JPH0864729A - Semiconductor device socket - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To provide a semiconductor device socket by which the operation for the measurement of the characteristics can be stabilized without being affected by the inductance component of an inner lead. CONSTITUTION: A plurality of through-holes 3 are formed in a plate-type insulator 2 made of elastic material such as rubber and each through-hole 3 is filled with a plurality of conductive balls 4. Various conductive materials such as solder, tin, nickel, etc., are applied to the surfaces of elastic balls such as silicone rubber balls by plating, deposition, etc.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用ソケット
に関し、特に、多数のリードを有するＩＣの特性測定を
行う場合に適用して有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device socket, and more particularly to a technique effective when applied to the characteristic measurement of an IC having a large number of leads.

【０００２】[0002]

【従来の技術】組み立てが完了したＩＣ（半導体集積回
路）の特性を測定して、製品としての評価を行う場合、
ＩＣのリードと電気的に接触してそのリードを測定装置
の配線基板の導電部に導通させるためにＩＣ用ソケット
が使用される。2. Description of the Related Art When the characteristics of an assembled IC (semiconductor integrated circuit) are measured and evaluated as a product,
An IC socket is used to make electrical contact with the leads of an IC to bring the leads into conduction with a conductive portion of a wiring board of a measuring device.

【０００３】このようなＩＣ用ソケットは、例えばＣＱ
出版社発行、「トランジスタ技術」、平成５年２月１日
発行、２月号、Ｐ２７４〜Ｐ２７５に記載されている。
このようなＩＣ用ソケットは、ＩＣを一時的に測定装置
の配線基板に接続した状態で特性測定を行うために、各
リードと配線基板の導電部との導通は特性測定終了後に
容易に解除できるように、図６に示すようにバネ性を有
する内部リード２１を備えていてこれら内部リード２１
によってＩＣ２２の各リード２３を押圧して、測定装置
の配線基板２４の導電部２５と導通させるようになって
いる。Such an IC socket has, for example, a CQ.
Published by a publisher, "Transistor Technology", published February 1, 1993, February issue, P274-P275.
In such an IC socket, since the characteristics are measured while the IC is temporarily connected to the wiring board of the measuring device, conduction between each lead and the conductive portion of the wiring board can be easily released after the characteristics measurement is completed. As shown in FIG. 6, the inner leads 21 having a spring property are provided.
With this, each lead 23 of the IC 22 is pressed to be electrically connected to the conductive portion 25 of the wiring board 24 of the measuring device.

【０００４】また、各内部リード２１はＩＣ２２の各リ
ード２３と十分なコンタクトを確保するために、かつ動
作ストロークを確保するために、その長さ寸法は比較的
大きく設けられている。このＩＣ用ソケットの等価回路
は図７に示したように、インダクタンスＬと抵抗Ｒとの
直列回路の接続点にキャパシタＣが並列に接続されたも
のになる。The length of each internal lead 21 is set to be relatively large in order to ensure sufficient contact with each lead 23 of the IC 22 and to secure an operating stroke. As shown in FIG. 7, the equivalent circuit of this IC socket has a capacitor C connected in parallel at a connection point of a series circuit of an inductance L and a resistance R.

【０００５】ここで、ＩＣ用ソケットの内部リードはＩ
Ｃのリードに対応した数だけ必要になるので、最近のＩ
Ｃのように高集積化されているものにあっては、１００
本単位の内部リードが必要になるものも珍しくない。The internal lead of the IC socket is I
I need the number corresponding to C lead, so I
In the case of high integration such as C, 100
It is not uncommon to require an internal lead for each unit.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そのようなＩＣ用ソケ
ットを高集積化されて多数のリードを有するＩＣに適用
した場合、ＩＣ用ソケットの内部リードのインピーダン
スが大きくなり、特にインダクタンスＬの成分が大きく
なる。これはＩＣの特性を測定する場合の障害になり、
特に高速用のＩＣの評価を行う場合に大きな影響を受
け、特性測定時に動作が不安定となって正確な評価が不
可能になる。When such an IC socket is applied to an IC having a high degree of integration and a large number of leads, the impedance of the internal leads of the IC socket becomes large, and especially the component of the inductance L is growing. This is an obstacle when measuring IC characteristics,
This is particularly affected when evaluating high-speed ICs, and the operation becomes unstable during characteristic measurement, making accurate evaluation impossible.

【０００７】このため、インダクタンス成分の影響をさ
けてＩＣの正確な評価を行うべく、ＩＣのリードを測定
装置の配線基板の導電部に直接半田付ける場合もある。
しかし、この場合には特性測定終了後に多数のリードの
半田付け箇所を溶融しなければならず、コストアップが
避けられなくなる。For this reason, the leads of the IC may be directly soldered to the conductive portion of the wiring board of the measuring device in order to accurately evaluate the IC by avoiding the influence of the inductance component.
However, in this case, the soldering points of a large number of leads must be melted after the characteristic measurement is completed, and the cost increase cannot be avoided.

【０００８】本発明の目的は、内部リードのインダクタ
ンス成分の影響を受けることなく、特性測定時の動作を
安定化させる半導体装置用ソケットを提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a semiconductor device socket that stabilizes the operation during characteristic measurement without being affected by the inductance component of the internal lead.

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。Among the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

【００１１】本発明の半導体装置用ソケットは、半導体
装置のリードと電気的に接触してそのリードを測定装置
の配線基板の導電部に導通させる半導体装置用ソケット
であって、板状の絶縁体に複数の貫通孔が形成されて各
貫通孔内には複数の導電球が充填され、前記板状の絶縁
体の表面側及び裏面側に各々半導体装置のリード及び配
線基板の導電部を両者が前記導電球を通じて導通するよ
うに配置可能なようになっている。A semiconductor device socket according to the present invention is a semiconductor device socket which electrically contacts with a lead of a semiconductor device to bring the lead into conduction with a conductive portion of a wiring board of a measuring device, which is a plate-shaped insulator. A plurality of through holes are formed in each of the through holes, and a plurality of conductive balls are filled in each through hole, and the leads of the semiconductor device and the conductive portion of the wiring board are connected to the front surface side and the back surface side of the plate-shaped insulator, respectively. The conductive spheres can be arranged so as to be conductive.

【００１２】[0012]

【作用】上述した手段によれば、本発明の半導体装置用
ソケットは、板状の絶縁体に複数の貫通孔が形成されて
各貫通孔内には複数の導電球が充填されており、半導体
装置の特性測定時は、板状の絶縁体の表面側及び裏面側
に各々半導体装置のリード及び配線基板の導電部を配置
して、導電球を通じてリードと導電部を導通させる。こ
れによって、内部リードのインダクタンス成分の影響を
受けることなく、特性測定時の動作を安定化させること
ができる。According to the above-mentioned means, in the semiconductor device socket of the present invention, a plurality of through holes are formed in the plate-shaped insulator, and a plurality of conductive balls are filled in each through hole. When measuring the characteristics of the device, the leads of the semiconductor device and the conductive parts of the wiring board are arranged on the front surface side and the back surface side of the plate-shaped insulator, respectively, and the leads and the conductive parts are conducted through the conductive balls. This makes it possible to stabilize the operation during characteristic measurement without being affected by the inductance component of the internal lead.

【００１３】[0013]

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００１４】（実施例１）図１は本発明の実施例１によ
る半導体装置用ソケットを示す斜視図で、ＩＣ用ソケッ
トに適用した例を示している。本実施例のＩＣ用ソケッ
ト１は、例えばゴムシートのような弾性材料からなる板
状の絶縁体２に複数の貫通孔３が形成されていて、各貫
通孔３内には複数の導電球４が充填されている。導電球
４は例えばシリコーンゴムのような弾性球の表面に各種
導電体例えば半田、錫、ニッケル等をメッキ、蒸着等に
より形成したものが用いられる。あるいは、この導電球
４は例えば半田ボールのような導電体そのものを用いる
ことができる。また、絶縁体２は樹脂のような非弾性材
料を用いるようにしても良い。(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device socket according to Embodiment 1 of the present invention, showing an example applied to an IC socket. In the IC socket 1 of this embodiment, a plurality of through holes 3 are formed in a plate-shaped insulator 2 made of an elastic material such as a rubber sheet, and a plurality of conductive balls 4 are provided in each through hole 3. Is filled. As the conductive sphere 4, for example, an elastic sphere such as silicone rubber formed by plating, vapor deposition or the like with various conductors such as solder, tin or nickel is used. Alternatively, the conductive balls 4 may be conductors such as solder balls. Further, the insulator 2 may be made of an inelastic material such as resin.

【００１５】これら導電球４は各貫通孔３内に互いが密
集して全体で１つの導電体を構成するように充填され
る。各貫通孔３内への導電球４の充填は、導電球４が弾
性球の場合はこの弾性力を利用することにより、圧縮し
て充填することができる。また、導電球４が非弾性球の
場合は、絶縁体２に弾性材料を用いることにより、この
弾性力を利用することにより、圧縮して充填することが
できる。The conductive balls 4 are filled in the through holes 3 so as to be closely packed with each other to form one conductive body as a whole. When the conductive sphere 4 is an elastic sphere, the conductive sphere 4 can be compressed and filled in each through hole 3 by utilizing this elastic force. When the conductive sphere 4 is a non-elastic sphere, it is possible to compress and fill the insulator 2 by using an elastic material and utilizing this elastic force.

【００１６】次に、図２及び図３を参照して本実施例の
ＩＣ用ソケットの使用例を説明する。Next, an example of using the IC socket of this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

【００１７】図２において、（ａ）は上面図を示し、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示している。図３は図
２とは異なる方向からの使用例を示しており、（ａ）は
上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示している。
ＩＣ５から引き出されている複数のリード６は、ＩＣ用
ソケット１の表面側に配置されて、各々複数の貫通孔３
を覆ってその導電球４に接触している。ＩＣ５は各リー
ド６が複数の導電球４と確実なコンタクトを確保するよ
うに、図５に示すように押圧体７を用いて圧接すること
ができる。In FIG. 2, (a) shows a top view,
(B) has shown the AA sectional view of (a). FIG. 3 shows an example of use from a direction different from that of FIG. 2, where (a) is a top view and (b) is a sectional view taken along line AA of (a).
The plurality of leads 6 drawn out from the IC 5 are arranged on the front surface side of the IC socket 1 and have a plurality of through holes 3 respectively.
Is in contact with the conductive ball 4. The IC 5 can be pressed against each other by using a pressing body 7 as shown in FIG. 5 so that each lead 6 secures a reliable contact with the plurality of conductive balls 4.

【００１８】例として、図２ではリード６Ａが貫通孔３
Ｂ乃至３Ｅを覆って、各貫通孔内の導電球４Ｂ乃至４Ｅ
に接触し、また、リード６Ｂが貫通孔３Ｉ乃至３Ｌを覆
って、各貫通孔内の導電球４Ｉ乃至４Ｌに接触している
様子を示している。同様にして、図３ではリード６ａが
貫通孔３ｂ及び３ｃを覆って、各貫通孔内の導電球４ｂ
及び４ｃに接触している様子を示している。As an example, in FIG. 2, the lead 6A has a through hole 3
Conductive spheres 4B to 4E in the through holes covering B to 3E
And the leads 6B cover the through holes 3I to 3L and are in contact with the conductive balls 4I to 4L in the through holes. Similarly, in FIG. 3, the lead 6a covers the through holes 3b and 3c, and the conductive sphere 4b in each through hole is formed.
And 4c are shown in contact with each other.

【００１９】一方、測定装置の配線基板８の導電部９
は、予めＩＣ５の各リード６を投影した形状のプリント
パターンに形成されていて、ＩＣ用ソケット１の裏面側
に配置されて、各々ＩＣ５の各リード６が覆っている貫
通孔３を裏面側から覆って、その導電球４に裏面側から
接触している。On the other hand, the conductive portion 9 of the wiring board 8 of the measuring device
Is formed in advance in a print pattern in which each lead 6 of the IC 5 is projected, is arranged on the back surface side of the IC socket 1, and the through holes 3 covered by the respective leads 6 of the IC 5 are formed from the back surface side. It covers and is in contact with the conductive ball 4 from the back surface side.

【００２０】すなわち、導電部９Ａが貫通孔３Ｂ乃至３
Ｅを覆って、各貫通孔内の導電球４Ｂ乃至４Ｅに接触
し、また、導電部９Ｂが貫通孔３Ｉ乃至３Ｌを覆って、
各貫通孔内の導電球４Ｉ乃至４Ｌに接触している様子を
示している。同様にして、図３では導電部９ａが貫通孔
３ｂ乃至３ｇを覆って、各貫通孔内の導電球４ｂ乃至４
ｇに接触している様子を示している。なお、導電部９ａ
に関してはＩＣ用ソケット１の表面側と裏面側では部分
的に異なる貫通孔３を覆っている例を示している。しか
し、少なくとも１つの貫通孔３を共通に覆ってその導電
球４に接触していれば良い。That is, the conductive portion 9A has through holes 3B through 3B.
E to cover the conductive spheres 4B to 4E in the through holes, and the conductive portion 9B covers the through holes 3I to 3L.
It shows a state of contacting the conductive balls 4I to 4L in each through hole. Similarly, in FIG. 3, the conductive portion 9a covers the through holes 3b to 3g, and the conductive balls 4b to 4 in the through holes are formed.
The state of being in contact with g is shown. The conductive portion 9a
Regarding the above, an example is shown in which the front side and the back side of the IC socket 1 partially cover different through holes 3. However, it suffices that at least one through hole 3 is commonly covered and is in contact with the conductive sphere 4.

【００２１】このような実施例１によれば次のような効
果が得られる。According to the first embodiment, the following effects can be obtained.

【００２２】ＩＣ用ソケット１の内部リードとして働く
導電球４は、絶縁体２の厚さに相当した貫通孔３の深さ
寸法の長さにのみ設けられているので、この導電球４に
よるインダクタンス成分を小さくすることができる。従
って、内部リードのインダクタンス成分の影響を受ける
ことなく、特性測定時の動作を安定化させることができ
る。この結果、特に高速用のＩＣの評価を行う場合その
影響をなくすことができるので、正確な評価が可能にな
る。The conductive sphere 4 which functions as an internal lead of the IC socket 1 is provided only in the length of the depth dimension of the through hole 3 corresponding to the thickness of the insulator 2. The components can be made smaller. Therefore, the operation during the characteristic measurement can be stabilized without being affected by the inductance component of the internal lead. As a result, the effect can be eliminated particularly when evaluating a high-speed IC, so that an accurate evaluation can be performed.

【００２３】（実施例２）図４は本発明の実施例２によ
る半導体装置用ソケットの使用例を示すもので、（ａ）
は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。本実
施例のＩＣ用ソケット１１は、測定装置の配線基板８の
導電部１９を微細なプリントパターンに形成したものに
適用可能な構造に形成されている。配線基板８には複数
の導電部１９Ａ乃至１９Ｌが微細寸法ｄで等しいピッチ
で形成されており、これに対応してＩＣ用ソケット１１
の各貫通孔３もそれに等しいピッチで形成されて、各貫
通孔３内には導電球４が充填されている。(Embodiment 2) FIG. 4 shows an example of use of a semiconductor device socket according to Embodiment 2 of the present invention.
Is a top view and (b) is a cross-sectional view taken along the line AA of (a). The IC socket 11 of the present embodiment is formed in a structure applicable to the conductive board 19 of the wiring board 8 of the measuring device formed into a fine print pattern. A plurality of conductive parts 19A to 19L are formed on the wiring board 8 with a fine dimension d and an equal pitch. Corresponding to this, the IC socket 11 is formed.
The through holes 3 are also formed at the same pitch, and the conductive balls 4 are filled in the through holes 3.

【００２４】各導電部１９Ａ乃至１９Ｌにはスイッチ１
１Ａ乃至１１Ｌが接続されており、各スイッチはリレー
マトリックス１３を構成して制御部１２の制御の基に予
め設定されたプログラムに応じて、任意に切り替え可能
に構成されている。A switch 1 is provided on each conductive portion 19A to 19L.
1A to 11L are connected, and each switch constitutes a relay matrix 13 and can be arbitrarily switched according to a program preset under the control of the control unit 12.

【００２５】ＩＣ用ソケット１１の表面側には、ＩＣか
ら引き出されている各々幅寸法が異なる複数のリード１
６Ａ乃至１６Ｄが配置されている。On the front surface side of the IC socket 11, a plurality of leads 1 with different width dimensions are drawn out from the IC.
6A to 16D are arranged.

【００２６】例として、リード１６Ａが貫通孔３Ｂ乃至
３Ｅを覆って、各貫通孔内の導電球４Ｂ乃至４Ｅに接触
し、また、リード１６Ｂが貫通孔３Ｇ及び３Ｈを覆っ
て、各貫通孔内の導電球４Ｇ及び４Ｈに接触している様
子を示している。同様にして、リード１６Ｃが貫通孔３
Ｉを覆って導電球４Ｉに接触し、また、リード１６Ｄが
貫通孔３Ｊ乃至３Ｌを覆って、各貫通孔内の導電球４Ｊ
乃至４Ｌに接触している様子を示している。As an example, the lead 16A covers the through holes 3B to 3E and comes into contact with the conductive balls 4B to 4E in the respective through holes, and the lead 16B covers the through holes 3G and 3H in the respective through holes. It shows a state of being in contact with the conductive balls 4G and 4H. Similarly, the lead 16C is connected to the through hole 3
I through contact with the conductive ball 4I, and the lead 16D covers the through holes 3J to 3L, and the conductive ball 4J in each through hole.
4 to 4L are in contact with each other.

【００２７】一方、測定装置の配線基板８の導電部１９
Ａ乃至１９ＬはＩＣ用ソケット１１の裏面側に配置され
て、各々貫通孔３Ａ乃至３Ｌを１つずつ裏面から覆っ
て、各導電球４Ａ乃至４Ｌに裏面から接触している。On the other hand, the conductive portion 19 of the wiring board 8 of the measuring device
A to 19L are arranged on the back surface side of the IC socket 11, cover the through holes 3A to 3L one by one from the back surface, and are in contact with the conductive balls 4A to 4L from the back surface.

【００２８】そして、各リード１６Ａ乃至１６Ｄに接触
している導電部のうち、少なくとも１つの導電部が測定
装置に導通するように各スイッチが制御部１２によって
制御されている。例えば、リード１６Ａはスイッチ１１
Ｃがオンしていることにより、リード１６Ｂはスイッチ
１１Ｇがオンしていることにより、リード１６Ｃはスイ
ッチ１１Ｉがオンしていることにより、リード１６Ｄは
スイッチ１１Ｋがオンしていることにより各々測定装置
に導通されている。Each switch is controlled by the controller 12 so that at least one of the conductive parts in contact with the leads 16A to 16D is electrically connected to the measuring device. For example, the lead 16A is the switch 11
The switch C is turned on, the lead 16B is turned on by the switch 11G, the lead 16C is turned on by the switch 11I, and the lead 16D is turned on by the switch 11K. Has been conducted to.

【００２９】このような実施例２によれば次のような効
果が得られる。According to the second embodiment, the following effects can be obtained.

【００３０】ＩＣ用ソケット１の内部リードとして働く
導電球４は、絶縁体２の厚さに相当した貫通孔３の深さ
寸法の長さにのみ設けられていると共に、配線基板８に
微細寸法ｄで等しいピッチで形成されている複数の導電
部１９Ａ乃至１９Ｌに対応して各貫通孔３Ａ乃至３Ｌを
形成して各貫通孔内に導電球４Ａ乃至４Ｌを充填するよ
うにしたので、導電部の微細寸法ｄに対応して微細幅に
形成したリードを有するＩＣの特性測定に適用すること
ができる。また、このように微細幅のリードを含む種々
の形状のリードを有するＩＣの特性測定に適用すること
ができる。The conductive spheres 4 serving as the internal leads of the IC socket 1 are provided only in the depth dimension of the through hole 3 corresponding to the thickness of the insulator 2, and the wiring substrate 8 has fine dimensions. Since the through holes 3A to 3L are formed corresponding to the plurality of conductive portions 19A to 19L formed at the same pitch d, the conductive balls 4A to 4L are filled in the through holes. It can be applied to the characteristic measurement of an IC having a lead formed in a fine width corresponding to the fine dimension d. Further, it can be applied to characteristic measurement of ICs having leads of various shapes including leads of such a fine width.

【００３１】なお、各貫通孔及びこれに充填される導電
球の孔径及び球径は、ＩＣのリード幅及びリードピッチ
等に応じて変化させることができる。一例として、ＴＳ
ＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ）を有するＩＣで、リード幅が０．２ｍｍ、リ
ードピッチが０．５ｍｍに設計された場合、孔径は０．
１〜０．０５ｍｍ、球径は０．０１〜０．００５ｍｍ程
度に選ばれる。The hole diameter and the ball diameter of each through hole and the conductive sphere filled in the through hole can be changed according to the lead width and the lead pitch of the IC. As an example, TS
OP (Thin Small Outline Pac
In the case of an IC having a lead width of 0.2 mm and a lead pitch of 0.5 mm, the hole diameter is 0.
1 to 0.05 mm, and the spherical diameter is selected to be about 0.01 to 0.005 mm.

【００３２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。The inventions made by the present inventors are as follows.
Although the present invention has been specifically described based on the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【００３３】例えば、前記実施例では各貫通孔内には導
電球を充填する例で説明したが、必ずしも球形状である
必要はなく、貫通孔内に充填したときにＩＣ用ソケット
の表面側と裏面側間で導通がとれるような形状になって
いれば良い。For example, in the above-described embodiment, an example was described in which the conductive spheres were filled in each through hole, but it is not always necessary to have a spherical shape, and when filled in the through hole, the surface side of the IC socket is It is sufficient if the shape is such that conduction can be established between the back surfaces.

【００３４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＩＣ用
ソケットの技術に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではない。本発明は、少なくともシ
ート状絶縁体に貫通孔を形成してこの貫通孔を導電通路
として利用するような条件のものには適用できる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the technology of the IC socket which is the background field of application has been described, but the invention is not limited thereto. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable at least to the condition that a through hole is formed in a sheet-shaped insulator and the through hole is used as a conductive path.

【００３５】[0035]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【００３６】内部リードのインダクタンス成分の影響を
受けることなく、特性測定時の動作を安定化させること
ができ、特に高速用のＩＣの評価を行う場合に正確な評
価が可能になる。The operation during characteristic measurement can be stabilized without being affected by the inductance component of the internal lead, and accurate evaluation can be performed especially when evaluating a high speed IC.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例１による半導体装置用ソケット
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device socket according to a first embodiment of the present invention.

【図２】実施例１による半導体装置用ソケットの使用例
を示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。2A and 2B show usage examples of a semiconductor device socket according to Embodiment 1, where FIG. 2A is a top view and FIG.
FIG.

【図３】実施例１による半導体装置用ソケットの他の使
用例を示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ断面図である。3A and 3B show another usage example of the semiconductor device socket according to Embodiment 1, where FIG. 3A is a top view and FIG. 3B is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図４】本発明の実施例２による半導体装置用ソケット
の使用例を示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。4A and 4B show an example of use of a semiconductor device socket according to a second embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a top view and FIG. 4B is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図５】本発明の半導体装置用ソケットの使用方法を説
明する側面図である。FIG. 5 is a side view illustrating a method of using the semiconductor device socket of the present invention.

【図６】従来の半導体装置用ソケットの概略を説明する
断面図である。FIG. 6 is a sectional view illustrating an outline of a conventional semiconductor device socket.

【図７】従来の半導体装置用ソケットの等価回路であ
る。FIG. 7 is an equivalent circuit of a conventional semiconductor device socket.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、１１…ＩＣ用ソケット、２…板状の絶縁体、３、３
Ａ乃至３Ｍ、３ａ乃至３ｇ…貫通孔、４、４Ａ乃至４Ｍ
…導電球、５…ＩＣ、６、６Ａ、６Ｂ、６ａ、１６Ａ乃
至１６Ｄ…ＩＣのリード、７…押圧体、８…測定装置の
配線基板、９、９Ａ、９Ｂ、９ａ、１９Ａ乃至１９Ｌ…
配線基板の導電部、１１Ａ乃至１１Ｌ…スイッチ、１２
…制御部、１３…リレーマトリックス。1, 11 ... IC socket, 2 ... Plate insulator, 3, 3
A to 3M, 3a to 3g ... through holes, 4, 4A to 4M
... Conductive balls, 5 ... IC, 6, 6A, 6B, 6a, 16A to 16D ... IC leads, 7 ... Pressing body, 8 ... Wiring board of measuring device, 9, 9A, 9B, 9a, 19A to 19L ...
Conductive part of wiring board, 11A to 11L ... Switch, 12
... Control unit, 13 ... Relay matrix.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体装置のリードと電気的に接触して
そのリードを測定装置の配線基板の導電部に導通させる
半導体装置用ソケットであって、板状の絶縁体に複数の
貫通孔が形成されて各貫通孔内には複数の導電球が充填
され、前記板状の絶縁体の表面側及び裏面側に各々半導
体装置のリード及び配線基板の導電部を両者が前記導電
球を通じて導通するように配置可能なようにしたことを
特徴とする半導体装置用ソケット。1. A semiconductor device socket for electrically contacting a lead of a semiconductor device to electrically connect the lead to a conductive portion of a wiring board of a measuring device, wherein a plurality of through holes are formed in a plate-shaped insulator. Each of the through holes is filled with a plurality of conductive balls so that the leads of the semiconductor device and the conductive portions of the wiring board are electrically connected to each other through the conductive balls on the front surface side and the back surface side of the plate-shaped insulator. A socket for a semiconductor device, which is characterized in that it can be placed in a socket. 【請求項２】 前記半導体装置の１本のリードが複数の
貫通孔内の導電球を通じて配線基板の導電部に導通され
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ソケッ
ト。2. The semiconductor device socket according to claim 1, wherein one lead of the semiconductor device is electrically connected to the conductive portion of the wiring board through the conductive balls in the plurality of through holes. 【請求項３】 前記板状の絶縁体あるいは導電球のいず
れか一方が弾性材料からなることを特徴とする請求項１
又は請求項２記載の半導体装置用ソケット。3. One of the plate-shaped insulator and the conductive sphere is made of an elastic material.
Alternatively, the semiconductor device socket according to claim 2.