JPH0863236A - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
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- JPH0863236A JPH0863236A JP19683494A JP19683494A JPH0863236A JP H0863236 A JPH0863236 A JP H0863236A JP 19683494 A JP19683494 A JP 19683494A JP 19683494 A JP19683494 A JP 19683494A JP H0863236 A JPH0863236 A JP H0863236A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 追従性よく急俊で高精度の温度制御装置。
【構成】 熱媒体の液体を目的温度の第1の設定温度に
維持する第1の蓄液タンク1aと、初期温度との温度差
が、初期温度と前記目的温度の温度差よりも相当大きい
第2の設定温度に維持する熱媒体の液体を持つ第2の蓄
液タンク1bと、前記第1または第2の蓄液タンクから
前記液体を供給し目的温度に保持される温度調節ブロッ
ク6と、前記液体の温度調節ブロック6へ送液する第1
または第2の蓄液タンクからの切り替え弁と、前記切り
替え弁の開閉を制御する弁制御装置4とを持ち、前記第
1の蓄液タンク1aの熱容量は温度調節ブロック6の熱
容量に比べて大であり、かつ前記弁制御装置4は、前記
切り替え弁により、温度調節ブロック6へ、第2の蓄液
タンク1bから液体を供給し、目的温度附近まで急速冷
却または急速加熱したのち、切り替え弁により、第1の
蓄液タンク1aから液体を供給し、目的温度に維持す
る。
維持する第1の蓄液タンク1aと、初期温度との温度差
が、初期温度と前記目的温度の温度差よりも相当大きい
第2の設定温度に維持する熱媒体の液体を持つ第2の蓄
液タンク1bと、前記第1または第2の蓄液タンクから
前記液体を供給し目的温度に保持される温度調節ブロッ
ク6と、前記液体の温度調節ブロック6へ送液する第1
または第2の蓄液タンクからの切り替え弁と、前記切り
替え弁の開閉を制御する弁制御装置4とを持ち、前記第
1の蓄液タンク1aの熱容量は温度調節ブロック6の熱
容量に比べて大であり、かつ前記弁制御装置4は、前記
切り替え弁により、温度調節ブロック6へ、第2の蓄液
タンク1bから液体を供給し、目的温度附近まで急速冷
却または急速加熱したのち、切り替え弁により、第1の
蓄液タンク1aから液体を供給し、目的温度に維持す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、温度制御装置に係り、
特に急速加熱あるいは急速冷却を行うに際し、立上がり
および立ち下がりが急俊でかつ、安定した温度制御を行
うことができる温度制御装置に関する。
特に急速加熱あるいは急速冷却を行うに際し、立上がり
および立ち下がりが急俊でかつ、安定した温度制御を行
うことができる温度制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体部品などの製造工程では、多数の
加熱および冷却工程を必要とするが、各工程における加
熱および冷却に際しては、極めて高精度の温度管理と、
立上がりおよび立ち下がりが急俊であることが求められ
る。特に、短時間で試料を周期的に加熱冷却させる必要
があるような場合には、時間の短縮のためにも、立上が
りおよび立ち下がりを急俊にする必要がある。
加熱および冷却工程を必要とするが、各工程における加
熱および冷却に際しては、極めて高精度の温度管理と、
立上がりおよび立ち下がりが急俊であることが求められ
る。特に、短時間で試料を周期的に加熱冷却させる必要
があるような場合には、時間の短縮のためにも、立上が
りおよび立ち下がりを急俊にする必要がある。
【0003】しかしながら、装置内の加熱冷却される部
分が熱容量を持つため、十分な追従性が得られず、急俊
なプロファイルを示す温度制御は極めて困難であった。
また、安定して、目的温度に維持するのも困難であっ
た。
分が熱容量を持つため、十分な追従性が得られず、急俊
なプロファイルを示す温度制御は極めて困難であった。
また、安定して、目的温度に維持するのも困難であっ
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように温度変化に
対する追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うこと
ができる低コストの温度制御装置が求められているが、
従来この要求を満たすことのできる装置はなかった。
対する追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うこと
ができる低コストの温度制御装置が求められているが、
従来この要求を満たすことのできる装置はなかった。
【0005】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うことが
できる温度制御装置を提供することを目的とする。
で、追従性がよく急俊で高精度の温度制御を行うことが
できる温度制御装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の特徴は、
初期温度から目的温度まで、物体温度を高速で下降また
は上昇させる機能を備えた温度制御装置において、熱媒
体としての液体を目的温度である第1の設定温度に維持
せしめてなる第1の蓄液タンクと、初期温度に対する温
度差が、初期温度に対する前記目的温度の温度差よりも
十分に大きい第2の設定温度に、熱媒体としての液体
を、維持せしめてなる第2の蓄液タンクと、前記第1ま
たは第2の蓄液タンクから前記液体を供給することによ
り目的温度に保持せしめられる温度調節ブロックと、前
記液体の温度調節ブロックへの送出対象となる第1また
は第2の蓄液タンクの切り替えを行う切り替え弁と、前
記切り替え弁の開閉を制御する弁制御装置とを具備し、
前記第1の蓄液タンクの熱容量は前記温度調節ブロック
の熱容量に比べて大きく構成され、かつ前記弁制御装置
は、前記切り替え弁を駆動し、まず前記温度調節ブロッ
クに対し、第2の蓄液タンクから液体を供給し、前記物
体温度を目的温度の近傍まで急速冷却または急速加熱し
たのち、再度前記切り替え弁を駆動し、前記第1の蓄液
タンクから液体を供給し、前記物体温度を目的温度に維
持するように構成されている。
初期温度から目的温度まで、物体温度を高速で下降また
は上昇させる機能を備えた温度制御装置において、熱媒
体としての液体を目的温度である第1の設定温度に維持
せしめてなる第1の蓄液タンクと、初期温度に対する温
度差が、初期温度に対する前記目的温度の温度差よりも
十分に大きい第2の設定温度に、熱媒体としての液体
を、維持せしめてなる第2の蓄液タンクと、前記第1ま
たは第2の蓄液タンクから前記液体を供給することによ
り目的温度に保持せしめられる温度調節ブロックと、前
記液体の温度調節ブロックへの送出対象となる第1また
は第2の蓄液タンクの切り替えを行う切り替え弁と、前
記切り替え弁の開閉を制御する弁制御装置とを具備し、
前記第1の蓄液タンクの熱容量は前記温度調節ブロック
の熱容量に比べて大きく構成され、かつ前記弁制御装置
は、前記切り替え弁を駆動し、まず前記温度調節ブロッ
クに対し、第2の蓄液タンクから液体を供給し、前記物
体温度を目的温度の近傍まで急速冷却または急速加熱し
たのち、再度前記切り替え弁を駆動し、前記第1の蓄液
タンクから液体を供給し、前記物体温度を目的温度に維
持するように構成されている。
【0007】望ましくは、前記弁制御装置は、温度調節
ブロックの温度を検出する温度センサを具備し、前記温
度センサの出力が、目的温度と第2の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したと
き、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンクに切り替え
られるように、前記切り替え弁の切り替えを行う。
ブロックの温度を検出する温度センサを具備し、前記温
度センサの出力が、目的温度と第2の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したと
き、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンクに切り替え
られるように、前記切り替え弁の切り替えを行う。
【0008】また望ましくは、前記弁制御装置は、前記
第2の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第2の蓄
液タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられるよう
に、前記切り替え弁の切り替えを行う。
第2の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第2の蓄
液タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられるよう
に、前記切り替え弁の切り替えを行う。
【0009】望ましくは、前記弁制御装置は、前記物体
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが、目的温度と第2の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したの
を検知すると、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンク
に切り替えられるように、前記切り替え弁の切り替えを
行う。
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが、目的温度と第2の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したの
を検知すると、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンク
に切り替えられるように、前記切り替え弁の切り替えを
行う。
【0010】
【作用】上記構成によれば、まず第2の蓄液タンクか
ら、目的温度よりも初期温度に対する温度差の大きい熱
媒体を供給し、温度調節ブロックの温度を急速に変化さ
せて目的温度の近傍まで導いた後、目的温度に設定され
た第1の蓄液タンクから熱媒体を供給することにより、
スイッチングの高速化をはかることができ、高速で安定
な温度制御を行うことが可能となる。
ら、目的温度よりも初期温度に対する温度差の大きい熱
媒体を供給し、温度調節ブロックの温度を急速に変化さ
せて目的温度の近傍まで導いた後、目的温度に設定され
た第1の蓄液タンクから熱媒体を供給することにより、
スイッチングの高速化をはかることができ、高速で安定
な温度制御を行うことが可能となる。
【0011】すなわち、初期温度が高温であるとき、常
温まで下降させる場合については、まず、弁制御装置に
よって切り替え弁を第2の蓄液タンクに対して開く。こ
のとき温度調節ブロック内には第2の設定温度の液体が
供給され、この温度調節ブロックは急速に目的温度の近
傍まで到達せしめられる。そして続いて、弁制御装置に
よって切り替え弁を第1の蓄液タンクに対して開く。す
ると温度調節ブロック内には第1の設定温度すなわち目
的温度に設定された液体が供給され、この温度調節ブロ
ックは目的温度に微調整され、以後安定して目的温度に
維持せしめられる。
温まで下降させる場合については、まず、弁制御装置に
よって切り替え弁を第2の蓄液タンクに対して開く。こ
のとき温度調節ブロック内には第2の設定温度の液体が
供給され、この温度調節ブロックは急速に目的温度の近
傍まで到達せしめられる。そして続いて、弁制御装置に
よって切り替え弁を第1の蓄液タンクに対して開く。す
ると温度調節ブロック内には第1の設定温度すなわち目
的温度に設定された液体が供給され、この温度調節ブロ
ックは目的温度に微調整され、以後安定して目的温度に
維持せしめられる。
【0012】このように液体の入れ替えのみで温度設定
がなされるため、取扱いが容易である上、まず初期温度
に対して目的温度よりも温度差が大きい液体を用いるこ
とにより高速で目的温度の近傍に到達せしめ、この後、
目的温度に設定された液体によって安定化せしめられる
ため、高速で安定した温度制御を行うことが可能とな
る。
がなされるため、取扱いが容易である上、まず初期温度
に対して目的温度よりも温度差が大きい液体を用いるこ
とにより高速で目的温度の近傍に到達せしめ、この後、
目的温度に設定された液体によって安定化せしめられる
ため、高速で安定した温度制御を行うことが可能とな
る。
【0013】望ましくは、さらに温度調節ブロックの温
度を検出する温度センサを具備し、前記温度センサの出
力が目的温度と第2の設定温度との間にあるあらかじめ
設定された第3の設定温度に到達したとき、第2の蓄液
タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられるように構
成すれば、自動的な制御が可能となる。
度を検出する温度センサを具備し、前記温度センサの出
力が目的温度と第2の設定温度との間にあるあらかじめ
設定された第3の設定温度に到達したとき、第2の蓄液
タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられるように構
成すれば、自動的な制御が可能となる。
【0014】また望ましくは、前記弁制御装置は、前記
第2の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第2の蓄
液タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられるように
ように構成すれば、容易に、自動制御が可能となる。
第2の蓄液タンクの解放から所定時間経過後、第2の蓄
液タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられるように
ように構成すれば、容易に、自動制御が可能となる。
【0015】望ましくは、前記弁制御装置は、前記物体
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが目的温度と第2の設定温度との間にあ
るあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したのを
検知すると、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンクに
切り替えられるように構成すれば、より高精度で信頼性
の高い制御が可能となる。望ましくは物体温度を非接触
で検知するようにし、この検知温度が目的温度に到達し
たのを検知した時点で切り替えを行うようにするとよ
い。
温度を検知するように構成された温度センサを具備し、
前記温度センサが目的温度と第2の設定温度との間にあ
るあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したのを
検知すると、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンクに
切り替えられるように構成すれば、より高精度で信頼性
の高い制御が可能となる。望ましくは物体温度を非接触
で検知するようにし、この検知温度が目的温度に到達し
たのを検知した時点で切り替えを行うようにするとよ
い。
【0016】なお、切り替えに際しては、第1の蓄液タ
ンクに対して弁を開いた状態で第2の蓄液タンクから液
体の供給を開始し、供給開始後、第1の蓄液タンクに対
する弁を閉じるようにすれば、液体供給用のポンプがし
めきり運転するのを避けることができる。
ンクに対して弁を開いた状態で第2の蓄液タンクから液
体の供給を開始し、供給開始後、第1の蓄液タンクに対
する弁を閉じるようにすれば、液体供給用のポンプがし
めきり運転するのを避けることができる。
【0017】また熱媒体としての液体としてはシリコン
オイル、水のほか比重が小さく粘度の小さい液体であれ
ば他の液体を用いるようにしてもよい。
オイル、水のほか比重が小さく粘度の小さい液体であれ
ば他の液体を用いるようにしてもよい。
【0018】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【0019】この温度制御装置は、図1に説明図を示す
ように、130℃の熱処理から冷却するための装置であ
り、目的温度である23℃(T1 =第1の設定温度)に
維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給した第
1の蓄液タンク1aと、第2の設定温度(T2 =15
℃)に維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給
した第2の蓄液タンク1bとからなる蓄液タンク部1
と、これに接続され循環路3への切り替えを行う弁V1
〜V6 からなる電磁弁装置4と、蓄液タンク1から循環
路3に液体を送出するマグネットドライブ式のポンプ
(図示せず)と、循環路3の一部に熱接触せしめられた
温度制御プレート6とから構成され、弁制御装置10に
よって電磁弁装置4の切り替えを行い、温度制御プレー
ト6に載置された部品7の冷却を行うように構成されて
いる。なお、循環路3の熱容量は各蓄液タンクの熱容量
の10分の1程度であり十分に小さいものとする。また
8は非接触で部品温度を測定する赤外線温度センサであ
り、この出力は弁制御装置10に接続されている。また
第1乃至第2の蓄液タンクには、それぞれ図示しない温
度センサが設けられている。
ように、130℃の熱処理から冷却するための装置であ
り、目的温度である23℃(T1 =第1の設定温度)に
維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給した第
1の蓄液タンク1aと、第2の設定温度(T2 =15
℃)に維持された熱媒体としてのシリコンオイルを供給
した第2の蓄液タンク1bとからなる蓄液タンク部1
と、これに接続され循環路3への切り替えを行う弁V1
〜V6 からなる電磁弁装置4と、蓄液タンク1から循環
路3に液体を送出するマグネットドライブ式のポンプ
(図示せず)と、循環路3の一部に熱接触せしめられた
温度制御プレート6とから構成され、弁制御装置10に
よって電磁弁装置4の切り替えを行い、温度制御プレー
ト6に載置された部品7の冷却を行うように構成されて
いる。なお、循環路3の熱容量は各蓄液タンクの熱容量
の10分の1程度であり十分に小さいものとする。また
8は非接触で部品温度を測定する赤外線温度センサであ
り、この出力は弁制御装置10に接続されている。また
第1乃至第2の蓄液タンクには、それぞれ図示しない温
度センサが設けられている。
【0020】次に、この温度制御装置の動作について図
2のタイムチャートを参照しつつ説明する。ここでは曲
線aは本発明実施例の温度制御装置を用いた場合の部品
温度を示し、曲線bは従来例の温度制御装置を用いた場
合の部品温度を示す。cは温度制御プレート6の温度を
示す。また第1の蓄液タンクは、目的温度T1 =23℃
に設定され、第2の蓄液タンクは設定温度T2 =15℃
であるとする。
2のタイムチャートを参照しつつ説明する。ここでは曲
線aは本発明実施例の温度制御装置を用いた場合の部品
温度を示し、曲線bは従来例の温度制御装置を用いた場
合の部品温度を示す。cは温度制御プレート6の温度を
示す。また第1の蓄液タンクは、目的温度T1 =23℃
に設定され、第2の蓄液タンクは設定温度T2 =15℃
であるとする。
【0021】初期状態として温度制御プレートは23℃
に設定されており、部品温度を検出する温度センサ8は
130℃を示しているものとする。この状態で弁制御装
置10からの指令により、電磁弁装置4が駆動されて、
弁V1 ,V3 ,V6 が開かれ、V2 ,V4 ,V5 が閉じ
られることにより、第2の蓄液タンク1bから温度15
℃に設定されたシリコンオイルが、ポンプによって循環
路3に噴出せしめられる。このとき、循環路3では23
℃のシリコンオイルに15℃のシリコンオイルが混ざり
ながら急速に15℃のシリコンオイルにおき替わり、温
度制御プレート6の温度は第2の設定温度15℃近くま
で下降せしめられ、この温度制御プレート6に熱を奪わ
れながら、冷却されるべき試料である部品7は、急速に
目的温度である23℃近くまで下降せしめられる(クー
リングモード)。
に設定されており、部品温度を検出する温度センサ8は
130℃を示しているものとする。この状態で弁制御装
置10からの指令により、電磁弁装置4が駆動されて、
弁V1 ,V3 ,V6 が開かれ、V2 ,V4 ,V5 が閉じ
られることにより、第2の蓄液タンク1bから温度15
℃に設定されたシリコンオイルが、ポンプによって循環
路3に噴出せしめられる。このとき、循環路3では23
℃のシリコンオイルに15℃のシリコンオイルが混ざり
ながら急速に15℃のシリコンオイルにおき替わり、温
度制御プレート6の温度は第2の設定温度15℃近くま
で下降せしめられ、この温度制御プレート6に熱を奪わ
れながら、冷却されるべき試料である部品7は、急速に
目的温度である23℃近くまで下降せしめられる(クー
リングモード)。
【0022】続いて、弁制御装置10からの指令によ
り、電磁弁装置4が駆動されて弁V1V3 ,V6 が閉じ
られ、V2 ,V4 ,V5 が開かれることにより、第2の
蓄液タンク1bからの流路が閉じられ、これに代わり目
的温度23℃に設定されたシリコンオイルがポンプによ
って循環路3に噴出せしめられると循環路3では15℃
のシリコンオイルが23℃のシリコンオイルに混ざりな
がら急速に23℃のシリコンオイルにおき替わり、温度
制御プレート6の温度は目的温度に等しい23℃に維持
される(コントロールモード)。図中弁が黒く塗り潰さ
れているのは閉状態、白く残されているのは開状態を示
し、図1はコントロールモードの状態を示す。このよう
にして急速に目的温度23℃まで下降せしめられる。
り、電磁弁装置4が駆動されて弁V1V3 ,V6 が閉じ
られ、V2 ,V4 ,V5 が開かれることにより、第2の
蓄液タンク1bからの流路が閉じられ、これに代わり目
的温度23℃に設定されたシリコンオイルがポンプによ
って循環路3に噴出せしめられると循環路3では15℃
のシリコンオイルが23℃のシリコンオイルに混ざりな
がら急速に23℃のシリコンオイルにおき替わり、温度
制御プレート6の温度は目的温度に等しい23℃に維持
される(コントロールモード)。図中弁が黒く塗り潰さ
れているのは閉状態、白く残されているのは開状態を示
し、図1はコントロールモードの状態を示す。このよう
にして急速に目的温度23℃まで下降せしめられる。
【0023】このようにして高速で冷却せしめられる。
そして、恒温状態を維持する場合には、このまま第1の
蓄液タンクから23℃のシリコンオイルを供給し続けれ
ばよい。
そして、恒温状態を維持する場合には、このまま第1の
蓄液タンクから23℃のシリコンオイルを供給し続けれ
ばよい。
【0024】しかしながら、微視的にみると、蓄液タン
クの設定温度は実際には循環路3で温度の異なるシリコ
ンオイルや温度制御プレートの熱容量により、実際の温
度は設定温度から僅かに変動する。このため、温度制御
プレートの実際の温度も目的温度から僅かにずれること
になる。温度制御プレートの実際の温度を目的温度に一
致させるには、蓄液タンクの温度のずれを考慮して補償
する必要がある。
クの設定温度は実際には循環路3で温度の異なるシリコ
ンオイルや温度制御プレートの熱容量により、実際の温
度は設定温度から僅かに変動する。このため、温度制御
プレートの実際の温度も目的温度から僅かにずれること
になる。温度制御プレートの実際の温度を目的温度に一
致させるには、蓄液タンクの温度のずれを考慮して補償
する必要がある。
【0025】この装置によれば曲線bで示した従来例の
場合に比べタクトタイムが大幅に短縮される。
場合に比べタクトタイムが大幅に短縮される。
【0026】なお、前記実施例では、部品温度を赤外線
温度センサにより非接触で検出し、この検出値に応じて
弁を制御したが、温度制御プレートの温度を検出して制
御しても良い。この場合は、温度制御プレートの温度が
目的温度よりもやや低い第3の設定温度に到達したとき
第1の蓄液タンクへの切り替えを行うようにする。
温度センサにより非接触で検出し、この検出値に応じて
弁を制御したが、温度制御プレートの温度を検出して制
御しても良い。この場合は、温度制御プレートの温度が
目的温度よりもやや低い第3の設定温度に到達したとき
第1の蓄液タンクへの切り替えを行うようにする。
【0027】また、あらかじめ、第2の蓄液タンクの弁
を開いてから部品温度が目的温度に近付くまでの時間す
なわち冷却時間を測定しておき、その時間経過後第1の
蓄液タンクに切り替えるようにしてもよい。
を開いてから部品温度が目的温度に近付くまでの時間す
なわち冷却時間を測定しておき、その時間経過後第1の
蓄液タンクに切り替えるようにしてもよい。
【0028】また、前記実施例ではマグネットドライブ
式ポンプを用いたが、他のポンプを用いるようにしても
よい。
式ポンプを用いたが、他のポンプを用いるようにしても
よい。
【0029】次に、本発明の第2の実施例の温度制御装
置について説明する。
置について説明する。
【0030】前記第1の実施例では、第1および第2の
蓄液タンクの温度は独立して制御したが、この装置では
図3に示すように、第1の蓄液タンク11aの温度制御
を第2の蓄液タンク11bで行うようにしたことを特徴
とするものである。すなわち、第1の蓄液タンク11a
の温度制御を、冷却と加熱のバランスによって行うに際
し、冷却または加熱熱源を第2の蓄液タンク11bの蓄
液を利用し、加熱または冷却熱源(図示せず)を第1の
蓄液タンク11aに付加することで行うものである。ま
た、ここでは、温度制御プレート6の温度を測定する温
度センサ18を配設し、この検出値に応じてシーケンサ
19で弁V1 〜V6 の切り替えを制御し、インターフェ
イスI/Fを介して、電磁弁装置14に開閉信号を送出
するように構成されている。他の部分については前記第
1の実施例とまったく同様に構成されている。
蓄液タンクの温度は独立して制御したが、この装置では
図3に示すように、第1の蓄液タンク11aの温度制御
を第2の蓄液タンク11bで行うようにしたことを特徴
とするものである。すなわち、第1の蓄液タンク11a
の温度制御を、冷却と加熱のバランスによって行うに際
し、冷却または加熱熱源を第2の蓄液タンク11bの蓄
液を利用し、加熱または冷却熱源(図示せず)を第1の
蓄液タンク11aに付加することで行うものである。ま
た、ここでは、温度制御プレート6の温度を測定する温
度センサ18を配設し、この検出値に応じてシーケンサ
19で弁V1 〜V6 の切り替えを制御し、インターフェ
イスI/Fを介して、電磁弁装置14に開閉信号を送出
するように構成されている。他の部分については前記第
1の実施例とまったく同様に構成されている。
【0031】図3は急速冷却モードすなわちクーリング
モードの弁の状態を示し、弁V1 ,V3 ,V6 が開か
れ、V2 ,V4 ,V5 が閉じられている。一方図4は安
定モードすなわちコントロールモードの弁の状態を示
し、弁V1 ,V3 ,V6 が閉じられ、V2 ,V4 ,V5
が開かれている。ここでも黒く塗り潰されているのは閉
状態、白く残されているのは開状態を示す。
モードの弁の状態を示し、弁V1 ,V3 ,V6 が開か
れ、V2 ,V4 ,V5 が閉じられている。一方図4は安
定モードすなわちコントロールモードの弁の状態を示
し、弁V1 ,V3 ,V6 が閉じられ、V2 ,V4 ,V5
が開かれている。ここでも黒く塗り潰されているのは閉
状態、白く残されているのは開状態を示す。
【0032】この例では図2に点線で示す温度T0 (T
1 <T0 <T2 )に温度制御プレート6が到達するのが
検出された時点をクーリングモードからコントロールモ
ードへの切り替えのタイミングとしている。
1 <T0 <T2 )に温度制御プレート6が到達するのが
検出された時点をクーリングモードからコントロールモ
ードへの切り替えのタイミングとしている。
【0033】この場合も極めて容易に、急俊で高精度の
温度制御を行うことが可能となる。この装置は、例えば
液晶製造工程中の液晶基板の冷却や加熱におけるタクト
タイムの短縮等に特に有効である。
温度制御を行うことが可能となる。この装置は、例えば
液晶製造工程中の液晶基板の冷却や加熱におけるタクト
タイムの短縮等に特に有効である。
【0034】
【発明の効果】以上説明してきたように、温度制御装置
によれば、急俊でかつ高精度の温度制御を行うことが可
能となる。
によれば、急俊でかつ高精度の温度制御を行うことが可
能となる。
【図1】本発明の第1の実施例の温度制御装置を示す図
【図2】同装置による温度制御のタイムチャートを示す
図
図
【図3】本発明の第2の実施例の温度制御装置を示す図
(クーリングモード)
(クーリングモード)
【図4】本発明の第2の実施例の温度制御装置を示す図
(コントロールモード)
(コントロールモード)
1a 第1の蓄液タンク 1b 第2の蓄液タンク 1 蓄液タンク部 3 循環路 4 電磁弁装置 6 温度制御プレート 7 部品(試料) 8 温度センサ 10 弁制御装置 11a 第1の蓄液タンク 11b 第2の蓄液タンク 14 弁装置 18 温度センサ 19 シ−ケンサ 20 弁制御装置 V1 〜V6 弁
Claims (4)
- 【請求項1】 初期温度から目的温度まで物体温度を高
速で下降または上昇させる機能を備えた温度制御装置に
おいて、 熱媒体としての液体を目的温度である第1の設定温度に
維持せしめてなる第1の蓄液タンクと、 熱媒体としての液体を、第2の設定温度に維持せしめて
なる第2の蓄液タンクと、 前記第1または第2の蓄液タンクから前記液体を供給す
ることにより目的温度に保持せしめられる温度調節ブロ
ックと、 前記液体の温度調節ブロックへの送出対象となる第1ま
たは第2の蓄液タンクの切り替えを行う切り替え弁と、 前記切り替え弁の開閉を制御する弁制御装置とを具備
し、 前記第1の蓄液タンクの熱容量は前記温度調節ブロック
の熱容量に比べて大きく構成されるとともに、前記第2
の設定温度の初期温度に対する温度差は、前記目的温度
の初期温度に対する温度差よりも十分に大きく設定され
ており、かつ前記弁制御装置は、前記切り替え弁を駆動
し、まず前記温度調節ブロックに対し、第2の蓄液タン
クから液体を供給し、前記物体温度を目的温度の近傍ま
で急速冷却または急速加熱したのち、再度前記切り替え
弁を駆動し、前記第1の蓄液タンクから液体を供給し、
前記物体温度を目的温度に維持するように構成されてい
ることを特徴とする温度制御装置。 - 【請求項2】 前記弁制御装置は、前記温度調節ブロッ
クの温度を検出する温度センサを具備し、前記温度セン
サの出力が、目的温度と第2の設定温度との間にあるあ
らかじめ設定された第3の設定温度に到達したとき、第
2の蓄液タンクから第1の蓄液タンクに切り替えられる
ように、前記切り替え弁の切り替えを行うことを特徴と
する請求項1に記載の温度制御装置。 - 【請求項3】 前記弁制御装置は、前記第2の蓄液タン
クの解放から所定時間経過後、第2の蓄液タンクから第
1の蓄液タンクに切り替えられるように、前記切り替え
弁の切り替えを行うことを特徴とする請求項1に記載の
温度制御装置。 - 【請求項4】 前記弁制御装置は、前記物体温度を検知
するように構成された温度センサを具備し、 前記温度センサが、目的温度と第2の設定温度との間に
あるあらかじめ設定された第3の設定温度に到達したの
を検知すると、第2の蓄液タンクから第1の蓄液タンク
に切り替えられるように、前記切り替え弁の切り替えを
行うことを特徴とする請求項1に記載の温度制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19683494A JPH0863236A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19683494A JPH0863236A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 温度制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0863236A true JPH0863236A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16364447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19683494A Pending JPH0863236A (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0863236A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6889764B2 (en) * | 1995-01-19 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Cooling device and cooling method |
EP2366039A2 (en) * | 2008-11-12 | 2011-09-21 | LAM Research Corporation | Improved substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
JP2012048165A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のステージ温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
WO2013073537A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
WO2014011648A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | United Technologies Corporation | Liquid level sensor system |
-
1994
- 1994-08-22 JP JP19683494A patent/JPH0863236A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6889764B2 (en) * | 1995-01-19 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Cooling device and cooling method |
EP2366039A2 (en) * | 2008-11-12 | 2011-09-21 | LAM Research Corporation | Improved substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
EP2366039A4 (en) * | 2008-11-12 | 2013-09-18 | Lam Res Corp | IMPROVED SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL BY USING LIQUID-CONTROLLED MULTI-TOOL SUBSTRATE CARRIER |
JP2012048165A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のステージ温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
WO2013073537A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
JP2013105359A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
TWI574138B (zh) * | 2011-11-15 | 2017-03-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 溫度控制系統、半導體製造裝置及溫度控制方法 |
WO2014011648A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | United Technologies Corporation | Liquid level sensor system |
US9194734B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-11-24 | United Technologies Corporation | Liquid level sensor system |
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