動作について説明する。
動作について説明する。
【0029】フロントシャッタ27を開き、作業者或は
図示しないカセット搬送ロボットが前記カセット挿脱機
7上にウェーハカセット13を載置する。その後、前記
フロントシャッタ27を閉じ、前記ゲート弁30を開放
し、カセット挿脱機7を上昇させてウェーハカセット1
3をカセット室22内に送入する。前記カセット移載機
28のカセットホルダ40が前記カセット挿脱機7から
ウェーハカセット13を受取り、受取ったウェーハカセ
ット13をカセットストッカ2又はバッファカセットス
トッカ3に搬送する。カセット挿脱機7が降下し、前記
ゲート弁30が閉塞する。
図示しないカセット搬送ロボットが前記カセット挿脱機
7上にウェーハカセット13を載置する。その後、前記
フロントシャッタ27を閉じ、前記ゲート弁30を開放
し、カセット挿脱機7を上昇させてウェーハカセット1
3をカセット室22内に送入する。前記カセット移載機
28のカセットホルダ40が前記カセット挿脱機7から
ウェーハカセット13を受取り、受取ったウェーハカセ
ット13をカセットストッカ2又はバッファカセットス
トッカ3に搬送する。カセット挿脱機7が降下し、前記
ゲート弁30が閉塞する。
【0030】再び、前記フロントシャッタ27が開きウ
ェーハカセット13が搬入され、上記したウェーハカセ
ット搬送動作が繰返される。又、前記カセットストッカ
2から前記ボート9へのウェーハ10の移載は以下の如
く行われる。
ェーハカセット13が搬入され、上記したウェーハカセ
ット搬送動作が繰返される。又、前記カセットストッカ
2から前記ボート9へのウェーハ10の移載は以下の如
く行われる。
【0031】前記ゲート弁31が開かれ、前記カセット
ストッカ2が図中2点鎖線で示す位置迄降下し、前記ゲ
ート弁31が閉塞する。前記ボート9は降下状態にあ
り、前記カセットストッカ2と対峙する。前記ゲート弁
45が開放され、前記ウェーハ移載機4のチャッキング
ヘッド8によりカセットストッカ2のウェーハ10が前
記ボート9に移載される。
ストッカ2が図中2点鎖線で示す位置迄降下し、前記ゲ
ート弁31が閉塞する。前記ボート9は降下状態にあ
り、前記カセットストッカ2と対峙する。前記ゲート弁
45が開放され、前記ウェーハ移載機4のチャッキング
ヘッド8によりカセットストッカ2のウェーハ10が前
記ボート9に移載される。
【0032】ボート9へのウェーハ10の移載が完了す
ると、前記ゲート弁45が閉じられ、ゲート弁46が開
かれ、ボート9が反応炉6内に装入され、ウェーハ10
の処理が行われる。
ると、前記ゲート弁45が閉じられ、ゲート弁46が開
かれ、ボート9が反応炉6内に装入され、ウェーハ10
の処理が行われる。
【0033】該ウェーハ10の処理が完了すると、前記
ゲート弁46が開き、前記ボート9が降ろされ、更に前
記ゲート弁46が閉塞し、前記ボート収納室25内で所
要温度迄ウェーハ10の冷却が行われる。次に、前記ゲ
ート弁45が開放され、前記ウェーハ移載機4による前
記ボート9から前記カセットストッカ2へのウェーハ1
0の移載が行われる。
ゲート弁46が開き、前記ボート9が降ろされ、更に前
記ゲート弁46が閉塞し、前記ボート収納室25内で所
要温度迄ウェーハ10の冷却が行われる。次に、前記ゲ
ート弁45が開放され、前記ウェーハ移載機4による前
記ボート9から前記カセットストッカ2へのウェーハ1
0の移載が行われる。
【0034】カセットストッカ2へのウェーハ10の移
載が完了すると、前記ゲート弁45が閉塞し、前記ゲー
ト弁31が開き、前記カセットストッカ2が上昇し、カ
セット室22内に収納され、前記ゲート弁30が開放
し、前記カセット移載機28によりカセットストッカ2
からカセットローダ1への処理済みウェーハ10が装填
されたウェーハカセット13の移載が行われ、前記フロ
ントシャッタ27が開かれ、カセット搬入搬出口26を
介して筐体20外にウェーハカセット13が搬出され
る。
載が完了すると、前記ゲート弁45が閉塞し、前記ゲー
ト弁31が開き、前記カセットストッカ2が上昇し、カ
セット室22内に収納され、前記ゲート弁30が開放
し、前記カセット移載機28によりカセットストッカ2
からカセットローダ1への処理済みウェーハ10が装填
されたウェーハカセット13の移載が行われ、前記フロ
ントシャッタ27が開かれ、カセット搬入搬出口26を
介して筐体20外にウェーハカセット13が搬出され
る。
【0035】以上の作動が繰返され、順次ウェーハの処
理が行われる。
理が行われる。
【0036】前記カセット搬入搬出口26の開口部は作
業者が、或はカセット搬送ロボットがウェーハカセット
13を前記カセットローダ1との間で受渡す場合に、筐
体20と接触しない様に、前記カセット搬入搬出口26
は8インチウェーハ用の場合、700mm×500mm程度
開口面積が必要である。従って、ウェーハカセット搬入
搬出の際に半導体製造装置外部から待機の流入は避けら
れないが、上記した様に本実施例ではカセットローダ1
をカセット授受室21内の狭小な空間に収納しているの
で、大量の大気がカセット授受室21を経て半導体製造
装置内に浸入することはない。
業者が、或はカセット搬送ロボットがウェーハカセット
13を前記カセットローダ1との間で受渡す場合に、筐
体20と接触しない様に、前記カセット搬入搬出口26
は8インチウェーハ用の場合、700mm×500mm程度
開口面積が必要である。従って、ウェーハカセット搬入
搬出の際に半導体製造装置外部から待機の流入は避けら
れないが、上記した様に本実施例ではカセットローダ1
をカセット授受室21内の狭小な空間に収納しているの
で、大量の大気がカセット授受室21を経て半導体製造
装置内に浸入することはない。
【0037】而も、カセット授受室21内は前記窒素ガ
ス導入管34、排気管35により窒素ガスに置換し得、
窒素ガス置換後又バッファカセットストッカ3を収納す
るカセット室22へのウェーハカセット13の出入りは
ゲート弁30を介して行われ、該ゲート弁30の開口面
積は、700mm×300mm程度でよく、前記カセット搬
入搬出口26に比して3/5に縮小する。
ス導入管34、排気管35により窒素ガスに置換し得、
窒素ガス置換後又バッファカセットストッカ3を収納す
るカセット室22へのウェーハカセット13の出入りは
ゲート弁30を介して行われ、該ゲート弁30の開口面
積は、700mm×300mm程度でよく、前記カセット搬
入搬出口26に比して3/5に縮小する。
【0038】前記カセット室22のゲート弁30は前記
カセット授受室21内が窒素ガスに置換された後開き、
カセットローダ1によるウェーハカセット13の搬入が
行われるが、搬送時間短縮の為に前記カセット授受室2
1内部の窒素ガス置換を充分行わなくても、或は全く行
わなくても前記した様にゲート弁30の開口面積が小さ
く、前記カセット授受室21から更にゲート弁30を回
り込んで大気が浸入することは少なく、更に前記窒素ガ
ス導入管37よりカセット室22内に大量に窒素ガスを
流入、例えば200〜300l /min 流入し、前記スト
ップ弁39を閉塞し、窒素ガス導入管34によるカセッ
ト授受室21への窒素ガスの流入を例えば、0〜20l
/min の少量流すと共に前記ストップ弁36は開いてカ
セット室22からカセット授受室21へ窒素ガスが流れ
る様にしておけば、窒素ガスは前記カセット搬入搬出口
26より外部へ流出し、大気の浸入を防止でき、且カセ
ット授受室21の窒素ガス置換時間を短縮でき、ウェー
ハ表面の自然酸化膜の生成を著しく抑制できる。
カセット授受室21内が窒素ガスに置換された後開き、
カセットローダ1によるウェーハカセット13の搬入が
行われるが、搬送時間短縮の為に前記カセット授受室2
1内部の窒素ガス置換を充分行わなくても、或は全く行
わなくても前記した様にゲート弁30の開口面積が小さ
く、前記カセット授受室21から更にゲート弁30を回
り込んで大気が浸入することは少なく、更に前記窒素ガ
ス導入管37よりカセット室22内に大量に窒素ガスを
流入、例えば200〜300l /min 流入し、前記スト
ップ弁39を閉塞し、窒素ガス導入管34によるカセッ
ト授受室21への窒素ガスの流入を例えば、0〜20l
/min の少量流すと共に前記ストップ弁36は開いてカ
セット室22からカセット授受室21へ窒素ガスが流れ
る様にしておけば、窒素ガスは前記カセット搬入搬出口
26より外部へ流出し、大気の浸入を防止でき、且カセ
ット授受室21の窒素ガス置換時間を短縮でき、ウェー
ハ表面の自然酸化膜の生成を著しく抑制できる。
【0039】尚、前記ストップ弁39を若干開き、前記
ストップ弁43を完全に閉じた状態でもよい、要はカセ
ット室22、カセット授受室21からの排気総流量より
も、前記窒素ガス導入管37からの導入窒素ガスの流量
が充分多ければよい。
ストップ弁43を完全に閉じた状態でもよい、要はカセ
ット室22、カセット授受室21からの排気総流量より
も、前記窒素ガス導入管37からの導入窒素ガスの流量
が充分多ければよい。
【0040】更に、カセットストッカ2とバッファカセ
ットストッカ3間のウェーハカセット13移載では、カ
セットストッカ2とバッファカセットストッカ3とが対
向して位置され、更に両者の間にカセット移載機28が
設けられているので、前記カセットホルダ40の上下方
向の移動量が著しく少なくなり、搬送時間の大幅な短縮
が可能となる。又、前記カセットストッカ2が昇降して
ウェーハ10の移載位置へ移動するので、前記カセット
ホルダ40の上下方向の移動量減少と相俟ってウェーハ
カセット搬送も含めてウェーハの移送に要する時間の短
縮が図れる。
ットストッカ3間のウェーハカセット13移載では、カ
セットストッカ2とバッファカセットストッカ3とが対
向して位置され、更に両者の間にカセット移載機28が
設けられているので、前記カセットホルダ40の上下方
向の移動量が著しく少なくなり、搬送時間の大幅な短縮
が可能となる。又、前記カセットストッカ2が昇降して
ウェーハ10の移載位置へ移動するので、前記カセット
ホルダ40の上下方向の移動量減少と相俟ってウェーハ
カセット搬送も含めてウェーハの移送に要する時間の短
縮が図れる。
【0041】前記した様に、フロントシャッタ27は下
から上に押上げて開口する構造である。これは、停電等
の事故により半導体製造装置への電源供給が断たれた場
合に、フロントシャッタ27が降下してウェーハカセッ
ト、作業者の手等を挾む事故が発生しない様にしている
為である。従って、半導体製造装置への電源供給が断た
れた場合には、フロントシャッタ27が開いたままとな
り、前記カセット搬入搬出口26より大気流れ込む。
から上に押上げて開口する構造である。これは、停電等
の事故により半導体製造装置への電源供給が断たれた場
合に、フロントシャッタ27が降下してウェーハカセッ
ト、作業者の手等を挾む事故が発生しない様にしている
為である。従って、半導体製造装置への電源供給が断た
れた場合には、フロントシャッタ27が開いたままとな
り、前記カセット搬入搬出口26より大気流れ込む。
【0042】斯かる大気の流入に対して、半導体製造装
置内全体への大気の浸入を抑止する為、前記した様にカ
セット搬入搬出口26に対向して仕切り壁32、クリー
ンユニット33を設け、カセット室22への搬入搬出口
であるゲート弁30を上方に設けてある。更に、該ゲー
ト弁30を停電時には閉状態となる様、或は該ゲート弁
30、ゲート弁31の内いずれか一方が必ず閉状態であ
る様な作動シーケンスとしておくと、ゲート弁が開であ
ると開状態を維持し、閉であると閉状態を維持するとい
う作動の特徴を生かすことで、如何なる状態となっても
搬送室23への大気の浸入が防止されるという効果が得
られる。
置内全体への大気の浸入を抑止する為、前記した様にカ
セット搬入搬出口26に対向して仕切り壁32、クリー
ンユニット33を設け、カセット室22への搬入搬出口
であるゲート弁30を上方に設けてある。更に、該ゲー
ト弁30を停電時には閉状態となる様、或は該ゲート弁
30、ゲート弁31の内いずれか一方が必ず閉状態であ
る様な作動シーケンスとしておくと、ゲート弁が開であ
ると開状態を維持し、閉であると閉状態を維持するとい
う作動の特徴を生かすことで、如何なる状態となっても
搬送室23への大気の浸入が防止されるという効果が得
られる。
【0043】尚、上記実施例に於いて不活性ガスを窒素
ガスとしたが、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性
ガスを用いてもよく、更にカセットストッカ、バッファ
カセットストッカを収納するカセット室を図2、図3で
示した従来例に実施し、該カセット室に複数のゲート弁
を設け、択一的に開閉することでやはりカセット搬入搬
出口からの大量の大気の浸入を防止することができるこ
とは言う迄もない。
ガスとしたが、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性
ガスを用いてもよく、更にカセットストッカ、バッファ
カセットストッカを収納するカセット室を図2、図3で
示した従来例に実施し、該カセット室に複数のゲート弁
を設け、択一的に開閉することでやはりカセット搬入搬
出口からの大量の大気の浸入を防止することができるこ
とは言う迄もない。
【0044】又、カセットストッカ、バッファカセット
ストッカに関するウェーハカセットの搬送の効率を向上
させる為、カセットストッカとバッファカセットストッ
カを対向して配設し、両ストッカ間のウェーハカセット
の搬送をカセット移載機で行い、外部に対する搬送に関
してはカセット移載機とカセットローダとの間のウェー
ハカセットの授受を介して行う様にしたが、斯かる構成
を有するものであれば、カセット室は必ずしもカセット
授受室の上方に設ける必要はなく、横に隣接して設けて
もよい。
ストッカに関するウェーハカセットの搬送の効率を向上
させる為、カセットストッカとバッファカセットストッ
カを対向して配設し、両ストッカ間のウェーハカセット
の搬送をカセット移載機で行い、外部に対する搬送に関
してはカセット移載機とカセットローダとの間のウェー
ハカセットの授受を介して行う様にしたが、斯かる構成
を有するものであれば、カセット室は必ずしもカセット
授受室の上方に設ける必要はなく、横に隣接して設けて
もよい。
【0045】更に又、上記実施例ではカセットストッカ
2を搬送室23内に移動させ、その後ウェーハ移載機4
によりカセットストッカ2とボート9間でウェーハの移
載を行ったが、前記ウェーハ移載機4によりカセット室
22内のカセットストッカ2とボート9間でゲート弁を
介し直接ウェーハの授受を行ってもよい。
2を搬送室23内に移動させ、その後ウェーハ移載機4
によりカセットストッカ2とボート9間でウェーハの移
載を行ったが、前記ウェーハ移載機4によりカセット室
22内のカセットストッカ2とボート9間でゲート弁を
介し直接ウェーハの授受を行ってもよい。
【0046】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、カセッ
トストッカ、バッファカセットストッカ間のウェーハカ
セットの搬送、カセットストッカとボート間でのウェー
ハ移載作業を簡略化したので、半導体製造装置内での搬
送時間が短縮され、処理時間の大幅な短縮が可能とな
り、生産性が向上し、更に半導体製造装置内での滞留時
間の短縮、又外部と半導体製造装置間でのウェーハカセ
ットの授受に伴う大気の浸入量の大幅な減少によりウェ
ーハ表面への自然酸化膜の生成が抑止され、製品品質の
向上、歩留まりの向上を図ることができる。
トストッカ、バッファカセットストッカ間のウェーハカ
セットの搬送、カセットストッカとボート間でのウェー
ハ移載作業を簡略化したので、半導体製造装置内での搬
送時間が短縮され、処理時間の大幅な短縮が可能とな
り、生産性が向上し、更に半導体製造装置内での滞留時
間の短縮、又外部と半導体製造装置間でのウェーハカセ
ットの授受に伴う大気の浸入量の大幅な減少によりウェ
ーハ表面への自然酸化膜の生成が抑止され、製品品質の
向上、歩留まりの向上を図ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図2】従来例を示す概略構成図である。
【図3】従来例を示す斜視図である。
1 カセットローダ 2 カセットストッカ 3 バッファカセットストッカ 4 ウェーハ移載機 5 ボートエレベータ 6 反応炉 7 カセット挿脱機 9 ボート 21 カセット授受室 22 カセット室 23 搬送室 24 ヒータ室 25 ボート収納室 26 カセット搬入搬出口 28 カセット移載機 30 ゲート弁 31 ゲート弁 34 窒素ガス導入管 35 排気管 37 窒素ガス導入管 38 排気管 41 窒素ガス導入管 42 排気管
フロントページの続き (72)発明者 紙谷 健一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 開発 秀樹 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (7)
- 【請求項1】 筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを
装入引出しするボートエレベータと、カセットストッカ
と、バッファカセットストッカと、前記ボートとカセッ
トストッカとの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載
機と、外部と前記カセットストッカ、バッファカセット
ストッカ間でウェーハカセットの授受を行うカセットロ
ーダとを具備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を
少なくとも前記カセットローダを収納するカセット授受
室と、カセットストッカ、バッファカセットストッカを
収納するカセット室とに仕切り、各室間の仕切り壁にゲ
ート弁を設け、各室に不活性ガス導入管、排気管を連通
したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを
装入引出しするボートエレベータと、カセットストッカ
と、バッファカセットストッカと、前記ボートとカセッ
トストッカとの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載
機と、外部と前記カセットストッカ、バッファカセット
ストッカ間でウェーハカセットの授受を行うカセットロ
ーダとを具備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を
少なくともカセットストッカ、バッファカセットストッ
カを収納するカセット室に仕切り、該カセットストッカ
とバッファカセットストッカとを対向して設けると共に
カセットストッカとバッファカセットストッカとの間に
ウェーハカセットを搬送するカセット移載機を設け、該
カセット移載機と前記カセットローダとの間でウェーハ
カセットの授受を行い得る様構成したことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項3】 カセット室をカセット授受室と、ウェー
ハ移載機を収納する搬送室とに隣接させ、カセット室と
カセット授受室との仕切り壁にウェーハカセット搬送用
のゲート弁を設け、カセット室と搬送室との仕切り壁に
ウェーハ搬送用のゲート弁を設け、両ゲート弁のいずれ
か一方が閉じている様両ゲート弁を開閉する請求項1又
は請求項2の半導体製造装置。 - 【請求項4】 カセット室をカセット授受室の上方に配
設した請求項1又は請求項2の半導体製造装置。 - 【請求項5】 カセット室をカセット授受室の上方に配
設した請求項3の半導体製造装置。 - 【請求項6】 カセットストッカをカセット室と搬送室
との間で昇降可能とし、カセットストッカの下降位置で
ウェーハ移載機を挾みボートと対向する様構成した請求
項4又は請求項5の半導体製造装置。 - 【請求項7】 筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを
装入引出しするボートエレベータと、カセットストッカ
と、バッファカセットストッカと、前記ボートとカセッ
トストッカとの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載
機と、外部と前記カセットストッカ、バッファカセット
ストッカ間でウェーハカセットの授受を行うカセットロ
ーダとを具備し、前記カセットストッカとバッファカセ
ットストッカがカセット室に収納され、前記カセットロ
ーダがカセット授受室に収納され、前記カセット室及び
カセット授受室それぞれに不活性ガス導入管、排気管を
連通した半導体製造装置に於いて、前記カセット室から
の不活性ガス流入量をカセット室、カセット授受室両室
の排気流量以上としたことを特徴とする半導体製造装置
に於ける大気浸入防止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22598094A JPH0870028A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 半導体製造装置及び大気浸入防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22598094A JPH0870028A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 半導体製造装置及び大気浸入防止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0870028A true JPH0870028A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16837910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22598094A Pending JPH0870028A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 半導体製造装置及び大気浸入防止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0870028A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340230A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Kobe Steel Ltd | 被処理基板の高温高圧処理装置 |
JP2020150150A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN114420616A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-04-29 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 槽式清洗装置 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP22598094A patent/JPH0870028A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340230A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Kobe Steel Ltd | 被処理基板の高温高圧処理装置 |
JP2020150150A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR20200110196A (ko) * | 2019-03-14 | 2020-09-23 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록매체 |
CN114420616A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-04-29 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 槽式清洗装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |