JPH0855996A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
半導体装置およびその作製方法Info
- Publication number
- JPH0855996A JPH0855996A JP21203094A JP21203094A JPH0855996A JP H0855996 A JPH0855996 A JP H0855996A JP 21203094 A JP21203094 A JP 21203094A JP 21203094 A JP21203094 A JP 21203094A JP H0855996 A JPH0855996 A JP H0855996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon
- oxide film
- silicon oxide
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(TFT)を得るためのゲイト絶縁膜を850℃以下の
温度で作製する方法を提供する。 【構成】 CVD法もしくはPVD法によって結晶性珪
素の活性層上に堆積した酸化珪素膜を窒化水素雰囲気に
おいてアニールすることによって酸化膜中、特に珪素と
酸化珪素の界面の不対結合手および珪素−水素結合(Si
-H) を、珪素−窒素結合 (Si≡N)等に置き換えることに
よって、該酸化珪素膜をホットエレクトロン等に耐えら
れるだけの丈夫なものとし、これをゲイト絶縁膜として
用いる。
Description
あるいは各種基板上に形成された絶縁性被膜上に設けら
れた非単結晶珪素膜を用いた絶縁ゲイト構造を有する半
導体装置、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)や薄膜
ダイオード(TFD)、またはそれらを応用した薄膜集
積回路、特にアクティブ型液晶表示装置(液晶ディスプ
レー)用薄膜集積回路、およびその作製方法に関するも
のである。
有する半導体装置、例えば、TFTを画素の駆動に用い
るアクティブ型液晶表示装置やイメージセンサー等が開
発されている。
膜状の非単結晶珪素半導体を用いるのが一般的である。
薄膜状の珪素半導体としては、非晶質珪素半導体(a−
Si)からなるものと結晶性を有する多結晶もしくは実
質的に多結晶の珪素半導体からなるものの2つに大別さ
れる。非晶質珪素半導体は作製温度が低く、気相法で比
較的容易に作製することが可能で量産性に富むため、最
も一般的に用いられているが、電界効果移動度、導電率
等の物性が結晶性を有する珪素半導体に比べて劣るた
め、今後、より高速特性を得るためには、多結晶性を有
する珪素半導体からなるTFTの作製方法の確立が強く
求められている。
の場合には、ゲイト絶縁膜の特性はあまり問題とならな
かった。例えば、非晶質珪素を用いたTFTでは、ゲイ
ト絶縁膜として酸化珪素よりも電気的特性に劣る窒化珪
素膜が用いられる。しかし、移動度の高い結晶性の珪素
膜を用いたTFTでは、珪素膜自体の特性と同じくらい
ゲイト絶縁膜の特性が大きな問題であった。ゲイト絶縁
膜として好ましいものとしては熱酸化膜が知られてい
る。例えば、石英基板のように高温に耐える基板上であ
れば、熱酸化法を用いてゲイト絶縁膜を得ることができ
た。(例えば、特公平3−71793)
用するに足る酸化珪素膜を得るには、950℃以上の高
温が必要であった。しかしながら、このような高温処理
に耐えうる基板材料は石英の他にはなく、石英基板は高
価であり、かつ、融点が高いために大面積化が困難であ
るという問題があった。また、いわゆる3次元集積回
路、立体集積回路のように、TFT等の半導体装置を多
層に有する装置においては、上層の熱酸化工程の際に9
00℃以上の高温になると、下層に存在するN型もしく
はP型不純物が意図されている以上に拡散するという問
題もあった。さらに、950℃以上もの高温を得るため
には装置において困難な点があり、特に量産性を満足さ
せることは難しかった。
最高プロセス温度を850℃以下とすることが求められ
ていた。しかしなから、850℃以下の温度では熱酸化
は実質的に進行せず、そのため、ゲイト絶縁膜はスパッ
タ法等の物理的気相成長(PVD)法、あるいはプラズ
マCVD法、熱CVD法等の化学的気相成長(CVD)
法を用いて作製せざるを得なかった。
て作製した絶縁膜は不対結合手や水素の濃度が高く、ま
た、界面特性も良くなかった。そのため、ホットキャリ
ヤ等の注入に対しても弱く、不対結合手や水素が原因と
なり、電荷捕獲中心が形成されやすかった。このため、
TFTのゲイト絶縁膜として用いた場合に電界移動度や
サブスレシュホールド特性値(S値)が、良くないとい
う問題点、あるいはゲイト電極のリーク電流が多く、オ
ン電流の低下(劣化・経時変化)がひどいという問題点
があった。
る場合には、高純度の酸素と珪素からなる合成石英をタ
ーゲットとすれば、原理的には酸素と珪素の化合物の被
膜のみが形成される。しかし、得られる被膜の酸素と珪
素の比率が化学量論比に近く、かつ、不対結合手の少な
い酸化珪素膜を得ることは極めて難しかった。例えば、
スパッタガスとして酸素が好ましかった。しかし、酸素
は原子量が小さく、このため、スパッタ速度(堆積速
度)が小さく、量産を考慮した場合には、不適切であっ
た。
十分な成膜速度が得られたものの、酸素と珪素の比率が
化学量論比と異なり、ゲイト絶縁膜としては極めて不適
当なものであった。また、スパッタ雰囲気をどのように
しても珪素の不対結合手を低減することは難しく、成膜
後に水素アニールをおこなうことによって、珪素の不対
結合手Si・もしくはSiO・をSi−H、Si−OH
として、安定化させることが必要であった。しかしなが
ら、Si−H、Si−OH結合は不安定で、加速した電
子によって、容易に切断され、もとの珪素の不対結合手
に変化してしまった。このような弱い結合Si−H、S
i−OHの存在が上述のホットキャリヤ注入による劣化
の要因となったものである。
た酸化珪素膜にもSi−H、Si−OHの形で多くの水
素が含有されており、上記の問題の源泉となっていた。
加えて、比較的扱いやすい珪素源として、テトラ・エト
キシ・シラン(TEOS)を用いた場合には、炭素が酸
化珪素膜中に含まれるという問題もあった。本発明は、
上記の問題を解決する手段を提供するものである。
D法もしくはCVD法によって、島状の結晶性珪素を覆
って、酸化珪素膜を形成した後、窒化水素(例えば、ア
ンモニア(NH3 )、ヒドラジン(N2 H4 )等)を含
む雰囲気において、600〜850℃、好ましくは65
0〜800℃でアニールすることによって、酸化珪素膜
の特性、特に珪素との界面の特性を改質する。
てはスパッタ法、CVD法としては、プラズマCVD
法、減圧CVD法、大気圧CVD法を用いればよい。そ
の他の成膜方法を用いることも可能である。プラズマC
VD法、減圧CVD法としては、TEOSを原料とする
方法を用いてもよい。プラズマCVD法によってTEO
Sと酸素を原料として酸化珪素膜を堆積する場合には、
基板温度を200〜500℃とするとよい。減圧CVD
法においてTEOSとオゾンを用いた反応は比較的低温
(例えば、375℃±20℃)で進行し、プラズマによ
るダメージが無い酸化珪素膜を得ることができる。同様
に、減圧CVD法によってモノシラン(SiH4 )と酸
素(O2 )を主たる原料として反応させてもプラズマに
よるダメージが無い酸化珪素膜を得られる。。また、プ
ラズマCVD法のうち、ECR(電子サイクロトロン共
鳴)条件の放電を用いるECR−CVD法は、プラズマ
によるダメージが小さいので、より良好なゲイト絶縁膜
を形成することができる。
形成するには、プラズマCVD法等によって得られる非
晶質珪素膜を出発材料として用いるが、結晶か方法とし
ては大きく分けて2通りの方法がある。第1は、非晶質
珪素膜を形成した後、500〜650℃の温度で適切な
時間の熱アニールを実施することにより、結晶化せしめ
る方法である。結晶化の際に、ニッケル、鉄、白金、パ
ラジウム、コバルト等の非晶質珪素の結晶化を促進する
元素を添加してもよい。これらの元素を添加すると、結
晶化温度を低下させ、また、結晶化時間を短縮すること
ができる。
珪素の半導体特性を損なうので、結晶化に十分で、か
つ、半導体特性にほとんど影響のない、1×1017〜1
×1019原子/cm3 の濃度で含有されることが好まし
い。第2の方法としては、非晶質珪素膜にレーザー等の
強光を照射することによって結晶化させる、いわゆるレ
ーザーアニール法がある。上記、第1、第2の方法のう
ち、いずれの方法を選択するかは本発明を実施するもの
が必要とするTFTの特性、利用できる装置、設備投資
額等を勘案して決定すればよい。
せてもよい。例えば、熱アニールによって結晶化させた
後、レーザーアニール法によってさらに結晶性を高める
方法を用いてもよい。特に、ニッケル等の結晶化促進元
素を添加して熱アニールをおこなった場合には、結晶粒
界等に非晶質部分が残されることが観察されたが、この
ような非晶質部分を結晶化させるにはレーザーアニール
法が有効である。逆に、レーザーアニール法によって結
晶化させた珪素膜を熱アニールすることにより、レーザ
ーアニールによって生じた膜の応力歪みを緩和させるこ
とができる。
化珪素膜を600〜850℃のアンモニア(NH3 )、
ヒドラジン(N2 H4 )等の窒化水素雰囲気で処理する
と、窒素によって不対結合手が埋められたり、酸化珪素
中のSi−H結合は窒化され、Si≡N、あるいはSi
2 =N−O結合に変化する。Si−OH結合も同様に変
化する。特にこの反応は酸化珪素と珪素の界面で進行し
やすく、結果として窒素は酸化珪素−珪素界面に集中す
る。このような手段で界面付近に集中して添加される窒
素の量は、酸化珪素膜の平均的な濃度の10倍以上にな
る。酸化珪素中に0.1〜10原子%、代表的には、1
〜5原子%の窒素が含有せしめるとゲイト絶縁膜として
好ましい。
た酸化珪素膜においては期待できない。すなわち、熱酸
化膜は極めて緻密であるため、窒化水素による窒化作用
が進行するためには950℃以上の高温としなければな
らないからである。CVD法もしくはPVD法によって
成膜した酸化珪素膜は熱酸化膜に比較して不完全である
ため、上記のような850℃以下の温度で反応が進行す
るのである。そして、この反応の結果、CVD法もしく
はPVD法によって成膜したものであっても熱酸化膜に
劣らない緻密な酸化珪素膜となり、また、酸化珪素と珪
素の界面に多く生じていた界面準位(その多くは不対結
合手やSi−H結合等に由来する)を減少せしめること
ができるのである。
珪素膜(特に、スパッタ雰囲気をアルゴン等とすること
により、酸素濃度が化学量論比より少ない酸化珪素膜)
に適用した場合には特に効果が顕著である。すなわち、
このような膜をNH3 、N2H4 等の窒化水素の雰囲気
において、600〜850℃、好ましくは、650〜8
00℃で加熱処理することにより、不対結合手を窒化
し、化学量論比に対して不足している酸素の代わりに窒
素を結合させて、不対結合手を低減させ、結合の原子間
の結合の強い酸化窒化膜とすることができる。
の成膜が不利でないことを示すものである。すなわち、
従来、スパッタ法によって酸化珪素膜を形成するには、
組成を化学量論比に近づけるため、限られた条件の雰囲
気でしかおこなえなかった。例えば、雰囲気として、酸
素とアルゴンの混合雰囲気の系を考えると、酸素/アル
ゴン>1という条件を満たすことが必要で、好ましく
は、純粋な酸素雰囲気でおこなうことが望まれた。その
ため、成膜速度が低く、量産に適さなかった。また、酸
素は反応性のガスであり、真空装置、チャンバー等が酸
化されることも問題であった。
組成より離れた組成の酸化珪素膜であっても、ゲイト絶
縁膜として用いるに適する酸化窒化珪素膜に変換できる
ので、酸素とアルゴンの混合雰囲気の系においても、酸
素/アルゴン≦1というように、成膜速度に関してより
有利な条件で実施することができる。例えば、純粋なア
ルゴン雰囲気のように極めて成膜速度が高く、安定した
条件で成膜することも可能となった。
金、パラジウム等の非晶質珪素膜の結晶化を促進する元
素を添加して結晶化させた結晶性珪素膜からなる活性層
に適用した場合には格別の効果を有する。このような結
晶化促進元素を添加して結晶化させた珪素膜の結晶性は
ことのほか良好であり、電界効果移動度も非常に高いも
のが得られたが、それだけにゲイト絶縁膜としても特性
のよいものが望まれていた。本発明によるゲイト絶縁膜
はそれにふさわしいものである。また、本発明によっ
て、窒化水素の雰囲気でアニールすることにより、結晶
粒界等に残存する非晶質領域も結晶化でき、さらに結晶
性を改善できる。
からなる活性層に対して適用した場合には、本発明の窒
化水素雰囲気でのアニールの際に、該アニールによって
ゲイト絶縁膜の特性が改善される効果に加えて、レーザ
ーアニールによって発生した珪素膜に対する歪みを該ア
ニール工程において同時に緩和できるという効果も有す
る。
ト絶縁膜としてスパッタ法によって形成された酸化珪素
膜を使用し、本発明による熱アニールを施してNチャネ
ル型TFTを形成した例である。まず、基板101(コ
ーニング1733、100mm×100mm)上に下地
の酸化膜102として、スパッタ法で酸化珪素膜を10
00〜3000Å、例えば2000Å成膜した。この下
地の酸化珪素膜102は基板からの汚染を防ぐためのも
のである。
素膜を100〜1500Å、例えば500Å成膜した。
その後、ニッケル、鉄、白金、パラジウム、コバルト等
の結晶化を促進させる元素を非晶質珪素膜に微量添加し
て熱アニールし、結晶性珪素膜103を得た。本実施例
においては、酢酸ニッケル溶液を非晶質珪素膜上に滴下
して、スピンドライをおこなって、非晶質珪素膜上に酢
酸ニッケルの膜を形成した。その後、窒素雰囲気中にお
いて、550℃、4時間の熱アニールを施すことによっ
てニッケルを非晶質珪素膜に導入し、結晶化せしめた。
以上の工程の後、さらに、得られた結晶性珪素膜の結晶
性を向上させるためにレーザーアニールを施してもかま
わない。(図1(A))
おこなって島状珪素膜104を形成した。この島状珪素
膜104は、後に、TFTの活性層を形成するものであ
る。そして、この島状珪素膜104を覆うように、ゲイ
ト絶縁膜105として厚さ200〜1500Å、例えば
1000Åの酸化珪素膜を形成した。本実施例において
は、酸素雰囲気中において合成石英のターゲットを用い
たスパッタ法によって酸化珪素膜を形成した。本実施例
においてはガス圧を1Pa、投入電力を350W、基板
温度を200℃の条件で成膜をおこなった。スパッタガ
スとしてはアルゴンを用いてもよい。
明のアニール処理をおこなってゲイト絶縁膜、特に、ゲ
イト絶縁膜と活性層の界面の特性を向上させた。本実施
例においては、アンモニア(NH3 )雰囲気中におい
て、600〜850℃、0.5〜6時間、例えば630
℃、3時間の熱アニールをおこなった。この結果、酸化
珪素膜中および珪素膜との界面において窒素の濃度が増
加した。これは、酸化珪素膜中および珪素膜との界面に
おける不対結合手や珪素−水素結合が窒化されたためで
ある。(図1(B))
5000Åのアルミニウム(1wt%のSi、もしくは
0.1〜0.3wt%のScを含む)膜をスパッタ法に
よって形成して、これをパターニングしてゲイト電極1
06を形成した。次に、pH≒7、1〜3%の酒石酸の
エチレングリコール溶液に基板を浸し、白金を陰極、こ
のアルミニウムのゲイト電極106を陽極として、陽極
酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電流で150
Vまで電圧を上げ、その状態で1時間保持して終了させ
た。このようにして、厚さ1500〜3500Å、例え
ば2000Åの陽極酸化物を形成した。(図1(C))
状珪素膜104にゲイト電極106をマスクとして自己
整合的に不純物として燐を注入した。このときドーズ量
は1×1014〜8×1015原子/cm2 、加速電圧は5
0〜90kV、例えばドーズ量を1×1015原子/cm
2 、加速電圧は80kVとした。この結果、N型の不純
物領域(ソース/ドレイン領域)107が形成された。
(図1(D))
ングされた不純物領域の活性化をおこなった。レーザー
光としては、KrFエキシマレーザー(波長248n
m、パルス幅20nsec)を使用し、エネルギー密度
は200〜400mJ/cm2、例えば250mJ/c
m2 とした。
化珪素膜をプラズマCVD法によって3000Å形成
し、この層間絶縁膜108とゲイト絶縁膜105をエッ
チングしてソース/ドレイン領域107にコンタクトホ
ールを形成した。さらに、アルミニウム膜をスパッタ法
によって5000Å成膜して、エッチングをおこない、
ソース/ドレイン電極109を形成して、Nチャネル型
のTFTを作製した。(図1(D))
ト絶縁膜の耐性が優れているため、劣化に強く、特性の
優れたTFTが得られた。例えば、ドレイン電圧を+1
4Vに固定し、ゲイト電圧を−17〜+17Vまで、変
動させ、TFTの特性の劣化を評価した。最初に測定し
て得られた電界効果移動度μ0 と、上記の電圧印加の後
に測定して得られた電界効果移動度μ10において、1−
(μ10/μ0 )を劣化率と定義すると、本実施例で得ら
れたTFTの劣化率は1.5%であった。比較のため
に、本発明のゲイト絶縁膜の熱アニール工程をアンモニ
ア雰囲気ではなく、窒素雰囲気で、800℃/1時間の
アニール処理をおこなったものでは、他の作製条件が全
く同じでも、劣化率は52.3%もあった。
施例は、ゲイト絶縁膜としてTEOSを原料ガスとした
プラズマCVD法によって形成された酸化珪素膜を使用
し、本発明による熱アニールを施してCMOS型のTF
Tを形成した例である。まず、基板201(石英、10
0mm×100mm)上に下地の酸化膜202として、
スパッタ法で酸化珪素膜を2000Å成膜した。
素膜を500Å成膜した。その後、実施例1と同様に、
酢酸ニッケル溶液をスピンドライをおこなうことによっ
て、非晶質珪素膜上に酢酸ニッケルの膜を形成し、その
後、窒素雰囲気中において、550℃、4時間の熱アニ
ールを施すことによって非晶質珪素膜にニッケルを導入
し、結晶化せしめた。その後、さらに結晶性を向上させ
るためにKrFエキシマーレーザー(波長248nm)
を用いて、レーザーアニールを施した。レーザーのエネ
ルギー密度は250〜350mJ/cm2 が適当であっ
た。本実施例では300mJ/cm2 とした。(図2
(A))
おこなって島状珪素膜204、205を形成した。この
島状珪素膜204、205はTFTの活性層となるもの
である。そして、この島状珪素膜204、205を覆う
ように、ゲイト絶縁膜206として厚さ200〜150
0Å、例えば1000Åの酸化珪素膜を形成した。本実
施例においては、TEOSおよび酸素を原料ガスとし
て、プラズマCVD法によって酸化珪素膜を形成した。
このとき、成膜条件としては、ガス圧を4Pa、投入電
力を150W、基板温度を350℃とした。
ニール処理をおこなってゲイト絶縁膜、特に、ゲイト絶
縁膜と活性層の界面特性を向上させた。本実施例におい
ては、ヒドラジン(N2 H4 )雰囲気中において、80
0℃、1時間の熱アニールをおこなった。この結果、酸
化珪素膜中および珪素膜との界面における不対結合手お
よび水素が窒化されて窒素の濃度が増加した。この結
果、ゲイト絶縁膜として、好ましい酸化珪素膜を作製す
ることが出来た。(図2(B))
をスパッタ法によって形成して、これをパターニングし
てゲイト電極207、208を形成した。次に、pH≒
7、1〜3%の酒石酸のエチレングリコール溶液に基板
を浸し、白金を陰極、このアルミニウムのゲイト電極2
07、208を陽極として、陽極酸化をおこなった。陽
極酸化は、最初一定電流で150Vまで電圧を上げ、そ
の状態で1時間保持して終了させた。このようにして、
厚さ2000Åの陽極酸化物を形成した。(図2
(C))
状珪素膜204、205にゲイト電極207、208を
マスクとして自己整合的に不純物を注入した。まず、P
チャネル型のTFTを形成する領域をフォトレジストの
マスク209で覆って燐を注入し、N型不純物領域21
0(ソース/ドレイン領域)を形成した。このときドー
ズ量は1×1014〜8×1015原子/cm2 、加速電圧
は50〜90kV、例えばドーズ量を5×1014原子/
cm2 、加速電圧は80kVとした。(図2(D))
領域をフォトレジストのマスク211で覆って硼素を注
入し、P型不純物領域212(ソース/ドレイン領域)
を形成した。このときドーズ量は1×1014〜8×10
15原子/cm2 、加速電圧は40〜80kV、例えばド
ーズ量を1×1015原子/cm2 、加速電圧は65kV
とした。(図2(E)) さらに、レーザー光の照射によってドーピングされた不
純物領域210、212の活性化をおこなった。レーザ
ー光としては、KrFエキシマレーザー(波長248n
m、パルス幅20nsec)を使用し、エネルギー密度
は200〜400mJ/cm2 、例えば250mJ/c
m2 とした。
化珪素膜をプラズマCVD法によって3000Å形成
し、この層間絶縁膜213とゲイト絶縁膜206をエッ
チングしてソース/ドレイン領域210、212にコン
タクトホールを形成した。さらに、アルミニウム膜をス
パッタ法によって5000Å成膜して、エッチングをお
こない、ソース/ドレイン電極214を形成して、CM
OS型のTFTを作製した。(図2(F))
施例は、ECR−CVD法によって形成された酸化珪素
膜を使用し、本発明による熱アニールを施してPチャネ
ル型の画素TFTを形成した例である。まず、石英基板
301(100mm×100mm)上に下地の酸化膜3
02として、スパッタ法で酸化珪素膜を3000Å成膜
した。
素膜を500Å成膜した。その後、実施例1と同様に、
酢酸ニッケル溶液をスピンドライをおこなうことによっ
て、非晶質珪素膜上に酢酸ニッケルの膜を形成し、その
後、窒素雰囲気中において、550℃、4時間の熱アニ
ールを施すことによってニッケルを導入し、結晶化せし
めた。その後、結晶性を向上させるためにレーザーアニ
ールを施してもかまわない。(図3(A))
をおこなって島状珪素膜304を形成した。この島状珪
素膜304は後にTFTの活性層を形成するものであ
る。そして、この島状珪素膜を覆うように、ゲイト絶縁
膜として厚さ1000Åの酸化珪素膜を形成した。本実
施例においては、SiH4 を原料ガスとし、N2 Oを酸
化剤として用いた、ECR−CVD法によって酸化珪素
膜を形成した。このとき、酸化剤として一酸化二窒素以
外に、酸素(O2 )、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素
(NO2 )等を使用してもかまわない。また、このとき
の成膜条件としては、基板加熱をおこなわず、マイクロ
波(周波数2.45MHz)の投入電力を400Wでお
こなった。
ニール処理をおこなってゲイト絶縁膜、特に、ゲイト絶
縁膜と活性層の界面特性を向上させた。本実施例におい
ては、アンモニア雰囲気中において800℃、1時間の
熱アニールをおこなった。この結果、酸化珪素膜中およ
び珪素膜との界面における不対結合手および水素が窒化
されて、酸化珪素膜中および珪素膜との界面において窒
素の濃度が増加した。このようにして、ゲイト絶縁膜と
して、より特性の優れた酸化珪素膜を作製することが出
来た。(図3(B))
膜を減圧CVD法によって形成して、これをパターニン
グしてゲイト電極306を形成した。多結晶シリコン膜
には導電性を向上せしめるために微量の燐を添加した。
(図3(C)) その後、イオンドーピング法によって、島状珪素膜30
4にゲイト電極306をマスクとして自己整合的に不純
物として硼素を注入した。このときドーズ量は1〜8×
1015原子/cm2 、加速電圧は40〜80kV、例え
ばドーズ量を5×1015原子/cm2 、加速電圧は65
kVとした。この結果、P型不純物領域307(ソース
/ドレイン領域)が形成された。(図3(D))
ングされた不純物領域307の活性化をおこなった。レ
ーザー光としては、KrFエキシマレーザー(波長24
8nm、パルス幅20nsec)を使用し、エネルギー
密度は200〜400mJ/cm2 、例えば250mJ
/cm2 とした。その後、全面に層間絶縁膜308とし
て酸化珪素膜をプラズマCVD法によって3000Å形
成し、この層間絶縁膜308とゲイト絶縁膜305をエ
ッチングしてソース領域にコンタクトホールを形成し
た。さらに、アルミニウム膜をスパッタ法によって50
00Å成膜して、エッチングをおこない、ソース電極3
09を形成した。(図3(E))
窒化珪素膜をプラズマCVD法によって2000Å形成
し、これと層間絶縁膜308とゲイト絶縁膜305をエ
ッチングしてコンタクトホールを形成した。さらに、I
TO膜をスパッタ法によって形成し、エッチングをおこ
なって画素電極311を形成して画素TFTを作製し
た。(図3(F))
施例は、減圧CVD法によって形成された酸化珪素膜を
使用し、本発明による熱アニールを施してPチャネル型
の画素TFTを形成した例である。まず、石英基板30
1(100mm×100mm)上に下地の酸化膜302
として、スパッタ法で酸化珪素膜を3000Å成膜し
た。
素膜を500Å成膜した。その後、窒素雰囲気中におい
て、600℃、12時間の熱アニールを施すことによっ
て結晶化せしめた。その後、さらに、結晶性を向上させ
るためにレーザーアニールを施した。レーザーのエネル
ギー密度は250〜350mJ/cm2 が適当であっ
た。本実施例では300mJ/cm2 とした。(図3
(A))
をおこなって島状珪素膜304を形成した。この島状珪
素膜304は後にTFTの活性層を形成するものであ
る。そして、この島状珪素膜を覆うように、ゲイト絶縁
膜として厚さ1000Åの酸化珪素膜を形成した。本実
施例においては、モノシラン(SiH4 )を原料ガスと
し、酸素ガスを酸化剤として用いた、減圧CVD法によ
って酸化珪素膜を形成した。このとき、酸化剤として酸
素ガス以外に、一酸化二窒素(N2 O)、一酸化窒素
(NO)、二酸化窒素(NO2 )等を使用してもかまわ
ない。本実施例においては、圧力0.1〜10tor
r、温度300〜500℃、例えば、圧力1.5tor
r、温度400℃で成膜をおこなった。
ニール処理をおこなってゲイト絶縁膜、特に、ゲイト絶
縁膜と活性層の界面の特性を向上させた。本実施例にお
いては、アンモニア雰囲気において800℃、2時間の
熱アニールを施した。この結果、酸化珪素膜中に存在す
る不対結合手やSi−H結合、Si−OH結合等を窒化
することができた。このようにして、ゲイト絶縁膜とし
て、より特性の優れた酸化珪素膜を作製することが出来
た。(図3(B))
膜を減圧CVD法によって形成して、これをパターニン
グしてゲイト電極306を形成した。多結晶シリコン膜
には導電性を向上せしめるために微量の燐を添加した。
(図3(C)) その後、イオンドーピング法によって、島状珪素膜30
4にゲイト電極306をマスクとして自己整合的に不純
物として硼素を注入した。このときドーズ量は1〜8×
1015原子/cm2 、加速電圧は40〜80kV、例え
ばドーズ量を5×1015原子/cm2 、加速電圧は65
kVとした。この結果、P型不純物領域307(ソース
/ドレイン領域)が形成された。(図3(D))
間、例えば、600℃、12時間の熱アニールをおこな
い、不純物イオンの活性化をおこなった。その後、全面
に層間絶縁膜308として酸化珪素膜をプラズマCVD
法によって3000Å形成し、この層間絶縁膜308と
ゲイト絶縁膜305をエッチングしてソース領域にコン
タクトホールを形成した。さらに、アルミニウム膜をス
パッタ法によって5000Å成膜して、エッチングをお
こない、ソース電極309を形成した。(図3(E))
窒化珪素膜をプラズマCVD法によって2000Å形成
し、これと層間絶縁膜308とゲイト絶縁膜305をエ
ッチングしてコンタクトホールを形成した。さらに、I
TO膜をスパッタ法によって形成し、エッチングをおこ
なって画素電極311を形成して画素TFTを作製し
た。(図3(F))
の特性が大幅に改善された。特に、ホットキャリヤ注入
に対してゲイト絶縁膜が耐性を示し、劣化が低減し、信
頼性が向上した。実施例では、ガラス基板上のTFTを
中心に説明したが、多層集積回路等(すなち、立体集積
回路、3次元集積回路)にも本発明を適用しても優れた
効果が得られることは明らかである。このように本発明
は工業上有益な発明である。
Claims (8)
- 【請求項1】 結晶性の島状珪素領域を覆ってCVD法
もしくはPVD法によって酸化珪素膜を堆積する第1の
工程と、 前記酸化珪素膜を600℃以上850℃以下の窒化水素
雰囲気においてアニールする第2の工程と、を有するこ
とを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項2】 請求項1において、第1の工程における
島状珪素領域には、1×1017〜1×1019原子/cm
3 の結晶化促進元素が含まれていることを特徴とする半
導体装置の作製方法。 - 【請求項3】 請求項1において、該酸化珪素膜はスパ
ッタ法によって堆積されることを特徴とする半導体装置
の作製方法。 - 【請求項4】 請求項1において、該酸化珪素膜はEC
R−CVD法によって堆積されることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項5】 請求項1において、該酸化珪素膜はテト
ラ・エトキシ・シラン(TEOS)を原料とするCVD
法によって堆積されることを特徴とする半導体装置の作
製方法。 - 【請求項6】 請求項1において、該酸化珪素膜はモノ
シランと酸素を主たる原料とする減圧CVD法によって
堆積されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項7】 島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、
該活性層上にCVD法もしくはPVD法によって形成さ
れた酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪
素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される
平均的な窒素濃度の10倍以上の濃度の窒素を含有せし
めて得られたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項8】 請求項6において、該ゲイト絶縁膜には
平均して0.1〜10原子%の窒素が含有されているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21203094A JP3173758B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | 半導体装置およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21203094A JP3173758B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | 半導体装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000356940A Division JP3445573B2 (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0855996A true JPH0855996A (ja) | 1996-02-27 |
JP3173758B2 JP3173758B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=16615712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21203094A Expired - Fee Related JP3173758B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | 半導体装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3173758B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997006565A1 (fr) * | 1995-08-04 | 1997-02-20 | Seiko Epson Corporation | Procede pour la preparation d'un transistor a couche mince, procede pour la preparation d'un substrat de matrice active, et affichage a cristaux liquides |
-
1994
- 1994-08-11 JP JP21203094A patent/JP3173758B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997006565A1 (fr) * | 1995-08-04 | 1997-02-20 | Seiko Epson Corporation | Procede pour la preparation d'un transistor a couche mince, procede pour la preparation d'un substrat de matrice active, et affichage a cristaux liquides |
US5976989A (en) * | 1995-08-04 | 1999-11-02 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor fabrication method, active matrix substrate fabrication method, and liquid crystal display device |
US6150283A (en) * | 1995-08-04 | 2000-11-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor fabrication method, active matrix substrate fabrication method, and liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3173758B2 (ja) | 2001-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3963961B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US7368367B2 (en) | Method for forming a semiconductor | |
US6541313B2 (en) | Transistor and process for fabricating the same | |
US6905920B2 (en) | Method for fabrication of field-effect transistor to reduce defects at MOS interfaces formed at low temperature | |
US20030189205A1 (en) | Method of manufacturing thin film transistor | |
JPH06275807A (ja) | 半導体回路およびその作製方法 | |
JPH04165679A (ja) | 絶縁ゲイト型半導体装置 | |
JP3359794B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JPH05198507A (ja) | 半導体作製方法 | |
JPH0878693A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3565910B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2003168690A (ja) | トランジスタ及びトランジスタの製造方法 | |
JP3173757B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3565911B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3173758B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP3445573B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3874815B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2004288864A (ja) | 薄膜半導体、薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
JP3874814B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2759411B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP4200530B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP3278237B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2860894B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JPH0855848A (ja) | 酸化珪素膜の加熱処理方法 | |
JP4337555B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080330 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090330 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140330 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |