JPH02267137A - 封着材料 - Google Patents
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- JPH02267137A JPH02267137A JP8577089A JP8577089A JPH02267137A JP H02267137 A JPH02267137 A JP H02267137A JP 8577089 A JP8577089 A JP 8577089A JP 8577089 A JP8577089 A JP 8577089A JP H02267137 A JPH02267137 A JP H02267137A
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低温での気密封着が可能な封着材料、特に、
低熱１］、Ｉ 、Ｊセラミックスを用いたＬＳＩパッケ
ージの封着に適した低温低熱膨張封着材料に関する。
低熱１］、Ｉ 、Ｊセラミックスを用いたＬＳＩパッケ
ージの封着に適した低温低熱膨張封着材料に関する。
従来から、パッケージを用いてＳｉ半導体などを封着す
るには、８１半導体への熱伝導を極力抑える必要がある
から、可能な限り低温で封着することが望ましく、また
、パッケージの気密性を維持するた給には、流動性に富
むと同時に、半導体と同程度の低熱膨張特性をもつ封着
材料が要求されている。
るには、８１半導体への熱伝導を極力抑える必要がある
から、可能な限り低温で封着することが望ましく、また
、パッケージの気密性を維持するた給には、流動性に富
むと同時に、半導体と同程度の低熱膨張特性をもつ封着
材料が要求されている。
今までに、セラミック質ＬＳＩパッケージの封着には、
特開昭５９−１６４６４９号、特開昭６０２７６２０号
各公報等で水容れるように、ＰｈＯ８２０、を主成分と
したガラスをベースガラスとして、低熱膨張材料（フィ
ラー）を組合わせた封着材料が開発されていた。
特開昭５９−１６４６４９号、特開昭６０２７６２０号
各公報等で水容れるように、ＰｈＯ８２０、を主成分と
したガラスをベースガラスとして、低熱膨張材料（フィ
ラー）を組合わせた封着材料が開発されていた。
しかしながら、これらの封着材料はベースガラスがＰｂ
Ｏを主成分とするガラスから成っているため、封着温度
の低温化は可能であるが、ベースガラス自体が高熱膨張
特性を有しているため、フィラーを混入させても低熱膨
張化は限界がある。したがって、これらの封着材料を用
いたセラミック質パッケージとしては、主として、アル
ミナパッケージに用いられているだけである。
Ｏを主成分とするガラスから成っているため、封着温度
の低温化は可能であるが、ベースガラス自体が高熱膨張
特性を有しているため、フィラーを混入させても低熱膨
張化は限界がある。したがって、これらの封着材料を用
いたセラミック質パッケージとしては、主として、アル
ミナパッケージに用いられているだけである。
そこで、更にＬＳＩパッケージの信頼性を向上させるに
は、Ｓｉ半導体に生ずる熱応力を低減させるために、Ｓ
ｉ半導体の熱膨張特性と同程度のセラミックスを用いた
パッケージを封着することが必要となる。それには、ベ
ースガラス自体の低熱膨張化が望まれるようになる。そ
こで、本発明者らは、これらのベースガラスを種々検討
した結果、特開昭６１−７８１２８号公報に示されてい
るＶ２Ｏ５を主成分とする低温軟化ガラスを見出した。
は、Ｓｉ半導体に生ずる熱応力を低減させるために、Ｓ
ｉ半導体の熱膨張特性と同程度のセラミックスを用いた
パッケージを封着することが必要となる。それには、ベ
ースガラス自体の低熱膨張化が望まれるようになる。そ
こで、本発明者らは、これらのベースガラスを種々検討
した結果、特開昭６１−７８１２８号公報に示されてい
るＶ２Ｏ５を主成分とする低温軟化ガラスを見出した。
従来の［］ｈロー］（２ｏ３を主成分としたガラスをベ
スとした封着材料は、ベースガラス自体が高熱膨張特性
をもった狛、アルミナより低い熱膨張係数を有するセラ
ミックパッケージ、例えば、ムライト１．５ＩＣ１八ｌ
Ｎなどを基板としたパツウーージ等の封着に適用するの
が困難であった。
スとした封着材料は、ベースガラス自体が高熱膨張特性
をもった狛、アルミナより低い熱膨張係数を有するセラ
ミックパッケージ、例えば、ムライト１．５ＩＣ１八ｌ
Ｎなどを基板としたパツウーージ等の封着に適用するの
が困難であった。
従来の封着材料は、セラミックパッケージなどの適用範
囲が制限され、例えば、」二記のアルミナ質のパッケー
ジの場合、８１半導体との熱膨張差によって８１半導体
に割れなどが発生する。また、ベースガラスがＰｂＯ−
［］２０３を主成分としているたｙつガラス強度が小さ
く、僅かな衝撃力などによりクラックなどが容易に発生
し気密性が保てなくなる。
囲が制限され、例えば、」二記のアルミナ質のパッケー
ジの場合、８１半導体との熱膨張差によって８１半導体
に割れなどが発生する。また、ベースガラスがＰｂＯ−
［］２０３を主成分としているたｙつガラス強度が小さ
く、僅かな衝撃力などによりクラックなどが容易に発生
し気密性が保てなくなる。
また化学的耐久性も十分でな（耐湿性など蔀環境試験に
おいて、満足のゆく結果が得られない。更には、従来の
Ｐｂｉ〕−８２０３系ベースガラスはフィシとの反応性
に富んでいるた必、パッケージ封着時に封着材料の粘度
が高くなり、流動性が低下するなどベースガラスの特長
が生かせず、低温封着が困難になってくる。
おいて、満足のゆく結果が得られない。更には、従来の
Ｐｂｉ〕−８２０３系ベースガラスはフィシとの反応性
に富んでいるた必、パッケージ封着時に封着材料の粘度
が高くなり、流動性が低下するなどベースガラスの特長
が生かせず、低温封着が困難になってくる。
したがって、これら従来の封着材料では、ＬＳＩ用パッ
ケージの信頼性を向」ニさせるのは困難となる。
ケージの信頼性を向」ニさせるのは困難となる。
そこで、本発明の目的は、ＬＳＩパッケージの信頼性を
高めるため、Ｓｉ半導体の熱膨張特性と同程度の熱膨張
特性を有する低熱膨張セラミックス基板を用いたパッケ
ージに最適な封着材料を提供することにある。
高めるため、Ｓｉ半導体の熱膨張特性と同程度の熱膨張
特性を有する低熱膨張セラミックス基板を用いたパッケ
ージに最適な封着材料を提供することにある。
」１記目的を達成するために、本発明では、Ｖ２Ｏ，。
を主成分とした低融点ガラス粉末と低熱膨張材粉末との
混合物からなる封着材料としたものであり、上記低融点
ガラス粉末としては、Ｖ２Ｏ，を主成分とし、Ｐ２Ｏ５
及びＳｂ２Ｏ３を含有している非晶質ガラスからなり、
また、変形温度（１ＯＮポーズの粘度）が４００℃以下
、熱膨張係数が９０Ｘ １０−７／ ℃以下であるもの
を用いたものであり、一方、前記低膨張材粉末としては
、β−ユークリプタイト、β−スポジューメン、コージ
ェライト、石英ガラス、チタン酸鉛、ｔ’１ｌｌｒ２（
ｒ’ｏａ）３、ＣａＺｒ２（ＰＯ＋）ｑ 、ＫＺｒ２（
ＰＤ、）３のうちから選ばれた一種以上からなるものを
用いたものである。
混合物からなる封着材料としたものであり、上記低融点
ガラス粉末としては、Ｖ２Ｏ，を主成分とし、Ｐ２Ｏ５
及びＳｂ２Ｏ３を含有している非晶質ガラスからなり、
また、変形温度（１ＯＮポーズの粘度）が４００℃以下
、熱膨張係数が９０Ｘ １０−７／ ℃以下であるもの
を用いたものであり、一方、前記低膨張材粉末としては
、β−ユークリプタイト、β−スポジューメン、コージ
ェライト、石英ガラス、チタン酸鉛、ｔ’１ｌｌｒ２（
ｒ’ｏａ）３、ＣａＺｒ２（ＰＯ＋）ｑ 、ＫＺｒ２（
ＰＤ、）３のうちから選ばれた一種以上からなるものを
用いたものである。
そして、本発明では、前記したような封着材料を用いて
封止したセラミックパッケージとしたものでもある。
封止したセラミックパッケージとしたものでもある。
以下に本発明を詳述すれば、本発明では前記したように
、Ｖ２Ｏ，、を主成分としてＰ２Ｏ，及びＳｂ２Ｏ３を
含有する非晶質ガラスからなり、変形温度（１０ボイズ
の粘度）が４００℃で熱膨張係数が９０Ｘ １０−７／
℃以下である低融点ガラス粉末に、粒径が５０μｍ以下
で熱膨張係数が２０×１０″′／℃以下であり、前記し
たβ−ユークリプタイト等から選ばれた低熱膨張材粉末
を、全量に対して体積％表示で５０％以下含有させて混
合したことにより、封着温度が５００℃以下・で熱膨張
係数が４５ｘ １０−７／ ℃以下である封着材料を得
たものである。
、Ｖ２Ｏ，、を主成分としてＰ２Ｏ，及びＳｂ２Ｏ３を
含有する非晶質ガラスからなり、変形温度（１０ボイズ
の粘度）が４００℃で熱膨張係数が９０Ｘ １０−７／
℃以下である低融点ガラス粉末に、粒径が５０μｍ以下
で熱膨張係数が２０×１０″′／℃以下であり、前記し
たβ−ユークリプタイト等から選ばれた低熱膨張材粉末
を、全量に対して体積％表示で５０％以下含有させて混
合したことにより、封着温度が５００℃以下・で熱膨張
係数が４５ｘ １０−７／ ℃以下である封着材料を得
たものである。
そして、本発明における封着材料は、セラミックパッケ
ージ特にＬＳＩパッケージの封着用として有効であり、
また、このような封着のためのＬＳＩパッケージのパラ
ゲージ基板としては、電気絶縁性Ｓｉ［： 、Ｓｉ、ム
ライトまたはへ１Ｎ等を用いる。
ージ特にＬＳＩパッケージの封着用として有効であり、
また、このような封着のためのＬＳＩパッケージのパラ
ゲージ基板としては、電気絶縁性Ｓｉ［： 、Ｓｉ、ム
ライトまたはへ１Ｎ等を用いる。
次に、本発明を更に詳しく説明する。
先ず、封着材料のベースガラスは、低温封着、低熱膨張
特性なとを考慮して種々検討した結果、ｖ２０．を主成
分よしてＰ２Ｏ５及び５ｈ２０３を含有している非晶質
ガラスが適することを見い出した。
特性なとを考慮して種々検討した結果、ｖ２０．を主成
分よしてＰ２Ｏ５及び５ｈ２０３を含有している非晶質
ガラスが適することを見い出した。
次に、低熱膨張化に必要な低熱膨張＋１（以下「フィラ
ー」という」の種類、粒度、重量比などを検討した。そ
の結果、封着材料に要求される熱膨張係数４５Ｘ１０’
／を以下を満足させるにはフィラーの熱膨張係数は２０
Ｘ １０−７／ ｔ：以下が望ましく、また、封着材料
に内約るフィラーの体積比は５０体積％以下であること
が必要になる。さらに、封着材料の低熱膨張特性を維持
させるためにフィラーの粒度は５０μｍ以下が適するこ
とを確認した。
ー」という」の種類、粒度、重量比などを検討した。そ
の結果、封着材料に要求される熱膨張係数４５Ｘ１０’
／を以下を満足させるにはフィラーの熱膨張係数は２０
Ｘ １０−７／ ｔ：以下が望ましく、また、封着材料
に内約るフィラーの体積比は５０体積％以下であること
が必要になる。さらに、封着材料の低熱膨張特性を維持
させるためにフィラーの粒度は５０μｍ以下が適するこ
とを確認した。
また、上記特性を有し、さらにベースガラスとの反応の
抑制が可能なフィラー材を検討した結果、Ｐ２Ｏ５を主
成分としたベースガラスに用いられる最適なフィラー材
としては、従来のＰｂＯ−８２０３系ガラスをベースガ
ラスとした封着材料にも適用されているβ−ユークリプ
タイト、β−スポジューメン、コージェライト、石英ガ
ラス、チタン酸鉛、ＮａＺｒ２（ＰＯ，）３、［”、ａ
Ｚｒ２（ＰＯ４）３、ＫＺｒ２（ＰＯ−）３のうちから
選ばれた少なくとも一種以」二を用いることが必要とな
る。
抑制が可能なフィラー材を検討した結果、Ｐ２Ｏ５を主
成分としたベースガラスに用いられる最適なフィラー材
としては、従来のＰｂＯ−８２０３系ガラスをベースガ
ラスとした封着材料にも適用されているβ−ユークリプ
タイト、β−スポジューメン、コージェライト、石英ガ
ラス、チタン酸鉛、ＮａＺｒ２（ＰＯ，）３、［”、ａ
Ｚｒ２（ＰＯ４）３、ＫＺｒ２（ＰＯ−）３のうちから
選ばれた少なくとも一種以」二を用いることが必要とな
る。
前記のＶ２Ｏ５を主成分とした低融点ガラスは、特開昭
６２−１８１２８号公報に記載された耐水性低温軟化ガ
ラス組成物が使用でき、その成分は、主要成分とし−ｃ
Ｖ２ｔ１．、を５５〜７０重量％含有し、Ｐ２Ｏ５を
１７〜３０重量％及び５ｂＪ３を２〜２０重量％で含有
している。更に該ガラス組成物は、成分としてＰｂＯを
２０重量％以下、Ｔ Ｉ ２０を１５重量％以下及び／
又はＮａ２Ｏ３を５重量％以下含有することができる。
６２−１８１２８号公報に記載された耐水性低温軟化ガ
ラス組成物が使用でき、その成分は、主要成分とし−ｃ
Ｖ２ｔ１．、を５５〜７０重量％含有し、Ｐ２Ｏ５を
１７〜３０重量％及び５ｂＪ３を２〜２０重量％で含有
している。更に該ガラス組成物は、成分としてＰｂＯを
２０重量％以下、Ｔ Ｉ ２０を１５重量％以下及び／
又はＮａ２Ｏ３を５重量％以下含有することができる。
以上、フィラーを混合したＰ２Ｏ５を主成分とした低融
点ガラスを封着材料とすることによって、低熱膨張特性
を有し且つ低温封着が可能となり気密封着など信頼性の
高いＬＳＩパッケージなどが得られる。
点ガラスを封着材料とすることによって、低熱膨張特性
を有し且つ低温封着が可能となり気密封着など信頼性の
高いＬＳＩパッケージなどが得られる。
Ｌ Ｓ Ｉパッケージに装備されているＳｉ半導体の熱
膨張係数は、凡そ３５Ｘ１．０−７／ｌ：を有している
た約、それを搭載するセラミック基板及び封着材料の熱
膨張係数は、接着及び封着時などに生ずる半導体の割れ
及び封着ｔ、（）ｔ１４のクラックなどから生ずるパッ
ケージのリークなどを防止するため、半導体と同程度の
熱膨張係数を有する必要がある。また、８１半導体特性
の信頼性を劣化させないためにもパッケージの」−４着
温度は極力低温が望ましい。
膨張係数は、凡そ３５Ｘ１．０−７／ｌ：を有している
た約、それを搭載するセラミック基板及び封着材料の熱
膨張係数は、接着及び封着時などに生ずる半導体の割れ
及び封着ｔ、（）ｔ１４のクラックなどから生ずるパッ
ケージのリークなどを防止するため、半導体と同程度の
熱膨張係数を有する必要がある。また、８１半導体特性
の信頼性を劣化させないためにもパッケージの」−４着
温度は極力低温が望ましい。
そこで、まず、封着材料の熱膨張係数４５Ｘ １０−７
／℃以下としたのは、ＬＳＩパッケージに搭載されてい
るＳｉ半導体、及び低熱膨張セラミックスの熱膨張係数
に近似させ、極力半導体に発生する熱応力を低減させる
ためである。したがって、封着材料の熱膨張係数４５Ｘ
１０−７／を以下を維持するには、封着材料のベースガ
ラスの熱膨張係数を９０×１０−７／℃以下、低熱膨張
材（フィラー）の熱膨張係数を２０Ｘ １０−７／ を
以下にする必要がある。
／℃以下としたのは、ＬＳＩパッケージに搭載されてい
るＳｉ半導体、及び低熱膨張セラミックスの熱膨張係数
に近似させ、極力半導体に発生する熱応力を低減させる
ためである。したがって、封着材料の熱膨張係数４５Ｘ
１０−７／を以下を維持するには、封着材料のベースガ
ラスの熱膨張係数を９０×１０−７／℃以下、低熱膨張
材（フィラー）の熱膨張係数を２０Ｘ １０−７／ を
以下にする必要がある。
そして、て−スガラスとしては、前記したまうに特開昭
６１７８１２８号公報に示されている低熱膨張特性に優
