JPH086028A

JPH086028A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH086028A
Application number: JP27883394A
Authority: JP
Inventors: 憲一 ▲高▼取; Kenichi Takatori; Shigeyoshi Suzuki; 成嘉鈴木; Ken Sumiyoshi; 研住吉; Setsuo Kaneko; 節夫金子
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-04-19
Filing date: 1994-11-14
Publication date: 1996-01-12
Anticipated expiration: 2012-06-25
Also published as: JP2624197B2

Abstract

(57)【要約】【構成】視野角の広い液晶表示素子を、片方のガラス
基板１のみに異なった配向処理を施し、対向するガラス
基板２には一定の配向処理を施し分割配向を得て、分割
配向処理を施した基板１近傍のプレチルト角が、スプレ
イ型変形をする液晶領域５中で、それ以外の変形をする
液晶領域６中でのプレチルト角よりも大きくなるように
する。更に、液晶配向を分割した基板上でプレチルト角
が小さい液晶区分が画素の能動素子側に存在するように
する。【効果】基板１のみ配向処理をすることで分割配向を
行った場合、エネルギー的に不安定なスプレイ型ＴＮ変
形をする領域５と、それ以外の変形をする領域６が生じ
るが、領域５のプレチルト角を、領域６のそれより大き
くすることで安定な分割配向を得る。また、横方向電界
の影響を受けやすいプレチルト角の低い液晶区分が横方
向電界の弱い能動素子側に位置させる事により更に安定
な分割配向が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、更
に詳しくは基板上に複数の領域を設けることにより広視
野な表示を得る液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】広視野角化を目的として複数の領域を設
けた液晶表示素子に関しては、特開昭５７−１８６７３
５号公報、特開昭６０−２１１４２２号公報、特開昭６
３−１０６６２４号公報、特開昭６４−８８５２０号公
報、特開平１−２４５２２３号公報、特開平５−２０３
９５１号公報等に記載されている。その主旨は、１つの
画素を複数の領域に分割し、異なる領域内での液晶の配
向方向を、互いに視覚依存性を補うように規定すること
である。この液晶の配向方向を規定する方法として、酸
化珪素膜の斜方蒸着、ポリイミド樹脂の薄膜をラビング
する方法があり、工程の簡便さから、特にポリイミド薄
膜をラビングする方法が広く用いられている。ここで用
いられるポリイミド樹脂としては、特開昭６１−４７９
３２号公報、特開昭６１−１７４７２５号公報に示され
たもの、及び、商品名では、日産化学製ＳＥ−７３１
１、日本合成ゴム製ＡＬ１０５１などがある。

【０００３】１つの画素を複数の領域に分割するために
は、１つの画素内のラビング方向を変化させることが必
要であるが、その具体的な方法に関しては、特開昭６０
−２１１４２２号公報、特開昭５−２０３９５１号公報
などに述べられている。例えば、特開昭６０−２１１４
２２号公報には、１回目のラビング後に画素の１部をフ
ォトレジスト層で保護しておき、２回目のラビングを行
った後、このフォトレジスト層を剥離するという操作を
繰り返すことで、１画素を複数の領域に分割することが
述べられている。さらに、特開昭５−１７３１３７号公
報、特開昭５−２０３９５１号公報には、一方の基板を
分割配向処理を施し、もう一方の基板に全面均一配向処
理を施し、分割配向処理を施した方の基板のプレチルト
角を、全面均一配向処理を施した基板のプレチルト角と
ほぼ同一にするか、または、それ以上にすることによ
り、分割配向処理を施した基板における液晶層の配向が
支配的になり、少ない工程数で、分割配向が可能である
ことが、述べられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
法で分割配向を行った場合、ラビング方向の組合せに注
意せずにセルを作製すると、一方の領域が支配的にな
り、良好な分割配向が得られないという問題があった。

【０００５】また、分割配向が得られた場合でも、分割
配向の境目にディスクリネーションラインが発生し、特
に、液晶を駆動させるための電圧を印加した場合、ディ
スクリネーションラインが移動するといった現象が見ら
れた。このディスクリネーションラインの移動は、残像
として観察され、表示素子の性能を劣化させていた。

