JPH0863746A - 磁気記録媒体の製造方法及び装置 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法及び装置

Info

Publication number
JPH0863746A
JPH0863746A JP6220857A JP22085794A JPH0863746A JP H0863746 A JPH0863746 A JP H0863746A JP 6220857 A JP6220857 A JP 6220857A JP 22085794 A JP22085794 A JP 22085794A JP H0863746 A JPH0863746 A JP H0863746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
discharge plasma
plasma flow
film
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6220857A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Kashiwatani
誠 柏谷
Junji Nakada
純司 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP6220857A priority Critical patent/JPH0863746A/ja
Priority to DE19530318A priority patent/DE19530318A1/de
Priority to US08/518,177 priority patent/US5595792A/en
Publication of JPH0863746A publication Critical patent/JPH0863746A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Abstract

(57)【要約】 【目的】 成膜処理中におけるフレークの発生や基板の
成膜面へのアークの発生を防止して、成膜の品質向上
と、生産性の向上を図ること。 【構成】 真空槽２２内にてウェブ状の基板２１はシー
ト状の放電プラズマ流２３に対峙させて走行させると共
に、対峙している放電プラズマ流２３および基板２１を
交差する方向に電界形成手段２７によって電界を発生さ
せながら、放電プラズマ流２３に反応ガスを供給して、
基板２１の放電プラズマ流２３側の表面に薄膜の形成を
行うことで、フレークの発生を防止し、また、基板２１
の成膜面へのアークの発生を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空槽内において形成
するシート状の放電プラズマ流に反応ガスを供給する一
方で、磁気記録媒体の構成要素であるウェブ状の基板を
この放電プラズマ流の近傍に走行させ、放電プラズマ流
による反応ガスの気相反応によって放電プラズマ流に面
した基板の表面に所定成分の薄膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体としての例えば磁気テープ
は、磁性層を塗布法によって形成したものと、蒸着法に
よって形成したものとに大別することができる。蒸着法
により形成した磁性層は、塗布法により形成したものと
比較して、高密度化、高画質化の点で優れているが、走
行耐久性が低い。そこで、蒸着法によって形成した磁性
層の走行耐久性を改善するため、磁性層の上にダイヤモ
ンド状カーボン膜を形成して保護層として活用する技術
が提案されている（特開昭６１−２１０５１８号公報参
照）。
【０００３】そして、前述のダイヤモンド状カーボン膜
を成膜する方法としては、これまで、グロー放電やアー
ク放電を利用したプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition）法が種々提案されている。例えば、グロー放
電を利用するものとしては、高周波グロー放電を用いる
もの（特開昭６３−２７９４２６号公報参照）が種々提
案され、アーク放電を利用するものとしては、直流アー
ク放電を用いるものが種々提案されている。
【０００４】しかし、高周波グロー放電を利用した場合
は、プラズマの電子密度が小さいため、成膜速度が遅
く、生産性が低下するという問題があった。また、高周
波グローを発生するために使用する励起コイルの形状か
ら、反応管を円形にしなければならず、ウェブ状の基板
に成膜する場合のように、所定の幅に渡って均一な成膜
が要求される場合には、不向きであった。また、さらに
は、反応管を使用するため、成膜処理が長時間続けられ
るような場合には、反応管内に堆積した膜が剥離して基
板の成膜部内にフレークとして混入し、それによって、
局所的に膜が抜けたピンホール等の欠陥が発生する場合
があった。また、反応管の出口に堆積した膜が基板表面
に傷をつける危険もあった。
【０００５】一方、直流アーク放電を利用する方法は、
グロー放電による場合と比較して、プラズマの電子密度
が高いため、高速成膜に適し、また、磁場によってプラ
ズマ流をシート状にできるため大面積成膜にも適し、ウ
ェブ状の基板に成膜する場合のように、所定の幅に渡っ
て均一な成膜が要求される場合にも有望である。
【０００６】そこで、このような直流アーク放電の長所
をダイヤモンド状カーボン膜の成膜処理に活かすべく、
シート状の放電プラズマ流を形成するプラズマ流発生手
段と、ウェブ状の基板を放電プラズマ流の近傍に走行さ
せる搬送装置とを組合わせた構成の真空成膜装置が提案
されている。図４は、このような真空成膜装置１の従来
例を示したもので、真空ポンプ２を具備して成膜処理用
の真空環境を提供する真空槽３と、該真空槽３内にシー
ト状の放電プラズマ流４を形成するプラズマ流発生手段
（プラズマ・ガン）５と、前記放電プラズマ流４に反応
ガスを供給するガス導入手段６と、ウェブ状の基板７の
表面（成膜面）が前記放電プラズマ流４と対峙するよう
に真空槽３内で基板７を走行させる基板搬送手段８とを
具備した構成とされている。
【０００７】前記基板搬送手段８は、巻回されている基
板７を送り出す送り出し装置１０と、該送り出し装置１
０から送り出された基板７の成膜面を放電プラズマ流４
に対峙させた状態に保つ成膜ドラム１１と、処理済みの
