JPH0863236A - 温度制御装置 - Google Patents
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- JPH0863236A JPH0863236A JP19683494A JP19683494A JPH0863236A JP H0863236 A JPH0863236 A JP H0863236A JP 19683494 A JP19683494 A JP 19683494A JP 19683494 A JP19683494 A JP 19683494A JP H0863236 A JPH0863236 A JP H0863236A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 追従性よく急俊で高精度の温度制御装置。
【構成】 熱媒体の液体を目的温度の第１の設定温度に
維持する第１の蓄液タンク１ａと、初期温度との温度差
が、初期温度と前記目的温度の温度差よりも相当大きい
第２の設定温度に維持する熱媒体の液体を持つ第２の蓄
液タンク１ｂと、前記第１または第２の蓄液タンクから
前記液体を供給し目的温度に保持される温度調節ブロッ
ク６と、前記液体の温度調節ブロック６へ送液する第１
または第２の蓄液タンクからの切り替え弁と、前記切り
替え弁の開閉を制御する弁制御装置４とを持ち、前記第
１の蓄液タンク１ａの熱容量は温度調節ブロック６の熱
容量に比べて大であり、かつ前記弁制御装置４は、前記
切り替え弁により、温度調節ブロック６へ、第２の蓄液
タンク１ｂから液体を供給し、目的温度附近まで急速冷
却または急速加熱したのち、切り替え弁により、第１の
蓄液タンク１ａから液体を供給し、目的温度に維持す
る。
維持する第１の蓄液タンク１ａと、初期温度との温度差
が、初期温度と前記目的温度の温度差よりも相当大きい
第２の設定温度に維持する熱媒体の液体を持つ第２の蓄
液タンク１ｂと、前記第１または第２の蓄液タンクから
前記液体を供給し目的温度に保持される温度調節ブロッ
ク６と、前記液体の温度調節ブロック６へ送液する第１
または第２の蓄液タンクからの切り替え弁と、前記切り
替え弁の開閉を制御する弁制御装置４とを持ち、前記第
１の蓄液タンク１ａの熱容量は温度調節ブロック６の熱
容量に比べて大であり、かつ前記弁制御装置４は、前記
切り替え弁により、温度調節ブロック６へ、第２の蓄液
タンク１ｂから液体を供給し、目的温度附近まで急速冷
却または急速加熱したのち、切り替え弁により、第１の
蓄液タンク１ａから液体を供給し、目的温度に維持す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度制御装置に係り、
特に急速加熱あるいは急速冷却を行うに際し、立上がり
および立ち下がりが急俊でかつ、安定した温度制御を行
うことができる温度制御装置に関する。
特に急速加熱あるいは急速冷却を行うに際し、立上がり
および立ち下がりが急俊でかつ、安定した温度制御を行
うことができる温度制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体部品などの製造工程では、多数の
加熱および冷却工程を必要とするが、各工程における加
熱および冷却に際しては、極めて高精度の温度管理と、
立上がりおよび立ち下がりが急俊であることが求められ
る。特に、短時間で試料を周期的に加熱冷却させる必要
があるような場合には、時間の短縮のためにも、立上が
りおよび立ち下がりを急俊にする必要がある。
加熱および冷却工程を必要とするが、各工程における加
熱および冷却に際しては、極めて高精度の温度管理と、
立上がりおよび立ち下がりが急俊であることが求められ
る。特に、短時間で試料を周期的に加熱冷却させる必要
があるような場合には、時間の短縮のためにも、立上が
りおよび立ち下がりを急俊にする必要がある。
【０００３】しかしながら、装置内の加熱冷却される部
分が熱容量を持つため、十分な追従性が得られず、急俊
なプロファイルを示す温度制御は極めて困難であった。
また、安定して、目的温度に維持するのも困難であっ
た。
分が熱容量を持つため、十分な追従性が得られず、急俊
なプロファイルを示す温度制御は極めて困難であった。
また、安定して、目的温度に維持するのも困難であっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように温度変化に
対する追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うこと
ができる低コストの温度制御装置が求められているが、
従来この要求を満たすことのできる装置はなかった。
対する追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うこと
ができる低コストの温度制御装置が求められているが、
従来この要求を満たすことのできる装置はなかった。
【０００５】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うことが
できる温度制御装置を提供することを目的とする。
で、追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うことが
できる温度制御装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は、
初期温度から目的温度まで、物体温度を高速で下降また
は上昇させる機能を備えた温度制御装置において、熱媒
体としての液体を目的温度である第１の設定温度に維持
せしめてなる第１の蓄液タンクと、初期温度に対する温
度差が、初期温度に対する前記目的温度の温度差よりも
十分に大きい第２の設定温度に、熱媒体としての液体
を、維持せしめてなる第２の蓄液タンクと、前記第１ま
たは第２の蓄液タンクから前記液体を供給することによ
り目的温度に保持せしめられる温度調節ブロックと、前
記液体の温度調節ブロックへの送出対象となる第１また
は第２の蓄液タンクの切り替えを行う切り替え弁と、前
記切り替え弁の開閉を制御する弁制御装置とを具備し、
前記第１の蓄液タンクの熱容量は前記温度調節ブロック
の熱容量に比べて大きく構成され、かつ前記弁制御装置
は、前記切り替え弁を駆動し、まず前記温度調節ブロッ
クに対し、第２の蓄液タンクから液体を供給し、前記物
体温度を目的温度の近傍まで急速冷却または急速加熱し
たのち、再度前記切り替え弁を駆動し、前記第１の蓄液
タンクから液体を供給し、前記物体温度を目的温度に維
持するように構成されている。
初期温度から目的温度まで、物体温度を高速で下降また
は上昇させる機能を備えた温度制御装置において、熱媒
体としての液体を目的温度である第１の設定温度に維持
せしめてなる第１の蓄液タンクと、初期温度に対する温
度差が、初期温度に対する前記目的温度の温度差よりも
十分に大きい第２の設定温度に、熱媒体としての液体
を、維持せしめてなる第２の蓄液タンクと、前記第１ま
たは第２の蓄液タンクから前記液体を供給することによ
り目的温度に保持せしめられる温度調節ブロックと、前
記液体の温度調節ブロックへの送出対象となる第１また
は第２の蓄液タンクの切り替えを行う切り替え弁と、前
記切り替え弁の開閉を制御する弁制御装置とを具備し、
前記第１の蓄液タンクの熱容量は前記温度調節ブロック
の熱容量に比べて大きく構成され、かつ前記弁制御装置
は、前記切り替え弁を駆動し、まず前記温度調節ブロッ
クに対し、第２の蓄液タンクから液体を供給し、前記物
体温度を目的温度の近傍まで急速冷却または急速加熱し
たのち、再度前記切り替え弁を駆動し、前記第１の蓄液
タンクから液体を供給し、前記物体温度を目的温度に維
持するように構成されている。
【０００７】望ましくは、前記弁制御装置は、温度調節
ブロックの温度を検出する温度センサを具備し、前記温
度センサの出力が、目的温度と第２の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したと
き、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンクに切り替え
られるように、前記切り替え弁の切り替えを行う。
ブロックの温度を検出する温度センサを具備し、前記温
度センサの出力が、目的温度と第２の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したと
き、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンクに切り替え
られるように、前記切り替え弁の切り替えを行う。
【０００８】また望ましくは、前記弁制御装置は、前記
第２の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第２の蓄
液タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられるよう
に、前記切り替え弁の切り替えを行う。
第２の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第２の蓄
液タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられるよう
に、前記切り替え弁の切り替えを行う。
【０００９】望ましくは、前記弁制御装置は、前記物体
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが、目的温度と第２の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したの
を検知すると、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンク
に切り替えられるように、前記切り替え弁の切り替えを
行う。
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが、目的温度と第２の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したの
を検知すると、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンク
に切り替えられるように、前記切り替え弁の切り替えを
行う。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、まず第２の蓄液タンクか
ら、目的温度よりも初期温度に対する温度差の大きい熱
媒体を供給し、温度調節ブロックの温度を急速に変化さ
せて目的温度の近傍まで導いた後、目的温度に設定され
た第１の蓄液タンクから熱媒体を供給することにより、
スイッチングの高速化をはかることができ、高速で安定
な温度制御を行うことが可能となる。
ら、目的温度よりも初期温度に対する温度差の大きい熱
媒体を供給し、温度調節ブロックの温度を急速に変化さ
せて目的温度の近傍まで導いた後、目的温度に設定され
た第１の蓄液タンクから熱媒体を供給することにより、
スイッチングの高速化をはかることができ、高速で安定
な温度制御を行うことが可能となる。
【００１１】すなわち、初期温度が高温であるとき、常
温まで下降させる場合については、まず、弁制御装置に
よって切り替え弁を第２の蓄液タンクに対して開く。こ
のとき温度調節ブロック内には第２の設定温度の液体が
供給され、この温度調節ブロックは急速に目的温度の近
傍まで到達せしめられる。そして続いて、弁制御装置に
よって切り替え弁を第１の蓄液タンクに対して開く。す
ると温度調節ブロック内には第１の設定温度すなわち目
的温度に設定された液体が供給され、この温度調節ブロ
ックは目的温度に微調整され、以後安定して目的温度に
維持せしめられる。
温まで下降させる場合については、まず、弁制御装置に
よって切り替え弁を第２の蓄液タンクに対して開く。こ
のとき温度調節ブロック内には第２の設定温度の液体が
供給され、この温度調節ブロックは急速に目的温度の近
傍まで到達せしめられる。そして続いて、弁制御装置に
よって切り替え弁を第１の蓄液タンクに対して開く。す
ると温度調節ブロック内には第１の設定温度すなわち目
的温度に設定された液体が供給され、この温度調節ブロ
ックは目的温度に微調整され、以後安定して目的温度に
維持せしめられる。
【００１２】このように液体の入れ替えのみで温度設定
がなされるため、取扱いが容易である上、まず初期温度
に対して目的温度よりも温度差が大きい液体を用いるこ
とにより高速で目的温度の近傍に到達せしめ、この後、
目的温度に設定された液体によって安定化せしめられる
ため、高速で安定した温度制御を行うことが可能とな
る。
がなされるため、取扱いが容易である上、まず初期温度
に対して目的温度よりも温度差が大きい液体を用いるこ
とにより高速で目的温度の近傍に到達せしめ、この後、
目的温度に設定された液体によって安定化せしめられる
ため、高速で安定した温度制御を行うことが可能とな
る。
【００１３】望ましくは、さらに温度調節ブロックの温
度を検出する温度センサを具備し、前記温度センサの出
力が目的温度と第２の設定温度との間にあるあらかじめ
設定された第３の設定温度に到達したとき、第２の蓄液
タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられるように構
成すれば、自動的な制御が可能となる。
度を検出する温度センサを具備し、前記温度センサの出
力が目的温度と第２の設定温度との間にあるあらかじめ
設定された第３の設定温度に到達したとき、第２の蓄液
タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられるように構
成すれば、自動的な制御が可能となる。
【００１４】また望ましくは、前記弁制御装置は、前記
第２の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第２の蓄
液タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられるように
ように構成すれば、容易に、自動制御が可能となる。
第２の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第２の蓄
液タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられるように
ように構成すれば、容易に、自動制御が可能となる。
【００１５】望ましくは、前記弁制御装置は、前記物体
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが目的温度と第２の設定温度との間にあ
るあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したのを
検知すると、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンクに
切り替えられるように構成すれば、より高精度で信頼性
の高い制御が可能となる。望ましくは物体温度を非接触
で検知するようにし、この検知温度が目的温度に到達し
たのを検知した時点で切り替えを行うようにするとよ
い。
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが目的温度と第２の設定温度との間にあ
るあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したのを
検知すると、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンクに
切り替えられるように構成すれば、より高精度で信頼性
の高い制御が可能となる。望ましくは物体温度を非接触
で検知するようにし、この検知温度が目的温度に到達し
たのを検知した時点で切り替えを行うようにするとよ
い。
【００１６】なお、切り替えに際しては、第１の蓄液タ
ンクに対して弁を開いた状態で第２の蓄液タンクから液
体の供給を開始し、供給開始後、第１の蓄液タンクに対
する弁を閉じるようにすれば、液体供給用のポンプがし
めきり運転するのを避けることができる。
ンクに対して弁を開いた状態で第２の蓄液タンクから液
体の供給を開始し、供給開始後、第１の蓄液タンクに対
する弁を閉じるようにすれば、液体供給用のポンプがし
めきり運転するのを避けることができる。
【００１７】また熱媒体としての液体としてはシリコン
オイル、水のほか比重が小さく粘度の小さい液体であれ
ば他の液体を用いるようにしてもよい。
オイル、水のほか比重が小さく粘度の小さい液体であれ
ば他の液体を用いるようにしてもよい。
【００１８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【００１９】この温度制御装置は、図１に説明図を示す
ように、１３０℃の熱処理から冷却するための装置であ
り、目的温度である２３℃（Ｔ1 ＝第１の設定温度）に
維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給した第
１の蓄液タンク１ａと、第２の設定温度（Ｔ2 ＝１５
℃）に維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給
した第２の蓄液タンク１ｂとからなる蓄液タンク部１
と、これに接続され循環路３への切り替えを行う弁Ｖ1
〜Ｖ6 からなる電磁弁装置４と、蓄液タンク１から循環
路３に液体を送出するマグネットドライブ式のポンプ
（図示せず）と、循環路３の一部に熱接触せしめられた
温度制御プレート６とから構成され、弁制御装置１０に
よって電磁弁装置４の切り替えを行い、温度制御プレー
ト６に載置された部品７の冷却を行うように構成されて
いる。なお、循環路３の熱容量は各蓄液タンクの熱容量
の１０分の１程度であり十分に小さいものとする。また
８は非接触で部品温度を測定する赤外線温度センサであ
り、この出力は弁制御装置１０に接続されている。また
第１乃至第２の蓄液タンクには、それぞれ図示しない温
度センサが設けられている。
ように、１３０℃の熱処理から冷却するための装置であ
り、目的温度である２３℃（Ｔ1 ＝第１の設定温度）に
維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給した第
１の蓄液タンク１ａと、第２の設定温度（Ｔ2 ＝１５
℃）に維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給
した第２の蓄液タンク１ｂとからなる蓄液タンク部１
と、これに接続され循環路３への切り替えを行う弁Ｖ1
〜Ｖ6 からなる電磁弁装置４と、蓄液タンク１から循環
路３に液体を送出するマグネットドライブ式のポンプ
（図示せず）と、循環路３の一部に熱接触せしめられた
温度制御プレート６とから構成され、弁制御装置１０に
よって電磁弁装置４の切り替えを行い、温度制御プレー
ト６に載置された部品７の冷却を行うように構成されて
いる。なお、循環路３の熱容量は各蓄液タンクの熱容量
の１０分の１程度であり十分に小さいものとする。また
８は非接触で部品温度を測定する赤外線温度センサであ
り、この出力は弁制御装置１０に接続されている。また
第１乃至第２の蓄液タンクには、それぞれ図示しない温
度センサが設けられている。
【００２０】次に、この温度制御装置の動作について図
２のタイムチャートを参照しつつ説明する。ここでは曲
線ａは本発明実施例の温度制御装置を用いた場合の部品
温度を示し、曲線ｂは従来例の温度制御装置を用いた場
合の部品温度を示す。ｃは温度制御プレート６の温度を