【０００６】本発明の目的は、安定な分割配向を実現
し、残像などの表示性能を劣化させる現象をなくした広
視野の液晶表示素子を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、分割された
液晶区分のうち、エネルギー的により不安定なスプレイ
型変形をする液晶区分中で、分割配向処理を施した基板
近傍のプレチルト角が、それ以外の変形をする液晶区分
のプレチルト角よりも大きくなるようにし、且つ、小さ
なプレチルト角を有する液晶区分が同一基板上の電極間
の電界が弱い能動素子側に位置する。

【０００８】

【作用】分割配向を実現する際、特開昭６０−２１１４
２２号公報、特開平５−２０３９５１号公報に開示され
ているように、レジストを用いたＰＲ工程を用いる。１
回目のラビングの後、レジストを用い配向膜の一部を保
護し、２回目のラビングを行った後、レジストを剥離液
で剥離する。このとき通常は、レジストに覆われていた
部分とそうでない部分とで、プレチルト角に違いが生じ
る。このプレチルト角の差を利用して、配向状態の異な
る液晶区分のうち、エネルギー的に不安定になるスプレ
イ型変形をする領域での、分割配向処理を施した基板近
傍のプレチルト角が、スプレイ型変形以外の変形をする
領域での、基板近傍のプレチルト角よりも大きくなるよ
うに設計することができる。

【０００９】例えば、１画素を方向が１８０°異なった
ラビングにより２つの領域に分割し、ねじれネマチック
（ＴＮ）効果を利用した液晶表示素子を構成したとする
と、この２つの領域はエネルギー的に安定である通常の
ＴＮ変形をする領域と、エネルギー的に不安定であるス
プレイ型ＴＮ変形をする領域が生じる。このとき、どち
らの領域のプレチルト角を大きくするかは、セルを組む
ときのラビングの方向の組合せにより、自由に設計する
ことができる。そこで、分割配向処理を施した基板１近
傍のプレチルト角を、エネルギー的に不安定であるスプ
レイ型ＴＮ変形をする領域での方が、通常のＴＮ変形を
する領域でより、大きくすれば、分割の安定性が増し、
ディスクリネーションラインがより強く、分割配向処理
の境界に固定されることになる。これに対し、通常のＴ
Ｎ変形をする領域での、基板近傍のプレチルト角の方
が、スプレイ型ＴＮ変形する領域での、プレチルト角よ
り大きくなるようにすると、ディスクリネーションライ
ンが十分に固定されず、実際に駆動を行うと、横方向電
界の影響でディスクリネーションラインが移動し、表示
に悪影響を与える。また、多くの区分は、分割配向でき
ない。更に、小さなプレチルト角を有する液晶区分は横
方向の電界の影響を受けやすいため、走査電極線と画素
電極間の幅が広く横方向の電界すなわち同一基板上の電
極間の電界が弱い能動素子側に、小さなプレチルト角を
有する液晶区分が位置するようにする。この構造によ
り、分割された配向がより安定に存在する事になる。

【００１０】なお、ここでは、説明のため、２つの領域
に分割する例を述べたが、領域の数が増えても、同様の
ことがいえる。また、配向膜の上でレジストで覆われて
いた部分と、そうでない部分とでのプレチルト角の差を
利用したが、異なった種類の配向膜を利用してもよい。
さらに、上記の例では、異なるプレチルト角を得るため
に、ポリイミド配向膜のラビングを利用したが、部分的
にレジストで覆った酸化珪素（ＳｉＯ、ＳｉＯ_x、Ｓｉ
Ｏ₂）などの無機物の斜方蒸着法を利用してもよい。

【００１１】また、上記の説明では分割配向処理を施し
た基板近傍のプレチルト角のみについて説明した。全面
均一配向処理を施した方の基板近傍のプレチルト角は、
特に規定はないが、安定性の観点から、少なくとも分割
配向処理を施した基板近傍の大きい方のプレチルト角よ
り小さいことが望ましい。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて、詳細に説明
する。

【００１３】（実施例１）図２に分割配向プロセスの概
略を示す。酸化スズ（ＩＴＯ）を成膜したガラス基板を
洗浄後、高プレチルト角を与えるポリイミド（東レ社
製、Ｋ−１００）をスピン塗布し、２００℃で１時間焼
成した。ラビング装置を用い第一回目のラビングを行っ
た（図２（ａ）図）後、レジスト（東京応化工業社製
商品名：ＯＦＰＲ−８００Ｃ）を１μm 厚になるように
スピン塗布し、８５℃で３０分焼成した（図２（ｂ）
図）。５００μm 角の市松状のマスクを用い、露光・現
像を行い、純水でリンスした後、７５℃で２０分乾燥を
行った。光学顕微鏡を用い、パターンを観察したとこ
ろ、５００μm 角のレジストパターンが市松状に形成さ
れていた（図２（ｃ）図）。

【００１４】次に、ラビング装置を用い、１回目のラビ
ングとは逆方向にラビングを行った（図２（ｄ）図）。
レジストを剥離するために、この基板を、乳酸エチルで
２分間処理した後、純水でリンスし、１１０℃で３０分
間、乾燥を行い、主基板とした（図２（ｅ）図）。

【００１５】対向基板としてＩＴＯを成膜したガラス基
板を洗浄後、低プレチルト角を与えるポリイミド（日本
合成ゴム社製、ＡＬ−１０５１）をスピン塗布し、２０
０℃で１時間焼成した。

【００１６】このようにして作製した二枚の基板をギャ
ップが６μm になるように、かつ、ラビング方向が互い
に直角になるように、球形のスペーサーを介して接着剤
で貼り合わせセルを作製した。このセルに左カイラル材
を溶解させた通常のネマチック液晶を注入し、注入口を
封止した。このとき、レジストパターニング後レジスト
が残っていた部分の配向が、スプレイ型ＴＮ配向とな
り、レジストが残っていなかった部分の配向が通常のＴ
Ｎ配向となるように、ラビング方向をあわせセルを作製
した。

【００１７】作製したセルに±３Ｖ周期１６．７ｍｓｅ
ｃの矩形波を印加し、偏光顕微鏡で液晶の配向状態を観
察した。その結果、良好な分割配向が確認された。

【００１８】次に、高プレチルト角を与えるポリイミド
（Ｋ−１００）のレジストが残っていた部分と残ってい
なかった部分のプレチルト角を、上記のＴＮセルを作製
したのと全く同じ条件になるように、それぞれの条件で
アンチパラレルセルを作製し、クリスタルローテーショ
ン法によって測定した。その結果、レジストが残ってい
た部分のプレチルト角は５．５°、レジストが残ってい
なかった部分のプレチルト角は１°と求められた。ま
た、低プレチルト角を与えるポリイミド（ＡＬ−１０５
１）のプレチルト角をやはりＴＮセルを作製したものと
同じ条件で、アンチパラレルセルを作成し、クリスタル
ローテーション法を用いて、測定した。その結果、プレ
チルト角は１°と求められた。

【００１９】（比較例１）実施例１と全く同様の方法
で、対向基板側のラビング方向のみ逆向きにして、レジ
ストパターニング後レジストが残っていた部分の配向
が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残っていなかっ
た部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるように、ラビ
ング方向をあわせセルを作製した。作製したセルに±３
Ｖ周期１６．７ｍｓｅｃの矩形波を印加し、偏光顕微鏡
で液晶の配向状態を観察した。その結果、分割配向され
た領域が形成されたが、一方の領域が狭くなり、良好な
分割配向ができなかった。

【００２０】（実施例２）実施例１と全く同様の方法
で、対向側の低プレチルト角を与える配向膜のみ、日産
化学社製ＲＮ−１００６に変えて、実験を行った。その
結果、良好な分割配向が確認された。なお、このＲＮ−
１００６のプレチルト角を、実施例１と同様の方法でア
ンチパラレルセルを作製し、クリスタルローテーション
法で測定したところ、３°と求められた。

【００２１】（比較例２）実施例２と全く同様の方法
で、対向基板側のラビング方向のみ逆向きにして、レジ
ストパターニング後レジストが残っていた部分の配向
が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残っていなかっ
た部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるように、ラビ
ング方向をあわせセルを作製した。作製したセルに±３
Ｖ周期１６．７ｍｓｅｃの矩形波を印加し、偏光顕微鏡
で液晶の配向状態を観察した。その結果、分割配向され
た領域が形成されたが、時間の経過とともにドメインが
つぶれ、安定な分割配向ができなかった。

【００２２】（実施例３）実施例１と全く同様の方法
で、高プレチルト角を与える配向膜とその焼成温度のみ
を、日産化学社製ＲＮ−７１５と２５０℃に変え、実験
を行った。その結果、良好な分割配向が確認された。な
あ、このＲＮ−７１５のプレチルト角を、実施例１と全
く同様の方法で、クリスタルローテーション法で測定し
た。その結果、レジストが残っていた部分のプレチルト
角は１２°、レジストが残っていなかった部分のプレチ
ルト角は９°と求められた。

【００２３】（実施例４）実施例１と全く同様の方法
で、高プレチルト角を与える配向膜とその焼成温度のみ
を、日立化成社製ＬＣ−１０２と２５０℃に変え、実験
を行った。その結果、良好な分割配向が確認された。な
お、このＬＣ−１０２のプレチルト角を、実施例１と全
く同様の方法で、クリスタルローテーション法で測定し
た。その結果、レジストが残っていた部分のプレチルト
角は３°、レジストが残っていなかった部分のプレチル
ト角は２°と求められた。

【００２４】（実施例５）実施例１と同様の方法で、高
プレチルト角を与える配向膜（日立化成社製ＬＣ−２０
０１）に変え、焼成温度を２５０℃にした場合、レジス
トが残っていた部分と、残っていなかった部分のプレチ
ルト角を測定した。その結果、レジストが残っていた部
分のプレチルト角は５°、レジストが残っていなかった
部分のプレチルト角は６°と求められた。

【００２５】実施例１と同様にして、高プレチルト角を
与える配向膜とその焼成温度を、日立化成製ＬＣ−２０
０１と２５０℃に変え、また、ラビング方向を変えて、
レジストパターニング後レジストが残っていた部分の配
向が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残っていなか
った部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるように、ラ
ビング方向をあわせセルを作成した。作成したセルに±
３Ｖ周期１６．７ｍｓｅｃの矩形波を印加し、偏光顕微
鏡で液晶の配向状態を観察した。その結果、良好な分割
配向が確認された。

【００２６】（実施例６）次に、上記の配向膜の組合せ
を、ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板に適用した。

【００２７】ＴＦＴ基板としては、画素の中央にディス
クリネーションを遮光する幅１２μm の遮光膜が設けら
れている以外は通常のＴＦＴ基板と同様である。ＴＦＴ
基板に高プレチルト角を与えるポリイミド配向膜（Ｋ−
１００）を、カラーフィルター側に低プレチルト角を与
える配向膜（ＡＬ−１０５１）を適用した。実施例１と
全く同様の方法で、画素の中央に分割境界がくるように
分割配向処理を行い、セルを作製した。このとき、レジ
ストパターニング後レジストが残っていた部分の配向
が、スプレイ型ＴＮ配向となり、レジストが残っていな
かった部分の配向が通常のＴＮ配向となるように、ラビ
ング方向をあわせパネルを作製した。こうしてできたパ
ネルを駆動したところ、残像などの現象は見られなかっ
た。さらにパネルを虫めがねを用いて観察したところデ
ィスクリネーションは見られず、遮光膜の範囲内に隠さ
れていることがわかった。

【００２８】（比較例３）実施例６と全く同様の方法
で、ラビング方向のみ変えて、レジストが残っていた部
分の配向が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残って
いなかった部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるよう
に、ラビング方向をあわせパネルを作製した。こうして
できたパネルを駆動したところ、残像などのディスクリ
ネーションに起因する現象が見られ、表示性能が劣化し
ていることがわかった。

【００２９】（実施例７）実施例６と全く同様の方法
で、高プレチルト角を与える配向膜と焼成温度のみ、Ｒ
Ｎ−７１５、２５０℃に変え、全く同様の実験を行っ
た。その結果、残像などの現象は見られなかった。

【００３０】（比較例４）実施例７と全く同様の方法
で、ラビング方向のみ変えて、レジストが残っていた部
分の配向が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残って
いなかった部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるよう
に、ラビング方向をあわせパネルを作製した。こうして
できたパネルを駆動したところ、残像などのディスクリ
ネーションに起因する現象が見られ、表示性能が劣化し
ていることがわかった。

【００３１】（実施例８）実施例６と全く同様の方法
で、高プレチルト角を与える配向膜と焼成温度を、ＬＣ
−２００１、２５０℃に変え、また、ラビング方向を変
えて、レジストが残っていた部分の配向が、スプレイ型
ＴＮ配向となり、レジストが残っていなかった部分の配
向が通常のＴＮ配向となるように、ラビング方向をあわ
せパネルを作製し、全く同様の実験をおこなった。その
結果、残像などの現象は見られなかった。

【００３２】（比較例５）実施例８と全く同様の方法
で、ラビング方向のみ変えて、レジストが残っていた部
分の配向が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残って
いなかった部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるよう
に、ラビング方向をあわせパネルを作製した。こうして
できたパネルを駆動したところ、残像などのディスクリ
ネーションに起因する現象が見られ、表示性能が劣化し
ていることがわかった。

【００３３】以下に、薄膜トランジスタアレイ付きの基
板内での電界と液晶配向について検討した実施例と比較
例を示す。

【００３４】（実施例９）図４に露光時のマスク位置の
模式図を示す。また、図３に本実施例で使用した薄膜ト
ランジスタアレイの模式図を示す。この実施例において
は、能動素子としてアモルファスシリコンによる薄膜ト
ランジスタ１４を用い、一単位画素の大きさを縦３００
μm 、横１００μm とした。走査電極線１５、信号電極
線１６は、スパッタ法で形成されたクロミウム（Ｃｒ）
を用い、線幅を１０μm とした。更に、クロミウムを用
い、画素の中央にディスクリネーションを遮光する幅１
２μm の遮光膜１１を設けた。ゲート絶縁膜には窒化シ
リコン（ＳｉＮｘ）を用いた。画素電極１３は透明電極
である酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を用い、スパッタ法
により形成した。このように薄膜トランジスタ１４をア
レイ状に形成したガラス基板を第一の基板１７とした。
また、対向側の第二の基板１８上には、ＩＴＯを用いた
透明電極１９を形成し、更にカラーフィルタ１２を染色
法によりアレイ状に形成しその上面にシリカを用いた保
護層を設けた。

【００３５】第一の基板を洗浄後、実施例１と同様の方
法で分割配向処理を施した。但し、露光・現像において
は、１５０μm 幅のストライプ状のマスクを用い、遮光
部１１から走査電極線にわたって図４に示すようにマス
クし露光・現像を行った。この図４のマスク位置では、
後にプレチルト角の測定データを示すように、マスクさ
れレジストが残った部分のプレチルト角の方がマスクさ
れなかったためにレジストが残らなかった部分のプレチ
ルト角より高くなる。

【００３６】また、カラーフィルタを形成した第二の基
板を洗浄後、実施例１と同様に低プレチルト角を与える
ポリイミド（日本合成ゴム社製、ＡＬ−１０５１）をス
ピン塗布し、２００℃で１時間焼成した。

【００３７】このようにして作製した二枚の基板をギャ
ップが５．５μm になるように、かつ、ラビング方向が
互いに直角になるように、球形のシリカ粒子によるスペ
ーサーを介して接着剤で貼り合わせパネルを作製した。
このセルに左カイラル材を溶解させた通常の正の誘電異
方性を有するネマチック液晶を注入し、注入口を封止し
た。このとき、レジストパターニング後レジストが残っ
ていた部分の配向が、スプレイ型ＴＮ配向となり、レジ
ストが残っていなかった部分の配向が通常のＴＮ配向と
なるように、第１の基板と第２の基板のラビング方向を
あわせ液晶表示装置を作製した。作製した液晶表示装置
を駆動した所、焼き付きなどの現象のない良好な表示が
得られた。更に、顕微鏡を用いて観察した所、透過光で
の観察ではディスクリネーションなどが見られず、一
方、反射光での観察によりディスクリネーションが遮光
部の範囲内に固定されていることが分かった。

【００３８】この時の基板表面での液晶配向の模式図を
図４のＣ−Ｃ′線に沿った断面図として図５に示す。

【００３９】（比較例６）実施例９と全く同様の方法
で、カラーフィルタ側の第２の基板のラビング方向のみ
逆向きにして、レジストパターニング後レジストが残っ
ていた部分の配向が、通常のＴＮ配向となり、レジスト
が残っていなかった部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向と
なるように、ラビング方向をあわせ液晶表示装置を作製
した。作製した液晶表示装置を駆動した所、焼き付きな
どの現象が数多く発生した。顕微鏡で液晶の配向状態を
観察すると、分割配向された領域が形成されている画素
もあったが、多くの画素で一方の領域が狭くなるか、全
く分割されておらずディスクリネーションも所定の位置
に制御出来ていなかった。この時の基板表面での液晶配
向の模式図を図６に示す。実施例９の図５と異なり、ス
プレイ型変形をする液晶区分中での分割配向処理基板上
でのプレチルト角がそれ以外の変形をする区分中でのプ
レチルト角より低くなっている。

【００４０】（比較例７）実施例９と同様の方法である
が、第一の基板上でのマスク位置を図７に示すように逆
方向とし、カラーフィルタ側のラビング方向も逆向きに
した液晶表示装置での例を示す。この比較例の構成で
は、図８に示すように、レジストパターニング後レジス
トが残っていた部分の配向が、スプレイ型ＴＮ配向とな
り、レジストが残っていなかった部分の配向が通常のＴ
Ｎ配向となるが、プレチルト角の低い方の液晶区分が横
方向の電界が強い方に位置する。作製した液晶表示装置
を駆動した所、焼き付きなどの現象が発生した。顕微鏡
で液晶の配向方向を観察すると、分割配向された領域が
形成されているが、ディスクリネーションが所定の位置
に制御出来ていないで遮光部からはみだしていた。

【００４１】（実施例１０）実施例９と全く同様の方法
で、対向側の低プレチルト角を与える配向膜のみ、日産
化学社製ＲＮ−１００６に変えて、実験を行った。その
結果、焼き付き等の現象のない良好な表示が得られた。

【００４２】（比較例８）実施例１０と全く同様の方法
で、対向基板側のラビング方向のみ逆向きにして、レジ
ストパターニング後レジストが残っていた部分の配向
が、通常のＴＮ配向となり、レジストが残っていなかっ
た部分の配向がスプレイ型ＴＮ配向となるように、ラビ
ング方向をあわせ液晶表示装置を作製した。作製した液
晶表示装置を駆動した所、焼き付きが数多く観察され
た。顕微鏡で液晶の配向状態を観察した結果、分割配向
された領域が形成されたが、時間の経過とともにドメイ
ンがつぶれ、安定な分割配向ができなかった。

【００４３】（実施例１１）実施例９と全く同様の方法
で、高プレチルト角を与える配向膜とその焼成温度のみ
を、日産化学社製ＲＮ−７１５と２５０℃に変え、実験
を行った。その結果、焼き付き等の現象の無い良好な表
示が得られた。

【００４４】（実施例１２）実施例９と全く同様の方法
で、高プレチルト角を与える配向膜とその焼成温度のみ
を、日立化成社製ＬＣ−１０２と２５０℃に変え、実験
を行った。その結果、焼き付き等の現象の無い良好な表
示が得られた。

【００４５】（実施例１３）実施例９と同様の方法で、
高プレチルト角を与える配向膜（日立化成社製ＬＣ−２
００１）に変え、焼成温度を２５０℃に変え、また、ラ
ビング方向を変えて、レジストパターニング後レジスト
が残っていた部分の配向が、通常のＴＮ配向となり、レ
ジストが残っていなかった部分の配向がスプレイ型ＴＮ
配向となるように、ラビング方向をあわせ液晶表示装置
を作製した。作製した液晶表示装置を駆動した所、焼き
付き等のない良好な表示が確認された。

【００４６】（実施例１４）実施例９と配向膜やラビン
グ方向等は全く同一の構成で、薄膜トランジスタ側の基
板での画素が蓄積容量を有する構造について実験した。
使用した薄膜トランジスタアレイの構造を図９に示す。
図１０に露光・現像時のマスク位置を、図１１に液晶配
向の模式図を示す。このように蓄積容量部を有した構造
においても、作製した液晶表示装置では良好な表示が得
られた。

【００４７】

【発明の効果】このように、スプレイ型ＴＮ変形をする
領域の、分割配向処理した基板近傍のプレチルト角の方
が、通常のＴＮ変形をする領域の、基板近傍のプレチル
ト角よりも大きくすることで、安定した分割配向が得ら
れることがわかる。更に、プレチルト角が小さい液晶区
分が、横方向の電界が弱い能動素子側に位置させる事に
よって、安定な分割配向が得られることが分かる。した
がって、本発明によれば、視野角の広い液晶表示素子を
作製するために、工程数の少ない方法による分割配向処
理を行っても、安定な分割配向を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示素子の構成を表す概念図であ
る。

【図２】分割配向の工程を示す断面図で、（ａ）第一回
目ラビング、（ｂ）フォトレジスト塗布、（ｃ）フォト
レジスト露光・現像、（ｄ）第二回目（逆方向）ラビン
グ、（ｅ）フォトレジスト剥離を示す図である。

【図３】本発明の実施例における薄膜トランジスタアレ
イを示す平面図である。

【図４】本発明の実施例における分割配向時のマスク位
置を示す模式図である。

【図５】本発明の実施例における液晶配向の模式図を示
す図４のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。

【図６】本発明の比較例における液晶配向の模式図を示
す断面図である。

【図７】本発明の比較例における分割配向時のマスク位
置を示す模式図である。

【図８】本発明の比較例における液晶配向の模式図を示
す断面図である。

【図９】本発明の実施例における蓄積容量を有する薄膜
トランジスタアレイを示す平面図である。

【図１０】本発明の実施例における分割配向時のマスク
位置を示す模式図である。

【図１１】本発明の実施例における液晶配向の模式図を
示す図１０のＤ−Ｄ′線に沿った断面図である。

【符号の説明】

１分割配向処理された基板２対向側のガラス基板３能動素子４ポリイミド配向膜５スプレイ型変形をする領域６スプレイ型以外の変形をする領域７フォトレジスト８蓄積容量部９、１０配向膜１１分割境界での遮光部１２カラーフィルタ１３画素電極１４薄膜トランジスタ１５走査電極線１６信号電極線１７第一の基板１８第二の基板１９、２０透明電極２１、２２ガラス基板２３ＩＴＯ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金子節夫東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１画素を構成する１対の電極のいずれか一
方の電極に２つの部分に分割するため異なった配向処理
を施し、他方の基板には一定の配向処理を施し、分割さ
れた各部で配向状態の異なる液晶区分を有する液晶表示
装置において、分割配向処理を施した基板近傍のプレチ
ルト角が、スプレイ型変形をする液晶区分中で、それ以
外の変形をする液晶区分中での、プレチルト角よりも大
きくなるようにされていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２】分割配向処理を施した基板上でのプレチル
ト角が小さい液晶区分が画素の能動素子側に存在するこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】一方の液晶区分でねじれネマチック配向を
し、もう一方の液晶区分で、スプレイ型のねじれネマチ
ック配向をすることを特徴とする請求項１ないし２記載
の液晶表示装置。
【請求項４】分割配向処理を施した基板の、分割配向の
境界に遮光膜を設ける事を特徴とする請求項１ないし３
に記載の液晶表示装置。