基板７を順次巻き取ってゆく巻き取り装置１２と、成膜
ドラム１１の近傍で基板７に押圧された電極ロール１３
とで構成されている。ここに、前記電極ロール１３は、
イオン化した反応ガスを加速するための電圧を印加する
バイアス電源として、直流電源１４が接続されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、直流アーク
放電によるプラズマは、電子温度が低く、反応ガスを十
分に電離し、励起することができない場合がある。そこ
で、従来の場合は、図４にも示したように、電極ロール
１３によってバイアス電圧を印加して、反応ガスの電離
・励起を活性化させるようにしている。
【０００９】しかし、図４に示したように、バイアス電
圧が直流の場合には、例えば、ダイヤモンド状カーボン
膜のような電気的に絶縁性の膜を成膜する場合には、バ
イアス電圧の印加によって、成膜中の基板表面にアーク
が発生し、膜の品質が低下する虞がある。
【００１０】そこで、バイアス電圧として、直流の代り
に高周波を利用して、アークの発生による品質低下を回
避することが考えられるが、図４に示したように、電極
ロール１３を介してバイアス電圧を印加する構成では、
基板７の成膜面に作用する高周波を均一にできず、それ
に起因した電界強度のばらつきによって、膜厚分布のば
らつきが大きくなる等の新たな問題が発生する。
【００１１】そこで、本発明の目的は上記課題を解消す
ることにあり、例えば、ダイヤモンド状カーボン膜等の
成膜に際して、成膜処理中におけるフレークの発生を防
止してフレークの混入によるピンホール等の欠陥の発生
を回避することができ、また、基板の成膜面へのアーク
の発生や成膜面に作用する電界強度のばらつき等によっ
て品質が低下することを防止するができ、高品質で生産
性のよい成膜を実現することのできる磁気記録媒体の製
造方法及び装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、真
空槽内に形成されたシート状の放電プラズマ流に反応ガ
スを供給する一方で、ウェブ状の基板を前記放電プラズ
マ流の近傍に走行させ、前記放電プラズマ流による前記
反応ガスの気相反応によって放電プラズマ流側に面した
前記基板の表面に所定成分の薄膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法であって、成膜処理用の真空環境を提供す
る真空槽内にて前記基板は前記放電プラズマ流に対峙さ
せて走行させると共に、対峙している放電プラズマ流お
よび基板を交差する方向に電界を発生させながら薄膜の
形成を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に
より達成される。
【００１３】また、上記の磁気記録媒体の製造方法にお
いて、対峙している放電プラズマ流および基板を交差す
る方向に発生させる電界は、高周波電極によって形成す
る構成によっても、上記目的を達成することができるも
のである。
【００１４】また、上記の磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記基板をシート状の放電プラズマ流の一方の面
に沿って走行させた後に折り返して放電プラズマ流の他
方の面に沿って走行させることで、放電プラズマ流に基
板を対峙させた状態を得ると同時に、放電プラズマ流の
周囲を基板によって囲った包囲空間を形成し、この包囲
空間内に前記反応ガスを供給する構成によっても、上記
目的を達成することができるものである。
【００１５】さらに、真空槽内に形成されたシート状の
放電プラズマ流に反応ガスを供給する一方で、ウェブ状
の基板を前記放電プラズマ流の近傍に走行させ、前記放
電プラズマ流による前記反応ガスの気相反応によって放
電プラズマ流側に面した前記基板の表面に所定成分の薄
膜を形成する磁気記録媒体の製造装置であって、成膜処
理用の真空環境を提供する真空槽と、該真空槽内にシー
ト状の放電プラズマ流を形成するプラズマ流発生手段
と、前記放電プラズマ流に反応ガスを供給するガス導入
手段と、前記ウェブ状の基板の表面が前記放電プラズマ
流と対峙するように前記真空槽内で前記基板を走行させ
る基板搬送手段と、対峙している放電プラズマ流および
基板を交差する方向に電界を発生させる電界形成手段と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置によ
っても、上記目的を達成することができるものである。
【００１６】また、上記の磁気記録媒体の製造装置にお
いて、前記電界形成手段は、放電プラズマ流に対峙して
走行する基板に沿って配備した高周波電極によって、放
電プラズマ流および基板を交差する方向に電界を発生さ
せる構成によっても、上記目的を達成することができる
ものである。
【００１７】
【作用】本発明の上記構成によれば、成膜処理時に反応
ガスの電離・励起を活性化させるための電界は、対峙し
ている放電プラズマ流および基板を交差する方向に発生
させるため、電界強度を広範囲に渡って均一化すること
が容易になり、電界強度のばらつき等によって膜の品質
が低下することを防止するができる。そして、電界はバ
イアス電圧の印加によって発生させるが、バイアス電圧
が高周波電極による高周波電圧とした構成では、直流電
圧を印加した場合のようなアークの発生の危険を伴わず
に、良好に反応ガスの電離・励起を活性化することがで
きる。
【００１８】また、基板をシート状の放電プラズマ流の
一方の面に沿って走行させた後に折り返して放電プラズ
マ流の他方の面に沿って走行させることで、放電プラズ
マ流に基板を対峙させた状態を得ると同時に、放電プラ
ズマ流の周囲を基板によって囲った包囲空間を形成し、
この包囲空間内に前記反応ガスを供給する構成によれ
ば、反応ガスの不要な拡散を防止するために専用の反応
管を装備する必要がなくなる。その結果、堆積した膜の
剥離が生じる箇所自体が少なくなり、膜の剥離によって
形成されるフレークの成膜部への混入が防止され、ピン
ホールの発生等の不都合の発生を防止することができ
る。
【００１９】
【実施態様】以下、図面に基づいて、本発明の実施態様
を説明する。図１および図２は、本発明に係る磁気記録
媒体の製造装置の一実施態様を示したものである。本実
施態様の磁気記録媒体の製造装置２０は、磁気テープの
構成要素である長尺のウェブ状の基板２１の表面に、プ
ラズマＣＶＤ法により所定成分の薄膜を形成するもの
で、成膜処理用の真空環境を提供するための真空槽２２
と、該真空槽２２内にシート状の放電プラズマ流（シー
トプラズマ）２３を形成するプラズマ流発生手段２４
と、放電プラズマ流２３に反応ガスを供給するガス導入
手段２５と、前記基板２１の表面が放電プラズマ流２３
と対峙するように真空槽２２内で基板２１を走行させる
基板搬送手段２６と、対峙している放電プラズマ流２３
および基板２１に直交する方向に電界を発生させる電界
形成手段２７とを備えた構成をなしている。
【００２０】前記真空槽２２は、非磁性材料で形成され
た密封容器である。非磁性材料としては、例えば、ＳＵ
Ｓ３０４、アルミニウム、銅などを利用することができ
るが、槽の大きさ、要求される強度等に応じて、材料の
選定がなされる。本実施態様の場合、真空槽２２内は、
シール板２９によって３つの部屋に区画されている。中
間の部屋は、前記放電プラズマ流２３が形成されるとと
もにこの放電プラズマ流２３に対して反応ガスが供給さ
れる成膜室３０であり、その両側に位置した部屋は、前
記成膜室３０に対して基板２１を送り出す送り出し室３
１ａと、成膜室３０を通過した基板２１を巻き取る巻き
取り室３１ｂである。
【００２１】前記成膜室３０は、その両側の部屋３１
ａ，３１ｂよりも高度の真空状態を維持する必要があ
り、そのため、成膜室３０内を真空引きする真空ポンプ
３２と、部屋３１ａ，３１ｂ内を真空引きする真空ポン
プ３３とが、独立に設けられている。それぞれの真空ポ
ンプ３２，３３は、膜質を劣化させるような残留ガスを
少なくするために、初期排気として、７×１０-5Ｔｏｒ
ｒ以下まで、好ましくは、５×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで
真空槽２２内の雰囲気を排気することができ、また、成
膜中は、反応ガスの導入で１×１０-1〜１×１０-4Ｔｏ
ｒｒに維持できる排気性能を有したものが使用される。
【００２２】なお、本実施態様の場合は、成膜処理時に
おける成膜室３０内において、基板２１によって区画さ
れる後述の包囲空間５８内とその外側（即ち、走行する
基板２１の裏面側）とで真空度に差を付けて、基板２１
の裏面側への反応ガス成分の付着等を防止するため、真
空ポンプ３２による真空引きは、基板２１の裏面側から
行うようにしている。実際の成膜処理時には、基板２１
のプラズマ側は、５×１０-3〜１×１０-2Ｔｏｒｒ、そ
して基板２１の裏面側はそれ以下（好ましくは、５×１
０-4Ｔｏｒｒ以下）にする。基板２１のプラズマ側と裏
面側とにおける圧力差を大きくしたほうが、基板２１の
裏面側への反応ガス成分の付着等を防止する上では好ま
しい。
【００２３】そのため、上記の真空ポンプ３２，３３
は、ターボ・ポンプ、メカニカル・ブースター・ポン
プ、ロータリー・ポンプ等を適宜組合わせて使用した
り、あるいはターボ・ポンプの代りにクライオ・ポンプ
やディフュージョン・ポンプを使用した構成とする。
【００２４】前記放電プラズマ流２３は、通常、基板２
の幅に合せて幅寸法（図１では紙面に直交する方向の寸
法）が設定されるもので、例えば、通常は、２００〜３
００ｍｍ程度の幅のシート状に成形されている。前記プ
ラズマ流発生手段２４は、発生する放電プラズマ流２３
の電子密度が１０11個／ｃｍ3以上、好ましくは、１０
12個／ｃｍ3以上のものがよい。本実施態様の場合は、
陰極３５を有したプラズマガン３７から陽極３６に向う
シート状の放電プラズマ流２３を提供するものである
が、プラズマガン３７から出射されるプラズマ流は例え
ば横断面形状が円形の軸流であり、これをシート状に偏
平に広げるために、プラズマガン３７から出射されたプ
ラズマ流に磁場を加えるシート用コイル３８を装備して
いる。また、真空槽２２内での放電プラズマ流２３の流
れを安定した状態に維持するために、図示のように、外
径が３００〜５００ｍｍの空芯コイル（集束コイル）３
９を装備している。
【００２５】前記ガス導入手段２５は、１〜２ｋｇｆ／
ｃｍ2の反応ガスを図示略のマスフロー・コントローラ
ーにて流量制御し、前記真空槽２２内に挿通されたノズ
ル４１を介して真空槽２２の側面側からシート状の放電
プラズマ流２３に向けて供給する。ここに、ノズル４１
は、シート状の放電プラズマ流２３の上流側に設置され
ている。なお、このノズル４１はＳＵＳパイプまたは銅
パイプを加工することによって形成する。また、ノズル
４１の開口形状、大きさ、設置数、反応ガスの供給量等
は、放電プラズマ流２３の周囲のガス分圧が均一化され
るように、基板２１および放電プラズマ流２３の幅寸法
等に応じて、最適値を選定する。
【００２６】前記基板搬送手段２６は、巻回されている
基板２１を送り出す送り出し装置４３と、前記送り出し
装置４３から送り出された基板２１を巻き取る巻き取り
装置４４と、前記送り出し装置４３から送り出されて巻
き取り装置４４に巻き取られる基板２１を走行位置を規
制するためにそれぞれの部屋３１ａ，３１ｂ内に配備さ
れたロール４６と、成膜室３０内に配備されて該成膜室
３０内における基板２１の走行位置を規制する三つのロ
ール４８と、以上の装置４３，４４やロール４６，４
８，４９を回転駆動する図示略の駆動手段と、この駆動
手段の動作を制御する図示略の駆動制御装置とを具備し
た構成とされている。
【００２７】そして、送り出し装置４３に近接したロー
ル４９の場合は、成膜が良好に進むように金属材料から
なるロール表面から前記基板２１の表面に直流電圧を印
加して帯電させる電極ロールとして機能するように構成
されている。この電極ロールへの電圧の印加は、直流の
バイアス電源５２によってなされる。バイアス電源５２
は、極性が負または正の０〜１０００Ｖの直流電圧を印
加することができるものである。
【００２８】また、成膜室３０内に配置された三つのロ
ール４８は、図１に示すように、基板２１がシート状の
放電プラズマ流２３の一方の面５４に沿って走行させた
後に折り返して放電プラズマ流２３の他方の面５５に沿
って走行するように、基板２１の走行位置を規制してい
る。このようなロール４８による走行位置の規制によっ
て、基板２１の成膜面とシート状の放電プラズマ流２３
とは互いに平行に対峙した状態になり、また、放電プラ
ズマ流２３の周囲は基板２１によって囲われた包囲空間
５８となっている。そして、前記ガス導入手段２５によ
る反応ガスの供給は、前記包囲空間５８内になされるよ
うになっている。
【００２９】なお、放電プラズマ流２３に直接対向する
折り返し位置のロール４８は、成膜時に膜の付着や堆積
が起こりにくいように、なるべく放電プラズマ流２３か
ら遠ざけて配置するのがよい。本実施態様の場合は、放
電プラズマ流２３から遠ざけて配置するとともに、放電
プラズマ流２３との間に防着板６０を介在させることに
よって、ロール４８に膜が付着したり堆積することを防
止している。また、これらの防着板６０に正極の電圧を
印加して、イオンの飛来を防止することで、ロール４８
への膜の付着等を防止する方法も考えられるが、この方
法を用いる場合には、防着板６０がアーク放電の陽極に
ならないように注意が必要になる。
【００３０】また、成膜室３０内に配置された三つのロ
ール４８には、図１に示すように、気相反応によって分
解されたガス成分のロールへの付着を防止する防着板６
０が装備されている。これらの防着板６０は、ロールに
付着したガス成分によって基板２１に擦り傷が形成され
ることを防止し、また、基板２１の成膜面が汚損されて
成膜の品質が低下することを防止する。
【００３１】前記電界形成手段２７は、放電プラズマ流
２３の両側に位置する基板２１の外側において、これら
の基板２１に沿って平行平板形の高周波電極６１を一定
間隔で配備し、高周波電源６３から各高周波電極６１に
高周波電圧を印加することで、放電プラズマ流２３およ
びその両側を走行する基板２１に直交する方向に電界を
発生させるようにしたものである。高周波電源６３と高
周波電極６１との間の電路には、インピーダンス整合を
取ることにより反射波の発生量を調整するマッチング・
ボックス６４が装備されている。
【００３２】前記高周波電極６１の幅方向（図１の紙面
に直交する方向）の寸法や設置数等は、基板２１の幅や
放電プラズマ流２３の幅や、成膜範囲の大きさ等を考慮
して、最適値を決定している。また、走行する基板２１
と高周波電極６１との間の間隔は、０．１〜５ｍｍ程度
の範囲で調整可能にしておく。この基板２１と高周波電
極６１との間の間隔が広過ぎると、基板２１と高周波電
極６１との間で放電を生じ、基板２１の裏面にイオンに
よる損傷を受ける場合があるので、基板２１と高周波電
極６１との間の間隔が最適値になるように調整が必要に
なるからである。
【００３３】前記高周波電源６３は、最大出力が３ｋＷ
以下の程度のもので、装備した高周波電極６１の表面積
に応じて必要な出力が獲られるものを選択する。また、
高周波電極６１に印加する高周波電圧の周波数は、反射
波の発生量が少なくなるように、前述のマッチング・ボ
ックス６４を用いて、２〜１００ＭＨｚの範囲の適宜値
に設定するとよい。
【００３４】なお、基板２１が磁気記録媒体用のもの
で、成膜面側に予め強磁性体からなる磁性層が形成され
ている場合には、成膜時に前述した電極ローラ４６によ
って基板２１に直流電圧を印加する。しかし、例えば、
基板２１に導電性の層が未形成の場合や、直流電源がな
い場合には、前記高周波電極６１と高周波電源６３との
間にブロッキング・コンデンサーを配置し、さらに一方
の電極の高さ方向の長さを短くして表面積を小さくする
ことにより、直流電圧を印加しなくても、高周波放電に
よる自己バイアスによって負極性の直流電圧を基板２１
に印加することができる。この場合、放電プラズマ流２
３により生成された反応ガスのイオン種は、一方の電極
に向って加速するので、片側しか成膜できないことと、
高周波電力を高くすることで自己バイアスも高くするこ
とができるが同時に基板２１の温度が上昇し、基板２１
に使用されているフィルム材料が例えばＰＥＴやＰＥＮ
等では、必要に応じて、冷却を実施する。
【００３５】以上のように構成された製造装置２０によ
り、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法が実施され
る。図３は、上記の製造装置２０によって実施される成
膜処理開始時におけるプロセスの一例を示したものであ
る。
【００３６】まず、ウェブ状の基板２１を基板搬送手段
２６にセットして、基板２１に所定の張力をかけた状態
にするとともに、真空ポンプ３２，３３によって真空槽
２２内を所定の真空度まで初期排気する（ステップ１０
１）。次いで、基板搬送手段２６を動作させて、基板２
１を所定の速度で走行させる（ステップ１０２）。次い
で、プラズマ流発生手段２４を動作させて、シート状の
放電プラズマ流２３を所定の強度で成膜室３０内の定位
置に発生させる（ステップ１０３）。次いで、ガス導入
手段２５により包囲空間５８内の放電プラズマ流２３に
反応ガスを所定の流量で導入する（ステップ１０４）。
次いで、高周波電極６１により、所定の高周波電圧を印
加して、互いに対峙している放電プラズマ流２３および
基板２１に対して交差する電界を形成する（ステップ１
０５）。次いで、電極ロール４９により基板２１の成膜
面に所定の直流電圧を印加する（ステップ１０６）。
【００３７】以上のプロセスにより成膜を実行するが、
ステップ１０２〜ステップ１０６の順序は、図示の順序
に限定されるものではなく、成膜が実行される前に多量
の基板２１が走行しないように、装置性能等に合せて、
適宜に順序を入れ替えることができる。
【００３８】以上に示した製造装置２０による成膜で
は、成膜処理時に反応ガスの電離・励起を活性化させる
ための電界は、対峙している放電プラズマ流２３および
基板２１を交差する方向に発生させるため、電界強度を
広範囲に渡って均一化することが容易になり、電界強度
のばらつき等によって膜の品質が低下することを防止す
るができる。そして、電界はバイアス電圧の印加によっ
て発生させるが、バイアス電圧が高周波電極６１による
高周波電圧としているため、直流電圧を印加した場合の
ようなアークの発生の危険を伴わずに、良好に反応ガス
の電離・励起を活性化することができる。
【００３９】また、基板２１をシート状の放電プラズマ
流２３の一方の面に沿って走行させた後に折り返して放
電プラズマ流２３の他方の面に沿って走行させること
で、放電プラズマ流２３に基板を対峙させた状態を得る
と同時に、放電プラズマ流２３の周囲を基板２１によっ
て囲った包囲空間５８を形成し、この包囲空間５８内に
前記反応ガスを供給する構成であるため、反応ガスの不
