JPH0870028A - 半導体製造装置及び大気浸入防止方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】ウェーハカセット、ウェーハの搬送効率を上げ
生産性を向上させると共にウェーハカセットの搬入搬出
過程で大気が半導体製造装置内に浸入すること、装置内
でのウェーハの移載時、待機時での自然酸化膜の生成、
ウェーハの汚染を防止する。 【構成】反応炉にボート９を装入引出しするボートエレ
ベータと、カセットストッカ２と、バッファカセットス
トッカ３と、ボート９とカセットストッカとの間でウェ
ーハの移載を行うウェーハ移載機４と、外部とカセット
ストッカ２、バッファカセットストッカ間でウェーハカ
セットの授受を行うカセットローダ１とを具備した半導
体製造装置に於いて、筐体内部をカセット室２２に仕切
りカセット移載機２８を設けウェーハカセットの授受を
行い得る様構成し、或は更にカセット室を搬送室２３と
に隣接させ、ウェーハカセット搬送用のゲート弁３０を
設け、仕切り壁にウェーハ搬送用のゲート弁３１を設
け、筐体内を小室に仕切る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハより半
導体素子を製造する半導体製造装置、及び半導体製造装
置内への大気浸入を防止する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体を製造する工程として、ウェーハ
への気相成長反応による膜の堆積や、燐或は硼素等の不
純物拡散、その他ウェーハを加熱処理する工程がある。

【０００３】図２、図３に於いて半導体製造装置、特に
縦型炉を有する半導体製造装置の概略を説明する。

【０００４】１は半導体製造装置前側に位置するカセッ
トローダ、２はカセットストッカ、３はバッファカセッ
トストッカ、４はウェーハ移載機、５はボートエレベー
タ、６は反応炉、２０は筐体を示す。

【０００５】ウェーハの搬送はウェーハカセット１３に
装填された状態で行われる。ウェーハカセット１３は作
業者、或は工場に設備されたカセット搬送ロボット（図
示せず）により半導体製造装置に設けられたカセット搬
入搬出口２６を介して前記カセットローダ１のカセット
挿脱機７に載置される。該カセット挿脱機７が昇降し、
前記カセットストッカ２、バッファカセットストッカ３
の所要位置のカセット収納棚にウェーハカセット１３の
挿脱を行う。

【０００６】前記ウェーハ移載機４は昇降可能、回転可
能、水平方向に移動可能なチャッキングヘッド８を有
し、又前記ボートエレベータ５はボートキャップ１１を
介してボート９を受載し、該ボート９を昇降させ、前記
反応炉６に装入する。前記ウェーハ移載機４はボート９
の下降状態で、前記チャッキングヘッド８によりカセッ
トストッカ２のウェーハカセットからウェーハ１０をボ
ート９へ移載する。

【０００７】前記ボートエレベータ５によりボート９を
前記反応炉６に装入し、反応炉６内でウェーハ１０を加
熱し、ウェーハ１０が反応温度になる様に一定の時間を
おいて反応炉６内を真空引し、所定の真空度に制御し、
前記反応炉６内に反応ガスを導入して所要の処理を行
う。加熱処理後、反応炉６内を不活性ガスに置換し、前
記ボートエレベータ５によりボート９を降下させ反応炉
６より引出す。ボート９、ウェーハ１０を炉外で冷却
し、該ボート９の降下状態で、前記ウェーハ移載機４に
よりボート９からカセットストッカ２のウェーハカセッ
トへウェーハ１０の移載を行う。

【０００８】更に、次に処理されるウェーハ１０が前記
ウェーハ移載機４によりボート９に移載される。尚、図
中１２はボート９引出し時に反応炉６からの熱放射を遮
断する炉口シャッタである。

【０００９】次に、前記カセットローダ１の作動を略述
する。前記カセットストッカ２に未収納のカセット収納
棚がある場合は、前記カセット挿脱機７を未収納のカセ
ット収納棚迄昇降させ、ウェーハカセット１３をカセッ
トストッカ２に収納させる。又、カセットストッカ２に
必要数ウェーハカセット１３が収納されている場合は、
前記反応炉６によるウェーハの加熱処理中に、前記カセ
ットローダ１がカセット挿脱機７を駆動してバッファカ
セットストッカ３に次工程用のウェーハが装填されたウ
ェーハカセット１３を収納させる。

【００１０】バッファカセットストッカ３に収納された
ウェーハカセット１３は、カセットストッカ２に収納さ
れたウェーハの処理が完了すると、前記カセットローダ
１によりカセット挿脱機７を介して前記カセットストッ
カ２に移載され、次の処理に供される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】前記した様に、従来の
半導体製造装置ではカセットストッカ２とバッファカセ
ットストッカ３とを上下に配設しており、カセットスト
ッカ２とバッファカセットストッカ３との間でウェーハ
カセット１３の移載をするには、２カセットずつ行って
おり、移載動作を複数回繰返して行わなければならず非
常に時間が掛かった。更に、従来の半導体製造装置では
ウェーハカセット１３の搬入搬出時に前記カセット搬入
搬出口より大気が大量に浸入する。更に又、半導体製造
装置内ではカセットストッカ２とバッファカセットスト
ッカ３間でのウェーハカセット１３の移載作動を伴い、
更にバッファカセットストッカ３に長時間待機させてい
る場合がある。この為、ウェーハがバッファカセットス
トッカ３待機中に、更にカセットストッカ２とバッファ
カセットストッカ３間でのウェーハカセット１３の移載
作動中にウェーハ表面に自然酸化膜が形成される。

【００１２】更に又、正常に保たれたクリーン室内でも
パーティクルその他の汚染物質（Ｎａ、Ａｌ、Ｃｕ他の
金属物質）が微量ではあるが浮遊している。この為、ウ
ェーハが待機中、ウェーハカセット１３移載中に汚染さ
れる可能性がある。これらパーティクルその他の汚染物
質は、半導体製造工程中にウェーハに付着すると製作す
る半導体素子の断線、電気的特性の劣化等を引起こす。

【００１３】又、拡散装置に於いてウェーハ表面に酸化
膜を成膜する場合、ウェーハ表面に金属物質等の汚染物
質がある場合、汚染部分のみ酸化速度が早くなり、局所
的に膜厚が厚くなってしまうと共に膜質にも影響を与え
てしまうという問題がある。

【００１４】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハカセ
ット、ウェーハの搬送効率を上げ、半導体製造装置の生
産性を向上させると共にウェーハカセットの搬入搬出過
程で大気が半導体製造装置内に浸入すること、半導体製
造装置内でのウェーハの移載時、待機時での自然酸化膜
の生成、ウェーハの汚染を防止することを目的とするも
のである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、筐体内に反応
炉と、該反応炉にボートを装入引出しするボートエレベ
ータと、カセットストッカと、バッファカセットストッ
カと、前記ボートとカセットストッカとの間でウェーハ
の移載を行うウェーハ移載機と、外部と前記カセットス
トッカ、バッファカセットストッカ間でウェーハカセッ
トの授受を行うカセットローダとを具備した半導体製造
装置に於いて、筐体内部を少なくとも前記カセットロー
ダを収納するカセット授受室と、カセットストッカ、バ
ッファカセットストッカを収納するカセット室とに仕切
り、各室間の仕切り壁にゲート弁を設け、各室に不活性
ガス導入管、排気管を連通した半導体製造装置に係り、
又は筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを装入引出し
するボートエレベータと、カセットストッカと、バッフ
ァカセットストッカと、前記ボートとカセットストッカ
との間でウェーハの移載を行うウェーハ移載機と、外部
と前記カセットストッカ、バッファカセットストッカ間
でウェーハカセットの授受を行うカセットローダとを具
備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を少なくとも
カセットストッカ、バッファカセットストッカを収納す
るカセット室に仕切り、該カセットストッカとバッファ
カセットストッカとを対向して設けると共にカセットス
トッカとバッファカセットストッカとの間にウェーハカ
セットを搬送するカセット移載機を設け、該カセット移
載機と前記カセットローダとの間でウェーハカセットの
授受を行い得る様構成した半導体製造装置に係り、更に
斯かる半導体製造装置に於いてカセット室をカセット授
受室と、ウェーハ移載機を収納する搬送室とに隣接さ
せ、カセット室とカセット授受室との仕切り壁にウェー
ハカセット搬送用のゲート弁を設け、カセット室と搬送
室との仕切り壁にウェーハ搬送用のゲート弁を設け、両
ゲート弁のいずれか一方が閉じている様両ゲート弁を開
閉する半導体製造装置に係り、更に又筐体内に反応炉
と、該反応炉にボートを装入引出しするボートエレベー
タと、カセットストッカと、バッファカセットストッカ
と、前記ボートとカセットストッカとの間でウェーハの
移載を行うウェーハ移載機と、外部と前記カセットスト
ッカ、バッファカセットストッカ間でウェーハカセット
の授受を行うカセットローダとを具備し、前記カセット
ストッカとバッファカセットストッカがカセット室に収
納され、前記カセットローダがカセット授受室に収納さ
れ、前記カセット室及びカセット授受室それぞれに不活
性ガス導入管、排気管を連通した半導体製造装置に於い
て、前記カセット室からの不活性ガス流入量をカセット
室、カセット授受室両室の排気流量以上とした大気浸入
防止方法に係るものである。

【００１６】

【作用】筐体内部を少なくとも前記カセットローダを収
納するカセット授受室と、カセットストッカ、バッファ
カセットストッカを収納するカセット室とに仕切り、各
部屋間のウェーハカセットの移載をゲート弁を介して行
うので、各ユニット毎の不活性ガス置換が容易になり、
大気が半導体製造装置内部に浸入することが防止でき
る。又、カセットストッカ、バッファカセットストッカ
を対向させ配設することで移載動作が簡潔となり、移載
時間の短縮が図れ、又カセット室に複数のゲート弁を設
け、該ゲート弁の内少なくとも１が閉状態である様に作
動させることで、カセット室より内部に大気が浸入でき
なくなり、大気の浸入を防止できる。更に又、カセット
室へ導入する不活性ガスの流量を排気流量以上とするこ
とでカセット搬入搬出口からの大気の浸入を防止するこ
とができる。

【００１７】

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。

【００１８】尚、図１中、図２中で示したものと同様の
機能を有するものには同符号を付してある。

【００１９】半導体製造装置の筐体２０の内部を、前面
下方に位置するカセット授受室２１、該カセット授受室
２１の上方に位置するカセット室２２、該カセット室２
２の下方及びカセット授受室２１の後方に位置する搬送
室２３、該搬送室２３に隣接し、装置上方後部に位置す
るヒータ室２４、該ヒータ室２４の下方に位置するボー
ト収納室２５に区分けする。

【００２０】前記筐体２０の前記カセット授受室２１に
臨む部分にカセット搬入搬出口２６設け、該カセット搬
入搬出口２６にフロントシャッタ２７を設ける。該フロ
ントシャッタ２７は扉体が下方から上方に押上げられて
開口する構造となっている。又前記カセット授受室２１
内にはカセットローダ１が設けられ、該カセット授受室
２１には窒素ガス導入管３４、ストップ弁３６を具備し
た排気管３５が連通されている。

【００２１】前記カセット室２２内には、前方側にバッ
ファカセットストッカ３、後方側にカセットストッカ２
が配設され、バッファカセットストッカ３とカセットス
トッカ２との間にカセット移載機２８が設けられる。該
カセット移載機２８は昇降可能、回転可能、且水平方向
に進退可能なカセットホルダ４０を有し、該カセットホ
ルダ４０を駆動して前記バッファカセットストッカ３と
前記カセットストッカ２間でウェーハカセット１３の移
載を行う。

【００２２】前記カセット室２２を画成する仕切り壁２
９の前記カセット授受室２１との境界部にゲート弁３０
を設け、該ゲート弁３０を介し前記カセットローダ１に
より外部から搬入されたウェーハカセット１３を前記バ
ッファカセットストッカ３に収納させ、又該バッファカ
セットストッカ３のウェーハカセット１３を外部に搬出
する。

【００２３】前記カセットストッカ２は前記カセット室
２２と前記搬送室２３間に掛け亘って昇降する様になっ
ており、前記カセットストッカ２の前記仕切り壁２９挿
通部にはゲート弁３１が設けられている。又、前記カセ
ット室２２には窒素ガス導入管３７、ストップ弁３９を
具備した排気管３８が連通されている。

【００２４】前記カセット授受室２１と搬送室２３とを
仕切る仕切り壁３２にはクリーンユニット３３が設けら
れ、前記搬送室２３の後方部前記ボート収納室２５に隣
接した位置にウェーハ移載機４が設けられ、前記カセッ
トストッカ２が降下した状態で前記ウェーハ移載機４に
よりカセットストッカ２とボート９間でウェーハ１０の
移載を行う様になっている。又、前記搬送室２３には窒
素ガス導入管４１、ストップ弁４３を具備した排気管４
２が連通されている。

【００２５】前記反応炉６は前記ヒータ室２４に収納さ
れており、前記反応炉６の炉口部にはゲート弁４６が設
けられている。

【００２６】前記搬送室２３と前記ボート収納室２５を
仕切る仕切り壁４４にはウェーハ移載時に開放するゲー
ト弁４５が設けられる。前記ボート収納室２５内には図
示しないボートエレベータが設けられ、前記ボート９を
前記ゲート弁４６を介して前記反応炉６内に装入、引出
しする。又、ボート収納室２５内には窒素ガス導入管
（図示せず）先端に設けられた窒素ガス導入ノズル４７
が降下状態のボート９と平行に設けられ、更にストップ
弁４９を具備した排気管４８が連通されている。前記窒
素ガス導入ノズル４７には多数のガス流出口が穿設さ
れ、窒素ガスを分散してボート収納室２５内に供給する
様になっている。

【００２７】前記した様に、前記カセット授受室２１、
カセット室２２、搬送室２３、ボート収納室２５には、
それぞれ窒素ガス導入管、排気管が連通されているの
で、各室を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とすることが
できる。

【００２８】次に、ウェーハカセット、ウェーハの搬送
動作について説明する。

【００２９】フロントシャッタ２７を開き、作業者或は
図示しないカセット搬送ロボットが前記カセット挿脱機
７上にウェーハカセット１３を載置する。その後、前記
フロントシャッタ２７を閉じ、前記ゲート弁３０を開放
し、カセット挿脱機７を上昇させてウェーハカセット１
３をカセット室２２内に送入する。前記カセット移載機
２８のカセットホルダ４０が前記カセット挿脱機７から
ウェーハカセット１３を受取り、受取ったウェーハカセ
ット１３をカセットストッカ２又はバッファカセットス
トッカ３に搬送する。カセット挿脱機７が降下し、前記
ゲート弁３０が閉塞する。

【００３０】再び、前記フロントシャッタ２７が開きウ
ェーハカセット１３が搬入され、上記したウェーハカセ
ット搬送動作が繰返される。又、前記カセットストッカ
２から前記ボート９へのウェーハ１０の移載は以下の如
く行われる。

【００３１】前記ゲート弁３１が開かれ、前記カセット
ストッカ２が図中２点鎖線で示す位置迄降下し、前記ゲ
ート弁３１が閉塞する。前記ボート９は降下状態にあ
り、前記カセットストッカ２と対峙する。前記ゲート弁
４５が開放され、前記ウェーハ移載機４のチャッキング
ヘッド８によりカセットストッカ２のウェーハ１０が前
記ボート９に移載される。