示す。また第１の蓄液タンクは、目的温度Ｔ1 ＝２３℃
に設定され、第２の蓄液タンクは設定温度Ｔ2 ＝１５℃
であるとする。
２のタイムチャートを参照しつつ説明する。ここでは曲
線ａは本発明実施例の温度制御装置を用いた場合の部品
温度を示し、曲線ｂは従来例の温度制御装置を用いた場
合の部品温度を示す。ｃは温度制御プレート６の温度を
示す。また第１の蓄液タンクは、目的温度Ｔ1 ＝２３℃
に設定され、第２の蓄液タンクは設定温度Ｔ2 ＝１５℃
であるとする。
【００２１】初期状態として温度制御プレートは２３℃
に設定されており、部品温度を検出する温度センサ８は
１３０℃を示しているものとする。この状態で弁制御装
置１０からの指令により、電磁弁装置４が駆動されて、
弁Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ6 が開かれ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5 が閉じ
られることにより、第２の蓄液タンク１ｂから温度１５
℃に設定されたシリコンオイルが、ポンプによって循環
路３に噴出せしめられる。このとき、循環路３では２３
℃のシリコンオイルに１５℃のシリコンオイルが混ざり
ながら急速に１５℃のシリコンオイルにおき替わり、温
度制御プレート６の温度は第２の設定温度１５℃近くま
で下降せしめられ、この温度制御プレート６に熱を奪わ
れながら、冷却されるべき試料である部品７は、急速に
目的温度である２３℃近くまで下降せしめられる（クー
リングモード）。
に設定されており、部品温度を検出する温度センサ８は
１３０℃を示しているものとする。この状態で弁制御装
置１０からの指令により、電磁弁装置４が駆動されて、
弁Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ6 が開かれ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5 が閉じ
られることにより、第２の蓄液タンク１ｂから温度１５
℃に設定されたシリコンオイルが、ポンプによって循環
路３に噴出せしめられる。このとき、循環路３では２３
℃のシリコンオイルに１５℃のシリコンオイルが混ざり
ながら急速に１５℃のシリコンオイルにおき替わり、温
度制御プレート６の温度は第２の設定温度１５℃近くま
で下降せしめられ、この温度制御プレート６に熱を奪わ
れながら、冷却されるべき試料である部品７は、急速に
目的温度である２３℃近くまで下降せしめられる（クー
リングモード）。
【００２２】続いて、弁制御装置１０からの指令によ
り、電磁弁装置４が駆動されて弁Ｖ1Ｖ3 ，Ｖ6 が閉じ
られ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5 が開かれることにより、第２の
蓄液タンク１ｂからの流路が閉じられ、これに代わり目
的温度２３℃に設定されたシリコンオイルがポンプによ
って循環路３に噴出せしめられると循環路３では１５℃
のシリコンオイルが２３℃のシリコンオイルに混ざりな
がら急速に２３℃のシリコンオイルにおき替わり、温度
制御プレート６の温度は目的温度に等しい２３℃に維持
される（コントロールモード）。図中弁が黒く塗り潰さ
れているのは閉状態、白く残されているのは開状態を示
し、図１はコントロールモードの状態を示す。このよう
にして急速に目的温度２３℃まで下降せしめられる。
り、電磁弁装置４が駆動されて弁Ｖ1Ｖ3 ，Ｖ6 が閉じ
られ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5 が開かれることにより、第２の
蓄液タンク１ｂからの流路が閉じられ、これに代わり目
的温度２３℃に設定されたシリコンオイルがポンプによ
って循環路３に噴出せしめられると循環路３では１５℃
のシリコンオイルが２３℃のシリコンオイルに混ざりな
がら急速に２３℃のシリコンオイルにおき替わり、温度
制御プレート６の温度は目的温度に等しい２３℃に維持
される（コントロールモード）。図中弁が黒く塗り潰さ
れているのは閉状態、白く残されているのは開状態を示
し、図１はコントロールモードの状態を示す。このよう
にして急速に目的温度２３℃まで下降せしめられる。
【００２３】このようにして高速で冷却せしめられる。
そして、恒温状態を維持する場合には、このまま第１の
蓄液タンクから２３℃のシリコンオイルを供給し続けれ
ばよい。
そして、恒温状態を維持する場合には、このまま第１の
蓄液タンクから２３℃のシリコンオイルを供給し続けれ
ばよい。
【００２４】しかしながら、微視的にみると、蓄液タン
クの設定温度は実際には循環路３で温度の異なるシリコ
ンオイルや温度制御プレートの熱容量により、実際の温
度は設定温度から僅かに変動する。このため、温度制御
プレートの実際の温度も目的温度から僅かにずれること
になる。温度制御プレートの実際の温度を目的温度に一
致させるには、蓄液タンクの温度のずれを考慮して補償
する必要がある。
クの設定温度は実際には循環路３で温度の異なるシリコ
ンオイルや温度制御プレートの熱容量により、実際の温
度は設定温度から僅かに変動する。このため、温度制御
プレートの実際の温度も目的温度から僅かにずれること
になる。温度制御プレートの実際の温度を目的温度に一
致させるには、蓄液タンクの温度のずれを考慮して補償
する必要がある。
【００２５】この装置によれば曲線ｂで示した従来例の
場合に比べタクトタイムが大幅に短縮される。
場合に比べタクトタイムが大幅に短縮される。
【００２６】なお、前記実施例では、部品温度を赤外線
温度センサにより非接触で検出し、この検出値に応じて
弁を制御したが、温度制御プレートの温度を検出して制
御しても良い。この場合は、温度制御プレートの温度が
目的温度よりもやや低い第３の設定温度に到達したとき
第１の蓄液タンクへの切り替えを行うようにする。
温度センサにより非接触で検出し、この検出値に応じて
弁を制御したが、温度制御プレートの温度を検出して制
御しても良い。この場合は、温度制御プレートの温度が
目的温度よりもやや低い第３の設定温度に到達したとき
第１の蓄液タンクへの切り替えを行うようにする。
【００２７】また、あらかじめ、第２の蓄液タンクの弁
を開いてから部品温度が目的温度に近付くまでの時間す
なわち冷却時間を測定しておき、その時間経過後第１の
蓄液タンクに切り替えるようにしてもよい。
を開いてから部品温度が目的温度に近付くまでの時間す
なわち冷却時間を測定しておき、その時間経過後第１の
蓄液タンクに切り替えるようにしてもよい。
【００２８】また、前記実施例ではマグネットドライブ
式ポンプを用いたが、他のポンプを用いるようにしても
よい。
式ポンプを用いたが、他のポンプを用いるようにしても
よい。
【００２９】次に、本発明の第２の実施例の温度制御装
置について説明する。
置について説明する。
【００３０】前記第１の実施例では、第１および第２の
蓄液タンクの温度は独立して制御したが、この装置では
図３に示すように、第１の蓄液タンク１１ａの温度制御
を第２の蓄液タンク１１ｂで行うようにしたことを特徴
とするものである。すなわち、第１の蓄液タンク１１ａ
の温度制御を、冷却と加熱のバランスによって行うに際
し、冷却または加熱熱源を第２の蓄液タンク１１ｂの蓄
液を利用し、加熱または冷却熱源（図示せず）を第１の
蓄液タンク１１ａに付加することで行うものである。ま
た、ここでは、温度制御プレート６の温度を測定する温
度センサ１８を配設し、この検出値に応じてシーケンサ
１９で弁Ｖ1 〜Ｖ6 の切り替えを制御し、インターフェ
イスＩ／Ｆを介して、電磁弁装置１４に開閉信号を送出
するように構成されている。他の部分については前記第
１の実施例とまったく同様に構成されている。
蓄液タンクの温度は独立して制御したが、この装置では
図３に示すように、第１の蓄液タンク１１ａの温度制御
を第２の蓄液タンク１１ｂで行うようにしたことを特徴
とするものである。すなわち、第１の蓄液タンク１１ａ
の温度制御を、冷却と加熱のバランスによって行うに際
し、冷却または加熱熱源を第２の蓄液タンク１１ｂの蓄
液を利用し、加熱または冷却熱源（図示せず）を第１の
蓄液タンク１１ａに付加することで行うものである。ま
た、ここでは、温度制御プレート６の温度を測定する温
度センサ１８を配設し、この検出値に応じてシーケンサ
１９で弁Ｖ1 〜Ｖ6 の切り替えを制御し、インターフェ
イスＩ／Ｆを介して、電磁弁装置１４に開閉信号を送出
するように構成されている。他の部分については前記第
１の実施例とまったく同様に構成されている。
【００３１】図３は急速冷却モードすなわちクーリング
モードの弁の状態を示し、弁Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ6 が開か
れ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5 が閉じられている。一方図４は安
定モードすなわちコントロールモードの弁の状態を示
し、弁Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ6 が閉じられ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5
が開かれている。ここでも黒く塗り潰されているのは閉
状態、白く残されているのは開状態を示す。
モードの弁の状態を示し、弁Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ6 が開か
れ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5 が閉じられている。一方図４は安
定モードすなわちコントロールモードの弁の状態を示
し、弁Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ6 が閉じられ、Ｖ2 ，Ｖ4 ，Ｖ5
が開かれている。ここでも黒く塗り潰されているのは閉
状態、白く残されているのは開状態を示す。
【００３２】この例では図２に点線で示す温度Ｔ0 （Ｔ
1 ＜Ｔ0 ＜Ｔ2 ）に温度制御プレート６が到達するのが
検出された時点をクーリングモードからコントロールモ
ードへの切り替えのタイミングとしている。
1 ＜Ｔ0 ＜Ｔ2 ）に温度制御プレート６が到達するのが
検出された時点をクーリングモードからコントロールモ
ードへの切り替えのタイミングとしている。
【００３３】この場合も極めて容易に、急俊で高精度の
温度制御を行うことが可能となる。この装置は、例えば
液晶製造工程中の液晶基板の冷却や加熱におけるタクト
タイムの短縮等に特に有効である。
温度制御を行うことが可能となる。この装置は、例えば
液晶製造工程中の液晶基板の冷却や加熱におけるタクト
タイムの短縮等に特に有効である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたように、温度制御装置
によれば、急俊でかつ高精度の温度制御を行うことが可
能となる。
によれば、急俊でかつ高精度の温度制御を行うことが可
能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の温度制御装置を示す図
【図２】同装置による温度制御のタイムチャートを示す
図
図
【図３】本発明の第２の実施例の温度制御装置を示す図
（クーリングモード）
（クーリングモード）
【図４】本発明の第２の実施例の温度制御装置を示す図
（コントロールモード）
（コントロールモード）
１ａ 第１の蓄液タンク １ｂ 第２の蓄液タンク １ 蓄液タンク部 ３ 循環路 ４ 電磁弁装置 ６ 温度制御プレート ７ 部品（試料） ８ 温度センサ １０ 弁制御装置 １１ａ 第１の蓄液タンク １１ｂ 第２の蓄液タンク １４ 弁装置 １８ 温度センサ １９ シ−ケンサ ２０ 弁制御装置 Ｖ1 〜Ｖ6 弁
Claims (4)
- 【請求項１】 初期温度から目的温度まで物体温度を高
速で下降または上昇させる機能を備えた温度制御装置に
おいて、 熱媒体としての液体を目的温度である第１の設定温度に
維持せしめてなる第１の蓄液タンクと、 熱媒体としての液体を、第２の設定温度に維持せしめて
なる第２の蓄液タンクと、 前記第１または第２の蓄液タンクから前記液体を供給す
ることにより目的温度に保持せしめられる温度調節ブロ
ックと、 前記液体の温度調節ブロックへの送出対象となる第１ま
たは第２の蓄液タンクの切り替えを行う切り替え弁と、 前記切り替え弁の開閉を制御する弁制御装置とを具備
し、 前記第１の蓄液タンクの熱容量は前記温度調節ブロック
の熱容量に比べて大きく構成されるとともに、前記第２
の設定温度の初期温度に対する温度差は、前記目的温度
の初期温度に対する温度差よりも十分に大きく設定され
ており、かつ前記弁制御装置は、前記切り替え弁を駆動
し、まず前記温度調節ブロックに対し、第２の蓄液タン
クから液体を供給し、前記物体温度を目的温度の近傍ま
で急速冷却または急速加熱したのち、再度前記切り替え
弁を駆動し、前記第１の蓄液タンクから液体を供給し、
前記物体温度を目的温度に維持するように構成されてい
ることを特徴とする温度制御装置。 - 【請求項２】 前記弁制御装置は、前記温度調節ブロッ
クの温度を検出する温度センサを具備し、前記温度セン
サの出力が、目的温度と第２の設定温度との間にあるあ
らかじめ設定された第３の設定温度に到達したとき、第
２の蓄液タンクから第１の蓄液タンクに切り替えられる
ように、前記切り替え弁の切り替えを行うことを特徴と
する請求項１に記載の温度制御装置。 - 【請求項３】 前記弁制御装置は、前記第２の蓄液タン
クの解放から所定時間経過後、第２の蓄液タンクから第
１の蓄液タンクに切り替えられるように、前記切り替え
弁の切り替えを行うことを特徴とする請求項１に記載の
温度制御装置。 - 【請求項４】 前記弁制御装置は、前記物体温度を検知
するように構成された温度センサを具備し、 前記温度センサが、目的温度と第２の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第３の設定温度に到達したの
を検知すると、第２の蓄液タンクから第１の蓄液タンク
に切り替えられるように、前記切り替え弁の切り替えを
行うことを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683494A JPH0863236A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19683494A JPH0863236A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863236A true JPH0863236A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16364447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19683494A Pending JPH0863236A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0863236A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6889764B2 (en) * | 1995-01-19 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Cooling device and cooling method |
| EP2366039A2 (en) * | 2008-11-12 | 2011-09-21 | LAM Research Corporation | Improved substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
| JP2012048165A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のステージ温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| WO2013073537A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
| WO2014011648A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | United Technologies Corporation | Liquid level sensor system |
-
1994
- 1994-08-22 JP JP19683494A patent/JPH0863236A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6889764B2 (en) * | 1995-01-19 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Cooling device and cooling method |
| EP2366039A2 (en) * | 2008-11-12 | 2011-09-21 | LAM Research Corporation | Improved substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
| EP2366039A4 (en) * | 2008-11-12 | 2013-09-18 | Lam Res Corp | IMPROVED SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL BY USING LIQUID-CONTROLLED MULTI-TOOL SUBSTRATE CARRIER |
| JP2012048165A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のステージ温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| WO2013073537A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
| JP2013105359A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
| TWI574138B (zh) * | 2011-11-15 | 2017-03-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 溫度控制系統、半導體製造裝置及溫度控制方法 |
| WO2014011648A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | United Technologies Corporation | Liquid level sensor system |
| US9194734B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-11-24 | United Technologies Corporation | Liquid level sensor system |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050607 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |