JPH0867534A - 半導体封入用ガラス - Google Patents
半導体封入用ガラスInfo
- Publication number
- JPH0867534A JPH0867534A JP23051594A JP23051594A JPH0867534A JP H0867534 A JPH0867534 A JP H0867534A JP 23051594 A JP23051594 A JP 23051594A JP 23051594 A JP23051594 A JP 23051594A JP H0867534 A JPH0867534 A JP H0867534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor
- temperature
- encapsulating
- encapsulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体封入用ガラスとして必要な条件、すな
わち、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せず、封入温
度が６６０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における
線膨張係数が８３〜９３×１０-7／℃を満足しており、
さらに、不可避的に混入してくるアルミナによっても十
分に失透しにくい半導体封入用ガラスの提供を目的とす
る。 【構成】 重量百分率でＰｂＯ ５０．０〜５９．５
％、ＳｉＯ2 ３０．０〜４０．０％、Ｋ2 Ｏ ４．０〜
１０．０％、Ｂ2 Ｏ3 ０．１〜５．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０
〜１．０％の組成を有し、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏ
を含有せず、封入温度が６６０℃以下、３０〜３８０℃
の温度範囲における線膨張係数が８３〜９３×１０-7／
℃であることを特徴とする。
わち、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せず、封入温
度が６６０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における
線膨張係数が８３〜９３×１０-7／℃を満足しており、
さらに、不可避的に混入してくるアルミナによっても十
分に失透しにくい半導体封入用ガラスの提供を目的とす
る。 【構成】 重量百分率でＰｂＯ ５０．０〜５９．５
％、ＳｉＯ2 ３０．０〜４０．０％、Ｋ2 Ｏ ４．０〜
１０．０％、Ｂ2 Ｏ3 ０．１〜５．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０
〜１．０％の組成を有し、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏ
を含有せず、封入温度が６６０℃以下、３０〜３８０℃
の温度範囲における線膨張係数が８３〜９３×１０-7／
℃であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体封入用のガラス、
すなわち、シリコンダイオード、発光ダイオード、サー
ミスタ等の素子と、それに電気的に接続するジュメット
線等の電極材料を気密封入するガラスに関する。
すなわち、シリコンダイオード、発光ダイオード、サー
ミスタ等の素子と、それに電気的に接続するジュメット
線等の電極材料を気密封入するガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンダイオード、発光ダイオード、
サーミスタ等と言った小型の電子部品は、半導体素子を
ジュメット線等の電極材料で両側からはさみ、ガラス管
で囲んだ後に加熱し、ガラス管を軟化変形させて気密封
入した構造（ＤＨＤ型）が広く採用されている。
サーミスタ等と言った小型の電子部品は、半導体素子を
ジュメット線等の電極材料で両側からはさみ、ガラス管
で囲んだ後に加熱し、ガラス管を軟化変形させて気密封
入した構造（ＤＨＤ型）が広く採用されている。
【０００３】この構造の半導体封入用ガラスに求められ
る条件としては、半導体素子を汚染して電気特性を劣化
させる成分であるＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを実質的に含有し
ないこと、半導体の電気特性が気密封入時の熱の作用で
損なわれないように、ガラスの粘度が１０6.0 ポイズと
なる温度で定められる封入温度が６６０℃以下であるこ
と、および、電極材料として最も一般的に用いられてい
るジュメット線の熱膨張係数に整合する８３〜９３×１
０-7／℃（３０〜３８０℃）の熱膨張係数をもつことが
必要である。
る条件としては、半導体素子を汚染して電気特性を劣化