【００３２】ボート９へのウェーハ１０の移載が完了す
ると、前記ゲート弁４５が閉じられ、ゲート弁４６が開
かれ、ボート９が反応炉６内に装入され、ウェーハ１０
の処理が行われる。

【００３３】該ウェーハ１０の処理が完了すると、前記
ゲート弁４６が開き、前記ボート９が降ろされ、更に前
記ゲート弁４６が閉塞し、前記ボート収納室２５内で所
要温度迄ウェーハ１０の冷却が行われる。次に、前記ゲ
ート弁４５が開放され、前記ウェーハ移載機４による前
記ボート９から前記カセットストッカ２へのウェーハ１
０の移載が行われる。

【００３４】カセットストッカ２へのウェーハ１０の移
載が完了すると、前記ゲート弁４５が閉塞し、前記ゲー
ト弁３１が開き、前記カセットストッカ２が上昇し、カ
セット室２２内に収納され、前記ゲート弁３０が開放
し、前記カセット移載機２８によりカセットストッカ２
からカセットローダ１への処理済みウェーハ１０が装填
されたウェーハカセット１３の移載が行われ、前記フロ
ントシャッタ２７が開かれ、カセット搬入搬出口２６を
介して筐体２０外にウェーハカセット１３が搬出され
る。

【００３５】以上の作動が繰返され、順次ウェーハの処
理が行われる。

【００３６】前記カセット搬入搬出口２６の開口部は作
業者が、或はカセット搬送ロボットがウェーハカセット
１３を前記カセットローダ１との間で受渡す場合に、筐
体２０と接触しない様に、前記カセット搬入搬出口２６
は８インチウェーハ用の場合、７００mm×５００mm程度
開口面積が必要である。従って、ウェーハカセット搬入
搬出の際に半導体製造装置外部から待機の流入は避けら
れないが、上記した様に本実施例ではカセットローダ１
をカセット授受室２１内の狭小な空間に収納しているの
で、大量の大気がカセット授受室２１を経て半導体製造
装置内に浸入することはない。

【００３７】而も、カセット授受室２１内は前記窒素ガ
ス導入管３４、排気管３５により窒素ガスに置換し得、
窒素ガス置換後又バッファカセットストッカ３を収納す
るカセット室２２へのウェーハカセット１３の出入りは
ゲート弁３０を介して行われ、該ゲート弁３０の開口面
積は、７００mm×３００mm程度でよく、前記カセット搬
入搬出口２６に比して３／５に縮小する。

【００３８】前記カセット室２２のゲート弁３０は前記
カセット授受室２１内が窒素ガスに置換された後開き、
カセットローダ１によるウェーハカセット１３の搬入が
行われるが、搬送時間短縮の為に前記カセット授受室２
１内部の窒素ガス置換を充分行わなくても、或は全く行
わなくても前記した様にゲート弁３０の開口面積が小さ
く、前記カセット授受室２１から更にゲート弁３０を回
り込んで大気が浸入することは少なく、更に前記窒素ガ
ス導入管３７よりカセット室２２内に大量に窒素ガスを
流入、例えば２００〜３００l ／min 流入し、前記スト
ップ弁３９を閉塞し、窒素ガス導入管３４によるカセッ
ト授受室２１への窒素ガスの流入を例えば、０〜２０l
／min の少量流すと共に前記ストップ弁３６は開いてカ
セット室２２からカセット授受室２１へ窒素ガスが流れ
る様にしておけば、窒素ガスは前記カセット搬入搬出口
２６より外部へ流出し、大気の浸入を防止でき、且カセ
ット授受室２１の窒素ガス置換時間を短縮でき、ウェー
ハ表面の自然酸化膜の生成を著しく抑制できる。

【００３９】尚、前記ストップ弁３９を若干開き、前記
ストップ弁４３を完全に閉じた状態でもよい、要はカセ
ット室２２、カセット授受室２１からの排気総流量より
も、前記窒素ガス導入管３７からの導入窒素ガスの流量
が充分多ければよい。

【００４０】更に、カセットストッカ２とバッファカセ
ットストッカ３間のウェーハカセット１３移載では、カ
セットストッカ２とバッファカセットストッカ３とが対
向して位置され、更に両者の間にカセット移載機２８が
設けられているので、前記カセットホルダ４０の上下方
向の移動量が著しく少なくなり、搬送時間の大幅な短縮
が可能となる。又、前記カセットストッカ２が昇降して
ウェーハ１０の移載位置へ移動するので、前記カセット
ホルダ４０の上下方向の移動量減少と相俟ってウェーハ
カセット搬送も含めてウェーハの移送に要する時間の短
縮が図れる。

【００４１】前記した様に、フロントシャッタ２７は下
から上に押上げて開口する構造である。これは、停電等
の事故により半導体製造装置への電源供給が断たれた場
合に、フロントシャッタ２７が降下してウェーハカセッ
ト、作業者の手等を挾む事故が発生しない様にしている
為である。従って、半導体製造装置への電源供給が断た
れた場合には、フロントシャッタ２７が開いたままとな
り、前記カセット搬入搬出口２６より大気流れ込む。

【００４２】斯かる大気の流入に対して、半導体製造装
置内全体への大気の浸入を抑止する為、前記した様にカ
セット搬入搬出口２６に対向して仕切り壁３２、クリー
ンユニット３３を設け、カセット室２２への搬入搬出口
であるゲート弁３０を上方に設けてある。更に、該ゲー
ト弁３０を停電時には閉状態となる様、或は該ゲート弁
３０、ゲート弁３１の内いずれか一方が必ず閉状態であ
る様な作動シーケンスとしておくと、ゲート弁が開であ
ると開状態を維持し、閉であると閉状態を維持するとい
う作動の特徴を生かすことで、如何なる状態となっても
搬送室２３への大気の浸入が防止されるという効果が得
られる。

【００４３】尚、上記実施例に於いて不活性ガスを窒素
ガスとしたが、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性
ガスを用いてもよく、更にカセットストッカ、バッファ
カセットストッカを収納するカセット室を図２、図３で
示した従来例に実施し、該カセット室に複数のゲート弁
を設け、択一的に開閉することでやはりカセット搬入搬
出口からの大量の大気の浸入を防止することができるこ
とは言う迄もない。

【００４４】又、カセットストッカ、バッファカセット
ストッカに関するウェーハカセットの搬送の効率を向上
させる為、カセットストッカとバッファカセットストッ
カを対向して配設し、両ストッカ間のウェーハカセット
の搬送をカセット移載機で行い、外部に対する搬送に関
してはカセット移載機とカセットローダとの間のウェー
ハカセットの授受を介して行う様にしたが、斯かる構成
を有するものであれば、カセット室は必ずしもカセット
授受室の上方に設ける必要はなく、横に隣接して設けて
もよい。

【００４５】更に又、上記実施例ではカセットストッカ
２を搬送室２３内に移動させ、その後ウェーハ移載機４
によりカセットストッカ２とボート９間でウェーハの移
載を行ったが、前記ウェーハ移載機４によりカセット室
２２内のカセットストッカ２とボート９間でゲート弁を
介し直接ウェーハの授受を行ってもよい。

【００４６】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、カセッ
トストッカ、バッファカセットストッカ間のウェーハカ
セットの搬送、カセットストッカとボート間でのウェー
ハ移載作業を簡略化したので、半導体製造装置内での搬
送時間が短縮され、処理時間の大幅な短縮が可能とな
り、生産性が向上し、更に半導体製造装置内での滞留時
間の短縮、又外部と半導体製造装置間でのウェーハカセ
ットの授受に伴う大気の浸入量の大幅な減少によりウェ
ーハ表面への自然酸化膜の生成が抑止され、製品品質の
向上、歩留まりの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。

【図２】従来例を示す概略構成図である。

【図３】従来例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ カセットローダ ２ カセットストッカ ３ バッファカセットストッカ ４ ウェーハ移載機 ５ ボートエレベータ ６ 反応炉 ７ カセット挿脱機 ９ ボート ２１ カセット授受室 ２２ カセット室 ２３ 搬送室 ２４ ヒータ室 ２５ ボート収納室 ２６ カセット搬入搬出口 ２８ カセット移載機 ３０ ゲート弁 ３１ ゲート弁 ３４ 窒素ガス導入管 ３５ 排気管 ３７ 窒素ガス導入管 ３８ 排気管 ４１ 窒素ガス導入管 ４２ 排気管

フロントページの続き (72)発明者 紙谷 健一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 開発 秀樹 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを
   装入引出しするボートエレベータと、カセットストッカ
   と、バッファカセットストッカと、前記ボートとカセッ
   トストッカとの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載
   機と、外部と前記カセットストッカ、バッファカセット
   ストッカ間でウェーハカセットの授受を行うカセットロ
   ーダとを具備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を
   少なくとも前記カセットローダを収納するカセット授受
   室と、カセットストッカ、バッファカセットストッカを
   収納するカセット室とに仕切り、各室間の仕切り壁にゲ
   ート弁を設け、各室に不活性ガス導入管、排気管を連通
   したことを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】 筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを
   装入引出しするボートエレベータと、カセットストッカ
   と、バッファカセットストッカと、前記ボートとカセッ
   トストッカとの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載
   機と、外部と前記カセットストッカ、バッファカセット
   ストッカ間でウェーハカセットの授受を行うカセットロ
   ーダとを具備した半導体製造装置に於いて、筐体内部を
   少なくともカセットストッカ、バッファカセットストッ
   カを収納するカセット室に仕切り、該カセットストッカ
   とバッファカセットストッカとを対向して設けると共に
   カセットストッカとバッファカセットストッカとの間に
   ウェーハカセットを搬送するカセット移載機を設け、該
   カセット移載機と前記カセットローダとの間でウェーハ
   カセットの授受を行い得る様構成したことを特徴とする
   半導体製造装置。
3. 【請求項３】 カセット室をカセット授受室と、ウェー
   ハ移載機を収納する搬送室とに隣接させ、カセット室と
   カセット授受室との仕切り壁にウェーハカセット搬送用
   のゲート弁を設け、カセット室と搬送室との仕切り壁に
   ウェーハ搬送用のゲート弁を設け、両ゲート弁のいずれ
   か一方が閉じている様両ゲート弁を開閉する請求項１又
   は請求項２の半導体製造装置。
4. 【請求項４】 カセット室をカセット授受室の上方に配
   設した請求項１又は請求項２の半導体製造装置。
5. 【請求項５】 カセット室をカセット授受室の上方に配
   設した請求項３の半導体製造装置。
6. 【請求項６】 カセットストッカをカセット室と搬送室
   との間で昇降可能とし、カセットストッカの下降位置で
   ウェーハ移載機を挾みボートと対向する様構成した請求
   項４又は請求項５の半導体製造装置。
7. 【請求項７】 筐体内に反応炉と、該反応炉にボートを
   装入引出しするボートエレベータと、カセットストッカ
   と、バッファカセットストッカと、前記ボートとカセッ
   トストッカとの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載
   機と、外部と前記カセットストッカ、バッファカセット
   ストッカ間でウェーハカセットの授受を行うカセットロ
   ーダとを具備し、前記カセットストッカとバッファカセ
   ットストッカがカセット室に収納され、前記カセットロ
   ーダがカセット授受室に収納され、前記カセット室及び
   カセット授受室それぞれに不活性ガス導入管、排気管を
   連通した半導体製造装置に於いて、前記カセット室から
   の不活性ガス流入量をカセット室、カセット授受室両室
   の排気流量以上としたことを特徴とする半導体製造装置
   に於ける大気浸入防止方法。