れたｖ２０．を主成分としてＰ２Ｏ５及びＳｂ２Ｏ３を
含有した非晶質ガラスを選定した。このガラスを選んだ
理由として低熱膨張特性を示すと同時に、従来のＰ ｂ
Ｏ−Ｂ ２ ［１３系非晶質ガラス同様に低温作業が
可能となり、更には高強度、高耐水性など種々の特性に
優れ、また、パッケージの気密封着に必要なガラスの流
動性に富んでいるためである。
６１７８１２８号公報に示されている低熱膨張特性に優
れたｖ２０．を主成分としてＰ２Ｏ５及びＳｂ２Ｏ３を
含有した非晶質ガラスを選定した。このガラスを選んだ
理由として低熱膨張特性を示すと同時に、従来のＰ ｂ
Ｏ−Ｂ ２ ［１３系非晶質ガラス同様に低温作業が
可能となり、更には高強度、高耐水性など種々の特性に
優れ、また、パッケージの気密封着に必要なガラスの流
動性に富んでいるためである。
次に、フィラー材の封着′ｖＪ料に占める体積％を５０
体積％以下としたのは、フィラー材が５０体積％を越え
るとベースガラスの流動性の効果が失くなり、パッケー
ジの封着性が悪くなるためである。
体積％以下としたのは、フィラー材が５０体積％を越え
るとベースガラスの流動性の効果が失くなり、パッケー
ジの封着性が悪くなるためである。
また、フィラー材の粒度を５０μｍ以下としたのは、５
０μｍ以上になるとベースガラスとの熱膨張差により、
ベースガラスとフィラー界面にクラックが発生し、パッ
ケージの気密封着が困難になるからである。
０μｍ以上になるとベースガラスとの熱膨張差により、
ベースガラスとフィラー界面にクラックが発生し、パッ
ケージの気密封着が困難になるからである。
また、フィラー材の種類をβ−ユークリプタイト、β−
スポジュ、−メン、コージェライト、石英ガラス、チタ
ン酸鉛、ＮａＺｒ２（ＰＯ４） ３、ＣａＺｒ２（ＰＯ
４） ３、ＫＺｒ２（ＰＯ，）３のうちの少なくとも一
種類を含むものとしたのは、これらのフィラー材の熱膨
張係数が、上記のように２０Ｘ １０−７／ｌ：以下の
値を有することと、ベースガラスであるＶ２Ｏ５系ガラ
スとの反応を抑制して接着力を向上させるためである。
スポジュ、−メン、コージェライト、石英ガラス、チタ
ン酸鉛、ＮａＺｒ２（ＰＯ４） ３、ＣａＺｒ２（ＰＯ
４） ３、ＫＺｒ２（ＰＯ，）３のうちの少なくとも一
種類を含むものとしたのは、これらのフィラー材の熱膨
張係数が、上記のように２０Ｘ １０−７／ｌ：以下の
値を有することと、ベースガラスであるＶ２Ｏ５系ガラ
スとの反応を抑制して接着力を向上させるためである。
封着材料の封着温度を５００℃以下、ベースガラスの変
形点を４００℃としたのは、ＬＳＩパッケージのＳｉ半
導体の耐熱性を考慮したからである。
形点を４００℃としたのは、ＬＳＩパッケージのＳｉ半
導体の耐熱性を考慮したからである。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されない。
明はこれらの実施例に限定されない。
実施例１
本発明の封着材料の製造法を述べる。
まず、Ｖ２Ｏ５を主成分とするベースガラス作製に必要
な各種酸化物原料を所定の組成に配合、秤量した後、混
合したアルミするつぼに入れて電気炉で１０００〜１１
００℃で１〜２時間加熱溶融する。溶融したガラスを板
状成形鋳型に流し込んだ後、アルミナ乳鉢で粒径５０μ
ｍ以下に粉砕する。その後、ボールミルで粒径１０μｍ
以下迄粉砕してベースガラス粉末を製造する。次に、こ
の粉末と低熱膨張材である粒径５０μｍ以下の各々のフ
ィラー材を所定の配合量を秤量した後、ミキサーで混合
して本発明の封着材料を得た。
な各種酸化物原料を所定の組成に配合、秤量した後、混
合したアルミするつぼに入れて電気炉で１０００〜１１
００℃で１〜２時間加熱溶融する。溶融したガラスを板
状成形鋳型に流し込んだ後、アルミナ乳鉢で粒径５０μ
ｍ以下に粉砕する。その後、ボールミルで粒径１０μｍ
以下迄粉砕してベースガラス粉末を製造する。次に、こ
の粉末と低熱膨張材である粒径５０μｍ以下の各々のフ
ィラー材を所定の配合量を秤量した後、ミキサーで混合
して本発明の封着材料を得た。
上記で得た封着材料のベースガラス組成及び特性温度と
熱膨張係数を第１表に示す。第１表において、試ＩｔＮ
ｏ、Ａ−１〜７０本発明の実施例に用いたＶ２Ｏ５−Ｐ
２Ｏ５５ｂＪ３系ヘースガラスハ、特性温度である変形
点は４００℃以下の低融点ガラスであり、且つ、熱膨張
係数は９０Ｘ １０−７／ ｔ：以下であり、試料Ｎｏ
、Ｂ−１、Ｂ−２のＰｂＯ−８２０３系ガラスに比べて
低熱膨張特性を示すことがわかる。ここで、熱膨張係数
は５０℃〜ガラス転移点までの範囲とした。
熱膨張係数を第１表に示す。第１表において、試ＩｔＮ
ｏ、Ａ−１〜７０本発明の実施例に用いたＶ２Ｏ５−Ｐ
２Ｏ５５ｂＪ３系ヘースガラスハ、特性温度である変形
点は４００℃以下の低融点ガラスであり、且つ、熱膨張
係数は９０Ｘ １０−７／ ｔ：以下であり、試料Ｎｏ
、Ｂ−１、Ｂ−２のＰｂＯ−８２０３系ガラスに比べて
低熱膨張特性を示すことがわかる。ここで、熱膨張係数
は５０℃〜ガラス転移点までの範囲とした。
第１表ニ示したＶ２［］５ Ｐ２Ｏ５Ｓｂ２Ｏ３を主成
分トシたベースガラスに低熱膨張材のフィラーを混合し
た本発明である封着材料の組成及び緒特性を第２表に示
した。この第２表は第１表に示したＶ２Ｏ５ｐ２Ｑ５−
３ｂ２０．を主成分としたＡ−２、Ａ−３、Ａ５のベー
スガラスを用いて、表に示す体積％の割合で低膨張材を
混合したものである。ここで、熱膨張係数は直径５ｍｍ
の棒状に加熱成形したものを５０℃〜ガラス転移点間を
測定したものである。また、流動性は直径１ （１ｍｍ
、厚さ５ｍｍに加圧成形した後、表に示した封着温度で
１０分間加熱した時の成形体（フローボタン）の直径を
測定したものである。曲げ強度は幅４ ｍｍ、厚さ５ｍ
ｍ、長さ４０ｍｍの角棒に加熱成形し、４点曲げ試験に
よって得られた測定値を示したものである。なお、試料
Ｎｏ、 Ｃ１〜８は本発明の実施例、Ｄ−１、Ｉ）−２
は従来のＰｂ０ ８２０３を主成分としたベースガラス
を用いた比較例を示したものである。
分トシたベースガラスに低熱膨張材のフィラーを混合し
た本発明である封着材料の組成及び緒特性を第２表に示
した。この第２表は第１表に示したＶ２Ｏ５ｐ２Ｑ５−
３ｂ２０．を主成分としたＡ−２、Ａ−３、Ａ５のベー
スガラスを用いて、表に示す体積％の割合で低膨張材を
混合したものである。ここで、熱膨張係数は直径５ｍｍ
の棒状に加熱成形したものを５０℃〜ガラス転移点間を
測定したものである。また、流動性は直径１ （１ｍｍ
、厚さ５ｍｍに加圧成形した後、表に示した封着温度で
１０分間加熱した時の成形体（フローボタン）の直径を
測定したものである。曲げ強度は幅４ ｍｍ、厚さ５ｍ
ｍ、長さ４０ｍｍの角棒に加熱成形し、４点曲げ試験に
よって得られた測定値を示したものである。なお、試料
Ｎｏ、 Ｃ１〜８は本発明の実施例、Ｄ−１、Ｉ）−２
は従来のＰｂ０ ８２０３を主成分としたベースガラス
を用いた比較例を示したものである。
第２表に示されているように本発明の封着材料の封着温
度は５００℃以下と低温作業が可能であると同時に熱膨
張係数は４５ｘ １０−７／ ’ｃ以下と、従来の封着
材料る比べて小さくなることが確δ忍されるゎさらに、
流動性においても、従来に比較し、同等あるいは優れて
いることがわかる。さらに、曲げ強度は従来に比較し１
．６〜２．０倍向上している。
度は５００℃以下と低温作業が可能であると同時に熱膨
張係数は４５ｘ １０−７／ ’ｃ以下と、従来の封着
材料る比べて小さくなることが確δ忍されるゎさらに、
流動性においても、従来に比較し、同等あるいは優れて
いることがわかる。さらに、曲げ強度は従来に比較し１
．６〜２．０倍向上している。
したがッテ、本発明ノｖ２ｏｓ−ｐ２ｏｓ−ｓｂ２ｏ３
を主成分とするガラスをベースガラスとした封着材料を
ノでッケージの封着に用いることによって、ツク・ソケ
ージに搭載されているＳｉ半導体の熱膨張係数（こ近イ
以させることが可能となるため半導体に生じる熱応力は
低減でき、また、封着材料の高強度化（こよってクラッ
クも防止することが可能となる。
を主成分とするガラスをベースガラスとした封着材料を
ノでッケージの封着に用いることによって、ツク・ソケ
ージに搭載されているＳｉ半導体の熱膨張係数（こ近イ
以させることが可能となるため半導体に生じる熱応力は
低減でき、また、封着材料の高強度化（こよってクラッ
クも防止することが可能となる。
実施例２
第１図に本発明の封着材料を適用したＬＳＩパッケージ
の断面図を示す。第１図において、１は放熱フィン、２
はシリコーンゴム、３はリートフレート、４はパッケー
ジキャップ、５はＬＳＩ（Ｓｉ半導体）、６は接着材、
７は封着材料、８はパッケージ基板であり、ＬＳＩ５は
パッケージ基板８とパッケージキャップ４によって、封
着材料７で封止されでいる。
の断面図を示す。第１図において、１は放熱フィン、２
はシリコーンゴム、３はリートフレート、４はパッケー
ジキャップ、５はＬＳＩ（Ｓｉ半導体）、６は接着材、
７は封着材料、８はパッケージ基板であり、ＬＳＩ５は
パッケージ基板８とパッケージキャップ４によって、封
着材料７で封止されでいる。
また、第３表には、第２表の封着材料と低熱膨張セラミ
ックス基板を適用したＬＳＩパッケージの寿命試験であ
る熱サイクル試験結果を示した。
ックス基板を適用したＬＳＩパッケージの寿命試験であ
る熱サイクル試験結果を示した。
なお、熱サイクル試験と一５５℃〜１５０℃の温度範囲
において行い、サイクル数は１ｌｅｌＪ−り量が５×１
０１０−１Ｏａｔ ｃｃ／ ｔｌａ下を合格とした。第
３表ノ試験に用いた基板は半導体への熱応力の影響を極
力抑えるた必、熱膨張係数が３７×１０″″／℃と半導
体と同程度の低熱膨張特性を有するＳｉＣ基板を用いた
。
において行い、サイクル数は１ｌｅｌＪ−り量が５×１
０１０−１Ｏａｔ ｃｃ／ ｔｌａ下を合格とした。第
３表ノ試験に用いた基板は半導体への熱応力の影響を極
力抑えるた必、熱膨張係数が３７×１０″″／℃と半導
体と同程度の低熱膨張特性を有するＳｉＣ基板を用いた
。
表に示されているように本発明の封着材料Ｃ１、Ｃ−６
、Ｃ−８を用いたＮｏ、Ｅ−］〜３のパッケージの熱づ
イクル数は２０００ザイクル以上を示し、従来の封着材
料Ｄ−１を用いたパッケージＧ１に比較して２倍以」二
の熱サイクル数をクリ了することが確認された。また、
基板に低熱膨張時性を示ずＳｌ、ムライト、八１Ｎを用
いた場合においてもＳｉＣ基板同様、優れた熱ザイクル
特性を示すことが確Ｓ忍されｊこ。
、Ｃ−８を用いたＮｏ、Ｅ−］〜３のパッケージの熱づ
イクル数は２０００ザイクル以上を示し、従来の封着材
料Ｄ−１を用いたパッケージＧ１に比較して２倍以」二
の熱サイクル数をクリ了することが確認された。また、
基板に低熱膨張時性を示ずＳｌ、ムライト、八１Ｎを用
いた場合においてもＳｉＣ基板同様、優れた熱ザイクル
特性を示すことが確Ｓ忍されｊこ。
本発明によれば、流動性に優れ低温での作業性がよく、
しだも高強度の低熱膨張特性をもつ封着材料が得られ、
これと低熱膨張特性をもつパラケシ基板とを組合わせる
ことにより、気密性及び熱ザイクル特性など信頼性の高
いＬＳＩパッヶジが得られる。
しだも高強度の低熱膨張特性をもつ封着材料が得られ、
これと低熱膨張特性をもつパラケシ基板とを組合わせる
ことにより、気密性及び熱ザイクル特性など信頼性の高
いＬＳＩパッヶジが得られる。
第１図は、本発明の」」着材料を適用したＬＳＩパッケ
ージの断面図である。 ４・・パッケージキャップ、５・・・ＬＳＩ（Ｓｉ半導
体）、７・・」」着材料、８・・・パッケージ基板特許
出願人 株式会社 日立製作所
ージの断面図である。 ４・・パッケージキャップ、５・・・ＬＳＩ（Ｓｉ半導
体）、７・・」」着材料、８・・・パッケージ基板特許
出願人 株式会社 日立製作所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｖ＿２Ｏ＿５を主成分とした低融点ガラス粉末と低
熱膨張材粉末との混合物からなる封着材料。 ２、Ｖ＿２Ｏ＿５を主成分とし、Ｐ＿２Ｏ＿５及びＳｂ
＿２Ｏ＿３を含有している非晶質ガラスからなる低融点
ガラス粉末と低熱膨張材粉末との混合物からなる封着材
料。 ３、変形温度（１０＾１＾１ポーズの粘度）が４００℃
以下、熱膨張係数が９０×１０＾−＾７／℃以下である
Ｖ＿２Ｏ＿５を主成分とする低融点ガラス粉末と低熱膨
張材粉末との混合物からなる封着材料。 ４、Ｖ＿２Ｏ＿５を主成分とした低融点ガラス粉末と、
β−ユークリプタイト、β−スポジューメン、コージェ
ライト、石英ガラス、チタン酸鉛、ＮａＺｒ＿２（ＰＯ
＿４）＿３、ＣａＺｒ＿２（ＰＯ＿４）＿３、ＫＺｒ＿
２（ＰＯ＿４）＿３のうちから選ばれた少なくとも一種
以上からなる低熱膨張材粉末との混合物からなる封着材
料。 ５、Ｖ＿２Ｏ＿５を主成分とした低融点ガラス粉末と低
熱膨張材粉末との混合物からなる封着材料によって封止
されていることを特徴とするセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085770A JP2767276B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 封着材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085770A JP2767276B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 封着材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267137A true JPH02267137A (ja) | 1990-10-31 |
| JP2767276B2 JP2767276B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=13868111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085770A Expired - Fee Related JP2767276B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 封着材料 |
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05147974A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| EP1620369A2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-01 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| JP2007320822A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Ltd | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
| CN100412017C (zh) * | 2003-11-11 | 2008-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 无铅封接玻璃及制造方法 |
| US7452489B2 (en) | 2006-06-02 | 2008-11-18 | Hitachi Displays, Ltd. | Conductive material, method of producing the same, visual display device, and glass spacer thereof |
| JP2009221049A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| US8071183B2 (en) | 2006-06-02 | 2011-12-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Display apparatus |
| KR20120027328A (ko) | 2009-05-15 | 2012-03-21 | 도아고세이가부시키가이샤 | 저열팽창성 필러 및 그 제조 방법, 및 유리 조성물 |
| US8231883B2 (en) | 2009-05-15 | 2012-07-31 | Toagosei Co., Ltd. | Silver-based inorganic antimicrobial agent and method for preparing the same |
| JP2014509295A (ja) * | 2011-02-22 | 2014-04-17 | ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション | バナジウムを主成分とするフリット材料及びその製造方法 |
| KR20160086341A (ko) | 2013-11-20 | 2016-07-19 | 도아고세이가부시키가이샤 | 필러 및 유리 조성물, 그리고 육방정 인산염계 화합물의 제조 방법 |
| US10087676B2 (en) | 2011-02-22 | 2018-10-02 | Guardian Glass, LLC | Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same |
| US10858880B2 (en) | 2011-02-22 | 2020-12-08 | Guardian Glass, LLC | Vanadium-based frit materials, binders, and/or solvents and/or methods of making the same |
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|---|---|---|---|---|
| WO2009063891A1 (ja) | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Toagosei Co., Ltd. | 六方晶リン酸ジルコニウム粉末の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164649A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-17 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着用ガラス組成物 |
| JPS6027620A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Iwaki Glass Kk | 封着用組成物 |
| JPS6272543A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | ガラス組成物 |
| JPS6278128A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Hitachi Ltd | アモルフアス磁気ヘツト用耐水性低温軟化ガラス組成物 |
| JPS63502583A (ja) * | 1986-02-19 | 1988-09-29 | ヴイエルエスアイ パッケージング マテリアルズ，インコーポレイテッド | 低温溶融ガラス組成物 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1085770A patent/JP2767276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164649A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-17 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着用ガラス組成物 |
| JPS6027620A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Iwaki Glass Kk | 封着用組成物 |
| JPS6272543A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | ガラス組成物 |
| JPS6278128A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Hitachi Ltd | アモルフアス磁気ヘツト用耐水性低温軟化ガラス組成物 |
| JPS63502583A (ja) * | 1986-02-19 | 1988-09-29 | ヴイエルエスアイ パッケージング マテリアルズ，インコーポレイテッド | 低温溶融ガラス組成物 |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05147974A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| US7602121B2 (en) | 2003-04-16 | 2009-10-13 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| EP1620369A2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-01 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| JP2006524419A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | フリットにより密封されたガラスパッケージおよびその製造方法 |
| US7407423B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-08-05 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| CN100412017C (zh) * | 2003-11-11 | 2008-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 无铅封接玻璃及制造方法 |
| US8075961B2 (en) | 2006-06-02 | 2011-12-13 | Hitachi Displays, Ltd. | Display apparatus |
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| US8071183B2 (en) | 2006-06-02 | 2011-12-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Display apparatus |
| JP2007320822A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Ltd | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
| JP2009221049A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| US8333833B2 (en) | 2009-05-15 | 2012-12-18 | Toagosei Co., Ltd. | Low thermal expansion filler, method for preparing the same and glass composition |
| US8231883B2 (en) | 2009-05-15 | 2012-07-31 | Toagosei Co., Ltd. | Silver-based inorganic antimicrobial agent and method for preparing the same |
| KR20120027328A (ko) | 2009-05-15 | 2012-03-21 | 도아고세이가부시키가이샤 | 저열팽창성 필러 및 그 제조 방법, 및 유리 조성물 |
| JP2014509295A (ja) * | 2011-02-22 | 2014-04-17 | ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション | バナジウムを主成分とするフリット材料及びその製造方法 |
| US9776910B2 (en) | 2011-02-22 | 2017-10-03 | Guardian Glass, LLC | Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same |
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