JPH0855974A - Full contact image sensor and organic electroluminescence element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は完全密着型イメージセン
サ及び有機エレクトロルミネセンス素子に係り、特にベ
ース部分に複雑な加工がいらないシンプルな、コンパク
トの構成にした完全密着型イメージセンサ及び有機エレ
クトロルミネセンス素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a complete contact type image sensor and an organic electroluminescence device, and more particularly to a simple and compact complete contact type image sensor and organic electroluminescence device which does not require complicated processing in the base portion. Regarding the sense element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】密着型のイメージセンサがセルフオック
・レンズを使用して原稿からの反射光を光電変換素子に
入力しているのに対し、完全密着型のイメージセンサは
光電変換素子を原稿が載置される薄板ガラス面と接着状
態におき原稿からの反射光を入力しているので高価なセ
ルフオック・レンズを不要とするため安価に構成され
る。2. Description of the Related Art A contact type image sensor uses a self-occ lens to input reflected light from an original into a photoelectric conversion element, whereas a perfect contact type image sensor has a photoelectric conversion element mounted on the original. Since the reflected light from the original is input while being adhered to the thin glass surface to be placed, an expensive self-occ lens is not required, and thus it is inexpensive.
【０００３】従来の完全密着型のイメージセンサを図１
０に基づき説明する。図１０において１００はプラテン
・ローラ、１０１はキセノンランプ、１０２は原稿、１
０３は薄板ガラス、１０４はフォトダイオード、１０５
はＡｌの個別電極線、１０６は導電線、１０７はドライ
ブＩＣ、１０８はガラス基板、１０９はＣｒ電極、１１
０は支持基板、１１１は接着剤、１２０は斜孔部であ
る。FIG. 1 shows a conventional perfect contact type image sensor.
A description will be given based on 0. In FIG. 10, 100 is a platen roller, 101 is a xenon lamp, 102 is a document, 1
03 is thin glass, 104 is a photodiode, and 105
Is an Al individual electrode wire, 106 is a conductive wire, 107 is a drive IC, 108 is a glass substrate, 109 is a Cr electrode, 11
Reference numeral 0 is a support substrate, 111 is an adhesive, and 120 is an oblique hole.
【０００４】キセノンランプ１０１から出力された光は
薄板ガラス１０３を通ってその上にプラテン１００によ
り回動されている原稿１０２に反射されてフォトダイオ
ード１０４に入射される。これにより原稿１０２からの
反射光がフォトダイオード１０４において光電変換さ
れ、その変換出力がドライブＩＣ１０７を経由して外部
に読み出されることになる。この場合、Ｃｒ電極１０９
は、キセノンランプ１０１の光がフォトダイオード１０
４の下方から入力されるのを防止する機能も有する。The light emitted from the xenon lamp 101 passes through the thin glass plate 103, is reflected by the original 102 rotated by the platen 100, and enters the photodiode 104. As a result, the reflected light from the original 102 is photoelectrically converted by the photodiode 104, and the converted output is read out to the outside via the drive IC 107. In this case, the Cr electrode 109
The light of the xenon lamp 101 is the photodiode 10
It also has a function of preventing input from below 4.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１０に示
す如き従来の完全密着型イメージセンサでは、キセノン
ランプ１０１をガラス基板１０８や支持基板１１０の外
側に配置するため、支持基板１１０に斜孔部１２０を形
成することが必要であるのみならず、図示省略したハウ
ジングにキセノンランプ１０１、支持基板１１０、ガラ
ス基板１０８等をアセンブリするために相当な手数を必
要とし、この点より高価なものとならざるを得なかっ
た。キセノンランプ１０１の代わりに発光ダイオードを
使用しても、これを配置するための手段が必要であり、
同様な手数を必要とするため、これまた高価なものにな
らざるを得なかった。By the way, in the conventional perfect contact type image sensor as shown in FIG. 10, since the xenon lamp 101 is arranged outside the glass substrate 108 or the supporting substrate 110, the oblique holes are formed in the supporting substrate 110. Not only is it necessary to form 120, but also a considerable amount of work is required to assemble the xenon lamp 101, the supporting substrate 110, the glass substrate 108, etc. in a housing (not shown), which is more expensive than this. I had no choice. Even if a light emitting diode is used instead of the xenon lamp 101, a means for arranging this is necessary,
Since it requires the same trouble, it is inevitably expensive.
【０００６】従って本発明の目的は、このような問題を
改善するために、非常に構造の簡単な完全密着型イメー
ジセンサを提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide a completely contact type image sensor having a very simple structure in order to solve such a problem.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明では、図１に示す如く、ベース基板４上に薄
膜発光層５と、フォトセンサと駆動回路等を有するセン
サＩＣ回路６を設ける。なお図１において１はプラテン
・ローラ、２は原稿、３は薄板ガラスである。そして７
はサポート基板である。To achieve this object, in the present invention, as shown in FIG. 1, a thin film light emitting layer 5 on a base substrate 4, and a sensor IC circuit 6 having a photosensor, a drive circuit and the like are provided. Set up. In FIG. 1, 1 is a platen roller, 2 is a document, and 3 is a thin glass plate. And 7
Is a support substrate.
【０００８】薄膜発光層５は、例えば有機エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）素子で構成され、原稿２の方向に光
を出力するものである。有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化
合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、
前記薄膜に電子及び正孔（ホール）を注入して再結合さ
せることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この
エキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利
用する薄膜タイプの面発光素子である。The thin-film light emitting layer 5 is composed of, for example, an organic electroluminescence (EL) element, and outputs light in the direction of the original 2. The organic EL element has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between a cathode and an anode,
An exciton is generated by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them, and a thin film type that utilizes light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated. It is a surface emitting element.
【０００９】なお、この有機ＥＬ素子は、発光部位が選
択できるように、電極と有機化合物層との間に絶縁膜が
設けられている。In this organic EL element, an insulating film is provided between the electrode and the organic compound layer so that the light emitting portion can be selected.
【００１０】[0010]
【作用】薄膜発光層５から出力された光は原稿２で反射
され、センサＩＣ回路６で光電変換され、原稿の濃淡画
像に応じた信号が得られる。この構成において、薄膜発
光層５は例えば薄膜面状体の、有機ＥＬ素子で構成され
るので、ベース基板４上にセンサＩＣ回路６とともにフ
ラットに設置することができ、しかもベース基板４部分
に光源からの光を透過させるために必要な斜孔部分を形
成する必要もない。このためベース基板４に対する複雑
な加工も不要であり、アセンブリがきわめて簡単なた
め、完全密着型イメージセンサを小型に、しかも安価に
得ることができる。The light output from the thin film light emitting layer 5 is reflected by the original 2 and photoelectrically converted by the sensor IC circuit 6 to obtain a signal corresponding to a grayscale image of the original. In this configuration, since the thin film light emitting layer 5 is composed of, for example, a thin film planar organic EL element, it can be installed flat on the base substrate 4 together with the sensor IC circuit 6, and the light source is provided on the base substrate 4 portion. It is not necessary to form the inclined hole portion necessary for transmitting the light from the. Therefore, complicated processing for the base substrate 4 is not required, and the assembly is extremely simple, so that the perfect contact type image sensor can be obtained in a small size and at a low cost.
【００１１】[0011]
〔本発明の第１実施例〕本発明の第１実施例を図１〜図
７に基づき説明する。図１は本発明の第１実施例構成
図、図２、図３はセンサＩＣ回路の概略構成状態説明
図、図４は有機ＥＬ素子の一例、図５は有機ＥＬ素子の
第２例、図６は低エネルギー電子分光装置説明図、図７
は有機ＥＬ素子の他の例を示す。[First Embodiment of the Present Invention] A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are schematic configuration state explanatory diagrams of a sensor IC circuit, FIG. 4 is an example of an organic EL element, FIG. 5 is a second example of an organic EL element, and FIG. 6 is an explanatory view of a low energy electron spectrometer, FIG.
Shows another example of the organic EL element.
【００１２】まず図１に示すセンサＩＣ回路６の概略構
成を図２、図３により説明する。センサＩＣ回路６はセ
ンサ部とＴＦＴ部により構成され、光電センサ及びシフ
トレジスタ、駆動スイッチ等の駆動回路機能を有するも
のである。First, a schematic structure of the sensor IC circuit 6 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. The sensor IC circuit 6 is composed of a sensor section and a TFT section, and has a drive circuit function such as a photoelectric sensor, a shift register, and a drive switch.
【００１３】石英基板１１上にジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）
ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により、アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）層１２を約１０００Åの厚さに成膜する
（図２（ａ）参照）。Disilane (Si 2 H 6 ) is formed on the quartz substrate 11.
An amorphous silicon (a-Si) layer 12 is formed to a thickness of about 1000Å by a low pressure CVD method using gas (see FIG. 2A).
【００１４】成膜条件は以下の通りである。 Ｓｉ2 Ｈ6 ガス １００ＳＣＣＭ Ｈｅガス ２００ＳＣＣＭ 圧力 ０．３Ｔｏｒｒ 加熱温度 ４５０℃〜５７０℃ 次にａ−Ｓｉ層１２をＮ2 雰囲気中で５５０℃〜６００
℃で８時間〜５６時間加熱し、固相成長によりａ−Ｓｉ
層１２を固相成長した膜１２′とする。The film forming conditions are as follows. Si 2 H 6 gas 100 SCCM He gas 200 SCCM Pressure 0.3 Torr Heating temperature 450 ° C. to 570 ° C. Next, the a-Si layer 12 is heated to 550 ° C. to 600 ° C. in N 2 atmosphere.
A-Si by solid phase growth by heating at ℃ for 8 to 56 hours
The layer 12 is a solid-phase grown film 12 '.
【００１５】その後、この固相成長した膜１２′をレジ
ストを用いたドライエッチングによってエッチングし、
固相成長した膜１２′の島を形成する。この固相成長し
た膜１２′上に、後述するように、ＴＦＴを形成し、石
英基板１１の開孔部１１′にセンサ部を形成することに
なる（図２（ｂ）参照）。Thereafter, the solid phase grown film 12 'is etched by dry etching using a resist,
The islands of the solid phase grown film 12 'are formed. As will be described later, a TFT is formed on this solid-phase grown film 12 ', and a sensor portion is formed in the opening 11' of the quartz substrate 11 (see FIG. 2B).
【００１６】固相成長した膜１２′を含む基板全体にフ
ィールド酸化膜用のＳｉＯ2 膜１３をＲＦスパッタリン
グにより形成した後、レジストによりパターニングして
チャンネル部を開孔する（図２（ｃ）参照）。A SiO 2 film 13 for a field oxide film is formed by RF sputtering on the entire substrate including the solid phase grown film 12 'and then patterned by a resist to open a channel portion (see FIG. 2C). ).
【００１７】基板全体にゲート酸化膜用のＳｉＯ2 膜を
スパッタ法で次の成膜条件により形成する。 Ｏ2 圧 ４ミリＴｏｒｒ 使用電力 １．５ＫＷ 成膜温度 １５０℃ 膜厚 ５００Å〜１５００Å 次にこの上にゲート電極用のａ−Ｓｉ層を形成した後、
レジストを用いた２段階のエッチングにより、ゲート電
極、ゲート酸化膜のパターニングを行い、ゲート酸化膜
１４、ゲート電極１５を形成する（図２（ｄ）参照）。A SiO 2 film for a gate oxide film is formed on the entire substrate by a sputtering method under the following film forming conditions. O 2 pressure 4 mm Torr power consumption 1.5 KW film formation temperature 150 ° C. film thickness 500Å to 1500Å Next, after forming an a-Si layer for a gate electrode on this,
The gate electrode and the gate oxide film are patterned by two-step etching using a resist to form the gate oxide film 14 and the gate electrode 15 (see FIG. 2D).
【００１８】イオン打ち込み用のマスクとして、一方の
チャンネル部開孔部にレジスト１６を形成し、開孔部に
例えばリン（Ｐ）イオンをドープする（図２（ｅ）参
照）。次にこのレジスト１６は剥離し、第２のイオン打
ち込みのためマスク用レジスト１７を形成し、開孔部に
例えばホウ素（Ｂ）イオンをドープし、Ｃ−ＭＯＳＦＥ
Ｔを形成する（図２（ｆ）参照）。As a mask for ion implantation, a resist 16 is formed in one channel opening, and the opening is doped with, for example, phosphorus (P) ions (see FIG. 2E). Next, the resist 16 is peeled off, a mask resist 17 is formed for the second ion implantation, and the openings are doped with, for example, boron (B) ions to form C-MOSFE.
T is formed (see FIG. 2F).
【００１９】その後レジスト１７を剥離後、Ｎ2 雰囲気
で５５０℃〜６００℃で２４時間加熱し、ドーパントの
活性化とゲートａ−Ｓｉ層１５の結晶化を行う。さらに
例えばＨ2 雰囲気中で４００℃３０分間加熱して水素化
を行い、チャンネル層を含む半導体層の欠陥準位を減少
させる。After removing the resist 17, the resist 17 is heated in an N 2 atmosphere at 550 ° C. to 600 ° C. for 24 hours to activate the dopant and crystallize the gate a-Si layer 15. Further, hydrogenation is performed by heating at 400 ° C. for 30 minutes in an H 2 atmosphere to reduce the defect level of the semiconductor layer including the channel layer.
【００２０】それから基板全体にスパッタリングにより
層間絶縁膜としてＳｉＯ2 膜１８を形成する（図３
（ａ）参照）。次にＴＦＴの形成されない、即ち固相成
長した膜１２′の開孔部上のＳｉＯ2膜１８上にセンサ
部を下記のようにして形成する。Then, a SiO 2 film 18 is formed as an interlayer insulating film on the entire substrate by sputtering (FIG. 3).
(See (a)). Next, a sensor portion is formed as follows on the SiO 2 film 18 on which the TFT is not formed, that is, on the opening portion of the solid-phase grown film 12 '.
【００２１】先ずＳｉＯ2 膜１８の所定部分にフォトダ
イオード用の下部電極としてＣｒ膜１９を形成し、パタ
ーニングし遮光層とし、この上に素子部としてＰＩＮ構
造のａ−Ｓｉ膜２０を形成後パターニングする。さらに
ＩＴＯ膜２１を例えば蒸着又はスパッタリングで成膜後
パターニングして透明電極を形成し、フォトダイオード
を完成する（図３（ｂ）参照）。First, a Cr film 19 is formed as a lower electrode for a photodiode on a predetermined portion of the SiO 2 film 18 and patterned to form a light-shielding layer, and an a-Si film 20 having a PIN structure is formed thereon as an element portion and then patterned. To do. Further, the ITO film 21 is formed by, for example, vapor deposition or sputtering and then patterned to form a transparent electrode, thereby completing the photodiode (see FIG. 3B).
【００２２】次にＴＦＴ側の層間絶縁膜のＳｉＯ2 膜１
８をパターニングして電極用のスルーホールを形成後、
約１０００Åの厚さのＣｒ層と約１μｍの厚さのＡｌ層
から成る２層構造の金属膜２２を成膜する（図３（ｃ）
参照）。Next, the SiO 2 film 1 of the interlayer insulating film on the TFT side
After patterning 8 to form through holes for electrodes,
A metal film 22 having a two-layer structure composed of a Cr layer having a thickness of about 1000Å and an Al layer having a thickness of about 1 μm is formed (FIG. 3C).
reference).
【００２３】それからレジストを用いたウエットエッチ
ングによりパターニングして電極配線層２２′とし、セ
ンサ部とＴＦＴ部とを接続する（図３（ｄ）参照）。こ
のようにして、図１に示すセンサＩＣ回路６を構成した
あとで、例えば図４に示すように有機ＥＬ素子で構成さ
れる薄膜発光層５を形成する。Then, patterning is performed by wet etching using a resist to form an electrode wiring layer 22 ', and the sensor portion and the TFT portion are connected (see FIG. 3 (d)). After the sensor IC circuit 6 shown in FIG. 1 is formed in this way, the thin film light emitting layer 5 formed of an organic EL element is formed as shown in FIG. 4, for example.
【００２４】次に、薄膜発光層５を構成する有機ＥＬ素
子の形成工程を説明する。真空槽を１×１０-4Ｐａ以下
まで減圧した後に、石英基板１１のような絶縁性基板表
面上に、ＭｇＡｇ（重量比１０：１）３０を蒸着速度
０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで約２００ｎｍの厚さに陰
極として蒸着する（図４（ａ））。なお１３３Ｐａ＝１
Ｔｏｒｒである。Next, the process of forming the organic EL element forming the thin film light emitting layer 5 will be described. After depressurizing the vacuum chamber to 1 × 10 −4 Pa or less, MgAg (weight ratio 10: 1) 30 is deposited on the surface of an insulating substrate such as the quartz substrate 11 at a deposition rate of 0.2 to 0.3 nm / sec. A cathode is deposited to a thickness of about 200 nm (FIG. 4 (a)). Note that 133 Pa = 1
Torr.
【００２５】次にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ4 又
はＳｉＯ2 からなる絶縁層３１を５０ｎｍ成膜する（図
４（ｂ）参照）。ＳｉＮ4 の成膜条件は以下の通りであ
る。Next, an insulating layer 31 made of SiN 4 or SiO 2 is formed to a thickness of 50 nm by the plasma CVD method (see FIG. 4B). The film forming conditions for SiN 4 are as follows.
【００２６】パワー ５０Ｗ ＳｉＨ4 ５０ＳＣＣＭ ＮＨ3 ７０ＳＣＣＭ 圧力 １０〜１００Ｐａ 温度 ３５０℃ またＳｉＯ2 の成膜条件は以下の通りである。Power 50 W SiH 4 50 SCCM NH 3 70 SCCM Pressure 10 to 100 Pa Temperature 350 ° C. The SiO 2 film forming conditions are as follows.
【００２７】パワー ５０Ｗ ＴＥＯＳガス ５０ＳＣＣＭ Ｏ2 ５００ＳＣＣＭ 圧力 １０〜７０Ｐａ 温度 ３５０℃ ここでＴＥＯＳはテトラエトキシシランである。Power 50 W TEOS gas 50 SCCM O 2 500 SCCM Pressure 10-70 Pa Temperature 350 ° C. Here, TEOS is tetraethoxysilane.
【００２８】そして、この絶縁層３１を発光部分に相当
する箇所のみを窓開けする（図４（ｃ）参照）。次に再
び真空槽を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧したのち、まず
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下Ａｌｑ
３ともいう）（Ｉｐ＝５．７ｅＶ，Ｅａ＝３．０ｅＶ）
を蒸着速度約０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで約５０ｎｍ
の厚さに蒸着し、電子注入輸送層・発光層３２を形成す
る。Then, a window is opened in this insulating layer 31 only at a portion corresponding to a light emitting portion (see FIG. 4C). Next, the vacuum chamber was decompressed again to 1 × 10 −4 Pa or less, and then tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter referred to as Alq
3) (Ip = 5.7 eV, Ea = 3.0 eV)
Is about 50 nm at a deposition rate of about 0.1 to 0.2 nm / sec.
To form an electron injecting / transporting layer / light emitting layer 32.
【００２９】更に減圧状態を保ったまま、下記化６で表
されるＮ，Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′
−ジフェニル−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェ
ニル（以下化６の化合物ともいう）を同様に約７５ｎｍ
の厚さに蒸着し、正孔注入輸送層３３を形成する。Further, while maintaining the reduced pressure, N, N'-di (3-methylphenyl) -N, N 'represented by the following chemical formula 6 is shown.
-Diphenyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl (also referred to as the compound of the following chemical formula 6) is similarly used at about 75 nm.
To form a hole injecting and transporting layer 33.
【００３０】この上にＩＴＯ膜３４を蒸着又はスパッタ
リングにより成膜して透明電極を形成した。このＩＴＯ
膜３４は陽極である（図４（ｄ）参照）。その後更に約
１００ｎｍの厚さのＣｒ層３５と、その上に約１μｍの
厚さのＡｌ層３６を成膜し、例えばドライエッチングに
よりパターニングして発光用の穴部分を形成し、２層構
造からなる電極配線層を形成した（図４（ｅ）参照）。An ITO film 34 was formed thereon by vapor deposition or sputtering to form a transparent electrode. This ITO
The film 34 is an anode (see FIG. 4 (d)). After that, a Cr layer 35 having a thickness of about 100 nm and an Al layer 36 having a thickness of about 1 μm are further formed on the Cr layer 35, and patterning is performed by, for example, dry etching to form a hole portion for light emission. An electrode wiring layer was formed (see FIG. 4E).
【００３１】このあと、全体に例えば低温プラズマ法に
より、ＳｉＮｘ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯｎ，ＳｉＯ2 等よ
りなる保護膜を形成後、各単位毎に分断してイメージセ
ンサを完成する。そしてこれをサポート基板７を介し
て、厚さ５０μｍ〜１５０μｍ位の薄板ガラス３の下方
に設置する。この場合センサＩＣ回路６や有機ＥＬ素子
５は１μｍ〜３μｍ位の厚さに形成することができる。After that, a protective film made of SiNx, Si 3 N 4 , SiOn, SiO 2 or the like is formed on the entire surface by, for example, a low temperature plasma method, and then divided into units to complete an image sensor. Then, this is placed below the thin glass plate 3 having a thickness of about 50 μm to 150 μm via the support substrate 7. In this case, the sensor IC circuit 6 and the organic EL element 5 can be formed to have a thickness of about 1 μm to 3 μm.
【００３２】このようにしてベース基板４上に、センサ
部分とその駆動回路を構成するＴＦＴを有するセンサＩ
Ｃ回路６と、例えば有機ＥＬ素子で構成される薄膜発光
層５を形成し、フラットに構成することができるのみな
らず、ベース基板４に透光用の孔部を形成する必要もな
いので、ベース構造をフラットにでき、複雑な加工がい
らない。In this way, the sensor I having the sensor portion and the TFTs constituting the drive circuit thereof is formed on the base substrate 4.
Since the C circuit 6 and the thin-film light emitting layer 5 composed of, for example, an organic EL element can be formed to be flat, and it is not necessary to form a light transmitting hole in the base substrate 4, The base structure can be flat and does not require complicated processing.
【００３３】しかもセンサに対する駆動回路もセンサと
一体に内蔵されているので、まわりの回路部品を少なく
することができ、したがって構造が簡単になるので、従
来の完全密着型イメージセンサよりもはるかにコンパク
トに、小型にすることができる。Moreover, since the drive circuit for the sensor is also integrated with the sensor, it is possible to reduce the number of circuit components around the sensor, and therefore the structure is simplified, so that it is much more compact than the conventional full contact image sensor. Moreover, it can be made small.
【００３４】また光源として用いている有機ＥＬ素子で
構成される薄膜発光層５はムラのない均一な面発光が可
能であり、高輝度が長時間に渡って安定して得られる。
波長によっても異なるが１００〜１００００ｃｄ／ｍ2
程度、あるいはそれ以上の高輝度も得られる。その結
果、原稿から十分な反射光が得られる。なおこの有機Ｅ
Ｌ素子の発光極大波長は、３５０〜７００ｎｍ程度であ
る。Further, the thin film light emitting layer 5 composed of the organic EL element used as the light source is capable of uniform and uniform surface emission, and high brightness can be stably obtained for a long time.
100 to 10000 cd / m 2 although it depends on the wavelength
High brightness of a degree or more can be obtained. As a result, sufficient reflected light can be obtained from the document. This organic E
The maximum emission wavelength of the L element is about 350 to 700 nm.
【００３５】有機ＥＬ素子は図４に説明したものに限定
されるものではない。本発明における有機ＥＬ素子は、
少なくとも１層の有機化合物層を有し、少なくとも１層
の有機化合物層が化２で表されるテトラアリールジアミ
ン誘導体（「化２の化合物」ともいう。）を含有する。The organic EL element is not limited to the one described in FIG. The organic EL element of the present invention is
It has at least one organic compound layer, and at least one organic compound layer contains a tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 2 (also referred to as "compound of Chemical formula 2").
【００３６】[0036]
【化２】 Embedded image
【００３７】〔化２において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ
4 はそれぞれアリール基、アルキル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。
ｒ１、ｒ２、ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の
整数である。Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらは同一で
も異なる物であってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ
０又は１〜４の整数である。〕化２で表されるテトラア
リールジアミン誘導体は、融点やガラス転移温度が高
く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以
上でも安定なアモルファス状態を形成し、長期間に渡っ
て平滑で良好な膜質を示す。[In Chemical Formula 2, R 1 , R 2 , R 3 and R
4 is an aryl group, an alkyl group, an alkoxy group,
It represents an aryloxy group, an amino group or a halogen atom.
r1, r2, r3 and r4 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. The tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 2 has a high melting point and glass transition temperature, and a thin film formed by vapor deposition or the like forms a transparent amorphous state that is stable even at room temperature or higher, and for a long period of time. It shows a smooth and good film quality.
【００３８】ここで化２について説明する。化２におい
て、Ｒ1 〜Ｒ4 は、それぞれアリール基、アルキル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又はハロゲ
ン原子を表す。ｒ１〜ｒ４は、それぞれ０又は１〜５の
整数である。Ｒ5 及びＲ6 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基又はハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。ｒ５及びｒ６
は、それぞれ０又は１〜４の整数である。The chemical formula 2 will be described below. In Chemical formula 2, R 1 to R 4 are each an aryl group, an alkyl group,
It represents an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom. r1 to r4 are integers of 0 or 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6
Are each 0 or an integer of 1 to 4.
【００３９】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるアリール基として
は、単環もしくは多環のものであってよく、縮合環や環
縮合も含まれる。総炭素数は６〜２０のものが好まし
く、置換基を有していてもよい。この場合の置換基とし
ては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。The aryl group represented by R 1 to R 4 may be monocyclic or polycyclic, and includes condensed rings and ring condensation. The total carbon number is preferably 6 to 20 and may have a substituent. Examples of the substituent in this case include an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group and a halogen atom.
【００４０】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるアリール基の具体例
としては、フェニル基、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル
基、ピレニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニ
ル基、フェニルアントリル基、トリルアントリル基等が
挙げられ、特にフェニル基が好ましく、アリール基、特
にフェニル基の結合位置は３位又は４位であることが好
ましい。Specific examples of the aryl group represented by R 1 to R 4 include phenyl group, (o-, m-, p-) tolyl group, pyrenyl group, naphthyl group, anthryl group, biphenyl group and phenylan. Examples thereof include a tolyl group and a tolylanthryl group, and a phenyl group is particularly preferable, and an aryl group, particularly a phenyl group, is preferably bonded to the 3-position or 4-position.
【００４１】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるアルキル基として
は、直鎖状でも分岐を有するものであってもよく、炭素
数１〜１０のものが好ましく、置換基を有していてもよ
い。この場合の置換基としてはアリール基と同様のもの
が挙げられる。The alkyl group represented by R 1 to R 4 may be linear or branched, preferably has 1 to 10 carbon atoms, and may have a substituent. . Examples of the substituent in this case include those similar to the aryl group.
【００４２】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるアルキル基として
は、メチル基、エチル基、（ｎ−，ｉ−）プロピル基、
（ｎ−，ｉ−，ｓ−，ｔ−）ブチル基等が挙げられる。
特にメチル基とｔ−ブチル基が好ましい。さらには、Ｒ
1 かＲ3 のどちらかとＲ2 かＲ 4 のどちらかに３位の位
置でメチル基が、又はｔ−ブチル基が結合していること
が好ましい。R1~ RFourAs an alkyl group represented by
Is a methyl group, an ethyl group, a (n-, i-) propyl group,
(N-, i-, s-, t-) butyl group etc. are mentioned.
Particularly, a methyl group and a t-butyl group are preferable. Furthermore, R
1Or R3Or R2Or R Four3rd place in either
A methyl group or a t-butyl group is attached
Is preferred.
【００４３】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるアルコキシ基として
は、アルキル部分の炭素数１〜６のものが好ましく、具
体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が
挙げられる。アルコキシ基はさらに置換されていてもよ
い。The alkoxy group represented by R 1 to R 4 is preferably an alkyl group having a carbon number of 1 to 6, and specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group and a t-butoxy group. The alkoxy group may be further substituted.
【００４４】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるアリールオキシ基と
しては、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−
（ｔ−ブチル）フェノキシ基等が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ
4 で表されるアミノ基としては、無置換でも置換基を有
するものであってもよいが、置換基を有するものが好ま
しく、具体的にはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、ビス（ジフェニル）アミノ基
等が挙げられる。The aryloxy group represented by R 1 to R 4 includes a phenoxy group, a 4-methylphenoxy group and a 4-methylphenoxy group.
(T-butyl) phenoxy group and the like. R 1 ~ R
The amino group represented by 4 may be unsubstituted or may have a substituent, but those having a substituent are preferable, and specifically, dimethylamino group, diethylamino group, diphenylamino group, bis ( And a diphenyl) amino group.
【００４５】Ｒ1 〜Ｒ4 で表されるハロゲン原子として
は、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ4 の
うちの少なくとも１つがアリール基であることが、さら
には２つ以上、特には３つ以上のものが好ましい。従っ
て、ｒ１〜ｒ４のなかの１つ以上、さらには２つ以上、
特には３つ以上が１以上の整数であることが好ましく、
さらに特にはｒ１〜ｒ４のなかの２つ以上、さらには３
つ以上が１であることが好ましい。Examples of the halogen atom represented by R 1 to R 4 include chlorine atom and bromine atom. It is preferable that at least one of R 1 to R 4 is an aryl group, more preferably 2 or more, and especially 3 or more. Therefore, one or more of r1 to r4, and further two or more,
Particularly, it is preferable that three or more are integers of 1 or more,
More particularly, two or more of r1 to r4, and further 3
It is preferable that one or more is 1.
【００４６】化５において、Ｒ5 、Ｒ6 で表されるアル
キル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子として
はＲ1 〜Ｒ4 のところで挙げたものと同様のものが挙げ
られる。In the chemical formula 5, the alkyl group, alkoxy group, amino group and halogen atom represented by R 5 and R 6 are the same as those mentioned in R 1 to R 4 .
【００４７】ｒ５、ｒ６は、ともに０であることが好ま
しく、２つのアリールアミノ基を連結するビフェニレン
基は無置換のものが好ましい。なお、ｒ１〜ｒ４が２以
上の整数のとき、各Ｒ1 〜Ｒ4 同士は各々同一でも異な
るものであってもよい。また、ｒ５、ｒ６が２以上の整
数のとき、Ｒ5 同士、Ｒ6 同士は同一でも異なるもので
あってもよい。Both r5 and r6 are preferably 0, and the biphenylene group connecting the two arylamino groups is preferably unsubstituted. When r1 to r4 are integers of 2 or more, R 1 to R 4 may be the same or different. Further, when r5 and r6 are integers of 2 or more, R 5 s and R 6 s may be the same or different.
【００４８】化２の化合物のなかでも、特に、化３〜化
７で表される化合物が好ましい。Among the compounds represented by Chemical formula 2, the compounds represented by Chemical formulas 3 to 7 are particularly preferable.
【００４９】[0049]
【化３】 [Chemical 3]
【００５０】[0050]
【化４】 [Chemical 4]
【００５１】[0051]
【化５】 [Chemical 5]
【００５２】[0052]
【化６】 [Chemical 6]
【００５３】[0053]
【化７】 [Chemical 7]
【００５４】（有機ＥＬ素子の第２例）本発明の有機Ｅ
Ｌ素子の他の構成例を図５に示す。同図に示される有機
ＥＬ素子７１は、基板７２上に陰極７３、電子注入輸送
層７４、発光層７５、正孔注入輸送層７６、陽極７７を
順次有する。(Second Example of Organic EL Element) Organic E of the Present Invention
Another configuration example of the L element is shown in FIG. The organic EL device 71 shown in the figure has a cathode 73, an electron injecting and transporting layer 74, a light emitting layer 75, a hole injecting and transporting layer 76, and an anode 77 on a substrate 72 in this order.
【００５５】発光層は、正孔（ホール）及び電子の注入
機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励
起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的ニュ
ートラルな化合物を用いることが好ましい。正孔注入輸
送層は、陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔
を輸送する機能及び電子を妨げる機能を有し、電子注入
輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、電
子を輸送する機能及び正孔を妨げる機能を有するもので
あり、これらの層は、発光層へ注入される正孔や電子を
増大・閉じ込めさせ、再結合領域を最適化させ、発光効
率を改善する。The light emitting layer has a function of injecting holes and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. It is preferable to use a relatively neutral compound for the light emitting layer. The hole injecting and transporting layer has a function of facilitating injection of holes from the anode, a function of transporting holes and a function of hindering electrons, and the electron injecting and transporting layer facilitates injection of electrons from the cathode. These layers have a function of transporting electrons, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes, and these layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, and emit light. Improve efficiency.
【００５６】正孔注入輸送層及び電子注入輸送層は、発
光層に用いる化合物の正孔注入、正孔輸送、電子注入、
電子輸送の各機能の高さを考慮し、必要に応じて設けら
れる。The hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer are used for the hole injecting, hole transporting, electron injecting,
It is provided as necessary in consideration of the height of each function of electron transport.
【００５７】例えば、発光層に用いる化合物の正孔注入
輸送機能又は電子注入輸送機能が高い場合には、正孔注
入輸送層又は電子注入輸送層を設けずに、発光層が正孔
注入輸送層又は電子注入輸送層を兼ねる構成とすること
ができる。また、場合によっては正孔注入輸送層及び電
子注入輸送層のいずれも設けなくてよい。また、正孔注
入輸送層及び電子注入輸送層は、それぞれにおいて、注
入機能を持つ層と輸送機能を持つ層とに別個に設けても
よい。For example, when the compound used for the light emitting layer has a high hole injecting / transporting function or an electron injecting / transporting function, the light emitting layer is not provided with the hole injecting / transporting layer or the electron injecting / transporting layer. Alternatively, the structure can also serve as the electron injecting and transporting layer. In some cases, neither the hole injecting / transporting layer nor the electron injecting / transporting layer may be provided. Further, the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer may be separately provided in the layer having the injection function and the layer having the transport function.
【００５８】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さ及び
電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法によ
っても異なるが、通常、５〜１０００ｎｍ程度、特に１
０〜２００ｎｍとすることが好ましい。The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method, but usually about 5 to 1000 nm, particularly 1 nm.
The thickness is preferably 0 to 200 nm.
【００５９】正孔注入輸送層の厚さ及び電子注入輸送層
の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の
厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすればよ
い。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分け
る場合は、注入層は１ｎｍ以上、輸送層は２０ｎｍ以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で１００ｎｍ程度、輸送層で１
０００ｎｍ程度である。このような膜厚については注入
輸送層を２層設けるときも同じである。The thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times, depending on the design of the recombination / light emitting region. . When the electron injection layer and the electron injection hole transport layer are separated from each other, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 20 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 100 nm in the injection layer and 1 in the transport layer.
It is about 000 nm. Such a film thickness is the same when two injecting and transporting layers are provided.
【００６０】又、組み合わせる発光層や電子注入輸送層
や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度（イ
オン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）を考慮
しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合領域
・発光領域を自由に設計することが可能であり、発光色
の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光スペ
クトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にでき
る。又基板に色フィルター膜や誘電体反射膜を用いて発
光色をコントロールしてもよい。Further, recombination is performed by controlling the film thickness while considering the carrier mobility and carrier density (determined by the ionization potential / electron affinity) of the combined light emitting layer, electron injecting and transporting layer and hole injecting and transporting layer. It is possible to freely design the area and the light emitting area, and it is possible to design the light emitting color, control the light emitting luminance and the light emitting spectrum by the interference effect of both electrodes, and control the spatial distribution of light emission. The substrate may be provided with a color filter film or a dielectric reflection film to control the emission color.
【００６１】化２の化合物は、発光層、正孔注入輸送層
のいずれにも適用可能であるが、正孔注入輸送性が良好
であるので、正孔注入輸送層に用いることが好ましい。
化２の化合物を正孔注入輸送層に用いる場合について説
明する。正孔注入輸送層は、本発明の化合物を蒸着する
か、あるいは樹脂バインダー中に分散させてコーティン
グして形成すればよい。特に蒸着を行えば良好なアモル
ファス膜が得られる。The compound of Chemical formula 2 is applicable to both the light emitting layer and the hole injecting and transporting layer, but since it has a good hole injecting and transporting property, it is preferably used in the hole injecting and transporting layer.
The case where the compound of Chemical formula 2 is used for the hole injecting and transporting layer will be described. The hole injecting and transporting layer may be formed by vapor-depositing the compound of the present invention or by dispersing it in a resin binder and coating it. Particularly, good vapor deposition can be obtained by vapor deposition.
【００６２】又、通常の有機ＥＬ素子に用いられている
各種有機化合物、例えば、特開昭６３−２９５６９５号
公報、特開平２−１９１６９４号公報、特開平３−７９
２号公報等に記載されている各種有機化合物を正孔注入
輸送層に併用することができる。例えば、化２の化合物
以外の他の芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カル
バゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリ
チオフェン等を本発明の化合物と積層したり、混合した
りしてもよい。Further, various organic compounds used in ordinary organic EL devices, for example, JP-A-63-295695, JP-A-2-191694, and JP-A-3-79.
Various organic compounds described in Japanese Patent Publication No. 2 and the like can be used in combination in the hole injecting and transporting layer. For example, an aromatic tertiary amine other than the compound of Chemical formula 2, a hydrazone derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an imidazole derivative, an oxadiazole derivative having an amino group, polythiophene, or the like is laminated or mixed with the compound of the present invention. You may do it.
【００６３】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設置する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテン
シャルの小さい化合物の層の順に積層することが好まし
い。また陽極表面には薄膜性の良好な化合物を用いるこ
とが好ましい。このような積層順については、正孔注入
輸送層を２層以上設けるときも同様である。このような
積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リ
ークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことが
できる。又、素子化する場合、蒸着を用いているので１
〜１０ｎｍ程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリー
とすることができるため、正孔注入層にイオン化ポテン
シャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用
いても、発光色の色調変化や再吸収により効率の低下を
防ぐことができる。When the hole injecting and transporting layer is separately provided in the hole injecting layer and the hole transporting layer, preferable combinations can be selected and used from the compounds for the hole injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack layers of a compound having a small ionization potential in order from the anode (ITO or the like) side. Further, it is preferable to use a compound having a good thin film property on the surface of the anode. This stacking order is the same when two or more hole injecting and transporting layers are provided. By adopting such a stacking order, the driving voltage is lowered, and it is possible to prevent the occurrence of current leakage and the generation / growth of dark spots. In addition, when using it as an element, since vapor deposition is used, 1
Since a thin film of about 10 nm can be made uniform and pinhole-free, even if a compound having a small ionization potential and absorption in the visible region is used in the hole injection layer, the change in the color tone of the emission color and the Reabsorption can prevent a decrease in efficiency.
【００６４】化２の化合物を主成分とする正孔注入輸送
層に併用する有機化合物としては、ポリチオフェンが好
ましく、化２の化合物を正孔輸送層もしくは第二正孔注
入輸送層として蒸着した後に、薄膜性の良好な正孔注入
層もしくは第一正孔注入輸送層としてポリチオフェンを
積層することはイオン化ポテンシャルの点からさらに好
ましい。Polythiophene is preferable as the organic compound used in the hole injecting / transporting layer containing the compound of Chemical formula 2 as the main component, and after the compound of Chemical formula 2 is vapor-deposited as the hole transporting layer or the second hole injecting / transporting layer. It is more preferable to stack polythiophene as the hole injecting layer or the first hole injecting and transporting layer having a good thin film property from the viewpoint of the ionization potential.
【００６５】本発明に用いることが好ましいポリチオフ
ェンとしては、化８で示される構造単位を有する重合体
（以下、「重合体」ともいう。）が挙げられる。The polythiophene preferably used in the present invention includes a polymer having a structural unit represented by Chemical formula 8 (hereinafter, also referred to as "polymer").
【００６６】[0066]
【化８】 Embedded image
【００６７】化８の重合体について説明する。化８につ
いて記すと、未端基Ｘ1 及びＸ2 は、それぞれ同一でも
異なるものであってもよく、水素原子又は塩素、臭素、
ヨウ素等のハロゲン原子である。Ｘ1 及びＸ2 は重合体
の合成の際の出発原料に依存する。The polymer of Chemical formula 8 will be described. With respect to the chemical formula 8, the unterminated groups X 1 and X 2 may be the same or different, and a hydrogen atom or chlorine, bromine,
It is a halogen atom such as iodine. X 1 and X 2 depend on the starting materials in the polymer synthesis.
【００６８】ｎは平均重合度を表し、層中では４〜１０
０、好ましくは５〜４０、さらに好ましくは５〜２０で
ある。又、層中における重合体の重量平均分子量は３０
０〜１００００程度である。N represents an average degree of polymerization, and is 4 to 10 in the layer.
0, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 20. The weight average molecular weight of the polymer in the layer is 30.
It is about 0 to 10000.
【００６９】本発明に用いるポリチオフェンの融点は３
００℃以上、又は融点を持たないものであり、真空蒸着
によりアモルファス状態あるいは微結晶状態の良質な膜
が得られる。The polythiophene used in the present invention has a melting point of 3
It has a melting point of not less than 00 ° C. or has no melting point, and a high-quality film in an amorphous state or a microcrystalline state can be obtained by vacuum vapor deposition.
【００７０】上記のように、化２の化合物を正孔注入輸
送層に用いる場合、発光層中には発光機能を有する化合
物である蛍光性物質が含まれる。この蛍光性物質として
は、例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も１種が挙げられる。その他トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等の金属錯体色素、テトラフェニルブ
タジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１２−
フタロペリノン誘導体等が挙げられる。これらの有機蛍
光体を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散さ
せてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さ
に形成する。As described above, when the compound of Chemical formula 2 is used for the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. Examples of the fluorescent substance include at least one selected from compounds such as those disclosed in JP-A-63-264692, such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Other metal complex dyes such as tris (8-quinolinolato) aluminum, tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, 12-
Examples include phthaloperinone derivatives. These organic phosphors are vapor-deposited or dispersed in a resin binder for coating to form a light-emitting layer with a predetermined thickness.
【００７１】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム等の有機金属錯体、オキサジアゾ
ール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミ
ジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジ
フェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等
を用いることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ね
たものであってもよく、このような場合はトリス（８−
キノリノラト）アルミニウム等を使用することも好まし
い。電子注入輸送層の形成も正孔注入輸送層や発光層と
同様に蒸着等によればよい。The electron injecting and transporting layer includes an organometallic complex such as tris (8-quinolinolato) aluminum, an oxadiazole derivative, a perylene derivative, a pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoline derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, and a nitro-substituted fluorene. A derivative or the like can be used. The electron injecting and transporting layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, tris (8-
It is also preferable to use quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like as in the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer.
【００７２】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合
物の層の順に積層することが好ましい。このような積層
順については電子注入輸送層を２層以上設けるときも同
様である。When the electron injecting and transporting layer is separately formed into the electron injecting layer and the electron transporting layer, preferred combinations can be selected and used from the compounds for the electron injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the compound layers having a large electron affinity value in this order from the cathode side. The stacking order is the same when two or more electron injecting and transporting layers are provided.
【００７３】又、本発明では、化２の化合物を含有する
層と他の機能を有する化合物を含有する層との間に両方
の化合物の混合物を含有する混合層を特に発光層として
設けることが好ましい。さらには、発光強度を高めるた
めに、その混合層に発光機能を有する化合物（蛍光性物
質）をドープしてもよい。Further, in the present invention, a mixed layer containing a mixture of both compounds is preferably provided as a light emitting layer between the layer containing the compound of Chemical formula 2 and the layer containing the compound having another function. preferable. Further, in order to increase the emission intensity, the mixed layer may be doped with a compound having a light emitting function (fluorescent substance).
【００７４】特に、化２の化合物が正孔注入輸送機能を
有する化合物であることから、電子注入輸送機能を有す
る化合物（発光機能を併せもつ化合物も含む。）との混
合物を含有する層を発光層として設けることが好まし
い。In particular, since the compound of Chemical formula 2 is a compound having a hole injecting and transporting function, a layer containing a mixture with a compound having an electron injecting and transporting function (including a compound having a light emitting function) emits light. It is preferably provided as a layer.
【００７５】化２の化合物と電子注入輸送機能を有する
化合物とを混合した有機化合物層を特に発光層として設
けることにより、混合層にはキャリアのホッピング伝導
パスができることになるので、混合層に注入された各キ
ャリアは極性的により優勢な物質中を移動する。すなわ
ち正孔は正孔注入輸送性固体中を、又電子は電子注入輸
送性固体中を移動することになり、逆の極性のキャリア
注入は起こりにくくなるため有機化合物がダメージを受
けにくくなり、ＥＬ素子の寿命が大幅に向上する。By providing an organic compound layer in which the compound of Chemical formula 2 is mixed with a compound having an electron injecting / transporting function, particularly as a light emitting layer, a hopping conduction path of carriers can be formed in the mixed layer, so that the mixed layer is injected. Each of the carriers carried migrates through the more polar material. That is, holes move in the hole injecting / transporting solid and electrons move in the electron injecting / transporting solid, and carrier injection of the opposite polarity is less likely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged, and EL The life of the device is significantly improved.
【００７６】この混合に供する電子注入輸送機能を有す
る化合物は、前記の電子注入輸送用の化合物の中から選
択して用いることができる。具体的には、トリス（８−
キノリノラト）アルミニウム等を用いることが好まし
い。The compound having an electron injecting and transporting function to be used for this mixing can be selected from the above compounds for electron injecting and transporting. Specifically, Tris (8-
It is preferable to use quinolinolato) aluminum or the like.
【００７７】さらに、混合層において、正孔及び電子注
入輸送機能を有する化合物は各々１種のみを用いても２
種以上併用してもよく、正孔注入輸送機能を有する化合
物としては、化２の化合物の他に前記の正孔注入輸送用
の化合物から選択して用いることができる。Furthermore, in the mixed layer, even if only one type of compound having the hole and electron injecting and transporting functions is used,
One or more kinds of compounds may be used in combination, and as the compound having a hole injecting / transporting function, a compound selected from the above compounds for hole injecting / transporting can be used in addition to the compound of Chemical formula 2.
【００７８】なかでも、特に、化２の化合物を用いた正
孔注入輸送層と電子注入輸送層との間に両者の混合層を
発光層として介在させ、この正孔注入輸送層の上にポリ
チオフェンを用いた正孔注入輸送層を積層することが好
ましい。In particular, a mixed layer of the compound of Chemical formula 2 is used as a light emitting layer between the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer, and polythiophene is formed on the hole injecting and transporting layer. It is preferable to stack a hole injecting and transporting layer using.
【００７９】この場合の混合比は、キャリア移動度によ
るが、化２の化合物が混合層全体に対し３０〜７０ｗｔ
％、特には５０ｗｔ％程度（従って、通常化２の化合物
／電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、３０／
７０〜７０／３０、特には５０／５０程度）となるよう
にすることが好ましい。The mixing ratio in this case depends on the carrier mobility, but the compound of Chemical formula 2 is 30 to 70 wt% with respect to the entire mixed layer.
%, Particularly about 50 wt% (therefore, the weight ratio of the compound having the normalization 2 / the compound having the electron injecting and transporting function is 30 /
70 to 70/30, especially about 50/50).
【００８０】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には１〜８５ｎｍとすることが好まし
く、さらには５〜６０ｎｍ、特には５〜５０ｎｍとする
ことが好ましい。The thickness of the mixed layer is preferably less than the thickness of the organic compound layer from the thickness corresponding to one molecular layer, specifically 1 to 85 nm, and further 5 -60 nm, especially 5-50 nm is preferable.
【００８１】又、混合層の形成方法としては、異なる蒸
着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸発
温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ
蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。As a method for forming the mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when vapor pressures (evaporation temperatures) are similar or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. It can also be vapor-deposited. Although it is preferable that the compounds are uniformly mixed in the mixed layer, the compounds may exist in an island shape in some cases.
【００８２】なお、混合層は、発光層以外の有機化合物
層にも用いることができる。ただし、素子中に存在する
有機化合物層の一部とすることが好ましく、有機化合物
層をすべて混合層とすると高輝度な均一発光が得られに
くくなることもある。The mixed layer can also be used for an organic compound layer other than the light emitting layer. However, it is preferable to form a part of the organic compound layer existing in the device, and if all the organic compound layers are mixed layers, it may be difficult to obtain high-luminance uniform light emission.
【００８３】化２の化合物は好ましくは正孔注入輸送層
に用いられるが、この正孔注入輸送層に接して設けられ
る発光層（電子注入輸送層を兼ねる場合も含む。）との
イオン化ポテンシャルＩｐ（以下Ｉｐという）の差もし
くは電子親和力Ｅａ（以下Ｅａという）の差、又は両者
の差が０．２ｅＶ以上であることが好ましい。The compound of Chemical formula 2 is preferably used for the hole injecting and transporting layer, and the ionization potential Ip with the light emitting layer (which also serves as the electron injecting and transporting layer) provided in contact with the hole injecting and transporting layer. The difference (hereinafter referred to as Ip), the difference in electron affinity Ea (hereinafter referred to as Ea), or the difference between the two is preferably 0.2 eV or more.
【００８４】上記のＩｐの差もしくはＥａの差は、化２
の化合物を含む層が正孔注入輸送機能を有する層であっ
て、かつ発光層としても機能する層であるとき、この層
に接する層は電子注入輸送層であるので、この層との差
とする。The above Ip difference or Ea difference is
When the layer containing the compound is a layer having a hole injecting and transporting function and also functioning as a light emitting layer, the layer in contact with this layer is an electron injecting and transporting layer. To do.
【００８５】Ｉｐの差、Ｅａの差を上記の範囲にするこ
とによりエネルギーレベルが最適になり、界面において
キャリアが効果的にブロッキングされるため、安定した
キャリアの再結合及び発光が起こる。特に化２の化合物
を正孔注入輸送層に用いることにより、この正孔注入輸
送層と接する発光機能を有する層（発光層が電子注入輸
送層を兼ねる発光・電子注入輸送層を含む。）、あるい
は正孔注入輸送層が発光層を兼ねる正孔注入輸送機能を
有する層であるときにこの層と接する電子注入輸送層と
のＩｐの差、Ｅａの差が最適化されて、界面におけるキ
ャリアブロッキング効果が高まり、極性的に劣勢あるい
は不安定なキャリアの注入はより起こりにくくなるの
で、各層の有機化合物がダメージを受けにくくなり、キ
ャリア再結合領域や発光領域で、キャリアや励起子の失
活ポイントを生じにくくなる。その結果、安定した発光
が得られ、発光寿命が向上する。By setting the difference in Ip and the difference in Ea within the above ranges, the energy level is optimized and carriers are effectively blocked at the interface, so that stable carrier recombination and light emission occur. In particular, by using the compound of Chemical formula 2 in the hole injecting and transporting layer, a layer having a light emitting function in contact with the hole injecting and transporting layer (the light emitting layer includes a light emitting and electron injecting and transporting layer which also serves as the electron injecting and transporting layer), Alternatively, when the hole injecting and transporting layer is a layer having a hole injecting and transporting function also serving as a light emitting layer, the difference in Ip and Ea between the electron injecting and transporting layer in contact with this layer is optimized and carrier blocking at the interface is performed. Since the effect is enhanced and the injection of carriers that are inferior or unstable in polarity is less likely to occur, the organic compound in each layer is less likely to be damaged, and the deactivation point of carriers and excitons in the carrier recombination region and the light emission region. Is less likely to occur. As a result, stable light emission is obtained and the light emission life is improved.
【００８６】これに対し、これらの差が小さくなると、
界面におけるキャリアブロッキング効果が得られなくな
る。上記の差のなかでも、いずれかが上記範囲にあれば
よいが、特には両方の差が上記範囲にあることが好まし
い。また、特に電子注入輸送材料としてトリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウムを用いるときはＩｐの差が上
記範囲にあることが好ましい。On the other hand, when the difference between them becomes small,
The carrier blocking effect at the interface cannot be obtained. Among the above differences, any one may be in the above range, but it is particularly preferable that both are in the above range. Further, when tris (8-quinolinolato) aluminum is used as the electron injecting and transporting material, the difference in Ip is preferably within the above range.
【００８７】このときの差の上限値には特に制限はない
が、通常１程度であり、上記の差はいずれも０．２〜１
ｅＶの範囲にあることが好ましい。なお、化２の化合物
を含む層に、さらに他の化合物が含有されているときで
あって、化２の化合物を主成分（通常５０ｗｔ％以上の
含有量）とするときは、化２の化合物の単層膜から得ら
れたＩｐ、Ｅａの値をこの層のＩｐ、Ｅａとみなすもの
とする。また、化２の化合物を含む層と比較される層に
２種以上の化合物が含有されるときも、主成分（通常５
０ｗｔ％以上の含有量）となる化合物の単層膜から得ら
れたＩｐ、Ｅａの値をこの層のＩｐ、Ｅａとみなすもの
とする。The upper limit of the difference at this time is not particularly limited, but is usually about 1, and the above-mentioned differences are all 0.2 to 1.
It is preferably in the range of eV. When the layer containing the compound of Chemical formula 2 further contains another compound and the compound of Chemical formula 2 is the main component (usually the content is 50 wt% or more), the compound of Chemical formula 2 The values of Ip and Ea obtained from the single-layer film of 1 are regarded as Ip and Ea of this layer. Also, when two or more compounds are contained in a layer to be compared with the layer containing the compound of Chemical formula 2, the main component (usually 5
The values of Ip and Ea obtained from the monolayer film of the compound having a content of 0 wt% or more) are regarded as Ip and Ea of this layer.
【００８８】なお、混合層を介在させた構成では、この
ようなＩｐ、Ｅａの概念は適用しないものとする。な
お、化２の化合物のＩｐの絶対値は４．８〜５．５ｅＶ
程度である。また、Ｅａの絶対値は１．８〜３．０ｅＶ
程度である。It should be noted that such a concept of Ip and Ea is not applied to the structure in which the mixed layer is interposed. The absolute value of Ip of the compound of Chemical formula 2 is 4.8 to 5.5 eV.
It is a degree. The absolute value of Ea is 1.8 to 3.0 eV.
It is a degree.
【００８９】これに対し、発光層（電子注入輸送層を兼
ねる場合も含む。）もしくは電子注入層に用いる化合物
は前記の蛍光性物質もしくは電子注入輸送用の化合物の
中から選択して用いることができる。具体的には、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウムを用いることが好
ましい。この化合物のＩｐの絶対値は通常５．６〜５．
７ｅＶ程度であり、Ｅａの絶対値は２．９〜３．０ｅＶ
程度である。On the other hand, the compound used for the light emitting layer (including the case of also serving as the electron injecting and transporting layer) or the electron injecting layer is selected from the above-mentioned fluorescent substances or compounds for electron injecting and transporting. it can. Specifically, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum. The absolute value of Ip of this compound is usually 5.6 to 5.
It is about 7 eV, and the absolute value of Ea is 2.9 to 3.0 eV.
It is a degree.
【００９０】本発明におけるイオン化ポテンシャルＩｐ
は、白橋、磯部、宇田、電子材料、１２３（１９８５）
の記載に従う低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ
ＡＣ−１」（理研計器製）を用い、１０〜２００ｎｍ厚
の化合物単層の蒸着膜をＩＴＯ透明電極を有する基板や
スライドガラスなどの上に成膜したサンプルを使用して
測定した値である。Ionization potential Ip in the present invention
Shirahashi, Isobe, Uda, Electronic Materials, 123 (1985)
Low-energy electron spectrometer "Model
AC-1 "(manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.), and is a value measured using a sample in which a vapor-deposited film of a compound single layer having a thickness of 10 to 200 nm is formed on a substrate having ITO transparent electrodes, a slide glass, or the like. .
【００９１】なおＩｐのデータは小数第１位まで表示し
た。Ｉｐは小数第２位まで測定可能であるが、成膜サン
プルの表面状態、測定環境、測定者のベースラインや傾
きの取り方等により多少変動するため、小数第２位を４
捨５入して小数第１位までの表示とした。The Ip data is displayed to the first decimal place. Ip can be measured up to the second decimal place, but it varies to some extent depending on the surface condition of the film-formed sample, the measurement environment, the baseline of the measurer, and how the inclination is taken.
The numbers are rounded off to the first decimal place.
【００９２】上記の低エネルギー電子分光装置は、図６
（Ａ）に示す構成のものである。図６に示すように、分
光装置８０は、紫外線ランプ８１、モノクロメータ８
２、検出器８３、低エネルギー電子計数装置８４、制御
装置８５、演算表示装置８６及びＸ−Ｙステージ８７に
より構成され、Ｘ−Ｙステージ上にサンプルＳを載置し
て測定を行うものである。The above-mentioned low energy electron spectrometer is shown in FIG.
It has the configuration shown in FIG. As shown in FIG. 6, the spectroscopic device 80 includes an ultraviolet lamp 81 and a monochromator 8.
2, a detector 83, a low-energy electron counter 84, a controller 85, an arithmetic display 86 and an XY stage 87, and the sample S is placed on the XY stage for measurement. .
【００９３】紫外線ランプ１１には重水素ランプを用
い、このランプから出た光をモノクロメータ８２により
２００〜３６０ｎｍの任意の波長に分光し、サンプルＳ
表面に照射する。２００〜３６０ｎｍの光は、Ｅ＝ｈν
＝ｈ（ｃ／λ）（Ｅ：エネルギー，ｈ：プランク定数，
ν：振動数，λ：波長）の式を用いてエネルギーに換算
すると、各々６．２〜３．４ｅＶとなる。A deuterium lamp is used as the ultraviolet lamp 11, and the light emitted from this lamp is dispersed by the monochromator 82 into an arbitrary wavelength of 200 to 360 nm.
Irradiate the surface. Light of 200 to 360 nm is E = hν
= H (c / λ) (E: energy, h: Planck's constant,
When converted into energy using the formula of ν: frequency, λ: wavelength, the energy is 6.2 to 3.4 eV.
【００９４】この光を励起エネルギーの低い方から高い
方に向かってスイープしていくと、あるエネルギーで光
電効果による電子放出が始まる。このエネルギーが一般
に光電的仕事関数といわれる値である。このようにして
放出された光電子を検出器８３、低エネルギー電子計数
装置８４を用いて計数し、バッグランド補正やデッドタ
イム中の数え落としの補正などの演算をした後、図６
（Ｂ）に示すような励起エネルギー・放出電子量特性
（基本特性）を演算表示装置８６のディスプレイ上に表
示する。When this light is swept from the lower excitation energy to the higher excitation energy, electron emission by a photoelectric effect starts at a certain energy. This energy is a value generally called a photoelectric work function. The photoelectrons thus emitted are counted using the detector 83 and the low-energy electron counting device 84, and calculations such as bagland correction and correction of counting down during dead time are performed.
The excitation energy / emitted electron amount characteristic (basic characteristic) as shown in FIG. 7B is displayed on the display of the arithmetic display device 86.
【００９５】基本特性に示すように、この光電子放出率
（Ｃｏｕｎｔ Ｐｅｒ Ｓｅｃｏｎｄ：ＣＰＳ）と励起
エネルギー（ｅＶ）の関係は、縦軸を光電子放出率のｎ
乗（ＣＰＳ）n とし、横軸を励起エネルギーとすると、
直線関係で表すことができる。ここで、ｎの値は通常１
／２を採用している。[0095] As shown in the basic characteristics, the light emission rate: relation (C ount P er S econd CPS ) and the excitation energy (eV) is the longitudinal axis of the light emission index n
Power (CPS) n and excitation energy on the horizontal axis,
It can be represented by a linear relationship. Here, the value of n is usually 1
/ 2 is adopted.
【００９６】なお制御装置８５は、モノクロメータ８２
の波長駆動、Ｘ−Ｙステージ８７によるサンプル位置の
制御及び低エネルギー電子計数装置８４の計数制御を行
っている。The control device 85 is a monochromator 82.
Wavelength control, sample position control by the XY stage 87, and counting control of the low-energy electron counter 84.
【００９７】従って、本発明では、図６（Ｂ）から得ら
れる光電的仕事関数をイオン化ポテンシャルＩｐとす
る。一方、本発明における電子親和力Ｅａは、分光学的
方法から測定したものであり、紫外（ＵＶ）吸収スペク
トルの吸収端からエネルギーギャップを計算して求めた
ものである。Ｅａのデータは、前記の如く、Ｉｐを小数
第１位までの表示としたことに合わせて同じく小数第１
位までの表示とした。Therefore, in the present invention, the photoelectric work function obtained from FIG. 6B is used as the ionization potential Ip. On the other hand, the electron affinity Ea in the present invention is measured by a spectroscopic method, and is calculated by calculating the energy gap from the absorption edge of the ultraviolet (UV) absorption spectrum. As described above, the data of Ea is the same as that of the decimal point 1 because Ip is displayed up to the decimal point 1st place.
Displayed up to the rank.
【００９８】本発明では、ルブレンを有機化合物層にド
ープすることが好ましい。ドープは有機化合物層全域に
行ってよく、好ましくは、正孔注入輸送層全域とするの
がよい。特にキャリア再結合領域、発光領域及びその近
傍、例えば正孔注入輸送層の有機化合物層との接触界面
にルブレンが存在することが好ましいと考えられるので
必ずしも正孔注入輸送層全域とする必要はなく、正孔注
入輸送層の、これに接する発光層（電子注入輸送層を兼
ねる場合も含む。）、もしくは電子注入輸送層（正孔注
入輸送層が発光層を兼ねる場合）側の半分の領域として
もよいが、通常は正孔注入輸送層全域とする。In the present invention, it is preferable to dope the organic compound layer with rubrene. Doping may be performed in the entire organic compound layer, and preferably in the entire hole injecting and transporting layer. In particular, it is considered that it is preferable that rubrene is present at the carrier recombination region, the light emitting region and its vicinity, for example, at the contact interface with the organic compound layer of the hole injecting and transporting layer. As a half region of the hole injecting and transporting layer which is in contact with the light emitting layer (including the case of also serving as the electron injecting and transporting layer) or the electron injecting and transporting layer (when the hole injecting and transporting layer also serves as the light emitting layer) However, it is usually the entire area of the hole injecting and transporting layer.
【００９９】また、場合によっては、正孔注入輸送層全
域又は正孔注入輸送層の、これに接する発光層もしくは
正孔注入輸送層側の半分の領域と、発光層もしくは電子
注入輸送層の正孔注入輸送層側半分の領域とすることも
できる。特に、正孔注入輸送層において、化２の化合物
とルブレンとの併用は好ましい。In some cases, the entire area of the hole injecting and transporting layer or the half of the hole injecting and transporting layer on the side of the light emitting layer or the hole injecting and transporting layer which is in contact with the hole injecting and transporting layer and the positive layer of the light emitting or electron injecting and transporting layer. It is also possible to make it the region of the hole injecting and transporting layer side half. In particular, it is preferable to use the compound of Chemical formula 2 in combination with rubrene in the hole injecting and transporting layer.
【０１００】ルブレンのドーピング濃度は、ルブレンが
濃度消光を起こすことから高濃度の使用は好ましくな
く、ドープ層全体に対し０．１〜５０ｗｔ％とすること
が好ましく、さらには０．１〜３０ｗｔ％、特には０．
１〜２０ｗｔ％とすることが好ましい。The doping concentration of rubrene is not preferably high because rubrene causes concentration quenching, and is preferably 0.1 to 50 wt%, more preferably 0.1 to 30 wt% with respect to the entire doped layer. , Especially 0.
It is preferably set to 1 to 20 wt%.
【０１０１】本発明では、ルブレンのほか、他の蛍光性
物質をドープしてもよい。化２の化合物を含有する有機
化合物層に蛍光性物質をドープする構成では、化２の化
合物を正孔注入輸送層に用いることにより、この正孔注
入輸送層と接する発光機能を有する層（発光層が電子注
入輸送層を兼ねる発光・電子注入輸送層を含む。）ある
いは正孔注入輸送層が発光層を兼ねる正孔注入輸送機能
を有する層であるときにこの層と接する電子注入輸送層
とのＩｐの差もしくはＥａの差、又はこれら両者の差が
最適化されて、界面におけるキャリアブロッキング効果
が高まり、極性的に劣勢あるいは不安定なキャリアの注
入は起こりにくくなるので、各層の有機化合物がダメー
ジを受けにくくなり、キャリア再結合領域や発光領域
で、キャリアや励起子の失活ポイントを生じにくくな
る。In the present invention, in addition to rubrene, another fluorescent substance may be doped. In the structure in which the organic compound layer containing the compound of Chemical formula 2 is doped with a fluorescent substance, the compound of Chemical formula 2 is used for the hole injecting and transporting layer, so that a layer having a light emitting function (light emission The layer includes a light emitting / electron injecting / transporting layer which also functions as an electron injecting / transporting layer.) Or an electron injecting / transporting layer which is in contact with this layer when the hole injecting / transporting layer has a hole injecting / transporting function also as a light emitting layer. The difference in Ip or the difference in Ea, or the difference between the two is optimized, the carrier blocking effect at the interface is enhanced, and it becomes difficult to inject carriers that are inferior or unstable in polarity. It is less likely to be damaged, and carriers and exciton deactivation points are less likely to occur in the carrier recombination region and the light emitting region.
【０１０２】また、特に蛍光性物質としてルブレンをド
ープする場合、ルブレンはバイボーラーな輸送性を有し
ており、ルブレンでもキャリア再結合が起こるので、そ
の分さらに有機化合物が受けるダメージは少なくなる。
また、さらにルブレンがキャリア再結合領域近傍に存在
するため、励起子からルブレンへのエネルギー移動が起
こり、非放射的失活が少なくなり、その結果、安定した
発光が得られ、寿命が大幅に向上する。Further, particularly when rubrene is doped as the fluorescent substance, rubrene has a bibola transport property, and carrier recombination occurs in rubrene, so that the damage to the organic compound is further reduced.
In addition, since rubrene is present near the carrier recombination region, energy transfer from excitons to rubrene occurs, and non-radiative deactivation is reduced.As a result, stable light emission is obtained and life is greatly improved. To do.
【０１０３】また、有機化合物層には、一重項酸素クエ
ンチャーが含有されていてもよい。このようなクエンチ
ャーとしては、ルブレンやニッケル錯体、ジフェニルイ
ソベンゾフラン、三級アミン等が挙げられる。中でもル
ブレンは特に好ましい。このようなクエンチャーの含有
量は化２の化合物と併用する場合、化２の化合物の１０
モル％以下とすることが好ましい。In addition, the organic compound layer may contain a singlet oxygen quencher. Examples of such a quencher include rubrene, nickel complex, diphenylisobenzofuran, and tertiary amine. Of these, rubrene is particularly preferable. When such a quencher content is used in combination with the compound of Chemical formula 2, the content of the compound of Chemical formula 2 is 10
It is preferably not more than mol%.
【０１０４】陰極には、仕事関数の小さい材料、例え
ば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの１種以上を含む合金を用いることが好ましい。ま
た、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、アモ
ルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは１０
〜１０００ｎｍ程度とすることが好ましい。For the cathode, it is preferable to use a material having a low work function, for example, Li, Na, Mg, Al, Ag, In or an alloy containing at least one of these. Further, the cathode preferably has fine crystal grains, and particularly preferably is in an amorphous state. The thickness of the cathode is 10
It is preferably about 1000 nm.
【０１０５】有機ＥＬ素子を面発光させるためには、少
なくとも一方の電極が透明ないし半透明である必要があ
り、上記したように陰極の材料には制限があるので、好
ましくは発光光の透過率が８０％以上となるように陽極
の材料及び厚さを決定することが好ましい。具体的に
は、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、ドーパントをドープしたポリピロールなどを陽極に
用いることが好ましい。また、陽極の厚さは１０〜５０
０ｎｍ程度とすることが好ましい。また、素子の信頼性
を向上させるために駆動電圧が低いことが必要である
が、好ましいものとして１０〜３０Ω／□のＩＴＯが挙
げられる。At least one of the electrodes must be transparent or semi-transparent in order to allow the organic EL element to emit surface light, and the cathode material is limited as described above. Therefore, the transmittance of emitted light is preferable. It is preferable to determine the material and thickness of the anode so that the ratio is 80% or more. Specifically, for example, ITO, SnO 2 , Ni, Au, Pt, P
It is preferable to use d, a polypyrrole doped with a dopant, or the like for the anode. The thickness of the anode is 10-50.
It is preferably about 0 nm. In addition, it is necessary that the driving voltage is low in order to improve the reliability of the device, but ITO of 10 to 30 Ω / □ is preferable.
【０１０６】陰極及び陽極は、蒸着法やスパッタ法等の
気相成長法により形成することが好ましい。正孔注入輸
送層、発光層及び電子注入輸送層の形成には、均質な薄
膜が形成できることから真空蒸着法を用いることが好ま
しい。真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態又は
結晶粒径が０．１μｍ以下（通常、下限値は０．００１
μｍ程度である。）の均質な薄膜が得られる。結晶粒径
が０．１μｍを越えていると、不均一な発光となり、素
子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注
入効率も著しく低下する。The cathode and the anode are preferably formed by vapor phase growth method such as vapor deposition method and sputtering method. For forming the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer and the electron injecting and transporting layer, it is preferable to use the vacuum deposition method because a uniform thin film can be formed. When the vacuum deposition method is used, the amorphous state or the crystal grain size is 0.1 μm or less (usually, the lower limit is 0.001).
It is about μm. ), A homogeneous thin film is obtained. If the crystal grain size exceeds 0.1 μm, non-uniform light emission occurs, the drive voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.
【０１０７】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０-3Ｐａ以下の真空度とし、蒸着速度は０．１〜１ｎｍ
／ｓｅｃ程度とすることが好ましい。また、真空中で連
続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続し
て形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防
げるため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を
低くすることができる。The conditions of vacuum vapor deposition are not particularly limited, but 1
The degree of vacuum is 0 -3 Pa or less, and the vapor deposition rate is 0.1 to 1 nm.
/ Sec is preferable. Moreover, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are continuously formed in a vacuum, it is possible to prevent impurities from adsorbing to the interface of each layer, so that high characteristics can be obtained. In addition, the drive voltage of the element can be lowered.
【０１０８】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましいが、予め混合してから蒸着してもよい。
またこの他、溶液塗布法（スピンコート、ディップ、キ
ャスト等）ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法など
を用いることもできる。溶液塗布法では、ポリマー等の
マトリクス物質中に本発明の化合物を分散させる構成と
してもよい。When a vacuum vapor deposition method is used to form each of these layers, when a plurality of compounds are contained in one layer, it is preferable that the boats containing the compounds are individually temperature-controlled for co-evaporation, but they are mixed in advance. You may vapor-deposit after that.
In addition to this, a solution coating method (spin coating, dip, cast, etc.) Langmuir-Projet (LB) method or the like can also be used. In the solution coating method, the compound of the present invention may be dispersed in a matrix substance such as a polymer.
【０１０９】有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動型のＥＬ
素子として用いられるが、交流駆動又はパルス駆動する
こともできる。印加電圧は、通常２〜２０Ｖ程度とされ
る。本発明における有機ＥＬ素子としての他の具体例を
図５にもとづき説明する。The organic EL element is usually a DC drive type EL.
Although it is used as an element, it can also be AC-driven or pulse-driven. The applied voltage is usually about 2 to 20V. Another specific example of the organic EL element of the present invention will be described with reference to FIG.
【０１１０】（有機ＥＬ素子の第３例）先ず図７（Ａ）
に示す有機ＥＬ素子について説明する。真空槽を１×１
０-4Ｐａ以下まで減圧した後、石英の如き絶縁性の膜４
０上に、陰極４１としてＭｇＡｇ（重量比１０：１）を
蒸着速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで約２００ｎｍの
厚さに蒸着した。絶縁性の膜の代わりに絶縁性の基板を
使用してもよい。(Third Example of Organic EL Element) First, FIG. 7A.
The organic EL element shown in will be described. 1 x 1 vacuum chamber
After reducing the pressure to 0 -4 Pa or less, an insulating film 4 such as quartz
MgAg (weight ratio 10: 1) as a cathode 41 was vapor-deposited on the anode No. 0 at a vapor deposition rate of 0.2 to 0.3 nm / sec to a thickness of about 200 nm. An insulating substrate may be used instead of the insulating film.
【０１１１】次にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ4 又
はＳｉＯ2 からなる絶縁層４２を５０ｎｍ成膜する。こ
れらＳｉＮ4 又はＳｉＯ2 の成膜条件は、前記図４
（ｂ）に関して説明したとおりの条件である。そしてこ
の成膜した絶縁層４２に発光部分に相当する箇所のみを
窓開けする。Next, the insulating layer 42 made of SiN 4 or SiO 2 is formed to a thickness of 50 nm by the plasma CVD method. The film forming conditions for these SiN 4 and SiO 2 are as shown in FIG.
The conditions are as described for (b). Then, only a portion corresponding to a light emitting portion is opened in the formed insulating layer 42.
【０１１２】それから再び真空槽を１×１０-4Ｐａ以下
まで減圧した後、まず電子注入輸送材料としてトリス
（８−キノリノラト）アルミニウムつまりＡｌｑ３を蒸
着速度約０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで約３０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層４３を形成する。Then, the vacuum chamber was again evacuated to 1 × 10 −4 Pa or less, and then tris (8-quinolinolato) aluminum, that is, Alq3, was used as an electron injecting and transporting material at a deposition rate of about 0.1 to 0.2 nm / sec. The electron injecting and transporting layer 43 is formed by vapor deposition to a thickness of 30 nm.
【０１１３】さらに減圧状態を保ったまま、前記化３で
表されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ（３−ビフェニリ
ル）ベンジジン（以下化３の化合物ともいう）と、前記
電子注入輸送材料として使用したＡｌｑ３を、ほぼ同じ
蒸着速度（約０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃ）で共蒸着し
て、約４０ｎｍの厚さに混合層４４を形成する。この混
合層４４は発光層となる。While maintaining a reduced pressure, N, N, N ', N'-tetra (3-biphenylyl) benzidine (hereinafter also referred to as the compound of Chemical formula 3) represented by Chemical formula 3 and the electron injecting and transporting described above. Alq3 used as a material is co-evaporated at substantially the same vapor deposition rate (about 0.1 to 0.2 nm / sec) to form a mixed layer 44 with a thickness of about 40 nm. The mixed layer 44 becomes a light emitting layer.
【０１１４】さらに減圧状態を保ったまま、この混合層
４４の上に前記化３で表されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テ
トラ（３−ビフェニリル）ベンジジンを蒸着速度約０．
１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで約４５ｎｍの厚さに蒸着し、
主として正孔注入輸送層として機能する正孔注入輸送層
４５を形成する。While maintaining the reduced pressure, N, N, N ', N'-tetra (3-biphenylyl) benzidine represented by the above chemical formula 3 is vapor-deposited on the mixed layer 44 at a deposition rate of about 0.
Evaporate at a thickness of about 45 nm at 1 to 0.2 nm / sec,
A hole injecting and transporting layer 45 that mainly functions as a hole injecting and transporting layer is formed.
【０１１５】そしてこの減圧状態を保ったまま、前記化
８で表されるポリ（チオフェン−２，５−ジイル）（以
下化８の化合物ともいう）を蒸着速度約０．１〜０．２
ｎｍ／ｓｅｃで約１０ｎｍの厚さに蒸着し、主として正
孔注入層として機能する正孔注入輸送層４６を形成す
る。While maintaining this reduced pressure state, the poly (thiophene-2,5-diyl) represented by Chemical Formula 8 (also referred to as the compound of Chemical Formula 8 below) is deposited at a deposition rate of about 0.1 to 0.2.
The hole injecting and transporting layer 46 mainly functioning as a hole injecting layer is formed by vapor deposition at a thickness of about 10 nm at nm / sec.
【０１１６】次にこの正孔注入輸送層４６の上にＩＴＯ
膜を例えば蒸着又はスパッタリングにより成膜して透明
電極４７を形成した。この透明電極４７は陽極である。
さらに、約１００ｎｍの厚さのＣｒ層４８と、約１μｍ
の厚さのＡｌ層４９を成膜し、パターニングして、２層
構造からなる電極配線層を形成し、有機ＥＬ素子を構成
した。Next, ITO is formed on the hole injecting and transporting layer 46.
The transparent electrode 47 was formed by depositing a film by, for example, vapor deposition or sputtering. This transparent electrode 47 is an anode.
Further, a Cr layer 48 having a thickness of about 100 nm and a thickness of about 1 μm
An Al layer 49 having a thickness of 1 was formed and patterned to form an electrode wiring layer having a two-layer structure to form an organic EL element.
【０１１７】化３の化合物は、化６の化合物に比べて高
い融点やガラス転移温度を有し、アモルファス状態にお
ける薄膜安定性に優れるので、耐熱性、耐久性が高く、
素子電流密度が１Ａ／ｃｍ2 程度以上でも安定した駆動
が可能であり、高輝度が得られる。Since the compound of Chemical formula 3 has a higher melting point and glass transition temperature than the compound of Chemical formula 6 and is excellent in thin film stability in an amorphous state, it has high heat resistance and durability.
Even when the device current density is about 1 A / cm 2 or more, stable driving is possible and high brightness is obtained.
【０１１８】さらには化３の化合物と、電子注入輸送機
能を有する化合物であるＡｌｑ３とを混合した有機化合
物層を発光層として設けることにより、混合層にはキャ
リアのホッピング伝導パスができることになるので、混
合層に注入された各キャリアは極性的により優勢な物質
中を移動する。即ち正孔は正孔注入輸送性固体中を、ま
た電子は電子注入輸送性固体中を移動することになり、
逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるため、各有
機化合物がダメージを受けにくくなり、有機ＥＬ素子の
寿命が大幅に向上する。Further, by providing an organic compound layer in which the compound of Chemical formula 3 is mixed with Alq3 which is a compound having an electron injecting and transporting function as a light emitting layer, a hopping conduction path of carriers can be formed in the mixed layer. , Each carrier injected into the mixed layer migrates in the more polar material. That is, holes move in the hole injecting and transporting solid, and electrons move in the electron injecting and transporting solid.
Since carrier injection of the opposite polarity is less likely to occur, each organic compound is less likely to be damaged, and the life of the organic EL element is significantly improved.
【０１１９】また化３の化合物で構成された正孔注入輸
送層４５とＩＴＯ透明電極４７との間に化８の化合物よ
りなる正孔注入輸送層４６を設けているが、この化８の
化合物は化３の化合物よりＩｐの絶対値が小さいのでホ
ール注入効率が向上して駆動電圧が低下し、さらに薄膜
性が良好で結晶化しにくいので、結晶化による電流リー
クやダークスポットの発生・成長を防止することができ
る。A hole injecting / transporting layer 46 made of the compound of Chemical formula 8 is provided between the hole injecting / transporting layer 45 made of the compound of Chemical formula 3 and the ITO transparent electrode 47. Since the absolute value of Ip is smaller than that of the compound of Chemical formula 3, the hole injection efficiency is improved, the driving voltage is lowered, and the thin film property is good and it is difficult to crystallize. Therefore, current leakage and dark spot generation / growth due to crystallization are prevented. Can be prevented.
【０１２０】このように、図８（Ａ）の有機ＥＬ素子は
図４に示すものに比較して、寿命が長く、より安定な発
光が得られる。なお化３の化合物は下記の如く合成する
ことができる。なお化３〜５の化合物の合成方法につい
ては、特願平６−１４５２９３号として出願ずみであ
る。As described above, the organic EL element of FIG. 8A has a longer life and more stable light emission can be obtained as compared with the element shown in FIG. The compound of Chemical formula 3 can be synthesized as follows. The method of synthesizing the compounds of Chemical formulas 3 to 5 has been filed as Japanese Patent Application No. 6-145293.
【０１２１】２０００ｍｌの常圧水添装置にｍ−ニトロ
ビフェニル２５０ｇの（１．２６ｍｏｌ）、５％Ｐｄ−
Ｃ１２．５ｇ、エタノール１２５０ｍｌを仕込み、室温
にて理論量の水素ガスを吸収させた。濾過して触媒を除
去し、濾液を溶媒留去して、２１２ｇのｍ−アミノビフ
ェニルを得た（収率９９．９％）。更に、ｍ−ニトロビ
フェニルを２５４ｇ（１．２８ｍｏｌ）とした以外は同
スケールにてもう１バッチ反応させて、２１５ｇのｍ−
アミノビフェニルを得た（収率９９．７％）。In a 2000 ml hydrogenator at atmospheric pressure, 250 g (1.26 mol) of m-nitrobiphenyl, 5% Pd-
C12.5 g and ethanol 1250 ml were charged, and a theoretical amount of hydrogen gas was absorbed at room temperature. The catalyst was removed by filtration, and the filtrate was evaporated to give 212 g of m-aminobiphenyl (yield 99.9%). Further, another batch reaction was performed on the same scale except that 254 g (1.28 mol) of m-nitrobiphenyl was used, and 215 g of m-nitrobiphenyl was reacted.
Aminobiphenyl was obtained (yield 99.7%).
【０１２２】１００００ｍｌの反応容器に、濃塩酸７７
５ｍｌ、水７７５ｍｌ、氷７７５ｇを仕込み、ｍ−アミ
ノビフェニル１２５ｇ（０．７４０ｍｏｌ）を加えて懸
濁させた。これに０℃以下で亜硝酸ナトリウム５６．３
ｇ（０．８１６ｍｏｌ）の７５０ｍｌ水溶液を３０分間
滴下し、その後５０分間同温にて攪拌した。得られたジ
アゾニウム塩水溶液に、０℃以下でヨウ化カリウム１８
５ｇ（１．１２ｍｏｌ）の１２５０ｍｌ水溶液を１時間
滴下した。滴下後１時間同温で攪拌し、室温に戻して２
時間攪拌した。In a 10000 ml reaction vessel, concentrated hydrochloric acid 77
5 ml, water 775 ml and ice 775 g were charged, and 125 g (0.740 mol) of m-aminobiphenyl was added and suspended. Sodium nitrite 56.3
A 750 ml aqueous solution of g (0.816 mol) was added dropwise for 30 minutes and then stirred at the same temperature for 50 minutes. The resulting diazonium salt aqueous solution was added with potassium iodide 18 at 0 ° C or lower.
A 1250 ml aqueous solution of 5 g (1.12 mol) was added dropwise for 1 hour. After dropping, stir for 1 hour at the same temperature, return to room temperature, and
Stir for hours.
【０１２３】反応溶液を酢酸エチル抽出し、有機層を水
洗、乾燥（硫酸マグネシウム）、溶媒留去し、粗結晶を
得た。同スケールにて更に１バッチ反応させ、得られた
粗結晶を合わせてｎ−ヘキサンにてシリカゲルカラム精
製し、２９７ｇのｍ−ヨードビフェニルを得た（２バッ
チ合わせての収率７１．７％）。The reaction solution was extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with water, dried (magnesium sulfate) and the solvent was distilled off to obtain crude crystals. The mixture was further reacted on the same scale for 1 batch, and the obtained crude crystals were combined and purified by silica gel column with n-hexane to obtain 297 g of m-iodobiphenyl (yield of 71.7% for 2 batches in total). .
【０１２４】２０００ｍｌの反応容器にｍ−アミノビフ
ェニル１４０ｇ（０．８２８ｍｏｌ）、ｍ−ヨードビフ
ェニル２３２ｇ（０．８２９ｍｏｌ）、炭酸カリウム６
３．１ｇ（０．４５７ｍｏｌ）、銅粉１３．９ｇ、ニト
ロベンゼン８００ｍｌを仕込み、Ａｒ気流下で３２時間
加熱還流させた。反応終了後、濾過した不溶物を除き、
濾液を溶媒留去した。得られた残渣をｎ−ヘキサン／ト
ルエン＝４／１にてシリカゲルカラム精製し、４４．５
ｇのジ（３−ビフェニル）アミン（高純度品）を得た
（収率１６．７％）。In a 2000 ml reaction vessel, 140 g (0.828 mol) of m-aminobiphenyl, 232 g (0.829 mol) of m-iodobiphenyl, 6 potassium carbonate.
3.1 g (0.457 mol), 13.9 g of copper powder and 800 ml of nitrobenzene were charged, and the mixture was heated under reflux under Ar flow for 32 hours. After the reaction was completed, the filtered insoluble matter was removed,
The filtrate was evaporated. The obtained residue was purified by a silica gel column with n-hexane / toluene = 4/1 and 44.5.
g (high purity product) of di (3-biphenyl) amine was obtained (yield 16.7%).
【０１２５】５００ｍｌの反応容器にジ（３−ビフェニ
ル）アミン４４．５ｇ（０．１３９ｍｏｌ）、４，４′
−ジヨードビフェニル２７．６ｇ（０．０６８０ｍｏ
ｌ）、炭酸カリウム３４．３ｇ（０．２４９ｍｏｌ）、
銅粉２．３ｇ、ニトロベンゼン１８０ｍｌを仕込み、Ａ
ｒ気流下で２４時間加熱還流させた。反応終了後、濾過
して不溶物を除き、濾液を溶媒留去した。得られた残渣
をｎ−ヘキサン／トルエン＝３／１にてシリカゲルカラ
ム精製し、３０ｇの一次精製化３の化合物を得た（収率
５５．７％）。これをトルエンにて再結晶精製し、純度
９９．５８％品６．０ｇと純度９９．２３％品５．０ｇ
を得た（収率２０．４％）。In a 500 ml reaction vessel, di (3-biphenyl) amine 44.5 g (0.139 mol), 4,4 '
-27.6 g of diiodobiphenyl (0.0680 mo
l), 34.3 g (0.249 mol) of potassium carbonate,
2.3g of copper powder and 180ml of nitrobenzene were charged,
The mixture was heated under reflux for 24 hours under an air stream. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue was purified by a silica gel column with n-hexane / toluene = 3/1 to obtain 30 g of a compound of primary purification 3 (yield 55.7%). This was recrystallized and refined with toluene to obtain 6.0 g of 99.58% pure product and 5.0 g of 99.23% pure product.
Was obtained (yield 20.4%).
【０１２６】質量分析：ｍ／ｅ ７９２（Ｍ+ ） 融点 ２０７．４℃ ガラス転移温度 ９５．８℃ （有機ＥＬ素子の第４例）次に図７（Ｂ）に示す有機Ｅ
Ｌ素子の構成について説明する。Mass analysis: m / e 792 (M + ) Melting point 207.4 ° C. Glass transition temperature 95.8 ° C. (Fourth example of organic EL device) Next, organic E shown in FIG.
The configuration of the L element will be described.
【０１２７】真空槽を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した
後、絶縁性の膜４０上に、陰極４１としてＭｇＡｇ（重
量比１０：１）を蒸着速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ
で約２００ｎｍの厚さに蒸着した。絶縁性の膜の代わり
に絶縁性の基板を使用してもよい。After depressurizing the vacuum chamber to 1 × 10 −4 Pa or less, MgAg (weight ratio 10: 1) as a cathode 41 is deposited on the insulating film 40 at a deposition rate of 0.2 to 0.3 nm / sec.
Was evaporated to a thickness of about 200 nm. An insulating substrate may be used instead of the insulating film.
【０１２８】次にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ4 又
はＳｉＯ2 からなる絶縁層４２を５０ｎｍ成膜する。こ
れらＳｉＮ4 又はＳｉＯ2 の成膜条件は、前記図４
（ｂ）に関して説明したとおりの条件である。そしてこ
の成膜した絶縁層４２に発光部分に相当する箇所のみを
窓開けする。Next, the insulating layer 42 made of SiN 4 or SiO 2 is formed to a thickness of 50 nm by the plasma CVD method. The film forming conditions for these SiN 4 and SiO 2 are as shown in FIG.
The conditions are as described for (b). Then, only a portion corresponding to a light emitting portion is opened in the formed insulating layer 42.
【０１２９】それから再び真空槽を１×１０-4Ｐａ以下
まで減圧した後、まずＡｌｑ３を蒸着速度約０．１〜
０．２ｎｍ／ｓｅｃで約５０ｎｍの厚さに蒸着し、これ
を電子注入輸送・発光層５０とした。Then, the vacuum chamber was again evacuated to 1 × 10 -4 Pa or less, and then Alq3 was vapor deposited at a deposition rate of about 0.1 to 0.1%.
It was vapor-deposited at a thickness of about 50 nm at 0.2 nm / sec, and this was used as an electron injecting / transporting / light emitting layer 50.
【０１３０】さらに減圧状態を保ったまま、化３の化合
物とルブレンをそれぞれ蒸着速度約０．１〜０．２ｎｍ
／ｓｅｃ、約０．０１〜０．０２ｎｍ／ｓｅｃでトータ
ルで約６５ｎｍの厚さに共蒸着して、主として正孔輸送
層として機能する正孔注入輸送層５１を形成した。この
場合ルブレンが約１０％ドーピングされるように共蒸着
する。Further, while maintaining the reduced pressure, the compound of Chemical formula 3 and rubrene are vapor-deposited at a rate of about 0.1 to 0.2 nm, respectively.
/ Sec, about 0.01 to 0.02 nm / sec to a total thickness of about 65 nm was co-evaporated to form the hole injecting and transporting layer 51 mainly functioning as a hole transporting layer. In this case, co-evaporation is performed so that rubrene is doped at about 10%.
【０１３１】そしてこの減圧状態を保ったまま、化８の
化合物を蒸着速度約０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで約１
０ｎｍの厚さに蒸着して主として正孔注入層として機能
する正孔注入輸送層４６を形成した。While maintaining this reduced pressure, the compound of Chemical formula 8 was evaporated at a deposition rate of about 0.1 to 0.2 nm / sec for about 1 minute.
A hole injecting and transporting layer 46 mainly functioning as a hole injecting layer was formed by vapor deposition to a thickness of 0 nm.
【０１３２】次にこの正孔注入輸送層４６の上にＩＴＯ
膜を蒸着又はスパッタリングにより成膜して透明電極４
７を形成した。この透明電極４７は陽極である。その
後、更に約１００ｎｍの厚さのＣｒ層４８と、約１μｍ
の厚さのＡｌ層４９を成膜、パターニングして、２層構
造からなる電極配線層を形成し、有機ＥＬ素子を得た。Next, ITO is formed on the hole injecting and transporting layer 46.
The transparent electrode 4 is formed by vapor deposition or sputtering.
Formed 7. This transparent electrode 47 is an anode. After that, a Cr layer 48 having a thickness of about 100 nm and a thickness of about 1 μm are formed.
An Al layer 49 having a thickness of 3 was formed and patterned to form an electrode wiring layer having a two-layer structure, and an organic EL element was obtained.
【０１３３】図７（Ｂ）に示される有機ＥＬ素子は、化
３の化合物は、化６の化合物に比べて高い融点やガラス
転移温度を有し、アモルファス状態における薄膜安定性
に優れるので、耐熱性、耐久性が高く、素子電流密度が
１Ａ／ｃｍ2 程度以上でも安定した駆動が可能であり、
高輝度が得られる。In the organic EL device shown in FIG. 7B, the compound of Chemical formula 3 has a higher melting point and glass transition temperature than the compound of Chemical formula 6, and is excellent in thin film stability in an amorphous state, so Durability and durability, and stable driving is possible even when the device current density is about 1 A / cm 2 or more,
High brightness can be obtained.
【０１３４】なお、波光極大波長が５５０ｎｍにあるた
め、図７（Ａ）よりも視感度的に高輝度となる。さらに
は、正孔注入輸送層とこれに接する電子注入輸送・発光
層とのＩｐの差もしくはＥａの差、またはこれら両者の
差が最適化されて、界面におけるキャリアブロッキング
効果が高まり、極性的に劣性あるいは不完全なキャリア
の注入は起こりにくくなるので、各層の有機化合物がダ
メージを受けにくくなり、キャリア再結合領域や発光領
域で、キャリアや励起子の失活ポイントを生じにくくな
る。Since the maximum wavelength of the wave light is 550 nm, the luminosity is higher than that of FIG. 7A. Furthermore, the difference in Ip or Ea between the hole injecting / transporting layer and the electron injecting / transporting / light-emitting layer in contact with the hole injecting / transporting layer, or the difference between the two is optimized to enhance the carrier blocking effect at the interface and polarize the layer. Since inferior or incomplete carrier injection is less likely to occur, the organic compound in each layer is less likely to be damaged, and carrier or exciton deactivation points are less likely to occur in the carrier recombination region or the light emitting region.
【０１３５】これに加えて特にルブレンをドープした場
合、ルブレンはバイポーラーな輸送性を有しており、ル
ブレンでもキャリア再結合が起こるので、その分さらに
有機化合物が受けるダメージは少なくなる。さらにルブ
レンがキャリア再結合領域近傍に存在するため、励起子
からルブレンへのエネルギー移動が起こり、非放射的失
活が少なくなり、安定した発光が得られ、寿命が大幅に
向上する。In addition to this, particularly when rubrene is doped, rubrene has a bipolar transport property, and carrier recombination occurs even in rubrene, so that the damage to the organic compound is further reduced accordingly. Further, since rubrene exists near the carrier recombination region, energy transfer from excitons to rubrene occurs, non-radiative deactivation is reduced, stable light emission is obtained, and life is greatly improved.
【０１３６】また化３の化合物で構成された正孔注入輸
送層４５とＩＴＯ透明電極４７との間に化８の化合物よ
りなる正孔注入輸送層４６を設けているが、この化８の
化合物は化３の化合物よりＩｐの絶対値が小さいので、
正孔注入効率が向上して駆動電圧が低下し、更に薄膜性
が良好で結晶化しにくいので、結晶化による電流リーク
やダークスポットの発生・成長を防止することができ
る。A hole injecting / transporting layer 46 made of the compound of Chemical formula 8 is provided between the hole injecting / transporting layer 45 made of the compound of Chemical formula 3 and the ITO transparent electrode 47. Has a smaller absolute value of Ip than the compound of Chemical formula 3,
The hole injection efficiency is improved, the driving voltage is lowered, the thin film property is good, and it is difficult to crystallize. Therefore, it is possible to prevent the generation and growth of current leak and dark spot due to crystallization.
【０１３７】従って図４に示すものより寿命が長く、よ
り安定した高輝度発光が得られる。 （有機ＥＬ素子の第５例）次に図７（Ｃ）に示す有機Ｅ
Ｌ素子の構成について説明する。Therefore, the life is longer than that shown in FIG. 4, and more stable high brightness light emission can be obtained. (Fifth Example of Organic EL Element) Next, the organic EL element shown in FIG.
The configuration of the L element will be described.
【０１３８】真空槽を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した
後、絶縁性の膜４０上に、陰極４１としてＭｇＡｇ（重
量比１０：１）を蒸着速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ
で約２００ｎｍの厚さに蒸着した。絶縁性の膜の代わり
に絶縁性の基板を使用してもよい。After depressurizing the vacuum chamber to 1 × 10 −4 Pa or less, MgAg (weight ratio 10: 1) as a cathode 41 was deposited on the insulating film 40 at a deposition rate of 0.2 to 0.3 nm / sec.
Was evaporated to a thickness of about 200 nm. An insulating substrate may be used instead of the insulating film.
【０１３９】次にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ4 又
はＳｉＯ2 からなる絶縁層４２を５０ｎｍ成膜する。こ
れらＳｉＮ4 又はＳｉＯ2 の成膜条件は、前記図４
（ｂ）に関して説明したとおりの条件である。そしてこ
の成膜した絶縁層４２に発光部分に相当する箇所のみを
窓開けする。Next, the insulating layer 42 made of SiN 4 or SiO 2 is formed to a thickness of 50 nm by the plasma CVD method. The film forming conditions for these SiN 4 and SiO 2 are as shown in FIG.
The conditions are as described for (b). Then, only a portion corresponding to a light emitting portion is opened in the formed insulating layer 42.
【０１４０】それから再び真空槽１×１０-4Ｐａ以下ま
で減圧した後、まずＡｌｑ３を蒸着速度約０．１〜０．
２ｎｍ／ｓｅｃで約５０ｎｍの厚さに蒸着し、これを電
子注入輸送・発光層５０とした。Then, the pressure in the vacuum chamber was reduced again to 1 × 10 −4 Pa or less, and then Alq3 was deposited at a deposition rate of about 0.1 to 0.
It was vapor-deposited at a thickness of about 50 nm at 2 nm / sec, and this was used as an electron injecting / transporting / light emitting layer 50.
【０１４１】更に減圧状態を保ったまま、化３の化合物
を蒸着速度約０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで約６５ｎｍ
の厚さに蒸着して、主として正孔輸送層として機能する
正孔注入輸送層５２を形成した。Further, while maintaining a reduced pressure, the compound of Chemical formula 3 was deposited at a deposition rate of about 0.1 to 0.2 nm / sec to about 65 nm.
To form a hole injecting and transporting layer 52 which mainly functions as a hole transporting layer.
【０１４２】そしてこの減圧状態を保ったまま、化８の
化合物を蒸着速度約０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで約１
０ｎｍの厚さに蒸着して主として正孔注入層として機能
する正孔注入輸送層４６を形成した。While maintaining this reduced pressure, the compound of Chemical formula 8 was evaporated at a deposition rate of about 0.1 to 0.2 nm / sec for about 1 minute.
A hole injecting and transporting layer 46 mainly functioning as a hole injecting layer was formed by vapor deposition to a thickness of 0 nm.
【０１４３】次にこの正孔注入輸送層４６の上にＩＴＯ
膜を蒸着又はスパッタリングにより成膜して透明電極４
７を形成した。この透明電極４７は陽極である。その
後、更に約１００ｎｍの厚さのＣｒ層４８と、約１μｍ
の厚さのＡｌ層４９を成膜、パターニングして、２層構
造からなる電極配線層を形成し、有機ＥＬ素子を得た。Next, ITO is formed on the hole injecting and transporting layer 46.
The transparent electrode 4 is formed by vapor deposition or sputtering.
Formed 7. This transparent electrode 47 is an anode. After that, a Cr layer 48 having a thickness of about 100 nm and a thickness of about 1 μm are formed.
An Al layer 49 having a thickness of 3 was formed and patterned to form an electrode wiring layer having a two-layer structure, and an organic EL element was obtained.
【０１４４】図７（Ｃ）に示される有機ＥＬ素子は、化
３の化合物は化６の化合物に比べて高い融点やガラス転
移温度を有し、アモルファス状態における薄膜安定性に
優れるので、耐熱性、耐久性が高く、素子電流密度が１
Ａ／ｃｍ2 程度以上でも安定した駆動が可能であり、高
輝度が得られる。In the organic EL device shown in FIG. 7C, the compound of Chemical formula 3 has a higher melting point and glass transition temperature than the compound of Chemical formula 6, and the thin film stability in the amorphous state is excellent, so that the heat resistance is high. , High durability, device current density is 1
Stable driving is possible even at A / cm 2 or more, and high brightness is obtained.
【０１４５】さらには、正孔注入輸送層とこれに接する
電子注入輸送・発光層とのＩｐの差もしくはＥａの差、
またはこれら両者の差が最適化されて、界面におけるキ
ャリアブロッキング効果が高まり、極性的に劣性あるい
は不安定なキャリアの注入は起こりにくくなるので、各
層の有機化合物がダメージを受けにくくなり、キャリア
再結合領域や発光領域で、キャリアや励起子の失活ポイ
ントを生じにくくなる。Furthermore, the difference in Ip or Ea between the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting / light emitting layer in contact therewith,
Alternatively, the difference between the two is optimized, the carrier blocking effect at the interface is enhanced, and the injection of carriers that are inferior or unstable in polarity is less likely to occur, so that the organic compound in each layer is less likely to be damaged and carrier recombination occurs. It becomes difficult to generate deactivation points of carriers and excitons in the region and the light emitting region.
【０１４６】また化３の化合物で構成された正孔注入輸
送層４５とＩＴＯ透明電極４７との間に化８の化合物よ
りなる正孔注入輸送層４６を設けているが、この化８の
化合物は化３の化合物よりＩｐの絶対値が小さいので正
孔注入効率が向上して駆動電圧が低下しさらに薄膜性が
良好で結晶化しにくいので、結晶化による電流リークや
ダークスポットの発生・成長を防止することができる。
その結果、図４に示すものよりさらに安定した発光が得
られ、寿命が大幅に向上する。上記有機ＥＬ素子の第３
例〜第５例における化３の化合物にかわり化４、化５、
化７の化合物にかえてもその結果は同様である。A hole injecting and transporting layer 46 made of the compound of Chemical formula 8 is provided between the hole injecting and transporting layer 45 composed of the compound of Chemical formula 3 and the ITO transparent electrode 47. Since the absolute value of Ip is smaller than that of the compound of Chemical formula 3, the hole injection efficiency is improved, the driving voltage is lowered, the thin film property is good, and it is difficult to crystallize. Can be prevented.
As a result, more stable light emission than that shown in FIG. 4 is obtained, and the life is greatly improved. Third of the above organic EL elements
Instead of the compound of Chemical formula 3 in Examples to 5
The results are the same even if the compound of Chemical formula 7 is replaced.
【０１４７】なお、化３の化合物はＩｐ＝５．４ｅＶ、
Ｅａ＝２．２ｅＶであり、化４の化合物はＩｐ＝５．４
ｅＶ、Ｅａ＝２．３ｅＶであり、化５の化合物はＩｐ＝
５．４、Ｅａ＝２．３であり、化６の化合物は、Ｉｐ＝
５．４ｅＶ、Ｅａ＝２．４ｅＶであり、化７に示す化合
物はＩｐ＝５．２ｅＶ、Ｅａ＝２．１である。The compound of Chemical formula 3 had Ip = 5.4 eV,
Ea = 2.2 eV, and the compound of Chemical formula 4 has Ip = 5.4.
eV, Ea = 2.3 eV, and the compound of Chemical formula 5 has Ip =
5.4, Ea = 2.3, and the compound of Chemical formula 6 has Ip =
5.4 eV and Ea = 2.4 eV, and the compound shown in Chemical formula 7 has Ip = 5.2 eV and Ea = 2.1.
【０１４８】〔本発明の第２実施例〕本発明の第２の実
施例を図８により説明する。図１に示す実施例ではベー
ス基板４上に有機ＥＬ素子で構成される薄膜発光層５と
センサＩＣ回路６を形成しているため、先ず温度の高い
プロセスでセンサＩＣ回路６を形成し、その後有機ＥＬ
素子で構成される薄膜発光層５を形成することが必要と
なるので、有機ＥＬ素子を形成するときセンサＩＣ回路
６が存在しているため、有機ＥＬ素子を製造する装置が
大型化したり、センサＩＣ回路６に悪影響を与えないた
めの対処が必要となる。[Second Embodiment of the Present Invention] A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the embodiment shown in FIG. 1, since the thin film light emitting layer 5 composed of the organic EL element and the sensor IC circuit 6 are formed on the base substrate 4, first, the sensor IC circuit 6 is formed by a high temperature process, and then, Organic EL
Since it is necessary to form the thin-film light emitting layer 5 composed of elements, since the sensor IC circuit 6 is present when forming the organic EL element, the device for manufacturing the organic EL element becomes large in size or the sensor is manufactured. It is necessary to take measures to prevent the IC circuit 6 from being adversely affected.
【０１４９】従って図８に示す実施例では、センサＩＣ
回路６を基板４−１に形成し、有機ＥＬ素子５を基板４
−１とは別の基板４−２に形成し、これらを共通の基板
４−３に固定する。Therefore, in the embodiment shown in FIG. 8, the sensor IC is
The circuit 6 is formed on the substrate 4-1 and the organic EL element 5 is formed on the substrate 4
It is formed on a substrate 4-2 different from -1, and these are fixed to a common substrate 4-3.
【０１５０】これによりセンサＩＣ回路６と有機ＥＬ素
子で構成される薄膜発光層５をそれぞれ別々に製造する
ことができるので、前記の問題点を有効に改善すること
ができる。As a result, since the sensor IC circuit 6 and the thin film light emitting layer 5 composed of the organic EL element can be separately manufactured, the above problems can be effectively improved.
【０１５１】〔本発明の第３実施例〕本発明の第３の実
施例を図９により説明する。図９の実施例ではその
（Ａ）に示す如く、ベース基板４にセンサＩＣ回路６を
形成し、薄板ガラス３に有機ＥＬ素子で構成される薄膜
発光層５を形成しておき、これらを一緒にするものであ
る。図９では、説明の簡略化のため、これらを一緒にし
た図面及びプラテン・ローラ等についての記載を省略し
た。[Third Embodiment of the Present Invention] A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the embodiment of FIG. 9, as shown in FIG. 9A, the sensor IC circuit 6 is formed on the base substrate 4, the thin film light emitting layer 5 composed of the organic EL element is formed on the thin glass plate 3, and these are combined together. It is something to do. In FIG. 9, for simplification of description, a drawing in which these are combined and description of the platen roller and the like are omitted.
【０１５２】薄板ガラス３には、図９（Ｂ）に示す如く
各層が実施例１、２とは逆の順に積層されて有機ＥＬ素
子で構成される薄膜発光層が形成される。即ち、薄板ガ
ラス３には先ず透明電極９１としてＩＴＯ膜が蒸着又は
スパッタリングにより成膜される。この上に絶縁層９２
としてＳｉＯ2 がプラズマＣＶＤ法により成膜され、窓
開けされる。On the thin glass plate 3, as shown in FIG. 9B, each layer is laminated in the reverse order of the first and second embodiments to form a thin film light emitting layer composed of an organic EL element. That is, an ITO film is first formed as a transparent electrode 91 on the thin glass plate 3 by vapor deposition or sputtering. Insulating layer 92 on this
As a film, SiO 2 is formed by a plasma CVD method and a window is opened.