させる成分であるＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを実質的に含有し
ないこと、半導体の電気特性が気密封入時の熱の作用で
損なわれないように、ガラスの粘度が１０6.0 ポイズと
なる温度で定められる封入温度が６６０℃以下であるこ
と、および、電極材料として最も一般的に用いられてい
るジュメット線の熱膨張係数に整合する８３〜９３×１
０-7／℃（３０〜３８０℃）の熱膨張係数をもつことが
必要である。
【０００４】従来、このような条件を満たす半導体封入
用ガラスとしては、もっぱら、米国コーニング社製のコ
ード番号８８７０に代表されるようなＰｂＯ、ＳｉＯ
2 、Ｋ2 Ｏの三成分を主成分とするガラスが使われてい
る。
用ガラスとしては、もっぱら、米国コーニング社製のコ
ード番号８８７０に代表されるようなＰｂＯ、ＳｉＯ
2 、Ｋ2 Ｏの三成分を主成分とするガラスが使われてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようする課題】ところがこの組成のガラ
スはそれ自身の失透性は十分に小さいにもかかわらず、
アルミナ濃度が高くなると失透性が急激に悪化し、リュ
ーサイトといったような、Ｋ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ
2 系の失透結晶を多出する性質がある。
スはそれ自身の失透性は十分に小さいにもかかわらず、
アルミナ濃度が高くなると失透性が急激に悪化し、リュ
ーサイトといったような、Ｋ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ
2 系の失透結晶を多出する性質がある。
【０００６】このため、このガラスを製造する過程にお
いて、原料中の不純物や、ガラス溶解炉に使用する耐火
物が浸食される等、不可避的に混入してくるアルミナに
よってガラス中のアルミナ濃度が局所的に高くなると、
この部分に失透結晶が生成し、それがそのままガラスの
異物欠点として流出してしまうことが度々発生する。こ
の異物欠点は、外観上の問題のみならず、成形後のガラ
スの寸法を不安定にしたり、ガラス母材との膨張差によ
ってガラスの成形過程においても、また、気密封入後の
完成した電子部品においても、ガラス破損といった重大
な問題の引き金となる。つまり、電子部品の信頼性を低
下させ、また製造コストの上昇を招くことになる。この
ような事情から、先に述べた半導体封入用ガラスとして
の条件を保ったままで、ガラス製造上不可避的に混入す
るアルミナに対しても十分に失透し難いガラスが求めら
れている。
いて、原料中の不純物や、ガラス溶解炉に使用する耐火
物が浸食される等、不可避的に混入してくるアルミナに
よってガラス中のアルミナ濃度が局所的に高くなると、
この部分に失透結晶が生成し、それがそのままガラスの
異物欠点として流出してしまうことが度々発生する。こ
の異物欠点は、外観上の問題のみならず、成形後のガラ
スの寸法を不安定にしたり、ガラス母材との膨張差によ
ってガラスの成形過程においても、また、気密封入後の
完成した電子部品においても、ガラス破損といった重大
な問題の引き金となる。つまり、電子部品の信頼性を低
下させ、また製造コストの上昇を招くことになる。この
ような事情から、先に述べた半導体封入用ガラスとして
の条件を保ったままで、ガラス製造上不可避的に混入す
るアルミナに対しても十分に失透し難いガラスが求めら
れている。
【０００７】本発明は、上記問題の解決の為になされた
ものであり、半導体封入用ガラスとして必要な条件、す
なわち、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せず、封入
温度が６６０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲におけ
る線膨張係数が８３〜９３×１０-7／℃を満足してお
り、さらに、不可避的に混入してくるアルミナによって
も十分に失透しにくいことを特徴とする半導体封入用ガ
ラスの提供を目的とするものである。
ものであり、半導体封入用ガラスとして必要な条件、す
なわち、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せず、封入
温度が６６０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲におけ
る線膨張係数が８３〜９３×１０-7／℃を満足してお
り、さらに、不可避的に混入してくるアルミナによって
も十分に失透しにくいことを特徴とする半導体封入用ガ
ラスの提供を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は種々の実験を
行った結果、特定組成範囲のＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｋ2Ｏ
系ガラスに特定量のＢ2 Ｏ3 を添加することにより上記
目的が達成できることを見いだし、本発明として提案す
るものである。
行った結果、特定組成範囲のＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｋ2Ｏ
系ガラスに特定量のＢ2 Ｏ3 を添加することにより上記
目的が達成できることを見いだし、本発明として提案す
るものである。
【０００９】本発明の半導体封入用ガラスは、重量百分
率でＰｂＯ ５０．０〜５９．５％、ＳｉＯ2 ３０．０
〜４０．０％、Ｋ2 Ｏ ４．０〜１０．０％、Ｂ2 Ｏ3
０．１〜５．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１．０％の組成を有
し、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せず、封入温度
が６６０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における線
膨張係数が８３〜９３×１０-7／℃であることを特徴と
する。
率でＰｂＯ ５０．０〜５９．５％、ＳｉＯ2 ３０．０
〜４０．０％、Ｋ2 Ｏ ４．０〜１０．０％、Ｂ2 Ｏ3
０．１〜５．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１．０％の組成を有
し、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せず、封入温度
が６６０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における線
膨張係数が８３〜９３×１０-7／℃であることを特徴と
する。
【００１０】また本発明の半導体封入用ガラスは、ガラ
ス管に成形されて使用されることを特徴とする。
ス管に成形されて使用されることを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の半導体封入用ガラスを構成する各成分
の含有量を、上記のように限定した理由は以下のとおり
である。
の含有量を、上記のように限定した理由は以下のとおり
である。
【００１２】ＰｂＯは熱膨張係数と封入温度に作用する
と共に、ガラス自身の失透にも大きく影響を与える成分
であり、その含有量は５０．０〜５９．５％、好ましく
は５１．０〜５９．０％である。ＰｂＯが５９．５％を
超えるとガラス自身の失透性が悪化して均質なガラスが
得られなくなる。一方、５０．０％より少ないと封入温
度が高くなり過ぎる。
と共に、ガラス自身の失透にも大きく影響を与える成分
であり、その含有量は５０．０〜５９．５％、好ましく
は５１．０〜５９．０％である。ＰｂＯが５９．５％を
超えるとガラス自身の失透性が悪化して均質なガラスが
得られなくなる。一方、５０．０％より少ないと封入温
度が高くなり過ぎる。
【００１３】ＳｉＯ2 はガラスの網目構造を形成する成
分であり、その含有量は３０．０〜４０．０％、好まし
くは３２．０〜３９．０％である。ＳｉＯ2 が４０．０
％を超えると封入温度が高くなり過ぎ、一方、３０．０
％より少ないとガラスの耐候性や耐薬品性が著しく低下
するため、製造工程で使う処理液や完成した電子部品の
使用環境等に制限を受けることになる。
分であり、その含有量は３０．０〜４０．０％、好まし
くは３２．０〜３９．０％である。ＳｉＯ2 が４０．０
％を超えると封入温度が高くなり過ぎ、一方、３０．０
％より少ないとガラスの耐候性や耐薬品性が著しく低下
するため、製造工程で使う処理液や完成した電子部品の
使用環境等に制限を受けることになる。
【００１４】Ｋ2 Ｏは熱膨張係数、封入温度、失透性の
何れにも大きく作用する成分であり、その含有量は４．
０〜１０．０％、好ましくは４．５〜８．５％である。
Ｋ2Ｏが１０．０％を超えると熱膨張係数が大きくなり
過ぎ、一方４．０％より少ないと熱膨張係数が小さくな
り過ぎ、また封入温度が上昇したり、失透性を改善する
という効果が小さくなる。
何れにも大きく作用する成分であり、その含有量は４．
０〜１０．０％、好ましくは４．５〜８．５％である。
Ｋ2Ｏが１０．０％を超えると熱膨張係数が大きくなり
過ぎ、一方４．０％より少ないと熱膨張係数が小さくな
り過ぎ、また封入温度が上昇したり、失透性を改善する
という効果が小さくなる。
【００１５】Ｂ2 Ｏ3 は不可避的に混入してくるアルミ
ナに起因する失透傾向の増大を抑制すると共に封入温度
を下げる効果を有し、その含有量は０．１〜５．０％、
好ましくは０．５〜３．５％である。Ｂ2 Ｏ3 が５．０
％を超えると逆に失透性が悪化し、０．１％より少ない
と上記した効果が得られない。
ナに起因する失透傾向の増大を抑制すると共に封入温度
を下げる効果を有し、その含有量は０．１〜５．０％、
好ましくは０．５〜３．５％である。Ｂ2 Ｏ3 が５．０
％を超えると逆に失透性が悪化し、０．１％より少ない
と上記した効果が得られない。
【００１６】Ａｌ2 Ｏ3 は、粘度の調整や耐水性の改善
等に効果のある成分であり、１．０％まで、好ましくは
０．５％まで添加できる。Ａｌ2 Ｏ3 が１．０％を超え
ると、失透性が急激に悪化する。
等に効果のある成分であり、１．０％まで、好ましくは
０．５％まで添加できる。Ａｌ2 Ｏ3 が１．０％を超え
ると、失透性が急激に悪化する。
【００１７】尚、本発明のガラスにおいては、ガラスの
粘度の調整や耐候性、溶解性、清澄性を改善する目的
で、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｐ2 Ｏ5 、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｆ等の各成
分を１．０％まで添加することが可能である。
粘度の調整や耐候性、溶解性、清澄性を改善する目的
で、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｐ2 Ｏ5 、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｆ等の各成
分を１．０％まで添加することが可能である。
【００１８】
【実施例】次に本発明の半導体封入用ガラスを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１９】表１および表２は、本発明の半導体封入用
ガラスの実施例（試料Ｎｏ．１〜９）および、従来から
用いられている一般的な半導体封入用ガラスの一例（試
料Ｎｏ．１０）の組成と特性を示すものである。
ガラスの実施例（試料Ｎｏ．１〜９）および、従来から
用いられている一般的な半導体封入用ガラスの一例（試
料Ｎｏ．１０）の組成と特性を示すものである。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】表に示した試料Ｎｏ．１〜１０の各試料
は、次のようにして作製し、評価した。
は、次のようにして作製し、評価した。
【００２３】まず、表に示す組成になるようにガラス原
料を調合し、白金坩堝を用いて１３００℃で２時間溶解
した。溶解後、融液をカ−ボン板上に流しだし、アニ−
ルすることによって各ガラス試料を作製し、それらの３
０〜３８０℃の温度範囲における線膨張係数、ガラスの
温度が１０6.0 ポイズとなる温度で定められる封入温度
を測定し、また失透性について評価した。
料を調合し、白金坩堝を用いて１３００℃で２時間溶解
した。溶解後、融液をカ−ボン板上に流しだし、アニ−
ルすることによって各ガラス試料を作製し、それらの３
０〜３８０℃の温度範囲における線膨張係数、ガラスの
温度が１０6.0 ポイズとなる温度で定められる封入温度
を測定し、また失透性について評価した。
【００２４】表から明らかなように、本発明の実施例で
あるＮｏ．１〜９の各試料は、線膨張係数が８３〜９３
×１０-7／℃、封入温度が６６０℃以下と従来のガラス
（試料Ｎｏ．１０）と同等の値を示し、しかもアルミナ
混入時の失透性が大きく改善していることが解る。
あるＮｏ．１〜９の各試料は、線膨張係数が８３〜９３
×１０-7／℃、封入温度が６６０℃以下と従来のガラス
（試料Ｎｏ．１０）と同等の値を示し、しかもアルミナ
混入時の失透性が大きく改善していることが解る。
【００２５】尚、線膨張係数は、自記示差熱膨張計で、
３０〜３８０℃の温度範囲における平均線膨張係数を測
定したものである。
３０〜３８０℃の温度範囲における平均線膨張係数を測
定したものである。
【００２６】封入温度は、ガラスの粘度で１０14.5から
１０7.6 ポイズ間をファイバーエロンゲーション法、１
０4.0 から１０2.0 ポイズ間を白金球引き上げ法でそれ
ぞれ測定し、粘度に対する温度曲線を作図して、粘度１
０6.0 ポイズに対応する温度を求めて封入温度としたも
のである。
１０7.6 ポイズ間をファイバーエロンゲーション法、１
０4.0 から１０2.0 ポイズ間を白金球引き上げ法でそれ
ぞれ測定し、粘度に対する温度曲線を作図して、粘度１
０6.0 ポイズに対応する温度を求めて封入温度としたも
のである。
【００２７】また、不可避的に混入するアルミナによる
失透性試験は次の様にして評価した。まず上記と同様に
ガラス原料を調合した後、ガラス１００重量部に対して
アルミナを３．５重量部の割合で添加し、白金坩堝を用
いて１３００℃で２時間溶解し、その融液をカ−ボン板
上に流しだし、アニ−ルすることによって各ガラス試料
を作製した。次いで各試料を３０〜５０メッシュに粉砕
し、水洗い後乾燥させ、白金ボートに移した後、所定の
温度勾配のついた電気炉内で７０時間処理して取り出し
た。そして偏光顕微鏡を用い、失透結晶が析出し始めた
温度（失透温度）と失透結晶の量を評価した。
失透性試験は次の様にして評価した。まず上記と同様に
ガラス原料を調合した後、ガラス１００重量部に対して
アルミナを３．５重量部の割合で添加し、白金坩堝を用
いて１３００℃で２時間溶解し、その融液をカ−ボン板
上に流しだし、アニ−ルすることによって各ガラス試料
を作製した。次いで各試料を３０〜５０メッシュに粉砕
し、水洗い後乾燥させ、白金ボートに移した後、所定の
温度勾配のついた電気炉内で７０時間処理して取り出し
た。そして偏光顕微鏡を用い、失透結晶が析出し始めた
温度（失透温度）と失透結晶の量を評価した。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明のガラスは、半導体
封入用としての条件、即ちＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せ
ず、封入温度が６６０℃以下の条件を満たし、線膨張係
数が８３〜９３×１０-7／℃であり、かつ、不可避的に
混入してくるアルミナによる失透性も大きく改善してお
り、製造コストの低下、および、高い信頼性が要求され
る半導体封入用ガラスとして好適である。
封入用としての条件、即ちＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを含有せ
ず、封入温度が６６０℃以下の条件を満たし、線膨張係
数が８３〜９３×１０-7／℃であり、かつ、不可避的に
混入してくるアルミナによる失透性も大きく改善してお
り、製造コストの低下、および、高い信頼性が要求され
る半導体封入用ガラスとして好適である。
Claims (2)
- 【請求項１】 重量百分率でＰｂＯ ５０．０〜５９．
５％、ＳｉＯ2 ３０．０〜４０．０％、Ｋ2 Ｏ ４．０
〜１０．０％、Ｂ2 Ｏ3 ０．１〜５．０％、Ａｌ2 Ｏ3
０〜１．０％の組成を有し、実質的にＮａ2 Ｏ、Ｌｉ2
Ｏを含有せず、封入温度が６６０℃以下、３０〜３８０
℃の温度範囲における線膨張係数が８３〜９３×１０-7
／℃であることを特徴とする半導体封入用ガラス。 - 【請求項２】 ガラス管に成形されることを特徴とする
請求項１の半導体封入用ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23051594A JPH0867534A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体封入用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23051594A JPH0867534A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体封入用ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867534A true JPH0867534A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16908964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23051594A Pending JPH0867534A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体封入用ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0867534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470999B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-12-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass for semiconductor encapsulation and outer tube for semiconductor encapsulation, and semiconductor electronic parts |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP23051594A patent/JPH0867534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470999B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-12-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass for semiconductor encapsulation and outer tube for semiconductor encapsulation, and semiconductor electronic parts |
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