要な拡散を防止するために専用の反応管を装備する必要
がなくなる。その結果、堆積した膜の剥離が生じる箇所
自体が少なくなり、膜の剥離によって形成されるフレー
クの成膜部への混入が防止され、ピンホールの発生等の
不都合の発生を防止することができる。
【００４０】したがって、例えば、ダイヤモンド状カー
ボン膜等の成膜に際して、成膜処理中におけるフレーク
の発生を防止してフレークの混入によるピンホール等の
欠陥の発生を回避することができ、また、基板２１の成
膜面へのアークの発生や成膜面に作用する電界強度のば
らつき等によって品質が低下することを防止するがで
き、高品質で生産性のよい成膜を実現することができ
る。
【００４１】本願発明者等は、前述の実施態様の製造装
置２０を用いて、実際に成膜テストを実施した。そのと
きの製造装置２０の仕様の詳細は、次の通りであった。
真空層２２は内容積が約１．５ｍ3のＳＵＳ３０４製
で、真空ポンプ３２，３３としては、排気能力が３００
０リットル／ｓｅｃおよび５０００リットル／ｓｅｃの
ターボ・ポンプをそれぞれ１台、２５０００リットル／
ｍｉｎのメカニカル・ブースター・ポンプを１台、１５
００リットル／ｍｉｎのロータリー・ポンプを１台備え
た構成とした。また、真空槽２２内でプラズマによる発
熱を嫌う箇所には必要に応じて、銅板に銅パイプを付
け、該銅パイプに冷却水を流す構成の防着板を使用し
た。また、真空槽２２の外壁も、必要に応じて冷却し
た。そして、初期排気で真空度が５．０×１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下、成膜中は、包囲空間５８内の成膜部が５．０×
１０-3〜１×１０-2Ｔｏｒｒ、その他の部分で５×１０
-4Ｔｏｒｒ以下が得られるようにした。
【００４２】また、プラズマ流発生手段２４としては、
Ｔａ−ＬａＢ6からなる複合陰極と中間電極を備えた圧
力勾配型の装置を用い、磁場によりプラズマをシート化
した。プラズマ・ガンの能力は、放電電流が最大２００
Ａまで可能なものを使用した。また、表面に厚さ５ｍｍ
のＭo板を張り付けたアノードを配設した。電極ローラ
４６用のバイアス電源５２としては、極性が負または正
の最大１０００Ｖ印加できる直流電源を使用した。ガス
導入手段２５には、最大流量が１００〜５００ｓｃｃｍ
のマスフロー・コントローラーを使用して反応ガスの流
量制御を行い、また、反応ガスを噴射するノズル４１と
しては、直径６ｍｍのＳＵＳ製パイプを加工したものを
使用した。
【００４３】基板搬送手段２６は、幅３００ｍｍの基板
２１を走行させることができるように、各ロール４６，
４８には、幅寸法が３２０ｍｍで、直径が１００〜１５
０ｍｍのロールを使用した。そして、送り出し装置４３
および巻き取り装置４４には、外径が１６０ｍｍの巻芯
が取り付け可能な取り付け機構を使用した。また、成膜
処理中は、成膜室３０内での基板２１の走行速度が一定
速度となるように、送り出し装置４３及び巻き取り装置
４４の回転速度等を制御した。 具体的は、巻き取りの
駆動モータには４．０ｋＷのものを使用し、成膜処理時
における基板２１の走行速度は５〜２００ｍ／minの範
囲の適宜値に選定し、また、基板２１に作用する張力は
３〜１５ｋｇｆ／ｗの範囲の適宜値に選定する。
【００４４】前記高周波電源６３としては、周波数が１
３．５６ＭＨｚ、最大出力３ｋＷのものを使用した。そ
して、高周波電極６１としては、幅が３００ｍｍ、長さ
が５０ｍｍ、厚さが２ｍｍのＳＵＳ３０４製の板を使用
した。走行する基板２１の裏面と高周波電極６１との間
の間隔は、０．１〜５ｍｍの範囲の適宜値に選択した。
なお、高周波電源６３のインピーダンス整合を行うマッ
チング・ボックス６４としては、逆Ｌ型のものを使用し
た。
【００４５】また、上記の仕様の装置によるテストにお
けるその他の条件は、以下の（１）乃至（５）に示す通
りである。 （１）放電ガス Ａｒを使用し、２０〜１００ｓｃｃｍをプラズマ・ガン
に導入した。 （２）放電出力 放電電圧を６０〜１２０Ｖ、放電電流を１００〜１５０
Ａにした。 （３）ウェブ状の基板２１ 厚さが５〜２０μｍのＰＥＴベースの上に、予め、蒸着
にてＣｏ−Ｏ層を２０００オングストロームの厚さに成
膜したものを使用した。成膜面に負極性の０〜８００Ｖ
の電圧を印加した。また、プラズマ流の中心から成膜面
までの距離を５０〜７５ｍｍにした。搬送速度および張
力は、それぞれ、２０〜４０ｍ／ｍｉｎ、６ｋｇｆ／ｗ
とした。 （４）反応ガス ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ2Ｈ2の炭化水素ガスを使用
し、５０〜２００ｓｃｃｍ導入した。 （５）高周波 高周波電極と基板との間隔を０．５〜１ｍｍにした。ま
た、投入電力は、０〜３Ｗ／ｃｍ2にした。そして、マ
ッチング・ボックス６４によるインピーダンスの調整に
よって、反射波を２０％以下にした。
【００４６】以上の仕様、条件によって、成膜したサン
プルについて、膜厚、硬度、膜質、膜厚分布、成膜速
度、真空層の汚れの評価を行った。膜厚は、ＴＥＭ（ T
ransmission Electron Microscopy ）により断面観察を
行い、基板２１の幅方向での膜厚の最大、最小値から （ｍａｘ−ｍｉｎ）／（ｍａｘ＋ｍｉｎ）×１００ …［１］ を算出して、膜厚分布（単位：％）を算出した。そし
て、硬度は、薄膜硬度計を使用してビッカース硬さを計
測した。膜質は、ＥＳＣＡ（ Electron Spectroscopy f
or Chemical Analysis）のプラズモン損失を利用した。
これは、予め、アモルファス、グラファイト、ダイヤモ
ンドのプラズモン損失を測定し、成膜サンプルがどの相
になっているかを求めたもので、今回は、磁気記録媒体
用のカーボン保護膜の最適値として２５〜２７ｅＶを採
用した。成膜速度は、基板２１の幅方向の中心位置での
膜厚と基板２１の搬送速度、成膜領域より算出した。ま
た、真空層の汚れは、真空槽内に発生したフレークを集
めて、重量を従来装置で成膜した場合と比較した。
【００４７】次の表１は、これらの成膜条件と測定結果
の一覧を示したものである。ただし、表１には、真空層
の汚れに対する評価は、記載していない。真空層の汚れ
の評価では、いずれのテストの場合でも、従来方式に比
べて、発生したフレーク量が１／１０以下に低減してい
た。そして、連続運転でも、特に成膜室３０内のローラ
４８を保護する防着板６０に堆積した膜は、従来と比較
して極めて少量になり、防着板６０に堆積した膜が走行
する基板にすり傷をつける等の障害が発生することがな
かった。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【表２】
【００５０】また、表１，表２にも示したように、前述
の製造装置２０によって形成したカーボン保護膜は、磁
気記録媒体用のダイヤモンド状カーボン膜として十分な
膜質が得られた。そして、高周波グロー放電を利用した
従来の成膜による場合は、成膜速度が３０〜４０オング
ストローム／ｓｅｃであるのに対し、本実施態様のテス
トでは、５０〜１５０オングストローム／ｓｅｃの成膜
速度が得られ、高速成膜が可能であることが確認でき
た。 また、膜厚分布もばらつきが少なく、磁気記録媒
体の製造等に良好に利用しうることが確認できた。
【００５１】なお、以上の実施態様で使用する放電プラ
ズマ流２３は、幅寸法が２００〜３００ｍｍのものであ
るが、例えば、幅寸法が１ｍの幅広の基板２１に成膜す
るような場合には、次の（１）〜（３）の何れかの対策
を施すことが考えられる。 （１）複数のプラズマ流発生手段２４を放電プラズマ流
２３の幅方向に併設することで、形成するプラズマ流の
拡幅を図る。但し、この場合には、互いのプラズマ流が
干渉しないように、真空槽２２内の磁場設定に注意する
必要がある。 （２）シート状にマグネットを２段に装備し、発生直後
の径の小さい円柱状プラズマを第１段目のマグネットで
シート化し、さらに幅方向に長いマグネットを使用して
圧縮することで、所定の幅寸法に拡幅する。 （３）陽極をスキャンさせて、プラズマ流を基板２１に
沿って振らせることで、幅寸法の拡幅を図る。ただし、
この場合は、基板２１の走行速度が速いと、膜厚分布の
むらが生じる虞がある。
【００５２】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体の製造方法及び装
置によれば、成膜処理時に反応ガスの電離・励起を活性
化させるための電界は、対峙している放電プラズマ流お
よび基板を交差する方向に発生させるため、電界強度を
広範囲に渡って均一化することが容易になり、電界強度
のばらつき等によって膜の品質が低下することを防止す
るができる。そして、電界はバイアス電圧の印加によっ
て発生させるが、バイアス電圧が高周波電極による高周
波電圧とした構成では、直流電圧を印加した場合のよう
なアークの発生の危険を伴わずに、良好に反応ガスの電
離・励起を活性化することができる。また、基板をシー
ト状の放電プラズマ流の一方の面に沿って走行させた後
に折り返して放電プラズマ流の他方の面に沿って走行さ
せることで、放電プラズマ流に基板を対峙させた状態を
得ると同時に、放電プラズマ流の周囲を基板によって囲
った包囲空間を形成し、この包囲空間内に前記反応ガス
を供給する構成によれば、反応ガスの不要な拡散を防止
するために専用の反応管を装備する必要がなくなる。そ
の結果、堆積した膜の剥離が生じる箇所自体が少なくな
り、膜の剥離によって形成されるフレークの成膜部への
混入が防止され、ピンホールの発生等の不都合の発生を
防止することができる。したがって、例えば、ダイヤモ
ンド状カーボン膜等の成膜に際して、成膜処理中におけ
るフレークの発生を防止してフレークの混入によるピン
ホール等の欠陥の発生を回避することができ、また、基
板の成膜面へのアークの発生や成膜面に作用する電界強
度のばらつき等によって品質が低下することを防止する
ができ、高品質で生産性のよい成膜を実現することので
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の製造装置の一実施
態様の正面図である。
【図２】本発明に係る磁気記録媒体の製造装置の一実施
態様の側面図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造方法の成膜実行ま
でのプロセスを示すフローチャートである。
【図４】従来の磁気記録媒体の製造装置の正面図であ
る。
【符号の説明】
２０ 磁気記録媒体の製造装置 ２１ 基板 ２２ 真空槽 ２３ 放電プラズマ流（シートプラズマ） ２４ プラズマ流発生手段 ２５ ガス導入手段 ２６ 基板搬送手段 ２７ 電界形成手段 ２９ シール板 ３０ 成膜室 ３１ａ 送り出し室 ３１ｂ 巻き取り室 ３２，３３ 真空ポンプ ３５ 陰極 ３６ 陽極 ３７ プラズマガン ３８ シート用コイル ３９ 空芯コイル（集束コイル） ４１ ノズル ４３ 送り出し装置 ４４ 巻き取り装置 ４６ ロール ４８ ロール ４９ 電極ロール ５２ バイアス電源 ５８ 包囲空間 ６０ 防着板 ６１ 高周波電極 ６３ 高周波電源 ６４ マッチング・ボックス

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空槽内に形成されたシート状の放電プ
    ラズマ流に反応ガスを供給する一方で、ウェブ状の基板
    を前記放電プラズマ流の近傍に走行させ、前記放電プラ
    ズマ流による前記反応ガスの気相反応によって放電プラ
    ズマ流側に面した前記基板の表面に所定成分の薄膜を形
    成する磁気記録媒体の製造方法であって、 成膜処理用の真空環境を提供する真空槽内にて前記基板
    は前記放電プラズマ流に対峙させて走行させると共に、
    対峙している放電プラズマ流および基板を交差する方向
    に電界を発生させながら薄膜の形成を行うことを特徴と
    する磁気記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項２】 対峙している放電プラズマ流および基板
    を交差する方向に発生させる電界は、高周波電極によっ
    て形成することを特徴とした請求項１に記載の磁気記録
    媒体の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記基板をシート状の放電プラズマ流の
    一方の面に沿って走行させた後に折り返して放電プラズ
    マ流の他方の面に沿って走行させることで、放電プラズ
    マ流に基板を対峙させた状態を得ると同時に、放電プラ
    ズマ流の周囲を基板によって囲った包囲空間を形成し、
    この包囲空間内に前記反応ガスを供給することを特徴と
    する請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 真空槽内に形成されたシート状の放電プ
    ラズマ流に反応ガスを供給する一方で、ウェブ状の基板
    を前記放電プラズマ流の近傍に走行させ、前記放電プラ
    ズマ流による前記反応ガスの気相反応によって放電プラ
    ズマ流側に面した前記基板の表面に所定成分の薄膜を形
    成する磁気記録媒体の製造装置であって、 成膜処理用の真空環境を提供する真空槽と、 該真空槽内にシート状の放電プラズマ流を形成するプラ
    ズマ流発生手段と、 前記放電プラズマ流に反応ガスを供給するガス導入手段
    と、 前記ウェブ状の基板の表面が前記放電プラズマ流と対峙
    するように前記真空槽内で前記基板を走行させる基板搬
    送手段と、 対峙している放電プラズマ流および基板を交差する方向
    に電界を発生させる電界形成手段とを備えたことを特徴
    とする磁気記録媒体の製造装置。
  5. 【請求項５】 前記電界形成手段は、放電プラズマ流に
    対峙して走行する基板に沿って配備した高周波電極によ
    って、放電プラズマ流および基板を交差する方向に電界
    を発生させることを特徴とする請求項４に記載の磁気記
    録媒体の製造装置。
JP6220857A 1994-08-24 1994-08-24 磁気記録媒体の製造方法及び装置 Pending JPH0863746A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6220857A JPH0863746A (ja) 1994-08-24 1994-08-24 磁気記録媒体の製造方法及び装置
DE19530318A DE19530318A1 (de) 1994-08-24 1995-08-17 Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines magnetischen Aufzeichnungsmediums
US08/518,177 US5595792A (en) 1994-08-24 1995-08-23 Method and apparatus for producing magnetic recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6220857A JPH0863746A (ja) 1994-08-24 1994-08-24 磁気記録媒体の製造方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0863746A true JPH0863746A (ja) 1996-03-08

Family

ID=16757638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6220857A Pending JPH0863746A (ja) 1994-08-24 1994-08-24 磁気記録媒体の製造方法及び装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5595792A (ja)
JP (1) JPH0863746A (ja)
DE (1) DE19530318A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005113170A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Konica Minolta Opto Inc 放電プラズマ処理方法、放電プラズマ処理の開始方法及び放電プラズマ処理の停止方法
WO2007026545A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Konica Minolta Holdings, Inc. プラズマ放電処理装置及びガスバリア性フィルムの製造方法
JP2007119911A (ja) * 2005-09-27 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置、成膜方法、及び光電変換装置の作製方法
US8192545B2 (en) 2005-09-27 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, method for forming film, and method for manufacturing photoelectric conversion device
JP2019143233A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社プラズマイオンアシスト プラズマ処理装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29600991U1 (de) * 1996-01-20 1997-05-22 Straemke Siegfried Dr Ing Plasmareaktor
KR100296692B1 (ko) 1996-09-10 2001-10-24 사토 도리 플라즈마cvd장치
DE19744060C2 (de) * 1997-10-06 1999-08-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten
WO2002036851A1 (de) * 2000-11-02 2002-05-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und vorrichtung zur oberflächenbehandlung elektrisch isolierender substrate
US7025856B2 (en) * 2001-02-02 2006-04-11 The Regents Of The University Of California Processing materials inside an atmospheric-pressure radiofrequency nonthermal plasma discharge
JP4822378B2 (ja) * 2001-02-06 2011-11-24 株式会社ブリヂストン 成膜装置および成膜方法
US20070048456A1 (en) * 2004-09-14 2007-03-01 Keshner Marvin S Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method
TWI328050B (en) * 2005-05-10 2010-08-01 Ulvac Inc Reeling type plasma cvd device
US9539605B2 (en) * 2012-02-28 2017-01-10 Toray Plastics (America), Inc. Gravure roll edge masking system for in-line film coating
DE102012109251A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Osram Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005113170A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Konica Minolta Opto Inc 放電プラズマ処理方法、放電プラズマ処理の開始方法及び放電プラズマ処理の停止方法
JP4581366B2 (ja) * 2003-10-03 2010-11-17 コニカミノルタオプト株式会社 放電プラズマ処理方法
WO2007026545A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Konica Minolta Holdings, Inc. プラズマ放電処理装置及びガスバリア性フィルムの製造方法
JPWO2007026545A1 (ja) * 2005-08-31 2009-03-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 プラズマ放電処理装置及びガスバリア性フィルムの製造方法
JP2007119911A (ja) * 2005-09-27 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置、成膜方法、及び光電変換装置の作製方法
US8192545B2 (en) 2005-09-27 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, method for forming film, and method for manufacturing photoelectric conversion device
JP2019143233A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社プラズマイオンアシスト プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5595792A (en) 1997-01-21
DE19530318A1 (de) 1996-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6312524B1 (en) Plasma CVD apparatus
KR100502124B1 (ko) 이동 모재 상에 농후 탄소 코팅을 증착시키기 위한 공정 및 장치
JPH0863746A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び装置
US5203924A (en) Method of and apparatus for synthesizing diamondlike thin film
US6919107B2 (en) Method and device for treating surfaces using a glow discharge plasma
WO2013100073A1 (ja) プラズマを使った前処理装置を有した蒸着装置
JP2000149270A (ja) 光ディスクメモリの読み取り方法
US5360483A (en) Plasma CVD apparatus and method therefor
JPH07109571A (ja) 電子ビーム式連続蒸着装置
JP3555797B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3267810B2 (ja) 被膜形成方法
JPH09111458A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP4601387B2 (ja) 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
JP4613046B2 (ja) 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
JP3518977B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP4601385B2 (ja) 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
JP3519046B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP5042343B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JPH08106631A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JPH0836751A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JP3327533B2 (ja) 被膜形成方法
JPH0987855A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP3352435B2 (ja) 被膜形成方法
JP3691470B2 (ja) 被膜形成方法
JP3352436B2 (ja) 被膜形成方法