【０１５３】それから正孔注入輸送層９３として化６の
化合物が蒸着される。そしてこの上に発光・電子注入層
９４としてＡｌｑ３が蒸着される。次に陰極９５として
ＭｇＡｇが蒸着され、その上にＣｒ／Ａｌ層又はＡｌ層
９６が形成される。それからＳｉＯ2 等の保護層９７が
成膜される。Then, the compound of Chemical formula 6 is vapor-deposited as the hole injecting and transporting layer 93. Then, Alq3 is vapor-deposited thereon as a light emitting / electron injection layer 94. Next, MgAg is vapor-deposited as the cathode 95, and the Cr / Al layer or the Al layer 96 is formed thereon. Then, a protective layer 97 such as SiO 2 is deposited.
【０１５４】またベース基板４には、前記第１実施例に
おいて説明したものと同一の手法によりセンサＩＣ回路
６が形成される。このようにしてそれぞれ、薄板ガラス
３に形成された有機ＥＬ素子で構成される薄膜発光層５
とベース基板４に形成されたセンサＩＣ回路６を接合す
ることにより完全密着型イメージセンサを構成すること
ができる。Further, the sensor IC circuit 6 is formed on the base substrate 4 by the same method as that described in the first embodiment. In this way, the thin film light emitting layer 5 composed of the organic EL element formed on the thin glass plate 3 is formed.
By joining the sensor IC circuit 6 formed on the base substrate 4 to the complete contact type image sensor.
【０１５５】なお前記化６の化合物を他の化合物に代え
ても良い。The compound of the above chemical formula 6 may be replaced with another compound.
【０１５６】[0156]
【発明の効果】請求項１に記載された本発明によれば、
光センサと光源とを同一平面状に配置し、この上に読取
原稿を位置させることができ、従来のイメージセンサに
比較して大きさを約半分にするとともに、その構造を非
常に簡単にすることができる。そのため組み立ても簡単
になり、安価な完全密着型イメージセンサを供給するこ
とができる。しかも面読み取りができる二次元イメージ
センサを提供することができる。According to the present invention described in claim 1,
The light sensor and the light source are arranged on the same plane, and the read document can be positioned on this, and the size is about half that of the conventional image sensor and the structure is very simple. be able to. Therefore, the assembly is simplified and an inexpensive perfect contact type image sensor can be supplied. Moreover, it is possible to provide a two-dimensional image sensor capable of surface reading.
【０１５７】請求項２に記載された本発明によれば、光
源を有機ＥＬ素子により構成したので光源部分を平面上
に、しかも薄く構成することができる。また発光部分も
発光ダイオードの如き点光源と異なり、面光源のため、
読取原稿をむらなく照射することができる。According to the present invention described in claim 2, since the light source is composed of the organic EL element, the light source portion can be formed on a flat surface and thin. Also, the light emitting part is a surface light source, unlike point light sources such as light emitting diodes.
The scanned document can be evenly illuminated.
【０１５８】請求項３に記載された本発明によれば、絶
縁膜の位置により発光部位を任意に定めることができる
ので、読み取り対象物やセンサの位置等に応じて、発光
位置を最適な位置に定めることができる。According to the third aspect of the present invention, the light emitting portion can be arbitrarily determined by the position of the insulating film. Therefore, the light emitting position is set to the optimum position according to the position of the object to be read or the sensor. Can be specified.
【０１５９】請求項４に記載された本発明によれば、光
源が必要とする部分以外を遮光することができるので、
発光する光の量を調整することができる。請求項５に記
載された本発明によれば、むらのない均一な面発光が可
能となり、しかも長時間にわたって高輝度で安定なもの
を提供できる。波長によっても異なるが、発光極大波長
が３５０〜７００ｎｍ位のものを、１００〜１００００
ｃｄ／ｍ2 程度あるいはそれ以上の高輝度のものも安定
して得ることができる。化２で表されるテトラアリール
ジアミン誘導体は、融点やガラス転移温度が高く、その
蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安
定なアモルファス状態を形成し、長期間に渡って平滑で
良好な膜質を示す。従って耐熱性、耐久性が高く、素子
電流密度が１Ａ／ｃｍ2 程度以上でも安定した駆動を可
能にすることができる。According to the present invention described in claim 4, since it is possible to block light except for a portion required by the light source,
The amount of light emitted can be adjusted. According to the present invention described in claim 5, it is possible to provide a uniform surface light emission without unevenness, and to provide a high brightness and stable light emission for a long time. Depending on the wavelength, the maximum emission wavelength of 350 to 700 nm is 100 to 10,000.
It is possible to stably obtain a product having a high brightness of about cd / m 2 or more. The tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 2 has a high melting point and glass transition temperature, and the thin film formed by vapor deposition thereof is transparent and forms a stable amorphous state even at room temperature or higher, and is smooth over a long period of time. Shows good film quality. Therefore, heat resistance and durability are high, and stable driving can be enabled even when the device current density is about 1 A / cm 2 or more.
【０１６０】請求項６、７及び８に記載された本発明に
よれば、低電圧駆動により更に長寿命で、安定した発光
が得られる。請求項９及び１０に記載された本発明によ
れば、高輝度、長寿命の光源を得ることができる。According to the present invention described in claims 6, 7 and 8, stable light emission with longer life can be obtained by low voltage driving. According to the present invention described in claims 9 and 10, a light source with high brightness and long life can be obtained.
【０１６１】請求項１１に記載された本発明によれば、
正孔注入輸送効率が向上し、むらのない均一な面発光が
可能となり、しかも長時間にわたって高輝度で安定なも
のを提供できる。According to the present invention described in claim 11,
The hole injection / transport efficiency is improved, uniform surface emission without unevenness is possible, and high-luminance and stable light can be provided for a long time.
【０１６２】請求項１２及び１３に記載された本発明に
よれば、正孔注入効率が向上し、低電圧で駆動すること
ができる。そしてさらに電流リークのない、長寿命の安
定した光源を得ることができる。According to the present invention described in claims 12 and 13, the hole injection efficiency is improved, and the device can be driven at a low voltage. Further, it is possible to obtain a stable light source having a long life and no current leakage.
【０１６３】請求項１４に記載された本発明によれば、
電子注入輸送効率が向上し、むらのない均一な面発光が
可能となり、しかも長時間にわたって高輝度で安定なも
のを提供できる。According to the present invention described in claim 14,
The efficiency of electron injection and transport is improved, uniform and uniform surface emission is possible, and high luminance and stable light can be provided for a long time.
【０１６４】請求項１５に記載された本発明によれば、
接合界面におけるエネルギーレベルが最適化されて、む
らのない均一な面発光が可能となり、しかも長時間にわ
たって高輝度で安定なものを提供できる。According to the present invention described in claim 15,
By optimizing the energy level at the bonding interface, it is possible to provide a uniform surface emission without unevenness, and it is possible to provide a stable product with high brightness for a long time.
【図１】本発明の一実施例構成図を示す。FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明で使用するセンサＩＣ回路の概略構成図
（その１）を示す。FIG. 2 is a schematic configuration diagram (1) of a sensor IC circuit used in the present invention.
【図３】本発明で使用するセンサＩＣ回路の概略構成図
（その２）を示す。FIG. 3 is a schematic configuration diagram (No. 2) of a sensor IC circuit used in the present invention.
【図４】本発明における有機ＥＬ素子の一例を示す。FIG. 4 shows an example of an organic EL device according to the present invention.
【図５】本発明における有機ＥＬ素子の第２例を示す。FIG. 5 shows a second example of the organic EL element in the present invention.
【図６】低エネルギー電子分光装置説明図を示す。FIG. 6 is an explanatory view of a low energy electron spectroscope.
【図７】本発明における有機ＥＬ素子の他の例を示す。FIG. 7 shows another example of the organic EL device of the present invention.
【図８】本発明の完全密着型イメージセンサの第２の実
施例を示す。FIG. 8 shows a second embodiment of the perfect contact type image sensor of the present invention.
【図９】本発明の完全密着型イメージセンサの第３の実
施例を示す。FIG. 9 shows a third embodiment of the perfect contact type image sensor of the present invention.
【図１０】従来の完全密着型イメージセンサ説明図を示
す。FIG. 10 is an explanatory view of a conventional perfect contact type image sensor.
１ プラテン・ローラ ２ 原稿 ３ 薄板ガラス ４ ベース基板 ５ 薄膜発光層 ６ センサＩＣ回路 ７ サポート基板 1 Platen Roller 2 Original 3 Thin Glass 4 Base Substrate 5 Thin Film Light Emitting Layer 6 Sensor IC Circuit 7 Support Substrate
Claims (15)
反射光を直接光センサに入射する完全密着型イメージセ
ンサにおいて、 光センサと、光源とを同一面上に配置するとともに、こ
れら光センサと光源との上に薄板を配置したことを特徴
とする完全密着型イメージセンサ。1. A perfect contact image sensor in which light from a light source is applied to an object to be detected and reflected light is directly incident on the optical sensor, and the optical sensor and the light source are arranged on the same plane, and A perfect contact type image sensor characterized in that a thin plate is arranged on an optical sensor and a light source.
素子で構成されたことを特徴とする請求項１記載の完全
密着型イメージセンサ。2. The perfect contact type image sensor according to claim 1, wherein the light source is composed of an organic electroluminescence element.
光部位を選択できるように、電極と有機化合物層との間
に絶縁膜を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミ
ネセンス素子。3. The organic electroluminescent element, wherein an insulating film is provided between an electrode and an organic compound layer so that a light emitting portion can be selected.
は、光源が必要とする部分以外を遮光するように構成し
たことを特徴とする請求項２記載の完全密着型イメージ
センサ。4. The perfect contact type image sensor according to claim 2, wherein the organic electroluminescence element is configured to block light except for a portion required by the light source.
が、下記化１で表されるテトラアリールジアミン誘導体
を含有する層を少なくとも１層有することを特徴とする
請求項２記載の完全密着型イメージセンサ。 【化１】 〔化１において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ
アリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。ｒ１ 、ｒ２、
ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の整数である。
Ｒ5 及びＲ6は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基
又はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なる物で
あってもよい。ｒ５ 及びｒ６は、それぞれ０又は１〜
４の整数である。〕5. The organic electroluminescent device
Is a tetraaryldiamine derivative represented by the following chemical formula 1.
At least one layer containing
The perfect contact image sensor according to claim 2. [Chemical 1][In Chemical Formula 1, R1, R2, R3And RFourAre each
Aryl group, alkyl group, alkoxy group, aryloxy
Represents a Si group, an amino group or a halogen atom. r1 , R2,
r3 and r4 are 0 or an integer of 1 to 5, respectively.
RFiveAnd R6Is an alkyl group, an alkoxy group, an amino group
Or represents a halogen atom, which may be the same or different.
There may be. r5 And r6 are 0 or 1 to
It is an integer of 4. ]
前記化１で表されるテトラアリールジアミン誘導体の少
なくとも１種以上と電子注入輸送機能を有する化合物の
少なくとも１種以上の混合物とを含有する層を少なくと
も１層有することを特徴とする請求項２記載の完全密着
型イメージセンサ。6. The organic electroluminescent device comprises at least a layer containing at least one tetraaryldiamine derivative represented by Chemical Formula 1 and a mixture of at least one compound having an electron injecting and transporting function. The perfect contact type image sensor according to claim 2, wherein the image sensor has one layer.
ことを特徴とする請求項６記載の完全密着型イメージセ
ンサ。7. The perfect contact image sensor according to claim 6, wherein the layer containing the mixture is a light emitting layer.
トリス（８−キノリノラト）アルミニウムであることを
特徴とする請求項６記載の完全密着型イメージセンサ。8. The perfect contact type image sensor according to claim 6, wherein the compound having an electron injecting and transporting function is tris (8-quinolinolato) aluminum.
が、前記化１で表されるテトラアリールジアミン誘導体
を含有する層の少なくとも１層に蛍光物質をドープした
ことを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載の
完全密着型イメージセンサ。9. The organic electroluminescent device according to claim 5, wherein at least one layer containing the tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 1 is doped with a fluorescent substance. The complete contact type image sensor described in Crab.
特徴とする請求項９記載の完全密着型イメージセンサ。10. The perfect contact type image sensor according to claim 9, wherein the fluorescent substance is rubrene.
アミン誘導体を少なくとも１種以上含有する層が正孔注
入輸送層であり、前記有機エレクトロルミネセンス素子
が、この正孔注入輸送層と発光層を有することを特徴と
する請求項５ないし１０のいずれかに記載の完全密着型
イメージセンサ。11. A layer containing at least one tetraaryldiamine derivative represented by the chemical formula 1 is a hole injecting and transporting layer, and the organic electroluminescent device comprises the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer. The perfect contact type image sensor according to claim 5, further comprising:
層以上で構成されることを特徴とする請求項１１記載の
密着型イメージセンサ。12. The hole injecting and transporting layer is different in composition from each other.
The contact-type image sensor according to claim 11, wherein the contact-type image sensor is composed of more than one layer.
がポリチオフェンを含有することを特徴とする請求項１
２記載の密着型イメージセンサ。13. The method according to claim 1, wherein at least one of the hole injecting and transporting layers contains polythiophene.
The contact image sensor described in 2.
は電子注入輸送層を有することを特徴とする請求項５な
いし１３のいずれかに記載の完全密着型イメージセン
サ。14. The perfect contact type image sensor according to claim 5, wherein the organic electroluminescence element has an electron injecting and transporting layer.
において、前記化１で表されるテトラアリールジアミン
誘導体を含有する層が正孔注入輸送機能を有する層であ
り、この層に接して発光機能を有する層又は電子注入輸
送機能を有する層が設けられており、前記正孔注入輸送
機能を有する層と前記発光機能を有する層又は電子注入
輸送機能を有する層とのイオン化ポテンシャルＩｐの差
もしくは電子親和力Ｅａの差、又はこれら両者の差が
０．２ｅＶ以上であることを特徴とする請求項５、９、
１０、１１、１２、１３、１４のいずれかに記載の完全
密着型イメージセンサ。15. In the organic electroluminescence device, the layer containing the tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 1 is a layer having a hole injecting and transporting function, and a layer having a light emitting function in contact with this layer. Alternatively, a layer having an electron injecting / transporting function is provided, and the difference in ionization potential Ip between the layer having the hole injecting / transporting function and the layer having the light emitting function or the layer having the electron injecting / transporting function or the electron affinity Ea 10. The difference, or the difference between the two, is 0.2 eV or more.
The perfect contact image sensor according to any one of 10, 11, 12, 13, and 14.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190778A JPH0855974A (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Full contact image sensor and organic electroluminescence element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190778A JPH0855974A (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Full contact image sensor and organic electroluminescence element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855974A true JPH0855974A (en) | 1996-02-27 |
Family
ID=16263580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6190778A Pending JPH0855974A (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Full contact image sensor and organic electroluminescence element |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0855974A (en) |
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